P. 1
Mosfet Dan Igbt

Mosfet Dan Igbt

|Views: 1,308|Likes:
Published by Mardika Pratama

More info:

Published by: Mardika Pratama on Dec 06, 2010
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOCX, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

06/02/2013

pdf

text

original

Mardika Aji S.P.

(7308030021)

BASIC SWITCHING ( MOSFET DAN IGBT )
MOSFET Gambar dibawah ini menunjukkan klasifikasi Transistor.

Field Effect Transistor mempunyai penguatan tegangan yang baik sekali karena transistor jenis ini memiliki Impedansi Input yang tinggi, Konsumsi daya yang rendah, dan range frekuensi yang bagus. Transistor efek medan atau FET (Field Effect Transistor) adalah suatu komponen elektronika yang prinsip kerjanya berdasarkan pengaturan arus dengan medan listrik. FET disebut juga ³transistor unipolar´ karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja, artinya arus yang mengalir arus yang mengalir hanya arus lubang (hole) atau arus elektron saja. FET mempunyai beberapa keuntungan dibandingkan dengan transistor bipolar biasa, antara lain: 1. Bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja. 2. Relatif lebih tahan terhadap radiasi. 3. Mempunyai impedansi input yang tinggi beberapa Mega Ohm. 4. Noise lebih rendah daripada noise tabung atau transistor bipolar. 5. Mempunyai stabilitas thermis yang baik.

Mosfet adalah singkatan dari (Metal ± Oxide Semi Conductor FET atau FET semikonduktor Oksida Logam). Mosfet mempunyai kaki-kaki : 1. Sumber (Source) = S 2. Cerat (Drain) = D 3. Gerbang (Gate) = G

. MOSFET bekerja sebagai switch dengan cara memberikan tegangan VGS. Semikonduktor konruktor type N diberi terminal cerat (D) dan sumber (S).a memperlihatkan sebuah penggerak MOSFET dan beban pasif (tahanan RD). Gambar 15.Mardika Aji S. MOSFET itu putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya. Vin adalah rendah atau tinggi dan MOSFET akan bekerja sebagaiswitch yang tersambung atau putus. Pemberian tegangan VGS akan mengontrol nilai RDS (ON) yang akan mempengaruhi tegangan keluaran. sedangkan untuk Vin yang tinggi MOSFET menghantar dan Vout menjadi rendah. Gambar Simbol MOSFET Switch Analog MOSFET Gagasan yang ada dibalik switch analog adalah hanya mempergunakan dua titik pada garis beban yaitu titik putus atau titik jenuh. Kedalamnya ditambahkan semikonduktor type P yang dinamakan Substrate. (7308030021) Adapun susunan pembentukan Mosfet dapat digambarkan sebagai berikut: 1. 2. 3. sehingga keluaran dapat diubah secara kontinyu antara tegangan minimum dan maksimum. Apabila Vin rendah. Secara ideal MOSFET bekerja sebagai switch yang tertutup bila dalam keadaan jenuh dan sebagais witch yang terbuka bila dalam keadaan terputus. Dalam rangkaianswitch ini. Kemudian pada bagian lain di lekatkan lapisan oksida logam tipis (Si O2) dan dinamakan gerbang (gate) Si O2 bersifat isolator.P.

Q2 putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya. (7308030021) Gambar 15.Mardika Aji S.P. sedangkan untuk Vin yang tinggi Q2 menghantar dan Vout menjadi rendah. .b memperlihatkan penggerak MOSFET dengan beban aktif. Q2 sebagaiswitch sedangkan Q1 sebagai beban aktif. Apabila Vin rendah.

kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan peranti BJT. arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Dengan gabungan sifat kedua unsur tersebut. pada saat keadaan menghantar. Dengan demikian bila tegangan jatuh serta borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik. arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan jenuh. Dengan sifat-sifat seperti ini. Dengan kata lain. meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang setara. Gambar Simbol IGBT Karakteristik IGBT Sesuai dengan namanya. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter maupun Kendali Motor Listrik (Drive). Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET. BJT dan MOSFET. IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak dari IGBT. IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar. hingga ratusan Ampere. Dengan kata lain. sedang terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti. di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya. Di lain pihak.Mardika Aji S.P. maka terminal masukan IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber. Karena besarnya resistansi masukan dari MOSFET. . menyerupai Ron pada BJT. terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitor) BJT. Dengan demikian. nilai resistansi-hidup (Ron) dari IGBT sangat kecil. Di pihak lain. sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET. peranti baru ini merupakan peranti yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas. Saluran gerbang dari IGBT. Di samping itu. (7308030021) IGBT Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET.

Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin. saklar mempunyai tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin. transistor efek medan (FET). saklar mempunyai tahanan yang besar sekali. MOSFET lebih unggul dari BJT. Sebaliknya. Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas. BJT lebih unggul dari MOSFET. demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi. pada MOSFET tidak dijumpai arus penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran. Sebaliknya. IGBT(Insulated Gate Bipolar Junction) adalah piranti yang memiliki kinerja cepat dalam berpindah dan memiliki efisiensi tinggi. sehingga dengan sifat yang dimilikinya IGBT cocok untuk digunakan sebagai saklar daya. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut: 1. VCE pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh. Pada saat keadaan tidak menghantar (off). karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil. . karena sebagai peranti yang bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas. Dengan kata lain. maupun Thyristor. yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut. dan kecepatan pensaklaran yang tinggi.Mardika Aji S. nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil 2. untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan pensakelaran. Untuk sifat nomor (2). (7308030021) Sifat-sifat IGBT Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini adalah saklar peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor dwikutub (BJT). mendekati nilai tak berhingga. karena tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitor. pada saat keadaan menghantar (on).P.

hal ini disebabkan oleh waktu gulir mati (turn-off) piranti bipolar yang lebih panjang. Dalam hal kapasitansi masukan. IGBT tampaknya memang menawarkan rating kemampuan arus yang lebih baik.6 40 IGBT 20 600 0. dibandingkan dengan adanya nilai koefisien temperatur yang tinggi pada MOSFET. Perbandingan tiga piranti penyakelar daya untuk kemampuan (rating) yang setara Karakteristik Kemampuan arus (A) Kemampuan tegangan (V) Ron (ohm) Pada 25º C Ron (ohm) Pada 150º C Waktu turun (nanodetik) MOSFET 20 500 0. pertama.18 0.24 0. bergantung pada ratingnya (kemampuan arusnya). Sementara itu. Kapasitansi ini dapat menjadi demikian besar. Namun demikian. (7308030021) Perbandingan Umum Antara Kinerja MOSFET dan IGBT Perbandingan kinerja penyakelaran MOSFET dan IGBT secara singkat dinyatakan dalam Tabel 1.2 0. . Tabel 1. transistor bipolar sangat lebih lambat daripada MOSFET. ia memerlukan pengemudi dengan daya yang relatif lebih besar. Tabel 1 tersebut juga menyertakan pula perbandingannya dengan transistor bipolar.Mardika Aji S. Secara prinsip. kekurangan dan kelebihan masing-masing piranti yang tercantum pada Tabel 2 tersebut dapat digunakan sebagai acuan untuk memilih salah satu di antara ketiganya. dengan kebutuhan akan daya pengemudi yang relatif kecil saja. MOSFET dan IGBT merupakan piranti elektronik yang dikemudikan oleh tegangan. untuk MOSFET dan IGBT. Untuk tujuan komparasi.P. sehingga rangkaian pengemudinya dituntut memiliki kemampuan untuk mengisi dan membuang dengan cepat muatan kapasitansi yang besar ini.24 200 Dua fakta yang bersumber pada Tabel 1 tersebut adalah bahwa. dalam Tabel 1 tersebut ditranslasikan ke dalam besaran resistansi kolektor-emitor dalam kondisi menyambung (Ron). pada transistor bipolar yang sifatnya dikemudikan oleh arus (arus keluaran dibagi oleh hFE).23 200 Bipolar 20 500 0. Besaran tegangan kolektor-emitor dalam kondisi menyambung atau jenuh (VCEsat) yang biasa digunakan untuk menggambarkan karakter suatu IGBT. Kedua adalah resistansi saat kondisi menyambung (on-state) piranti bipolar yang relatif tak bergantung (bersifat invarian) terhadap temperatur. Disebabkan oleh struktur masukan gate-nya. Tabel 2 menyatakan perbandingan yang lebih umum mengenai karakteristik penyakelarannya. Informasi koefisien temperatur ini merupakan pertimbangan penting dalam perencanaan batas aman thermal pada sistem-sistem yang berdaya tinggi.

rendah pada teg.5. baik transisi saat menyambung (turn-on) dan memutus (turn-off) sangat cepat. pembuat IGBT membuat kemampuan arus yang lebih rendah untuk tipe yang lebih cepat. 1. Sementara itu VCE saturasinya naik berturut-turut untuk masingmasing tipe tersebut menjadi.9 volt. cepat dan ultra cepat. Waktu penyakelaran pada IGBT sebagian besar didominasi oleh waktu saat menyambung. IR mendeskripsikan kemampuan arus dengan perbandingan terbalik terhadap kecepatan penyakelarannya. kita dihadapkan pada kenyataan bahwa ada perimbangan dalam hal kecepatan penyakelaran versus kemampuan arus. dan 1. Untuk MOSFET. jenis yang lebih cepat akan mengalami rugi konduksi yang lebih tinggi.P. Sebagai contoh. . Perbandingan karakteristik piranti penyakelar daya Karakteristik Tipe pengemudi Daya pengemudi Tingkat kerumitan pengemudi Kemampuan arus pada nilai tegangan drop di ujung-ujung terminal piranti Rugi penyakelaran MOSFET Tegangan minimum Sederhana Tinggi pada teg. tinggi Sangat rendah IGBT Tegangan Minimum Sederhana Sangat tinggi (terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran) Bipolar Arus Besar Cukupan atau sedang Cukupan (sangat terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran Rendah sampai sedang Sedang sampai tinggi (dipengaruhi oleh rugi (dipengaruhi oleh rugi konduksi) konduksi) Untuk mempertahankan nilai resistansi yang tetap rendah. yakni tipe standar. sehingga secara garis besar membatasi penggunaannya dalam sistem yang beroperasi pada laju penyakelaran yang lebih rendah daripada 100 kHz.Mardika Aji S. (7308030021) Tabel 2. Perusahaan International Rectifier (IR) di pasaran menawarkan tiga tipe IGBT. rendah. yang mencerminkan kecepatan penyakelaran dari ketiga piranti elektronik tersebut. Sedang untuk IGBT.3 1. Parameter terakhir dalam Tabel 2 tersebut adalah rugi penyakelaran (switching losses) .

If the circuit is designed with a lower value of . Using a CMOS switch FIGURE 19-3 The MOSFET switch. increases and decreases. This results in the output waveform shown There is a tradeoff that must be considered in the design of a MOSFET switch. At the same time. the input and output voltages have the same polarity (as shown in Figure 19-3). goes positive. In this case. the value of is illustrated in Example 19.P. then comes closer to the value of to 0 V when when .Mardika Aji S. (7308030021) The MOSFET switch has the high input characteristics of the JFET switch.3 of the text. the output is found as: When goes positive. in Figure 19-3. The problem is this: With a lower value of may not be great enough to drop eliminates this problem. . This relationship . The transconductance curve in Figure 19-3 shows that when .

5 amps. In practice the mosfet is connected as shown in the circuit below. A good rule of thumb is that your mosfet with a proper heat sink can handle about half the current rating on a continuous basis. we need to be able to switch the fan on an off. this causes a large voltage spike that goes ³backward´ through the mosfet. The diode is to supress back emf. The ducted fan requires large currents (On the order of 5A) We are using a DPDT relay to control the direction of the fan. The mosfet used in this case is the irf522. It handles up to 100 V between Drain and Source at 9. When the motor switches off. the drain is in the middle of the physical part etc. y y y To switch anything close to the current rating on the mosfet. (7308030021) Using a power mosfet to switch large currents Filed under: Electronics ² profmason @ 10:53 pm A student is using a ducted fan on top of a servo to steer a hovercraft. However a power mosfet will work as well. be sure to use an appropriate heatsink! Note the the physical pinout of the mosfet does not match the schematic of the mosfet.P. The simpiliest solution might be to use a SPST relay. These current ratings should be taken with a grain of salt. A typical power mosfet looks like this: In a mosfet the conductivity in the path from source to drain is controlled by the voltage between the gate and source. In theory a small current at the gate will switch a large current between the drain and source. However. .Mardika Aji S. The diode provides an alternate route for this spike.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->