Hand - Out Kimia Zat Padat 1 I.

STRUKTUR KRISTAL • Kimia kristal terutama membahas struktur kristal dan perlu dibedakan dengan kristalografi, yang berhubungan dengan metoda-metoda eksperimen untuk menentukan struktur kristal. • Struktur kristal dapat diterangkan dengan bermacam-macam cara. Cara yang paling umum adalah dengan menyatakan struktur sebagai satuan sel (unit sel). Pada pendekatan ini struktur dinyatakan dengan ukuran dan bentuk satuan sel dan posisi atom dalam satuan sel. Walaupun demikian seringkali keterangan tentang satuan sel dan koordinat atom tidak mencukupi untuk menerangkan gambaran struktur dalam tiga dimensi. Informasi yang masih diperlukan seperti : pengaturan atom-atom relatif satu dengan lainnya jarak antar atom bilangan koordinasi tipe ikatan.

• Cara berguna untuk menerangkan struktur kristal adalah dengan pendekatan kemasan rapat dan pengisian ruang polihedron (tidak dibahas). Kemasan rapat (close packed) • Struktur logam, senyawa ionik, senyawa kovalen dan struktur kristal molekul dapat dijelaskan menggunakan konsep kemasan rapat. Dalam hal ini unsur logam, ion dan molekul dianggap berbentuk bulatan, sehingga pengemasannya secara efisien dalam gambaran 2 dimensinya adalah sebagai :

Hand - Out Kimia Zat Padat 2 Penyusunan 3 dimensi adalah dengan menumpuk lapisan kedua (B) diatas lapisan pertama (A) dan seterusnya. Penumpukan lapisan berulang menurut : ….ABABAB…. disebut sebagai kemasan rapat heksagonal (hexagonal close packing, hcp) dan menurut : ….ABCABCABC…. disebut sebagai kemasan rapat kubus (cubic close packing, ccp).

Susunan kemasan rapat heksagonal menghasilkan satuan sel heksagonal, sedangkan

satuan sel susunan kemasan rapat kubus diwakili oleh kubus berpusat muka (face centred cubic, fcc). Hubungan antara fcc dengan ccp dapat dilihat dari lapisan kemasan rapat yang sejajar dengan bidang {111}.

Hand - Out Kimia Zat Padat 3 Satu satuan sel heksagonal dihitung diwakili oleh 2 atom (Z = 2), yaitu atom-atom dengan koordinat : 0,0,0 dan 1/3,2/3,1/2 atau 2/3,1/3,1/2 Satu satuan sel kubus (fcc) dihitung diwakili oleh 4 atom (Z = 4), yaitu atom-atom dengan koordinat : 0,0,0 ; 1/2,1/2,0 ; 1/2,0,1/2 ; 0,1/2,1/2 • Kerapatan kemasan rapat ini adalah 74,05%, yaitu total volum yang ditempati oleh

atom. • Celah atau lubang yang terdapat pada susunan kemasan rapat ini dibedakan sebagai

lubang tetrahedral dan lubang oktahedral :

Jumlah lubang oktahedral adalah sama dengan jumlah atom satuan sel, sedangkan

jumlah lubang tetrahedral adalah 2x jumlah atom satuan sel. Letak dan posisi lubang tetrahedral dan lubang oktahedral pada hcp dan fcc adalah : hcp atom : 0,0,0 dan 2/3,1/3,1/2 oktahedral : 1/3,2/3,1/4 dan 1/3,2/3,3/4 tetrahedral T+ : 2/3,1/3,1/8 ; 2/3,1/3,7/8 T- : 0,0,3/8 ; 0,0,5/8

Hand - Out Kimia Zat Padat 4

fcc atom : 0,0,0 ; 1/2,1/2,0 ; 1/2,0,1/2 ; 0,1/2,1/2 oktaeder : 1/2,1/2,1/2 ; 0,0,1/2 ; 0,1/2,0 ; 1/2,0,0 tetraeder T+ : 1/4,1/4,1/4 ; 3/4,3/4,1/4 ; 3/4,1/4,3/4 ; 1/4,3/4,3/4 T- : 3/4,3/4,3/4 ; 1/4,1/4,3/4 ; 1/4,3/4,1/4 ; 3/4,1/4,1/4 • Perbandingan besarnya radius lubang terhadap radius atom adalah : roktaeder = 0,414 ratom rtetraeder = 0,225 ratom Contoh struktur kemasan rapat Material-material yang dapat diterangkan sebagai struktur kemasan rapat adalah : • Logam Kebanyakan logam terkristalkan sebagai salah satu dari 3 susunan : ccp, hcp dan bcc (body centred cubic). Distribusi tipe struktur tidak teratur dan tidak diamati kecenderungan khusus, juga masih tidak dipahami, mengapa logam-logam tertentu menyukai satu struktur dari struktur lainnya.

9793 2.947 5.232 2.7341 2.2095 2. Ada 2 macam kisi (lubang) tetrahedral. Cara lain memandang koordinasi oktahedral adalah sebagai 4 atom koplanar dengan 1 atom di atas dan 1 atom di bawah bidang koplanar.686 5. O’Keeffee mengusulkan term struktur eutatik.025 Beberapa logam adalah polimorfik dan menunjukkan lebih dari satu tipe struktur. seperti Fe dapat sebagai ccp atau bcc tergantung temperatur. dimana ukuran anion lebih besar dari ukuran kation. ccp Cu Ag Au Al Ni Pd Pt Pb a 3.8664 2.Out Kimia Zat Padat 5 Tabel : Struktur dan dimensi satuan sel (A) beberapa logam yang umum.0786 4. Al2O3.0494 3.3058 5. Dengan demikian kation pada kisi tetrahedral yang berada ditengah-tengah lapisan anion menjadi lebih dekat ke satu lapisan dari lapisan lainnya. tetapi tidak harus bersentuhan.8839 3.147 4. Sedangkan kisi (lubang) oktahedral terkoordinasi oleh 3 anion dari masing-masing lapisan anion dan berada ditengah-tengahnya. Pada struktur ionik harus diperhatikan gaya-gaya elektrostatik tarik dan tolak yang harus seimbang. Bermacam-macam tipe struktur dapat dimungkinkan dengan susunan anion sebagai kemasan rapat kubus atau heksagonal.1648 3. yaitu T+ dan T. ZnO.2819 4.7058 2.95 3.5238 3. • Senyawa ionik dan senyawa kovalen Materi seperti NaCl. sehingga susunan anion harus dijauhkan dan menjadi tidak bersinggungan.3197 4.1472 3.760 c 3.2104 4.458 bcc Fe Cr Mo W Ta Ba a 2.6181 4.9231 4. maka struktur kristalnya dapat dipandang dibangun oleh lapisan kemasan rapat dari anion dan kation berada dalam celah/lubang antaranya (lubang tetrahedral dan oktahedral).0862 4. Pengelompokkan struktur ion berdasarkan kesamaan dan perbedaan NaCl (kubus) dan NaAs (heksagonal) dengan kation pada lubang oktahedral .Hand . dimana ion-ion tersusun seperti pada susunan kemasan rapat. Seringkali ukuran kation lebih besar dari besarnya lubang.8898 3.6150 4.2859 3.9506 hcp Be Mg Zn Cd Ti Zr Ru Os Re a 2.5843 5.665 2.dengan tetrahedra menghadap ke atas atau ke bawah. Na2O.

Struktur antifluorit adalah kebalikannya. dimana O2. C digolongkan sebagai struktur sphalerite.membentuk lapisan kemas rapat. sedangkan pada CdI2 satu lapisan oktahedral diisi penuh. ZnS (zink blende/sphalerite) dan Na2O (antifluorit) . seperti struktur K2O. Pada TiO2 setengah lubang oktahedral dari setiap pasangan lapisan anion ditempati oleh Ti4+. Contoh CaF2 (struktur fluorit) dengan fcc dari Ca2+ dan tetrahedral T+ dan T. seperti SiC mempunyai struktur wurzit dengan Si sebagai lapisan kemasan rapat heksagonal dan C menempati posisi lubang oktahedral. Ti4+ menempati ¼ lubang oktahedral dan ¾ oktahedral ditempati oleh Ca2+. tetapi lapisan oktahedral berikutnya dibiarkan kosong (seperti struktur lapisan). kation yang membentuk lapisan kemasan rapat dengan anion menempati kisi-kisi sisipan (lubang).dan tiap lapisan kelima ¾ O2. Pada sedikit struktur. Konsep kemasan rapat dapat diperluas meliputi struktur dimana suatu campuran anion dan kation dengan ukuran besar membentuk lapisan kemasan rapat dan kation dengan ukuran yang lebih kecil menempati sisi sisipan/lubang. dimana Ca2+ dan 3 O2. - - - - Struktur dengan ikatan kovalen. disebut sebagai struktur perovskite CaTiO3.- Hand . Intan. • Gambar beberapa tipe struktur yang penting Struktur NaCl. dimana ½ C membentuk susunan kemasan rapat kubus dan ½ C lainnya menempati ½ posisi T+. 3. seperti ZnS (struktur zink blende).membentuk lapisan kemasan rapat dengan ¼ tempat O2.tidak ada. Beberapa struktur dapat dipandang sebagai struktur kemasan rapat dengan kekurangan anion (beberapa tidak ada). Banyak struktur mempunyai ikatan campuran kovalen dan ionik.kosong. NaAl11O17 dengan lapisan kemasan rapat O2.ditempati oleh F-. seperti ReO3. Contoh β -Al2O3 .Out Kimia Zat Padat 6 Rutil (TiO2) dan CdI2 mempunyai kemasan rapat anion heksagonal dengan setengah lubang oktahedral ditempati oleh kation dan berbeda pada cara penempatan kisi oktahedral.

: .kosong ZnS (zink blende) : T+ (atau T-) ditempati oleh kation dan oktahedral.ditempati oleh kation dan oktahedral kosong - .Out Kimia Zat Padat 7 Ketiga struktur ini mempunyai kesamaan.Koordinat anion dalam satuan sel : 000 ½½0 ½0½ 0½½ - NaCl : oktahedral ditempati oleh kation dan tetrahedral T+ dan T. tetrahedral T+ dan T.(atau T+) kosong Na2O (antifluorit) : T+ dan T. T.Hand . yaitu mempunyai kemasan rapat kubus (fcc) anion dan berbeda pada posisi kationnya pada oktahedral.

Out Kimia Zat Padat 8 • Struktur ZnS (wurzit) dan NiAs (nikel arsenit) Kedua struktur ini mempunyai kesamaan susunan kemasan rapat heksagonal (hcp) dari anion dan berbeda pada posisi kationnya : Koordinat anion hcp : 000 1/3 2/3 ½ ZnS (wurzit) : T+ (atau T-) ditempati oleh kation dan oktahedral kosong NiAs (nikel arsenit) : oktahedral diempati oleh kation dan T+ dan T.Hand .kosong .

Out Kimia Zat Padat 9 • Struktur CsCl (cesium klorida) Satuan sel CsCl adalah kubus primitif : .Hand .

Out Kimia Zat Padat 10 • Struktur TiO2 (rutil). . CdCl2 dan Cs2O Keempat struktur ini mempunyai kesamaan susunan kemasan rapat heksagonal dari anion oksida dan berbeda pada pengulangan penempatan kation pada lapisan oktahedral.Hand . CdI2.

Hand . Kisi .Out Kimia Zat Padat 11 • Tabel perhitungan jarak antar atom pada beberapa struktur sederhana : Penentuan struktur kristal • Unit sel dan sistem kristal Satuan terkecil yang mewakili suatu pengulangan pola penempatan atom-atom/ion-ion penyusun senyawa kristal dalam bentuk 3 dimensi disebut kisi ruang (space lattice).

Out Kimia Zat Padat 12 ruang ini dapat dibayangkan sebagai bentuk segi-4 panjang dengan sisi yang dinyatakan sebagai sumbu a. b dan c dan sudut-sudut diantaranya sebagai sudut α. • Elemen simetri dan operasi simetri Elemen simetri penting dalam kristalografi dan merupakan : bidang cermin. dimana rotasi terhadap sumbu ini sebanyak 360/n derajat memberikan orientasi/posisi yang identik dengan awalnya dan proses rotasi disebut sebagai operasi simetri. Unit sel kisi ruang dikelompokkan menjadi 7 sistem kristal dengan memperhatikan unsur simetri rotasi yang dimilikinya. sumbu alternasi rotorefleksi. sumbu inversi. β dan γ . diberi simbol Cn. Bentuk geometri dari bermacam sistem kristal (satuan sel) merupakan konsekuensi dari adanya elemen simetri tertentu : Sistem kristal (7) Triklin Monoklin Ortorombik Rombohedral Tetragonal Heksagonal Kubus Elemen simetri utama satu sumbu C2 tiga sumbu C2 yang saling tegak lurus satu sumbu C3 satu sumbu C4 satu sumbu C6 empat sumbu C3 dalam sebuah susunan tetrahedral . pusat simetri.Hand . Sebuah sumbu rotasi. sumbu rotasi.

Out Kimia Zat Padat 13 Hanya ada 14 kisi kristal yang berbeda dalam tiga dimensinya dan dikenal sebagai kisi Bravais : • Indeks Miller dan bidang Miller Indeks Miller merupakan identifikasi bidang-bidang kisi kristal.Hand . maka fraksi perpotongannya adalah 1/2. 1. 1/3. Misal sebuah bidang memotong sumbu x pada a/2. . sumbu y pada b dan sumbu z pada c/3. Kebalikan fraksi perpotongan ini memberikan (213) dan ini merupakan indeks Miller bidang tersebut.

Out Kimia Zat Padat 14 Indeks Miller suatu bidang dinyatakan dengan simbol (h.l) dari titik (000) dinyatakan sebagai dhkl. y dan z. sehingga bila .k. Indeks Miller sebenarnya mendefinisikan satu set bidang sejajar dan salah satunya melalui titik awal (000) dan lainnya pada jarak dhkl dari masing-masing bidang : Jarak antar bidang dhkl untuk sistem kubus adalah : 1 h2 + k 2 + l 2 = 2 d hkl a2 dan untuk kisi ortorombik adalah : 1 h2 k2 l2 = 2 + 2 + 2 2 d hkl a b c • Hukum Bragg dan persamaan difraksi sinar X Sinar X merupakan radiasi elektromagnetik dengan kisaran panjang gelombang 10-10 m dan sinar X ini bila dilewatkan melalui sebuah kristal akan didifraksikan menurut persamaan Bragg : Perbedaan panjang jalan kedua berkas sinar adalah : AB + BC = 2d sin θ . dan AB + BC = n λ .Hand . Jarak tegak lurus bidang (h.k.l) yang mengacu pada sumbu x.

. 1 2 3 4 5 6 8 9 10 …. Bagaimana dapat terjadi bahwa ion-ion positif dan negatif bersama-sama? Daya tarik antar ion positif dan ion negative lebih besar dari daya tolak antar ion-ion sejenis.10-12 A sV-1 m-1 Energi Coulomb ini bertambah dengan berkurangnya jarak antar ion secara hiperbola dan system menjadi makin stabil. misalkan untuk sistem kubus. hubungan antara sudut-sudut dimana refleksi bidang (hkl) terjadi adalah : sin θ = (h2 + k2 + l2)1/2 λ /2a Kemudian diprediksikan refleksi-refleksi bidang (hkl) dengan substitusi nilai h.859 .Out Kimia Zat Padat 15 kedua gelombang refleksi ini sefase untuk menghasilkan interferensi yang konstruktif harus memenuhi persamaan Bragg : n λ = 2 d sin θ Metode bubuk Debye-Scherrer digunakan untuk analisis struktur kristal. k dan l : (hkl) h2 + k2 + l2 (100) (110) (111) (200) (210) (211) (220) (300) (221) …. Gaya tarik antara satu ion muatan positif dan satu ion muatan negative dalam vakum dapat dinyatakan dengan energi potensial coulomb (elektrostatik) : z + z .e2 E Coul = 4π ε o e2 = r 4π ε o r e = muatan elementer elektron = 1. yaitu dengan menginterpretasikan sudut refleksi θ dalam term pemisahan bidang-bidang kisi.10-19 C r = jarak antara 2 ion ε o = tetapan dielektrikum absolute vakum = 8.. Energi tolak menjadi penting bila atom-atom atau ion-ion sangat berdekatan : Etolak = A / rn . Salah satu cara adalah dengan melakukan pengindeksan dari refleksi yang dihasilkan.Hand . Sifat fisik struktur kristal senyawa ionik (NaCl) • Ikatan dalam kristal NaCl NaCl adalah khas kristal ion.6 .

e2 / 4 π ε o ro Σ ( + ) pJ-1 = . cukup dengan pengaruh energi antara ion pusat dengan ion-ion tetangganya terdekat. misal Na+. ro ECoul ro α Tetapan α dinamakan tetapan Madelung. Contoh NaCl : diambail suatu ion pusat.Hand .0 .e2 / 4 π ε o . … dan pJ = suatu term o = Σ ± e2 / 4 π ε rJ = . 2.3 .Out Kimia Zat Padat 16 A = tetapan n = eksponen Born dengan nilai 5 sampai 12 Energi tolak lebih baik dinyatakan sebagai fungsi eksponen : Etolak = B exp ( . maka : rJ = pJ . karena Madelung yang menemukan penjumlahan yang cocok untuk term Σ ( + ) pJ-1 J = 1.ro/C ) Untuk NaCl : B = 3. karena gaya tolak berkurang dengan tajam dengan bertambahnya jarak energi Coulomb : bila rJ adalah jarak antara ion pusat dengan ion lain mana saja J dalam suatu lapisan sebagai kelipatan dari ro (ro = jarak antara ion pusat dengan lapisan pertama dalam keseimbangan). kemudian dihitung pengaruh energi dari semua ion.r/C ) B dan C adalah tetapan-tetapan untuk pasangan-pasangan ion tertentu Jadi keseluruhan energi suatu pasangan ion = jumlah energi Coulomb dan energi penolakan pada jarak keseimbangan.nya.ion lain yang mengelilinginya : pengaruh dari lapisan pertama ion-ion yang mengelilingi. kemudian ditambah dengan pengaruh lapisan-lapisan berikutnya untuk menghitung energi penolakan. U Energi kisi dari suatu kristal dapat dihitung dengan menggabungkan total atraksi elektrostatik dan energi tolak Born. 3. ro : Etotal = . 10-16 J dan C = 3.e2 / 4 π ε o ro + B exp ( . 10-10 m • Energi kisi.

9 KJ/mol NaCl : ECoul = .dalam lapisan pertama sudah akan didapat pendekatan yang baik. menjadi 6/1 dari seluruh penjumlahan Lapisan kedua adalah 12 ion Na+ pada jarak r2 = dari seluruh penjumlahan Lapisan ketiga adalah 8 ion Cl. Sehingga energi kisi kristal (per sepasang ion) : Ekisi = ECoul + Etolak = .ZnS (zink blende) .Al2O3 (korund) α 5. menjadi – 12/ 2 3 ro (p3 = 3 ).641 Struktur kristal . sehingga dapat dipakai untuk kristal-kristal dengan struktur yang sama Energi tolak menolak antar awan electron dari ion-ion hanya berarti untuk jarak-jarak yang sangat kecil. menjadi 8/ 3 dari = 6/ 1 – 12/ 2 + 8/ 3 – 6/ 4 + …= 6.Hand . penjumlahan ini bernilai positif dan untuk ion-ion yang negatif dan sebaliknya untuk ion-ion positif bernilai negatif. 10-18 J = . contoh untuk kristal NaCl dengan ion pusat Na+ Lapisan pertama adalah 6 ion Cl.0388 4..TiO2 (rutil) .ro/C ) . sehingga hanya diperhatikan 6 ion Cl.618 – 3.pada jarak r3 = seluruh penjumlahan.ZnS (wurzit) α 1.CaF2 (fluorit) . = 1.7627 1.000 – 8.7476 1.NaCl .861.0312 Tetapan Madelung hanya tergantung pada struktur kristal.CsCl .Out Kimia Zat Padat 17 Catatan : untuk ion pusat positif (+).1.485 + 4.1 KJ/mol MgO : ECoul = . dstnya Jadi α + .4608.mengelilingi Na+ pada jarak r1 = ro (pJ = p1 = 1).000 Struktur kristal .e2 α / 4 π ε KCl : ro = 0. Untuk perhitungan yang lebih teliti harus diperhitungkan juga Etolak dengan ion-ion pada lapisan berikutnya.6381 1.742 NaCl 2 ro (p2 = 2 ).769.279 .9 KJ/mol (dengan struktur yang sama : muatan +2 dan -2) o ro + 6 B exp ( .314 ECoul = .816 25.

∆ Hf ) i=1 = . beda energi kisi kecil saja. seperti ECoul NaCl hanya ± 8 KJ lebih besar bila terjristalkan dengan struktur CsCl dengan anggapan jarak antar ionnya tetap sama. karena walaupun struktur kristalnya berlainan. jadi keduanya serupa dengan gas mulia.350 + 496 + 122 + 108 + 411 ) = .d.411 KJ/mol) ∆ H Diss = entalpi disosiasi Cl2 ∆ H sub = entalpi sublimasi Na (s) I = energi ionisasi Na A = afinitas elektron Cl ∆ H kisi = entalpi kisi ≈ energi kisi Karena Σ ∆ Hi = 0.∆ Hf NaCl (kristal) Σ i=1 ∆ Hi = 0 ∆ H4 = . dan antara atom-atom/molekul-molekul netral ini bekerja gaya yang dinamakan gaya v.(-A + I + ½ ∆ H Diss + ∆ H sub . Waals jauh lebih kecil dari gaya Coulomb. Secara eksperimen energi kisi dapat dihitung dengan memakai siklus Born-Haber yang untuk kristal NaCl dapat diuraikan sebagai berikut : Unsur Cl2 (g) + Na (s) ∆ H2 = ½ ∆ H Diss + ∆ H sub Senyawa ∆ H1 = . Kalau diperhatikan ion Na+ mempunyai konfigurasi yang sama dengan atom Ne.∆ H kisi Na+ (g) ∆ H3 = I . Demikian juga dari sifat elektrostatis yang merupakan gaya antar dipole-dipol dan kebanyakan kristal organik diikat oleh gaya-gaya semacam ini. juga gas mulia.( .Out Kimia Zat Padat 18 Perhitungan energi kisi seperti di atas tidak menyertakan energi van der Waals. maka ∆ H kisi = . terkondensasi membeku menjadi zat padat.A + Cl (g) Cl (g) (atom-atom dalam keadaan gas) (keadaan ion-ion dalam fase gas) Na (g) ∆ Hf = entalpi pembentukan standar NaCl ( . Pada kristal ion gaya v.783 KJ/mol Memang dengan perhitungan energi kisi ini tidak dapat diterangkan mengapa CsCl tidak terkristalkan seperti NaCl. • Energi vibrasi dan spektrum IR .Hand . sedangkan ion Cldengan atom Ar.d. Waals. Pada suhu yang sangat rendah semua gas.

Cv. Pada suhu rendah T < hν /kT. maka NaCl memiliki 3 (2NA – 1) = 6 NA – 3 derajat kebebasan vibrasi yang dapat ditimbulkan secara termis. Demikian dapat diamati pada nilai Cv NaCl dengan temperatur (gambar) : Pada temperatur ruang nilai maksimal . Bergetarnya ion-ion/molekul-molekul menyebabkan zat padat mempunyai kalor spesifik. sehingga seluruhnya adalah 6 NA kT dan kalor spesifik NaCl per mol : Cv = 6 NA k = 49. Pada NaCL tidak terjadi rotasi. 10-34 J s) Kemungkinan suatu osilator dengan frekuensi ν dapat dieksitasikan secara termis adalah sebanding dengan exp (. maka energi vibrasi rata-rata harus lebih kecil dari osilator dengan frekuensi yang rendah. 10-23 JK-1) Untuk menghitung energi rata-rata kT per derajat kebebasan vibrasi. diturunkan dari mekanika klasik : Planck (1901) menunjukkan bahwa system yang terdiri dari atom-atom yang dapat bergetar (osilator) hanya dapat mengambil energi dalam bentuk energi kuanta ( ∆ E) yang besarnya sebanding dengan frekuensinya. secara termodinamik didefinisikan sebagai perbedaan energi dalam dengan suhu pada volum tetap. Dengan bertambahnya suhu.hν /kT) bernilai kecil. walaupun beberapa dapat berotasi.6262 .Hand . walau[un telah diketahui bahwa molekul-molekul atau ion-ion dapat bergetar juga pada suhu absolut nol.84 J K-1 mol-1 (k = tetapan Boltzmann = 1. tiap derajat kebebasan vibrasi membutuhkan energi sebesar kT (½ kT untuk energi kinetic dan ½ kT untuk energi potensial). Pada suhu yang cukup tinggi (batasan klasik).38 .hν /kT). makin banyak energi vibrasi. Molekul-molekul zat padat umumnya tidak melakukan translasi. karena itu exp (. ν . Kalor spesifik. demikian juga energi dalam zat padat. Dari kenyataan bahwa osilator dengan frekuensinya sendiri yang tinggi secara termis sukar dieksitasikan. Cv = ( ∆ U/ Τ ) v. karena terbentuk dari ion-ion tunggal. Dalam 1 mol NaCl terdapat 2 NA ion.Out Kimia Zat Padat 19 Sampai saat ini struktur kristal NaCl dipandang sebagai susunan ion-ion yang kaku. yaitu : ∆ E =hν (h = tetapan Planck = 6.

maka semua vibrasi. seperti campuran larutan padatan yang terdiri dari talium bromida dan talium iodida. Gambar spektrum absorpsi IR : a) pita absorpsi NaCl b) tepi absorpsi dari Alkil Halogenida Catatan : terlihat makin berat ionnya sisi-sisi tergeser ke λ yang lebih panjang. tetapi juga merupakan penghantar gema yang baik. sehingga harus digunakan senyawa yang terdiri dari ion-ion berat. Bahan KR5 terdiri dari 42% TlBr dan 58% TlI. juga yang dengan frekuensi lebih kecil akan hilang. dimana . sehingga dalam seluruh arah tembus cahaya sedangkan TlI murni mempunyai struktur kristal heksagonal dan tidak dapat dipakai karena tidak tembus cahaya. Karena tiap pasangan ion NaCl merupakan suatu dipol listrik yang kuat.Hand . memiliki struktur kubus dan isotropis. maka pada kristal NaCl derajat kebebasan vibrasi dapat dieksitasikan dengan mengabsorpsi sinar IR. bila T 0. jadi semua derajat kebebasan vibrasi sudah harus tereksitasikan. Karena itu untuk bahan jendela dalam peralatan IR digunakan bahan yang tembus cahaya dan sedikit mengabsorpsi sinar. dengan kekecualian vibrasi titik nol yang tidak tergantung T Vibrasi molekul dapat pula dieksitasikan dengan absorpsi sinar (foton) dengan panjang gelombang tertentu (IR). Absorpsi dapat terjadi bila molekul mempunyai dipol momen dan yang berubah selama proses absorpsi. Padatan kristal umumnya tidak hanya mempunyai sifat meneruskan dan menerima sinar elektromagnetik yang baik. Bila Cv 0.Out Kimia Zat Padat 20 6 NAk sudah tercapai (mekanika klasik).

disebut kurva optis. Kedua vibrasi ini dapat merupakan gelombang transversal atau longitudinal. yang bekerja seperti gelombang sinar. sedangkan vibrasi akustis terjadi secara mekanis. Kurva b. Gambar kurva optis dan kurva akustis : Kurva a. atom-atom berat yang berlainan bergetar tidak sefase. bergetar tepat sefase. dpl.menempati kisi-kisi ionnya yang benar.Out Kimia Zat Padat 21 pelebaran dari gelombang gema dihasilkan oleh vibrasi ion-ion kristal. Cacat kristal • Kristal NaCl yang ideal adalah bila ion-ion Na+ dan Cl. Perbedaan kedua vibrasi ini adalah vibrasi optis oleh ion-ion yang membangun suatu osilasi medan listrik. Vibrasi didalam padatan kristal ion dapat merupakan : a. dinamakan phonon b. disebut kurva akustis. dinamakan phonon optis. . ada konsentrasi cacat kristal yang tertentu. bahwa pada keseimbangan termal kedudukan ion-ion cenderung tidak ideal.Hand . Hukum Kedua termodinamika menerangkan. vibrasi akustik yang bekerja seperti gelombang gema. vibrasi optis. karena adanya ketidakteraturan meminimalkan energi Gibbs ( ∆ G = ∆ H – T.∆ S).

dimana ion Ag+ . dimana 1 lapisan dalam struktur kristal hilang. setiap sistem memiliki suatu derajat ketidakteraturan dan untuk zat padat kristal dinamakan cacat kristal (defect). dimana sepasang kisi (kisi kation dan kisi anion) kosong : Kisi anion yang kosong pada NaCl mempunyai muatan +1 dan kisi kation yang kosong mempunyai muatan -1 Cacat Frenkel juga merupakan cacat stokiometri dan menyangkut penempatan sebuah atom dari tempat kisinya ke tempat sisipan yang kosong.Hand . sehingga konsentrasi cacat yang tinggi akan menyebabkan struktur kristal menjadi tidak stabil. dimana komposisi kristal tidak berubah dengan adanya cacat cacat non-stokiometri sebagai akibatnya adalah terjadi perubahan dalam komposisi kristal. • - Cacat kristal secara luas dapat dikelompokkan sebagai : cacat stokiometri. seperti : cacat titik. Pengelompokkan lain berdasarkan bentuk dan ukuran cacat. Extended defect sering kali dipakai untuk cacat kristal yang tidak termasuk cacat titik. Jadi ada konsentrasi cacat tertentu yang menstabilkan struktur kristal. yaitu cacat titik dalam dimensi dua (dislokasi) cacat bidang / bulir. Cacat Schottky merupakan cacat stokiometri. yaitu cacat dimensi tiga. yaitu adanya tempat-tempat kisi yang tidak ditempati atau salah penempatan kisi. terutama memiliki cacat Frenkel. yang terutama terjadi dalam kristal ion alkali halida. Untuk membentuk cacat juga dibutuhkan energi.Out Kimia Zat Padat 22 Pada semua temperatur di atas temperatur absolut nol. yaitu cacat dimensi satu yang menyangkut pasangan kisi ion yang kosong (cacat Schottky) atau ion yang menempati tempat sisipan yang kosong (cacat Frenkel) cacat garis. Sebagai contoh kristal AgCl yang mempunyai struktur NaCl.

∆ Hf / 2kT) .Out Kimia Zat Padat 23 berpindah ke tempat sisipan yang secara tetrahedral dikelilingi oleh 4 ion Cl dan pada jarak yang sama oleh 4 ion Ag+ : Contoh padatan kristal yang dominan mempunyai cacat Frenkel adalah CaF2. maka ln ( ∆H f n )=N −n kT Karena n selalu jauh lebih kecil dari N. maka jumlah semua kemungkinan penyusunan kekosongan n pada N kisi adalah : W=( N! N ) = n!( N −n)! n W = semua kemungkinan kekosongan entropi S adalah besaran termodinamika untuk ketidakteraturan. Bila ada n kekosongan pada N kisi.∆ S.∆ Hf/kT) Sehingga : Untuk cacat Schottky (sepasang ion yang hilang) : n/N = exp (. dimana ion F.∆ Hf / 2kT) Untuk cacat Frenkel : n NN ' = exp (. ∆ G = ∆ H – T. maka ∆ G = n ∆ Hf – kT ln [ ( N −n)! n! ] ∆ Hf adalah entalpi pembentukan kekosongan Pada kesetimbangan : ∆ G = 0 dan d (∆ G) = ( ∂( ∆ ) G )T = 0 ∂n Dengan menggunakan perumusan Stirling : ln x ! = x ln x –x.Hand .yang menempati sisipan. dan kaitannya dengan kekosongan suatu system : S = k ln W (Boltzmann : 1895) N! Pada T tetap. • Termodinamika pembentukan cacat Schottky dan cacat Frenkel (derajat kekosongan) : jumlah kisi yang kosong dapat dihitung dari perubahan entropi pada kesetimbangan termis. maka derajat kekosongan n/N = exp (.

menghasilkan elektron yang terperangkap.sejajar dengan bidang [101]. dimana dasarnya adalah untuk membawa 1 ion Na+ dari tempat kisinya ke permukaan dibutuhkan energi yang kira-kira sama dengan energi kisi. Karena itu pada perhitungan ∆ Hf untuk kristal ion dapat dipakai perhitungan seperti untuk menghitung energi kisi.- Hand . Pada pusat H ion molekul Cl2. Efek-efek warna ini pertama kali ditemukan oleh RW Pohl dan dinamakan pusat warna F (farbenzentre). • Pusat-pusat warna : Suatu kristal NaCl yang dipanaskan dalam uap Na akan berwarna kuning tua (kehijauan). sedangkan pada pusat V menempati 2 buah kisi.Out Kimia Zat Padat 24 Jelas tampak bahwa untuk menghitung derajat kekosongan. atom-atom Na akan menempati tempat kosong Na+ pada kristal NaCl. yang dihasilkan bila kristal NaCl dipanaskan dalam gas Cl2 dan terbentuk ion molekul Cl2-. Pada pihak lain ion-ion disekeliling kekosongan mendapat tambahan energi. dan bila KCl dipanaskan dalam uap K akan berwarna merah. Pada keduanya sumbu ion Cl2. yaitu bila kristal ion dipanaskan dalam uap logamnya. yang mempunyai sebuah spin tak berpasangan sehingga mempunyai sebuah momen paramagnetik elektron. tetapi kemungkinannya berasal dari ionisasi beberapa anion Cl. Pusat-pusat warna lain yang telah dikarakterisasikan dari kristal alkali halida adalah pusat H dan pusat V. .menempati sebuah kisi. dibutuhkan entalpi pembentukan kekosongan.dalam struktur kristal. Pusat F ini dapat juga dihasilkan dengan meradiasi NaCl (tanpa uap Na) dengan sinar X atau sinar dengan energi yang besar. Pada pemanasan dalam uap Na. Elektron-elektron yang berkelebihan tidak tinggal pada atom Na. sehingga mengkompensasi energi kisi yang dibutuhkan untuk menjauhkan ion. tetapi menempati tempat kosong anion (Cl-) yang didekatnya atau yang lebih jauh : Pusat F adalah merupakan sebuah elektron tunggal yang terperangkap.

yang dapat menerangkan mengapa logam mempunyai daya hantar listrik yang tinggi. λ dan suatu waktu bebas rata-rata. Drude (1905) mengemukakan model sepotong logam sebagai suatu kotak. STRUKTUR ELEKTRONIK LOGAM DAN SEMIKONDUKTOR Model gas elektron • Bangun unsur logam baru dapat diterangkan setelah ditemukannya elektron.Hand .Out Kimia Zat Padat 25 • Difusi dan pergerakan ion : Pergerakan ion (difusi) di dalam kristal NaCl dipelajari dengan tracer radioaktif. setelah itu kristal dipotong dan dianalisis difusi tracer 24Na+ dimana perubahan konsentrasi 24Na+ dalam kristal NaCl diberikan sebagai persamaan : c= c0 4πDt c0 4πDt exp (- x2 ) 4D t atau ln c = ln ( )- x2 4D t c0 = konsentrasi awal tracer / aktivitas radioaktif c = konsentrasi pada jarak x dalam waktu t D = koefisien difusi ion Na+ II. Percobaan dilakukan dengan menggunakan isotop 24Na. yaitu dengan menguapkan sebuah lapisan tipis 24NaCl di atas permukaan sebuah kristal NaCl dan kristal NaCl lain diletakkan di atas lapisan NaCl radioaktif tersebut. Bila pada kotak ini kemudian diletakkan suatu medan listrik. maka elektron-elektron akan bergerak sepanjang gradien potensialnya sehingga menimbulkan suatu arus listrik. elektron memiliki suatu jalan bebas rata-rata. Susunan kristal ini kemudian dibiarkan beberapa lama pada suhu tertentu yang tetap. τ . dimana didalamnya bergerak bebas suatu gas elektron.

v dan muatannya. Pada percobaan penentuan λ melalui pengukuran daya hantar listrik film logam tipis.Out Kimia Zat Padat 26 daya hantar listrik. maka makin tipis tebal film. yaitu bila ketebalan film logam terus dipertipis sampai sama dengan jalan bebas rata-rata elektron. kecepatan bergeraknya elektron. . maka daya hantar arus listrik oleh eletron bertambah.- Hand . λ = v τ σ = Ne 2 λ 2m m / 3kT dengan v = √3kT/m maka : Catatan : kesukaran perhitungan daya hantar ini terletak pada harga λ . didapat hal yang menarik. sedangkan percepatan adalah merupakan perbandingan antara gaya terhadap massa. dan tidak dapat diterangkan dengan model gas elektron. daya hantar listriknya juga akan makin berkurang. yang penentuannya belum diterangkan dengan jelas. • Beda antara daya hantar listrik oleh elektron dan oleh ion. Ν (jumlah elektron dalam satu satuan volum). sedangkan oleh ion berkurang. maka akan memiliki juga energi kinetik rata-rata ½ m v2 = 3/2 kT karena jalan bebas rata-rata. e E/m Jadi : B = v/E = e τ /2 m Sehingga : σ = N e2 τ /2 m bila elektron-elektron dalam logam bertindak seperti atom-atom suatu gas ideal. adalah : daya hantar oleh elektron (logam) adalah jauh lebih besar dari daya hantar listrik oleh ion (elektrolisa) dengan bertambahnya temperatur. σ . berkaitan dengan kerapatan arus J. dengan ½ τ . merupakan perkalian antara percepatan oleh medan listrik. yang ditimbulkan oleh medan listrik. E. E : J = σ E kerapatan arus elektron ditentukan oleh kepadatan elektron. v. e J = N e v Sehingga σ = N e v = N e B E - v/E = B = kemampuan gerak elektron kecepatan rata-rata dalam medan listrik.

V dapat dihilangkan. Kotak ini mempunyai batas potensial listrik φ . Dengan model gas elektron. karena elektron tidak dapat dihalangi. hal ini memberikan kesalahan hanya kecil untuk harga E yang kecil. didapat persamaan diferensial h2 .Out Kimia Zat Padat 27 2. yaitu 3/2 kT per electron atau 3/2 RT per mol electron. Elektron sebagai ion Fermi : • Paradox kalor spesifik berhasil dijelaskan dengan bantuan prinsip Pauli. Besarnya energi batas ini dapat ditentukan secara eksperimen sebagai suatu kerja (efek fotoelektrik). persamaan Schrodinger adalah : d 2ψ 8π 2 m + (E – V)ψ = 0 dx 2 h2 ψ = fungsi gelombang yang menggambarkan pergerakan elektron • Untuk elektron-elektron yang bergerak bebas dalam kotak. tetapi tidak dapat meninggalkan kotak tersebut. 3. Kenyataannya : pada batas kotak ∆ V = φ .Hand . • Untuk kotak potensial yang berdimensi satu. Kalor spesifiknya adalah Cv = 3/2 R = 12 JK-1mol-1. • Model gas elektron dalam kotak dipakai juga untuk menyelesaikan persamaan Schrodinger untuk elektron-elektron yang bergerak bebas dalam logam. Di E = total energi . seperti permukaan logam yang menunjukkan suatu potensial. V = energi potensial elektron . Paradox dari pada kalor spesifik : • Bila electron-elektron dalam sebuah logam berlaku seperti atom-atom gas. m = massa luar kotak V = ∝ . Dengan k = 8k 2 mE (V = 0). yaitu energi batas yang menghalangi elektron keluar dari logam (menguap). Kesimpulan : electron-elektron tidak bersangkutan dengan kalor spesifik logam. elektron-elektron dalam kotak dapat bergerak bebas. Bagaimana pengaruh prinsip Pauli pada elektron-elektron dalam sebuah logam? Pengaruh ini pertama kali diselidiki oleh Sommerfeld dan diambil model gas electron dan menghubungkannya dengan postulat-postulat kuantum mekanik yang meliputi prinsip Pauli. Sedangkan kalor spesifik Au pada 20oC adalah ± 3R = 25 JK-1mol-1. maka pada pemanasan akan menambah energi translasi (energi kinetik). sehingga ada syarat batas : ψ = 0 untuk x = 0 dan x = a (a = panjang sisi kotak).

maka didapat fungsi eigen : ψ n (x) = A sin ( nπx ) a Untuk nilai A harus dipenuhi syarat normalisasi : ∫ ψ *(x) ψ (x) dx = 1 dan diperoleh nilai A = (2/a)1/2 Bila dibuat grafik nilai energi E terhadap vektor bilangan gelombang. maka akan didapat gambar : - bila tiap tingkatan energi akan ditempati oleh elektron-elektron. f (E) atau kemungkinan suatu tingkatan dengan energi E ditempati penuh oleh elektron adalah : . yaitu tiap tingkatan energi akan ditempati oleh 2 elektron yang mempunyai muatan spin yang berlawanan - segera sesudah suatu tingkatan (n) ditempati oleh 2 elektron.ψ ” + k2 ψ = 0 dan dari diferensial parsial diperoleh : ψ = e menghasilkan fungsi trigoniometri sin(kx) dan cos (kx) : ψ = A sin (kx) + B cos (kx) Sedangkan syarat untuk energi Eigen adalah : En = h2 h2 k2 = n2 2m 8ma 2 i k x Hand . 2. 3. … Dengan memasukkan syarat ini ke persamaan (*) dan hanya fungsi sinusnya menghasilkan penyelesaian yang berarti.Out Kimia Zat Padat 28 dan penyelesaiannya (*) Untuk fungsi sinus syaratnya : k a = n π dengan n = 1. maka elektron-elektron selanjutnya akan menempati tingkatan energi yang lebih tinggi sampai pada tingkatan yang paling atas yang ditempati oleh sepasang elektron - tingkatan energi paling atas ini merupakan suatu energi batas dan akan dinamakan energi Fermi (EF) penempatan elektron-elektron. maka penempatan ini harus sesuai dengan prinsip Pauli.

Sehingga secara umum dapat disimpulkan. maka akan diperoleh 3 orbital molekul dst. Pada temperatur diatas T = 0. Bila sekarang dari 2 orbital 1s terjadi 2 orbital molekul (MO).Out Kimia Zat Padat 29 untuk E << EF. harus f(E) = 0 Hal ini berlaku untuk T = 0. dimana pada E = EF. sehingga dapat menempati tingkatan energi di atas tingkatan energi Fermi. sehingga sistem yang demikian tidak dapat digambarkan seperti atom yang terisolasi. bila N atom dikombinasikan. Dapat juga dibayangkan. elektron pada tingkatan energi tertinggi akan secara termis tereksitasi. dimana tidak ada elektron yang tereksitasi. maka setiap atom akan menguasai elektronnya sendiri. Bila atom-atom satu dengan lainnya saling berjauhan. Distribusi Fermi-Dirac sebagai fungsi temperatur secara matematik dapat ditulis 1 (E − EF ) kT sebagai : f (E) = exp +1 Pada batas EF << kT berlaku distribusi Maxwell-Boltzmann energi Fermi ini merupakan suatu kriterium yang benar untuk perilaku elektronelektron logam. 4. Demikian juga bila 3 atom H disatukan. maka f(E) harus sama dengan ½. harus f(E) = 1 untuk E >> EF. yang kedalamannya adalah fungsi energi Fermi. bahwa elektron-elektron membentuk suatu danau. Tetapi bila atom-atom tersusun rapat. seperti kasus atom yang terisolasi. maka akan terjadi N orbital molekul. penempatan elektron seperti ini dinamakan penempatan / distribusi menurut FermiDirac dan berlaku untuk semua partikel elementer dengan spin ± 1. energi Fermi belum dapat menerangkan mengapa elektronelektron dalam logam dapat bergerak bebas sedangkan atom-atom logamnya tersusun rapat. Ikatan dalam logam Dengan model gas elektron. . Sesuai dengan prinsip Pauli. maka tiap-tiap orbital molekul akan ditempati oleh 2 elektron dengan spin yang berlawanan.Hand . maka orbital-orbital atom dari pada elektron terluar akan saling tumpangsuh.nya. Pada temperatur ruang hanya sedikit elektron yang mempunyai energi yang lebih besar dari energi Fermi. setiap orbital 1s ditempati oleh 2 elektron dengan spin yang berlawanan.

maka dapat dikatakan sebagai sebuah pita energi yang kontinyu.Out Kimia Zat Padat 30 yang setengahnya memiliki energi yang lebih tinggi dan setengahnya lagi memiliki energi yang lebih rendah dari energi yang dimiliki oleh orbital atom asalnya. 5. Meskipun demikian elektron-elektron 3s dan 3p yang membentuk kulit valensi menempati tingkatan energi yang terdelokalisasi keseluruh kristal logam. Karena tingkatan energi dibandingkan dengan kT letaknya saling sangat berdekatan. Suatu gambaran yang sama diperoleh bila banyak atom pembentuk logam yang menjadi satu (karena letaknya yang sangat berdekatan). Pita ini dinamakan pita valensi 3s. maka orbital 2s dan 2p juga akan tumpangsuh. . tiap atom mengkontribusikan satu orbital 3s dan hasilnya adalah satu pita yang terdiri dari N tingkatan energi yang saling berdekatan. Dalam prakteknya. masing-masing dapat berisi 2 elektron.Hand . Demikian juga tingkatan energi 3p yang terdelokalisasi sebagai tingkatan energi pita 3p. Model Kronig-Penney Merupakan kotak-kotak potensial yang disusun berderetan untuk menyatakan elektronelektron dalam suatu periode potensial satu dimensi. Bila atom-atom Na dimampatkan dibawah tekanan. Tingkatan ini seperti orbital molekul raksasa. dalam padatan harus ada sejumlah besar tingkatantingkatan energi seperti ini dan yang terpisah satu dengan lainnya oleh beda energi yang kecil. orbital 3s dan 3p dari atom-atom yang berdekatan saling tumpangsuh membentuk pita lebar 3s dan 3p. Sebagai gambaran kualitatif : tingkatan energi elektron dalam logam merupakan pita-pita energi dan selanjutnya elektron-elektron menjadi terdelokalisasi dan dapat bergerak bebas. elektron-elektron dalam inti terdalam 1s. akan terbentuk sautu gabungan dari tingkatan energi. Gambar struktur pita logam Na : Pada jarak antar atom ro. 2s dan 2p adalah terlokalisasi dalam orbital-orbital atom Al individu. Jadi dalam padatan Al yang terdiri dari N atom. Suatu logam seperti 13 Al.

dimana titik-titik kisinya bekerja sebagai titiktitik pengganggu. u(x). Dengan adanya suatu perioda potensial pengganggu akan terjadi gerakan gelombang yang mudah berubah : ψ (x) = e ikx .Hand . Ruang k dan zona Brillouin Elektron-elektron valensi yang bergerak bebas dalam sebuah logam. u(x) Hasil penggambaran ini berisi suatu pernyataan fisik yang penting. dapat dinyatakan sebagai fungsi sin atau fungsi cos atau dapat ditulis sebagai : ψ 0(x) = e ikx. maka dalam suatu potensial dengan perioda a adalah merupakan hasil kali ψ 0(x) . Tingkatan-tingkatan energi ini karena letaknya yang berdekatan. u(x) dinamakan fungsi Bloch ψ 0(x) menggambarkan bagian gelombang berjalan yang tergantung pada tempat. Jika gerakan elektron dalam suatu perioda potensial dibatasi oleh panjang gelombang yang tertentu. maka merupakan pita-pita energi yang dipisahkan oleh lubang-lubang energi. yang mengkaitkan panjang gelombang partikel (elektron atau neutron) dengan jarak antar bidang datar d dan sudut difraksi θ : n λ = 2 d sin θ . yaitu bahwa fungsi eigen dari elektron memiliki periodisitas kisi kristal. maka hanya tingkatan-tingkatan energi tertentu yang diperbolehkan. Lubang-lubang ini menggambarkan daerah-daerah energi yang terlarang untuk elektronelektron dalam suatu perioda potensial. Jadi : ψ (x) = ψ 0(x) . dimana u(x) adalah suatu fungsi yang juga merupakan suatu perioda dalam a. Hukum dasar difraksi adalah hukum Bragg.Out Kimia Zat Padat 31 Hasil penyelesaian persamaan Schrodinger untuk elektron yang bergerak dalam ruang (potensial = 0) dengan V(x) = 0 adalah ψ 0(x). dibawah lingkungan tertentu mungkin mengalami difraksi oleh inti-inti yang tersusun periodik dalam struktur kristal. maka hanya elektron-elektron dengan panjang gelombang yang tertentu dapat melewati suatu kristal. 6. Dengan dasar ini.

Hand . karena itu mempunyai panjang gelombang yang bervariasi juga. θ = 90o (sin θ = 1) ini menyatakan situasi batas dimana gelombang elektron yang datang adalah normal terhadap bidang (100). jarak d yang paling panjang adalah untuk bidang (100) dengan d100 = a untuk n = 1 (order 1) difraksi dari bidang (100) : untuk k = π /a . seperti elektron bebas adalah : E = ½ mv2 dan persamaan de Broglie untuk panjang gelombang adalah : λ = h/mv. Elektron bebas dalam sebuah logam atau semikonduktor mempunyai energi yang bervariasi. Untuk k > π /a . energi dan kebebasan gerak elektron. yang arahnya adalah paralel dengan arah propagasi gelombang yang besarnya berkaitan dengan kebalikan λ : k =2π /λ E= h2k 2 8π 2 m ini adalah sebuah hubungan parabola antara energi dan vektor gelombang elektron : dari sebuah Substitusi λ ke dalam persamaan Bragg : Persamaan ini memberikan nilai k dan juga E untuk kondisi Bragg untuk struktur kristal tertentu. sin θ < 1 dan θ < 90o . Ada larangan untuk elektron yang bebas pada keadaan mana saja dalam gerakannya untuk memenuhi hukum Bragg. Bila gelombang dinyatakan dengan sebuah vektor k.Out Kimia Zat Padat 32 Dalam pemikiran efek difraksi internal yang berhubungan dengan elektron valensi yang mobil dalam suatu padatan. Contoh : untuk struktur kubus primitif dengan satuan sel = a. Energi kinetik sebuah partikel. ditemukan bahwa hal yang mungkin dari difraksi elektron adalah adanya pembatasan pada panjang gelombang.

sehingga zona Brillouin merupakan bentuk dodekahedron yang melingkupi bentuk kubus. . Kenyataan lain adalah bahwa permukaan-permukaan zona Brillouin adalah paralel terhadap bidang difraksi {100}.Out Kimia Zat Padat 33 Dalam 3 dimensi harus dibayangkan satu set bidang-bidang {100}. yaitu (100) (100) (010) (010) (001) dan (001). Zona ini dikenal sebagai zona Brillouin pertama karena berkaitan dengan d terbesar. Masing-masing berkontribusi satu muka kepada zona Brillouin. yang dalam 3 dimensi membentuk suatu kubus. Ada 12 set bidang. Zona Brillouin kedua adalah untuk difraksi dari bidang {110}. Hal ini juga berlaku dengan zona-zona Brillouin yang lebih tinggi.Hand .

Situasi bahwa k berakhir pada batas zona mengidentifikasikan adanya zona larangan. mempunyai energi yang relatif rendah dan nilaki k yang rendah.Out Kimia Zat Padat 34 Bagaimana dengan energi elektron valensi dan posisinya dalam ruang k? Elektron-elektron yang terletak terdalam dalam pita valensi. dalamnya dan lebar minima tergantung pada jumlah muatan yang berhubungan dengan inti. Inti yang bermuatan positif bertanggung jawab untuk efek difraksi. Atom multivalensi mempunyai muatan sangat besar. tetapi di luar zona menjadi lebih besar. Dalam ruang k akan berada dalam zona Brillouin yang pertama.Hand . Jadi walaupun tidak ada diskontinuitas dalam nilai k pada batas zona. . elektron akan bebas bergerak tak terpengaruh oleh efek-efek difraksi yang mungkin. Bila energi elektron bertambah. Apakah dengan makin tinggi energi elektron. Dalam kristal riil. karena vektor k-nya akan berakhir dekat zona batas. vektor k secara bertahap memanjang untuk mengisi zona Brillouin pertama. Bentuk kurva potensial. vektor k dapat melewati batas zona dan masuk ke zona kedua? Kenyataan energi elektron yang bergerak lebih kecil dari E = h2k2/8π 2m untuk nilai k didalam zona batas. sehingga minima dari potensial sangat dalam dan elektron-elektron sangat kuat terdifraksi. tetapi terjadi diskontinuitas energi : Dalam kristal hipotetis dimana potensial dalam kristal tetap. misalnya dalam sebuah logam atau semikonduktor. potensial dalam kristal adalah merupakan suatu perioda.

yaitu pita valensi hanya sebagian terisi.Out Kimia Zat Padat 35 Efek difraksi sekunder tidak hanya terjadi antar elektron. Intan adalah isolator yang sangat baik dengan celah pita (band gap) sedikit elektron yang dapat dieksitasikan ke pita di atasnya yang kosong. isolator dan semikonduktor Logam dikarakterisasikan oleh struktur pita energi dimana pita terluar.Hand . Pada tepi batas zona. dimana efekefek difraksi makin nyata. 6 eV. bila pita 2s dan 2p tidak tumpangsuh. maka pita 2s akan penuh dan pita 2p kosong. 7. Beberapa tingkatan energi sedikit di bawah tingkatan energi Fermi kosong dan beberapa elektron menempati tingkatan lebih tinggi dari EF : Untuk kasus Be. Hanya . Struktur pita energi logam. tetapi juga dengan gelombang berjalan primer yang terdiri dari elektron valensi bebas. Pita valensi isolator terisi penuh dan dipisahkan oleh celah energi yang besar dari pita energi berikutnya. elektron-elektron sekunder yang digenerasi oleh lapisan-lapisan yang berdekatan dari inti-inti atom yang bermuatan positif menjadi sefase dan berpengaruh konstruktif satu dengan lainnya. sehingga Be tidak mempunyai sifat logam. Efek dari difraksi sekunder menyebabkan modifikasi energi dari elektron valensi.

• Isolator dan semikonduktor dibedakan berdasarkan probabilitas suatu tingkatan energi f(E) = [ e (E-EF)/kT + 1] -1 E ditempati pada temperatur T.Hand .Out Kimia Zat Padat 36 Semikonduktor mempunyai struktur pita energi yang mirip dengan isolator.5 – 3.02 eV. maka : E-EF = Eg/2 f(E) = [ e Eg/2kT + 1 ] -1 Jika pada temperatur ruang besarnya celah energi sebesar 1 eV. sehingga EF = Eg/2 (di tengah-tengah celah energi). Misal E = energi pada keadaan paling bawah dari pita hantaran. Ini ternyata merupakan pendekatan yang cukup baik. sesuai dengan distribusi Fermi-Dirac : Untuk logam didefinisikan bahwa f(E) = ½ . maka dapat ditentukan probabilitas untuk menemukan sebuah elektron di pita hantaran. Bila asumsi ini dipakai untuk semikonduktor. maka e Eg/2kT > 1 dan f(E) maka : n = C e – Eg/2kT C adalah sebuah konstanta dan diasumsikan C ≈ [ e Eg/2kT ] -1 = e –Eg/2kT Bila konsentrasi elektron dalam pita hantaran adalah n dan sebanding dengan probabilitas.0 eV. ≈ 1025 m-3 . tetapi umumnya dengan celah energi yang tidak besar. yaitu dalam kisaran 0. sedangkan kT hanya sekitar 0.

Tempat kosong yang ditinggalkan pada pita valensi dipandang sebagai lubang positif (defek elektron). sehingga total hantaran menjadi : σ = e (n µ e + p µ h) µ = mobilitas Bagaimana dengan konsentrasi defek elektron? Karena setiap elektron yang meninggalkan pita valensi meninggalkan sebuah defek elektron. dipandang sebagai pembawa muatan negatif yang akan bergerak ke kutub positif bila diberikan suatu beda potensial. λ = Eg/h max dimana absorpsi dapat terjadi adalah : min max Proses ini dikenal sebagai fotokonduktivitas. Sebagai contoh Si pada temperatur rendah merupakan isolator yang sangat baik. Karena kedua partikel mempunyai polaritas muatan yang berlawanan. maka jumlah defek elektron harus sama dengan jumlah elektron dalam pita hantaran. dapat pula tereksitasi dengan penyinaran (dengan energi foton hν ). sebab seberkas sinar dengan frekuensi yang sesuai dapat menghasilkan sejumlah besar elektron dan defek elektron untuk menghantar arus listrik. yaitu bila energi foton paling tidak sebesar celah energi dari semikonduktor. maka total arus adalah jumlah dari arus elektron dan arus defek elektron. yang juga meningkatkan daya hantar listriknya. • Dibedakan 2 tipe mekanisme hantaran dalam semikonduktor. Jadi besarnya celah energi dan temperatur merupakan faktor-faktor penting yang menentukan sifat-sifat elektrik semikonduktor atau isolator. yaitu semikonduktor murni (tanpa dopan). yang akan bergerak dalam arah yang berlawanan dengan elektron. yaitu pita hantaran. Setiap elektron yang dieksitasikan ke pita kosong yang lebih atas. . ni = pi • (i = intrinsik) Selain probabilitas elektron tereksitasi secara termal ke dalam pita hantaran. Frekuensi minimum ν ν = c/λ min dan panjang gelombang maksimum yang sesuai.Out Kimia Zat Padat 37 Sifat-sifat materi seperti semikonduktor atau isolator juga tergantung pada temperatur. Hal ini berlaku untuk semikonduktor intrinsik.• Hand . tetapi pada temperatur tinggi mempunyai hantaran yang mendekati logam. Konsentrasi elektron pada pita hantaran bertambah secara eksponensial bila temperatur bertambah. Energi foton dengan frekuensi ν dan panjang gelombang λ adalah E = h ν = h c/λ .

yaitu bila elektron dari pita hantaran dapat bergabung dengan defek elektron dalam pita valensi dengan memancarkan energi sebagai foton. Proses ini merupakan dasar dari light-emitting ioda (LED) dan semikonduktor laser. yaitu material murni dengan struktur pita : Banyaknya elektron. yang dapat berada dalam pita hantaran adalah tergantung dari besarnya celah energi dan temperatur. n. Sebagai contoh adalah perilaku sebuah elektron dalam sebuah medan magnet yang uinform B. sehingga tidak berinteraksi dengan cara-cara yang sama. Teori mengusulkan bahwa elektron bergerak dalam orbit melingkar dengan frekuensi : νe = Be 2πme ν e = frekuensi siklotron yang ternyata berbeda bila diukur untuk sebuah elektron semikonduktor Masalahnya adalah elektron dalam padatan mengalami gaya-gaya lain seperti gaya-gaya karena ion dan elektron valensi. Jenis semikonduktor Semikonduktor dapat dikelompokkan menjadi : a. Karena itu elektron dalam padatan diasumsikan mempunyai massa efektif. • Massa elektron dalam sebuah kristal semikonduktor tidak sama dengan massa elektron bebas.Out Kimia Zat Padat 38 Proses sebaliknya juga dapat terjadi. karena sifat elektron dan defek elektron dalam sebuah kristal ditentukan oleh energi E dan vektor gelombang k.Hand . me* : Be * 2πme νe = 8. semikonduktor intrinsik. Si (silisium) dan Ge (germanium) murni adalah . Catatan : tidak semua material semikonduktor dapat menghasilkan sinar.

Dopan donor adalah atom yang mempunyai elektron valensi yang lebih banyak dari atom yang digantikan. Struktur pita energi Si dan Ge berbeda dengan struktur pita Na dan Mg. Tiap atom Si menggunakan keempat elektron valensinya untuk membentuk ikatan kovalen dengan atom-atom Si tetangganya. maka atom P akan membentuk ikatan dengan 4 atom Si dan ada 1 elektron valensi sisia yang dinyatakan sebagai donor elektron. seperti P dalam Si.0001%) yang dapat merubah hantaran dengan sangat drastis. dimana tingkatan 3s dan 3p tumpangsuh menjadi 2 pita lebar yang mempunyai celah energi di dalamnya : semikonduktor ekstrinsik : tipe n dan tipe p Sifat semikonduktor yang penting adalah dapat mengontrol hantaran material dengan penambahan zat lain (dopan) dalam jumlah kecil (< 0.Hand . Bila 1 atom P menggantikan 1 atom Si. sedangkan doping tipe p adalah dopan akseptor untuk mengontrol konsentrasi penghantar muatan positif (semikontor tipe p dengan mayoritas defek elektron sebagai penghantar). Donor elektron ini tidak mempunyai tempat pada pita valensi dan karena masih terikat lemah pada atom P.Out Kimia Zat Padat 39 semikonduktor intrinsik. maka tidak dapat berada pada pita hantaran. ditambahkan donor yang memberikan efek doping tipe n. Karena itu disimpulkan bahwa donor elektron ini harus menempati tingkatan pada energi Ed di bawah tepi bawah pita hantaran (Ed = 43 meV) : . yang dapat dianggap jauh dari inti dan mempunyai energi ikatan yang paling kecil. Untuk meningkatkan jumlah penghantar muatan negatif (semikontor tipe n dengan mayoritas elektron sebagai penghantar).

.Hand . sehingga diperlukan gabungan pengukuran hantaran dan efek Hall.Out Kimia Zat Padat 40 Substitusi Si dengan Al menghasilkan ikatan yang tidak sempurna. Efek Hall Pengukuran efek Hall memberikan sumber informasi yang penting tentang mekanisme hantaran. yang artinya ada defek elektron dalam pita valensi yang berasal dari eksitasi sebuah elektron valensi ke ikatan yang tidak sempurna ini. belum dapat dipakai untuk menentukan n dan µ . Dengan penukuran hantaran : σ = n e µ . Jadi tingkatan akseptor elektron berada diatas tepi atas pita valensi (Ea = 57 meV) : 9.

sehingga pada satu sisi semikonduktor menjadi kelebihan elektron dan pada sisi lainnya kekurangan elektron. Efek-efek ini dinamakan efek termoelektrik dan ada beberapa tipe. yang besarnya tergantung pada jenis logam dan temperatur. sehingga lebih banyak elektron tereksitasi ke . Konsentrasi elektron yang tidak sama ini menyebabkan terjadinya medan listrik sampai dicapai suatu kesetimbangan dimana kecenderungan elektron terdefleksi diimbangi dengan potensial Hall yang bekerja dalam arah yang berlawanan. untuk material tertentu adalah gradien potensial yang dihasilkan bila I dan H keduanya sama besar : R= 1 ne Arah R tergantung pada tanda pembawa muatan dan karena itu berbeda untuk elektron dan defek elektron. Medan magnet menyebabkan pembelokan arus elektron. maka terjadi suatu beda potensial dalam arah tegak lurus H dan I. Bila pada sepanjang batang logam terdapat gradien temperatur.Out Kimia Zat Padat 41 Bila suatu arus listik. dialirkan melalui suatu padatan dalam satu arah dan suatu medan magnet. 10. dipasang tegak lurus aliran arus. I. • Efek Thomson Misalkan pada sebuah konduktor homogen (sepotong logam) diberikan suatu gradien temperatur.Hand . Koefisien Hall. R. Elektron-elektron pada sisi panas mempunyai energi termal yang lebih tinggi. terminal A bermuatan positif untuk elektron yang mengalir dari kiri ke kanan. Efek Thomson dapat diterangkan menggunakan teori pita. maka gradien potensialnya akan naik sebesar ∆ V. yang dikenal sebagai efek Thomson. maka besarnya emf yang terbentuk tergantung pada jenis logam dan gradien temperatur. Pada gambar di atas. H. Sifat-sifat listrik • Efek termoeletrik Pada sambungan antara 2 logam yang tidak sama akan terbentuk secara otomatis suatu beda potensial.

Struktur pita pada sambungan sebuah logam dan semikonduktor tipe n adalah : . maka sisi dingin menjadi negatif. sedangkan pada sisi dingin lebih sedikit. Karena elektron-elektron pada sisi panas menempati tingkatan energi yang lebih tinggi.Hand . ∆ T σ = koefisien Thomson Semikonduktor juga memberikan efek Thomson dan tanda emf dapat digunakan untuk membedakan semikonduktor tipe n dan tipe p. 2 logam yang berbeda pada umumnya mempunyai tingkatan energi Fermi yang tidak sama. • Efek Peltier Pada sambungan antara 2 konduktor yang berbeda. yang besarnya tergantung pada jenis kedua logam dan temperatur pada sambungan. Hal ini terjadi karena lebih banyak elektron yang dieksitasikan dari pita valensi ke tingkatan akseptor pada sisi panas dari pada pada sisi dingin. Bila semikonduktor tipe n. pembawa muatan adalah defek elektron dan sisi dingin menjadi bermuatan positif.Out Kimia Zat Padat 42 tingkatan energi yang lebih tinggi dari EF. Untuk semikonduktor tipe p. kalor akan diabsorpsi bila arus mengalir ke satu arah dan dibebaskan bila arus mengalir ke arah sebaliknya. seperti besi dan tembaga. sehingga pada sambungan dua logam yang berbeda terjadi suatu sumber emf dan dikenal sebagai efek Peltier. π . maka terjadi net aliran elektron dari sisi panas ke sisi dingin yang besarnya tergantung pada ∆ T : E = σ .

Out Kimia Zat Padat 43 Supaya elektron dapat mengalir dari kiri ke kanan melewati sambungan. . Elektron-elektron ini mengambil energi dari logam. T1 ) Arus tetap mengalir dalam sirkuit selama sambungan pada temperatur berbeda. paling besar dengan logam Sn dan Bi dan dengan beberapa senyawa semikonduktor. Emf Peltier timbul pada sambungan. kalor Q dibebaskan pada sambungan. Jadi saat arus elektron I mengalir dari kanan ke kiri. tetapi mempunyai harga yang tidak sama karena temperatur kedua sambungan berbeda. dan merupakan dasar kerja termocouple.Hand . Net emf adalah jumlah kedua emf thomson dan kedua emf Peltier : E = (σ A 1 . yiatu : Q = π I = e (U + 3 / 2kT ) 0 Emf Peltier biasanya dalam besaran beberapa mV. • Efek Seebeck Bila 2 konduktor A dan B membentuk suatu sirkuit tertutup dengan sambungannya pada temperatur T1 dan T2. sehingga menghasilkan suatu pendinginan pada sambungan. maka suatu gradien temperatur timbul pada kedua logam dan emf Thomson pada masing-masing logam. Hal ini dikenal sebagai efek Seebeck.T2 − π AB. maka energi sebesar U dibutuhkan untuk menaikkan elektron dari pita valensi logam ke pita hantaran semikonduktor dan juga energi ekstra sebesar 3/2 kT supaya elektron-elektron bebas memiliki energi kinetik.σ B) ∆ T + (π AB.

Pada sirkuit tertutup ini ditempatkan sebuah milivoltmeter : .Out Kimia Zat Padat 44 Koefisien Seebeck atau kekuatan termoelektrik. α adalah didefinisikan sebagai : α= π T α dalam besaran µ V/oC dan pada semikonduktor sampai 1mV/oC • Termocouple Dipakai untuk mengukur temperatur dengan kisaran yang sangat besar sampai titik leleh logam. yang disambungkan pada ujungnya sehingga terbentuk sebuah hubungan tertutup.Hand . Terdiri dari 2 kawat dari material berbeda.

Hand .Out Kimia Zat Padat 45 .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful