P. 1
Transistor pertemuan dwikutub

Transistor pertemuan dwikutub

|Views: 59|Likes:
Published by Rahmat Nur Widodo

More info:

Published by: Rahmat Nur Widodo on Feb 18, 2011
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOC, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

02/18/2011

pdf

text

original

Transistor pertemuan dwikutub

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas

Transistor pertemuan dwikutub

Transistor

pertemuan

dwikutub (BJT) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan
Simbol

baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah

Tipe Kategori Penemu Pembuatan pertama Komponen sejenis Kemasan
Kotak ini: lihat • bicara

Komponen aktif Transistor John Bardeen, Walter Houser Brattain dan William Shockley (Desember 1947) Laboratorium Telepon Bell FET 3 kaki (basis, kolektor, emitor)

satu adalah adalah

pembawa. pembawa dikarenakan

Walaupun mayoritas, pembawa BJT

sebagian kecil dari arus transistor hampir semua arus transistor minoritas, sehingga

diklasifikasikan sebagai peranti

pembawa-minoritas.

1

Elektron pada basis dinamakan pembawa minoritas karena basis dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa mayoritas pada basis. Dalam transistor NPN. memungkinkan elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis. sebagai contoh. jika tegangan positif dikenakan pada pertemuan basis-emitor. sehingga pembawa tersebut dapat menyebar melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa minoritas semikonduktor untuk mengurangi bagian pembawa yang bergabung kembali sebelum mencapai pertemuan kolektor-basis. Untuk memastikannya. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik. arus dan muatan 2 . keseimbangan diantara pembawa terbangkitkan kalor dan medan listrik menolak pada daerah pemiskinan menjadi tidak seimbang. jadi sedikit sekali injeksi elektron yang terjadi dari kolektor ke basis. tetapi elektron yang menyebar melalui basis menuju kolektor disapu menuju kolektor oleh medan pada pertemuan kolektor-basis Pengendalian tegangan. pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basiskolektor dipanjar mundur. Elektron tersebut mengembara (atau menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tinggi dekat emitor menuju konsentrasi rendah dekat kolektor.Perkenalan NPN BJT dengan pertemuan E–B dipanjar maju dan pertemuan B–C dipanjar mundur Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua dioda adu punggung tunggal anoda. Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis. ketebalan basis dibuat jauh lebih rendah dari panjang penyebaran dari elektron. Pada penggunaan biasa.

[1] Penjelasan fisika untuk arus kolektor adalah jumlah muatan pembawa minoritas pada daerah basis. karena muatan basis bukanlah isyarat yang dapat diukur pada saluran.Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kendali arus) atau tegangan basis-emitor (kendali tegangan). desain untuk sirkuit seperti penguat diferensial menjadi masalah linier. jadi pandangan kontrol-tegangan sering diutamakan. pandangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan pada desain dan analisis sirkuit. Tundaan penghidupan. diperlukan model kendali-tegangan (sebagai contoh model Ebers–Moll)[1]. Beberapa sirkuit dasar dapat didesain dengan mengasumsikan bahwa tegangan emitor-basis kira-kira tetap. pematian dan penyimpanan 3 . transistor biasanya dimodelkan sebagai terkendali tegangan dengan transkonduktansi sebanding dengan arus kolektor. Arus kolektor kira-kira βF kali lipat dari arus basis.[4] Pandangan mengenai kendali-muatan dengan mudah menangani transistor-foto. dan arus kolektor adalah beta kali lipat dari arus basis. model Gummel–Poon. Model kendali-tegangan membutuhkan fungsi eksponensial yang harus diperhitungkan. Walaupun begitu. Walaupun begitu.[1][2][3] Model mendetail dari kerja transistor. pandangan kendali arus sering digunakan karena ini hampir linier. dimana kurva eksponensiak I-V adalah kunci dari operasi. dimana pembawa minoritas di daerah basis dibangkitkan oleh penyerapan foton. Pada desain sirkuit analog. Pandangan tersebut berhubungan dengan hubungan arus-tegangan dari pertemuan basis-emitor. menghitung distribusi dari muatan tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor dengan lebih tepat. tetapi jika ini dilinierkan. Untuk sirkuit translinier. transistor dapat dimodelkan sebagai sebuah transkonduktansi. untuk mendesain sirkuit BJT dengan akurat dan dapat diandalkan. yang mana bergantung pada penggabungan kembali muatan di daerah basis. seperti pada model Ebers–Moll. dan menangani pematian dinamik atau waktu pulih. yang mana hanya merupakan kurva arus-tegangan eksponensial biasa dari dioda pertemuan p-n.

ini kira-kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju.Transistor dwikutub mengalami beberapa karakteristik tundaan ketika dihidupkan dan dimatikan. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor. tapi bisa sangat rendah.998. αF. Salah satu cara untuk mengurangi waktu penyimpanan ini adalah dengan menggunakan penggenggam Baker. Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam daerah aktif-maju. mengalami waktu simpan basis yang panjang sehingga membatasi frekuensi operasi dan kecepatan pensakelaran. terutama transistor daya. Perbandingan ini biasanya mendekati satu. Penguatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh βF atau hfe.9 dan 0. Hampir semua transistor. terutama pada transistor yang didesain untuk penggunaan daya tinggi. Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggalbasis. Parameter alfa (α) dan beta (β) transistor Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran dari efisiensi transistor. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor isyarat kecil. Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN): Struktur 4 . diantara 0.

membuat harga α sangat dekat ke satu. seringkali α bahkan kurang dari 0. tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. Emitor dikotori berat. basis (B) dan kolektor (C). membuat hampir tidak mungkin untuk mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri. daerah basis dan daerah kolektor. Buruknya simetrisitas terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur jauh lebih kecil dari harga operasi maju. dan tipe-n. sedangkan kolektor dikotori ringan. tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP. Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan kolektor-basis. Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada moda terbalik. Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p. Basis secara fisik terletak diantara emitor dan kolektor. yaitu daerah emitor. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktifmaju. dan juga memberikan β yang lebih besar. basis dan emitor disambungkan melalui ikatan kawat BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya. Kolektor mengelilingi daerah emitor. memungkinkan tegangan 5 .5. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dinamai emitor (E).Irisan transistor NPN yang disederhanakan Kepingan transistor NPN frekuensi tinggi KSY34.

Pertemuan kolektorbasis dipanjar terbalik pada operasi normal. Untuk penguatan arus yang tinggi. NPN Simbol NPN BJT.panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan kolektor-basis bobol. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi. yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. atau penguat arus. Struktur dasar transistor NPN 6 . Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid. dikarenakan rendahnya impedansi pada basis. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan. lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus. Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basisemitor menyebabkan arus yang mengalir diantara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan. terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi. hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor.

Struktur dasar transistor PNP 7 . dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor.NPN adalah satu dari dua tipe BJT. Simbol PNP BJT. PNP Jenis lain dari BJT adalah PNP. transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional ketika peranti dipanjar maju). Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor. Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang. memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi. Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p diantara dua lapisan tipe-n. Dengan kata lain.

Dengan kata lain. atau BJT pertemuansejenis. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis.[5][6] Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. dan lubang untuk diinjeksikan kembali dari basis ke emitor. dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor. transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada emitor. Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat. Dalam BJT tradisional. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis Jalur dalam transistor dwikutub pertemuan-taksejenis. yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi. Tanda panah pada simbol diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam. terutama sistem RF. menghasilkan resistansi yang lebih rendah untuk mengakses elektroda basis. efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran diantaran emitor dan basis. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat. Susunan penghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitorbasis dipanjar terbalik.Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n diantara dua lapis semikonduktor tipe-p. membuat resistansioya relatif tinggi. Sebagai tambahan. pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki 8 . Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHz. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφp). Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada keluaran kolektor. dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφn). Penghalang menunjukkan elektron untuk bergerak dari emitor ke basis.

menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai ΔφG). Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar (βF) dalam moda aktifmaju. biru: batas IC maksimum. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal.karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit. in forward-active mode. • Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-maju. transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis. memberikan medan terpatri didalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. terutama dibedakan oleh panjar yang diberikan: • Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikongermanium dan aluminium arsenid. Daerah operasi Batas operasi aman transistor. merah: batas VCE maksimum. seperti epitaksi fasa uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler. Pembedaan tingkat komposisi dalam basis. Pada 9 . misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe. tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. ungu: batas daya maksimum Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda. menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis.

Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup. Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal. daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Moda transistor ini jarang digunakan. mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang dari beberapa ratus milivolt). Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini.moda ini. • Tembusan bandang Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup besar. dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub. atau sakelar yang terbuka. • Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju. dengan demikian berkorespondensi dengan logika mati. • Putus: pada keadaan putus. Tegangan yang 10 . Tegangan potong biasanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang. BJT memasuki moda jenuh dan memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E. pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua pertemuan dipanjar terbalik). Transistor dalam moda aktif-maju Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber tegangan. tetapi ini juga bisa berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran. atau sakelar yang tertutup. βF pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. VBE harus diatas harga minimum yang sering disebut sebagai tegangan potong. Arus yang mengalir sangat kecil.

Pada moda aktif. secara umum cara kerjanya adalah sama. IB. aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. Elektron yang tertinggal bergabung kembali dengan lubang yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis. kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan mayoritas adalah lubang elektron. Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor. peningkatan VBE sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10 kali lipat. Perlu diperhatikan bahwa arus emitor berhubungan dengan VBE secara eksponensial. ketika cakupan frekuensi tidak diperhitungkan. ini juga berubah dengan fungsi yang sama. Seperti yang diperlihatkan pada diagram. perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut dengan penguatan arus DC. medan listrik yang terdapat diantara basis dan kolektor (disebabkan oleh VCE) akan menyebabkan mayoritas elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor untuk membentuk arus kolektor IC. yang merupakan penjumlahan arus saluran lainnya (IE = IB + IC). tanda panah menunjukkan arah dari arus konvensional. dan harga penguatan arus AC disebut dengan hfe. Pada suhu ruang. adalah arus transistor total. Pada diagram. Walaupun begitu.dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan memungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis. Pada moda aktif. harga dari penguatan arus DC disebut dengan hFE. simbol β sering digunakan. Untuk transistor PNP. Transistor PNP dalam moda aktif-maju Transistor PNP moda aktif Sejarah 11 . Pada perhitungan. arus emitor IE.

12 . Karena transistor jenis ini mempunyai tegangan potong yang rendah. Transistor ini memiliki kemungkinan lebih besar untuk mengalami thermal runaway Teknik produksi Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan • Transistor pertemuan tumbuh.Transistor pertama Transistor dwikutub titik-sentuh diciptakan pada Desember 1947[7] di Bell Telephone Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Shockley. Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948[8]. Dikembangkan oleh General Electric dan RCA[12] in 1951. Transistor germanium Transistor germanium sering digunakan pada tahun 1950-an dan 1960-an. sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET. Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948. butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub[10]. Setelah menjadi peranti pilihan untuk berbagai rangkaian. • Transistor pertemuan. baik pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOSFET dan JFET). membuatnya cocok untuk beberapa penggunaan isyarat tegangan rendah. Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23 Juni 1948[11].

tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Jean Hoerni[21] di Fairchild Semiconductor pada tahun 1959. Dikembangkan oleh Philco[13]. Transistor medan-alir. Transistor penghalang permukaan. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan 13 . Transistor planar. Dikembangkan oleh Philips. Dikembangkan oleh Philco[16] in 1953[17]. Penggunaan BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan. Transistor Mesa. Transistor paduan terdifusi tonggak. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus. dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957. Dikembangkan oleh Philco. implementasi pertama dari transistor difusi. Dikembangkan oleh Dr. o o • Transistor tetroda. seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh[14] atau transistor pertemuan paduan[15] dengan dua sambungan ke basis. terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF). tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. • • Diciptakan oleh Herbert Kroemer[18][19] di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun 1953. • Transistor difusi. karena tersedia banyak jenis BJT. transistor pertemuan dwikutub tipe modern. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti. Transistor paduan mikro terdifusi. o o o Transistor basis terdifusi. transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fasa uap epitaksi. teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara masal. transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan MOSFET. transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi.o Transistor paduan mikro. Prototip[20] dikembangkan di Bell Labs pada tahun 1954. transistor penghalang logam kecepatan tinggi. seperti sirkuit diskrit. • Transistor epitaksial[22].

[23]. Bahang yang ditimbulkan menyebabkan pembawa lebih mudah bergerak. Pada moda kegagalan ini. Proses regeneratif ini akan terus berlanjut hingga transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami kegagalan.MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor. tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar. sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma. beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi panas dikarenakan arus yang mengalirinya. BJT daya beresiko mengalami moda kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan. Pengubah logaritmik Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor dan kolektor-emitor. Sebagai hasilnya. Kerawanan Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi. bagian terpanas dari kepingan semikonduktor menghantarkan lebih banyak lagi arus. Sebuah dioda sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini. Radiasi menyebabkan penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan kembali. Sensor suhu Karena ketergantungan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-emitor yang dapat dihitung. 14 . sebuah BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang diketahui.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->