Mardika Aji S.P.

(7308030021)

BASIC SWITCHING ( MOSFET DAN IGBT )
MOSFET Gambar dibawah ini menunjukkan klasifikasi Transistor.

Field Effect Transistor mempunyai penguatan tegangan yang baik sekali karena transistor jenis ini memiliki Impedansi Input yang tinggi, Konsumsi daya yang rendah, dan range frekuensi yang bagus. Transistor efek medan atau FET (Field Effect Transistor) adalah suatu komponen elektronika yang prinsip kerjanya berdasarkan pengaturan arus dengan medan listrik. FET disebut juga ³transistor unipolar´ karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja, artinya arus yang mengalir arus yang mengalir hanya arus lubang (hole) atau arus elektron saja. FET mempunyai beberapa keuntungan dibandingkan dengan transistor bipolar biasa, antara lain: 1. Bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja. 2. Relatif lebih tahan terhadap radiasi. 3. Mempunyai impedansi input yang tinggi beberapa Mega Ohm. 4. Noise lebih rendah daripada noise tabung atau transistor bipolar. 5. Mempunyai stabilitas thermis yang baik.

Mosfet adalah singkatan dari (Metal ± Oxide Semi Conductor FET atau FET semikonduktor Oksida Logam). Mosfet mempunyai kaki-kaki : 1. Sumber (Source) = S 2. Cerat (Drain) = D 3. Gerbang (Gate) = G

Secara ideal MOSFET bekerja sebagai switch yang tertutup bila dalam keadaan jenuh dan sebagais witch yang terbuka bila dalam keadaan terputus.a memperlihatkan sebuah penggerak MOSFET dan beban pasif (tahanan RD). Kedalamnya ditambahkan semikonduktor type P yang dinamakan Substrate. Pemberian tegangan VGS akan mengontrol nilai RDS (ON) yang akan mempengaruhi tegangan keluaran.P. MOSFET itu putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya. Kemudian pada bagian lain di lekatkan lapisan oksida logam tipis (Si O2) dan dinamakan gerbang (gate) Si O2 bersifat isolator. Dalam rangkaianswitch ini. (7308030021) Adapun susunan pembentukan Mosfet dapat digambarkan sebagai berikut: 1. Semikonduktor konruktor type N diberi terminal cerat (D) dan sumber (S). sehingga keluaran dapat diubah secara kontinyu antara tegangan minimum dan maksimum. 2. Vin adalah rendah atau tinggi dan MOSFET akan bekerja sebagaiswitch yang tersambung atau putus. . 3. Gambar 15. MOSFET bekerja sebagai switch dengan cara memberikan tegangan VGS. Gambar Simbol MOSFET Switch Analog MOSFET Gagasan yang ada dibalik switch analog adalah hanya mempergunakan dua titik pada garis beban yaitu titik putus atau titik jenuh.Mardika Aji S. sedangkan untuk Vin yang tinggi MOSFET menghantar dan Vout menjadi rendah. Apabila Vin rendah.

b memperlihatkan penggerak MOSFET dengan beban aktif. Apabila Vin rendah. Q2 sebagaiswitch sedangkan Q1 sebagai beban aktif. (7308030021) Gambar 15. sedangkan untuk Vin yang tinggi Q2 menghantar dan Vout menjadi rendah. Q2 putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya.Mardika Aji S. .P.

pada saat keadaan menghantar. nilai resistansi-hidup (Ron) dari IGBT sangat kecil. Di lain pihak. sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. peranti baru ini merupakan peranti yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas. Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi. BJT dan MOSFET. Di pihak lain. Gambar Simbol IGBT Karakteristik IGBT Sesuai dengan namanya. menyerupai Ron pada BJT. arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. maka terminal masukan IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitor) BJT. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber. Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET.Mardika Aji S. hingga ratusan Ampere. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak dari IGBT. Dengan demikian. meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang setara. IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar. sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET.P. Karena besarnya resistansi masukan dari MOSFET. sedang terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya. tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti. Dengan kata lain. IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik. (7308030021) IGBT Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. . arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan jenuh. Dengan demikian bila tegangan jatuh serta borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Saluran gerbang dari IGBT. kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan peranti BJT. Dengan sifat-sifat seperti ini. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter maupun Kendali Motor Listrik (Drive). Di samping itu. Dengan gabungan sifat kedua unsur tersebut. Dengan kata lain.

Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin. demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi. Pada saat keadaan tidak menghantar (off). VCE pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh. karena tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitor. dan kecepatan pensaklaran yang tinggi. transistor efek medan (FET). mendekati nilai tak berhingga. BJT lebih unggul dari MOSFET. karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil. Sebaliknya.P. karena sebagai peranti yang bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut: 1. nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil 2. pada MOSFET tidak dijumpai arus penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran.Mardika Aji S. pada saat keadaan menghantar (on). saklar mempunyai tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin. (7308030021) Sifat-sifat IGBT Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini adalah saklar peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor dwikutub (BJT). . Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas. Sebaliknya. saklar mempunyai tahanan yang besar sekali. sehingga dengan sifat yang dimilikinya IGBT cocok untuk digunakan sebagai saklar daya. IGBT(Insulated Gate Bipolar Junction) adalah piranti yang memiliki kinerja cepat dalam berpindah dan memiliki efisiensi tinggi. yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut. Untuk sifat nomor (2). MOSFET lebih unggul dari BJT. untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan pensakelaran. Dengan kata lain. maupun Thyristor.

18 0. Tabel 2 menyatakan perbandingan yang lebih umum mengenai karakteristik penyakelarannya. untuk MOSFET dan IGBT.P. dalam Tabel 1 tersebut ditranslasikan ke dalam besaran resistansi kolektor-emitor dalam kondisi menyambung (Ron). pada transistor bipolar yang sifatnya dikemudikan oleh arus (arus keluaran dibagi oleh hFE). dibandingkan dengan adanya nilai koefisien temperatur yang tinggi pada MOSFET.6 40 IGBT 20 600 0.2 0. bergantung pada ratingnya (kemampuan arusnya). hal ini disebabkan oleh waktu gulir mati (turn-off) piranti bipolar yang lebih panjang. Perbandingan tiga piranti penyakelar daya untuk kemampuan (rating) yang setara Karakteristik Kemampuan arus (A) Kemampuan tegangan (V) Ron (ohm) Pada 25º C Ron (ohm) Pada 150º C Waktu turun (nanodetik) MOSFET 20 500 0. Tabel 1 tersebut juga menyertakan pula perbandingannya dengan transistor bipolar. Namun demikian.23 200 Bipolar 20 500 0. dengan kebutuhan akan daya pengemudi yang relatif kecil saja. Dalam hal kapasitansi masukan. Informasi koefisien temperatur ini merupakan pertimbangan penting dalam perencanaan batas aman thermal pada sistem-sistem yang berdaya tinggi. Secara prinsip. transistor bipolar sangat lebih lambat daripada MOSFET.24 0. IGBT tampaknya memang menawarkan rating kemampuan arus yang lebih baik. kekurangan dan kelebihan masing-masing piranti yang tercantum pada Tabel 2 tersebut dapat digunakan sebagai acuan untuk memilih salah satu di antara ketiganya. Sementara itu. pertama. (7308030021) Perbandingan Umum Antara Kinerja MOSFET dan IGBT Perbandingan kinerja penyakelaran MOSFET dan IGBT secara singkat dinyatakan dalam Tabel 1.Mardika Aji S. Kedua adalah resistansi saat kondisi menyambung (on-state) piranti bipolar yang relatif tak bergantung (bersifat invarian) terhadap temperatur. Kapasitansi ini dapat menjadi demikian besar.24 200 Dua fakta yang bersumber pada Tabel 1 tersebut adalah bahwa. Tabel 1. . ia memerlukan pengemudi dengan daya yang relatif lebih besar. sehingga rangkaian pengemudinya dituntut memiliki kemampuan untuk mengisi dan membuang dengan cepat muatan kapasitansi yang besar ini. Disebabkan oleh struktur masukan gate-nya. Besaran tegangan kolektor-emitor dalam kondisi menyambung atau jenuh (VCEsat) yang biasa digunakan untuk menggambarkan karakter suatu IGBT. MOSFET dan IGBT merupakan piranti elektronik yang dikemudikan oleh tegangan. Untuk tujuan komparasi.

P. Perusahaan International Rectifier (IR) di pasaran menawarkan tiga tipe IGBT. IR mendeskripsikan kemampuan arus dengan perbandingan terbalik terhadap kecepatan penyakelarannya. tinggi Sangat rendah IGBT Tegangan Minimum Sederhana Sangat tinggi (terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran) Bipolar Arus Besar Cukupan atau sedang Cukupan (sangat terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran Rendah sampai sedang Sedang sampai tinggi (dipengaruhi oleh rugi (dipengaruhi oleh rugi konduksi) konduksi) Untuk mempertahankan nilai resistansi yang tetap rendah. baik transisi saat menyambung (turn-on) dan memutus (turn-off) sangat cepat. . Parameter terakhir dalam Tabel 2 tersebut adalah rugi penyakelaran (switching losses) . kita dihadapkan pada kenyataan bahwa ada perimbangan dalam hal kecepatan penyakelaran versus kemampuan arus. pembuat IGBT membuat kemampuan arus yang lebih rendah untuk tipe yang lebih cepat. (7308030021) Tabel 2. rendah. Perbandingan karakteristik piranti penyakelar daya Karakteristik Tipe pengemudi Daya pengemudi Tingkat kerumitan pengemudi Kemampuan arus pada nilai tegangan drop di ujung-ujung terminal piranti Rugi penyakelaran MOSFET Tegangan minimum Sederhana Tinggi pada teg. Waktu penyakelaran pada IGBT sebagian besar didominasi oleh waktu saat menyambung. dan 1.3 1. yang mencerminkan kecepatan penyakelaran dari ketiga piranti elektronik tersebut. cepat dan ultra cepat.9 volt. Sedang untuk IGBT. sehingga secara garis besar membatasi penggunaannya dalam sistem yang beroperasi pada laju penyakelaran yang lebih rendah daripada 100 kHz. Untuk MOSFET. rendah pada teg. Sementara itu VCE saturasinya naik berturut-turut untuk masingmasing tipe tersebut menjadi. Sebagai contoh. jenis yang lebih cepat akan mengalami rugi konduksi yang lebih tinggi. 1. yakni tipe standar.Mardika Aji S.5.

At the same time. goes positive. The transconductance curve in Figure 19-3 shows that when . If the circuit is designed with a lower value of . (7308030021) The MOSFET switch has the high input characteristics of the JFET switch. In this case. then comes closer to the value of to 0 V when when . the input and output voltages have the same polarity (as shown in Figure 19-3). . the value of is illustrated in Example 19.3 of the text. increases and decreases. The problem is this: With a lower value of may not be great enough to drop eliminates this problem. in Figure 19-3. This results in the output waveform shown There is a tradeoff that must be considered in the design of a MOSFET switch.P. This relationship . Using a CMOS switch FIGURE 19-3 The MOSFET switch. the output is found as: When goes positive.Mardika Aji S.

this causes a large voltage spike that goes ³backward´ through the mosfet. A good rule of thumb is that your mosfet with a proper heat sink can handle about half the current rating on a continuous basis. The mosfet used in this case is the irf522. A typical power mosfet looks like this: In a mosfet the conductivity in the path from source to drain is controlled by the voltage between the gate and source. the drain is in the middle of the physical part etc. . y y y To switch anything close to the current rating on the mosfet.Mardika Aji S. The diode is to supress back emf. These current ratings should be taken with a grain of salt.P. When the motor switches off. The diode provides an alternate route for this spike.5 amps. The ducted fan requires large currents (On the order of 5A) We are using a DPDT relay to control the direction of the fan. However a power mosfet will work as well. In practice the mosfet is connected as shown in the circuit below. In theory a small current at the gate will switch a large current between the drain and source. The simpiliest solution might be to use a SPST relay. we need to be able to switch the fan on an off. However. It handles up to 100 V between Drain and Source at 9. be sure to use an appropriate heatsink! Note the the physical pinout of the mosfet does not match the schematic of the mosfet. (7308030021) Using a power mosfet to switch large currents Filed under: Electronics ² profmason @ 10:53 pm A student is using a ducted fan on top of a servo to steer a hovercraft.