Transistor pertemuan dwikutub

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas

Transistor pertemuan dwikutub

Transistor

pertemuan

dwikutub (BJT) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan
Simbol

baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah

Tipe Kategori Penemu Pembuatan pertama Komponen sejenis Kemasan
Kotak ini: lihat • bicara

Komponen aktif Transistor John Bardeen, Walter Houser Brattain dan William Shockley (Desember 1947) Laboratorium Telepon Bell FET 3 kaki (basis, kolektor, emitor)

satu adalah adalah

pembawa. pembawa dikarenakan

Walaupun mayoritas, pembawa BJT

sebagian kecil dari arus transistor hampir semua arus transistor minoritas, sehingga

diklasifikasikan sebagai peranti

pembawa-minoritas.

1

jika tegangan positif dikenakan pada pertemuan basis-emitor. memungkinkan elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis. Elektron tersebut mengembara (atau menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tinggi dekat emitor menuju konsentrasi rendah dekat kolektor. Dalam transistor NPN. arus dan muatan 2 . pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basiskolektor dipanjar mundur. Untuk memastikannya.Perkenalan NPN BJT dengan pertemuan E–B dipanjar maju dan pertemuan B–C dipanjar mundur Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua dioda adu punggung tunggal anoda. keseimbangan diantara pembawa terbangkitkan kalor dan medan listrik menolak pada daerah pemiskinan menjadi tidak seimbang. sehingga pembawa tersebut dapat menyebar melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa minoritas semikonduktor untuk mengurangi bagian pembawa yang bergabung kembali sebelum mencapai pertemuan kolektor-basis. tetapi elektron yang menyebar melalui basis menuju kolektor disapu menuju kolektor oleh medan pada pertemuan kolektor-basis Pengendalian tegangan. Pada penggunaan biasa. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik. jadi sedikit sekali injeksi elektron yang terjadi dari kolektor ke basis. ketebalan basis dibuat jauh lebih rendah dari panjang penyebaran dari elektron. sebagai contoh. Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis. Elektron pada basis dinamakan pembawa minoritas karena basis dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa mayoritas pada basis.

Walaupun begitu. jadi pandangan kontrol-tegangan sering diutamakan. menghitung distribusi dari muatan tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor dengan lebih tepat. tetapi jika ini dilinierkan. Beberapa sirkuit dasar dapat didesain dengan mengasumsikan bahwa tegangan emitor-basis kira-kira tetap. transistor dapat dimodelkan sebagai sebuah transkonduktansi. desain untuk sirkuit seperti penguat diferensial menjadi masalah linier. dimana pembawa minoritas di daerah basis dibangkitkan oleh penyerapan foton. transistor biasanya dimodelkan sebagai terkendali tegangan dengan transkonduktansi sebanding dengan arus kolektor. dan menangani pematian dinamik atau waktu pulih. Walaupun begitu.[1] Penjelasan fisika untuk arus kolektor adalah jumlah muatan pembawa minoritas pada daerah basis. untuk mendesain sirkuit BJT dengan akurat dan dapat diandalkan. diperlukan model kendali-tegangan (sebagai contoh model Ebers–Moll)[1]. dan arus kolektor adalah beta kali lipat dari arus basis. Arus kolektor kira-kira βF kali lipat dari arus basis. Model kendali-tegangan membutuhkan fungsi eksponensial yang harus diperhitungkan. pandangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan pada desain dan analisis sirkuit. Tundaan penghidupan. model Gummel–Poon. dimana kurva eksponensiak I-V adalah kunci dari operasi. yang mana bergantung pada penggabungan kembali muatan di daerah basis. karena muatan basis bukanlah isyarat yang dapat diukur pada saluran.[4] Pandangan mengenai kendali-muatan dengan mudah menangani transistor-foto. seperti pada model Ebers–Moll. Untuk sirkuit translinier.[1][2][3] Model mendetail dari kerja transistor. Pandangan tersebut berhubungan dengan hubungan arus-tegangan dari pertemuan basis-emitor. yang mana hanya merupakan kurva arus-tegangan eksponensial biasa dari dioda pertemuan p-n. pematian dan penyimpanan 3 .Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kendali arus) atau tegangan basis-emitor (kendali tegangan). pandangan kendali arus sering digunakan karena ini hampir linier. Pada desain sirkuit analog.

9 dan 0. Salah satu cara untuk mengurangi waktu penyimpanan ini adalah dengan menggunakan penggenggam Baker. Penguatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh βF atau hfe. mengalami waktu simpan basis yang panjang sehingga membatasi frekuensi operasi dan kecepatan pensakelaran.998. Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN): Struktur 4 .Transistor dwikutub mengalami beberapa karakteristik tundaan ketika dihidupkan dan dimatikan. Hampir semua transistor. Parameter alfa (α) dan beta (β) transistor Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran dari efisiensi transistor. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor. ini kira-kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor isyarat kecil. Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggalbasis. Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam daerah aktif-maju. diantara 0. Perbandingan ini biasanya mendekati satu. terutama pada transistor yang didesain untuk penggunaan daya tinggi. αF. terutama transistor daya. tapi bisa sangat rendah.

Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dinamai emitor (E). daerah basis dan daerah kolektor. yaitu daerah emitor. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan kolektor-basis.5. seringkali α bahkan kurang dari 0. membuat harga α sangat dekat ke satu. memungkinkan tegangan 5 . membuat hampir tidak mungkin untuk mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri. basis dan emitor disambungkan melalui ikatan kawat BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya. tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP. Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada moda terbalik. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktifmaju. mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur jauh lebih kecil dari harga operasi maju. Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. dan juga memberikan β yang lebih besar. basis (B) dan kolektor (C). sedangkan kolektor dikotori ringan. tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN.Irisan transistor NPN yang disederhanakan Kepingan transistor NPN frekuensi tinggi KSY34. Buruknya simetrisitas terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. Basis secara fisik terletak diantara emitor dan kolektor. Kolektor mengelilingi daerah emitor. dan tipe-n. dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p. Emitor dikotori berat.

terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi. yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. atau penguat arus. lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi. NPN Simbol NPN BJT. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid. Struktur dasar transistor NPN 6 . BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan. dikarenakan rendahnya impedansi pada basis. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan. Pertemuan kolektorbasis dipanjar terbalik pada operasi normal. Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basisemitor menyebabkan arus yang mengalir diantara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor.panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan kolektor-basis bobol. Untuk penguatan arus yang tinggi.

Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p diantara dua lapisan tipe-n. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor. Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang. PNP Jenis lain dari BJT adalah PNP.NPN adalah satu dari dua tipe BJT. Simbol PNP BJT. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional ketika peranti dipanjar maju). Struktur dasar transistor PNP 7 . transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor. memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi. dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor. Dengan kata lain.

[5][6] Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. atau BJT pertemuansejenis. Penghalang menunjukkan elektron untuk bergerak dari emitor ke basis. dan lubang untuk diinjeksikan kembali dari basis ke emitor. Dengan kata lain. dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφn). menghasilkan resistansi yang lebih rendah untuk mengakses elektroda basis. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis. Sebagai tambahan.Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n diantara dua lapis semikonduktor tipe-p. dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor. Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat. yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada keluaran kolektor. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφp). efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran diantaran emitor dan basis. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHz. membuat resistansioya relatif tinggi. transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada emitor. Susunan penghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitorbasis dipanjar terbalik. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis Jalur dalam transistor dwikutub pertemuan-taksejenis. Tanda panah pada simbol diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam. terutama sistem RF. pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki 8 . Dalam BJT tradisional.

• Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-maju. misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe. Daerah operasi Batas operasi aman transistor. seperti epitaksi fasa uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler. menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis. ungu: batas daya maksimum Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda.karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi. tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai ΔφG). Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar (βF) dalam moda aktifmaju. Pada 9 . terutama dibedakan oleh panjar yang diberikan: • Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. in forward-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis. memberikan medan terpatri didalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. Pembedaan tingkat komposisi dalam basis. transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. merah: batas VCE maksimum. Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikongermanium dan aluminium arsenid. biru: batas IC maksimum. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal.

atau sakelar yang tertutup. Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal.moda ini. dengan demikian berkorespondensi dengan logika mati. • Putus: pada keadaan putus. BJT memasuki moda jenuh dan memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Arus yang mengalir sangat kecil. Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini. dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub. Transistor dalam moda aktif-maju Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber tegangan. VBE harus diatas harga minimum yang sering disebut sebagai tegangan potong. pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua pertemuan dipanjar terbalik). Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup. • Tembusan bandang Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup besar. • Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju. Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E. mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang dari beberapa ratus milivolt). Moda transistor ini jarang digunakan. Tegangan yang 10 . daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Tegangan potong biasanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang. atau sakelar yang terbuka. βF pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. tetapi ini juga bisa berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran.

ketika cakupan frekuensi tidak diperhitungkan. kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan mayoritas adalah lubang elektron. harga dari penguatan arus DC disebut dengan hFE. tanda panah menunjukkan arah dari arus konvensional. ini juga berubah dengan fungsi yang sama. Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor. secara umum cara kerjanya adalah sama. Pada moda aktif. simbol β sering digunakan. arus emitor IE.dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan memungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis. Pada perhitungan. Untuk transistor PNP. adalah arus transistor total. Pada suhu ruang. medan listrik yang terdapat diantara basis dan kolektor (disebabkan oleh VCE) akan menyebabkan mayoritas elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor untuk membentuk arus kolektor IC. yang merupakan penjumlahan arus saluran lainnya (IE = IB + IC). Walaupun begitu. Elektron yang tertinggal bergabung kembali dengan lubang yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis. Perlu diperhatikan bahwa arus emitor berhubungan dengan VBE secara eksponensial. dan harga penguatan arus AC disebut dengan hfe. Transistor PNP dalam moda aktif-maju Transistor PNP moda aktif Sejarah 11 . Seperti yang diperlihatkan pada diagram. perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut dengan penguatan arus DC. aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. Pada diagram. peningkatan VBE sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10 kali lipat. IB. Pada moda aktif.

sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET. Transistor ini memiliki kemungkinan lebih besar untuk mengalami thermal runaway Teknik produksi Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan • Transistor pertemuan tumbuh. • Transistor pertemuan. Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948. Transistor germanium Transistor germanium sering digunakan pada tahun 1950-an dan 1960-an. Karena transistor jenis ini mempunyai tegangan potong yang rendah.Transistor pertama Transistor dwikutub titik-sentuh diciptakan pada Desember 1947[7] di Bell Telephone Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Shockley. membuatnya cocok untuk beberapa penggunaan isyarat tegangan rendah. Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948[8]. baik pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOSFET dan JFET). teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub[10]. Setelah menjadi peranti pilihan untuk berbagai rangkaian. butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. 12 . Dikembangkan oleh General Electric dan RCA[12] in 1951. Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23 Juni 1948[11].

tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. karena tersedia banyak jenis BJT. Dikembangkan oleh Philips. Prototip[20] dikembangkan di Bell Labs pada tahun 1954. varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh[14] atau transistor pertemuan paduan[15] dengan dua sambungan ke basis. Transistor paduan terdifusi tonggak. Transistor Mesa. Dikembangkan oleh Philco[16] in 1953[17]. transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fasa uap epitaksi. Transistor medan-alir. o o o Transistor basis terdifusi.o Transistor paduan mikro. o o • Transistor tetroda. Dikembangkan oleh Philco[13]. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti. transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan MOSFET. • Transistor epitaksial[22]. • Transistor difusi. Transistor planar. terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF). transistor pertemuan dwikutub tipe modern. Dikembangkan oleh Dr. teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara masal. Transistor paduan mikro terdifusi. • • Diciptakan oleh Herbert Kroemer[18][19] di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun 1953. Transistor penghalang permukaan. transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. seperti sirkuit diskrit. seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. transistor penghalang logam kecepatan tinggi. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Jean Hoerni[21] di Fairchild Semiconductor pada tahun 1959. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan 13 . Dikembangkan oleh Philco. dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus. Penggunaan BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan. implementasi pertama dari transistor difusi.

Sebuah dioda sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini. Bahang yang ditimbulkan menyebabkan pembawa lebih mudah bergerak. sebuah BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang diketahui. Sebagai hasilnya.MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor. Pada moda kegagalan ini. BJT daya beresiko mengalami moda kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder. Radiasi menyebabkan penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan kembali. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan. Proses regeneratif ini akan terus berlanjut hingga transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami kegagalan. 14 . sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma. beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi panas dikarenakan arus yang mengalirinya. tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar. bagian terpanas dari kepingan semikonduktor menghantarkan lebih banyak lagi arus. Kerawanan Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi.[23]. Sensor suhu Karena ketergantungan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-emitor yang dapat dihitung. Pengubah logaritmik Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor dan kolektor-emitor.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful