You are on page 1of 45

ACHMAD SAEFUDIN 2009-11-186

BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang

Dalam dunia kerja, manusia diajari oleh teknologi untuk memecahkan masalah-

masalah kerja secara efisien dan efektif. Tidak heran kalau hal ini berpengaruh secara

kuat terhadap pengelolaan serta organisasi perusahaan-perusahaan dan industri , agar tak

tertinggal dalam persaingan global.

Kemampuan menguasai teknologi tinggi adalah merupakan syarat mutlak bagi suatu

negara untuk memasuki negara industri baru. Salah satu bidang teknologi tinggi yang

sangat mempengaruhi peradaban manusia di bumi ini adalah teknologi semikonduktor

dan mikroelektronika.

Dewasa ini bahan semikonduktor organik mendapat perhatian baik dari kalangan

peneliti maupun industri. Hal ini dikarenakan sifatnya yang ramah lingkungan, dalam arti

mudah hancur dalam alam. Sehingga sampahnya tidak merusak lingkungan.

B. Tujuan Pembuatan makalah

1. Menjelaskan tentang semikonduktor

2. Menjelaskan tentang bahan semikonduktor dan manfaatnya dalam dunia nyata.

3. Menambah pengetahuan tentang mata kuliah Kimia dan Ilmu Bahan

4.Untuk menyampaikan informasi yang didapat penulis di dalam penulisan makalah

ini

5.menambah pengetahuan tentang prinsip-prinsip penulisan laporan ilmiah riset dan

teknologi.
BAB II

PEMBAHASAN

SEMIKONDUKTOR

Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti

dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah

konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan- bahan logam

seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki

susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak

bebas.

Berikut sejarah dari tahun-ketahun penemua penting di dalam bidang semi konduktor.

1. 1821, Thomas Seebeck menemukan sifat-sifat semikonduktor PbS

2. 1833, Michael F araday menemukan kebergantungan konduktivitas terhadap

temperatur untuk sebuah kelas material baru Semikonduktor

3. 1873, W. Smith menemukan sensitivitas Se terhadap cahaya

4. 1875, Werner von Siemens menemukan fotometer Selenium

5. 1878, Alexander G raham Bell menggunakan devais ini untuk wireless

telecomunication system

6. 1947, Bardeen, Brattain, Schockley (Nobel Prize in Physcis) menemukan

Bipolar Junction Transistor

7. 1954, Ch apin, Fueller, Pearson mengembangkan solar sel

8. 1958, John Kilby menemukan i ntegrated circuit (IC)

9. 1958, Leo Esaki (Nobel Prize in Physics) menemukan dioda terowongan ( tunnel

diode)

10. 1960, Kahn dan At tal a mendemontrasikan MOS- FET pertama


11. 1962, 3 gr up yang masi ng dikepal ai o l eh Hall, Nathan, and Quist

mendemontrasikan laser semikonduktor

12. 1963, Gunn menemukan osilasi gelombang mikro pada GaAs dan InP (Ridley-

Watkins-Hilsum-Gunn Effect)

13. 1963, Wanlass and Sah memperkenalkan teknologi CMOS.

14. 1963 -Skala MOSFET

15. Gate poly-Si 0 ,06 mikron d itemukan → sebuah gate dengan kontrol d imensi

kritikal yang sangat baik. ( lih. Semiconductor International , p.18, 1 997).

16. Beyond PENTHIUM: INTEL MERCED CHIP → 21 Maret 1998: Intel

memunculkan mikroporsessor 0,18 mikron 64 Bit baru y ang disebutnya MERCED.

Mikrposessor ini diharapkan mampu memilik kecepatan melebihi 6 00 MHz.

Sebelumnya pada tahun 1997, Intel mengumumkan teknologi 0,25 mikron. Rencana

Intel memperkenalkan teknologi 0 ,13 mikron pada tahun 2000.

Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+)

dikelilingi oleh 29 elektron (-). Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian


dalam membentuk inti yang disebut nucleus. Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk

dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang

ke-29, berada pada orbit paling luar. Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron

yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi. Karena hanya ada satu elektron

dan jaraknya 'jauh' dari nucleus, ikatannya tidaklah terlalu kuat. Hanya dengan energi

yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya.

Ikatan atom tembaga pada suhu kamar, elektron tersebut dapat bebas bergerak atau

berpindah- pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Jika diberi tegangan potensial listrik,

elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama. Phenomena

ini yang dinamakan sebagai arus listrik. Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi

sebanyak 8 buah, dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron

ini. Dapat ditebak, semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron

valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur

yang atomnya memiliki 4 elektron valensi. Susunan Atom Semikonduktor. Bahan

semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si), Germanium (Ge) dan

Galium Arsenida (GaAs).


Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat

komponen semikonduktor. Namun belakangan, silikon menjadi popular setelah ditemukan

cara mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada

dibumi setelah oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak

mengandung unsur silikon. Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai.Struktur atom

kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti

atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron, sehingga 4 buah elektron atom Kristal

tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat

rendah (0oK), struktur atom silicon divisualisasikan seperti pada gambar berikut:

Struktur padatan Cu

Struktur Kristal Si

a. Struktur diamond Si

b. Ikatan Tertrahedron

c. Ikakatan tetrahedron 2 dimensi.


Struktur dua dimensi kristal Silikon Ikatan kovalen menyebabkan elektron

tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian,

bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah

untuk menghantarkan listrik. Pada suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas

karena energi panas, sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. Namun

hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk

menjadi konduktor yang baik.

Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba

memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping dimaksudkan untuk

mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang

diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Kenyataanya demikian, mereka memang iseng

sekali dan jenius.Tipe-NMisalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic

yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan

doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan

elektron. Untuk pemahaman yang lebih akan di bahas sebagai berikut.

PEMBAGIAN DAN JENIS-JENIS SEMIKONDUKTOR.

Secara umum semikonduktor dibagi menjadi 2 jenis berdasarkan kemurniannya

yaitu intrinsic (murni) dan eksterinsik (tidak murni). Untuk semikonduktor yang tidak

murni atau sering disebut semikonduktor ekstrinsik dibagi lagi menjadi dua yaiti tipe-n

dan tipe-p. berikut penjelasannya.


a. Semikonduktor Murni (Interiksik).

Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat penting

dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel periodik dan mempunyai

elektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan germanium berbentuk tetrahedral dengan

setiap atom memakai bersama sebuah elektron valensi dengan atomatom

tetangganya. Gambar 6.1 memperlihatkan bentuk ikatan kovalen dalam dua

dimensi. Pada temperatur mendekati harga nol mutlak, elektron pada kulit terluar terikat

dengan erat sehingga tidak terdapat elektron bebas atau silikon bersifat sebagai insulator.

Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1,1 eV untuk

silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang (300K), sejumlah elektron

mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi dari

pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas (gambar 6.2). Besarya energi yang

diperlukan untuk melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi ini disebut energi

terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan kovalen terputus, maka akan terjadi

kekosongan atau lubang (hole). Pada daerah dimana terjadi kekosongan akan terdapat

kelebihan muatan positif, dan daerah yang ditempati elektron bebas mempunyai kelebihan

muatan negatif. Kedua muatan inilah yang memberikan kontribusi adanya aliran listrik

pada semikonduktor murni. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi

lubang tersebut, maka akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan seolah-olah sebuah
muatan positif bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru.

Keterangan : a) Struktur kristal silikon memperlihatkan adanya sebuah ikatan kovalen

yang terputus dan b) Diagram pita energi menunjukkan tereksitasinya elektron ke pita

konduksi dan meninggalkan lubang di pita valensi.

Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai “arus drift” dapat

dituliskan sebagai berikut : “ Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat

adanya dua partikel masing-masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan

arah yang berlawanan akibat adanya pengaruh medan listrik”

Berikut merupakan perbandingan bahan semikonduktor silicon dengan Germanium :


b. Semikonduktor Ekstrinsik.

Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu

mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping

dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan

permanen, yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Kenyataanya demikian,

mereka memang iseng sekali dan jenius.

Kita dapat memasukkan pengotor berupa atom-atom dari kolom tiga atau lima

dalam tabel periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau germanium murni (lihat

gambar 6.3). Elemen semikonduktor beserta atom pengotor yang biasa digunakan

diperlihatkan pada table berikut :


Untuk semikonduktor ekstrinsik ini di bagi lagi menjadi 2 jenis berdasarkan sifat

kelistrikkannya. Apakah cenderung bermutan positif (tipe-p) atau negative (tipe-n).

Berikut penjelasan lebih rincinya :

1. Semikonduktor tipe-n.

Tipe-n pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang

pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan

doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki

kelebihan elektron. Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n.

Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan electron.

Saat sebuah atom pentavalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal,

hanya empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan tersisa

sebuah elektron yang tidak berpasangan (lihat gambar 6.3). Dengan adanya energi

thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi elektron bebas dan siap menjadi

pembawa muatan dalam proses hantaran listrik. Material yang dihasilkan dari proses

pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n karena menghasilkan pembawa muatan

negatif dari kristal yang netral. Karena atom pengotormemberikan elektron, maka atom

pengotor ini disebut sebagai atom donor. Secara skematik semikonduktor tipe-n

digambarkan seperti terlihat pada gambar berikut:


Keterangan gambar :

a) Struktur Kristal silicon dengan sebuah atom pengotor valensi lima menggantikan

posisi salah satu atom silicon dan b) Struktur pita energi semikonduktor tipe-n,

perhatikan tingkat energi atom donor.

Susunan Bahan Semikonduktor Tipe-n

Bahan Semikonduktor tersusun dari unsur-unsur seperti Si dan Ge. Semikonduktor

intrinsik hanya tersusun dari unsur Si atau Ge yang murni, dan semikonduktor ekstrinsik

(semikonduktor tipe-n atau tipe-p) tidak hanya tersusun dari unsur Si atau Ge tetapi juga

pengotor yang merupakan unsur bervalensi lima atau empat. Bila Si atau Ge diberi pengotor

unsur bervalensi lima maka akan dihasilkan semikonduktor tipe-n (bahan yang kelebihan

elektron, sehingga bersifat negatif). Sedangkan, bila Si atau Ge diberi pengotor unsur

bervalensi tiga maka akan dihasilkan semikonduktor tipe-p (bahan yang kekurangan elektron,

sehingga bersifat positif).


Susunan bahan semikonduktor intrinsik dapt dilihat pada gambar1, hanya terdiri dari

unsur Si atau Ge. Sedangkan untuk semikonduktor tipe-n dan tipe-p dapat dilihat pada gambar

dibawah ini:

Pada gambar 3 menunjukkan material tipe-p silikon dan germanium terdoping.

Gambar 4 menunjukkan material tipe-n silikon dan germanium terdoping. Sedangkan bila

dilihat dari pita energinya dapat digambarkan sebagai berikut :

Gambar 5 menunjukkan pita energy pada semikonduktor tipe-n. sedangkan ambar 6

menunjukkan pita energy pada semikonduktor tipe-p. paa semikonduktor tipe –p atom yang

dipasnag menimbulkan hole, atom tersebut disebut atom akseptor(mempunyai lobang).

Sebagaom akseptor adalah atom dari boron, alumunium, gallium, indium. Letak atom aksepti

lebih dekat pada pita valensi(gambar 6). Untuk semikonduktor tipe-n, atom yang

menggantikan Si atau Ge bervalensi 5 sehingga bahan menjadi kelebihan elektron. Atom yang

menggantikan disebut atom donor. Letak atom donor pada celah energi lebih dekat dengan
pita konduksi. Pada bahan semikonduktor yang bertindak sebagai pembawa muatan adalah

hole dan elektron bebas. Pada bahan jenis p pembawa muatannya adalah hole sedangkan pada

bahan jenis n pembawa muatannya adalah elektron bebas.

Sifat Dasar Bahan Semikonduktor Tipe-n

Sifat-sifat Listrik

Bahan semikonduktor memiliki daya hantar lebih kecil dibanding bahan konduktor,

tetapi lebih besar dibandingkan bahan isolator. Proses konduksi pada bahan-bahan

dipengaruhi oleh jarak pita konduksi dan pita valensi. Pita energi dibagi menjadi tiga yaitu :

- Pita valensi yaitu pita energi terakhir yang terisi penuh (zone penuh).

- Pita konduksi yaitu pita diatas pita pita valensi yang berisi setengah penuh atau kosong

(zone bebas).

- Diantara pita konduksi dan valensi terdapat celah energi yang disebut pita terlarang (zone

terlarang).

Bahan-bahan konduktor, semikonduktor dan isolator memiliki pita energi yang berbeda.

Dapat dilihat pada gambar berikut :


Pada konduktor jarak kedua pita sangat dekat sekali bahkan hampir menumpuk. Pada isolator

jarak keduanya cukup jauh sehinggaelektron dari zone penuh tidak dapat pindah ke zone

bebas. Sedangkan pada semikonduktor jarak keduanya tidak begitu jauh dan ini

memungkinkan elektron dapat berpindah jika dipengaruhi oleh faktor luar misalnya :

 panas

 medan magnet

 tegangan yang tinggi

Kristal silikon disusun oleh atom-atom karbon sehingga pita energinya menyerupai pita

energi pada intan. Tetapi celah energi dalam silikon hanya 1,1 eV tidak sebesar intan 6 eV.

Pada suhu sangat rendah, semua elektron terluar silikon berada pada pita valensi, sedangkan

pada pita konduksinya kosong. Tetapi pada suhu kamar, sebagian kecil elektron dalam pita

valensi akibat gerak termalnya memiliki energi kinetik yang cukup untuk melewati pita

terlarang, elektron-elektron ini cukup untuk menimbulkan arus listrik kecil ketika medan

listrik luar diberikan pada kristal. Daya hantar pada semikonduktor selain bergantung pada

jarak pita energinya juga bergantung dari sifat unsur itu sendiri yaitu sifat periodiknya. Sifat-

sifat itu diantaranya :

 Jari-jari atom yaitu jarak antara kulit inti dengan kulit terluar. Semakin jari-jari

atomnya kecil maka ikatan antara inti atom dengan elektron pada setiap kulit

semakin kuat.

 Energi ionisasi yaitu energi yang diperlukan untuk melepaskan elektron terluar dari

suatu atom.

 Energi ionisasi mempengaruhi sifat listrik dari suatu unsur semakin kecil energy

ionisasi suatu unsur maka semakin mudah melepaskan elektron. Jadi dapat dikatakan

Germanium lebih mudah melepaskan elektron dari pada Silikon karena Ge memiliki
energi inonisasi yang lebih kecil dari Si. Berikut tabel yang berisi beberapa energi

ionisasi pada semikonduktor jenis-n dan jenis-p.

 Afinitas elektron yaitu besarnya energi yang dilepaskan jika suatu atom menangkap

elektron. Semakin besar energi yang dilepaskan suatu atom semakin mudah atom-

atom tersebut menangkap electron

 Keelektronegatifan yaitu kecenderungan suatu atom untuk menangkap atau menarik

elektron dari atom lain.

Konstanta dielektrik juga mempengaruhi energi ionisasi dari bahan semikonduktor. Kosntanta

dielektrik relatif untuk germanium εr = 16 sedangkan silikon εr = 12. Karena itulah energi

ionisasi dari silikon lebih besar dari germanium. Energi inonisasi dari beberapa perhitungan

dapat dilihat pada tabel 1. Daya hantar mempengaruhi sifat hantaran yang dikenal juga

dengan konduktivitas. Konduktivitas dari bahan dipengaruhi oleh beberapa factor diantaranya

yaitu suhu. Berikut contoh bahan semikonduktor dan resistivitasnya pada suhu 20°C :

Besar konduktivitas berbanding terbalik dengan resistivitas ( σ = 1/ρ)


Sifat Non Listrik

Ada beberapa faktor dari luar yang mempengaruhi sifat hantaran pada semikonduktor

diantaranya :

 Suhu

Suhu merupakan faktor utama, karena suhu mempengaruhi konduktivitas dan

resistivitas bahan. Penurunan resistivitas pada semikonduktor sangat cepat dengan kenaikan

suhu. Walaupun pada suhu sangat rendah (suhu dimana hidrogen berbentuk cair),

semikonduktor jadi tidak dapat dibedakan dengan bahan isolasi. Tetapi bila pada suhu diatas

suhu tersebut semikonduktor memiliki ciri khas tersendiri. Pengaruh suhu terhadap resistivitas

dapat dilihat dari grafik berikut :

Sifat penghantaran arus listrik pada semikonduktor semakin bertambah dengan

kenaikan suhu. Dari gambar diatas dapat dilihat dua bentuk yang khas dari semikonduktor

berdasarkan fungsi dari suhu. Karena itu unsur-unsur yang memiliki penurunan resistivitas

terhadap kenaikan suhu merupakan sifat umum yang dapat mengklasifikasikan bahan tersebut

sebagai semikonduktor. Hukum atau persamaan dari konduktivitas dapat dilihat pada rumus

terkait. Untuk semikonduktor ekstrinsik grafik terhadap kenaikan suhunya ditunjukkan pada

grafik yang lebih tinggi. Sedangkan garafik yang lebih rendah menunjukkan pengaruh suhu

terhadap semikonduktor secara umum pada semikonduktor intrinsik.


 Cahaya

Faktor cahaya juga mempengaruhi sifat hantaran pada semikonduktopr, karena ada

semikonduktor yang peka terhadap cahaya. Semikonduktor yang peka terhadap cahaya

disebut atau dinamakan photoelectric. Pada photoelectric resistansinya rendah bila terkena

cahaya sedangkan bila gelap resistansinya naik. Sifat ini juga digunakan pada solar cell.

Hanya memiliki tambahan khusus. Jadi resistansi dalam keadaan terang lebih kecil dari

resistansi dalam keadaan gelap.

 Tegangan yang diberikan Semikonduktor yang bergantung dari besar kecilnya tegangan

disebut juga varistor. Pada varistor resistansi berubah menurut tegangan.

 Medan listrik

Medan listrik juga mempengaruhi besar kecilnya resistansi pada semikonduktor.

Semikonduktor yang berpengaruh terhadap perubahan medan listrik disebut juga transistor.

 Impurities

Impurities / pengotoran juga berpengaruh pada sifat hantaran dari bahan semikonduktor.

Impurities pada bahan semikonduktor sangat berpengaruh pada bahan semikonduktor. Sifat

hantaran (konduktivitas) pada semikonduktor menjadi semakin bertambah. Sedangkan

resistansinya semakin berkurang. Pengotoran ini membagi semikonduktor menjadi dua tipe

yaitu tipe-n dan tipe-p. Bahan smikonduktor yang dipengaruhi oleh impurities disebut juga

rectifier.
Pengukuran Sifat Bahan Semikonduktor Tipe-n

Sifat bahan semikonduktor dapat diukur dari konduktivitasnya. Konduktivitas pada

semikonduktor secara umum yaitu : σ = nn.qn.μn + np.qp.μp

Dimana n yaitu molalitas, q adalah pembawa muatan, sedangkan μ menunjukkan

pembawa gerakan (carrier mobility). Dimana, n menunjukkan pembawa muatan negatif

(elektron) sedangkan p yaitu pembawa muatan positif (hole). Untuk benda padat seperti unsur

silikon, konduksi berlangsung dari pita valensi ke pita konduksi. Dimana elektron adalah

pembawa muatan negatif. Pergerakan elektron dari pita valensi menghasilkan lubang (hole),

yaitu pembawa muatan positif. Karena itu kepadatan / jumlah elektron (nn) sama dengan

kepadatan lubang (np), persamaan diatas dapat ditulis : σ = n.q.(μe+μh)

Dimana sekarang n yaitu kepadatan dari elektron yang dilambangkan e sedangkan h

melambangkan lubang. Selain konduktivitas juga dapat dihitung energi inonisasi dari

semikoduktor. Kita asumsikan elektron bergerak melingkar dengan radius r sesuai model

atom Bohr, dan dengan kecepatan v. Kita memperoleh keadaan pada jarak equilibrium yaitu :
Bila kedua ruas dikuadratkan lalu dibagi dengan dengan v2 dari persamaan jarak equlibrium,

maka persamaan diatas menjadi :

Dari persamaan r didapat radius dari elektron proposional dengan εr. Radius dari orbit

elektron di dalam germanium yang dikotori dengan Sb yaitu ≅ 16 x 0,53 ≅ 8,5 angstrom.

Selain itu dari persamaan terakhir, energi total proposional terhadap 1/εr.

Analisa Sifat Bahan Semikonduktor Tipe-n

Tinjauan Teoritis

Bahan semikonduktor memiliki sifat antara konduktor dan isolator. Pada silikon dan

germanium murni tidak terdapat elektron betas sehingga memiliki konduktivitas yang sangat

kecil, karena proses pengotoran konduktivitasnya menjadi bertambah besar. Pengotor pada

semikonduktor tipe-n yaitu unsur-unsur yang bervalensi lima. Sehingga unsur tadi berikatan

dengan Si atau Ge menyebabkan adanya kelebihan elektron pada semikonduktor. Karena

kelebihan elektron maka pembawa muatan pada bahan ini yaitu elektron karena itu

semikonduktor ini disebut semikonduktor tipe-n.

Atom donor pada pita energi pada suhu mutlak 0°, atom donor tidak terionisasi. Atom

donor terionisasi bila mendapat panas yang dikenal dengan konduksi karena elektron. Proses
ini dapat dilihat pada gambar dibawah ini :

Gambar pita energi di sebelah kiri atas sama dengan pita energi semikonduktor

intrinsik. Dimana pita valensi terisi sedangkan pita konduksinya kosong. Bagaimanapun,

atom donor menempati sebagian celah energi yang hanya mengambil tempat sedikit di bawah

pita konduksi. Titik hitam pada gambar di atas menunjukkan elektron.

Saat temperatur meningkat getaran pada kisi-kisi molekunya semakin kuat dan denga

enyerap sejumlah energy beberapa atom donor teriosasi. Atom tersebut melepaskan electron

kepita konduksi seperti pada ambar d atas. Karena ionisasi dari atom donor lebih kecil dari

energy yang diperlukan unutk meloncat kepita konduksi(Wg), atom donor akan melelewatkan

electron-elekton kepita konduksi pada suhu yang lebih rendah dari sushu yang diperlukan ke

pita konduksi.

2. Semikonduktor Tipe-p.

Tipe-PKalau silikon diberi doping Boron, Gallium atau Indium, maka akan

didapat semikonduktor tipe-p. Untuk mendapatkan silikon tipe-p, bahan dopingnya

adalah bahan trivalen yaitu Atom-atom pengotor (dopan) mempunyai tiga elektron
valensi sehingga secara efektif hanya dapat membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah

atom trivalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan

kovalen lengkap, dan tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang tidak

berpasangan (lihat gambar 6.4) yang disebut lubang (hole). Material yang dihasilkan dari

proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-p karena menghasilkan pembawa

muatan negatif pada kristal yang netral. Karena atom pengotor menerima elektron, maka

atom pengotor ini disebut sebagai atom aseptor (acceptor). Secara skematik

semikonduktor tipe-p digambarkan seperti terlihat pada gambar berikut :

Keterangan :

a) Struktur Kristal silicon dengan sebuah atom pengotor valensi tiga menggantikan posisi

salah satu atom silicon

b) Struktur pita energy semikonduktor tipe-p, perhatikan tingkat energi atom donor.
TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR DAN PEMANFAATANNYA

a. Teknologi Silikon

Pembahasan tentang divais semikonduktor tentunya tidak bisa lepas dari material

semikonduktor itu sendiri sebagai bahan dasar pembuatan divais tersebut. Silikon (Si) dengan

persediaanyang berlimpah di bumi dan dengan teknologi pembuatan kristalnya yang sudah

mapan, telah menjadi pilihan dalam teknologi semikonduktor. Silikon very large scale

integration (VLSI) telah membuka erabaru dalam dunia elektronika di abad ke-20 ini.

Kebutuhan akan kecepatan yang lebih tinggi dan unjuk kerja yang lebih baik dari komputer

telah mendorong teknologi silikon VLSI ke silikon ultra high scale integration (ULSI). Saat

ini metaloxidesemiconductor field effect transistor (MOSFET) masih dominan sebagai divais

dasar teknologi integrated circuit (IC). Dimensi dari MOSFET menjadi semakin kecildan

akan menjadi sekitar 0,1 mikron untuk ukuran giga-bit dynamic random acces memories

(DRAMs). Beberapa masalah yang timbul dalam usaha memperkecil dimensi dari MOSFET

antara lain efek short channel dan hot carrier yang akan mengurangi unjuk kerja dari transistor

itu sendiri.

Walaupun sudah banyak kemajuan yang dicapai, pertanyaan yang selalu muncul adalah

sampai seberapa jauh limit pengecilan yang dapat dilakukan ditinjau dari segi proses

produksi, sifat fisika dari divais itu sendiri dan interkoneksinya. Banyak masalah dari segi

fabrikasi yang dapat menjadi penghambat. Sebagai salah satu contoh keterbatasan dari proses

produksi adalah teknik lithography yaitu teknik yang diperlukan untuk merealisasikan desain
sirkuit ke lempengan (waver) silikon dalam proses fabrikasi IC. Dengan menggunakan cahaya

sebagai sumber berkas, dimensi dari lithography dengan sendirinya akan dibatasi oleh

panjang gelombang dari cahaya itu sendiri. Oleh sebab itu dikembangkan teknik

lithographyyang lain menggunakan sinar-X dan berkas elektron. Dengan menggunakan kedua

teknik ini tidak terlalu ekonomis untuk digunakan pada proses produksi IC secara massal.

Dari uraian di atas, terlihat masih adanya beberapa masalahyang akan timbul dalam proses

fabrikasi IC di masa yang akan datang.

b. Teknologi berbasis silikon

Seperti diketahui, ditinjau dari struktur elektronikanya, material semikonduktor dapat

dibedakan atas dua jenis yaitu yang memiliki celah pita energi langsung (direct bandgap) dan

celah pita energi tidak langsung (indirect bandgap). Silikon adalah material dengan celah

energi yang tidak langsung, di mana nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum

dari pita valensi tidak bertemu pada satu harga momentum yang sama. Ini berarti agar terjadi

eksitasi dan rekombinasi dari membawa muatan diperlukan perubahan yang besar pada nilai

momentumnya. Dengan kata lain, silikon sulit memancarkan cahaya. Sifat ini menyebabkan

silikon tidak layak digunakan sebagai piranti fotonik/optoelektronik, sehingga tertutup

kemungkinan misalnya membuat IC yang di dalamnya terkandung detektor optoelektronik

atau suatu sumber pemamcar cahaya dengan hanya menggunakan material silikon saja.

Beberapa usaha telah dilakukan untuk mengatasi hal ini antara lain dengan mengembangkan

apa yang dikenal sebagai bandgap engineering. Salah satu contohnya adalah menumbuhkan

struktur material SiGe/Si straitned layer superlattice. Parameter mekanik strain yang timbul

karena perbedaan konstanta kisi kristal antara lapisan SiGe dan Si tersebut akan

mempengaruhi struktur elektronik dari material di atas sehingga muncul efek brillioun-zone

folding yang mengubah struktur pitanya menyerupai material dengan celah energi langsung
(direct bandgap). Kombinasi dari kedua material tersebut memungkinkan terjadinya

pemancaran dan penyerapan cahaya. Cara lain yang juga popular untuk memperbaiki sifat

optik dari silikon adalah apa yang dinamakan material silikon porous. Dengan pelarutan

secara elektrokimia, pada lempeng silikon dapat berbentuk lubang-lubang yang berukuran

puluhan angstrom. Dengan bantuan sinar laser, akan dapat dilihat dengan mata telanjang

pemancaran cahaya dari material silikon tersebut. Fenomena ini dapat dijelaskan dengan

menggunakan model two-dimensional quantum confinement. Kelemahan dari teknik ini

adalah sifat reproducibility-nya yang rendah. Kemajuan-kemajuan di atas membuka era baru

bagi material silikon dan panduannya untuk diaplikasikan pada divais optoelektronika.

c. Teknologi GaAs

Salah satu hambatan dari teknologi silikon adalah sifat listrik yang berhubungan

dengan rendahnya mobilitas pembawa muatan dari material silikon ini. Mobilitas adalah

parameter yang menyatakan laju dari pembawa muatan dalam semikonduktor bila diberi

medan listrik. Untuk membuat piranti berkecepatan tinggi, galium arsenide (GaAs) dan

material-material panduannya telah dipertimbangkan sebagai material pengganti silikon.

Selain untuk divais elektron, material ini juga digunakan divais fotonik/laser dan divais

gelombang mikro (microwave device). GaAs adalah material semikonduktor dari golongan

III-V yang memiliki mobilitas elektron sekitar enam kali lebih tinggi dari silikon pada suhu

ruang. Material ini bertipe celah energi langsung. Dengan memanfaatkan kelebihan ini, telah

berhasil dibuat transistor yang disebut high electron mobility transistor (HEMT), menyusul

transistor yang lebih dahulu popular untuk teknologi GaAs yaitu metal semiconductor field

effect transistors (MESFET). Struktur dari HEMT mirip dengan MOSFET, tapi dengan

menggunakan teknik modulasi doping, di mana elektron dapat dipisahkan dari ion

pengotornya dan bergerak dalam sumur potensial dua dimensi (2DEG) dengan kecepatan
tinggi. Pengembangan IC dengan berbasis material GaAs saat ini juga sedang ramai diteliti.

Beberapa tahun yang lalu telah berhasil dibuat 64 kb static random access memory (SRAM)

yang berkecepatan tinggi sebesar 2ns dengan menggunakan teknologi HEMT berukuran 0,6

mikron. Transistor berkecepatan tinggi lainnya yang sedang dikembangkan adalah

heterojunction bipolar transistor (HBT). Struktur dari transistor ini adalah sambungan npn di

mana emiter menggunakan material dengan celah energi yang lebih besar dibandingkan

dengan base dan kolektor. Pada kondisi ini, diharapkan resistansi dari base dan kapasitansi

dari sambungan base-emitter akan dapat direduksi sehingga dapat diperoleh frekuensi

maksimum osilasi (fmaks) yang tinggi. Saat ini sudah dibuat HBT dengan fmaks 200 GHz.

Walaupun banyak kemajuan yang sudah dicapai, banyak orang meragukan kemampuan

teknologi GaAs ini untuk dapat bersaing dengan teknologi silikon dalam orde 0,1 mikron atau

yang lebih kecil. Itulah sebabnya, banyak perusahaan semikonduktor terutama di Amerika

Serikat yang tidak menganggap teknologi GaAs ini sebagai pengganti silikon.

d. Divais kuantum

Dewasa ini, perhatian besar juga diberikan pada struktur semikonduktor berdimensi

rendah (low-dimensional semiconductor) seperti quantum well (2D), quantum wire (1D) dan

quantum dot (0D). Struktur seperti ini adalah pembuka jalan ke era fabrikasi nanoteknologi

dan divais kuantum (quantum device). Telah diketahui bahwa bila elektron dikurung dalam

daerah potensial dengan dimensi yang sama dengan panjang gelombangnya maka akan

muncul sifat gelombang elektron dan berbagai fenomena kuantum akan dapat diamati.

Beberapa fenomena kuantum dapat mengurangi performansi dari divais itu sendiri sedangkan

fenomena yang lain dapat memacu terciptanya divais kuantum yang baru. Beberapa divais

kuantum seperti wire-transistor, single-electron transistor sudah berhasil dibuat dan

menunjukkan kecepatan yang tinggi. Permasalahan yang timbul dari divais yang dibuat
berdasarkan struktur semikonduktor dimensi rendah ini adalah arus drive yang rendah

sehingga masih sulit untuk diaplikasikan. Secara umum, permasalahan yang dihadapi divais

kuantum ini adalah operasi kerjanya yang masih harus dilakukan pada suhu rendah (seperti

suhu helium cair : 4,2K) agar dapat diamati fenomena kuantum secara jelas. Hal ini tentunya

akan menaikkan ongkos pembuatan sehingga belum menarik untuk diproduksi.

e. Intelligent material

Dari uraian di atas terlihat bahwa meskipun perkembangan divais semikonduktor

dewasa ini sangat cepat, beberapa hambatan sudah mulai terlihat. Pertanyaan yang muncul

adalah apakah usaha-usaha untuk memperbaiki performasi dari divais semikonduktor dapat

terus dilakukan dengan pola yang ada sekarang ini atau harus dicari pola yang lain. Pola yang

ada sekarang adalah bahwa dalam teknologi IC, transistor sebagai divais aktif dasar hanya

mempunyai satu fungsi saja dan kemudian diubah menjadi berfungsi banyak dengan bantuan

disain sirkuit dan software. Dengan berkembangnya permintaan untuk menciptakan suatu

rangkaian terpadu yang makin kompleks, beban yang ditanggung oleh disain software akan

makin berat sehingga kemungkinan besar sulit untuk direalisasikan. Untuk itu, dari pihak

hardware, haruslah dilakukan usaha untuk dapat membantu meringankan beban tersebut.

Salah satu usul adalah menciptakan divais yang multifungsi sehingga divais menjadi lebih

adaptif. Divais seperti ini dapat direalisasikan dengan menggunakan apa yang disebut sebagai

intelligent material. IC yang terbuat dari divais yang adaptif seperti ini akan menjadi

bermultifungsi tanpa harus membebani disain software yang makin kompleks.


APLIKASI PENERAPAN SEMIKONDUKTOR.

1. Resistor.

Gambar Kunstruksi Resistor

Pada dasarnya semikonduktor sendri memilki sifat menghambat seperti halnya

dengan resistor karbon. Hal ini karena bahan yang di gunakan pada resistor itu sama yaitu

merupakan unsure yang terletak pada golongan 4, resistor yang digunakan biansanya

adalah karbon, sedangkan semi konduktor ini memakai bahan dari Silikon. Tapi

perbedaanya yaitu pada pengaplikasinnya, resistor carbon dapat di gunakan dalam bentuk

yang besar sedangkan semi konduktor hanya berpengaruk kecil, karena ukuran dari

semikonduktor itu sendiri.

2. Dioda dan transistor.

Dioda atau transisitor merupakan gabungan dari dua atau lebih jenis

semikonduktor ekstrinsik yaitu tipe-p dan tipe-n. Kedua jenis semikonduktor ini

digabung dengan menggunakan bahn khusus yang dapat melekatkan dan dapat dialiri

oleh electron. Ada dua bahan elektronik yang biasa dipakai yaitu dioda dan transisitor.

Transisitor bipolar ini dibagi lagi menjadi dua jenis yaitu P-N-P dan N-P-N. intuk

penjelasannya akan di bahas lebih lanjut di bawah ini :


Dioda ini di buat dengan menyambungkan dua semi konduktor yang berbeda jenis.

Jika dioda ini diberi tegangan maju (forward bias) maka pada kutup positif akan memiliki

teganagn yang lebih besar dari pada kutub negatifnya, sehingga elektron pada kutub

negatif yang berasal dari kelebihan elektron pendonor akan berjalan mengisi hole pada

kutup negatif. Sehingga arus listrik dapat berjalan.

Jika teganan yang diberikan berupa tegangan balik (reversebias) maka dapat dipahami

tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P, karena tegangan

potensial di sisi N lebih tinggi. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja,

sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). Dioda, Zener, LED,

Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang

dibahas pada kolom khusus.


c. Transistor bipolar.

Pada transistor ini menggunakan 3 semikonduktor yang ditata selang-seling

sehingga penamaanya sesuai penataan bahan semikonduktor. Pada dasarnya Transistor

merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu membentuk

transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor,

base dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor.

Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya

tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole)

di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada tahun 1951

yang pertama kali menemukan transistor bipolar.

Transistor NPN dan PNP

Akan dijelaskan kemudian, transistor adalah komponen yang bekerja sebagai

sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah

inovasi yang menggantikan transistor tabung (vacuum tube). Selain dimensi transistor

bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja

pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan

terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun
konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang

digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.

Prinsip Kerja Transistor.

Transistor ini bekerja mirip dengan dioda. Transistor akan bekerja jika pada

kutup positif memilki tegangan yang lebig besar dari pada kutub negative tetapi karena

kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada

kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena

lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole

yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah

alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor,

karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh

elektron. Untuk memahami lihat skema prinsip kerja transisitor berikut :

Keterangan : a) Arus yang terjadi pada Transistor jenis NPN, dan b) Arus yang terjadi

pada transistor jenis PNP.

Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan

terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan ‘keran’ base diberi
bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding

dengan besar arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur

banyaknya elektron yang mengalir dari emitter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek

penguatan transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emitter-collector

yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah, karena dengan

penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih

kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base

mengatur membuka dan menutup aliran arus emitter-collector (switch on/off).

3. Sel Surya (solar cell).

Sel surya, solar cell, photovoltaic, atau fotovoltaik sejak tahun 1970-an telah

telah mengubah cara pandang kita tentang energi dan memberi jalan baru bagi manusia

untuk memperoleh energi listrik tanpa perlu membakar bahan baker fosil sebagaimana

pada minyak bumi, gas alam atau batu bara, tidak pula dengan menempuh jalan reaksi fisi

nuklir. Sel surya mampu beroperasi dengan baik di hampir seluruh belahan bumi yang

tersinari matahari, sejak dari Maroko hingga Merauke, dari Moskow hingga Johanesburg,

dan dari pegunungan hingga permukaan laut.


Sel surya dapat digunakan tanpa polusi, baik polusi udara maupun suara, dan

di segala cuaca. Sel surya juga telah lama dipakai untuk memberi tenaga bagi semua

satelit yang mengorbit bumi nyaris selama 30 tahun. Sel surya tidak memiliki bagian

yang bergerak, namun mudah dipindahkan sesuai dengan kebutuhan.

Semua keunggulan sel surya di atas disebabkan oleh karakteristik khas sel

surya yang mengubah cahaya matahari menjadi listrik secara langsung. Artikel ini

sengaja ditulis guna menanggapi banyaknya pertanyaan mengenai bagaimana mekanisme

atau prinsip kerja sel surya. Sengaja di sini hanya melibatkan penjelasan kualitatif.

Proses konversi

Proses pengubahan atau konversi cahaya matahari menjadi listrik ini

dimungkinkan karena bahan material yang menyusun sel surya berupa semikonduktor.

Lebih tepatnya tersusun atas dua jenis semikonduktor; yakni jenis n dan jenis p.

Semikonduktor jenis n merupakan semikonduktor yang memiliki kelebihan

elektron, sehingga kelebihan muatan negatif, (n = negatif). Sedangkan semikonduktor

jenis p memiliki kelebihan hole, sehingga disebut dengan p ( p = positif) karena

kelebihan muatan positif. Caranya, dengan menambahkan unsur lain ke dalam

semkonduktor, maka kita dapat mengontrol jenis semikonduktor tersebut, sebagaimana

diilustrasikan pada gambar di bawah ini.

Pada awalnya, pembuatan dua jenis semikonduktor ini dimaksudkan untuk

meningkatkan tingkat konduktifitas atau tingkat kemampuan daya hantar listrik dan panas

semikonduktor alami. Di dalam semikonduktor alami (disebut dengan semikonduktor

intrinsik) ini, elektron maupun hole memiliki jumlah yang sama. Kelebihan elektron atau

hole dapat meningkatkan daya hantar listrik maupun panas dari sebuah semikoduktor.

Dua jenis semikonduktor n dan p ini jika disatukan akan membentuk


sambungan p-n atau dioda p-n (istilah lain menyebutnya dengan sambungan metalurgi /

metallurgical junction) yang dapat digambarkan sebagai berikut.

1. Semikonduktor jenis p dan n sebelum disambung.

2. Sesaat setelah dua jenis semikonduktor ini disambung, terjadi perpindahan

elektron-elektron dari semikonduktor n menuju semikonduktor p, dan

perpindahan hole dari semikonduktor p menuju semikonduktor n. Perpindahan

elektron maupun hole ini hanya sampai pada jarak tertentu dari batas sambungan

awal.

3. Elektron dari semikonduktor n bersatu dengan hole pada semikonduktor p yang

mengakibatkan jumlah hole pada semikonduktor p akan berkurang. Daerah ini

akhirnya berubah menjadi lebih bermuatan positif..

Pada saat yang sama. hole dari semikonduktor p bersatu dengan elektron yang ada
pada semikonduktor n yang mengakibatkan jumlah elektron di daerah ini berkurang. Daerah

ini akhirnya lebih bermuatan positif.

4. Daerah negatif dan positif ini disebut dengan daerah deplesi (depletion region)

ditandai dengan huruf W.

5. Baik elektron maupun hole yang ada pada daerah deplesi disebut dengan

pembawa muatan minoritas (minority charge carriers) karena keberadaannya di

jenis semikonduktor yang berbeda.

6. Dikarenakan adanya perbedaan muatan positif dan negatif di daerah deplesi, maka

timbul dengan sendirinya medan listrik internal E dari sisi positif ke sisi negatif,

yang mencoba menarik kembali hole ke semikonduktor p dan elektron ke

semikonduktor n. Medan listrik ini cenderung berlawanan dengan perpindahan

hole maupun elektron pada awal terjadinya daerah deplesi (nomor 1 di atas).
7. Adanya medan listrik mengakibatkan sambungan pn berada pada titik setimbang,

yakni saat di mana jumlah hole yang berpindah dari semikonduktor p ke n

dikompensasi dengan jumlah hole yang tertarik kembali kearah semikonduktor p

akibat medan listrik E. Begitu pula dengan jumlah elektron yang berpindah dari

smikonduktor n ke p, dikompensasi dengan mengalirnya kembali elektron ke

semikonduktor n akibat tarikan medan listrik E. Dengan kata lain, medan listrik E

mencegah seluruh elektron dan hole berpindah dari semikonduktor yang satu ke

semiikonduktor yang lain.

Pada sambungan p-n inilah proses konversi cahaya matahari menjadi listrik terjadi.

Untuk keperluan sel surya, semikonduktor n berada pada lapisan atas

sambungan p yang menghadap kearah datangnya cahaya matahari, dan dibuat jauh lebih

tipis dari semikonduktor p, sehingga cahaya matahari yang jatuh ke permukaan sel surya

dapat terus terserap dan masuk ke daerah deplesi dan semikonduktor p.

Ketika sambungan semikonduktor ini terkena cahaya matahari, maka elektron


mendapat energi dari cahaya matahari untuk melepaskan dirinya dari semikonduktor n,

daerah deplesi maupun semikonduktor. Terlepasnya elektron ini meninggalkan hole pada

daerah yang ditinggalkan oleh elektron yang disebut dengan fotogenerasi elektron-hole

(electron-hole photogeneration) yakni, terbentuknya pasangan elektron dan hole akibat

cahaya matahari.

Cahaya matahari dengan panjang gelombang (dilambangkan dengan simbol

“lambda” sbgn di gambar atas ) yang berbeda, membuat fotogenerasi pada sambungan pn

berada pada bagian sambungan pn yang berbeda pula.

Spektrum merah dari cahaya matahari yang memiliki panjang gelombang

lebih panjang, mampu menembus daerah deplesi hingga terserap di semikonduktor p

yang akhirnya menghasilkan proses fotogenerasi di sana. Spektrum biru dengan panjang

gelombang yang jauh lebih pendek hanya terserap di daerah semikonduktor n.

Selanjutnya, dikarenakan pada sambungan pn terdapat medan listrik E,

elektron hasil fotogenerasi tertarik ke arah semikonduktor n, begitu pula dengan hole

yang tertarik ke arah semikonduktor p.


Apabila rangkaian kabel dihubungkan ke dua bagian semikonduktor, maka

elektron akan mengalir melalui kabel. Jika sebuah lampu kecil dihubungkan ke kabel,

lampu tersebut menyala dikarenakan mendapat arus listrik, dimana arus listrik ini timbul

akibat pergerakan elektron.

Pada umumnya, untuk memperkenalkan cara kerja sel surya secara umum,

ilustrasi di bawah ini menjelaskan segalanya tentang proses konversi cahaya matahari

menjadi energi listrik.

4. IC (Intergrated Circuit).

Jack Kilby, seorang inIsinyur di Texas Instrument,mengembangkan sirkuit terintegrasi (IC :

integrated circuit) di tahun 1958. IC mengkombinasikan tiga komponen elektronik

dalam sebuah piringan silikon kecil yang terbuat dari pasir kuarsa. Para ilmuwan kemudian

berhasil memasukkan lebih banyak komponen-komponen ke dalam suatu chip tunggal

yang disebut semikonduktor. Integrated Circuit (IC) merupakan komponen semikonduktor

yang di dalamnya dapat memuat puluhan, ratusan atau ribuan atau bahkan lebih komponen
dasar elektronik yang terdiri dari sejumlah komponen resistor, transistor, dioda dan komponen

semikonduktor yang lain.

Komponen-komponen yang ada di dalam IC membentuk suatu

subsistem terintegrasi (rangkaian terpadu) yang bekerja untuk suatu keperluan tertentu,

namun tidak tertutup kemungkinan dipergunakan untuk tujuan yang lain.

Setiap jenis IC didesain untuk keperluan khusus sehingga setiap IC akan

memiliki rangkaian internal yang beragam. Untuk mengetahui rangkaian internal,

lingkungan kerja dan tegangan voltase operasi IC maka perlu dibaca datasheet yang

diterbitkan oleh masing-masing produsennya (Philips, ST, Motorola, Sharp, Beckman,

Cirrus Logic, Texas Instrument, dll) baik dalam bentuk media cetak seperti buku ataupun

elektronik (E-Book PDF). Datasheet sangat diperlukan apabila kita akan mendesain

sebuah rangkaian elektronik.

Integrated Circuit diproduksi dengan berbagai kemasan dengan jumlah pin

(kaki) yang bervariasi sesuai dengan fungsinya. Beberapa contoh kemasan IC yaitu DIP,

CERDIP, DIL (dual in line) yang umum digunakan adalah DIP/DIl. Kemasan IC terbuat

dari bahan epoxy atau silikon dan dari bentuk ini muncul pin-pin atau kaki-kaki dengan

jarak kaki yang satu dengan yang lainnya teatur rapi. Sebuah IC mempunyai urutan kaki

nomor 1 sampai dengan sejumlah kaki yang ada. Urutan kaki IC tidak dicantumkan pada

badan IC akan tetapi yang pasti bahwa kaki nomor 1 berdekatan dengan kaki nomor 2,

kaki nomor 2 berdekatan dengan kaki nomor 3 dan seterusnya.

IC dibedakan jenisnya menurut bentuk fisik dan fungsinya.

 IC Power Amplifier

 Mempunyai bentuk pipih dan fisiknya lebih besar dari yang lain. Digunakan pada
rangkaian penguat suara (audio amplifier). Daya output IC ini cukup besar, berkisar

antara 15 watt sampai 100 Watt atau bahkan lebih. Contoh tipe IC-nya adalah

STK015, STK 070, STK 105, LA 4440 dan sebagainya.

 IC Power Adaptor (Regulator)

 Digunakan sebagai komponen utama pada rangkaian power adaptor pada sub

rangkaian regulator yang berfungsi sebagai penstabil tegangan atau voltase. Contoh

tipe IC-nya adalah LM 317H, 78xx (xx = 05, 06, 07, 08, 09, 12), L200, S 042 P,

LM 723 dan sebagainya.

 IC Op Amp

 Digunakan pada rangkaian digital yang berfungsi sebagai op amp atau untuk

keperluan lain. Misalnya op amp audio amplifier, op amp mic, op amp head tape

recorder, termometer digital dan lain-lain. Contoh tipe IC-nya adalah LM 709, LM

741, LM 386, TL 074, TL 083, TL 084 dan sebagainya.

 IC Silinder

 IC ini mempunyai bentuk silinder dan banyak digunakan pada rangkaian penguat

pesawat CB(Citizen Band) atau HT (Held Transceived). IC jenis ini mempunyai

tingkat ketahanan dan keawetan lebih lama dari jenis IC penguat yang lain. Contoh

tipe IC-nya adalah μL 914, μA703, μA714 dan sebagainya.

 IC Flip-Flap (FF) atau Timer (CLK,Clock)

 IC ini banyak digunakan pada rangkaian pembangkit (multivibrator) untuk memberi

umpan atau sumber detak (oscilator) pada IC digital atau untuk keperluan lain.

Misalnya NE 555 (IC terpopuler dikalangan pelajar) untuk alarm multiguna, signal

injektor, penguji hubungan, saklar sentuh, timer lampu FF, frekuensi meter,

pengacau frekuensi, otak rangkaian power amplifier, regulator pada power adaptor

(dapat berfungsi seperti IC Power Amplifier dan Power Adaptor), pengusir


serangga, organ elektronik dan lain-lain. Contoh tipe IC-nya NE 555, NE 556 (dua

NE 555), M7555 dan sebagainya.

 .IC Digital

 Dalam IC digital, suatu titik elektronis yang berupa seutas kabel atau kaki IC,

akan mewujudkan salah satu dari dua keadaan logika, yaitu logika '0' (nol, rendah)

atau logika '1' (satu, tinggi). Suatu titik elektronis mewakili satu 'binary digit' atau

biasa disingkat dengan sebutan 'bit'. Binary berarti sistem bilangan 'dua-an', yakni

bilangan yang hanya mengenal dua angka, 0 dan 1.

5. Microprosesor.

Microprocessor adalah alat pemroses data yang merupakan pengembangan dari

teknologi pembuatan Integrated Circuit (IC), Ada beberapa peristilahan yang dipakai untuk

menunjukan tingkat kepadatan (density) dari suatu chip IC, yaitu Small Scale Integration

(SSI-mengemas beberapa puluh transistor), Medium Scale Integration (MSImengemas sampai

beberapa ratus transistor), dan sekarang yang sedang berkembang adalah Very Large Scale

Integration (VLSI-mengemas puluhan ribu sampai jutaan transistor).

Ultra-Large Scale Integration (ULSI) meningkatkan jumlah tersebut menjadi

jutaan. Kemampuan untuk memasang sedemikian banyak komponen dalam suatu keping

yang berukurang setengah keping uang logam mendorong turunnya harga dan ukuran

komputer. Hal tersebut juga meningkatkan daya kerja, efisiensi dan keterandalan
komputer. Chip Intel 4004 yang dibuat pada tahun 1971 membawa kemajuan pada IC

dengan meletakkan seluruh komponen dari sebuah komputer (central processing unit,

memori, dan kendali input/output) dalam sebuah chip yang sangat kecil. Sebelumnya, IC

dibuat untuk mengerjakan suatu tugas tertentu yang spesifik. Sekarang, sebuah

mikroprosesor dapat diproduksi dan kemudian diprogram untuk memenuhi seluruh

kebutuhan yang diinginkan. Tidak lama kemudian, setiap perangkat rumah tangga

seperti microwave oven, televisi, dn mobil dengan electronic fuel injection dilengkapi

dengan mikroprosesor. Contoh tentang teknologi ULSI, misalnya microprocessor jenis

8086 mengandung 40.000 buah transistor, 80286 terdiri dari 150.000 transistor, 80386

memuat 250.000 transistor, 80486 mempunyai 1,2 juta transistor, 80586 (Pentium) 3 juta

buah transistor lebih sedangkan Intel Core 2 Duo mempunyai 271 juta transistor dan Intel

Quad Core 2 Extreme yang terdiri dari empat inti prosesor. Pengembangan lebih lanjut

microprocessor 80 inti. Silahkan hitung sendiri kandungan transistornya dan itu akan

berkembang secara terus menerus.


BAB III

KESIMPULAN

Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti

dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah

konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan- bahan logam

seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki

susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak

bebas.

Bahan Silikon dan Germanium termasuk yang sering digunakan sebagai bahan

semikonduktor, dan masih banyak bahan lainnya seperti Timah, dan SiC. Unsur-unsur yang

merupakan semikonduktor masuk di dalam golongan !V A kecuali Timbal. Ikatan antar

atomnya termasuk ikatan kovalen. Unsur –unsur tesebut termasuk senyawa karbon. Silikon

banyak terdapat di alam dalam bentuk pasir kuarsa, dan tanah liat. Germanium terdapat dalam

lapisan kerak bumi dan sangat sedikit jumlahnya (0,001%).

Germanium memiliki daya hantar yang lebih baik dari pada Silikon, sedangkan

silikon memiliki daya tahan panas yang baik, dan banyak terdapat di alam. Oleh karena itu

Silikon lebih banyak digunakan. Silikon dan Germanium yang terdapat di alam masih belum

murni sehingga perlu dimurnikan dengan proses kimia, dan dimurnikan lagi.

Pada semikonduktor intrinsik tidak terdapat elektron bebas sehingga bersifat isolator,

hanya karena pengaruh suhu resistivitasnya menurun, sehingga konduktivitasnya semakin

meningkat seiring perubahan suhu. Konduktivitas dari semikonduktor bergantung dari


mobilitas muatan, jumlah pembawa muatan, temperatur. Semikonduktor intrinsik pada suhu

nol absolut merupakan isolator.

Tidak demikian pada semikonduktor ekstrinsik. Pada suhu rendah (<1/T)

semikonduktor ekstrinsik ( semikonduktor tipe-n dan tipe-p) bersifat ekstrinsik, dan pada suhu

tinggi (>1/T) bersifat intrinsik. Maksudnya pada suhu tinggi konduktivitasnya lebih landai

dari pada konduktivitas pada suhu rendah. Keadaan diantaranya /peralihan merupakan

keadaan dimana semua elektron dari atom donor telah pindah ke pita konduksi (exhaustion

range) pada semikonduktor tipe-n atau semua lubang telah terisi penuh (saturation range)

pada semikonduktor tipe-p.

Semikonduktor terbagi menjadi semikonduktor yang hanya tersusun dasi Si atau Ge

murni yang disebut semikonduktor intrinsik, dan semikonduktor yang diberi pengotor disebut

semikonduktor ekstrinsik. Pengotor tersebut disisipkan ke dalam unsur utama (intrinsik)

dengan cara yang disebut doping. Bila diberi atom yang bervalensi tiga maka akan terbentuk

semikondukto tipe-p, atom pengotornya disebut atom akseptor. Sedangkan bila atom

pengotornya bervalensi lima maka akan terbentuk semikonduktor tipe-n, atom pengotornya

disebut atom donor. Atom pengotor harus sama ukurannya dengan atom murni/ utama.

Semikonduktor tipe-n dan tipe-p memiliki kesamaan dalam hal perubahan

konduktivitasnya terhadap suhu. Untuk membedakannya dapat digunakan percobaan dikenal

dengan Hall effect. Untuk semikonduktor tipe-n voltage Hall bernilai positif, sedangakan

pada semikonduktor tipe-p voltage Hall bernilai negatif. Besarnya voltage Hall bergantung

dari Hall coefficient, arus, kuat medan dan ketebalan bahan.Semikonduktor banyak digunakan

pada alat-alat yang menggubah energi listrik menjadi listrik, mengubah arus AC menjadi DC,

menggubah energi panas menjadi listrik (solar cell), dan pada alat-alat pengukuran.

Pada arus tegangan tinggi bahan semikonduktor digunakan pada arester agar dapat

mengalirka tegangan berlebih akibat petir (tegangan sorja) ke tanah. Ada juga semikonduktor
yang peka terhadap perubahan suhu (thermistor), cahaya (photoelectric), tegangan (varistor),

listrik (transisitor), dan impurities (rectifier). Pengujian pada bahan semikonduktor dapat

dilakukan dengan pemberian tegangan yang besar, atau pemanasan, atau gabungan keduanya.

DAFTAR PUSTAKA

A.S. Gr ove, Physics and Technol ogy of Semi conductor Devices, ( Wil ey, Singapore

1967)

Aksin, M. 2003. Merakit Sendiri Sirine Infra Merah Alarm Anti Maling. Semarang:

Effhar,

E-Dukasi.Net

Hakim, Rusman. 1994. Menjelajah Sistem Komputer dengan Debug. Jakarta: PT Elex

Media Komputindo,

Hufron.2006. Elektronika untuk SLTP jilid 1, Surakarta: CV. Harapan Baru.

K, Andi Pratomo. 2004. Rangkaian Elektronik Praktis -Kendaraan –Rumah. Jakarta:

Puspa Swara.

Peter Singer , Tr ends in Ion I mplanta- tion, Semicondutor Internat ional, 50, p .59,

Augus- tus ( 1996)

S.M. Sze, Semiconductor De vices, Physic s a nd Te chnology, ( Wiley, Singapore 1985)

S.R. Rio dan M. Iida, Fisika dan Teknologi Sem ikonduktor, ( Pradnya Paramita, Jakarta

1980)

Sudirman, Ivan, dan Wahono, Romi Satria, “Sejarah Komputer”, http: // www.

ilmukomputer. Com

Zuhal, dan Zhanggischan. 2004. Prinsip Dasar Elektronika. Jakarta: PT Gramedia

Pustaka Utama.

You might also like