Pada beberapa kristal, khususnya kristal ionik, holenya tidak bergerak dan hanya aktif oleh suhu yang

berasal dari ion ke ion . Keadaan ini disebabkan oleh "terjebak sendiri" dari pergeseran kisi yang berhubungan dengan Jahn Teller efek keadaan degenerasi. Degenerasi orbital diperlukan agar terjebak sendiri lebih sering terjadi pada hole daripada elektron. Ada kecenderungan kristal dengan celah energi kecil pada tepi pita langsung untuk memiliki nilai pergerakan elektron yang tinggi. Pergerakan paling tinggi terpantau pada semikonduktor adalah 5x106 cm2/v-s dalam PbTe pada suhu 4K dengan celah 0,19ev. Penghantar tak murni Beberapa ketidakmurnian dan ketidaksempurnaan berakibat drastis pada sifat-sifat listrik semikonduktor. Penambahan boron kedalam silikon dengan perbandingan 1 atom boron untuk 105 atom silikon meningkatkan konduktivitas silikon murni pada suhu ruang dengan faktor 103. Dalam sebuah campuran semikonduktor sebuah kekurang stoikiometri dari satu unsur akan bertidak sebagai pengotor, beberapa semikonduktor dikenal sebagai defisit semukonduktor. Pengotoran pada semikonduktor dinamakan doping. Kita pertimbangkan akibat ketidakmurnian dalam silikon dan germanium. Elemen ini dikristalisasi dengan struktur diamond. Tiap atom membentuk empat ikatan kovalen. Masingmasing dengan tetangga terdekatnya . Membentuk ikatan kimia valensi empat. Jika atom tak murni dari valensi lima seperi posfor, arsenik atau antimony disubstitusi dalam kisi menggantikan atom normal, nanti akan ada satu valensi elektro dari atom tak murni tertinggal setelah terbentuk 4 ikatan kovalen. Atom tak murni yang memberikan elektron dinamakan donor. Keadaan donor. Struktur dalam gambar 19 memiliki muatan positif dalam atom tak murni (yang kehilangan satu elektron). Berbagai penelitian terhadap kisi telah membenarkan bahwa ketidakmurnian pentavalen memasuki kisi dengan substitusi dalam kisi untuk atom normal bukan dengan celah. Seluruh kristal tetap netral karena elektron masih ada di dalam kristal. Elektron berlebih bergerak dalam potensial coulomb e/r dalam ion tak murni dimana dalam kristal kovalen adalah konstanta dielektrik statis medium. Faktor 1/ terlibat dalam pengurangan gaya coulomb antara medan yang disebabkan oleh polarisasi elektronik dari medium. Perlakuan ini sesuai untuk orbit luas dalam perbandingannya dengan frekuensi g mengacu pada celah energi. Kondisi ini terpenuhi dengan bak dalam Ge dan Si oleh donor elektron P, As atau Sb.

Gambar 19. Muatan yang berhubungan dengan ketidak murnian atom arsenik dalam silikon. Arsenik memiliki 5 elektron valensi, tapi silikon memiliki hanya 4 elektron valensi. 4 elektron arsenik membentuk tetrahedral kovalen berikat sama dengan silikon, dan elektron ke 5 tersedia sebagai penghantar. Atom arsenik tersebut dinamakan donor karena ketika ionisasi menyumbangkan sebuah elektron ke pita penghantar. Kita perkirakan energi ionisasi dari donor ketidak murnian. Teori Bohr tentang atom hidrogen bisa jadi dimodifikasi untuk konstanta dielektrik medium dan massa efektif sebuah elektron dalam potensial periodik kristal. Energi ionisiasi atom hidrogen adalah - e 4m/22 dalam CGS dan e4m/2(40)2 dalam SI. Dalam semikondukter dengan konstanta dielektrik kita mengganti e 2 dengan e2/ dan m dengan massa efektif me untuk mendapatkan

sebagai energi ionisasi donor dari semikonduktor . Jari-jari Bohr dari ground state hidrogen adalah 2/me2 dalam CGS atau 402/me2 dalam SI. Dengan demikian jari-jari Bohr dari donor adalah

Penerapan teori keadaan ketidakmurnian pada germanium dan silikon dirumitkan oleh massa efektif anisotropik dari elektron penghantar. Tapi konstanta dielektrik memiliki dampak lebih penting bagi energi donor karena masuk kedalam kotak dimana massa efektif hanya masuk saat tenaga pertama.

Untuk memperoleh penyelesaian umum untuk tingkat ketidakmurnian kita gunakan m e ~ 0,1 m untuk elektron dalam germanium dan me ~ 0,2 m dalam silikon. Konstanta dielektrik statik diberikan dalam tabel 4. Energi ionisasi untuk atom hidrogen bebas adalah 13,6 eV. Untuk Germanium energi ionisasi donor Ed pada model kami adalah 5 meV, berkurang sesuai hidrogen dengan faktor me/m2 = 4x10-4. Hasilnya untuk silikon adalah 20 meV. Perhitungan menggunakan tensor massa anisotropik 9,05 meV untuk germanium dan 29,8 meV untuk silikon. Nilai energi ionisasi donor yang teramati dalam Si dan Ge diperlihatkan pada tabel 5. Dalam donor GaAs memiliki Ed ~ 6 meV. Jari-jari orbit Bohr pertama meningkat sesuai dengan m/m g diatas nilai 0,53 untuk atom hidrogen bebas. Jari-jari yang berhubungan adalah (160)(0,53) = 80 dalam Germanium dan (60)(0,53) = 30 dalam silikon. Ini merupakan jari-jari yang besar, sehingga orbit donor saling tumpang tindih dengan konsentrasi donor rendah, dibandingkan dengan nomor atom host. Dengan tumpang tindih orbit yang cukup besar, sebuah pita ketidakmurnian terbentuk dari keadaan donor: lihat diskusi perubahan insulator logam dalam BAB 14. Semikonduktor dapat menghantar dalam pita ketidakmurnian oleh loncatan elektron dari donor ke donor. Proses penghantaran dalam pita ketidakmurnian terjadi pada tingkat konsentrasi donor ter-rendah jika terdapat juga atom penerima sebelumnya terkirim, jadi beberapa donor selalu terionisasi. Jauh lebih mudah bagi donor elektron untuk loncat ke donor terionisasi (bebas) daripada donor atom yang telah terisi, oleh sebab itu dua elektron tidak akan mengisi tempat yang sama selama pengisian muatan. Keadaan Penerima. Sebuah hole mungkin terikat ke trivalen ketidakmurnian dalam germanium atau silikon (gambar.20), jika sebuah elektron terikat ke ketidakmurnian pentavalen. Pengotor trivalen seperti B, Al, Ga dan In disebut Penerima karena mereka menerima elektron dari pita valensi untuk melengkapi ikatan kovalen dengan atom tetangga, meninggalkan hole dalam pita.

Gambar 20. Boron hanya mempunyai tiga elektron valensi dan hanya bisa melengkapi ikatan tetrahedral dengan cara mengambil sebuah elektron dari ikatan Si-Si, meninggalkan sebuah hole

dalam pita valensi silikon. Hole positif lalu hadir sebagai penghantar. Atom boron dinamakan penerima karena ketika mengionisasi atom ini menerima sebuah elektron dari pita valensi. Pada suhu 0K hole ini terikat. Tabel 6. Penerima mengionisasi energi Ea dari pengotor trivalen dalam germanium dan silikon, dalam satuan meV

Ketika sebuah penerima terionisasi sebuah hole terbebaskan, yang membutuhkan masukan energi. Dalam diagram pita energi biasa, sebuah elektron terbit ketika memperoleh energi, dimana sebuah hole tenggelam dalam menerima energi. Energi ionisasi dalam eksperimen dari penerima dalam germanium dan silikon terdapat dalam tabel 6. Model Bohr digunakan kualitatif untuk hole hanya untuk elektron, tapi dalam penurunan pada atas pita valensi mempersulit masalah massa efektif. Tabel tersebut menunjukan bahwa energi ionisasi donor dan penerima dalam Si dapat dibandingkan dengan kBT pada suhu ruangan (26 meV), jadi ionisasi thermal dari donor dan penerima penting dalam penghantaran listrik silikon pada suhu ruang. Jika atom donor hadir lebih banyak daripada penerima, ionisiasi thermal dari donor akan melepaskan elektron. Jika penerima lebih dominan, hole akan dilepas ke pita valensi dan penghantaran akan dikendalikan oleh hole (muatan positif): material dinamakan tipe p. Tanda dari Voltase Hall (6.53) adalah sebuah tes kasar untuk tipe n dan p.

Gambar 21. Pengaruh suhu terhadap konsentrasi pembawa bebas dalam Ge sangat murni, setelah R.N.Hall. Konsentrasi bersih dari pengotor elektrik aktif adalah 2x1010cm-3, seperti yang telah ditetapkan oleh koefisien Hall. Eksitasi ekstrinsik cepat saat kenaikan suhu terjadi dengan jumalh sedikit pada 1/T. Konsentrasi pembawa konstan pada suhu antara 20K hingga 200K. Percobaan lainya yang lebih mudah adalah tanda dari potensial thermoelektrik, didiskusikan dibawah. Jumlah hole dan elektron adalah sama dalam bagian intrinsik. Konsentrasi intrinsik elektron ni pada suhu 300K adalah 1,7x1013cm-3 pada germanium dan 4,6x109cm-3 pada silikon. Tahanan elektrik pada materi intrinsik adalah 43 ohm-cm untuk germanium dan 2,6x10 5 ohm-cm untuk silikon. Germanium memiliki 4,42x1022 atom per cm2. Pemurnian Ge telah dibuat melebihi elemen lain. Konsentrasi dari pengotor aktif elektrik biasa- donor dangkal dan penerima pengotor- telah dikurangi dibawah 1 atom pengotordalam 1011 atom Ge (gambar 21). Sebagai contoh, konsentrasi P dalam Ge dapat dikurangi dibawah 4x10 10cm-3. Terdapat pengotor (H,O,Si,C) yang konsentrasinya dalam Ge tidak dapat dikurangi dibawah 1012-1014 cm-3, tapi ini tidak mempengaruhi pengukuran elektrik dan untuk itu sulit dideteksi.

Ionisasi Thermal dari Donor dan Penerima Perhitungan dari konsentrasi setimbang elektron penghantar dari donor terionisasi identik dengan perhitungan standar dalam mekanika statistik dari ionisasi thermal atom hidrogen (TP,p.369). Jika tidak terdapat penerima, hasil dalam suhu rendah terbatas kBT<<Ed yaitu :

Gambar 22. Penghantar elektrik dan konsentrasi hole p dihitung sebagai fungsi konsntrasi elektron n untuk semikonduktor dalam suhu untuk itu np=1020cm-5. Penghantaran simetris kirakira n = 1010cm-3. Untuk n>1020, bahan percobaan adalah tipe n; untuk n<10 10, adalah tipe p. Kita telah mengambil e = hv untuk tak bergerak. Dengan no = 2(mek8T/22)32; dimana Nd adalah konsentrasi donor. Untuk mendapatkan (53) kita menerapkan hukum kesetimbangan kimia untuk perbadingan konsentrasi [e][Nd+]/[Nd], lalu mengatur [Nd+] = [e] = n. Hasil identik untuk penerima sesuai asumsi untuk atom donor. Jika konsentrasi donor dan penerima dapat dibandingkan, hubungan akan lebih rumit dan perhitungan dipecahkan dengan cara numerik. Bagaimanapun juga, hukum aksi massa (43) membutuhkan produksi np konstan pada suhu tertentu. kelebihan donor akan meningkatkan konsentrasi elektron dan menurunkan konsentrasi hole; jumlah n + p akan meningkat. Penghantaran akan meningkat sesuai n + p jika tidak bergerak menjadi sama, seperti pada gambar 22.

EFEK THERMOELEKTRIK

Anggap sebuah semikonduktor dijaga pada suhu konstan ketika medan listrik menembus desitas arus listriknya jq. Jika arusnya dibawah oleh elektron, maka fluks muatan adalah

dimana e adalah pergerakan elektron. Energi transport rata-rata elektron sesuai dengan tingkatan Fermi ,

Dimana Eo adalah energi batas pita penghantar. Energi mengacu pada tingkatan Fermi karena perbedaan penghantar dalam hubungan memiliki nilai Fermi yang sama. Fluks enerfi yang mengikuti fluks muatan adalah.

Koefisien Peltier ditentukan oleh jv = jq; atau energi pembawa per unit muatan. Untuk elektron,

Dan bernilai negatif karena fluks energi berlawanan dengan fluks muatan. Untuk hole

Dimana Eo adalah energi valensi dalam tepi pita, untuk itu

Dan bernilai positif. Persamaan (56) dan (58) adalah hasil dari teori kecepatan pergerakan sederhana; dicetuskan oleh persamaan transport Boltzmann memberikan nilai diferensial kecil. Daya absolut termoelektrik Q ditetapkan dari sirkuit terbuka medan listrik yang diciptakan oleh graden suhu :

Koefisien Peltier berhubungan dengan daya termoelektrik Q oleh

Ini adalah hubungan Kelvin termodinamika tidak dapat diubah kembali yang terkenal terkenal tersebut. Pengukuran tanda voltase sepanjang bahan percobaan semikonduktor, salah satu ujungnya dipanaskan, adalah cara cepat dan siap untuk mengatakan bahwa bahan percobaan tersebut adalah tipe n atau tipe p (gambar 23). SEMIMETAL Dalam semimetal tepi pita penghantar sangat memiliki energi lebih rendah daripada tepi pita valensi. Sebidang kecil tumpang tindih energi dari pita penghantar dan pita valensi mengacu kepada konsentrasi kecil hole dalam pita valensi dan elektron dari pita penghantar (tabel 7). Tiga semimetal, arsenik, antimony, dan bismuth berada dalam grup V tabel periodik. Atom mereka berhubungan dalam pasangan kisi kristal, dengan dua ion dan 10 elektron valensi per sel primitif. Jumlah genap untuk elektron valensi

Gambar 23 Koefisien Peltier dari silikon n dan p sebagai fungsi suhu. Diatas 600K, bahan percobaan bertindak sebagai semikonduktor intrinsik. Kurva dihitung dan titiknya adalah eksperimental (sesuai T.H Gehalle dan G.W. Hull)

Tabel 7 Konsentrasi Elektron dan hole dalam semimetal

Dapat memberi elemen ini sebagai hambatan. Seperti semikonduktor, semimetal dapat didoping dengan pengotor yang ocok untuk mendapatkan nomer relatif hole dan elektron. Konsentrasi mereka dapat juga dengan bermacam tekanan, untuk tepi pita tumpang tindih dengan tekanan. KISI SUPER Anggap sebuah kristal banyak lapisan dari berbagai lapisan tipis dengan komposisi berbeda. Lapisan koheren dengan skala ketebalan nanometer dapat disimpat oleh epitaksi sinar molekuk atau organik metal uap berubah bentuk, mereka membentuk sebuah struktur periodik super dengan skala besar. Sistem lapisan berubah-ubah dari GaAs dan GaAlAs telah dipelajari lebih dari 50 periode bahkan lebih, dengan jarak kisi A kira-kira 5nm (50). Sebuah kristal periodik super potesial bangkit dari struktur superperiodik dan bertidak dalam elektron penghantar dari struktur periodik super dan bertidak dalam elektron konsuksi dan hole untuk meciptakan yang baru (kecil) zona Brillouin dan pita energi mini tumpang tidih dalam pita strukter dari lapisan konstituen. Disini kita memperlakukan pergerakan sebuah elektron dalam kisi super pada medan listrik terapan. Bloch Oscillator Anggap sebuah elektron tanpa tabrakan pada kisi periodik satu dimensi, dengan gerakan normal pada bidang kisi super. Persamaan gerak dalam medan listrik konstan paralel terhadap k adalah dk/dt = -eE atau, untuk gerak sepanjang zona Billouin dengan vektor kisi reciprocal G=2/A, kita punya G = 2/A = eET, dimana T adalah periode gerak. Frekuensi Bloch untuk gerak adalah B = 2/T = eEA/. Elektron melakukan percepatan dari k = 0 menuju zona batas; ketika mencapai k = /A elektron ini diambil (oleh proses umklapp) pada zona batas dalam titik identik /A, menggunakan masukan bab 2.

Kita anggap pergerakan sistem model dalam ruang. Kita andaikan elektron terbentang dalam pita energi biasa dengan lebar o :

Kecepatan k dalam ruang (ruang momentum) adalah

dan posisi elektron dalam ruang, dengan kondisi awal z = 0 pada t = 0 diberikan oleh

Telah dikonfirmasi frekuensi osilasi Bloch dalam ruang adalah B-eEA/. Pergerakan dalam kisi periodik sedikit berbeda dari pergerakan dalam ruang bebas, yang mana percepatannya konstan. Terowongan Zener Jauh sebelumnya kita telah merperhitungkat akibat dari postensial elektrostatik eE Z (atau eEnA) pada satu pita energi: Potesial tersebut memiringkan seluruh pita. Pita yang lebih tinggi akan dimiringkan juga menghasilkan kemungkinan menyebrang antara tingkatan tangga pada pita yang berbeda. Interaksi antara tingkat pita berbeda pada energi yang sama membuka kemungkinan sebuah elektron dalam satu pita n untuk menyebrang ke pita n yang lainnya. Induksi medan antar pita ini adalah sebuah contoh dari Zener Breakdown, sering ditemukan pada percabangan tunggal sebagai Dioda Zener. KESIMPULAN Pergerakan paket gelombang terletak ditengah faktor gelombang k dijelaskan oleh F=dk/dt, dimana F adalah Gaya. Pergerakan dalam ruang diperoleh dari kecepatan Vg = -1k(k).

Semakin kecil celah energi, semakin kecil massa efektif |m*| dekat celah. Kristal dengan satu hole memiliki satu keadaan elektron kosong sebagai tempat mengisi pita. Sifat hole adalah elektron N-1 dalam pita ini. a. jika elektron hilang dari keadaan vektor gelombang ke, selanjutnya vektor gelombang hole adalah k = -ke. b. Dasar perubahan k dalam medan membutuhkan penyerahan muatan positif ke hole e = e = -ee. c. Jika ve adalah kecepatan sebuah elektron akan mempunyai keadaan ke, lalu kecepatan yang akan dikenakan kepada hole adalah vektor gelombang k = -keisv = ve. d. Energi hole mengacu pada nol untuk pita yang terisi adalah positif yaitu h(kh)= -(ke) e. Massa efektif hole berlawan dengan massa efektif elektron pada titik yang sama dalam pita energi mh = -me