BAB I PENDAHULUAN I.1.

Latar Belakang Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponenkomponen lainnya. Pada karya tulis ini saya akan mencoba membahas masalah bias pada transistor yang meliputi Bias Pembagi Tegangan (Voltage Divider) dan Bias Umpan-balik (Bias Basis, Bias Kolektor-Basis). I.2. Rumusan Masalah 1. Jelaskan tentang Bias Pembagi Tegangan (Voltage Divider)! 2. Jelaskan tentang Bias Umpan balik! I.3. Tujuan 1. Mahasiswa dapat memahami tentang Bias Pembagi Tagangan (Voltage Divider). 2. Mahasiswa dapat memahami tentang Bias Umpan Balik.

- 14 -

BAB II PEMBAHASAN I.1. Bias Pembagi Tegangan (Voltage Divider)

Gambar 1. Rangkaian Bias Pembagi Tegangan Gambar rangkaian diatas adalah rangkaian bias pembagi tegangan atau Voltage Divider Base (VDB), dengan pembagi tegangan (R1 dan R2) yang terhubung di kaki basis. Untuk rangkaian bias pembagi tegangan yang baik, arus basis lebih kecil daripada arus yang melalui pembagi tegangan. Sedangkan tegangan keluaran pembagi tegangan adalah :

Bias pembagi tegangan sebenarnya adalah bias emiter yang tersamar. Rangkaian gambar 2 ekuivalen dengan rangkaian di bawah ini

- 14 -

rumus-rumus lain yang digunakan untuk rangkaian VDB adalah sebagai berikut : ANALISIS BIAS PEMBAGI TEGANGAN SECARA AKURAT Rancangan rangkaian bias pembagi tegangan yang baik adalah rangkaian di mana pembagi tegangan terlihat tetap terhadap resistansi masukan basis.Gambar 2. Rangkaian Ekuivalen Bias Pembagi Tegangan Dari rumus VBB di atas. • Resistansi Sumber .14 - .

Analisis yang lebih baik seperti gambar 3. • Pembagi Tegangan Kaku .01 RL. maka tegangan beban berada pada selang satu persen dari tegangan ideal.1 adalah R 1 diparalel dengan R2 : Karena adanya resistansi ini maka tegangan keluaran dari pembagi tegangan tidaklah ideal seperti gambar 11.14 - . Jika kondisi di atas dipenuhi. Gambar 3. Rangkaian Ekuivalen Pembagi Tegangan • Resistensi Beban Penurunan tegangan basis dari idealnya yang masih diperbolehkan adalah jika pembagi tegangan tetap memenuhi aturan 100 : 1 : RS < 0.01 RL atau R1 || R2 < 0.01 RIN Rangkaian VDB yang baik akan dapat memenuhi kondisi ini.Sudah kita ketahui bahwa sumber tegangan kaku (fixed) bila : RS < 0.2. Pada rangkaian pembagi tegangan nilai resistansi Thevenin pembagi tegangan pada gambar 11.

Jika transistor pada gambar 3 memiliki penguatan arus 100.14 - . Sehingga digunakan aturan lain yaitu : Aturan pembagi tegangan 10 : 1 seperti di atas disebut sebagai pembagi tegangan tetap. Hal ini juga menunjukkan bahwa arus emiter 100 kali lebih besar dari arus basis. resistansi emiter muncul 100 kali lebih besar. berarti besar arus kolektor 100 kali besar arus basis. Seperti rumus : Karena itu persamaan : Dapat ditulis : • Bias Pembagi Tegangan Tetap Kadang rangkaian pembagi tegangan kaku menghasilkan nilai R1 dan R2 yang sangat kecil dan dapat menimbulkan masalah lain. Dari hal-hal tersebut di atas perhitungan nilai arus yang lebih akurat menggunakan rumus : . Jika dilihat dari sisi basis.

GARIS BEBAN VDB DAN TITIK Q Gambar 4. Contoh Rangkaian Dari gambar di atas kita cari garis beban rangkaian : .14 - .

Salah satu cara untuk mengubah titik Q adalah dengan mengubah hambatan emiter.14 - . Garis beban dan titik Q I.2.TITIK Q Rangkaian ini memiliki arus kolektor dan tegangan kolektor-emiter sebesar : Sehingga titik Q dari rangkaian di atas (4. Cobalah untuk menguban hambatan emiter menjadi 2. Gambar 5.2 K Ω.94V . 1. Bias Umpan Balik . Pada bias pembagi tegangan titik Q secara semu tidak terpengaruh terhadap perubahan penguatan arus. kemudian coba lagi jika hambatan emiter 510Ω.1mA).

Rangkaian Bias Umpan Balik Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik dari collector menuju base.14 - .Gambar 6. dimana : I’C = IB + IC Tapi nilai IB yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh persamaan yang lebih sederhana (asumsi I’C ≅ IC ≅ βIB dan IC ≅ IE): sehingga. . VCC – I’CRC – IBRB –VBE-IERE = 0 Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan I’C.

Ini mengakibatkan IB berkurang.14 - . VE juga bertambah. Gambar 8. Rangkaian Bias Umpan Balik BIAS UMPAN BALIK EMITER Rangkaian bias basis merupakan rangkaian terburuk jika digunakan untuk membuat titik Q yang tetap. Sekarang kita bicarakan rangkaian bias umpan balik emiter. VB yang lebih besar akan mengurangi tegangan pada RB. akibatnya VB juga bertambah. perhatikan gambar di bawah ini. yang merupakan kebalikan dari kenaikan sebenarnya pada IC. Rangkaian Bias Umpan Balik Emiter Ide dari rangkaian di atas adalah : jika I C bertambah. Hal ini disebut dengan umpan balik karena perubahan pada tegangan emiter diumpankan kembali ke rangkaian basis . Tujuannya adalah untuk menstabilkan titik Q.Gambar 7.

.14 - .Bias umpan balik emiter tidak pernah populer karena pergerakan titik Q masih terlalu besar. yaitu RE harus bernilai lebih besar daripada RB/ βdc. (b) Titik Q sensitif terhadap perubahan gain arus. Jika hal ini dipenuhi maka IE menjadi tidak sensitif terhadap perubahan pada βdc. Tujuan dari rangkaian bias umpan balik emiter ini adalah untuk membanjiri βdc. (a) Contoh bias umpan balik emiter Gambar 9. (a) Contoh bias umpanbalik emiter (b) Titik Q sensitif terhadap perubahan gain arus. Rumus-rumus untuk menganalisis bias umpanbali emiter adalah sbb: Gambar 9. Gambar 9.

Misalkan terjadi penambahan terhadap arus kolektor. Idenya adalah memberi umpan balik tegangan ke basis untuk menetralkan setiap perubahan pada arus kolektor. Gambar 10. yang berarti pengurangan terhadap tegangan kolektor. Pengurangan tegangan kolektor ini berakibat penurunan arus basis yang menyebabkan penurunan terhadap arus kolektor. Rangkaian bias umpan balik kolektor Berikut ini rumus-rumus untuk menganalisa bias umpan balik kolektor: . BIAS UMPAN BALIK KOLEKTOR Bias umpan balik kolektor bertujuan untuk menstabilkan titik Q.14 - .Tetapi pada rangkaian praktis kita tidak dapat merancang rangkaian dengan RE yang cukup besar untuk membanjiri efek βdc tanpa memotong (cutting off) transistor.

BIAS UMPAN BALIK KOLEKTOR DAN EMITER Penggabungan rangkaian bias umpanbalik kolektor dan emiter merupakan langkah awal menuju bias yang lebih stabil bagi rangkaian transistor. Meskipun rangkaian ini masih sensitif terhadap perubahan penguatan arus. Gambar 11.Titik Q biasanya ditetapkan di dekat titik tengah garis beban dengan menggunakan resistansi basis. Dari rangkaian ini hasilnya hanya sedikit yang lebih baik. tetapi tidak cukup bagi kinerja yang diperlukan untuk produksi masal. Dibawah ini contoh rangkaian bias umpan balik kolektor beserta garis beban dan perubahan titik Q Gambar 11. .14 - . Rangkaian bias umpan balik kolektor beserta garis beban dan perubahan titik Q. Dari gambar grafik garis beban dan perubahan titik Q di atas. Penggabungan rangkaian ini memang menolong. terlihat bahwa bias umpan balik kolektor lebih efektif daripada bias umpan balik emiter dalam menstabilkan titik Q.

Gambar 12. Andaikan hanya 2 persen dari electron yang diinjeksikan ke dalam basis berekomendasi dengan lubang-lubang (holes) pada basis.14 - . Rangkaian bias umpan balik kolektor-emiter Rumus-rumus rangkaian umpan balik kolektor-emiter : Kumpulan Soal Elektronika Analog 1. Jika 1 juta electron masuk ke emitter dalam waktu 1 mikro sekon. berapa banyakkah electron yang .

75 mA Dit : IB = ……? αdc = ……? Jawab : IE = IB +Ic IB = IE – Ic IB = 6 – 5. Sebuah transistor mempunyai Ic sebesar 100 mA dan IB sebesar 0.5 mA.985 3.25 mA αdcIc/Ie αdc = 0. Jika arus emitter sebesar 6 mA dan arus kolektor sebesar 5. Sebuah transistor mempunyai βdc sebesar 150. Jika arus kolektor sama dengan 45 mA.75 mA.keluar dari kawa penghubung basis pada periode ini? Berapa banyakkah yang keluar dari kawat kolektor selama waktu tersebut? 2. berapakah besarnya arus bias? Berapakah nilai dari αdc ? Dik : IE = 6 mA Ic = 5. berapakah besar arus bias? Berapakah nilai dari αdc ? 4. berapakah besarnya arus basis? Dik : βdc = 150 Ic = 45 mA Dit : IB = ……? .75 = 0.14 - .

IB IB (βdc + 1) = IE . IC = IE . Berapakah besarnya arus basis. hitunglah kira-kira besarnya arus kolektor dan arus basis. IB = Ie/ βdc+1 IB = 10mA/91= 0. Sebuah transistor 2N3298 mempunyai βdc khusus sebesar 90. Hitunglah besarnya βdc pada titik A dan titik B. Berapakah besarnya tegangan jatuh IBrb. Jika arus emitter sebesar 10mA.19 mA 7. Gambar 5-26a menunjukkan salah satu dari kurva kolektor. Sebuah transistor daya 2N5067 mempunyai r’b = 10Ω. jika arus kolektor sama dengan 50 mA ? 8. .IB IB βdc = IE . Dik : βdc = 90 IE = 10 mA Dit : IB = …? IC = …? Jawab : IB = Ic/ βdc . Sebuah transistor mempunyai βdc = 400. jika IB = 1 mA? jika IB = 10 mA ? jika IB = 50 mA? 6.14 - .Jawab : βdc IC/IB IB = Ic/ βdc = 0.3mA 5.

berapakah nilai dari ICEO ? 12.1mA= 205 9. Gambar 5-27 menunjukkan suatu rangkaian transistor dengan kawat penghubung basis terbuka. jika transistor ini digunakan pada rangkaian pada gambar 5-27d.1mA = 200 Untuk di titik B. Transistor 2N5346 mempunyai variasi βdc seperti ditunjukkan gambar 5-26b. βdc = 200. Tunjukkanlah 5 kurva yang terletak diantara IB = 0 dan IB yang dibutuhkan untuk menghasilkan arus kolektor 50 mA. Buatlah skets kurva kolektor untuk sebuah transistor dengan spesifikasi berikut : VCE lebih kecil daripada 1 V. 10. VCEO = 40 V dan ICEO = 50 mA. βdc = 20mA/0. Sebuah transistor mempunyai kurva kolektor seperti pada gambar 5-27c. daerah breakdown dan daerah cutoff. IB = 7000mA/200=35mA 11. βdc = IC/IB Untuk di titik A. Jika kita mengukur VCE = 9 v.14 - . βdc = 20. IB = 1000mA/200= 5mA untuk 7 ampere. IB = Ic/ βdc untuk 1 ampere. daerah aktif.5mA/0.(a) (b) Dari gambar kita dapat mengetahui nilai IC dan IB Maka . berapakah besarnya βdc jika IC = 1A dan IC =7 A? Dari gambar kita dapat menghitung besarnya IB βdc = IC/IB . Tunjukkanlah di mana daerah saturasi. berapakah besarnya VCE ? .

0002 A 0. Sebuah transistor mempunyai arus kolektor sebesar 10 mA dan tegangan kolektor emitter sebesar 12 V. Maka : IC = 20-0/100000= 0. jika tegangan kolektor emitter sebesar 10 V.14 - . Gambarkanlah garis beban dari gambar 5-28a.Dari gambar dapat kita cari nilai VCE dengan menggunakan rumus berikut : IC = Vcc-Vce/Rc Untuk garis beban dengan mengambil VCE sama dengan nol. berapakah besarnya VCE? . berapakah arus maksimum yang dapat dilakukan pada transistor tanpa melampaui rating dayanya? Dengan rumus daya maka kita dapatkan besarnya nilai arus yang dihasilkan transistor: I = P/V = 310/10= 31 mA 15. Transistor 2N3904 mempunyai rating daya sebesar 310mW pada temperature ruangan (250c). pada garis beban gambar 5-28b? jika tegangan basis dihilangkan. Berapakah besarnya arus kolektor maksimum yang mungkin.0002 = 20-Vce/100000 VCE = -20-20 = -40V 13. berapakah besarnya disipasi dayanya? 14. berapakah arus saturasinya? Berapakah tegangan cutoff nya? 16.

RC = 0. karena tegangan jatuh yang dimiliki LED. karena IB = 0 (dalam keadaan . Berapakah besarnya arus basis pada gambar 5-28b? Arus Kolektor? Tegangan kolektor-emitter? 20. Misalkan kita hubungkan sebuah LED seri dengan tahanan 10kΩ dari gambar 5-28a. berapakah besarnya arus LED? Berikanlah komentar tentang terangnya LED. Gambarkanlah garis beban untuk gambar 5-29a.0106x470 = 5 Artinya dalam kondisi ini VCE=VCC 17. tidak diketahui IC = Vcc-VLED-VCE/Rc Maka ketika kita mngetahui nilai jatuh tegangan pada LED. Berapakah besarnya arus basis pada gambar 5-28a? Tegangan Kolektoremitter? Apakah transistor berada pada keadaan “Hard saturation”? 18.0106 A VCE = IC.14 - .IC = Vcc/Rc= 8/470= 0. Berapakah besarnya nilai saturasi dari arus kolektor? Tegangan cutoff? IC = Vcc/Rc= 20/10000 = 0. Jawab : Besarnya arus LED sama dengan besarnya arus pada arus kolektor atau IC. arus LED = Arus kolektor dapat dihitung.002 A = 2 mA Nilai IC diatas menggunakan rumus tersebut. 19.

RE Vc = 15 – 0.14 - .1.028 A Karena ILED = IC maka ILED = 0.7 / 100= 0. Berapakah besarnya arus kolektor yang ada pada gambar 5-29a? berapakah besarnya tegangan antara kolektor dan tanah? Tegangan kolektor-emitter? 22. berapakah tegangan kolektor ke tanah? IC = Vcc-Vbb+VBe = 10-2+0.028 .5 + 0.5 Volt IC = Vcc .cutoff) 21.RLED+IE.5 / 0. Pada gambar 5-29b. Jika VBB pada gambar 5-29c sama dengan 5 V. berapakah besarnya tegangan kolektoremitter? 24.043 .5Ω IE = 5 – 0.028 A RLED = 1.7/910= 0.VLed – Vce/Re = 19 .7 / 100= 0. Berapakah arus kolektor maksimum yang mungkin pada gambar 5-29b? jika VBB = 2 V.5 – 10.028= 53. berapakah arus LED? Tegangan kolektor ke tanah? Kita ambil nilai VLED = 1. VBB = 10 V.ILED.043 A Maka nilai VC = VCC .009 A = 9mA VCE = VCC-VBB = 10-2 = 8 V 23. 100 . 53.

karena apabila terminal Kolektor-Basis atau terminal Kolektor-emitter terhubung singkat.VC = 9. Terminal kolektor dan emitter terhubung singkat b. Berapakah besarnya arus LED yang ada.14 - . Tahanan 10k terbuka c. Gambar 5-30a menunjukkan sebuah optocoupler 4N33 yang digunakan untuk mengisolasi suatu rangkaian tegangan rendah (input) dari suatu rangkaian tegangan tinggi (common pada +1000V). Pada gambar 5-28a. Berapakah arus maksimum yang mungkin dari pothotransistor? b. berapakah besarnya tegangan kolektor-emitter dari phototransistor? 26. Jawablah pertanyaan berikut ini : a. tegangan kolektor ke tanah adalah +120V. Tahanan 47kΩ terbuka d. yang mana dari pernyataan ini yang mungkin merupakan penyebab dari kerusakan? a. Terminal kolektor-basis terhubung singkat Jawabannya adalah (a&d).2 Volt 25. gambar 5-30b merupakan karakteristik transfer 4N33 untuk phototransistor yang tidak saturasi. yang . jika VBB = +5V? berapakah besarnya tegangan kolektor-emitter dari phototransistor untuk keadaan ini? c. artinya transistor tersebut sudah mengalami breakdown atau batas kepekaan transistor dalam perannya sebagai transistor 27. Jika VBB = 0. Tegangan kolektor-ke-tanah dari gambar 5-29a membaca kira-kira 3 V.

8kΩ terbuka c.mana dari pernyataan ini merupakan asal dari kerusakan? a. Terminal kolektor-emitter terhubung singkat hidup b.14 - . jika tegangan basis dihilangkan. Tahanan 1. Terminal kolektor-emitter terhubung singkat 28. tidak ada tegangan (terjadi arus bocor) dan transistor tidak dapat bekerja dengan baik. Tahanan 100Ω tidak tersolder betul dengan tanah hidup BAB III PENUTUP . Terminal kolektor-emitter terbuka mati d. Sebutkan beberapa kemungkinan penyebabnya. Oleh karena itu. Yang menyebabkan tegangan kolektor-emitter nol (VCE = 0) adalah terjadinya cutoff (IB = 0) sehingga arus basis nol dan arus kolektor sangat kecil. Apakah LED pada Gambar 5-29c hidup atau mati untuk setiap keadaan berikut ini: a. maka tegangan kolektoremitter kira-kira nol. Pada gambar 5-28b. 29. sehingga dapat dikatakan VC=0. Tahanan 100Ω terbuka hidup c. Tahanan 10kΩ terhubung singkat b. VCE = 0. Terminal basis-emiter terhubung singkat d.

b) Bias Umpan Balik Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik dari collector menuju base. Kesimpulan a) Pemberian bias pada transistor melalui pembagi tegangan R1 dan R2 yang terhubung di kaki basis. DAFTAR PUSTAKA .III.14 - .1.

pdf .14 - .ac.wikipedia.org/wiki/Transistor http://www.html http://id.id/Downloads/files/8011/eldas.html http://robby.gudangmateri.blogspot.com/2010/12/bias-pembagi-tegangan-gambar11.com/2010/04/bias-dalam-transistor-bjt.http://materi-catatanku.scribd.c.gunadarma.staff.com/doc/29720901/9/Bias-Transistor http://www.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful