Jenis-Jenis Transistor

Menurut dari prinsip kerjanya transistor dibagi menjadi dua jenis yaitu; Transistor Bipolar (dwi kutub) dan Transistor Efek Medan (FET – Field Effect Transistor). Transistor Bipolar (Dwikutub) Transistor Bipolar adalah transistor yang paling umum digunakan di dunia elektronika. Transistor ini terdiri dari 3 lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua formasi lapisan yaitu lapisan P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan lapisan N-P-N (Negatif-PositifNegatif). Sehingga menurut dua formasi lapisan tersebut transistor bipolar dibedakan kedalam dua jenis yaitu transistor PNP dan transistor NPN.

Seperti terlihat pada gambar diatas transistor memiliki tiga kaki yang masing-masing diberi nama B (Basis), K (Kolektor), dan E (Emiter). Perbedaan fungsi dari jenis transistor ini (PNP atau NPN) terletak pada polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus listrik yang selalu berlawanan. Fungsi dari transistor bipolar itu sendiri adalah sebagai pengatur arus listrik (regulator arus listrik), dengan kata lain transistor dapat membatasi arus yang mengalir dari Kolektor ke Emiter atau sebaliknya (tergantung jenis transistor, PNP atau NPN) berdasarkan pada jumlah arus listrik yang diberikan pada kaki Basis.

sedangkan pada FET besar kecil-nya arus listrik yang mengalir pada Drain ke Source atau sebaliknya adalah dengan seberapa besar tegangan yang diberikan pada kaki Gate . Perbedaan mendasar antara FET dan transistor bipolar adalah. FET beroperasi dengan cara mengendalikan aliran elektron dari terminal Source ke Drain melalui tegangan yang diberikan pada terminal Gate. Source (S). Sedangkan jika arus listrik diberikan pada kaki Basis maka transistor akan kembali terbuka sehingga arus dapat mengalir dari Kolektor ke Emiter atau sebaliknya. sifat transistor ini banyak digunakan dalam rangkaian elektronika sebagai sakelar elektronik.Nama Bipolar diambil karena elektron yang mengalir pada transistor ini melewati dua tipe material semikonduktor dengan polaritas P (Positif) dan N (Negatif). dan Gate (G). maka transistor akan dalam keadaan tertutup sehingga tidak ada arus yang mengalir pada kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya. Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor (FET)) FET memiliki tiga kaki terminal yang masing-masing diberi nama Drain (D). Jika tidak ada arus listrik yang mengalir pada kaki Basis. jika transistor bipolar mengatur besar kecil-nya arus listrik yang melalui kaki Kolektor ke Emiter atau sebaliknya melalui seberapa besar arus yang diberikan pada kaki Basis.

dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel. Berbeda dengan IGFET. JFET. Microwave. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. atau High Frequency. Medium. sehingga ada tiga terminal. General Purpose. General Purpose. dan lain-lain Tipe: UJT. High Power Maximum frekwensi kerja: Low. Microwave. . SCR s erta pengembangan dari transistor yaitu IC(Integrated Circuit) dan lain-lain. BJT. IGFET (MOSFET). RF transistor. Medium Power. Saklar. Surface Mount. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:    Materi semikonduktor: Germanium. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau . Silikon. MISFET. dan lain-lain Tipe: UJT. RF transistor. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:        Materi semikonduktor: Germanium. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). High Power Maximum frekuensi kerja: Low. MESFET. VMOSFET. PNP atau P-channel Maximum kapasitas daya: Low Power. kolektor (C). HBT. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. Through Hole Plastic. Tegangan Tinggi. dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). atau High Frequency. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet. dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. HEMT. Medium Power. IC. dan lain-lain Secara umum. MISFET. HBT. Audio. PNP atau P-channel Maximum kapasitas daya: Low Power. IGBT. Surface Mount. VMOSFET. BJT.    Polaritas: NPN atau N-channel.Secara umum. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. MESFET. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. IGBT. Tegangan Tinggi. IGFET (MOSFET). Medium. Saklar. dan basis (B). HEMT. JFET. Silikon. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Audio. IC. Through Hole Plastic. dan lainlain  Aplikasi: Amplifier.

FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode. gate adalah negatif dibandingkan dengan source. dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum. Secara fungsinya.terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. . sedangkan dalam enhancement mode. yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Dan juga. Untuk P-channel FET. jika tegangan gate dibuat lebih positif. gate adalah positif. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode. polaritaspolaritas semua dibalik. keduanya memiliki impedansi input tinggi. Untuk kedua mode. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode".

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful