Mardika Aji S.P.

(7308030021)

BASIC SWITCHING ( MOSFET DAN IGBT )
MOSFET Gambar dibawah ini menunjukkan klasifikasi Transistor.

Field Effect Transistor mempunyai penguatan tegangan yang baik sekali karena transistor jenis ini memiliki Impedansi Input yang tinggi, Konsumsi daya yang rendah, dan range frekuensi yang bagus. Transistor efek medan atau FET (Field Effect Transistor) adalah suatu komponen elektronika yang prinsip kerjanya berdasarkan pengaturan arus dengan medan listrik. FET disebut juga ³transistor unipolar´ karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja, artinya arus yang mengalir arus yang mengalir hanya arus lubang (hole) atau arus elektron saja. FET mempunyai beberapa keuntungan dibandingkan dengan transistor bipolar biasa, antara lain: 1. Bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja. 2. Relatif lebih tahan terhadap radiasi. 3. Mempunyai impedansi input yang tinggi beberapa Mega Ohm. 4. Noise lebih rendah daripada noise tabung atau transistor bipolar. 5. Mempunyai stabilitas thermis yang baik.

Mosfet adalah singkatan dari (Metal ± Oxide Semi Conductor FET atau FET semikonduktor Oksida Logam). Mosfet mempunyai kaki-kaki : 1. Sumber (Source) = S 2. Cerat (Drain) = D 3. Gerbang (Gate) = G

Vin adalah rendah atau tinggi dan MOSFET akan bekerja sebagaiswitch yang tersambung atau putus. Semikonduktor konruktor type N diberi terminal cerat (D) dan sumber (S).P. Pemberian tegangan VGS akan mengontrol nilai RDS (ON) yang akan mempengaruhi tegangan keluaran. MOSFET itu putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya. sehingga keluaran dapat diubah secara kontinyu antara tegangan minimum dan maksimum. Dalam rangkaianswitch ini.Mardika Aji S.a memperlihatkan sebuah penggerak MOSFET dan beban pasif (tahanan RD). Apabila Vin rendah. Gambar Simbol MOSFET Switch Analog MOSFET Gagasan yang ada dibalik switch analog adalah hanya mempergunakan dua titik pada garis beban yaitu titik putus atau titik jenuh. . 2. Gambar 15. Secara ideal MOSFET bekerja sebagai switch yang tertutup bila dalam keadaan jenuh dan sebagais witch yang terbuka bila dalam keadaan terputus. Kemudian pada bagian lain di lekatkan lapisan oksida logam tipis (Si O2) dan dinamakan gerbang (gate) Si O2 bersifat isolator. 3. Kedalamnya ditambahkan semikonduktor type P yang dinamakan Substrate. (7308030021) Adapun susunan pembentukan Mosfet dapat digambarkan sebagai berikut: 1. sedangkan untuk Vin yang tinggi MOSFET menghantar dan Vout menjadi rendah. MOSFET bekerja sebagai switch dengan cara memberikan tegangan VGS.

Mardika Aji S.P. Q2 putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya. (7308030021) Gambar 15.b memperlihatkan penggerak MOSFET dengan beban aktif. . Apabila Vin rendah. Q2 sebagaiswitch sedangkan Q1 sebagai beban aktif. sedangkan untuk Vin yang tinggi Q2 menghantar dan Vout menjadi rendah.

Karena besarnya resistansi masukan dari MOSFET. peranti baru ini merupakan peranti yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas. terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitor) BJT.Mardika Aji S. menyerupai Ron pada BJT. IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar. IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Di samping itu. Di pihak lain.P. Gambar Simbol IGBT Karakteristik IGBT Sesuai dengan namanya. IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik. Dengan gabungan sifat kedua unsur tersebut. Saluran gerbang dari IGBT. Di lain pihak. hingga ratusan Ampere. Dengan kata lain. sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET. BJT dan MOSFET. Dengan kata lain. Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi. pada saat keadaan menghantar. meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang setara. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter maupun Kendali Motor Listrik (Drive). Dengan sifat-sifat seperti ini. Dengan demikian bila tegangan jatuh serta borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak dari IGBT. Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET. kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan peranti BJT. Dengan demikian. maka terminal masukan IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. nilai resistansi-hidup (Ron) dari IGBT sangat kecil. arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan jenuh. sedang terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. (7308030021) IGBT Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. . tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber.

Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut: 1. Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas. mendekati nilai tak berhingga. yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut. Untuk sifat nomor (2). sehingga dengan sifat yang dimilikinya IGBT cocok untuk digunakan sebagai saklar daya. transistor efek medan (FET). Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin. Pada saat keadaan tidak menghantar (off). Sebaliknya. Dengan kata lain. maupun Thyristor. (7308030021) Sifat-sifat IGBT Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini adalah saklar peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor dwikutub (BJT).Mardika Aji S. demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi. Sebaliknya. karena sebagai peranti yang bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas. karena tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitor. nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil 2. VCE pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh. pada MOSFET tidak dijumpai arus penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran. karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil. untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan pensakelaran. BJT lebih unggul dari MOSFET. saklar mempunyai tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin. IGBT(Insulated Gate Bipolar Junction) adalah piranti yang memiliki kinerja cepat dalam berpindah dan memiliki efisiensi tinggi. MOSFET lebih unggul dari BJT. .P. pada saat keadaan menghantar (on). saklar mempunyai tahanan yang besar sekali. dan kecepatan pensaklaran yang tinggi.

Namun demikian.18 0. kekurangan dan kelebihan masing-masing piranti yang tercantum pada Tabel 2 tersebut dapat digunakan sebagai acuan untuk memilih salah satu di antara ketiganya. Kedua adalah resistansi saat kondisi menyambung (on-state) piranti bipolar yang relatif tak bergantung (bersifat invarian) terhadap temperatur.24 200 Dua fakta yang bersumber pada Tabel 1 tersebut adalah bahwa. dalam Tabel 1 tersebut ditranslasikan ke dalam besaran resistansi kolektor-emitor dalam kondisi menyambung (Ron). dengan kebutuhan akan daya pengemudi yang relatif kecil saja. Kapasitansi ini dapat menjadi demikian besar. dibandingkan dengan adanya nilai koefisien temperatur yang tinggi pada MOSFET. sehingga rangkaian pengemudinya dituntut memiliki kemampuan untuk mengisi dan membuang dengan cepat muatan kapasitansi yang besar ini. Informasi koefisien temperatur ini merupakan pertimbangan penting dalam perencanaan batas aman thermal pada sistem-sistem yang berdaya tinggi. Untuk tujuan komparasi.24 0.Mardika Aji S. Tabel 2 menyatakan perbandingan yang lebih umum mengenai karakteristik penyakelarannya. (7308030021) Perbandingan Umum Antara Kinerja MOSFET dan IGBT Perbandingan kinerja penyakelaran MOSFET dan IGBT secara singkat dinyatakan dalam Tabel 1. pada transistor bipolar yang sifatnya dikemudikan oleh arus (arus keluaran dibagi oleh hFE). bergantung pada ratingnya (kemampuan arusnya). Perbandingan tiga piranti penyakelar daya untuk kemampuan (rating) yang setara Karakteristik Kemampuan arus (A) Kemampuan tegangan (V) Ron (ohm) Pada 25º C Ron (ohm) Pada 150º C Waktu turun (nanodetik) MOSFET 20 500 0. Disebabkan oleh struktur masukan gate-nya. Besaran tegangan kolektor-emitor dalam kondisi menyambung atau jenuh (VCEsat) yang biasa digunakan untuk menggambarkan karakter suatu IGBT.6 40 IGBT 20 600 0.23 200 Bipolar 20 500 0. Dalam hal kapasitansi masukan. Secara prinsip. Tabel 1 tersebut juga menyertakan pula perbandingannya dengan transistor bipolar. hal ini disebabkan oleh waktu gulir mati (turn-off) piranti bipolar yang lebih panjang. IGBT tampaknya memang menawarkan rating kemampuan arus yang lebih baik. Sementara itu. transistor bipolar sangat lebih lambat daripada MOSFET. . pertama. MOSFET dan IGBT merupakan piranti elektronik yang dikemudikan oleh tegangan.2 0. ia memerlukan pengemudi dengan daya yang relatif lebih besar. Tabel 1. untuk MOSFET dan IGBT.P.

(7308030021) Tabel 2. yakni tipe standar. Sedang untuk IGBT. Untuk MOSFET. Perusahaan International Rectifier (IR) di pasaran menawarkan tiga tipe IGBT. . Parameter terakhir dalam Tabel 2 tersebut adalah rugi penyakelaran (switching losses) .3 1. baik transisi saat menyambung (turn-on) dan memutus (turn-off) sangat cepat. cepat dan ultra cepat. dan 1. 1.9 volt. rendah.Mardika Aji S. kita dihadapkan pada kenyataan bahwa ada perimbangan dalam hal kecepatan penyakelaran versus kemampuan arus. jenis yang lebih cepat akan mengalami rugi konduksi yang lebih tinggi. Sementara itu VCE saturasinya naik berturut-turut untuk masingmasing tipe tersebut menjadi. tinggi Sangat rendah IGBT Tegangan Minimum Sederhana Sangat tinggi (terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran) Bipolar Arus Besar Cukupan atau sedang Cukupan (sangat terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran Rendah sampai sedang Sedang sampai tinggi (dipengaruhi oleh rugi (dipengaruhi oleh rugi konduksi) konduksi) Untuk mempertahankan nilai resistansi yang tetap rendah. Perbandingan karakteristik piranti penyakelar daya Karakteristik Tipe pengemudi Daya pengemudi Tingkat kerumitan pengemudi Kemampuan arus pada nilai tegangan drop di ujung-ujung terminal piranti Rugi penyakelaran MOSFET Tegangan minimum Sederhana Tinggi pada teg. yang mencerminkan kecepatan penyakelaran dari ketiga piranti elektronik tersebut. Waktu penyakelaran pada IGBT sebagian besar didominasi oleh waktu saat menyambung.5. rendah pada teg. Sebagai contoh. IR mendeskripsikan kemampuan arus dengan perbandingan terbalik terhadap kecepatan penyakelarannya.P. sehingga secara garis besar membatasi penggunaannya dalam sistem yang beroperasi pada laju penyakelaran yang lebih rendah daripada 100 kHz. pembuat IGBT membuat kemampuan arus yang lebih rendah untuk tipe yang lebih cepat.

Using a CMOS switch FIGURE 19-3 The MOSFET switch. This results in the output waveform shown There is a tradeoff that must be considered in the design of a MOSFET switch. At the same time. The problem is this: With a lower value of may not be great enough to drop eliminates this problem. If the circuit is designed with a lower value of .Mardika Aji S. The transconductance curve in Figure 19-3 shows that when . goes positive. increases and decreases. This relationship .3 of the text. the output is found as: When goes positive. the input and output voltages have the same polarity (as shown in Figure 19-3). the value of is illustrated in Example 19. In this case. . (7308030021) The MOSFET switch has the high input characteristics of the JFET switch.P. then comes closer to the value of to 0 V when when . in Figure 19-3.

These current ratings should be taken with a grain of salt. However.5 amps. we need to be able to switch the fan on an off. (7308030021) Using a power mosfet to switch large currents Filed under: Electronics ² profmason @ 10:53 pm A student is using a ducted fan on top of a servo to steer a hovercraft. The mosfet used in this case is the irf522. However a power mosfet will work as well. . The simpiliest solution might be to use a SPST relay. be sure to use an appropriate heatsink! Note the the physical pinout of the mosfet does not match the schematic of the mosfet. this causes a large voltage spike that goes ³backward´ through the mosfet. y y y To switch anything close to the current rating on the mosfet.Mardika Aji S. It handles up to 100 V between Drain and Source at 9.P. the drain is in the middle of the physical part etc. In theory a small current at the gate will switch a large current between the drain and source. The ducted fan requires large currents (On the order of 5A) We are using a DPDT relay to control the direction of the fan. The diode provides an alternate route for this spike. In practice the mosfet is connected as shown in the circuit below. The diode is to supress back emf. When the motor switches off. A good rule of thumb is that your mosfet with a proper heat sink can handle about half the current rating on a continuous basis. A typical power mosfet looks like this: In a mosfet the conductivity in the path from source to drain is controlled by the voltage between the gate and source.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful