Mardika Aji S.P.

(7308030021)

BASIC SWITCHING ( MOSFET DAN IGBT )
MOSFET Gambar dibawah ini menunjukkan klasifikasi Transistor.

Field Effect Transistor mempunyai penguatan tegangan yang baik sekali karena transistor jenis ini memiliki Impedansi Input yang tinggi, Konsumsi daya yang rendah, dan range frekuensi yang bagus. Transistor efek medan atau FET (Field Effect Transistor) adalah suatu komponen elektronika yang prinsip kerjanya berdasarkan pengaturan arus dengan medan listrik. FET disebut juga ³transistor unipolar´ karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja, artinya arus yang mengalir arus yang mengalir hanya arus lubang (hole) atau arus elektron saja. FET mempunyai beberapa keuntungan dibandingkan dengan transistor bipolar biasa, antara lain: 1. Bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja. 2. Relatif lebih tahan terhadap radiasi. 3. Mempunyai impedansi input yang tinggi beberapa Mega Ohm. 4. Noise lebih rendah daripada noise tabung atau transistor bipolar. 5. Mempunyai stabilitas thermis yang baik.

Mosfet adalah singkatan dari (Metal ± Oxide Semi Conductor FET atau FET semikonduktor Oksida Logam). Mosfet mempunyai kaki-kaki : 1. Sumber (Source) = S 2. Cerat (Drain) = D 3. Gerbang (Gate) = G

Kedalamnya ditambahkan semikonduktor type P yang dinamakan Substrate. Gambar 15. 3. Pemberian tegangan VGS akan mengontrol nilai RDS (ON) yang akan mempengaruhi tegangan keluaran. Vin adalah rendah atau tinggi dan MOSFET akan bekerja sebagaiswitch yang tersambung atau putus. (7308030021) Adapun susunan pembentukan Mosfet dapat digambarkan sebagai berikut: 1. Kemudian pada bagian lain di lekatkan lapisan oksida logam tipis (Si O2) dan dinamakan gerbang (gate) Si O2 bersifat isolator. MOSFET bekerja sebagai switch dengan cara memberikan tegangan VGS. Apabila Vin rendah. Semikonduktor konruktor type N diberi terminal cerat (D) dan sumber (S). Dalam rangkaianswitch ini.P. .a memperlihatkan sebuah penggerak MOSFET dan beban pasif (tahanan RD). sehingga keluaran dapat diubah secara kontinyu antara tegangan minimum dan maksimum. Secara ideal MOSFET bekerja sebagai switch yang tertutup bila dalam keadaan jenuh dan sebagais witch yang terbuka bila dalam keadaan terputus. 2. Gambar Simbol MOSFET Switch Analog MOSFET Gagasan yang ada dibalik switch analog adalah hanya mempergunakan dua titik pada garis beban yaitu titik putus atau titik jenuh.Mardika Aji S. sedangkan untuk Vin yang tinggi MOSFET menghantar dan Vout menjadi rendah. MOSFET itu putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya.

Mardika Aji S. (7308030021) Gambar 15. Q2 putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya. sedangkan untuk Vin yang tinggi Q2 menghantar dan Vout menjadi rendah.b memperlihatkan penggerak MOSFET dengan beban aktif.P. . Q2 sebagaiswitch sedangkan Q1 sebagai beban aktif. Apabila Vin rendah.

Mardika Aji S. Dengan kata lain. (7308030021) IGBT Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. menyerupai Ron pada BJT. Di pihak lain. Gambar Simbol IGBT Karakteristik IGBT Sesuai dengan namanya. Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi. Saluran gerbang dari IGBT. sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. . nilai resistansi-hidup (Ron) dari IGBT sangat kecil. meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang setara. di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya. Di lain pihak. maka terminal masukan IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. pada saat keadaan menghantar. Dengan kata lain. Di samping itu. hingga ratusan Ampere. terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitor) BJT. IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar. arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan jenuh. kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan peranti BJT. IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Dengan gabungan sifat kedua unsur tersebut. BJT dan MOSFET. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber. arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Dengan demikian bila tegangan jatuh serta borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter maupun Kendali Motor Listrik (Drive).P. peranti baru ini merupakan peranti yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas. Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET. Dengan sifat-sifat seperti ini. sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET. Dengan demikian. IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik. tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti. Karena besarnya resistansi masukan dari MOSFET. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak dari IGBT. sedang terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT.

sehingga dengan sifat yang dimilikinya IGBT cocok untuk digunakan sebagai saklar daya. yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut. Sebaliknya. pada MOSFET tidak dijumpai arus penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran. BJT lebih unggul dari MOSFET.Mardika Aji S. VCE pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh. pada saat keadaan menghantar (on). saklar mempunyai tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin. transistor efek medan (FET). mendekati nilai tak berhingga. Pada saat keadaan tidak menghantar (off). Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut: 1. IGBT(Insulated Gate Bipolar Junction) adalah piranti yang memiliki kinerja cepat dalam berpindah dan memiliki efisiensi tinggi. Dengan kata lain. karena sebagai peranti yang bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas. demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi. MOSFET lebih unggul dari BJT. Untuk sifat nomor (2).P. (7308030021) Sifat-sifat IGBT Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini adalah saklar peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor dwikutub (BJT). Sebaliknya. maupun Thyristor. Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas. . dan kecepatan pensaklaran yang tinggi. karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil. untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan pensakelaran. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin. karena tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitor. saklar mempunyai tahanan yang besar sekali. nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil 2.

MOSFET dan IGBT merupakan piranti elektronik yang dikemudikan oleh tegangan. Dalam hal kapasitansi masukan. . Tabel 2 menyatakan perbandingan yang lebih umum mengenai karakteristik penyakelarannya. Namun demikian. Tabel 1. Untuk tujuan komparasi. (7308030021) Perbandingan Umum Antara Kinerja MOSFET dan IGBT Perbandingan kinerja penyakelaran MOSFET dan IGBT secara singkat dinyatakan dalam Tabel 1. Informasi koefisien temperatur ini merupakan pertimbangan penting dalam perencanaan batas aman thermal pada sistem-sistem yang berdaya tinggi. transistor bipolar sangat lebih lambat daripada MOSFET. Kapasitansi ini dapat menjadi demikian besar. dibandingkan dengan adanya nilai koefisien temperatur yang tinggi pada MOSFET. IGBT tampaknya memang menawarkan rating kemampuan arus yang lebih baik. Kedua adalah resistansi saat kondisi menyambung (on-state) piranti bipolar yang relatif tak bergantung (bersifat invarian) terhadap temperatur. sehingga rangkaian pengemudinya dituntut memiliki kemampuan untuk mengisi dan membuang dengan cepat muatan kapasitansi yang besar ini.24 200 Dua fakta yang bersumber pada Tabel 1 tersebut adalah bahwa. untuk MOSFET dan IGBT. pertama. Tabel 1 tersebut juga menyertakan pula perbandingannya dengan transistor bipolar. pada transistor bipolar yang sifatnya dikemudikan oleh arus (arus keluaran dibagi oleh hFE).6 40 IGBT 20 600 0. dalam Tabel 1 tersebut ditranslasikan ke dalam besaran resistansi kolektor-emitor dalam kondisi menyambung (Ron).18 0. kekurangan dan kelebihan masing-masing piranti yang tercantum pada Tabel 2 tersebut dapat digunakan sebagai acuan untuk memilih salah satu di antara ketiganya. Besaran tegangan kolektor-emitor dalam kondisi menyambung atau jenuh (VCEsat) yang biasa digunakan untuk menggambarkan karakter suatu IGBT.23 200 Bipolar 20 500 0. Perbandingan tiga piranti penyakelar daya untuk kemampuan (rating) yang setara Karakteristik Kemampuan arus (A) Kemampuan tegangan (V) Ron (ohm) Pada 25º C Ron (ohm) Pada 150º C Waktu turun (nanodetik) MOSFET 20 500 0. Disebabkan oleh struktur masukan gate-nya.24 0. ia memerlukan pengemudi dengan daya yang relatif lebih besar.P.2 0. dengan kebutuhan akan daya pengemudi yang relatif kecil saja. bergantung pada ratingnya (kemampuan arusnya). hal ini disebabkan oleh waktu gulir mati (turn-off) piranti bipolar yang lebih panjang. Secara prinsip.Mardika Aji S. Sementara itu.

kita dihadapkan pada kenyataan bahwa ada perimbangan dalam hal kecepatan penyakelaran versus kemampuan arus.Mardika Aji S. Sementara itu VCE saturasinya naik berturut-turut untuk masingmasing tipe tersebut menjadi. IR mendeskripsikan kemampuan arus dengan perbandingan terbalik terhadap kecepatan penyakelarannya. tinggi Sangat rendah IGBT Tegangan Minimum Sederhana Sangat tinggi (terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran) Bipolar Arus Besar Cukupan atau sedang Cukupan (sangat terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran Rendah sampai sedang Sedang sampai tinggi (dipengaruhi oleh rugi (dipengaruhi oleh rugi konduksi) konduksi) Untuk mempertahankan nilai resistansi yang tetap rendah. . (7308030021) Tabel 2. 1. rendah pada teg. Perbandingan karakteristik piranti penyakelar daya Karakteristik Tipe pengemudi Daya pengemudi Tingkat kerumitan pengemudi Kemampuan arus pada nilai tegangan drop di ujung-ujung terminal piranti Rugi penyakelaran MOSFET Tegangan minimum Sederhana Tinggi pada teg. yakni tipe standar. Untuk MOSFET. rendah.5. Perusahaan International Rectifier (IR) di pasaran menawarkan tiga tipe IGBT. pembuat IGBT membuat kemampuan arus yang lebih rendah untuk tipe yang lebih cepat.P. baik transisi saat menyambung (turn-on) dan memutus (turn-off) sangat cepat. jenis yang lebih cepat akan mengalami rugi konduksi yang lebih tinggi.3 1. yang mencerminkan kecepatan penyakelaran dari ketiga piranti elektronik tersebut. Sebagai contoh. Parameter terakhir dalam Tabel 2 tersebut adalah rugi penyakelaran (switching losses) . Sedang untuk IGBT. cepat dan ultra cepat.9 volt. Waktu penyakelaran pada IGBT sebagian besar didominasi oleh waktu saat menyambung. sehingga secara garis besar membatasi penggunaannya dalam sistem yang beroperasi pada laju penyakelaran yang lebih rendah daripada 100 kHz. dan 1.

This results in the output waveform shown There is a tradeoff that must be considered in the design of a MOSFET switch. The problem is this: With a lower value of may not be great enough to drop eliminates this problem. . in Figure 19-3. goes positive. This relationship .P. the input and output voltages have the same polarity (as shown in Figure 19-3). increases and decreases. If the circuit is designed with a lower value of .3 of the text. (7308030021) The MOSFET switch has the high input characteristics of the JFET switch. the output is found as: When goes positive.Mardika Aji S. Using a CMOS switch FIGURE 19-3 The MOSFET switch. then comes closer to the value of to 0 V when when . the value of is illustrated in Example 19. At the same time. In this case. The transconductance curve in Figure 19-3 shows that when .

we need to be able to switch the fan on an off. The diode is to supress back emf. It handles up to 100 V between Drain and Source at 9. y y y To switch anything close to the current rating on the mosfet. (7308030021) Using a power mosfet to switch large currents Filed under: Electronics ² profmason @ 10:53 pm A student is using a ducted fan on top of a servo to steer a hovercraft.Mardika Aji S. These current ratings should be taken with a grain of salt. However a power mosfet will work as well.P. A good rule of thumb is that your mosfet with a proper heat sink can handle about half the current rating on a continuous basis. . be sure to use an appropriate heatsink! Note the the physical pinout of the mosfet does not match the schematic of the mosfet. this causes a large voltage spike that goes ³backward´ through the mosfet. the drain is in the middle of the physical part etc. The mosfet used in this case is the irf522. In practice the mosfet is connected as shown in the circuit below. When the motor switches off. The diode provides an alternate route for this spike. The simpiliest solution might be to use a SPST relay. However. A typical power mosfet looks like this: In a mosfet the conductivity in the path from source to drain is controlled by the voltage between the gate and source. In theory a small current at the gate will switch a large current between the drain and source. The ducted fan requires large currents (On the order of 5A) We are using a DPDT relay to control the direction of the fan.5 amps.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful