Modul de + Lembar Data (Fix)

Praktikum Dasar Elektronika
LABORATORIUM RANGKAIAN LISTRIK DAN PENGUKURAN

ITN MALANG

BAB II
KARAKTERISTIK DIODA. PENYEARAH & FILTER

2.1. Tujuan
O Memahami serta mempelaiari karakteristik dioda biasa dengan bahan
silikon dan germanium serta dioda zener dan aplikasi penggunaan dioda-
dioda tersebut.
O Memahami serta mempelaiari rangkaian penyearah setengah gelombang
dan gelombang penuh.
O Memahami serta mempelaiari Iilter yang digunakan pada rangkaian
penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh pada sumber
tegangan DC.

2.2. Teori Dasar
2.2.1 Karakteristik Dioda

ambar 2-1
P-N 1unction dioda dalam keadaan forward-biased dan reverse-biased

Dioda semi-konduktor memperbolehkan arus lewat dalam satu arah tetapi
tidak dalam arah sebaliknya. Saat Iorward-biased gambar 2-1 (a)} arus elektron
mengalir dari sisi n ke sisi p dioda, sedangkan saat reverse-biased gambar 2-1

ITN MALANG

(b)} dioda menolak arus. Umumnya dioda semikonduktor memiliki karakteristik
satu arah.

Arus Forward
Ketika kutub () sumber tegangan dihubungkan ke sisi p, dan kutub (-) ke
sisi n dioda seperti pada gambar 2-1 (a), maka keadaan ini disebut sebagai
keadaan tegangan Iorward atau Iorward bias (V
D
> 0). Pada saat itu arus Iorward
yang besar mengalir pada dioda (I
D
> 0). Faktanya yaitu hole pada sisi p bergerak
ke sisi n, dan elektron di sisi n bergerak ke sisi p menyebabkan arus I
D
yang besar
mengalir dari p ke n.

Arus Reverse
Ketika kutub () sumber tegangan dihubungkan ke sisi n, dan kutub (-) ke
sisi p seperti pada gambar 2-1 (b), maka keadaan ini disebut sebagai keadaan
tegangan reverse atau reverse bias (V
D
0). Pada saat itu dioda menghalangi arus
yang akan lewat. Hanya arus saturasi reverse yang sangat kecil mengalir dari sisi
n ke p dioda. Jika tegangan reverse terlalu besar, maka dioda akan mengalami
tegangan iatuh (breakdown) yang dapat merusak dioda.

2.2.1.1 Karakteristik Arus Pada Dioda

ambar 2-2 Kurva karakteristik forward V-I dioda

ITN MALANG

Arus yang mengalir pada dioda ideal dinyatakan dalam :
) 1 (
/

% D
J qJ
S D
e I I

Dimana : I
D
arus yang mengalir pada dioda
I
S
arus saturasi (110
-12
A)
e konstanta euler`s (~ 2,718281828)
q electron charge (1,6 10
-19
C)
V
D
tegangan pada dioda

konstanta empiric, 1 untuk Ge dan 2 untuk Si

k konstanta boltzmann`s (1,38 10
-23
J/K)
T temperatur iunction ( K )
V
T
kT/q ( 26 mV pada suhu normal ),

V
T
kT/q adalah tegangan yang dihasilkan P-N iunction akibat
pengaruh temperatur, disebut iuga thermal voltage (V
t
). Pada suhu kamar bernilai
26mV. Sehingga rumus di atas dapat disederhanakan meniadi :
) 1 (
026 , 0 /

D
J
S D
e I I

Dimana : I
D
arus yang mengalir pada dioda
I
S
arus saturasi (110
-12
A)
e konstanta euler`s (~ 2,718281828)
V
D
tegangan pada dioda

2.2.1.2 Peralatan Yang Digunakan
O Modul M-5 Circuit-1
O Catu Daya DC
O Osiloskop
O Multimeter Digital
O Kabel Penghubung


ITN MALANG

2.2.1.3 Langkah Percobaan Karakteristik Dioda

ambar 2-3
Rangkaian Percobaan Forward-Bias dan Reverse-Bias Dioda

1. Gunakan circuit-1 pada board M-5 untuk percobaan arus reverse dan arus
Iorward dioda.
2. Pasang iumper pada 1g-1h dan 1I`-1i, susun circuit seperti gambar 2-3 (a).
Hubungkan amperemeter pada 1c-1d. Lalu ukur arus Iorward dioda Ge ( I
F
)
dengan mengubah tegangan input seperti pada table 2-1. Catat hasilnya!
3. Pasang iumper pada 1g`-1i dan 1h-1i, susun circuit seperti gambar 2-3 (b).
Hubungkan amperemeter pada 1c-1d. Lalu ukur arus reverse dioda Ge ( I
R
)
dengan mengubah tegangan input seperti pada tabel 2-1. Catat hasilnya!
4. Pasang iumper pada 1k-1L dan 1n-1m`, susun circuit seperti gambar 2-3 (a).
Hubungkan amperemeter pada 1e-1I. Lalu ukur arus Iorward dioda Si ( I
F
)
5. Pasang iumper pada 1k`-1n dan 1L-1m, susun circuit seperti gambar 2-3 (b).
Hubungkan amperemeter pada 1e-1I. Lalu ukur arus reverse dioda Si ( I
R
)
6. Gambarlah kurva karakteristik arus Iorward kedua dioda pada graIik 2-1 dan
2-2 mengacu pada nilai pengukuran pada tabel 2-1 menggunakan semilog.

ITN MALANG

2.2.2. Karakteristik Dioda Zener

ambar 2-4 Kurva karakteristik dioda zener

Dioda zener sama seperti dioda pada umumnya kecuali untuk penggunaan
titik hasil backward (reverse). Dimana titik hasil reverse ditentukan saat proses
pabrikasi (pembuatan) dan tegangan zenernya dapat diberikan mulai 2-3V sampai
lebih dari 200V. Gambar 2-4 (a) menuniukkan kurva karakteristik dioda zener
dari arus dan tegangan yang sesuai. I
ZK
adalah arus reverse minimum dari dioda
yang bekeria dalam medan yang dihasilkan, dan I
ZM
adalah arus reverse maximum
tanpa menimbulkan electric shock. Slope (lereng) kurva antara I
ZK
dan I
ZM
disebut
impedansi zener Z
Z
. Slope dari kurva dapat dicari dengan membagi perubahan
axis horisontal dengan axis vertikal. Tegangan, arus atau perubahan variabel lain
dituniukkan dengan huruI Yunani A (delta). Dimana slope dari kurva gambar 2-4
dihasilkan dari AJ/ AI.
Saat dioda zener dioperasikan antara I
ZK
dan I
ZM
, tegangan kedua uiung
dioda meniadi relatiI konstan. Prinsip ini diaplikasikan dalam rangkaian pada
gambar 2-4 (b). Anggap bahwa tegangan DC 20~30V diberikan ke rangkaian dan
kemudian dioda zener di bias reverse, dan bias reverse cukup bagi dioda untuk
mengatur range yang dituniukkan dalam gambar 2-4 (a) diluar I
ZK
. Sehingga
tegangan yang dihasilkan relatiI konstan meskipun inputnya berubah dari 20 ke

ITN MALANG

30V. Oleh karena dioda zener mengatur tegangan output dan karena ditempatkan
secara paralel pada rangkaian output, maka disebut sebagai paralel regulator.
Catat bahwa J
OU%
J
Z
.

2.2.2.1 Peralatan Yang Digunakan
O Modul M-5 Circuit-2
O Catu Daya
O Osiloskop
O Kabel Penghubung

2.2.2.2 Langkah Percobaan Karakteristik Dioda Zener

ambar 2-5 Rangkaian Percobaan Dioda Zener

1. Gunakan circuit-2 pada board M-5 untuk percobaan pengukuran arus dioda
zener.
2. Pasang iumper pada 2d-2e, lalu hubungkan 2h-2i dengan amperemeter.
3. Atur tegangan input menurut tabel 2-2.
4. Catat arus I
Z
nya.
5. Gambar kurva karakteristik reversenya berdasarkan tabel 2-2 menggunakan
semilog.


ITN MALANG

2.2.3. Karakteristik Penyearah dan Filter
Kebanyakan rangkaian elektronika memerlukan sumber arus DC untuk
beroperasi. Karena tegangan AC dapat dengan mudah dinaikkan atau diturunkan,
pembangkit listrik lebih memilih mentransmisikan listrik dalam AC daripada DC.
Oleh karena itu, perlu mengubah tegangan AC meniadi DC. Bentuk sederhana
dari penyearah yang terdiri dari sebuah dioda dituniukkan pada gambar 2-6.

(a) PositiI halI-cycle (b) NegatiI halI-cycle

ambar 2-6 Rangkaian Penyearah Setengah elombang

Karakteristik utama dioda adalah membolehkan arus untuk mengalir
hanya dalam satu arah. Maka, seperti dituniukkan pada gambar 2-6 (a), hanya
positiI halI cycle dari tegangan input yang muncul pada resistor beban. Pada
gambar 2-6 (b), tidak ada output yang muncul pada beban pada negatiI halI cycle
dari sinyal input dikarenakan tolakan dioda pada setengah periode negatiI.
Pada gambar 2-7, dituniukkan sebuah rangkaian center-tapped penyearah
gelombang penuh. Rangkaian ini secara eIektiI menyatukan dua penyearah
setengah gelombang dengan pusat lilitan transIormator. Bentuk gelombang yang
telah disearahkan dituniukkan pada gambar.


ambar 2-7 Penyearah Center Tapped elombang Penuh


ITN MALANG


ambar 2-8 Penyearah 1embatan elombang Penuh

Bentuk lain dari penyearah gelombang penuh dituniukkan pada gambar 2-8.
Rangkaian ini disebut sebagai penyearah iembatan gelombang penuh. Keuntungan
dari rangkaian iembatan gelombang penuh ini adalah eIisiensinya yang tinggi
dikarenakan penggunaan penuh lilitan sekunder traIo.

(a) Filter input kapasitor (b) Filter Pi

(c) (d)

ambar 2-9 Rangkaian Filter dan Bentuk elombang Outputnya


ITN MALANG

Bentuk gelombang yang sudah disearahkan berbentuk pulsa dan
membutuhkan Iilter/penyaring. Filter paling populer yang digunakan pada
rangkaian penyearah dituniukkan pada gambar 2-9.
Pada gambar 2-9 (a), harga minimum dari kapasitor ditentukan oleh rumus di
bawah ini :

F KR
C
L
6 2
1
min

Dimana K ripple dalam RMS E rata-rata
R
L
resistansi beban
F Irekuensi

6
2
L
5 rata rata
E E 2 L
RMS 5
E E

2.2.3.1 Peralatan yang dibutuhkan
O Board mount BR-3
O Board NO-13 (HalI and Fullwave RectiIier)
O Osiloskop
O Catu daya

2.2.3.2 Langkah Percobaan Penyearah Setengah elombang Satu Phasa
1. Pasang papan 'HalI and Fullwave RectiIier (NO-13) pada papan penyangga.
Perhatikan gambar 2-10. Jaga agar tombol power disebelah kiri tetap OFF dan
hubungkan catu daya 220V pada rangkaian.

ITN MALANG

ambar 2-10 Board Penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh (1-d)

2. Rangkailah bagian sekunder traIo seperti gambar 2-11. Rangkaian smoothing
Iilter tidak digunakan kali ini.

ITN MALANG

ambar 2-11 Percobaan Penyearah Setengah elombang

3. Pasang input CH-1 osiloskop ke kopel AC (5V/cm) untuk mengukur bentuk
gelombang tegangan yang melewati 1 dan G (sebelum disearahkan). Pasang
input CH-2 ke kopel DC (5V/cm) dan hubungkan melewati RL, kemudian
nyalakan power.

Tanpa C

Bentuk gelombang
output
(melewati R
L
)

Ripple V
P-P

Ripple V
P-P

Bentuk gelombang
input

4. Amati bentuk gelombang output pada tiap-tiap tipe Iilter tertentu dalam tabel
dan gambarlah bentuk gelombang output yang diamati sesuai tabel. Ukur dan
catatlah besar ripple puncak-ke-puncak pada tiap kasus.
5. Tentukan Iaktor ripple dari pengukuran tegangan ripple (peak to peak).
Faktor ripple dirumuskan sbb:

100 L
rata rata %egangan

RMS ri55le %egangan
K ri55le Faktor

Dimana :

2 2L
5 5
ri55le
RMS ri55le dan
6
5 5
rata rata
J
J


ITN MALANG

2.2.3.3 Langkah Percobaan Penyearah elombang Penuh Fasa Tunggal
1. Matikan power. Susun kembali bagian sekunder traIo seperti pada gambar.
Perhatikan bahwa ini adalah penyearah iembatan gelombang penuh. Lepaslah
kapasitor Iilter.

ambar 2-12 Percobaan Penyearah 1embatan elombang Penuh

2. Pasang input CH-1 ke kopel AC (5V/cm) dan hubungkan melewati 'a dan
'b untuk mengukur sinyal input AC.
Perhatian : 1angan hubungkan probe CH-2 melewati terminal R
L
karena
ujung ground CH-1 terhubung ke terminal ~b.
3. Nyalakan power. Gunakan probe CH-1 untuk mengukur gelombang tegangan
yang melewati R
L
dan gambar graIik bentuk gelombang output yang diamati
sesuai tabel di bawah.

4. Tambahkan Iilter kapasitor dengan menghubungkan terminal 3 ke 4. Ukurlah
tegangan ripple
(p-p)
nya. Tentukan iuga Iaktor ripplenya.
Bentuk gelombang melewati R
L

(tanpa C)
Bentuk gelombang melewati R
L

(dengan C)

Ripple V
P-P


ITN MALANG

LEMBAR DATA PERCOBAAN
KARAKTERISTIK DIODA. PENYEARAH & FILTER

Nama :
N I M :
Kelompok :
Pratikum : Dasar Elektronika

TABEL 2-1
Hasil Pengukuran Karakteristik Dioda ermanium
Dan Dioda Silikon
V
INPUT
e Diode Si Diode
Forward Reverse Forward Reverse
1 V
2 V
3 V
4 V
5 V
6 V
7 V
8 V
9 V
10 V
11 V
12 V
13 V
14 V
15 V
16 V
17 V
18 V
19 V
20 V

Malang, 2010
Instruktur

( )


ITN MALANG

TABEL 2-2
Hasil Pengukuran Karakteristik Dioda Zener (6.2V)
V
IN
(V) I
Z
(mA)
-2
-4
-6
-6,5
-7
-7,5
-8
-8,5
-9,5
-10,5
-11,5
-12,5
-13,5
-14,5
-15,5
-16,5
-17,5
-18,5
-19,5


ITN MALANG

Bentuk elombang Input (AC)
Pada Penyearah elombang Dan elombang Penuh

V/div .....
T/div .....
Vp-p .....
I .....

Bentuk elombang Output
Pada Penyearah elombang Tanpa C

V/div .....
T/div .....
Vp-p .....
I .....
RL .....
V
DC
.....


ITN MALANG

Pada Penyearah elombang Dengan (Satu) C 100 F

V/div .....
T/div .....
Vp-p .....
I .....
RL .....
V
DC
.....

Pada Penyearah elombang Dengan (Dua) C 100 F
Dan Induktor

V/div .....
T/div .....
Vp-p .....
I .....
RL .....
V
DC
.....


ITN MALANG

Pada Penyearah elombang Penuh Tanpa C

V/div .....
T/div .....
Vp-p .....
I .....
RL .....
V
DC
.....

Pada Penyearah elombang Penuh Dengan C 100 F

V/div .....
T/div .....
Vp-p .....
I .....
RL .....
V
DC
.....


ITN MALANG

BAB III
TRANSISTOR NPN dan PNP

3.1 Tujuan
O Memahami dan mempelaiari karakteristik transistor NPN dan PNP
O Memahami dan mempelaiari keria pada transistor NPN dan PNP

3.2 Teori Dasar
3.2.1 Transistor NPN

ambar 3-1 struktur dan sinyal dari transistor NPN

Transistor dibuat dengan mendekatkan dua Junction semi konduktor satu
sama lain. Transistor NPN dibuat dari dua material type N dan type P seperti
gambar 3-1 (a). Satu bagian material type N adalah kolektor dan bagian material
type N lainnya Emitor dan bagian tengah yaitu type P adalah Base. Arah panah
terminal Emitor dalam gambar 3-1 (b) ditentukan oleh type Transistor (NPN atau
PNP). Arah panah menuniukan arah arus antara Emitor dan Base seperti halnya
dioda.
Ketika Emitor Transistor meniadi terminal common antara input dan
output, maka disebut Common Emitor (CE) dan Collector akan meniadi output
terminal dan Base meniadi input terminal. Penguat (gain) arus CE adalah
karakteristik utama Transistor dan dituniukkan dengan 0 atau
. Penguatan arus
CE dituniukan dengan rumus berikut:

ITN MALANG

ambar 3-2 rangkaian Common Emiter input AC

ambar 3-3 Kurva Karakteristik Common Transistor

Gambar 3-2 menuniukan rangkaian dimana Junction Base-emiter di-
Iorward bias dan Junction Base Collector dibackward bias dalam struktur CE.
Gambar 3-3 menuniukan graIik karakteristik rangkaian CE dalam gambar 3-2.
pada kondisi titik Q I

B
20uA dan I
C
22mA dihitug sebagai berikut:


ITN MALANG

Penguatan arus AC pada rangkaian CE sering dipakai dengan
.
Diielaskan sebagai berikut:

Penguatan arus AC titik Q dan A dalam Transistor dari gambar 3-3

dihitung sebagai berikut:

Penguatan arus AC H
fe
memiliki perbedaan serius dengan penguatan arus
DC H
fe
. Pada posisi ini, anda dapat mengetahui penguatan arus diielaskan dengan
nilai lebih luas pada sinyal dalam rangkaian CE. Kemampuan mengubah bentuk
dari sinyal kecil ke sinyal besar memiliki bentuk yang sama merupakan Iungsi
terbaik karakteristik Transistor. Prosesnya disebut Amplication.
Arus Transistor dituniukan sebagai berikut dengan hukum arus kirchhoff

Arus Base sangat kecil dibandingkan arus Collector dan Emitor dan sama
seperti perbedaan kedua nilai arus. Dalam setiap kasus, hal ini meniadikan tidak
ada perbedaan untuk mengasumsikan arus Emitor dan collektor memiliki nilai
yang sama.

3.2.2 Transistor PNP

ambar 3-4 Struktur Dan Sinyal Dari Transistor PNP

ITN MALANG

Transistor PNP dibuat dari dua material tipe P dan tipe N seperti gambar
5-4 (a). Bagian material tipe P adalah Emitor dan Collector bagian tipe N di
tengah adalah Base. Gambar 5-4 (b) menuniukan simbol Transistor PNP

ambar 3-5 Rangkaian Common Base Transistor

ambar 3-6 karakteristik kurva Common Base

Gambar 3-5 menuniukan rangkaian Transistor PNP dimana Junction
Emitor-Base di Iorward bias dan Junction Base-Collector di backward bias.
Resistansi digunakan untuk membatasi aliran arus dalam rangkaian. Arus Emitor
DC (I
E
) meniadi 2V/1KO 1mA dengan mengurangi 0,7 V
EB
dari 2,7 V (dalam
hal ini silikon). Transistor yang dirangkai seperti gambar 3-5 sebagai type
Common Base (CB) dan dikarenakan Common Base-nya pada kedua sisi
rangkaian. Gambar 3-6 menuniukan kurva karakteristik dari rangkaian CB. Kurva
menuniukan hubungan antara V
CB
dan arus Collector dari beberapa nilai arus
Emitor input. Arus Emitor 2mA ditentukan oleh kurva ini dan arus Collector 1,8
mA ditentukan oleh tegangan backward bias Junction Base-Collector 10V. Ada

ITN MALANG

kaitan penting antara arus Collector dan Emitor adalah arus input, I
C
/I
E
disebut
penguatan arus Iorward CB AC dan digambarkan dengan simbol Q atau h
FB
.
Dimana h
FB
:

Sehingga h
FB
-nya meniadi 1,8 mA/2,0mA (sama dengan 0,9). Dalam
rangkaian gambar 3-5 nilai h
FB
berkisar dari 0,9 - 0,99 dan selalu kurang dari 1.
Jika sinyal AC diberikan ke sisi input (Emitor) pada rangkaian gambar 3-5, nilai
h
FB
AC dari penguatan arus Iorward CB memiliki peran yang penting. Penguatan
arus diiabarkan sebagai berikut:

ambar 3-7 Rangkaian Common Base

Gambar 3-7 menuniukan rangkaian CB dari gambar 3-5 dari arus input
AC 2mA
p-p.
Arus 2mA
p-p
merupakan arus Emitor yang diubah mendekati level
bias DC. Level bias (dalam hal ini, 2mA) disebut arus Quiescent 2mA dan
observasi untuk titik Q. Dituniukan gambar 3-6 lalu arus Emitor yang diubah ke 3
mA dan 1 mA (A dan B pada gambar 3-6) mendekati arus Quiescent 2mA.
Penguatan arus AC (h
FB
) dihitung sebagai berikut dari kurva pada gambar 3-6.

ITN MALANG

Dalam hal ini h
FB
dihitung antara titik A dan Q pada gambar 3-6, tetapi
nilainya sama dengan nilai yang dihitung antara titik B dan Q. catat bahwa
penguatan arus DC dan penguatan arus AC sama besar pada saat ini. Secara
umum kedua nilai tidak sama besar pada kenyataanya. Penguatanya arus sedikit
lebih kecil dari 1, tetapi akan didapat penguatan tegangan yang besar.

3.3 Alat-Alat yang Digunakan
O Power supply
O Multimeter digital
O Jumper (kabel penghubung)
O Module M-5 Semiconductor

3.4 Langkah Percobaaan
3.4.1 Percobaan Transistor NPN

ambar 3-8 Rangakian Pengukuran Karakteristik Transistor NPN


ITN MALANG

1. Gunakan rangkaian -4 dari M-5 untuk membuktikan percobaan
karakteristik Transistor NPN. Di rangkaian ini, buat rangkaian seperti
gambar 3-8 dengan menghubungkan Amperemeter ke 4g-4h dan
Voltmeter ke 4c-4d.
2. Set R2 agar V
R2
0,1 Volt dan Hubungkan 5 Volt ke termiral 4a. Hubungan
antara I
B
dan V
R2
adalah seperti yang dituniukan berikut. Dan Hubungkan
10 Volt dari tegangan V
CE
ke terminal 4i (hubungkan dari output 0~20V
ke 4i dan GND ke 4k). Lalu, ukur arus Collector (I
C
) dari Amperemeter
dan masukan hasilnya ke tabel 3-1

3. Dengan mengubah V
CE
masukkan nilai I
C
ke dalam table 3-1
4. Ulangi perintah 1 3 untuk mendapatkan I
C

3.4.2 Percobaan Transistor PNP

ambar 3-9 Rangakian Pengukuran Karakteristik Transistor PNP


ITN MALANG

1. Gunakan rangkaian -5 dari M-5 untuk poercobaan karakteristik Transistor
PNP. Buat rangkaian seperti gambar 5-14 dengan menghubungkan
Amperemeter ke 5g-5h dan Voltmeter ke 5c-5d dalam rangkaian ini.
2. Mengatur R1 ke -5V yang dihubungkan ke terminal 5a dan Set R2 agar
V
R2
-0,1 Volt. Hubungan antara I
B
dan V
R2
dituniukan seperti berikut.
Hubungkan tegangan 0V~20 V ke terminal 5i agar tegangan V
CE
meniadi -
10 Volt. (hubungkan output 0 ~ 20 Volt ke 5k dan GND ke 5i). Ukur
arus Collector (Ic) dari Amperemeter dan masukan ke tabel 3-2
3. Dengan mengubah V
CE
masukkan nilai I
C
ke dalam table 3-2
4. Ulangi perintah 1 3 untuk mendapatkan I
C


ITN MALANG

KARAKTERISTIK TRANSISTOR NPN & PNP

Nama :
N I M :
Kelompok :

Tabel 3-1
Hasil Pengukuran I
c
Untuk Menentukan Karakteristik NPN
V
CE

(volt)
I
C
(mA)
V
R2
V
R2
V
R2
V
R2
V
R2
V
R2

Tabel 3-2
Hasil Pengukuran I
c
Untuk Menentukan Karakteristik PNP
V
CE

(volt)
I
C
(mA)
V
R2
V
R2
V
R2
V
R2
V
R2
V
R2

Malang, 2010
Instruktur

( )


ITN MALANG

BAB IV
KARAKTERISTIK 1FET & MOSFET

4.1. Tujuan Percobaan
O Memahami karakteristik JFET & MOSFET
O Dapat memperoleh parameter parameter dari JFET & MOSFET
O Dapat membuat serta membaca graIik karakteristik transIer dan
karakteristik output dari sebuah JFET & MOSFET

4.2. Teori Dasar
4.2.1. Karakteristik 1FET
J-FET terdiri dari kanal type-n dan kanal type-p, dan gate mempunyai
karakteristik yang berhadapan lansung ke kanal. Gambar 4-1 (a) menuniukan
struktur dari Iisik J-FET kanal type-n. Diantara gate dan basis / drain dan kolektor
/ source dan emitor memiliki kesamaan pada J-FET dan transistor bipolar.
Impendasi input dari JFET sangatlah tinggi sehingga hampir hampir arus
inputnya tidak terukur. Oleh karena itu karakteristik inputanya tidak digambarkan.
Nilai arus output (I
D
) dikendalikan oleh tegangan antara gate dan source (V
GS
).

ambar 4-1 Struktur Karakteristik Dari 1FET

Pada gambar 4 2 dituniukan kurva untuk karakteristik tegangan V
DS

antara arus drain I
D
dengan drain source. Dipengaruhi oleh perbedaan tegangan
antara drain dan source.V
GS
adalah tegangan antara gate dan source pada J-FET.

ITN MALANG

Arus terus naik dengan linier yang dipengaruhi oleh kenaikan tegangan. Ini teriadi
pada range tegangan dari 1V sampai 3V hingga mencapai range pinch-OII.
Daerah lapisan pengosongan teriadi di sekitar tiap sambungan pada persimpangan
pn yang dibias reverse.

ambar 4-2 Karakteristik Kurva Tegangan V
DS

Pada persambungan Gate source dari JFET iika diberi tegangan Iorward
bias,akan meniadi kanal ( channel ) sangat kondusiI (conductive ). Untuk itu pada
n kanal JFET nilai tegangan positiI pada gate harus dibatasi sampai 0,6 Volt.
Jika tegangan Drain source (V
GS
) dinaikan dan kemudian tegangan
revese bias pada Gate Source (V
GS
) diperbesar maka daerah pengosongan akan
terpisah,sehingga arus mengalir dengan bebas tanpa terhalang oleh daerah
pengosongan. Pada keadaan ini arus akan konstan dan tidak akan naik lagi meski
V
DS
diperbesar. Tegangan ini disebut dengan %egangan Bevond pinc off
Ini kemungkinan pengosongan dari aliran arus yang cocok dengan
pengurangan luas dari atau lebar dari kanal meniadi 0. Pada kasus ini lekukan dari
tegangan disesuikan dengan kanal. Ini cenderung untuk mengurangi lebar dari
pengosongan pada range dan meniadi alasan mengapa arus dapat mengalir. Hasil
akhir meniadi arus yang konstan dan status iangkauan yang stabil.

ITN MALANG

ambar 4-3 Karakteristik Daerah Kerja Pada 1FET

Resistansi drain dinamik
r
ds
deIinisi dari kemiringan lengkungan kurva pada range pinch-oII.

Nilainya sangat tinggi dan r
ds
antara A dan B pada gambar 4- 2 Didapat:

Karena resistansi yang berubah dari V
ds
, ini adalah kanal dari resistansi
AC(alternating current). Oleh karena itu, kanal yang stabil pada daerah resistansi
DC (R
DS
) dengan nilai resistansi yang rendah tergantung pada V
DS
, pada keadaan
V
DS
20V pada gambar 5-16 didapat;

Untuk mencari nilai Trankonduktansi (g
Is
) digunakan diIIerensilisasi dari
kemiringan kurva kurva I
d
/ V
GS
melalui persamaan diIIerensial sebagai berikut :

V
GS(oII)

FS
DSS
g
I 2


ITN MALANG

didapat , gIs gIs 0

) (
1 0
off GS
GS
J
J
gfs gfs

Arus saturasi I
DS
dideIinisikan sebagai arus drain yang sedang mengalir
pada tegangan Beyond pinch oII V
P
bila V
GS
0. Tegangan cut oII adalah
tegangan V
gs
yang menyebabka terhambatnya arus drain sehingga nilainya
mendekati nol.
Sehubung dengan karakteristik JFET maka untuk itu ada beberapa hal
yang perlu diperhatikan,diantaranya adalah sebagai berikut:
1. Arus Drain I
d
dipengaruhi oleh perbedaan tegangan antara Gate &
source V
gs
dimana hal ini berbeda sekali dengan siIat dari transistor
bipolar yang mana arus kolektornya dipengaruhi oleh arus biasnya.siIat
JFET ini berlaku iuga untuk MOSFET, sehingga JFET dapat dikatakan
sebagai komponen aktiI yang dikendalikan oleh tegangan.Hal ini
berlaku iuga pada tabung hampa.
2. Kemiringan lengkungan karakteristik V
DS
V
P
tergantung pada V
gs

hal ini berarti bahwa keadaan JFET berlaku sebagai resistor yang
resistansinya diatur oleh V
gs
.
3. Karakteristik v
gs
~ 0 tidak dilukiskan karena pada keadaan ini kanal
dalam keadaan konduktiI.

4.2.2. Karakteristik MOSFET
FET semikonduktor oksida-logam (metal-oxide semikonduktor FET),atau
disingkat MOS-FET. Berbeda dengan JFET, gerbang diisolasikan dari saluran.
Oleh karena itu , arus gerbang meniadi sangat kecil. Hal ini tidak dipengaruhi oleh
positiI atau negatiInya gerbang itu. MOSFET kadang-kadang disebut sebagai
IGFET, singkatan dari insulated-gate Iet (FET gerbang terisolasi)

ITN MALANG

Terdapat 2 (dua) tipe cara keria karakteristik pada MOSFET, diantaranya
9ipe pengosongan dan 9ipe peningka9an
MOSFET Tipe Pengosongan (depletion-type MOSFET)
` Elektron bebas dapat mengalir dari gate menuiu drain melaui bahan n,
daerah 5 disebut substrat (tubuh) secara Iisik daerah ini mengurangi ialur
penghantar meniadi saluran yang sempit.
Lapisan tipis silicon dioksida
SiO
2
ditempelkan pada sisi kiri saluran. Yang
merupakan isolator (penyekat). Pada MOSFET gerbangnya terbuat dari logam
karena gerbang terpisah dari saluran, maka hanya sedikit sekali arus gerbang yang
mengalir, walaupun bila tegangan berharga positiI. Dioda 5n yang terdapat dalam
JFET itu telah ditiadakan pada MOSFET
Seperti telah diterangkan sebelumnya, tegangan gerbang dapat
mengendalikan lebar saluran. Makin negatiI tegangan gate, makin kecil nilai
drainnya. Bila tegangan gatenya negatiI, arus drain putus. Dengan demikian , pada
tegangan gate negatiI, operasi MOSFET sama dengan operasi JFET. Karena
prilaku dengan gate negatiI tergantung pada pengosongan saluran dari electron-
elektron bebas.
Terminal gate pada MOSFET tempat dan meletakan
SiO
2
materi lapisan
penyekat secara saluran. Materi baia telah ditanamkan pada lapisan
SiO
2.
Gambar
4-5 menuniukan struktur MOSFET.
MOSFET tipe Peningkatan (Enhancement Type MOSFET)
Dengan mengubah susunan dari dalam MOSFET saluran-n. kita dapat
menghasilkan MOSFET ienis baru yang hanya dapat menghantar pada tipe
penigkatan saia. MOSFET tipe ini banyak digunakan pada mikroprosesor dan
memori komputer karena ia berlaku seperti switch yang biasanya mati. Untuk
mendapatkan arus drain, maka harus menerapkan tegangan gate positiI
Gambar 4-4 (a) menuniukan karakteristik dari chanel n pada MOSFET,
karena kanal pada mode pengosongan konduktor bersiIat normal maka pada J-
FET aliran arus berkurang dan dapat berubah meniadi cut oII yang cukup
mempengaruhi tegangan Gate.

ITN MALANG

ambar 4-4 Tipe Pada MOS-FET

Pada mode peningkatan, status pada kanal cut oII kondisinya normal dan
dapat teriadi pengurangan atau penambahan yang dapat mempengaruhi tegangan
pada gate dan dapat dikontrol. Depleksi (penipisan) MOSFET dapat teriadi iika
dioperasikan pada mode penigkatan dituniukan pada gambar 4 - 4(b).
Kapasitor elektron pada gate sangatlah kecil dan impedansi inputnya
sangatlah besar. Karena gate dapat menerima muatan dengan mudah.
Saat J-FET teriadi kebocoran arus pada input meningkat sesuai dengan
temperatur,eIeknya tempertur berada pada level paling rendah pada MOSFET.
MOSFET merupakan semikonduktor yang mudah tepengaruh oleh temperatur.

ITN MALANG

ambar 4-5 Struktur Dari Karakteristik MOS-FET

4.3. Peralatan yang digunakan
1. Modul M-5, cirkuit 6 & 7
2. Multimeter Digital
3. Jumper
4. Catu Daya


ITN MALANG

4.4. Langkah percobaan
4.4.1. Percobaan Karakteristik 1FET

ambar 4-6 Rangkaian Percobaan 1FET

1. Gunakaan cirkuit 6 pada M-5 untuk Percobaan karakteristik J-FET, sesuai
dengan gambar rangkaian 4 - 6, Hubungkan ampermeter pada sisi kaki
terminal dari 6e-6I dan voltmeter pada kaki terminal 6d-6g / 6I-6i
2. Hubungkan tegangan -5V pada titik 6a, 5V pada titik 6b, 12V pada titik
6h dan hubungkan ground pada titik 6g.
3. Aturlah V
DS
yang tertera pada table 4-1 dengan mengatur variable resistor
R
5
. Dan gantikan niali V
GS
yang tertera pada pada table 4-1 kemuadian
aturlah dengan menggunakan R
1
, ukurlah arus drain (I
D
) dan masukan nilai
hasil pengukuran pada table 4-1
4. Berikan Kesimpulan mengenai percobaan JFET tersebut pada lembar
analisa data.


ITN MALANG

4.4.2. Percobaan karakteristik MOSFET

ambar 4-7 Rangkaian Percobaan MOSFET

1. Gunakan Cirkuit -7 pada M-5 untuk percobaan karakteristik MOS-FET.
Sesuiakan dengan gambar rangkaian 4-7. Hubungkan ampermeter pada
sisi kaki terminal dari 7e-7I dan voltmeter pada kaki terminal 7d-7g / 7I-
7i
2. Menghubungkan -5V pada titik 7a, 5V pada titik 7b, 20V pada titik 7h
dan hubungkan ground pada titik 7g.
3. Aturlah V
DS
yang tertera pada table 4-2 dengan mengatur variable resistor
R
5
. Dan gantikan niali V
GS
yang tertera pada pada table 4-2 kemuadian
aturlah dengan menggunakan R
1
, ukurlah arus drain (I
D
) dan masukan
nilai hasil pengukuran pada table 4-2
4. Berikan Kesimpulan mengenai percobaan MOSFET tersebut pada lembar
analisa data


ITN MALANG

KARAKTERISTIK 1FET & MOSFET

Nama :
N I M :
Kelompok :

Tabel 4-1
Hasil Pengukuran Arus Drain I
D
(mA) pada 1FET
V
DS
V
GS

Tabel 4-2
Hasil Pengukuran Arus Drain I
DS
(mA) pada MOSFET
V
DS
V
GS

Malang, 2010
Instruktur

( )


ITN MALANG

BAB V
PENUATAN TRANSISTOR
COMMON EMITER

5.1. Tujuan
O Dapat memahami dan mempelaiari dasar penguatan.
O Dapat mencari impedansi masukan dan keluaran pada penguat transistor
dan cara pengukuran.
O Macam-macam penguat transistor dan tiap-tiap karakteristik penguatan
hingga prakteknya dan perhitungannya.

5.2. Teori Dasar
Sebuah rangkaian penguat transistor bipolar dengan menggunakan
konIigurasi CE (Commmon-Emiter) diperlihatkan pada gambar dibawah ini:

ambar 5-1 Rangkaian Penguat Common Emitter
Untuk dapat menganalisa rangkaian diatas diperlukan dua buah analisa
yaitu analisa DC dan analiasa AC.

5.2.1. Analisa DC
Tuiuan analisa ini untuk mencari titik keria dari penguat yang akan kita
analisa. Untuk menganalisa DC maka sumber AC kita matikan dan semua
kapasitor kita buat open circuit ,sehingga rangkaian ekivalen seperti gambar 5-2
dibawah ini:


ITN MALANG

ambar 5-2 Rangkaian Ekivalen Untuk Analisa DC

Sehingga kita peroleh
2 1
// R R R
th

2 1
2
R R
R
J J
CC %

Dari loop antara Basis dan Emitor kita peroleh persamaan:
) 1 ........( )......... (
.
0
0
C B E B % %
E E B % %
I I R J I R J
I R J I R J
c
c

Arus kolektor merupakan peniumlahan dari dua arus,yaitu:
Ceo B dc C
I I I . 0
Sehingga kita peroleh:
) 2 .....( .......... .......... .......... .
1
.
1
Ceo
dc
c
dc
B
I I I
0 0

Dengan mendistribusikan persaman (2) ke persamaan (1) ,dan untuk harga
0
Ceo
I ,maka akan diperoleh:
E dc %
% dC
C
R R
J J
I
). 1 (
) .(
0

0
0

Dari loop antara kolektor-emitor kita peroleh:
| | .
E E C C CC CE
I R I R J J
Dengan:
C B E
I I I

-

R
C

I
Ceo

I
C

V
CC

V
O

I
E

R
E

I
B

-

-
V
th

R
th


ITN MALANG

0
CE
B
BE
J
I
J
r6
2 1
//
) // (
//
R R R
R r R
r R
J
B
B S
B
6
6
5.2.2. Analisa AC Untuk Frekuensi Menengah
Dengan mematikan sumber tegangan DC dan membuat short-circuit
semua kapasitor maka akan diperoleh rangakaian ekivalen seperti gambar dibwah
ini:

ambar 5-3 Rangkaian Ekivalen Analisa AC Pada Frekuansi Menengah

tan) ( Kons J IC
K%
q
J
I
J
I
gm
CE
BE
C
BE
C
0
0

: , 25 , 1
0
5eroleh kita C % untuk
| | 9 . 38 Ic gm

0
. 0 6 r gm
Setelah kita gambar rangkaian ekivalen AC seperti diatas dan kita peroleh
harga 6 r dan gm, maka dapat kita cari AV
I
,AV
S
,Z
I
,A
I
,dan A
P
serta Z
O
) sebagai
berikut:
L C O
R JR gm J // .
Dari rangkain ekivalen di atas,kita lihat VV
I
, maka diperoleh:
) // (
0
L C
I
I
R R gm
J
J
AJ
Untuk mencari AV
S
dapat kita gunakan persamaan berikut:

-

-
Z
i

R
s

R
B

Vs
I
i

V

6 r
gmV
R
C

Z
o

I
O

R
L

-
V
O


ITN MALANG

Maka:
) // (
//
). // (
B S
B
L C
I
O
S
R r R
r R
R R gm
J
J
AJ
6
6

Impedansi masukan dapat kita peroleh dengan persamaan:
B I
I
I
I
R r Z maka
I
J
Z // : 6
Penguatan arus dapat kita peroleh dengan persamaan:
L
I
I
I I
L O
I
O
I
R
Z
AJ
Z J
R J
I
I
A .
/
/

Penguatan daya dapat diperoleh dengan persamaan:
L
i
i I i
i i
O O
P
R
Z
AJ A AJ
I J
I J
A . ) (
2

Untuk mencari Z
0
maka pada rangkaian dibuat open circuit J
0
terlebih dahulu
sehingga diperoleh:
C C O O
R J gm OC J . . ) (
Dimana:
JocJ dengan R
L
\
Kemudian dibuat short circuit Io sehinggaa diperoleh:
Io(SC)gm.J
sc

Dimana
V
sc
V dengan R
L
0
Maka :
C
O
O
O
R
SC I
OC J
Z
) (
) (

Impedansi masukan diperoleh dari:

Z
in
atau
R
in
(impedansi masukan dari ampliIier) yang ditentukan dari
perbandingan masukan tegangan
v
in
dan arus
i
in
yang tidak distorsion.


ITN MALANG

Sehingga anda mendapatkan
R
in
dengan pengukuran
v
in
dan
i
in
dan
dimasukkan kedalam persamaan diatas. Anda dapat mengukur arus input (base)
ampliIier menggunakan AC micro arm meter oI mili arm meter yang diperlihatkan
Gambar 5-1 untuk menentukan
i
in
yang digunakan voltage meter-current meter
metod. Potentiometer
R
x
disambung diantara
A
dan
B
seperti pada Gambar 5-1.
Tegangan
v
x
ada pada kedua sisi
R
x
,
R
x
diubah hingga sama seperti sinyal
tegangan
v
in
yang diukur diantara
B
dan
C
. Nilai pengukuran yang diperoleh
dengan pemisahan
R
x
dari rangkaian adalah sama dengan
R
in
. Impedance input
dari common emitter ampliIier dapat meniadi berkurang oleh degeneracy
Ieedback dalam rangkain input. Sinyal arus yang masukan dari base akan
melawan tegangan
v
in
di emitter yang sama nilainya dengan terpotong dari
R
3
.
Namun
C
3
memungkinkan teriadinya AC by-pass seperti didalam rangkain ,
Sehingga dalam emitter circuit teriadi penurunan , nilai
R
in
akan bertambah.

:ener!| |n|,

(|!n|! |unedance

Impedansi output dari ampliIier (
Z
out
) dapat meniadi percobaan penguat
yang dengan manambahkan sebuah resistor variable
R
out
ke output sirkit . Ikuti
prosesnya, pertama ukur input sinyal
I
C
tanpa beban. Kemudian , sambungkan
beban dan atur beban (
R
out
) hingga keluar sinyal output yang baru (
v
out
) yang
nilainya meniadi setengah dari nilai pengukuran
v
out
sebelumnya. Bagi
R
out
yang
dari sirkit dan ukur nilainya. Sekarang, mengukur nilai output impedansit
Z
out
.
Dengan catatan tidak ada distorsi (penyimpangan) dari sinyal I/O dalam
pengukuran impedansi I/O.


ITN MALANG

Voltage gain

Common emitter ampliIier adalah arus, tegangan dan power ampliIier .
Kita dapat menetapkan tegangan gain ampliIier dengan memasukkan pengukuran
sinyal tegangan input ke dalam percobaan. Tegangan sinyal output yang diukur
(dengan oscilloscop dari voltmeter AC) dan membandingan sinyal input yang
memotong sinyal output sehingga akan meniadi tegangan gain.

Yang terpenting adalah ampliIier harus bekeria di daerah linier selama
proses. Kita dapat menetepkan daerah operasi linier dari percobaan ampliIier.
Setelah gelombang sinus 100Hz di masukkan dari sinyal audio, amati keluaran
dari kolektor dengan osiloskop. Mula-mula set keluaran sinyal generator pada
minimum. Pada saat ini, ketika generator output meningkat secara berangsur-
angsur, amatilah ienis gelombang pada oscilloscop. Namuan selama pengukuran
tidak ada nilai distorsi, sehingga itu adalah daerah sinyal input.

Process of the experiment

ambar 5-4 Rangkaian Untuk Mengukur Resistansi Input


ITN MALANG

ambar 5-5 Rangkaian Untuk Mengukur Resistansi Output

5.3. Peralatan Yang Digunakan
O Kit paraktikum Common emitter ampiliIier
O Oscilloscope
O Function Generator
O Multimeter digital
O Catu Daya
O Kabel Penghubung

5.4. Langkah Percobaan
5.4.1. Percobaan Mencari Impedansi Masukan
1. Pastikan sirkit seperti Gambar 5-1 yang menggunakan sirkit-2 dari M-6. Set
Irekuensi masukkan meniadi 1000Hz gelobang sinus.
2. Setelah
R
1
pada maximum dan
R
6
pada minimum (
0O
) diatur, set tegangan
output
8J
5 5
dengan tegangan input Irequensi yang berIariasi. Tetapi
gelombang output tidak boleh distorsi.
3. Setelah mengatur tegangan output
4J
5 5
dengan memvariasi
R
6
, ukur
tegangan input
v
R6
,
v
R3
dan masukkan kedalam table 5-1.
4. Setelah
R
6
dipisahkan dari sirkit, ukurlah nilai tahanan dan masukan
kedalam resistensi input table (5-1) yang kosong. Tetapi, hati-hati nilai
hambatan tidak boleh barubah selama pemisahan
R
6
dari sirkit.

ITN MALANG

5.4.2. Percobaan Mencari Impedansi Keluaran.
1. Pastikan sirkit seperti pada Gambar 5-5 yang menggungkan sirkit 2 dari M-
6. Masukan Irequensinya adalah 1000Hz gelombang sinus dan iangan
sambungkan
R
6
.
2. Ubah
R
1
dan tegangan sinyal input untuk membuat tegangan output
maximum yang tidak distortion. Dan ukur
v
o
tanpa beban, kemudian
masukan kedalam table 5-2.
3. Setelah
R
6
disambung ke sirkit, atur dengan presisi meniadi setengah
v
o
tanpa beban. Kemudian ukurlah
v
i
dan
v
o
dalam status setengah beban
dan kemudian masukkan kedalam table 5-2.
4. Setelah
R
6
dipisahakan dalam sirkit, ukurlah nilai resistansi dan masukkan
kedalam resistansi output dalam table table 5-2 yang kosong. Tetapi, hati-
hati nilai resistansi tidak boleh berubah dalam pemisahan
R
6
dari sirkit.

5.4.3. Percobaan Mencari Faktor Penguatan.
1. Dalam Gambar 5-5, setelah
tersambung dan mengukur no-load, output

maximum tidak bergantungdalam beban rata-rata, input maximum tidak
tergantung dari sinyal input seperti dalam table 5-2,


ITN MALANG

PENUATAN TRANSISTOR COMMON EMITOR

Nama :
N I M :
Kelompok :

Tabel 5-1
Hasil Pengukuran Impedansi Masukan

Tabel 5-2
Hasil Pengukuran Impedansi Keluaran
Terbagi atas
OUTPUT
Vi
(Vp-p)
No Load
V0(Vp-p)
1/2 Load
V0(Vp-p)
Out Resistor
Non
By Pass

By Pass

Tabel 5-3
Hasil Pengukuran Penguatan
R1 R6
1K .
Terbagi atas
INPUT
Vs
(V
P-P
)
VR6
(V
P-P
)
VR3
(V
P-P
)
Input
resistor
Non
By Pass

By Pass

Malang, 2010
Instruktur

( )


ITN MALANG

V
SUMBER

V/DIV
T/DIV

V
INPUT

V/DIV
T/DIV
V
OUTPUT
V/DIV
T/DIV

RAFIK 5-1
SINYAL IMPEDANSI MASUKAN DAN KELUARAN
DENAN NON BY PASS TANPA BEBAN

RAFIK 5-2
DENAN BY PASS TANPA BEBAN

V
SUMBER

V/DIV
T/DIV

V
INPUT

V/DIV
T/DIV
V
OUTPUT
V/DIV
T/DIV

V output
V sumber

V output

V input

V output
V sumber

V output

V input


ITN MALANG

V
SUMBER

V/DIV
T/DIV

V
INPUT

V/DIV
T/DIV
V
OUTPUT
V/DIV
T/DIV

V
SUMBER

V/DIV
T/DIV

V
INPUT

V/DIV
T/DIV
V
OUTPUT
V/DIV
T/DIV

RAFIK 5-3
DENAN NON BY PASS DENAN BEBAN

RAFIK 5-4
DENAN BY PASS DENAN BEBAN

V output
V sumber

V output

V input

V output
V sumber

V output

V input


ITN MALANG

BAB VI
COMPLEMENTARY AMPLIFIER

6.1 Tujuan
O Memahami serta mempelaiari rangkaian penguat komplemen.
O Mengetahui kelemahan dari rangkaian push pull tanpa diode bias.
6.2 Alat-alat yang Digunakan
1. Modul 6 (M-6)
2. Catu daya
3. Kabel-kabel penghubung
4. Digital multimeter
5. Osiloskop
6. Fungtion generator
6.3 Teori dasar
6.3.1 Komplemen simetri (2 power suplai)
ambar 5-1Komplemen simetri (2 power suplai)

Rangkaian komplemen simetri mengunakan 2 transistor yang mempunyai
karakteristik yang sama. Tapi yang 1 mengunakan transistor PNP dan yang lain
menggunakan transistor NPN. Gambar 5-1 meperlihatkan suatu komplemen push-
pull ampliIier simetris yang ideal. Q2 adalah transistor NPN, Q3 adalah transistor
PNP dan masing-masing kaki emitornya saling dihubungkan. Beban diletakkan
atau disambung pada kaki emitor antara Q2 dan Q3. Kolektor Q2 dihubungkan ke
polaritas positiI pada Vcc dan Colektor Q3 disambung dengan tegangan DC
polaritas negatiI.

ITN MALANG

Diasumsikan bahwa DC bias pada Q2 dan Q3 dalam keadaan cutt oII,
Base Q2 dipicu oleh inputan positiI pada perubahan tegangan (1) maka Q2 akan
On / aktiI satu rasi. Selama perubahan polaritas (1) belum berubah maka Q2 akan
tetap On, gelombang arusnya sama seperti pada gambar 5-1(b). Transistor Q3
dalam keadaan backward bias dan dalam keadaan cutoII selama polaritas positiI
belum berubah. Dan ketika Q2 berubah keadaan meniadi cutoII, Q3 meniadi bias
Iorward dan keadaannya meniadi On. Lebih ielasnya lihat pada gambar 5-1.
Akhirnya tegangan dari kedua sisi RL berbentuk sinus dan mirip dengan tegangan
inputan. Sebab Q2 dan Q3 saling melengkapi dan membentuk gelombang yang
simetris. Oleh sebab itu disebut Komplemen Simetri..
Penguat komplemen simetris harus didisain dengan sangat ieli dan baik
untuk mencegah panas yang berlebihan atau kerusakan pada power transistor.
Ketidak stabilan atau kebocoran power transistor memungkinkan teriadinya
perbedaan. Umumnya, di gunakan metode s9abiliza9ion ea9 complemen9.
Kondisi yang digunakan adalah koneksi terminal awal dengan terminal output.

6.3.2 Komplemen simetri (1 power suplai)

ambar 5-2Komplemen simetri (1 power suplai)


ITN MALANG

Daya yang digunakan untuk penguat simetris push-pull haya 1 saia.
Simetri dari rangkaian dipengaruhi oleh R1 dan R2 dengan distribusi tegangan
yang sama., di bawah pensuplai terminal bagian atas adalah terminal aliran
Iorward bias ke Q2, yang mensuplai bagian bawah ke Q3 dan keduanya membuat
arus kosong bawah mengalir dari tiap transistor sehingga menyebabkan teriadinya
cacat penyebrangan (crossover distortion) pada sinyal keluaran.
Anak panah pada gambar 5-2 memperlihatkan alu dari arus yang kosong pada
sircuit luar Q2 dan Q3. Alur arus kosong meliputi Q3, Q2 dan power suplai iuga.
Q2 dan Q3 mempunyai karakteristik yang sama. Titik D adalah tegangan tengah
DC dari rangkaian (VADVDGVCC/2). Pada ialan yang sama, iika nilai
tahanan R1, R2 sama dan Q2 dan Q3 mempunyai karakteristik yang sama, titik C
akan menyalurkan tegangan antara A dan G. Oleh karena itu, Voltmeter DC
dihubungkan ke C dan D untuk mengindikasikan 0V karena C dan D berpotensi
mengalirkan arus DC ke ground. Titik B1 lebih positiI ketimbang titik C dan D
yang didistribusikan oleh tegangan atas R1 dan R2. Jadi base (B1) dari Q2 lebih
positiI dibandingkan Emitor(D) dan mensuplai Iorward bias untuk membuat arus
kosong mengalir melalui Q2(NPN).
Tingkat R1 lawan R2 adalah Iactor yang sangat penting dalam mengatur Iorward
bias untuk membuat arus kosong bawah ke Q2 (NPN). Sinyal input tegangan
dihubungkan ke Base dari Q2 dan Q3 dengan C1 dan suplai yang sama di setiap
Base. kapasitor C2 terhubung ke sinyal output ke RL dan mencegah arus DC
mengalir sampai RL. Q2 pada keadaan Iorward bias dari perubahan polaritas
positiI. Pada waktu ini, arus nampak pda kedua sisi RL sebagai polaritas positiI.
Q3 di bias Iorward oleh polaritas negative nampak pada kedua sisinya. Aksi lain
dari gambar 5-2 sama dengan kasus menggunakan 2 power suplai.
Komplemen simetris push-pull digunakan untuk output terminal dari
penguat audio keluaran tinggi. Di dalam system ini, suara speaker merupakan
beban dan ditempatkan di RL. Kita iuga dapat mendisain rangkaian untuk beban
keluaran dihubungkan antara Emmitor dan Ground dengan membuang C2 dari
rangkaian. Itu karena impedansi output dari disain pengikut emitrornya rendah.


ITN MALANG

6.4 Langkah Percobaan
6.4.1 Percobaan omplemen9arv Amplifier Tidak Menggunakan Dioda Bias
1. Rangakai seperti pada gambar rangkaian berikut:

2. sebelum itu gambar dahulu sinyal input dengan menggunakan osiloskop
sebagai tampilan.
3. Kemudian atur Irequency 100Hz dan gambar sinyal outputan pada status
tanpa beban dan gambar iuga outputan ketika beban
50O
(
R
7
).
4. Atur Irekuensi input 300/ 1000Hz dan ulangi proses 3.

6.4.2 Percobaan omplemen9arv Amplifier dengan Menggunakan Dioda
Bias
1. Rangkai seperti pada gambar rangkaian berikut:

ITN MALANG

2. Kemudian atur Irequency 100Hz dan gambar sinyal outputan pada status
tanpa beban dan gambar iuga outputan ketika beban
50O
(
R
7
).
3. Atur Irekuensi input 300/ 1000Hz dan ulangi proses 2.
4. Ukur tegangan balance C-E (tagangan antara 4h-4k/ 4h-4g) dan bias
balance B-E (tegangan antara 4e-4h/ 4h-4f) menggunakan voltage meter
dan masukan ke dalam tabel.


ITN MALANG

LEMBAR DATA HASIL PERCOBAAN
!%ARY A!R

Nama :
Nim :
Kelompok :
Praktikum : Dasar Elektronika

1. Percobaan omplemen9arv Amplifier Tidak Menggunakan Dioda Bias
Frekuensi ..... HZ
ambar 6-
sinyal input ( f ... )

ambar 6-
sinyal output ( f ... )
Tanpa Beban

Malang, 2010
Instruktur

( )

ITN MALANG

ambar 6-
Dengan Beban (50 ohm)

Frekuensi ..... HZ
ambar 6-

ambar 6-
Tanpa Beban


ITN MALANG

ambar 6-

Frekuensi ..... HZ

ambar 6-

ambar 6-
Tanpa Beban


ITN MALANG

ambar 6-

2. Percobaan omplemen9arv Amplifier dengan Menggunakan Dioda Bias
Frekuensi ..... HZ
ambar 6-

ambar 6-
Tanpa Beban


ITN MALANG

ambar 6-

Frekuensi ..... HZ
ambar 6-

ambar 6-
Tanpa Beban


ITN MALANG

ambar 6-

Frekuensi ..... HZ
ambar 6-

ambar 6-
Tanpa Beban


ITN MALANG

ambar 6-

TABEL 6-1
HASIL PENUKURAN
VCE dan VBE BERBEBAN (50 ohm)

No. Frekuensi
(Hz)
VcE VBE
V(4h-4k) V(4h-4g) V(4e-4f) V(4h-4f)

Modul de + Lembar Data (Fix)

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Modul de + Lembar Data (Fix)

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Praktikum Dasar Elektronika

LABORATORIUM RANGKAIAN LISTRIK DAN PENGUKURAN

konstanta empiric, 1 untuk Ge dan 2 untuk Si

rata rata %egangan

Praktikum Dasar Elektronika

ambar 3-2 rangkaian Common Emiter input AC

ambar 3-3 Kurva Karakteristik Common Transistor

pada kondisi titik Q I

Penguatan arus AC titik Q dan A dalam Transistor dari gambar 3-3

ambar 3-6 karakteristik kurva Common Base

tersambung dan mengukur no-load, output

ambar 5-1Komplemen simetri (2 power suplai)

ambar 5-2Komplemen simetri (1 power suplai)

You might also like