P. 1
Dasar Teori Dioda

Dasar Teori Dioda

|Views: 2,501|Likes:
Published by мấиб dhyka

More info:

Published by: мấиб dhyka on Nov 16, 2010
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOCX, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

07/08/2013

pdf

text

original

Tugas Pendahuluan

1. Dasar teori Dioda Dalam elektronika, dioda adalah komponen aktif bersaluran dua (dioda termionik mungkin memiliki saluran ketiga sebagai pemanas). Dioda mempunyai dua elektroda aktif dimana isyarat listrik dapat mengalir, dan kebanyakan dioda digunakan karena karakteristik satu arah yang dimilikinya. Dioda varikap (VARIable CAPacitor/kondensator variabel) digunakan sebagai kondensator terkendali tegangan. Sifat kesearahan yang dimiliki sebagian besar jenis dioda seringkali disebut karakteristik menyearahkan. Fungsi paling umum dari dioda adalah untuk memperbolehkan arus listrik mengalir dalam suatu arah (disebut kondisi panjar maju) dan untuk menahan arus dari arah sebaliknya (disebut kondisi panjar mundur). Karenanya, dioda dapat dianggap sebagai versi elektronik dari katup pada transmisi cairan. Dioda sebenarnya tidak menunjukkan kesearahan hidup-mati yang sempurna (benar-benar menghantar saat panjar maju dan menyumbat pada panjar mundur), tetapi mempunyai karakteristik listrik tegangan-arus taklinier kompleks yang bergantung pada teknologi yang digunakan dan kondisi penggunaan. Beberapa jenis dioda juga mempunyai fungsi yang tidak ditujukan untuk penggunaan penyearahan. Awal mula dari dioda adalah peranti kristal Cat's Whisker dan tabung hampa (juga disebut katup termionik). Saat ini dioda yang paling umum dibuat dari bahan semikonduktor seperti silikon atau germanium.

Sejarah Walaupun dioda kristal (semikonduktor) dipopulerkan sebelum dioda termionik, dioda termionik dan dioda kristal dikembangkan secara terpisah pada waktu yang bersamaan. Prinsip kerja dari dioda termionik ditemukan oleh Frederick Guthrie pada tahun 1873 Sedangkan prinsip kerja dioda kristal ditemukan pada tahun 1874 oleh peneliti Jerman, Karl Ferdinand Braun. Pada waktu penemuan, peranti seperti ini dikenal sebagai penyearah (rectifier). Pada tahun 1919, William Henry Eccles memperkenalkan istilah dioda yang berasal dari di berarti dua, dan ode (dari ὅδος) berarti "jalur".

Prinsip Kerja Prinsip kerja dioda termionik ditemukan kembali oleh Thomas Edison pada 13 Februari 1880 dan dia diberi hak paten pada tahun 1883 (U.S. Patent 307031), namun tidak dikembangkan lebih lanjut. Braun mematenkan penyearah kristal pada tahun 1899. Penemuan Braun dikembangkan lebih

lanjut oleh Jagdish Chandra Bose menjadi sebuah peranti berguna untuk detektor radio.

Penerima Radio Penerima radio pertama yang menggunakan dioda kristal dibuat oleh Greenleaf Whittier Pickard. Dioda termionik pertama dipatenkan di Inggris oleh John Ambrose Fleming (penasihat ilmiah untuk Perusahaan Marconi dan bekas karyawan Edison) pada 16 November 1904 (diikuti oleh U.S. Patent 803684 pada November 1905). Pickard mendapatkan paten untuk detektor kristal silikon pada 20 November 1906 (U.S. Patent 836531).

Dioda Termonik Dioda termionik adalah sebuah peranti katup termionik yang merupakan susunan elektroda-elektroda di ruang hampa dalam sampul gelas. Dioda termionik pertama bentuknya sangat mirip dengan bola lampu pijar. Dalam dioda katup termionik, arus listrik yang melalui filamen pemanas secara tidak langsung memanaskan katoda (Beberapa dioda menggunakan pemanasan langsung, dimana filamen wolfram berlaku sebagai pemanas sekaligus juga sebagai katoda), elektroda internal lainnya dilapisi dengan campuran barium dan strontium oksida, yang merupakan oksida dari logam alkali tanah. Substansi tersebut dipilih karena memiliki fungsi kerja yang kecil. Bahang yang dihasilkan menimbulkan pancaran termionik elektron ke ruang hampa. Dalam operasi maju, elektroda logam disebelah yang disebut anoda diberi muatan positif jadi secara elektrostatik menarik elektron yang terpancar.

Walaupun begitu, elektron tidak dapat dipancarkan dengan mudah dari permukaan anoda yang tidak terpanasi ketika polaritas tegangan dibalik. Karenanya, aliran listrik terbalik apapun yang dihasilkan dapat diabaikan. Dalam sebagian besar abad ke-20, dioda katup termionik digunakan dalam penggunaan isyarat analog, dan sebagai penyearah pada pemacu daya. Saat ini, dioda katup hanya digunakan pada penggunaan khusus seperti penguat gitar listrik, penguat audio kualitas tinggi serta peralatan tegangan dan daya tinggi.

Dioda Semikonduktor P N

Anoda

Katoda

Sisi P disebut Anoda dan sisi N disebut Katoda. Lambang dioda seperti anak panah yang arahnya dari sisi P ke sisi N. Karenanya ini mengingatkan kita pada arus konvensional mudah mengalir dari sisi P ke sisi N. Dalam pendekatan dioda ideal, dioda dianggap sebagai sebuah saklar tertutup jika diberi bias forward (maju) dan sebagai saklar terbuka jika diberi bias reverse (balik). Artinya secara ideal, dioda berlaku seperti konduktor sempurna (tegangan nol) jika dibias forward dan seperti isolator sempurna (arus nol) saat dibias reverse. Untuk pendekatan kedua, dibutuhkan tegangan sebesar 0,7 V sebelum dioda silikon konduksi dengan baik. Dioda dapat digambarkan sebagai suatu saklar yang diseri dengan tegangan penghambat 0,7 V. Apabila tegangan

sumber lebih besar dari 0,7 V maka saklar akan tertutup. Sebaliknya apabila tegangan sumber lebih kecil dari 0,7 V maka saklar akan terbuka. Dalam pendekatan ketiga akan diperhitungkan hambatan bulk (RB). Rangkaian ekivalen untuk pendekatan ketiga ini adalah sebuah saklar yang terhubung seri dengan tegangan 0,7 V dan hambatan RB. Saat tegangan dioda lebih besar dari 0,7 V maka dioda akan menghantar dan tegangan akan naik secara linier dengan kenaikan arus. Semakin besar arus, akan semakin besar tegangan dioda karena tegangan ada yang jatuh menyebrangi hambatan bulk. Operasi semua komponen benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya (solid state) didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Secara umum semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara sifat-sifat konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnit, tetapi pada semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif. Elemen terkecil dari suatu bahan yang masih memiliki sifat-sifat kimia dan fisika yang sama adalah atom. Suatu atom terdiri atas tiga partikel dasar, yaitu: neutron, proton, dan elektron. Dalam struktur atom, proton dan neutron membentuk inti atom yang bermuatan positip dan sedangkan elektron-elektron yang bermuatan negatip mengelilingi inti. Elektron-elektron ini tersusun berlapis-lapis. Struktur atom dengan model Bohr dari bahan semikonduktor yang paling banyak digunakan, silicon dan germanium.

Seperti ditunjukkan pada gambar 1.3 atom silikon mempunyai elektron yang mengorbit (yang mengelilingi inti) sebanyak 14 dan atom germanium mempunyai 32 elektron. Pada atom yang seimbang (netral) jumlah elektron dalam orbit sama dengan jumlah proton dalam inti. Muatan listrik sebuah elektron adalah: - 1.602-19 C dan muatan sebuah proton adalah: + 1.602-19 C. Elektron yang menempati lapisan terluar disebut sebagai elektron valensi. Atom silikon dan germanium masing-masing mempunyai empat elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium disebut juga dengan atom tetra-valent (bervalensi empat). Empat elektron valensi tersebut terikat dalam struktur kisi-kisi, sehingga setiap elektron valensi akan membentuk ikatan kovalen dengan elektron valensi dari atomatom yang bersebelahan. Struktur kisi-kisi kristal silicon murni dapat digambarkan secara dua dimensi guna memudahkan pembahasan.

Meskipun terikat dengan kuat dalam struktur kristal, namun bisa saja electron valensi tersebut keluar dari ikatan kovalen menuju daerah konduksi apabila diberikan energi panas. Bila energi panas tersebut cukup kuat untuk memisahkan elektron dari ikatan kovalen maka elektron tersebut menjadi bebas atau disebut dengan electron bebas. Pada suhu ruang terdapat kurang lebih 1.5 x 1010 elektron bebas dalam 1 cm3 bahan silikon murni (intrinsik) dan 2.5 x 1013 elektron bebas pada germanium. Semakin besar energi panas yang diberikan semakin banyak jumlah elektron bebas yang keluar dari ikatan kovalen, dengan kata lain konduktivitas bahan meningkat.

Kristal-kristal Silikon Ketika atom-atom silikon bergabung. Menjadi satu kesatuan, mereka membentuk dirinya sendiri menjadi sebuah bentuk yang dinamakan sebuah kristal. Masing-masing atom silikon membagi elektron-elektronnya dengan 4 atom yang berdampingan dan mempunyai 8 elektron dalam orbit valensi. Lingkaran bayangan mewakili inti silikon. Meskipun, inti atom sebenarnya mempunyai 4 elektron di dalam orbit valensinya, sekarang inti atom mempunyai delapan.

Ikatan Kovalen Masing-masing atom yang berdekatan membagi sebuah elektron dengan atom inti. Dalam hal ini inti atom mempunyai empat elektron tambahan, memberikan seluruh 8 elektron kedalam orbit valensi. Elektronelektron tersebut tidak begitu lama menjadi atom tunggal. Masing-masing inti atom dan atom yang berdampingan membagi elektron-elektron, hal itu juga terjadi pada atom-atom silikon yang lain. Dengan kata lain setiap bagian sebuah kristal silikon mempunyai 4 yang berdampingan.

Penyatuan Valensi Setiap atom didalam kristal silikon mempunyai 8 elektron didalam orbit valensinya. 8 elektron tersebut menghasilkan sebuah stabilitas kimia yang mengakibatkan bahan silikon menjadi padat. Tidak ada seorangpun yang yakin bagaimana orbit paling luar dari seluruh elemen mempunyai kecendrungan memiliki 8 elektron. Ketika 8 elektron tidak berada dalam sebuah elemen, maka menjadi sebuah kecendrungan bagi elemen untuk mengkominasikan dan membagi elektron-elektron menjadi atom lainnya sehingga memiliki 8 elektron dalam orbit.

Bias Maju Forward bias (bias maju) adalah hubungan yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan bahan tipe-n dan pusat positif dihubungkan dengan bahan tipe-p.

n p _ V + + ⊝ ⊝ ⊝ + + ⊝ ⊝ ⊝

_ _ ⊕ ⊕ ⊕ _ _ ⊕ ⊕ ⊕

Dalam gambar, baterai mendorong lubang-lubang dan elektronelektron bebas menuju sambungan. Jika tegangan baterai lebih kecil dibandingkan hambatan potensial, elektron bebas tidak mempunyai cukup energi untuk melintasi lapisan deplesi (daerah hampa muatan). Ketika mereka masuk lapisan deplesi, ion-ion tersebut akan mendorongnya kembali menuju daerah n, oleh karena itu, tidak ada arus yang melintasi dioda. Ketika sumber tegangan dc lebih besar dibandingkan dengan hambatan potensial. Baterai mendorong kembali lubang-lubang dan elektronelektron bebas menuju ke sambungan. Pada saat tersebut elektron bebas mempunyai cukup energi untuk melintasi lapisan deplesi dan bergabung dengan lubang-lubang. Dengan kata lain elektron bebas menjadi sebuah elektron valensi. Sebagai elektron valensi, elektron tersebut terus berjalan ke kiri melalui satu lubang selanjutnya ia sampai ke ujung kiri dioda. Ketika elektron tersebut meninggalkan ujung kiri dioda, lubang baru muncul dan proses tersebut berulang kembali. Karena terdapat miliaran elektron yang mengalami perjalanan yang sama, maka arus akan terus-menerus melintasi dioda. Sekali potensial (lapisan deplesi) ini terlewati, resistansi dari dioda turun ke suatu nilai yang amat rendah dan kenaikan yang sangat kecil pada tegangan catu mengakibatkan suatu arus yang amat besar pada dioda. Dimana arus mengalir dengan mudah dalam bias maju dioda. Sepanjang penerapan tegangan lebih besar dibandingkan tegangan potensial, maka akan terjadi arus kuat secara terus-menerus dalam sirkuit. Dalam daerah maju, tegangan pada saat arus mulai naik secara cepat disebut sebagai tegangan kaki (tegangan ambang) dari dioda. Tegangan ini sama dengan tegangan penghalang. Analisis rangkaian dioda biasanya menentukan apakah tegangan dioda lebih besar atau lebih kecil dari tegangan kaki. Apabila lebih besar, maka dioda akan menghantar dengan mudah. Jika lebih kecil, maka dioda tidak menghantar dengan baik. Tegangan kaki untuk dioda silikon:

VK ≈ 0,7 V (Catatan: lambang (≈) artinya mendekati sama dengan) Untuk itu, kita harus mengatasi terlebih dahulu tegangan ambang 0,7 V sebelum dioda dapat menghantar. Penting untuk diperhatikan bahwa tegangan ambang hampir tidak tergantung pada arus, berlawanan dengan tegangan pada resistor. Jadi, semikonduktor tidak mengikuti hukum Ohm. Untuk mengukur tegangan ambang dapat digunakan rangkaian pembagi tegangan. Dioda pembagi tegangan merupakan sumber tegangan yang sangat stabil.

Bias Mundur Bias mundur (reverse bias) adalah hubungan yang terjadi saat pusat negatif baterai dihubungkan pada sisi-p dan pusat positif baterai dihubungkan dengan sisi-n. Jika panjaran mundur diterapkan ke suatu pertemuan P-N, tegangan panjaran mundur menambah lapisan deplesi. Akibatnya jumlah pembawa muatan gerak di dalam daerah hubungan dikosongkan lebih lanjut, sehingga menambah lebar daerah pengosongan, yang berarti kedua daerah dari dioda tetap terisolasi satu dengan lainnya. Perluasan daerah lapisan deplesi adalah proporsional dengan tegangan reverse. Karena tegangan reverse meningkat, lapisan deplesi bertambah lebar. Setelah lapisan deplesi stabil, ada sebuah arus kecil berada pada reverse bias. Mengulang kembali bahwa energi panas secara terus-menerus menciptakan sepasang elektron-elektron dan lubang-lubang. Hal ini berarti bahwa sedikit pembawa minoritas berada pada kedua sisi sambungan. Sebagian besar bergabung dengan pembawa mayoritas. Tetapi yang berada di dalam lapisan deplesi berada lebih lama untuk melintasi sambungan. Ketika hal ini terjadi, sebuah arus yang kecil mengalir dalam rangkaian luar.

Gambar mengilustrasikan gagasan tersebut. Asumsikan bahwa energi panas menciptakan sebuah elektron bebas dan lubang di dekat sambungan. Lapisan deplesi mendorong elektron bebas ke kanan dan memaksa satu elektron meninggalkan ujung kanan kristal. Lubang pada lapisan deplesi didorong ke kiri. Lubang extra pada sisi p membiarkan satu elektron memasuki ujung kiri kristal dan jatuh kedalam lubang. Karena energi panas terus-menerus mengasilkan sepasang elektron lubang di dalam lapisan deplesi, sebuah arus kecil secara terus-menerus mengalir dalam rangkaian
n p + _ V + + ⊝ ⊝ ⊝ + + ⊝ ⊝ ⊝ _ _ ⊕ ⊕ ⊕ _ _ ⊕ ⊕ ⊕

luar.

Arus reverse disebabkan oleh panas yang menghasilkan minoritas disebut juga sebagai arus jenuh. Persamaannya, arus jenuh disimbolkan dengan dengan IS (dimana S adalah saturation). Nama saturation berarti kita tidak dapat mendapatkan arus pembawa minoritas lebih banyak daripada diproduksi oleh energi panas. Dengan kata lain, kenaikan tegangan reverse tidak akan menaikkan jumlah sifat panas yang menciptakan pembawa minoritas. Di samping sifat thermal memproduksi arus pembawa minoritas, ada arus lain yang berada dalam sebuah dioda bias balik yaitu arus permukaan bocor yang merupakan arus kecil yang mengalir pada permukaan kristal. Nilai arus bocor dalam dioda sinyal normalnya adalah beberapa puluh atau ratus nanoamper (1nA = 10-9 A), dan mungkin beberapa miliamper dalam dioda daya. Arus bocor lebih disebabkan oleh arus intrinsik yang timbul dari pasangan-pasangan hole-elektron secara termal di dalam daerah pengosongan. Sebagai tambahan terhadap arus ini, sejumlah kecil arus bocor disebabkan oleh kebocoran pada permukaan dioda. Nilai arus bocor tetap cukup konstan sampai tegangan kerja mundur dari dioda. Karakteristik arus–tegangan Karakteristik arus–tegangan dari dioda, atau kurva I–V, berhubungan dengan perpindahan dari pembawa melalui yang dinamakan lapisan penipisan atau daerah pemiskinan yang terdapat pada pertemuan p-n diantara semikonduktor. Ketika pertemuan p-n dibuat, elektron pita konduksi dari daerah N menyebar ke daerah P dimana terdapat banyak lubang yang menyebabkan elektron bergabung dan mengisi lubang yang ada, baik lubang dan elektron bebas yang ada lenyap, meninggalkan donor bermuatan positif pada sisi-N dan akseptor bermuatan negatif pada sisi-P. Daerah disekitar pertemuan p-n menjadi dimiskinkan dari pembawa muatan dan karenanya berlaku sebagai isolator. Walaupun begitu, lebar dari daerah pemiskinan tidak dapat tumbuh tanpa batas. Untuk setiap pasangan elektron-lubang yang bergabung, ion pengotor bermuatan positif ditinggalkan pada daerah terkotori-n dan ion

pengotor bermuatan negatif ditinggalkan pada daerah terkotori-p. Saat penggabungan berlangsung dan lebih banyak ion ditimbulkan, sebuah medan listrik terbentuk didalam daerah pemiskinan yang memperlambat listrik ini penggabungan dan akhirnya menghentikannya. Medan

menghasilkan tegangan tetap dalam pertemuan.

Jenis-jenis diode Secara umum, diode yang banyak dijual dipasaran adalah diode kristal, diode zener, LED (Ligth Emiting Diode), diode kapasiansi variabel dan diode bridge. 1) Diode Kristal Diode kristal ini terdiri dari 2 jenis yaitu diode silikon (Si) dan diode germanium (Ge). Berikut penjelasan dari masing-masing jenis diode tersebut a. Diode Silikon (Si) Disamping oksigen, silikon adalah elemen yang banyak dalam dunia. Satu dari masalah tersebut terselesaikan, keuntungan silikon segera membuatnya menjadi pilihan semikonduktor. Tanpa itu elektronika modern, komunikasi dan komputer tidak dapat bekerja. Sebuah atom silikon terisolasi mempunyai 14 proton dan 14 elektron. Orbit yang pertama mengandung 2 elektron dan orbit yang kedua mempunyai 8 elektron. 4 elektron yang tersisa terdapat dalam orbit valensi. Pada saat diode silikon ini dibias maju, agar arus dapat mengalir maka tegangan harus sebesar 0,7 Volt. Apabila tidak mencapai tegangan minimal tersebut, arus yang datang dari anoda tidak akan mengalir ke katoda. Apabila tegangan tersebut sudah mencapai tegangan minimal, maka arus akan naik dengan cepat seperti yang terlihat pada gambar 1.4

yaitu kurva karakteristik diode silikon ini. Dimana pada kurva terlihat, saat tegangan mencapai 0,7 Volt, maka arus akan naik dengan cepat.
V(tegangan I (arus) 0,7 V

b. Diode Germanium (Ge)

Konduktor terbaik (perak, tembaga dan emas) mempunyai satu elektron valensi dimana insulator terbaik mempunyai delapan elektron valensi. Sebuah semikonduktor adalah sebuah elemen dengan kemampuan listrik diantara sebuah konduktor dan insulator. Seperti yang mungkin anda pikirkan, semikonduktor yang terbaik mempunyai empat elektron valensi. Germanium adalah contoh dari sebuah semikonduktor. Ia mempunyai empat elektron dalam orbit valensi. Beberapa tahun yang lalu germanium adalah satu-satunya bahan yang cocok untuk membuat peralatan semikonduktor. Tetapi peralatan germanium mempunyai sebuah kekurangan yang fatal yaitu arus balik yang sangat besar dimana insinyur tidak dapat mengatasinya. Akhirnya semikonduktor lain dinamakan silikon menjadi sesuatu yang dipakai dan membuat germanium menjadi usang dalam sebagian besar pemakian elektronik. Untuk jenis diode germanium (Ge), arus akan dilewatkan apabila tegangan harus mencapai tegangan 0,3 Volt. Jadi, pada prinsipnya sama seperti diode silikon, apabila tegangan belum mencapai 0,3 Volt maka arus tidak akan dilewatkan. Jika tegangannya sudah mencapai tegangan minimal sebesar 0,3 Volt, maka arus sudah dapat dilewatkan. 2) Diode Zener

Katoda Anoda

Diode zener atau juga dikenal sebagai voltage regulation diode adalah silicon PN junction yang bekerja pada reverse bias yang di daerah breakdown. Simbol dari suatu zener diode ditunjukkan pada gambar 1.5 dibawah ini. Tegangan zener Vz adalah tegangan reverse di mana terjadi breakdown. Bila tegangan reverse VD kurang dari VZ tahanan zener diode di sekitar 1 megaohm atau lebih.

Bila VD naik sedikit saja di atas Vz arus reverse akan naik dengan cepat, oleh karena itu di dalam permakaian zener diode selalu digunakan suatu tahanan seri untuk mencegah terjadinva arus yang berlebihan.

Bila tegangan reverse dihubungkan pada PN-junction, lebar depletion layer akan bertambah karena elektron dan hole tertolak dari junction. Lebar depletion layer tergantung dari kadar doping, bila digunakan silicon dengan doping tinggi akan dihasilkan depletion layer yang tipis. Sehingga bila tegangan reverse dihubungkan akan menimbulkan medan listrik yang kuat di dalam dioda dan jika tegangan reverse mencapai tegangan zener Vz maka medan listrik yang dibangkitkan demikian kuatnya sehingga sejunilah besar elektron akan terlepas dan daya tarik intinya diikuti dengan kenaikan arus reverse secara mendadak. Peristiwa inilah yang disebut dengan Zener breakdown. Jadi zener diode sebenarnya adalah PN junction dengan doping tinggi hingga menghasilkan depletion layer tipis; biasanya zener breakdown terjadi di bawah tegangan 5 volt dan masih tergantung pada temperatur. Di bawah pengaruh medan listrik yang kuat, atom-atom lebih mudah melepaskan elektronnya menjadi ion-ion bila temperatumya naik. Jadi Vz turun bila temperatur zener diode naik. PN junction diode yang dibuat dengan doping rendah depletion layernya lebih lebar. Medan listrik harus lebih kuat untuk menghasilkan zener breakdown. Tetapi sebelum zener breakdown terjadi elektron-elektron minority carriers sudah akan memperoleh tenaga kinetik demikian besarnya hingga pada saat menabrak atom akan menimbulkan ionisasi yang menimbulkan elektron baru. Elektron-elektron baru akan ikut bergerak akibatnya tabrakan akan berlangsung secara berantai sehingga makin banyak elektron yang dihasilkan dan arus reverse naik dengan cepat. Peristiwa semacam ini disebut avalanche breakdown. Bila temperatur dioda naik laju gerakan elektron dalam depletion layer menurun sehingga diperlukan tegangan yang lebih besar untuk memberikan kecepatan yang cukup bagi elektron-elektron. Jadi kita mengenal zener breakdown yaitu ionisasi karena kekuatan medan listrik dan avalanche breakdown yaitu ionisasi karena tabrakan.

Yang pertama terjadi pada bahan dengan tahanan jenis rendah (doping tinggi) yang dipisahkan oleh depletion layer tipis yaitu untuk Vz di bawah 5 volt. Yang kedua terjadi pada bahan dengan tahanan jenis tinggi (doping rendah) yang dipisahkan oleh depletion layer lebar untuk Vz di atas 5 volt. Meskipun demikian dalam prakteknya kedua type di atas tetap dinamakan zener diode. Karena alasan inilah maka zener diode dibuat dari silikon. Data-data zener diode yang perlu diketahui adalah: 1. Tegangan zener Vz terletak antara 3,3 Volt sampai 200 Volt. Tiap zener mempunyai Vz.tertentu dengan toleransi 5 sampai 10 persen. 2. Arus zener Iz ialah arus yang mengalir pada saat breakdown. Iz minimum adalah besarnya Iz tepat pada knee. I z maksimum adalah arus yang tidak boleh dilampaui, karena dapat menimbulkan panas yang berlebihan. Misalkan sebuah zener diode dengan: Vz = 5,8 volt, I z min = 1 mA dan Iz mak = 50 mA pada temperatur 40° C. 3. Tahanan zener rz ialah suatu nilai yang menunjukkan perbandingan perubahan tegangan zener (Vz) terhadap perubahan arus zener (I z). rZ =
ΔVZ ΔIZ

Tahanan zener minimum sekitar 10 ohm bila VZ nya sekitar 6 volt. Tahanan ini akan naik bila Vz lebih atau kurang dari 6 volt. Hubungan antara VZ dan rZ ini dapat dilihat pada gambar 1.6 dibawah.

100 200(volt) Rzz (ohm) V 20 10

Oleh karena itu penggunaan zener sebagai stabilisator Vz yang terbaik adalah sekitar 6 volt. Bila tegangan yang akan distabilkan lebih dari 6 volt dapat digunakan bcberapa zener yang dihubungkan seri. a. Karakteristik maju dioda Zener

b. Karakteristik balik dioda Zener

3) LED (Ligth Emiting Diode) LED adalah singkatan dari Light Emiting Dioda, merupakan komponen yang dapat mengeluarkan emisi cahaya.LED merupakan produk temuan lain setelah dioda. Strukturnya juga sama dengan dioda, tetapi belakangan ditemukan bahwa elektron yang menerjang sambungan P-N juga melepaskan energi berupa energi panas dan energi cahaya. LED dibuat agar lebih efisien jika mengeluarkan cahaya. Untuk mendapatkna emisi cahaya

pada semikonduktor, doping yang pakai adalah galium, arsenic dan phosporus. Jenis doping yang berbeda menghasilkan warna cahaya yang berbeda pula. Berikut simbol LED dalam skema rangkaian.

Anoda Katoda

Pada saat ini warna-warna cahaya LED yang banyak ada adalah warna merah, kuning dan hijau.LED berwarna biru sangat langka. Pada dasarnya semua warna bisa dihasilkan, namun akan menjadi sangat mahal dan tidak efisien. Dalam memilih LED selain warna, perlu diperhatikan tegangan kerja, arus maksimum dan disipasi daya-nya. Rumah (chasing) LED dan bentuknya juga bermacam-macam, ada yang persegi empat, bulat dan lonjong. 4) Diode kapasiansi variabel Dioda Kapasiansi Variabel yang disebut juga dioda varicap atau dioda varactor. Sifat dioda ini ialah bila dipasangkan menurut arah terbalik akan berperan sebagai kondensator.Kapasitansinya tergantung pada tegangan yang masuk. Dioda jenis ini banyak digunakan pada modulator FM dan juga pada VCO suatu PLL (Phase Lock Loop). Berikut adalah simbol diode varicap dalam skema rangkaian.

Katoda Anoda

5) Diode Bridge Untuk membuat penyearah pada power supply, di pasaran banyak terjual dioda bridge.Dioda ini adalah dioda silicon yang dirangkai menjadi

suatu bridge dan dikemas menjadi satu kesatuan komponen. Di pasaran terjual berbagai bentuk dioda bridge dengan berbagai macam kapasitasnya. Ukuran dioda bridge yang utama adalah voltage dan ampere maksimumnya.

Penyearah Setengah Gelombang

a. Penyearah Setengah Gelombang dengan Kapasitor Untuk mendapatkan suatu tegangan DC yang baik dimana bentuk tegangan hasil penyearahan adalah mendekati garis lurus maka tegangan keluaran dari suatu rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar 1.12 dihubungkan dengan suatu kapasitor secara paralel terhadap beban seperti pada gambar 1.13 dimana arus dari keluaran rangkaian penyearah selain akan melewati beban juga akan mengisi kapasitor sehingga pada saat tegangan hasil penyearahan mengalami penurunan maka kapasitor akan membuang muatannya kebeban dan tegangan beban akan tertahan sebelum mencapai nol. Hal ini dapat dijelaskan pada gambar berikut: Hasil penyearahan yang tidak ideal akan mengakibatkan adanya ripple seperti terlihat pada gambar diatas

dimana tegangan ripple yang dihasilkan dapat ditentukan oleh persamaan berikut : Ripple (peak to peak) = Idc . (T / C) Dimana Idc dalam hal ini adalah tegangan keluaran dibagi dengan R beban. T adalah periode tegangan ripple (detik) dan C adalah nilai kapasitor (Farad) yang digunakan.

b. Penyearah Setengah Gelombang dengan bridge dioda

Penyearah Gelombang Penuh

1. Gambar rangkaian A. Dioda Varaktor

a)

Pada rangkaian di atas, diode varaktor digunakan untuk pembangkit frekuensi. b)

Pada rangkaian di atas, diode varaktor digunakan untuk mengontrol oscillator. B. Dioda Zener a) Pengujian dioda zener membutuhkan catu daya dc variabel. Rangkaian seperti pada gambar di bawah ini :

Pada sirkuit di atas, catu daya variabel digunakan untuk mengatur tegangan input ke nilai yang cocok untuk dioda zener sedang diuji. Resistor R1 membatasi arus yang melalui dioda. Dengan zener dioda terhubung seperti yang ditunjukkan pada gambar di atas tidak ada arus akan mengalir sampai tegangan pada dioda sama dengan tegangan zener. Jika dioda terhubung dalam arah yang berlawanan, arus akan mengalir pada tegangan rendah, biasanya kurang dari 1 volt. Aliran arus listrik pada tegangan rendah di kedua arah menunjukkan bahwa dioda zener rusak.

b) Dioda Zener biasanya digunakan secara luas dalam sirkuit elektronik. Fungsi utamanya adalah untuk menstabilkan tegangan. Pada saat disambungkan secara parallel dengan sebuah sumber tegangan yang berubah-ubah yang dipasang sehingga mencatu-balik, sebuah dioda zener akan bertingkah seperti sebuah kortsleting (hubungan singkat) saat tegangan mencapai tegangan rusak diode tersebut. Hasilnya, tegangan akan dibatasi sampai ke sebuah angka yang telah diketahui sebelumnya.

Sebuah dioda zener juga digunakan seperti ini sebagai regulator tegangan shunt (shunt berarti sambungan parallel, dan regulator tegangan sebagai sebuah kelas sirkuit yang memberikan sumber tegangan tetap. Sumber : 1. irianto.staff.gunadarma.ac.id/Downloads/files/4630/bab2.pdf
2. http://elka.ub.ac.id/praktikum/de/de.php?page=1 3. id.wikipedia.org/wiki/Dioda 4. http://tk.unikom.ac.id/tk-files/download/modul%20praktikum

%20eldas/modul%20IV.pdf
5. http://ilmu-elektronika.co.cc/index.php/komponen-elektronika/dioda.html

6. http://sunny.staff.gunadarma.ac.id/Downloads/files/2537/BAGIAN+3.pdf

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->