Jenis-Jenis Transistor

Menurut dari prinsip kerjanya transistor dibagi menjadi dua jenis yaitu; Transistor Bipolar (dwi kutub) dan Transistor Efek Medan (FET – Field Effect Transistor). Transistor Bipolar (Dwikutub) Transistor Bipolar adalah transistor yang paling umum digunakan di dunia elektronika. Transistor ini terdiri dari 3 lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua formasi lapisan yaitu lapisan P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan lapisan N-P-N (Negatif-PositifNegatif). Sehingga menurut dua formasi lapisan tersebut transistor bipolar dibedakan kedalam dua jenis yaitu transistor PNP dan transistor NPN.

Seperti terlihat pada gambar diatas transistor memiliki tiga kaki yang masing-masing diberi nama B (Basis), K (Kolektor), dan E (Emiter). Perbedaan fungsi dari jenis transistor ini (PNP atau NPN) terletak pada polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus listrik yang selalu berlawanan. Fungsi dari transistor bipolar itu sendiri adalah sebagai pengatur arus listrik (regulator arus listrik), dengan kata lain transistor dapat membatasi arus yang mengalir dari Kolektor ke Emiter atau sebaliknya (tergantung jenis transistor, PNP atau NPN) berdasarkan pada jumlah arus listrik yang diberikan pada kaki Basis.

sifat transistor ini banyak digunakan dalam rangkaian elektronika sebagai sakelar elektronik. sedangkan pada FET besar kecil-nya arus listrik yang mengalir pada Drain ke Source atau sebaliknya adalah dengan seberapa besar tegangan yang diberikan pada kaki Gate . Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor (FET)) FET memiliki tiga kaki terminal yang masing-masing diberi nama Drain (D). Jika tidak ada arus listrik yang mengalir pada kaki Basis. Sedangkan jika arus listrik diberikan pada kaki Basis maka transistor akan kembali terbuka sehingga arus dapat mengalir dari Kolektor ke Emiter atau sebaliknya. Perbedaan mendasar antara FET dan transistor bipolar adalah. dan Gate (G). FET beroperasi dengan cara mengendalikan aliran elektron dari terminal Source ke Drain melalui tegangan yang diberikan pada terminal Gate.Nama Bipolar diambil karena elektron yang mengalir pada transistor ini melewati dua tipe material semikonduktor dengan polaritas P (Positif) dan N (Negatif). jika transistor bipolar mengatur besar kecil-nya arus listrik yang melalui kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya melalui seberapa besar arus yang diberikan pada kaki Basis. maka transistor akan dalam keadaan tertutup sehingga tidak ada arus yang mengalir pada kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya. Source (S).

FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). JFET. SCR s erta pengembangan dari transistor yaitu IC(Integrated Circuit) dan lain-lain. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau . MESFET. PNP atau P-channel Maximum kapasitas daya: Low Power. IGBT. MISFET. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. dan lain-lain Secara umum. IGFET (MOSFET). dan lain-lain Tipe: UJT. dan lain-lain Tipe: UJT. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Berbeda dengan IGFET. HBT. Microwave. Microwave. Medium. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:    Materi semikonduktor: Germanium. Silikon. Surface Mount. IC.Secara umum. MISFET. High Power Maximum frekwensi kerja: Low. atau High Frequency. Tegangan Tinggi. General Purpose. Medium. BJT. Silikon. HBT. . transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:        Materi semikonduktor: Germanium. HEMT. High Power Maximum frekuensi kerja: Low. kolektor (C). Through Hole Plastic. Through Hole Plastic.    Polaritas: NPN atau N-channel. Medium Power. Saklar. IC. sehingga ada tiga terminal. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. Tegangan Tinggi. RF transistor. Medium Power. Saklar. dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). dan lainlain  Aplikasi: Amplifier. MESFET. atau High Frequency. BJT. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. HEMT. IGFET (MOSFET). Audio. dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel. dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. PNP atau P-channel Maximum kapasitas daya: Low Power. dan basis (B). VMOSFET. IGBT. RF transistor. General Purpose. VMOSFET. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet. Surface Mount. Audio. JFET.

dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode. sedangkan dalam enhancement mode. yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode. .terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode. gate adalah positif. jika tegangan gate dibuat lebih positif. Untuk kedua mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Secara fungsinya. aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. gate adalah negatif dibandingkan dengan source. Untuk P-channel FET. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Dan juga. ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum. keduanya memiliki impedansi input tinggi. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode". dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. polaritaspolaritas semua dibalik.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful