Transistor pertemuan dwikutub

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas

Transistor pertemuan dwikutub

Transistor

pertemuan

dwikutub (BJT) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan
Simbol

baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah

Tipe Kategori Penemu Pembuatan pertama Komponen sejenis Kemasan
Kotak ini: lihat • bicara

Komponen aktif Transistor John Bardeen, Walter Houser Brattain dan William Shockley (Desember 1947) Laboratorium Telepon Bell FET 3 kaki (basis, kolektor, emitor)

satu adalah adalah

pembawa. pembawa dikarenakan

Walaupun mayoritas, pembawa BJT

sebagian kecil dari arus transistor hampir semua arus transistor minoritas, sehingga

diklasifikasikan sebagai peranti

pembawa-minoritas.

1

Elektron pada basis dinamakan pembawa minoritas karena basis dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa mayoritas pada basis.Perkenalan NPN BJT dengan pertemuan E–B dipanjar maju dan pertemuan B–C dipanjar mundur Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua dioda adu punggung tunggal anoda. jika tegangan positif dikenakan pada pertemuan basis-emitor. memungkinkan elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis. Elektron tersebut mengembara (atau menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tinggi dekat emitor menuju konsentrasi rendah dekat kolektor. tetapi elektron yang menyebar melalui basis menuju kolektor disapu menuju kolektor oleh medan pada pertemuan kolektor-basis Pengendalian tegangan. keseimbangan diantara pembawa terbangkitkan kalor dan medan listrik menolak pada daerah pemiskinan menjadi tidak seimbang. sebagai contoh. arus dan muatan 2 . pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basiskolektor dipanjar mundur. Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis. ketebalan basis dibuat jauh lebih rendah dari panjang penyebaran dari elektron. jadi sedikit sekali injeksi elektron yang terjadi dari kolektor ke basis. Dalam transistor NPN. Untuk memastikannya. sehingga pembawa tersebut dapat menyebar melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa minoritas semikonduktor untuk mengurangi bagian pembawa yang bergabung kembali sebelum mencapai pertemuan kolektor-basis. Pada penggunaan biasa. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik.

desain untuk sirkuit seperti penguat diferensial menjadi masalah linier. Beberapa sirkuit dasar dapat didesain dengan mengasumsikan bahwa tegangan emitor-basis kira-kira tetap. Tundaan penghidupan. Pandangan tersebut berhubungan dengan hubungan arus-tegangan dari pertemuan basis-emitor.[4] Pandangan mengenai kendali-muatan dengan mudah menangani transistor-foto. yang mana hanya merupakan kurva arus-tegangan eksponensial biasa dari dioda pertemuan p-n.Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kendali arus) atau tegangan basis-emitor (kendali tegangan). menghitung distribusi dari muatan tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor dengan lebih tepat. transistor biasanya dimodelkan sebagai terkendali tegangan dengan transkonduktansi sebanding dengan arus kolektor. tetapi jika ini dilinierkan. Arus kolektor kira-kira βF kali lipat dari arus basis. dimana pembawa minoritas di daerah basis dibangkitkan oleh penyerapan foton. model Gummel–Poon. transistor dapat dimodelkan sebagai sebuah transkonduktansi. Walaupun begitu. untuk mendesain sirkuit BJT dengan akurat dan dapat diandalkan. Untuk sirkuit translinier. jadi pandangan kontrol-tegangan sering diutamakan. pematian dan penyimpanan 3 . yang mana bergantung pada penggabungan kembali muatan di daerah basis. pandangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan pada desain dan analisis sirkuit. dimana kurva eksponensiak I-V adalah kunci dari operasi. diperlukan model kendali-tegangan (sebagai contoh model Ebers–Moll)[1].[1][2][3] Model mendetail dari kerja transistor. seperti pada model Ebers–Moll. Walaupun begitu. Model kendali-tegangan membutuhkan fungsi eksponensial yang harus diperhitungkan. dan arus kolektor adalah beta kali lipat dari arus basis. pandangan kendali arus sering digunakan karena ini hampir linier. dan menangani pematian dinamik atau waktu pulih.[1] Penjelasan fisika untuk arus kolektor adalah jumlah muatan pembawa minoritas pada daerah basis. karena muatan basis bukanlah isyarat yang dapat diukur pada saluran. Pada desain sirkuit analog.

Parameter alfa (α) dan beta (β) transistor Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran dari efisiensi transistor. αF. Penguatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh βF atau hfe. Salah satu cara untuk mengurangi waktu penyimpanan ini adalah dengan menggunakan penggenggam Baker. Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam daerah aktif-maju. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor. Hampir semua transistor. terutama transistor daya. Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN): Struktur 4 . Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggalbasis.998.Transistor dwikutub mengalami beberapa karakteristik tundaan ketika dihidupkan dan dimatikan.9 dan 0. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor isyarat kecil. Perbandingan ini biasanya mendekati satu. mengalami waktu simpan basis yang panjang sehingga membatasi frekuensi operasi dan kecepatan pensakelaran. terutama pada transistor yang didesain untuk penggunaan daya tinggi. ini kira-kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju. tapi bisa sangat rendah. diantara 0.

membuat harga α sangat dekat ke satu. membuat hampir tidak mungkin untuk mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri. yaitu daerah emitor. sedangkan kolektor dikotori ringan.5. mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur jauh lebih kecil dari harga operasi maju. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktifmaju. Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. seringkali α bahkan kurang dari 0. tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP. dan tipe-n. basis (B) dan kolektor (C). Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan kolektor-basis. Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada moda terbalik. Buruknya simetrisitas terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. Basis secara fisik terletak diantara emitor dan kolektor. basis dan emitor disambungkan melalui ikatan kawat BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya. dan juga memberikan β yang lebih besar.Irisan transistor NPN yang disederhanakan Kepingan transistor NPN frekuensi tinggi KSY34. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dinamai emitor (E). daerah basis dan daerah kolektor. Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p. Emitor dikotori berat. Kolektor mengelilingi daerah emitor. dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. memungkinkan tegangan 5 .

atau penguat arus. dikarenakan rendahnya impedansi pada basis. Pertemuan kolektorbasis dipanjar terbalik pada operasi normal. Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basisemitor menyebabkan arus yang mengalir diantara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi. Untuk penguatan arus yang tinggi. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan.panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan kolektor-basis bobol. NPN Simbol NPN BJT. lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus. terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid. yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. Struktur dasar transistor NPN 6 . Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan.

Simbol PNP BJT. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional ketika peranti dipanjar maju). PNP Jenis lain dari BJT adalah PNP. dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor. Struktur dasar transistor PNP 7 . Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang.NPN adalah satu dari dua tipe BJT. transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor. memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi. Dengan kata lain. Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p diantara dua lapisan tipe-n.

Tanda panah pada simbol diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam. dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor. Sebagai tambahan. dan lubang untuk diinjeksikan kembali dari basis ke emitor. yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi. transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada emitor. Dalam BJT tradisional. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis. Susunan penghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitorbasis dipanjar terbalik. efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran diantaran emitor dan basis. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada keluaran kolektor. dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφn). atau BJT pertemuansejenis. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφp). Dengan kata lain. membuat resistansioya relatif tinggi. pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki 8 . terutama sistem RF. Penghalang menunjukkan elektron untuk bergerak dari emitor ke basis.[5][6] Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat. menghasilkan resistansi yang lebih rendah untuk mengakses elektroda basis. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHz. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat.Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n diantara dua lapis semikonduktor tipe-p. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis Jalur dalam transistor dwikutub pertemuan-taksejenis.

Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar (βF) dalam moda aktifmaju. memberikan medan terpatri didalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikongermanium dan aluminium arsenid. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal. Pada 9 . misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe. biru: batas IC maksimum. menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis. ungu: batas daya maksimum Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda. Pembedaan tingkat komposisi dalam basis. terutama dibedakan oleh panjar yang diberikan: • Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. seperti epitaksi fasa uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler. Daerah operasi Batas operasi aman transistor. transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. • Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-maju. menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai ΔφG). Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi. tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. merah: batas VCE maksimum.karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit. in forward-active mode.

tetapi ini juga bisa berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran. Arus yang mengalir sangat kecil. dengan demikian berkorespondensi dengan logika mati. Transistor dalam moda aktif-maju Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber tegangan. Tegangan yang 10 . Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini. • Tembusan bandang Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup besar. mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang dari beberapa ratus milivolt). Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal. Tegangan potong biasanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang. βF pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah.moda ini. • Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju. atau sakelar yang tertutup. dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub. pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua pertemuan dipanjar terbalik). Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E. VBE harus diatas harga minimum yang sering disebut sebagai tegangan potong. BJT memasuki moda jenuh dan memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. atau sakelar yang terbuka. • Putus: pada keadaan putus. Moda transistor ini jarang digunakan. Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup. daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi.

IB. ini juga berubah dengan fungsi yang sama. Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor. Transistor PNP dalam moda aktif-maju Transistor PNP moda aktif Sejarah 11 . Walaupun begitu. Untuk transistor PNP. dan harga penguatan arus AC disebut dengan hfe. perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut dengan penguatan arus DC. adalah arus transistor total. Seperti yang diperlihatkan pada diagram. Perlu diperhatikan bahwa arus emitor berhubungan dengan VBE secara eksponensial. medan listrik yang terdapat diantara basis dan kolektor (disebabkan oleh VCE) akan menyebabkan mayoritas elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor untuk membentuk arus kolektor IC. kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan mayoritas adalah lubang elektron. harga dari penguatan arus DC disebut dengan hFE. simbol β sering digunakan. Pada suhu ruang. Elektron yang tertinggal bergabung kembali dengan lubang yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis. Pada diagram. secara umum cara kerjanya adalah sama. aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. Pada moda aktif.dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan memungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis. arus emitor IE. tanda panah menunjukkan arah dari arus konvensional. Pada moda aktif. yang merupakan penjumlahan arus saluran lainnya (IE = IB + IC). ketika cakupan frekuensi tidak diperhitungkan. peningkatan VBE sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10 kali lipat. Pada perhitungan.

teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub[10]. membuatnya cocok untuk beberapa penggunaan isyarat tegangan rendah. Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948[8]. butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23 Juni 1948[11]. Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948. Transistor germanium Transistor germanium sering digunakan pada tahun 1950-an dan 1960-an. baik pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOSFET dan JFET). Setelah menjadi peranti pilihan untuk berbagai rangkaian. 12 . • Transistor pertemuan.Transistor pertama Transistor dwikutub titik-sentuh diciptakan pada Desember 1947[7] di Bell Telephone Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Shockley. Transistor ini memiliki kemungkinan lebih besar untuk mengalami thermal runaway Teknik produksi Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan • Transistor pertemuan tumbuh. sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET. Dikembangkan oleh General Electric dan RCA[12] in 1951. Karena transistor jenis ini mempunyai tegangan potong yang rendah.

• Transistor epitaksial[22]. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan 13 . transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fasa uap epitaksi. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Jean Hoerni[21] di Fairchild Semiconductor pada tahun 1959. • Transistor difusi. Transistor planar. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Transistor penghalang permukaan. Penggunaan BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan. • • Diciptakan oleh Herbert Kroemer[18][19] di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun 1953. Dikembangkan oleh Philips. transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. Transistor Mesa. transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan MOSFET. Transistor paduan terdifusi tonggak. karena tersedia banyak jenis BJT. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus. implementasi pertama dari transistor difusi. teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara masal. varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh[14] atau transistor pertemuan paduan[15] dengan dua sambungan ke basis. Dikembangkan oleh Philco.o Transistor paduan mikro. terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF). transistor pertemuan dwikutub tipe modern. o o • Transistor tetroda. dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957. Transistor paduan mikro terdifusi. Dikembangkan oleh Philco[16] in 1953[17]. Dikembangkan oleh Dr. seperti sirkuit diskrit. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti. Dikembangkan oleh Philco[13]. Transistor medan-alir. seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. o o o Transistor basis terdifusi. Prototip[20] dikembangkan di Bell Labs pada tahun 1954. transistor penghalang logam kecepatan tinggi.

Proses regeneratif ini akan terus berlanjut hingga transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami kegagalan. sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma. Radiasi menyebabkan penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan kembali. Pada moda kegagalan ini. bagian terpanas dari kepingan semikonduktor menghantarkan lebih banyak lagi arus. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan. tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar. Sebuah dioda sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini. Sensor suhu Karena ketergantungan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-emitor yang dapat dihitung.MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor. BJT daya beresiko mengalami moda kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder. Kerawanan Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi. sebuah BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang diketahui. Sebagai hasilnya.[23]. 14 . beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi panas dikarenakan arus yang mengalirinya. Pengubah logaritmik Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor dan kolektor-emitor. Bahang yang ditimbulkan menyebabkan pembawa lebih mudah bergerak.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful