Disusun oleh: Ahmad Fali Oklilas


Dosen Pengasuh NIP Program Studi Kelas/angkatan
Minggu ke 1

: Ahamad Fali Oklilas : 132231465 : Teknik Komputer : Teknik Komputer/2006
Sub Pokok Bahasan Pengantar Tujuan Instruksional Khusus Muatan Partikel Intensitas, Tegangan dan Energi Satuan eV untuk Energi Tingkat Energi Atom Struktur Elektronik dari Element Mobilitas dan Konduktivitas Elektron dan Holes Donor dan Aseptor Kerapatan Muatan Sifat Elektrik Ref.

Pokok Bahasan

Tingkat Energi Pada Zat Padat


Transport Sistem Pada Semikonduktor

Energi Atom

Prinsip Dasar Pada Zat Padat

Prinsip Semikonduktor


Karakteristik Dioda

Prinsip Dasar

Rangkaian terbuka p-n Junction Penyerarah pada pn Junction Sifat Volt-Ampere Sifat ketergantungan Temperatur Tahanan Dioda Kapaitas


Karakterisrik Dioda

Sifat Dioda


Karakteristik Dioda

Jenis Dioda

Switching Times Breakdown Dioda Tunnel Dioda Semiconductor Photovoltaic Effect Light Emitting Diodes Dioda sebagai elemen rangkaian Prinsip garis beban Model dioda Clipping Comparator Sampling gate Penyearah Penyearah gelombang penuh Rangkaian lainnya 1


Rangkaian Dioda



Rangkaian Dioda


7 Rangkaian Transistor Sifat Transistor Transistor Junction Komponen Transistor Transistor Sebagai Penguat (Amplifier) Konstruksi Transistor Konfigurasi Common Base Konfigurasi Common Emitor CE Cutoff CE Saturasi CE Current Gain Konfigurasi Common Kolektor Analisis Grafik Konfigurasi CE Model Two Port Device Model Hybrid Parameter h


Rangkaian Transistor

Sifat Transistor


Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah


Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah

Thevenin & Norton Emitter Follower Membandingkan Konfigurasi Amplifier Teori Miller Model Hybrid JFET Karakteristik Amper



Rangkaian Transistor Field Effect Transistor

Transistor Pada frekuensi Tinggi Sifat Dasar


Rangkaian Dasar

FET MOSFET Voltager Variable Resitor Sebagai Osilator Sebagai Penguat Sebagai Sensor


Studi Kasus

Penerapan Transistor

Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. 4. 5. Palembang, 7 Feb 2007 Dosen Pengampu,

Ahmad Fali Oklilas, MT NIP. 132231465

ATURAN PERKULIAHAN ELEKTRONIKA DASAR DAFTAR HADIR MIN = 80% X 16= 14 KOMPONEN NILAI TUGAS/QUIS = 25% UTS = 30% UAS = 45% Nilai Mutlak 86 – 100 = 71 – 85 = 56 – 70 = 41 – 55 = ≤ 40 = A B C D E

Keterlambatan kehadiran dengan toleransi 15 menit Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. 4. 5.

. The mass of the neutron is approximately equal to that of the proton. 10. which can be determined by the formula 2n 2. p. respectively. The electron’s position in reference to the nucleus gives it potential energy. Just by the electron’s motion alone. and 14 electrons. The shell can also be split into four subshells labeled s. Shells are lettered K through Q. The valence of an atom is determined by the number of electrons in the atom’s outermost shell.Tingkat Energi Pada Zat Padat Electron’s Energy Level The NEUTRON is a neutral particle in that it has no electrical charge. starting with K. d. An energy balance keeps the electron in orbit and as it gains or loses energy. and f. 6. Each shell can contain a maximum number of electrons. The electrons in the outermost shell are called VALENCE ELECTRONS. VALENCE is the ability of an atom to combine with other atoms. it assumes an orbit further from or closer to the center of the atom. it has kinetic energy. This shell is referred to as the VALENCE SHELL. An ELECTRON’S ENERGY LEVEL is the amount of energy required by an electron to stay in orbit. SHELLS and SUBSHELLS are the orbits of the electrons in an atom. which can contain 2. which is the closest to the nucleus.

semiconductors distinguish themselves from metals and insulators by the fact that they contain an "almost-empty" conduction band and an "almost-full" valence band. This definition is illustrated further with the figure below which presents . The three most important energy bands are the CONDUCTION BAND. We will now first explain the concept of a hole and then point out how the hole concept simplifies the analysis. FORBIDDEN BAND. Electrons and holes in semiconductors As pointed out before. This also means that we will have to deal with the transport of carriers in both bands. They behave as particles with the same properties as the electrons would have occupying the same states except that they carry a positive charge. To facilitate the discussion of the transport in the "almost-full" valence band we will introduce the concept of holes in a semiconductor. An atom that loses some of its electrons in the process becomes positively charged and is called a POSITIVE ION. The concepts of holes is introduced based on the notion that it is a whole lot easier to keep track of the missing particles in an "almost-full" band.IONIZATION is the process by which an atom loses or gains electrons. rather than keeping track of the actual electrons in that band. Holes are missing electrons. It is important for the reader to understand that one could deal with only electrons (since these are the only real particles available in a semiconductor) if one is willing to keep track of all the electrons in the "almost-full" valence band. ENERGY BANDS are groups of energy levels that result from the close proximity of atoms in a solid. An atom that has an excess number of electrons is negatively charged and is called a NEGATIVE ION. and VALENCE BAND.

However the gradient of the vacuum level represents the electric field within the semiconductor.2. Shown are electrons (red circles) which move against the field and holes (blue circles) which move in the direction of the applied field.the simplified energy band diagram in the presence of an electric field. The gradient of the vacuum level requires some further explaination since the vacuum level is associated with the potential energy of the electrons outside the semiconductor. Electrons in the valence band also move in the same direction. The total current due to the electrons in the valence band can therefore be written as: (f36) . band1.gif Fig.12 Energy band diagram in the presence of a uniform electric field. The electrons in the conduction band are negatively charged particles which therefore move in a direction which opposes the direction of the field. Electrons therefore move down hill in the conduction band.2. A uniform electric field is assumed which causes a constant gradient of the conduction and valence band edges as well as a constant gradient of the vacuum level.

They move upward in the energy band diagram similar to air bubbles in a tube filled with water which is closed on each end. q is the electronic charge and v is the electron velocity. Keep in mind that there is no real particle associated with a hole. The reason the concept of holes simplifies the analysis is that the density of states function of a whole band can be rather complex. or: (f37) The sum over all the states in the valence band has to equal zero since electrons in a completely filled band do not contribute to current. We call these particles holes.where V is the volume of the semiconductor. This expression can be reformulated by first taking the sum over all the states in the valence band and subtracting the current due to the electrons which are actually missing in the valence band. . This last term therefore represents the sum taken over all the empty states in the valence band. but rather that the combined behavior of all the electrons which occupy states in the valence band is the same as that of positively charge particles associated with the unoccupied states. The sum is taken over all occupied or filled states in the valence band. As illustrated by the above figure. the holes move in the direction of the field (since they are positively charged particles). However it can be dramatically simplified if only states close to the band edge need to be considered. while the remaining term can be written as: (f38) which states that the current is due to positively charged particles associated with the empty states in the valence band.

One of the Lagrange constants. The derivation then yields the most probable distribution of particles by using the Lagrange method of indeterminate constants. Introduction The distribution or probability density functions describe the probability with which one can expect particles to occupy the available energy levels in a given system. This variable is called the Fermi energy. Only one Fermion can occupy a given energy level (as described by a unique set of quantum numbers including spin). The number of bosons occupying the same energy levels is unlimited. An essential assumption in the derivation is that one is dealing with a very large number of particles.e. This assumption enables to approximate the factorial terms using the Stirling approximation. one takes into account the fact that the total number of particles as well as the total energy of the system has a specific value. namely the one associated with the average energy per particle in the distribution. Fermions and Bosons all "look alike" i. which can be distinguished from the first one. The derivation starts from the basic notion that any possible distribution of particles over the available energy levels has the same probability as any other possible distribution. While the actual derivation belongs in a course on statistical thermodynamics it is of interest to understand the initial assumptions of such derivations and therefore also the applicability of the results. they are indistinguishable. . EF. Maxwellian particles can be distinguished from each other. In addition. one must acknowledge the different behavior of different particles. turns out to be a more meaningful physical variable than the total energy. Third.Distribution functions 1.

It would seem more acceptable that the distribution function does depend on the density of available states.xls .distrib. 2. the Maxwell-Boltzmann distribution and the Bose-Einstein distribution is shown in the figure below. which are hard to explain.4. . The fact that the distribution function does not depend on the density of states is due to the assumption that a particular energy level is in thermal equilibrium with a large number of other particles.1 Occupancy probability versus energy of the Fermi-Dirac (red curve). The independence of the density of states is very fortunate since it provides a single distribution function for a wide range of systems. The nature of these particles does not need to be described further as long as their number is indeed very large. where the Fermi energy was set equal to zero. since it determines where particles can be in the first place.The resulting distributions do have some peculiar characteristics. First of all the fact that a probability of occupancy can be obtained independent of whether a particular energy level exists or not. distrib. A plot of the three distribution functions. the Fermi-Dirac distribution.gif Fig. the Bose-Einstein (green curve) and the Maxwell-Boltzman (blue curve) distribution.

.. which satisfy these particular constraints.5. . 3. The electrons are Fermions so that they are indistinguishable from each other and no more than two electrons (with opposite spin) can occupy a given energy level.. 2. An Example To better understand the general derivation without going through it..4. There are 24 possible and different configurations. Six of those configurations are shown in the figure below. 2. eV.5. which each can contain two electrons. The Fermi-Dirac distribution reaches a maximum of 1 for energies which are a few kT below the Fermi energy.5. 1.gif Fig.All three distribution functions are almost equal for large energies (more than a few kT beyond the Fermi energy). 2.5. This system contains 20 electrons and we arbitrarily set the total energy at 106 eV. 5. where the red dots represent the electrons: occdraw.2 Six of the 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV. while the Bose-Einstein distribution diverges at the Fermi energy and has no validity for energies below the Fermi energy.5. which is 6 eV more than the minimum possible energy of this system.5. 4. we now consider a system with equidistant energy levels at 0.

A complete list of the 24 configurations is shown in the table below: fddist. A best fit was obtained using a Fermi energy of 9.occprob.447 eV or T = 16.xls .998 eV and kT = 1.gif Table 2. fddist. The agreement is surprisingly good considering the small size of this system. The average occupancy of each energy level as taken over all (and equally probable) 24 configurations is compared in the figure below to the expected FermiDirac distribution function.occtable.gif .1 All 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.4.800 K.xls .

Electrons as well as holes have a spin 1/2 and obey the Pauli exclusion principle. is given by: (f18) This function is plotted in the figure below.447 eV and EF= 9.4. As these particles are added to an energy band. followed by the next higher ones.).998 eV. The states with the lowest energy are filled first. 5/2 . At absolute zero temperature (T = 0 K). All such particles also happen to have a half-integer spin. The Fermi function which describes this behavior. 3/2.. . The Fermi-Dirac distribution function The Fermi-Dirac probability density function provides the probability that an energy level is occupied by a Fermion which is in thermal equilibrium with a large reservoir.3 Probability versus energy averaged over the 24 possible configurations of the example (red squares) fitted with a Fermi-Dirac function (green curve) using kT = 1. At higher temperature one finds that the transition between completely filled states and completely empty states is gradual rather than abrupt. The definition of Fermions could therefore also be particles which obey the Pauli exclusion principle. A unique characteristic of Fermions is that they obey the Pauli exclusion principle which states that only one Fermion can occupy a state which is defined by its set of quantum numbers n.l and s. 2. the energy levels are all filled up to a maximum energy which we call the Fermi level.. they will fill the available states in an energy band just like water fills a bucket. Fermions are by definition particles with half-integer spin (1/2.Fig. 3.k. No states above the Fermi level are filled.

4. While at T =0 K the Fermi function equals a step function. 2. It equals 1/2 if the energy equals the Fermi energy and decreases exponentially for energies which are a few times kT larger than the Fermi energy.fermi.4 Fermi function at an ambient temperature of 150 K (red curve). 300 K (blue curve) and 600 K (black curve). The difference is due to the fact that a filled donor energy level contains only one electron which can have either spin (spin up or spin down) .gif Fig. Impurity distribution functions The distribution function of impurities differs from the Fermi-Dirac distribution function although the particles involved are Fermions. This yields a modified distribution function for donors as given by: . the transition is more gradual at finite temperatures and more so at higher temperatures. The Fermi function has a value of one for energies.fermi. while having two electrons with opposite spin occupy this one level is not allowed since this would leave a negatively charge atom which would have a different energy as the donor energy.4.xls . which are more than a few times kT below the Fermi energy.

In addition. The Maxwell-Boltzmann distribution function (f28) . while the doubly positive state is not allowed since this would require a different energy. This restriction would yield a factor of 2 in front of the exponential term. the ionized acceptor still contains one electron which can have either spin. The Bose-Einstein distribution function (f27) 6. The distribution function for acceptors differs also because of the different possible ways to occupy the acceptor level. which causes this factor to increase to 4 yielding: (f26) 5. one finds that most commonly used semiconductors have a two-fold degenerate valence band.(f25) The main difference is the factor 1/2 in front of the exponential term. The neutral acceptor contains two electrons with opposite spin.

Karena hanya ada satu elektron dan jaraknya 'jauh' dari nucleus. berada pada orbit paling luar. work and particle energy and the meaning of the Fermi energy. These include thermal equilibrium. Semiconductor thermodynamics In order to understand the carrier distribution functions one must be familiar with a variety of thermodynamic concepts. timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa.bahan logam seperti tembaga. karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Disebut semi atau setengah konduktor. transistor dan sebuah IC (integrated circuit). ikatannya tidaklah terlalu kuat. Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini. Hanya dengan energi yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya. Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian dalam membentuk inti yang disebut nucleus. Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi. Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-). Bahan. An ideal electron gas is discussed in more detail as an example Semikonduktor Prinsip Dasar Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda.7. . sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. besi. the difference between the total energy and heat. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29. These and other related topics are discussed in the section on semiconductor thermodynamics.

Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur yang atomnya memiliki 4 elektron valensi. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada dibumi setelah oksigen (O2). silikon menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Jika diberi tegangan potensial listrik.ikatan atom tembaga Pada suhu kamar. elektron tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Dapat ditebak. kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur . Susunan Atom Semikonduktor Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si). Namun belakangan. Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8 buah. Phenomena ini yang dinamakan sebagai arus listrik. semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron ini. Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Germanium (Ge) dan Galium Arsenida (GaAs). Pasir. elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama.

. satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai. Pada suhu yang sangat rendah (0oK). Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas. Pada suhu kamar.silikon. Struktur atom kristal silikon. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron. bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik. sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada gambar berikut. struktur dua dimensi kristal Silikon Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas.

Kenyataanya demikian. Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan elektron. Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. Tipe-N Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. doping atom pentavalen Tipe-P Kalau silikon diberi doping Boron. mereka memang iseng sekali dan jenius. yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik.Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen. Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n. Untuk mendapatkan silikon tipe-p. bahan dopingnya adalah bahan trivalen yaitu unsur dengan ion yang memiliki 3 elektron pada pita valensi. Dengan doping. dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole). Hole . Karena ion silikon memiliki 4 elektron. Gallium atau Indium. maka akan didapat semikonduktor tipe-p.

maka akan didapat sambungan P-N (p-n junction) yang dikenal sebagai dioda. Dioda PN Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan-pakai lem barangkali ya :).Pada pembuatannya memang material tipe P dan tipe N bukan disambung secara harpiah. Sama seperti resistor karbon. melainkan dari satu bahan (monolitic) dengan memberi doping (impurity material) yang berbeda. doping atom trivalen Resistansi Semikonduktor tipe-p atau tipe-n jika berdiri sendiri tidak lain adalah sebuah resistor. Namun besar resistansi yang bisa didapat kecil karena terbatas pada volume semikonduktor itu sendiri. Cara ini dipakai untuk membuat resistor di dalam sebuah komponen semikonduktor. Dengan demikian. semikonduktor memiliki resistansi.ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron. kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p. .

. LED. Dioda. dimana tegangan sisi P lebih besar dari sisi N. Zener. karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P. sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus. Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. forward bias Sebaliknya jika diberi tegangan balik (reverse bias). elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N mengisi kekosongan elektron (hole) di sisi P. base dan kolektor.sambungan p-n Jika diberi tegangan maju (forward bias). Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor.

teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar. transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio. Dalam beberapa aplikasi. transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor ini disebut transistor bipolar.Base selalu berada di tengah. Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil. di antara emitor dan kolektor. Bias DC Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda. karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. Sebab untuk dapat melepaskan elektron. . Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). Transistor npn dan pnp Akan dijelaskan kemudian. namun konsumsi dayanya sangat besar. disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar. untuk mendapatkan kualitas suara yang baik. bi = 2 dan polar = kutup.

Tetapi karena lebar base yang sangat tipis. Misalnya tidak ada kolektor. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat tegangan positif. karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik . Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini. yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). elektron mengalir dari emiter menuju base. Seperti pada dioda. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor. aliran elektron bergerak menuju kutup ini. junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reverse bias). hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base.Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Karena kolektor ini lebih positif. arus elektron transistor npn Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif. aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda.

karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan. Dengan kata lain. berikut adalah terminologi . Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju (forward bias). Ini yang dinamakan efek penguatan transistor. elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off). karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah.Pada transistor PNP. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus hole. fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias seperti pada gambar berikut. arus hole transistor pnp Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut. melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar.(reverse bias).

namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik.parameter transistor. arus potensial IC : arus kolektor IB : arus base IE : arus emitor VC : tegangan kolektor VB : tegangan base VE : tegangan emitor VCC : tegangan pada kolektor VCE : tegangan jepit kolektor-emitor VEE : tegangan pada emitor VBE : tegangan jepit base-emitor ICBO : arus base-kolektor VCB : tegangan jepit kolektor-base Perlu diingat. penampang transistor bipolar . Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil. walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan kolektor.

yaitu mengubah VDD. DIODA Kita dapat menyelidiki karakteristik statik dioda. Bila anoda berada pada .Bila arus dioda ID kita plotkan terhadap tegangan dioda Vab. dengan cara memasang dioda seri dengan sebuah catu daya dc dan sebuah resistor. kita peroleh karakteristik statik dioda.Dari satu bahan silikon (monolitic). terhadap tegangan VD. Dapat diubah dengan dua cara. beda tegang antara titik a dan b (lihat gambar 1 dan gambar 2) karakteristik statik dioda Karakteristik statik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab) dan arus yang melalui dioda. arus yang melalui dioda. emitor dibuat terlebih dahulu. kemudian base dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. yaitu ID. Kurva karakteristik statik dioda merupakan fungsi dari arus ID. Terkadang dibuat juga efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah yang dikehendaki.

tegangan lebih tinggi daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan mendapat bias forward. Bila kita mempunyai karakteristik statik dioda dan kita tahu harga VDD dan RL. maka arus ID dan VD akan berubah pula. IS arus saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage. dan memotong sumbu I pada harga (VDD/RL). Pada gambar 2 VC disebut cut-in-voltage. maka harga arus ID dan VD dapat kita tentukan sebagai berikut. Garis ini disebut garis beban (load line). Ini ditunjukkan pada gambar 3. VDD = Vab + (I· RL) atau I = -(Vab/RL) + (VDD / RL) Bila hubungan di atas kita lukiskan pada karakteristik statik dioda kita akan mendapatkan garis lurus dengan kemiringan (1/RL). . Bila VD negatip disebut bias reserve atau bias mundur. Bila harga VDD diubah. Titik potong antara karakteristik statik dengan garis beban memberikan harga tegangan dioda VD(q) dan arus dioda ID(q). Kita lihat bahwa garis beban memotong sumbu V dioda pada harga VDD yaitu bila arus I=0. Dari gambar 1.

Arus ini mempunyai harga kira-kira 1 µA untuk dioda silikon.Dengan mengubah harga VDD kita akan mendapatkan garis-garis beban sejajar seperti pada gambar 3. Dalam realita yang ada proses emisi elektron cenderung terjadi pada logam dibandingkan pada bahan lainnya. Emisi elektron ialah proses pelepasan elektron dari permukaan suatu substansi atau material yang disebabkan karena elektron elektron tersebut mendapat energi dari luar. hal ini disebabkan karena logam banyak memiliki elektron bebas yang selalu bergerak setiap saat. Pengenalan vacuum Tube Pada bagian ini penulis bermaksud mengajak para rekan rekan tube mania untuk ngobrol mengenai prinsip kerja dari Tabung. Bila VDD<0 dan |VDD| < VPIV maka arus dioda yang mengalir adalah kecil sekali. Emisi Electron Membahas mengenai cara kerja tabung tak akan karena bisa lepas dari Proses Emisi Electron sesungguhnya cara kerja tabung yang paling mendasar ialah proses emisi elektron dan pengendaliannya. yaitu arus saturasi IS. 1. terutama pada elektron yang terletak pada kulit terluar dari atom logam (elektron valensi) tidak terlalu kuat dibandingkan yang terjadi pada bahan lainnya. Akan tetapi walaupun daya tarik tesebut tidak . Banyaknya elektron bebas pada logam disebabkan karena daya tarik ini atom logam terhadap elektron.

bahan yang digunakan sebagai asal ataupun sumber elektron disebut sebagai "emiter" . Agar supaya elektron pada logam bisa melompat keluar melalui permukaan logam. energi luar yang masuk ke bahan ialah dalam bentuk energi panas. 4. dan jenis proses penerimaan energi inilah yang membedakan proses emisi elektron yaitu : 1. besarnya fungsi kerja adalah berbeda untuk setiap logam. 2. sehingga terjadi proses emisi elektron. masihlah cukup untuk menahan elektron agar tidak sampai lepas dari atom logam. Semakin besar panas yang diterima oleh bahan maka akan semakin besar pula kenaikan energi kinetik yang terjadi pada elektron. Emisi Thermionic Emisi medan listrik Emisi Sekunder Emisi Fotolistrik (Thermionic emission) (Field emission) (Secondary emission) (Photovoltaic emission) 2. Oleh elektron energi panas ini diubah menjadi energi kinetik. didefinisikan sebagai Fungsi Kerja (Work Function). Besarnya energi yang diperlukan oleh sebuah elektron untuk mengatasi daya tarik inti atom sehingga bisa melompat keluar dari permukaan logam.terlalu kuat. Emisi Thermionic Pada emisi jenis ini.Fungsi kerja biasanya dinyatakan dalam satuan eV (electron volt). dengan semakin besarnya kenaikan energi kinetik dari elektron maka gerakan elektron menjadi semakin cepat dan semakin tidak menentu. Pada situasi inilah akan terdapat elektron yang pada ahirnya terlepas keluar melalui permukaan bahan. Proses penerimaan energi luar oleh elektron agar bisa beremisi dapat terjadi dengan beberapa cara. 3. Pada proses emisi thermionic dan juga pada proses emisi lainnya. maka diperlukanlah sejumlah energi untuk mengatasi daya tarik inti atom terhadap elektron.

panas yang dibutuhkan untuk memanasi katoda dihasilkan oleh heater element (elemen pemanas) dan panas ini dialirkan secara konduksi dari heater elemen ke katoda dengan perantaraan insulasi listrik. yaitu bahan yang baik dalam menghantarkan panas tetapi tidak mengalirkan arus listrik. disingkat DHC) b) Katoda panas tak langsung (Indirect Heated Cathode. disingkat IHC) Pada Figure 2 dapat dilihat struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari DHC. dengan fungsi kerja yang rendah maka energi yang dibutuhkan . Katoda jenis ini tidak dialiri langsung oleh arus heater. Dalam konteks tabung hampa (vacuum tube) anoda lebih sering disebut sebagai "plate". Dalam proses emisi thermionik dikenal dua macam jenis katoda yaitu : a) Katoda panas langsung (Direct Heated Cathode. Struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari IHC dapat dilihat pada Figure 3.atau lebih sering disebut "katoda" (cathode). Pada proses emisi thermionik bahan yang akan digunakan sebagai katoda harus memiliki sifat sifat yang memadai untuk berperan dalam proses yaitu : a. pada katoda jenis ini katoda selain sebagai sumber elektron juga dialiri oleh arus heater (pemanas). Memiliki fungsi kerja yang rendah. sedangkan bahan yang menerima elektron disebut sebagai anoda.

untuk menarik elektron menjadi lebih kecil sehingga proses emisi lebih mudah terjadi. dan suhu ini bisa mencapaai 1500 derajat celcius. C. Tungsten memiliki dua kelebihan untuk digunakan sebagai katoda yaitu memiliki ketahanan mekanik dan juga titik lebur yang tinggi (sekitar 3400 derajat Celcius). Akan tetapi untuk aplikasi yang umum terutama untuk aplikasi Tabung Audio dimana tegangan kerja dan temperature . Memiliki titik lebur (melting point) yang tinggi. sehingga tungsten banyak digunakan untuk aplikasi khas yaitu tabung X-Ray yang bekerja pada tegangan sekitar 5000V dan temperature tinggi. sehingga agar supaya katoda tidak mengalami deformasi maka bahan dari katoda harus memiliki mechanical strenght yang tinggi. yaitu : 3. b. Lompatan ion positif tersebut oleh katoda akan dirasakan sebagai benturan. Tungsten Material ini adalah material yang pertama kali digunakan orang untuk membuat katode. Memiliki ketahanan mekanik (mechanical strenght) yang tinggi Pada saat terjadinya emisi maka terjadi pula lompatan ion positif dari plate menuju ke katoda. Pada aplikasi yang sesungguhnya ada tiga jenis material yang digunakan untuk membuat katoda. Pada proses emisi thermionic katoda harus dipanaskan pada suhu yang cukup tinggi untuk memungkinkan terjadinya lompatan elektron.

5. Sebagai hasil dari pelapisan tersebut maka dihasilkanlah katoda yang memiliki fungsi kerja yang dan temperature kerja optimal rendah yaitu sekitar 750 derajat celsius. yaitu suatu nilai fungsi kerja yang lebih rendah dibandingan dengan fungsi kerja tungsten ataupun thorium dalam keadaan tidak dicampur. hal ini disebabkan karena tungsten memiliki fungsi kerja yang tinggi( 4. Selain itu hasil pencampuran kedua logam tersebut memiliki temperature kerja optimal yang lebih rendah daripada tungsten yaitu 1700 derajat celcius hal ini berarti besarnya energi yang dibutuhkan untuk pemanasan pada aplikasi pemakaian logam campuran ini juga lebih rendah. 5.4 eV. campuran antara thorium dan tungsten memiliki fungsi kerja 2.52 eV) dan juga temperature kerja optimal yang cukup tinggi (sekitar 2200 derajat celcius) 4. Emisi Medan Listrik (Field Emission) Pada emisi jenis ini yang menjadi penyebab lepasnya elektron dari . Thoriated Tungsten Material ini ialah campuran antara tungsten dan thorium. Katoda berlapis oksida (Oxide-Coated Cathode) Katoda tipe ini terbuat dari lempengan nickel yang dilapis dengan barium dan oksida strontium.63eV. Thorium adalah material yang secara individual memiliki fungsi kerja 3.tidak terlalu tinggi maka tungsten bukan material yang ideal. Katoda jenis ini umumnya digunakan untuk aplikasi yang menggunakan tegangan tidak lebih dari 1000 V.

Pada proses tumbukan terjadi pemindahan sebagian energi kinetik dari elektron yang datang ke elektron yang ada pada katoda sehingga elektron yang ada pada katoda tersebut terpental keluar dari permukaan katoda. 6. Emisi Sekunder ( Secondary emission) Pada emisi sekunder ini energi yang menjadi penyebab lepasnya elektron datang dalam bentuk energi mekanik yaitu energi yang diberikan dalam proses tumbukan antara elektron luar yang datang dengan elektron yang ada pada katoda. Pada katoda yang digunakan pada proses emisi ini dikenakan medan listrik yang cukup besar sehingga tarikan yang terjadi dari medan listrik pada elektron menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk lompat keluar dari permukaan katoda. Pada kenyataannya proses emisi sekunder tidak dapat berlangsung sukses dengan sendirinya untuk melepaskan elektron dari permukaan akan tetapi proses emisi ini masih membutuhkan dukungan dari emisi jenis lainnya secara bersamaan yaitu emisi medan listrik. Emisi medan listrik adalah salah satu emisi utama yang terjadi pada vacuum tube selain emisi thermionic.bahan ialah adanya gaya tarik medan listrik luar yang diberikan pada bahan. karena walaupun elektron sudah terpental keluar dari permukaan katoda akan tetapi energi yang dimiliki oleh elektron ini seringkali tidak cukup untuk . Dukungan proses emisi medan listrik dibutuhkan pada proses emisi sekunder.

7. hal ini disebabkan karena energi yang didapat oleh elektron dari foton belum cukup untuk membuat elektron tersebut mampu menjangkau anoda. Sampai pada bagian ini kita baru saja meyelesaikan obrolan kita mengenai emisi electron dan sekarang obrolan akan kita lanjutkan ke pembahasan mengenai vacuum tube dan cara kerjanya.menjangkau anoda sehingga dibutuhkanlah dukungan energi dari proses emisi medan listrik.Dioda .Trioda . yang oleh elektron kemudian diubah menjadi energi mekanik sehingga elektron tersebut dapat terlepas dari permukaan katoda. Emisi Fotolistrik (Photo Electric Emission) Pada emisi fotolistrik energi diberikan ke elektron pada katoda melalui foton yaitu paket paket energi cahaya. Yang dimaksud dengan vacuum tube ialah peralatan elektronik dimana aliran elektron terjadi pada ruang hampa. Sama seperti proses emisi sekunder emisi fotolistrik juga tidak dapat berjalan dengan sempurna tanpa bantuan proses emisi medan listrik. Ada beberapa jenis vacuum tube yang umum digunakan yaitu .

hubungan berangsur-linier Hubungan berangsur-tangga.Tetroda . Bandung: Penerbit ITB.. rapat pencampuran berubah secara linier menurut jarak menjauh dari hubungan. jilid 1. rapat pencampuran akseptor atau donor dalam semikondktor tetap sampai mencapai hubungan. Pencampuran dengan pemanasan pada temperature tinggi dlm waktu singkat. Terbentuk dg menarik kristal tunggal dari lelehan germanium yang pd saat dimulai proses sudah berisi pencampuran dari satu jenis. 1986” Dioda Hubungan Hubungan p-n Lihat gambar diatas i.Pentoda REFERENSI “Elektronika : teori dasar dan penerapannya”. Hubungan p-n tanpa catu . hubungan berangsur-tangga atau ii. Dalam hubungan berangsur-linier.

5 mikrometer. Tebal daerah kosong sekitar 0. Daerah P terdiri dari elektron sbg pembawa minoritas dan daerah n berisi lubang sebagai pembawa minoritas. Potensial halangan ekivalen VB diberikan oleh Eb=eVB berdasarkan energi halangan tergantung pada lebar daerah tidak tercakup. Jumlah energinya sama kalau lobang dari daerah p berpindah ke daerah n. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu maju (forward biased). Setelah melewati hubungan mereka bergabung dg membiarkan ion-ion tidak bergerak disekelilingnya tidak ternetralkan. Karena ada medan halangan lewat hubungan. Hubungan p-n yang dicatu Jika + batere dihub ke sisi jenis p dan – batere ke sisi jenis n. . perpindahan elektron dari sisi n ke sisi p memerlukan sejumlah energi yang dinamakan energi halangan (barrier) (Eb). Medan ini diarahkan dari sisi n ke sisi p dan dinamakan medan halangan. Diagram pita energi dari hubungan p-n tanpa dicatu. Medan halangan berperan sehingga elektron dari sisi p dan lubang dari sisi n dg mudah melewati hubungan. Krn itu gerakan pembawa minoritas membentuk aliran arus.Lihat gambar atas Elektron berdifusi lewat hubungan ke kiri dan lobang-lobang berdifusi ke kanan. yang menghasilkan medan listrik lewat hubungan. mereka dinama muatan tidak tercakup. lihat gambar bawah. Medan ini melawan gerakan difusi elektron dan lubang lewat hubungan. Hubungan akan mengalir arus besar.

Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu balik (reverse biased). Sifat-sifat diatas cocok untuk penyearahan. yakni energi halangannya. Penyearah adalah suatu rangkaian yang berfungsi untuk mengubah tegangan bolak-balik menjadi tegangan searah. Ada dua type rangkaian penyearah dengan menggunakan dioda yaitu penyearah gelombang penuh dan penyearah setengah gelombang yang mana kedua rangkaian tersebut akan diuji pada praktikum . PENYEARAH 1. Hubungan p-n dicatu maju Gambar lihat samping kanan Tegangan catu maju mengakibatkan gaya pada lubang di sisi jenis p dan pada electron di sisi jenis n.7 volt.gambar samping kiri. Akibatnya lebar muatan tidak tercakup berkurang dan halangan berkurang. Penyearah dengan dioda mengikuti sifat dioda yang akan menghantar pada satu arah dengan drop tegangan yang kecil yaitu sebesar 0. Pendahuluan Penggunaan dioda yang paling umum adalah sebagai penyearah .Jika dibalik +batere ke sisi n dan –batere ke sisi p. Hubungan akan mengalir arus kecil. Gaya ini mengakibatkan lubang dan electron bergerak menuju hubungan.

1.2 dimana arus dari keluaran rangkaian penyearah selain akan melewati beban juga akan mengisi kapasitor sehingga pada saat tegangan hasil penyearahan mengalami penurunan maka kapasitor akan membuang muatannya kebeban dan tegangan beban akan tertahan sebelum mencapai nol. Penyearah Setengah Gelombang A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 2. T adalah periode . Hal ini dapat dijelaskan pada gambar berikut: Hasil penyearahan yang tidak ideal akan mengakibatkan adanya ripple seperti terlihat pada gambar diatas dimana tegangan ripple yang dihasilkan dapat ditentukan oleh persamaan berikut : Ripple (peak to peak) = Idc .1 dihubungkan dengan suatu kapasitor secara paralel terhadap beban seperti pada gambar 1. Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan Untuk mendapatkan suatu tegangan DC yang baik dimana bentuk tegangan hasil penyearahan adalah mendekati garis lurus maka tegangan keluaran dari suatu rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar 1.2. (T / C) Dimana Idc dalam hal ini adalah tegangan keluaran dibagi dengan R beban.

Penyearah Gelombang Penuh 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 3. A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - 3.tegangan ripple (detik) dan C adalah nilai kapasitor (Farad) yang digunakan.1. Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - .

1 dimana bentuk simbol tersebut menyerupai dioda biasa kecuali garis melintang pada kepala panah yang digunakan untuk menyatakan sudut karakteristik balik.DIODA ZENER 1. Hal ini tidak ditunjukkan sebelumnya karena biasanya akan merusak dioda. A K 2. Simbol dioda zener adalah seperti pada gambar 2. Pendahuluan Sebagian dioda semikonduktor bila dihubungkan dengan suatu tegangan balik yang cukup akan melakukan suatu arus balik. Karakteristik maju dioda Zener + A 100 Ohm + Supply DC Variabel Zener 12V V V - Voltmeter . Akan tetapi dioda Zener justru adalah suatu dioda yang dirancang untuk bisa melakukan arus balik dengan aman dan dengan drop tegangan hanya beberapa volt saja. Pada arah maju dioda zener berperilaku seperti dioda biasa.

dioda dan hubungan-hubungannya 9. Karakteristik balik dioda Zener Reverse Current (mA) 60 +10V Zener Current 50 40 I 30 Resistor for zener dioda 20 10 V V 5 10 15 Reverse Voltage (b) 0V (a) (c) Tugas perorangan: Buat resume tentang 1.3. 8. hubungan p-n yang dicatu. semikonduktor tidak murni 6. konsep elektron. semikonduktor 3. pengaruh temperatur pada semikonduktor 7. . pita energi. rekombinasi 5.d. atom. Tolong diketik yang rapi dan menarik dijilid. semi konduktor murni 4. isolator. 2. Silahkan ambil dari referensi mana saja dan media apa saja. konduktor. efek hall. s.

A transistor consists of three layers of a semiconductor material. A transistor regulates current or voltage flow and acts as a switch or gate for electronic signals. rapidly replaced the vacuum tube as an electronic signal regulator. A semiconductor is a material such as germanium and silicon that conducts electricity in a "semi-enthusiastic" way. the . It's somewhere between a real conductor such as copper and an insulator (like the plastic wrapped around wires).Transistor The transistor. Today's computers use circuitry made with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. invented by three scientists at the Bell Laboratories in 1947. rapid change in the current passing through the entire component. CMOS uses two complementary transistors per gate (one with N-type material. each capable of carrying a current. The semiconductor material is given special properties by a chemical process called doping. opening and closing an electronic gate many times per second. A small change in the current or voltage at the inner semiconductor layer (which acts as the control electrode) produces a large. The component can thus act as a switch. The transistor's three-layer structure contains an N-type semiconductor layer sandwiched between P-type layers (a PNP configuration) or a Ptype layer between N-type layers (an NPN configuration). The doping results in a material that either adds extra electrons to the material (which is then called N-type for the extra negative charge carriers) or creates "holes" in the material's crystal structure (which is then called P-type because it results in more positive charge carriers).

other with P-type material). pemotong (switching)." Jenis Transistor Berbagai macam Transistor (Dibandingkan dengan pita ukur centimeter) Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat. which consist of very large numbers of transistors interconnected with circuitry and baked into a single silicon microchip or "chip. it requires almost no power. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi . dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET). stabilisasi tegangan. transistor memiliki 3 terminal. When one transistor is maintaining a logic state. Dalam rangkaian analog. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistors are the basic elements in integrated circuits (ICs). Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik. memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Pada umumnya. modulasi sinyal atau fungsi lainnya.

dengan sebuah proses yang dinamakan doping. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Garam dapur sendiri adalah nonkonduktor (isolator). sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya. Dalam rangkaian-rangkaian digital. Dalam kasus ini. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor. dan komponen-komponen lainnya. dan penguat sinyal radio. Cara Kerja Semikonduktor Pada dasarnya. memori. sedangkan Silikon hanya 4. Arsenik akan bebas dan hasilnya memberikan elektron memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. misalkan sebuah gelas berisi air murni. ion) terbentuk. transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa. dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi. konduksi arus akan mulai mengalir. keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. seperti Arsenik. transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. karena . Sehingga. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya. tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). sumber listrik stabil. namun tidak banyak.pengeras suara. karena pembawa muatanya tidak bebas. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator. namun jika sedikit pencemar ditambahkan. karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers. air murni dianggap sebagai isolator. dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen). Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya.

Dalam sebuah metal. dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. sehingga tanpa adanya gaya yang lain. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil. dinamakan "lubang" (hole. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Selain dari itu. pembawa muatan yang baru. Dalam tabung hampa. asalkan tata-letak kristal Silikon tetap dipertahankan. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor. satu . Dalam sebuah transistor bipolar. pembawapembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n). karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Silikon dapat dicampur dengn Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya. daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. pembawa muatan positif). pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen.pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. dalam ukuran satu berbanding seratus juta. Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak. populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi. tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Karena itu. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipen dibuat dalam satu keping Silikon.

Untuk membuat transistor. listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan). namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET). bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon. yaitu elektron atau lubang. Cara Kerja Transistor Dari banyak tipe-tipe transistor modern. Dalam metal. jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. tegangan ini sangat tinggi. listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Dalam metal. Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan. pada awalnya ada dua tipe dasar transistor. sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter.pembawa muatan untuk setiap atom. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator. Namun. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan. yang masing-masing bekerja secara berbeda. dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor. untuk merubah metal menjadi isolator. Dengan kata lain. pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. sedangkan metal tidak. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas . Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah.

arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Jenis-Jenis Transistor Pchannel PNP NPN Nchannel BJT JFET Simbol Transistor dari Berbagai Tipe Secara umum.pembawa muatan: elektron dan lubang. Dalam BJT. untuk membawa arus listrik. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole. tergantung dari tipe FET). Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori: . Dalam FET. untuk merubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan. dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.

Tegangan Tinggi. IGFET (MOSFET). IGBT. Berbeda dengan IGFET. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet. Medium. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). Through Hole Plastic. MESFET. Medium Power. BJT. terminal gate dalam JFET membentuk sebuah .• • • • • • • Materi semikonduktor: Germanium. Surface Mount. Microwave. dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. IC. Saklar. HBT. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau hFE. dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. atau High Frequency. dan basis (B). RF transistor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. HEMT. Audio. MISFET. High Power Maximum frekwensi kerja: Low. PNP atau Pchannel Maximum kapasitas daya: Low Power. FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). dan lain-lain Tipe: UJT. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel. Silikon. General Purpose. kolektor (C). sehingga ada tiga terminal. JFET. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. VMOSFET.

aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Dan juga. gate adalah negatif dibandingkan dengan source. dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode.dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Untuk P-channel FET. sedangkan dalam enhancement mode. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode". Operational Amplifier Karakteristik Op-Amp . Secara fungsinya. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. gate adalah positif. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. keduanya memiliki impedansi input tinggi. jika tegangan gate dibuat lebih positif. Untuk kedua mode. yang juga membentuk sebuah dioda antara antara grid dan katode. ini membuat Nchannel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum. dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.

osilator. histeresis pengatur suhu. op-amp adalah komponen IC yang memiliki 2 input tegangan dan 1 output tegangan. komparator dan sederet aplikasi lainnya.kalau perlu mendesain sinyal level meter. dalam sekejap (atau dua kejap) sebuah pre-amp audio kelas B sudah dapat jadi dirangkai di atas sebuah proto-board. integrator. konverter sinyal. filter aktif semisal tapis nada bass. penguat audio. mixer. penguat mic. . Hanya dengan menambah beberapa resitor dan potensiometer. pembangkit sinyal. Penguat diferensial seperti yang ditunjukkan pada gambar-1 merupakan rangkaian dasar dari sebuah opamp. Penguat diferensial Op-amp dinamakan juga dengan penguat diferensial (differential amplifier). differensiator. Komponen elektronika analog dalam kemasan IC (integrated circuits) ini memang adalah komponen serbaguna dan dipakai pada banyak aplikasi hingga sekarang. Sesuai dengan istilah ini. dimana tegangan output-nya adalah proporsional terhadap perbedaan tegangan antara kedua inputnya itu. selalu pilihan yang mudah adalah dengan membolak-balik data komponen yang bernama opamp.

yang pertama adalah penguat diferensial. selanjutnya ada rangkaian penggeser level (level shifter) dan kemudian penguat akhir yang biasanya dibuat dengan penguat push-pull kelas B. Sedangkan sebaliknya titik v2 dikatakan input inverting sebab berlawanan phasa dengan tengangan vout. Titik input v1 dikatakan sebagai input non-iverting. Gambar-2(a) berikut menunjukkan diagram dari op-amp yang terdiri dari beberapa bagian tersebut. sebab tegangan vout satu phase dengan v1.gambar-1 : penguat diferensial Pada rangkaian yang demikian. gambar-2 (a) : Diagram blok Op-Amp . lalu ada tahap penguatan (gain). persamaan pada titik Vout adalah Vout = A(v1-v2) dengan A adalah nilai penguatan dari penguat diferensial ini. Diagram Op-amp Op-amp di dalamnya terdiri dari beberapa bagian.

Op-amp standard type 741 dalam kemasan IC DIP 8 pin sudah dibuat sejak tahun 1960-an. Umumnya op-amp bekerja dengan dual supply (+Vcc dan –Vee) namun banyak juga op-amp dibuat dengan single supply (Vcc – ground). . SN741 dari Texas Instrument dan lain sebagainya. karakteristik satu op-amp dapat berbeda dengan opamp lain. LM741 buatan National Semiconductor. Sedangkan AOL adalah nilai penguatan open loop dan nilai idealnya tak terhingga. Saat ini banyak terdapat tipe-tipe op-amp dengan karakterisktik yang spesifik. non-inverting (+) dan input inverting (-). Tabel-1 menunjukkan beberapa parameter op-amp yang penting beserta nilai idealnya dan juga contoh real dari parameter LM714. Untuk tipe yang sama. Simbol rangkaian di dalam op-amp pada gambar-2(b) adalah parameter umum dari sebuah op-amp. tiap pabrikan mengeluarkan seri IC dengan insial atau nama yang berbeda. Rout adalah resistansi output dan besar resistansi idealnya 0 (nol). Misalnya dikenal MC1741 dari motorola.gambar-2 (b) : Diagram schematic simbol Op-Amp Simbol op-amp adalah seperti pada gambar-2(b) dengan 2 input. Rin adalah resitansi input yang nilai idealnya infinit (tak terhingga). Tergantung dari teknologi pembuatan dan desain IC-nya.

Unity-gain frequency Op-amp ideal mestinya bisa bekerja pada frekuensi berapa saja mulai dari sinyal dc sampai frekuensi giga Herzt. Parameter unity-gain frequency menjadi penting jika op-amp digunakan untuk aplikasi dengan frekuensi tertentu. sistem penguatan opamp menjadi tidak stabil. Jika perlu merancang .000 kali. Namun pada prakteknya opamp semisal LM741 memiliki penguatan yang terhingga kira-kira 100. Input diferensial yang amat kecil saja sudah dapat membuat outputnya menjadi saturasi. Sebenarnya dengan penguatan yang sebesar ini. Response penguatan op-amp menurun seiring dengan menaiknya frekuenci sinyal input. Pada bab berikutnya akan dibahas bagaimana umpan balik bisa membuat sistem penguatan op-amp menjadi stabil. Ini berarti penguatan op-amp akan menjadi 1 kali pada frekuensi 1 MHz.tabel-1 : parameter op-amp yang penting Penguatan Open-loop Op-amp idealnya memiliki penguatan open-loop (AOL) yang tak terhingga. Parameter AOL biasanya adalah penguatan op-amp pada sinyal DC. Op-amp LM741 misalnya memiliki unity-gain frequency sebesar 1 MHz.

Parameter CMRR diartikan sebagai kemampuan op-amp untuk menekan penguatan tegangan ini (common mode) sekecilkecilnya. op-amp LM741 memiliki slew-rate sebesar 0. Contohnya op-amp dengan CMRR = 90 dB. Tetapi karena ketidak idealan op-amp. maka tegangan persamaan dari kedua input ini ikut juga dikuatkan. maka outputnya juga kotak. Sehingga jika input berupa sinyal kotak. ini artinya penguatan ADM (differential mode) adalah kira-kira 30. maka sinyal output dapat berbentuk ekponensial. Ini berarti perubahan output op-amp LM741 tidak bisa lebih cepat dari 0. Op-amp ideal memiliki parameter slew-rate yang tak terhingga.000 kali dibandingkan penguatan ACM (commom mode). Parameter CMRR Ada satu parameter yang dinamakan CMRR (Commom Mode Rejection Ratio). Parameter ini cukup penting untuk menunjukkan kinerja op-amp tersebut. Karena ketidak-idealan op-amp. CMRR didefenisikan dengan rumus CMRR = ADM/ACM yang dinyatakan dengan satuan dB.aplikasi pada frekeunsi tinggi. Namun kapasitor ini menimbulkan kerugian yang menyebabkan response op-amp terhadap sinyal input menjadi lambat. Slew rate Di dalam op-amp kadang ditambahkan beberapa kapasitor untuk kompensasi dan mereduksi noise. Op-amp dasarnya adalah penguat diferensial dan mestinya tegangan input yang dikuatkan hanyalah selisih tegangan antara input v1 (non-inverting) dengan input v2 (inverting).5V/us. maka pilihlah op-amp yang memiliki unity-gain frequency lebih tinggi. Sebagai contoh praktis. maka artinya perbandingannya kira-kira hanya 30 kali.5 volt dalam waktu 1 us. Kalau . Kalau CMRR-nya 30 dB.

05 volt dan tegangan v2 = 5 volt. high power output dan lain sebagainya. LM714 termasuk jenis op-amp yang sering digunakan dan banyak dijumpai dipasaran. Dengan kata lain. Saat ini banyak op-amp yang dilengkapi dengan kemampuan seperti current sensing. Data karakteristik op-amp yang lengkap. maka output op-amp mestinya nol. Pada pokok bahasan kali ini akan dipaparkan beberapa aplikasi opamp yang paling dasar. Pembaca dapat mengerti dengan CMRR yang makin besar maka op-amp diharapkan akan dapat menekan penguatan sinyal yang tidak diinginkan (common mode) sekecil-kecilnya. Analisa Rangkaian Op-Amp Popular Operational Amplifier atau di singkat op-amp merupakan salah satu komponen analog yang popular digunakan dalam berbagai aplikasi rangkaian elektronika. open colector output. Di pasaran ada banyak tipe op-amp. integrator dan differensiator. Ada juga op-amp untuk aplikasi khusus seperti aplikasi frekuesi tinggi. ya ada di datasheet. misalkan tegangan input v1 = 5. Contoh lain misalnya TL072 dan keluarganya sering digunakan untuk penguat audio. current limmiter.diaplikasikan secara real. non-inverter.05 volt dan tegangan persamaan-nya (common mode) adalah 5 volt. op-amp dengan CMRR yang semakin besar akan semakin baik. rangkaian kompensasi temperatur dan lainnya. Tipe lain seperti LM139/239/339 adalah opamp yang sering dipakai sebagai komparator. maka dalam hal ini tegangan diferensialnya (differential mode) = 0. Cara yang paling baik pada saat mendesain aplikasi dengan op-amp adalah dengan melihat dulu karakteristik opamp tersebut. Jika kedua pin input dihubung singkat dan diberi tegangan. Aplikasi op-amp popular yang paling sering dibuat antara lain adalah rangkaian inverter. dimana rangkaian feedback .

Input (masukan) op-amp seperti yang telah dimaklumi ada yang dinamakan input inverting dan non-inverting. sehingga op-amp dapat dirangkai menjadi aplikasi dengan nilai penguatan yang terukur (finite). Disinilah peran rangkaian negative feedback (umpanbalik negatif) diperlukan. . Op-amp ideal Op-amp pada dasarnya adalah sebuah differential amplifier (penguat diferensial) yang memiliki dua masukan. Sebagai perbandingan praktis. Secara umum. Seperti misalnya op-amp LM741 yang sering digunakan oleh banyak praktisi elektronika. Aturan ini dalam beberapa literatur dinamakan golden rule. Nilai impedansi ini masih relatif sangat besar sehingga arus input op-amp LM741 mestinya sangat kecil. Ada dua aturan penting dalam melakukan analisa rangkaian op-amp berdasarkan karakteristik op-amp ideal. Penguatan yang sebesar ini membuat opamp menjadi tidak stabil. op-amp LM741 memiliki impedansi input Zin = 106 Ohm. umpanbalik positif akan menghasilkan osilasi sedangkan umpanbalik negatif menghasilkan penguatan yang dapat terukur. dan penguatannya menjadi tidak terukur (infinite). Op-amp ideal memiliki open loop gain (penguatan loop terbuka) yang tak terhingga besarnya. Impedasi input op-amp ideal mestinya adalah tak terhingga.(umpan balik) negatif memegang peranan penting. sehingga mestinya arus input pada tiap masukannya adalah 0. yaitu : Aturan 1 : Perbedaan tegangan antara input v+ dan v. memiliki karakteristik tipikal open loop gain sebesar 104 ~ 105.) Aturan 2 : Arus pada input Op-amp adalah nol (i+ = i= 0) Inilah dua aturan penting op-amp ideal yang digunakan untuk menganalisa rangkaian op-amp.adalah nol (v+ .= 0 atau v+ = v.v.

Seperti tersirat pada namanya. di ketahui bahwa : iin + iout = i. gambar 1 : penguat inverter Input non-inverting pada rangkaian ini dihubungkan ke ground. Dengan fakta ini. iin + iout = vin/R1 + vout/R2 = 0 Selanjutnya vout/R2 = . pembaca tentu sudah menduga bahwa fase keluaran dari penguat inverting ini akan selalu berbalikan dengan inputnya.= 0. arus masukan op-amp adalah 0. input opamp ..= vout. atau v+ = 0.R2/R1 . dimana sinyal masukannya dibuat melalui input inverting. Pada rangkaian ini.. dapat dihitung tegangan jepit pada R1 adalah vin – v. umpanbalik negatif di bangun melalui resistor R2. Karena nilainya = 0 namun tidak terhubung langsung ke ground.= v+ = 0. maka akan dipenuhi v. karena menurut aturan 2.= vin dan tegangan jepit pada reistor R2 adalah vout – v.. Kemudian dengan menggunakan aturan 2.pada rangkaian ini dinamakan virtual ground. atau vout/vin = . Dengan mengingat dan menimbang aturan 1 (lihat aturan 1).Inverting amplifier Rangkaian dasar penguat inverting adalah seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.

gambar 2 : penguat non-inverter . Karena input inverting (-) pada rangkaian ini diketahui adalah 0 (virtual ground) maka impendasi rangkaian ini tentu saja adalah Zin = R1. Untuk menganalisa rangkaian penguat op-amp non inverting. Dengan demikian tegangan keluaran rangkaian ini akan satu fasa dengan tegangan inputnya. Seperti namanya. Non-Inverting amplifier Prinsip utama rangkaian penguat non-inverting adalah seperti yang diperlihatkan pada gambar 2 berikut ini. maka dapat ditulis …(1) Impedansi rangkaian inverting didefenisikan sebagai impedansi input dari sinyal masukan terhadap ground.Jika penguatan G didefenisikan sebagai perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan. penguat ini memiliki masukan yang dibuat melalui input non-inverting. caranya sama seperti menganalisa rangkaian inverting.

Rangkaian dasar sebuah integrator adalah rangkaian op-amp inverting.. Integrator Opamp bisa juga digunakan untuk membuat rangkaian-rangkaian dengan respons frekuensi. atau iout = (vout-vin)/R2. maka diperoleh iout = iR1 dan Jika ditulis dengan tegangan jepit masing-masing maka diperoleh (vout – vin)/R2 = vin/R1 yang kemudian dapat disederhanakan menjadi : vout = vin (1 + R2/R1) Jika penguatan G adalah perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan.= vin.Dengan menggunakan aturan 1 dan aturan 2. antara lain : vin = v+ v+ = v. LM741 diketahui memiliki impedansi input Zin = 108 to 1012 Ohm. hanya . Hukum kirchkof pada titik input inverting merupakan fakta yang mengatakan bahwa : iout + i(-) = iR1 Aturan 2 mengatakan bahwa i(-) = 0 dan jika disubsitusi ke rumus yang sebelumnya... maka didapat penguatan op-amp non-inverting : … (2) Impendasi untuk rangkaian Op-amp non inverting adalah impedansi dari input non-inverting op-amp tersebut. Dari datasheet. yang berarti arus iR1 = vin/R1. kita uraikan dulu beberapa fakta yang ada.= vin .. Salah satu contohnya adalah rangkaian integrator seperti yang ditunjukkan pada gambar 3. lihat aturan 1. Lalu tegangan jepit pada R1 adalah v.= vout – vin. misalnya rangkaian penapis (filter). Dari sini ketahui tegangan jepit pada R2 adalah vout – v.

saja rangkaian umpanbaliknya (feedback) resistor melainkan menggunakan capasitor C.= 0 iin = iout . Dengan menggunakan 2 aturan opamp (golden rule) maka pada titik inverting akan didapat hubungan matematis : iin = (vin – v-)/R = vin/R . Prinsipnya sama dengan menganalisa rangkaian opamp inverting. bukan gambar 3 : integrator Mari kita coba menganalisa rangkaian ini. dimana v. . Aplikasi yang paling populer menggunakan rangkaian integrator adalah rangkaian pembangkit sinyal segitiga dari inputnya yang berupa sinyal kotak. akan diperoleh persamaan : iin = iout = vin/R = -C dvout/dt. atau dengan kata lain . (aturan 2) Maka jika disubtisusi. karena secara matematis tegangan keluaran rangkaian ini merupakan fungsi integral dari tegangan input. Sesuai dengan nama penemunya. rangkaian yang demikian dinamakan juga rangkaian Miller Integral. v.(3) Dari sinilah nama rangkaian ini diambil.= 0 (aturan1) iout = -C d(vout – v-)/dt = -C dvout/dt...

Terlihat dari rumus tersebut secara matematis. kapasitor akan berupa saklar terbuka. Pada rangkaian integrator (gambar 3) tersebut diketahui Dengan demikian dapat diperoleh penguatan integrator tersebut seperti persamaan (5) atau agar terlihat respons frekuensinya dapat juga ditulis dengan …(6) Karena respons frekuensinya yang demikian.Dengan analisa rangkaian integral serta notasi Fourier. Ketika inputnya berupa sinyal dc (frekuensi = 0). Jika tanpa resistor feedback seketika itu juga outputnya akan saturasi sebab rangkaian umpanbalik op-amp menjadi open loop (penguatan open loop opamp ideal tidak berhingga atau sangat besar). Pada prakteknya. rangkaian feedback integrator mesti diparalel dengan sebuah resistor dengan nilai misalnya 10 kali nilai R atau satu besaran tertentu yang diinginkan. Nilai resistor feedback sebesar 10R akan selalu menjamin . dimana f = 1/t dan …(4) penguatan integrator disederhanakan dengan rumus tersebut dapat …(5) Sebenarnya rumus ini dapat diperoleh dengan cara lain. rangkain integrator ini merupakan dasar dari low pass filter. penguatan akan semakin kecil (meredam) jika frekuensi sinyal input semakin besar. yaitu dengan mengingat rumus dasar penguatan opamp inverting G = .R2/R1.

Dengan analisa yang sama seperti rangkaian integrator. akan diperoleh persamaan penguatannya : …(7) Rumus ini secara matematis menunjukkan bahwa tegangan keluaran vout pada rangkaian ini adalah differensiasi dari tegangan input vin. Contoh praktis dari hubungan matematis ini adalah jika tegangan input berupa sinyal segitiga.output offset voltage (offset tegangan keluaran) sebesar 10x sampai pada suatu frekuensi cutoff tertentu. maka akan diperoleh rangkaian differensiator seperti pada gambar 4. maka outputnya akan mengahasilkan sinyal kotak. Sehingga jika berangkat dari rumus penguat inverting dan pada rangkaian differensiator diketahui : G = -R2/R1 . gambar 4 : differensiator Bentuk rangkain differensiator adalah mirip dengan rangkaian inverting. Differensiator Kalau komponen C pada rangkaian penguat inverting di tempatkan di depan.

Satu nano gram (1 ng) nilainya sama dengan seper satu milyar gram (10-9 g). Sedang nano (n) menunjukkan nilai seper satu milyar (10-9). sistem seperti ini akan menguatkan noise yang umumnya berfrekuensi tinggi. Satu mikrometer (1mm) misalnya. Arus offset (offset current) dan lain sebagainya. Dari Mikro ke Nano Orde mikro (m) dalam satuan menunjukkan nilai sepersejuta (10-6). Penutup Uraian diatas adalah rumusan untuk penguatan opamp ideal. Tegangan Ofset (Offset voltage). dimana besar penguatan berbanding lurus dengan frekuensi. Pada prakteknya ada beberapa hal yang mesti diperhatikan dan ditambahkan pada rangkaian opamp. Namun demikian. rangkain ini dibuat dengan penguatan dc sebesar 1 (unity gain).maka jika besaran ini disubtitusikan akan didapat rumus penguat differensiator …(8) Dari hubungan ini terlihat sistem akan meloloskan frekuensi tinggi (high pass filter). nilainya sama dengan sepersejuta meter (10-6 m). Biasanya kapasitor diseri dengan sebuah resistor yang nilainya sama dengan R. Dengan cara ini akan diperoleh penguatan 1 (unity gain) pada nilai frekuensi cutoff tertentu. Umumnya ketidak ideal-an opamp dan bagaimana cara mengatasinya diterangkan pada datasheet opamp dan hal ini spesifik untuk masing-masing pabrikan. Antara lain. Arus Bias (Bias Current). Untuk praktisnya. Orde mikro adalah 1000 kali lebih besar dibandingkan orde nano. atau .

berarti di dalam chip elektronik itu terdapat ribuan bahkan jutaan komponen renik berorde mikro. Bardeen di Amerika Serikat. Konsep baru tersebut adalah kuantum mekanika atau kuantum fisika yang semula dipelopori oleh Max Planck dan Albert Einstein. Kalau dalam dunia elektronika kita mengenal komponen yang disebut mikrochip.B. Dalam perjalanan berikutnya. Konsep ini secara fundamental mengubah prinsip kontinuitas energi menjadi konsep diskrit yang benar-benar mengubah fikiran yang sudah berjalan lebih dari satu abad. Schrodinger. Max Born. Kemajuan riset dalam bidang fisika telah mengantarkan para fisikawan dapat meneliti dan mempelajari berbagai sifat kelistrikan zat padat. Dari penelitian ini telah ditemukan bahan semikonduktor yang mempunyai sifat listrik antara konduktor dan isolator. Sekitar tahun 1920-an. W. Seitz dan fisika semikonduktor oleh J. Samuel A. tetapi transistor .sebaliknya orde nano adalah seperseribu dari orde mikro. transistor tidak hanya mengubah secara mencolok berbagai aspek kehidupan moderen. Gottingen. dan Kopenhagen. Sockley di Inggris dan Love di Rusia pada tahun 1940. Goudsmith. Heisenberg dan lain-lain. Penemuan bahan semikonduktor kemudian disusul dengan penemuan komponen elektronik yang disebut transistor. lahir konsep baru di beberapa pusat penelitian fisika di Heidelberg. kemudian dilanjutkan oleh ilmuwan seperti Niels Bohr. bagian terkecil dari suatu materi. Jika teknologi elektronika kini mulai bergeser dari mikroelektronika ke nanoelektronika. hal ini berarti bahwa komponenkomponen elektronik yang digunakan berode nano atau setingkat molekuler. Sisi lain yang tak kalah mengejutkan sebagai akibat lahirnya konsep kuantum in adalah lahirnya fisika zat padat oleh F. Berarti pula seribu kali lebih kecil dibandingkan ukuran komponen yang ada dalam mikrochip saat ini.

memori dan sistim angka biner. Kemajuan dalam bidang mikroelektronika ini tidak terlepas dari penemuan bahan semikonduktor maupun transistor. Mauchly itu diberi nama ABC (Atonosoff-Berry Computer) yang diperkenalkan pada tahun 1942. Komputer yang dibuat oleh J. Presper Eckert dan John W. Kilby (Texas Instrument) dan Robert Noyce (Fairchild) telah memperkenalkan ide rangkaian terpadu monolitik yang dikenal dengan nama IC (integrated circuit). insinyur di dua perusahaan elektronik. Serba Kecil Berbagai produk monumental dari perkembangan teknologi elektronika hadir di sekeliling kita. sebesar salah satu kamar di rumah kita. Komputer digital berkecepatan tinggi bisa terwujud berkat penggunaan transistor dalam IC yang merupakan kumpulan jutaan transistor renik yang menempati ruangan sangat kecik. Komputer elektronik generasi pertama yang diberi nama ENIAC (Electronic Numerical Integrator And Computer) dikembangkan pada zaman Perang Dunia Kedua dan dipakai untuk menghitung tabel lintasan . Pada tahun 1958. Komputer ini berukuran sangat besar. tetapi juga menampilkan produk itu dalam bentuk dan ukuran yang makin lama makin kecil dengan kemampuan kerja yang lebih tinggi.tergolong salah satu dari beberapa penemuan moderen yang memajukan teknologi dengan biaya rendah. karena di dalamnya menggunakan 18 ribu tabung hampa. Namun teknologi mikroelektronika bukan sekedar menghadirkan produk. Dapat kita sebut disini sebagai contoh adalah munculnya komputer dan telepon seluler (ponsel). yang semula hanya bisa ditempati oleh sebuah transistor saja. Bentuk dini komputer moderen telah menggunakan elektronika pada rangkaian-rangkaian logika. Transistor dapat dihubungkan pada rangkaian elektronik sebagai komponen terpisah atau dalam bentuk terpadu pada suatu chip.

meluncurkan ALTAIR. Dalam komputer ini telah menggunakan IC. Fungsi tabung-tabung elektronik saat itu mulai digantikan oleh transistor yang dibuat dari bahan semikonduktor.peluru dalam kegiatan militer. Daya tahan transistor lebih lama dan dapat mencapai beberapa dasawarsa. Pergeseran penting dalam elektronika telah terjadi pada akhir tahun 1940an. dan selanjutnya very large scale integration (VLSI). Komputer generasi ketiga adalah sistim 360 yang juga diluncurkan oleh IBM. Komputer elektronik generasi berikutnya dikembangkan dengan . Transistor mengkonsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan tabung hampa. komputer mikro pertama yang menggunakan mikroprosesor Intel 8080. Transistor mempunyai daya tahan yang tinggi tehadap goncangan dan getaran. Komputer generasi kedua yang telah menggunakan transistor adalah IBM 1401 yang diluncurkan oleh IBM pada tahun 1959. Ukuran transistor jauh lebih kecil dibandingkan tabung hampa. Transistor dapat dioperasikan dalam keadaan dingin sehingga tidak perlu waktu untuk pemanasan. antara lain : • • • • • • Transistor lebih sederhana sehingga dapat diproduksi dengan biaya lebih rendah. Pada tahun 1971. yang kemudian disusul dengan penggunaan large scale integration (LSI). MITS Inc. Munculnya rangkaian terpadu atau integrated circuit (IC) ternyata telah menggusur dan mengakhiri riwayat keberadaan transistor. Sebelumnya juga telah diluncurkan IBM 701 pada tahun 1953 dan IBM 650 pada tahun 1954. Penggunaan transistor yang mulai mencuat ke permukaan pada tahun '70-an ternyata memiliki beberapa kelebihan dibandingkan tabung hampa elektronik.

Sebagai anak kandung jagad mikroelektronika. Beralih ke Nanoteknologi Perkembangan teknologi telah mengantarkan elektronika beralih dari orde mikro ke nano. baik dalam aspek disain produknya maupun dalam aspek teknologi mikroelektronikanya. Kemajuan dalam kedua bidang tersebut menyebabkan kontribusi sain ke dalam teknologi yang sangat besar. dan semakin banyak fungsi yang dapat dijalankannya. Selain pada komputer. Pengaruh kemajuan dalam teknologi elektronika ini demikian pesatnya mengubah wajah teknologi dalam bidang telekomunikasi dan automatisasi. Dr. penemu tunneling electron microscope dan pemenang hadiah Nobel bidang fisika tahun 1986. kehadiran ponsel selalu mengikuti perkembangan teknologi mikroelektronika sehingga dapat tampil semakin mungil dan lebih multi fungsi dibandingkan generasi sebelumnya.menggunakan mikroprosesor yang makin renik sehingga secara fisik tampil dengan ukuran yang lebih kecil. meramalkan bahwa mikroelektronika akan segera digantikan oleh nanoelektronika atau . kita juga bisa menyaksikan produk elektronik berupa ponsel yang proses miniaturisasinya seakan tak pernah berhenti. sehingga teknologi semacam ini disebut HighTechnology. Kini ponsel dengan berbagai fasilitas di dalamnya bisa masuk ke dalam genggaman tangan. Rohrer. Mengecilnya ponsel juga didukung oleh kemampuan para ahli dalam mengintegrasikan berbagai komponen baru yang ukurannya lebih kecil seperti mikrochip. yang kemampuannya selalu meningkat seiring dengan perjalanan waktu. hampir mencapai 50 % dalam proses. Pada awal tahun '90-an. namun dengan kecepatan kerja yang jauh lebih tinggi. yang berarti komponen elektronika kelak dapat dibuat dalam ukuran seribu kali lebih kecil dibandingkan generasi mikroelektronika sebelumnya.

mengemukakan tentang peluang pengembangan nanoteknologi di masa mendatang. ukuran sirkuit-sirkuit elektronika bisa jadi akan lebih kecil dibandingkan garis tengah potongan rambut atau bahkan seukuran dengan diameter sel darah manusia. nanokomputer dapat . Drexler juga meramalkan bahwa zaman nanoteknologi akan dimulai memasuki awal milenium tiga ini. tentu saja bidang yang paling banyak dipengaruhi adalah dalam disain komputer. Para perintis nanoteknologi. Sedang prof. Petel (president UCLA) meramalkan bahwa teknologi photonik akan menggantikan mikroelektronika di awal abad 21 ini. Dexler menguraikan kemungkinan pembuatan alat seukuran molekul yang proses kerjanya menyerupai molekul dari protein yang menjalankan fungsinya di dalam tubuh manusia. Drexler melihat bahwa makhluk hidup merupakan bukti adanya nanoteknologi. Eric Drexler. Dalam teknologi ini. Dengan beralih ke nanoteknologi ini. suatu bidang baru teknologi miniatur.quantum dot. Teknologi ini didasarkan pada kemampuan membuat perangkat elektronika dengan ketelitian setingkat ukuran atom. Feyman pada akhir tahun 1959 juga telah meramalkan akan hadirnya teknologi ini pada abad 21. Amerika Serikat. Suatu ketika di bulam Mei 1988. telah melihat kemungkinan penggunaan materi seukuran molekul untuk membuat komponen elektronika di masa depan. pakar komputer dari Universitas Stanford. Dengan komponen seukuran molekul. Molekul-molekul akan dihimpun sehingga membentuk komponen elektronika yang mampu menjalankan tugas tertentu. Ukuran transistor di masa mendatang akan menjadi sangat kecil berskala atom yang disebut quantum dot. dalam acara konferensi pengembangan antariksa di Pittsburg. Suatu terobosan besar akan terjadi bila para pakar dapat mewujudkan hal tersebut untuk membuat nanokomputer. K.

Komputer ini mampu bekerja ratusan ribu kali lebih cepat dibandingkan mikrokomputer elektronik yang ada saat ini. hemat dalam konsumsi energi dan ramah lingkungan. . berkerapatan tinggi. bermulti fungsi. Mesin-mesin elektronik yang dinamai juga kuantum elektronik akan memiliki kemampuan mengolah pulsa yang jauh lebih besar. AS.masuk ke dalam kotak seukuran satu mikrometer. telah berhasil melakukan percobaan membuat komponen semikonduktor dengan bahan-bahan biologis. maka komputer generasi pendahulu yang masih menggunakan teknologi mikroelektronika bakal tersingkir. Jika komputer tersebut telah memasuki pasar. Jacob Hanker. Perusahaan komputer IBM saat ini sedang merancang komputer dengan teknologi kuantum yang disebut kuantum komputer. Teknologi ini juga akan membawa dunia kepada ciri-ciri baru dalam perangkat teknologinya. Kuantum teknologi ini akan mampu menerobos keterbatasan dan kejenuhan mikroelektronika yang ada saat ini. kecepatan kerjanya tinggi. Penelitian yang kini sedang dilakukan oleh para pakar adalah mengembangkan metode penggantian dengan materi protein terhadap molekul. memiliki kontrol yang serba automatik. yaitu : berukuran sangat kecil. profesor rekayasa biomedik dari Universitas North Caroline. Teknologi baru ini bakal segera mengubah sistim jaringan telekomunikasi di awal milenium tiga ini. alat memori dan struktur lain yang kini ada di dalam komputer.

Coulombs pada abad 18 menghitung bahwa 1 coulomb = 6.25 x 1018 elektron. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum. Di alam bebas.Kapasitor Prinsip dasar dan spesifikasi elektriknya Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan listrik. karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-konduktif. Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik. prinsip dasar kapasitor Kapasitansi Kapasitansi didefenisikan sebagai kemampuan dari suatu kapasitor untuk dapat menampung muatan elektron. Muatan positif tidak dapat mengalir menuju ujung kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif tidak bisa menuju ke ujung kutup positif. Muatan elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujungujung kakinya. gelas dan lain-lain. Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu bahan dielektrik. Kemudian Michael . phenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya muatan-muatan positif dan negatif di awan. keramik. maka muatan-muatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat yang sama muatan-muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi.

Misalnya 0. Konversi satuan penting diketahui untuk memudahkan membaca besaran sebuah kapasitor. Dengan rumus dapat ditulis : Q = CV …………….(2) Berikut adalah tabel contoh konstanta (k) dari beberapa bahan dielektrik yang disederhanakan. Udara vakum Aluminium oksida Keramik Gelas Polyethylene k=1 k=8 k = 100 .Faraday membuat postulat bahwa sebuah kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika dengan tegangan 1 volt dapat memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs. ..85 x 10-12) (k A/t) . jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik) dan konstanta (k) bahan dielektrik. Dengan rumusan dapat ditulis sebagai berikut : C = (8. Umumnya kapasitor yang ada di pasar memiliki satuan uF (10-6 F).1000 k=8 k=3 Untuk rangkain elektronik praktis.1nF sama dengan 100pF. satuan farads adalah sangat besar sekali.047uF dapat juga dibaca sebagai 47nF. nF (10-9 F) dan pF (10-12 F).(1) Q = muatan elektron dalam C (coulombs) C = nilai kapasitansi dalam F (farads) V = besar tegangan dalam V (volt) Dalam praktek pembuatan kapasitor.. kapasitansi dihitung dengan mengetahui luas area plat metal (A). atau contoh lain 0.

yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi. Tersedia dari besaran pF sampai beberapa uF. metalized paper dan lainnya. polystyrene. electrolytic dan electrochemical. Mengapa kapasitor ini dapat memiliki polaritas. Keramik dan mika adalah bahan yang popular serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil. MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film.Tipe Kapasitor Kapasitor terdiri dari beberapa tipe. titanium. MKM. adalah karena proses pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutup positif anoda dan kutup negatif katoda. Kapasitor Electrostatic Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan dielektrik dari keramik. Telah lama diketahui beberapa metal seperti tantalum. Untuk lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian. tergantung dari bahan dielektriknya. Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan . Termasuk kelompok bahan dielektrik film adalah bahan-bahan material seperti polyester (polyethylene terephthalate atau dikenal dengan sebutan mylar). niobium. polycarbonate. film dan mika. Umumnya kapasitor kelompok ini adalah non-polar. Mylar.di badannya. magnesium. aluminium. polyprophylene. yaitu kapasitor electrostatic. Kapasitor Electrolytic Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga membentuk lapisan metal-oksida .

Oksigen pada larutan electrolyte terlepas dan mengoksidai permukaan plat metal. seperti pada proses penyepuhan emas. Dalam hal ini lapisan-metaloksida sebagai dielektrik. umumnya bahan metal yang banyak digunakan adalah aluminium dan tantalum. Bahan yang paling banyak dan murah adalah Aluminium. Karena alasan ekonomis dan praktis. jika digunakan Aluminium. Contohnya.(oxide film). lapisan-metal-oksida dan electrolyte(katoda) membentuk kapasitor. Kapasitor Elco Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda). sehingga dengan demikian dapat dibuat kapasitor yang kapasitansinya cukup besar. Elektroda metal yang dicelup kedalam larutan electrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan positif (anoda) dan larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). Lapisan oksidasi ini terbentuk melalui proses elektrolisa. bahan plat Aluminium ini biasanya digulung radial. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis. Untuk mendapatkan permukaan yang luas. maka akan terbentuk pada lapisan Aluminium-oksida (Al2O3) permukaannya. Sehingga dengan cara itu . Dari rumus (2) diketahui besar kapasitansi berbanding terbalik dengan tebal dielektrik.

470uF. Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa memiliki kapasitansi yang besar namun menjadi lebih ramping dan mungil. Tipe kapasitor jenis ini juga masih dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan ringan. Selain itu karena seluruhnya padat. Kapasitor tipe ini juga memiliki arus bocor yang sangat kecil Jadi dapat dipahami mengapa kapasitor Tantalum menjadi relatif mahal.dapat diperoleh kapasitor yang kapasitansinya besar. Pada kenyataanya batere dan accu adalah kapasitor yang sangat baik. tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit yang menjadi elektroda negatif-nya. Sebagai contoh. Misalnya pada kapasitor elco dengan jelas tertulis kapasitansinya sebesar 22uF/25v. Bahan electrolyte pada kapasitor Tantalum ada yang cair tetapi ada juga yang padat. misalnya untuk applikasi mobil elektrik dan telepon selular. Disebut electrolyte padat. nilai kapasitansi umumnya ditulis dengan angka yang jelas. karena memiliki kapasitansi yang besar dan arus bocor (leakage current) yang sangat kecil. Jika hanya ada dua angka satuannya adalah pF (pico farads). Membaca Kapasitansi Pada kapasitor yang berukuran besar. maka waktu kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Kapasitor yang ukuran fisiknya mungil dan kecil biasanya hanya bertuliskan 2 (dua) atau 3 (tiga) angka saja. Lengkap dengan nilai tegangan maksimum dan polaritasnya. yang sering juga disebut kapasitor elco. 4700uF dan lain-lain. melainkan bahan lain yaitu manganese-dioksida. kapasitor . Kapasitor Electrochemical Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. Sebagai contoh 100uF. Termasuk kapasitor jenis ini adalah batere dan accu.

Misalnya pada kapasitor keramik tertulis 104. angka pertama dan kedua menunjukkan nilai nominal.000.000pF atau = 100nF. X7R (stable) serta Z5U dan Y5V (general purpose). maka kapasitansinya adalah 10 x 10. maka kapasitansi kapasitor tersebut adalah 47 pF. Pabrikan pembuat kapasitor umumnya membuat kapasitor yang mengacu pada standar popular.000 dan seterusnya. Misalnya kapasitor 10uF 25V. sedangkan angka ke-3 adalah faktor pengali. Berikut ini adalah beberapa spesifikasi penting tersebut. Secara lengkap kode-kode tersebut disajikan pada table berikut.000 = 100. 2 = 100. maka tegangan yang bisa diberikan tidak boleh melebihi 25 volt dc. 4 = 10. artinya kapasitansi kapasitor tersebut adalah 22 x 100 = 2200 pF = 2. Contoh lain misalnya tertulis 222.yang bertuliskan dua angka 47. Para elektro. Jika ada 3 digit. Faktor pengali sesuai dengan angka nominalnya. Ada 4 standar popular yang biasanya tertera di badan kapasitor seperti C0G (ultra stable). Temperatur Kerja Kapasitor masih memenuhi spesifikasinya jika bekerja pada suhu yang sesuai. Umumnya kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar bekerja pada tegangan AC. berturut-turut 1 = 10. 3 = 1. Tegangan Kerja (working voltage) Tegangan kerja adalah tegangan maksimum yang diijinkan sehingga kapasitor masih dapat bekerja dengan baik.mania barangkali pernah mengalami kapasitor yang meledak karena kelebihan tegangan. . Biasanya spesifikasi karakteristik ini disajikan oleh pabrik pembuat didalam datasheet. Selain dari kapasitansi ada beberapa karakteristik penting lainnya yang perlu diperhatikan.2 nF.

0% +/22.2.9 1.3.5% +/10.2% +/.0% +/.1.0 0.Kode karakteristik kapasitor kelas I Koefisien Suhu Simbol C B A M P PPM per Co 0.3% +/.7% +/.7.4.0% +22% / 33% +22% / 56% +22% / 82% Z Y X 2 4 5 6 7 8 9 .0% +/15.5% +/.0 1.3 0.1.5 Faktor Pengali Koefisien Suhu Simbol 0 1 2 3 4 Pengali -1 -10 -100 -1000 -10000 Toleransi Koefisien Suhu Simbol G H J K L PPM per Co +/-30 +/-60 +/-120 +/-250 +/-500 ppm = part per million Kode karakteristik kapasitor kelas II dan III suhu kerja minimum Simbol Co +10 -30 -55 suhu kerja maksimum Simbol Co +45 +65 +85 +105 +125 +150 +200 Toleransi Kapasitansi Simbol Persen A B C D E F P R S T U V +/.

Namun dari . berikut adalah model rangkaian kapasitor. bahan dielektrik juga memiliki resistansi.Toleransi Seperti komponen lainnya. besar kapasitansi nominal ada toleransinya. Dengan table di atas pemakai dapat dengan mudah mengetahui toleransi kapasitor yang biasanya tertera menyertai nilai nominal kapasitor. Sekaligus dikethaui juga bahwa suhu kerja yang direkomendasikan adalah antara -55Co sampai +125Co (lihat tabel kode karakteristik) Insulation Resistance (IR) Walaupun bahan dielektrik merupakan bahan yang non-konduktor. Tabel diatas menyajikan nilai toleransi dengan kode-kode angka atau huruf tertentu. maka kapasitasinya adalah 100nF dengan toleransi +/-15%. Untuk menjelaskan ini. Phenomena ini dinamakan arus bocor DCL (DC Leakage Current) dan resistansi dielektrik ini dinamakan Insulation Resistance (IR). walaupun nilainya sangat besar sekali. model kapasitor C = Capacitance ESR = Equivalent Series Resistance L = Inductance IR = Insulation Resistance Jika tidak diberi beban. namun tetap saja ada arus yang dapat melewatinya. semestinya kapasitor dapat menyimpan muatan selama-lamanya. Artinya. Misalnya jika tertulis 104 X7R.

Secara matematis di tulis sebagai berikut : . Besaran ini menjadi faktor yang diperhitungkan misalnya pada aplikasi motor phasa. Rugi-rugi (losses) itu didefenisikan sebagai ESR yang besarnya adalah persentasi dari impedansi kapasitor Xc. tetapi ini akan menyebabkan resistansi dielektrik makin kecil.model di atas. Dissipation Factor (DF) dan Impedansi (Z) Dissipation Factor adalah besar persentasi rugirugi (losses) kapasitansi jika kapasitor bekerja pada aplikasi frekuensi. karakteristik resistansi dielektrik ini biasa juga disajikan dengan besaran RC (IR x C) yang satuannya ohm-farads atau megaohm-micro farads. Pabrik pembuat biasanya meyertakan data DF dalam persen. diketahui ada resitansi dielektrik IR(Insulation Resistance) yang paralel terhadap kapasitor. Untuk mendapatkan kapasitansi yang besar diperlukan permukaan elektroda yang luas. Karena besar IR selalu berbanding terbalik dengan kapasitansi (C). rangkaian ballast. Konsekuensinya tentu saja arus bocor (DCL) sangat kecil (uA). tuner dan lain-lain. Insulation resistance (IR) ini sangat besar (MOhm). Dari model rangkaian kapasitor digambarkan adanya resistansi seri (ESR) dan induktansi (L).

Dari penjelasan di atas dapat dihitung besar total impedansi (Z total) kapasitor adalah : Karakteristik respons frekuensi sangat perlu diperhitungkan terutama jika kapasitor bekerja pada frekuensi tinggi. Untuk perhitungan. .perhitungan respons frekuensi dikenal juga satuan faktor qualitas Q (quality factor) yang tak lain sama dengan 1/DF.

A typical measurement is performed with an electrometer which measured the charge added per unit time as one slowly varies the applied gate voltage. To understand capacitance-voltage measurements one must first be familiar with the frequency dependence of the measurement. In this section we first derive the simple capacitance model which is based on the full depletion approximations and our basic assumption. The low frequency or quasi-static measurement maintains thermal equilibrium at all times. The gate voltage is varied slowly to obtain the capacitance versus voltage. The comparison with the exact low frequency capacitance . Thermal equilibrium is therefore not obtained immediately. The high frequency capacitance is obtained from a small signal capacitance measurement at high frequency. The high frequency capacitance therefore reflects the charge variation in the depletion layer and the (rather small) movement of the inversion layer charge. Introduction Capacitance voltage measurements of MOS capacitor structure provide a wealth of information about the structure which is of direct interest when one evaluates an MOS process.Metal Oxide Silicon Capacitance 1. Since the MOS structure is simple to fabricate the technique is widely used. This frequency dependence occurs primarily in inversion since a certain time is needed to generate the minority carriers in the inversion layer. Under such conditions one finds that the charge in the inversion layer does not change from the equilibrium value corresponding to the applied DC voltage. This capacitance is the difference in charge divided by the difference in gate voltage while the capacitor is in equilibrium at each voltage.

In accumulation there is no depletion layer. so that the capcitance equals: (mc11) In depletion the MOS capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer.5. The MOS structure is treated as consisting of a series connection of two capacitors: the capacitance of the oxide and the capacitance of the depletion layer. Then we discuss the full exact analysis followed by a discussion of deep depletion as well as the non-ideal effects in MOS capacitors. or: (mc12) where xd is the variable depletion layer width which is calculated from: (mc2) In order to find the capacitance corresponding to a specific value of the gate voltage we also need to use the relation between the potential across the depletion region and the gate voltage.reveals that the largest error occurs at the flatband voltage. 2. We therefore derive the exact flatband capacitance using the linearized Poisson's equation. The remaining capacitor is the oxide capacitance. Simple capacitance model The capacitance of an MOS capacitor is obtained using the same assumptions as in the analysis in section 6. given by: (mc8) .

In inversion the capacitance becomes independent of the gate voltage.6. mosexact. The low frequency capacitance equals the oxide capacitance since charge is added to and from the inversion layer in a low frequency measurement. Na = 1017 cm-3 and tox = 20 nm.moslfcap. while the green square indicates the threshold voltage and capacitance. .xls . xd. The red square indicates the flatband voltage and capacitance.gif Fig. Shown are the exact solution for the low frequency capacitance (solid line) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines).max. The capacitances are given by: (mc13) The capacitance of an MOS capacitor as calculated using the simple model is shown in the figure below. The dotted lines represent the simple model while the solid line corresponds to the low frequency capacitance as obtained from the exact analysis. The high frequency capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer having its maximum width. 6.1 Low frequency capacitance of an MOS capacitor.

the comparison with the exact solution of the low frequency capacitance as shown in the above figure reveals that the error can be substancial. Flat band capacitance The simple model predicts that the flatband capacitance equals the oxide capacitance. we expect the potential to be small as we vary the gate voltage around the flatband voltage. or: (mc18) The flatband capacitance of the MOS structure at flatband is obtained by calculating the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the semiconductor. The reason for this is that we have ignored any charge variation in the semiconductor. Poisson's equation can then be simplified to: (mc16) The solution to this equation is: (mc17) where LD is called the Debye length. The solution of the potential enables the derivation of the capacitance of the semiconductor under flatband conditions. To derive the flatband capacitance including the charge variation in the semiconductor we first linearize Poisson's equation. However. yielding: (mc19) .3. Since the potential across the semiconductor at flatband is zero. We will therefore now derive the exact flatband capacitance.

xd.T resulting in a capacitance which further decreases with voltage. Exact analysis For a description of the derivation of the MOS capacitance using the exact analysis we refer the reader to that section.dd. The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from: . Deep depletion capacitance Deep depletion occurs in an MOS capacitor when measuring the high-frequency capacitance while sweeping the gate voltage "quickly". One then observes that when ramping the voltage from flatband to threshold and beyond the inversion layer is not or only partially formed as the generation of minority carriers can not keep up with the amount needed to form the inversion layer. 5. A good approximation is obtained by considering only the generation rate in the depletion region xd.4. The depletion layer therefore keeps increasing beyond its maximum thermal equilibrium value. The time required to reach thermal equilibrium when abruptly biasing the MOS capacitor at a voltage larger then the threshold voltage can be estimated by taking the ratio of the total charge in the inversion layer to the thermal generation rate of minority carriers. This yields the following equation: (mc14) where the generation in the depletion layer was assumed to be constant. A complete analysis should include both a surface generation rate as well as generation in the depletion layer and the quasi-neutral region. Quickly here means that the gate voltage must be changed fast enough so that the structure is not in thermal equilibrium.

1 ms) lifetime require a few seconds to reach thermal equilibrium which results in a pronounced deep depletion effect at room temperature . . Deep depletion measurements are therefore done in the dark.(mc15) This equation enables to predict that deep depletion is less likely at higher ambient temperature since the intrinsic concentration ni increases exponentially with temperature. Carrier generation due to light will increase the generation rate beyond the thermal generation rate which we assumed above and reduce the time needed to reach equilibrium. In silicon MOS structures one finds that the occurance of deep depletion can be linked to the minority carrier lifetime: while structures with a long (0. while it is more likely to occur in MOS structures made with wide bandgap materials (for instance SiC for which Eg = 3 eV) as the intrinsic concentration decreases exponentially with the value of the energy bandgap. The capacitance was measured in the presence of ambient light as well as in the dark as explained in the figure caption. 6. Experimental results and comparison with theory As an example we show below the measured low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance-voltage curves of an MOS capacitor. structures with a short (1 ms) lifetime do not show this effect.

6. All curves were measured from left to right. the presence of light causes carrier generation in the capacitor which affects the measured capacitance. The MOS parameters are Na = 4 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm.gif Fig. Shown are.0007 cm2 The figure illustrates some of the issues when measuring the capacitance of an MOS capacitance. In addition one must avoid the deep depletion effects such as the initial linearly varying capacitance of the high frequency capacitance measured in the dark on the above figure (bottom curve). the low frequency capacitance measured in the dark. the slower the voltage is to be changed to avoid deep depletion. First of all one should measure the devices in the dark. the low frequency capacitance measured in the presence of ambient light (top curve).6. The high frequency capacitance measured in the presence of light is also . the high frequency capacitance measured in the presence of ambient light and the high frequency capacitance measured in the dark (bottom curve). The device area is 0. from top to bottom.2 Low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance of an MOS capacitor.cv1. The larger the carrier lifetime. The low frequency measured is compared to the theorical value in the figure below.

3 Comparison of the theoretical low frequency capacitance (solid line) and the experimental data (open squares) obtained in the dark. All three types of charge can be identified by performing a capacitance-voltage measurement.95 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm.6.shown on the figure. A positive fixed charge at the oxide- . Also shown is the high frequency measurement in the presence of light of the MOS capacitor (filled squares) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines). 7. cv2. The figure illustrates the agreement between experiment and theory. A comparison of the experimental low (rather than high) frequency capacitance with theory is somewhat easier to carry out since the theoretical expression is easier to calculate while the low frequency measurement tends to be less sensitive to deep depletion effects. 6.gif Fig. Fixed charge in the oxide simply shifts the measured curve. Fitting parameters are Na = 3. Non-Ideal effects in MOS capacitors Non-ideal effects in MOS capacitors include fixed charge. mobile charge and charge in surface states.

semiconductor interface shifts the flatband voltage by an amount which equals the charge divided by the oxide capacitance. Sodium ions incorporated in the oxide of silicon MOS capacitors are known to yield mobile charge. The combination of the low frequency and high frequency capacitance allows to calculate the surface state density. This method provides the surface state density over a limited (but highly relevant) range of energies within the bandgap. A fixed charge is caused by ions which are incorporated in the oxide during growth or deposition. However the measured curves differ since a positive gate voltage causes mobile charge to move away from the gate electrode. However as the applied voltage is varied. . One can recognize mobile charge by the hysteresis in the high frequency capacitance curve when sweeping the gate voltage back and forth. Measurements on n-type and p-type capacitors at different temperatures provide the surface state density throughout the bandgap. It is because of the high sensitivity of MOS structures to a variety of impurities that the industry carefully controls the purity of the water and the chemicals used. Charge due to electrons occupying surface states also yields a shift in flatband voltage. The flatband voltage shift due to mobile charge is described by the same equation as that due to fixed charge. This causes the curve to shift towards the applied voltage. The shift reduces linearly as one reduces the position of the charge relative to the gate electrode and becomes zero if the charge is located at the metal-oxide interface. while a negative voltage attracts the charge towards the gate. the fermi energy at the oxide-semiconductor interface changes also and affects the occupancy of the surface states. The interface states cause the transition in the capacitance measurement to be less abrupt.

emas dan bahan metal umumnya memiliki resistansi yang sangat kecil. ada satu test yang harus dipenuhi yaitu diharuskan tidak buta warna. karbon memiliki resistansi yang lebih besar menahan aliran elektron dan disebut sebagai insulator. Bahan-bahan tersebut menghantar arus listrik dengan baik. sehingga dinamakan konduktor.Resistor Pada dasarnya semua bahan memiliki sifat resistif namun beberapa bahan seperti tembaga. resistansi berbanding terbalik dengan jumlah arus yang mengalir melaluinya. Bagaimana prinsip konduksi. Dari hukum Ohms diketahui. Kebalikan dari bahan yang konduktif. Pada badannya terdapat lingkaran membentuk gelang kode warna untuk memudahkan pemakai mengenali besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan Ohmmeter. Belakangan baru diketahui bahwa mahasiswa elektro wajib untuk bisa membaca warna gelang resistor (barangkali). Sesuai dengan namanya resistor bersifat resistif dan umumnya terbuat dari bahan karbon . . perak. Tipe resistor yang umum adalah berbentuk tabung dengan dua kaki tembaga di kiri dan kanan. Satuan resistansi dari suatu resistor disebut Ohm atau dilambangkan dengan simbol (Omega). gelas. Kode warna tersebut adalah standar manufaktur yang dikeluarkan oleh EIA (Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut. Waktu penulis masuk pendaftaran kuliah elektro. dijelaskan pada artikel tentang semikonduktor. bahan material seperti karet. Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk membatasi jumlah arus yang mengalir dalam satu rangkaian.

000 106 107 108 109 0.01 5% 10% 20% 1% 2% Tabel . Biasanya . Dengan demikian pemakai sudah langsung mengetahui berapa toleransi dari resistor tersebut.1 0.1 : nilai warna gelang Resistansi dibaca dari warna gelang yang paling depan ke arah gelang toleransi berwarna coklat. Jumlah gelang yang melingkar pada resistor umumnya sesuai dengan besar toleransinya. emas atau perak.000 10.Warna Hitam Coklat Merah Jingga Kuning Hijau Biru Violet Abu-abu Putih Emas Perak Tanpa warna Nilai 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 - faktor Toleransi pengali 1 10 100 1. Kalau anda telah bisa menentukan mana gelang yang pertama selanjutnya adalah membaca nilai resistansinya. merah.000 100. sedangkan warna gelang yang pertama agak sedikit ke dalam. Biasanya warna gelang toleransi ini berada pada badan resistor yang paling pojok atau juga dengan lebar yang lebih menonjol.

Pertama yang dilakukan adalah menentukan nilai satuan dari resistor ini. nilai satuannya adalah 47. Karena resitor ini resistor 5% (yang biasanya memiliki tiga gelang selain gelang toleransi). violet. berarti resitor ini memiliki toleransi 5%. Tetapi resistor dengan toleransi 1% atau 2% (toleransi kecil) memiliki 4 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). dan jika warna gelangnya merah berarti faktor pengalinya adalah 100.resistor dengan toleransi 5%. Dengan demikian urutan warna gelang resitor ini adalah. 10% atau 20% memiliki 3 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). Misalnya resistor dengan gelang kuning. dan gelang terakhir adalah faktor pengalinya. Gelang pertama dan seterusnya berturut-turut menunjukkan besar nilai satuan. Nilai resistansisnya dihitung sesuai dengan urutan warnanya. gelang kedua berwana violet dan gelang ke tiga berwarna merah. Masih dari tabel-1 diketahui gelang kuning nilainya = 4 dan gelang violet nilainya = 7. Spesifikasi lain yang perlu diperhatikan dalam memilih resitor pada suatu rancangan selain besar resistansi adalah besar watt-nya. maka nilai satuannya ditentukan oleh gelang pertama dan gelang kedua. . Sehingga dengan ini diketahui nilai resistansi resistor tersebut adalah nilai satuan x faktor pengali atau 47 x 100 = 4. Gelang berwarna emas adalah gelang toleransi. Karena resistor bekerja dengan dialiri arus listrik. Jadi gelang pertama dan kedua atau kuning dan violet berurutan. gelang pertama berwarna kuning. maka akan terjadi disipasi daya berupa panas sebesar W=I2R watt. Dari tabel-1 diketahui jika gelang toleransi berwarna emas. Gelang ke empat tentu saja yang berwarna emas dan ini adalah gelang toleransi. merah dan emas. Gelang ketiga adalah faktor pengali.7K Ohm dan toleransinya adalah 5%.

2. Tetapi jika arah arusnya sama ternyata keduanya berdekatan saling tarikmenarik. 10 dan 20 watt. Arah jempol adalah arah arus dan arah ke empat jari lain adalah arah medan listrik yang mengitarinya. maka di sekeliling kawat tembaga akan terbentuk medan listrik. Besar akumulasi medan listrik B . Umumnya di pasar tersedia ukuran 1/8. Induktor Masih ingat aturan tangan kanan pada pelajaran fisika ? Ini cara yang efektif untuk mengetahui arah medan listrik terhadap arus listrik. Hal ini terjadi karena adanya induksi medan listrik. Tentu masih ingat juga percobaan dua utas kawat tembaga paralel yang keduanya diberi arus listrik.Semakin besar ukuran fisik suatu resistor bisa menunjukkan semakin besar kemampuan disipasi daya resistor tersebut. Jika seutas kawat tembaga diberi aliran listrik. Dengan aturan tangan kanan dapat diketahui arah medan listrik terhadap arah arus listrik. 10 dan 20 watt umumnya berbentuk kubik memanjang persegi empat berwarna putih. 1. Jika arah arusnya berlawanan. kedua kawat tembaga tersebut saling menjauh. namun ada juga yang berbentuk silinder. 1/4. Dikenal medan listrik dengan simbol B dan satuannya Tesla (T). Tetapi biasanya untuk resistor ukuran jumbo ini nilai resistansi dicetak langsung dibadannya. 5. misalnya 100 5W. Caranya sederhana yaitu dengan mengacungkan jari jempol tangan kanan sedangkan keempat jari lain menggenggam. Resistor yang memiliki disipasi daya 5.

Maka L adalah induktansi dari induktor dan E adalah tegangan yang timbul jika induktor dilairi listrik. (2) Jika dibandingkan dengan rumus hukum Ohm V=RI. Simbol yang biasa digunakan untuk menunjukkan besar magnetic flux ini adalah φ dan satuannya Weber (Wb = T.. Secara matematis besarnya adalah : medan flux. Komponen yang seperti inilah yang dikenal dengan induktor selenoid. Secara matematis tegangan emf ditulis : tegangan emf . Dari buku fisika dan teori medan yang menjelimet..(1) Lalu bagaimana jika kawat tembaga itu dililitkan membentuk koil atau kumparan. Jika kumparan tersebut dialiri listrik maka tiap lilitan akan saling menginduksi satu dengan yang lainnya.. maka kelihatan ada kesamaan rumus... .pada suatu luas area A tertentu difenisikan sebagai besar magnetic flux. dibuktikan bahwa induktor adalah komponen yang dapat menyimpan energi magnetik. Medan listrik yang terbentuk akan segaris dan saling menguatkan. Energi ini direpresentasikan dengan adanya tegangan emf (electromotive force) jika induktor dialiri listrik.m2). Jika R disebut resistansi dari resistor dan V adalah besar tegangan jepit jika resistor dialiri listrik sebesar I.

.. dan satuan yang digunakan adalah (H) Henry. Tegangan emf akan menjadi penting saat perubahan arusnya fluktuatif.. Ini yang dimaksud dengan self-induced. karena perubahan arus yang melewati tiap lilitan akan saling menginduksi... Hubungan antara emf dan arus inilah yang disebut dengan induktansi. jalur-jalur pcb dalam suatu rangkain berpotensi untuk menghasilkan medan induksi. Ini yang sering menjadi pertimbangan dalam mendesain pcb supaya bebas dari efek induktansi terutama jika multilayer. Efek emf menjadi signifikan pada sebuah induktor. Induktor disebut self-induced Arus listrik yang melewati kabel. Sedangkan bilangan negatif sesuai dengan hukum Lenz yang mengatakan efek induksi cenderung melawan perubahan yang menyebabkannya. Secara matematis induktansi pada suatu induktor dengan jumlah lilitan sebanyak N adalah akumulasi flux magnet untuk tiap arus yang melewatinya : induktansi . (3) Induktor selenoida .Tegangan emf di sini adalah respon terhadap perubahan arus fungsi dari waktu terlihat dari rumus di/dt.

. Dari pemahaman fisika. Ada simbol µ yang dinamakan permeability dan µ0 yang disebut permeability udara vakum. Aplikasinya pada rangkaian dc salah satunya adalah untuk menghasilkan tegangan dc yang konstan terhadap fluktuasi beban arus. Secara matematis ditulis : Lilitan per-meter……….. Pada aplikasi rangkaian ac.. elektron yang bergerak akan menimbulkan medan elektrik di sekitarnya.(5) Lalu i adalah besar arus melewati induktor tersebut. setegah lingkaran ataupun lingkaran penuh. persegi empat. Besar . Berbagai bentuk kumparan.. (4) Jika dikembangkan. Akan lebih banyak lagi fungsi dari induktor yang bisa diaplikasikan pada rangkaian filter.... n adalah jumlah lilitan N relatif terhadap panjang induktor l. sehingga diketahui besar medan listrik di titik tengah lingkaran adalah : Medan listrik . salah satu gunanya adalah bisa untuk meredam perubahan fluktuasi arus yang tidak dinginkan. Penampang induktor biasanya berbentuk lingkaran. jika dialiri listrik akan menghasilkan medan listrik yang berbeda.Fungsi utama dari induktor di dalam suatu rangkaian adalah untuk melawan fluktuasi arus yang melewatinya. tuner dan sebagainya.

. ... (6) L : induktansi dalam H (Henry) µ : permeability inti (core) µo : permeability udara vakum µo = 4π x 10-7 N : jumlah lilitan induktor A : luas penampang induktor (m2) l : panjang induktor (m) Induktor selenoida dengan inti (core) Inilah rumus untuk menghitung nilai induktansi dari sebuah induktor.. Tentu saja rumus ini bisa dibolak-balik untuk menghitung jumlah lilitan induktor jika nilai induktansinya sudah ditentukan. Jika rumus-rumus di atas di subsitusikan maka rumus induktansi (rumus 3) dapat ditulis menjadi : Induktansi Induktor . Untuk induktor tanpa inti (air winding) µ = 1.permeability µ tergantung dari bahan inti (core) dari induktor.

. maka toroid berbentuk lingkaran.Toroid Ada satu jenis induktor yang kenal dengan nama toroid. Toroida Jika jari-jari toroid adalah r. (7) Dengan demikian untuk toroida besar induktansi L adalah : Induktansi Toroida ………(8) . yaitu jari-jari lingkar luar dikurang jari-jari lingkar dalam. Biasanya selalu menggunakan inti besi (core) yang juga berbentuk lingkaran seperti kue donat. Maka panjang induktor efektif adalah kira-kira : Keliling lingkaran toroida ….. Jika biasanya induktor berbentuk silinder memanjang.

Juga karena toroid umumnya menggunakan inti (core) yang melingkar. Pabrik pembuat biasanya dapat memberikan data kode material.000. Dapat dipahami penggunaan ferit dimaksudkan untuk mendapatkan nilai induktansi yang lebih besar relatif terhadap jumlah lilitan yang lebih sedikit serta dimensi induktor yang lebih kecil. dimensi dan permeability yang lebih detail. Bahan dasarnya adalah bubuk besi oksida yang disebut juga iron powder. Penggunaan ferit juga disesuaikan dengan frekeunsi kerjanya. Ferit dan Permeability Besi lunak banyak digunakan sebagai inti (core) dari induktor yang disebut ferit. Ferit yang sering dijumpai ada yang memiliki µ = 1 sampai µ = 15. zinc (seng) dan magnesium. manganase. maka medan induksinya tertutup dan relatif tidak menginduksi komponen lain yang berdekatan di dalam satu pcb. bubuk campuran tersebut dibuat menjadi komposisi yang padat. dapat induktor dengan induktansi yang lebih besar dan dimensi yang relatif lebih kecil dibandingkan dengan induktor berbentuk silinder. Karena beberapa ferit akan optimum jika bekerja pada selang frekuensi tertentu. Oleh sebab itu ferit ini sebenarnya adalah keramik. Ada juga ferit yang dicampur dengan bahan bubuk lain seperti nickle. Berikut ini adalah beberapa contoh bahan ferit yang dipasar dikenal dengan kode nomer materialnya. Ada bermacammacam bahan ferit yang disebut ferromagnetik. Melalui proses yang dinamakan kalsinasi yaitu dengan pemanasan tinggi dan tekanan tinggi.Salah satu keuntungan induktor berbentuk toroid. Proses pembuatannya sama seperti membuat keramik. .

diameter lingkar material ferit Sampai di sini kita sudah dapat menghitung nilai induktansi suatu induktor. Seperti contoh . Jika datanya lengkap. Dengan data ini dapat dihitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi tertentu. berdiameter 1 cm dengan panjang 2 cm serta mengunakan inti ferit dengan µ = 3000. Dapat diketahui nilai induktansinya adalah : L ≈ 5. Umumnya dipasar tersedia berbagai macam jenis dan ukuran toroida. diameter lingkar dalam serta luas penampang toroida. Misalnya induktor dengan jumlah lilitan 20. Indeks ini dihitung berdasarkan dimensi dan permeability ferit. Karena perlu diketahui nilai permeability bahan ferit. maka kita dapat menghitung nilai induktansi dengan menggunakan rumus-rumus yang ada.9 mH Selain ferit yang berbentuk silinder ada juga ferit yang berbentuk toroida. Tetapi biasanya pabrikan hanya membuat daftar indeks induktansi (inductance index) AL.

tabel AL berikut ini yang satuannya µH/100 lilitan. Tabel AL Rumus untuk menghitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi yang diinginkan adalah : Indeks AL ………. (9) Misalnya digunakan ferit toroida T50-1. Maka untuk mendapatkan induktor sebesar 4µH diperlukan lilitan sebanyak : N ≈ 20 lilitan . maka dari table diketahui nilai AL = 100.

Ada banyak kawat tembaga yang bisa digunakan.3mm. Misalnya kawat tembaga AWG32 berdiameter kira-kira 0. merah. resistansi dan sebagainya. Banyak juga ferit toroid dibuat dengan nilai permeability µ yang besar. Indeks AL umumnya sudah baku dibuat oleh pabrikan sesuai dengan dimensi dan permeability bahan feritnya. AWG22 berdiameter 0. Misalnya ferit toroida FT50-77 memiliki indeks AL = 1100. Biasanya pabrikan menjelaskan berapa nilai tegangan kerja untuk toroida tersebut. Contoh bahan ferit toroida di atas umumnya memiliki premeability yang kecil. Sebenarnya lapisan ini bukan hanya sekedar warna yang membedakan permeability.7mm ataupun AWG20 yang berdiameter kira-kira 0. Kawat tembaga Untuk membuat induktor biasanya tidak diperlukan kawat tembaga yang sangat panjang. . Bahan ferit tipe ini terbuat dari campuran bubuk besi dengan bubuk logam lain. tetapi berfungsi juga sebagai pelapis atau isolator. Karena bahan ferit yang demikian terbuat hanya dari bubuk besi (iron power). Paling yang diperlukan hanya puluhan sentimeter saja. Standar ini tergantung dari diameter kawat. biru atau kuning. Misalnya abu-abu. sehingga efek resistansi bahan kawat tembaga dapat diabaikan. Biasanya yang digunakan adalah kawat tembaga tunggal dan memiliki isolasi. Untuk pemakaian yang profesional di pasar dapat dijumpai kawat tembaga dengan standar AWG (American Wire Gauge). hitam.8mm. Permeability bahan bisa juga diketahui dengan kode warna tertentu.Rumus ini sebenarnya diperoleh dari rumus dasar perhitungan induktansi dimana induktansi L berbanding lurus dengan kuadrat jumlah lilitan N2.

Untuk memperoleh nilai “Q” yang optimal panjang induktor sebaiknya tidak lebih dari 2x diameter penampangnya. data yang diperlukan tidak banyak tersedia di toko eceran.Penutup Sayangnya untuk pengguna amatir. Untuk mendapatkan nilai induktansi yang akurat ada efek kapasitif dan resistif yang harus diperhitungkan. Karena ternyata arus yang melewati kawat tembaga hanya dipermukaan saja. yang pasti harus lebih kecil dibandingkan diameter penampang induktor. Ini yang dikenal dengan istilah ekef kulit (skin effect). terutama induktor berbentuk silinder. Kawat tembaga yang digunakan bisa berdiameter berapa saja. Terkadang pada prakteknya untuk membuat induktor sendiri harus coba-coba dan toleransi induktansinya cukup besar. Sehingga terkadang dalam membuat induktor jumlah lilitan yang semestinya berbeda dengan hasil perhitungan teoritis. Ada satu tip untuk membuat induktor yang baik. . Untuk toroid usahakan lilitannya merata dan rapat.

KODE : LIS.PTL.047 (P) (40 Jam)






Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial, sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis.

Dalam penggunaannya, bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya, yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta, kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat, guna merealisasikan penyelenggaraan

pembelajaran di SMK. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK.

Demikian, mudah -mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan, khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat.

Jakarta, 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur,

Dr. Ir. Gator Priowirjanto NIP 130675814

KATA PENGANTAR …………………………………………………… REKOMENDASI ………………………………………………………… DAFTAR ISI ……………………………………………………………... PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… GLOSARRY/PERISTILAHAN I PENDAHULUAN A. Deskripsi …………………………………………….………… B. Prasyarat ………………………………………………………. C. Petunjuk Penggunaan Modul ………………………….……… D. Tujuan Akhir………………………………………………….. E. F. II STANDAR KOMPETENSI……………..………………… Cek Kemampuan …………………………………….……….. 1 1 1 2 3 4 6 7 7 8 8 8 8 18 20 21 25 26 26 26 48 50 Halaman i ii iv v

PEMBELAJARAN A. RENCANA BELAJAR PESERTA DIKLAT…………………. B. KEGIATAN BELAJAR. ……………………………………… Kegiatan Belajar 1 A. B. C. D. E. F. Tujuan Kegiatan ……………………………….……… Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 1 …………………………………………. Tugas 1 ……………………………………………….. Test Formatif 1 ……………………………………….. Jawaban Test Formatif 1 ……………………………..

Kegiatan Belajar 2 A. B. C. D. Tujuan Kegiatan ……………………………….…. Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 2 ………………………………….……… Tugas 2 ………………………………………………..

Elektronika -1



odul ini berjudul Elektronika - 1 merupakan bagian dari Kompetensi Mengoperasikan Mesin Produksi dengan Kendali Elektronik (PTL. OPS 005 (

)A dipersiapkan bagi anda siswa Sekolah Menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pemanfaatan Energi tingkat III (semester 5) dengan alokasi waktu selama 40 jam. Modul ini berisikan tentang dasar-dasar elektronika mulai dari teori atom, bahan semikonduktor, macam-macam Dioda, Transistor Bipolar serta pemanfaatannya. Modul ini tidak ada kaitan secara langsung dipelajari tersendiri. Setelah modul ini dapat anda kuasai, maka hasil belajar yang akan anda capai adalah adanya pemahaman terhadap ilmu elektronika, khususnya mampu dalam dengan modul lainnya, jadi dapat

mengidentifikasi komponen elektronik serta menganalisis sifat-sifatnya. Dengan pengetahuan dasar ini akan membimbing anda ke arah pekerjaan dan kemampuan yang dimiliki khususnya bidang keahlian yang berkaitan dengan dunia elektronik dan bidang keahlian pemanfaatan energi pada umumnya.


Untuk mempelajari modul ini tidak diperlukan prasyarat khusus, tetapi dikarenakan modul ini dilengkapi dengan Lembar Kerja, maka sudah tentu diperlukan penguasaan anda terhadap alat-alat ukur besaran listrik dan yang paling penting adalah pengetahuan dan kepedulian anda terhadap Keselamatan Kerja dan Bahaya Listrik.


1. Modul ini dapat anda pelajari secara klasikal ataupun individual, dimana setiap kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas -tugas yang terdapat


Elektronika -1

dalam topik-topik pembelajaran modul ini secara tuntas (Mastery Learning) baik ranah pengetahuan, sikap dan khususnya ranah keterampilan. 2. Jika anda sudah merasa mampu untuk menyelesaikan salah satu topik dari modul ini, maka anda diperkenankan untuk meminta kepada guru pembimbing anda guna diuji kompetensinya. 3. Jika anda sudah dinyatakan kompeten untuk satu topik pertama dengan melewati uji kompetensi tersebut di atas, maka anda diperkenankan untuk melanjutkan ke topik (pembelajaran) berikutnya. Tapi jika dianggap belum kompeten, maka sebaiknya anda tidak segan untuk mengulang kembali dengan arahan guru pembimbing. 4. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan beberapa peralatan ukur dan piranti-piranti elektronik baik aktif maupun pasif serta sumber daya searah dan bolak-balik yang tetap maupun variabel.


Karena modul ini mengacu pada Kurikulum 2004 (Standar Kompetensi Nasional) , maka setelah anda menyelesaikan kegiatan belajar ini ada beberapa kinerja yang diharapkan untuk anda kuasai dan telah memenuhi persyaratan dari dunia kerja seperti berikut : 1. Mampu mengidentifikasi komponen elektronik 2. Mampu melakukan troubleshooting rangkaian elektronik 3. Mampu melakukan perbaikan pesawat elektronik


Dioda diidentifikasi sesuai dengan sifatnya dengan alat ukur yang sesuai .Terjadinya bahan semikonduktor tipe P dan N dijelaskan sesuai dengan kejadian dan sifatnya .Terjadinya lapisan PNP dan NPN dijelaskan sesuai dengan kejadiannya . STANDAR KOMPETENSI KODE KOMPETENSI : Kompetensi Sub Kompetensi 1 Kriteria Unjuk Kerja : : : PTL OPS 005( ) A Memelihara rangkaian elektronik Memahami teori atom dan semikonduktor .Fungsi transistor dijelaskan sesuai dengan fungsinya 3 .Bahan semikonduktor dijelaskan sesuai dengan sifat-sifatnya .Teori atom dan sifatnya difahami sebagai dasar pengetahuan elektronik .Sifat transistor NPN dan PNP dijelaskan sesuai dengan sifat atau karakteristiknya .Transistor Bipolar diidentifikasi dengan alat ukur yang sesuai.Melakukan percobaan dioda zener sebagai stabilisator tegangan searah Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja yang telah ditetapkan Pengetahuan : Ketrampilan : Sikap : Sub Kompetensi 2 Kriteria Unjuk Kerja : : Memahami sifat dan karakteristik transistor bipolar .Menjelaskan terjadinya bahan sk.Melakukan percobaan Dioda sebagai penyearah arus . .Menjelaskan sifat PN junction . Tipe P dan N dan sifatnya .Dioda diuji sesuai dengan karakteristiknya dengan rangkaian uji yang ditetapkan .Menjelaskan teori atom .Sifat PN junction dijelaskan .Elektronika -1 E.Menjelaskan sifat macam-macam dioda dan penggunaannya .Sifat macam macam dioda dijelaskan sesuai dengan karakteristik dan penggunaannya .Melakukan percobaan karakteristik dioda. .Menjelaskan sifat unsur bahan semikonduktor .

CE dan CC .Melakukan percobaan transistor s ebagai saklar elektronik Ketrampilan : Sikap Ruang Lingkup Belajar : : Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja Kompetensi ini berkaitan dengan pemahaman tentang komponen-komponen elektronik yang umumnya digunakan dalam peralatan kendali di industri LIS PTL 47 (P) Kode Modul : 4 .Melakukan identifikasi transistor dengan alat ukur . saklar elektronik .Elektronika -1 .Menjelaskan konfigurasi.Penguatan dan konfigurasi penguat transistor dijelaskan sesuai dengan rangkaian sambungannya Pengetahuan : Menjelaskan terjadinya lapisan PNP dan NPN Menjelaskan sifat dan karaktersitik transistor bipolar Menjelaskan cara mengidentifikasi transistor bipolar Menjelaskan fungsi transistor sebagai penguat. CB.

Penguasaan terhadap peralatan perbaikan (alat tangan) 5. Penguasaan terhadap peralatan ukur elektronik (osiloskop) 4.Elektronika -1 F. Penguasaan terhadap peralatan ukur Digital 3. Penguasaan terhadap peralatan ukur Analog 2. Penguasaan terhadap prosedur perbaikan dan perawatan elektronik 6. Penguasaan terhadap karakter komponen elektronik YA BELUM REMARK Catatan Pembimbing : 5 . CEK KEMAMPUAN PENGUASAAN KONDISI 1.

16. 13. 04. 06. 08. 12. 14. 01. PEMBELAJARAN RENCANA PEMBELAJARAN SISWA No. 09. TOTAL WAKTU 2400 Kegiatan Tanggal Waktu (menit) Tempat Belajar Paraf Guru 6 . 05. 07. 02. 18.Elektronika -1 II. 03. 11. 15. 20. 10. 19. 17.

pelipat (multiplier) dan penstabil tegangan (voltage stabilizer) 7 . maka diharapkan anda dapat : ? Memahami karakteristik atom suatu unsur ? Membedakan antara sifat bahan penghantar. penyekat dan setengah Penghantar ? Memahami terbentuknya bahan semikonduktor P dan N ? Menganalisis karakteristik Dioda Semikonduktor ? Menganalisis karakteristik Dioda Zener ? Mengaplikasikasikan dioda sebagai penyearah (rectifier).Elektronika -1 Kegiatan Belajar -1 TEORI ATOM DAN DIODA SEMIKONDUKTOR TUJUAN : Setelah mempelajari topik ini.

1. 8 . Inti bermuatan positip terhadap elektron. 2. yang berarti tidak dapat dibagi lagi. Kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak. Secara tiga dimensi bentuk atom suatu unsur digambarkan seperti terlihat pada gambar Gambar 1. Setiap inti mempunyai medan gaya tarik dengan elektronnya dan dikenal sebagai muatan. neutron dan elektron.Elektronika -1 A. 3. Karakteristik Atom A 1.1. tom adalah partikel terkecil dari sebuah molekul yang sifatnya tidak dapat dibagi lagi dan hal ini sesuai dengan nama asal atom dari bahasa Yunani ATOMOS. sebaliknya elektron bermuatan negatip terhadap intinya. Karakteristik suatu atom adalah : 1.dan juga bisa bermuatan netral jika jumlah muatan positip dan negatipnya seimbang. Atom dan lintasan elektronnya Atom terdiri dari proton. dimana proton bermuatan positip terhadap elektron atau elektron bermuatan negatip sedangkan dalam keadaan normal inti (neutron) tidak bermuatan.

Lapisan atom unsur silikon dan penyederhanaannya Jumlah elektron yang melintas pada setiap lapisan dapat ditentukan dengan rumus pendekatan sebagai berikut : ? e = 2 n2 (1.1) dimana : ? e = banyak elektron yang melintas n = 1.Elektronika -1 B. Susunan Atom Susunan setiap atom terdiri dari lapisan -lapisan tertentu yang menjadi tempat beredarnya elektron.……… (nomor lintasan.4. Memperlihatkan susunan lapisan suatu atom unsur Silikon (Si) yang mempunyai nomor atom 14 atau mempunyai 14 buah elektron yang mengelilingi intinya. Dengan demikian banyaknya elektron yang melintas pada setiap lintasan untuk unsur silikon seperti gambar 1. dimana angka terkecil menyatakan nomor lintasan yang paling dekat ke intinya).Lintasan pertama . adalah : (1) = 2 .2. Gambar 1. dimana semakin besar berat unsurnya suatu unsur akan semakin banyak jumlah elektron yang mengelilingi intinya. 12 = 2 buah elektron 9 .3.2. lapisan ini disebut lintasan atau orbit. Gambar 1.2. Banyaknya elektron yang melintas ditentukan oleh berat unsur kimia.2.

Lintasan kedua . Elektron-elektron yang melintas pada lapisan terdalam (berdekatan dengan inti) akan terikat kuat oleh muatan intinya dana kan sulit untuk melepaskan diri dari susunannya. Ikatan Kovalen 10 .Lintasan ketiga (2) = 2 . Gambar 1. Elektron yang menempati lapisan terluar tersebut sangat memegang peranan penting dalam penentuan sifat kimia dan kelistrikan unsur dan sering disebut sebagai elektron martabat (Valensi). Misalkan ada beberapa atom silikon yang saling berdekatan seperti gambar 1.3. Setiap elektron mempunyai kemampuan untuk mengikat satu elektron lain dari atom lainnya yang berada disekitarnya. 22 = 8 buah elektron (3) = 4 buah elektron (sisa). Sedang bagi elektron-elektron yang menempati lapisan terluar akan mudah dipengaruhi oleh sejumlah tenaga dari luar dan mereka dapat keluar sebagai elektron bebas.3. maka elektron-elektron yang saling berdekatan akan menjalin ikatan yang dikenal sebagai Ikatan Kovalen (Covalent-Bond). Pada lintasan ketiga hanya melintas empat buah elektron .Elektronika -1 . hal ini dikarenakan merupakan sisa dari 14 – (2 + 8) = 4 buah elektron.

sedangkan tempat yang ditinggalkan oleh elektron akan membentuk suatu muatan positip. Gambar 1. Elektron yang lepas dari ikatannya ini dikenal sebagai Elektron Bebas yang bermuatan negatip. Elektron Bebas dan Hole Suatu efek agitasi seperti kenaikan temperatur akan menghasilkan getaran pada inti atom sehingga berakibat ikatan kovalen akan pecah dan diikuti oleh lepasnya elektronelektron. dim ana tempat tadi disebut sebagai kekosongan atau dikenal dengan nama lain Hole. memperlihatkan elektron bebas dan hole pada susunan atom unsur silikon.4. 11 .Elektronika -1 ? Catatan : C.

Bahan ini digolongkan pada bahan setengah-penghantar (semiconductor). Istilah pencampuran ini dikenal dengan nama pengotoran (Impurity) atau Doping. Elektron bebas dan hole yang terjadi disebut juga sebagai pembawa muatan (Charge-Carrier). maka guna memperbesar daya hantar tersebut dapat dilakukan dengan proses pencampuran dengan unsur lain dengan maksud untuk memperbanyak terjadinya elektron-elektron bebas dan hole. dimana pada temperatur absolut (0 0K = -273 0 C) dalam keadaan murni bersifat sebagai isolator.Elektronika -1 Gambar 1. jika mempunyai nilai tahanan jenis yang rendah yaitu berkisar antara 10-8 sampai 10-7 ohmmeter. sehingga dengan perkataan lain dengan temperatur kamar sifat silikon yang pada kondisi semula bersifat sebagai penyekat sempurna dapat berubah menjadi penghantar arus listrik. Suatu bahan konduktor dikatakan baik. 12 . Elektron Bebas dan Hole 0 Pada temperatur kamar (? 27 C). Selain kedua jenis bahan di atas. ada suatu bahan yang mempunyai tahanan jenis yang berubah-ubah seiring dengan perubahan temperatur. Dikarenakan daya hantar jenis bahan semikonduktor murni sangat rendah. Sedangkan suatu bahan isolator dikatakan baik jika mempunyai nilai tahanan jenis yang tinggi. Bahan Penghantar. penyekat dan Setengah-Penghantar Pada umumnya bahan kelistrikan yang anda kenal ada dua. D. yaitu penghantar (konduktor) dan penyekat (isolator).4. enerji panas sudah mampu untuk membebaskan elektron dari ikatan kovalen. yaitu berkisar antara 10 4 sampai 1016 ohm-meter.

memperlihatkan kurva pengaruh panas terhadap tahanan jenis. Oleh karena itu bahan semikonduktor akan lebih baik menghantarkan arus listrik saat panas daripada saat dingin.5. Gambar 1. Gambar 1. TABEL-1 CONTOH BEDA TAHANAN JENIS PADA TEMPERATUR KAMAR KONDUKTOR ? Cu ? 10-8 ? m SEMI-KONDUKTOR ? Ge ? 50 x 10-2 ? m ? Si ? 50 x 10-1 ? m ISOLATOR ? mika ? 1010 ? m Tahanan jenis bahan konduktor hanya akan bertambah sedikit naik dan berbanding lurus dengan kenaikan dari temperatur. sebaliknya tahanan jenis bahan semikonduktor akan turun secara eksponensial jika temperaturnya anda naikkan. Pengaruh panas terhadap tahanan jenis bahan 13 . Nilai tahanan jenis bahan semikonduktor ini berkisar antara 10-1 sampai 10 -15 ohm-meter.Elektronika -1 sedangkan jika ada kenaikan temperatur sifatnya akan berubah menjadi konduktor. Berikut ini diperlihatkan contoh perbedaan tahanan jenis bahan pada temperatur kamar (? 27 0 C).5.

Elektronika -1 ? Catatan : E. dimana kedua bahan tersebut mempunyai elektron valensi yang sama yaitu empat buah. Tabel 2 berikut memperlihatkan tabel periodik golongan atom bahan semikonduktor. Terbentuknya Bahan Semikonduktor tipe P dan N Bahan dasar yang bayak dan sering digunakan dalam membuat piranti elektronik adalah bahan Germanium dan Silikon. 14 .

Dikarenakan unsur silikon bervalensi empat. Gambar 1. Selain itu juga disebutkan adanya metoda impurity. maka atom tersebut harus dicampur dengan atom unsur lain yang bervalensi tiga. misal unsur Indium (In) dan Galium (Ga). Guna mendapat muatan positip pada atom silikon atau germanium yang mempunyai valensi empat. GOLONGAN ATOM SEMIKONDUKTOR Pada pembahasan terdahulu disebutkan bahwa elektron-elektron bebas akan mengalir dalam bahan semikonduktor pada temperatur diatas nol-mutlak. Kristal Silikon tipe P 15 . maka unsur indium yang bervalensi tiga akan menerima empat buah elektron. Atau dengan kata lain harus adanya pemaksaan panas (agitasi thermis).Elektronika -1 TABEL –2. dimana unsur murni bahan semikonduktor tersebut dicampur dengan unsur lainnya (agitasi chemis).6.

Dikarenakan atom indium menerima elektron dari silikon atau germanium. memperlihatkan susunan kristal silikon-P dan jika anda perhatikan lebih seksama akan tampak pada ikatan kovalennya terjadi kekurangan elektron yang mengasilkan muatan positip (hole). dimana hurup P ini menunjukkan muatan terbanyak positip atau hole. Gambar 1.7. Dioda PN Sambungan bahan semikonduktor tipe P dan N mendasari terbentuknya suatu piranti elektronik aktif yang dikenal sebagai Dioda . Unsur pencampur tersebut dinamakan unsur pemberi (donor) sedangkan hasil campurannya disebut Silikon atau Germanium tipe N.6. maka akan terbentuk bahan baru yang disebut silikon atau germanium tipe P. Antimon atau Phospor. Dioda ini berasal dari dua kata Duo dan Electrode yang berarti dua elektroda.7. yaitu Anoda yang berpolaritas postip dan Katoda yang berpolatitas negatip. maka indium disebut sebagai penerima (akseptor).Elektronika -1 Sebagai paduan bersama. Gambar 1. Campuran ini akan membentuk campuran bermuatan negatip dikarenak an kelebihan elektron. 16 . memperlihatkan susunan kristal silikon atau germanium N. Kristal Silikon – N F. Jika hasil pencampuran antara atom unsur semikonduktor yang bervalensi empat dengan unsur yang bervalensi tiga akan menghasilkan campuran yang bermuatan positip dan untuk memperoleh campuran yang bermuatan negatip kita harus campurkan bahan silikon atau germanium dengan unsur lain yang bervalensi lima misalnya unsur Arsenikum. Gambar 1.

DIN 40 700 Gambar 1. Sifat Dioda 1. maka rangkaian tersebut dikenal sebagai rangkaian bias maju (Forward -Bias). Simbol dan bentuk fisik Dioda 1. Salah satu aplikasi penggunaan dioda dalam ilmu kelistrikan adalah sebagai penyearah arus (rectifier) dari arus bolak-balik ke arus searah. Gambar 1..1.8.8.Elektronika -1 Secara umum dioda disimbolkan dan bentuk fisiknya seperti terlihat pada gambar 1. Bias maju (Forward-Bias) 17 .9. Bias Maju Jika anoda dihubungkan dengan kutub positip sumber searah dan katodanya dihubungkan dengan kutub negatipnya seperti terlihat pada gambar 1.9.

Elektronika -1 Pada kondisi seperti ini arus akan mengalir dari anoda menuju katoda. Bias Mundur (Reverse-Bias) Pada saat reverse ini dioda akan mempunyai nilai hambatan yang besar. Tegangan ini jika terus diperbesar akan mengakibatkan kerusakan pada dioda dan untuk itu tegangan ini dibatasi hingga tegangan nominal yang dikenal dengan nama Peak Inverse Voltage disingkat PIV. Bias Mundur Jika kedua elektroda dioda tersebut kita hubungkan secara terbalik (berlawanan polaritas). yaitu anoda dihubungkan dengan sumber negatip sumber searah sedangkan katoda dihubungkan dengan sumber positipnya. Jika tegangan sumber dinaikkan lebih besar lagi.10. maka suatu saat tertentu secara tiba-tiba arus akan naik secara linear.3 volt. maka bias demikian disebut bias mundur (Reverse-Bias) seperti diperlihatkan pada gambar 1.10.7 volt sedangkan untuk dioda germanium Ud ? 0. Gambar 1. Tegangan dimana dioda mulai mengalirkan arus disebut sebagai tegangan kerja dioda ( Ud). 1. sehingga arus tidak akan atau sedikit mengalir dalam orde mikroamper. 18 .2. Untuk dioda silikon Ud ? 0. Tegangan saat arus mengalir secara linear ini dikenal sebagai tegangan patahan (Breakdown Voltage).

Elektron yang melepaskan diri dari ikatannya disebut Elektron-bebas. Inti dan proton dianggap bermuatan sama (positip). 7. sedangkan elektron bermuatan negatip dan kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak bahkan bisa bermuatan netral. Sifat dioda PN adalah menghantarkan arus saat bias maju (forward) dan menghambat arus saat bias mundur (reverse). 8. jika muatannya seimbang . sedangkan pencampuran Silikon dengan Arsenikum yang bervalensi 5 akan menghasilkan tipe N (negatip).1 1. Proton dan Elektron. Setiap elektron yang berdekatan dari atom yang berbeda dapat membuat suatu ikatan yang dikenal sebagai ikatan kovalen (Covalent-Bond). Pencampuran antara bahan semikonduktor bervalensi berbeda misal Silikon yang bervalensi 4 dengan bahan Indium yang bervalensi 3 akan menghasilkan tipe semikonduktor P (positip).( 27 0 C) berubah ? 19 .Elektronika -1 RANGKUMAN . sedangkan tempat yang ditinggalkannya membentuk muatan p ositip yang diberi nama Hole. 6. sedangkan pada temperatur kamar menjadi penghantar. 5. 2. bahan semikonduktor bersifat sebagai penyekat. 3. Jumlah lapisan (orbit) elektron dari suatu unsur dapat dihitung dengan rumus pendekatan ? e = 2 n2 4. Atom adalah bagian terkecil dari benda yang tidak dapat dibagi lagi. dimana atom terdiri dari Inti. Dalam keadaan murni dan pada temperatur –2730 C (0 0 K).

Unsur Indium (In) yang mempunyai nomor atom 49 dan Phospor (P) yang bernomor atom 15.Elektronika -1 ? kejadiannya ! LEMBAR LATIHAN .1 1. Apa yang dimaksud dengan metoda Impurity (DOPING) dan sebutkan apa tujuan / alasannya ? 4. Hitung / gambarkan jumlah lintasan dan jumlah elektron setiap lintasannya ! b. . Apa yang dimaksud dengan Elektron Bebas dan Hole ? Sebutkan juga 2. Sebutkan ciri-ciri (sifat) dioda untuk bias maju dan mundur ! 20 . Valensi In = …………. valensi P = …………… 3. a.

misalnya unsur silicon murni dicampur dengan indium akan menghasilkan bahan silicon dengan polaritas positip. Elektron bebas dan hole adalah pembawa muatan negatip dan positip. dimana unsur murni dicampur dengan unsur lain sehingga berubah sifat. maka dia akan menghantarkan arus listrik. maka dia akan menghambat arus. 3. 2. 2. jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah sebagai berikut : Orbit 1 = 2 x 12 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 2 x 32 = 18 Orbit 4 = 2 x 42 = 18 * Orbit 5 = 3 elektron Sedangkan untuk Phospor yang mempunyai nomor atom 15. Kehilangan elektron tersebut mengakibatkan “lubang” (hole) yang bermuatan positip. Jika dioda diberi bias maju. Metoda impurity (doping) adalah metoda untuk memperoleh bahan (unsur) yang mempunyai polaritas tertentu (positip atau negatip).1 1. Sedangkan atom yang ditinggalkan oleh elektron akan kehilangan muatan negatip sehingga atom tersebut akan lebih negatip.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah : Orbit 1 = 2 x 1 2 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 5 elektron Dengan demikian Elektron valensi untuk unsur Indium adalah = 5. sedangkan unsur Phospor = 3. dimana kejadiannya adalah saat elektron tersebut lepas dari ikatannya akibat adanya pengaruh agitasi thermis ataupun chemis. 21 . Sedangkan jika dibias mundur. Usur Indium yang mempunyai nomor atom 49. Metoda ini disebut metoda pengotoran (doping).

Elektronika -1 LEMBAR KERJA 1 KARAKTERISTIK DIODA ? TUJUAN Setelah selesai mengerjakan lembar kerja – 1 ini diharapkan anda : 1. Dapat membuktikan sifat-sifat dioda secara umum. Dapat menggambarkan karakteristik listrik dioda arah maju dan mundur. 2. ? RANGKAIAN PERCOBAAN A) ARAH MAJU S + R + A Us U Rp V D B) ARAH MUNDUR S + Us U V D + A 22 .

Posisikan V meter pada batas ukur 1 volt. 2. Proto Board Trainer 7. Hentikan percobaan jika pembacaan meter sulit dibaca ! TABEL – 1 U (volt) 0 0. Saklar ON-OFF 5. Amati kedua meter dan catat hasil penunjukkannya pada tabel .8 0.1 yang disediakan. Nyalakan Power Supply dan atur tegangan sebesar 1 volt. Resistor = 100 ? / 1 W 11. V meter dc 6. 6. Posisikan mA meter pada batas ukur 100 mA. Dioda Rectifier 1N4005 10. ? A meter dc. 9.7 0. Potensiometer limear 1 k? 9. 5. ? LANGKAH KERJA –1 1. Kabel secukupnya. 3. catatan : Dalam rangkaian ini sebagai pengukur arus digunakan mA meter. 4.0 23 I ( mA) R ( ohm ) .5 0. 4.Elektronika -1 ? DAFTAR ALAT DAN BAHAN 1. Periksakan rangkaian tersebut kepada instruktor sebelum mulai percobaan. 3.1 0. Hidupkan saklar (ON). dimana semua posisi saklar pada posisi OFF.1 volt. Regulated DC Power Supply 0 –20 volt 2. 8.9 1. mA meter dc. Atur tegangan melalui potensiometer secara bertahap setiap 0. Multimeter 8. Buat rangkaian seperti gambar 1 di atas.3 0.4 0.2 0. 7.6 0.

sedangkan batas ukur V meter hingga diatas 20 volt. jika batas tegangan Power Supply telah mencapai 20 volt. 3. Buat rangkaian seperti gambar 2. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel –2 di bawah. 4. posisi saklar pada posisi OFF.Elektronika -1 R=U/I ? LANGKAH KERJA . 5. TABEL – 2 U (volt) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 I (? A) R ( ohm ) ? KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1. Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula. Perhatikan juga batas ukur meter yang digunakan ! 3. Perhatikan polaritas dioda dan meter pengukur dc ! 2. Catatan : Untuk percobaan ke 2 ini batas ukur ? A meter diatur pada batas terendah. Hidupkan saklar dan atur tegangan dari nol. kemudian naikkan bertahap setiap 2 volt dan amati penunjukkan ? A-meter. Catatan : Pengukur arus adalah ? A-meter 2.2 1. Periksa kebenaran rangkaian pada instruktur anda. Hentikan percobaan. 24 .

Berapa titik konduk dioda yang anda amati ? Ud = ? ………… volt 2. Berapa titik Breakdown-nya ? Ubd = ? …………. ………………………………………………………………………. b. ……………………………………………………………………….volt 3. ? EVALUASI 1.1 volt dan 5 mm ? 10 mA. 25 . Untuk arah maju 5 mm ? 0. ………………………………………………………………………. Untuk arah mundur 20 mm ? 2 volt dan 5 mm ? 1 ? A.. Kenapa rangkaian percobaan 1 dan 2 dibedakan atas posisi alat ukurnya ? ………………………………………………………………………..Elektronika -1 ? TUGAS Buat gambar karakteristik dioda arah maju dan mundur dari data tabel 1 dan 2 hasil pengukuran anda pada pola di bawah ini dengan skala : a.

Kenapa pada rangkaian percobaan – 2 tidak digunakan hambatan R ? ………………………………………………………………………. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir. 2. Dioda Sebagai Penyearah Arus (Rectifier) Berdasarkan sifat-sifat dioda . yaitu : ? ? Penyearah Setengah Gelombang (Half-Wave Rectifier).1.11. 26 . Penyearah Gelombang Penuh (Full-Wave Rectifier). maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. ………………………………………………………………………. 2.Elektronika -1 4.11. Rangkaian Penyearah setengah gelombang Jika saklar S ditutup. maka dioda dapat dimanfaatkan sebagai alat penyearah arus bolak-balik (rectifier). maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. Ada dua macam penyearah yang dikenal. Gambar 1. Penyearah Setengah Gelombang Rangkaian dasar penyearah setengah gelombang diperlihatkan pada gambar 1. ………………………………………………………………………. dimana sisi primer transformator tersambung dengan sumber bolak-balik (ac) sedangkan sisi sekunder dihubungkan seri dengan sebuah dioda dan tahanan beban (R L).

Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4.318 Um (1.Elektronika -1 Gambar 1.2) Dimana : Um = harga maksimum tegangan ac Udc = harga rata-rata tegangan dc 27 . maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja. Proses penyearahan setengah gelombang Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat. maka penyearah seperti ini dikenal sebagai Penyearah Setengah Gelombang. Proses perubahan tegangan bolak -balik menjadi pulsa searah ini disebut penyearahan dan dikarenakan hanya setengah periode saja yang dapat dimanfaatkan.12. Guna menghitung besar harga rata-rata signal yang disearahkan dapat digunakan rumus pendekatan sebagai berikut : Um Udc = ? = 0. sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan.

dimana kurva a1 dan a2 menunjukkan tegangan yang masuk pada dioda D1 dan D2 yang selalu berlawanan phasa dan sama besarnya. Penyearah sistem titik-tengah menggunakan transformator centre-tap. Ujung lain dari dioda ini dihubungkan pada titik yang sama dari ujung tahanan RL di titik X dan ujung titik Y disambungkan ke titik tengah transformator C. yaitu sistem Titik -Tengah (centretap) dan Sistem Jembatan (bridge). dimana jumlah lilitan antara titik AC sama dengan jumlah lilitan pada titik CB.14.Elektronika -1 2. Sistem Centre-tap Ujung A dihubungkan pada dioda D1 dan ujung B pada dioda D2. 28 .13. Kerja penyearah ini dapat dilihat pada gambar 1. Gambar 1.2. Penyearah Gelombang Penuh Ada dua macam penyearah gelombang penuh.

t3 ujung A berpolaritas negatip sedang ujung B positip sehingga pada saat ini dioda D2 yang menghantar (kurva b2 saat t2 .14.Elektronika -1 Gambar 1. Kelebihan penyearah gelombang penuh dari penyearah setengah gelombang adalah menghasilkan tegangan rata-rata (Udc ) duakali lipat atau dituliskan sebagai berikut : Udc = 2 x 0. maka rangkaian ini dinamakan penyearah gelombang penuh.636 Um Untuk penyearah gelombang penuh Sistem Jembatan diperlukan empat buah dioda yang dipasang sedemikian rupa seperti diperlihatkan pada gambar 1.3) 29 . Proses Penyearahan Gelombang Penuh Pada saat t1 – t2 ujung A sedang berpolaritas positip. sedangkan D2 tidak menghantar (kurva b2 saat t1 -t 2). Pada saat t2 .t 3) sedang D1 tidak menghantar (kurva b1 saat t2 – t3 ). ( 1. Dikarenakan satu gelombang penuh tegangan bolak-balik telah dimanfaatkan.15. sedangkan ujung B negatip sehingga pada sat ini dioda D1 yang sedang menghantar (kurva b1 saat t1 – t2). Dengan demikian kedua dioda tersebut secara bergantian setiap setengah periode dan tahanan RL sertiap saat selalu dilewati arus (kuva c) yang berbentuk pulsa positip.318 Um = 0.

Gambar 1. maka ikuti gambar 1. Guna memudahkan anda mengetahui bagaimana sistem ini bekerja.sedang D1 dan D2 tidak menghantar. dimana ketika titik A sedang negatip. sedang dioda D3 dan D4 tidak menghantar. dioda yang menghantar adalah dioda D3 dan D4 .15.. 30 . Penyearah sistem Jembatan Ketika titik A sedang positip.16. dioda D1 dan D2 berada dalam kondisi menghantar. Adapun hasil penyearahan dari sistem ini adalah mirip dengan sistem Titik -Tengah.16.Elektronika -1 Gambar 1. Proses kerja Sistem Jembatan Dengan demikian pada setiap setengah periode tegangan bolak-balik ada dua buah dioda yang bekerja secara serempak sedangkan dua buah lainnya tidak bekerja.

Doubler setengah gelombang Agar anda mudah memahami prinsip kerja rangkaian tersebut.1.Elektronika -1 3. Besar tegangan yang dilipatkan dapat diatur mulai dari duakali lipat. maka dapat dibuat rangkaian pelipat yang dasarnya adalah merupakan rangkaian penyearah tegangan. Sebagai contoh jika anda menghendaki kelipatan dua dari tegangan output suatu penyearah sebagai berikut : Jika diketahui tegangan efektiv (rms) suatu sumber ac adalah 4. Pelipat Dua (Doubler) Ada dua macam rangkaian pelipat dua ini. pelipat tiga disebut Tripler dan pelipat empat disebut Quadrupler atau secara umum pelipat ini disebut sebagai Multiplier.17. Rangkaian doubler setengah gelombang seperti terlihat pada gambar 1.3 volt = ? 12.18.5 volt. Dioda sebagai pelipat tegangan (Voltage Multiplier) Guna melipat tegangan dari suatu sumber tegangan searah .17. maka ikuti gambar 1. dan rangkaian ini dikenal sebagai Rangkaian Villard atau Cascade.5 x ? 2 = 6. tigakali lipat atau seterusnya. Jika tegangan tersebut dilewatkan pada rangkaian pelipat dua. Gambar 1.3 volt. Rangkaian pelipat dua disebut Doubler. 3. maka tegangan output yang dihasilkan adalah Uo = 2 x 6. yaitu untuk setengah gelombang dan gelombang penuh. maka tegangan maksimum (U m) adalah 4.6 volt. berikut : 31 .

Jika output doubler ini dihubungkan dengan sebuah beban.(a). misalnya resistor. dioda D1 off dan dioda D2 menghantar dan C2 mengisi muatannya. yaitu Uc1 = Um dan Uc2 = 2 Um. berikut memperlihatkan rangkaian doubler gelombang penuh yang dikenal dengan nama Rangkaian Delon. Kapasitor C1 mengisi muatan hingga mencapai tegangan maksimumnya (Um ). Jika paralel dengan kapasitor C2 tidak dibebani. Pada saat D2 terhubung singkat selama setengah perioda negatip dan D1 membuka kembali. Pada setengah perioda berikutnya sedang negatip.Elektronika -1 Gambar 1.18. Prinsip Kerja Doubler setengah gelombang Ketika setengah perioda tegangan trafo sisi sekunder sedang positip.18. Gambar 1. 32 .19. maka dioda D1 menghantar sedangkan dioda D2 –off. maka tegangan Uc2 akan turun selama setengah perioda positip dan kapasitor tersebut akan mengisi kembali hingga 2 Um pada setengah periode negatipnya. kita dapat menjumlahkan tegangan yang ada pada jaringan sehingga akan ditemukan bahwa Uc2 = 2 Um. Secara ideal D terhubung singkat selama 1 setengah periode tersebut dan tegangan input mengisi kapasitor C1 hingga Um dengan polaritas seperti pada gambar 1. maka kedua kapasitor tersebut akan tetap bermuatan.

Elektronika -1 Gambar 1. Gambar 1. Rangkaian Multiplier 33 .20.20.19. Rangkaian Doubler Gelombang Penuh Rangkaian pelipat lain dengan kemampuan lebih besar diperlihatkan seperti gambar 1.

2 1. yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh 3. sedangkan hasil penyearahan gelombang penuh adalah 2 x 0.Elektronika -1 RANGKUMAN . 34 . penyearah dapat dibentuk sebagai rangkaian pelipat (multiplier) tegangan.636 Um 4. 5.318 Um = 0. Dioda dapat digunakan sebagai penyearah arus dari arus bolak -balik ke arus searah 2. Dengan bantuan kapasitor. Hasil penyearahan setengah gelombang adalah 0. Penyearah gelombang penuh ada dua tipe. yaitu dengan menggunakan transformator titik tengah (centre-tap) dan tipe jembatan (bridge). Penyearah arus ada dua macam.318 Um.

kenapa tegangan dc output lebih rendah dari tegangan input ac ? 35 . Tegangan searah (dc) 3.2 1. Ceriterakan prinsip penyearahan signal ac menjadi dc dengan system penyearah setengah gelombang lengkap dengan gambarnya.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN . Jika diketahui sebuah penyearah gelombang penuh sistem jembatan dengan input ac = 12 volt. Menurut analisa anda. maka hitunglah : a. 2. Tegangan maksimum (Um) b.

2.97 volt b) Udc = 5. Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat. sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan. Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4. maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN .2 1. Prinsip penyearahan setengah gelombang Jika saklar S ditutup. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir. Diketahui Uin = 12 volt effektif Ditanya : a) U maksimum ( Um) b) U dc Jawab : a) Um = 16.40 volt 36 . maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja.

maka tegangan dc yang dihasilkan oleh penyearah setengah gelombang akan lebih rendah dari tegangan inputnya (U ef ataupun Umak nya) 37 .Elektronika -1 3. Karena yang dilewatkan hanya setengah periode sedangkan setengah lainnya dihambat.

? RANGKAIAN PERCOBAAN A. diharapkan anda mampu : 1. Penyearah setengah gelombang D x AC R y B. membuktikan dioda sebagai penyearah gelombang penuh 3. Penyearah Sistem Jembatan 38 .Elektronika -1 LEMBAR KERJA 2 DIODA SEBAGAI PENYEARAH ARUS ? TUJUAN Setelah menyelesaikan lembar kerja – 2 . membuktikan dioda sebagai penyearah arus setengah gelombang. 2. menganalisis bentuk gelombang searah.

Kembalikan semua alat dan bahan ke tempat semula. 4. Periksa sambungan dan perhatikan polaritas 3. Oscilloscope Dual-Trace ? LANGKAH KERJA 1. Ukurlah dengan menggunakan V meter dc tegangan output antara titik x dan y. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel – 1 7. R = 100 ohm/5 W 4. Atur sumber ac sesuai dengan Tabel 1. V meter ac 6.Elektronika -1 ? ALAT DAN BAHAN 1. Jika anda telah menyelesaikan perintah 1 s/d 6. 39 . AC Regulated Power Supply 0 – 220 volt 2. Periksakan rangkaian anda kepada instruktur sebelum melakukan pengamatan atau menghidupkan sumber daya ! 2. Buat rangkaian seperti gambar A 2. Buat kesimpulan hasil pengamatan anda ? KESELAMATAN KERJA 1. Ikuti petunjuk yang sama dan masukkan hasil pengamatan anda pada tabel – 2. V meter dc 5. 8. Periksa polaritas dan jenis alat ukur (meter) dengan benar ! 3. buat rangkaian seperti gambar 2. 5. 9. Lakukan langkah 4 dengan menggunakan Oscilloscope 6. di bawah. Dioda rectifier IN4005 dan Bridge Diode 3.


21. Karakteristik dioda zener Gambar 1.22. Simbol dan rangkaian ekuivalen dioda zener Rangkaian ekuivalen dioda zener merupakan suatu hambatan dinamis yang bernilai relatip kecil dan seri dengan sebuah batere searah yang besarnya sebanding dengan potensial zener tersebut.4 volt sampai 200 volt dengan disipasi daya ¼ sampai 500 W. 41 . memperlihatkan karakteristik listrik dioda zener yang mirip dengan karakteristik dioda pada umumnya. Jika tegangan sumber yang dib erikan pada zener lebih kecil dari Uz. sedangkan jika tegangan sumber sedikit diatas Uz. Kemampuan dioda zener berkisar mulai 2. maka tahanan dioda zener sekitar 1 Mega ohm bahkan lebih. Gambar 1. Notasi Uz adalah tegangan reverse dioda.1. dimana terjadi patahan (breakdown). arus reverse akan naik dengan cepat.Elektronika -1 4. Dioda Zener Dioda zener adalah merupakan dioda yang terbuat dari bahan silikon dan dikenal sebagai Voltage Regulation Diode yang bekerja pada daerah reverse bias (kuadran III) di daerah breakdownnya. 4.21. Simbol dan rangkaian ekuivalennya diperlihatkan seperti gambar 1.

Oleh karena itu dalam prakteknya dioda zener selalu dipasang serikan dengan sebuah resistor. Kenaikan arus zener ini mempunyai batas maksimal yang diberi notasi Iz max.23. arus naik sedemikian rupa sedangkan tegangan zener Uz akan tetap tidak berubah. dan jika terlampaui akan mengakibatkan kerusakan. Karakteristik listrik dioda zener Dari karakteristik terlihat bahwa setelah terjadi tegangan patahan.22. Rangkaian dioda zener 42 .Elektronika -1 Gambar 1. Gambar 1.

kita dapat memperoleh enam tegangan yang stabildan berbeda-beda. 43 . Gambar 1.24. sedangkan nilai Rs maksimalnya dengan memperhitungkan Iz minimal dari zener. Variasi stabilisator tegangan dengan zener Untuk penstabil seperti yang diperlihatkan pada gambar 1.24. Syarat yang perlu diperhatikan dalam penggunaan rangkaian ini adalah arus yang melewati ketiga zener tidak boleh lebih rendah dari Iz minimum dan tidak boleh melewati Iz maksimum. 4.Elektronika -1 Guna menentukan nilai tahanan seri (Rs) agar dioda terhindar dari arus lebih digunakan rumus sebagai berikut : Rs ? (Us ? Uz) Iz (max) (1. Zener sebagai penstabil tegangan Dikarenakan karakteristiknya.2. Uz2+Uz3 dan (Uz1+Uz2+Uz3). Gambar-gambar zener sebagai penstabil tegangan dapat dilihat pada gambar berikut.4 ) Persamaan diatas akan menghasilkan nilai Rs minimal yang dapat dipasang. yaitu Uz1 s/d Uz3 kemudian variasi Uz1+Uz2. maka zener dioda banyak digunakan sebagai penstabil tegangan searah.

Rangkaian stabilisator parallel Dengan mengubah R2 dengan sebuah potensiometer.26. Dioda Emisi Cahaya (LED) Dioda Emisi Cahaya (Light Emitting Diode= disingkat LED) dikenal dengan istilah lain Solid State Lamp adalah piranti elektronik gabungan elektronik dengan optic (lensa) dan akhirnya dikenal juga sebagai keluarga Opto-Electronic. Adapun syaratnya Uz1 harus lebih besar daripada Uz2. maka tegangan output rangkaian tersebut dapat diatur dari Uz2 hingga Uz1.25.26. Gambar 1.25. maka digunakan rangkaian seperti gambar 1. Simbol dan bentuk fisiknya diperlihatkan seperti gambar 1. Gambar 1. 5.Elektronika -1 Untuk memperoleh tegangan yang lebih stabil dan menghilangkan faktor kerut dari tegangan input. Konstruksi dan simbol LED 44 .

c. WARNA Merah Orange Kuning Hijau TEGANGAN MAJU 1.2. b. Bahan GaS memancarkan warna infra -merah.8 volt 2. Batasan kemampuan LED LED mempunyai batas kemampuan arus maupun tegangan yang dibedakan berdasarkan warna seperti diperlihatkan pada tabel 3 berikut. Oleh karena itu dalam penggunaan LED biasanya dihubung seri dengan sebuah hambatan ( R ). Bahan GaAsP warna merah atau kuning sedangkan bahan GaP dengan warna merah atau hijau. Sebagai lampu indicator. Tegangan Maju LED Standar arus maju LED standar adalah 20 mA. 5.Elektronika -1 Bahan dasar yang digunakan untuk pembuatan LED adalah Galium Arsenida (GaAs) atau Galium Arsenida Phospida (GaAsP) atau juga Galium Phospida (GaP) yang dapat memancarkan cahaya dengan warna yang berbeda. yaitu a.2 volt Tabel 3.1. 45 .0 volt 2.1 volt 2. Penggunaan LED Penggunaan LED dalam rangkaian elektronik dibagi dalam tiga kategori umum. 5. Sebagai penggandeng rangkaian elektronik yang masing-masing terisolir secara total. Untuk transmisi signal cahaya yang dimodulasikan dala m suatu jarak tertentu.

biasanya dihubungkan parallel dengan sebuah dioda penyearah secara terbalik (anti-parallel) seperti terlihat pada gambar 1. Konstruksi simbol dan bentuk fisiknya dapat dilihat pada gambar 1.27. LED sebagai indikator sumber ac 6.27.27. perbedaannya terletak pada persambungan yang diberi celah agar cahaya dapat masuk padanya. 46 .27. Konstruksi. jadi hanya arus bocor saja yang melewatinya. Gambar 1. bentuk fisik dan simbol dioda cahaya Dioda cahaya ini bekerja pada daerah reverse. arus yang mengalir sekitar 10 ? A untuk dioda cahaya dengan bahan dasar germanium dan 1? A untuk bahan silikon. Photo Dioda Secara umum dioda-cahaya ini mirip dengan PN-Junction. Dalam keadaan gelap.Elektronika -1 Jika LED digunakan sebagai indicator cahaya dalam suatu rangkaian arus bolak-balik. Gambar 1.

Penggunaan dioda cahaya diantaranya adalah sebagai sensor dalam pembacaan pita data berlubang (Punch Tape). dimana pita berlubang tersebut terletak diantara sumber cahaya dan dioda cahaya. Jika setiap lubang pita itu melewati celah antara tadi. Sedangkan penggunaan lainnya adalah dalam alat pengukur kuat cahaya (LuxMeter). sedangkan jika disinari cahaya resistansinya akan berubah rendah. 47 . Dioda cahaya ini banyak juga digunakan sebagai sensor sistem pengaman (security).Elektronika -1 Kuat cahaya dan temperature keliling dapat menaikkan arus bocor tersebut karena dapat mengubah nilai resistansinya dimana semakin kuat cahaya yang menyinari semakin kecil nilai resistansi dioda cahaya tersebut. dimana dalam keadaan gelap resistansi dioda cahaya ini tinggi. misal dalam penggunaan alarm. maka cahaya yang memasuki lubang tersebut akan diterima oleh dioda cahaya dan diubah dalam bentuk signal listrik.

maka dalam prakteknya harus dihubung seri dengan sebuah tahanan. Dioda Emisi Cahaya (LED) banyak digunakan sebagai indikator cahaya elektronik 6. Dioda zener sering digunakan sebagai penstabil tegangan (voltage Stabilisator) sumber arus searah. 8. 4.Elektronika -1 RANGKUMAN . Dioda zener bekerja di daerah reverse bias (kuadran III) 3. 48 . Kemampuan tegangan setiap LED tergantung dari jenis bahan dasar dan warna cahaya yang dikeluarkannya 7. Dioda cahaya juga bekerja didaerah reverse bias. 5. Dioda cahaya banyak digunakan sebagai piranti sensor system pengaman dan peraba data dari pita berlubang (Punch Tape).3 1. Dioda zener terbuat dari bahan dasar silicon dengan konsentransi campuran lebih tinggi dari dioda rectifier. 2. Mengingat keterbatasan dioda zener.

Iz(min) = 1. Hitung nilai tahanan seri (Rs) minimal dan maksimalnya yang diizinkan dipasang.) = 140 mA. Iz (max.5 mA. Dengan alasan apa dioda zener terbuat dari bahan dasar unsur silikon ? 2. 49 . Identitas dioda zener adalah sebagai berikut Uz = 8 volt. Dengan alasan apa.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN . Sumber tegangan searah (dc) sebesar 15 volt akan distabilkan oleh sebuah dioda zener sehingga outputnya = 8 volt dc. 5.3 1. dioda zener harus diserikan dengan sebuah resistor ? 4. Apa yang dimaksud dengan “dioda zener bekerja pada kuadran ke III” ? 3. Dapatkah sebuah LED digunakan sebagai penyearah ? Sebutkan alasan anda.

4. karena LED mempunyai keterbatasan kemampuan elektrik seperti tegangan dan arus yang relatip kecil. Maksud dioda zener bekerja pada kuadran ketiga adalah. karena dia bekerja pada daerah reverse bias. 50 .66? Iz (min) 1.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN .5x10 ? 3 A Rmak ? 5.3 1. LED tidak dapat digunakan sebagai dioda penyearah. Silikon lebih tahan terhadap panas dibandingkan bahan semikonduktor lainnya . 2. 3. Dalam kerjanya dioda zener harus terhubung seri dengan sebuah resistor dengan alasan guna menghindari arus / tegangan lebih. R min ? Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 50? Iz ( mak) 140 x10? 3 A Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 4666.

Tetapkan R L = 1000 ohm 2. Naikkan tegangan U s hingga Iz = 5 mA 3. Tegangan sumber berubah.3 ZENER DIODA SEBAGAI PENSTABIL TEGANGAN SEARAH ? TUJUAN Dapat membuktikan dioda zener sebagai penstabil tegangan ? RANGKAIAN PERCOBAAN S A IZ + U A V RL IT R1 A IL ? ALAT DAN BAHAN R1 = 100 ohm RL = 500 – 3000 ohm (variativ) Z = 1N 4744 / 60 mA atau yang sejenis Us = 0-20 volt dc variable A = mA meter dc V = volt meter dc ? LANGKAH KERJA A. Ukur dan catat hasil pengamatan anda untuk besaran UAB.Elektronika -1 LEMBAR KERJA . IT dan Us 51 . beban tetap B 1.

Ubah RL dari 500 ohm sampai 3000 ohm secara bertahap tanpa mengubah nilai Us. 2. 4. 3.Elektronika -1 4. 5. Atur Iz = 5 mA dengan RL = 500 ohm . Variasi beban R L 1. ? KESELAMATAN & KESEHATAN KERJA 1. Periksakan rangkaian anda pada instruktur sebelum memulai percobaan. B. ukur dan catat penunjukkan meter. Atur Iz sesuai tabel A dan catat setiap penunjukkan alat ukur pada tabel A yang tersedia. Pada setiap perubahan RL tersebut perhatikan penunjukkan alat ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel B yang tersedia. 3. Perhatikan polaritas zener dan alat ukur agar tidak terbalik ! Perhatikan penunjukkan A-meter (Iz) ! Hentikan pengukuran (percobaan) jika Iz menuju nilai maksimal (60 mA) ! Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula ! ? TABEL PENGUKURAN TABEL A UAB RL = 1000 ohm Iz 5 10 15 20 25 30 40 50 60 IL IT US 52 . 2.

Elektronika -1 TABEL B RL 500 1000 1500 2000 2500 3000 Iz IT UAB US ? KOMENTAR DAN KESIMPULAN 53 .

Elektronika -1 KEGIATAN BELAJAR .2 TRANSISTOR BIPOLAR TUJUAN Setelah mempelajari topik ini. maka diharapkan anda dapat : ? Memahami prinsip kerja transistor bipolar ? Mengidentifikasi transistor bipolar ? Menguji transistor bipolar ? Menggunakan transistor bipolar dalam rangkaian elektronik 54 .

Kolektor dan Basis. Susunan fisik lapis transistor Sedangkan gambar rangkaian penggantinya sama dengan dua buah dioda yang dipasang saling bertolak seperti terlihat pada gambar 2.Elektronika -1 1.2. dikatakan bipolar karena terdapat dua pembawa muatan . Sedangkan jenisnya ada dua macam. yaitu Emiter. berikut memperlihatkan beberapa bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar.2.1. yaitu jenis PNP dan NPN yang simbolnya diperlihatkan pada gambar 2.4. Gambar 2. Gambar 2. transistor ini dapat digunakan sebagai saklar elektronis.1. PENDAHULUAN T ransistor adalah piranti elektronik yan g menggantikan fungsi tabung elektron-trioda. yaitu elektron bebas dan hole. Rangkaian pengganti transistor Gambar 2. dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda .3. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N seperti digambarkan pada gambar 2. 55 . namun dikarenakan sifatnya. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier).

Elektronika -1 Gambar 2. maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan n logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink).4.3. 56 . Simbol transistor Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan. namun pada dasarnya karena transistor i i tidak tahan terhadap temperatur. Bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar Gambar 2. kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja.

dimana dalam buku tersebut akan anda peroleh karakteristik fisik dan listrik suatu jenis transistor bahkan dilengkapi dengan transistor ekuivalennya. maka huruf pertama menyatakan bahan dasar transistor tersebut. 4.Elektronika -1 2. PENENTUAN ELEKTRODA TRANSISTOR Spesifikasi transistor yang lengkap dapat anda peroleh dari buku petunjuk transistor. PENGUJIAN TRANSISTOR Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda. A = Germaniun dan B = Silikon. Berikut ini adalah huruf-huruf kedua yang dimaksud : C = transistor frekuensi rendah D = transistor daya untuk frekuensi rendah F = transistor frekuensi tinggi L = transistor daya frekuensi tinggi Contoh penerapan kode ini diantaranya adalah BF 121.5. PENGKODEAN TRANSISTOR Hampir sama dengan pengkodean pada dioda. sedangkan huruf kedua menyatakan penerapannya. BC 108 dan ASY 12. Elektroda transistor 3. 57 . AD 101. maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. Berikut ini adalah gambaran spesifikasi transistor yang banyak digunakan khususnya dalam penentuan elektroda dari transistor tersebut. Gambar 2.

58 . yaitu : a. berikut ini diberikan contoh hasil pengujian transistor ASY 12 dan BC 108 dengan menggunakan ohmmeter. Gambar 3. Salah pemasangan pada rangkaian b. Pemutusan b. Dioda Transistor Guna mempermudah cara pengujian.Elektronika -1 Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. Collector Base PNP Transistor Emitter Gambar 2. Pengujian yang tidak professional Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tig a jenis. Hubung singkat c. Kebocoran Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut. tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. memperlihatkan kembali rangkaian d ioda transistor PNP yang akan dijadikan referensi pengujian transistor.6. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c.6.

Elektronika -1



ASY 12 2,5 M? 50 ? 3 M? 55 ? 200 k? 8 k?

BC 108 ? 15 ? ? 18 ? 5 M? 4 M?

RANGE OHMMETER x 1 k? x 10 ? x 1k? x 10 ? x 1 k? x 1 k?

C– B


E– B




Dari tabel pengujian ternyata terdapat perbedaan besar antara nilai hambatan untuk arah forward dan hambatan untuk arah reverse. Pada pengukuran elektroda C dan B untuk transistor BC 108 (silicon) dengan arah reverse diperoleh nilai hambatan yang besar ( ) dan jika pada pengukuran ini ternyata ? nilai tersebut rendah, maka dapat kita nyatakan adanya kebocoran transistor antara kaki kolektor dan basisnya. Hal lain yang perlu diperhatikan dalam pengujian transistor dengan ohmmeter adalah posisi RANGE ohmmeter tersebut, karena kesalahan range akan menimbulkan kerusakan p ada transistor yang diuji. Cara pengujian lain transistor adalah dengan menggunakan alat elektronik yang dikenal sebagai Transistor Checker. Kondisi transistor dapat juga anda uji ketika transistor tersebut sedang bekerja dalam suatu rangkaian, yaitu den gan mengukur tegangan antara basis dan emitter. Tegangan antara basis dan emitter ini normalnya untuk transistor germanium adalah 0,3 volt sedangkan tegangan basis emitter untuk jenis silicon sekitar 0,6 volt. Jika jauh lebih rendah atau lebih tinggi dari harga tersebut, maka transistor tersebut sedang dalam kondisi tidak normal atau rusak.


Elektronika -1


Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Suhu maksimal sutu transis tor Germanium adalah sekitar 75 o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150 o C. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor, harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan penyaluran panas. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. Selain itu ada juga biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas.


Untuk memberi gambaran bagaimana suatu transistor bekerja, pada gambar 2.7 diperlihatkan operasi dasar sederhana transistor jenis PNP.

Gambar 2.7. Operasi dasar transistor

Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung, sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. 60

Elektronika -1

Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. Jika sekarang kedua potensial secara bersama dipasang seperti gambar 2.8, maka akan tampak kedua aliran mayoritas dan minoritasnya.

Gambar 2.8. Aliran mayoritas dan minoritas

Pada gambar terlihat sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (IB) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis, maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff, maka

I E = IC + IB

Jika besar tegangan antara kolektor dan basis (UCB ) konstan, maka perbandingan perubahan arus kolektor IC dengan perubahan arus emitter IE disebut faktor penguatan basis bersama dan diberi simbol ? (alpha) dan besarnya berkisar dari 0 sampai

0,998. Secara pendekatan rumus alpha ini adalah

? ?


Harga ?

lebih besar dari nol tapi lebih kecil dari satu sehingga sering ditulis sebagai 0< ? < 1 61

Elektronika -1


Transistor adalah piranti aktif, dimana outputnya adalah merupakan hasil perubahan dari inputnya. Dengan membandingkan antara output dengan inputnya, maka akan diperoleh factor penguatan (amplification). Dengan demikian, maka transistor ini dibuat atau dipersiapkan sebagai piranti penguat. Sebagai piranti elektronik, transistor mempunyai tiga elektroda yang tersusun sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai sebuah penguat. Ada tiga system sambungan (konfigurasi) dari penguat transistor, yaitu konfigurasi Basis Bersama (Common Base), Emiter Bersama (Common Emitter) dan Kolektor Bersama (Common Collector).

7.1. Konfigurasi Basis Bersama Rangkaian pada gambar 2.9. memperlihatkan rangkaian konfigurasi Basis Bersama (CB) dengan potensial UEB dan UCB untuk kedua jenis transistor PNP dan NPN. Untuk jenis PNP, emiter positip terhadap basis sedangkan kolektornya negatip. Sedangkan untuk jenis NPN sebaliknya emitter negatip terhadap basis dan kolektornya positip.

Gambar 2.9. Konfigurasi Basis Bersama


Elektronika -1

Karakteristik input atau karakteristik emitter konfigurasi basis bersama diperlihatkan pada gambar 2.10.

Gambar 2.10. Karakteristik input konfigurasi basis bersama (CB)

Dari karakteristik terlihat bahwa dalam mode arus searah, tegangan hantar untuk sambungan basis ke emiter sekitar 0,6 s/d 0,7 volt, ini menandakan berlaku bagi bahan dasar silikon, sedangkan untuk bahan dasar germanium sekitar 0,3 volt.

7.2. Konfigurasi Emiter Bersama

Konfigurasi emitter bersama (CE) sambungannya diperlihatkan pada gambar 2.11. tampak bahwa emitter digandeng bersama baik dengan kolektor maupun basisnya.


Karakteristik output ini melukiskan arus output IC yang merupakan fungsi dari tegangan output U CE untuk harga arus input IB yang bervariasi. Gambar 2. Karakteristik Output Emiter Bersama 64 .12.12.Elektronika -1 Gambar 2.11. Konfigurasi Emiter Bersama (CE) Karakteristik kolektor tipe NPN atau karakteristik outputnya diperlihatkan pada gambar 2.

Konfigurasi ini sering digunakan sebagai penyama-impedansi (matchingimpedance). 65 .3. Gambar 2.Elektronika -1 Perbandingan arus kolektor dengan arus basis dengan tegangan kolektor-emiter konstan disebutkan sebagai faktor penguatan arus maju emiter bersama disimbolkan dengan huruf Yunani ? (betha). Konfigurasi Kolektor Bersama (CC) Karakteristik output konfigurasi CC serupa dengan karakteristik output CE.13. Konfigurasi Kolektor Bersama Konfigurasi kolektor bersama (CC) sambungannya diperlihatkan seperti gambar 2. dimana dengan impedansi input tinggi dan outputnya rendah.13. Hubungan faktor penguatan ? dengan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau 7.

8. PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor. Namun dikarenakan karakteristik listriknya. Gambar 2.14. penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan. maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan signal-signal.Elektronika -1 8. Fisik relative jauh lebih kecil. arus. Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2. RL = 0. dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC . Lebih ekonomis.Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube). dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya.1. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. b. daya. c. dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor. maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik. seperti : a. sehingga tegangan UCE = UCC. 66 . tegangan dan sebagainya..14.

yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2. dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).15. dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0.15.. Rangkaian Kaskade Transistor 8. Gambar 2.2.Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2.16. Regulator Tegangan dengan Transistor 67 .Elektronika -1 Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . R L = UCC . Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade .

maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama. Pada saat terjadi perubahan tegangan ini. 68 . Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB. kar ena UZ tetap konstan sedangkan Ui = U CB + U Z.Elektronika -1 Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban R L.

Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75 o C. Transistor mempunyai tiga buah elektroda. Ada tiga konfigurasi penguat transistor. maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat Sink. Penguatan arus konfigurasi basis bersama (CB) disimbolkan dengan huruf Yunani ? berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol atau dituliskan 0<? <1. 5. 8. 7. 4. lebih kecil dan ekonomis. Penggunaan lainnya adalah sebagai pengatur arus (current regulator) pada penstabil arus searah. 69 . sedangkan silicon sekitar 150 o C 6. Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN 2. Hubungan antara ? dan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau Selain sebagai penguat (amplifier) sering digunakan sebagai saklar elektronis dengan pertimbangan tidak memercikan api saat pengontakan. Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. 9. 11. yaitu konfigurasi basis bersama. yaitu Emiter. Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan. 10. Karena karakteristik listriknya. transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. tegangan. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse). emitter bersama dan kolektor bersama. Penguatan arus konfigurasi emitter bersama (CE) disimbolkan dengan huruf Yunani ? bernilai lebih besar dari satu bahkan puluhan dan ratusan.Elektronika -1 RANGKUMAN – 4 1. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. daya (Amplifier) 3.

Apa yang dimaksud dengan istilah rangkaian kaskade dalam rangkaian transistor ? 5. Sebutkan perbedaan antara transistor PNP dengan transistor NPN ! 2.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN .995 berapakah nilai ? -nya ? 7. Sebutkan kemungkinan kerusakan transistor dan penyebabnya ! 8. Ceriterakan prinsip kerja suatu transistor ! 3.4 1. Apa yang dimaksud dengan 0 < ? < 1 ? 4. Sebutkan keuntungan saklar elektronis dibandingkan dengan saklar mekanik ! 70 . Kenapa dalam penggunaan transistor sering dipasang alat pendingin ? 6. Jika diketahui nilai ? suatu transistor = 0.

Prinsip kerja transistor adalah Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Perbedaan tarnsstor PNP dan NPN selain konstruksinya adalah pada pemberian bias-nya saja.4 1. 2. Jika pemberian biasnya sekarang adalah seperti gambar berikut.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . 71 . maka pada gambar terlih at sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (I B) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C).

misal menggunakan sirip -sirip heat-sink. Yang dimaksud dengan 0<? <1 adalah bahwa nilai ? selalu berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol. 4.Elektronika -1 Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis. maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : 72 . Jika kita gunakan hokum Kirchhoff. Karena transistor tidak tahan terhadap panas. maka diperlukan pendingin bantuan. ? = 199 7. 5. maka I E = IC + IB 2. Rangkaian kaskade adalah rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri. 3.

Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c. Pengujian yang tidak professional 8. a. b. Salah pemasangan pada rangkaian b.Elektronika -1 a. c. Lebih ekonomis. Fisik relative jauh lebih kecil. 73 .

Elektronika -1 LEMBAR KERJA .10 volt Q = transistor BC 108 A1 = ? A meter A2 = mA meter V1 dan V2 = V meter dc Rp = Potensiometer linear minimal 50 ohm R1 = 220 ohm R2 = 100 ohm R3 = 200 ohm 74 .4 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR o TUJUAN Setelah menyelesaikan percobaan ini diharapkan anda : Dapat membuktikan fungsi transistor sebagai saklar elektronik o RANGKAIAN PERCOBAAN o ALAT DAN BAHAN Us = dc Power Suplly regulated 0.

Atur potensiometer sehingga UBE naik secara bertahap dari 0 sampai 1. 2. Pada setiap pengaturan langkag ke 4 di atas. Buat rangkaian seperti gambar 2.9 1.3 0.1 0.8 0. 3.Elektronika -1 o LANGKAH KERJA 1. Hidupkan saklar 3. alat ukur dan kaki transistor Periksakan rangkaian anda ke instruktur Ikuti prosedur dengan benar dan teliti Kembalikan alat dan bahan jika selesai percobaan pada tempat semula o UBE 0 0.4 0.6 0. 4.5 0. Beri kesimpulan dan komentar anda terhadap hasil percobaan tersebut ! o KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1.0 volt 4. perhatikan penunjukkan instrument ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel yang tersedia 5. Buat grafik hubungan antara UBE dengan UCE : UCE = f (UBE) 6.2 0.0 TABEL PENGUKURAN IB UCE IC IC.7 0.R3 75 . Perhatikan pengkutuban sumber daya.

Elektronika -1 o GRAFIK UCE = f (UBE) o KOMENTAR DAN KESIMPULAN 76 .

Ceriterakan pengaruh pemberian bias terhadap PN Dioda baik arah mundur dan maju ! 3. Bagaimana anda mengatasi nilai Peak Inverse Vo ltage (PIV) suatu dioda ? 4. dimana evaluasi ini meliputi evaluasi terhadap Pengetahuan. Untuk apa pendingin transistor dibuat ? 77 . A. Sebutkan beda transistor PNP dengan NPN ! 6. Hitung nilai tahanan shunt (Rs) minimal agar dioda zener tersebut aman bekerja. 5. EVALUASI E valuasi ini bertujuan untuk mengukur kemampuan atau kompetensi anda setelah lengkap mengikuti atau mempelajari semua kegiatan belajar (Kegiatan Belajar 1 sampai 2). Kenapa bahan semikonduktor atau piranti elektronik tidak tahan terhadap kenaikan temperatur ? 2. Sebuah dioda zener dengan ciri Uz = 8 volt. Iz (max) = 50 mA dihubungkan dengan sebuah sumber tegangan searah Us = 12 volt. Khusus untuk menilai sikap dapat dinilai dari perilaku kerja anda dalam pemahaman dan kepatuhan terhadap prosedur kerja yang telah ditentukan termasuk kepedualian anda terhadap Keselamatan dan Kesehatan Kerja. Keterampilan dan Sikap diri anda. EVALUASI PENGETAHUAN 1.Elektronika -1 III.

ELEKTRODA ARAH REVERSE R Germaium R Silikon RANGE OHMMETER C– B FORWARD REVERSE E–B FORWARD REVERSE C– E FORWARD 5. dimana skala tengahnya lebih kecil dari 100 ohm 4. Jangan gunakan range ohm. Perhatikan polaritas dan kaki-kakinya 3. 78 .Elektronika -1 B. Gunakan tabel pengujian di bawah ini. Tentukan sendiri jenis transistornya PNP atau NPN 2. Beri kesimpulan pengujian anda. EVALUASI KETERAMPILAN Untuk evaluasi keterampilan diberikan lembar kerja sebagai berikut : Lakukan pengujian transistor Jenis germanium dan silikon dengan menggunakan multitester (ohmmeter) den gan ketentuan sebagai berikut : 1.

. Bubuhkan tanda thick (? ) pada tabel berikut : No. ? KOMPETEN ? BELUM KOMPETEN Catatan : …………………………………………………………………………………………. 200… Siswa. ……………………… ……………………………….Elektronika -1 LEMBAR PENILAIAN MODUL NAMA SISWA NAMA ASSESOR : ELEKTRONIKA ... : …………………………………. ……………………. 79 . ………………………………………………………………………………………….. Tertulis BELUM KOMPETEN KETERANGAN 2. ………………………………………………………………………………………….1 : …………………………………. ……………………. Praktik HASIL . Assesor. Methoda Penilaian KOMPETEN 1. …………………………………………………………………………………………...

1992. . Jakarta Erawan. NewJersey Morris. Bandung Floyd. Prentice-Hall... Dasar Elektronika 1 dan 2. 1976. AJ. dan Louis Nashelky.Basic Electronics. Prentice Hall. 1974. USA 80 . EIA-Mc. Paul B. Charlkes E. Industrial Solid State Electronics. Welington .al. Noel. Control Engineering. 1981. Prentice-Hall. Bambang.New Zealand Zbar. Toronto-London-Sidney Maloney. 1984. Graw Hill Book Company (UK) Limited. terjemahan Haroen... PPPG Teknologi Bandung. Graw Hill Co. Drs.Timothy. Robert L. Pelajaran Elektronika Jilid 3. Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey Dirksen. London Villanucci et.Merril Publishing Company. Electronic Techniques.J. Thomas L. Electronic Devices.Elektronika -1 DAFTAR PUSTAKA Boylested. 1982. 1979. 1982. Mc. Penerbit Erlangga.

PRASYARAT audio 81 . Skor SIMULASI gambar latihan video 2. PEMBELAJARAN DESKRIPSI MATERI NARASI Berisi tentang penje lasan target pembe lajaran Berisi tentang prasyarat yang diperlukan sebe lum mempelajari mo dul. khususnya tentang penguasaan terhadap peralatan ukur dan respek terhadap kesela matan kerja KET.Elektronika -1 STORY BOARD Judul Modul Pembelajaran Bidang Keahlian Program Keahlian : ELEKTRONIKA . 1.1 : LISTRIK : PEMANFAATAN ENERJI LISTRIK SIMULASI PEMBELAJARAN SESUAI URUTAN TOPIK Simulasi praktek Animasi evaluasi URUTAN No.

5. Selain itu dilengkapi dengan latihan dan lembar praktik. yang berisikan teori atom serta kejadian-kejadian pengutuban bahan semi konduktor . KEGIATAN BELAJAR-1 Berjudul Teori Atom dan Dioda Semikon duktor. apli kasi dalam rangkaian. ? ? ? 82 . PETA MODUL 4. prinsip dioda PN.Elektronika -1 3. khususnya memperlihatkan arah tujuan pencapaian kom petensi atau peranan modul dalam mencapai kompetensi akhir PERISTILAHAN Berisikan terminologiterminologi yang digu nakan dalam ilmu elektronika atau tek nologi pada umumnya. sifat. KEDUDUKAN Peta ini menunjukkan posisi modul yang akan dipelajari.

KEGIATAN BELAJAR-2 7. cara pengu jian. ? ? ? ? 83 . Terdiri atas dua meto da. Selain itu di lengkapi dengan la tihan dan lembar prak tik.fisik. berisikan tentang prinsip kerja transis tor.Elektronika -1 6. EVALUASI AKHIR Berjudul Transistor Bi polar. aplikasi dalam rangkaian. yaitu teoritis dan praktik.


Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis. Jakarta. Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. Dalam penggunaannya. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK. sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat. bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya. Gator Priowirjanto NIP 130675814 . 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur. mudah-mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan. Dr. yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta. guna merealisasikan penyelenggaraan pembelajaran di SMK. Demikian. kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat. Ir.KATA PENGANTAR Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial.

Tujuan Kegiatan ………………………………..……….. ……………………………………… KEGIATAN BELAJAR 1 A.. C.………… B... Tujuan Kegiatan ……………………………….. Tujuan Akhir…………………………………………………. KEGIATAN BELAJAR 2 A. Deskripsi ……………………………………………. Prasyarat ……………………………………………………….Rangkaian Penyearah DAFTAR ISI Halaman i ii iv vi 1 1 1 2 2 3 5 6 6 6 6 6 18 19 19 19 26 27 27 27 KATA PENGANTAR …………………………………………………… DAFTAR ISI ……………………………………………………………. I PENDAHULUAN A.……… Test Formatif 1 ………………………………………. B. C.……… ii .……. KEGIATAN BELAJAR 3 A. PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… PERISTILAHAN ………………………………………………………. PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR. C. Uraian Materi ………………………………….……… Uraian Materi ………………………………….……… Test Formatif 2 ………………………………………. II Cek Kemampuan ……………………………………. B. Tujuan Kegiatan ……………………………….……… D. Standar Kompetensi……………..……. Petunjuk Penggunaan Modul …………………………. Uraian Materi …………………………………... B.…………………………… F.. E.

.. B. Uraian Materi …………………………………. C.……… Test Formatif 4 ……………………………………….……… KEGIATAN BELAJAR 7 A. Tujuan Kegiatan ………………………………. Uraian Materi ………………………………….……… EVALUASI ……………………………………………………….. B. B. Uraian Materi …………………………………. B. Tujuan Kegiatan ………………………………. Uraian Materi ………………………………….……. KUNCI JAWABAN ……………………………………………… DAFTAR PUSTAKA ……………………………………………………. Tujuan Kegiatan ………………………………. 31 31 31 34 35 35 35 43 45 45 45 52 52 52 59 63 67 KEGIATAN BELAJAR 5 A.. KEGIATAN BELAJAR 6 A.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 A.……. III Tujuan Kegiatan ………………………………... LAMPIRAN iii .…….……. C..……… Test Formatif 5 ……………………………………….

707 x harga puncak untuk gelombang penuh b. harga rata.Reg Uz=Vz ZD : : : : : : Tegangan kerut.PERISTILAHAN (GLOSSARY) Forward Bias : Arah maju aliran arus dari anoda ke katoda.318 x harga puncak untuk setengah gelombang Rms : Root mean square. 0.637 x harga puncak untuk gelombang penuh b.rata Regulator / pengatur Tahanan beban Tegangan keluaran –output dari regulator Tegangan Zener dioda Zener dioda . fluktuasi atas dan bawah .. 0. 0.5 x harga puncak untuk setengah gelombang Inverted IB IC IE IL IQ Iz PIV : : : : : : : : Keluaran /output berlawanan polritas dengan masukan/ input Arus basis Arus kolektor Arus Emitor Arus beban Arus diam regulator / quiscent Arus zener dioda Peak Inverse Voltage . RL V. harga efektif gelombang ac a.tegangan balik maksimum saat Dioda arah mundur Ripple Reg. saat anoda lebih positip Reverse Bias Average : : Arah mundur /balik bila katoda lebih positip dari anoda menunjukkan bentuk gelombang harga arus Searah a. 0.

Standar kompetensi diharapkan dapat menjadi panduan bagi peserta pelatihan untuk dapat : ? mengidentfikasikan apa yang harus dikerjakan oleh peserta pelatihan ? mengidentifikasikan apa yang telah dikerjakan peserta pelatihan ? memeriksa kemajuan peserta pelatihan ? meyakinkan bahwa semua elemen dan kriteria unjuk kerja telah dimasukkan dalam pelatihan dan penilaian.Rangkaian Penyearah I. ketrampilan dan sikap kerja yang dibutuhkan dalam suatu pekerjaan . PENDAHULUAN Dalam Sistem Pelatihan Berbasis Kompetensi. PRASYARAT ( KEMAMPUAN AWAL ) Peserta pelatihan / Siswa harus sudah memiliki kemampuan awal materi sebagai berikut: ? Dasar –dasar Teknik Listrik ? Membaca gambar /simbol listrik ? Pengukuran Listrik ? Komponen dan Piranti Elektronik penguasaan 1 . Dalam sistem pelatihan Berbasis Kompetensi. B.Pekerjaan ini mencakup identifikasi komponen Catu Daya dan prosedur bongkar pasang komponen catu daya sesuai standar dan peraturan yang berlaku serta pembuatan laporan pelaksanaan pekerjaan Modul ini bertujuan mempersiapkan seorang pengajar / guru atau teknisi listrik yang kompeten dalam memahami aplikasi rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasa . DESKRIPSI MODUL Modul ini berjudul Rangkaian Penyearah dipersiapkan untuk siswa Sekolah menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pembn\angkitan Level 1 Unit atau modul ini berkaitan dengan pemahaman tentang prosedur pemeliharaan Catu Daya Arus Searah atau DC Power pada stasiun pembangkit. modul atau unit ini menggunakan pendekatan kompetensi yang merupakan salah satu cara untuk menyampaikan atau mengajarkan pengetahuan . A.

alat ukur dan contoh model Catu Daya atau Trainer elektronik dan sumber daya searah maupun bolak bali yang tetap maupun variabel. dimana setiap Kompetensi / Sub. HASIL BELAJAR / TUJUAN AKHIR Setelah tuntas mempelajari modul ini peserta diharapkan mampu : 1. Asosiasi atau industri tempat bekerja. Penilaian unit ini dapat dilakukan oleh Guru/Asesor. Modul ini dapat anda gunakan secara klsikal ataupun individual. Mengindentifikasi simbol-simbol komponen Catu Daya 2. Menganalisis prinsip kerja Rangkaian Penyearah satu fasa . 2.Rangkaian Penyearah C. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan komponen . Menerapkan Fungsi komponen Penyearah dan Regulator pada rangkaian Catu Daya sesuai standar 4. Melakukan pemeliharaan Catu Daya dengan prosedur yang benar 2 . tiga fasa dan regulator 5. PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL 1. 3. Penilaian seharusnya meliputi penilaian kemampuan praktek unjuk kerja dan penilaian pokok-pokok pengetahuan dengan beberapa metode penilaian. Mengindentifikasi komponen-komponen Catu Daya sesuai dengan spesifiksinya 3. Fokus penilaian ini sebaiknya mencakup: ? adanya integrasi antara teori dan praktek ? penekanan pada prosedur disamping hasil D.Kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas-tugas atau Tes yang tedapat dalam modul ini.

Gangguan pada rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasadi analisa dan dijelaskan 5. regulator diidentifikasi dan dijelaskan Penyebab kerusakan komponen dianalisa dan dijelaskan 5..0 Mengidentifikasi komponen utama rangkaian penyearah satu fasa.Menganalisa rangkaian regulator transistor dan IC regulator 3.1 Kriteria Unjuk Kerja Jenis dan spesifikasi kompenen penyearah diidentifikasi dan dijelaskan perisip kerjanya Jenis dan tipe filter yang digunakan di indentifikasi Prinsip kerja Peneyearah satu fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan Prinsip kerja Peneyearah tiga fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan 1.Rangkaian Penyearah E. Menganalisa rangkaian penyearah satu fasa dan tiga fasa 2.1. Gangguan pada rangkaian regulator transistor dan IC regulator dianalisa dijelaskan 3 .tiga fasa dan regulator 1. STANDAR KOMPETENSI Kode Kompetensi Unit Kompetensi : K.tiga fasa dan regulator 4. (1) : Memlihara Rangkaian Penyearah ( Rectifier ) Elemen Kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja Adapun eleme n kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja yang harus dicapai melalui modul ini adalah sebagai berikut Sub Kompetensi / Elemen 1.0 .Menganalisa gangguan rangkaian penyearah satu .0 Mengidentifikasi kerusakan komponen utama rangkaian penyearah satu fasa.0.2 2.2 Funsi rangkaian regulator dijelaskan Suatu fungsi IC regulator tegangan tetap dan tegangan dapat diatur dijelaskan penerapannya.2 Jenis kerusakan kompenen penyearah.1 4.1 3.0. tiga fasa dan regulator 5.HLD.2 30.1 2. 4.

LD (1) 14 Ketrampilan : Sikap : Kode Modul : 4 .Rangkaian Penyearah Pengetahuan : Memahami susunan konstruksi komponen DC power . Menganalisa gangguan rangkaian catu daya ( DC power ) dan m elakukan bongkar pasang komponen / unit peralatan catu daya sesuai dengan prosedur dan rencana kerja pemeliharan Membongkar dan memsang komponen catu daya dilakukan secara cermat berdasarkan prosedur kerja serta mentaati prosedur keselamatan kerja MKH. perinsip kerja rangkaian penyearah pada catu daya dan perlengkapan kerja pemeliharaan DC power.

0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 3.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan 4.Rangkaian Penyearah F.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.2 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.0 Menguasai prosedur pemeliharaan catu daya 4. resistor.1 Melakukan dan pemeliharan perbaikan catu daya sesuai SOP 5 .1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya 1.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1. Check List Kemampuan Kegitan Pembelajaran Elemen PENGUASAAN Kriteria Unjuk Kerja 1.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan Catatan Ya Tidak 2.kapasitor dan induktor dijelaskan 2.

PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR 1 PENYEARAH TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? ? Menghitung tegangan dan arus beban. Sambungan bahan semikonduktor P dan N mendasari suatu piranti elektronik aktif yang disebut sebagai Dioda.1 DIODA SEBAGAI PENYEARAH Dioda semikonduktor Bahan dasar yang banyak digunakan untuk membuat piranti elektronik adalah bahan semikonduktor germanium (Ge) dan silikon (Si). 6 . 1. Simbol dioda diperlihatkan seperti pada gambar 1.Rangkaian Penyearah II. Menghitung tegangan dan arus dioda. Menentukan batas tegangan balik (revers) dioda dalam rangkaian penyearah setebgah gelombang dan gelombang penuh. Membuat hubungan rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.1. Dioda mempunyai elektroda Anoda yang berkutub positif dan elektroda Katoda yang berkutub negatif. yang mana kedua bahan ini mempunyai elektron valensi yang sama.

3 Kurva Hubungan arus dan tegangan bias maju 7 . maka keadaan dioda disebut arah maju (forward-bias) aliran arus dari anoda menuju katoda. Bias Maju Dioda Jika anoda dihubungkan pada polaritas positif batere.Rangkaian Penyearah Gambar 1.2. dan aksinya sama dengan rangkaian tertutup Gambar 1. sedangkan katoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.2 Bias maju-Saklar on I Forward U Gambar 1.1 Simbol Dioda A.

4 Bias mundur –Saklar off Sebagai sifat dioda. 8 . maka keadaan dioda disebut arah mundur (reverse-bias) dan aksinya sama dengan rangkaian terbuka. Gambar 1.Rangkaian Penyearah B. Harga-harga nominal baik arus maupun tegangan tidak boleh dilampaui. nilai tahanan dioda relatif sangat besar dan dioda ini tidak dapat menghantarkan arus.4. karena akan mengakibatkan rusaknya dioda. Gambar 1. sedangkan anoda pada polaritas negatif seperti gambar 1. Bias Mundur Dioda Jika katoda dihubungkan pada polaritas positif batere.5 memperlihatkan kurva pada saat reverse . -U Reverse -I Gambar 1.5 Kurva Hubungan arus dan tegangan b ias maju Secara umum dioda digunakan sebagai penyearah (rctifier) arus/tegangan arus bolak balik (AC) satu fasa atau tiga fasa kedalam bentuk gelombang arus searah (DC). pada saat reverse.

merupakan rangkaian untuk memproses fluktuasi penyearahan yang menghasilkan keluaran tegangan DC yang lebih rata. peralatan komunikasi dan sebagainya. yaitu : ? ? ? ? Tranformasi tegangan yang diperlukan untuk menurunkan tegangan yang diinginkan. adalah parameter yang sangat penting pada catu daya dan regulator tegangan dengan bahan bervariasi. 1. rangkaian ini untuk mengubah tingkat tegangan arus bolak balik ke arus searah.6 Us + Time Us Diode RL - common Gambar 1. Catu daya arus searah (DC) dapat dipeloreh dari batere atau dari sumber daya listrik 220/240 Volt Ac 50 Hz yang dirubah menjadi arus searah melalui rangkaian penyearah (rectifier). Pada sistem rangkaian penyearah ada 4 fungsi dasar yang dibahas.6 Rangkaian Penyearah setengah gelombang 9 . Regulasi. misalnya pesawat amplifier.2. Rangkaian penyearah . Filter.2 PENYEARAH (RECTIFIER) Tegangan arus searah biasanya dibutuhkan untuk mengoperasikan peralatan elektronik. peralatan kontrol elektronik.Rangkaian Penyearah Pada dasarnya penyearahan ini ada dua macam yaitu : ? ? Penyearah setengah gelombang (half wave rectifier) Penyearah gelombang penuh (full wave rectifier) 1.1 PENYEARAH SETENGAH GELOMBANG Contoh sederhana rangkaian penyearah setengah gelombang diperlihatkan seperti gambar 1.

kita dapat menghitung dari luas kurva seperti pada gambar 1.7 memperlihatkan bentuk gelombang proses penyearahan setengah gelombang. dioda bersifat menghambat (reverse bised) nilai tahanan dioda sangat tinggi dan dioda tidak menghantar. tegangan keluaran (UL) hampir sama dengan sumber Us Drop tegangan pada dioda lebih kurang 700mV. Gambar 1. Gambar 1.Rangkaian Penyearah Jika dioda dalam kondisi menghantar (conduct) pada setengah perioda positif.8 Gambar 1. dioda tersebut pada keadaaan forward biased sehingga arus mengalir dan melewati tahanan beban R L. Secara praktis.8 kurva harga rata-rata 10 . Pada saat setengah perioda negatif.7 Bentuk Gelombang Output Penyearah Setengah Gelombang Untuk menghitung besarnya harga rata-rata dari signal yang disearahkan.

8 V 0 Time Gambar 1.414 x Ueff disipasi daya pada beban dapat dihitung dari harga RMS tegangan dan arus pada beban.5 x harga puncak (Um) (Udc) harga rata-rata = 1/? x Um = 0. Tentukan tegangan rata-rata (Udc) yang melalui beban pada gambar 1.318 x Um tegangan maximum Um = 1. bila : Ueff = 20 volt Drop tegangan dioda 0.8 volt. Contoh soal 1.9 11 . U Us Us U dioda = 0. Daya = Um x Im Um Im = -----RL Udc Idc = -----RL ? Arus yang melalui rangkaian seri adalah sama.Rangkaian Penyearah ? Tegangan AC selalu diasumsikan harga RMS (Urms ) harga efektif RMS = 0. Hal yang perlu diperhatikan dalam penyearahan ini adalah besarnya tegangan balik maksimum (PIV) dari dioda yang digunakan minimal harus sama besarnya dengan tegangan maksimum AC yang akan disearahkan.9 dibawah ini.

48 = 8.8 = 27.74 V 1.414 x Ueff = 1.2 PENYEARAH GELOMBANG PENUH Rangkaian penyearah gelombang penuh dapat diperoleh dengan dua cara.8) volt = 28.48 V Udc = 0. Cara pertama memerlukan transformator sadapan pusat (Centre Tap-CT). Cara yang lain untuk mendapatkan keluaran (output) gelombang penuh adalah dengan menggunakan empat dioda disebut penyearah jembatan (rectifier bridge).10 dan 1. 318 x Um = 0.28 V Um (beban) = (Um – 0. 318 x 27.10 Penyearah dengan Trafo CT 12 .28 – 0.Rangkaian Penyearah Penyelesaian : Um = 1.414 x 20 volt = 28.11 D1 A R L D2 B Gambar 1. Rangkaian Penyearah Centre tap Penyearah gelombang penuh dengan menggunakan transformator sadapan pusat ( Center Tap ) diperlihatkan seperti gambar 1.2. A.

Bentuk gelombang input dan output ditunjukkan seperti terlihat pada gambar 1.11 Gambar 1. Pada saat A berpolaritas negatif . pada saat ini D2 menghantar sedangkan D1 tidak menghantar .707 x Um Udc = 0. sedang B berpolaritas positif. Pada saat ini D1 menghantar (conduct) sedangkan D2 tidak menghantar (reverse biased).Rangkaian Penyearah Bila U1 dan U2 mempunyai polaritas.11 Bentuk gelombang Penyearah gelombang penuh Harga tegangan dapat dihitung : Ueff = 0. ujung A berpolaritas positif dan ujung B berpolaritas negatif.636 x Um Harga arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : Um Im = --------RL Udc Idc = ---------RL 13 .

Dari gambar 1.6 volt c) Harga arus maksimum d) Harga arus rata-rata D1 220 v 50 v 50v 40O D2 Gambar 1.12 tentukan : a) Harga tegangan maksimum lilitan sekunder trafo b) Harga tegangan maksimum pada beban bila drop tegangan dioda 0.Rangkaian Penyearah Soal latihan : 1.12 2. dari gambar 1.12 diatas bila D1 menghantar hitung harga tegangan : a) Tegangan maksimum pada katoda D 1 b) Tegamgam maksimum pada anoda D2 c) Tegangan antara anoda dan katoda pada D1 d) Tegangan antara anoda dan katoda pada D2 14 .

13 Rangkaian penyearah sistem jembatan Pada saat terminal A positif dan terminal B negatif . Pada saat terminal A negatif dan B positip . Penyearah Gelombang Penuh Sistem Jembatan Rangkaian penyearah ini memerlukan empat buah dioda yang dipasang dengan konfigurasi jembatan seperti terlihat pada gambar 1. dioda yang menghantar adalah D4 dan D 1. sedang D2 dan D 3 tidak menghantar.13 a) A b) Bridge rectifier + D1 D2 _ B D3 D4 + RL 120 ? - Gambar 1.Rangkaian Penyearah B. 15 . dioda-dioda D2 dan D3 berada dalam kondisi menghantar seadangkan D4 dan D 1 tidak menghantar. Tegangan rata-rata (Udc) sama dengan sistem penyearah dengan menggunakan trafo CT. Dengan demikian setiap setengah perioda tegangan bolak balik ada dua dioda yang menghantar (conduct) secara bersamaan dan dua buah dioda lainnya tidak menghantar sehingga menghasilkan bentuk gelombang penuh.

Im dan Idc Us 15 V RL 200O Gambar 1.14. Um tegangan sekunder trafo b.Rangkaian Penyearah Bentuk gelombang keluaran (output) terlihat seperti gambar 1. ? Kelebihan sistem jembatan terhadap sistem trafo CT adalah adanya dioda yang tersambung seri sehingga masing-masing dioda dapat menahan tegangan balik maksimumnya. Um pada beban jika drop tegangan dioda 0. Udc pada beban d.15 Hububungan Beban Pada Penyearah Gelombang Penuh 16 .15 tentukan : a. Contoh soal Dari gambar 1.7 volt c.

81 volt c.81 = ----------200 = 99. Im = -------RL 19.211 volt b.414 x Us = 1. Tegangan rata-rata : Udc = 0.Rangkaian Penyearah Penyelesaian : a.414 x 15 = 21.637 x Um (beban) = 0.21 – (2 x x0. Um pada beban RL Um (beban) = 21.81 = 12.56 = -----------200 = 63.64 volt Um d.1 mA Udc Idc = ------RL 12.7) = 19.637 x 19. Um pada sekunder Um = 1.2 mA 17 .

b. Tegangan rata-rata keluaran ( output ) Arus melalui beban Tegangan balik puncak dioda ( PIV ) Coba jelaskan dari pengalaman anda gangguan-gangguan yang terjadi pada : a. Hitung tegangan rata-rata pada beban dan arus maksimum yang melalui setiap dioda b.Rangkaian Penyearah Review Test 1 Soal 1.5 D1 D2 Us 40 v D3 0V D4 RL 18 O gambar 1. D 1 7. Soal 3. b. Soal 2. Tentukan besar PIV untuk dioda.16 Soal 1.17 Hitung : a. Dari rangkaian penyearah gelombang penuh seperti terlihat pada gambar 1.17 8. c.5 V D 2 120 ? gambar 1.16 a. Dari gambar 1.5 V U0 RL 7. dioda transformator 18 .

sistem penyearah menghasilkan arus gelombang searah masih terdapat pulsa gelombang bolak balik Secara umum peralatan elektronik membutuhkan sumber arus searah (DC) yang halus atau lebih rata. PERATA DENGAN KAPASITOR Pada rangkaian penyearah yang dibahas pada kegiatan belajar 2 .1 Rectifier Filter Beban (Load) T C R Gambar 2.1 Rangkaian penyearah dengan Filter 19 . Effek tegangan rata-rata dan tegangan kerut pada perubahan arus beban. Guna menghilangkan sisa gelombang bolak balik tersebut sering digunakan kondensator elektrolit sebagai tapis perata (Filter) seperti pada gambar 2.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 2 FILTER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat menerapkan : Nilai kapasitor untuk perubahan tegangan rata-rata dan tegangan kerut.

(2 x IN4004) Ac supla y D1 470?F RL D2 0v Gambar 2.3 bentuk gelombang perataan dengan kapasitor 20 .Rangkaian Penyearah 2. Nilai kapasitor yang lebih besar akan menyimpan muatan pada saat pengisian.1.2 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dilengkapi filter kapasitor . Kecepatan pengosongan muatan kapasitor tergantung dari besarnya konstanta waku ? = RL x C Gambar 2.2 Rangkaian Penyearah gelombang penuh dengan filter kapasitor Gambar 2. Filter Kapasitip Penambahan nilai kapasitor yang dipararel dengan beban akan memberikan efek peralatan pulsa DC yang lebih halus.

x --------Udc 1 Dimana : Ur (rms) Udc %r ? = harga tegangan kerut yang terukur oleh volt meter AC.2 Faktor Kerut (Ripple) Keluaran dari penyearah terdiri dari tegangan searah dan tegangan bolak balik atau ripple.3 diatas. = harga tegangan keluaran DC yang terukur oleh volt meter DC. = persentase dari tegangan kerut. Tegangan berubah yang terjadi tersebut disebut tegangan kerut (ripple voltage) hasil dari transient kapasitor.(Ingat ? = R. Sebelum tegangan kapasitor turun banyak. 21 . 2. pada saat T1 kapasitor terjadi pengisian muatan kapasitor mendekati harga tegangan puncak Um (maksimum) jika tegangan pulsa turun lebih rendah dari Um maka kapasitor akan mengosongkan muatannya.C). Ur ? .Rangkaian Penyearah Perhatikan gambar 2. I . tegangan pada kapasitor keburu naik lagi. Faktor kerut didefinisikan : Harga efektif komponen signal AC r = ---------------------------------------------Harga rata-rata signal DC Ur (rms) r = ------------Udc Ur(rms) 100 atau % ripple = -------------. RL Tegangan kerut adalah berbanding langsung terhadap arus beban (RL). hal ini disebabkan karena kapasitor memerlukan waktu mengosongkan muatannya. Dengan adanya kapasitor (C) tegangan keluaran tidak segera turun walaupun tegangan masuk sudah turun.

Rangkaian Penyearah Gambar 2.4 mempelihatkan bentuk gelombang dengan menggunakan filter dan tanpa filter untuk penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh. Gambar 2.4 bentuk gelombang kerut 22 .

3 Filter CR Gambar 2. Uo = -------------.Rangkaian Penyearah 2.= Uin (rms) R2 + Xc2 23 .5 Penyearah dengan filter RC Tegangan keluaran (output) DC ditentukan oleh R dan R L sebagai pembagi tegangan.5 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dengan perata kapasitor dan resistor ( C R ) dc R C1 C2 RL Gambar 2. RL DC.x Uin (DC) R + RL 1 Xc = -------2? fC Xc tegangan kerut AC = ---------------.

Xc2 harus lebih rendah dari R.6 Penyearah dengan filter LC Gambar 2. R harus lebih rendah dari RL hal ini untuk memelihara level output DC.4 Filter LC Pada gambar 2.Rangkaian Penyearah ? Secara umum.6 diperlihatkan diagram rangkaian tipe perata dengan L dan C. Gambar 2.6 rangkaian filter LC Induktor atau choke menentang perubahan arus dan energi disimpan pada induktor dalam bentuk medan magnet . Dari rangkaian dapat dihitung beberapa besaran yaitu : ? XL = 2?fL 1 Xc = -------2? fC impedansi dari rangkaian perata adalah : Z = XL ? Xc U dan besarnya I = -----Z ? 24 . 2. hal ini untuk mengurangi level kerut AC pada output dan Xc2 harus seperlima dari harga RL.

Regulasi Tegangan Perubahan besarnya tegangan output.Rangkaian Penyearah Tegangan kerut melalui kapasitor C adalah: Uc (rms) = I x Xc 2. dari suatu tegangan arus searah tanpa beban ke keadaan berbeban penuh disebut sebagai regulasi tegangan. Pastikan dioda yang digunakan mempunyai tegangan jatuh yang rendah. Pastikan tahanan kedua transformator dan filter choke rendah (minimum). Penyearah yang sederhana dan rangkaian perata (filter) nya kurang baik regulasinya dapat diperbaiki dengan cara : 1. tegangan outputnya jatuh menjadi 80 volt. 3. maka regulasi tegangan dapat dihitung sebagai berikut : (100 – 80) % VR = -------------. Jika persentase regulasinya rendah maka dapat dikatan bahwa penyearah tersebut mempunyai regulasi yang baik.x 100 UFL Keterangan : VR = regulasi tegangan (%) UNL = tegangan tanpa beban UFL = tegangan beban penuh Sebagai contoh. Gunakan LC filter jika arusnya tinggi. Gunakan penyearahan gelombang penuh. 4. Arus beban penuh mengalir bila beban dihubungkan. UNL .UFL % VR = --------------.5.x 100 80 = 25% Catatan. 2. catu daya tanpa beban dengan dengan tegangan output 100 volt. 25 .

Arus yang mengalir c. output rata-rata b.Efek apa yang terjadi pada : a. Bila pada rangkaian filter menggunakan kapasitor dan nilai kapasitornya dirubah menjadi lebih besar. arus dioda soal 3. Apa tujuan pemasangan filter pada penyearah ? Soal 2.Rangkaian Penyearah Review Test 2 Soal 1. Tegangan kerut yang melalui kapasitor C. L =5 H dan C = 100? F. XL b. 1. gambarkan diagram rangkaiannya? 2. 26 . hitunglah : a. Tegangan kerut = 12 V (rms) dengan frekuensi 100Hz. Suatu rangkaian penyearah gelombang penuh menggunakan filter LC dan beban RL.

3. arus dan disipasi daya dari komponen zener regulator.1 dan gambar 3.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 3 REGULATOR ZENER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? Menghitung tegangan.2 Dioda Zener Sebagai PengaturTegangan Penyebab ke tidakstabilan suatu sumber tegangan. Koefisien suhu minimum terjadi pada zener 6 V untuk arus 40 mA 3.2 27 .4 V sampai200 V dengan disipasi daya dari ¼ W sampai 50 W. Tujuannya agar tegangan searah yang dihasilkan yaitu tegangan keluarannya (output) tidak berubah jika dibebani dalam batas-batas tertentu. Rangkaian sederhana Zener regulator ditunjukkan seperti gambar 3. biasanya terjadi akibat adanya fluktuasi tegangan pada jala-jala input dan variasi beban yang berubah-ubah. Dioda zener dibuat dengan potensial pada nilai tertentu antara 2. Dioda zener dengan tegangan zener diatas 6 V mempunyai koefisien suhu positif dan dibawah 6 V mempunyai kosfisien suhu negatif.1 Dioda Zener Dioda zener adalah dioda silikon (si) yang khusus dibuat sebagai penstabil tegangan pada catu daya DC.

1 memperlihatkan rangkaian regulator dioda zener yang sederhana. sehingga tegangan 28 . Dengan membuat tegangan masukan ( input ) lebih besar dari tegangan zener maka dioda zener bekerja pada daerah tegangan balik (VIP).1 rankaian regulator sederhana T D1 Rs RL Zd Unregulated power Suplly Zener dioda regulated load Gambar 3.2 Rangkaian regulator zener Dari diagaram rangkaian diatas dapat dihitung besarnya arus dan tegangan yang terjadi pada rangkaian.Rangkaian Penyearah Gambar 3. Gambar 3.

IL untuk tegangan kerja zener 12 volt. 29 . walaupun arus beban (I L) berubah-ubah . Dari analisa diatas. URL = Uz Arus maksimum yang melalui Rs adalah Is atau Imaks = IZ + IL Iz = Imaks .Uz Tegangan pada beban RL adalah sama dengan tegangan zener.Uz Rs = ----------Imaks Disipasi daya ( Pd ) pada resistor Rs adalah : Pd = URS x Imaks = (Imaks )2 x Rs Dari perinsip kerja rangkaian diatas dapat disimpulkan bahwa : apabila IL turun akibat kenaikan beban RLdan karena Imaks tetap .Uz atau Ui .Rangkaian Penyearah keluaran (output) tetap untuk berbagai nilai arus beban selama tegangan pada zener tidak kurang dari 12 V Tegangan pada Rs adalah : URS = Ui . Imaks x Rs harus sama dengan Ui . tegangan pada beban akan tetap stabil dan yang selalu berubah adalah arus pada zener dioda ( Iz ) yang mengikuti perubahan arus beban. akhirnya Iz akan naik sehinga harga Uz akan selalu tetap.

Uo Uin .12 Rs = ---------70 x 10 – 3 = 114 O Disipasi daya pada Rs adalah 0.Uo Rs = --------------Imaks 20 .07 2 x 114 = 559 miliwatt 30 .Rangkaian Penyearah Contoh Soal Dari rangkaian gambar 3.1 diketahui : Tegangan zener Tegangan input Arus Zener Arus beban = 12 volt = 20 volt = 10 mA = 60 mA Ditanya berapa harga Rs dan Disipasi daya pada hambatan Rs Penyelesaian: Arus maksimum yang melalui Rs adalah Iz + IL = 60 +10 mA = 70 mA Drop tegangan akan terjadi pada Rs adalah sama dengan Uin .

Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 REGULATOR TRANSISTOR SERI TUJUAN : ? ? ? Menyebutkan alasan penggunaan regulator transistor seri. 31 .1 arus beban lewat melalui transistor dari kolektor ke emitor. Resistor Rs memberikan arus basis (IB) Q1 dan arus ke dioda zener (!Z ).1 Regulator Seri Rangkaian regulator seri menggunakan transistor bipolar seperti pada gambar 4. 4. Menghitung arus dan tegangan rangkaian regulator seri. Rangkaian ini memberikan kerja yang lebih efisien dan arus beban yang lebih besar. Menerapkan operasi regulator secara genar. Q1 UCE C RS US B E IL IZ UR L Gambar 4.1 Rangkaian regulator seri Rs dan zener dalam rangkaian ini adalah bentuk yang sederhana dari regulator zener yang mempertahankan tegangan konstan pada basis transsistor Q1.

Besarnya tegangan output didapat dari persamaan : UCE = Uin .Uo U0 = UZ + UBE Karena besarnya UBE relatif kecil. kemudian akan terjadi drop tegangan pada transistor . Rangkaian lainnya adalah transistor sebagai regulator arus seperti pada gambar rangkaian 4. menjadi kurang positip. Jadi jika tegangan input naik .. kemudian U Arus beban melalui R CE Be naik . tegangan output akan naikn juga. 32 .tegangan output akan naik terhadap tegangan awal. dan tegangan output kembali keharga semula . . Perinsip kerja rangkaian adalah sebagai berikut : Jika tahanan beban dari rangkaian turun . tegangan output akan jatuh .2 Regulator Arus Rangkaian ini dirancang untuk mempertahankan harga arus yang melewati beban ketika terjadi perubahan beban pada tegangan tetap. dengan adanya zener dioda maka tegangan out put dapat dipr\ertahankan stabil.Rangkaian Penyearah Transistor tersebut akan berpungsi sebagai pengatur tegangan (voltage regulator). Bila arus beban naik . Ini artinya tegangan Emitor ( VE) dari transistor dikurangi . Hal ini akan mengurangi U BE dan UCE akan naik sehingga tegangan output kembali normal.2 Gambar 4. maka U0 = UZ dan selalu konstan.

IB IE = IC + IB Keterangan : ? ? ? ? IE = arus emitor IC= arus kolektor IB = arus basis IL = arus beban Penurunan arus beban IL = IC akan mengakibatkan penurunan arus emitor dan akan mengurangi drop tegangan pada R 1 (UR 1 = IE x R1). Regulasi arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : INL . 33 . Efek terhadap bias Q1 adalah : UBE = UZ – UR 1 Karena harga UZ selalu konstan.IFL Regulasi arus = ------------.Rangkaian Penyearah Dari rangkaian didapat persamaan : Uz IE = --------R1 IL = IC = IE .x 100% IFL Dimana : INL = arus tanpa beban. IFL = arus beban penuh. maka penurunan pada UR 1 akan mengakibatkan kenaikan pada UBE transistor dan sekaligus menaikkan konduktifitas dari transsistor sehingga arus beban IL dapat dipertahankan pada harga yang tetap.

Efisiensi rangkaian b.Rangkaian Penyearah Review Test 3 Soal 1. berapa persen regulasi yang terjadi ? 34 . Rangkaian regulator seri ( lihat gambar 4. tegangan pada beban R L b. tegangan pada resistor seri Rs c. Zd dan R L Soal 2 . Daya pada Zener c.1 ) mempunyai tegangan input 15 volt.5 voltdan arus zener 100 mA.2 v 0 gambar 3.5 A tanpa beban ke beban penuh menjadi 1. Disipasi daya transistor Soal 3 Apakah fungsi regulator arus konstan ?Jika perubaha arus dari 1. tegangan Zener 12. Perhatikan gambar rangkaian dibawah ini : +12 v 330 ? Rs RL Vz = 8.3 Rangkaian zener Ik Hitung berapa besarnya : a. Jika arus beban 1 amper. arus dioda zener e.2 A . hitunglah : a. arus maksimum d. disipasi daya pada Rs .

1 IC Regulator Tiga Terminal. ukuran kecil 2. 3. Mempunyai tegangan output yang sangat konstan 5. Mengukur arus dan tegangan dan menentukan rangkaian regulator bekerja dengan benar. Membutuhkan penambahan komponen luar yang sangat sedikit.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 5 REGULATOR TEGANGAN TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? Membaca parameter esensial regulator tiga terminal dari lembaran data. Menghitung tegangan output dari rangkaian regulator. Mempunyai proteksi terhadap arus hubung singkat. 7. Mempunyai ripple output yang sangat kecil. Regulator tiga terminal adalah “ Integrated Voltage Regulator Circuit “ yang dirancang untuk mempertahankan tegangan outputnya tetap dan mudah untuk dirangkai. Mempunyai automatic thermal shutdown. Keuntungannya adalah : 1. 5. Pembiyaan rendah 35 . Mempunyai arus rendah 6. 4.

Rangkaian Penyearah

Gambar 5.1 memperlihatkan contoh IC regulator Tegangan Positif tiga terminal MC 7805.

Gambar 5.1 bentuk IC regulator dan simbol rangakain

Seri LM 78XX adalah regulator dengan tiga terminal, dapat diperoleh dengan berbagai tegangan tetap Beberapa IC regulator mempunyai kode yang dibuat oleh pabrik pembuat komponen , sebagai contoh : IC LM.7805 AC Z yang artinya sebagai berikut: LM 78L 06 AC Z Linear Monolithic Bagian nomor dasar yang menyatakan tegangan positip Tegangan output Standart ketepatan Tipe pembungkus , ZTO-92 Plastic

Seri LM 78XXC dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 alamunium , arus keluaran (output) 1A ,boleh lebih asalkan IC regulator dilengkapi dengan pendingin (heatsink). Regulator LM 78XXC mudah dipakai dan tambahan komponen-komponen ektern tidak banyak . Sifat-sifat IC regulator LM 78XX adalah sebagai berikut : ? ? ? ? ? Arus keluaran melebihi 1A Pengamanan pembebanan lebih termik Tidak diperlukan komponen tambahan Ada pengamanan untuk transistor keluaran ( output ) Dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 aluminium


Rangkaian Penyearah

Karakteritik Elektrik Tipe Regulator Tegangan I out ( A ) Tipe 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 ? U out ( V) 78XX C 5 6 8 10 12 15 18 24 1 1 1 1 1 1 1 1 78 LXX 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 78 MXX 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Uin ( V ) 7,5 8,6 10,6 12,7 14,8 18 21 27,3 20 21 23 25 27 30 33 38

Sumber National Semiconductor , IC linier

Contoh rangkaian lengkap catu daya menggunakan regulator tiga terminal IC 7805 untuk tegangan output 5 volt konstan ditunjukkan pada gambar 5.2

Gambar 5.2 rangkaian catu daya dengan IC regulator

Arus maksimum regulator IC yang dikirim ke beban tergantung pada tiga faktor, yaitu: 1. Temperatur. 2. Perbedaan antara tegangan input dan output atau disebut diferensial input output. 3. Arus beban. 37

Rangkaian Penyearah

Uraian lengkap mengenai parameter IC regulator dapat dilihat dari data sheet yang dibuat oleh pabrikpembuat komponen . Contoh IC 7805 C mempunyai output nominal 5 volt. Dari data sheet Motorolla didapat temperatur juntion 250 C (Tj + 250 C) ,tegangan output antara low 4,8 volt atau high 5,2 volt ; arus output > 100 mA.

5.2 Regulator Positip Sebagai Sumber Arus.
Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 , LM 317 Pada gambar 5.3 diperlihatkan rangkaian IC Positip regulator yang digunakan sebagai sumber arus. U in LM 317 +12 v R1 IQ R2 0v
gambar 5.3 regulator tegangan tetap

I out

U out

Dari rangkaian diatas, tegangan output dihasilkan dari penjumlahan UR1 dan UR2 Tegangan output , U0 = UR 1 + UR2 Dimana tegangan UR1 adalah tegangan output IC regulator 7805 yaitu sebesar 5 volt. UR1 IR1 = -------R1 IR2 = IR1 + IQ


Rangkaian Penyearah

Tegangan pada R 2 adalah : UR2 = IR2 x R2 Pada gambar 5.4 diperlihatkan rangkaian tegangan output yang diukur dari pembebanan ( R load )

U in LM 317

I out

R1 IQ IL 0v
U out


Gambar 5.4 Regulator arus

U Reg IL = -----------R


Teganga output adalah U out = IL x R Load Dimana IQ adalah arus pada regulator ,dan U

batas tegangan regulator

5.3 Regulator Tegangan Yang dapat Diatur
Konsep baru dalam rangkaian regulator yang tegangan outputnya dapat diatur adalah regulator daya. Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 .


Rangkaian Penyearah

Regulator LM 317 dapat memberika arus keluaran ( output ) lebih dari 1,5 amper dengan tegangan antara 1,2 volt sampai 37 volt. dan IC LM 350 mampu memberikan arus 3A dan jangkauan tegangan output 1,2 V sampai 33 V.

Gambar 5.7 memberikan dasar rangkaian regulator yang dapat diatur tegangan outputnya.

V in



1,25 v

RL R2 U R2 0v


Gambar 5.7 regulator teganagan output dapat diatur

U Reg Arus regulator adalah I Reg = ------R1 Tegangan output diperoleh dari rumus: U out = U Reg Atau R2 U out = U Reg + ( ----- + 1 ) + IQ R 2 R1 U Rreg + ( -------- + IQ ) R 2 R1


6 memperlihatkan regulator negatif tiga terminal outputnya dapat diatur 79XX Gambare 5.5 A Tegangan keluaran stelan pendahuluan 4% Untuk seri LM79LXX AC . LM 79LXX adalah regulator tegangan negatif 3 terminal . Seri LM 79XXC .piranti ini telah dirancang untuk mengeluarkan tegangan tetap dan dapat diperoleh dalam kemsan TO-92 dengan 3 kawat.Rangkaian Penyearah 5.4 Regulator Tegangan Negatif Pada rangkaian operational amplifier dan microprocessor dibutuhkan catu daya yang membutuhkan dua polaritas sumbertegangan. Sifat-sifat regulatorLM79XXC adalah sebagai berikut: ? ? ? ? Mempunyai pengaman daerah. misal +5V dan -5V. Seri LM 79XXC dikemas dalam kemasan daya TO-200 dan mampu mengeluarkan arus 1.1 µ A Mudah distel untuk tegangan keluaran tinggi Penyimpangan tegangan keluaran stelan ± 5 % yang tegangan Gamnar 5. Sifat-sifat regulator ini adalah sebagai berikut : ? ? ? ? Arus keluaran 100mA Mudah dikompensasi dengan kodensator kapasitas kecil 0.5 amper .hubung singkat dan termik Penindasan kerut ( ripple ) tinggi Arus keluara 1.6 regulator negatif 41 .

LM 320 T –15 . Jenis rangkaian kombinasi regulator positip dan negatip adalah sebagai berikut : 1. LM 320 T-12 .7 menggunakan LM 340 positif regulator yang dihubung dengan negatif regulator LM 320.7 dasar catu daya dua tegangan 42 . 200mA LM 342H-15 . LM 320-15 . Contoh diagram rangkaian pada gambar 5. 1A LM 340 T. Suplai ? 15 volt . Suplai ? 12 volt . D1 dan D2 adalah dioda proteksi bekerjanya regulator pada common load dan akan membatasi arus hubung singkat regulator. (D1 D2 IN 4720 ) 3.5 Catu daya Dua Polaritas. 1 A LM 340 T-12 .Rangkaian Penyearah 5. (D1 D2 IN 4720 ) 2. Suplai ? 15 volt . (D1 D2 IN 4001 ) Gambar 5.

dari rangkaian regulator tegangan gambar dibawah ini . Soal 1 7805 R1 IQ Us = 20 v R2 180? = 50 mA 100? U0 gambar 5.2 v Gambar 5.Rangkaian Penyearah Review Test 4 Hitung berapa tegangan output yang dihasilkan.2 7812 1k Us = 20 v RL Uz = 8.5 43 .4 Soal .

Berapa tegangan output bila Rp diset pada nol ohm tersebut? c. bila IQ = 50 µ A a. Bila Rp diset ke maksimum 2 kilo ohm.25 v +20 v R2 Rp 2k URp 0v Gambar 5.Rangkaian Penyearah Soal 3 V in LM317 IQ =50 µA R1 220? 1.7 diatas coba anda analisa prinsip kerjanya dan jawablah pertanyaan dibawah ini. Berapa tegangan pada Rp bila harga Rp diset pada nol ohm? b.. hitung tegangan output rangkaian catu daya. 44 .7 regulator teganagan menggunakan LM 317 Dari gambar 5.

1 memperlihatkan penyearahan tiga fasa setengah gelombang yang tidak menggunakan transformator. B dan C sebagai sumber tegangan tiga fasa memberikan tegangan ke anoda dari dioda-dioda D1. Fasa A.dan D3 dan titik netral dari sumber yang dihubungkan bintang. D2. elektroplating . 45 . Bagian beban dihubungkan antara katoda dari dioda D1. 6.1. karena penyearah tiga fasa ini menghasilkan daya yang cukup besar serta banyak dipakai antara lain pada pengisian batere atau accumulator. dalam hal ini sangat tergantung pada keperluan yang dibutuhkan..D2. Penyearah tiga fasa dengan filter mengahasilkan output DC yang lebih rata.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 6 PENYEARAH TIGA FASA PENDAHULUAN Penyearah tiga fasa banyak dipakai .. AVR alternator dan sebagainya. dan D 3. enam atau dua belas komponen penyearah dioda atau SCR. karena pulsa yang terbentuk lebih berdekatan satu sama lainnya serta lebih rendah setengah dari tegangan puncak outputnya. Penyearah Setengah Gelombang 3 Fasa. Gambar 6. Pada rangkaian penyearah tiga fasa dapat dipasang sebanyak tiga. Penyearah tiga fasa lebih efisien serta menghasilkan daya output yang konstan sehingga dapat dipakai pada sistem yang lebih komplek dengan beban yang tetap.

1 a. dengan tegangan positif ini akan menyebagkan tegangan yang lebih positif terhadap katoda dari dua titik yang lain.b bentuk gelmbang tegangan input / output Dengan adanya perioda tegangan positif akan membuat dioda menjadi menghantar.Rangkaian Penyearah Gambar 6. akibatnya kedua dioda saja yang menghantar pada perioda ini. kemudaian dari sudut 300 sampai 1500 dari fasa A (VA ) mempunyai tegangan yang lebih positif yang membuat dioda D1 dipicu kearah maju sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R. 1.diagram rangkaian penyearah 3 fasa Gambar 6. Pada sudut 150 0 VB menjadi lebih positif dan dioda D2 akan 46 . dari fasa C (VC) mempunyai tegangan yang lebih positif dan ini akan memberi bias maju pada dioda D3 serta akan menghasilkan tegangan pada beban R yaitu sebesar U0. Dari kurva bentuk gelombang dapat dianalisa bahwa mulai dari 00 sampai 300.

Catatan : Tegangan output DC tidak pernah jatuh sampai nol.Rangkaian Penyearah menghantar sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R. D3 menghantar kembali selama satu periode. Gambar 6. Tegangan rata-rata output DC(Udc) tiga fasa dinyatakan sebagai berikut : Udc = 0.2 adalah bentuk yang sama dengan penyearah setengah belombang tiga fasa yang menggunakan transformator 3 fasa .Tegangan sekunder dimungkinkan dinaikkan atau diturunkan dengan seleksi yang sesuai dengan kebutuhan tegangan output DC yang diinginkan .2 penyearah setengah gelombang tiga fasa menggunakan trafo 47 .831 x Umaks Pada gambar 6.Demikian seterunya pada 2700.

4 diperlihatkan diagram rangkaian penyearah tiga pasa.Rangkaian Penyearah 6.2.3 Rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh Rangkaian penyearah gelombanga penuh tiga fasa ini dapat dilengkapi/dipasang untuk dua keadaaan yaitu untuk setengah bagian positif dan setengah bagian negatif dari inputnya seperti halnya pada penyearah gelombang penuh untuk satu pasa. Penyearah Gelombang Penuh Tiga Fasa pada gambar 6. Gambar 6.3 dan 6.4 bentuk belombang tegangan inputdan output 48 . gelombang penuh dan bentuk gelombang output Gambar 6.

penyearah mercury arc yangdipilih untuk digunakan. b. Pada rangkaian diatas.995 x Im melalui tiap dioda dan hanya sepertiganya yang mengalir melalui tiap dioda. Tiap sekunder membawa arus untuk 1/3 siklus. berarti empat dioda yang lain dalam keadaan tidak menghantar . c. 49 . Teganan rata-rata Udc adalah dua kali dari penyearah setengah gelombang tiga fasa atau Udc = 2. b. sebab : a. Untuk instalasi yang besar. Arus selalu mengalir dari sumber yang mempunyai tegangan positif tertinggi melalui dioda-dioda yang bernomor genap menuju bebandan terus mengalir pada dioda-dioda yang bernomor ganjil dan seterusnya kembali ke terminal sumber yang mempunyai tegangan negatif tertinggi. Kerugian tembaga dalam belitan transformator adalah lebih rendah. dua dioda selalu menghantar.D 3 dan D5) juga selalu mengahantar. Idc adalah 0.34 x Urms ( ac ) Penyearah gelombang penuh dipersiapkan untuk daya tinggi.Rangkaian Penyearah Terdapat tiga hal yang harus diperhatikan pada waktu menganalisa kerja untuk rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh ini.D4dan D6) dalam keadaaan menghantar dan satu dari dioda-dioda yang bernimor ganjil (D1. yaitu: a. Tiap primer membawa arus 2/3 siklus. Satu dari dioda-dioda yang bernomor genap (D2. c.

Rangkaian Penyearah Contoh soal Harga efektif (rms) tegangan sekunder transformator (Us) pada penyearah gelombang penuh segitiga / bintang adalah 150 volt. Im / dioda = (1/ 0. b.3 Penyearah Tiga Fasa Menggunakan SCR SCR digunakan seperti penyearah dioda .34 x Us = 2.34 x 150 = 351 V b. Arus gate ini (Ig) mengalir melalui persambungan (junction) antara gate dan katoda. Untuk memperdalam penguasaan perinsip kerja dari SCR perlu dipelajari secara khusus .5 Simbol SCR SCR dapat dihidupkan oleh suatu arus penyulutan singkat ke dalam gatenya.1 sampai 20 mA.5 Gambar 6. Pdc = Udc x Idc = 351 x 2 = 720 W 6. Udc = 2. 50 . perbedaan nya waktu kondisi dari penyearah SCR dapat divariasikan untuk mengatur tegangan output dan level arus searah ( dc) . Arus puncak /maksimum yang melalui tiap dioda c. hitunglah : a.1 A c. Penyelesaian : a.6 vot. Kebanyakan SCR membutuhkan arus gate untuk penyalaan antara 0. Daya rata-rata yang dikiram ke beban. 955) x Idc = 2. sedangakan tegangan antara gate dan katodanya (UGK) harus lebih besar dari 0. tegangan output DC.Simbol SCR diperlihatkan pada gambar 6. Jika harga rata –rata arus beban adalah 2A.

Tegangan output rangkaian lebih mudah dikontrol atau diatur dengan mengatur rheostat penyalaan untuk SCR tersebut..6 penyearah SCR tiga fasa Untuk mengontrol SCR diperlukan rangkaian phase shift. R2 –C 2. R1 -C 1. dan R3 –C 3 sebagai rangkaian RC phase shifting.Rangkaian Penyearah Contoh rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan Silicon Controlled Rectifier (SCR) diperlihatkan pada gambar 6. 51 . Kerja dari rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan SCR adalah sama seperti penyearah setengah gelombang tiga fasa yang sudah dibahas terdahulu. Tiga buah rheostat dijadikan satu untuk memperoleh kontrol penyalaan atau penyulutan SCR secara bersamaan.6 Gambar 6.

Resistor. Arus bocor yang besar. 7. disebabkan beban lebih. B. Rangkaian hubung singkat c.1 Kesalahan Komponen A. b.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 7 MENCARI LETAK GANGGUAN PENDAHULUAN Gangguan atau kesalahan yang paling banyak tejadi pada rangkaian catu daya adalah diakibatkan oleh beban yang terus menerus yang dipikul oleh catu daya tesebut atau beban yang tidak sesuai dengan kemampuan / kapasitas catudaya. C. Kapasitor Kesalahan pada kapasitor seperti : a. Terjadi kebocoran pada rangkaian kapasitor. rangkaian terbuka. kesalahan arus yang melaluinya lebih besar sehingga terjadi disipasi panas yang menyebabkan resisitor terbakar. Titik sambungan rangkaian terbuka. b. biasanya ditujukan oleh penguatan rendah atau level kebisingan tingggi. memeriksa rangkaian dan komponen yang rusak dengan mengguanakan alat ukur yang cocok misalnya AVO meter dan CRO. Asumsi dasar yang harus dibuat untuk melakukan pemeliharaan (service unit ) catu daya adalah mencari penyebab kesalahan . c. 52 . Transistor atau IC Problem yang terjadi pada semi konduktor adalah : a. titik sambungan hubung singkat disebabkan sentaka tegangan tinggi.

Tempatkan komponen yang diganti secara pasti dan tepat. Tegangan output DC . b.Rangkaian Penyearah 7.3 Pemeriksaan Catu Daya Poin utama yang harus diperiksa setelah anda melakukan perbaikan adalah. apakah sudah sesuai dengan tegangan yang dibutuhkan 2. Regulasi tegangan atau regulasi arus. Tegangan kerut (riple) dari amplitudo output diukur dengan Ossiloskope ( CRO. Dan ingat dalam melakukan pemerika\saan dan perbaikan harus diperhatikan Standart Opertional Procedur ( SOP ) yang berlaku dan disepakati. Arus ouput DC yang diperlukan. Lepas dan ganti komponen yang sesuai dengan aslinya atau eqivalen dari karakteristik komponen yaitu kemampuan arus.2 Mengganti Komponen Bila mengganti komponen yang rusak pada rangkaian yang penting harus diperhatikan : a. 3. 7. tegangan dan daya yang sesuai dengan spesifikasinya.) 4. 53 . Pada tabel berikut ini diberikan pedaman dasar sebagai langkah awal mendiaknosa gangguan atau kesalahan suatu rangkaian.sebagai berikut : 1. Data dan spesifikasi komponen dapat dilihat pada buku data komponen yang diterbitkan oleh perusahaan /pabrik pembuat komponen.

output DC rendah dengan level riple tinggi. GEJALA Kesalahan Transformator : 1. KESALAHAN Rangkaian input AC terbuka atau sekring putus. output DC nol dan tegangan sekonder tidak ada. Lilitan trafo primer dan sekumder hubung singkat 2. output DC rendah dengan naiknya level riple. Tahanan dioda terlalu besar (tegangan jatuh saat forward besar) 3. regulasi jelek Filter kapasitor bocor 54 . tetapi output DC rendah dari yang seharusnya Kesalahan Filter kapasitor : 1. output DC rendah dengan riple 50 Hz 2. Regulasi sangant jelek.Rangkaian Penyearah ANALISA GANGGUAN RANGKAIAN CATU DAYA. Rangkaian dioda penyearah terbuka Rangkaian dioda hubung singkat. 3. sekring putus Filter kapasior hubung singakat Filter kapasitor rangkaian terbuka. 2. sekring putus arus lebih transformator baik. rangkaianbekerja baik. ouput DC rendah dan transformer putus Kesalahan Penyearah : 1.

RS terbuka 55 .8 v RL 135? - Regulator Beban Gambar 7. Zener Regulator Dari gambat 7.1 Zener regulator + Open circuit Vz 12 v 6. Dioda zener hubung singkat. 1. Dioda zener putus (rangkaian terbuka ) c. + Rs 82? 12 v Vz 6. RS putus (rangkaian terbuka ) b.Rangkaian Penyearah LATIHAN MENCARI GANGGUAN/KESALAHAAN.1 apa yang akan terjadi bila : a.1a.8 v RL - Gambar 7.

1 b.1c. Zener hubung singkat 56 .Rangkaian Penyearah Rs = 82? Zener diode Open circuit RL 135? GAMBAR 7. Zener terbuka Rs = 82? Short circuit (zero ohm) RL 135? Gambar 7.

Rs rangkaian terbuka b. Regulator Seri Vin Q1 Vo Rs IB RL Vz Gambar 7. Transistor hubung singkat 57 .Rangkaian Penyearah 2. Zener rangkaian terbuka c.2 regulasi seri Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. Zener hubung singkat d.

Rangkaian Penyearah 3. R1 rangkaian tebuka b. c. R2 hubung singkat RL rangkaian terbuka 58 . IC Regulator 7805 +20 v Vo R1 220? RL R2 320? 0 Gambar 7.3 Regulator Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a.

25 Hz . EVALUASI TES TEORI I. Pilter pada rangkaian penyearan digunakan untuk : a. Rangkaian Penyearah Untuk setiap setiap pertanyaan .pilihlah jawaban yang paling benar a. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah gelombang penuh adalah : a. 25 Hz . d. b.c 0. c. 50 Hz . 50 Hz .3 .d 0.45 3.d 200 Hz 5. 3 . b. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah setengah gelombang adalah : a.d 100Hz 4. 4 2.Rangkaian Penyearah III.b. 2 .35 . Perbandingan tegangan output dan input penyearah setengah gelombang adalah: a.c 75 Hz . b.c 100 Hz . c. d.c atau d 1. b.b 0. menaikkan tegangan kerut ( ripple ) menaikkan frekuensi ripple mengurang tegangan beban mengurangi tegangan ripple 59 . 0. 1 . Pada rangkaian penyearah 1 fasa setengah gelombang dibutuhkan dioda minimal : a.4 .

Hitung tegangan output pada beban bila penyearah gelombang penuh sistem jembatan dihubungkan dengan sumber 20 v ac. 1.pralel dengan dioda pnyearah d. 20 v 60 . 12v c.8v d. 9 v c. paralel dengan beban seri dengan beban pralel dengan dioda pnyearah paralel dengan input penyearah 8. paralel dengan input penyearah 9. Pilter dihubungkan : a.sebelum penyearah b. c.b. b. Bila induktor digunakan sebagai filter. Bila kapasitor digunakan sebagai filter. maka haru dihubungkan : a.44 v b. a.24 v 10.paralel dengan beban b. maka haru dihubungkan : a. d. 18 v d.Rangkaian Penyearah 6. 10 v . 10. sesudah beban d. seri dengan beban c.sesudah regulator 7.antara penyearah dengan beban c.Hitung tegangan output tanpa beban penyearah setengah gelombang bila dihubungka pada tegangan sumber 24 v ac: a.

0. 0 v c. b.maka tegangan output adalah: a. Tegangan beban UL dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. Regulator Zener 1.5 v 61 .6 v b. 10 mA 4. Aruus beban IL dalam rangkaia gambar 1 adalah: a. 15 v c. 30 v d.Rangkaian Penyearah II. 15 v d. Tegangan jatuh /drop pada Rs dalam gambar 1 adalah: Rs 30 V Uz 15 v RL 470? a. 0. 30 v 2. 18. 10 v b. 144 c.6 v 3. 100 5 b. 32 mA d. 39 mA Besarnya Rs dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 15 v c.268 Jika zener dioda menjadi rengkaian terbuka .5 v b. 30 v d.20 mA c. 0.204 d.

positif 9 v 62 . Regulator tegangan tiga terminal dihubungkan pada : a. Sesudah beban c. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 4 v adalah : a 5v b. negatif 12 v c. Regulator tegangan digunakan untuk : a. mendapatkan arus beban konstan b. Antara sumber dan beban d.4 v 4. 12 v 3. positif 12 v b. 7 v c. 7 v c. Regulator tegan tiga teminal 7912 . 8 v d.Regulator 1. mendapatkan tegangan beban konstan c. Sebelum sumber tegangan input b.output tegangan nya adalah : a. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 12 v adalah : a.Rangkaian Penyearah III. mendapatkan arus sumber konstan 2. Antara penyearah dan filter 5. mendapatkan tegangan sumber konstan d. 5 v b. negatif 7 v d. 8 v d . IC .

Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN REVIEW TEST REVIEW TEST 1 1. Arus dioda berkurang 3.I beban = 424. Tegangan kerut = 86.Udc = 7.Hubung Singkat . .75 volt b.Rangkaian terbuka . a. Udc = 6.2 volt 2.Tahanan arah maju (forward ) tinggi REVIEW TEST 2 1. a. Filter LC a. a. I = 3.Untuk mengurangi tegangan kerut (ripple voltage ) AC pada perubahan beban dalam % 2. PIV dioda =12 volt 3.26 mV 63 .64 volt b. XL = 1340 O b. Level rata-rata naik b.44mA c. a.8 mA c. PIV dioda = 21.

6 mW Zd = 27 mW RL = 67.8 volt c.24 mW 2 a 72 % b = 1.45 volt 64 . Disipasi daya Rs = 43. Untuk memberikan arus yang konstan dengan bermacam. Uo = 1. Iz = 3.8 volt 3. c.2 volt b. a.1 volt 4. Uo = 11.3 mA e.25 volt c. Regulasi adalah 25 % REVIEW TEST 4 1 .25 watt.5 mA d.macam beban . 8. 3.U output = 14 volt 2 U output = 11. = 0 volt b. 3.Rangkaian Penyearah REVIEW TEST 3 1 a. Imaks =11.

d 6.b 4.c II.d 4. c 8.b 9. b 5. a III. Tes Rangkaian Penyearah 1. b 6. Regulator Tegangan 1 .a 2.Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN SOAL TEORI I. a 65 . d 5. c 7.a 8.c 5. c 7. c 6.b 7.d 3.Regulator Zener 4.c 10.

0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 66 .1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2. resistor.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan 3.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.Rangkaian Penyearah Self Assesment Check List Kegitan pembelajaran Elemen 1.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya Kriteria Unjuk Kerja 1.3 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan Ya Tidak Training Lanjut 2.kapasitor dan induktor dijelaskan 2.

Rangkaian Penyearah


Barry Davis, Under standing DC Power Suppllies, Prentice-Hall of Australia Pty Ltd,1981 Edy Burnawi , Catu Daya , PPPGTeknologi Bandung ,1996 Emst Hornermann , Electrical Power Engineering Profinciecy Course, GTZ GmbHEscbom ( Federal Republic of Germany ), 1988 Fardo and Patrick , Electrical Power Systems Technology , Howard W.Sams &Co,Inc James F.Lowe , Electronics for Electrical Trades , McGraw-Hill,Book Company Sydney, 1977


Rangkaian Penyearah

Modul Nama Peserta Nama Penilai Beri tanda ( v ) No 1 2 Hasil METODA PENILAIAN Tertulis Praktik KOMPETEN BELUM KOMPRTEN KETERANGAN : RANGKAIAN PENTEARAH : ……………………… : ………………………

: Kompeten Belun kompeten CATATAN:

Tanada Tangan Peserta

Tanada Tangan Penilai

Tanggal: ……………….


Aplikasi Dioda



Aplikasi Dioda

dirangkaian elektronik.


etelah mengetahui konstruksi, karakteristik dan model dari dioda semikonduktor, diharapkan mahasiswa dapat memahami pula berbagai konfigurasi dioda dengan menggunkan model dalam aplikasinya

2.1 Analisis Garis Beban (Load-Line Analysis) Beban yang diberikan pada rangkaian secara normal akan mempunyai implikasi pada daerah kerja (operasi) dan piranti elektronik. Bila analisis disajikan dalam bentuk grafik, sebuah garis dapat digambarkan sebagai karakteristik dioda yang mewakili efek dari beban. Perpotongan antara karakteristik dan garis beban akan menggambarkan titik operasi dari system. Perhatikan gambar 2.1 berikut ini,.
Id + E Vd R + VR VD ID



Gambar 2.1 Konfigurasi Seri dari Dioda. (a) Rangkaian Dioda (b) Karakteristik Menurut Hukum Kirchoff tegangan:
E − VD − VR = 0 E = VD + I D R


Aplikasi Dioda

Variabel VD dan ID dari persamaan 2.1 adalah semua seperti axis variable dari karakteristik dioda pada gambar 2.1 (b). Perpotongan garis beban dan karakteristik dapat digambarkan dengan menentukan titik pada horizontal axis yang mempunyai ID = 0A dan juga menentukan titik vertical axis yang mempunyai vertical
E = VD + I D R

VD = 0V. JIka kita

atur VD = 0V, dengan persamaan 2.1 akan kita peroleh nilai magnitude ID pada sumbu

E = 0V + I D R
ID = E R VD =0V

………………………………….. (2.2)

Selanjutnya, kita atur ID = 0A, dengan persamaan 2.1 kita dapat memperoleh magnitude VD pada sumbu horizontal.
E = VD + I D RD
E = V D + ( 0) R D

VD = E I

D =0 A

…………………………………. (2.3)

Seperti terlihat pada gambar 2.2. garis lurus yang menghubungkan ke dua titik menggambarkan garis beban. Jika nilai R diubah, maka gambar garis beban akan berubah.


Karakteristik dioda


Q-point Garis beban




Gambar 2.2 Garis Beban dan Titik Operasi Titik perpotongan antara garis karakteristik dioda dan garis beban disebut dengan “ Q point ” (Quiescent Point)

Aplikasi Dioda

2.2 Aproximasi Dioda

Dalam menganalisis rangkaian dioda, dapat digunakan 3 macam model pendekatan (aproximasi), yaitu:
• • •

Piecewise-linear model Simplified model Ideal model

Untuk dioda Silikon, ketiga model tadi dapat digambarkan sebagai berikut: Tabel 2.1 Aproximasi untuk Dioda Silikon
Model Gambar VT 0.7 rav 10Ω


Piece-wise linear model


Simplified model

VT 0.7




Ideal model




Untuk dioda yang terbuat dari Germanium, VT adalah 0.3V.

2.3 Konfigurasi Seri dari Dioda dengan Input DC

Ada beberapa prosedur yang harus dilakukan dalam menganalisis dioda, yaitu: a. Tentukan kondisi dioda ON/OFF, dengan cara:
• •

Lepaskan dioda dari rangkaian Hitung tegangan pada terminal dioda VD yang dilepas tadi dengan KVL

3V 2K2 ID = IR = V R 7. Analisis rangkaian tersebut contoh Tentukan VD.32mA R 2K 2 .7V dioda ON • Langkah 2 + VD 0. dioda germanium V D 〉 0. VR dan ID dari rangkaian dioda berikut Jawab • Langkah 1 Dengan KVL: E − VD − VR = 0 VD = E − VR = (8V ) − I R R = (8V ) − (0) R V D = 8V VD 〉 0.Aplikasi Dioda • V D 〉 0.3V = = 3.7 = 7.3 → ON V D 〈 0. Jika dioda ON.3 → OFF b.7 → Dioda silikon ON. ganti dengan model pendekatan yang digunakan c.7V 8V E + VR - • Langkah 3 VD = 0.7V VR = E − VD = 8 − 0.7 → Dioda silikon OFF. dioda germanium V D 〈0.

18mA I D1 = I D 2 = 1 = = 14. I1. ID1.18mA R 0.7V I1 = .4 dapat digunakan dalam menganalisis rangkaian dioda paralel dan seri-paralel Contoh : Hitunglah Vo.33K I 28.7V → D1 & D2 ON E − V R − V D1 = 0 E − ( I 1 R ) − V D1 = 0 I 1 R = E − V D1 E − V D1 10 − 0.4 Konfigurasi Paralel dan Seri-Paralel dari Dioda Prosedur pada bagian 2. dan ID2 dari rangkaian dioda berikut: Jawab E − VR − V D1 = 0 VD1 = V D 2 = E = 10V VD1 = VD 2 〉 0.09mA 2 2 V0 = V D 2 = 0.Aplikasi Dioda 2.7 = = 28.

Metode dioda ideal akan digunakan dalam analisis selanjutnya.4 Penyearah ½ Gelombang . Untuk menganalisis rangkaian dioda dengan input yang berubah terhadap waktu seperti gelombang sinusoidal dan gelombang kotak. Gambar 2.5 AND/OR Gate Aplikasi dioda yang lain adalah dapat digunakan sebagai rangkaian logika AND dan OR.3 Gerbang Logika OR dan AND Dengan Menggunakan Dioda 2. Rangkaian sederhana di bawah ini akan kita gunakan untuk mempelajari cara menganalisisnya. OR Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 AND Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 Gambar 2.Aplikasi Dioda 2. Berikut adalah rangkaian gerbang logika AND dan OR yang menggunakan dioda silikon.6 Input Sinusoidal : Penyearah Setengah Gelombang Pada bagian ini akan kita kembangkan metode analisis dari dioda yang telah dipelajari sebelumnya.

4) Berikut adalah gambar input dan output rangkaian penyearah ½ gelombang .Aplikasi Dioda Rangkaian diatas akan menghasilkan output V0 yang akan digunakan dalam konversi dari ac ke dc yang banyak digunakan dalam rangkaian-rangkaian elektronika. Selama interval t = 0 → T mengakibatkan dioda ON.318Vm ………………………………………… (2.5 Daerah Dioda Konduksi (0 – T/2) Selanjutnya. selama perioda T →T 2 polaritas dari input Vi berubah mengakibatkan dioda tidak bekerja (OFF). dioda selanjutnya dapat 2 diganti dengan rangkaian ekivalen model idealnya. sehingga outputnya bias diperoleh proses di atas dapat digambarkan seperti gambar di bawah ini. Vi Vi + R + + V0 Vi + R + V0 = 0V 0 T/2 V0 = 0V - t Gambar 2. Gambar 2. berikut penggambaran prosesnya.6 Daerah Dioda Non Konduksi (T/2 – T) Sinyal output V0 mempunyai nilai rata-rata selama satu siklus penuh dan dapat dihitung dengan persamaan berikut Vdc = 0.

Aplikasi Dioda Gambar 2.7 Sinyal Input dan Output Rangkaian Penyearah ½ Gelombang Selain menggunakan model ideal kita juga dapat menggunakan kedua model lain. dengan menggunakan 4 buah dioda dengan penyearah seperti pada gambar 2.7.7 Penyearah Gelombang Penuh 2. Vi Vm T/2 T t + D1 + Vo - D2 0 Vi R D3 D4 Gambar 2. Konfigurasi yang sangat terkenal adalah konfigurasi Bridge atau jembatan.9 T/2 polaritas polaritas input digambarkan seperti pada . 2.1 Konfigurasi Bridge Untuk meningkatkan dc level yang diperoleh dari input sinusoidal sebanyak 100% kita dapat menggunakan rangkaian penyearah gelombang penuh.8 berikut.8 Penyearah Gelombang Penuh Selama periode t = 0 gambar 2.

D2 dan D3 OFF sementara D1 dan D4 ON. Dengan mengganti dioda dengan model ideal diperoleh gambar berikut. Berikut gambar polaritas input. arah arus serta rangkaian ekivalen rangkaian dioda Gambar 2. Gambar 2.9 Rangkaian Full Wave Bridge untuk t = 0 T/2 Dari gambar 2.OFF Gambar 2.10 Aliran Arus Pada Fase Positif dari Vi Untuk perioda input t = T/2 T.11 Aliran Arus Pada Fase Negative dari Vi .9 terlihat bahwa D2 dan D3 terkonduksi (ON) sementara D1 dan D4 OFF.Aplikasi Dioda + OFF Vi + ON + + Vo R - + - ON - + .

T/2 .Vo + Vi - D2 Gambar 2.Aplikasi Dioda Secara keseluruhan input dan output rangkaian ini adalah Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.13 Gelombang Penuh Dengan Trafo CT Selama perioda t = 0 gambar berikut.(2.12 Sinyal Input dan Output Rangkaian Dioda Bridge Nilai rata-rata dc dapat diperoleh dengan persamaan berikut Vdc = 0. seperti .2 Center Tapped Transformer Bentuk kedua yang popular dari penyearah gelombang penuh adalah dengan menggunakan 2 buah dioda dan center tapped (CT) transformer konfigurasinya dapat dilihat pada gambar berikut.7.5) 2. Vi + + Vi + Vi - D1 T 0 T/2 t CT R .636Vm ……………………………………. D1 akan menjadi ON sedang D2 OFF.

Salah satu contohnya dapat dilihat pada gambar berikut. Namun demikian rangkaian clipper seri dapat dibuat dalam berbagai variasi.14 Kondisi Rangkaian Pada Perioda Input 0 – T/2 Sebaliknya.8 CLIPPER Clipper merupakan rangkaian dioda yang memiliki kemampuan memotong sebagian sinyal input tanpa menimbulkan efek pada bagian lain dari sinyal. Clipper parallel 2.Vo + Vm 0 T/2 t D2 0 T/2 t Gambar 2.8. Clipper seri Dioda seri dengan beban dioda parallel dengan beban 2. selama perioda input T/2 – T kondisi rangkaian adalah seperti gambar berikut Vi + + Vi + Vi - D1 Vo R Vm 0 T/2 T t Vi - .1 Clipper Seri Rangkaian dasar dari clipper seri adalah mirip dengan rangkaian penyearah ½ gelombang.Vo + 0 D2 T/2 T t Gambar 2.Aplikasi Dioda Vi Vm + Vi + Vi + Vi - D1 Vo R . . Terdapat dua kategori clipper: 1.15 Kondisi Rangkaian Untuk Perioda Input T/2 – T 2.

Hitung dan gambarkan nilai Vo berdasar nilai sesaat dari Vi Sebagai contoh.Aplikasi Dioda Vi + R + + V0 - (a) Vi Vo Vi Vo Vi T/2 t 0 Vo T/2 0 T t 0 T/2 t 0 T/ 2 T t 0 T/2 T t T/2 0 t (b) Vi + T/2 0 + T t Vi V R V0 + (c) Gambar 2. Untuk dioda yang ideal perubahan kondisi ideal terjadi pada Vd = 0 V dan id = 0A (ingat karakteristik dioda ideal). Tentukan nilai tegangan yang mengakibatkan kondisi dioda berubah OFF ON atau sebaliknya 3. Tegangan dc (V) harus lebih kecil dari Vi agar dioda ON. 2. 2. 1. perhatikan gambar 2. Dioda ON pada saat Vi berada pada polaritas positif.16 (c) dan ikuti prosedur di atas. Dengan menerapkan kondisi nilai Vi yang mengakibatkan transisi kondisi dioda. Tentukan apakah dioda ON/OFF dengan melihat rangkaian. . Perhatikan polaritas Vi dan Vo.16 Clipper Seri dan Input/Output (a) Rangkaian Dasar Clipper (b) Variasi Input dan Output (C) Variasi Clipper Seri Berikut adalah prosedur dalam menganalisa rangkaian clipper: 1. tentukan persamaan Vo 4.

(2.(2.Aplikasi Dioda Gambar 2. Vo dapat dihitung dengan KVL Gambar 2. Hitung dan gambarkan Vo dengan mengambil nilai sesaat dari Vi .17 Menetapkan Kondisi Transisi dari Rangkaian Vi − V − Vd − V0 = 0 Vi − V − 0 − id R = 0 Vi − V − 0 − (0) R = 0 Vi = V …………………………………………………………. Pada saat dioda dalam kondisi ON.7) 4.18 Menentukan Vo Vi − V − Vo = 0 Vo = Vi − V …………………………………….6) Artinya dioda berubah dari OFF ON atau ON OFF pada saat Vi = V 3.

Aplikasi Dioda Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.19 Sinyal Vi dan Vo 2.20 Rangkaian Clipper Parallel dan Variasi Input/Outputnya . variasi input/output dan variasi konfigurasi yang lain Gambar 2.8.2 Clipper Paralel Berikut rangkaian dasar clipper parallel.

Aplikasi Dioda Cara menganalisa clipper parallel adalah sama dengan cara analisis clipper seri Contoh: Tentukan Vo dari rangkaian berikut Jawab: • • Dioda ON pada fase negative dari input Cari tegangan transisi VR = 0 + Vi V 4V id = 0 + V0 - Vi − VR − Vd − V = 0 Vi − 0 − 0 − V = 0 Vd = 0 Vi = V tegangan transisi Ketika Vi < V Dioda ON. Vi > V Dioda OFF • Tentukan Vo pada dioda ON • Tentukan Vo pada dioda OFF .

22 Rangkaian Clamper . kapasitor kita anggap mengisi dan membuang semua dalam 5 kali konstanta waktu.Aplikasi Dioda • Gambarkan outputnya Vi 16 V t 16 V Vo 4V t Berikut berbagai variasi rangkaian clipper Gambar 2. Dalam analisis.21 (gbr 291 hal 84) 2. Clamper tersusun atas capasitor.9 CLAMPER Rangkaian clamper adalah rangkaian yang akan melempar (clamp) sinyal ke level dc yang berbeda. dioda dan komponen resistif. Sumber dc juga dapat ditambahkan untuk memperoleh pergeseran tegangan tambahan. Rangkaian clamper sederhana dapat dilihat pada gambar berikut Vi V 0 -V T/2 T t + Vi C R + V0 - Gambar 2. Hal ini berguna agar kapasitor tidak membuang tegangan (discharge) pada saat dioda mengalami perioda non konduksi (OFF). Nilai R dan C harus dipilih sedemikian rupa agar konstanta waktu τ = RC cukup besar.

kapasitor akan mengisi dengan cepat sampai V = tegangan input.24 Menetapkan Output Pada Saat Dioda OFF Jika digambarkan. V C Vi + + R V0 - Gambar 2. sedang Vo = 0 V.25 Input/Output dari Contoh Rangkaian Clamper .Aplikasi Dioda Selama interval 0 – T/2 rangkaian dapat digambarkan seperti berikut. Gambar 2. Ketika polaritas input berbalik. secara keseluruhan input dan output dari rangkaian adalah sebagai berikut.23 Dioda ON dan Kapasitor Mengisi Sampai V Volt Pada interval ini. rangkaian dapat digambarkan sebagai berikut. Gambar 2.

Aplikasi Dioda Berbagai variasi dari rangkaian clamper dapat dilihat pada gambar berikut.10. Gambar 2.1 Vi dan R tetap Rangkaian dioda zener yang paling sederhana dapat dilihat pada gambar berikut ini: R VZ PZm RL Gambar 2. kita dapat menggunakan cara menganalisis dioda pada bagian sebelumnya. rangkaian penggantinya adalah sumber tegangan Vz.28 Rangkaian Dasar Regulator dengan Zener .26 Rangkaian Clamper dengan Dioda Ideal 2. Ketika zener diindikasikan ON.10 Dioda Zener Dalam menganalisis zener. sedangkan jika zener OFF rangkaian penggantinya adalah saklar terbuka + VZ - + VZ - + V - ON (Vz > V > 0) OFF Gambar 2.27 Rangkaian pengganti Dioda Zener 2.

Ganti Zener dengan rangkaian ekivalennya Gambar 2. Zener dapat diganti dengan rangkaian OFF dapat Jika V ≥ VZ .2.29 Rangkaian Ekivalen Zener ON . Tentukan kondisi zener dengan melepasnya dari rangkaian dan menghitung tegangan pada untai terhubung. Dengan menerapkan langkah 1 pada gambar 2.. akan kita peroleh rangkaian berikut R Vi VZ VL Tegangan V dapat dihitung dengan menerapkan aturan pembagi tegangan V = VL = R LV i R + RL …………………………………….8 ON. zener penggantinya.27 diatas.Aplikasi Dioda Analisa rangkaian zener dapat dilakukan dengan langkah berikut: a. Sebaliknya jika V ≤ VZ maka zener digantikan dengan saklar terbuka b.

dan PZ Ulangi soal (a) dengan RL = 3kΩ a) Terapkan prosedur sebelumnya • Lepaskan zener dari rangkaian R LVi 1..2k (16V ) = = 8.2. IZ. IL = V − VL VL V dan I R = R = i RL R R Daya yang diserap zener: PZ = VZ I Z …………………………………………….9 Dimana.10 Dioda zener umumnya digunakan dalam rangkaian regulator tegangan Contoh 2… VR 1k 16V VZ = 10 V PZm = 30mW RL 1k2 VL • • Jawab Tentukan VL. VR. 2.73V R + RL 1k + 1.2k V = VL = V < VZ Zener OFF . arus yang mengalir pada zener dapat ditentukan dengan KCL IR = IZ + IL I Z = I R − I L …………………………………………….Aplikasi Dioda Dari gambar zener ON.

73V = 7.10.33mA RL 3kΩ VR 6V = = 6mA R 1kΩ IZ = IR − IL = 6mA − 3. Nilai minimum RL dapat ditentukan sebagai berikut: VL = VZ = RLVi RL + R R L min = RVZ Vi − VZ …………………………………………………. RL min akan menimbulkan IL max min.2.2 Vi Tetap dan RL Variabel ON/OFF-nya zener tergantung pada interval nilai RL.Aplikasi Dioda • Ganti zener dengan saklar terbuka VR = Vi − V L = 16 − 8. RL yang terlalu kecil akan mengakibatkan zener OFF.33mA = 2.11 Jika RL yang dipilih > RL rangkaian ekivalen zener ON.67 mA) = 26. maka zener ON.7 mW 2.27V IZ = 0A PZ = VZ I Z = 0W b) Lepaskan zener dari rangkaian V = VL = R LVi = 12V R + RL V ≥ VZ • Zener ON Ganti zener dengan rangkaian ekivalen untuk zener ON VL = VZ = 10V VR = Vi − V L = 16V − 10V = 6V IL = IR = VL 10V = = 3.67 mA • Daya yang diserap zener PZ = VZ I Z = (10)(2. Selanjutnya ganti dengan .

12 Tegangan pada R VR = Vi − VZ IR = VR R ………………………………………………….11 Rangkaian Pengali Tegangan Rangkaian ini digunakan untuk menaikkan tegangan puncak dari trafo hingga 2x.16 ………………………………………….17 R L max = VZ I L min 2. 2. atau lebih kecil. Selama tegangan positif pada separuh siklus dari tegangan yang melalui transformer..2...20 2.. 3x...3 RL Tetap dan Vi Variabel Untuk nilai RL yang tetap.1 Pengali Tegangan Rangkaian yang ditujukan oleh gambar 2.19 I R max = I Z max − I L Vi max = V R max + VZ Vi max = I R max R + VZ ………………………………………….Aplikasi Dioda I L max = VL V = Z RL R L min ……………………………………………..2.11. dioda D1 terkonduksi (D2 OFF) dan mengisi kapasitor C1 .2. tegangan Vi harus cukup besar untuk dapat mengakibatkan zener ON.2.13 ………………………………………………….30 di bawah adalah rangkaian half wave voltage doubler. IZ = IR − IL IZ min dicapai pada IL max dan sebaliknya I L min = I R − I Z max ………………………………………….18 …………………………………………. Tegangan Vi minimum ditentukan oleh: VL = VZ = VL min = RLVi RL + R ( RL + R )VZ RL …………………………………………. …………………………………………………..

31 Rangkaian Half Wave Voltage Doubler Alternatif 2.31 berikut.Aplikasi Dioda sampai pada puncak tegangan (Vm) dengan polaritas seperti yang ditujukan dalam gambar.30 Half Wave Voltage Doubler Tegangan pada output: − VC 2 + VC1 + Vm = 0 − VC 2 + Vm + Vm = 0 VC 2 = 2Vm Model rangkaian yang lain dapat dilihat pada gambar 2. Selama siklus negative dari input D1 menjadi OFF sementara D2 terkonduksi (ON) dan mengisi kapasitor C2. . Gambar 2.2 Voltage Tripler dan Quadrupler Gambar 2. Gambar 2.11.32 memperlihatkan half-wave voltage doubler yang dimodifikasi agar dapat mengeluarkan output sebesar 3 dan 4x dari tegangan input.

32 Voltage Tripler dan Quadrupler .Aplikasi Dioda Gambar 2.

3 mA (b) Dengan analisa garis beban : Buat kurva rangkaian yang memotong kurva karakteristik.7 Volt Sehingga IDQ = (E-VD)/1000 = 9. Titik perpotongan kedua kurva menyatakan nilai IDQ dan VDQ. Persamaan rangkaian : E = VD + IDR Cari dua nilai ekstrim untuk VD dan ID : Saat VD = 0 : E = 0 + IDR E I D = VD = 0 R ID = 10 mA Saat ID = 0 : E = VD + 0 R VD = 10 V Perpotongan kurva : .0 Kurva karakteristik diode Solusi : (a) Dari pemodelan diode : VDQ = 0.Diode dalam Rangkaian Dari rangkaian berikut tentukan arus diode dan tegangan diode pada titik kerja IDQ dan VDQ berdasar : (a) Perhitungan dengan pemodelan diode (b) Analisis garis beban dengan kurva karakteristik diode 10 ID VD Si ID (mA) E 10 V R 1KΩ 5 VD 1.

3 mA Soal : Hitung I. V1.7 K 2.2 K + V2 E2 = -5 V Solusi : Diode berada dalam kondisi on.7 V dan IDQ = 9.7 Volt. Rangkaian digambarkan lebih lengkap sbb : .3 mA ID (mA) titik Q 5 VD 0. dan mempunyai tegangan VD = 0. V2 dan V0 E1= 10 + V1 Vo 4.10 9.7 V 10 Jadi VDQ = 0.

2 KΩ = 4.E2 V0 = 4.55 V – 5 V = -0.73 V V2 = I x R2 = 2.E2 = 0 Persamaan untuk arus I : E − VD + E 2 10V − 0.7 K + 0.7KΩ = 9.7V + 5V I= 1 = R1 + R2 4700Ω + 2200Ω I = 2.2 K V2 + Vo E1= 10 E2 5V - -E1 + V1 + 0.07mA x2.7 + 2.07 mA V1 = I x R1 = 2.55 V Pada sisi output.07mA x 4.+ V1 I 4.7 + V2 .45 V . dengan menerapkan hukum tegangan kirchoff : + V2 KVL + Vo E2 5V - E2 – V2 + V0 = 0 V0 = V2 .



... Dioda semikonduktor 3....................................................... (5........2) π Frekuensi output: f OUT = fIN .... II. (5.. RANGKAIAN PENYEARAH Tujuan Praktikum 1... 3.................................. Mengetahui cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh............. 4.....1) Tegangan rata-rata DC pada penyearah setengah gelombang adalah: VDC = VP = 0............. Osiloskop III....... Penyearah Setengah Gelombang Nilai tegangan puncak input transformator: VRMS = VP 2 . Projectboard 5.......... Ringkasan Teori Penyearah berfungsi untuk mengubah tegangan ac menjadi tegangan dc....... Penyearah ada 2 macam.. 2.................MODUL V I....318 × VP .. Mengetahui manfaat dioda sebagai penyearah..... Menganalisa rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh...................... (5........................................ Mampu merancang rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.............. Bahan Praktikum 1................ Resistor 4................. (5........................... Multimeter 6........................................................3) Penyearah Gelombang Penuh Tegangan rata-rata DC pada penyearah sinyal gelombang penuh: VDC = 2VP ...................... Transformator 2.....4) π Praktikum Elektronika Dasar 16 ............. yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh...................

........... dan R1 Gambar 5....... Ukur besar tegangan keluaran pada T1 menggunakan multimeter........... Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop...... Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda (diode bridge) Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! VI. D1............fIN . B....... Langkah Percobaan A. 6.... Hitung besar tegangan keluaran pada R1.... Rangkaian Penyearah Setengah Gelombang 2.. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 2... Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh center tap? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 3... T1 = Transformator. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB........ D1 = Dioda semikonduktor..... 3.. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini....1. Tentukan nilai T1..5) V.......... Tugas Pendahuluan 1.. 8....... Penyearah Setengah Gelombang 1..Frekuensi output: f OUT = 2. 5. Penyearah Gelombang Penuh dengan Center Tap 1..... R1 = Resistor Praktikum Elektronika Dasar 17 . 7. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop....... (5. Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter....... Tutup saklar S1. 4.

T1 = Transformator. Ukur besar tegangan pada resistor beban menggunakan multimeter. DB1 = Dioda Bridge. Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter. Praktikum Elektronika Dasar 18 . C. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. 8. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. 6. 3. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh 2. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan dioda bridge 2. 6. 5. 4.2. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. 4.Gambar 5. Tutup saklar S1. Tutup saklar S1. 5. R1 = Resistor Gambar 5. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. 7. 3. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop.3. Hitung besar keluaran pada R1. Penyearah gelombang Penuh dengan Diode Bridge 1.

Lakukan analisa dari ketiga percobaan diatas. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. 8. Praktikum Elektronika Dasar 19 . VII Laporan Akhir Gambarkan bentuk gelombang dari hasil percobaan yang telah dilakukan.7. Hitung besar keluaran pada R1. Berikan kesimpulan dari percobaan yang telah dilakukan diatas.