Transistor pertemuan dwikutub

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas

Transistor pertemuan dwikutub

Transistor

pertemuan

dwikutub (BJT) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan
Simbol

baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah

Tipe Kategori Penemu Pembuatan pertama Komponen sejenis Kemasan
Kotak ini: lihat • bicara

Komponen aktif Transistor John Bardeen, Walter Houser Brattain dan William Shockley (Desember 1947) Laboratorium Telepon Bell FET 3 kaki (basis, kolektor, emitor)

satu adalah adalah

pembawa. pembawa dikarenakan

Walaupun mayoritas, pembawa BJT

sebagian kecil dari arus transistor hampir semua arus transistor minoritas, sehingga

diklasifikasikan sebagai peranti

pembawa-minoritas.

1

jadi sedikit sekali injeksi elektron yang terjadi dari kolektor ke basis. Elektron pada basis dinamakan pembawa minoritas karena basis dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa mayoritas pada basis. jika tegangan positif dikenakan pada pertemuan basis-emitor. Dalam transistor NPN. ketebalan basis dibuat jauh lebih rendah dari panjang penyebaran dari elektron. memungkinkan elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis. sebagai contoh. Untuk memastikannya. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik. sehingga pembawa tersebut dapat menyebar melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa minoritas semikonduktor untuk mengurangi bagian pembawa yang bergabung kembali sebelum mencapai pertemuan kolektor-basis. tetapi elektron yang menyebar melalui basis menuju kolektor disapu menuju kolektor oleh medan pada pertemuan kolektor-basis Pengendalian tegangan.Perkenalan NPN BJT dengan pertemuan E–B dipanjar maju dan pertemuan B–C dipanjar mundur Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua dioda adu punggung tunggal anoda. keseimbangan diantara pembawa terbangkitkan kalor dan medan listrik menolak pada daerah pemiskinan menjadi tidak seimbang. Pada penggunaan biasa. pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basiskolektor dipanjar mundur. Elektron tersebut mengembara (atau menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tinggi dekat emitor menuju konsentrasi rendah dekat kolektor. arus dan muatan 2 . Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis.

jadi pandangan kontrol-tegangan sering diutamakan. untuk mendesain sirkuit BJT dengan akurat dan dapat diandalkan. Beberapa sirkuit dasar dapat didesain dengan mengasumsikan bahwa tegangan emitor-basis kira-kira tetap. seperti pada model Ebers–Moll. Model kendali-tegangan membutuhkan fungsi eksponensial yang harus diperhitungkan. Pada desain sirkuit analog. transistor dapat dimodelkan sebagai sebuah transkonduktansi. menghitung distribusi dari muatan tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor dengan lebih tepat. Walaupun begitu. dimana pembawa minoritas di daerah basis dibangkitkan oleh penyerapan foton. diperlukan model kendali-tegangan (sebagai contoh model Ebers–Moll)[1].[1] Penjelasan fisika untuk arus kolektor adalah jumlah muatan pembawa minoritas pada daerah basis. Arus kolektor kira-kira βF kali lipat dari arus basis. yang mana hanya merupakan kurva arus-tegangan eksponensial biasa dari dioda pertemuan p-n. Untuk sirkuit translinier.[1][2][3] Model mendetail dari kerja transistor. Pandangan tersebut berhubungan dengan hubungan arus-tegangan dari pertemuan basis-emitor.[4] Pandangan mengenai kendali-muatan dengan mudah menangani transistor-foto. pematian dan penyimpanan 3 . dan arus kolektor adalah beta kali lipat dari arus basis. yang mana bergantung pada penggabungan kembali muatan di daerah basis. Tundaan penghidupan. karena muatan basis bukanlah isyarat yang dapat diukur pada saluran. dimana kurva eksponensiak I-V adalah kunci dari operasi. Walaupun begitu. dan menangani pematian dinamik atau waktu pulih. pandangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan pada desain dan analisis sirkuit. pandangan kendali arus sering digunakan karena ini hampir linier. desain untuk sirkuit seperti penguat diferensial menjadi masalah linier. tetapi jika ini dilinierkan.Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kendali arus) atau tegangan basis-emitor (kendali tegangan). model Gummel–Poon. transistor biasanya dimodelkan sebagai terkendali tegangan dengan transkonduktansi sebanding dengan arus kolektor.

Parameter alfa (α) dan beta (β) transistor Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran dari efisiensi transistor. Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN): Struktur 4 . terutama transistor daya. diantara 0. Penguatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh βF atau hfe. Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam daerah aktif-maju. Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggalbasis. Perbandingan ini biasanya mendekati satu.9 dan 0. terutama pada transistor yang didesain untuk penggunaan daya tinggi. ini kira-kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju.Transistor dwikutub mengalami beberapa karakteristik tundaan ketika dihidupkan dan dimatikan. tapi bisa sangat rendah. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor.998. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor isyarat kecil. Salah satu cara untuk mengurangi waktu penyimpanan ini adalah dengan menggunakan penggenggam Baker. Hampir semua transistor. αF. mengalami waktu simpan basis yang panjang sehingga membatasi frekuensi operasi dan kecepatan pensakelaran.

Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada moda terbalik. memungkinkan tegangan 5 . Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dinamai emitor (E). mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur jauh lebih kecil dari harga operasi maju. daerah basis dan daerah kolektor. membuat hampir tidak mungkin untuk mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri. sedangkan kolektor dikotori ringan. Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. dan tipe-n. Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p. basis (B) dan kolektor (C). yaitu daerah emitor.5.Irisan transistor NPN yang disederhanakan Kepingan transistor NPN frekuensi tinggi KSY34. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan kolektor-basis. dan juga memberikan β yang lebih besar. seringkali α bahkan kurang dari 0. membuat harga α sangat dekat ke satu. tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. Kolektor mengelilingi daerah emitor. Basis secara fisik terletak diantara emitor dan kolektor. Emitor dikotori berat. basis dan emitor disambungkan melalui ikatan kawat BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya. Buruknya simetrisitas terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktifmaju.

Pertemuan kolektorbasis dipanjar terbalik pada operasi normal. atau penguat arus. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan. Untuk penguatan arus yang tinggi. Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basisemitor menyebabkan arus yang mengalir diantara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. dikarenakan rendahnya impedansi pada basis. lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi. terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi. yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid.panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan kolektor-basis bobol. Struktur dasar transistor NPN 6 . NPN Simbol NPN BJT. Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan.

dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor. PNP Jenis lain dari BJT adalah PNP. memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi. Struktur dasar transistor PNP 7 . Dengan kata lain.NPN adalah satu dari dua tipe BJT. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional ketika peranti dipanjar maju). Simbol PNP BJT. Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p diantara dua lapisan tipe-n. transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor. Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor.

yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat.[5][6] Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran diantaran emitor dan basis. membuat resistansioya relatif tinggi. pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki 8 . Tanda panah pada simbol diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφp). Penghalang menunjukkan elektron untuk bergerak dari emitor ke basis. Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis Jalur dalam transistor dwikutub pertemuan-taksejenis. atau BJT pertemuansejenis. dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada keluaran kolektor. dan lubang untuk diinjeksikan kembali dari basis ke emitor. Dengan kata lain.Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n diantara dua lapis semikonduktor tipe-p. transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada emitor. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHz. terutama sistem RF. Sebagai tambahan. Susunan penghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitorbasis dipanjar terbalik. menghasilkan resistansi yang lebih rendah untuk mengakses elektroda basis. Dalam BJT tradisional. dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφn).

karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit. menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai ΔφG). biru: batas IC maksimum. merah: batas VCE maksimum. tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar (βF) dalam moda aktifmaju. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis. seperti epitaksi fasa uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler. terutama dibedakan oleh panjar yang diberikan: • Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. memberikan medan terpatri didalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. Pada 9 . ungu: batas daya maksimum Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal. in forward-active mode. Pembedaan tingkat komposisi dalam basis. misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe. transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikongermanium dan aluminium arsenid. Daerah operasi Batas operasi aman transistor. menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis. • Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-maju.

βF pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. Tegangan yang 10 . Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E.moda ini. BJT memasuki moda jenuh dan memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. • Putus: pada keadaan putus. dengan demikian berkorespondensi dengan logika mati. Moda transistor ini jarang digunakan. dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub. mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang dari beberapa ratus milivolt). tetapi ini juga bisa berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran. atau sakelar yang tertutup. Arus yang mengalir sangat kecil. daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua pertemuan dipanjar terbalik). Tegangan potong biasanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang. Transistor dalam moda aktif-maju Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber tegangan. Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal. Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup. VBE harus diatas harga minimum yang sering disebut sebagai tegangan potong. • Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju. Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini. atau sakelar yang terbuka. • Tembusan bandang Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup besar.

simbol β sering digunakan. Elektron yang tertinggal bergabung kembali dengan lubang yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis. peningkatan VBE sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10 kali lipat. yang merupakan penjumlahan arus saluran lainnya (IE = IB + IC). tanda panah menunjukkan arah dari arus konvensional. dan harga penguatan arus AC disebut dengan hfe. Pada suhu ruang. Pada diagram. Walaupun begitu. ketika cakupan frekuensi tidak diperhitungkan. Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor. Pada moda aktif. perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut dengan penguatan arus DC. IB. Untuk transistor PNP. adalah arus transistor total. ini juga berubah dengan fungsi yang sama. harga dari penguatan arus DC disebut dengan hFE.dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan memungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis. Seperti yang diperlihatkan pada diagram. aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. Pada moda aktif. medan listrik yang terdapat diantara basis dan kolektor (disebabkan oleh VCE) akan menyebabkan mayoritas elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor untuk membentuk arus kolektor IC. Transistor PNP dalam moda aktif-maju Transistor PNP moda aktif Sejarah 11 . arus emitor IE. kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan mayoritas adalah lubang elektron. Perlu diperhatikan bahwa arus emitor berhubungan dengan VBE secara eksponensial. secara umum cara kerjanya adalah sama. Pada perhitungan.

Dikembangkan oleh General Electric dan RCA[12] in 1951. Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948[8]. Transistor germanium Transistor germanium sering digunakan pada tahun 1950-an dan 1960-an. • Transistor pertemuan. 12 . membuatnya cocok untuk beberapa penggunaan isyarat tegangan rendah. Karena transistor jenis ini mempunyai tegangan potong yang rendah. teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub[10]. sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET. baik pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOSFET dan JFET). Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23 Juni 1948[11]. butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948. Transistor ini memiliki kemungkinan lebih besar untuk mengalami thermal runaway Teknik produksi Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan • Transistor pertemuan tumbuh. Setelah menjadi peranti pilihan untuk berbagai rangkaian.Transistor pertama Transistor dwikutub titik-sentuh diciptakan pada Desember 1947[7] di Bell Telephone Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Shockley.

Dikembangkan oleh Philco. o o • Transistor tetroda. varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh[14] atau transistor pertemuan paduan[15] dengan dua sambungan ke basis. Transistor planar. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. karena tersedia banyak jenis BJT. Transistor Mesa. transistor pertemuan dwikutub tipe modern. • Transistor epitaksial[22].o Transistor paduan mikro. Jean Hoerni[21] di Fairchild Semiconductor pada tahun 1959. terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF). Dikembangkan oleh Dr. transistor penghalang logam kecepatan tinggi. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Transistor paduan terdifusi tonggak. seperti sirkuit diskrit. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti. Dikembangkan oleh Philco[16] in 1953[17]. teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara masal. implementasi pertama dari transistor difusi. dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957. Prototip[20] dikembangkan di Bell Labs pada tahun 1954. Dikembangkan oleh Philco[13]. transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. Transistor medan-alir. • • Diciptakan oleh Herbert Kroemer[18][19] di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun 1953. Penggunaan BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan. transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan MOSFET. transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fasa uap epitaksi. Transistor paduan mikro terdifusi. o o o Transistor basis terdifusi. tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. Transistor penghalang permukaan. • Transistor difusi. Dikembangkan oleh Philips. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan 13 .

Pada moda kegagalan ini. 14 . BJT daya beresiko mengalami moda kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder. sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma.[23]. Radiasi menyebabkan penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan kembali.MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor. Proses regeneratif ini akan terus berlanjut hingga transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami kegagalan. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan. Kerawanan Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi. sebuah BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang diketahui. bagian terpanas dari kepingan semikonduktor menghantarkan lebih banyak lagi arus. Sebuah dioda sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini. Bahang yang ditimbulkan menyebabkan pembawa lebih mudah bergerak. Sebagai hasilnya. Sensor suhu Karena ketergantungan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-emitor yang dapat dihitung. Pengubah logaritmik Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor dan kolektor-emitor. beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi panas dikarenakan arus yang mengalirinya. tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar.