Jenis-Jenis Transistor

Menurut dari prinsip kerjanya transistor dibagi menjadi dua jenis yaitu; Transistor Bipolar (dwi kutub) dan Transistor Efek Medan (FET – Field Effect Transistor). Transistor Bipolar (Dwikutub) Transistor Bipolar adalah transistor yang paling umum digunakan di dunia elektronika. Transistor ini terdiri dari 3 lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua formasi lapisan yaitu lapisan P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan lapisan N-P-N (Negatif-PositifNegatif). Sehingga menurut dua formasi lapisan tersebut transistor bipolar dibedakan kedalam dua jenis yaitu transistor PNP dan transistor NPN.

Seperti terlihat pada gambar diatas transistor memiliki tiga kaki yang masing-masing diberi nama B (Basis), K (Kolektor), dan E (Emiter). Perbedaan fungsi dari jenis transistor ini (PNP atau NPN) terletak pada polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus listrik yang selalu berlawanan. Fungsi dari transistor bipolar itu sendiri adalah sebagai pengatur arus listrik (regulator arus listrik), dengan kata lain transistor dapat membatasi arus yang mengalir dari Kolektor ke Emiter atau sebaliknya (tergantung jenis transistor, PNP atau NPN) berdasarkan pada jumlah arus listrik yang diberikan pada kaki Basis.

jika transistor bipolar mengatur besar kecil-nya arus listrik yang melalui kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya melalui seberapa besar arus yang diberikan pada kaki Basis. sifat transistor ini banyak digunakan dalam rangkaian elektronika sebagai sakelar elektronik. Jika tidak ada arus listrik yang mengalir pada kaki Basis. Source (S). FET beroperasi dengan cara mengendalikan aliran elektron dari terminal Source ke Drain melalui tegangan yang diberikan pada terminal Gate. Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor (FET)) FET memiliki tiga kaki terminal yang masing-masing diberi nama Drain (D).Nama Bipolar diambil karena elektron yang mengalir pada transistor ini melewati dua tipe material semikonduktor dengan polaritas P (Positif) dan N (Negatif). sedangkan pada FET besar kecil-nya arus listrik yang mengalir pada Drain ke Source atau sebaliknya adalah dengan seberapa besar tegangan yang diberikan pada kaki Gate . maka transistor akan dalam keadaan tertutup sehingga tidak ada arus yang mengalir pada kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya. Sedangkan jika arus listrik diberikan pada kaki Basis maka transistor akan kembali terbuka sehingga arus dapat mengalir dari Kolektor ke Emiter atau sebaliknya. dan Gate (G). Perbedaan mendasar antara FET dan transistor bipolar adalah.

Saklar. MISFET. sehingga ada tiga terminal. kolektor (C). Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). atau High Frequency. VMOSFET. BJT. dan basis (B). High Power Maximum frekwensi kerja: Low. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. RF transistor. HBT. SCR s erta pengembangan dari transistor yaitu IC(Integrated Circuit) dan lain-lain. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Microwave. HEMT. JFET. Tegangan Tinggi. Silikon. Surface Mount. Medium. Saklar. HEMT. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau . MESFET. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet. Medium Power. MISFET. dan lain-lain Secara umum. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. IC. dan lainlain  Aplikasi: Amplifier. IGBT.Secara umum. Medium Power. Through Hole Plastic. dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. dan lain-lain Tipe: UJT. . Through Hole Plastic. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:        Materi semikonduktor: Germanium. High Power Maximum frekuensi kerja: Low. Audio. dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. General Purpose. PNP atau P-channel Maximum kapasitas daya: Low Power. Berbeda dengan IGFET. JFET. Silikon. dan lain-lain Tipe: UJT. MESFET. VMOSFET. RF transistor. Audio. IC. BJT. atau High Frequency. Microwave. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:    Materi semikonduktor: Germanium.    Polaritas: NPN atau N-channel. General Purpose. HBT. IGFET (MOSFET). Tegangan Tinggi. IGBT. dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel. IGFET (MOSFET). Surface Mount. PNP atau P-channel Maximum kapasitas daya: Low Power. Medium.

Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Untuk P-channel FET. dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. gate adalah negatif dibandingkan dengan source. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode". Secara fungsinya. Untuk kedua mode.terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. Dan juga. keduanya memiliki impedansi input tinggi. aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. gate adalah positif. sedangkan dalam enhancement mode. . Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode. ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum. jika tegangan gate dibuat lebih positif. dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode. polaritaspolaritas semua dibalik.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful