Transistor pertemuan dwikutub

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas

Transistor pertemuan dwikutub

Transistor

pertemuan

dwikutub (BJT) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan
Simbol

baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah

Tipe Kategori Penemu Pembuatan pertama Komponen sejenis Kemasan
Kotak ini: lihat • bicara

Komponen aktif Transistor John Bardeen, Walter Houser Brattain dan William Shockley (Desember 1947) Laboratorium Telepon Bell FET 3 kaki (basis, kolektor, emitor)

satu adalah adalah

pembawa. pembawa dikarenakan

Walaupun mayoritas, pembawa BJT

sebagian kecil dari arus transistor hampir semua arus transistor minoritas, sehingga

diklasifikasikan sebagai peranti

pembawa-minoritas.

1

jadi sedikit sekali injeksi elektron yang terjadi dari kolektor ke basis. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik. ketebalan basis dibuat jauh lebih rendah dari panjang penyebaran dari elektron. memungkinkan elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis. keseimbangan diantara pembawa terbangkitkan kalor dan medan listrik menolak pada daerah pemiskinan menjadi tidak seimbang. Elektron pada basis dinamakan pembawa minoritas karena basis dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa mayoritas pada basis. tetapi elektron yang menyebar melalui basis menuju kolektor disapu menuju kolektor oleh medan pada pertemuan kolektor-basis Pengendalian tegangan. sehingga pembawa tersebut dapat menyebar melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa minoritas semikonduktor untuk mengurangi bagian pembawa yang bergabung kembali sebelum mencapai pertemuan kolektor-basis. Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis. Untuk memastikannya. pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basiskolektor dipanjar mundur.Perkenalan NPN BJT dengan pertemuan E–B dipanjar maju dan pertemuan B–C dipanjar mundur Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua dioda adu punggung tunggal anoda. Pada penggunaan biasa. Dalam transistor NPN. arus dan muatan 2 . Elektron tersebut mengembara (atau menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tinggi dekat emitor menuju konsentrasi rendah dekat kolektor. sebagai contoh. jika tegangan positif dikenakan pada pertemuan basis-emitor.

untuk mendesain sirkuit BJT dengan akurat dan dapat diandalkan. dimana pembawa minoritas di daerah basis dibangkitkan oleh penyerapan foton. transistor dapat dimodelkan sebagai sebuah transkonduktansi. dan arus kolektor adalah beta kali lipat dari arus basis. Pandangan tersebut berhubungan dengan hubungan arus-tegangan dari pertemuan basis-emitor. Pada desain sirkuit analog. Model kendali-tegangan membutuhkan fungsi eksponensial yang harus diperhitungkan. Tundaan penghidupan. jadi pandangan kontrol-tegangan sering diutamakan. diperlukan model kendali-tegangan (sebagai contoh model Ebers–Moll)[1]. Arus kolektor kira-kira βF kali lipat dari arus basis.Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kendali arus) atau tegangan basis-emitor (kendali tegangan). Untuk sirkuit translinier. pandangan kendali arus sering digunakan karena ini hampir linier.[1] Penjelasan fisika untuk arus kolektor adalah jumlah muatan pembawa minoritas pada daerah basis. desain untuk sirkuit seperti penguat diferensial menjadi masalah linier. Walaupun begitu. dimana kurva eksponensiak I-V adalah kunci dari operasi. pandangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan pada desain dan analisis sirkuit. karena muatan basis bukanlah isyarat yang dapat diukur pada saluran. dan menangani pematian dinamik atau waktu pulih.[4] Pandangan mengenai kendali-muatan dengan mudah menangani transistor-foto. Beberapa sirkuit dasar dapat didesain dengan mengasumsikan bahwa tegangan emitor-basis kira-kira tetap.[1][2][3] Model mendetail dari kerja transistor. yang mana hanya merupakan kurva arus-tegangan eksponensial biasa dari dioda pertemuan p-n. Walaupun begitu. yang mana bergantung pada penggabungan kembali muatan di daerah basis. pematian dan penyimpanan 3 . model Gummel–Poon. seperti pada model Ebers–Moll. tetapi jika ini dilinierkan. transistor biasanya dimodelkan sebagai terkendali tegangan dengan transkonduktansi sebanding dengan arus kolektor. menghitung distribusi dari muatan tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor dengan lebih tepat.

terutama transistor daya.9 dan 0. Parameter alfa (α) dan beta (β) transistor Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran dari efisiensi transistor. Penguatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh βF atau hfe. Salah satu cara untuk mengurangi waktu penyimpanan ini adalah dengan menggunakan penggenggam Baker. ini kira-kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor isyarat kecil. Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam daerah aktif-maju. diantara 0.Transistor dwikutub mengalami beberapa karakteristik tundaan ketika dihidupkan dan dimatikan. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor. αF. Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggalbasis. Hampir semua transistor. terutama pada transistor yang didesain untuk penggunaan daya tinggi. tapi bisa sangat rendah.998. Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN): Struktur 4 . mengalami waktu simpan basis yang panjang sehingga membatasi frekuensi operasi dan kecepatan pensakelaran. Perbandingan ini biasanya mendekati satu.

memungkinkan tegangan 5 . Buruknya simetrisitas terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktifmaju. Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. basis (B) dan kolektor (C). sedangkan kolektor dikotori ringan. Emitor dikotori berat. dan tipe-n. seringkali α bahkan kurang dari 0. mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur jauh lebih kecil dari harga operasi maju. Kolektor mengelilingi daerah emitor. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan kolektor-basis. dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p.5. membuat hampir tidak mungkin untuk mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri. daerah basis dan daerah kolektor. dan juga memberikan β yang lebih besar. membuat harga α sangat dekat ke satu. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dinamai emitor (E). yaitu daerah emitor. Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada moda terbalik. basis dan emitor disambungkan melalui ikatan kawat BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya.Irisan transistor NPN yang disederhanakan Kepingan transistor NPN frekuensi tinggi KSY34. tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. Basis secara fisik terletak diantara emitor dan kolektor. tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP.

NPN Simbol NPN BJT. Pertemuan kolektorbasis dipanjar terbalik pada operasi normal. dikarenakan rendahnya impedansi pada basis. lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus. yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi. hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor. atau penguat arus. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan. Untuk penguatan arus yang tinggi. Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basisemitor menyebabkan arus yang mengalir diantara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid.panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan kolektor-basis bobol. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi. Struktur dasar transistor NPN 6 . Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan.

Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p diantara dua lapisan tipe-n. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor. memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi. dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor. Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang. PNP Jenis lain dari BJT adalah PNP. Simbol PNP BJT. transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor. Struktur dasar transistor PNP 7 . Dengan kata lain. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional ketika peranti dipanjar maju).NPN adalah satu dari dua tipe BJT.

transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada emitor. Tanda panah pada simbol diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam. membuat resistansioya relatif tinggi. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHz. yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi. dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφn). Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada keluaran kolektor. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat. Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat.Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n diantara dua lapis semikonduktor tipe-p. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis Jalur dalam transistor dwikutub pertemuan-taksejenis. menghasilkan resistansi yang lebih rendah untuk mengakses elektroda basis. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis. efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran diantaran emitor dan basis. Dalam BJT tradisional. Penghalang menunjukkan elektron untuk bergerak dari emitor ke basis. atau BJT pertemuansejenis. Dengan kata lain. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφp).[5][6] Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. Sebagai tambahan. dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor. Susunan penghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitorbasis dipanjar terbalik. terutama sistem RF. pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki 8 . dan lubang untuk diinjeksikan kembali dari basis ke emitor.

• Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-maju. Pembedaan tingkat komposisi dalam basis.karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit. memberikan medan terpatri didalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikongermanium dan aluminium arsenid. ungu: batas daya maksimum Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal. transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe. biru: batas IC maksimum. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar (βF) dalam moda aktifmaju. Pada 9 . Daerah operasi Batas operasi aman transistor. seperti epitaksi fasa uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi. in forward-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis. menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis. menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai ΔφG). merah: batas VCE maksimum. terutama dibedakan oleh panjar yang diberikan: • Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur.

Arus yang mengalir sangat kecil. atau sakelar yang tertutup. mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang dari beberapa ratus milivolt). Tegangan potong biasanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang. • Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju. βF pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. tetapi ini juga bisa berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran. daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Tegangan yang 10 . Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal. atau sakelar yang terbuka. dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub. Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini. pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua pertemuan dipanjar terbalik). BJT memasuki moda jenuh dan memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. VBE harus diatas harga minimum yang sering disebut sebagai tegangan potong. • Putus: pada keadaan putus. Transistor dalam moda aktif-maju Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber tegangan. Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup.moda ini. Moda transistor ini jarang digunakan. Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E. dengan demikian berkorespondensi dengan logika mati. • Tembusan bandang Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup besar.

Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor. secara umum cara kerjanya adalah sama. medan listrik yang terdapat diantara basis dan kolektor (disebabkan oleh VCE) akan menyebabkan mayoritas elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor untuk membentuk arus kolektor IC. Seperti yang diperlihatkan pada diagram. peningkatan VBE sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10 kali lipat. ini juga berubah dengan fungsi yang sama. dan harga penguatan arus AC disebut dengan hfe. Untuk transistor PNP. arus emitor IE. Perlu diperhatikan bahwa arus emitor berhubungan dengan VBE secara eksponensial. Elektron yang tertinggal bergabung kembali dengan lubang yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis. Pada suhu ruang. tanda panah menunjukkan arah dari arus konvensional. Pada diagram. IB. Pada perhitungan. perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut dengan penguatan arus DC. Pada moda aktif. Pada moda aktif. simbol β sering digunakan. aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. adalah arus transistor total. kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan mayoritas adalah lubang elektron. yang merupakan penjumlahan arus saluran lainnya (IE = IB + IC). harga dari penguatan arus DC disebut dengan hFE. Transistor PNP dalam moda aktif-maju Transistor PNP moda aktif Sejarah 11 . Walaupun begitu. ketika cakupan frekuensi tidak diperhitungkan.dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan memungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis.

butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. membuatnya cocok untuk beberapa penggunaan isyarat tegangan rendah. • Transistor pertemuan. Setelah menjadi peranti pilihan untuk berbagai rangkaian. Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948. baik pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOSFET dan JFET). sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET. Karena transistor jenis ini mempunyai tegangan potong yang rendah. 12 . Transistor germanium Transistor germanium sering digunakan pada tahun 1950-an dan 1960-an. Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23 Juni 1948[11]. Dikembangkan oleh General Electric dan RCA[12] in 1951. Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948[8]. teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub[10]. Transistor ini memiliki kemungkinan lebih besar untuk mengalami thermal runaway Teknik produksi Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan • Transistor pertemuan tumbuh.Transistor pertama Transistor dwikutub titik-sentuh diciptakan pada Desember 1947[7] di Bell Telephone Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Shockley.

Transistor planar. Dikembangkan oleh Dr. Transistor penghalang permukaan. seperti sirkuit diskrit. o o o Transistor basis terdifusi. • Transistor epitaksial[22]. Transistor medan-alir. Transistor Mesa. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Jean Hoerni[21] di Fairchild Semiconductor pada tahun 1959. transistor pertemuan dwikutub tipe modern. transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan MOSFET. seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. Dikembangkan oleh Philco[13]. varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh[14] atau transistor pertemuan paduan[15] dengan dua sambungan ke basis. Dikembangkan oleh Philco. Transistor paduan terdifusi tonggak.o Transistor paduan mikro. • Transistor difusi. Dikembangkan oleh Philco[16] in 1953[17]. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus. o o • Transistor tetroda. Prototip[20] dikembangkan di Bell Labs pada tahun 1954. • • Diciptakan oleh Herbert Kroemer[18][19] di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun 1953. dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957. karena tersedia banyak jenis BJT. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fasa uap epitaksi. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti. transistor penghalang logam kecepatan tinggi. Penggunaan BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan. Dikembangkan oleh Philips. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan 13 . implementasi pertama dari transistor difusi. transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara masal. Transistor paduan mikro terdifusi. terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF).

Sensor suhu Karena ketergantungan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-emitor yang dapat dihitung. bagian terpanas dari kepingan semikonduktor menghantarkan lebih banyak lagi arus. beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi panas dikarenakan arus yang mengalirinya. tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar. sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma. Bahang yang ditimbulkan menyebabkan pembawa lebih mudah bergerak. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan.MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor. Radiasi menyebabkan penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan kembali. Sebagai hasilnya. Pada moda kegagalan ini. BJT daya beresiko mengalami moda kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder.[23]. Pengubah logaritmik Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor dan kolektor-emitor. 14 . Sebuah dioda sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini. Proses regeneratif ini akan terus berlanjut hingga transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami kegagalan. sebuah BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang diketahui. Kerawanan Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful