P. 1
Diode Dan Rangkaian Diode

Diode Dan Rangkaian Diode

|Views: 1,030|Likes:
Published by rusdi ariawan
Diode Dan Rangkaian Diode
Diode Dan Rangkaian Diode

More info:

Published by: rusdi ariawan on Jun 18, 2010
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

04/19/2013

pdf

text

original

DIODE DAN RANGKAIAN DIODE

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

OLEH : PUTU RUSDI ARIAWAN (0804405050)

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS UDAYANA DENPASAR 2010

PUTU RUSDI ARIAWAN

PERCOBAAN I DIODE DAN RANGKAIAN DIODE 1.1 Tujuan Percobaan.

1.1.1 Memeriksa Kondisi Dioda 1.1.2 Mempelajari karakteristik I = f (V), bias reverse dan bias forward

1.2

Tinjauan Pustaka. Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat

penting dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel periodik dan mempunyai elektron valensi empat. germanium berbentuk tetrahedral dengan sebuah elektron valensi dengan setiap Struktur kristal silikon dan atom memakai bersama

atom-atom tetangganya.

Gambar 1.2.1

memperlihatkan bentuk ikatan kovalen dalam dua dimensi. Pada temperature mendekati harga nol mutlak, elektron pada kulit terluar terikat dengan erat sehingga tidak terdapat elektron bebas atau silikon bersifat sebagai insulator.

Gambar 1.2.1 Ikatan kovalen silikon dalam dua dimensi Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1,1 eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. (300K), sejumlah elektron mempunyai energi Pada temperatur ruang cukup besar untuk

yang

melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas. Dioda termasuk komponen elektronika yang terbuat dari

PUTU RUSDI ARIAWAN

bahan semikonduktor. Beranjak dari penemuan dioda, para ahli menemukan juga komponen turunan lainnya yang unik. 1.2.1 Semikonduktor tipe-n Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom pengotor pentavalen (antimony, phosphorus atau arsenic) pada silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai lima elektron valensi Saat sebuah atom

sehingga secara efektif memiliki muatan sebesar +5q.

pentavalen menempati posisi atom silicon dalam kisi kristal, hanya empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah elektron yang tidak berpasangan . Dengan adanya energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi electron bebas dan siap menjadi pembawa muatan dalam proses hantaran listrik. Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n karena menghasilkan pembawa muatan negatif dari kristal yang netral. Karena atom pengotor memberikan elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom donor. Secara skematik semikonduktor tipe-n digambarkan seperti terlihat pada gambar 1.2.2.

(a)

(b)

Gambar 1.2.2 (a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi lima menggantikan posisi salah satu atom silikon dan (b) Struktur pita energy semikonduktor tipe-n.

PUTU RUSDI ARIAWAN

1.2.2 Semikonduktor tipe-p Dengan cara yang sama seperti pada semikonduktor tipe-n,

semikonduktor tipe-p dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecif atom pengotor trivalen (aluminium, boron, galium atau indium) pada semikonduktor murni, misalnya silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai tiga elektron valensi sehingga secara efektif hanya dapat membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah atom trivalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang tidak berpasangan yang disebut lubang (hole). Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-p karena menghasilkan pembawa muatan negatif pada kristal yang netral. Karena atom pengotor menerima elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom aseptor (acceptor). Secara skematik semikonduktor tipe-p digambarkan seperti terlihat pada gambar 1.2.3

. (a) (b)

Gambar 1.2.3 (a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi tigamenggantikan posisi salah satu atom silikon dan b) Struktur pita energisemikonduktor tipe-p. 1.2.3 Dioda Dioda memiliki fungsi yang unik yaitu hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. Struktur dioda tidak lain adalah sambungan semikonduktor P dan N.

PUTU RUSDI ARIAWAN

Satu sisi adalah semikonduktor dengan tipe P dan satu sisinya yang lain adalah tipe N. Dengan struktur demikian arus hanya akan dapat mengalir dari sisi P menuju sisi N.

Gambar 1.2.4 Simbol dan struktur dioda Gambar ilustrasi di atas menunjukkan sambungan PN dengan sedikit porsi kecil yang disebut lapisan deplesi (depletion layer), dimana terdapat keseimbangan hole dan elektron. Seperti yang sudah diketahui, pada sisi P banyak terbentuk hole-hole yang siap menerima elektron sedangkan di sisi N banyak terdapat elektron-elektron yang siap untuk bebas merdeka. Lalu jika diberi bias positif, dengan arti kata memberi tegangan potensial sisi P lebih besar dari sisi N, maka elektron dari sisi N dengan serta merta akan tergerak untuk mengisi hole di sisi P. Tentu kalau elektron mengisi hole disisi P, maka akan terbentuk hole pada sisi N karena ditinggal elektron. Ini disebut aliran hole dari P menuju N, Kalau mengunakan terminologi arus listrik, maka dikatakan terjadi aliran listrik dari sisi P ke sisi N.

Gambar 1.2.5 dioda dengan bias maju Sebalikya apakah yang terjadi jika polaritas tegangan dibalik yaitu dengan memberikan bias negatif (reverse bias). Dalam hal ini, sisi N mendapat polaritas tegangan lebih besar dari sisi P.

PUTU RUSDI ARIAWAN

Gambar 1.2.6 dioda dengan bias negatif Tentu jawabanya adalah tidak akan terjadi perpindahan elektron atau aliran hole dari P ke N maupun sebaliknya. Karena baik hole dan elektron masing-masing tertarik ke arah kutup berlawanan. Bahkan lapisan deplesi (depletion layer) semakin besar dan menghalangi terjadinya arus. Demikianlah sekelumit bagaimana dioda hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. Dengan tegangan bias maju yang kecil saja dioda sudah menjadi konduktor. Tidak serta merta diatas 0 volt, tetapi memang tegangan beberapa volt diatas nol baru bisa terjadi konduksi. Ini disebabkan karena adanya dinding deplesi (deplesion layer). Untuk dioda yang terbuat dari bahan Silikon tegangan konduksi adalah diatas 0.7 volt. Kira-kira 0.2 volt batas minimum untuk dioda yang terbuat dari bahan Germanium.

Gambar 1.2.7 grafik arus dioda Sebaliknya untuk bias negatif dioda tidak dapat mengalirkan arus, namun memang ada batasnya. Sampai beberapa puluh bahkan ratusan volt baru terjadi breakdown, dimana dioda tidak lagi dapat menahan aliran elektron yang terbentuk di lapisan deplesi.

PUTU RUSDI ARIAWAN

1.2.4 Karakteristik Umum Diode Karakteristik dioda pada garis besarnya dapat dibedakan atas

karakteristik forward dan karakteristik reverse. Untuk membuat karakteristik dioda yang menunjukkan besarnya arcs pada bermacam-macam harga tegangan yang diberikan digunakan rangkaian seperti pada gambar

Gambar 1.2.8 skema untuk membuat karakteristik diode

Percobaan dengan rangkaian ini terdiri dari dua bagian, bagian pertama untuk mendapatkan karakteristik forward dan bagian kedua reverse. Bagian pertama memerlukan tahanan R = 50 ohm yang terpasang seri seperti pada gambar, gunanya.untuk membatasi arus forward; bila tidak dioda akan rusak jika tegangan 1,5 volt langsung dihubungkan padanya. Tegangan maksimum Yang boleh diberikan adalah 1,5 volt dan voltmeter harus mampu membaca dari 0 sampai 1,5 volt dengan selang 0,1 volt. Miliamperemeter (mA) harus mempunyai skala maksimum 50 mA. Tegangan dinaikkan secara bertahap mulai dari nol sampai J ,S volt dengan selang kenaikkan 0,1 volt, arus I yang ditunjukkkan oleh mA dicatat, Bila data-data tcrsebut dinyatakan dalam grafik akan diperoleh karakteristik forward seperti pada gambar di bawah.

PUTU RUSDI ARIAWAN

Gambar 1.2.9 Karakteristik

Untuk

membuat

karakteristik

reverse

pertama-tama

polaritas

batere harus dibaiik. Untuk percobaan yang kedua ini diperlukan sumber tegangan yang lebih besar ialah sekitar 10 volt. Batas ukur voltmeter diperbesar ialah sekitar 10 volt. Besarnya arus reverse sangat kecil hanya beberapa persepuluhan microampere akibat tahanan reverse yang mencapai beberapa megaohm. U1eh karena itu meter mA harus sanggup membaca dari 0 samoai 0.1 rnicroampere dengan selang 0,01 microampere. Bila karakteristik forward ini diperhatikan tampak hahwa mula-mula lengkungnya berbentuk parabola yaitu pada tegangan V D yang kecil, begitu VD mulai membesar arus forward ID akan naik dengan cepat praktis secara linier. Pada daerah linier ini perubahan tegangan yang kecil saja akan mengakibatkan perubahan arus yang besar. Bentuk karakteristik reverse berbeda dengan karakteristik forwardnya, mula, mula arus naik secara parabola kernudian setelah niencapai harga tertentu, arus reverse ini akan tetap konstan walaupun tegangan reverse VD dinaikkan, hal ini disebabkan oleh terbatasnya minority carriers sehingga arus tak dapat naik lagi. Tetapi bila tegangan reverse dinaikkan terus, suatu saat arus reverse akan naik dengan tiba-tiba menjadi besar sekali. Peristiwa semacam ini disebut breakdown dan tegangan pada saat mana teriadi breakdown disebut tegangan breakdown. Pada umumnya tegangan reverse maksimum yang diijinkan diode.
(VDM)

selalu lebih kecil dari tegangan breakdownnya, kecuali pada zener

PUTU RUSDI ARIAWAN

Karakteristik diode umumnya dinyatakan dengan grafik hubungan antara tegangan pada diode versus arus yang melewatinya sehingga disebut karakteristik tegangan-arus(V-I)

Secara teoritis, hubungan antara tegangan dan arus diode dinyatakan oleh persamaan:

Keterangan: ID=arus diode, positif jika didalam diode arahnya dari anode ke katode Is=arus mundur jenuh(10-8s.d. 10-14A) VT=tegangan kesetaraan suhu=

Pada T=300oK, VT=26mV dan pada T=273oK, VT=25mV η= koefisien emisi, antara1 sampai dengan 2 dan untuk silikon pada arus normal mendekati 2e= bilangan natural=2,72) 1.2.5 Zener Phenomena tegangan breakdown dioda ini mengilhami pembuatan komponen elektronika lainnya yang dinamakan zener. Sebenarnya tidak ada perbedaan sruktur dasar dari zener, melainkan mirip dengan dioda. Tetapi dengan memberi jumlah doping yang lebih banyak pada sambungan P dan N, ternyata tegangan breakdown dioda bisa makin cepat tercapai. Jika pada dioda biasanya baru terjadi breakdown pada tegangan ratusan volt, pada zener bisa terjadi pada angka puluhan dan satuan volt. Di datasheet ada zener yang memiliki tegangan Vz sebesar 1.5 volt, 3.5 volt dan sebagainya.

Gambar 1.2.10 Simbol Zener Ini adalah karakteristik zener yang unik. Jika dioda bekerja pada bias maju maka zener biasanya berguna pada bias negatif (reverse bias).

PUTU RUSDI ARIAWAN

Zener diode atau juga dikenal sebagai voltage regulation diode adalah silicon PN junction. yang. bekerja pada reverse bias yang di daerah breakdown. Simbol dari suatu zener diode ditunjukkan pada gambar a dan karakteristik reverse biasnya (gambar b) ternyata sama dengan dioda lainnya.

Gambar 1.2.11 (a) simbol zener dioda (b) Karakteristik

Tegangan zener Vz adalah tegangan reverse di mana terjadi breakdown. Bila tegangan reverse VD kurang dari VZ tahanan zener diode di sekitar 1 megaohm atau lebih. Bila VD naik sedikit saja di atas Vz arus reverse akan naik dengan cepat, oleh karena itu di dalam pernakaian zener diode selalu digunakan suatu tahanan seri untuk mencegah terjadinva arus yang berlebihan. Bila tegangan reverse dihubungkan pada PN-junction, lebar depletion layer akan bertambah karena elektron dan hole tertolak dari junction. Lebar depletion layer tergantung dari kadar doping, bila digunakan silicon dengan doping tinggi akan dihasilkan depletion layer yang tipis. Sehingga bila tegangan reverse dihubungkan akan menimbulkan medan listrik yang kuat di dalam dioda dan jika tegangan reverse mencapai tegangan zener Vz maka medan listrik yang dibangkitkan demikian kuatnya sehingga sejunilah besar elektron akan terlepas dan daya tarik intinya diikuti dengan kenaikan arus reverse secara mendadak. Peristiwa inilah yang disebut dengan Zener breakdown. Jadi zener diode sebenarnya adalah PN junction dengan doping tinggi hingga menghasilkan depletion layer tipis; biasanya zener breakdown terjadi di bawah tegangan 5 volt dan masih tergantung pada temperatur. Di bawah

PUTU RUSDI ARIAWAN

pengaruh medan listrik yang kuat, atom-atom lebih mudah melepaskan elektronnya menjadi ion-ion bila temperatumya naik. Jadi Vz turun bila temperatur zener diode naik. PN junction diode yang dibuat dengan doping rendah depletion iayernya lebiih, lebar. Medan listrik harus lebih kuat untuk menghasilkan zener breakdown. Tetapi sebelum zener breakdown terjadi elektron-elektron minority carriers sudah akan mcmperoleh tenaga kinetik demikian besarnya hingga pada saat menabrak atom akan menimbulkan ionisasi yang menimbulkan elektron baru. Elektron-elektron baru akan ikut bergerak akibatnya tabrakan akan berlangsung secara berantai sehingga makin banyak elektron yang dihasilkan dan arus reverse naik dengan cepat. Peristiwa semacam ini disebut avalanche breakdown. Bila temperatur dioda naik laju gerakan . elektron dalam depletion layer menurun sehingga diperlukan tegangan yang lebih besar untuk memberikan kecepatan yang cukup bagi elektron-elektron. Jadi kita mengenal zener breakdown yaitu ionisasi karena kekuatan medan listrik dan avalanche breakdown yaitu ionisasi karena tubrukan. Yang pertama terjadi pada bahan dengan tahanan jenis rendah (doping tinggi) yang dipisahkan oleh depletion layer tipis yaitu untuk Vz di bawah 5 volt. Yang kedua terjadi pada bahan dengan tahanan jenis tinggi (doping rendah) yang dipisahkan oleh depletion . layer lebar untuk Vz di atas 5 volt. Meskipun demikian dalam prakteknya kedua type di atas tetap dinamakan zener diode. Membeloknya karakteristik pada saat breakdown ("knee") pada dioda silicon lebih tajam (gambar a) dibandingkan dengan dioda germanium (gambar b).

PUTU RUSDI ARIAWAN

Gambar 1.2.12 (a) Knee dari dioda silikon (b) knee dari dioda germanium

Karena alasan inilah maka zener diode dibuat dari silikon. Data-data zener diode yang perlu diketahui adalah: 1. Tegangan zener Vz terletak antara 3,3 Volt sampai 200 Volt. Tiap zener mempunyai V z.tertentu dengan toleransi 5 sampai 10 prosen. 2. Arus zener I z ialah arus yang mengalir pada saat breakdown. I z minimum adalah besarnya Iz tepat pada knee. I z maksimum adalah arus yang tidak boleh dilampaui, karena dapat menimbulkan panas yang berkelebihan. Misalkan sebuah zener diode dengan: V z = 5,8 volt, I z min = 1 mA dan Iz mak = 50 mA pada temperatur 40 ° C. 3. Tahanan zener r z ialah suatu nilai yang menunjukkan perbandingan perubahan tegangan zener (Vz) terhadap perubahan arus zener (I z).

rZ =

ΔVZ ΔIZ

Tahanan zener minimum sekitar 10 ohm bila VZ nya sckitar 6 volt. Tahanan ini akan naik bila Vz lebih atau kurang dari 6 volt. Hubungan antara VZ dan rZ ini dapat dilihat pada gambar dibawah.

PUTU RUSDI ARIAWAN

Gambar 1.2.13 Hubungan antara tahanan zener (rz) dan tegangan zener (vz) Oleh karena itu penggunaan zener sebagai stabilisator Vz yang terbaik adalah sekitar 6 volt. Bila tegangan ya ng akan distabilkan lebih dari 6 volt dapat digunakan bcberapa zener yang dihubungkan seri. 1.2.6 LED LED adalah singkatan dari Light Emiting Dioda, merupakan komponen yang dapat mengeluarkan emisi cahaya.LED merupakan produk temuan lain setelah dioda. Strukturnya juga sama dengan dioda, tetapi belakangan ditemukan bahwa elektron yang menerjang sambungan P-N juga melepaskan energi berupa energi panas dan energi cahaya. LED dibuat agar lebih efisien jika mengeluarkan cahaya. Untuk mendapatkna emisi cahaya pada semikonduktor, doping yang pakai adalah galium, arsenic dan phosporus. Jenis doping yang berbeda menghasilkan warna cahaya yang berbeda pula.

Gambar 1.2.14 Simbol LED Pada saat ini warna-warna cahaya LED yang banyak ada adalah warna merah, kuning dan hijau.LED berwarna biru sangat langka. Pada dasarnya semua warna bisa dihasilkan, namun akan menjadi sangat mahal dan tidak efisien. Dalam memilih LED selain warna, perlu diperhatikan tegangan kerja, arus maksimum dan disipasi daya-nya. Rumah (chasing) LED dan bentuknya juga bermacam-

PUTU RUSDI ARIAWAN

macam, ada yang persegi empat, bulat dan lonjong. LED terbuat dari berbagai material setengah penghantar campuran seperti misalnya gallium arsenida fosfida (GaAsP), gallium fosfida (GaP), dan gallium aluminium arsenida (GaAsP). Karakteristiknya yaitu kalau diberi panjaran maju, pertemuannya mengeluarkan cahaya dan warna cahaya bergantung pada jenis dan kadar material pertemuan. Ketandasan cahaya berbanding lurus dengan arus maju yang mengalirinya. Dalam kondisi menghantar, tegangan maju pada LED merah adalah 1,6 sampai 2,2 volt, LED kuning 2,4 volt, LED hijau 2,7 volt. Sedangkan tegangan terbaik maksimum yang dibolehkan pada LED merah adalah 3 volt, LED kuning 5 volt, LED hijau 5 volt. LED mengkonsumsi arus sangat kecil, awet dan kecil bentuknya (tidak makan tempat), selain itu terdapat keistimewaan tersendiri dari LED itu sendiri yaitu dapat memancarkan cahaya serta tidak memancarkan sinar infra merah (terkecuali yang memang sengaja dibuat seperti itu). Cara pengoperasian LED yaitu :

Gambar 1.2.15 Cara pengoperasian LED

Selalu diperlukan perlawanan deretan R bagi LED guna membatasi kuat arus dan dalam arus bolak balik harus ditambahkan dioda penyearah. 1.2.7 Penyearah Diode Setengah Gelombang Rangkaian pada gambar 1.2.16-a, dimana sumber masukan sinusoida dihubungkan dengan beban resistor melalui sebuah diode. Untuk sementara dianggap keadaan ideal, dimana hambatan masukan sinusoida sama dengan nol dan diode dalam keadaan hubung singkat saat berpanjar (bias) maju dan keadaan hubung terbuka saat berpanjar (bias) mundur. Besarnya keluaran akan mengikuti masukan saat masukan berada di atas “tanah” dan berharga nol saat masukan di bawah “tanah” seperti diperlihatkan pada gambar 1.2.16-b. Jika

PUTU RUSDI ARIAWAN

kita ambil harga rata-rata bentuk gelombang keluaran ini untuk beberapa periode, tentu saja hasilnya akan positif atau dengan kata lain keluaran mempunyai komponen DC. Kita juga melihat komponen AC pada keluaran. Kita akan dapat mengurangai komponen AC pada keluaran jika kita dapat mengusahakan keluaran positif yang lebih besar, tidak hanya 50% seperti terlihat pada gambar 1.2.16-b..

Gambar 1.2.16 Penyearah setengah gelombang 1.2.7 Penyearah Diode Gelombang Penuh Terdapat cara yang sangat sederhana untuk meningkatkan kuantitas keluaran positip menjadi sama dengan masukan (100%). Ini dapat dilakukan dengan menambah satu diode pada rangkaian seperti terlihat pada gambar 1.2.17. Pada saat masukan berharga negatif maka salah satu dari diode akan dalam keadaan panjar maju sehingga memberikan keluaran positif. Karena

keluaran berharga positif pada satu periode penuh, maka rangkaian ini disebut penyearah gelombang penuh. Pada gambar 1.2.17 terlihat bahwa anode pada masing-masing diode dihubungkan dengan ujung-ujung rangkaian sekunder dari transformer. Sedangkan katode masing- masing diode dihubungkan pada titik positif keluaran. Beban dari penyearah dihubungkan antara titik katode dan titik center-tap (CT) yang dalam hal ini digunakan sebaga referensi atau “tanah”.

PUTU RUSDI ARIAWAN

Gambar 1.2.17 Rangkaian penyearah gelombang penuh Mekanisme terjadinya konduksi pada masing-masing diode tergantung pada polaritas tegangan yang terjadi pada masukan. Keadaan positif atau negatif dari masukan didasarkan pada referensi CT. Pada gambar 1.2.18 nampak

bahwa pada setengah periode pertama misalnya, v1 berharga positif dan v2 berharga negatif, ini menyebabkan D1 berkonduksi (bias maju) dan D2 tidak berkonduksi (bias mundur). Pada setengah periode ini arus

iD1 mengalir dan

menghasilkan keluaran yang akan nampak pada hambatan beban. Pada setengah periode berikutnya, v2 berharga positif dan v1 berharga negatif, menyebabkan D2 berkonduksi dan D1 tidak berkonduksi. periode ini mengalir arus i D 2 Pada setengah

dan menghasilkan keluaran yang akan nampak

pada hambatan beban. Dengan demikian selama satu periode penuh hambatan beban akan dilewati arus iD1 dan i D 2 secara bergantian dan menghasilkan tegangan keluaran DC.

Gambar 1.2.18 Keluaran dari penyearah gelombang penuh

PUTU RUSDI ARIAWAN

1.2.8 Penyearah Gelombang Penuh Model Jembatan Penyearah gelombang penuh model jembatan memerlukan empat buah diode. Dua diode akan berkondusi saat isyarat positif dan dua diode akan

berkonduksi saat isyarat negatif.,Untuk model penyearah jembatan ini kita tidak memerlukan transformator,yang memiliki center-tap.,Seperti ditunjukkan pada gambar 8.4, bagian masukan AC dihubungkan pada,sambungan D1-D2 dan yang lainnya pada D3-D4. Katode D1 dan D3 dihubungkan, dengan keluaran positif dan anode D2 dan D4 dihubungkan dengan keluaran negative (tanah). Misalkan masukan AC pada titik A berharga positif dan B berharga negatif, maka diode D1 akan berpanjar maju dan D2 akan berpanjar mundur. Pada sambungan bawah D4 berpanjar maju dan D3 berpanjar mundur. Pada keadaan ini elektron akan mengalir dari titik B melalui D4 ke beban , melalaui D1 dan kembali ke titik A. Pada setengah periode berikutnya titik A menjadi negatif dan titik B menjadi positif. Pada kondisi ini D2 dan D3 akan berpanjar maju sedangkan D1 dan D4 akan berpanjar mundur. Aliran arus dimulai dari titik A melalui D2, ke beban, melalui D3 dan kembali ke titik B. Perlu dicatat di sini bahwa apapun polaritas titik A atau B, arus yang mengalir ke beban tetap pada arah yang sama.

Gambar 1.2.19 Penyearah gelombang penuh model jembatan Rangkaian jembatan empat diode dapat ditemukan di pasaran dalam bentuk paket dengan berbagai bentuk. Secara prinsip masing-masing bentuk

mempunyai dua terminal masukan AC dan dua terminal masukan DC.

PUTU RUSDI ARIAWAN

1.2.9 Aplikasi Lain Zener banyak digunakan untuk aplikasi regulator tegangan (voltage regulator). Zener yang ada dipasaran tentu saja banyak jenisnya tergantung dari tegangan breakdwon-nya. Di dalam datasheet biasanya spesifikasi ini disebut Vz (zener voltage) lengkap dengan toleransinya, dan juga kemampuan dissipasi daya.

Gambar 1.2.20 LED array LED sering dipakai sebagai indikator yang masing-masing warna bisa memiliki arti yang berbeda. Menyala, padam dan berkedip juga bisa berarti lain. LED dalam bentuk susunan (array) bisa menjadi display yang besar. Dikenal juga LED dalam bentuk 7 segment atau ada juga yang 14 segment. Biasanya digunakan untuk menampilkan angka numerik dan alphabet. 1.3 Daftar Komponen dan Alat Modul elektronika dasar 1. 1 Buah Multimeter 2. Penjepit buaya 3. Osiloskop 4. Mistar / penggaris 5. Milimeterblock 6. Disket / flashdisk 7. Pulpen / pensil 1.4 Cara Kerja 1.4.1 Memeriksa Keadaan Diode Gunakan alat ukur multimeter untuk memeriksa diode – diode yang ada. Pada saat pengukuran R maju gunakan range yang paling kecil (ohm) dan range yang

PUTU RUSDI ARIAWAN

besar untuk R mundur (10 K ohm), untuk multimeter analog. Pada multimeter digital gunakan range untuk mengukur. Catat hasil pengukuran anda pada table 1.1. Table 1.1 Pemeriksaan baik buruknya diode No Jenis dan tipe dioda Dioda penyearah BY 299 Ge IN60 5,1 V (1W) Merah Putih 4 Diode varaktor MV 2209 Multimeter Resistansi Dioda Forward Reverse 1 Analog Digital Analog Digital Analog Digital Analog Digital Analog Digital Analog Digital Keadaan Ket diode Baik Buruk

2 3

Diode zener LED

1.4.2

Karakteristik V – I (dengan multimeter)

1.Buatlah rangkaian seperti gambar 1.2, untuk pengukuran Vd gunakan multimeter digital dan Id dengan multimeter analog. 2.Atur Vs agar didapat harga seperti pada table 1.2 (untuk bias forward). Dan harga Vd sesuai dengan table 1.2 (untuk bias reverse). 3.Lakukan untuk diode Si, Ge, dan zener.

Gambar 1.4.1 Rangkaian diode pada karakteristik V – I diukur dengn multimeter

PUTU RUSDI ARIAWAN

Table 1.4 Pengukuran diode pada karakteristik V – I dengan multimeter
No VD (V) ID (mA) Bias Forward Voltage (V) Diode Diode LED penyearah Zener BY 229 IN60 5,1V;1W M P Bias Reverse Voltage (V) Diode Diode LED penyearah Zener IN4001 IN60 5,1V M P ket

1 2 3 4 . . . . . .

0,0 0.1 0.2 0.3 . . . . . . . 5,0

0,0

5,0

1.4.3
No

Karakteristik V – I (dengan osiloskop)
VD (V) ID (mA) Bias Forward Voltage (V) Diode Diode LED penyearah Zener BY 229 IN60 5,1V;1W M P Bias Reverse Voltage (V) Diode Diode LED penyearah Zener IN4001 IN60 5,1V M P ket

1 2 3 4 . . . . . .

0,0 0.1 0.2 0.3 . . . . . . . 5,0

0,0

5,0

1.4.4

Penyearah Setengah Gelombang

Dengan 1 diode 1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.4.3, untuk pengukuran VRL dan IRL gunakan multimeter digital. 2. Hubungkan Vsi pada 18 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL (arus DC), dan VRL1 (tegangan DC), catat pada table 1.4.3. 3. Hubungkan VSi pada 25 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL1 (arus DC), dan VRL (tegangan DC), catat pada table 1.4.3. 4. Ulangilah langkah – langkah diatas untuk RL1 10Ω20W dan RL2 100Ω20W. 5. Catatlah hasil pengukuran anda pada table 1.4.2.

PUTU RUSDI ARIAWAN

Gambar 1.4.2 Rangkaian diode penyerah setengah gelombang dengan 1 diode

Table 1.3 Pengukuran diode penyearah setengah gelombang dengan 1 diode
Vp Rms (V) 220 Vs(V) Dengan RL IRL 10Ω;20W 100Ω;20W Pengukuran Multimeter Digital VRL VD(CE) VA Perhitungan Gambar OSC VA VS VRL IRL VRL PRL Ketera ngan

Dengan 2 diode 1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.4.4, untuk pengukuran VRL dan IRL gunakan multimeter. 2. Vsi pasang pada 18 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL (arus DC), dan VRL1 (tegangan DC), catat pada table 1.4.4 3. VSi pasang pada 25 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL1 (arus DC), dan VRL (tegangan DC), catat pada table 1.4.4. 4. Ulangilah langkah – langkah diatas untuk RL1 10Ω20W dan RL2 100Ω20W.

Gambar 1.4.3 Rangkaian diode penyerah setengah gelombang dengan 2 diode

PUTU RUSDI ARIAWAN

Table 1.4 Pengukuran diode penyearah setengah gelombang dengan 2 diode
Vp Rms (V) Vs(V) Dengan RL 10Ω;20W 100Ω;20W 18 25 IRL Pengukuran Multimeter Digital Gambar OSC VD(CE VA VS VR VRL VA ) L Perhitungan IRL VR
L

PRL

Keteran gan

220

1.4.5

Penyearah Gelombang Penuh

1.4.5.1 Menggunakan 2 dioda 1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.4.4

2. Kemudian isialah table 1.5 untuk RL sama dengan RL110Ω20W dan RL2100Ω20W

Gambar 1.4.4 Diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode Table 1.5 Pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode

Vp Rms (V) 220

Vs(V)

RL (Ω) IRL

Pengukuran Multimeter Gambar Osc VA VRL VD VA VRL VD

Vs

Perhitungan VRL PRL

Ket f

18 25

10 100 10 100

1.4.5.2 Menggunakan 4 dioda 1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.4.5. 2. Kemudian isilah table 1.6, untuk RL sama dengan RL1 10Ω20W dan RL2 100Ω20W

PUTU RUSDI ARIAWAN

Gambar 1.4.5 Diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode Table 1.6 pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode
Vp Rms (V) 220 Vs(V) RL (Ω) IRL 18 25 10 100 10 100 Pengukuran Multimeter Gambar Osc VA VRL VD VA VRL VD Perhitungan VRL PRL Ket f

Vs

1.4.5.3 Pengenalan IC regulator pada power supply. 1. lakukan percobaan berikut. 2. ukur berapakah keluaran IC tersebut.

78XX

PUTU RUSDI ARIAWAN

79xx

Gambar 1.4.6 percobaan menggunakan IC regulator VP rms (V) 220 Jenis IC regulator Vin 7805 7812 7912 Pengukuran Multimeter Digital Vout ket

PUTU RUSDI ARIAWAN

BIODATA PENULIS

Nama TTL Agama

: Putu Rusdi Ariawan : Denpasar. 19 April 1990 : Hindu

Mahasiswa Teknik Elektro Unv. Udayana Email : turusdi.info@gmail.com www.facebook.com/turusdi

PUTU RUSDI ARIAWAN

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->