Jenis-Jenis Transistor

Menurut dari prinsip kerjanya transistor dibagi menjadi dua jenis yaitu; Transistor Bipolar (dwi kutub) dan Transistor Efek Medan (FET – Field Effect Transistor). Transistor Bipolar (Dwikutub) Transistor Bipolar adalah transistor yang paling umum digunakan di dunia elektronika. Transistor ini terdiri dari 3 lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua formasi lapisan yaitu lapisan P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan lapisan N-P-N (Negatif-PositifNegatif). Sehingga menurut dua formasi lapisan tersebut transistor bipolar dibedakan kedalam dua jenis yaitu transistor PNP dan transistor NPN.

Seperti terlihat pada gambar diatas transistor memiliki tiga kaki yang masing-masing diberi nama B (Basis), K (Kolektor), dan E (Emiter). Perbedaan fungsi dari jenis transistor ini (PNP atau NPN) terletak pada polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus listrik yang selalu berlawanan. Fungsi dari transistor bipolar itu sendiri adalah sebagai pengatur arus listrik (regulator arus listrik), dengan kata lain transistor dapat membatasi arus yang mengalir dari Kolektor ke Emiter atau sebaliknya (tergantung jenis transistor, PNP atau NPN) berdasarkan pada jumlah arus listrik yang diberikan pada kaki Basis.

maka transistor akan dalam keadaan tertutup sehingga tidak ada arus yang mengalir pada kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya.Nama Bipolar diambil karena elektron yang mengalir pada transistor ini melewati dua tipe material semikonduktor dengan polaritas P (Positif) dan N (Negatif). Source (S). Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor (FET)) FET memiliki tiga kaki terminal yang masing-masing diberi nama Drain (D). FET beroperasi dengan cara mengendalikan aliran elektron dari terminal Source ke Drain melalui tegangan yang diberikan pada terminal Gate. sifat transistor ini banyak digunakan dalam rangkaian elektronika sebagai sakelar elektronik. Sedangkan jika arus listrik diberikan pada kaki Basis maka transistor akan kembali terbuka sehingga arus dapat mengalir dari Kolektor ke Emiter atau sebaliknya. Jika tidak ada arus listrik yang mengalir pada kaki Basis. dan Gate (G). Perbedaan mendasar antara FET dan transistor bipolar adalah. jika transistor bipolar mengatur besar kecil-nya arus listrik yang melalui kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya melalui seberapa besar arus yang diberikan pada kaki Basis. sedangkan pada FET besar kecil-nya arus listrik yang mengalir pada Drain ke Source atau sebaliknya adalah dengan seberapa besar tegangan yang diberikan pada kaki Gate .

High Power Maximum frekwensi kerja: Low. dan lain-lain Tipe: UJT. Tegangan Tinggi. dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. JFET. Surface Mount.Secara umum. High Power Maximum frekuensi kerja: Low. HEMT. MESFET. IC.    Polaritas: NPN atau N-channel. Saklar. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:        Materi semikonduktor: Germanium. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:    Materi semikonduktor: Germanium. IGFET (MOSFET). Silikon. Microwave. Tegangan Tinggi. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. IGBT. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. Audio. dan lainlain  Aplikasi: Amplifier. atau High Frequency. IGFET (MOSFET). RF transistor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Medium Power. dan lain-lain Secara umum. JFET. FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Microwave. HBT. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. IC. sehingga ada tiga terminal. PNP atau P-channel Maximum kapasitas daya: Low Power. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet. Medium. Medium Power. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). VMOSFET. kolektor (C). HEMT. General Purpose. General Purpose. Silikon. BJT. SCR s erta pengembangan dari transistor yaitu IC(Integrated Circuit) dan lain-lain. Surface Mount. BJT. Through Hole Plastic. RF transistor. Through Hole Plastic. Medium. IGBT. VMOSFET. dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau . dan basis (B). Audio. atau High Frequency. MISFET. dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. PNP atau P-channel Maximum kapasitas daya: Low Power. MISFET. . Berbeda dengan IGFET. MESFET. dan lain-lain Tipe: UJT. HBT. Saklar.

Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Dan juga. keduanya memiliki impedansi input tinggi. polaritaspolaritas semua dibalik. gate adalah positif. gate adalah negatif dibandingkan dengan source. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode". Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode. ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum. jika tegangan gate dibuat lebih positif. dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. Secara fungsinya. sedangkan dalam enhancement mode.terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. . dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode. Untuk P-channel FET. Untuk kedua mode.