BAB I PENDAHULUAN I.1.

Latar Belakang Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponenkomponen lainnya. Pada karya tulis ini saya akan mencoba membahas masalah bias pada transistor yang meliputi Bias Pembagi Tegangan (Voltage Divider) dan Bias Umpan-balik (Bias Basis, Bias Kolektor-Basis). I.2. Rumusan Masalah 1. Jelaskan tentang Bias Pembagi Tegangan (Voltage Divider)! 2. Jelaskan tentang Bias Umpan balik! I.3. Tujuan 1. Mahasiswa dapat memahami tentang Bias Pembagi Tagangan (Voltage Divider). 2. Mahasiswa dapat memahami tentang Bias Umpan Balik.

- 14 -

BAB II PEMBAHASAN I.1. Bias Pembagi Tegangan (Voltage Divider)

Gambar 1. Rangkaian Bias Pembagi Tegangan Gambar rangkaian diatas adalah rangkaian bias pembagi tegangan atau Voltage Divider Base (VDB), dengan pembagi tegangan (R1 dan R2) yang terhubung di kaki basis. Untuk rangkaian bias pembagi tegangan yang baik, arus basis lebih kecil daripada arus yang melalui pembagi tegangan. Sedangkan tegangan keluaran pembagi tegangan adalah :

Bias pembagi tegangan sebenarnya adalah bias emiter yang tersamar. Rangkaian gambar 2 ekuivalen dengan rangkaian di bawah ini

- 14 -

• Resistansi Sumber .14 - . Rangkaian Ekuivalen Bias Pembagi Tegangan Dari rumus VBB di atas.Gambar 2. rumus-rumus lain yang digunakan untuk rangkaian VDB adalah sebagai berikut : ANALISIS BIAS PEMBAGI TEGANGAN SECARA AKURAT Rancangan rangkaian bias pembagi tegangan yang baik adalah rangkaian di mana pembagi tegangan terlihat tetap terhadap resistansi masukan basis.

Analisis yang lebih baik seperti gambar 3. Gambar 3.14 - . Rangkaian Ekuivalen Pembagi Tegangan • Resistensi Beban Penurunan tegangan basis dari idealnya yang masih diperbolehkan adalah jika pembagi tegangan tetap memenuhi aturan 100 : 1 : RS < 0. • Pembagi Tegangan Kaku .Sudah kita ketahui bahwa sumber tegangan kaku (fixed) bila : RS < 0. Jika kondisi di atas dipenuhi.1 adalah R 1 diparalel dengan R2 : Karena adanya resistansi ini maka tegangan keluaran dari pembagi tegangan tidaklah ideal seperti gambar 11.01 RL atau R1 || R2 < 0.2.01 RL. maka tegangan beban berada pada selang satu persen dari tegangan ideal. Pada rangkaian pembagi tegangan nilai resistansi Thevenin pembagi tegangan pada gambar 11.01 RIN Rangkaian VDB yang baik akan dapat memenuhi kondisi ini.

berarti besar arus kolektor 100 kali besar arus basis. Sehingga digunakan aturan lain yaitu : Aturan pembagi tegangan 10 : 1 seperti di atas disebut sebagai pembagi tegangan tetap. Seperti rumus : Karena itu persamaan : Dapat ditulis : • Bias Pembagi Tegangan Tetap Kadang rangkaian pembagi tegangan kaku menghasilkan nilai R1 dan R2 yang sangat kecil dan dapat menimbulkan masalah lain.Jika transistor pada gambar 3 memiliki penguatan arus 100. resistansi emiter muncul 100 kali lebih besar. Jika dilihat dari sisi basis.14 - . Hal ini juga menunjukkan bahwa arus emiter 100 kali lebih besar dari arus basis. Dari hal-hal tersebut di atas perhitungan nilai arus yang lebih akurat menggunakan rumus : .

Contoh Rangkaian Dari gambar di atas kita cari garis beban rangkaian : .GARIS BEBAN VDB DAN TITIK Q Gambar 4.14 - .

Gambar 5. kemudian coba lagi jika hambatan emiter 510Ω.1mA). 1. Garis beban dan titik Q I.2. Cobalah untuk menguban hambatan emiter menjadi 2.TITIK Q Rangkaian ini memiliki arus kolektor dan tegangan kolektor-emiter sebesar : Sehingga titik Q dari rangkaian di atas (4.2 K Ω.14 - . Salah satu cara untuk mengubah titik Q adalah dengan mengubah hambatan emiter. Pada bias pembagi tegangan titik Q secara semu tidak terpengaruh terhadap perubahan penguatan arus.94V . Bias Umpan Balik .

dimana : I’C = IB + IC Tapi nilai IB yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh persamaan yang lebih sederhana (asumsi I’C ≅ IC ≅ βIB dan IC ≅ IE): sehingga. Rangkaian Bias Umpan Balik Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik dari collector menuju base.Gambar 6.14 - . VCC – I’CRC – IBRB –VBE-IERE = 0 Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan I’C. .

Tujuannya adalah untuk menstabilkan titik Q. Rangkaian Bias Umpan Balik Emiter Ide dari rangkaian di atas adalah : jika I C bertambah. yang merupakan kebalikan dari kenaikan sebenarnya pada IC. Ini mengakibatkan IB berkurang. VE juga bertambah. Gambar 8.14 - . VB yang lebih besar akan mengurangi tegangan pada RB. Sekarang kita bicarakan rangkaian bias umpan balik emiter. akibatnya VB juga bertambah.Gambar 7. Rangkaian Bias Umpan Balik BIAS UMPAN BALIK EMITER Rangkaian bias basis merupakan rangkaian terburuk jika digunakan untuk membuat titik Q yang tetap. Hal ini disebut dengan umpan balik karena perubahan pada tegangan emiter diumpankan kembali ke rangkaian basis . perhatikan gambar di bawah ini.

(a) Contoh bias umpan balik emiter Gambar 9. yaitu RE harus bernilai lebih besar daripada RB/ βdc. (a) Contoh bias umpanbalik emiter (b) Titik Q sensitif terhadap perubahan gain arus. Jika hal ini dipenuhi maka IE menjadi tidak sensitif terhadap perubahan pada βdc.14 - . Tujuan dari rangkaian bias umpan balik emiter ini adalah untuk membanjiri βdc. Rumus-rumus untuk menganalisis bias umpanbali emiter adalah sbb: Gambar 9. (b) Titik Q sensitif terhadap perubahan gain arus. Gambar 9.Bias umpan balik emiter tidak pernah populer karena pergerakan titik Q masih terlalu besar. .

Tetapi pada rangkaian praktis kita tidak dapat merancang rangkaian dengan RE yang cukup besar untuk membanjiri efek βdc tanpa memotong (cutting off) transistor. Rangkaian bias umpan balik kolektor Berikut ini rumus-rumus untuk menganalisa bias umpan balik kolektor: . yang berarti pengurangan terhadap tegangan kolektor. Idenya adalah memberi umpan balik tegangan ke basis untuk menetralkan setiap perubahan pada arus kolektor. Pengurangan tegangan kolektor ini berakibat penurunan arus basis yang menyebabkan penurunan terhadap arus kolektor.14 - . Gambar 10. Misalkan terjadi penambahan terhadap arus kolektor. BIAS UMPAN BALIK KOLEKTOR Bias umpan balik kolektor bertujuan untuk menstabilkan titik Q.

. Dari gambar grafik garis beban dan perubahan titik Q di atas. Dari rangkaian ini hasilnya hanya sedikit yang lebih baik.Titik Q biasanya ditetapkan di dekat titik tengah garis beban dengan menggunakan resistansi basis. tetapi tidak cukup bagi kinerja yang diperlukan untuk produksi masal. Dibawah ini contoh rangkaian bias umpan balik kolektor beserta garis beban dan perubahan titik Q Gambar 11. BIAS UMPAN BALIK KOLEKTOR DAN EMITER Penggabungan rangkaian bias umpanbalik kolektor dan emiter merupakan langkah awal menuju bias yang lebih stabil bagi rangkaian transistor. Meskipun rangkaian ini masih sensitif terhadap perubahan penguatan arus. Penggabungan rangkaian ini memang menolong.14 - . Gambar 11. terlihat bahwa bias umpan balik kolektor lebih efektif daripada bias umpan balik emiter dalam menstabilkan titik Q. Rangkaian bias umpan balik kolektor beserta garis beban dan perubahan titik Q.

Gambar 12. Andaikan hanya 2 persen dari electron yang diinjeksikan ke dalam basis berekomendasi dengan lubang-lubang (holes) pada basis. Rangkaian bias umpan balik kolektor-emiter Rumus-rumus rangkaian umpan balik kolektor-emiter : Kumpulan Soal Elektronika Analog 1.14 - . berapa banyakkah electron yang . Jika 1 juta electron masuk ke emitter dalam waktu 1 mikro sekon.

Jika arus kolektor sama dengan 45 mA. berapakah besarnya arus bias? Berapakah nilai dari αdc ? Dik : IE = 6 mA Ic = 5. Sebuah transistor mempunyai Ic sebesar 100 mA dan IB sebesar 0.14 - . Sebuah transistor mempunyai βdc sebesar 150. berapakah besarnya arus basis? Dik : βdc = 150 Ic = 45 mA Dit : IB = ……? .5 mA.75 mA Dit : IB = ……? αdc = ……? Jawab : IE = IB +Ic IB = IE – Ic IB = 6 – 5.985 3.25 mA αdcIc/Ie αdc = 0. berapakah besar arus bias? Berapakah nilai dari αdc ? 4.75 = 0.75 mA. Jika arus emitter sebesar 6 mA dan arus kolektor sebesar 5.keluar dari kawa penghubung basis pada periode ini? Berapa banyakkah yang keluar dari kawat kolektor selama waktu tersebut? 2.

3mA 5. Hitunglah besarnya βdc pada titik A dan titik B. Berapakah besarnya arus basis. jika arus kolektor sama dengan 50 mA ? 8. Jika arus emitter sebesar 10mA.IB IB βdc = IE .19 mA 7.14 - . . Berapakah besarnya tegangan jatuh IBrb. jika IB = 1 mA? jika IB = 10 mA ? jika IB = 50 mA? 6. Dik : βdc = 90 IE = 10 mA Dit : IB = …? IC = …? Jawab : IB = Ic/ βdc . Gambar 5-26a menunjukkan salah satu dari kurva kolektor. Sebuah transistor daya 2N5067 mempunyai r’b = 10Ω.Jawab : βdc IC/IB IB = Ic/ βdc = 0. Sebuah transistor 2N3298 mempunyai βdc khusus sebesar 90.IB IB (βdc + 1) = IE . hitunglah kira-kira besarnya arus kolektor dan arus basis. Sebuah transistor mempunyai βdc = 400. IC = IE . IB = Ie/ βdc+1 IB = 10mA/91= 0.

βdc = 200. βdc = 20mA/0. berapakah nilai dari ICEO ? 12. berapakah besarnya VCE ? .14 - .(a) (b) Dari gambar kita dapat mengetahui nilai IC dan IB Maka . VCEO = 40 V dan ICEO = 50 mA. jika transistor ini digunakan pada rangkaian pada gambar 5-27d. IB = Ic/ βdc untuk 1 ampere. Buatlah skets kurva kolektor untuk sebuah transistor dengan spesifikasi berikut : VCE lebih kecil daripada 1 V. IB = 1000mA/200= 5mA untuk 7 ampere. Gambar 5-27 menunjukkan suatu rangkaian transistor dengan kawat penghubung basis terbuka.5mA/0.1mA = 200 Untuk di titik B. Tunjukkanlah di mana daerah saturasi. βdc = 20.1mA= 205 9. daerah breakdown dan daerah cutoff. Sebuah transistor mempunyai kurva kolektor seperti pada gambar 5-27c. Jika kita mengukur VCE = 9 v. Transistor 2N5346 mempunyai variasi βdc seperti ditunjukkan gambar 5-26b. berapakah besarnya βdc jika IC = 1A dan IC =7 A? Dari gambar kita dapat menghitung besarnya IB βdc = IC/IB . daerah aktif. Tunjukkanlah 5 kurva yang terletak diantara IB = 0 dan IB yang dibutuhkan untuk menghasilkan arus kolektor 50 mA. 10. IB = 7000mA/200=35mA 11. βdc = IC/IB Untuk di titik A.

jika tegangan kolektor emitter sebesar 10 V. Berapakah besarnya arus kolektor maksimum yang mungkin. berapakah besarnya disipasi dayanya? 14.14 - . Maka : IC = 20-0/100000= 0.Dari gambar dapat kita cari nilai VCE dengan menggunakan rumus berikut : IC = Vcc-Vce/Rc Untuk garis beban dengan mengambil VCE sama dengan nol. Gambarkanlah garis beban dari gambar 5-28a. Sebuah transistor mempunyai arus kolektor sebesar 10 mA dan tegangan kolektor emitter sebesar 12 V.0002 A 0.0002 = 20-Vce/100000 VCE = -20-20 = -40V 13. berapakah besarnya VCE? . berapakah arus saturasinya? Berapakah tegangan cutoff nya? 16. pada garis beban gambar 5-28b? jika tegangan basis dihilangkan. berapakah arus maksimum yang dapat dilakukan pada transistor tanpa melampaui rating dayanya? Dengan rumus daya maka kita dapatkan besarnya nilai arus yang dihasilkan transistor: I = P/V = 310/10= 31 mA 15. Transistor 2N3904 mempunyai rating daya sebesar 310mW pada temperature ruangan (250c).

002 A = 2 mA Nilai IC diatas menggunakan rumus tersebut. Berapakah besarnya arus basis pada gambar 5-28b? Arus Kolektor? Tegangan kolektor-emitter? 20. arus LED = Arus kolektor dapat dihitung.0106x470 = 5 Artinya dalam kondisi ini VCE=VCC 17.RC = 0. Jawab : Besarnya arus LED sama dengan besarnya arus pada arus kolektor atau IC. 19. Berapakah besarnya nilai saturasi dari arus kolektor? Tegangan cutoff? IC = Vcc/Rc= 20/10000 = 0.0106 A VCE = IC.14 - . Misalkan kita hubungkan sebuah LED seri dengan tahanan 10kΩ dari gambar 5-28a. tidak diketahui IC = Vcc-VLED-VCE/Rc Maka ketika kita mngetahui nilai jatuh tegangan pada LED.IC = Vcc/Rc= 8/470= 0. karena IB = 0 (dalam keadaan . karena tegangan jatuh yang dimiliki LED. Berapakah besarnya arus basis pada gambar 5-28a? Tegangan Kolektoremitter? Apakah transistor berada pada keadaan “Hard saturation”? 18. berapakah besarnya arus LED? Berikanlah komentar tentang terangnya LED. Gambarkanlah garis beban untuk gambar 5-29a.

5 + 0.028 A Karena ILED = IC maka ILED = 0.RLED+IE.7 / 100= 0.043 . berapakah arus LED? Tegangan kolektor ke tanah? Kita ambil nilai VLED = 1.cutoff) 21. VBB = 10 V. Pada gambar 5-29b.RE Vc = 15 – 0. Berapakah besarnya arus kolektor yang ada pada gambar 5-29a? berapakah besarnya tegangan antara kolektor dan tanah? Tegangan kolektor-emitter? 22.009 A = 9mA VCE = VCC-VBB = 10-2 = 8 V 23. 53. berapakah tegangan kolektor ke tanah? IC = Vcc-Vbb+VBe = 10-2+0.1.5Ω IE = 5 – 0.028 A RLED = 1.ILED. berapakah besarnya tegangan kolektoremitter? 24.043 A Maka nilai VC = VCC .028= 53. Jika VBB pada gambar 5-29c sama dengan 5 V.5 Volt IC = Vcc .028 .5 / 0.7 / 100= 0.VLed – Vce/Re = 19 . 100 .5 – 10.14 - . Berapakah arus kolektor maksimum yang mungkin pada gambar 5-29b? jika VBB = 2 V.7/910= 0.

karena apabila terminal Kolektor-Basis atau terminal Kolektor-emitter terhubung singkat. Tegangan kolektor-ke-tanah dari gambar 5-29a membaca kira-kira 3 V.2 Volt 25. yang . yang mana dari pernyataan ini yang mungkin merupakan penyebab dari kerusakan? a. Tahanan 47kΩ terbuka d. Berapakah arus maksimum yang mungkin dari pothotransistor? b. Pada gambar 5-28a. Terminal kolektor dan emitter terhubung singkat b. Berapakah besarnya arus LED yang ada. Tahanan 10k terbuka c. Jika VBB = 0. Gambar 5-30a menunjukkan sebuah optocoupler 4N33 yang digunakan untuk mengisolasi suatu rangkaian tegangan rendah (input) dari suatu rangkaian tegangan tinggi (common pada +1000V). jika VBB = +5V? berapakah besarnya tegangan kolektor-emitter dari phototransistor untuk keadaan ini? c. berapakah besarnya tegangan kolektor-emitter dari phototransistor? 26. Jawablah pertanyaan berikut ini : a.14 - . artinya transistor tersebut sudah mengalami breakdown atau batas kepekaan transistor dalam perannya sebagai transistor 27. gambar 5-30b merupakan karakteristik transfer 4N33 untuk phototransistor yang tidak saturasi. tegangan kolektor ke tanah adalah +120V.VC = 9. Terminal kolektor-basis terhubung singkat Jawabannya adalah (a&d).

8kΩ terbuka c. Terminal kolektor-emitter terhubung singkat hidup b.14 - . Terminal kolektor-emitter terbuka mati d. sehingga dapat dikatakan VC=0. tidak ada tegangan (terjadi arus bocor) dan transistor tidak dapat bekerja dengan baik. maka tegangan kolektoremitter kira-kira nol. Yang menyebabkan tegangan kolektor-emitter nol (VCE = 0) adalah terjadinya cutoff (IB = 0) sehingga arus basis nol dan arus kolektor sangat kecil. Tahanan 10kΩ terhubung singkat b. 29. Terminal basis-emiter terhubung singkat d. jika tegangan basis dihilangkan. Apakah LED pada Gambar 5-29c hidup atau mati untuk setiap keadaan berikut ini: a. Pada gambar 5-28b. Tahanan 100Ω terbuka hidup c. Terminal kolektor-emitter terhubung singkat 28.mana dari pernyataan ini merupakan asal dari kerusakan? a. VCE = 0. Oleh karena itu. Tahanan 100Ω tidak tersolder betul dengan tanah hidup BAB III PENUTUP . Tahanan 1. Sebutkan beberapa kemungkinan penyebabnya.

DAFTAR PUSTAKA .III.14 - . b) Bias Umpan Balik Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik dari collector menuju base. Kesimpulan a) Pemberian bias pada transistor melalui pembagi tegangan R1 dan R2 yang terhubung di kaki basis.1.

gunadarma.com/2010/04/bias-dalam-transistor-bjt.http://materi-catatanku.com/doc/29720901/9/Bias-Transistor http://www.staff.c.pdf .ac.html http://id.com/2010/12/bias-pembagi-tegangan-gambar11.id/Downloads/files/8011/eldas.gudangmateri.html http://robby.14 - .org/wiki/Transistor http://www.wikipedia.scribd.blogspot.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful