Mardika Aji S.P.

(7308030021)

BASIC SWITCHING ( MOSFET DAN IGBT )
MOSFET Gambar dibawah ini menunjukkan klasifikasi Transistor.

Field Effect Transistor mempunyai penguatan tegangan yang baik sekali karena transistor jenis ini memiliki Impedansi Input yang tinggi, Konsumsi daya yang rendah, dan range frekuensi yang bagus. Transistor efek medan atau FET (Field Effect Transistor) adalah suatu komponen elektronika yang prinsip kerjanya berdasarkan pengaturan arus dengan medan listrik. FET disebut juga ³transistor unipolar´ karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja, artinya arus yang mengalir arus yang mengalir hanya arus lubang (hole) atau arus elektron saja. FET mempunyai beberapa keuntungan dibandingkan dengan transistor bipolar biasa, antara lain: 1. Bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja. 2. Relatif lebih tahan terhadap radiasi. 3. Mempunyai impedansi input yang tinggi beberapa Mega Ohm. 4. Noise lebih rendah daripada noise tabung atau transistor bipolar. 5. Mempunyai stabilitas thermis yang baik.

Mosfet adalah singkatan dari (Metal ± Oxide Semi Conductor FET atau FET semikonduktor Oksida Logam). Mosfet mempunyai kaki-kaki : 1. Sumber (Source) = S 2. Cerat (Drain) = D 3. Gerbang (Gate) = G

Pemberian tegangan VGS akan mengontrol nilai RDS (ON) yang akan mempengaruhi tegangan keluaran. Kedalamnya ditambahkan semikonduktor type P yang dinamakan Substrate. Dalam rangkaianswitch ini. Secara ideal MOSFET bekerja sebagai switch yang tertutup bila dalam keadaan jenuh dan sebagais witch yang terbuka bila dalam keadaan terputus. 3. Gambar Simbol MOSFET Switch Analog MOSFET Gagasan yang ada dibalik switch analog adalah hanya mempergunakan dua titik pada garis beban yaitu titik putus atau titik jenuh. Vin adalah rendah atau tinggi dan MOSFET akan bekerja sebagaiswitch yang tersambung atau putus.a memperlihatkan sebuah penggerak MOSFET dan beban pasif (tahanan RD). Gambar 15.Mardika Aji S. sedangkan untuk Vin yang tinggi MOSFET menghantar dan Vout menjadi rendah. sehingga keluaran dapat diubah secara kontinyu antara tegangan minimum dan maksimum. Apabila Vin rendah. .P. Kemudian pada bagian lain di lekatkan lapisan oksida logam tipis (Si O2) dan dinamakan gerbang (gate) Si O2 bersifat isolator. MOSFET bekerja sebagai switch dengan cara memberikan tegangan VGS. 2. MOSFET itu putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya. (7308030021) Adapun susunan pembentukan Mosfet dapat digambarkan sebagai berikut: 1. Semikonduktor konruktor type N diberi terminal cerat (D) dan sumber (S).

Q2 putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya. Q2 sebagaiswitch sedangkan Q1 sebagai beban aktif. . Apabila Vin rendah. (7308030021) Gambar 15.Mardika Aji S.P. sedangkan untuk Vin yang tinggi Q2 menghantar dan Vout menjadi rendah.b memperlihatkan penggerak MOSFET dengan beban aktif.

BJT dan MOSFET. Dengan kata lain. Dengan demikian bila tegangan jatuh serta borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak dari IGBT. Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET. IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik. terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitor) BJT. sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET. Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi. meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang setara. Saluran gerbang dari IGBT. Di pihak lain. Karena besarnya resistansi masukan dari MOSFET. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter maupun Kendali Motor Listrik (Drive). IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Di lain pihak. sedang terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. Gambar Simbol IGBT Karakteristik IGBT Sesuai dengan namanya. IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar. tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti. hingga ratusan Ampere. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber. Dengan demikian. Dengan sifat-sifat seperti ini. menyerupai Ron pada BJT. Dengan kata lain. (7308030021) IGBT Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. pada saat keadaan menghantar. nilai resistansi-hidup (Ron) dari IGBT sangat kecil. di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya. maka terminal masukan IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. peranti baru ini merupakan peranti yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas. . arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan jenuh.P. arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT.Mardika Aji S. Di samping itu. kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan peranti BJT. Dengan gabungan sifat kedua unsur tersebut.

karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil.P. demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi. VCE pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut: 1. nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil 2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Junction) adalah piranti yang memiliki kinerja cepat dalam berpindah dan memiliki efisiensi tinggi. saklar mempunyai tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin. MOSFET lebih unggul dari BJT. yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut. Untuk sifat nomor (2).Mardika Aji S. mendekati nilai tak berhingga. untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan pensakelaran. maupun Thyristor. Sebaliknya. (7308030021) Sifat-sifat IGBT Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini adalah saklar peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor dwikutub (BJT). . transistor efek medan (FET). dan kecepatan pensaklaran yang tinggi. Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas. pada saat keadaan menghantar (on). Dengan kata lain. saklar mempunyai tahanan yang besar sekali. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin. pada MOSFET tidak dijumpai arus penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran. karena sebagai peranti yang bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas. sehingga dengan sifat yang dimilikinya IGBT cocok untuk digunakan sebagai saklar daya. Sebaliknya. karena tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitor. BJT lebih unggul dari MOSFET. Pada saat keadaan tidak menghantar (off).

hal ini disebabkan oleh waktu gulir mati (turn-off) piranti bipolar yang lebih panjang. Untuk tujuan komparasi. Disebabkan oleh struktur masukan gate-nya. kekurangan dan kelebihan masing-masing piranti yang tercantum pada Tabel 2 tersebut dapat digunakan sebagai acuan untuk memilih salah satu di antara ketiganya. (7308030021) Perbandingan Umum Antara Kinerja MOSFET dan IGBT Perbandingan kinerja penyakelaran MOSFET dan IGBT secara singkat dinyatakan dalam Tabel 1. Besaran tegangan kolektor-emitor dalam kondisi menyambung atau jenuh (VCEsat) yang biasa digunakan untuk menggambarkan karakter suatu IGBT.24 0.P. Tabel 1 tersebut juga menyertakan pula perbandingannya dengan transistor bipolar. pada transistor bipolar yang sifatnya dikemudikan oleh arus (arus keluaran dibagi oleh hFE).18 0. Tabel 1. Secara prinsip. Kapasitansi ini dapat menjadi demikian besar.24 200 Dua fakta yang bersumber pada Tabel 1 tersebut adalah bahwa. sehingga rangkaian pengemudinya dituntut memiliki kemampuan untuk mengisi dan membuang dengan cepat muatan kapasitansi yang besar ini. MOSFET dan IGBT merupakan piranti elektronik yang dikemudikan oleh tegangan.2 0. Dalam hal kapasitansi masukan. dengan kebutuhan akan daya pengemudi yang relatif kecil saja. Tabel 2 menyatakan perbandingan yang lebih umum mengenai karakteristik penyakelarannya. Perbandingan tiga piranti penyakelar daya untuk kemampuan (rating) yang setara Karakteristik Kemampuan arus (A) Kemampuan tegangan (V) Ron (ohm) Pada 25º C Ron (ohm) Pada 150º C Waktu turun (nanodetik) MOSFET 20 500 0. ia memerlukan pengemudi dengan daya yang relatif lebih besar. Sementara itu. Informasi koefisien temperatur ini merupakan pertimbangan penting dalam perencanaan batas aman thermal pada sistem-sistem yang berdaya tinggi. dalam Tabel 1 tersebut ditranslasikan ke dalam besaran resistansi kolektor-emitor dalam kondisi menyambung (Ron). pertama. untuk MOSFET dan IGBT.23 200 Bipolar 20 500 0. dibandingkan dengan adanya nilai koefisien temperatur yang tinggi pada MOSFET. Namun demikian. . Kedua adalah resistansi saat kondisi menyambung (on-state) piranti bipolar yang relatif tak bergantung (bersifat invarian) terhadap temperatur. IGBT tampaknya memang menawarkan rating kemampuan arus yang lebih baik. transistor bipolar sangat lebih lambat daripada MOSFET.6 40 IGBT 20 600 0.Mardika Aji S. bergantung pada ratingnya (kemampuan arusnya).

Mardika Aji S. Perbandingan karakteristik piranti penyakelar daya Karakteristik Tipe pengemudi Daya pengemudi Tingkat kerumitan pengemudi Kemampuan arus pada nilai tegangan drop di ujung-ujung terminal piranti Rugi penyakelaran MOSFET Tegangan minimum Sederhana Tinggi pada teg.9 volt.5. Sedang untuk IGBT. dan 1. IR mendeskripsikan kemampuan arus dengan perbandingan terbalik terhadap kecepatan penyakelarannya. yakni tipe standar. Sementara itu VCE saturasinya naik berturut-turut untuk masingmasing tipe tersebut menjadi. sehingga secara garis besar membatasi penggunaannya dalam sistem yang beroperasi pada laju penyakelaran yang lebih rendah daripada 100 kHz. 1. Parameter terakhir dalam Tabel 2 tersebut adalah rugi penyakelaran (switching losses) .P. Waktu penyakelaran pada IGBT sebagian besar didominasi oleh waktu saat menyambung. baik transisi saat menyambung (turn-on) dan memutus (turn-off) sangat cepat. Perusahaan International Rectifier (IR) di pasaran menawarkan tiga tipe IGBT. cepat dan ultra cepat. (7308030021) Tabel 2. jenis yang lebih cepat akan mengalami rugi konduksi yang lebih tinggi. Untuk MOSFET. yang mencerminkan kecepatan penyakelaran dari ketiga piranti elektronik tersebut.3 1. . kita dihadapkan pada kenyataan bahwa ada perimbangan dalam hal kecepatan penyakelaran versus kemampuan arus. rendah. Sebagai contoh. pembuat IGBT membuat kemampuan arus yang lebih rendah untuk tipe yang lebih cepat. tinggi Sangat rendah IGBT Tegangan Minimum Sederhana Sangat tinggi (terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran) Bipolar Arus Besar Cukupan atau sedang Cukupan (sangat terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran Rendah sampai sedang Sedang sampai tinggi (dipengaruhi oleh rugi (dipengaruhi oleh rugi konduksi) konduksi) Untuk mempertahankan nilai resistansi yang tetap rendah. rendah pada teg.

3 of the text. The transconductance curve in Figure 19-3 shows that when . increases and decreases. goes positive. This relationship . in Figure 19-3. Using a CMOS switch FIGURE 19-3 The MOSFET switch. (7308030021) The MOSFET switch has the high input characteristics of the JFET switch. At the same time. In this case. If the circuit is designed with a lower value of . the output is found as: When goes positive.P. . This results in the output waveform shown There is a tradeoff that must be considered in the design of a MOSFET switch. the input and output voltages have the same polarity (as shown in Figure 19-3). the value of is illustrated in Example 19. then comes closer to the value of to 0 V when when .Mardika Aji S. The problem is this: With a lower value of may not be great enough to drop eliminates this problem.

The mosfet used in this case is the irf522. The diode provides an alternate route for this spike.5 amps. In theory a small current at the gate will switch a large current between the drain and source. The simpiliest solution might be to use a SPST relay. be sure to use an appropriate heatsink! Note the the physical pinout of the mosfet does not match the schematic of the mosfet. the drain is in the middle of the physical part etc. this causes a large voltage spike that goes ³backward´ through the mosfet. we need to be able to switch the fan on an off. In practice the mosfet is connected as shown in the circuit below. It handles up to 100 V between Drain and Source at 9. However a power mosfet will work as well. These current ratings should be taken with a grain of salt.P. A good rule of thumb is that your mosfet with a proper heat sink can handle about half the current rating on a continuous basis. However. A typical power mosfet looks like this: In a mosfet the conductivity in the path from source to drain is controlled by the voltage between the gate and source. . (7308030021) Using a power mosfet to switch large currents Filed under: Electronics ² profmason @ 10:53 pm A student is using a ducted fan on top of a servo to steer a hovercraft. When the motor switches off.Mardika Aji S. y y y To switch anything close to the current rating on the mosfet. The diode is to supress back emf. The ducted fan requires large currents (On the order of 5A) We are using a DPDT relay to control the direction of the fan.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful