Professional Documents
Culture Documents
BAB I
PENDAHULUAN
A. Latar Belakang
Dalam dunia kerja, manusia diajari oleh teknologi untuk memecahkan masalah-
masalah kerja secara efisien dan efektif. Tidak heran kalau hal ini berpengaruh secara
kuat terhadap pengelolaan serta organisasi perusahaan-perusahaan dan industri , agar tak
Kemampuan menguasai teknologi tinggi adalah merupakan syarat mutlak bagi suatu
negara untuk memasuki negara industri baru. Salah satu bidang teknologi tinggi yang
dan mikroelektronika.
Dewasa ini bahan semikonduktor organik mendapat perhatian baik dari kalangan
peneliti maupun industri. Hal ini dikarenakan sifatnya yang ramah lingkungan, dalam arti
ini
teknologi.
BAB II
PEMBAHASAN
SEMIKONDUKTOR
dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah
konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan- bahan logam
seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki
bebas.
Berikut sejarah dari tahun-ketahun penemua penting di dalam bidang semi konduktor.
telecomunication system
9. 1958, Leo Esaki (Nobel Prize in Physics) menemukan dioda terowongan ( tunnel
diode)
12. 1963, Gunn menemukan osilasi gelombang mikro pada GaAs dan InP (Ridley-
Watkins-Hilsum-Gunn Effect)
15. Gate poly-Si 0 ,06 mikron d itemukan → sebuah gate dengan kontrol d imensi
Sebelumnya pada tahun 1997, Intel mengumumkan teknologi 0,25 mikron. Rencana
Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+)
dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang
ke-29, berada pada orbit paling luar. Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron
yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi. Karena hanya ada satu elektron
dan jaraknya 'jauh' dari nucleus, ikatannya tidaklah terlalu kuat. Hanya dengan energi
yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya.
Ikatan atom tembaga pada suhu kamar, elektron tersebut dapat bebas bergerak atau
berpindah- pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Jika diberi tegangan potensial listrik,
elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama. Phenomena
ini yang dinamakan sebagai arus listrik. Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi
sebanyak 8 buah, dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron
ini. Dapat ditebak, semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron
valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur
semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si), Germanium (Ge) dan
cara mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada
dibumi setelah oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak
mengandung unsur silikon. Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai.Struktur atom
kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti
atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron, sehingga 4 buah elektron atom Kristal
tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat
rendah (0oK), struktur atom silicon divisualisasikan seperti pada gambar berikut:
Struktur padatan Cu
Struktur Kristal Si
a. Struktur diamond Si
b. Ikatan Tertrahedron
tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian,
bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah
untuk menghantarkan listrik. Pada suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas
karena energi panas, sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. Namun
hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk
Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba
memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping dimaksudkan untuk
mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang
diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Kenyataanya demikian, mereka memang iseng
sekali dan jenius.Tipe-NMisalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic
yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan
doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan
yaitu intrinsic (murni) dan eksterinsik (tidak murni). Untuk semikonduktor yang tidak
murni atau sering disebut semikonduktor ekstrinsik dibagi lagi menjadi dua yaiti tipe-n
Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat penting
dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel periodik dan mempunyai
elektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan germanium berbentuk tetrahedral dengan
dimensi. Pada temperatur mendekati harga nol mutlak, elektron pada kulit terluar terikat
dengan erat sehingga tidak terdapat elektron bebas atau silikon bersifat sebagai insulator.
Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1,1 eV untuk
silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang (300K), sejumlah elektron
mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi dari
pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas (gambar 6.2). Besarya energi yang
diperlukan untuk melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi ini disebut energi
terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan kovalen terputus, maka akan terjadi
kekosongan atau lubang (hole). Pada daerah dimana terjadi kekosongan akan terdapat
kelebihan muatan positif, dan daerah yang ditempati elektron bebas mempunyai kelebihan
muatan negatif. Kedua muatan inilah yang memberikan kontribusi adanya aliran listrik
pada semikonduktor murni. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi
lubang tersebut, maka akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan seolah-olah sebuah
muatan positif bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru.
yang terputus dan b) Diagram pita energi menunjukkan tereksitasinya elektron ke pita
Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai “arus drift” dapat
dituliskan sebagai berikut : “ Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat
adanya dua partikel masing-masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan
Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu
dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan
Kita dapat memasukkan pengotor berupa atom-atom dari kolom tiga atau lima
dalam tabel periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau germanium murni (lihat
gambar 6.3). Elemen semikonduktor beserta atom pengotor yang biasa digunakan
1. Semikonduktor tipe-n.
Tipe-n pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang
pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan
doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki
Saat sebuah atom pentavalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal,
hanya empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan tersisa
sebuah elektron yang tidak berpasangan (lihat gambar 6.3). Dengan adanya energi
thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi elektron bebas dan siap menjadi
pembawa muatan dalam proses hantaran listrik. Material yang dihasilkan dari proses
negatif dari kristal yang netral. Karena atom pengotormemberikan elektron, maka atom
pengotor ini disebut sebagai atom donor. Secara skematik semikonduktor tipe-n
a) Struktur Kristal silicon dengan sebuah atom pengotor valensi lima menggantikan
posisi salah satu atom silicon dan b) Struktur pita energi semikonduktor tipe-n,
intrinsik hanya tersusun dari unsur Si atau Ge yang murni, dan semikonduktor ekstrinsik
(semikonduktor tipe-n atau tipe-p) tidak hanya tersusun dari unsur Si atau Ge tetapi juga
pengotor yang merupakan unsur bervalensi lima atau empat. Bila Si atau Ge diberi pengotor
unsur bervalensi lima maka akan dihasilkan semikonduktor tipe-n (bahan yang kelebihan
elektron, sehingga bersifat negatif). Sedangkan, bila Si atau Ge diberi pengotor unsur
bervalensi tiga maka akan dihasilkan semikonduktor tipe-p (bahan yang kekurangan elektron,
unsur Si atau Ge. Sedangkan untuk semikonduktor tipe-n dan tipe-p dapat dilihat pada gambar
dibawah ini:
Gambar 4 menunjukkan material tipe-n silikon dan germanium terdoping. Sedangkan bila
menunjukkan pita energy pada semikonduktor tipe-p. paa semikonduktor tipe –p atom yang
Sebagaom akseptor adalah atom dari boron, alumunium, gallium, indium. Letak atom aksepti
lebih dekat pada pita valensi(gambar 6). Untuk semikonduktor tipe-n, atom yang
menggantikan Si atau Ge bervalensi 5 sehingga bahan menjadi kelebihan elektron. Atom yang
menggantikan disebut atom donor. Letak atom donor pada celah energi lebih dekat dengan
pita konduksi. Pada bahan semikonduktor yang bertindak sebagai pembawa muatan adalah
hole dan elektron bebas. Pada bahan jenis p pembawa muatannya adalah hole sedangkan pada
Sifat-sifat Listrik
Bahan semikonduktor memiliki daya hantar lebih kecil dibanding bahan konduktor,
tetapi lebih besar dibandingkan bahan isolator. Proses konduksi pada bahan-bahan
dipengaruhi oleh jarak pita konduksi dan pita valensi. Pita energi dibagi menjadi tiga yaitu :
- Pita valensi yaitu pita energi terakhir yang terisi penuh (zone penuh).
- Pita konduksi yaitu pita diatas pita pita valensi yang berisi setengah penuh atau kosong
(zone bebas).
- Diantara pita konduksi dan valensi terdapat celah energi yang disebut pita terlarang (zone
terlarang).
Bahan-bahan konduktor, semikonduktor dan isolator memiliki pita energi yang berbeda.
jarak keduanya cukup jauh sehinggaelektron dari zone penuh tidak dapat pindah ke zone
bebas. Sedangkan pada semikonduktor jarak keduanya tidak begitu jauh dan ini
memungkinkan elektron dapat berpindah jika dipengaruhi oleh faktor luar misalnya :
panas
medan magnet
Kristal silikon disusun oleh atom-atom karbon sehingga pita energinya menyerupai pita
energi pada intan. Tetapi celah energi dalam silikon hanya 1,1 eV tidak sebesar intan 6 eV.
Pada suhu sangat rendah, semua elektron terluar silikon berada pada pita valensi, sedangkan
pada pita konduksinya kosong. Tetapi pada suhu kamar, sebagian kecil elektron dalam pita
valensi akibat gerak termalnya memiliki energi kinetik yang cukup untuk melewati pita
terlarang, elektron-elektron ini cukup untuk menimbulkan arus listrik kecil ketika medan
listrik luar diberikan pada kristal. Daya hantar pada semikonduktor selain bergantung pada
jarak pita energinya juga bergantung dari sifat unsur itu sendiri yaitu sifat periodiknya. Sifat-
Jari-jari atom yaitu jarak antara kulit inti dengan kulit terluar. Semakin jari-jari
atomnya kecil maka ikatan antara inti atom dengan elektron pada setiap kulit
semakin kuat.
Energi ionisasi yaitu energi yang diperlukan untuk melepaskan elektron terluar dari
suatu atom.
Energi ionisasi mempengaruhi sifat listrik dari suatu unsur semakin kecil energy
ionisasi suatu unsur maka semakin mudah melepaskan elektron. Jadi dapat dikatakan
Germanium lebih mudah melepaskan elektron dari pada Silikon karena Ge memiliki
energi inonisasi yang lebih kecil dari Si. Berikut tabel yang berisi beberapa energi
Afinitas elektron yaitu besarnya energi yang dilepaskan jika suatu atom menangkap
elektron. Semakin besar energi yang dilepaskan suatu atom semakin mudah atom-
Konstanta dielektrik juga mempengaruhi energi ionisasi dari bahan semikonduktor. Kosntanta
dielektrik relatif untuk germanium εr = 16 sedangkan silikon εr = 12. Karena itulah energi
ionisasi dari silikon lebih besar dari germanium. Energi inonisasi dari beberapa perhitungan
dapat dilihat pada tabel 1. Daya hantar mempengaruhi sifat hantaran yang dikenal juga
dengan konduktivitas. Konduktivitas dari bahan dipengaruhi oleh beberapa factor diantaranya
yaitu suhu. Berikut contoh bahan semikonduktor dan resistivitasnya pada suhu 20°C :
Ada beberapa faktor dari luar yang mempengaruhi sifat hantaran pada semikonduktor
diantaranya :
Suhu
resistivitas bahan. Penurunan resistivitas pada semikonduktor sangat cepat dengan kenaikan
suhu. Walaupun pada suhu sangat rendah (suhu dimana hidrogen berbentuk cair),
semikonduktor jadi tidak dapat dibedakan dengan bahan isolasi. Tetapi bila pada suhu diatas
suhu tersebut semikonduktor memiliki ciri khas tersendiri. Pengaruh suhu terhadap resistivitas
kenaikan suhu. Dari gambar diatas dapat dilihat dua bentuk yang khas dari semikonduktor
berdasarkan fungsi dari suhu. Karena itu unsur-unsur yang memiliki penurunan resistivitas
terhadap kenaikan suhu merupakan sifat umum yang dapat mengklasifikasikan bahan tersebut
sebagai semikonduktor. Hukum atau persamaan dari konduktivitas dapat dilihat pada rumus
terkait. Untuk semikonduktor ekstrinsik grafik terhadap kenaikan suhunya ditunjukkan pada
grafik yang lebih tinggi. Sedangkan garafik yang lebih rendah menunjukkan pengaruh suhu
Faktor cahaya juga mempengaruhi sifat hantaran pada semikonduktopr, karena ada
semikonduktor yang peka terhadap cahaya. Semikonduktor yang peka terhadap cahaya
disebut atau dinamakan photoelectric. Pada photoelectric resistansinya rendah bila terkena
cahaya sedangkan bila gelap resistansinya naik. Sifat ini juga digunakan pada solar cell.
Hanya memiliki tambahan khusus. Jadi resistansi dalam keadaan terang lebih kecil dari
Tegangan yang diberikan Semikonduktor yang bergantung dari besar kecilnya tegangan
Medan listrik
Semikonduktor yang berpengaruh terhadap perubahan medan listrik disebut juga transistor.
Impurities
Impurities / pengotoran juga berpengaruh pada sifat hantaran dari bahan semikonduktor.
Impurities pada bahan semikonduktor sangat berpengaruh pada bahan semikonduktor. Sifat
resistansinya semakin berkurang. Pengotoran ini membagi semikonduktor menjadi dua tipe
yaitu tipe-n dan tipe-p. Bahan smikonduktor yang dipengaruhi oleh impurities disebut juga
rectifier.
Pengukuran Sifat Bahan Semikonduktor Tipe-n
(elektron) sedangkan p yaitu pembawa muatan positif (hole). Untuk benda padat seperti unsur
silikon, konduksi berlangsung dari pita valensi ke pita konduksi. Dimana elektron adalah
pembawa muatan negatif. Pergerakan elektron dari pita valensi menghasilkan lubang (hole),
yaitu pembawa muatan positif. Karena itu kepadatan / jumlah elektron (nn) sama dengan
melambangkan lubang. Selain konduktivitas juga dapat dihitung energi inonisasi dari
semikoduktor. Kita asumsikan elektron bergerak melingkar dengan radius r sesuai model
atom Bohr, dan dengan kecepatan v. Kita memperoleh keadaan pada jarak equilibrium yaitu :
Bila kedua ruas dikuadratkan lalu dibagi dengan dengan v2 dari persamaan jarak equlibrium,
Dari persamaan r didapat radius dari elektron proposional dengan εr. Radius dari orbit
elektron di dalam germanium yang dikotori dengan Sb yaitu ≅ 16 x 0,53 ≅ 8,5 angstrom.
Selain itu dari persamaan terakhir, energi total proposional terhadap 1/εr.
Tinjauan Teoritis
Bahan semikonduktor memiliki sifat antara konduktor dan isolator. Pada silikon dan
germanium murni tidak terdapat elektron betas sehingga memiliki konduktivitas yang sangat
kecil, karena proses pengotoran konduktivitasnya menjadi bertambah besar. Pengotor pada
semikonduktor tipe-n yaitu unsur-unsur yang bervalensi lima. Sehingga unsur tadi berikatan
kelebihan elektron maka pembawa muatan pada bahan ini yaitu elektron karena itu
Atom donor pada pita energi pada suhu mutlak 0°, atom donor tidak terionisasi. Atom
donor terionisasi bila mendapat panas yang dikenal dengan konduksi karena elektron. Proses
ini dapat dilihat pada gambar dibawah ini :
Gambar pita energi di sebelah kiri atas sama dengan pita energi semikonduktor
intrinsik. Dimana pita valensi terisi sedangkan pita konduksinya kosong. Bagaimanapun,
atom donor menempati sebagian celah energi yang hanya mengambil tempat sedikit di bawah
Saat temperatur meningkat getaran pada kisi-kisi molekunya semakin kuat dan denga
enyerap sejumlah energy beberapa atom donor teriosasi. Atom tersebut melepaskan electron
kepita konduksi seperti pada ambar d atas. Karena ionisasi dari atom donor lebih kecil dari
energy yang diperlukan unutk meloncat kepita konduksi(Wg), atom donor akan melelewatkan
electron-elekton kepita konduksi pada suhu yang lebih rendah dari sushu yang diperlukan ke
pita konduksi.
2. Semikonduktor Tipe-p.
Tipe-PKalau silikon diberi doping Boron, Gallium atau Indium, maka akan
adalah bahan trivalen yaitu Atom-atom pengotor (dopan) mempunyai tiga elektron
valensi sehingga secara efektif hanya dapat membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah
atom trivalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan
kovalen lengkap, dan tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang tidak
berpasangan (lihat gambar 6.4) yang disebut lubang (hole). Material yang dihasilkan dari
muatan negatif pada kristal yang netral. Karena atom pengotor menerima elektron, maka
atom pengotor ini disebut sebagai atom aseptor (acceptor). Secara skematik
Keterangan :
a) Struktur Kristal silicon dengan sebuah atom pengotor valensi tiga menggantikan posisi
b) Struktur pita energy semikonduktor tipe-p, perhatikan tingkat energi atom donor.
TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR DAN PEMANFAATANNYA
a. Teknologi Silikon
Pembahasan tentang divais semikonduktor tentunya tidak bisa lepas dari material
semikonduktor itu sendiri sebagai bahan dasar pembuatan divais tersebut. Silikon (Si) dengan
persediaanyang berlimpah di bumi dan dengan teknologi pembuatan kristalnya yang sudah
mapan, telah menjadi pilihan dalam teknologi semikonduktor. Silikon very large scale
integration (VLSI) telah membuka erabaru dalam dunia elektronika di abad ke-20 ini.
Kebutuhan akan kecepatan yang lebih tinggi dan unjuk kerja yang lebih baik dari komputer
telah mendorong teknologi silikon VLSI ke silikon ultra high scale integration (ULSI). Saat
ini metaloxidesemiconductor field effect transistor (MOSFET) masih dominan sebagai divais
dasar teknologi integrated circuit (IC). Dimensi dari MOSFET menjadi semakin kecildan
akan menjadi sekitar 0,1 mikron untuk ukuran giga-bit dynamic random acces memories
(DRAMs). Beberapa masalah yang timbul dalam usaha memperkecil dimensi dari MOSFET
antara lain efek short channel dan hot carrier yang akan mengurangi unjuk kerja dari transistor
itu sendiri.
Walaupun sudah banyak kemajuan yang dicapai, pertanyaan yang selalu muncul adalah
sampai seberapa jauh limit pengecilan yang dapat dilakukan ditinjau dari segi proses
produksi, sifat fisika dari divais itu sendiri dan interkoneksinya. Banyak masalah dari segi
fabrikasi yang dapat menjadi penghambat. Sebagai salah satu contoh keterbatasan dari proses
produksi adalah teknik lithography yaitu teknik yang diperlukan untuk merealisasikan desain
sirkuit ke lempengan (waver) silikon dalam proses fabrikasi IC. Dengan menggunakan cahaya
sebagai sumber berkas, dimensi dari lithography dengan sendirinya akan dibatasi oleh
panjang gelombang dari cahaya itu sendiri. Oleh sebab itu dikembangkan teknik
lithographyyang lain menggunakan sinar-X dan berkas elektron. Dengan menggunakan kedua
teknik ini tidak terlalu ekonomis untuk digunakan pada proses produksi IC secara massal.
Dari uraian di atas, terlihat masih adanya beberapa masalahyang akan timbul dalam proses
dibedakan atas dua jenis yaitu yang memiliki celah pita energi langsung (direct bandgap) dan
celah pita energi tidak langsung (indirect bandgap). Silikon adalah material dengan celah
energi yang tidak langsung, di mana nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum
dari pita valensi tidak bertemu pada satu harga momentum yang sama. Ini berarti agar terjadi
eksitasi dan rekombinasi dari membawa muatan diperlukan perubahan yang besar pada nilai
momentumnya. Dengan kata lain, silikon sulit memancarkan cahaya. Sifat ini menyebabkan
atau suatu sumber pemamcar cahaya dengan hanya menggunakan material silikon saja.
Beberapa usaha telah dilakukan untuk mengatasi hal ini antara lain dengan mengembangkan
apa yang dikenal sebagai bandgap engineering. Salah satu contohnya adalah menumbuhkan
struktur material SiGe/Si straitned layer superlattice. Parameter mekanik strain yang timbul
karena perbedaan konstanta kisi kristal antara lapisan SiGe dan Si tersebut akan
mempengaruhi struktur elektronik dari material di atas sehingga muncul efek brillioun-zone
folding yang mengubah struktur pitanya menyerupai material dengan celah energi langsung
(direct bandgap). Kombinasi dari kedua material tersebut memungkinkan terjadinya
pemancaran dan penyerapan cahaya. Cara lain yang juga popular untuk memperbaiki sifat
optik dari silikon adalah apa yang dinamakan material silikon porous. Dengan pelarutan
secara elektrokimia, pada lempeng silikon dapat berbentuk lubang-lubang yang berukuran
puluhan angstrom. Dengan bantuan sinar laser, akan dapat dilihat dengan mata telanjang
pemancaran cahaya dari material silikon tersebut. Fenomena ini dapat dijelaskan dengan
adalah sifat reproducibility-nya yang rendah. Kemajuan-kemajuan di atas membuka era baru
bagi material silikon dan panduannya untuk diaplikasikan pada divais optoelektronika.
c. Teknologi GaAs
Salah satu hambatan dari teknologi silikon adalah sifat listrik yang berhubungan
dengan rendahnya mobilitas pembawa muatan dari material silikon ini. Mobilitas adalah
parameter yang menyatakan laju dari pembawa muatan dalam semikonduktor bila diberi
medan listrik. Untuk membuat piranti berkecepatan tinggi, galium arsenide (GaAs) dan
Selain untuk divais elektron, material ini juga digunakan divais fotonik/laser dan divais
gelombang mikro (microwave device). GaAs adalah material semikonduktor dari golongan
III-V yang memiliki mobilitas elektron sekitar enam kali lebih tinggi dari silikon pada suhu
ruang. Material ini bertipe celah energi langsung. Dengan memanfaatkan kelebihan ini, telah
berhasil dibuat transistor yang disebut high electron mobility transistor (HEMT), menyusul
transistor yang lebih dahulu popular untuk teknologi GaAs yaitu metal semiconductor field
effect transistors (MESFET). Struktur dari HEMT mirip dengan MOSFET, tapi dengan
menggunakan teknik modulasi doping, di mana elektron dapat dipisahkan dari ion
pengotornya dan bergerak dalam sumur potensial dua dimensi (2DEG) dengan kecepatan
tinggi. Pengembangan IC dengan berbasis material GaAs saat ini juga sedang ramai diteliti.
Beberapa tahun yang lalu telah berhasil dibuat 64 kb static random access memory (SRAM)
yang berkecepatan tinggi sebesar 2ns dengan menggunakan teknologi HEMT berukuran 0,6
heterojunction bipolar transistor (HBT). Struktur dari transistor ini adalah sambungan npn di
mana emiter menggunakan material dengan celah energi yang lebih besar dibandingkan
dengan base dan kolektor. Pada kondisi ini, diharapkan resistansi dari base dan kapasitansi
dari sambungan base-emitter akan dapat direduksi sehingga dapat diperoleh frekuensi
maksimum osilasi (fmaks) yang tinggi. Saat ini sudah dibuat HBT dengan fmaks 200 GHz.
Walaupun banyak kemajuan yang sudah dicapai, banyak orang meragukan kemampuan
teknologi GaAs ini untuk dapat bersaing dengan teknologi silikon dalam orde 0,1 mikron atau
yang lebih kecil. Itulah sebabnya, banyak perusahaan semikonduktor terutama di Amerika
Serikat yang tidak menganggap teknologi GaAs ini sebagai pengganti silikon.
d. Divais kuantum
Dewasa ini, perhatian besar juga diberikan pada struktur semikonduktor berdimensi
rendah (low-dimensional semiconductor) seperti quantum well (2D), quantum wire (1D) dan
quantum dot (0D). Struktur seperti ini adalah pembuka jalan ke era fabrikasi nanoteknologi
dan divais kuantum (quantum device). Telah diketahui bahwa bila elektron dikurung dalam
daerah potensial dengan dimensi yang sama dengan panjang gelombangnya maka akan
muncul sifat gelombang elektron dan berbagai fenomena kuantum akan dapat diamati.
Beberapa fenomena kuantum dapat mengurangi performansi dari divais itu sendiri sedangkan
fenomena yang lain dapat memacu terciptanya divais kuantum yang baru. Beberapa divais
menunjukkan kecepatan yang tinggi. Permasalahan yang timbul dari divais yang dibuat
berdasarkan struktur semikonduktor dimensi rendah ini adalah arus drive yang rendah
sehingga masih sulit untuk diaplikasikan. Secara umum, permasalahan yang dihadapi divais
kuantum ini adalah operasi kerjanya yang masih harus dilakukan pada suhu rendah (seperti
suhu helium cair : 4,2K) agar dapat diamati fenomena kuantum secara jelas. Hal ini tentunya
e. Intelligent material
dewasa ini sangat cepat, beberapa hambatan sudah mulai terlihat. Pertanyaan yang muncul
adalah apakah usaha-usaha untuk memperbaiki performasi dari divais semikonduktor dapat
terus dilakukan dengan pola yang ada sekarang ini atau harus dicari pola yang lain. Pola yang
ada sekarang adalah bahwa dalam teknologi IC, transistor sebagai divais aktif dasar hanya
mempunyai satu fungsi saja dan kemudian diubah menjadi berfungsi banyak dengan bantuan
disain sirkuit dan software. Dengan berkembangnya permintaan untuk menciptakan suatu
rangkaian terpadu yang makin kompleks, beban yang ditanggung oleh disain software akan
makin berat sehingga kemungkinan besar sulit untuk direalisasikan. Untuk itu, dari pihak
hardware, haruslah dilakukan usaha untuk dapat membantu meringankan beban tersebut.
Salah satu usul adalah menciptakan divais yang multifungsi sehingga divais menjadi lebih
adaptif. Divais seperti ini dapat direalisasikan dengan menggunakan apa yang disebut sebagai
intelligent material. IC yang terbuat dari divais yang adaptif seperti ini akan menjadi
1. Resistor.
dengan resistor karbon. Hal ini karena bahan yang di gunakan pada resistor itu sama yaitu
merupakan unsure yang terletak pada golongan 4, resistor yang digunakan biansanya
adalah karbon, sedangkan semi konduktor ini memakai bahan dari Silikon. Tapi
perbedaanya yaitu pada pengaplikasinnya, resistor carbon dapat di gunakan dalam bentuk
yang besar sedangkan semi konduktor hanya berpengaruk kecil, karena ukuran dari
Dioda atau transisitor merupakan gabungan dari dua atau lebih jenis
semikonduktor ekstrinsik yaitu tipe-p dan tipe-n. Kedua jenis semikonduktor ini
digabung dengan menggunakan bahn khusus yang dapat melekatkan dan dapat dialiri
oleh electron. Ada dua bahan elektronik yang biasa dipakai yaitu dioda dan transisitor.
Transisitor bipolar ini dibagi lagi menjadi dua jenis yaitu P-N-P dan N-P-N. intuk
Jika dioda ini diberi tegangan maju (forward bias) maka pada kutup positif akan memiliki
teganagn yang lebih besar dari pada kutub negatifnya, sehingga elektron pada kutub
negatif yang berasal dari kelebihan elektron pendonor akan berjalan mengisi hole pada
Jika teganan yang diberikan berupa tegangan balik (reversebias) maka dapat dipahami
tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P, karena tegangan
potensial di sisi N lebih tinggi. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja,
sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). Dioda, Zener, LED,
base dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor.
Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya
tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole)
di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada tahun 1951
sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah
inovasi yang menggantikan transistor tabung (vacuum tube). Selain dimensi transistor
bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja
pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan
terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun
konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang
Transistor ini bekerja mirip dengan dioda. Transistor akan bekerja jika pada
kutup positif memilki tegangan yang lebig besar dari pada kutub negative tetapi karena
kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada
kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena
lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole
yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah
alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor,
karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh
Keterangan : a) Arus yang terjadi pada Transistor jenis NPN, dan b) Arus yang terjadi
Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan
terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan ‘keran’ base diberi
bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding
dengan besar arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur
banyaknya elektron yang mengalir dari emitter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek
penguatan transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emitter-collector
yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah, karena dengan
penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih
kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base
Sel surya, solar cell, photovoltaic, atau fotovoltaik sejak tahun 1970-an telah
telah mengubah cara pandang kita tentang energi dan memberi jalan baru bagi manusia
untuk memperoleh energi listrik tanpa perlu membakar bahan baker fosil sebagaimana
pada minyak bumi, gas alam atau batu bara, tidak pula dengan menempuh jalan reaksi fisi
nuklir. Sel surya mampu beroperasi dengan baik di hampir seluruh belahan bumi yang
tersinari matahari, sejak dari Maroko hingga Merauke, dari Moskow hingga Johanesburg,
di segala cuaca. Sel surya juga telah lama dipakai untuk memberi tenaga bagi semua
satelit yang mengorbit bumi nyaris selama 30 tahun. Sel surya tidak memiliki bagian
Semua keunggulan sel surya di atas disebabkan oleh karakteristik khas sel
surya yang mengubah cahaya matahari menjadi listrik secara langsung. Artikel ini
atau prinsip kerja sel surya. Sengaja di sini hanya melibatkan penjelasan kualitatif.
Proses konversi
dimungkinkan karena bahan material yang menyusun sel surya berupa semikonduktor.
Lebih tepatnya tersusun atas dua jenis semikonduktor; yakni jenis n dan jenis p.
meningkatkan tingkat konduktifitas atau tingkat kemampuan daya hantar listrik dan panas
intrinsik) ini, elektron maupun hole memiliki jumlah yang sama. Kelebihan elektron atau
hole dapat meningkatkan daya hantar listrik maupun panas dari sebuah semikoduktor.
elektron maupun hole ini hanya sampai pada jarak tertentu dari batas sambungan
awal.
Pada saat yang sama. hole dari semikonduktor p bersatu dengan elektron yang ada
pada semikonduktor n yang mengakibatkan jumlah elektron di daerah ini berkurang. Daerah
4. Daerah negatif dan positif ini disebut dengan daerah deplesi (depletion region)
5. Baik elektron maupun hole yang ada pada daerah deplesi disebut dengan
6. Dikarenakan adanya perbedaan muatan positif dan negatif di daerah deplesi, maka
timbul dengan sendirinya medan listrik internal E dari sisi positif ke sisi negatif,
hole maupun elektron pada awal terjadinya daerah deplesi (nomor 1 di atas).
7. Adanya medan listrik mengakibatkan sambungan pn berada pada titik setimbang,
akibat medan listrik E. Begitu pula dengan jumlah elektron yang berpindah dari
semikonduktor n akibat tarikan medan listrik E. Dengan kata lain, medan listrik E
mencegah seluruh elektron dan hole berpindah dari semikonduktor yang satu ke
Pada sambungan p-n inilah proses konversi cahaya matahari menjadi listrik terjadi.
sambungan p yang menghadap kearah datangnya cahaya matahari, dan dibuat jauh lebih
tipis dari semikonduktor p, sehingga cahaya matahari yang jatuh ke permukaan sel surya
daerah deplesi maupun semikonduktor. Terlepasnya elektron ini meninggalkan hole pada
daerah yang ditinggalkan oleh elektron yang disebut dengan fotogenerasi elektron-hole
cahaya matahari.
“lambda” sbgn di gambar atas ) yang berbeda, membuat fotogenerasi pada sambungan pn
yang akhirnya menghasilkan proses fotogenerasi di sana. Spektrum biru dengan panjang
elektron hasil fotogenerasi tertarik ke arah semikonduktor n, begitu pula dengan hole
elektron akan mengalir melalui kabel. Jika sebuah lampu kecil dihubungkan ke kabel,
lampu tersebut menyala dikarenakan mendapat arus listrik, dimana arus listrik ini timbul
Pada umumnya, untuk memperkenalkan cara kerja sel surya secara umum,
ilustrasi di bawah ini menjelaskan segalanya tentang proses konversi cahaya matahari
4. IC (Intergrated Circuit).
dalam sebuah piringan silikon kecil yang terbuat dari pasir kuarsa. Para ilmuwan kemudian
yang di dalamnya dapat memuat puluhan, ratusan atau ribuan atau bahkan lebih komponen
dasar elektronik yang terdiri dari sejumlah komponen resistor, transistor, dioda dan komponen
subsistem terintegrasi (rangkaian terpadu) yang bekerja untuk suatu keperluan tertentu,
lingkungan kerja dan tegangan voltase operasi IC maka perlu dibaca datasheet yang
Cirrus Logic, Texas Instrument, dll) baik dalam bentuk media cetak seperti buku ataupun
elektronik (E-Book PDF). Datasheet sangat diperlukan apabila kita akan mendesain
(kaki) yang bervariasi sesuai dengan fungsinya. Beberapa contoh kemasan IC yaitu DIP,
CERDIP, DIL (dual in line) yang umum digunakan adalah DIP/DIl. Kemasan IC terbuat
dari bahan epoxy atau silikon dan dari bentuk ini muncul pin-pin atau kaki-kaki dengan
jarak kaki yang satu dengan yang lainnya teatur rapi. Sebuah IC mempunyai urutan kaki
nomor 1 sampai dengan sejumlah kaki yang ada. Urutan kaki IC tidak dicantumkan pada
badan IC akan tetapi yang pasti bahwa kaki nomor 1 berdekatan dengan kaki nomor 2,
IC Power Amplifier
Mempunyai bentuk pipih dan fisiknya lebih besar dari yang lain. Digunakan pada
rangkaian penguat suara (audio amplifier). Daya output IC ini cukup besar, berkisar
antara 15 watt sampai 100 Watt atau bahkan lebih. Contoh tipe IC-nya adalah
Digunakan sebagai komponen utama pada rangkaian power adaptor pada sub
rangkaian regulator yang berfungsi sebagai penstabil tegangan atau voltase. Contoh
tipe IC-nya adalah LM 317H, 78xx (xx = 05, 06, 07, 08, 09, 12), L200, S 042 P,
IC Op Amp
Digunakan pada rangkaian digital yang berfungsi sebagai op amp atau untuk
keperluan lain. Misalnya op amp audio amplifier, op amp mic, op amp head tape
recorder, termometer digital dan lain-lain. Contoh tipe IC-nya adalah LM 709, LM
IC Silinder
IC ini mempunyai bentuk silinder dan banyak digunakan pada rangkaian penguat
tingkat ketahanan dan keawetan lebih lama dari jenis IC penguat yang lain. Contoh
umpan atau sumber detak (oscilator) pada IC digital atau untuk keperluan lain.
Misalnya NE 555 (IC terpopuler dikalangan pelajar) untuk alarm multiguna, signal
injektor, penguji hubungan, saklar sentuh, timer lampu FF, frekuensi meter,
pengacau frekuensi, otak rangkaian power amplifier, regulator pada power adaptor
.IC Digital
Dalam IC digital, suatu titik elektronis yang berupa seutas kabel atau kaki IC,
akan mewujudkan salah satu dari dua keadaan logika, yaitu logika '0' (nol, rendah)
atau logika '1' (satu, tinggi). Suatu titik elektronis mewakili satu 'binary digit' atau
biasa disingkat dengan sebutan 'bit'. Binary berarti sistem bilangan 'dua-an', yakni
5. Microprosesor.
teknologi pembuatan Integrated Circuit (IC), Ada beberapa peristilahan yang dipakai untuk
menunjukan tingkat kepadatan (density) dari suatu chip IC, yaitu Small Scale Integration
beberapa ratus transistor), dan sekarang yang sedang berkembang adalah Very Large Scale
jutaan. Kemampuan untuk memasang sedemikian banyak komponen dalam suatu keping
yang berukurang setengah keping uang logam mendorong turunnya harga dan ukuran
komputer. Hal tersebut juga meningkatkan daya kerja, efisiensi dan keterandalan
komputer. Chip Intel 4004 yang dibuat pada tahun 1971 membawa kemajuan pada IC
dengan meletakkan seluruh komponen dari sebuah komputer (central processing unit,
memori, dan kendali input/output) dalam sebuah chip yang sangat kecil. Sebelumnya, IC
dibuat untuk mengerjakan suatu tugas tertentu yang spesifik. Sekarang, sebuah
kebutuhan yang diinginkan. Tidak lama kemudian, setiap perangkat rumah tangga
seperti microwave oven, televisi, dn mobil dengan electronic fuel injection dilengkapi
8086 mengandung 40.000 buah transistor, 80286 terdiri dari 150.000 transistor, 80386
memuat 250.000 transistor, 80486 mempunyai 1,2 juta transistor, 80586 (Pentium) 3 juta
buah transistor lebih sedangkan Intel Core 2 Duo mempunyai 271 juta transistor dan Intel
Quad Core 2 Extreme yang terdiri dari empat inti prosesor. Pengembangan lebih lanjut
microprocessor 80 inti. Silahkan hitung sendiri kandungan transistornya dan itu akan
KESIMPULAN
dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah
konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan- bahan logam
seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki
bebas.
Bahan Silikon dan Germanium termasuk yang sering digunakan sebagai bahan
semikonduktor, dan masih banyak bahan lainnya seperti Timah, dan SiC. Unsur-unsur yang
atomnya termasuk ikatan kovalen. Unsur –unsur tesebut termasuk senyawa karbon. Silikon
banyak terdapat di alam dalam bentuk pasir kuarsa, dan tanah liat. Germanium terdapat dalam
Germanium memiliki daya hantar yang lebih baik dari pada Silikon, sedangkan
silikon memiliki daya tahan panas yang baik, dan banyak terdapat di alam. Oleh karena itu
Silikon lebih banyak digunakan. Silikon dan Germanium yang terdapat di alam masih belum
murni sehingga perlu dimurnikan dengan proses kimia, dan dimurnikan lagi.
Pada semikonduktor intrinsik tidak terdapat elektron bebas sehingga bersifat isolator,
semikonduktor ekstrinsik ( semikonduktor tipe-n dan tipe-p) bersifat ekstrinsik, dan pada suhu
tinggi (>1/T) bersifat intrinsik. Maksudnya pada suhu tinggi konduktivitasnya lebih landai
dari pada konduktivitas pada suhu rendah. Keadaan diantaranya /peralihan merupakan
keadaan dimana semua elektron dari atom donor telah pindah ke pita konduksi (exhaustion
range) pada semikonduktor tipe-n atau semua lubang telah terisi penuh (saturation range)
murni yang disebut semikonduktor intrinsik, dan semikonduktor yang diberi pengotor disebut
dengan cara yang disebut doping. Bila diberi atom yang bervalensi tiga maka akan terbentuk
semikondukto tipe-p, atom pengotornya disebut atom akseptor. Sedangkan bila atom
pengotornya bervalensi lima maka akan terbentuk semikonduktor tipe-n, atom pengotornya
disebut atom donor. Atom pengotor harus sama ukurannya dengan atom murni/ utama.
dengan Hall effect. Untuk semikonduktor tipe-n voltage Hall bernilai positif, sedangakan
pada semikonduktor tipe-p voltage Hall bernilai negatif. Besarnya voltage Hall bergantung
dari Hall coefficient, arus, kuat medan dan ketebalan bahan.Semikonduktor banyak digunakan
pada alat-alat yang menggubah energi listrik menjadi listrik, mengubah arus AC menjadi DC,
menggubah energi panas menjadi listrik (solar cell), dan pada alat-alat pengukuran.
Pada arus tegangan tinggi bahan semikonduktor digunakan pada arester agar dapat
mengalirka tegangan berlebih akibat petir (tegangan sorja) ke tanah. Ada juga semikonduktor
yang peka terhadap perubahan suhu (thermistor), cahaya (photoelectric), tegangan (varistor),
listrik (transisitor), dan impurities (rectifier). Pengujian pada bahan semikonduktor dapat
dilakukan dengan pemberian tegangan yang besar, atau pemanasan, atau gabungan keduanya.
DAFTAR PUSTAKA
A.S. Gr ove, Physics and Technol ogy of Semi conductor Devices, ( Wil ey, Singapore
1967)
Aksin, M. 2003. Merakit Sendiri Sirine Infra Merah Alarm Anti Maling. Semarang:
Effhar,
E-Dukasi.Net
Hakim, Rusman. 1994. Menjelajah Sistem Komputer dengan Debug. Jakarta: PT Elex
Media Komputindo,
Puspa Swara.
Peter Singer , Tr ends in Ion I mplanta- tion, Semicondutor Internat ional, 50, p .59,
S.R. Rio dan M. Iida, Fisika dan Teknologi Sem ikonduktor, ( Pradnya Paramita, Jakarta
1980)
Sudirman, Ivan, dan Wahono, Romi Satria, “Sejarah Komputer”, http: // www.
ilmukomputer. Com
Pustaka Utama.