Modul 10

Modulator

10.1 Pendahuluan
Sistem komunikasi memerlukan rangkaian untuk mengkonversi frekuensi, modulasi
dan pendeteksian sinyal informasi. Sinyal informasi yang akan diangkut dari
pemancar ke penerima dalam berbagai bentuk dari medium transmisi.
Bagaimanapun sinyal informasi yang asli sangat jarang bentuk yang sesuai dengan
media transmisinya. Oleh karena itu sinyal tersebut harus diubah dari bentuk
asalnya menjadi suatu bentuk yg lebih cocok dengan media transmisi. Proses
menumpangkan sinyal informasi yang berfrekuensi rendah menuju ke frekuensi
carrier yang berfrekuensi tinggi disebut dengan modulasi. Sinyal carrier umumnya
merupakan Radio Frequency dan berbentuk sinusoidal. Informasi dimodulasi ke
frekuensi carrier yang tinggi karena propagasi gelombang radio lebih efesien pada
frekuensi tinggi. Dan juga bandwidth yang lebar dapat diperoleh pada frekuensi
tinggi,memungkinkan sinyal yang terdiri atas informasi dapat dimultiplexing kedalam
satu carrier dan dikirim secara simultan.
Pada modul ini akan dibahas mengenai modulasi AM (Amplitudo Modulation) dan
FM(Frequency Modulation). Prosesnya sendiri terjadi pada modulator. Sesuai
dengan jenis parameter gelombang pembawa yang dipengaruhi, maka jenis
modulasinya sesuai dengan parameter tersebut. Bila amplitudonya yang
dipengaruhi, maka jenis modulasinya adalah AM (amplitude modulation). Apabila
sekarang yang dipengaruhi adalah frekuensi gelombang pembawa, maka jenis
modulasinya adalah FM (frequency modulation). Dan bila itu terjadi pada fasa
gelombang pembawa, maka modulasinya adalah PM (phase modulation). Ketiga
parameter tersebut dalam persa-maan gelombang ditunjukkan pada persamaan
berikut,


e
c
= E
c
cos ( t + )


amplitudo
frekuensi fasa


Modulasi AM maupun FM banyak digunakan di bidang penyiaran dan komunikasi
point-to-point, navigasi laut maupun udara. Sementara modulasi PM banyak
digunakan di bidang digitalisasi sinyal, yaitu sinyal informasinya berbentuk digital (bit
stream).
Dalam penerapan pada sistem telekomunikasi, jenis modulasi tersebut di atas
dikem-bangkan dari bentuk dasarnya, misalnya, SSB (single side band), VSB
(vestigial side band), ISB (independent side band) yang diturunkan dari sistem AM
standard.
Terdapat dua cara modulasi yang dilakukan, yaitu, modulasi daya rendah (low level
modulation) dan modulasi daya tinggi (high level modulation). Modulasi daya rendah
diterapkan bila proses modulasi dilakukan pada gelombang pembawa yang masih
rendah level dayanya, misalnya pada level sekitar beberapa miliwatt. Sementara
modu-lasi daya tinggi dilakukan pada tahapan dimana level daya carrier sudah
mencapai beberapa puluh watt. Kedua jenis cara modulasi tersebut ditunjukkan
diagram bloknya pada Gbr-1.






















Gambar 10.1 Jenis level modulasi :
(a) modulasi daya tinggi, (b) modulasi daya rendah.

Penggunaan penguat kelas-C pada modulasi daya tinggi dimaksudkan, untuk
mendapat-kan efisiensi daya yang besar pada sistem tersebut. Sementara level
daya sinyal pemo-dulasi juga pada tahap level yang cukup setara dengan daya
sinyal carrier, sehingga mempunyai ratio yang sesuai dengan derajat modulasi yang
dikehendaki. Modulasi jenis ini banyak diterapkan pada sistem broadcasting seperti
sistem pemancar radio AM-SW (short wave) yang saat ini mulai mengalami
penggantian di banyak negara.
Sementara pada sistem modulasi daya rendah, biasanya titik modulasi diberikan
pada tahap frekuensi IF seperti pada sistem pemancar televisi, yang dalam hal ini
sebesar 33,4 MHz untuk sound, dan 38,5 MHz untuk vision. Selanjutnya, untuk
penguatan sinyal sampai ke level pemancaran digunakan penguat kelas-A. Tahap-
osilator
carrier
penguat
kelas-A
penguat
kelas-C
penguat
kelas-C
t ahap akhir
sinyal
pemodulasi
osilator
carrier
penguat
kelas-A
penguat
kelas-A
penguat kelas-B
push-pull t ahap
akhir
sinyal
pemodulasi
(a)
(b)
tahap penguatan dilakukan setelah dilakukan proses translasi ke frekuensi kanal.
Penggunaan penguat kelas-A disini dimaksudkan, untuk mendapatkan linieritas
penguat walaupun akhirnya efisiensinya menurun dibandingkan dengan penguat
kelas-C. Tahap akhir merupakan penguat kelas-B yang dirangkai sebagai penguat
push-pull seperti terlihat pada Gambar 10.(b).
10. 2 Modulator AM
Terdapat dua cara untuk melakukan modulasi AM, yaitu, amplifier modulation dan
oscillator modulation, yang masing-masing mempunyai diagram blok seperti ditunjuk-
kan pada Gbr-2. Sesuai dengan definisi modulator di atas, maka yang disebut
sebagai modulator, pada cara yang pertama adalah, amplifiernya. Sementara
modulator pada metoda yang kedua adalah, osilatornya sendiri.









(a) (b)

Gambar 10.2 Metoda modulasi AM :
(a) amplifier modulation, (b) oscillator modulation.
10.2.1 Prinsip Modulasi Amplitudo
Seperti disebutkan di atas, bahwa proses modulasi amplitudo terjadi bila parameter
gelombang pembawa, yaitu amplitudonya dipengaruhi nilainya oleh sinyal
pemodulasi. Untuk penyederhanaan, sinyal pemodulasi (modulating signal) diambil
Amplifier
Sumber Gel.
Pembawa
Sumber Gel.
Pemodulasi
Osilator
Sumber Gel.
Pemodulasi
berbentuk sinusoidal, sehingga masing-masing dua sinyal yang tersebut mempunyai
persamaan sbb.
Sinyal pemodulasi, e
m
= E
m
cos
m
t
Sinyal pembawa (carrier), e
c
= E
c
cos(
c
+ )t
Sehingga bentuk sinyal gelombang yang telah termodulasi adalah,
e = (E
c
+ E
m
cos
m
t) cos
c
t
= E
c
( 1 + m cos
m
t) cos
c
t ............. (10-1)
dimana,
m = E
m
/ E
c
= derajat modulasi AM ................................. (10-2)
serta diambil sama dengan nol sebagai syarat awal, karena tidak berpengaruh
pada proses modulasi AM. Selanjutnya, dengan rumus trigonometri untuk perkalian
cosinus, maka persamaan (10-1) dapat diselesaikan menjadi,
e = E
c
cos
c
t + E
m
/2. cos(
c
+
m
)t + E
m
/2. cos(
c
-
m
)t
atau,
e = E
c
cos
c
t + m /2. E
c
cos(
c
+
m
)t + m /2. E
c
cos(
c
-
m
)t .... (10-3)
Terlihat pada persamaan (10-3) tersebut, bahwa setelah proses modulasi, dihasilkan
dua frekuensi baru (heterodyne action), yaitu, (
c
+
m
) dan (
c
-
m
). Masing-
masing frekuensi itu adalah upperside frequency dan lowerside frequency yang
mengandung informasi, yaitu,
m
. Kedua sinyal dengan frekuensi upper dan lower



f
c
f
c
+ f
m
f
c
- f
m
E
c
m/2.E
c
m/2.E
c
upperside
band
lowerside
band

Gambar 10.3 Spektrum frekuensi sinyal AM
tersebut berada di kanan dan kiri sinyal pembawa seperti ditunjukkan pada spektrum
frekuensi Gambar 10.3, yang masing-masing mempunyai amplitudo sebesar (m /2.
E
c
). Dengan adanya dua si-nyal ini, maka daya sinyal modulasi AM (AM modulated
signal) akan bertambah besar sesuai dengan derajat modulasi, m, yang diberikan.
10.2.2 Rangkaian AM
Sesuai dengan diagram blok Gambar 10.2(a), amplifier yang dimaksudkan adalah
sebuah penguat transistor seperti ditunjukkan pada Gambar 10.4. Sinyal gelombang
pembawa dimasukkan melalui basis transistor, sementara sinyal pemodulasi dapat
dimasukkan melalui tiga kemungkinan, yaitu basis, emitter, maupun kolektor transistor
penguat tersebut seperti ditunjukkan pada Gambar 10. 4. Jalur masuk sinyal
pemodulasi tersebut dilakukan melalui kopling induktif, yaitu melalui sebuah trafo yang
disebut trafo modulasi. Pada dasarnya, pemodulasian itu akan mempengaruhi
tegangan catu daya dari batere V
CC
, baik di lingkar basis maupun di lingkar kolektor,
yang akan ber-fluktuasi sesuai dengan bentuk gelombang sinyal pemodulasi itu.







Gambar 10.4 Rangkaian amplifier-modulation

Bentuk rangkaian praktis sebuah amplifier modulation ditunjukkan pada Gambar 10.5.
Pada Gambar 10.5 ditunjukkan bahwa, amplifier berbentuk satu penguat common-
emitter yang menguatkan sinyal pembawa. Sinyal pemodulasi diinjeksikan ke
rangkaian basis melalui sebuah trafo, T
1
.










Gambar 10.5 Rangkaian amplifier-modulation dengan
base-injection.
Pada dasarnya, sinyal pemodulasi akan mempengaruhi catu tegangan dari batere V
CC

sehingga akan dapat menggeser titik kerja penguat transistor relatif terhadap titik kerja
aslinya yang di set oleh resistor R
1
dan R
2
. Fungsi kapasitor C
2
dan C
3
adalah untuk
jalur bypass bagi sinyal pembawa. Kumparan primer Trafo T
2
bersa-ma kapasitor C
4

ditala pada frekuensi pembawa, sehingga sinyal keluarannya ada-lah sinyal dengan
frekuensi pembawa yang telah termodulasi AM.
Rangkaian Oscillator modulation dilaksanakan dengan memasukan gelombang
pemodulasi langsung ke rangkaian osilator, dan output osilator ini sudah merupakan
gelombang termodulasi. Gbr-6 menunjukkan cara modulasi yang kedua ini, yaitu
dengan satu osilator jenis tickler-coil oscillator. Dalam rangkaian osilator ini, L
2
dan C
4

menen-tukan besar frekuensi gelombang pembawa, sementara feedback positif
diperoleh dari kumparan L
3
.


V
CC
T
2
T
1
T
r
C
2
C
1
C
3
C
4
R
1
R
2
R
3
sinyal
pemodulasi
sinyal
pembawa
sinyal
termodulasi AM








Gbr-6 Rangkaian oscillator-modulation dengan
osilator tickler-coil.
Pada sisi input, L
1
dan C
2
membentuk suatu tuned-circuit seri jang dapat bereso-
nansi pada frekuensi gelombang pembawa, sehingga memberikan impedansi yang
rendah (short circuit) untuk frekuensi gelombang pembawa tersebut. Sebaliknya bagi
gelombang pemodulasi dia merupakan suatu impedansi yang tinggi sehingga tidak
memberikan pengaruh pembebanan (loading effect) pada sumber gelombang
pemodulasi. Seperti juga pada amplifier-modulation diatas, perubahan gelombang
pemodulasi dirasakan pada prategangan (bias) untuk base-emitter. Suatu
perubahan kearah pengurangan pada nilai tegangan bias tersebut akan mengurangi
gain tran-sistor T
r
, sehingga mengurangi amplitudo gelombang pembawa.
Sebaliknya bila terjadi penambahan besar tegangan bias, maka amplitudo
gelombang pembawa bertambah. Dengan demikian, output yang diperoleh dari
kumparan L
4
sudah meru-pakan gelombang termodulasi AM.
Berikut ini diuraikan satu contoh soal rancangan satu modulator tipe oscillator-
modulation. Osilator dari jenis Colpitts yang menggunakan transistor dengan nilai
tertentu.

V
CC
T
1
L
1
T
r
C
2
C
1
C
3
C
4
R
1
R
2
R
3
sinyal
pemodulasi
sinyal
termodulasi AM
L
3
L
2
L
4

Contoh Soal 1.
Rancanglah satu modulator dari tipe oscillator-modulation yang menggunakan
transistor dengan nilai = 80 jenis silikon. Osilator akan menghasilkan sinyal
dengan frekuensi 1 MHz dengan batere 6 volt dan meng-hasilkan daya minimal
5 mW.
Penyelesaian :
- Memilih jenis transistor yang sesuai, yaitu yang mempunyai nilai = 80,
dan mempunyai nilai frekuensi cuttoff, f
T
, yang jauh lebih tinggi dari nilai 1
MHz.
- Jenis osilatornya dipilih dari jenis Colpitts, sehingga rangkaiannya adalah
sebagai berikut,













Gambar 10.7 Rangkaian oscillator-modulation

+6 V
T
r
C
3
C
E
C
2
R
1
R
2
R
E
sinyal
termodulasi AM
C
1
R
C
sinyal
pemodulasi
- Dirancang rangkaian osilator mengikuti konfigurasi self-bias seperti ditun-
jukkan pada Gbr-7, dengan faktor stabilitas, S = 5, yang sudah cukup mem-
berikan stabilitas titik kerja Q yang dihasilkan.
Diambil, V
CQ
= 3,1 volt, yang ditentukan dari,
V
CQ
= |
.
|

\
|
+

CEsat
CEsat CC
V
V V
2
...................................... (11-4)

dimana V
CEsat
adalah V
CE
saturation, yang dapat mempunyai nilai 0,2 volt
atau 0,3 volt. Nilai V
CEsat
untuk soal ini diambil sebesar 0,2 volt sesuai
transistor yang digunakan.

Diambil I
CQ
= 3,45 mA, dari nilai daya yang diminta, yaitu 5 mW (= P ),

P =
2
m m
xI V
.............................................................. (11-5)
Dan nilai I
CQ
tertentu dari nilai I
m
tersebut,

Sementara nilai Vm adalah,

V
m
= |
.
|

\
|
2
CEsat CC
V V
............................................... (11-6)
sehingga, nilai I
CQ
tertentu sebagai berikut,

5 =
2
m m
xI V
, I
CQ
= I
m
= 3,45 mA

Dari lingkar kolektor berlaku,

V
CC
= I
C
(R
E
+ R
C
) + V
CQ
(11-7)

dimana diambil R
C
= 5 R
E
, sehingga,
(R
E
+ R
C
) =
CQ
CQ CC
I
V V
=
45 , 3
1 , 3 6
= 0,84 k, sehingga,
R
E
= 0,14 k 150
R
C
= 0,7 k 680


Selanjutnya, nilai resistansi rangkaian pengganti Thevenin rangkaian self-
bias, R
b
, adalah,

R
b
=
E
E
R
S
xSxR

+ |
|
1
(11-8)
= 14 , 0
5 80 1
14 , 0 5 80

+
x x
= 0,597 k
Sedang sumber tegangan pengganti pada rangkaian pengganti Thevenin
ter-sebut adalah,

V
b
= I
B
R
b
+ V
BE
+ (I
C
+ I
B
).R
E
... (11-9)
= I
C
/. R
b
+ V
BE
+ ( + 1)/. I
C
.R
E

= (3,45/80) x 0,597 + 0,7 + (81/80) x 3,45 x 0,14
= 1,215 volt

Nilai resistansi prategangan rangkaian transistor adalah,

R
1
=
b
CC
b
V
V
x R (11-10)
= 0,597 x (6/1,215) = 2,948 k 2,7 k

R
2
=
b CC
b
V V
V R

.
1
. (11-11)
= (2,948 x 1,215) / (6 1,215) = 0,749 k

Agar memberikan setting titik kerja Q yang tepat, maka resistor R
2
diganti
dengan sebuah variable resistor (potensio) yang mempunyai nilai 1 k.

- Menetukan nilai kapasitansi

Nilai kapasitansi tank-circuit, C
1
dan C
2
, dipilih sedemikian sehingga
memenuhi syarat osilasi, yaitu persamaan (9-14), dan (9-12),

A
vo
=
' '
' 1
ie oe
fe
xh h
h +
A
vo
=
1100 10 25
80 1
6
x x

+
= 2945,5


1
2
C
C
A
Vo
> 2945,5 =
1
2
C
C

Bila dipilih,

C
1
= 50 pF , maka
C
2
= 147273 pF = 0,147273 F 0,15 F
Sedang nilai kapasitansi bypass sinyal RF dipilih sedemikian hingga
mempunyai nilai impedansi yang rendah bagi sinyal RF. Kapasitansi
tersebut adalah C
3
dan C
E
yang masing-masing dipilih berbeda
nilainya sesuai hubungan,
X
C3
<< 10 ohm C
3
>>
10 10 2
10
6
6
x x t
F >> 0,0159 F
>> 15,9 nF 47 nF
X
CE
<< R
E
C
E
>>
140 10 2
10
6
6
x x t
F >> 1,137 nF
3,3 nF
10.3 Frequency Modulation
10.3.1 Prinsip Modulasi Frekuensi
Pada modulator FM, terdapat juga dua cara untuk melakukan modulasi seperti pada
modulator AM, yaitu, yang langsung ke rangkaian osilatornya dan satu lagi dengan
cara melalui satu amplifier. Karena dalam hal ini frekuensinya yang dikendalikan oleh
sinyal pemodulasi, maka pengaruh sinyal pemodulasi tersebut tentu langsung ke
bagian penentu frekuensi, yaitu tank-circuit osilator gelombang pembawa.
10.3.2 Rangkaian FM
















Gambar 10.8 Rangkaian oscillator-modulationFM

C
2
C
1
C
3
C
4
C
5
C
6
C
7
RFC
1
RFC
2
R
3
R
2
R
1
L
1 sinyal
termodulasi FM
sinyal
pemodulasi
D
1
+V
DD
R
4

Komponen penentu frekuensi adalah L dan C tank-circuit, baik jenis osilator Hartley,
Colpitts, maupun Clapp. Secara praktis, komponen kapasitor tersebut yang
dipengaruhi nilai kapasitansinya. Biasanya nilai kapasitansi variable-nya terpasang
paralel dengan kapasitor tank-circuit, sehingga menentukan nilai kapasitansi baru
bagi tank-circuit tersebut.
Rangkaian Gambar 10.8 menunjukkan satu modulator FM jenis oscillator-
modulation, yang menggunakan osilator Clapp. Pada Gbr-8 nampak, bahwa tank-
circuit terben-tuk dari L
1
, C
3
, C
4
, dan C
5
. Komponen kapasitor yang dipengaruhi nilai
totalnya adalah C
3
, yang merupakan kapasitor nilai kecil dibandingkan nilai C
4
dan
C
5
.
Transistor MOSFET diberi prategangan dengan konfigurasi source-self-bias.
Sementara resistor R
1
dan R
2
yang memben-tuk pembagi tegangan, digunakan
untuk memberikan bias ke dioda varaktor D
1
pada kondisi reverse-bias. Serta R
3

digunakan untuk pembatas arus untuk dioda va-raktor tersebut. Kapasitor C
1
, C
2
, C
6

dan C
7
, adalah kapasitor penghubung ataupun bypass RF. Seperti kapasitor C
2

digunakan untuk memberikan bypass terhadap si-nyal pemodulasi agar sinyal
pemodulasi tidak mengubah setting reverse-bias semu-la untuk dioda varaktor.
Bila sinyal audio pemodulasi meningkat levelnya, maka varaktor makin dibawa ke-
arah reverse, sehingga kapasitansinya mengecil yang mengakibatkan frekuensi car-
rier meningkat besarnya. Sebaliknya, bila level sinyal pemodulasi menurun level-nya
(kearah polaritas negatif), maka kondisi reverse yang dirasakan varaktor me-nurun,
sehingga kapasitansi varaktor meningkat yang mengakibatkan frekuensi car-rier
mengecil besarnya. Hubungan antara frekuensi sinyal pemodulasi dan frekuen-si
carrier ditunjukkan pada Gambar 10.9.
















Gambar 10.9 Bentuk gelombang carrier vs sinyal pemodulasi
pada modulasi FM

Perancangan rangkaian modulator FM diatas dapat dilakukan bila data transistor
MOSFET dan data dioda varaktor diketahui, yaitu dari lembar data komponen
bersangkutan. Sedangkan RFC yang berfungsi untuk mencegah sinyal RF melintas
ke jalur tersebut seperti ditunjukkan pada gambar, sudah tersedia di pasaran
dengan nilai dalam orde milihenry (mH).