Transistor pertemuan dwikutub

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas

Transistor pertemuan dwikutub

Transistor

pertemuan

dwikutub (BJT) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan
Simbol

baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah

Tipe Kategori Penemu Pembuatan pertama Komponen sejenis Kemasan
Kotak ini: lihat • bicara

Komponen aktif Transistor John Bardeen, Walter Houser Brattain dan William Shockley (Desember 1947) Laboratorium Telepon Bell FET 3 kaki (basis, kolektor, emitor)

satu adalah adalah

pembawa. pembawa dikarenakan

Walaupun mayoritas, pembawa BJT

sebagian kecil dari arus transistor hampir semua arus transistor minoritas, sehingga

diklasifikasikan sebagai peranti

pembawa-minoritas.

1

tetapi elektron yang menyebar melalui basis menuju kolektor disapu menuju kolektor oleh medan pada pertemuan kolektor-basis Pengendalian tegangan. arus dan muatan 2 . jika tegangan positif dikenakan pada pertemuan basis-emitor. Untuk memastikannya. Elektron tersebut mengembara (atau menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tinggi dekat emitor menuju konsentrasi rendah dekat kolektor.Perkenalan NPN BJT dengan pertemuan E–B dipanjar maju dan pertemuan B–C dipanjar mundur Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua dioda adu punggung tunggal anoda. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik. sehingga pembawa tersebut dapat menyebar melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa minoritas semikonduktor untuk mengurangi bagian pembawa yang bergabung kembali sebelum mencapai pertemuan kolektor-basis. Elektron pada basis dinamakan pembawa minoritas karena basis dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa mayoritas pada basis. sebagai contoh. ketebalan basis dibuat jauh lebih rendah dari panjang penyebaran dari elektron. memungkinkan elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis. Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis. pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basiskolektor dipanjar mundur. Dalam transistor NPN. jadi sedikit sekali injeksi elektron yang terjadi dari kolektor ke basis. Pada penggunaan biasa. keseimbangan diantara pembawa terbangkitkan kalor dan medan listrik menolak pada daerah pemiskinan menjadi tidak seimbang.

Beberapa sirkuit dasar dapat didesain dengan mengasumsikan bahwa tegangan emitor-basis kira-kira tetap. desain untuk sirkuit seperti penguat diferensial menjadi masalah linier. menghitung distribusi dari muatan tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor dengan lebih tepat.Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kendali arus) atau tegangan basis-emitor (kendali tegangan). Pada desain sirkuit analog. Untuk sirkuit translinier.[1] Penjelasan fisika untuk arus kolektor adalah jumlah muatan pembawa minoritas pada daerah basis. Pandangan tersebut berhubungan dengan hubungan arus-tegangan dari pertemuan basis-emitor. Walaupun begitu. transistor dapat dimodelkan sebagai sebuah transkonduktansi. transistor biasanya dimodelkan sebagai terkendali tegangan dengan transkonduktansi sebanding dengan arus kolektor. yang mana hanya merupakan kurva arus-tegangan eksponensial biasa dari dioda pertemuan p-n. dimana kurva eksponensiak I-V adalah kunci dari operasi. dan menangani pematian dinamik atau waktu pulih.[4] Pandangan mengenai kendali-muatan dengan mudah menangani transistor-foto. Tundaan penghidupan. dan arus kolektor adalah beta kali lipat dari arus basis. model Gummel–Poon. pematian dan penyimpanan 3 . Model kendali-tegangan membutuhkan fungsi eksponensial yang harus diperhitungkan. pandangan kendali arus sering digunakan karena ini hampir linier. dimana pembawa minoritas di daerah basis dibangkitkan oleh penyerapan foton. Arus kolektor kira-kira βF kali lipat dari arus basis. jadi pandangan kontrol-tegangan sering diutamakan. seperti pada model Ebers–Moll. Walaupun begitu. pandangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan pada desain dan analisis sirkuit.[1][2][3] Model mendetail dari kerja transistor. diperlukan model kendali-tegangan (sebagai contoh model Ebers–Moll)[1]. untuk mendesain sirkuit BJT dengan akurat dan dapat diandalkan. tetapi jika ini dilinierkan. karena muatan basis bukanlah isyarat yang dapat diukur pada saluran. yang mana bergantung pada penggabungan kembali muatan di daerah basis.

diantara 0.9 dan 0. Penguatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh βF atau hfe. terutama transistor daya. Parameter alfa (α) dan beta (β) transistor Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran dari efisiensi transistor. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor isyarat kecil. tapi bisa sangat rendah. αF. Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN): Struktur 4 . ini kira-kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju. mengalami waktu simpan basis yang panjang sehingga membatasi frekuensi operasi dan kecepatan pensakelaran. Perbandingan ini biasanya mendekati satu.Transistor dwikutub mengalami beberapa karakteristik tundaan ketika dihidupkan dan dimatikan. Salah satu cara untuk mengurangi waktu penyimpanan ini adalah dengan menggunakan penggenggam Baker. Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggalbasis. Hampir semua transistor. terutama pada transistor yang didesain untuk penggunaan daya tinggi.998. Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam daerah aktif-maju.

dan tipe-n. basis dan emitor disambungkan melalui ikatan kawat BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya. dan juga memberikan β yang lebih besar. sedangkan kolektor dikotori ringan. seringkali α bahkan kurang dari 0. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktifmaju. Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris.Irisan transistor NPN yang disederhanakan Kepingan transistor NPN frekuensi tinggi KSY34. membuat hampir tidak mungkin untuk mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri. tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP. Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada moda terbalik. membuat harga α sangat dekat ke satu. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan kolektor-basis. memungkinkan tegangan 5 . basis (B) dan kolektor (C). yaitu daerah emitor. Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p. Basis secara fisik terletak diantara emitor dan kolektor. daerah basis dan daerah kolektor. mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur jauh lebih kecil dari harga operasi maju. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dinamai emitor (E). Kolektor mengelilingi daerah emitor. dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. Emitor dikotori berat.5. tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. Buruknya simetrisitas terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor.

BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan. yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basisemitor menyebabkan arus yang mengalir diantara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan. NPN Simbol NPN BJT. Untuk penguatan arus yang tinggi. lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus. Struktur dasar transistor NPN 6 . terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi. dikarenakan rendahnya impedansi pada basis. Pertemuan kolektorbasis dipanjar terbalik pada operasi normal. atau penguat arus. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi.panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan kolektor-basis bobol. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid.

Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p diantara dua lapisan tipe-n. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional ketika peranti dipanjar maju). transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor. PNP Jenis lain dari BJT adalah PNP. memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi. Simbol PNP BJT. Dengan kata lain.NPN adalah satu dari dua tipe BJT. Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang. dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor. Struktur dasar transistor PNP 7 .

Dengan kata lain. Tanda panah pada simbol diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam. transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada emitor.[5][6] Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. membuat resistansioya relatif tinggi. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφp). Susunan penghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitorbasis dipanjar terbalik. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat. Sebagai tambahan. efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran diantaran emitor dan basis.Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n diantara dua lapis semikonduktor tipe-p. terutama sistem RF. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada keluaran kolektor. Dalam BJT tradisional. dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor. yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi. dan lubang untuk diinjeksikan kembali dari basis ke emitor. atau BJT pertemuansejenis. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis Jalur dalam transistor dwikutub pertemuan-taksejenis. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHz. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis. Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat. pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki 8 . menghasilkan resistansi yang lebih rendah untuk mengakses elektroda basis. Penghalang menunjukkan elektron untuk bergerak dari emitor ke basis. dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφn).

Pada 9 . misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe. menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai ΔφG).karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis. Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikongermanium dan aluminium arsenid. Daerah operasi Batas operasi aman transistor. in forward-active mode. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi. memberikan medan terpatri didalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar (βF) dalam moda aktifmaju. ungu: batas daya maksimum Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda. transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal. • Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-maju. menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis. Pembedaan tingkat komposisi dalam basis. biru: batas IC maksimum. seperti epitaksi fasa uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler. merah: batas VCE maksimum. terutama dibedakan oleh panjar yang diberikan: • Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur.

Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E. dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub. atau sakelar yang terbuka. Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini. • Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju.moda ini. atau sakelar yang tertutup. Tegangan potong biasanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang. mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang dari beberapa ratus milivolt). tetapi ini juga bisa berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran. daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Transistor dalam moda aktif-maju Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber tegangan. βF pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup. pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua pertemuan dipanjar terbalik). Moda transistor ini jarang digunakan. Arus yang mengalir sangat kecil. • Putus: pada keadaan putus. Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal. BJT memasuki moda jenuh dan memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Tegangan yang 10 . dengan demikian berkorespondensi dengan logika mati. VBE harus diatas harga minimum yang sering disebut sebagai tegangan potong. • Tembusan bandang Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup besar.

perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut dengan penguatan arus DC. secara umum cara kerjanya adalah sama. Pada perhitungan. tanda panah menunjukkan arah dari arus konvensional. Walaupun begitu. simbol β sering digunakan. medan listrik yang terdapat diantara basis dan kolektor (disebabkan oleh VCE) akan menyebabkan mayoritas elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor untuk membentuk arus kolektor IC. Seperti yang diperlihatkan pada diagram. Pada moda aktif. ketika cakupan frekuensi tidak diperhitungkan. ini juga berubah dengan fungsi yang sama. dan harga penguatan arus AC disebut dengan hfe. Pada moda aktif. kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan mayoritas adalah lubang elektron. Perlu diperhatikan bahwa arus emitor berhubungan dengan VBE secara eksponensial. adalah arus transistor total. arus emitor IE. yang merupakan penjumlahan arus saluran lainnya (IE = IB + IC). peningkatan VBE sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10 kali lipat. IB. Transistor PNP dalam moda aktif-maju Transistor PNP moda aktif Sejarah 11 . Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor. Pada suhu ruang. Elektron yang tertinggal bergabung kembali dengan lubang yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis. aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. Untuk transistor PNP. Pada diagram. harga dari penguatan arus DC disebut dengan hFE.dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan memungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis.

butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23 Juni 1948[11]. Dikembangkan oleh General Electric dan RCA[12] in 1951. Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948[8]. Transistor ini memiliki kemungkinan lebih besar untuk mengalami thermal runaway Teknik produksi Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan • Transistor pertemuan tumbuh. teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub[10]. 12 . Transistor germanium Transistor germanium sering digunakan pada tahun 1950-an dan 1960-an. sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET. • Transistor pertemuan. Setelah menjadi peranti pilihan untuk berbagai rangkaian. baik pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOSFET dan JFET). Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948.Transistor pertama Transistor dwikutub titik-sentuh diciptakan pada Desember 1947[7] di Bell Telephone Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Shockley. membuatnya cocok untuk beberapa penggunaan isyarat tegangan rendah. Karena transistor jenis ini mempunyai tegangan potong yang rendah.

tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Transistor planar. seperti sirkuit diskrit. Dikembangkan oleh Dr. Transistor penghalang permukaan. • Transistor epitaksial[22]. varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh[14] atau transistor pertemuan paduan[15] dengan dua sambungan ke basis. transistor penghalang logam kecepatan tinggi. Prototip[20] dikembangkan di Bell Labs pada tahun 1954. karena tersedia banyak jenis BJT. dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957. transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. Transistor medan-alir.o Transistor paduan mikro. Transistor Mesa. Penggunaan BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan. o o • Transistor tetroda. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti. Transistor paduan mikro terdifusi. Dikembangkan oleh Philco. Jean Hoerni[21] di Fairchild Semiconductor pada tahun 1959. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Transistor paduan terdifusi tonggak. seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara masal. Dikembangkan oleh Philco[13]. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan 13 . transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fasa uap epitaksi. transistor pertemuan dwikutub tipe modern. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan MOSFET. • • Diciptakan oleh Herbert Kroemer[18][19] di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun 1953. terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF). Dikembangkan oleh Philips. o o o Transistor basis terdifusi. implementasi pertama dari transistor difusi. • Transistor difusi. Dikembangkan oleh Philco[16] in 1953[17].

beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi panas dikarenakan arus yang mengalirinya. bagian terpanas dari kepingan semikonduktor menghantarkan lebih banyak lagi arus. Sebuah dioda sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini. Sebagai hasilnya. tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar. Pada moda kegagalan ini. Radiasi menyebabkan penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan kembali.MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor. Bahang yang ditimbulkan menyebabkan pembawa lebih mudah bergerak. sebuah BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang diketahui. Proses regeneratif ini akan terus berlanjut hingga transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami kegagalan. Sensor suhu Karena ketergantungan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-emitor yang dapat dihitung. BJT daya beresiko mengalami moda kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder. 14 .[23]. sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan. Pengubah logaritmik Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor dan kolektor-emitor. Kerawanan Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful