P. 1
Teknologi Semikonduktor Dan Pemanfaatannya

Teknologi Semikonduktor Dan Pemanfaatannya

|Views: 232|Likes:
Published by Kanzun Fikri

More info:

Published by: Kanzun Fikri on Jun 30, 2011
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOCX, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

10/06/2014

pdf

text

original

TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR DAN PEMANFAATANNYA

a. Teknologi Silikon Pembahasan tentang divais semikonduktor tentunya tidak bisa lepas dari material semikonduktor itu sendiri sebagai bahan dasar pembuatan divais tersebut. Silikon (Si) dengan persediaanyang berlimpah di bumi dan dengan teknologi pembuatan kristalnya yang sudah mapan, telah menjadi pilihan dalam teknologi semikonduktor. Silikon very large scale integration (VLSI) telah membuka erabaru dalam dunia elektronika di abad ke -20 ini. Kebutuhan akan kecepatan yang lebih tinggi dan unjuk kerja yang lebih baik dari komputer telah mendorong teknologi silikon VLSI ke silikon ultra high scale integration (ULSI). Saat ini metaloxidesemiconductor field effect transistor (MOSFET) masih dominan sebagai divais dasar teknologi integrated circuit (IC). Dimensi dari MOSFET menjadi semakin kecildan akan menjadi sekitar 0,1 mikron untuk ukuran giga-bit dynamic random acces memories (DRAMs). Beberapa masalah yang timbul dalam usaha memperkecil dimensi dari MOSFET antara lain efek short channel dan hot carrier yang akan mengurangi unjuk kerja dari transistor itu sendiri. Walaupun sudah banyak kemajuan yang dicapai, pertanyaan yang selalu muncul adalah sampai seberapa jauh limit pengecilan yang dapat dilakukan ditinjau dari segi proses produksi, sifat fisika dari divais itu sendiri dan interkoneksinya. Banyak masalah dari segi fabrikasi yang dapat menjadi penghambat. Sebagai salah satu contoh keterbatasan dari proses produksi adalah teknik lithography yaitu teknik yang diperlukan untuk merealisasikan desain sirkuit ke lempengan (waver) silikon dalam proses fabrikasi IC. Dengan menggunakan cahaya sebagai sumber berkas, dimensi dari lithography dengan sendirinya akan dibatasi oleh panjang gelombang dari cahaya itu sendiri. Oleh sebab itu dikembangkan teknik lithographyyang lain menggunakan sinar-X dan berkas elektron. Dengan menggunakan kedua teknik ini tidak terlalu ekonomis untuk digunakan pada proses produksi IC secara massal. Dari uraian di atas, terlihat

Kombinasi dari kedua material tersebut memungkinkan terjadinya pemancaran dan penyerapan cahaya. b. Silikon adalah material dengan celah energi yang tidak langsung. Fenomena ini dapat dijelaskan dengan menggunakan model two-dimensional quantum . Dengan kata lain. di mana nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum dari pita valensi tidak bertemu pada satu harga momentum yang sama. sehingga tertutup kemungkinan misalnya membuat IC yang di dalamnya terkandung detektor optoelektronik atau suatu sumber pemamcar cahaya dengan hanya menggunakan material silikon saja. akan dapat dilihat dengan mata telanjang pemancaran cahaya dari material silikon tersebut. Ini berarti agar terjadi eksitasi dan rekombinasi dari membawa muatan diperlukan perubahan yang besar pada nilai momentumnya. ditinjau dari struktur elektronikanya. Beberapa usaha telah dilakukan untuk mengatasi hal ini antara lain dengan mengembangkan apa yang dikenal sebagai bandgap engineering. Teknologi berbasis silikon Seperti diketahui. pada lempeng silikon dapat berbentuk lubang-lubang yang berukuran puluhan angstrom. silikon sulit memancarkan cahaya. Dengan bantuan sinar laser. Salah satu contohnya adalah menumbuhkan struktur material SiGe/Si straitned layer superlattice. Cara lain yang juga popular untuk memperbaiki sifat optik dari silikon adalah apa yang dinamakan material silikon porous. Dengan pelarutan secara elektrokimia. material semikonduktor dapat dibedakan atas dua jenis yaitu yang memiliki celah pita energi langsung (direct bandgap) dan celah pita energi tidak langsung (indirect bandgap). Sifat ini menyebabkan silikon tidak layak digunakan sebagai piranti fotonik/optoelektronik. Parameter mekanik strain yang timbul karena perbedaan konstanta kisi kristal antara lapisan SiGe dan Si tersebut akan mempengaruhi struktur elektronik dari material di atas sehingga muncul efek brillioun-zone folding yang mengubah struktur pitanya menyerupai material dengan celah energi langsung (direct bandgap).masih adanya beberapa masalahyang akan timbul dalam proses fabrikasi IC di masa yang akan datang.

galium arsenide (GaAs) dan material-material panduannya telah dipertimbangkan sebagai material pengganti silikon. material ini juga digunakan divais fotonik/laser dan divais gelombang mikro (microwave device). diharapkan resistansi dari base dan kapasitansi dari sambungan base-emitter akan dapat . menyusul transistor yang lebih dahulu popular untuk teknologi GaAs yaitu metal semiconductor field effect transistors (MESFET). Kelemahan dari teknik ini adalah sifat reproducibility-nya yang rendah. di mana elektron dapat dipisahkan dari ion pengotornya dan bergerak dalam sumur potensial dua dimensi (2DEG) dengan kecepatan tinggi. Transistor berkecepatan tinggi lainnya yang sedang dikembangkan adalah heterojunction bipolar transistor (HBT). Struktur dari transistor ini adalah sambungan npn di mana emiter menggunakan material dengan celah energi yang lebih besar dibandingkan dengan base dan kolektor. Untuk membuat piranti berkecepatan tinggi. Pada kondisi ini. Struktur dari HEMT mirip dengan MOSFET. Pengembangan IC dengan berbasis material GaAs saat ini juga sedang ramai diteliti. tapi dengan menggunakan teknik modulasi doping. Dengan memanfaatkan kelebihan ini.confinement. Beberapa tahun yang lalu telah berhasil dibuat 64 kb static random access memory (SRAM) yang berkecepatan tinggi sebesar 2ns dengan menggunakan teknologi HEMT berukuran 0. c. Teknologi GaAs Salah satu hambatan dari teknologi silikon adalah sifat listrik yang berhubungan dengan rendahnya mobilitas pembawa muatan dari material silikon ini. Kemajuan-kemajuan di atas membuka era baru bagi material silikon dan panduannya untuk diaplikasikan pada divais optoelektronika. GaAs adalah material semikonduktor dari golongan III-V yang memiliki mobilitas elektron sekitar enam kali lebih tinggi dari silikon pada suhu ruang. Material ini bertipe celah energi langsung. Mobilitas adalah parameter yang menyatakan laju dari pembawa muatan dalam semikonduktor bila diberi medan listrik. Selain untuk divais elektron. telah berhasil dibuat transistor yang disebut high electron mobility transistor (HEMT).6 mikron.

Walaupun banyak kemajuan yang sudah dicapai. Beberapa divais kuantum seperti wire transistor. Telah diketahui bahwa bila elektron dikurung dalam daerah potensial dengan dimensi yang sama dengan panjang gelombangnya maka akan muncul sifat gelombang elektron dan berbagai fenomena kuantum akan dapat diamati.2K) agar dapat diamati fenomena kuantum secara jelas. Divais kuantum Dewasa ini. quantum wire (1D) dan quantum dot (0D).1 mikron atau yang lebih kecil. Hal ini tentunya akan menaikkan ongkos pembuatan sehingga belum menarik untuk diproduksi. banyak orang meragukan kemampuan teknologi GaAs ini untuk dapat bersaing dengan teknologi silikon dalam orde 0. Itulah sebabnya. single-electron transistor sudah berhasil dibuat dan menunjukkan kecepatan yang tinggi. d. Struktur seperti ini adalah pembuka jalan ke era fabrikasi nanoteknologi dan divais kuantum (quantum device). . perhatian besar juga diberikan pada struktur semikonduktor berdimensi rendah (low-dimensional semiconductor) seperti quantum well (2D). Saat ini sudah dibuat HBT dengan fmaks 200 GHz.direduksi sehingga dapat diperoleh frekuensi maksimum osilasi (fmaks) yang tinggi. permasalahan yang dihadapi divais kuantum ini adalah operasi kerjanya yang masih harus dilakukan pada suhu rendah (seperti suhu helium cair : 4. Permasalahan yang timbul dari divais yang dibuat berdasarkan struktur semikonduktor dimensi rendah ini adalah arus drive yang rendah sehingga masih sulit untuk diaplikasikan. Beberapa fenomena kuantum dapat mengurangi performansi dari divais itu sendiri sedangkan fenomena yang lain dapat memacu terciptanya divais kuantum yang baru. Secara umum. banyak perusahaan semikonduktor terutama di Amerika Serikat yang tidak menganggap teknologi GaAs ini sebagai pengganti silikon.

transistor sebagai divais aktif dasar hanya mempunyai satu fungsi saja dan kemudian diubah menjadi berfungsi banyak dengan bantuan disain sirkuit dan software. haruslah dilakukan usaha untuk dapat membantu meringankan beban tersebut.e. Pertanyaan yang muncul adalah apakah usaha-usaha untuk memperbaiki performasi dari divais semikonduktor dapat terus dilakukan dengan pola yang ada sekarang ini atau harus dicari pola yang lain. Pola yang ada sekarang adalah bahwa dalam teknologi IC. Intelligent material Dari uraian di atas terlihat bahwa meskipun perkembangan divais semikonduktor dewasa ini sangat cepat. dari pihak hardware. beberapa hambatan sudah mulai terlihat. beban yang ditanggung oleh disain software akan makin berat sehingga kemungkinan besar sulit untuk direalisasikan. Dengan berkembangnya permintaan untuk menciptakan suatu rangkaian terpadu yang makin kompleks. . Untuk itu. Divais seperti ini dapat direalisasikan dengan menggunakan apa yang disebut sebagai intelligent material. IC yang terbuat dari divais yang adaptif seperti ini akan menjadi bermultifungsi tanpa harus membebani disain software yang makin kompleks. Salah satu usul adalah menciptakan divais yang multifungsi sehingga divais menjadi lebih adaptif.

intuk penjelasannya akan di bahas lebih lanjut di bawah ini : . resistor carbon dapat di gunakan dalam bentuk yang besar sedangkan semi konduktor hanya berpengaruk kecil. Ada dua bahan elektronik yang biasa dipakai yaitu dioda dan transisitor. sedangkan semi konduktor ini memakai bahan dari Silikon. Dioda atau transisitor merupakan gabungan dari dua atau lebih jenis semikonduktor ekstrinsik yaitu tipe-p dan tipe-n. resistor yang digunakan biansanya adalah karbon. karena ukuran dari semikonduktor itu sendiri. 2. Resistor. Hal ini karena bahan yang di gunakan pada resistor itu sama yaitu merupakan unsure yang terletak pada golongan 4. Kedua jenis semikonduktor ini digabung dengan menggunakan bahan khusus yang dapat melekatkan dan dapat dialiri oleh electron. Tapi perbedaanya yaitu pada pengaplikasinnya. Transisitor bipolar ini dibagi lagi menjadi dua jenis yaitu P-N-P dan N-P-N.APLIKASI PENERAPAN SEMIKONDUKTOR 1. Dioda dan transistor. Gambar Kunstruksi Resistor Pada dasarnya semikonduktor sendri memilki sifat menghambat seperti halnya dengan resistor karbon.

sehingga elektron pada kutub negatif yang berasal dari kelebihan elektron pendonor akan berjalan mengisi hole pada kutup negatif. Base selalu berada di tengah. Jika teganan yang diberikan berupa tegangan balik (reversebias) maka dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P. Transistor ini disebut transistor bipolar. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. base dan kolektor. Dioda. Zener. karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = . Transistor bipolar. karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. Pada transistor ini menggunakan 3 semikonduktor yang ditata selang-seling sehingga penamaanya sesuai penataan bahan semikonduktor. Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus. LED. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor. c. Jika dioda ini diberi tegangan maju (forward bias) maka pada kutup positif akan memiliki teganagn yang lebih besar dari pada kutub negatifnya. Pada dasarnya Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sehingga arus listrik dapat berjalan.Dioda ini di buat dengan menyambungkan dua semi konduktor yang berbeda jenis. sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). di antara emitor dan kolektor. Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN.

Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Transistor NPN dan PNP Akan dijelaskan kemudian. Dalam beberapa aplikasi. Prinsip Kerja Transistor. namun konsumsi dayanya sangat besar. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar. transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). untuk mendapatkan kualitas suara yang baik. hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Transistor ini bekerja mirip dengan dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis. teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar. Misalnya tidak ada kolektor. aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Transistor bipolar adalah inovasi yang menggantikan transistor tabung (vacuum tube).2 dan polar = kutup. Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil. Transistor akan bekerja jika pada kutup positif memilki tegangan yang lebig besar dari pada kutub negative tetapi karena kolektor ini lebih positif. Sebab untuk dapat melepaskan elektron. karena persyaratannya adalah lebar base . Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor. aliran elektron bergerak menuju kutup ini. disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio.

arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emitter menuju kolektor. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emitter-collector (switch on/off). karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan. karena arus base yang kecil menghasilkan arus emitter-collector yang lebih besar. elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan.harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. dan b) Arus yang terjadi pada transistor jenis PNP. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias). Ini yang dinamakan efek penguatan transistor. Dengan kata lain. Jika pelan-pelan µkeran¶ base diberi bias maju (forward bias). Untuk memahami lihat skema prinsip kerja transisitor berikut : Keterangan : a) Arus yang terjadi pada Transistor jenis NPN. melainkan arus yang lebihkecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah. .

dan di segala cuaca.3. Sel surya tidak memiliki bagian yang bergerak. Sel surya. sejak dari Maroko hingga Merauke. Sengaja di sini hanya melibatkan penjelasan kualitatif. Sel surya juga telah lama dipakai untuk memberi tenaga bagi semua satelit yang mengorbit bumi nyaris selama 30 tahun. namun mudah dipindahkan sesuai dengan kebutuhan. tidak pula dengan menempuh jalan reaksi fisi nuklir. Sel Surya (solar cell). dari Moskow hingga Johanesburg. Artikel ini sengaja ditulis guna menanggapi banyaknya pertanyaan mengenai bagaimana mekanisme atau prinsip kerja sel surya. baik polusi udara maupun suara. solar cell. photovoltaic. Semua keunggulan sel surya di atas disebabkan oleh karakteristik khas sel surya yang mengubah cahaya matahari menjadi listrik secara langsung. gas alam atau batu bara. . dan dari pegunungan hingga permukaan laut. Sel surya dapat digunakan tanpa polusi. atau fotovoltaik sejak tahun 1970-an telah telah mengubah cara pandang kita tentang energi dan memberi jalan baru bagi manusia untuk memperoleh energi listrik tanpa perlu membakar bahan baker fosil sebagaimana pada minyak bumi. Sel surya mampu beroperasi dengan baik di hampir seluruh belahan bumi yang tersinari matahari.

Pada awalnya. sehingga kelebihan muatan negatif. dan perpindahan hole dari . Sedangkan semikonduktor jenis p memiliki kelebihan hole. Semikonduktor jenis n merupakan semikonduktor yang memiliki kelebihan elektron.Proses konversi Proses pengubahan atau konversi cahaya matahari menjadi listrik ini dimungkinkan karena bahan material yang menyusun sel surya berupa semikonduktor. yakni jenis n dan jenis p. dengan menambahkan unsur lain ke dalam semikonduktor. Semikonduktor jenis p dan n sebelum disambung. Dua jenis semikonduktor n dan p ini jika disatukan akan membentuk sambungan p-n atau dioda p-n (istilah lain menyebutnya dengan sambungan metalurgi /metallurgical junction) yang dapat digambarkan sebagai berikut. sebagaimana diilustrasikan pada gambar di bawah ini. Di dalam semikonduktor alami (disebut dengan semikonduktor intrinsik) ini. terjadi perpindahan elektronelektron dari semikonduktor n menuju semikonduktor p. (n = negatif). elektron maupun hole memiliki jumlah yang sama. maka kita dapat mengontrol jenis semikonduktor tersebut. pembuatan dua jenis semikonduktor ini dimaksudkan untuk meningkatkan tingkat konduktifitas atau tingkat kemampuan daya hantar listrik dan panas semikonduktor alami. sehingga disebut dengan p ( p = positif) karena kelebihan muatan positif. Lebih tepatnya tersusun atas dua jenis semikonduktor. Kelebihan elektron atau hole dapat meningkatkan daya hantar listrik maupun panas dari sebuah semikoduktor. Sesaat setelah dua jenis semikonduktor ini disambung. Caranya. 2. 1.

semikonduktor p menuju semikonduktor n. maka timbul dengan sendirinya medan listrik internal E dari sisi positif ke sisi negatif. Daerah ini akhirnya berubah menjadi lebih bermuatan positif. Elektron dari semikonduktor n bersatu dengan hole pada semikonduktor p yang mengakibatkan jumlah hole pada semikonduktor p akan berkurang. Baik elektron maupun hole yang ada pada daerah deplesi disebut dengan pembawa muatan minoritas (minority charge carriers) karena keberadaannya di jenis semikonduktor yang berbeda. Dikarenakan adanya perbedaan muatan positif dan negatif di daerah deplesi. 4. Daerah ini akhirnya lebih bermuatan positif. 6. Perpindahan elektron maupun hole ini hanya sampai pada jarak tertentu dari batas sambungan awal. 3. 5. Pada saat yang sama. . Medan listrik ini cenderung berlawanan dengan perpindahan hole maupun elektron pada awal terjadinya daerah deplesi (nomor 1 di atas). hole dari semikonduktor p bersatu dengan elektron yang ada pada semikonduktor n yang mengakibatkan jumlah elektron di daerah ini berkurang. Daerah negatif dan positif ini disebut dengan daerah deplesi (depletion region) ditandai dengan huruf W. yang mencoba menarik kembali hole ke semikonduktor p dan elektron ke semikonduktor n.

yakni saat di mana jumlah hole yang berpindah dari semikonduktor p ke n dikompensasi dengan jumlah hole yang tertarik kembali kearah semikonduktor p akibat medan listrik E. dan dibuat jauh lebih tipis dari semikonduktor p. Pada sambungan p-n inilah proses konversi cahaya matahari menjadi listrik terjadi. Dengan kata lain. Begitu pula dengan jumlah elektron yang berpindah dari smikonduktor n ke p. Untuk keperluan sel surya. .7. semikonduktor n berada pada lapisan atas sambungan p yang menghadap kearah datangnya cahaya matahari. sehingga cahaya matahari yang jatuh ke permukaan sel surya dapat terus terserap dan masuk ke daerah deplesi dan semikonduktor p. dikompensasi dengan mengalirnya kembali elektron ke semikonduktor n akibat tarikan medan listrik E. medan listrik E mencegah seluruh elektron dan hole berpindah dari semikonduktor yang satu ke semiikonduktor yang lain. Adanya medan listrik mengakibatkan sambungan pn berada pada titik setimbang.

daerah deplesi maupun semikonduktor. Spektrum merah dari cahaya matahari yang memiliki panjang gelombang lebih panjang. elektron hasil fotogenerasi tertarik ke arah semikonduktor n. dimana arus listrik ini timbul akibat pergerakan elektron. Selanjutnya. Jika sebuah lampu kecil dihubungkan ke kabel. dikarenakan pada sambungan pn terdapat medan listrik E. Apabila rangkaian kabel dihubungkan ke dua bagian semikonduktor. lampu tersebut menyala dikarenakan mendapat arus listrik. maka elektron akan mengalir melalui kabel. begitu pula dengan hole yang tertarik ke arah semikonduktor p. Cahaya matahari dengan panjang gelombang (dilambangkan dengan symbol ³lambda´ sbgn di gambar atas ) yang berbeda. mampu menembus daerah deplesi hingga terserap di semikonduktor p yang akhirnya menghasilkan proses fotogenerasi di sana. . maka electron mendapat energi dari cahaya matahari untuk melepaskan dirinya dari semikonduktor n. membuat fotogenerasi pada sambungan pn berada pada bagian sambungan pn yang berbeda pula. terbentuknya pasangan elektron dan hole akibat cahaya matahari. Spektrum biru dengan panjang gelombang yang jauh lebih pendek hanya terserap di daerah semikonduktor n. Terlepasnya elektron ini meninggalkan hole pada daerah yang ditinggalkan oleh elektron yang disebut dengan fotogenerasi elektron-hole (electron-hole photogeneration) yakni.Ketika sambungan semikonduktor ini terkena cahaya matahari.

4. ratusan atau ribuan atau bahkan lebih komponen dasar elektronik yang terdiri dari sejumlah komponen resistor. untuk memperkenalkan cara kerja sel surya secara umum. dioda dan komponen semikonduktor yang lain. IC mengkombinasikan tiga komponen elektronik dalam sebuah piringan silikon kecil yang terbuat dari pasir kuarsa. transistor. Integrated Circuit (IC) merupakan komponen semikonduktor yang di dalamnya dapat memuat puluhan. seorang inIsinyur di Texas Instrument. IC (Intergrated Circuit). ilustrasi di bawah ini menjelaskan segalanya tentang proses konversi cahaya matahari menjadi energi listrik. Jack Kilby. .Pada umumnya.mengembangkan sirkuit terintegrasi (IC : integrated circuit) di tahun 1958. Para ilmuwan kemudian berhasil memasukkan lebih banyak komponen-komponen ke dalam suatu chip tunggal yang disebut semikonduktor.

 IC Power Adaptor (Regulator) . Sebuah IC mempunyai urutan kaki nomor 1 sampai dengan sejumlah kaki yang ada. lingkungan kerja dan tegangan voltase operasi IC maka perlu dibaca datasheet yang diterbitkan oleh masing-masing produsennya (Philips. Digunakan pada rangkaian penguat suara (audio amplifier). Beckman. Kemasan IC terbuat dari bahan epoxy atau silikon dan dari bentuk ini muncul pin-pin atau kaki-kaki dengan jarak kaki yang satu dengan yang lainnya teatur rapi. dll) baik dalam bentuk media cetak seperti buku ataupun elektronik (E-Book PDF). Setiap jenis IC didesain untuk keperluan khusus sehingga setiap IC akan memiliki rangkaian internal yang beragam. STK 070. LA 4440 dan sebagainya. DIL (dual in line) yang umum digunakan adalah DIP/DIl. CERDIP. Untuk mengetahui rangkaian internal. Cirrus Logic. Contoh tipe IC-nya adalah STK015. Integrated Circuit diproduksi dengan berbagai kemasan dengan jumlah pin (kaki) yang bervariasi sesuai dengan fungsinya. Datasheet sangat diperlukan apabila kita akan mendesain sebuah rangkaian elektronik. Texas Instrument.   IC Power Amplifier Mempunyai bentuk pipih dan fisiknya lebih besar dari yang lain. Motorola. STK 105. Urutan kaki IC tidak dicantumkan pada badan IC akan tetapi yang pasti bahwa kaki nomor 1 berdekatan dengan kaki nomor 2. namun tidak tertutup kemungkinan dipergunakan untuk tujuan yang lain. ST. Beberapa contoh kemasan IC yaitu DIP. berkisar antara 15 watt sampai 100 Watt atau bahkan lebih. kaki nomor 2 berdekatan dengan kaki nomor 3 dan seterusnya. IC dibedakan jenisnya menurut bentuk fisik dan fungsinya. Daya output IC ini cukup besar.Komponen-komponen yang ada di dalam IC membentuk suatu subsistem terintegrasi (rangkaian terpadu) yang bekerja untuk suatu keperluan tertentu. Sharp.

LM 741. signal injektor. Contoh tipe IC-nya adalah L 914. Digunakan sebagai komponen utama pada rangkaian power adaptor pada sub rangkaian regulator yang berfungsi sebagai penstabil tegangan atau voltase. Misalnya op amp audio amplifier. otak rangkaian power amplifier. NE 556 (dua NE 555). IC jenis ini mempunyai tingkat ketahanan dan keawetan lebih lama dari jenis IC penguat yang lain. 08. Contoh tipe IC-nya adalah LM 709. Suatu titik elektronis mewakili satu 'binary digit' atau biasa disingkat . LM 723 dan sebagainya. TL 083. 78xx (xx = 05. suatu titik elektronis yang berupa seutas kabel atau kaki IC.Clock) IC ini banyak digunakan pada rangkaian pembangkit (multivibrator) untuk member umpan atau sumber detak (oscilator) pada IC digital atau untuk keperluan lain. M7555 dan sebagainya. tinggi). 12). pengacau frekuensi. TL 084 dan sebagainya. 07. 06. TL 074. A703. timer lampu FF. frekuensi meter.   IC Op Amp Digunakan pada rangkaian digital yang berfungsi sebagai op amp atau untuk keperluan lain.IC Digital Dalam IC digital. op amp head tape recorder. yaitu logika '0' (nol. Contoh tipe IC-nya adalah LM 317H.   . A714 dan sebagainya. organ elektronik dan lainlain. 09. termometer digital dan lain-lain. saklar sentuh. akan mewujudkan salah satu dari dua keadaan logika.   IC Flip-Flap (FF) atau Timer (CLK. regulator pada power adaptor (dapat berfungsi seperti IC Power Amplifier dan Power Adaptor). L200. rendah) atau logika '1' (satu. LM 386. pengusir serangga.   IC Silinder IC ini mempunyai bentuk silinder dan banyak digunakan pada rangkaian penguat pesawat CB(Citizen Band) atau HT (Held Transceived). S 042 P. Misalnya NE 555 (IC terpopuler dikalangan pelajar) untuk alarm multiguna. Contoh tipe IC-nya NE 555. penguji hubungan. op amp mic.

dengan sebutan 'bit'. dan kendali input/output) dalam sebuah chip yang sangat kecil. Microprosesor. dan sekarang yang sedang berkembang adalah Very Large Scale Integration (VLSI-mengemas puluhan ribu sampai jutaan transistor). televisi. Ada beberapa peristilahan yang dipakai untuk menunjukan tingkat kepadatan (density) dari suatu chip IC. Chip Intel 4004 yang dibuat pada tahun 1971 membawa kemajuan pada IC dengan meletakkan seluruh komponen dari sebuah komputer (central processing unit. Medium Scale Integration (MSImengemas sampai beberapa ratus transistor). IC dibuat untuk mengerjakan suatu tugas tertentu yang spesifik. yaitu Small Scale Integration (SSImengemas beberapa puluh transistor). 0 dan 1. sebuah mikroprosesor dapat diproduksi dan kemudian diprogram untuk memenuhi seluruh kebutuhan yang diinginkan. setiap perangkat rumah tangga seperti microwave oven. Binary berarti sistem bilangan 'dua-an'. dn mobil dengan electronic fuel . Kemampuan untuk memasang sedemikian banyak komponen dalam suatu keeping yang berukurang setengah keping uang logam mendorong turunnya harga dan ukuran komputer. yakni bilangan yang hanya mengenal dua angka. memori. Hal tersebut juga meningkatkan daya kerja. Sebelumnya. Tidak lama kemudian. Ultra-Large Scale Integration (ULSI) meningkatkan jumlah tersebut menjadi jutaan. 5. efisiensi dan keterandalan komputer. Sekarang. Microprocessor adalah alat pemroses data yang merupakan pengembangan dari teknologi pembuatan Integrated Circuit (IC).

2 juta transistor. 80586 (Pentium) 3 juta buah transistor lebih sedangkan Intel Core 2 Duo mempunyai 271 juta transistor dan Intel Quad Core 2 Extreme yang terdiri dari empat inti prosesor. .000 transistor.000 transistor. 80486 mempunyai 1.injection dilengkapi dengan mikroprosesor. Contoh tentang teknologi ULSI. 80286 terdiri dari 150. Pengembangan lebih lanjut microprocessor 80 inti. Silahkan hitung sendiri kandungan transistornya dan itu akan berkembang secara terus menerus. misalnya microprocessor jenis 8086 mengandung 40.000 buah transistor. 80386 memuat 250.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->