Jenis-Jenis Transistor

Menurut dari prinsip kerjanya transistor dibagi menjadi dua jenis yaitu; Transistor Bipolar (dwi kutub) dan Transistor Efek Medan (FET – Field Effect Transistor). Transistor Bipolar (Dwikutub) Transistor Bipolar adalah transistor yang paling umum digunakan di dunia elektronika. Transistor ini terdiri dari 3 lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua formasi lapisan yaitu lapisan P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan lapisan N-P-N (Negatif-PositifNegatif). Sehingga menurut dua formasi lapisan tersebut transistor bipolar dibedakan kedalam dua jenis yaitu transistor PNP dan transistor NPN.

Seperti terlihat pada gambar diatas transistor memiliki tiga kaki yang masing-masing diberi nama B (Basis), K (Kolektor), dan E (Emiter). Perbedaan fungsi dari jenis transistor ini (PNP atau NPN) terletak pada polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus listrik yang selalu berlawanan. Fungsi dari transistor bipolar itu sendiri adalah sebagai pengatur arus listrik (regulator arus listrik), dengan kata lain transistor dapat membatasi arus yang mengalir dari Kolektor ke Emiter atau sebaliknya (tergantung jenis transistor, PNP atau NPN) berdasarkan pada jumlah arus listrik yang diberikan pada kaki Basis.

FET beroperasi dengan cara mengendalikan aliran elektron dari terminal Source ke Drain melalui tegangan yang diberikan pada terminal Gate. jika transistor bipolar mengatur besar kecil-nya arus listrik yang melalui kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya melalui seberapa besar arus yang diberikan pada kaki Basis. Source (S). sedangkan pada FET besar kecil-nya arus listrik yang mengalir pada Drain ke Source atau sebaliknya adalah dengan seberapa besar tegangan yang diberikan pada kaki Gate . Sedangkan jika arus listrik diberikan pada kaki Basis maka transistor akan kembali terbuka sehingga arus dapat mengalir dari Kolektor ke Emiter atau sebaliknya. maka transistor akan dalam keadaan tertutup sehingga tidak ada arus yang mengalir pada kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya. Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor (FET)) FET memiliki tiga kaki terminal yang masing-masing diberi nama Drain (D). Perbedaan mendasar antara FET dan transistor bipolar adalah. Jika tidak ada arus listrik yang mengalir pada kaki Basis.Nama Bipolar diambil karena elektron yang mengalir pada transistor ini melewati dua tipe material semikonduktor dengan polaritas P (Positif) dan N (Negatif). sifat transistor ini banyak digunakan dalam rangkaian elektronika sebagai sakelar elektronik. dan Gate (G).

Secara umum. Through Hole Plastic. Tegangan Tinggi. Surface Mount. VMOSFET. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet. MISFET. HBT. Audio. IGFET (MOSFET). JFET. IGFET (MOSFET). MESFET. dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel. IGBT. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Medium. SCR s erta pengembangan dari transistor yaitu IC(Integrated Circuit) dan lain-lain. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. dan lain-lain Tipe: UJT. atau High Frequency. Saklar. General Purpose. MESFET. Tegangan Tinggi. HBT. BJT. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. dan lainlain  Aplikasi: Amplifier. Medium Power. IC. General Purpose. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:        Materi semikonduktor: Germanium. Microwave. VMOSFET. sehingga ada tiga terminal. Saklar. High Power Maximum frekuensi kerja: Low. Medium Power. kolektor (C). PNP atau P-channel Maximum kapasitas daya: Low Power. High Power Maximum frekwensi kerja: Low. Surface Mount. dan basis (B). Medium. dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:    Materi semikonduktor: Germanium. dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. Microwave. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. MISFET. Audio. IC. Silikon. dan lain-lain Secara umum. HEMT. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). RF transistor. atau High Frequency. JFET. HEMT. IGBT. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau . PNP atau P-channel Maximum kapasitas daya: Low Power. Silikon.    Polaritas: NPN atau N-channel. BJT. RF transistor. Through Hole Plastic. Berbeda dengan IGFET. dan lain-lain Tipe: UJT. .

dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode. Dan juga. keduanya memiliki impedansi input tinggi. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode. Secara fungsinya. Untuk kedua mode. polaritaspolaritas semua dibalik. ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode". . Untuk P-channel FET. gate adalah negatif dibandingkan dengan source. dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode. jika tegangan gate dibuat lebih positif. yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. gate adalah positif. sedangkan dalam enhancement mode.terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain).

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful