BAHAN AJAR

ELEKTRONIKA DASAR
Disusun oleh: Ahmad Fali Oklilas

PROGRAM DIPLOMA KOMPUTER UNIVERSITAS SRIWIJAY 2007

SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH ELEKTRONIKA DASAR KODE / SKS : MTK224 / 2 SKS
Dosen Pengasuh NIP Program Studi Kelas/angkatan
Minggu ke 1

: Ahamad Fali Oklilas : 132231465 : Teknik Komputer : Teknik Komputer/2006
Sub Pokok Bahasan Pengantar Tujuan Instruksional Khusus Muatan Partikel Intensitas, Tegangan dan Energi Satuan eV untuk Energi Tingkat Energi Atom Struktur Elektronik dari Element Mobilitas dan Konduktivitas Elektron dan Holes Donor dan Aseptor Kerapatan Muatan Sifat Elektrik Ref.

Pokok Bahasan

Tingkat Energi Pada Zat Padat

1,2

Transport Sistem Pada Semikonduktor

Energi Atom

Prinsip Dasar Pada Zat Padat

Prinsip Semikonduktor

2

Karakteristik Dioda

Prinsip Dasar

Rangkaian terbuka p-n Junction Penyerarah pada pn Junction Sifat Volt-Ampere Sifat ketergantungan Temperatur Tahanan Dioda Kapaitas

3

Karakterisrik Dioda

Sifat Dioda

4

Karakteristik Dioda

Jenis Dioda

Switching Times Breakdown Dioda Tunnel Dioda Semiconductor Photovoltaic Effect Light Emitting Diodes Dioda sebagai elemen rangkaian Prinsip garis beban Model dioda Clipping Comparator Sampling gate Penyearah Penyearah gelombang penuh Rangkaian lainnya 1

5

Rangkaian Dioda

Dasar

6

Rangkaian Dioda

Lanjut

MID TEST/UTS
7 Rangkaian Transistor Sifat Transistor Transistor Junction Komponen Transistor Transistor Sebagai Penguat (Amplifier) Konstruksi Transistor Konfigurasi Common Base Konfigurasi Common Emitor CE Cutoff CE Saturasi CE Current Gain Konfigurasi Common Kolektor Analisis Grafik Konfigurasi CE Model Two Port Device Model Hybrid Parameter h

8

Rangkaian Transistor

Sifat Transistor

9

Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah

10

Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah

Thevenin & Norton Emitter Follower Membandingkan Konfigurasi Amplifier Teori Miller Model Hybrid JFET Karakteristik Amper

1

11

Rangkaian Transistor Field Effect Transistor

Transistor Pada frekuensi Tinggi Sifat Dasar

Volt

Rangkaian Dasar

FET MOSFET Voltager Variable Resitor Sebagai Osilator Sebagai Penguat Sebagai Sensor

12

Studi Kasus

Penerapan Transistor

FINAL TEST
Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. http://WWW.id.wikipedia.org 4. http://www.tpub.com/content/ 5. http://www.electroniclab.com/ Palembang, 7 Feb 2007 Dosen Pengampu,

Ahmad Fali Oklilas, MT NIP. 132231465

ATURAN PERKULIAHAN ELEKTRONIKA DASAR DAFTAR HADIR MIN = 80% X 16= 14 KOMPONEN NILAI TUGAS/QUIS = 25% UTS = 30% UAS = 45% Nilai Mutlak 86 – 100 = 71 – 85 = 56 – 70 = 41 – 55 = ≤ 40 = A B C D E

Keterlambatan kehadiran dengan toleransi 15 menit Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. http://WWW.id.wikipedia.org 4. http://www.tpub.com/content/ 5. http://www.electroniclab.com/

10. The valence of an atom is determined by the number of electrons in the atom’s outermost shell. and f. The shell can also be split into four subshells labeled s. respectively. The mass of the neutron is approximately equal to that of the proton. Shells are lettered K through Q. d. The electrons in the outermost shell are called VALENCE ELECTRONS. .Tingkat Energi Pada Zat Padat Electron’s Energy Level The NEUTRON is a neutral particle in that it has no electrical charge. Each shell can contain a maximum number of electrons. which is the closest to the nucleus. Just by the electron’s motion alone. VALENCE is the ability of an atom to combine with other atoms. it assumes an orbit further from or closer to the center of the atom. which can be determined by the formula 2n 2. which can contain 2. and 14 electrons. starting with K. An energy balance keeps the electron in orbit and as it gains or loses energy. An ELECTRON’S ENERGY LEVEL is the amount of energy required by an electron to stay in orbit. p. it has kinetic energy. 6. This shell is referred to as the VALENCE SHELL. SHELLS and SUBSHELLS are the orbits of the electrons in an atom. The electron’s position in reference to the nucleus gives it potential energy.

An atom that has an excess number of electrons is negatively charged and is called a NEGATIVE ION. rather than keeping track of the actual electrons in that band. and VALENCE BAND.IONIZATION is the process by which an atom loses or gains electrons. FORBIDDEN BAND. It is important for the reader to understand that one could deal with only electrons (since these are the only real particles available in a semiconductor) if one is willing to keep track of all the electrons in the "almost-full" valence band. The three most important energy bands are the CONDUCTION BAND. This definition is illustrated further with the figure below which presents . Electrons and holes in semiconductors As pointed out before. They behave as particles with the same properties as the electrons would have occupying the same states except that they carry a positive charge. We will now first explain the concept of a hole and then point out how the hole concept simplifies the analysis. semiconductors distinguish themselves from metals and insulators by the fact that they contain an "almost-empty" conduction band and an "almost-full" valence band. To facilitate the discussion of the transport in the "almost-full" valence band we will introduce the concept of holes in a semiconductor. ENERGY BANDS are groups of energy levels that result from the close proximity of atoms in a solid. The concepts of holes is introduced based on the notion that it is a whole lot easier to keep track of the missing particles in an "almost-full" band. Holes are missing electrons. This also means that we will have to deal with the transport of carriers in both bands. An atom that loses some of its electrons in the process becomes positively charged and is called a POSITIVE ION.

A uniform electric field is assumed which causes a constant gradient of the conduction and valence band edges as well as a constant gradient of the vacuum level. The gradient of the vacuum level requires some further explaination since the vacuum level is associated with the potential energy of the electrons outside the semiconductor.2. band1. Shown are electrons (red circles) which move against the field and holes (blue circles) which move in the direction of the applied field.12 Energy band diagram in the presence of a uniform electric field. Electrons in the valence band also move in the same direction.2. Electrons therefore move down hill in the conduction band. The electrons in the conduction band are negatively charged particles which therefore move in a direction which opposes the direction of the field. However the gradient of the vacuum level represents the electric field within the semiconductor.the simplified energy band diagram in the presence of an electric field. The total current due to the electrons in the valence band can therefore be written as: (f36) .gif Fig.

We call these particles holes. while the remaining term can be written as: (f38) which states that the current is due to positively charged particles associated with the empty states in the valence band. but rather that the combined behavior of all the electrons which occupy states in the valence band is the same as that of positively charge particles associated with the unoccupied states. However it can be dramatically simplified if only states close to the band edge need to be considered. .where V is the volume of the semiconductor. They move upward in the energy band diagram similar to air bubbles in a tube filled with water which is closed on each end. Keep in mind that there is no real particle associated with a hole. the holes move in the direction of the field (since they are positively charged particles). The sum is taken over all occupied or filled states in the valence band. This expression can be reformulated by first taking the sum over all the states in the valence band and subtracting the current due to the electrons which are actually missing in the valence band. This last term therefore represents the sum taken over all the empty states in the valence band. q is the electronic charge and v is the electron velocity. or: (f37) The sum over all the states in the valence band has to equal zero since electrons in a completely filled band do not contribute to current. As illustrated by the above figure. The reason the concept of holes simplifies the analysis is that the density of states function of a whole band can be rather complex.

An essential assumption in the derivation is that one is dealing with a very large number of particles. Introduction The distribution or probability density functions describe the probability with which one can expect particles to occupy the available energy levels in a given system. This assumption enables to approximate the factorial terms using the Stirling approximation. turns out to be a more meaningful physical variable than the total energy. one must acknowledge the different behavior of different particles. which can be distinguished from the first one. . namely the one associated with the average energy per particle in the distribution.Distribution functions 1. This variable is called the Fermi energy. While the actual derivation belongs in a course on statistical thermodynamics it is of interest to understand the initial assumptions of such derivations and therefore also the applicability of the results. they are indistinguishable. The number of bosons occupying the same energy levels is unlimited. EF. The derivation starts from the basic notion that any possible distribution of particles over the available energy levels has the same probability as any other possible distribution. Maxwellian particles can be distinguished from each other. The derivation then yields the most probable distribution of particles by using the Lagrange method of indeterminate constants.e. Third. In addition. One of the Lagrange constants. Only one Fermion can occupy a given energy level (as described by a unique set of quantum numbers including spin). one takes into account the fact that the total number of particles as well as the total energy of the system has a specific value. Fermions and Bosons all "look alike" i.

4. the Fermi-Dirac distribution. It would seem more acceptable that the distribution function does depend on the density of available states. the Maxwell-Boltzmann distribution and the Bose-Einstein distribution is shown in the figure below.gif Fig.1 Occupancy probability versus energy of the Fermi-Dirac (red curve). 2. since it determines where particles can be in the first place. the Bose-Einstein (green curve) and the Maxwell-Boltzman (blue curve) distribution. which are hard to explain. . distrib.The resulting distributions do have some peculiar characteristics. The fact that the distribution function does not depend on the density of states is due to the assumption that a particular energy level is in thermal equilibrium with a large number of other particles.distrib. First of all the fact that a probability of occupancy can be obtained independent of whether a particular energy level exists or not.xls . The nature of these particles does not need to be described further as long as their number is indeed very large. where the Fermi energy was set equal to zero. A plot of the three distribution functions. The independence of the density of states is very fortunate since it provides a single distribution function for a wide range of systems.

. An Example To better understand the general derivation without going through it.5.5. 2. which is 6 eV more than the minimum possible energy of this system. while the Bose-Einstein distribution diverges at the Fermi energy and has no validity for energies below the Fermi energy. which each can contain two electrons.5. There are 24 possible and different configurations.4.5. . 5. 1. which satisfy these particular constraints.5. where the red dots represent the electrons: occdraw.gif Fig.. 2. 2. we now consider a system with equidistant energy levels at 0.. 3. Six of those configurations are shown in the figure below.All three distribution functions are almost equal for large energies (more than a few kT beyond the Fermi energy). .2 Six of the 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.5. The electrons are Fermions so that they are indistinguishable from each other and no more than two electrons (with opposite spin) can occupy a given energy level. 4. eV. This system contains 20 electrons and we arbitrarily set the total energy at 106 eV. The Fermi-Dirac distribution reaches a maximum of 1 for energies which are a few kT below the Fermi energy.

447 eV or T = 16.1 All 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.4.occtable.gif Table 2. fddist.xls .occprob.gif .A complete list of the 24 configurations is shown in the table below: fddist. The average occupancy of each energy level as taken over all (and equally probable) 24 configurations is compared in the figure below to the expected FermiDirac distribution function.xls . The agreement is surprisingly good considering the small size of this system. A best fit was obtained using a Fermi energy of 9.998 eV and kT = 1.800 K.

l and s. The states with the lowest energy are filled first. 3. followed by the next higher ones. The Fermi function which describes this behavior.. .998 eV. A unique characteristic of Fermions is that they obey the Pauli exclusion principle which states that only one Fermion can occupy a state which is defined by its set of quantum numbers n. At absolute zero temperature (T = 0 K). 2.. All such particles also happen to have a half-integer spin. As these particles are added to an energy band. The Fermi-Dirac distribution function The Fermi-Dirac probability density function provides the probability that an energy level is occupied by a Fermion which is in thermal equilibrium with a large reservoir. 3/2.k. they will fill the available states in an energy band just like water fills a bucket.Fig.). the energy levels are all filled up to a maximum energy which we call the Fermi level. 5/2 .4. At higher temperature one finds that the transition between completely filled states and completely empty states is gradual rather than abrupt.447 eV and EF= 9. Fermions are by definition particles with half-integer spin (1/2. is given by: (f18) This function is plotted in the figure below.3 Probability versus energy averaged over the 24 possible configurations of the example (red squares) fitted with a Fermi-Dirac function (green curve) using kT = 1. No states above the Fermi level are filled. Electrons as well as holes have a spin 1/2 and obey the Pauli exclusion principle. The definition of Fermions could therefore also be particles which obey the Pauli exclusion principle.

Impurity distribution functions The distribution function of impurities differs from the Fermi-Dirac distribution function although the particles involved are Fermions. This yields a modified distribution function for donors as given by: .xls .fermi. which are more than a few times kT below the Fermi energy. the transition is more gradual at finite temperatures and more so at higher temperatures.fermi. While at T =0 K the Fermi function equals a step function.gif Fig. It equals 1/2 if the energy equals the Fermi energy and decreases exponentially for energies which are a few times kT larger than the Fermi energy. The Fermi function has a value of one for energies. The difference is due to the fact that a filled donor energy level contains only one electron which can have either spin (spin up or spin down) .4. 300 K (blue curve) and 600 K (black curve). 2. while having two electrons with opposite spin occupy this one level is not allowed since this would leave a negatively charge atom which would have a different energy as the donor energy. 4.4 Fermi function at an ambient temperature of 150 K (red curve).

The neutral acceptor contains two electrons with opposite spin. The distribution function for acceptors differs also because of the different possible ways to occupy the acceptor level. which causes this factor to increase to 4 yielding: (f26) 5. In addition. while the doubly positive state is not allowed since this would require a different energy. The Maxwell-Boltzmann distribution function (f28) . one finds that most commonly used semiconductors have a two-fold degenerate valence band. This restriction would yield a factor of 2 in front of the exponential term. the ionized acceptor still contains one electron which can have either spin. The Bose-Einstein distribution function (f27) 6.(f25) The main difference is the factor 1/2 in front of the exponential term.

work and particle energy and the meaning of the Fermi energy. karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Disebut semi atau setengah konduktor. These include thermal equilibrium. ikatannya tidaklah terlalu kuat. Karena hanya ada satu elektron dan jaraknya 'jauh' dari nucleus. Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi. Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian dalam membentuk inti yang disebut nucleus. Semiconductor thermodynamics In order to understand the carrier distribution functions one must be familiar with a variety of thermodynamic concepts. . sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa. Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini. Hanya dengan energi yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya. An ideal electron gas is discussed in more detail as an example Semikonduktor Prinsip Dasar Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda.bahan logam seperti tembaga. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29. besi. transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-). Bahan. berada pada orbit paling luar. These and other related topics are discussed in the section on semiconductor thermodynamics. the difference between the total energy and heat.7.

Namun belakangan. Susunan Atom Semikonduktor Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si). silikon menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8 buah. Germanium (Ge) dan Galium Arsenida (GaAs).ikatan atom tembaga Pada suhu kamar. Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur yang atomnya memiliki 4 elektron valensi. Pasir. Phenomena ini yang dinamakan sebagai arus listrik. kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur . elektron tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Dapat ditebak. Jika diberi tegangan potensial listrik. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada dibumi setelah oksigen (O2). elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama. dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron ini.

Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai. ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas. struktur dua dimensi kristal Silikon Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron valensi. sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya.silikon. sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas. Pada kondisi demikian. Pada suhu yang sangat rendah (0oK). struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada gambar berikut. Struktur atom kristal silikon. Pada suhu kamar. sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. . Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron. bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik.

bahan dopingnya adalah bahan trivalen yaitu unsur dengan ion yang memiliki 3 elektron pada pita valensi.Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen. Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan elektron. Karena ion silikon memiliki 4 elektron. doping atom pentavalen Tipe-P Kalau silikon diberi doping Boron. maka akan didapat semikonduktor tipe-p. dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole). Hole . yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Tipe-N Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Gallium atau Indium. Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n. Untuk mendapatkan silikon tipe-p. Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. Kenyataanya demikian. Dengan doping. mereka memang iseng sekali dan jenius.

semikonduktor memiliki resistansi. Dengan demikian. maka akan didapat sambungan P-N (p-n junction) yang dikenal sebagai dioda. Cara ini dipakai untuk membuat resistor di dalam sebuah komponen semikonduktor.ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron. doping atom trivalen Resistansi Semikonduktor tipe-p atau tipe-n jika berdiri sendiri tidak lain adalah sebuah resistor. . melainkan dari satu bahan (monolitic) dengan memberi doping (impurity material) yang berbeda. kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p. Sama seperti resistor karbon.Pada pembuatannya memang material tipe P dan tipe N bukan disambung secara harpiah. Dioda PN Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan-pakai lem barangkali ya :). Namun besar resistansi yang bisa didapat kecil karena terbatas pada volume semikonduktor itu sendiri.

dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P. Zener. karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor. Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). base dan kolektor.sambungan p-n Jika diberi tegangan maju (forward bias). sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. LED. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. dimana tegangan sisi P lebih besar dari sisi N. forward bias Sebaliknya jika diberi tegangan balik (reverse bias). . elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N mengisi kekosongan elektron (hole) di sisi P. Dioda.

Sebab untuk dapat melepaskan elektron. transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar. Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). Transistor npn dan pnp Akan dijelaskan kemudian. karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). di antara emitor dan kolektor. Transistor ini disebut transistor bipolar. bi = 2 dan polar = kutup.Base selalu berada di tengah. Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil. Bias DC Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda. untuk mendapatkan kualitas suara yang baik. namun konsumsi dayanya sangat besar. disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar. Dalam beberapa aplikasi. .

junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reverse bias). arus elektron transistor npn Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda. Karena kolektor ini lebih positif. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Seperti pada dioda. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor. Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini. aliran elektron bergerak menuju kutup ini.Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat tegangan positif. yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Misalnya tidak ada kolektor. aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik . karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. elektron mengalir dari emiter menuju base. arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis.

arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Dengan kata lain. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah. karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor.(reverse bias). Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju (forward bias). arus hole transistor pnp Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut. elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan. Ini yang dinamakan efek penguatan transistor. fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus hole. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off). melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. berikut adalah terminologi .Pada transistor PNP.

namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik. walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan kolektor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.parameter transistor. arus potensial IC : arus kolektor IB : arus base IE : arus emitor VC : tegangan kolektor VB : tegangan base VE : tegangan emitor VCC : tegangan pada kolektor VCE : tegangan jepit kolektor-emitor VEE : tegangan pada emitor VBE : tegangan jepit base-emitor ICBO : arus base-kolektor VCB : tegangan jepit kolektor-base Perlu diingat. penampang transistor bipolar .

Dari satu bahan silikon (monolitic). Dapat diubah dengan dua cara. kita peroleh karakteristik statik dioda. Terkadang dibuat juga efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah yang dikehendaki. Bila anoda berada pada . beda tegang antara titik a dan b (lihat gambar 1 dan gambar 2) karakteristik statik dioda Karakteristik statik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab) dan arus yang melalui dioda. arus yang melalui dioda. Kurva karakteristik statik dioda merupakan fungsi dari arus ID. yaitu ID.Bila arus dioda ID kita plotkan terhadap tegangan dioda Vab. terhadap tegangan VD. DIODA Kita dapat menyelidiki karakteristik statik dioda. yaitu mengubah VDD. emitor dibuat terlebih dahulu. dengan cara memasang dioda seri dengan sebuah catu daya dc dan sebuah resistor. kemudian base dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor.

VDD = Vab + (I· RL) atau I = -(Vab/RL) + (VDD / RL) Bila hubungan di atas kita lukiskan pada karakteristik statik dioda kita akan mendapatkan garis lurus dengan kemiringan (1/RL). Pada gambar 2 VC disebut cut-in-voltage.tegangan lebih tinggi daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan mendapat bias forward. dan memotong sumbu I pada harga (VDD/RL). . IS arus saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage. Garis ini disebut garis beban (load line). Bila harga VDD diubah. Kita lihat bahwa garis beban memotong sumbu V dioda pada harga VDD yaitu bila arus I=0. maka harga arus ID dan VD dapat kita tentukan sebagai berikut. Bila kita mempunyai karakteristik statik dioda dan kita tahu harga VDD dan RL. Dari gambar 1. Ini ditunjukkan pada gambar 3. Titik potong antara karakteristik statik dengan garis beban memberikan harga tegangan dioda VD(q) dan arus dioda ID(q). Bila VD negatip disebut bias reserve atau bias mundur. maka arus ID dan VD akan berubah pula.

1. Emisi Electron Membahas mengenai cara kerja tabung tak akan karena bisa lepas dari Proses Emisi Electron sesungguhnya cara kerja tabung yang paling mendasar ialah proses emisi elektron dan pengendaliannya. Emisi elektron ialah proses pelepasan elektron dari permukaan suatu substansi atau material yang disebabkan karena elektron elektron tersebut mendapat energi dari luar. Arus ini mempunyai harga kira-kira 1 µA untuk dioda silikon. hal ini disebabkan karena logam banyak memiliki elektron bebas yang selalu bergerak setiap saat.Dengan mengubah harga VDD kita akan mendapatkan garis-garis beban sejajar seperti pada gambar 3. Akan tetapi walaupun daya tarik tesebut tidak . Banyaknya elektron bebas pada logam disebabkan karena daya tarik ini atom logam terhadap elektron. Pengenalan vacuum Tube Pada bagian ini penulis bermaksud mengajak para rekan rekan tube mania untuk ngobrol mengenai prinsip kerja dari Tabung. Dalam realita yang ada proses emisi elektron cenderung terjadi pada logam dibandingkan pada bahan lainnya. yaitu arus saturasi IS. terutama pada elektron yang terletak pada kulit terluar dari atom logam (elektron valensi) tidak terlalu kuat dibandingkan yang terjadi pada bahan lainnya. Bila VDD<0 dan |VDD| < VPIV maka arus dioda yang mengalir adalah kecil sekali.

sehingga terjadi proses emisi elektron. Emisi Thermionic Emisi medan listrik Emisi Sekunder Emisi Fotolistrik (Thermionic emission) (Field emission) (Secondary emission) (Photovoltaic emission) 2. dan jenis proses penerimaan energi inilah yang membedakan proses emisi elektron yaitu : 1. energi luar yang masuk ke bahan ialah dalam bentuk energi panas. Agar supaya elektron pada logam bisa melompat keluar melalui permukaan logam. 4. bahan yang digunakan sebagai asal ataupun sumber elektron disebut sebagai "emiter" . maka diperlukanlah sejumlah energi untuk mengatasi daya tarik inti atom terhadap elektron. didefinisikan sebagai Fungsi Kerja (Work Function). Oleh elektron energi panas ini diubah menjadi energi kinetik. Emisi Thermionic Pada emisi jenis ini. Proses penerimaan energi luar oleh elektron agar bisa beremisi dapat terjadi dengan beberapa cara. 3. masihlah cukup untuk menahan elektron agar tidak sampai lepas dari atom logam. Pada situasi inilah akan terdapat elektron yang pada ahirnya terlepas keluar melalui permukaan bahan.Fungsi kerja biasanya dinyatakan dalam satuan eV (electron volt). dengan semakin besarnya kenaikan energi kinetik dari elektron maka gerakan elektron menjadi semakin cepat dan semakin tidak menentu. 2. besarnya fungsi kerja adalah berbeda untuk setiap logam. Besarnya energi yang diperlukan oleh sebuah elektron untuk mengatasi daya tarik inti atom sehingga bisa melompat keluar dari permukaan logam. Semakin besar panas yang diterima oleh bahan maka akan semakin besar pula kenaikan energi kinetik yang terjadi pada elektron. Pada proses emisi thermionic dan juga pada proses emisi lainnya.terlalu kuat.

atau lebih sering disebut "katoda" (cathode). sedangkan bahan yang menerima elektron disebut sebagai anoda. panas yang dibutuhkan untuk memanasi katoda dihasilkan oleh heater element (elemen pemanas) dan panas ini dialirkan secara konduksi dari heater elemen ke katoda dengan perantaraan insulasi listrik. disingkat DHC) b) Katoda panas tak langsung (Indirect Heated Cathode. Struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari IHC dapat dilihat pada Figure 3. disingkat IHC) Pada Figure 2 dapat dilihat struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari DHC. Pada proses emisi thermionik bahan yang akan digunakan sebagai katoda harus memiliki sifat sifat yang memadai untuk berperan dalam proses yaitu : a. Katoda jenis ini tidak dialiri langsung oleh arus heater. pada katoda jenis ini katoda selain sebagai sumber elektron juga dialiri oleh arus heater (pemanas). Memiliki fungsi kerja yang rendah. Dalam proses emisi thermionik dikenal dua macam jenis katoda yaitu : a) Katoda panas langsung (Direct Heated Cathode. Dalam konteks tabung hampa (vacuum tube) anoda lebih sering disebut sebagai "plate". yaitu bahan yang baik dalam menghantarkan panas tetapi tidak mengalirkan arus listrik. dengan fungsi kerja yang rendah maka energi yang dibutuhkan .

b. sehingga agar supaya katoda tidak mengalami deformasi maka bahan dari katoda harus memiliki mechanical strenght yang tinggi. Tungsten Material ini adalah material yang pertama kali digunakan orang untuk membuat katode. Pada proses emisi thermionic katoda harus dipanaskan pada suhu yang cukup tinggi untuk memungkinkan terjadinya lompatan elektron. Akan tetapi untuk aplikasi yang umum terutama untuk aplikasi Tabung Audio dimana tegangan kerja dan temperature . sehingga tungsten banyak digunakan untuk aplikasi khas yaitu tabung X-Ray yang bekerja pada tegangan sekitar 5000V dan temperature tinggi. Memiliki ketahanan mekanik (mechanical strenght) yang tinggi Pada saat terjadinya emisi maka terjadi pula lompatan ion positif dari plate menuju ke katoda. yaitu : 3. C. dan suhu ini bisa mencapaai 1500 derajat celcius. Pada aplikasi yang sesungguhnya ada tiga jenis material yang digunakan untuk membuat katoda.untuk menarik elektron menjadi lebih kecil sehingga proses emisi lebih mudah terjadi. Tungsten memiliki dua kelebihan untuk digunakan sebagai katoda yaitu memiliki ketahanan mekanik dan juga titik lebur yang tinggi (sekitar 3400 derajat Celcius). Lompatan ion positif tersebut oleh katoda akan dirasakan sebagai benturan. Memiliki titik lebur (melting point) yang tinggi.

5. Thorium adalah material yang secara individual memiliki fungsi kerja 3. campuran antara thorium dan tungsten memiliki fungsi kerja 2.4 eV. Katoda berlapis oksida (Oxide-Coated Cathode) Katoda tipe ini terbuat dari lempengan nickel yang dilapis dengan barium dan oksida strontium. Thoriated Tungsten Material ini ialah campuran antara tungsten dan thorium.52 eV) dan juga temperature kerja optimal yang cukup tinggi (sekitar 2200 derajat celcius) 4. yaitu suatu nilai fungsi kerja yang lebih rendah dibandingan dengan fungsi kerja tungsten ataupun thorium dalam keadaan tidak dicampur. Katoda jenis ini umumnya digunakan untuk aplikasi yang menggunakan tegangan tidak lebih dari 1000 V. Emisi Medan Listrik (Field Emission) Pada emisi jenis ini yang menjadi penyebab lepasnya elektron dari . hal ini disebabkan karena tungsten memiliki fungsi kerja yang tinggi( 4. Selain itu hasil pencampuran kedua logam tersebut memiliki temperature kerja optimal yang lebih rendah daripada tungsten yaitu 1700 derajat celcius hal ini berarti besarnya energi yang dibutuhkan untuk pemanasan pada aplikasi pemakaian logam campuran ini juga lebih rendah. 5. Sebagai hasil dari pelapisan tersebut maka dihasilkanlah katoda yang memiliki fungsi kerja yang dan temperature kerja optimal rendah yaitu sekitar 750 derajat celsius.tidak terlalu tinggi maka tungsten bukan material yang ideal.63eV.

6. Emisi Sekunder ( Secondary emission) Pada emisi sekunder ini energi yang menjadi penyebab lepasnya elektron datang dalam bentuk energi mekanik yaitu energi yang diberikan dalam proses tumbukan antara elektron luar yang datang dengan elektron yang ada pada katoda. Pada proses tumbukan terjadi pemindahan sebagian energi kinetik dari elektron yang datang ke elektron yang ada pada katoda sehingga elektron yang ada pada katoda tersebut terpental keluar dari permukaan katoda.bahan ialah adanya gaya tarik medan listrik luar yang diberikan pada bahan. Pada kenyataannya proses emisi sekunder tidak dapat berlangsung sukses dengan sendirinya untuk melepaskan elektron dari permukaan akan tetapi proses emisi ini masih membutuhkan dukungan dari emisi jenis lainnya secara bersamaan yaitu emisi medan listrik. Pada katoda yang digunakan pada proses emisi ini dikenakan medan listrik yang cukup besar sehingga tarikan yang terjadi dari medan listrik pada elektron menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk lompat keluar dari permukaan katoda. karena walaupun elektron sudah terpental keluar dari permukaan katoda akan tetapi energi yang dimiliki oleh elektron ini seringkali tidak cukup untuk . Emisi medan listrik adalah salah satu emisi utama yang terjadi pada vacuum tube selain emisi thermionic. Dukungan proses emisi medan listrik dibutuhkan pada proses emisi sekunder.

Sama seperti proses emisi sekunder emisi fotolistrik juga tidak dapat berjalan dengan sempurna tanpa bantuan proses emisi medan listrik. Emisi Fotolistrik (Photo Electric Emission) Pada emisi fotolistrik energi diberikan ke elektron pada katoda melalui foton yaitu paket paket energi cahaya. Ada beberapa jenis vacuum tube yang umum digunakan yaitu .Trioda . Yang dimaksud dengan vacuum tube ialah peralatan elektronik dimana aliran elektron terjadi pada ruang hampa. yang oleh elektron kemudian diubah menjadi energi mekanik sehingga elektron tersebut dapat terlepas dari permukaan katoda.Dioda . 7. hal ini disebabkan karena energi yang didapat oleh elektron dari foton belum cukup untuk membuat elektron tersebut mampu menjangkau anoda.menjangkau anoda sehingga dibutuhkanlah dukungan energi dari proses emisi medan listrik. Sampai pada bagian ini kita baru saja meyelesaikan obrolan kita mengenai emisi electron dan sekarang obrolan akan kita lanjutkan ke pembahasan mengenai vacuum tube dan cara kerjanya.

Hubungan p-n tanpa catu . Pencampuran dengan pemanasan pada temperature tinggi dlm waktu singkat.Tetroda .Pentoda REFERENSI “Elektronika : teori dasar dan penerapannya”. rapat pencampuran berubah secara linier menurut jarak menjauh dari hubungan. Dalam hubungan berangsur-linier. hubungan berangsur-linier Hubungan berangsur-tangga.. hubungan berangsur-tangga atau ii. rapat pencampuran akseptor atau donor dalam semikondktor tetap sampai mencapai hubungan. 1986” Dioda Hubungan Hubungan p-n Lihat gambar diatas i. Terbentuk dg menarik kristal tunggal dari lelehan germanium yang pd saat dimulai proses sudah berisi pencampuran dari satu jenis. jilid 1. Bandung: Penerbit ITB.

Daerah P terdiri dari elektron sbg pembawa minoritas dan daerah n berisi lubang sebagai pembawa minoritas. Hubungan akan mengalir arus besar. Karena ada medan halangan lewat hubungan. Hubungan p-n yang dicatu Jika + batere dihub ke sisi jenis p dan – batere ke sisi jenis n. Krn itu gerakan pembawa minoritas membentuk aliran arus. mereka dinama muatan tidak tercakup. perpindahan elektron dari sisi n ke sisi p memerlukan sejumlah energi yang dinamakan energi halangan (barrier) (Eb). Jumlah energinya sama kalau lobang dari daerah p berpindah ke daerah n. Tebal daerah kosong sekitar 0. Setelah melewati hubungan mereka bergabung dg membiarkan ion-ion tidak bergerak disekelilingnya tidak ternetralkan. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu maju (forward biased). Potensial halangan ekivalen VB diberikan oleh Eb=eVB berdasarkan energi halangan tergantung pada lebar daerah tidak tercakup. Medan ini melawan gerakan difusi elektron dan lubang lewat hubungan. Medan halangan berperan sehingga elektron dari sisi p dan lubang dari sisi n dg mudah melewati hubungan.Lihat gambar atas Elektron berdifusi lewat hubungan ke kiri dan lobang-lobang berdifusi ke kanan. Diagram pita energi dari hubungan p-n tanpa dicatu. lihat gambar bawah. . Medan ini diarahkan dari sisi n ke sisi p dan dinamakan medan halangan.5 mikrometer. yang menghasilkan medan listrik lewat hubungan.

Gaya ini mengakibatkan lubang dan electron bergerak menuju hubungan. Akibatnya lebar muatan tidak tercakup berkurang dan halangan berkurang. Penyearah adalah suatu rangkaian yang berfungsi untuk mengubah tegangan bolak-balik menjadi tegangan searah.7 volt. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu balik (reverse biased).gambar samping kiri. Penyearah dengan dioda mengikuti sifat dioda yang akan menghantar pada satu arah dengan drop tegangan yang kecil yaitu sebesar 0. Pendahuluan Penggunaan dioda yang paling umum adalah sebagai penyearah . PENYEARAH 1. Sifat-sifat diatas cocok untuk penyearahan. yakni energi halangannya. Hubungan p-n dicatu maju Gambar lihat samping kanan Tegangan catu maju mengakibatkan gaya pada lubang di sisi jenis p dan pada electron di sisi jenis n. Ada dua type rangkaian penyearah dengan menggunakan dioda yaitu penyearah gelombang penuh dan penyearah setengah gelombang yang mana kedua rangkaian tersebut akan diuji pada praktikum . Hubungan akan mengalir arus kecil.Jika dibalik +batere ke sisi n dan –batere ke sisi p.

2 dimana arus dari keluaran rangkaian penyearah selain akan melewati beban juga akan mengisi kapasitor sehingga pada saat tegangan hasil penyearahan mengalami penurunan maka kapasitor akan membuang muatannya kebeban dan tegangan beban akan tertahan sebelum mencapai nol. Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan Untuk mendapatkan suatu tegangan DC yang baik dimana bentuk tegangan hasil penyearahan adalah mendekati garis lurus maka tegangan keluaran dari suatu rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar 1.2. Penyearah Setengah Gelombang A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 2. T adalah periode .1.1 dihubungkan dengan suatu kapasitor secara paralel terhadap beban seperti pada gambar 1. (T / C) Dimana Idc dalam hal ini adalah tegangan keluaran dibagi dengan R beban. Hal ini dapat dijelaskan pada gambar berikut: Hasil penyearahan yang tidak ideal akan mengakibatkan adanya ripple seperti terlihat pada gambar diatas dimana tegangan ripple yang dihasilkan dapat ditentukan oleh persamaan berikut : Ripple (peak to peak) = Idc .

1.tegangan ripple (detik) dan C adalah nilai kapasitor (Farad) yang digunakan. Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - . Penyearah Gelombang Penuh 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 3. A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - 3.

Simbol dioda zener adalah seperti pada gambar 2. Pendahuluan Sebagian dioda semikonduktor bila dihubungkan dengan suatu tegangan balik yang cukup akan melakukan suatu arus balik.DIODA ZENER 1. Hal ini tidak ditunjukkan sebelumnya karena biasanya akan merusak dioda. A K 2. Akan tetapi dioda Zener justru adalah suatu dioda yang dirancang untuk bisa melakukan arus balik dengan aman dan dengan drop tegangan hanya beberapa volt saja.1 dimana bentuk simbol tersebut menyerupai dioda biasa kecuali garis melintang pada kepala panah yang digunakan untuk menyatakan sudut karakteristik balik. Karakteristik maju dioda Zener + A 100 Ohm + Supply DC Variabel Zener 12V V V - Voltmeter . Pada arah maju dioda zener berperilaku seperti dioda biasa.

hubungan p-n yang dicatu. pengaruh temperatur pada semikonduktor 7. . semi konduktor murni 4. atom. isolator. konsep elektron. semikonduktor 3. Silahkan ambil dari referensi mana saja dan media apa saja. efek hall. Tolong diketik yang rapi dan menarik dijilid. rekombinasi 5. konduktor. dioda dan hubungan-hubungannya 9. Karakteristik balik dioda Zener Reverse Current (mA) 60 +10V Zener Current 50 40 I 30 Resistor for zener dioda 20 10 V V 5 10 15 Reverse Voltage (b) 0V (a) (c) Tugas perorangan: Buat resume tentang 1. s.3.d. 8. pita energi. semikonduktor tidak murni 6. 2.

each capable of carrying a current. opening and closing an electronic gate many times per second.Transistor The transistor. rapid change in the current passing through the entire component. rapidly replaced the vacuum tube as an electronic signal regulator. The semiconductor material is given special properties by a chemical process called doping. The doping results in a material that either adds extra electrons to the material (which is then called N-type for the extra negative charge carriers) or creates "holes" in the material's crystal structure (which is then called P-type because it results in more positive charge carriers). A transistor consists of three layers of a semiconductor material. CMOS uses two complementary transistors per gate (one with N-type material. Today's computers use circuitry made with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. The component can thus act as a switch. invented by three scientists at the Bell Laboratories in 1947. It's somewhere between a real conductor such as copper and an insulator (like the plastic wrapped around wires). the . The transistor's three-layer structure contains an N-type semiconductor layer sandwiched between P-type layers (a PNP configuration) or a Ptype layer between N-type layers (an NPN configuration). A semiconductor is a material such as germanium and silicon that conducts electricity in a "semi-enthusiastic" way. A transistor regulates current or voltage flow and acts as a switch or gate for electronic signals. A small change in the current or voltage at the inner semiconductor layer (which acts as the control electrode) produces a large.

When one transistor is maintaining a logic state." Jenis Transistor Berbagai macam Transistor (Dibandingkan dengan pita ukur centimeter) Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat. modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. transistor memiliki 3 terminal. transistor digunakan dalam amplifier (penguat). memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Transistors are the basic elements in integrated circuits (ICs).other with P-type material). stabilisasi tegangan. Rangkaian analog melingkupi . Pada umumnya. dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET). pemotong (switching). Dalam rangkaian analog. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik. which consist of very large numbers of transistors interconnected with circuitry and baked into a single silicon microchip or "chip. it requires almost no power. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya.

konduksi arus akan mulai mengalir.pengeras suara. memori. Arsenik akan bebas dan hasilnya memberikan elektron memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. karena pembawa muatanya tidak bebas. sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif. dengan sebuah proses yang dinamakan doping. Dalam rangkaian-rangkaian digital. dan komponen-komponen lainnya. Dalam kasus ini. seperti Arsenik. namun jika sedikit pencemar ditambahkan. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor. sedangkan Silikon hanya 4. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator. namun tidak banyak. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya. karena . Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi. misalkan sebuah gelas berisi air murni. ion) terbentuk. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate. Cara Kerja Semikonduktor Pada dasarnya. Garam dapur sendiri adalah nonkonduktor (isolator). Sehingga. karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers. tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). dan penguat sinyal radio. dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen). Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya. transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa. keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). air murni dianggap sebagai isolator. sumber listrik stabil.

dalam ukuran satu berbanding seratus juta. Dalam sebuah transistor bipolar.pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. sehingga tanpa adanya gaya yang lain. tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). asalkan tata-letak kristal Silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah metal. populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi. pembawapembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n). pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor. pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Karena itu. pembawa muatan positif). akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil. Selain dari itu. dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya. satu . Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak. Dalam tabung hampa. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipen dibuat dalam satu keping Silikon. pembawa muatan yang baru. karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. dinamakan "lubang" (hole. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. Silikon dapat dicampur dengn Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p.

Dengan kata lain. tegangan ini sangat tinggi. pada awalnya ada dua tipe dasar transistor.pembawa muatan untuk setiap atom. dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas . Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik. Cara Kerja Transistor Dari banyak tipe-tipe transistor modern. listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan). untuk merubah metal menjadi isolator. bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET). namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Sedangkan dalam semikonduktor. bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon. Dalam metal. yang masing-masing bekerja secara berbeda. listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Namun. oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan. Untuk membuat transistor. pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. seperti fluida. yaitu elektron atau lubang. Dalam metal. sedangkan metal tidak. Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan.

Jenis-Jenis Transistor Pchannel PNP NPN Nchannel BJT JFET Simbol Transistor dari Berbagai Tipe Secara umum.pembawa muatan: elektron dan lubang. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole. tergantung dari tipe FET). Dalam BJT. arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). untuk merubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. untuk membawa arus listrik. dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut. arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone. Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan. Dalam FET. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori: .

Saklar. dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. Through Hole Plastic. IGBT. Surface Mount. dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel.• • • • • • • Materi semikonduktor: Germanium. Microwave. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Medium. FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Medium Power. sehingga ada tiga terminal. PNP atau Pchannel Maximum kapasitas daya: Low Power. High Power Maximum frekwensi kerja: Low. MISFET. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet. dan lain-lain Tipe: UJT. General Purpose. Silikon. IGFET (MOSFET). JFET. Berbeda dengan IGFET. kolektor (C). HBT. BJT. dan basis (B). Tegangan Tinggi. atau High Frequency. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau hFE. VMOSFET. HEMT. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. terminal gate dalam JFET membentuk sebuah . Audio. IC. MESFET. RF transistor.

Operational Amplifier Karakteristik Op-Amp . aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk kedua mode. jika tegangan gate dibuat lebih positif.dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). keduanya memiliki impedansi input tinggi. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode. dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. Untuk P-channel FET. dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode. gate adalah positif. ini membuat Nchannel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum. Dan juga. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode". yang juga membentuk sebuah dioda antara antara grid dan katode. polaritas-polaritas semua dibalik. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. gate adalah negatif dibandingkan dengan source. sedangkan dalam enhancement mode. Secara fungsinya.

dalam sekejap (atau dua kejap) sebuah pre-amp audio kelas B sudah dapat jadi dirangkai di atas sebuah proto-board. dimana tegangan output-nya adalah proporsional terhadap perbedaan tegangan antara kedua inputnya itu. differensiator. penguat audio. osilator. histeresis pengatur suhu. selalu pilihan yang mudah adalah dengan membolak-balik data komponen yang bernama opamp. penguat mic. komparator dan sederet aplikasi lainnya. Penguat diferensial seperti yang ditunjukkan pada gambar-1 merupakan rangkaian dasar dari sebuah opamp. Hanya dengan menambah beberapa resitor dan potensiometer. op-amp adalah komponen IC yang memiliki 2 input tegangan dan 1 output tegangan. filter aktif semisal tapis nada bass. Komponen elektronika analog dalam kemasan IC (integrated circuits) ini memang adalah komponen serbaguna dan dipakai pada banyak aplikasi hingga sekarang. integrator. Penguat diferensial Op-amp dinamakan juga dengan penguat diferensial (differential amplifier).kalau perlu mendesain sinyal level meter. Sesuai dengan istilah ini. mixer. pembangkit sinyal. konverter sinyal. .

Diagram Op-amp Op-amp di dalamnya terdiri dari beberapa bagian. Titik input v1 dikatakan sebagai input non-iverting.gambar-1 : penguat diferensial Pada rangkaian yang demikian. persamaan pada titik Vout adalah Vout = A(v1-v2) dengan A adalah nilai penguatan dari penguat diferensial ini. gambar-2 (a) : Diagram blok Op-Amp . lalu ada tahap penguatan (gain). selanjutnya ada rangkaian penggeser level (level shifter) dan kemudian penguat akhir yang biasanya dibuat dengan penguat push-pull kelas B. Gambar-2(a) berikut menunjukkan diagram dari op-amp yang terdiri dari beberapa bagian tersebut. yang pertama adalah penguat diferensial. sebab tegangan vout satu phase dengan v1. Sedangkan sebaliknya titik v2 dikatakan input inverting sebab berlawanan phasa dengan tengangan vout.

LM741 buatan National Semiconductor. tiap pabrikan mengeluarkan seri IC dengan insial atau nama yang berbeda.gambar-2 (b) : Diagram schematic simbol Op-Amp Simbol op-amp adalah seperti pada gambar-2(b) dengan 2 input. Sedangkan AOL adalah nilai penguatan open loop dan nilai idealnya tak terhingga. Tergantung dari teknologi pembuatan dan desain IC-nya. Rin adalah resitansi input yang nilai idealnya infinit (tak terhingga). Misalnya dikenal MC1741 dari motorola. Umumnya op-amp bekerja dengan dual supply (+Vcc dan –Vee) namun banyak juga op-amp dibuat dengan single supply (Vcc – ground). . Untuk tipe yang sama. karakteristik satu op-amp dapat berbeda dengan opamp lain. Rout adalah resistansi output dan besar resistansi idealnya 0 (nol). Simbol rangkaian di dalam op-amp pada gambar-2(b) adalah parameter umum dari sebuah op-amp. Saat ini banyak terdapat tipe-tipe op-amp dengan karakterisktik yang spesifik. Op-amp standard type 741 dalam kemasan IC DIP 8 pin sudah dibuat sejak tahun 1960-an. SN741 dari Texas Instrument dan lain sebagainya. Tabel-1 menunjukkan beberapa parameter op-amp yang penting beserta nilai idealnya dan juga contoh real dari parameter LM714. non-inverting (+) dan input inverting (-).

Pada bab berikutnya akan dibahas bagaimana umpan balik bisa membuat sistem penguatan op-amp menjadi stabil. Unity-gain frequency Op-amp ideal mestinya bisa bekerja pada frekuensi berapa saja mulai dari sinyal dc sampai frekuensi giga Herzt. Input diferensial yang amat kecil saja sudah dapat membuat outputnya menjadi saturasi. sistem penguatan opamp menjadi tidak stabil.tabel-1 : parameter op-amp yang penting Penguatan Open-loop Op-amp idealnya memiliki penguatan open-loop (AOL) yang tak terhingga. Parameter AOL biasanya adalah penguatan op-amp pada sinyal DC. Sebenarnya dengan penguatan yang sebesar ini. Parameter unity-gain frequency menjadi penting jika op-amp digunakan untuk aplikasi dengan frekuensi tertentu. Response penguatan op-amp menurun seiring dengan menaiknya frekuenci sinyal input.000 kali. Op-amp LM741 misalnya memiliki unity-gain frequency sebesar 1 MHz. Ini berarti penguatan op-amp akan menjadi 1 kali pada frekuensi 1 MHz. Namun pada prakteknya opamp semisal LM741 memiliki penguatan yang terhingga kira-kira 100. Jika perlu merancang .

op-amp LM741 memiliki slew-rate sebesar 0. Op-amp dasarnya adalah penguat diferensial dan mestinya tegangan input yang dikuatkan hanyalah selisih tegangan antara input v1 (non-inverting) dengan input v2 (inverting). maka artinya perbandingannya kira-kira hanya 30 kali. Kalau CMRR-nya 30 dB. Parameter ini cukup penting untuk menunjukkan kinerja op-amp tersebut. Karena ketidak-idealan op-amp.5V/us. maka pilihlah op-amp yang memiliki unity-gain frequency lebih tinggi.aplikasi pada frekeunsi tinggi. Slew rate Di dalam op-amp kadang ditambahkan beberapa kapasitor untuk kompensasi dan mereduksi noise. Parameter CMRR Ada satu parameter yang dinamakan CMRR (Commom Mode Rejection Ratio). maka outputnya juga kotak. Sebagai contoh praktis. maka tegangan persamaan dari kedua input ini ikut juga dikuatkan.000 kali dibandingkan penguatan ACM (commom mode). maka sinyal output dapat berbentuk ekponensial. CMRR didefenisikan dengan rumus CMRR = ADM/ACM yang dinyatakan dengan satuan dB. Ini berarti perubahan output op-amp LM741 tidak bisa lebih cepat dari 0. Contohnya op-amp dengan CMRR = 90 dB. Parameter CMRR diartikan sebagai kemampuan op-amp untuk menekan penguatan tegangan ini (common mode) sekecilkecilnya. Sehingga jika input berupa sinyal kotak.5 volt dalam waktu 1 us. ini artinya penguatan ADM (differential mode) adalah kira-kira 30. Tetapi karena ketidak idealan op-amp. Kalau . Namun kapasitor ini menimbulkan kerugian yang menyebabkan response op-amp terhadap sinyal input menjadi lambat. Op-amp ideal memiliki parameter slew-rate yang tak terhingga.

current limmiter. ya ada di datasheet. open colector output. integrator dan differensiator. op-amp dengan CMRR yang semakin besar akan semakin baik.diaplikasikan secara real. dimana rangkaian feedback . Cara yang paling baik pada saat mendesain aplikasi dengan op-amp adalah dengan melihat dulu karakteristik opamp tersebut. Contoh lain misalnya TL072 dan keluarganya sering digunakan untuk penguat audio. Saat ini banyak op-amp yang dilengkapi dengan kemampuan seperti current sensing. Pembaca dapat mengerti dengan CMRR yang makin besar maka op-amp diharapkan akan dapat menekan penguatan sinyal yang tidak diinginkan (common mode) sekecil-kecilnya. misalkan tegangan input v1 = 5. LM714 termasuk jenis op-amp yang sering digunakan dan banyak dijumpai dipasaran. non-inverter. maka output op-amp mestinya nol. Pada pokok bahasan kali ini akan dipaparkan beberapa aplikasi opamp yang paling dasar. Analisa Rangkaian Op-Amp Popular Operational Amplifier atau di singkat op-amp merupakan salah satu komponen analog yang popular digunakan dalam berbagai aplikasi rangkaian elektronika.05 volt dan tegangan v2 = 5 volt. maka dalam hal ini tegangan diferensialnya (differential mode) = 0. Aplikasi op-amp popular yang paling sering dibuat antara lain adalah rangkaian inverter. Dengan kata lain. Data karakteristik op-amp yang lengkap. rangkaian kompensasi temperatur dan lainnya. Di pasaran ada banyak tipe op-amp. Jika kedua pin input dihubung singkat dan diberi tegangan. Tipe lain seperti LM139/239/339 adalah opamp yang sering dipakai sebagai komparator. high power output dan lain sebagainya.05 volt dan tegangan persamaan-nya (common mode) adalah 5 volt. Ada juga op-amp untuk aplikasi khusus seperti aplikasi frekuesi tinggi.

. sehingga op-amp dapat dirangkai menjadi aplikasi dengan nilai penguatan yang terukur (finite). sehingga mestinya arus input pada tiap masukannya adalah 0. memiliki karakteristik tipikal open loop gain sebesar 104 ~ 105. Penguatan yang sebesar ini membuat opamp menjadi tidak stabil.adalah nol (v+ . Secara umum.v. Ada dua aturan penting dalam melakukan analisa rangkaian op-amp berdasarkan karakteristik op-amp ideal. yaitu : Aturan 1 : Perbedaan tegangan antara input v+ dan v.) Aturan 2 : Arus pada input Op-amp adalah nol (i+ = i= 0) Inilah dua aturan penting op-amp ideal yang digunakan untuk menganalisa rangkaian op-amp. Op-amp ideal memiliki open loop gain (penguatan loop terbuka) yang tak terhingga besarnya. op-amp LM741 memiliki impedansi input Zin = 106 Ohm. Nilai impedansi ini masih relatif sangat besar sehingga arus input op-amp LM741 mestinya sangat kecil. umpanbalik positif akan menghasilkan osilasi sedangkan umpanbalik negatif menghasilkan penguatan yang dapat terukur. dan penguatannya menjadi tidak terukur (infinite).(umpan balik) negatif memegang peranan penting. Impedasi input op-amp ideal mestinya adalah tak terhingga. Aturan ini dalam beberapa literatur dinamakan golden rule. Input (masukan) op-amp seperti yang telah dimaklumi ada yang dinamakan input inverting dan non-inverting.= 0 atau v+ = v. Op-amp ideal Op-amp pada dasarnya adalah sebuah differential amplifier (penguat diferensial) yang memiliki dua masukan. Disinilah peran rangkaian negative feedback (umpanbalik negatif) diperlukan. Seperti misalnya op-amp LM741 yang sering digunakan oleh banyak praktisi elektronika. Sebagai perbandingan praktis.

maka akan dipenuhi v. atau v+ = 0. Kemudian dengan menggunakan aturan 2. dapat dihitung tegangan jepit pada R1 adalah vin – v..= vout.= 0.pada rangkaian ini dinamakan virtual ground. atau vout/vin = . Dengan fakta ini.= v+ = 0. pembaca tentu sudah menduga bahwa fase keluaran dari penguat inverting ini akan selalu berbalikan dengan inputnya. arus masukan op-amp adalah 0. gambar 1 : penguat inverter Input non-inverting pada rangkaian ini dihubungkan ke ground. input opamp v. umpanbalik negatif di bangun melalui resistor R2. Pada rangkaian ini. Dengan mengingat dan menimbang aturan 1 (lihat aturan 1). di ketahui bahwa : iin + iout = i. Seperti tersirat pada namanya.. dimana sinyal masukannya dibuat melalui input inverting..Inverting amplifier Rangkaian dasar penguat inverting adalah seperti yang ditunjukkan pada gambar 1. Karena nilainya = 0 namun tidak terhubung langsung ke ground.R2/R1 .vin/R1 . iin + iout = vin/R1 + vout/R2 = 0 Selanjutnya vout/R2 = .= vin dan tegangan jepit pada reistor R2 adalah vout – v. karena menurut aturan 2.

Karena input inverting (-) pada rangkaian ini diketahui adalah 0 (virtual ground) maka impendasi rangkaian ini tentu saja adalah Zin = R1. penguat ini memiliki masukan yang dibuat melalui input non-inverting.Jika penguatan G didefenisikan sebagai perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan. Dengan demikian tegangan keluaran rangkaian ini akan satu fasa dengan tegangan inputnya. Seperti namanya. Untuk menganalisa rangkaian penguat op-amp non inverting. maka dapat ditulis …(1) Impedansi rangkaian inverting didefenisikan sebagai impedansi input dari sinyal masukan terhadap ground. Non-Inverting amplifier Prinsip utama rangkaian penguat non-inverting adalah seperti yang diperlihatkan pada gambar 2 berikut ini. caranya sama seperti menganalisa rangkaian inverting. gambar 2 : penguat non-inverter .

maka didapat penguatan op-amp non-inverting : … (2) Impendasi untuk rangkaian Op-amp non inverting adalah impedansi dari input non-inverting op-amp tersebut.= vin. hanya . Hukum kirchkof pada titik input inverting merupakan fakta yang mengatakan bahwa : iout + i(-) = iR1 Aturan 2 mengatakan bahwa i(-) = 0 dan jika disubsitusi ke rumus yang sebelumnya. Integrator Opamp bisa juga digunakan untuk membuat rangkaian-rangkaian dengan respons frekuensi. Rangkaian dasar sebuah integrator adalah rangkaian op-amp inverting..= vin ... yang berarti arus iR1 = vin/R1.Dengan menggunakan aturan 1 dan aturan 2. Dari datasheet. Dari sini ketahui tegangan jepit pada R2 adalah vout – v. Salah satu contohnya adalah rangkaian integrator seperti yang ditunjukkan pada gambar 3. LM741 diketahui memiliki impedansi input Zin = 108 to 1012 Ohm. Lalu tegangan jepit pada R1 adalah v.= vout – vin. misalnya rangkaian penapis (filter). atau iout = (vout-vin)/R2. kita uraikan dulu beberapa fakta yang ada.. maka diperoleh iout = iR1 dan Jika ditulis dengan tegangan jepit masing-masing maka diperoleh (vout – vin)/R2 = vin/R1 yang kemudian dapat disederhanakan menjadi : vout = vin (1 + R2/R1) Jika penguatan G adalah perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan. lihat aturan 1. antara lain : vin = v+ v+ = v.

v. Sesuai dengan nama penemunya. akan diperoleh persamaan : iin = iout = vin/R = -C dvout/dt. . karena secara matematis tegangan keluaran rangkaian ini merupakan fungsi integral dari tegangan input. Prinsipnya sama dengan menganalisa rangkaian opamp inverting. Aplikasi yang paling populer menggunakan rangkaian integrator adalah rangkaian pembangkit sinyal segitiga dari inputnya yang berupa sinyal kotak. atau dengan kata lain . rangkaian yang demikian dinamakan juga rangkaian Miller Integral.= 0 iin = iout .= 0 (aturan1) iout = -C d(vout – v-)/dt = -C dvout/dt.saja rangkaian umpanbaliknya (feedback) resistor melainkan menggunakan capasitor C. (aturan 2) Maka jika disubtisusi. bukan gambar 3 : integrator Mari kita coba menganalisa rangkaian ini.(3) Dari sinilah nama rangkaian ini diambil.. dimana v. Dengan menggunakan 2 aturan opamp (golden rule) maka pada titik inverting akan didapat hubungan matematis : iin = (vin – v-)/R = vin/R ..

Dengan analisa rangkaian integral serta notasi Fourier. penguatan akan semakin kecil (meredam) jika frekuensi sinyal input semakin besar. rangkaian feedback integrator mesti diparalel dengan sebuah resistor dengan nilai misalnya 10 kali nilai R atau satu besaran tertentu yang diinginkan. yaitu dengan mengingat rumus dasar penguatan opamp inverting G = . Ketika inputnya berupa sinyal dc (frekuensi = 0). Pada prakteknya. Nilai resistor feedback sebesar 10R akan selalu menjamin . Terlihat dari rumus tersebut secara matematis.R2/R1. Jika tanpa resistor feedback seketika itu juga outputnya akan saturasi sebab rangkaian umpanbalik op-amp menjadi open loop (penguatan open loop opamp ideal tidak berhingga atau sangat besar). dimana f = 1/t dan …(4) penguatan integrator disederhanakan dengan rumus tersebut dapat …(5) Sebenarnya rumus ini dapat diperoleh dengan cara lain. kapasitor akan berupa saklar terbuka. Pada rangkaian integrator (gambar 3) tersebut diketahui Dengan demikian dapat diperoleh penguatan integrator tersebut seperti persamaan (5) atau agar terlihat respons frekuensinya dapat juga ditulis dengan …(6) Karena respons frekuensinya yang demikian. rangkain integrator ini merupakan dasar dari low pass filter.

akan diperoleh persamaan penguatannya : …(7) Rumus ini secara matematis menunjukkan bahwa tegangan keluaran vout pada rangkaian ini adalah differensiasi dari tegangan input vin. maka outputnya akan mengahasilkan sinyal kotak. gambar 4 : differensiator Bentuk rangkain differensiator adalah mirip dengan rangkaian inverting. maka akan diperoleh rangkaian differensiator seperti pada gambar 4. Dengan analisa yang sama seperti rangkaian integrator. Contoh praktis dari hubungan matematis ini adalah jika tegangan input berupa sinyal segitiga. Sehingga jika berangkat dari rumus penguat inverting dan pada rangkaian differensiator diketahui : G = -R2/R1 . Differensiator Kalau komponen C pada rangkaian penguat inverting di tempatkan di depan.output offset voltage (offset tegangan keluaran) sebesar 10x sampai pada suatu frekuensi cutoff tertentu.

Dengan cara ini akan diperoleh penguatan 1 (unity gain) pada nilai frekuensi cutoff tertentu. nilainya sama dengan sepersejuta meter (10-6 m). Satu nano gram (1 ng) nilainya sama dengan seper satu milyar gram (10-9 g). Pada prakteknya ada beberapa hal yang mesti diperhatikan dan ditambahkan pada rangkaian opamp. Untuk praktisnya. Tegangan Ofset (Offset voltage). Sedang nano (n) menunjukkan nilai seper satu milyar (10-9). Satu mikrometer (1mm) misalnya. atau . dimana besar penguatan berbanding lurus dengan frekuensi. sistem seperti ini akan menguatkan noise yang umumnya berfrekuensi tinggi. Dari Mikro ke Nano Orde mikro (m) dalam satuan menunjukkan nilai sepersejuta (10-6). Namun demikian. rangkain ini dibuat dengan penguatan dc sebesar 1 (unity gain). Orde mikro adalah 1000 kali lebih besar dibandingkan orde nano. Biasanya kapasitor diseri dengan sebuah resistor yang nilainya sama dengan R.maka jika besaran ini disubtitusikan akan didapat rumus penguat differensiator …(8) Dari hubungan ini terlihat sistem akan meloloskan frekuensi tinggi (high pass filter). Penutup Uraian diatas adalah rumusan untuk penguatan opamp ideal. Umumnya ketidak ideal-an opamp dan bagaimana cara mengatasinya diterangkan pada datasheet opamp dan hal ini spesifik untuk masing-masing pabrikan. Arus offset (offset current) dan lain sebagainya. Antara lain. Arus Bias (Bias Current).

tetapi transistor . transistor tidak hanya mengubah secara mencolok berbagai aspek kehidupan moderen. Heisenberg dan lain-lain. Sekitar tahun 1920-an. kemudian dilanjutkan oleh ilmuwan seperti Niels Bohr. Sisi lain yang tak kalah mengejutkan sebagai akibat lahirnya konsep kuantum in adalah lahirnya fisika zat padat oleh F. Penemuan bahan semikonduktor kemudian disusul dengan penemuan komponen elektronik yang disebut transistor. Dari penelitian ini telah ditemukan bahan semikonduktor yang mempunyai sifat listrik antara konduktor dan isolator. bagian terkecil dari suatu materi. Kemajuan riset dalam bidang fisika telah mengantarkan para fisikawan dapat meneliti dan mempelajari berbagai sifat kelistrikan zat padat. Dalam perjalanan berikutnya. hal ini berarti bahwa komponenkomponen elektronik yang digunakan berode nano atau setingkat molekuler. Konsep ini secara fundamental mengubah prinsip kontinuitas energi menjadi konsep diskrit yang benar-benar mengubah fikiran yang sudah berjalan lebih dari satu abad. dan Kopenhagen. Seitz dan fisika semikonduktor oleh J. Berarti pula seribu kali lebih kecil dibandingkan ukuran komponen yang ada dalam mikrochip saat ini. Goudsmith. W. Bardeen di Amerika Serikat. Samuel A. Max Born. Gottingen. berarti di dalam chip elektronik itu terdapat ribuan bahkan jutaan komponen renik berorde mikro. Konsep baru tersebut adalah kuantum mekanika atau kuantum fisika yang semula dipelopori oleh Max Planck dan Albert Einstein.sebaliknya orde nano adalah seperseribu dari orde mikro. Sockley di Inggris dan Love di Rusia pada tahun 1940. Schrodinger. Jika teknologi elektronika kini mulai bergeser dari mikroelektronika ke nanoelektronika.B. Kalau dalam dunia elektronika kita mengenal komponen yang disebut mikrochip. lahir konsep baru di beberapa pusat penelitian fisika di Heidelberg.

Komputer elektronik generasi pertama yang diberi nama ENIAC (Electronic Numerical Integrator And Computer) dikembangkan pada zaman Perang Dunia Kedua dan dipakai untuk menghitung tabel lintasan . Presper Eckert dan John W. Namun teknologi mikroelektronika bukan sekedar menghadirkan produk. Pada tahun 1958. tetapi juga menampilkan produk itu dalam bentuk dan ukuran yang makin lama makin kecil dengan kemampuan kerja yang lebih tinggi. sebesar salah satu kamar di rumah kita. Kemajuan dalam bidang mikroelektronika ini tidak terlepas dari penemuan bahan semikonduktor maupun transistor. Komputer digital berkecepatan tinggi bisa terwujud berkat penggunaan transistor dalam IC yang merupakan kumpulan jutaan transistor renik yang menempati ruangan sangat kecik. karena di dalamnya menggunakan 18 ribu tabung hampa. Transistor dapat dihubungkan pada rangkaian elektronik sebagai komponen terpisah atau dalam bentuk terpadu pada suatu chip. memori dan sistim angka biner.tergolong salah satu dari beberapa penemuan moderen yang memajukan teknologi dengan biaya rendah. Komputer ini berukuran sangat besar. Bentuk dini komputer moderen telah menggunakan elektronika pada rangkaian-rangkaian logika. Komputer yang dibuat oleh J. Kilby (Texas Instrument) dan Robert Noyce (Fairchild) telah memperkenalkan ide rangkaian terpadu monolitik yang dikenal dengan nama IC (integrated circuit). Mauchly itu diberi nama ABC (Atonosoff-Berry Computer) yang diperkenalkan pada tahun 1942. yang semula hanya bisa ditempati oleh sebuah transistor saja. Dapat kita sebut disini sebagai contoh adalah munculnya komputer dan telepon seluler (ponsel). Serba Kecil Berbagai produk monumental dari perkembangan teknologi elektronika hadir di sekeliling kita. insinyur di dua perusahaan elektronik.

Munculnya rangkaian terpadu atau integrated circuit (IC) ternyata telah menggusur dan mengakhiri riwayat keberadaan transistor. Transistor mengkonsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan tabung hampa. Komputer generasi kedua yang telah menggunakan transistor adalah IBM 1401 yang diluncurkan oleh IBM pada tahun 1959. Penggunaan transistor yang mulai mencuat ke permukaan pada tahun '70-an ternyata memiliki beberapa kelebihan dibandingkan tabung hampa elektronik. Pergeseran penting dalam elektronika telah terjadi pada akhir tahun 1940an. Transistor dapat dioperasikan dalam keadaan dingin sehingga tidak perlu waktu untuk pemanasan. yang kemudian disusul dengan penggunaan large scale integration (LSI). Pada tahun 1971. Daya tahan transistor lebih lama dan dapat mencapai beberapa dasawarsa. komputer mikro pertama yang menggunakan mikroprosesor Intel 8080. meluncurkan ALTAIR.peluru dalam kegiatan militer. Sebelumnya juga telah diluncurkan IBM 701 pada tahun 1953 dan IBM 650 pada tahun 1954. MITS Inc. Dalam komputer ini telah menggunakan IC. Transistor mempunyai daya tahan yang tinggi tehadap goncangan dan getaran. Komputer generasi ketiga adalah sistim 360 yang juga diluncurkan oleh IBM. Fungsi tabung-tabung elektronik saat itu mulai digantikan oleh transistor yang dibuat dari bahan semikonduktor. Ukuran transistor jauh lebih kecil dibandingkan tabung hampa. antara lain : • • • • • • Transistor lebih sederhana sehingga dapat diproduksi dengan biaya lebih rendah. dan selanjutnya very large scale integration (VLSI). Komputer elektronik generasi berikutnya dikembangkan dengan .

Mengecilnya ponsel juga didukung oleh kemampuan para ahli dalam mengintegrasikan berbagai komponen baru yang ukurannya lebih kecil seperti mikrochip. Beralih ke Nanoteknologi Perkembangan teknologi telah mengantarkan elektronika beralih dari orde mikro ke nano. hampir mencapai 50 % dalam proses. Kemajuan dalam kedua bidang tersebut menyebabkan kontribusi sain ke dalam teknologi yang sangat besar. baik dalam aspek disain produknya maupun dalam aspek teknologi mikroelektronikanya. Rohrer. kita juga bisa menyaksikan produk elektronik berupa ponsel yang proses miniaturisasinya seakan tak pernah berhenti. penemu tunneling electron microscope dan pemenang hadiah Nobel bidang fisika tahun 1986. yang berarti komponen elektronika kelak dapat dibuat dalam ukuran seribu kali lebih kecil dibandingkan generasi mikroelektronika sebelumnya. yang kemampuannya selalu meningkat seiring dengan perjalanan waktu. meramalkan bahwa mikroelektronika akan segera digantikan oleh nanoelektronika atau . namun dengan kecepatan kerja yang jauh lebih tinggi. kehadiran ponsel selalu mengikuti perkembangan teknologi mikroelektronika sehingga dapat tampil semakin mungil dan lebih multi fungsi dibandingkan generasi sebelumnya. Sebagai anak kandung jagad mikroelektronika.menggunakan mikroprosesor yang makin renik sehingga secara fisik tampil dengan ukuran yang lebih kecil. dan semakin banyak fungsi yang dapat dijalankannya. sehingga teknologi semacam ini disebut HighTechnology. Pada awal tahun '90-an. Pengaruh kemajuan dalam teknologi elektronika ini demikian pesatnya mengubah wajah teknologi dalam bidang telekomunikasi dan automatisasi. Dr. Kini ponsel dengan berbagai fasilitas di dalamnya bisa masuk ke dalam genggaman tangan. Selain pada komputer.

Amerika Serikat. Teknologi ini didasarkan pada kemampuan membuat perangkat elektronika dengan ketelitian setingkat ukuran atom. Molekul-molekul akan dihimpun sehingga membentuk komponen elektronika yang mampu menjalankan tugas tertentu. Eric Drexler. pakar komputer dari Universitas Stanford. K. tentu saja bidang yang paling banyak dipengaruhi adalah dalam disain komputer. Ukuran transistor di masa mendatang akan menjadi sangat kecil berskala atom yang disebut quantum dot.quantum dot. suatu bidang baru teknologi miniatur. Para perintis nanoteknologi. Sedang prof. Suatu ketika di bulam Mei 1988. telah melihat kemungkinan penggunaan materi seukuran molekul untuk membuat komponen elektronika di masa depan. Dalam teknologi ini. mengemukakan tentang peluang pengembangan nanoteknologi di masa mendatang. Dexler menguraikan kemungkinan pembuatan alat seukuran molekul yang proses kerjanya menyerupai molekul dari protein yang menjalankan fungsinya di dalam tubuh manusia. dalam acara konferensi pengembangan antariksa di Pittsburg. Drexler melihat bahwa makhluk hidup merupakan bukti adanya nanoteknologi. Drexler juga meramalkan bahwa zaman nanoteknologi akan dimulai memasuki awal milenium tiga ini. Petel (president UCLA) meramalkan bahwa teknologi photonik akan menggantikan mikroelektronika di awal abad 21 ini. ukuran sirkuit-sirkuit elektronika bisa jadi akan lebih kecil dibandingkan garis tengah potongan rambut atau bahkan seukuran dengan diameter sel darah manusia. Suatu terobosan besar akan terjadi bila para pakar dapat mewujudkan hal tersebut untuk membuat nanokomputer. Feyman pada akhir tahun 1959 juga telah meramalkan akan hadirnya teknologi ini pada abad 21. nanokomputer dapat . Dengan komponen seukuran molekul. Dengan beralih ke nanoteknologi ini.

berkerapatan tinggi. maka komputer generasi pendahulu yang masih menggunakan teknologi mikroelektronika bakal tersingkir. memiliki kontrol yang serba automatik. Kuantum teknologi ini akan mampu menerobos keterbatasan dan kejenuhan mikroelektronika yang ada saat ini. Penelitian yang kini sedang dilakukan oleh para pakar adalah mengembangkan metode penggantian dengan materi protein terhadap molekul. alat memori dan struktur lain yang kini ada di dalam komputer. Jika komputer tersebut telah memasuki pasar. AS. Teknologi ini juga akan membawa dunia kepada ciri-ciri baru dalam perangkat teknologinya. Perusahaan komputer IBM saat ini sedang merancang komputer dengan teknologi kuantum yang disebut kuantum komputer. Komputer ini mampu bekerja ratusan ribu kali lebih cepat dibandingkan mikrokomputer elektronik yang ada saat ini.masuk ke dalam kotak seukuran satu mikrometer. Jacob Hanker. profesor rekayasa biomedik dari Universitas North Caroline. Teknologi baru ini bakal segera mengubah sistim jaringan telekomunikasi di awal milenium tiga ini. kecepatan kerjanya tinggi. telah berhasil melakukan percobaan membuat komponen semikonduktor dengan bahan-bahan biologis. bermulti fungsi. Mesin-mesin elektronik yang dinamai juga kuantum elektronik akan memiliki kemampuan mengolah pulsa yang jauh lebih besar. hemat dalam konsumsi energi dan ramah lingkungan. yaitu : berukuran sangat kecil. .

Muatan positif tidak dapat mengalir menuju ujung kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif tidak bisa menuju ke ujung kutup positif.25 x 1018 elektron. Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum. keramik. Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu bahan dielektrik. Coulombs pada abad 18 menghitung bahwa 1 coulomb = 6. Muatan elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujungujung kakinya. prinsip dasar kapasitor Kapasitansi Kapasitansi didefenisikan sebagai kemampuan dari suatu kapasitor untuk dapat menampung muatan elektron. maka muatan-muatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat yang sama muatan-muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi. phenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya muatan-muatan positif dan negatif di awan. Di alam bebas. gelas dan lain-lain. karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-konduktif.Kapasitor Prinsip dasar dan spesifikasi elektriknya Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan listrik. Kemudian Michael .

. Misalnya 0. Umumnya kapasitor yang ada di pasar memiliki satuan uF (10-6 F).Faraday membuat postulat bahwa sebuah kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika dengan tegangan 1 volt dapat memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs. Dengan rumus dapat ditulis : Q = CV …………….(2) Berikut adalah tabel contoh konstanta (k) dari beberapa bahan dielektrik yang disederhanakan.(1) Q = muatan elektron dalam C (coulombs) C = nilai kapasitansi dalam F (farads) V = besar tegangan dalam V (volt) Dalam praktek pembuatan kapasitor.047uF dapat juga dibaca sebagai 47nF. nF (10-9 F) dan pF (10-12 F). satuan farads adalah sangat besar sekali.85 x 10-12) (k A/t) . kapasitansi dihitung dengan mengetahui luas area plat metal (A). atau contoh lain 0. Udara vakum Aluminium oksida Keramik Gelas Polyethylene k=1 k=8 k = 100 .1000 k=8 k=3 Untuk rangkain elektronik praktis. . Dengan rumusan dapat ditulis sebagai berikut : C = (8.1nF sama dengan 100pF.. jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik) dan konstanta (k) bahan dielektrik. Konversi satuan penting diketahui untuk memudahkan membaca besaran sebuah kapasitor.

polyprophylene. Kapasitor Electrostatic Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan dielektrik dari keramik. magnesium. Kapasitor Electrolytic Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. Keramik dan mika adalah bahan yang popular serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil. polystyrene. film dan mika. niobium. Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan .di badannya. Mylar. polycarbonate. aluminium. MKM. Umumnya kapasitor kelompok ini adalah non-polar. metalized paper dan lainnya. adalah karena proses pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutup positif anoda dan kutup negatif katoda. zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga membentuk lapisan metal-oksida .Tipe Kapasitor Kapasitor terdiri dari beberapa tipe. yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi. Mengapa kapasitor ini dapat memiliki polaritas. Termasuk kelompok bahan dielektrik film adalah bahan-bahan material seperti polyester (polyethylene terephthalate atau dikenal dengan sebutan mylar). Untuk lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian. electrolytic dan electrochemical. Tersedia dari besaran pF sampai beberapa uF. tergantung dari bahan dielektriknya. yaitu kapasitor electrostatic. titanium. Telah lama diketahui beberapa metal seperti tantalum. MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film.

Bahan yang paling banyak dan murah adalah Aluminium. Contohnya. Kapasitor Elco Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda). Elektroda metal yang dicelup kedalam larutan electrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan positif (anoda) dan larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). Lapisan oksidasi ini terbentuk melalui proses elektrolisa. Oksigen pada larutan electrolyte terlepas dan mengoksidai permukaan plat metal. sehingga dengan demikian dapat dibuat kapasitor yang kapasitansinya cukup besar. Karena alasan ekonomis dan praktis. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis. Sehingga dengan cara itu . Untuk mendapatkan permukaan yang luas.(oxide film). bahan plat Aluminium ini biasanya digulung radial. maka akan terbentuk pada lapisan Aluminium-oksida (Al2O3) permukaannya. seperti pada proses penyepuhan emas. jika digunakan Aluminium. umumnya bahan metal yang banyak digunakan adalah aluminium dan tantalum. Dari rumus (2) diketahui besar kapasitansi berbanding terbalik dengan tebal dielektrik. Dalam hal ini lapisan-metaloksida sebagai dielektrik. lapisan-metal-oksida dan electrolyte(katoda) membentuk kapasitor.

melainkan bahan lain yaitu manganese-dioksida. Tipe kapasitor jenis ini juga masih dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan ringan. Kapasitor yang ukuran fisiknya mungil dan kecil biasanya hanya bertuliskan 2 (dua) atau 3 (tiga) angka saja. Termasuk kapasitor jenis ini adalah batere dan accu. Sebagai contoh 100uF. Lengkap dengan nilai tegangan maksimum dan polaritasnya. Bahan electrolyte pada kapasitor Tantalum ada yang cair tetapi ada juga yang padat. Disebut electrolyte padat. Misalnya pada kapasitor elco dengan jelas tertulis kapasitansinya sebesar 22uF/25v.dapat diperoleh kapasitor yang kapasitansinya besar. misalnya untuk applikasi mobil elektrik dan telepon selular. Kapasitor Electrochemical Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. Kapasitor tipe ini juga memiliki arus bocor yang sangat kecil Jadi dapat dipahami mengapa kapasitor Tantalum menjadi relatif mahal. kapasitor . maka waktu kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Membaca Kapasitansi Pada kapasitor yang berukuran besar. nilai kapasitansi umumnya ditulis dengan angka yang jelas. Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa memiliki kapasitansi yang besar namun menjadi lebih ramping dan mungil. 470uF. 4700uF dan lain-lain. karena memiliki kapasitansi yang besar dan arus bocor (leakage current) yang sangat kecil. yang sering juga disebut kapasitor elco. Sebagai contoh. Pada kenyataanya batere dan accu adalah kapasitor yang sangat baik. Selain itu karena seluruhnya padat. tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit yang menjadi elektroda negatif-nya. Jika hanya ada dua angka satuannya adalah pF (pico farads).

maka tegangan yang bisa diberikan tidak boleh melebihi 25 volt dc. Biasanya spesifikasi karakteristik ini disajikan oleh pabrik pembuat didalam datasheet. Berikut ini adalah beberapa spesifikasi penting tersebut. Secara lengkap kode-kode tersebut disajikan pada table berikut. Para elektro. angka pertama dan kedua menunjukkan nilai nominal. Jika ada 3 digit. maka kapasitansinya adalah 10 x 10. 3 = 1. sedangkan angka ke-3 adalah faktor pengali. Pabrikan pembuat kapasitor umumnya membuat kapasitor yang mengacu pada standar popular.mania barangkali pernah mengalami kapasitor yang meledak karena kelebihan tegangan. X7R (stable) serta Z5U dan Y5V (general purpose).000. 2 = 100. Tegangan Kerja (working voltage) Tegangan kerja adalah tegangan maksimum yang diijinkan sehingga kapasitor masih dapat bekerja dengan baik.000 = 100. berturut-turut 1 = 10. Misalnya kapasitor 10uF 25V. .000pF atau = 100nF. Misalnya pada kapasitor keramik tertulis 104. maka kapasitansi kapasitor tersebut adalah 47 pF. Selain dari kapasitansi ada beberapa karakteristik penting lainnya yang perlu diperhatikan. 4 = 10.yang bertuliskan dua angka 47. artinya kapasitansi kapasitor tersebut adalah 22 x 100 = 2200 pF = 2. Umumnya kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar bekerja pada tegangan AC.2 nF.000 dan seterusnya. Temperatur Kerja Kapasitor masih memenuhi spesifikasinya jika bekerja pada suhu yang sesuai. Faktor pengali sesuai dengan angka nominalnya. Contoh lain misalnya tertulis 222. Ada 4 standar popular yang biasanya tertera di badan kapasitor seperti C0G (ultra stable).

3.3% +/.Kode karakteristik kapasitor kelas I Koefisien Suhu Simbol C B A M P PPM per Co 0.9 1.7% +/.0 0.2% +/.3 0.7.2.0% +22% / 33% +22% / 56% +22% / 82% Z Y X 2 4 5 6 7 8 9 .0% +/15.1.5% +/.0 1.5% +/10.5 Faktor Pengali Koefisien Suhu Simbol 0 1 2 3 4 Pengali -1 -10 -100 -1000 -10000 Toleransi Koefisien Suhu Simbol G H J K L PPM per Co +/-30 +/-60 +/-120 +/-250 +/-500 ppm = part per million Kode karakteristik kapasitor kelas II dan III suhu kerja minimum Simbol Co +10 -30 -55 suhu kerja maksimum Simbol Co +45 +65 +85 +105 +125 +150 +200 Toleransi Kapasitansi Simbol Persen A B C D E F P R S T U V +/.0% +/.0% +/22.1.4.

Artinya. walaupun nilainya sangat besar sekali. namun tetap saja ada arus yang dapat melewatinya. besar kapasitansi nominal ada toleransinya. maka kapasitasinya adalah 100nF dengan toleransi +/-15%. Phenomena ini dinamakan arus bocor DCL (DC Leakage Current) dan resistansi dielektrik ini dinamakan Insulation Resistance (IR).Toleransi Seperti komponen lainnya. Misalnya jika tertulis 104 X7R. model kapasitor C = Capacitance ESR = Equivalent Series Resistance L = Inductance IR = Insulation Resistance Jika tidak diberi beban. berikut adalah model rangkaian kapasitor. Sekaligus dikethaui juga bahwa suhu kerja yang direkomendasikan adalah antara -55Co sampai +125Co (lihat tabel kode karakteristik) Insulation Resistance (IR) Walaupun bahan dielektrik merupakan bahan yang non-konduktor. Dengan table di atas pemakai dapat dengan mudah mengetahui toleransi kapasitor yang biasanya tertera menyertai nilai nominal kapasitor. semestinya kapasitor dapat menyimpan muatan selama-lamanya. Tabel diatas menyajikan nilai toleransi dengan kode-kode angka atau huruf tertentu. bahan dielektrik juga memiliki resistansi. Namun dari . Untuk menjelaskan ini.

tuner dan lain-lain. Pabrik pembuat biasanya meyertakan data DF dalam persen. tetapi ini akan menyebabkan resistansi dielektrik makin kecil. rangkaian ballast. Besaran ini menjadi faktor yang diperhitungkan misalnya pada aplikasi motor phasa. Untuk mendapatkan kapasitansi yang besar diperlukan permukaan elektroda yang luas. karakteristik resistansi dielektrik ini biasa juga disajikan dengan besaran RC (IR x C) yang satuannya ohm-farads atau megaohm-micro farads. Rugi-rugi (losses) itu didefenisikan sebagai ESR yang besarnya adalah persentasi dari impedansi kapasitor Xc.model di atas. Karena besar IR selalu berbanding terbalik dengan kapasitansi (C). Konsekuensinya tentu saja arus bocor (DCL) sangat kecil (uA). Dari model rangkaian kapasitor digambarkan adanya resistansi seri (ESR) dan induktansi (L). Insulation resistance (IR) ini sangat besar (MOhm). Secara matematis di tulis sebagai berikut : . diketahui ada resitansi dielektrik IR(Insulation Resistance) yang paralel terhadap kapasitor. Dissipation Factor (DF) dan Impedansi (Z) Dissipation Factor adalah besar persentasi rugirugi (losses) kapasitansi jika kapasitor bekerja pada aplikasi frekuensi.

Untuk perhitungan. .Dari penjelasan di atas dapat dihitung besar total impedansi (Z total) kapasitor adalah : Karakteristik respons frekuensi sangat perlu diperhitungkan terutama jika kapasitor bekerja pada frekuensi tinggi.perhitungan respons frekuensi dikenal juga satuan faktor qualitas Q (quality factor) yang tak lain sama dengan 1/DF.

The comparison with the exact low frequency capacitance .Metal Oxide Silicon Capacitance 1. This frequency dependence occurs primarily in inversion since a certain time is needed to generate the minority carriers in the inversion layer. The high frequency capacitance therefore reflects the charge variation in the depletion layer and the (rather small) movement of the inversion layer charge. The low frequency or quasi-static measurement maintains thermal equilibrium at all times. Under such conditions one finds that the charge in the inversion layer does not change from the equilibrium value corresponding to the applied DC voltage. A typical measurement is performed with an electrometer which measured the charge added per unit time as one slowly varies the applied gate voltage. To understand capacitance-voltage measurements one must first be familiar with the frequency dependence of the measurement. This capacitance is the difference in charge divided by the difference in gate voltage while the capacitor is in equilibrium at each voltage. Thermal equilibrium is therefore not obtained immediately. Since the MOS structure is simple to fabricate the technique is widely used. Introduction Capacitance voltage measurements of MOS capacitor structure provide a wealth of information about the structure which is of direct interest when one evaluates an MOS process. The high frequency capacitance is obtained from a small signal capacitance measurement at high frequency. In this section we first derive the simple capacitance model which is based on the full depletion approximations and our basic assumption. The gate voltage is varied slowly to obtain the capacitance versus voltage.

We therefore derive the exact flatband capacitance using the linearized Poisson's equation. or: (mc12) where xd is the variable depletion layer width which is calculated from: (mc2) In order to find the capacitance corresponding to a specific value of the gate voltage we also need to use the relation between the potential across the depletion region and the gate voltage. The remaining capacitor is the oxide capacitance. In accumulation there is no depletion layer. Then we discuss the full exact analysis followed by a discussion of deep depletion as well as the non-ideal effects in MOS capacitors.5. given by: (mc8) . Simple capacitance model The capacitance of an MOS capacitor is obtained using the same assumptions as in the analysis in section 6. so that the capcitance equals: (mc11) In depletion the MOS capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer. The MOS structure is treated as consisting of a series connection of two capacitors: the capacitance of the oxide and the capacitance of the depletion layer.reveals that the largest error occurs at the flatband voltage. 2.

The capacitances are given by: (mc13) The capacitance of an MOS capacitor as calculated using the simple model is shown in the figure below. Na = 1017 cm-3 and tox = 20 nm.max. mosexact. . The high frequency capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer having its maximum width. 6.xls . The dotted lines represent the simple model while the solid line corresponds to the low frequency capacitance as obtained from the exact analysis.In inversion the capacitance becomes independent of the gate voltage. The red square indicates the flatband voltage and capacitance.moslfcap. xd. The low frequency capacitance equals the oxide capacitance since charge is added to and from the inversion layer in a low frequency measurement.6.1 Low frequency capacitance of an MOS capacitor. while the green square indicates the threshold voltage and capacitance. Shown are the exact solution for the low frequency capacitance (solid line) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines).gif Fig.

Flat band capacitance The simple model predicts that the flatband capacitance equals the oxide capacitance. To derive the flatband capacitance including the charge variation in the semiconductor we first linearize Poisson's equation. the comparison with the exact solution of the low frequency capacitance as shown in the above figure reveals that the error can be substancial. However. We will therefore now derive the exact flatband capacitance. Poisson's equation can then be simplified to: (mc16) The solution to this equation is: (mc17) where LD is called the Debye length. The solution of the potential enables the derivation of the capacitance of the semiconductor under flatband conditions.3. yielding: (mc19) . The reason for this is that we have ignored any charge variation in the semiconductor. we expect the potential to be small as we vary the gate voltage around the flatband voltage. Since the potential across the semiconductor at flatband is zero. or: (mc18) The flatband capacitance of the MOS structure at flatband is obtained by calculating the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the semiconductor.

T resulting in a capacitance which further decreases with voltage. 5. xd.dd. A complete analysis should include both a surface generation rate as well as generation in the depletion layer and the quasi-neutral region. Quickly here means that the gate voltage must be changed fast enough so that the structure is not in thermal equilibrium. Exact analysis For a description of the derivation of the MOS capacitance using the exact analysis we refer the reader to that section. The time required to reach thermal equilibrium when abruptly biasing the MOS capacitor at a voltage larger then the threshold voltage can be estimated by taking the ratio of the total charge in the inversion layer to the thermal generation rate of minority carriers. A good approximation is obtained by considering only the generation rate in the depletion region xd. Deep depletion capacitance Deep depletion occurs in an MOS capacitor when measuring the high-frequency capacitance while sweeping the gate voltage "quickly".4. The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from: . The depletion layer therefore keeps increasing beyond its maximum thermal equilibrium value. One then observes that when ramping the voltage from flatband to threshold and beyond the inversion layer is not or only partially formed as the generation of minority carriers can not keep up with the amount needed to form the inversion layer. This yields the following equation: (mc14) where the generation in the depletion layer was assumed to be constant.

. The capacitance was measured in the presence of ambient light as well as in the dark as explained in the figure caption. structures with a short (1 ms) lifetime do not show this effect. 6.(mc15) This equation enables to predict that deep depletion is less likely at higher ambient temperature since the intrinsic concentration ni increases exponentially with temperature.1 ms) lifetime require a few seconds to reach thermal equilibrium which results in a pronounced deep depletion effect at room temperature . while it is more likely to occur in MOS structures made with wide bandgap materials (for instance SiC for which Eg = 3 eV) as the intrinsic concentration decreases exponentially with the value of the energy bandgap. Deep depletion measurements are therefore done in the dark. Carrier generation due to light will increase the generation rate beyond the thermal generation rate which we assumed above and reduce the time needed to reach equilibrium. Experimental results and comparison with theory As an example we show below the measured low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance-voltage curves of an MOS capacitor. In silicon MOS structures one finds that the occurance of deep depletion can be linked to the minority carrier lifetime: while structures with a long (0.

cv1.0007 cm2 The figure illustrates some of the issues when measuring the capacitance of an MOS capacitance. All curves were measured from left to right.2 Low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance of an MOS capacitor. The larger the carrier lifetime. the low frequency capacitance measured in the presence of ambient light (top curve). First of all one should measure the devices in the dark.6. In addition one must avoid the deep depletion effects such as the initial linearly varying capacitance of the high frequency capacitance measured in the dark on the above figure (bottom curve). 6. the slower the voltage is to be changed to avoid deep depletion. The low frequency measured is compared to the theorical value in the figure below. the high frequency capacitance measured in the presence of ambient light and the high frequency capacitance measured in the dark (bottom curve). Shown are. the presence of light causes carrier generation in the capacitor which affects the measured capacitance. the low frequency capacitance measured in the dark. The device area is 0. The high frequency capacitance measured in the presence of light is also . The MOS parameters are Na = 4 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm.gif Fig. from top to bottom.

cv2. A positive fixed charge at the oxide- . 6. The figure illustrates the agreement between experiment and theory. Also shown is the high frequency measurement in the presence of light of the MOS capacitor (filled squares) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines). Fixed charge in the oxide simply shifts the measured curve. Non-Ideal effects in MOS capacitors Non-ideal effects in MOS capacitors include fixed charge.6. All three types of charge can be identified by performing a capacitance-voltage measurement.shown on the figure. Fitting parameters are Na = 3.3 Comparison of the theoretical low frequency capacitance (solid line) and the experimental data (open squares) obtained in the dark. A comparison of the experimental low (rather than high) frequency capacitance with theory is somewhat easier to carry out since the theoretical expression is easier to calculate while the low frequency measurement tends to be less sensitive to deep depletion effects. mobile charge and charge in surface states.95 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm.gif Fig. 7.

This causes the curve to shift towards the applied voltage. Charge due to electrons occupying surface states also yields a shift in flatband voltage. . while a negative voltage attracts the charge towards the gate. This method provides the surface state density over a limited (but highly relevant) range of energies within the bandgap. A fixed charge is caused by ions which are incorporated in the oxide during growth or deposition. The flatband voltage shift due to mobile charge is described by the same equation as that due to fixed charge. The combination of the low frequency and high frequency capacitance allows to calculate the surface state density. One can recognize mobile charge by the hysteresis in the high frequency capacitance curve when sweeping the gate voltage back and forth.semiconductor interface shifts the flatband voltage by an amount which equals the charge divided by the oxide capacitance. It is because of the high sensitivity of MOS structures to a variety of impurities that the industry carefully controls the purity of the water and the chemicals used. Sodium ions incorporated in the oxide of silicon MOS capacitors are known to yield mobile charge. The shift reduces linearly as one reduces the position of the charge relative to the gate electrode and becomes zero if the charge is located at the metal-oxide interface. The interface states cause the transition in the capacitance measurement to be less abrupt. Measurements on n-type and p-type capacitors at different temperatures provide the surface state density throughout the bandgap. However as the applied voltage is varied. the fermi energy at the oxide-semiconductor interface changes also and affects the occupancy of the surface states. However the measured curves differ since a positive gate voltage causes mobile charge to move away from the gate electrode.

Kode warna tersebut adalah standar manufaktur yang dikeluarkan oleh EIA (Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut. Pada badannya terdapat lingkaran membentuk gelang kode warna untuk memudahkan pemakai mengenali besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan Ohmmeter. dijelaskan pada artikel tentang semikonduktor. Sesuai dengan namanya resistor bersifat resistif dan umumnya terbuat dari bahan karbon . Bahan-bahan tersebut menghantar arus listrik dengan baik. resistansi berbanding terbalik dengan jumlah arus yang mengalir melaluinya. Dari hukum Ohms diketahui. karbon memiliki resistansi yang lebih besar menahan aliran elektron dan disebut sebagai insulator. Kebalikan dari bahan yang konduktif. sehingga dinamakan konduktor.Resistor Pada dasarnya semua bahan memiliki sifat resistif namun beberapa bahan seperti tembaga. Belakangan baru diketahui bahwa mahasiswa elektro wajib untuk bisa membaca warna gelang resistor (barangkali). emas dan bahan metal umumnya memiliki resistansi yang sangat kecil. ada satu test yang harus dipenuhi yaitu diharuskan tidak buta warna. . Waktu penulis masuk pendaftaran kuliah elektro. bahan material seperti karet. Bagaimana prinsip konduksi. perak. Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk membatasi jumlah arus yang mengalir dalam satu rangkaian. Satuan resistansi dari suatu resistor disebut Ohm atau dilambangkan dengan simbol (Omega). gelas. Tipe resistor yang umum adalah berbentuk tabung dengan dua kaki tembaga di kiri dan kanan.

merah. Biasanya . Biasanya warna gelang toleransi ini berada pada badan resistor yang paling pojok atau juga dengan lebar yang lebih menonjol.1 : nilai warna gelang Resistansi dibaca dari warna gelang yang paling depan ke arah gelang toleransi berwarna coklat.000 10. emas atau perak.1 0. Dengan demikian pemakai sudah langsung mengetahui berapa toleransi dari resistor tersebut.000 106 107 108 109 0. Jumlah gelang yang melingkar pada resistor umumnya sesuai dengan besar toleransinya.01 5% 10% 20% 1% 2% Tabel . Kalau anda telah bisa menentukan mana gelang yang pertama selanjutnya adalah membaca nilai resistansinya.Warna Hitam Coklat Merah Jingga Kuning Hijau Biru Violet Abu-abu Putih Emas Perak Tanpa warna Nilai 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 - faktor Toleransi pengali 1 10 100 1.000 100. sedangkan warna gelang yang pertama agak sedikit ke dalam.

maka nilai satuannya ditentukan oleh gelang pertama dan gelang kedua. gelang pertama berwarna kuning. Gelang ketiga adalah faktor pengali. Dengan demikian urutan warna gelang resitor ini adalah. Pertama yang dilakukan adalah menentukan nilai satuan dari resistor ini. Karena resitor ini resistor 5% (yang biasanya memiliki tiga gelang selain gelang toleransi). Sehingga dengan ini diketahui nilai resistansi resistor tersebut adalah nilai satuan x faktor pengali atau 47 x 100 = 4. Gelang pertama dan seterusnya berturut-turut menunjukkan besar nilai satuan. gelang kedua berwana violet dan gelang ke tiga berwarna merah. Nilai resistansisnya dihitung sesuai dengan urutan warnanya. dan jika warna gelangnya merah berarti faktor pengalinya adalah 100. Jadi gelang pertama dan kedua atau kuning dan violet berurutan. 10% atau 20% memiliki 3 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). . Karena resistor bekerja dengan dialiri arus listrik. Spesifikasi lain yang perlu diperhatikan dalam memilih resitor pada suatu rancangan selain besar resistansi adalah besar watt-nya. maka akan terjadi disipasi daya berupa panas sebesar W=I2R watt. Gelang berwarna emas adalah gelang toleransi.resistor dengan toleransi 5%. Tetapi resistor dengan toleransi 1% atau 2% (toleransi kecil) memiliki 4 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). Dari tabel-1 diketahui jika gelang toleransi berwarna emas. dan gelang terakhir adalah faktor pengalinya. Masih dari tabel-1 diketahui gelang kuning nilainya = 4 dan gelang violet nilainya = 7. nilai satuannya adalah 47. Gelang ke empat tentu saja yang berwarna emas dan ini adalah gelang toleransi. violet.7K Ohm dan toleransinya adalah 5%. merah dan emas. Misalnya resistor dengan gelang kuning. berarti resitor ini memiliki toleransi 5%.

1. misalnya 100 5W. Tetapi biasanya untuk resistor ukuran jumbo ini nilai resistansi dicetak langsung dibadannya. Umumnya di pasar tersedia ukuran 1/8. 10 dan 20 watt umumnya berbentuk kubik memanjang persegi empat berwarna putih. maka di sekeliling kawat tembaga akan terbentuk medan listrik. Tetapi jika arah arusnya sama ternyata keduanya berdekatan saling tarikmenarik. 2. Tentu masih ingat juga percobaan dua utas kawat tembaga paralel yang keduanya diberi arus listrik. Resistor yang memiliki disipasi daya 5. Hal ini terjadi karena adanya induksi medan listrik. Arah jempol adalah arah arus dan arah ke empat jari lain adalah arah medan listrik yang mengitarinya. Jika seutas kawat tembaga diberi aliran listrik. namun ada juga yang berbentuk silinder. Dikenal medan listrik dengan simbol B dan satuannya Tesla (T).Semakin besar ukuran fisik suatu resistor bisa menunjukkan semakin besar kemampuan disipasi daya resistor tersebut. 5. 1/4. Dengan aturan tangan kanan dapat diketahui arah medan listrik terhadap arah arus listrik. 10 dan 20 watt. kedua kawat tembaga tersebut saling menjauh. Induktor Masih ingat aturan tangan kanan pada pelajaran fisika ? Ini cara yang efektif untuk mengetahui arah medan listrik terhadap arus listrik. Besar akumulasi medan listrik B . Jika arah arusnya berlawanan. Caranya sederhana yaitu dengan mengacungkan jari jempol tangan kanan sedangkan keempat jari lain menggenggam.

(2) Jika dibandingkan dengan rumus hukum Ohm V=RI. dibuktikan bahwa induktor adalah komponen yang dapat menyimpan energi magnetik.(1) Lalu bagaimana jika kawat tembaga itu dililitkan membentuk koil atau kumparan. maka kelihatan ada kesamaan rumus. Dari buku fisika dan teori medan yang menjelimet. Maka L adalah induktansi dari induktor dan E adalah tegangan yang timbul jika induktor dilairi listrik.m2).. Secara matematis tegangan emf ditulis : tegangan emf .pada suatu luas area A tertentu difenisikan sebagai besar magnetic flux. Komponen yang seperti inilah yang dikenal dengan induktor selenoid.. Secara matematis besarnya adalah : medan flux. Jika kumparan tersebut dialiri listrik maka tiap lilitan akan saling menginduksi satu dengan yang lainnya. Energi ini direpresentasikan dengan adanya tegangan emf (electromotive force) jika induktor dialiri listrik. Simbol yang biasa digunakan untuk menunjukkan besar magnetic flux ini adalah φ dan satuannya Weber (Wb = T. .... Jika R disebut resistansi dari resistor dan V adalah besar tegangan jepit jika resistor dialiri listrik sebesar I. Medan listrik yang terbentuk akan segaris dan saling menguatkan.

. dan satuan yang digunakan adalah (H) Henry. (3) Induktor selenoida .... Ini yang sering menjadi pertimbangan dalam mendesain pcb supaya bebas dari efek induktansi terutama jika multilayer. Secara matematis induktansi pada suatu induktor dengan jumlah lilitan sebanyak N adalah akumulasi flux magnet untuk tiap arus yang melewatinya : induktansi . Hubungan antara emf dan arus inilah yang disebut dengan induktansi. jalur-jalur pcb dalam suatu rangkain berpotensi untuk menghasilkan medan induksi.. Efek emf menjadi signifikan pada sebuah induktor. Induktor disebut self-induced Arus listrik yang melewati kabel. Tegangan emf akan menjadi penting saat perubahan arusnya fluktuatif.Tegangan emf di sini adalah respon terhadap perubahan arus fungsi dari waktu terlihat dari rumus di/dt. karena perubahan arus yang melewati tiap lilitan akan saling menginduksi. Sedangkan bilangan negatif sesuai dengan hukum Lenz yang mengatakan efek induksi cenderung melawan perubahan yang menyebabkannya. Ini yang dimaksud dengan self-induced.

Besar .. Aplikasinya pada rangkaian dc salah satunya adalah untuk menghasilkan tegangan dc yang konstan terhadap fluktuasi beban arus.. salah satu gunanya adalah bisa untuk meredam perubahan fluktuasi arus yang tidak dinginkan. setegah lingkaran ataupun lingkaran penuh... persegi empat. Ada simbol µ yang dinamakan permeability dan µ0 yang disebut permeability udara vakum. n adalah jumlah lilitan N relatif terhadap panjang induktor l. Pada aplikasi rangkaian ac. jika dialiri listrik akan menghasilkan medan listrik yang berbeda. tuner dan sebagainya. elektron yang bergerak akan menimbulkan medan elektrik di sekitarnya.(5) Lalu i adalah besar arus melewati induktor tersebut. Secara matematis ditulis : Lilitan per-meter………. Akan lebih banyak lagi fungsi dari induktor yang bisa diaplikasikan pada rangkaian filter. Dari pemahaman fisika.Fungsi utama dari induktor di dalam suatu rangkaian adalah untuk melawan fluktuasi arus yang melewatinya. Penampang induktor biasanya berbentuk lingkaran. (4) Jika dikembangkan... Berbagai bentuk kumparan.. sehingga diketahui besar medan listrik di titik tengah lingkaran adalah : Medan listrik .

.permeability µ tergantung dari bahan inti (core) dari induktor... Tentu saja rumus ini bisa dibolak-balik untuk menghitung jumlah lilitan induktor jika nilai induktansinya sudah ditentukan. Untuk induktor tanpa inti (air winding) µ = 1. (6) L : induktansi dalam H (Henry) µ : permeability inti (core) µo : permeability udara vakum µo = 4π x 10-7 N : jumlah lilitan induktor A : luas penampang induktor (m2) l : panjang induktor (m) Induktor selenoida dengan inti (core) Inilah rumus untuk menghitung nilai induktansi dari sebuah induktor... Jika rumus-rumus di atas di subsitusikan maka rumus induktansi (rumus 3) dapat ditulis menjadi : Induktansi Induktor .

yaitu jari-jari lingkar luar dikurang jari-jari lingkar dalam. Biasanya selalu menggunakan inti besi (core) yang juga berbentuk lingkaran seperti kue donat. Toroida Jika jari-jari toroid adalah r.Toroid Ada satu jenis induktor yang kenal dengan nama toroid.. maka toroid berbentuk lingkaran. Jika biasanya induktor berbentuk silinder memanjang. (7) Dengan demikian untuk toroida besar induktansi L adalah : Induktansi Toroida ………(8) .. Maka panjang induktor efektif adalah kira-kira : Keliling lingkaran toroida ….

Ada bermacammacam bahan ferit yang disebut ferromagnetik. maka medan induksinya tertutup dan relatif tidak menginduksi komponen lain yang berdekatan di dalam satu pcb. Ada juga ferit yang dicampur dengan bahan bubuk lain seperti nickle. Pabrik pembuat biasanya dapat memberikan data kode material. zinc (seng) dan magnesium. Ferit dan Permeability Besi lunak banyak digunakan sebagai inti (core) dari induktor yang disebut ferit.000. Penggunaan ferit juga disesuaikan dengan frekeunsi kerjanya. manganase. dapat induktor dengan induktansi yang lebih besar dan dimensi yang relatif lebih kecil dibandingkan dengan induktor berbentuk silinder. Oleh sebab itu ferit ini sebenarnya adalah keramik. Juga karena toroid umumnya menggunakan inti (core) yang melingkar. Ferit yang sering dijumpai ada yang memiliki µ = 1 sampai µ = 15. dimensi dan permeability yang lebih detail. . Bahan dasarnya adalah bubuk besi oksida yang disebut juga iron powder. Berikut ini adalah beberapa contoh bahan ferit yang dipasar dikenal dengan kode nomer materialnya.Salah satu keuntungan induktor berbentuk toroid. Dapat dipahami penggunaan ferit dimaksudkan untuk mendapatkan nilai induktansi yang lebih besar relatif terhadap jumlah lilitan yang lebih sedikit serta dimensi induktor yang lebih kecil. Melalui proses yang dinamakan kalsinasi yaitu dengan pemanasan tinggi dan tekanan tinggi. bubuk campuran tersebut dibuat menjadi komposisi yang padat. Karena beberapa ferit akan optimum jika bekerja pada selang frekuensi tertentu. Proses pembuatannya sama seperti membuat keramik.

Karena perlu diketahui nilai permeability bahan ferit. berdiameter 1 cm dengan panjang 2 cm serta mengunakan inti ferit dengan µ = 3000. diameter lingkar luar.data material ferit Sampai di sini kita sudah dapat menghitung nilai induktansi suatu induktor. Indeks ini dihitung berdasarkan dimensi dan permeability ferit. Umumnya dipasar tersedia berbagai macam jenis dan ukuran toroida.9 mH Selain ferit yang berbentuk silinder ada juga ferit yang berbentuk toroida. Misalnya induktor dengan jumlah lilitan 20. Dengan data ini dapat dihitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi tertentu. Seperti contoh . Jika datanya lengkap. Dapat diketahui nilai induktansinya adalah : L ≈ 5. diameter lingkar dalam serta luas penampang toroida. Tetapi biasanya pabrikan hanya membuat daftar indeks induktansi (inductance index) AL. maka kita dapat menghitung nilai induktansi dengan menggunakan rumus-rumus yang ada.

Tabel AL Rumus untuk menghitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi yang diinginkan adalah : Indeks AL ………. (9) Misalnya digunakan ferit toroida T50-1. maka dari table diketahui nilai AL = 100.tabel AL berikut ini yang satuannya µH/100 lilitan. Maka untuk mendapatkan induktor sebesar 4µH diperlukan lilitan sebanyak : N ≈ 20 lilitan .

Indeks AL umumnya sudah baku dibuat oleh pabrikan sesuai dengan dimensi dan permeability bahan feritnya. merah. hitam. tetapi berfungsi juga sebagai pelapis atau isolator.Rumus ini sebenarnya diperoleh dari rumus dasar perhitungan induktansi dimana induktansi L berbanding lurus dengan kuadrat jumlah lilitan N2.3mm. . Standar ini tergantung dari diameter kawat. Paling yang diperlukan hanya puluhan sentimeter saja. Ada banyak kawat tembaga yang bisa digunakan. Kawat tembaga Untuk membuat induktor biasanya tidak diperlukan kawat tembaga yang sangat panjang. Biasanya yang digunakan adalah kawat tembaga tunggal dan memiliki isolasi. Misalnya kawat tembaga AWG32 berdiameter kira-kira 0.7mm ataupun AWG20 yang berdiameter kira-kira 0. Misalnya ferit toroida FT50-77 memiliki indeks AL = 1100. Biasanya pabrikan menjelaskan berapa nilai tegangan kerja untuk toroida tersebut. Permeability bahan bisa juga diketahui dengan kode warna tertentu. resistansi dan sebagainya. Misalnya abu-abu. AWG22 berdiameter 0. biru atau kuning. Sebenarnya lapisan ini bukan hanya sekedar warna yang membedakan permeability. Banyak juga ferit toroid dibuat dengan nilai permeability µ yang besar. sehingga efek resistansi bahan kawat tembaga dapat diabaikan. Karena bahan ferit yang demikian terbuat hanya dari bubuk besi (iron power).8mm. Contoh bahan ferit toroida di atas umumnya memiliki premeability yang kecil. Bahan ferit tipe ini terbuat dari campuran bubuk besi dengan bubuk logam lain. Untuk pemakaian yang profesional di pasar dapat dijumpai kawat tembaga dengan standar AWG (American Wire Gauge).

Untuk mendapatkan nilai induktansi yang akurat ada efek kapasitif dan resistif yang harus diperhitungkan. Ini yang dikenal dengan istilah ekef kulit (skin effect). Untuk toroid usahakan lilitannya merata dan rapat. yang pasti harus lebih kecil dibandingkan diameter penampang induktor. . terutama induktor berbentuk silinder. Sehingga terkadang dalam membuat induktor jumlah lilitan yang semestinya berbeda dengan hasil perhitungan teoritis. Ada satu tip untuk membuat induktor yang baik. Terkadang pada prakteknya untuk membuat induktor sendiri harus coba-coba dan toleransi induktansinya cukup besar. Kawat tembaga yang digunakan bisa berdiameter berapa saja. Untuk memperoleh nilai “Q” yang optimal panjang induktor sebaiknya tidak lebih dari 2x diameter penampangnya.Penutup Sayangnya untuk pengguna amatir. Karena ternyata arus yang melewati kawat tembaga hanya dipermukaan saja. data yang diperlukan tidak banyak tersedia di toko eceran.

MODUL PEMBELAJARAN
KODE : LIS.PTL.047 (P) (40 Jam)

ELEKTRONIKA 1

BIDANG KEAHLIAN : KETENAGALISTRIKAN PROGRAM KEAHLIAN : TEKNIK PEMANFAATAN ENERGI

PROYEK PENGEMBANGAN PENDIDIKAN BERORIENTASI KETERAMPILAN HIDUP

DIREKTORAT PENDIDIKAN MENENGAH KEJURUAN DIREKTORAT JENDERAL PENDIDIKAN DASAR DAN MENENGAH

DEPARTEMEN PENDIDIKAN NASIONAL 2003

KATA PENGANTAR
Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial, sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis.

Dalam penggunaannya, bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya, yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta, kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat, guna merealisasikan penyelenggaraan

pembelajaran di SMK. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK.

Demikian, mudah -mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan, khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat.

Jakarta, 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur,

Dr. Ir. Gator Priowirjanto NIP 130675814

DAFTAR ISI
KATA PENGANTAR …………………………………………………… REKOMENDASI ………………………………………………………… DAFTAR ISI ……………………………………………………………... PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… GLOSARRY/PERISTILAHAN I PENDAHULUAN A. Deskripsi …………………………………………….………… B. Prasyarat ………………………………………………………. C. Petunjuk Penggunaan Modul ………………………….……… D. Tujuan Akhir………………………………………………….. E. F. II STANDAR KOMPETENSI……………..………………… Cek Kemampuan …………………………………….……….. 1 1 1 2 3 4 6 7 7 8 8 8 8 18 20 21 25 26 26 26 48 50 Halaman i ii iv v

PEMBELAJARAN A. RENCANA BELAJAR PESERTA DIKLAT…………………. B. KEGIATAN BELAJAR. ……………………………………… Kegiatan Belajar 1 A. B. C. D. E. F. Tujuan Kegiatan ……………………………….……… Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 1 …………………………………………. Tugas 1 ……………………………………………….. Test Formatif 1 ……………………………………….. Jawaban Test Formatif 1 ……………………………..

Kegiatan Belajar 2 A. B. C. D. Tujuan Kegiatan ……………………………….…. Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 2 ………………………………….……… Tugas 2 ………………………………………………..

Elektronika -1

I. PENDAHULUAN
A. DESKRIPSI

M

odul ini berjudul Elektronika - 1 merupakan bagian dari Kompetensi Mengoperasikan Mesin Produksi dengan Kendali Elektronik (PTL. OPS 005 (

)A dipersiapkan bagi anda siswa Sekolah Menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pemanfaatan Energi tingkat III (semester 5) dengan alokasi waktu selama 40 jam. Modul ini berisikan tentang dasar-dasar elektronika mulai dari teori atom, bahan semikonduktor, macam-macam Dioda, Transistor Bipolar serta pemanfaatannya. Modul ini tidak ada kaitan secara langsung dipelajari tersendiri. Setelah modul ini dapat anda kuasai, maka hasil belajar yang akan anda capai adalah adanya pemahaman terhadap ilmu elektronika, khususnya mampu dalam dengan modul lainnya, jadi dapat

mengidentifikasi komponen elektronik serta menganalisis sifat-sifatnya. Dengan pengetahuan dasar ini akan membimbing anda ke arah pekerjaan dan kemampuan yang dimiliki khususnya bidang keahlian yang berkaitan dengan dunia elektronik dan bidang keahlian pemanfaatan energi pada umumnya.

B. PRASYARAT

Untuk mempelajari modul ini tidak diperlukan prasyarat khusus, tetapi dikarenakan modul ini dilengkapi dengan Lembar Kerja, maka sudah tentu diperlukan penguasaan anda terhadap alat-alat ukur besaran listrik dan yang paling penting adalah pengetahuan dan kepedulian anda terhadap Keselamatan Kerja dan Bahaya Listrik.

C. PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL

1. Modul ini dapat anda pelajari secara klasikal ataupun individual, dimana setiap kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas -tugas yang terdapat

1

Elektronika -1

dalam topik-topik pembelajaran modul ini secara tuntas (Mastery Learning) baik ranah pengetahuan, sikap dan khususnya ranah keterampilan. 2. Jika anda sudah merasa mampu untuk menyelesaikan salah satu topik dari modul ini, maka anda diperkenankan untuk meminta kepada guru pembimbing anda guna diuji kompetensinya. 3. Jika anda sudah dinyatakan kompeten untuk satu topik pertama dengan melewati uji kompetensi tersebut di atas, maka anda diperkenankan untuk melanjutkan ke topik (pembelajaran) berikutnya. Tapi jika dianggap belum kompeten, maka sebaiknya anda tidak segan untuk mengulang kembali dengan arahan guru pembimbing. 4. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan beberapa peralatan ukur dan piranti-piranti elektronik baik aktif maupun pasif serta sumber daya searah dan bolak-balik yang tetap maupun variabel.

D. TUJUAN AKHIR

Karena modul ini mengacu pada Kurikulum 2004 (Standar Kompetensi Nasional) , maka setelah anda menyelesaikan kegiatan belajar ini ada beberapa kinerja yang diharapkan untuk anda kuasai dan telah memenuhi persyaratan dari dunia kerja seperti berikut : 1. Mampu mengidentifikasi komponen elektronik 2. Mampu melakukan troubleshooting rangkaian elektronik 3. Mampu melakukan perbaikan pesawat elektronik

2

Terjadinya bahan semikonduktor tipe P dan N dijelaskan sesuai dengan kejadian dan sifatnya . .Menjelaskan teori atom .Sifat transistor NPN dan PNP dijelaskan sesuai dengan sifat atau karakteristiknya .Dioda diuji sesuai dengan karakteristiknya dengan rangkaian uji yang ditetapkan .Teori atom dan sifatnya difahami sebagai dasar pengetahuan elektronik .Transistor Bipolar diidentifikasi dengan alat ukur yang sesuai.Bahan semikonduktor dijelaskan sesuai dengan sifat-sifatnya .Melakukan percobaan dioda zener sebagai stabilisator tegangan searah Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja yang telah ditetapkan Pengetahuan : Ketrampilan : Sikap : Sub Kompetensi 2 Kriteria Unjuk Kerja : : Memahami sifat dan karakteristik transistor bipolar .Menjelaskan terjadinya bahan sk.Dioda diidentifikasi sesuai dengan sifatnya dengan alat ukur yang sesuai .Elektronika -1 E.Fungsi transistor dijelaskan sesuai dengan fungsinya 3 .Terjadinya lapisan PNP dan NPN dijelaskan sesuai dengan kejadiannya .Menjelaskan sifat PN junction .Sifat PN junction dijelaskan .Melakukan percobaan karakteristik dioda. STANDAR KOMPETENSI KODE KOMPETENSI : Kompetensi Sub Kompetensi 1 Kriteria Unjuk Kerja : : : PTL OPS 005( ) A Memelihara rangkaian elektronik Memahami teori atom dan semikonduktor . . Tipe P dan N dan sifatnya .Menjelaskan sifat unsur bahan semikonduktor .Melakukan percobaan Dioda sebagai penyearah arus .Menjelaskan sifat macam-macam dioda dan penggunaannya .Sifat macam macam dioda dijelaskan sesuai dengan karakteristik dan penggunaannya .

CB.Penguatan dan konfigurasi penguat transistor dijelaskan sesuai dengan rangkaian sambungannya Pengetahuan : Menjelaskan terjadinya lapisan PNP dan NPN Menjelaskan sifat dan karaktersitik transistor bipolar Menjelaskan cara mengidentifikasi transistor bipolar Menjelaskan fungsi transistor sebagai penguat.Melakukan identifikasi transistor dengan alat ukur . saklar elektronik .Melakukan percobaan transistor s ebagai saklar elektronik Ketrampilan : Sikap Ruang Lingkup Belajar : : Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja Kompetensi ini berkaitan dengan pemahaman tentang komponen-komponen elektronik yang umumnya digunakan dalam peralatan kendali di industri LIS PTL 47 (P) Kode Modul : 4 .Elektronika -1 .Menjelaskan konfigurasi.CE dan CC .

Penguasaan terhadap karakter komponen elektronik YA BELUM REMARK Catatan Pembimbing : 5 .Elektronika -1 F. Penguasaan terhadap peralatan ukur Analog 2. Penguasaan terhadap prosedur perbaikan dan perawatan elektronik 6. Penguasaan terhadap peralatan ukur Digital 3. Penguasaan terhadap peralatan perbaikan (alat tangan) 5. CEK KEMAMPUAN PENGUASAAN KONDISI 1. Penguasaan terhadap peralatan ukur elektronik (osiloskop) 4.

19. 18. 12. 16. 09. 05. 06. 11. 04. 14. 10. 01. 02. 15. TOTAL WAKTU 2400 Kegiatan Tanggal Waktu (menit) Tempat Belajar Paraf Guru 6 . PEMBELAJARAN RENCANA PEMBELAJARAN SISWA No. 17. 07. 03. 20. 13. 08.Elektronika -1 II.

maka diharapkan anda dapat : ? Memahami karakteristik atom suatu unsur ? Membedakan antara sifat bahan penghantar. penyekat dan setengah Penghantar ? Memahami terbentuknya bahan semikonduktor P dan N ? Menganalisis karakteristik Dioda Semikonduktor ? Menganalisis karakteristik Dioda Zener ? Mengaplikasikasikan dioda sebagai penyearah (rectifier). pelipat (multiplier) dan penstabil tegangan (voltage stabilizer) 7 .Elektronika -1 Kegiatan Belajar -1 TEORI ATOM DAN DIODA SEMIKONDUKTOR TUJUAN : Setelah mempelajari topik ini.

neutron dan elektron. dimana proton bermuatan positip terhadap elektron atau elektron bermuatan negatip sedangkan dalam keadaan normal inti (neutron) tidak bermuatan.dan juga bisa bermuatan netral jika jumlah muatan positip dan negatipnya seimbang. sebaliknya elektron bermuatan negatip terhadap intinya. Inti bermuatan positip terhadap elektron. Kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak. Karakteristik Atom A 1. Secara tiga dimensi bentuk atom suatu unsur digambarkan seperti terlihat pada gambar Gambar 1. Setiap inti mempunyai medan gaya tarik dengan elektronnya dan dikenal sebagai muatan. Atom dan lintasan elektronnya Atom terdiri dari proton. 3. 8 . tom adalah partikel terkecil dari sebuah molekul yang sifatnya tidak dapat dibagi lagi dan hal ini sesuai dengan nama asal atom dari bahasa Yunani ATOMOS. Karakteristik suatu atom adalah : 1.Elektronika -1 A. yang berarti tidak dapat dibagi lagi. 2.1.1.

Gambar 1.Lintasan pertama . Gambar 1. adalah : (1) = 2 . Banyaknya elektron yang melintas ditentukan oleh berat unsur kimia.2. Dengan demikian banyaknya elektron yang melintas pada setiap lintasan untuk unsur silikon seperti gambar 1. dimana angka terkecil menyatakan nomor lintasan yang paling dekat ke intinya). Memperlihatkan susunan lapisan suatu atom unsur Silikon (Si) yang mempunyai nomor atom 14 atau mempunyai 14 buah elektron yang mengelilingi intinya.……… (nomor lintasan.3.2. 12 = 2 buah elektron 9 .2.Elektronika -1 B. Lapisan atom unsur silikon dan penyederhanaannya Jumlah elektron yang melintas pada setiap lapisan dapat ditentukan dengan rumus pendekatan sebagai berikut : ? e = 2 n2 (1.4.2. Susunan Atom Susunan setiap atom terdiri dari lapisan -lapisan tertentu yang menjadi tempat beredarnya elektron. dimana semakin besar berat unsurnya suatu unsur akan semakin banyak jumlah elektron yang mengelilingi intinya.1) dimana : ? e = banyak elektron yang melintas n = 1. lapisan ini disebut lintasan atau orbit.

hal ini dikarenakan merupakan sisa dari 14 – (2 + 8) = 4 buah elektron. Elektron yang menempati lapisan terluar tersebut sangat memegang peranan penting dalam penentuan sifat kimia dan kelistrikan unsur dan sering disebut sebagai elektron martabat (Valensi).Lintasan ketiga (2) = 2 . Ikatan Kovalen 10 . Misalkan ada beberapa atom silikon yang saling berdekatan seperti gambar 1.Lintasan kedua . Elektron-elektron yang melintas pada lapisan terdalam (berdekatan dengan inti) akan terikat kuat oleh muatan intinya dana kan sulit untuk melepaskan diri dari susunannya. Setiap elektron mempunyai kemampuan untuk mengikat satu elektron lain dari atom lainnya yang berada disekitarnya. Pada lintasan ketiga hanya melintas empat buah elektron .3.Elektronika -1 . Gambar 1. 22 = 8 buah elektron (3) = 4 buah elektron (sisa). maka elektron-elektron yang saling berdekatan akan menjalin ikatan yang dikenal sebagai Ikatan Kovalen (Covalent-Bond). Sedang bagi elektron-elektron yang menempati lapisan terluar akan mudah dipengaruhi oleh sejumlah tenaga dari luar dan mereka dapat keluar sebagai elektron bebas.3.

4. Elektron yang lepas dari ikatannya ini dikenal sebagai Elektron Bebas yang bermuatan negatip.Elektronika -1 ? Catatan : C. 11 . Elektron Bebas dan Hole Suatu efek agitasi seperti kenaikan temperatur akan menghasilkan getaran pada inti atom sehingga berakibat ikatan kovalen akan pecah dan diikuti oleh lepasnya elektronelektron. sedangkan tempat yang ditinggalkan oleh elektron akan membentuk suatu muatan positip. memperlihatkan elektron bebas dan hole pada susunan atom unsur silikon. Gambar 1. dim ana tempat tadi disebut sebagai kekosongan atau dikenal dengan nama lain Hole.

ada suatu bahan yang mempunyai tahanan jenis yang berubah-ubah seiring dengan perubahan temperatur. dimana pada temperatur absolut (0 0K = -273 0 C) dalam keadaan murni bersifat sebagai isolator. enerji panas sudah mampu untuk membebaskan elektron dari ikatan kovalen.4. Dikarenakan daya hantar jenis bahan semikonduktor murni sangat rendah. penyekat dan Setengah-Penghantar Pada umumnya bahan kelistrikan yang anda kenal ada dua. Elektron Bebas dan Hole 0 Pada temperatur kamar (? 27 C). Bahan Penghantar. yaitu berkisar antara 10 4 sampai 1016 ohm-meter. Selain kedua jenis bahan di atas. jika mempunyai nilai tahanan jenis yang rendah yaitu berkisar antara 10-8 sampai 10-7 ohmmeter. maka guna memperbesar daya hantar tersebut dapat dilakukan dengan proses pencampuran dengan unsur lain dengan maksud untuk memperbanyak terjadinya elektron-elektron bebas dan hole. Bahan ini digolongkan pada bahan setengah-penghantar (semiconductor). Elektron bebas dan hole yang terjadi disebut juga sebagai pembawa muatan (Charge-Carrier). sehingga dengan perkataan lain dengan temperatur kamar sifat silikon yang pada kondisi semula bersifat sebagai penyekat sempurna dapat berubah menjadi penghantar arus listrik. Suatu bahan konduktor dikatakan baik. yaitu penghantar (konduktor) dan penyekat (isolator). Istilah pencampuran ini dikenal dengan nama pengotoran (Impurity) atau Doping. 12 . D.Elektronika -1 Gambar 1. Sedangkan suatu bahan isolator dikatakan baik jika mempunyai nilai tahanan jenis yang tinggi.

Pengaruh panas terhadap tahanan jenis bahan 13 .5. memperlihatkan kurva pengaruh panas terhadap tahanan jenis. Oleh karena itu bahan semikonduktor akan lebih baik menghantarkan arus listrik saat panas daripada saat dingin.5. sebaliknya tahanan jenis bahan semikonduktor akan turun secara eksponensial jika temperaturnya anda naikkan. TABEL-1 CONTOH BEDA TAHANAN JENIS PADA TEMPERATUR KAMAR KONDUKTOR ? Cu ? 10-8 ? m SEMI-KONDUKTOR ? Ge ? 50 x 10-2 ? m ? Si ? 50 x 10-1 ? m ISOLATOR ? mika ? 1010 ? m Tahanan jenis bahan konduktor hanya akan bertambah sedikit naik dan berbanding lurus dengan kenaikan dari temperatur. Gambar 1. Berikut ini diperlihatkan contoh perbedaan tahanan jenis bahan pada temperatur kamar (? 27 0 C). Gambar 1.Elektronika -1 sedangkan jika ada kenaikan temperatur sifatnya akan berubah menjadi konduktor. Nilai tahanan jenis bahan semikonduktor ini berkisar antara 10-1 sampai 10 -15 ohm-meter.

Tabel 2 berikut memperlihatkan tabel periodik golongan atom bahan semikonduktor. 14 . Terbentuknya Bahan Semikonduktor tipe P dan N Bahan dasar yang bayak dan sering digunakan dalam membuat piranti elektronik adalah bahan Germanium dan Silikon.Elektronika -1 ? Catatan : E. dimana kedua bahan tersebut mempunyai elektron valensi yang sama yaitu empat buah.

Kristal Silikon tipe P 15 . Guna mendapat muatan positip pada atom silikon atau germanium yang mempunyai valensi empat.Elektronika -1 TABEL –2. maka atom tersebut harus dicampur dengan atom unsur lain yang bervalensi tiga. maka unsur indium yang bervalensi tiga akan menerima empat buah elektron. Selain itu juga disebutkan adanya metoda impurity. Gambar 1.6. misal unsur Indium (In) dan Galium (Ga). Dikarenakan unsur silikon bervalensi empat. GOLONGAN ATOM SEMIKONDUKTOR Pada pembahasan terdahulu disebutkan bahwa elektron-elektron bebas akan mengalir dalam bahan semikonduktor pada temperatur diatas nol-mutlak. dimana unsur murni bahan semikonduktor tersebut dicampur dengan unsur lainnya (agitasi chemis). Atau dengan kata lain harus adanya pemaksaan panas (agitasi thermis).

Dikarenakan atom indium menerima elektron dari silikon atau germanium. Dioda PN Sambungan bahan semikonduktor tipe P dan N mendasari terbentuknya suatu piranti elektronik aktif yang dikenal sebagai Dioda . dimana hurup P ini menunjukkan muatan terbanyak positip atau hole.7. memperlihatkan susunan kristal silikon-P dan jika anda perhatikan lebih seksama akan tampak pada ikatan kovalennya terjadi kekurangan elektron yang mengasilkan muatan positip (hole). maka indium disebut sebagai penerima (akseptor). Dioda ini berasal dari dua kata Duo dan Electrode yang berarti dua elektroda. Unsur pencampur tersebut dinamakan unsur pemberi (donor) sedangkan hasil campurannya disebut Silikon atau Germanium tipe N. Kristal Silikon – N F. memperlihatkan susunan kristal silikon atau germanium N. Gambar 1. maka akan terbentuk bahan baru yang disebut silikon atau germanium tipe P. Jika hasil pencampuran antara atom unsur semikonduktor yang bervalensi empat dengan unsur yang bervalensi tiga akan menghasilkan campuran yang bermuatan positip dan untuk memperoleh campuran yang bermuatan negatip kita harus campurkan bahan silikon atau germanium dengan unsur lain yang bervalensi lima misalnya unsur Arsenikum. Campuran ini akan membentuk campuran bermuatan negatip dikarenak an kelebihan elektron. Gambar 1. yaitu Anoda yang berpolaritas postip dan Katoda yang berpolatitas negatip.6. Antimon atau Phospor. Gambar 1. 16 .Elektronika -1 Sebagai paduan bersama.7.

1.. DIN 40 700 Gambar 1. Bias maju (Forward-Bias) 17 .Elektronika -1 Secara umum dioda disimbolkan dan bentuk fisiknya seperti terlihat pada gambar 1. Simbol dan bentuk fisik Dioda 1.8.9.9. Gambar 1. Bias Maju Jika anoda dihubungkan dengan kutub positip sumber searah dan katodanya dihubungkan dengan kutub negatipnya seperti terlihat pada gambar 1. maka rangkaian tersebut dikenal sebagai rangkaian bias maju (Forward -Bias).8. Salah satu aplikasi penggunaan dioda dalam ilmu kelistrikan adalah sebagai penyearah arus (rectifier) dari arus bolak-balik ke arus searah. Sifat Dioda 1.

Bias Mundur (Reverse-Bias) Pada saat reverse ini dioda akan mempunyai nilai hambatan yang besar. Tegangan ini jika terus diperbesar akan mengakibatkan kerusakan pada dioda dan untuk itu tegangan ini dibatasi hingga tegangan nominal yang dikenal dengan nama Peak Inverse Voltage disingkat PIV.2. Bias Mundur Jika kedua elektroda dioda tersebut kita hubungkan secara terbalik (berlawanan polaritas). Gambar 1. 1. 18 . Tegangan saat arus mengalir secara linear ini dikenal sebagai tegangan patahan (Breakdown Voltage). Jika tegangan sumber dinaikkan lebih besar lagi. Untuk dioda silikon Ud ? 0.Elektronika -1 Pada kondisi seperti ini arus akan mengalir dari anoda menuju katoda.10. maka bias demikian disebut bias mundur (Reverse-Bias) seperti diperlihatkan pada gambar 1.3 volt. yaitu anoda dihubungkan dengan sumber negatip sumber searah sedangkan katoda dihubungkan dengan sumber positipnya. maka suatu saat tertentu secara tiba-tiba arus akan naik secara linear. Tegangan dimana dioda mulai mengalirkan arus disebut sebagai tegangan kerja dioda ( Ud).10. sehingga arus tidak akan atau sedikit mengalir dalam orde mikroamper.7 volt sedangkan untuk dioda germanium Ud ? 0.

Pencampuran antara bahan semikonduktor bervalensi berbeda misal Silikon yang bervalensi 4 dengan bahan Indium yang bervalensi 3 akan menghasilkan tipe semikonduktor P (positip). Elektron yang melepaskan diri dari ikatannya disebut Elektron-bebas. sedangkan tempat yang ditinggalkannya membentuk muatan p ositip yang diberi nama Hole. dimana atom terdiri dari Inti. Jumlah lapisan (orbit) elektron dari suatu unsur dapat dihitung dengan rumus pendekatan ? e = 2 n2 4. jika muatannya seimbang . Inti dan proton dianggap bermuatan sama (positip).( 27 0 C) berubah ? 19 . 2. Atom adalah bagian terkecil dari benda yang tidak dapat dibagi lagi.Elektronika -1 RANGKUMAN . 5. Proton dan Elektron. sedangkan pada temperatur kamar menjadi penghantar. 6. 8.1 1. bahan semikonduktor bersifat sebagai penyekat. Dalam keadaan murni dan pada temperatur –2730 C (0 0 K). sedangkan pencampuran Silikon dengan Arsenikum yang bervalensi 5 akan menghasilkan tipe N (negatip). Sifat dioda PN adalah menghantarkan arus saat bias maju (forward) dan menghambat arus saat bias mundur (reverse). 7. Setiap elektron yang berdekatan dari atom yang berbeda dapat membuat suatu ikatan yang dikenal sebagai ikatan kovalen (Covalent-Bond). 3. sedangkan elektron bermuatan negatip dan kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak bahkan bisa bermuatan netral.

Hitung / gambarkan jumlah lintasan dan jumlah elektron setiap lintasannya ! b. Sebutkan ciri-ciri (sifat) dioda untuk bias maju dan mundur ! 20 .Elektronika -1 ? kejadiannya ! LEMBAR LATIHAN . a. valensi P = …………… 3. Valensi In = …………. Apa yang dimaksud dengan metoda Impurity (DOPING) dan sebutkan apa tujuan / alasannya ? 4. Unsur Indium (In) yang mempunyai nomor atom 49 dan Phospor (P) yang bernomor atom 15. Apa yang dimaksud dengan Elektron Bebas dan Hole ? Sebutkan juga 2. .1 1.

Metoda ini disebut metoda pengotoran (doping). dimana kejadiannya adalah saat elektron tersebut lepas dari ikatannya akibat adanya pengaruh agitasi thermis ataupun chemis. 2. maka dia akan menghantarkan arus listrik. 2. 21 . Kehilangan elektron tersebut mengakibatkan “lubang” (hole) yang bermuatan positip. dimana unsur murni dicampur dengan unsur lain sehingga berubah sifat.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . sedangkan unsur Phospor = 3. jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah : Orbit 1 = 2 x 1 2 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 5 elektron Dengan demikian Elektron valensi untuk unsur Indium adalah = 5. Sedangkan atom yang ditinggalkan oleh elektron akan kehilangan muatan negatip sehingga atom tersebut akan lebih negatip. Sedangkan jika dibias mundur. 3.1 1. Elektron bebas dan hole adalah pembawa muatan negatip dan positip. Usur Indium yang mempunyai nomor atom 49. misalnya unsur silicon murni dicampur dengan indium akan menghasilkan bahan silicon dengan polaritas positip. Jika dioda diberi bias maju. jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah sebagai berikut : Orbit 1 = 2 x 12 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 2 x 32 = 18 Orbit 4 = 2 x 42 = 18 * Orbit 5 = 3 elektron Sedangkan untuk Phospor yang mempunyai nomor atom 15. Metoda impurity (doping) adalah metoda untuk memperoleh bahan (unsur) yang mempunyai polaritas tertentu (positip atau negatip). maka dia akan menghambat arus.

Dapat menggambarkan karakteristik listrik dioda arah maju dan mundur. ? RANGKAIAN PERCOBAAN A) ARAH MAJU S + R + A Us U Rp V D B) ARAH MUNDUR S + Us U V D + A 22 . 2. Dapat membuktikan sifat-sifat dioda secara umum.Elektronika -1 LEMBAR KERJA 1 KARAKTERISTIK DIODA ? TUJUAN Setelah selesai mengerjakan lembar kerja – 1 ini diharapkan anda : 1.

Multimeter 8. dimana semua posisi saklar pada posisi OFF.5 0. Buat rangkaian seperti gambar 1 di atas. 3.7 0. Potensiometer limear 1 k? 9. 8. Amati kedua meter dan catat hasil penunjukkannya pada tabel .2 0. Dioda Rectifier 1N4005 10.9 1. 6. 3. 5. Regulated DC Power Supply 0 –20 volt 2. 2. 4. ? A meter dc.3 0. Posisikan V meter pada batas ukur 1 volt. Atur tegangan melalui potensiometer secara bertahap setiap 0.1 volt. V meter dc 6. Saklar ON-OFF 5. 4. Proto Board Trainer 7. Kabel secukupnya. Hidupkan saklar (ON).4 0. mA meter dc.1 0. catatan : Dalam rangkaian ini sebagai pengukur arus digunakan mA meter. 7. 9.1 yang disediakan.0 23 I ( mA) R ( ohm ) .8 0. Resistor = 100 ? / 1 W 11.Elektronika -1 ? DAFTAR ALAT DAN BAHAN 1. Posisikan mA meter pada batas ukur 100 mA.6 0. Nyalakan Power Supply dan atur tegangan sebesar 1 volt. Hentikan percobaan jika pembacaan meter sulit dibaca ! TABEL – 1 U (volt) 0 0. ? LANGKAH KERJA –1 1. Periksakan rangkaian tersebut kepada instruktor sebelum mulai percobaan.

3. Periksa kebenaran rangkaian pada instruktur anda.Elektronika -1 R=U/I ? LANGKAH KERJA . sedangkan batas ukur V meter hingga diatas 20 volt. posisi saklar pada posisi OFF. Catatan : Pengukur arus adalah ? A-meter 2. Buat rangkaian seperti gambar 2. Hentikan percobaan. Perhatikan juga batas ukur meter yang digunakan ! 3. Perhatikan polaritas dioda dan meter pengukur dc ! 2. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel –2 di bawah. kemudian naikkan bertahap setiap 2 volt dan amati penunjukkan ? A-meter. 24 .2 1. 5. Catatan : Untuk percobaan ke 2 ini batas ukur ? A meter diatur pada batas terendah. TABEL – 2 U (volt) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 I (? A) R ( ohm ) ? KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1. Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula. jika batas tegangan Power Supply telah mencapai 20 volt. 4. Hidupkan saklar dan atur tegangan dari nol.

……………………………………………………………………….volt 3.1 volt dan 5 mm ? 10 mA. b. Berapa titik Breakdown-nya ? Ubd = ? …………. ? EVALUASI 1. Kenapa rangkaian percobaan 1 dan 2 dibedakan atas posisi alat ukurnya ? ………………………………………………………………………. Untuk arah mundur 20 mm ? 2 volt dan 5 mm ? 1 ? A. Untuk arah maju 5 mm ? 0.Elektronika -1 ? TUGAS Buat gambar karakteristik dioda arah maju dan mundur dari data tabel 1 dan 2 hasil pengukuran anda pada pola di bawah ini dengan skala : a. ………………………………………………………………………. ……………………………………………………………………….. Berapa titik konduk dioda yang anda amati ? Ud = ? ………… volt 2.. 25 .

maka dioda dapat dimanfaatkan sebagai alat penyearah arus bolak-balik (rectifier). Rangkaian Penyearah setengah gelombang Jika saklar S ditutup. yaitu : ? ? Penyearah Setengah Gelombang (Half-Wave Rectifier). Penyearah Gelombang Penuh (Full-Wave Rectifier). dimana sisi primer transformator tersambung dengan sumber bolak-balik (ac) sedangkan sisi sekunder dihubungkan seri dengan sebuah dioda dan tahanan beban (R L). 2. Ada dua macam penyearah yang dikenal. maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip.1. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir. Penyearah Setengah Gelombang Rangkaian dasar penyearah setengah gelombang diperlihatkan pada gambar 1. 2.11.Elektronika -1 4. 26 . Gambar 1.11. Kenapa pada rangkaian percobaan – 2 tidak digunakan hambatan R ? ………………………………………………………………………. ………………………………………………………………………. ………………………………………………………………………. maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. Dioda Sebagai Penyearah Arus (Rectifier) Berdasarkan sifat-sifat dioda .

Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4. Proses penyearahan setengah gelombang Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat.12. maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja. Proses perubahan tegangan bolak -balik menjadi pulsa searah ini disebut penyearahan dan dikarenakan hanya setengah periode saja yang dapat dimanfaatkan. sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan.Elektronika -1 Gambar 1.318 Um (1.2) Dimana : Um = harga maksimum tegangan ac Udc = harga rata-rata tegangan dc 27 . Guna menghitung besar harga rata-rata signal yang disearahkan dapat digunakan rumus pendekatan sebagai berikut : Um Udc = ? = 0. maka penyearah seperti ini dikenal sebagai Penyearah Setengah Gelombang.

dimana jumlah lilitan antara titik AC sama dengan jumlah lilitan pada titik CB. dimana kurva a1 dan a2 menunjukkan tegangan yang masuk pada dioda D1 dan D2 yang selalu berlawanan phasa dan sama besarnya. Penyearah Gelombang Penuh Ada dua macam penyearah gelombang penuh. 28 . Gambar 1. yaitu sistem Titik -Tengah (centretap) dan Sistem Jembatan (bridge). Penyearah sistem titik-tengah menggunakan transformator centre-tap.2. Ujung lain dari dioda ini dihubungkan pada titik yang sama dari ujung tahanan RL di titik X dan ujung titik Y disambungkan ke titik tengah transformator C.14. Sistem Centre-tap Ujung A dihubungkan pada dioda D1 dan ujung B pada dioda D2.13. Kerja penyearah ini dapat dilihat pada gambar 1.Elektronika -1 2.

sedangkan D2 tidak menghantar (kurva b2 saat t1 -t 2).318 Um = 0. maka rangkaian ini dinamakan penyearah gelombang penuh. sedangkan ujung B negatip sehingga pada sat ini dioda D1 yang sedang menghantar (kurva b1 saat t1 – t2).3) 29 .15. Dengan demikian kedua dioda tersebut secara bergantian setiap setengah periode dan tahanan RL sertiap saat selalu dilewati arus (kuva c) yang berbentuk pulsa positip.636 Um Untuk penyearah gelombang penuh Sistem Jembatan diperlukan empat buah dioda yang dipasang sedemikian rupa seperti diperlihatkan pada gambar 1. ( 1.t3 ujung A berpolaritas negatip sedang ujung B positip sehingga pada saat ini dioda D2 yang menghantar (kurva b2 saat t2 .Elektronika -1 Gambar 1. Kelebihan penyearah gelombang penuh dari penyearah setengah gelombang adalah menghasilkan tegangan rata-rata (Udc ) duakali lipat atau dituliskan sebagai berikut : Udc = 2 x 0.t 3) sedang D1 tidak menghantar (kurva b1 saat t2 – t3 ). Dikarenakan satu gelombang penuh tegangan bolak-balik telah dimanfaatkan. Pada saat t2 . Proses Penyearahan Gelombang Penuh Pada saat t1 – t2 ujung A sedang berpolaritas positip.14.

maka ikuti gambar 1. dioda yang menghantar adalah dioda D3 dan D4 . Guna memudahkan anda mengetahui bagaimana sistem ini bekerja.. Gambar 1.sedang D1 dan D2 tidak menghantar. Proses kerja Sistem Jembatan Dengan demikian pada setiap setengah periode tegangan bolak-balik ada dua buah dioda yang bekerja secara serempak sedangkan dua buah lainnya tidak bekerja. 30 . Penyearah sistem Jembatan Ketika titik A sedang positip. Adapun hasil penyearahan dari sistem ini adalah mirip dengan sistem Titik -Tengah. sedang dioda D3 dan D4 tidak menghantar. dioda D1 dan D2 berada dalam kondisi menghantar.16.16. dimana ketika titik A sedang negatip.Elektronika -1 Gambar 1.15.

berikut : 31 . Rangkaian pelipat dua disebut Doubler. Dioda sebagai pelipat tegangan (Voltage Multiplier) Guna melipat tegangan dari suatu sumber tegangan searah . maka tegangan output yang dihasilkan adalah Uo = 2 x 6. yaitu untuk setengah gelombang dan gelombang penuh. maka dapat dibuat rangkaian pelipat yang dasarnya adalah merupakan rangkaian penyearah tegangan. Rangkaian doubler setengah gelombang seperti terlihat pada gambar 1. pelipat tiga disebut Tripler dan pelipat empat disebut Quadrupler atau secara umum pelipat ini disebut sebagai Multiplier.5 volt. 3. maka ikuti gambar 1.1. Doubler setengah gelombang Agar anda mudah memahami prinsip kerja rangkaian tersebut. Pelipat Dua (Doubler) Ada dua macam rangkaian pelipat dua ini.3 volt. Gambar 1. Sebagai contoh jika anda menghendaki kelipatan dua dari tegangan output suatu penyearah sebagai berikut : Jika diketahui tegangan efektiv (rms) suatu sumber ac adalah 4.17.5 x ? 2 = 6. maka tegangan maksimum (U m) adalah 4.3 volt = ? 12.6 volt. dan rangkaian ini dikenal sebagai Rangkaian Villard atau Cascade.17.18. Besar tegangan yang dilipatkan dapat diatur mulai dari duakali lipat. Jika tegangan tersebut dilewatkan pada rangkaian pelipat dua. tigakali lipat atau seterusnya.Elektronika -1 3.

Pada saat D2 terhubung singkat selama setengah perioda negatip dan D1 membuka kembali. maka dioda D1 menghantar sedangkan dioda D2 –off.Elektronika -1 Gambar 1. 32 . Jika output doubler ini dihubungkan dengan sebuah beban. misalnya resistor. Secara ideal D terhubung singkat selama 1 setengah periode tersebut dan tegangan input mengisi kapasitor C1 hingga Um dengan polaritas seperti pada gambar 1.19. Jika paralel dengan kapasitor C2 tidak dibebani. Kapasitor C1 mengisi muatan hingga mencapai tegangan maksimumnya (Um ).18. yaitu Uc1 = Um dan Uc2 = 2 Um. kita dapat menjumlahkan tegangan yang ada pada jaringan sehingga akan ditemukan bahwa Uc2 = 2 Um.(a). Gambar 1. dioda D1 off dan dioda D2 menghantar dan C2 mengisi muatannya. maka kedua kapasitor tersebut akan tetap bermuatan. maka tegangan Uc2 akan turun selama setengah perioda positip dan kapasitor tersebut akan mengisi kembali hingga 2 Um pada setengah periode negatipnya. Pada setengah perioda berikutnya sedang negatip.18. berikut memperlihatkan rangkaian doubler gelombang penuh yang dikenal dengan nama Rangkaian Delon. Prinsip Kerja Doubler setengah gelombang Ketika setengah perioda tegangan trafo sisi sekunder sedang positip.

Rangkaian Doubler Gelombang Penuh Rangkaian pelipat lain dengan kemampuan lebih besar diperlihatkan seperti gambar 1.20. Rangkaian Multiplier 33 .19.Elektronika -1 Gambar 1. Gambar 1.20.

Dioda dapat digunakan sebagai penyearah arus dari arus bolak -balik ke arus searah 2. yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh 3. sedangkan hasil penyearahan gelombang penuh adalah 2 x 0. Penyearah gelombang penuh ada dua tipe. yaitu dengan menggunakan transformator titik tengah (centre-tap) dan tipe jembatan (bridge).636 Um 4.318 Um = 0. 34 . Penyearah arus ada dua macam.Elektronika -1 RANGKUMAN . Hasil penyearahan setengah gelombang adalah 0. Dengan bantuan kapasitor.318 Um. 5. penyearah dapat dibentuk sebagai rangkaian pelipat (multiplier) tegangan.2 1.

Tegangan searah (dc) 3.2 1. maka hitunglah : a. 2. kenapa tegangan dc output lebih rendah dari tegangan input ac ? 35 . Ceriterakan prinsip penyearahan signal ac menjadi dc dengan system penyearah setengah gelombang lengkap dengan gambarnya. Menurut analisa anda. Tegangan maksimum (Um) b.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN . Jika diketahui sebuah penyearah gelombang penuh sistem jembatan dengan input ac = 12 volt.

maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat. Prinsip penyearahan setengah gelombang Jika saklar S ditutup. 2.97 volt b) Udc = 5.2 1. Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4. maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir.40 volt 36 .Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan. Diketahui Uin = 12 volt effektif Ditanya : a) U maksimum ( Um) b) U dc Jawab : a) Um = 16.

maka tegangan dc yang dihasilkan oleh penyearah setengah gelombang akan lebih rendah dari tegangan inputnya (U ef ataupun Umak nya) 37 . Karena yang dilewatkan hanya setengah periode sedangkan setengah lainnya dihambat.Elektronika -1 3.

diharapkan anda mampu : 1. 2.Elektronika -1 LEMBAR KERJA 2 DIODA SEBAGAI PENYEARAH ARUS ? TUJUAN Setelah menyelesaikan lembar kerja – 2 . Penyearah setengah gelombang D x AC R y B. menganalisis bentuk gelombang searah. membuktikan dioda sebagai penyearah gelombang penuh 3. Penyearah Sistem Jembatan 38 . ? RANGKAIAN PERCOBAAN A. membuktikan dioda sebagai penyearah arus setengah gelombang.

di bawah. 5. Atur sumber ac sesuai dengan Tabel 1. AC Regulated Power Supply 0 – 220 volt 2. 4. Periksakan rangkaian anda kepada instruktur sebelum melakukan pengamatan atau menghidupkan sumber daya ! 2. V meter dc 5. 9. Jika anda telah menyelesaikan perintah 1 s/d 6. Dioda rectifier IN4005 dan Bridge Diode 3.Elektronika -1 ? ALAT DAN BAHAN 1. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel – 1 7. V meter ac 6. buat rangkaian seperti gambar 2. Buat kesimpulan hasil pengamatan anda ? KESELAMATAN KERJA 1. R = 100 ohm/5 W 4. Buat rangkaian seperti gambar A 2. Oscilloscope Dual-Trace ? LANGKAH KERJA 1. 8. Kembalikan semua alat dan bahan ke tempat semula. Periksa sambungan dan perhatikan polaritas 3. Lakukan langkah 4 dengan menggunakan Oscilloscope 6. Ikuti petunjuk yang sama dan masukkan hasil pengamatan anda pada tabel – 2. 39 . Ukurlah dengan menggunakan V meter dc tegangan output antara titik x dan y. Periksa polaritas dan jenis alat ukur (meter) dengan benar ! 3.

2 V METER U 6 8 10 Uxy OSCILLOSCOPE Uxy KESIMPULAN : 40 .Elektronika -1 ? TABEL PENGAMATAN TABEL – 1 V METER U 6 8 10 Uxy OSCILLOSCOPE Uxy TABEL .

21. memperlihatkan karakteristik listrik dioda zener yang mirip dengan karakteristik dioda pada umumnya. Dioda Zener Dioda zener adalah merupakan dioda yang terbuat dari bahan silikon dan dikenal sebagai Voltage Regulation Diode yang bekerja pada daerah reverse bias (kuadran III) di daerah breakdownnya. arus reverse akan naik dengan cepat. sedangkan jika tegangan sumber sedikit diatas Uz. dimana terjadi patahan (breakdown). Karakteristik dioda zener Gambar 1.1.Elektronika -1 4.21. Gambar 1. 4. Simbol dan rangkaian ekuivalennya diperlihatkan seperti gambar 1. maka tahanan dioda zener sekitar 1 Mega ohm bahkan lebih. 41 . Simbol dan rangkaian ekuivalen dioda zener Rangkaian ekuivalen dioda zener merupakan suatu hambatan dinamis yang bernilai relatip kecil dan seri dengan sebuah batere searah yang besarnya sebanding dengan potensial zener tersebut. Jika tegangan sumber yang dib erikan pada zener lebih kecil dari Uz. Kemampuan dioda zener berkisar mulai 2.22.4 volt sampai 200 volt dengan disipasi daya ¼ sampai 500 W. Notasi Uz adalah tegangan reverse dioda.

Elektronika -1 Gambar 1.23. Karakteristik listrik dioda zener Dari karakteristik terlihat bahwa setelah terjadi tegangan patahan.22. Oleh karena itu dalam prakteknya dioda zener selalu dipasang serikan dengan sebuah resistor. Kenaikan arus zener ini mempunyai batas maksimal yang diberi notasi Iz max. dan jika terlampaui akan mengakibatkan kerusakan. Gambar 1. arus naik sedemikian rupa sedangkan tegangan zener Uz akan tetap tidak berubah. Rangkaian dioda zener 42 .

24. Gambar 1.Elektronika -1 Guna menentukan nilai tahanan seri (Rs) agar dioda terhindar dari arus lebih digunakan rumus sebagai berikut : Rs ? (Us ? Uz) Iz (max) (1. Uz2+Uz3 dan (Uz1+Uz2+Uz3).2. kita dapat memperoleh enam tegangan yang stabildan berbeda-beda. yaitu Uz1 s/d Uz3 kemudian variasi Uz1+Uz2. 4. maka zener dioda banyak digunakan sebagai penstabil tegangan searah. Gambar-gambar zener sebagai penstabil tegangan dapat dilihat pada gambar berikut. Syarat yang perlu diperhatikan dalam penggunaan rangkaian ini adalah arus yang melewati ketiga zener tidak boleh lebih rendah dari Iz minimum dan tidak boleh melewati Iz maksimum.24. sedangkan nilai Rs maksimalnya dengan memperhitungkan Iz minimal dari zener.4 ) Persamaan diatas akan menghasilkan nilai Rs minimal yang dapat dipasang. 43 . Zener sebagai penstabil tegangan Dikarenakan karakteristiknya. Variasi stabilisator tegangan dengan zener Untuk penstabil seperti yang diperlihatkan pada gambar 1.

Konstruksi dan simbol LED 44 .26. Simbol dan bentuk fisiknya diperlihatkan seperti gambar 1.Elektronika -1 Untuk memperoleh tegangan yang lebih stabil dan menghilangkan faktor kerut dari tegangan input.25. Gambar 1. Adapun syaratnya Uz1 harus lebih besar daripada Uz2.26. Gambar 1. maka digunakan rangkaian seperti gambar 1. Rangkaian stabilisator parallel Dengan mengubah R2 dengan sebuah potensiometer.25. 5. Dioda Emisi Cahaya (LED) Dioda Emisi Cahaya (Light Emitting Diode= disingkat LED) dikenal dengan istilah lain Solid State Lamp adalah piranti elektronik gabungan elektronik dengan optic (lensa) dan akhirnya dikenal juga sebagai keluarga Opto-Electronic. maka tegangan output rangkaian tersebut dapat diatur dari Uz2 hingga Uz1.

Bahan GaS memancarkan warna infra -merah.8 volt 2. Penggunaan LED Penggunaan LED dalam rangkaian elektronik dibagi dalam tiga kategori umum. Sebagai penggandeng rangkaian elektronik yang masing-masing terisolir secara total.1 volt 2. 45 .2 volt Tabel 3.Elektronika -1 Bahan dasar yang digunakan untuk pembuatan LED adalah Galium Arsenida (GaAs) atau Galium Arsenida Phospida (GaAsP) atau juga Galium Phospida (GaP) yang dapat memancarkan cahaya dengan warna yang berbeda. b. WARNA Merah Orange Kuning Hijau TEGANGAN MAJU 1. Tegangan Maju LED Standar arus maju LED standar adalah 20 mA. yaitu a.2. Oleh karena itu dalam penggunaan LED biasanya dihubung seri dengan sebuah hambatan ( R ). Bahan GaAsP warna merah atau kuning sedangkan bahan GaP dengan warna merah atau hijau. 5. Batasan kemampuan LED LED mempunyai batas kemampuan arus maupun tegangan yang dibedakan berdasarkan warna seperti diperlihatkan pada tabel 3 berikut.0 volt 2. 5. Sebagai lampu indicator. c. Untuk transmisi signal cahaya yang dimodulasikan dala m suatu jarak tertentu.1.

27. Gambar 1. arus yang mengalir sekitar 10 ? A untuk dioda cahaya dengan bahan dasar germanium dan 1? A untuk bahan silikon. 46 . perbedaannya terletak pada persambungan yang diberi celah agar cahaya dapat masuk padanya. biasanya dihubungkan parallel dengan sebuah dioda penyearah secara terbalik (anti-parallel) seperti terlihat pada gambar 1. Konstruksi simbol dan bentuk fisiknya dapat dilihat pada gambar 1. Konstruksi. Photo Dioda Secara umum dioda-cahaya ini mirip dengan PN-Junction. jadi hanya arus bocor saja yang melewatinya. Dalam keadaan gelap.27. bentuk fisik dan simbol dioda cahaya Dioda cahaya ini bekerja pada daerah reverse. Gambar 1.27.27. LED sebagai indikator sumber ac 6.Elektronika -1 Jika LED digunakan sebagai indicator cahaya dalam suatu rangkaian arus bolak-balik.

dimana dalam keadaan gelap resistansi dioda cahaya ini tinggi. misal dalam penggunaan alarm. Penggunaan dioda cahaya diantaranya adalah sebagai sensor dalam pembacaan pita data berlubang (Punch Tape). maka cahaya yang memasuki lubang tersebut akan diterima oleh dioda cahaya dan diubah dalam bentuk signal listrik. Sedangkan penggunaan lainnya adalah dalam alat pengukur kuat cahaya (LuxMeter). dimana pita berlubang tersebut terletak diantara sumber cahaya dan dioda cahaya. sedangkan jika disinari cahaya resistansinya akan berubah rendah. Jika setiap lubang pita itu melewati celah antara tadi. Dioda cahaya ini banyak juga digunakan sebagai sensor sistem pengaman (security).Elektronika -1 Kuat cahaya dan temperature keliling dapat menaikkan arus bocor tersebut karena dapat mengubah nilai resistansinya dimana semakin kuat cahaya yang menyinari semakin kecil nilai resistansi dioda cahaya tersebut. 47 .

3 1. Dioda cahaya juga bekerja didaerah reverse bias. maka dalam prakteknya harus dihubung seri dengan sebuah tahanan. Dioda zener sering digunakan sebagai penstabil tegangan (voltage Stabilisator) sumber arus searah. 2.Elektronika -1 RANGKUMAN . 48 . Dioda zener terbuat dari bahan dasar silicon dengan konsentransi campuran lebih tinggi dari dioda rectifier. 8. Dioda Emisi Cahaya (LED) banyak digunakan sebagai indikator cahaya elektronik 6. Dioda zener bekerja di daerah reverse bias (kuadran III) 3. Mengingat keterbatasan dioda zener. Dioda cahaya banyak digunakan sebagai piranti sensor system pengaman dan peraba data dari pita berlubang (Punch Tape). 5. Kemampuan tegangan setiap LED tergantung dari jenis bahan dasar dan warna cahaya yang dikeluarkannya 7. 4.

Dengan alasan apa. Apa yang dimaksud dengan “dioda zener bekerja pada kuadran ke III” ? 3. 49 . Iz(min) = 1. Iz (max. Identitas dioda zener adalah sebagai berikut Uz = 8 volt. Dengan alasan apa dioda zener terbuat dari bahan dasar unsur silikon ? 2.) = 140 mA.3 1. Hitung nilai tahanan seri (Rs) minimal dan maksimalnya yang diizinkan dipasang. dioda zener harus diserikan dengan sebuah resistor ? 4.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN .5 mA. Sumber tegangan searah (dc) sebesar 15 volt akan distabilkan oleh sebuah dioda zener sehingga outputnya = 8 volt dc. Dapatkah sebuah LED digunakan sebagai penyearah ? Sebutkan alasan anda. 5.

4. Silikon lebih tahan terhadap panas dibandingkan bahan semikonduktor lainnya .Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . 50 . Maksud dioda zener bekerja pada kuadran ketiga adalah.66? Iz (min) 1. R min ? Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 50? Iz ( mak) 140 x10? 3 A Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 4666. LED tidak dapat digunakan sebagai dioda penyearah.3 1. karena dia bekerja pada daerah reverse bias. Dalam kerjanya dioda zener harus terhubung seri dengan sebuah resistor dengan alasan guna menghindari arus / tegangan lebih.5x10 ? 3 A Rmak ? 5. 3. karena LED mempunyai keterbatasan kemampuan elektrik seperti tegangan dan arus yang relatip kecil. 2.

Naikkan tegangan U s hingga Iz = 5 mA 3.Elektronika -1 LEMBAR KERJA . Tetapkan R L = 1000 ohm 2. IT dan Us 51 . Tegangan sumber berubah. Ukur dan catat hasil pengamatan anda untuk besaran UAB.3 ZENER DIODA SEBAGAI PENSTABIL TEGANGAN SEARAH ? TUJUAN Dapat membuktikan dioda zener sebagai penstabil tegangan ? RANGKAIAN PERCOBAAN S A IZ + U A V RL IT R1 A IL ? ALAT DAN BAHAN R1 = 100 ohm RL = 500 – 3000 ohm (variativ) Z = 1N 4744 / 60 mA atau yang sejenis Us = 0-20 volt dc variable A = mA meter dc V = volt meter dc ? LANGKAH KERJA A. beban tetap B 1.

Perhatikan polaritas zener dan alat ukur agar tidak terbalik ! Perhatikan penunjukkan A-meter (Iz) ! Hentikan pengukuran (percobaan) jika Iz menuju nilai maksimal (60 mA) ! Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula ! ? TABEL PENGUKURAN TABEL A UAB RL = 1000 ohm Iz 5 10 15 20 25 30 40 50 60 IL IT US 52 . 3. 3. ukur dan catat penunjukkan meter. Variasi beban R L 1. Periksakan rangkaian anda pada instruktur sebelum memulai percobaan. ? KESELAMATAN & KESEHATAN KERJA 1.Elektronika -1 4. Pada setiap perubahan RL tersebut perhatikan penunjukkan alat ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel B yang tersedia. B. Atur Iz = 5 mA dengan RL = 500 ohm . 5. Ubah RL dari 500 ohm sampai 3000 ohm secara bertahap tanpa mengubah nilai Us. 2. 4. 2. Atur Iz sesuai tabel A dan catat setiap penunjukkan alat ukur pada tabel A yang tersedia.

Elektronika -1 TABEL B RL 500 1000 1500 2000 2500 3000 Iz IT UAB US ? KOMENTAR DAN KESIMPULAN 53 .

Elektronika -1 KEGIATAN BELAJAR .2 TRANSISTOR BIPOLAR TUJUAN Setelah mempelajari topik ini. maka diharapkan anda dapat : ? Memahami prinsip kerja transistor bipolar ? Mengidentifikasi transistor bipolar ? Menguji transistor bipolar ? Menggunakan transistor bipolar dalam rangkaian elektronik 54 .

berikut memperlihatkan beberapa bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar. dikatakan bipolar karena terdapat dua pembawa muatan . Susunan fisik lapis transistor Sedangkan gambar rangkaian penggantinya sama dengan dua buah dioda yang dipasang saling bertolak seperti terlihat pada gambar 2. yaitu Emiter. yaitu elektron bebas dan hole. yaitu jenis PNP dan NPN yang simbolnya diperlihatkan pada gambar 2. Sedangkan jenisnya ada dua macam.3.Elektronika -1 1. PENDAHULUAN T ransistor adalah piranti elektronik yan g menggantikan fungsi tabung elektron-trioda.2. transistor ini dapat digunakan sebagai saklar elektronis. Rangkaian pengganti transistor Gambar 2. dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda . Gambar 2. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N seperti digambarkan pada gambar 2.2. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier). Kolektor dan Basis.1.4. namun dikarenakan sifatnya. Gambar 2. 55 .1.

4.Elektronika -1 Gambar 2.3. namun pada dasarnya karena transistor i i tidak tahan terhadap temperatur. Simbol transistor Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya. Bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar Gambar 2. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan. maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan n logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink). 56 . kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja.

A = Germaniun dan B = Silikon.5. Berikut ini adalah gambaran spesifikasi transistor yang banyak digunakan khususnya dalam penentuan elektroda dari transistor tersebut.Elektronika -1 2. dimana dalam buku tersebut akan anda peroleh karakteristik fisik dan listrik suatu jenis transistor bahkan dilengkapi dengan transistor ekuivalennya. PENGKODEAN TRANSISTOR Hampir sama dengan pengkodean pada dioda. PENGUJIAN TRANSISTOR Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda. AD 101. maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. sedangkan huruf kedua menyatakan penerapannya. Gambar 2. maka huruf pertama menyatakan bahan dasar transistor tersebut. BC 108 dan ASY 12. 4. Elektroda transistor 3. Berikut ini adalah huruf-huruf kedua yang dimaksud : C = transistor frekuensi rendah D = transistor daya untuk frekuensi rendah F = transistor frekuensi tinggi L = transistor daya frekuensi tinggi Contoh penerapan kode ini diantaranya adalah BF 121. PENENTUAN ELEKTRODA TRANSISTOR Spesifikasi transistor yang lengkap dapat anda peroleh dari buku petunjuk transistor. 57 .

berikut ini diberikan contoh hasil pengujian transistor ASY 12 dan BC 108 dengan menggunakan ohmmeter. yaitu : a. Pengujian yang tidak professional Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tig a jenis.6. tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c. Hubung singkat c. Dioda Transistor Guna mempermudah cara pengujian. Kebocoran Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut.6. Collector Base PNP Transistor Emitter Gambar 2.Elektronika -1 Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. memperlihatkan kembali rangkaian d ioda transistor PNP yang akan dijadikan referensi pengujian transistor. Salah pemasangan pada rangkaian b. Gambar 3. Pemutusan b. 58 .

Elektronika -1

ELEKTRODA

ARAH REVERSE

ASY 12 2,5 M? 50 ? 3 M? 55 ? 200 k? 8 k?

BC 108 ? 15 ? ? 18 ? 5 M? 4 M?

RANGE OHMMETER x 1 k? x 10 ? x 1k? x 10 ? x 1 k? x 1 k?

C– B

FORWARD REVERSE

E– B

FORWARD REVERSE

C–E

FORWARD

Dari tabel pengujian ternyata terdapat perbedaan besar antara nilai hambatan untuk arah forward dan hambatan untuk arah reverse. Pada pengukuran elektroda C dan B untuk transistor BC 108 (silicon) dengan arah reverse diperoleh nilai hambatan yang besar ( ) dan jika pada pengukuran ini ternyata ? nilai tersebut rendah, maka dapat kita nyatakan adanya kebocoran transistor antara kaki kolektor dan basisnya. Hal lain yang perlu diperhatikan dalam pengujian transistor dengan ohmmeter adalah posisi RANGE ohmmeter tersebut, karena kesalahan range akan menimbulkan kerusakan p ada transistor yang diuji. Cara pengujian lain transistor adalah dengan menggunakan alat elektronik yang dikenal sebagai Transistor Checker. Kondisi transistor dapat juga anda uji ketika transistor tersebut sedang bekerja dalam suatu rangkaian, yaitu den gan mengukur tegangan antara basis dan emitter. Tegangan antara basis dan emitter ini normalnya untuk transistor germanium adalah 0,3 volt sedangkan tegangan basis emitter untuk jenis silicon sekitar 0,6 volt. Jika jauh lebih rendah atau lebih tinggi dari harga tersebut, maka transistor tersebut sedang dalam kondisi tidak normal atau rusak.

59

Elektronika -1

5. NILAI BATAS SUATU TRANSISTOR

Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Suhu maksimal sutu transis tor Germanium adalah sekitar 75 o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150 o C. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor, harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan penyaluran panas. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. Selain itu ada juga biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas.

6. PRINSIP KERJA TRANSISTOR

Untuk memberi gambaran bagaimana suatu transistor bekerja, pada gambar 2.7 diperlihatkan operasi dasar sederhana transistor jenis PNP.

Gambar 2.7. Operasi dasar transistor

Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung, sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. 60

Elektronika -1

Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. Jika sekarang kedua potensial secara bersama dipasang seperti gambar 2.8, maka akan tampak kedua aliran mayoritas dan minoritasnya.

Gambar 2.8. Aliran mayoritas dan minoritas

Pada gambar terlihat sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (IB) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis, maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff, maka

I E = IC + IB

Jika besar tegangan antara kolektor dan basis (UCB ) konstan, maka perbandingan perubahan arus kolektor IC dengan perubahan arus emitter IE disebut faktor penguatan basis bersama dan diberi simbol ? (alpha) dan besarnya berkisar dari 0 sampai

0,998. Secara pendekatan rumus alpha ini adalah

? ?

IC IE

Harga ?

lebih besar dari nol tapi lebih kecil dari satu sehingga sering ditulis sebagai 0< ? < 1 61

Elektronika -1

7. KONFIGURASI PENGUAT TRANSISTOR

Transistor adalah piranti aktif, dimana outputnya adalah merupakan hasil perubahan dari inputnya. Dengan membandingkan antara output dengan inputnya, maka akan diperoleh factor penguatan (amplification). Dengan demikian, maka transistor ini dibuat atau dipersiapkan sebagai piranti penguat. Sebagai piranti elektronik, transistor mempunyai tiga elektroda yang tersusun sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai sebuah penguat. Ada tiga system sambungan (konfigurasi) dari penguat transistor, yaitu konfigurasi Basis Bersama (Common Base), Emiter Bersama (Common Emitter) dan Kolektor Bersama (Common Collector).

7.1. Konfigurasi Basis Bersama Rangkaian pada gambar 2.9. memperlihatkan rangkaian konfigurasi Basis Bersama (CB) dengan potensial UEB dan UCB untuk kedua jenis transistor PNP dan NPN. Untuk jenis PNP, emiter positip terhadap basis sedangkan kolektornya negatip. Sedangkan untuk jenis NPN sebaliknya emitter negatip terhadap basis dan kolektornya positip.

Gambar 2.9. Konfigurasi Basis Bersama

62

Elektronika -1

Karakteristik input atau karakteristik emitter konfigurasi basis bersama diperlihatkan pada gambar 2.10.

Gambar 2.10. Karakteristik input konfigurasi basis bersama (CB)

Dari karakteristik terlihat bahwa dalam mode arus searah, tegangan hantar untuk sambungan basis ke emiter sekitar 0,6 s/d 0,7 volt, ini menandakan berlaku bagi bahan dasar silikon, sedangkan untuk bahan dasar germanium sekitar 0,3 volt.

7.2. Konfigurasi Emiter Bersama

Konfigurasi emitter bersama (CE) sambungannya diperlihatkan pada gambar 2.11. tampak bahwa emitter digandeng bersama baik dengan kolektor maupun basisnya.

63

12. Gambar 2. Karakteristik output ini melukiskan arus output IC yang merupakan fungsi dari tegangan output U CE untuk harga arus input IB yang bervariasi.12.Elektronika -1 Gambar 2.11. Karakteristik Output Emiter Bersama 64 . Konfigurasi Emiter Bersama (CE) Karakteristik kolektor tipe NPN atau karakteristik outputnya diperlihatkan pada gambar 2.

Elektronika -1 Perbandingan arus kolektor dengan arus basis dengan tegangan kolektor-emiter konstan disebutkan sebagai faktor penguatan arus maju emiter bersama disimbolkan dengan huruf Yunani ? (betha).13.3. Konfigurasi ini sering digunakan sebagai penyama-impedansi (matchingimpedance). dimana dengan impedansi input tinggi dan outputnya rendah. Gambar 2. 65 .13. Konfigurasi Kolektor Bersama (CC) Karakteristik output konfigurasi CC serupa dengan karakteristik output CE. Konfigurasi Kolektor Bersama Konfigurasi kolektor bersama (CC) sambungannya diperlihatkan seperti gambar 2. Hubungan faktor penguatan ? dengan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau 7.

. Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. Fisik relative jauh lebih kecil. Gambar 2. Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC . sehingga tegangan UCE = UCC. dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor.Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube). 66 .14. Lebih ekonomis. Namun dikarenakan karakteristik listriknya. maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan signal-signal. 8. tegangan dan sebagainya. dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya.Elektronika -1 8. c. b. PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor. maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik. daya.1. RL = 0. penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan.14. seperti : a. arus.

Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade . Regulator Tegangan dengan Transistor 67 . Gambar 2. dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).16. dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0.15. yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2.2.Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2. R L = UCC .Elektronika -1 Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC .. Rangkaian Kaskade Transistor 8.15.

Elektronika -1 Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban R L. maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama. kar ena UZ tetap konstan sedangkan Ui = U CB + U Z. Pada saat terjadi perubahan tegangan ini. 68 . Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB.

Penguatan arus konfigurasi emitter bersama (CE) disimbolkan dengan huruf Yunani ? bernilai lebih besar dari satu bahkan puluhan dan ratusan. Karena karakteristik listriknya. Penggunaan lainnya adalah sebagai pengatur arus (current regulator) pada penstabil arus searah. 69 . 4. Hubungan antara ? dan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau Selain sebagai penguat (amplifier) sering digunakan sebagai saklar elektronis dengan pertimbangan tidak memercikan api saat pengontakan. daya (Amplifier) 3. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse). lebih kecil dan ekonomis. 7. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. 8. Ada tiga konfigurasi penguat transistor. 5. yaitu Emiter. sedangkan silicon sekitar 150 o C 6. Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN 2. tegangan. 9. transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. 10. Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75 o C.Elektronika -1 RANGKUMAN – 4 1. Penguatan arus konfigurasi basis bersama (CB) disimbolkan dengan huruf Yunani ? berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol atau dituliskan 0<? <1. 11. yaitu konfigurasi basis bersama. Transistor mempunyai tiga buah elektroda. maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat Sink. Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan. emitter bersama dan kolektor bersama.

Apa yang dimaksud dengan istilah rangkaian kaskade dalam rangkaian transistor ? 5. Jika diketahui nilai ? suatu transistor = 0. Sebutkan keuntungan saklar elektronis dibandingkan dengan saklar mekanik ! 70 .Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN . Sebutkan kemungkinan kerusakan transistor dan penyebabnya ! 8. Sebutkan perbedaan antara transistor PNP dengan transistor NPN ! 2. Apa yang dimaksud dengan 0 < ? < 1 ? 4.4 1.995 berapakah nilai ? -nya ? 7. Kenapa dalam penggunaan transistor sering dipasang alat pendingin ? 6. Ceriterakan prinsip kerja suatu transistor ! 3.

2.4 1. Jika pemberian biasnya sekarang adalah seperti gambar berikut. Perbedaan tarnsstor PNP dan NPN selain konstruksinya adalah pada pemberian bias-nya saja. Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. maka pada gambar terlih at sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (I B) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . 71 . Prinsip kerja transistor adalah Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung.

misal menggunakan sirip -sirip heat-sink. maka I E = IC + IB 2. 4. Rangkaian kaskade adalah rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri. Karena transistor tidak tahan terhadap panas. 5. maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. maka diperlukan pendingin bantuan. ? = 199 7. Yang dimaksud dengan 0<? <1 adalah bahwa nilai ? selalu berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff. 3. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : 72 .Elektronika -1 Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis.

Pengujian yang tidak professional 8. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. b. Lebih ekonomis. a. Salah pemasangan pada rangkaian b. c. Fisik relative jauh lebih kecil. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c.Elektronika -1 a. 73 .

10 volt Q = transistor BC 108 A1 = ? A meter A2 = mA meter V1 dan V2 = V meter dc Rp = Potensiometer linear minimal 50 ohm R1 = 220 ohm R2 = 100 ohm R3 = 200 ohm 74 .Elektronika -1 LEMBAR KERJA .4 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR o TUJUAN Setelah menyelesaikan percobaan ini diharapkan anda : Dapat membuktikan fungsi transistor sebagai saklar elektronik o RANGKAIAN PERCOBAAN o ALAT DAN BAHAN Us = dc Power Suplly regulated 0.

8 0.5 0. Atur potensiometer sehingga UBE naik secara bertahap dari 0 sampai 1.4 0. 4.6 0. Pada setiap pengaturan langkag ke 4 di atas.7 0. perhatikan penunjukkan instrument ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel yang tersedia 5.3 0.0 TABEL PENGUKURAN IB UCE IC IC. Beri kesimpulan dan komentar anda terhadap hasil percobaan tersebut ! o KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1.R3 75 .1 0.2 0. 2.9 1. Buat grafik hubungan antara UBE dengan UCE : UCE = f (UBE) 6. Buat rangkaian seperti gambar 2. alat ukur dan kaki transistor Periksakan rangkaian anda ke instruktur Ikuti prosedur dengan benar dan teliti Kembalikan alat dan bahan jika selesai percobaan pada tempat semula o UBE 0 0.Elektronika -1 o LANGKAH KERJA 1.0 volt 4. Perhatikan pengkutuban sumber daya. 3. Hidupkan saklar 3.

Elektronika -1 o GRAFIK UCE = f (UBE) o KOMENTAR DAN KESIMPULAN 76 .

dimana evaluasi ini meliputi evaluasi terhadap Pengetahuan. Sebutkan beda transistor PNP dengan NPN ! 6. EVALUASI E valuasi ini bertujuan untuk mengukur kemampuan atau kompetensi anda setelah lengkap mengikuti atau mempelajari semua kegiatan belajar (Kegiatan Belajar 1 sampai 2). 5. Hitung nilai tahanan shunt (Rs) minimal agar dioda zener tersebut aman bekerja. Iz (max) = 50 mA dihubungkan dengan sebuah sumber tegangan searah Us = 12 volt. Keterampilan dan Sikap diri anda.Elektronika -1 III. Sebuah dioda zener dengan ciri Uz = 8 volt. Bagaimana anda mengatasi nilai Peak Inverse Vo ltage (PIV) suatu dioda ? 4. A. Untuk apa pendingin transistor dibuat ? 77 . Khusus untuk menilai sikap dapat dinilai dari perilaku kerja anda dalam pemahaman dan kepatuhan terhadap prosedur kerja yang telah ditentukan termasuk kepedualian anda terhadap Keselamatan dan Kesehatan Kerja. EVALUASI PENGETAHUAN 1. Ceriterakan pengaruh pemberian bias terhadap PN Dioda baik arah mundur dan maju ! 3. Kenapa bahan semikonduktor atau piranti elektronik tidak tahan terhadap kenaikan temperatur ? 2.

EVALUASI KETERAMPILAN Untuk evaluasi keterampilan diberikan lembar kerja sebagai berikut : Lakukan pengujian transistor Jenis germanium dan silikon dengan menggunakan multitester (ohmmeter) den gan ketentuan sebagai berikut : 1. 78 . dimana skala tengahnya lebih kecil dari 100 ohm 4. Tentukan sendiri jenis transistornya PNP atau NPN 2. Gunakan tabel pengujian di bawah ini.Elektronika -1 B. ELEKTRODA ARAH REVERSE R Germaium R Silikon RANGE OHMMETER C– B FORWARD REVERSE E–B FORWARD REVERSE C– E FORWARD 5. Jangan gunakan range ohm. Perhatikan polaritas dan kaki-kakinya 3. Beri kesimpulan pengujian anda.

Methoda Penilaian KOMPETEN 1.Elektronika -1 LEMBAR PENILAIAN MODUL NAMA SISWA NAMA ASSESOR : ELEKTRONIKA ... ? KOMPETEN ? BELUM KOMPETEN Catatan : ………………………………………………………………………………………….. Tertulis BELUM KOMPETEN KETERANGAN 2. ……………………… ……………………………….. ……………………. Praktik HASIL . …………………………………………………………………………………………. Assesor. 79 . …………………….1 : …………………………………. Bubuhkan tanda thick (? ) pada tabel berikut : No.. : ………………………………….. 200… Siswa. …………………………………………………………………………………………. ………………………………………………………………………………………….

Bandung Floyd. 1982. Mc. 1974. 1981. NewJersey Morris. Graw Hill Co. Control Engineering. USA 80 . 1979. Paul B. 1982. Thomas L. Robert L. Electronic Devices and Circuit Theory.. Dasar Elektronika 1 dan 2. 1984.New Zealand Zbar. . Graw Hill Book Company (UK) Limited.. Penerbit Erlangga. Toronto-London-Sidney Maloney. London Villanucci et. Jakarta Erawan.Timothy.Merril Publishing Company. Electronic Techniques. Drs. New Jersey Dirksen. Prentice Hall. Welington . Industrial Solid State Electronics. dan Louis Nashelky.al. Prentice-Hall. Pelajaran Elektronika Jilid 3.J.Elektronika -1 DAFTAR PUSTAKA Boylested. Electronic Devices.. AJ. PPPG Teknologi Bandung. 1992.. Prentice-Hall. EIA-Mc.Basic Electronics. Charlkes E. 1976. terjemahan Haroen. Bambang. Noel.

Elektronika -1 STORY BOARD Judul Modul Pembelajaran Bidang Keahlian Program Keahlian : ELEKTRONIKA . khususnya tentang penguasaan terhadap peralatan ukur dan respek terhadap kesela matan kerja KET.1 : LISTRIK : PEMANFAATAN ENERJI LISTRIK SIMULASI PEMBELAJARAN SESUAI URUTAN TOPIK Simulasi praktek Animasi evaluasi URUTAN No. PEMBELAJARAN DESKRIPSI MATERI NARASI Berisi tentang penje lasan target pembe lajaran Berisi tentang prasyarat yang diperlukan sebe lum mempelajari mo dul. Skor SIMULASI gambar latihan video 2. PRASYARAT audio 81 . 1.

PETA MODUL 4. khususnya memperlihatkan arah tujuan pencapaian kom petensi atau peranan modul dalam mencapai kompetensi akhir PERISTILAHAN Berisikan terminologiterminologi yang digu nakan dalam ilmu elektronika atau tek nologi pada umumnya.Elektronika -1 3. ? ? ? 82 . 5. yang berisikan teori atom serta kejadian-kejadian pengutuban bahan semi konduktor . KEDUDUKAN Peta ini menunjukkan posisi modul yang akan dipelajari. Selain itu dilengkapi dengan latihan dan lembar praktik. KEGIATAN BELAJAR-1 Berjudul Teori Atom dan Dioda Semikon duktor. sifat. prinsip dioda PN. apli kasi dalam rangkaian.

cara pengu jian. berisikan tentang prinsip kerja transis tor. ? ? ? ? 83 .Elektronika -1 6.fisik. aplikasi dalam rangkaian. EVALUASI AKHIR Berjudul Transistor Bi polar. KEGIATAN BELAJAR-2 7. yaitu teoritis dan praktik. Terdiri atas dua meto da. Selain itu di lengkapi dengan la tihan dan lembar prak tik.

LD ( 1).MODUL PEMBELAJARAN KODE : MKH.14 ( 40 Jam ) RANGKAIAN PENYEARAH BIDANG KEAHLIAN : KETENAGALISTRIKAN PROGRAM KEAHLIAN : TEKNIK PEMBANGKITAN PROYEK PENGEMBANGAN PENDIDIKAN BERORIENTASI KETERAMPILAN HIDUP DIREKTORAT PENDIDIKAN MENENGAH KEJURUAN DIREKTORAT JENDERAL PENDIDIKAN DASAR DAN MENENGAH DEPARTEMEN PENDIDIKAN NASIONAL 2003 .

yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta. Dalam penggunaannya. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis. Jakarta. bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya. khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat. sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). mudah-mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan. Ir.KATA PENGANTAR Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial. 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur. Gator Priowirjanto NIP 130675814 . Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat. Dr. Demikian. guna merealisasikan penyelenggaraan pembelajaran di SMK. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK.

…….……… Test Formatif 2 ……………………………………….……… ii . C. B.Rangkaian Penyearah DAFTAR ISI Halaman i ii iv vi 1 1 1 2 2 3 5 6 6 6 6 6 18 19 19 19 26 27 27 27 KATA PENGANTAR …………………………………………………… DAFTAR ISI …………………………………………………………….. C. ……………………………………… KEGIATAN BELAJAR 1 A. KEGIATAN BELAJAR 3 A. Uraian Materi …………………………………. Tujuan Akhir…………………………………………………. PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… PERISTILAHAN ……………………………………………………….………… B. Tujuan Kegiatan ………………………………. KEGIATAN BELAJAR 2 A. Tujuan Kegiatan ……………………………….. Tujuan Kegiatan ………………………………. Deskripsi …………………………………………….……… Test Formatif 1 ……………………………………….…………………………… F... Uraian Materi …………………………………. Prasyarat ………………………………………………………. PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR.……….. Petunjuk Penggunaan Modul …………………………...……… D.. E. B.…….. B. C. Standar Kompetensi…………….……… Uraian Materi …………………………………. II Cek Kemampuan ……………………………………. I PENDAHULUAN A..

……… Test Formatif 4 ………………………………………. III Tujuan Kegiatan ………………………………. LAMPIRAN iii . B.. Uraian Materi ………………………………….. B.……… KEGIATAN BELAJAR 7 A.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 A. Tujuan Kegiatan ………………………………..……… Test Formatif 5 ………………………………………. Tujuan Kegiatan ………………………………. Uraian Materi …………………………………. B. KUNCI JAWABAN ……………………………………………… DAFTAR PUSTAKA ……………………………………………………. KEGIATAN BELAJAR 6 A..……. Uraian Materi ………………………………….. B. Tujuan Kegiatan ……………………………….…….……. C. Uraian Materi …………………………………. 31 31 31 34 35 35 35 43 45 45 45 52 52 52 59 63 67 KEGIATAN BELAJAR 5 A.……… EVALUASI ………………………………………………………. C..……..

0. harga rata.318 x harga puncak untuk setengah gelombang Rms : Root mean square.707 x harga puncak untuk gelombang penuh b.5 x harga puncak untuk setengah gelombang Inverted IB IC IE IL IQ Iz PIV : : : : : : : : Keluaran /output berlawanan polritas dengan masukan/ input Arus basis Arus kolektor Arus Emitor Arus beban Arus diam regulator / quiscent Arus zener dioda Peak Inverse Voltage . fluktuasi atas dan bawah . 0. 0.rata Regulator / pengatur Tahanan beban Tegangan keluaran –output dari regulator Tegangan Zener dioda Zener dioda . saat anoda lebih positip Reverse Bias Average : : Arah mundur /balik bila katoda lebih positip dari anoda menunjukkan bentuk gelombang harga arus Searah a.PERISTILAHAN (GLOSSARY) Forward Bias : Arah maju aliran arus dari anoda ke katoda.637 x harga puncak untuk gelombang penuh b.Reg Uz=Vz ZD : : : : : : Tegangan kerut.tegangan balik maksimum saat Dioda arah mundur Ripple Reg. harga efektif gelombang ac a. 0.. RL V.

B. PENDAHULUAN Dalam Sistem Pelatihan Berbasis Kompetensi. PRASYARAT ( KEMAMPUAN AWAL ) Peserta pelatihan / Siswa harus sudah memiliki kemampuan awal materi sebagai berikut: ? Dasar –dasar Teknik Listrik ? Membaca gambar /simbol listrik ? Pengukuran Listrik ? Komponen dan Piranti Elektronik penguasaan 1 . Dalam sistem pelatihan Berbasis Kompetensi.Pekerjaan ini mencakup identifikasi komponen Catu Daya dan prosedur bongkar pasang komponen catu daya sesuai standar dan peraturan yang berlaku serta pembuatan laporan pelaksanaan pekerjaan Modul ini bertujuan mempersiapkan seorang pengajar / guru atau teknisi listrik yang kompeten dalam memahami aplikasi rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasa . ketrampilan dan sikap kerja yang dibutuhkan dalam suatu pekerjaan . DESKRIPSI MODUL Modul ini berjudul Rangkaian Penyearah dipersiapkan untuk siswa Sekolah menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pembn\angkitan Level 1 Unit atau modul ini berkaitan dengan pemahaman tentang prosedur pemeliharaan Catu Daya Arus Searah atau DC Power pada stasiun pembangkit. modul atau unit ini menggunakan pendekatan kompetensi yang merupakan salah satu cara untuk menyampaikan atau mengajarkan pengetahuan .Rangkaian Penyearah I. Standar kompetensi diharapkan dapat menjadi panduan bagi peserta pelatihan untuk dapat : ? mengidentfikasikan apa yang harus dikerjakan oleh peserta pelatihan ? mengidentifikasikan apa yang telah dikerjakan peserta pelatihan ? memeriksa kemajuan peserta pelatihan ? meyakinkan bahwa semua elemen dan kriteria unjuk kerja telah dimasukkan dalam pelatihan dan penilaian. A.

PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL 1. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan komponen . dimana setiap Kompetensi / Sub. Modul ini dapat anda gunakan secara klsikal ataupun individual. 3. Mengindentifikasi simbol-simbol komponen Catu Daya 2. Mengindentifikasi komponen-komponen Catu Daya sesuai dengan spesifiksinya 3. Menganalisis prinsip kerja Rangkaian Penyearah satu fasa . HASIL BELAJAR / TUJUAN AKHIR Setelah tuntas mempelajari modul ini peserta diharapkan mampu : 1. Penilaian unit ini dapat dilakukan oleh Guru/Asesor. Asosiasi atau industri tempat bekerja.Kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas-tugas atau Tes yang tedapat dalam modul ini. Menerapkan Fungsi komponen Penyearah dan Regulator pada rangkaian Catu Daya sesuai standar 4.Rangkaian Penyearah C. 2.alat ukur dan contoh model Catu Daya atau Trainer elektronik dan sumber daya searah maupun bolak bali yang tetap maupun variabel. Melakukan pemeliharaan Catu Daya dengan prosedur yang benar 2 . Penilaian seharusnya meliputi penilaian kemampuan praktek unjuk kerja dan penilaian pokok-pokok pengetahuan dengan beberapa metode penilaian. Fokus penilaian ini sebaiknya mencakup: ? adanya integrasi antara teori dan praktek ? penekanan pada prosedur disamping hasil D. tiga fasa dan regulator 5.

. Gangguan pada rangkaian regulator transistor dan IC regulator dianalisa dijelaskan 3 .2 Jenis kerusakan kompenen penyearah. Gangguan pada rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasadi analisa dan dijelaskan 5.Rangkaian Penyearah E.Menganalisa gangguan rangkaian penyearah satu .tiga fasa dan regulator 1.Menganalisa rangkaian regulator transistor dan IC regulator 3.0.HLD.1 2.1 4. regulator diidentifikasi dan dijelaskan Penyebab kerusakan komponen dianalisa dan dijelaskan 5.1 3.0 .1. (1) : Memlihara Rangkaian Penyearah ( Rectifier ) Elemen Kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja Adapun eleme n kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja yang harus dicapai melalui modul ini adalah sebagai berikut Sub Kompetensi / Elemen 1.2 2. 4. STANDAR KOMPETENSI Kode Kompetensi Unit Kompetensi : K.2 Funsi rangkaian regulator dijelaskan Suatu fungsi IC regulator tegangan tetap dan tegangan dapat diatur dijelaskan penerapannya. Menganalisa rangkaian penyearah satu fasa dan tiga fasa 2.0.0 Mengidentifikasi kerusakan komponen utama rangkaian penyearah satu fasa. tiga fasa dan regulator 5.tiga fasa dan regulator 4.0 Mengidentifikasi komponen utama rangkaian penyearah satu fasa.1 Kriteria Unjuk Kerja Jenis dan spesifikasi kompenen penyearah diidentifikasi dan dijelaskan perisip kerjanya Jenis dan tipe filter yang digunakan di indentifikasi Prinsip kerja Peneyearah satu fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan Prinsip kerja Peneyearah tiga fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan 1.2 30.

perinsip kerja rangkaian penyearah pada catu daya dan perlengkapan kerja pemeliharaan DC power.LD (1) 14 Ketrampilan : Sikap : Kode Modul : 4 . Menganalisa gangguan rangkaian catu daya ( DC power ) dan m elakukan bongkar pasang komponen / unit peralatan catu daya sesuai dengan prosedur dan rencana kerja pemeliharan Membongkar dan memsang komponen catu daya dilakukan secara cermat berdasarkan prosedur kerja serta mentaati prosedur keselamatan kerja MKH.Rangkaian Penyearah Pengetahuan : Memahami susunan konstruksi komponen DC power .

2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya 1.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan 4. resistor.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.Rangkaian Penyearah F.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 3.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan Catatan Ya Tidak 2.kapasitor dan induktor dijelaskan 2.2 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2. Check List Kemampuan Kegitan Pembelajaran Elemen PENGUASAAN Kriteria Unjuk Kerja 1.1 Melakukan dan pemeliharan perbaikan catu daya sesuai SOP 5 .0 Menguasai prosedur pemeliharaan catu daya 4.

yang mana kedua bahan ini mempunyai elektron valensi yang sama. Membuat hubungan rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.Rangkaian Penyearah II. PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR 1 PENYEARAH TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? ? Menghitung tegangan dan arus beban.1 DIODA SEBAGAI PENYEARAH Dioda semikonduktor Bahan dasar yang banyak digunakan untuk membuat piranti elektronik adalah bahan semikonduktor germanium (Ge) dan silikon (Si). Simbol dioda diperlihatkan seperti pada gambar 1.1. Dioda mempunyai elektroda Anoda yang berkutub positif dan elektroda Katoda yang berkutub negatif. 6 . 1. Sambungan bahan semikonduktor P dan N mendasari suatu piranti elektronik aktif yang disebut sebagai Dioda. Menentukan batas tegangan balik (revers) dioda dalam rangkaian penyearah setebgah gelombang dan gelombang penuh. Menghitung tegangan dan arus dioda.

maka keadaan dioda disebut arah maju (forward-bias) aliran arus dari anoda menuju katoda. Bias Maju Dioda Jika anoda dihubungkan pada polaritas positif batere.2.2 Bias maju-Saklar on I Forward U Gambar 1. dan aksinya sama dengan rangkaian tertutup Gambar 1.1 Simbol Dioda A.Rangkaian Penyearah Gambar 1. sedangkan katoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.3 Kurva Hubungan arus dan tegangan bias maju 7 .

karena akan mengakibatkan rusaknya dioda. nilai tahanan dioda relatif sangat besar dan dioda ini tidak dapat menghantarkan arus.5 memperlihatkan kurva pada saat reverse . Harga-harga nominal baik arus maupun tegangan tidak boleh dilampaui. 8 . maka keadaan dioda disebut arah mundur (reverse-bias) dan aksinya sama dengan rangkaian terbuka. Gambar 1. Bias Mundur Dioda Jika katoda dihubungkan pada polaritas positif batere. -U Reverse -I Gambar 1. sedangkan anoda pada polaritas negatif seperti gambar 1. pada saat reverse. Gambar 1.Rangkaian Penyearah B.5 Kurva Hubungan arus dan tegangan b ias maju Secara umum dioda digunakan sebagai penyearah (rctifier) arus/tegangan arus bolak balik (AC) satu fasa atau tiga fasa kedalam bentuk gelombang arus searah (DC).4 Bias mundur –Saklar off Sebagai sifat dioda.4.

Catu daya arus searah (DC) dapat dipeloreh dari batere atau dari sumber daya listrik 220/240 Volt Ac 50 Hz yang dirubah menjadi arus searah melalui rangkaian penyearah (rectifier).6 Us + Time Us Diode RL - common Gambar 1.2. Pada sistem rangkaian penyearah ada 4 fungsi dasar yang dibahas.1 PENYEARAH SETENGAH GELOMBANG Contoh sederhana rangkaian penyearah setengah gelombang diperlihatkan seperti gambar 1. adalah parameter yang sangat penting pada catu daya dan regulator tegangan dengan bahan bervariasi. Regulasi.Rangkaian Penyearah Pada dasarnya penyearahan ini ada dua macam yaitu : ? ? Penyearah setengah gelombang (half wave rectifier) Penyearah gelombang penuh (full wave rectifier) 1.2 PENYEARAH (RECTIFIER) Tegangan arus searah biasanya dibutuhkan untuk mengoperasikan peralatan elektronik.6 Rangkaian Penyearah setengah gelombang 9 . peralatan kontrol elektronik. yaitu : ? ? ? ? Tranformasi tegangan yang diperlukan untuk menurunkan tegangan yang diinginkan. Rangkaian penyearah . rangkaian ini untuk mengubah tingkat tegangan arus bolak balik ke arus searah. peralatan komunikasi dan sebagainya. misalnya pesawat amplifier. 1. Filter. merupakan rangkaian untuk memproses fluktuasi penyearahan yang menghasilkan keluaran tegangan DC yang lebih rata.

tegangan keluaran (UL) hampir sama dengan sumber Us Drop tegangan pada dioda lebih kurang 700mV.8 kurva harga rata-rata 10 .Rangkaian Penyearah Jika dioda dalam kondisi menghantar (conduct) pada setengah perioda positif.7 memperlihatkan bentuk gelombang proses penyearahan setengah gelombang. Gambar 1.8 Gambar 1. Secara praktis. Gambar 1. dioda bersifat menghambat (reverse bised) nilai tahanan dioda sangat tinggi dan dioda tidak menghantar.7 Bentuk Gelombang Output Penyearah Setengah Gelombang Untuk menghitung besarnya harga rata-rata dari signal yang disearahkan. Pada saat setengah perioda negatif. kita dapat menghitung dari luas kurva seperti pada gambar 1. dioda tersebut pada keadaaan forward biased sehingga arus mengalir dan melewati tahanan beban R L.

Tentukan tegangan rata-rata (Udc) yang melalui beban pada gambar 1. Contoh soal 1.Rangkaian Penyearah ? Tegangan AC selalu diasumsikan harga RMS (Urms ) harga efektif RMS = 0.8 volt.318 x Um tegangan maximum Um = 1.8 V 0 Time Gambar 1. Daya = Um x Im Um Im = -----RL Udc Idc = -----RL ? Arus yang melalui rangkaian seri adalah sama.414 x Ueff disipasi daya pada beban dapat dihitung dari harga RMS tegangan dan arus pada beban.9 dibawah ini.5 x harga puncak (Um) (Udc) harga rata-rata = 1/? x Um = 0. Hal yang perlu diperhatikan dalam penyearahan ini adalah besarnya tegangan balik maksimum (PIV) dari dioda yang digunakan minimal harus sama besarnya dengan tegangan maksimum AC yang akan disearahkan. bila : Ueff = 20 volt Drop tegangan dioda 0.9 11 . U Us Us U dioda = 0.

A.74 V 1.8) volt = 28.10 Penyearah dengan Trafo CT 12 . 318 x 27.2 PENYEARAH GELOMBANG PENUH Rangkaian penyearah gelombang penuh dapat diperoleh dengan dua cara. Rangkaian Penyearah Centre tap Penyearah gelombang penuh dengan menggunakan transformator sadapan pusat ( Center Tap ) diperlihatkan seperti gambar 1. Cara pertama memerlukan transformator sadapan pusat (Centre Tap-CT).414 x Ueff = 1.48 = 8. Cara yang lain untuk mendapatkan keluaran (output) gelombang penuh adalah dengan menggunakan empat dioda disebut penyearah jembatan (rectifier bridge). 318 x Um = 0.Rangkaian Penyearah Penyelesaian : Um = 1.10 dan 1.28 V Um (beban) = (Um – 0.414 x 20 volt = 28.2.11 D1 A R L D2 B Gambar 1.48 V Udc = 0.8 = 27.28 – 0.

Bentuk gelombang input dan output ditunjukkan seperti terlihat pada gambar 1.707 x Um Udc = 0. pada saat ini D2 menghantar sedangkan D1 tidak menghantar . sedang B berpolaritas positif.11 Gambar 1. ujung A berpolaritas positif dan ujung B berpolaritas negatif.Rangkaian Penyearah Bila U1 dan U2 mempunyai polaritas. Pada saat A berpolaritas negatif . Pada saat ini D1 menghantar (conduct) sedangkan D2 tidak menghantar (reverse biased).636 x Um Harga arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : Um Im = --------RL Udc Idc = ---------RL 13 .11 Bentuk gelombang Penyearah gelombang penuh Harga tegangan dapat dihitung : Ueff = 0.

12 diatas bila D1 menghantar hitung harga tegangan : a) Tegangan maksimum pada katoda D 1 b) Tegamgam maksimum pada anoda D2 c) Tegangan antara anoda dan katoda pada D1 d) Tegangan antara anoda dan katoda pada D2 14 .Rangkaian Penyearah Soal latihan : 1. Dari gambar 1.12 2.6 volt c) Harga arus maksimum d) Harga arus rata-rata D1 220 v 50 v 50v 40O D2 Gambar 1. dari gambar 1.12 tentukan : a) Harga tegangan maksimum lilitan sekunder trafo b) Harga tegangan maksimum pada beban bila drop tegangan dioda 0.

Rangkaian Penyearah B. Tegangan rata-rata (Udc) sama dengan sistem penyearah dengan menggunakan trafo CT.13 Rangkaian penyearah sistem jembatan Pada saat terminal A positif dan terminal B negatif . dioda-dioda D2 dan D3 berada dalam kondisi menghantar seadangkan D4 dan D 1 tidak menghantar.13 a) A b) Bridge rectifier + D1 D2 _ B D3 D4 + RL 120 ? - Gambar 1. Penyearah Gelombang Penuh Sistem Jembatan Rangkaian penyearah ini memerlukan empat buah dioda yang dipasang dengan konfigurasi jembatan seperti terlihat pada gambar 1. Pada saat terminal A negatif dan B positip . 15 . dioda yang menghantar adalah D4 dan D 1. sedang D2 dan D 3 tidak menghantar. Dengan demikian setiap setengah perioda tegangan bolak balik ada dua dioda yang menghantar (conduct) secara bersamaan dan dua buah dioda lainnya tidak menghantar sehingga menghasilkan bentuk gelombang penuh.

15 tentukan : a. Contoh soal Dari gambar 1.Rangkaian Penyearah Bentuk gelombang keluaran (output) terlihat seperti gambar 1. Udc pada beban d.15 Hububungan Beban Pada Penyearah Gelombang Penuh 16 . Um pada beban jika drop tegangan dioda 0.14.7 volt c. Im dan Idc Us 15 V RL 200O Gambar 1. Um tegangan sekunder trafo b. ? Kelebihan sistem jembatan terhadap sistem trafo CT adalah adanya dioda yang tersambung seri sehingga masing-masing dioda dapat menahan tegangan balik maksimumnya.

Um pada beban RL Um (beban) = 21.1 mA Udc Idc = ------RL 12.56 = -----------200 = 63.81 = ----------200 = 99.2 mA 17 . Um pada sekunder Um = 1. Im = -------RL 19.637 x Um (beban) = 0.637 x 19. Tegangan rata-rata : Udc = 0.21 – (2 x x0.7) = 19.81 = 12.Rangkaian Penyearah Penyelesaian : a.81 volt c.211 volt b.414 x Us = 1.64 volt Um d.414 x 15 = 21.

Soal 3.16 a.5 V D 2 120 ? gambar 1.5 D1 D2 Us 40 v D3 0V D4 RL 18 O gambar 1. Tegangan rata-rata keluaran ( output ) Arus melalui beban Tegangan balik puncak dioda ( PIV ) Coba jelaskan dari pengalaman anda gangguan-gangguan yang terjadi pada : a. D 1 7.16 Soal 1. dioda transformator 18 . Dari gambar 1. b. Dari rangkaian penyearah gelombang penuh seperti terlihat pada gambar 1. Soal 2.Rangkaian Penyearah Review Test 1 Soal 1.17 8.5 V U0 RL 7.17 Hitung : a. Tentukan besar PIV untuk dioda. b. c. Hitung tegangan rata-rata pada beban dan arus maksimum yang melalui setiap dioda b.

Effek tegangan rata-rata dan tegangan kerut pada perubahan arus beban. PERATA DENGAN KAPASITOR Pada rangkaian penyearah yang dibahas pada kegiatan belajar 2 . Guna menghilangkan sisa gelombang bolak balik tersebut sering digunakan kondensator elektrolit sebagai tapis perata (Filter) seperti pada gambar 2.1 Rectifier Filter Beban (Load) T C R Gambar 2.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 2 FILTER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat menerapkan : Nilai kapasitor untuk perubahan tegangan rata-rata dan tegangan kerut. sistem penyearah menghasilkan arus gelombang searah masih terdapat pulsa gelombang bolak balik Secara umum peralatan elektronik membutuhkan sumber arus searah (DC) yang halus atau lebih rata.1 Rangkaian penyearah dengan Filter 19 .

Nilai kapasitor yang lebih besar akan menyimpan muatan pada saat pengisian.3 bentuk gelombang perataan dengan kapasitor 20 . (2 x IN4004) Ac supla y D1 470?F RL D2 0v Gambar 2. Filter Kapasitip Penambahan nilai kapasitor yang dipararel dengan beban akan memberikan efek peralatan pulsa DC yang lebih halus.2 Rangkaian Penyearah gelombang penuh dengan filter kapasitor Gambar 2. Kecepatan pengosongan muatan kapasitor tergantung dari besarnya konstanta waku ? = RL x C Gambar 2.2 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dilengkapi filter kapasitor .1.Rangkaian Penyearah 2.

pada saat T1 kapasitor terjadi pengisian muatan kapasitor mendekati harga tegangan puncak Um (maksimum) jika tegangan pulsa turun lebih rendah dari Um maka kapasitor akan mengosongkan muatannya.2 Faktor Kerut (Ripple) Keluaran dari penyearah terdiri dari tegangan searah dan tegangan bolak balik atau ripple. 2.3 diatas. = harga tegangan keluaran DC yang terukur oleh volt meter DC.x --------Udc 1 Dimana : Ur (rms) Udc %r ? = harga tegangan kerut yang terukur oleh volt meter AC.Rangkaian Penyearah Perhatikan gambar 2. 21 .C).(Ingat ? = R. Sebelum tegangan kapasitor turun banyak. = persentase dari tegangan kerut. Dengan adanya kapasitor (C) tegangan keluaran tidak segera turun walaupun tegangan masuk sudah turun. Ur ? . tegangan pada kapasitor keburu naik lagi. Tegangan berubah yang terjadi tersebut disebut tegangan kerut (ripple voltage) hasil dari transient kapasitor. hal ini disebabkan karena kapasitor memerlukan waktu mengosongkan muatannya. I . RL Tegangan kerut adalah berbanding langsung terhadap arus beban (RL). Faktor kerut didefinisikan : Harga efektif komponen signal AC r = ---------------------------------------------Harga rata-rata signal DC Ur (rms) r = ------------Udc Ur(rms) 100 atau % ripple = -------------.

Rangkaian Penyearah Gambar 2.4 mempelihatkan bentuk gelombang dengan menggunakan filter dan tanpa filter untuk penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.4 bentuk gelombang kerut 22 . Gambar 2.

5 Penyearah dengan filter RC Tegangan keluaran (output) DC ditentukan oleh R dan R L sebagai pembagi tegangan.Rangkaian Penyearah 2.x Uin (DC) R + RL 1 Xc = -------2? fC Xc tegangan kerut AC = ---------------. RL DC.3 Filter CR Gambar 2.= Uin (rms) R2 + Xc2 23 .5 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dengan perata kapasitor dan resistor ( C R ) dc R C1 C2 RL Gambar 2. Uo = -------------.

R harus lebih rendah dari RL hal ini untuk memelihara level output DC.4 Filter LC Pada gambar 2. Dari rangkaian dapat dihitung beberapa besaran yaitu : ? XL = 2?fL 1 Xc = -------2? fC impedansi dari rangkaian perata adalah : Z = XL ? Xc U dan besarnya I = -----Z ? 24 . Xc2 harus lebih rendah dari R.Rangkaian Penyearah ? Secara umum. hal ini untuk mengurangi level kerut AC pada output dan Xc2 harus seperlima dari harga RL.6 rangkaian filter LC Induktor atau choke menentang perubahan arus dan energi disimpan pada induktor dalam bentuk medan magnet .6 Penyearah dengan filter LC Gambar 2. 2.6 diperlihatkan diagram rangkaian tipe perata dengan L dan C. Gambar 2.

catu daya tanpa beban dengan dengan tegangan output 100 volt. maka regulasi tegangan dapat dihitung sebagai berikut : (100 – 80) % VR = -------------.UFL % VR = --------------. 25 . Pastikan tahanan kedua transformator dan filter choke rendah (minimum).Rangkaian Penyearah Tegangan kerut melalui kapasitor C adalah: Uc (rms) = I x Xc 2. UNL . 2. 3. Penyearah yang sederhana dan rangkaian perata (filter) nya kurang baik regulasinya dapat diperbaiki dengan cara : 1. Regulasi Tegangan Perubahan besarnya tegangan output. Jika persentase regulasinya rendah maka dapat dikatan bahwa penyearah tersebut mempunyai regulasi yang baik. Pastikan dioda yang digunakan mempunyai tegangan jatuh yang rendah.x 100 80 = 25% Catatan. Gunakan LC filter jika arusnya tinggi.x 100 UFL Keterangan : VR = regulasi tegangan (%) UNL = tegangan tanpa beban UFL = tegangan beban penuh Sebagai contoh. 4. Arus beban penuh mengalir bila beban dihubungkan.5. tegangan outputnya jatuh menjadi 80 volt. Gunakan penyearahan gelombang penuh. dari suatu tegangan arus searah tanpa beban ke keadaan berbeban penuh disebut sebagai regulasi tegangan.

26 . L =5 H dan C = 100? F. Bila pada rangkaian filter menggunakan kapasitor dan nilai kapasitornya dirubah menjadi lebih besar.Rangkaian Penyearah Review Test 2 Soal 1.Efek apa yang terjadi pada : a. Tegangan kerut = 12 V (rms) dengan frekuensi 100Hz. output rata-rata b. arus dioda soal 3. 1. hitunglah : a. XL b. gambarkan diagram rangkaiannya? 2. Tegangan kerut yang melalui kapasitor C. Suatu rangkaian penyearah gelombang penuh menggunakan filter LC dan beban RL. Arus yang mengalir c. Apa tujuan pemasangan filter pada penyearah ? Soal 2.

3.2 Dioda Zener Sebagai PengaturTegangan Penyebab ke tidakstabilan suatu sumber tegangan.1 dan gambar 3. Rangkaian sederhana Zener regulator ditunjukkan seperti gambar 3. Dioda zener dibuat dengan potensial pada nilai tertentu antara 2. biasanya terjadi akibat adanya fluktuasi tegangan pada jala-jala input dan variasi beban yang berubah-ubah.2 27 . Dioda zener dengan tegangan zener diatas 6 V mempunyai koefisien suhu positif dan dibawah 6 V mempunyai kosfisien suhu negatif. Tujuannya agar tegangan searah yang dihasilkan yaitu tegangan keluarannya (output) tidak berubah jika dibebani dalam batas-batas tertentu.1 Dioda Zener Dioda zener adalah dioda silikon (si) yang khusus dibuat sebagai penstabil tegangan pada catu daya DC.4 V sampai200 V dengan disipasi daya dari ¼ W sampai 50 W.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 3 REGULATOR ZENER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? Menghitung tegangan. Koefisien suhu minimum terjadi pada zener 6 V untuk arus 40 mA 3. arus dan disipasi daya dari komponen zener regulator.

1 memperlihatkan rangkaian regulator dioda zener yang sederhana.Rangkaian Penyearah Gambar 3. sehingga tegangan 28 . Dengan membuat tegangan masukan ( input ) lebih besar dari tegangan zener maka dioda zener bekerja pada daerah tegangan balik (VIP). Gambar 3.2 Rangkaian regulator zener Dari diagaram rangkaian diatas dapat dihitung besarnya arus dan tegangan yang terjadi pada rangkaian.1 rankaian regulator sederhana T D1 Rs RL Zd Unregulated power Suplly Zener dioda regulated load Gambar 3.

URL = Uz Arus maksimum yang melalui Rs adalah Is atau Imaks = IZ + IL Iz = Imaks .Uz Rs = ----------Imaks Disipasi daya ( Pd ) pada resistor Rs adalah : Pd = URS x Imaks = (Imaks )2 x Rs Dari perinsip kerja rangkaian diatas dapat disimpulkan bahwa : apabila IL turun akibat kenaikan beban RLdan karena Imaks tetap .Rangkaian Penyearah keluaran (output) tetap untuk berbagai nilai arus beban selama tegangan pada zener tidak kurang dari 12 V Tegangan pada Rs adalah : URS = Ui . tegangan pada beban akan tetap stabil dan yang selalu berubah adalah arus pada zener dioda ( Iz ) yang mengikuti perubahan arus beban. walaupun arus beban (I L) berubah-ubah . akhirnya Iz akan naik sehinga harga Uz akan selalu tetap. Dari analisa diatas.Uz atau Ui . 29 .IL untuk tegangan kerja zener 12 volt.Uz Tegangan pada beban RL adalah sama dengan tegangan zener. Imaks x Rs harus sama dengan Ui .

Rangkaian Penyearah Contoh Soal Dari rangkaian gambar 3.Uo Rs = --------------Imaks 20 .07 2 x 114 = 559 miliwatt 30 .12 Rs = ---------70 x 10 – 3 = 114 O Disipasi daya pada Rs adalah 0.Uo Uin .1 diketahui : Tegangan zener Tegangan input Arus Zener Arus beban = 12 volt = 20 volt = 10 mA = 60 mA Ditanya berapa harga Rs dan Disipasi daya pada hambatan Rs Penyelesaian: Arus maksimum yang melalui Rs adalah Iz + IL = 60 +10 mA = 70 mA Drop tegangan akan terjadi pada Rs adalah sama dengan Uin .

Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 REGULATOR TRANSISTOR SERI TUJUAN : ? ? ? Menyebutkan alasan penggunaan regulator transistor seri. Q1 UCE C RS US B E IL IZ UR L Gambar 4. 4.1 arus beban lewat melalui transistor dari kolektor ke emitor.1 Rangkaian regulator seri Rs dan zener dalam rangkaian ini adalah bentuk yang sederhana dari regulator zener yang mempertahankan tegangan konstan pada basis transsistor Q1. 31 .1 Regulator Seri Rangkaian regulator seri menggunakan transistor bipolar seperti pada gambar 4. Menerapkan operasi regulator secara genar. Rangkaian ini memberikan kerja yang lebih efisien dan arus beban yang lebih besar. Resistor Rs memberikan arus basis (IB) Q1 dan arus ke dioda zener (!Z ). Menghitung arus dan tegangan rangkaian regulator seri.

menjadi kurang positip.2 Regulator Arus Rangkaian ini dirancang untuk mempertahankan harga arus yang melewati beban ketika terjadi perubahan beban pada tegangan tetap. Hal ini akan mengurangi U BE dan UCE akan naik sehingga tegangan output kembali normal.2 Gambar 4. dan tegangan output kembali keharga semula . Rangkaian lainnya adalah transistor sebagai regulator arus seperti pada gambar rangkaian 4.. maka U0 = UZ dan selalu konstan.Uo U0 = UZ + UBE Karena besarnya UBE relatif kecil. .Rangkaian Penyearah Transistor tersebut akan berpungsi sebagai pengatur tegangan (voltage regulator). tegangan output akan jatuh . 32 . tegangan output akan naikn juga. Besarnya tegangan output didapat dari persamaan : UCE = Uin . Ini artinya tegangan Emitor ( VE) dari transistor dikurangi . kemudian U Arus beban melalui R CE Be naik . Jadi jika tegangan input naik . Bila arus beban naik . kemudian akan terjadi drop tegangan pada transistor . dengan adanya zener dioda maka tegangan out put dapat dipr\ertahankan stabil.tegangan output akan naik terhadap tegangan awal. Perinsip kerja rangkaian adalah sebagai berikut : Jika tahanan beban dari rangkaian turun .

IFL Regulasi arus = ------------.Rangkaian Penyearah Dari rangkaian didapat persamaan : Uz IE = --------R1 IL = IC = IE .IB IE = IC + IB Keterangan : ? ? ? ? IE = arus emitor IC= arus kolektor IB = arus basis IL = arus beban Penurunan arus beban IL = IC akan mengakibatkan penurunan arus emitor dan akan mengurangi drop tegangan pada R 1 (UR 1 = IE x R1). Efek terhadap bias Q1 adalah : UBE = UZ – UR 1 Karena harga UZ selalu konstan.x 100% IFL Dimana : INL = arus tanpa beban. IFL = arus beban penuh. 33 . maka penurunan pada UR 1 akan mengakibatkan kenaikan pada UBE transistor dan sekaligus menaikkan konduktifitas dari transsistor sehingga arus beban IL dapat dipertahankan pada harga yang tetap. Regulasi arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : INL .

hitunglah : a.5 voltdan arus zener 100 mA. Perhatikan gambar rangkaian dibawah ini : +12 v 330 ? Rs RL Vz = 8. Zd dan R L Soal 2 . disipasi daya pada Rs . Daya pada Zener c.2 v 0 gambar 3.2 A . Jika arus beban 1 amper.1 ) mempunyai tegangan input 15 volt. tegangan pada resistor seri Rs c. Rangkaian regulator seri ( lihat gambar 4.Rangkaian Penyearah Review Test 3 Soal 1. berapa persen regulasi yang terjadi ? 34 . tegangan pada beban R L b. arus maksimum d. Efisiensi rangkaian b. Disipasi daya transistor Soal 3 Apakah fungsi regulator arus konstan ?Jika perubaha arus dari 1.3 Rangkaian zener Ik Hitung berapa besarnya : a. arus dioda zener e.5 A tanpa beban ke beban penuh menjadi 1. tegangan Zener 12.

3. Mempunyai arus rendah 6. ukuran kecil 2. Menghitung tegangan output dari rangkaian regulator. 4. Keuntungannya adalah : 1. Mengukur arus dan tegangan dan menentukan rangkaian regulator bekerja dengan benar. Membutuhkan penambahan komponen luar yang sangat sedikit. 5. Mempunyai proteksi terhadap arus hubung singkat.1 IC Regulator Tiga Terminal. Mempunyai ripple output yang sangat kecil. 7. Mempunyai automatic thermal shutdown. Regulator tiga terminal adalah “ Integrated Voltage Regulator Circuit “ yang dirancang untuk mempertahankan tegangan outputnya tetap dan mudah untuk dirangkai.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 5 REGULATOR TEGANGAN TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? Membaca parameter esensial regulator tiga terminal dari lembaran data. Pembiyaan rendah 35 . Mempunyai tegangan output yang sangat konstan 5.

Rangkaian Penyearah

Gambar 5.1 memperlihatkan contoh IC regulator Tegangan Positif tiga terminal MC 7805.

Gambar 5.1 bentuk IC regulator dan simbol rangakain

Seri LM 78XX adalah regulator dengan tiga terminal, dapat diperoleh dengan berbagai tegangan tetap Beberapa IC regulator mempunyai kode yang dibuat oleh pabrik pembuat komponen , sebagai contoh : IC LM.7805 AC Z yang artinya sebagai berikut: LM 78L 06 AC Z Linear Monolithic Bagian nomor dasar yang menyatakan tegangan positip Tegangan output Standart ketepatan Tipe pembungkus , ZTO-92 Plastic

Seri LM 78XXC dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 alamunium , arus keluaran (output) 1A ,boleh lebih asalkan IC regulator dilengkapi dengan pendingin (heatsink). Regulator LM 78XXC mudah dipakai dan tambahan komponen-komponen ektern tidak banyak . Sifat-sifat IC regulator LM 78XX adalah sebagai berikut : ? ? ? ? ? Arus keluaran melebihi 1A Pengamanan pembebanan lebih termik Tidak diperlukan komponen tambahan Ada pengamanan untuk transistor keluaran ( output ) Dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 aluminium

36

Rangkaian Penyearah

Karakteritik Elektrik Tipe Regulator Tegangan I out ( A ) Tipe 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 ? U out ( V) 78XX C 5 6 8 10 12 15 18 24 1 1 1 1 1 1 1 1 78 LXX 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 78 MXX 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Uin ( V ) 7,5 8,6 10,6 12,7 14,8 18 21 27,3 20 21 23 25 27 30 33 38

Sumber National Semiconductor , IC linier

Contoh rangkaian lengkap catu daya menggunakan regulator tiga terminal IC 7805 untuk tegangan output 5 volt konstan ditunjukkan pada gambar 5.2

Gambar 5.2 rangkaian catu daya dengan IC regulator

Arus maksimum regulator IC yang dikirim ke beban tergantung pada tiga faktor, yaitu: 1. Temperatur. 2. Perbedaan antara tegangan input dan output atau disebut diferensial input output. 3. Arus beban. 37

Rangkaian Penyearah

Uraian lengkap mengenai parameter IC regulator dapat dilihat dari data sheet yang dibuat oleh pabrikpembuat komponen . Contoh IC 7805 C mempunyai output nominal 5 volt. Dari data sheet Motorolla didapat temperatur juntion 250 C (Tj + 250 C) ,tegangan output antara low 4,8 volt atau high 5,2 volt ; arus output > 100 mA.

5.2 Regulator Positip Sebagai Sumber Arus.
Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 , LM 317 Pada gambar 5.3 diperlihatkan rangkaian IC Positip regulator yang digunakan sebagai sumber arus. U in LM 317 +12 v R1 IQ R2 0v
gambar 5.3 regulator tegangan tetap

I out

U out

Dari rangkaian diatas, tegangan output dihasilkan dari penjumlahan UR1 dan UR2 Tegangan output , U0 = UR 1 + UR2 Dimana tegangan UR1 adalah tegangan output IC regulator 7805 yaitu sebesar 5 volt. UR1 IR1 = -------R1 IR2 = IR1 + IQ

38

Rangkaian Penyearah

Tegangan pada R 2 adalah : UR2 = IR2 x R2 Pada gambar 5.4 diperlihatkan rangkaian tegangan output yang diukur dari pembebanan ( R load )

U in LM 317

I out

R1 IQ IL 0v
U out

Beban

Gambar 5.4 Regulator arus

U Reg IL = -----------R
+

IQ

Teganga output adalah U out = IL x R Load Dimana IQ adalah arus pada regulator ,dan U
Reg

batas tegangan regulator

5.3 Regulator Tegangan Yang dapat Diatur
Konsep baru dalam rangkaian regulator yang tegangan outputnya dapat diatur adalah regulator daya. Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 .

39

Rangkaian Penyearah

Regulator LM 317 dapat memberika arus keluaran ( output ) lebih dari 1,5 amper dengan tegangan antara 1,2 volt sampai 37 volt. dan IC LM 350 mampu memberikan arus 3A dan jangkauan tegangan output 1,2 V sampai 33 V.

Gambar 5.7 memberikan dasar rangkaian regulator yang dapat diatur tegangan outputnya.

V in

IC.Reg

R1 IQ

1,25 v

RL R2 U R2 0v

UO

Gambar 5.7 regulator teganagan output dapat diatur

U Reg Arus regulator adalah I Reg = ------R1 Tegangan output diperoleh dari rumus: U out = U Reg Atau R2 U out = U Reg + ( ----- + 1 ) + IQ R 2 R1 U Rreg + ( -------- + IQ ) R 2 R1

40

5 amper . misal +5V dan -5V.6 regulator negatif 41 . Seri LM 79XXC .6 memperlihatkan regulator negatif tiga terminal outputnya dapat diatur 79XX Gambare 5. LM 79LXX adalah regulator tegangan negatif 3 terminal .1 µ A Mudah distel untuk tegangan keluaran tinggi Penyimpangan tegangan keluaran stelan ± 5 % yang tegangan Gamnar 5. Sifat-sifat regulator ini adalah sebagai berikut : ? ? ? ? Arus keluaran 100mA Mudah dikompensasi dengan kodensator kapasitas kecil 0.hubung singkat dan termik Penindasan kerut ( ripple ) tinggi Arus keluara 1. Seri LM 79XXC dikemas dalam kemasan daya TO-200 dan mampu mengeluarkan arus 1.piranti ini telah dirancang untuk mengeluarkan tegangan tetap dan dapat diperoleh dalam kemsan TO-92 dengan 3 kawat. Sifat-sifat regulatorLM79XXC adalah sebagai berikut: ? ? ? ? Mempunyai pengaman daerah.5 A Tegangan keluaran stelan pendahuluan 4% Untuk seri LM79LXX AC .Rangkaian Penyearah 5.4 Regulator Tegangan Negatif Pada rangkaian operational amplifier dan microprocessor dibutuhkan catu daya yang membutuhkan dua polaritas sumbertegangan.

Suplai ? 12 volt .5 Catu daya Dua Polaritas.7 menggunakan LM 340 positif regulator yang dihubung dengan negatif regulator LM 320. LM 320 T –15 . Jenis rangkaian kombinasi regulator positip dan negatip adalah sebagai berikut : 1.7 dasar catu daya dua tegangan 42 . LM 320 T-12 . 1 A LM 340 T-12 . (D1 D2 IN 4001 ) Gambar 5. Contoh diagram rangkaian pada gambar 5. (D1 D2 IN 4720 ) 3. 200mA LM 342H-15 . Suplai ? 15 volt . LM 320-15 .Rangkaian Penyearah 5. Suplai ? 15 volt . D1 dan D2 adalah dioda proteksi bekerjanya regulator pada common load dan akan membatasi arus hubung singkat regulator. (D1 D2 IN 4720 ) 2. 1A LM 340 T.

5 43 .Rangkaian Penyearah Review Test 4 Hitung berapa tegangan output yang dihasilkan.4 Soal .2 7812 1k Us = 20 v RL Uz = 8.2 v Gambar 5.dari rangkaian regulator tegangan gambar dibawah ini . Soal 1 7805 R1 IQ Us = 20 v R2 180? = 50 mA 100? U0 gambar 5.

. Berapa tegangan pada Rp bila harga Rp diset pada nol ohm? b. Berapa tegangan output bila Rp diset pada nol ohm tersebut? c.7 regulator teganagan menggunakan LM 317 Dari gambar 5. hitung tegangan output rangkaian catu daya. bila IQ = 50 µ A a.Rangkaian Penyearah Soal 3 V in LM317 IQ =50 µA R1 220? 1. 44 . Bila Rp diset ke maksimum 2 kilo ohm.7 diatas coba anda analisa prinsip kerjanya dan jawablah pertanyaan dibawah ini.25 v +20 v R2 Rp 2k URp 0v Gambar 5.

dan D 3.D2. Penyearah tiga fasa dengan filter mengahasilkan output DC yang lebih rata.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 6 PENYEARAH TIGA FASA PENDAHULUAN Penyearah tiga fasa banyak dipakai . B dan C sebagai sumber tegangan tiga fasa memberikan tegangan ke anoda dari dioda-dioda D1. karena pulsa yang terbentuk lebih berdekatan satu sama lainnya serta lebih rendah setengah dari tegangan puncak outputnya. karena penyearah tiga fasa ini menghasilkan daya yang cukup besar serta banyak dipakai antara lain pada pengisian batere atau accumulator.1 memperlihatkan penyearahan tiga fasa setengah gelombang yang tidak menggunakan transformator. elektroplating . Fasa A. 6. Bagian beban dihubungkan antara katoda dari dioda D1.1. Penyearah Setengah Gelombang 3 Fasa. dalam hal ini sangat tergantung pada keperluan yang dibutuhkan. Pada rangkaian penyearah tiga fasa dapat dipasang sebanyak tiga. enam atau dua belas komponen penyearah dioda atau SCR. D2.dan D3 dan titik netral dari sumber yang dihubungkan bintang.. AVR alternator dan sebagainya.. Penyearah tiga fasa lebih efisien serta menghasilkan daya output yang konstan sehingga dapat dipakai pada sistem yang lebih komplek dengan beban yang tetap. 45 . Gambar 6.

akibatnya kedua dioda saja yang menghantar pada perioda ini. 1.1 a.diagram rangkaian penyearah 3 fasa Gambar 6. Pada sudut 150 0 VB menjadi lebih positif dan dioda D2 akan 46 .Rangkaian Penyearah Gambar 6. Dari kurva bentuk gelombang dapat dianalisa bahwa mulai dari 00 sampai 300. kemudaian dari sudut 300 sampai 1500 dari fasa A (VA ) mempunyai tegangan yang lebih positif yang membuat dioda D1 dipicu kearah maju sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R. dari fasa C (VC) mempunyai tegangan yang lebih positif dan ini akan memberi bias maju pada dioda D3 serta akan menghasilkan tegangan pada beban R yaitu sebesar U0.b bentuk gelmbang tegangan input / output Dengan adanya perioda tegangan positif akan membuat dioda menjadi menghantar. dengan tegangan positif ini akan menyebagkan tegangan yang lebih positif terhadap katoda dari dua titik yang lain.

831 x Umaks Pada gambar 6. Tegangan rata-rata output DC(Udc) tiga fasa dinyatakan sebagai berikut : Udc = 0.Rangkaian Penyearah menghantar sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R.Demikian seterunya pada 2700.2 penyearah setengah gelombang tiga fasa menggunakan trafo 47 .2 adalah bentuk yang sama dengan penyearah setengah belombang tiga fasa yang menggunakan transformator 3 fasa . Catatan : Tegangan output DC tidak pernah jatuh sampai nol. D3 menghantar kembali selama satu periode.Tegangan sekunder dimungkinkan dinaikkan atau diturunkan dengan seleksi yang sesuai dengan kebutuhan tegangan output DC yang diinginkan . Gambar 6.

3 dan 6.4 diperlihatkan diagram rangkaian penyearah tiga pasa.3 Rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh Rangkaian penyearah gelombanga penuh tiga fasa ini dapat dilengkapi/dipasang untuk dua keadaaan yaitu untuk setengah bagian positif dan setengah bagian negatif dari inputnya seperti halnya pada penyearah gelombang penuh untuk satu pasa. Gambar 6. Penyearah Gelombang Penuh Tiga Fasa pada gambar 6.4 bentuk belombang tegangan inputdan output 48 .2.Rangkaian Penyearah 6. gelombang penuh dan bentuk gelombang output Gambar 6.

c.34 x Urms ( ac ) Penyearah gelombang penuh dipersiapkan untuk daya tinggi. Idc adalah 0. penyearah mercury arc yangdipilih untuk digunakan. Teganan rata-rata Udc adalah dua kali dari penyearah setengah gelombang tiga fasa atau Udc = 2. yaitu: a. c. Tiap sekunder membawa arus untuk 1/3 siklus. Tiap primer membawa arus 2/3 siklus.995 x Im melalui tiap dioda dan hanya sepertiganya yang mengalir melalui tiap dioda. sebab : a. b.D4dan D6) dalam keadaaan menghantar dan satu dari dioda-dioda yang bernimor ganjil (D1. b. berarti empat dioda yang lain dalam keadaan tidak menghantar . Pada rangkaian diatas. Untuk instalasi yang besar.Rangkaian Penyearah Terdapat tiga hal yang harus diperhatikan pada waktu menganalisa kerja untuk rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh ini. Arus selalu mengalir dari sumber yang mempunyai tegangan positif tertinggi melalui dioda-dioda yang bernomor genap menuju bebandan terus mengalir pada dioda-dioda yang bernomor ganjil dan seterusnya kembali ke terminal sumber yang mempunyai tegangan negatif tertinggi. dua dioda selalu menghantar.D 3 dan D5) juga selalu mengahantar. Satu dari dioda-dioda yang bernomor genap (D2. Kerugian tembaga dalam belitan transformator adalah lebih rendah. 49 .

955) x Idc = 2. Kebanyakan SCR membutuhkan arus gate untuk penyalaan antara 0.5 Gambar 6. Arus gate ini (Ig) mengalir melalui persambungan (junction) antara gate dan katoda.Rangkaian Penyearah Contoh soal Harga efektif (rms) tegangan sekunder transformator (Us) pada penyearah gelombang penuh segitiga / bintang adalah 150 volt. tegangan output DC.34 x 150 = 351 V b.1 A c. Daya rata-rata yang dikiram ke beban. Jika harga rata –rata arus beban adalah 2A.1 sampai 20 mA. Udc = 2. Pdc = Udc x Idc = 351 x 2 = 720 W 6.6 vot.Simbol SCR diperlihatkan pada gambar 6. Im / dioda = (1/ 0. perbedaan nya waktu kondisi dari penyearah SCR dapat divariasikan untuk mengatur tegangan output dan level arus searah ( dc) . Penyelesaian : a. hitunglah : a. Arus puncak /maksimum yang melalui tiap dioda c.5 Simbol SCR SCR dapat dihidupkan oleh suatu arus penyulutan singkat ke dalam gatenya. b. Untuk memperdalam penguasaan perinsip kerja dari SCR perlu dipelajari secara khusus .3 Penyearah Tiga Fasa Menggunakan SCR SCR digunakan seperti penyearah dioda . sedangakan tegangan antara gate dan katodanya (UGK) harus lebih besar dari 0.34 x Us = 2. 50 .

Tegangan output rangkaian lebih mudah dikontrol atau diatur dengan mengatur rheostat penyalaan untuk SCR tersebut. R1 -C 1. R2 –C 2.6 penyearah SCR tiga fasa Untuk mengontrol SCR diperlukan rangkaian phase shift.6 Gambar 6. Tiga buah rheostat dijadikan satu untuk memperoleh kontrol penyalaan atau penyulutan SCR secara bersamaan. 51 . Kerja dari rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan SCR adalah sama seperti penyearah setengah gelombang tiga fasa yang sudah dibahas terdahulu.Rangkaian Penyearah Contoh rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan Silicon Controlled Rectifier (SCR) diperlihatkan pada gambar 6.. dan R3 –C 3 sebagai rangkaian RC phase shifting.

Asumsi dasar yang harus dibuat untuk melakukan pemeliharaan (service unit ) catu daya adalah mencari penyebab kesalahan . Arus bocor yang besar. b. memeriksa rangkaian dan komponen yang rusak dengan mengguanakan alat ukur yang cocok misalnya AVO meter dan CRO. 7. Rangkaian hubung singkat c. B. titik sambungan hubung singkat disebabkan sentaka tegangan tinggi.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 7 MENCARI LETAK GANGGUAN PENDAHULUAN Gangguan atau kesalahan yang paling banyak tejadi pada rangkaian catu daya adalah diakibatkan oleh beban yang terus menerus yang dipikul oleh catu daya tesebut atau beban yang tidak sesuai dengan kemampuan / kapasitas catudaya. Transistor atau IC Problem yang terjadi pada semi konduktor adalah : a. C. rangkaian terbuka. biasanya ditujukan oleh penguatan rendah atau level kebisingan tingggi. Resistor. 52 . b.1 Kesalahan Komponen A. disebabkan beban lebih. c. Titik sambungan rangkaian terbuka. Terjadi kebocoran pada rangkaian kapasitor. Kapasitor Kesalahan pada kapasitor seperti : a. kesalahan arus yang melaluinya lebih besar sehingga terjadi disipasi panas yang menyebabkan resisitor terbakar.

3 Pemeriksaan Catu Daya Poin utama yang harus diperiksa setelah anda melakukan perbaikan adalah. 53 .sebagai berikut : 1.Rangkaian Penyearah 7.2 Mengganti Komponen Bila mengganti komponen yang rusak pada rangkaian yang penting harus diperhatikan : a. Data dan spesifikasi komponen dapat dilihat pada buku data komponen yang diterbitkan oleh perusahaan /pabrik pembuat komponen. Dan ingat dalam melakukan pemerika\saan dan perbaikan harus diperhatikan Standart Opertional Procedur ( SOP ) yang berlaku dan disepakati. b. 3. Tegangan kerut (riple) dari amplitudo output diukur dengan Ossiloskope ( CRO. apakah sudah sesuai dengan tegangan yang dibutuhkan 2.) 4. Pada tabel berikut ini diberikan pedaman dasar sebagai langkah awal mendiaknosa gangguan atau kesalahan suatu rangkaian. 7. Tempatkan komponen yang diganti secara pasti dan tepat. Lepas dan ganti komponen yang sesuai dengan aslinya atau eqivalen dari karakteristik komponen yaitu kemampuan arus. Arus ouput DC yang diperlukan. Tegangan output DC . tegangan dan daya yang sesuai dengan spesifikasinya. Regulasi tegangan atau regulasi arus.

rangkaianbekerja baik. Regulasi sangant jelek. GEJALA Kesalahan Transformator : 1. sekring putus arus lebih transformator baik. output DC rendah dengan naiknya level riple. output DC rendah dengan level riple tinggi. sekring putus Filter kapasior hubung singakat Filter kapasitor rangkaian terbuka. output DC nol dan tegangan sekonder tidak ada. regulasi jelek Filter kapasitor bocor 54 . Rangkaian dioda penyearah terbuka Rangkaian dioda hubung singkat. Lilitan trafo primer dan sekumder hubung singkat 2. ouput DC rendah dan transformer putus Kesalahan Penyearah : 1. 3. tetapi output DC rendah dari yang seharusnya Kesalahan Filter kapasitor : 1. 2.Rangkaian Penyearah ANALISA GANGGUAN RANGKAIAN CATU DAYA. Tahanan dioda terlalu besar (tegangan jatuh saat forward besar) 3. output DC rendah dengan riple 50 Hz 2. KESALAHAN Rangkaian input AC terbuka atau sekring putus.

1a. RS terbuka 55 .8 v RL - Gambar 7. + Rs 82? 12 v Vz 6. RS putus (rangkaian terbuka ) b. Zener Regulator Dari gambat 7.1 apa yang akan terjadi bila : a. 1. Dioda zener hubung singkat. Dioda zener putus (rangkaian terbuka ) c.Rangkaian Penyearah LATIHAN MENCARI GANGGUAN/KESALAHAAN.1 Zener regulator + Open circuit Vz 12 v 6.8 v RL 135? - Regulator Beban Gambar 7.

Zener terbuka Rs = 82? Short circuit (zero ohm) RL 135? Gambar 7.Rangkaian Penyearah Rs = 82? Zener diode Open circuit RL 135? GAMBAR 7. Zener hubung singkat 56 .1c.1 b.

Rs rangkaian terbuka b.Rangkaian Penyearah 2. Regulator Seri Vin Q1 Vo Rs IB RL Vz Gambar 7.2 regulasi seri Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. Zener hubung singkat d. Transistor hubung singkat 57 . Zener rangkaian terbuka c.

c. IC Regulator 7805 +20 v Vo R1 220? RL R2 320? 0 Gambar 7. R1 rangkaian tebuka b.3 Regulator Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. R2 hubung singkat RL rangkaian terbuka 58 .Rangkaian Penyearah 3.

b.b.d 100Hz 4. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah gelombang penuh adalah : a. 0. d. b. EVALUASI TES TEORI I. 50 Hz . menaikkan tegangan kerut ( ripple ) menaikkan frekuensi ripple mengurang tegangan beban mengurangi tegangan ripple 59 .c 0.pilihlah jawaban yang paling benar a.c 75 Hz .45 3. Rangkaian Penyearah Untuk setiap setiap pertanyaan .3 .b 0.d 0. Perbandingan tegangan output dan input penyearah setengah gelombang adalah: a.4 . Pada rangkaian penyearah 1 fasa setengah gelombang dibutuhkan dioda minimal : a. 1 . c.35 . c. 25 Hz . d. 2 . b. 25 Hz . 3 . Pilter pada rangkaian penyearan digunakan untuk : a. 4 2.Rangkaian Penyearah III. b. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah setengah gelombang adalah : a.d 200 Hz 5.c 100 Hz .c atau d 1. 50 Hz .

9 v c.b. b. Bila induktor digunakan sebagai filter. paralel dengan beban seri dengan beban pralel dengan dioda pnyearah paralel dengan input penyearah 8. maka haru dihubungkan : a. c. 20 v 60 .antara penyearah dengan beban c. paralel dengan input penyearah 9. Bila kapasitor digunakan sebagai filter.sesudah regulator 7. 18 v d. a. 1. d.8v d. 12v c.Rangkaian Penyearah 6.paralel dengan beban b.sebelum penyearah b. maka haru dihubungkan : a. 10. Pilter dihubungkan : a.Hitung tegangan output pada beban bila penyearah gelombang penuh sistem jembatan dihubungkan dengan sumber 20 v ac.44 v b.pralel dengan dioda pnyearah d. seri dengan beban c. 10 v . sesudah beban d.Hitung tegangan output tanpa beban penyearah setengah gelombang bila dihubungka pada tegangan sumber 24 v ac: a.24 v 10.

Regulator Zener 1.Rangkaian Penyearah II. 10 v b. 0. 0. Aruus beban IL dalam rangkaia gambar 1 adalah: a. 30 v d. 18.20 mA c. 0 v c. 39 mA Besarnya Rs dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 15 v c.204 d. 10 mA 4. b. 30 v d. 15 v c. 15 v d. 0.268 Jika zener dioda menjadi rengkaian terbuka . Tegangan beban UL dalam rangkaia gambar 1 adalah : a.6 v 3. 144 c.6 v b.maka tegangan output adalah: a. 30 v 2. Tegangan jatuh /drop pada Rs dalam gambar 1 adalah: Rs 30 V Uz 15 v RL 470? a. 32 mA d.5 v 61 . 100 5 b.5 v b.

Regulator tegangan digunakan untuk : a. 5 v b. Regulator tegan tiga teminal 7912 . 8 v d. mendapatkan arus beban konstan b. Sebelum sumber tegangan input b. 12 v 3. Antara penyearah dan filter 5. mendapatkan arus sumber konstan 2. negatif 12 v c.Rangkaian Penyearah III. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 4 v adalah : a 5v b. 7 v c.output tegangan nya adalah : a. mendapatkan tegangan beban konstan c. Antara sumber dan beban d. 7 v c. IC . Sesudah beban c. positif 9 v 62 .4 v 4. negatif 7 v d. mendapatkan tegangan sumber konstan d. 8 v d .Regulator 1. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 12 v adalah : a. Regulator tegangan tiga terminal dihubungkan pada : a. positif 12 v b.

a.8 mA c. a.44mA c.Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN REVIEW TEST REVIEW TEST 1 1. I = 3. Tegangan kerut = 86.Untuk mengurangi tegangan kerut (ripple voltage ) AC pada perubahan beban dalam % 2. PIV dioda =12 volt 3.Rangkaian terbuka . Arus dioda berkurang 3. . a. PIV dioda = 21.75 volt b.64 volt b.Udc = 7. a.2 volt 2.I beban = 424.26 mV 63 . Level rata-rata naik b.Hubung Singkat . Udc = 6.Tahanan arah maju (forward ) tinggi REVIEW TEST 2 1. XL = 1340 O b. Filter LC a.

45 volt 64 . Iz = 3. = 0 volt b. 3.8 volt 3. Disipasi daya Rs = 43.3 mA e.2 volt b.Rangkaian Penyearah REVIEW TEST 3 1 a.8 volt c.6 mW Zd = 27 mW RL = 67.U output = 14 volt 2 U output = 11. Untuk memberikan arus yang konstan dengan bermacam. Uo = 11.24 mW 2 a 72 % b = 1. Regulasi adalah 25 % REVIEW TEST 4 1 .25 watt.5 mA d.macam beban . Uo = 1. Imaks =11. 3.1 volt 4.25 volt c. a. 8. c.

c 7.a 2.c 10. b 6.a 8.c II. c 7. Regulator Tegangan 1 . Tes Rangkaian Penyearah 1.Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN SOAL TEORI I.d 6. c 6. b 5. a 65 .b 9.d 4. c 8.Regulator Zener 4.b 7. a III.b 4.c 5. d 5.d 3.

1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan Ya Tidak Training Lanjut 2. resistor.kapasitor dan induktor dijelaskan 2.3 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.Rangkaian Penyearah Self Assesment Check List Kegitan pembelajaran Elemen 1.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan 3.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya Kriteria Unjuk Kerja 1.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 66 .

Rangkaian Penyearah

DAFTAR PUSTAKA

Barry Davis, Under standing DC Power Suppllies, Prentice-Hall of Australia Pty Ltd,1981 Edy Burnawi , Catu Daya , PPPGTeknologi Bandung ,1996 Emst Hornermann , Electrical Power Engineering Profinciecy Course, GTZ GmbHEscbom ( Federal Republic of Germany ), 1988 Fardo and Patrick , Electrical Power Systems Technology , Howard W.Sams &Co,Inc James F.Lowe , Electronics for Electrical Trades , McGraw-Hill,Book Company Sydney, 1977

67

Rangkaian Penyearah

LEMBAR PENILAIAN
Modul Nama Peserta Nama Penilai Beri tanda ( v ) No 1 2 Hasil METODA PENILAIAN Tertulis Praktik KOMPETEN BELUM KOMPRTEN KETERANGAN : RANGKAIAN PENTEARAH : ……………………… : ………………………

: Kompeten Belun kompeten CATATAN:

Tanada Tangan Peserta

Tanada Tangan Penilai

Tanggal: ……………….

68

Aplikasi Dioda

Bab

2

Aplikasi Dioda

dirangkaian elektronik.

S

etelah mengetahui konstruksi, karakteristik dan model dari dioda semikonduktor, diharapkan mahasiswa dapat memahami pula berbagai konfigurasi dioda dengan menggunkan model dalam aplikasinya

2.1 Analisis Garis Beban (Load-Line Analysis) Beban yang diberikan pada rangkaian secara normal akan mempunyai implikasi pada daerah kerja (operasi) dan piranti elektronik. Bila analisis disajikan dalam bentuk grafik, sebuah garis dapat digambarkan sebagai karakteristik dioda yang mewakili efek dari beban. Perpotongan antara karakteristik dan garis beban akan menggambarkan titik operasi dari system. Perhatikan gambar 2.1 berikut ini,.
Id + E Vd R + VR VD ID

(a)

(b)

Gambar 2.1 Konfigurasi Seri dari Dioda. (a) Rangkaian Dioda (b) Karakteristik Menurut Hukum Kirchoff tegangan:
E − VD − VR = 0 E = VD + I D R

………………………………….(2.1)

Aplikasi Dioda

Variabel VD dan ID dari persamaan 2.1 adalah semua seperti axis variable dari karakteristik dioda pada gambar 2.1 (b). Perpotongan garis beban dan karakteristik dapat digambarkan dengan menentukan titik pada horizontal axis yang mempunyai ID = 0A dan juga menentukan titik vertical axis yang mempunyai vertical
E = VD + I D R

VD = 0V. JIka kita

atur VD = 0V, dengan persamaan 2.1 akan kita peroleh nilai magnitude ID pada sumbu

E = 0V + I D R
ID = E R VD =0V

………………………………….. (2.2)

Selanjutnya, kita atur ID = 0A, dengan persamaan 2.1 kita dapat memperoleh magnitude VD pada sumbu horizontal.
E = VD + I D RD
E = V D + ( 0) R D

VD = E I

D =0 A

…………………………………. (2.3)

Seperti terlihat pada gambar 2.2. garis lurus yang menghubungkan ke dua titik menggambarkan garis beban. Jika nilai R diubah, maka gambar garis beban akan berubah.

ID
E R

Karakteristik dioda

IDQ

Q-point Garis beban

0

VDQ

VD

Gambar 2.2 Garis Beban dan Titik Operasi Titik perpotongan antara garis karakteristik dioda dan garis beban disebut dengan “ Q point ” (Quiescent Point)

Aplikasi Dioda

2.2 Aproximasi Dioda

Dalam menganalisis rangkaian dioda, dapat digunakan 3 macam model pendekatan (aproximasi), yaitu:
• • •

Piecewise-linear model Simplified model Ideal model

Untuk dioda Silikon, ketiga model tadi dapat digambarkan sebagai berikut: Tabel 2.1 Aproximasi untuk Dioda Silikon
Model Gambar VT 0.7 rav 10Ω
VT VD

Karakteristik
ID

Piece-wise linear model

rav

Simplified model

VT 0.7

ID

VT

VD

Ideal model

ID

0

VD

Untuk dioda yang terbuat dari Germanium, VT adalah 0.3V.

2.3 Konfigurasi Seri dari Dioda dengan Input DC

Ada beberapa prosedur yang harus dilakukan dalam menganalisis dioda, yaitu: a. Tentukan kondisi dioda ON/OFF, dengan cara:
• •

Lepaskan dioda dari rangkaian Hitung tegangan pada terminal dioda VD yang dilepas tadi dengan KVL

7 → Dioda silikon OFF.7 = 7.3V = = 3. Jika dioda ON.3 → OFF b.Aplikasi Dioda • V D 〉 0.32mA R 2K 2 . ganti dengan model pendekatan yang digunakan c. VR dan ID dari rangkaian dioda berikut Jawab • Langkah 1 Dengan KVL: E − VD − VR = 0 VD = E − VR = (8V ) − I R R = (8V ) − (0) R V D = 8V VD 〉 0.7V 8V E + VR - • Langkah 3 VD = 0.7V dioda ON • Langkah 2 + VD 0.7V VR = E − VD = 8 − 0. dioda germanium V D 〈0.3V 2K2 ID = IR = V R 7. dioda germanium V D 〉 0. Analisis rangkaian tersebut contoh Tentukan VD.7 → Dioda silikon ON.3 → ON V D 〈 0.

18mA I D1 = I D 2 = 1 = = 14.7V I1 = .4 Konfigurasi Paralel dan Seri-Paralel dari Dioda Prosedur pada bagian 2.18mA R 0. ID1. I1.7V → D1 & D2 ON E − V R − V D1 = 0 E − ( I 1 R ) − V D1 = 0 I 1 R = E − V D1 E − V D1 10 − 0.33K I 28.7 = = 28.09mA 2 2 V0 = V D 2 = 0. dan ID2 dari rangkaian dioda berikut: Jawab E − VR − V D1 = 0 VD1 = V D 2 = E = 10V VD1 = VD 2 〉 0.Aplikasi Dioda 2.4 dapat digunakan dalam menganalisis rangkaian dioda paralel dan seri-paralel Contoh : Hitunglah Vo.

Rangkaian sederhana di bawah ini akan kita gunakan untuk mempelajari cara menganalisisnya. Metode dioda ideal akan digunakan dalam analisis selanjutnya.6 Input Sinusoidal : Penyearah Setengah Gelombang Pada bagian ini akan kita kembangkan metode analisis dari dioda yang telah dipelajari sebelumnya.3 Gerbang Logika OR dan AND Dengan Menggunakan Dioda 2.Aplikasi Dioda 2. OR Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 AND Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 Gambar 2.5 AND/OR Gate Aplikasi dioda yang lain adalah dapat digunakan sebagai rangkaian logika AND dan OR. Untuk menganalisis rangkaian dioda dengan input yang berubah terhadap waktu seperti gelombang sinusoidal dan gelombang kotak. Gambar 2. Berikut adalah rangkaian gerbang logika AND dan OR yang menggunakan dioda silikon.4 Penyearah ½ Gelombang .

selama perioda T →T 2 polaritas dari input Vi berubah mengakibatkan dioda tidak bekerja (OFF).318Vm ………………………………………… (2.5 Daerah Dioda Konduksi (0 – T/2) Selanjutnya. Gambar 2.Aplikasi Dioda Rangkaian diatas akan menghasilkan output V0 yang akan digunakan dalam konversi dari ac ke dc yang banyak digunakan dalam rangkaian-rangkaian elektronika. berikut penggambaran prosesnya. Vi Vi + R + + V0 Vi + R + V0 = 0V 0 T/2 V0 = 0V - t Gambar 2. sehingga outputnya bias diperoleh proses di atas dapat digambarkan seperti gambar di bawah ini.4) Berikut adalah gambar input dan output rangkaian penyearah ½ gelombang . dioda selanjutnya dapat 2 diganti dengan rangkaian ekivalen model idealnya.6 Daerah Dioda Non Konduksi (T/2 – T) Sinyal output V0 mempunyai nilai rata-rata selama satu siklus penuh dan dapat dihitung dengan persamaan berikut Vdc = 0. Selama interval t = 0 → T mengakibatkan dioda ON.

2.Aplikasi Dioda Gambar 2. Vi Vm T/2 T t + D1 + Vo - D2 0 Vi R D3 D4 Gambar 2.9 T/2 polaritas polaritas input digambarkan seperti pada .8 berikut.7 Penyearah Gelombang Penuh 2. Konfigurasi yang sangat terkenal adalah konfigurasi Bridge atau jembatan.8 Penyearah Gelombang Penuh Selama periode t = 0 gambar 2. dengan menggunakan 4 buah dioda dengan penyearah seperti pada gambar 2.7 Sinyal Input dan Output Rangkaian Penyearah ½ Gelombang Selain menggunakan model ideal kita juga dapat menggunakan kedua model lain.1 Konfigurasi Bridge Untuk meningkatkan dc level yang diperoleh dari input sinusoidal sebanyak 100% kita dapat menggunakan rangkaian penyearah gelombang penuh.7.

10 Aliran Arus Pada Fase Positif dari Vi Untuk perioda input t = T/2 T. D2 dan D3 OFF sementara D1 dan D4 ON. Berikut gambar polaritas input.9 Rangkaian Full Wave Bridge untuk t = 0 T/2 Dari gambar 2.11 Aliran Arus Pada Fase Negative dari Vi .9 terlihat bahwa D2 dan D3 terkonduksi (ON) sementara D1 dan D4 OFF. Dengan mengganti dioda dengan model ideal diperoleh gambar berikut.OFF Gambar 2. Gambar 2. arah arus serta rangkaian ekivalen rangkaian dioda Gambar 2.Aplikasi Dioda + OFF Vi + ON + + Vo R - + - ON - + .

12 Sinyal Input dan Output Rangkaian Dioda Bridge Nilai rata-rata dc dapat diperoleh dengan persamaan berikut Vdc = 0.(2. seperti . T/2 .7. Vi + + Vi + Vi - D1 T 0 T/2 t CT R .5) 2.2 Center Tapped Transformer Bentuk kedua yang popular dari penyearah gelombang penuh adalah dengan menggunakan 2 buah dioda dan center tapped (CT) transformer konfigurasinya dapat dilihat pada gambar berikut.Vo + Vi - D2 Gambar 2. D1 akan menjadi ON sedang D2 OFF.636Vm …………………………………….Aplikasi Dioda Secara keseluruhan input dan output rangkaian ini adalah Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.13 Gelombang Penuh Dengan Trafo CT Selama perioda t = 0 gambar berikut.

Vo + Vm 0 T/2 t D2 0 T/2 t Gambar 2. .8 CLIPPER Clipper merupakan rangkaian dioda yang memiliki kemampuan memotong sebagian sinyal input tanpa menimbulkan efek pada bagian lain dari sinyal. Terdapat dua kategori clipper: 1.Vo + 0 D2 T/2 T t Gambar 2. Clipper seri Dioda seri dengan beban dioda parallel dengan beban 2. Salah satu contohnya dapat dilihat pada gambar berikut.1 Clipper Seri Rangkaian dasar dari clipper seri adalah mirip dengan rangkaian penyearah ½ gelombang.14 Kondisi Rangkaian Pada Perioda Input 0 – T/2 Sebaliknya. Namun demikian rangkaian clipper seri dapat dibuat dalam berbagai variasi.Aplikasi Dioda Vi Vm + Vi + Vi + Vi - D1 Vo R .8. Clipper parallel 2. selama perioda input T/2 – T kondisi rangkaian adalah seperti gambar berikut Vi + + Vi + Vi - D1 Vo R Vm 0 T/2 T t Vi - .15 Kondisi Rangkaian Untuk Perioda Input T/2 – T 2.

Dioda ON pada saat Vi berada pada polaritas positif. Tegangan dc (V) harus lebih kecil dari Vi agar dioda ON. tentukan persamaan Vo 4. Hitung dan gambarkan nilai Vo berdasar nilai sesaat dari Vi Sebagai contoh. Tentukan apakah dioda ON/OFF dengan melihat rangkaian.Aplikasi Dioda Vi + R + + V0 - (a) Vi Vo Vi Vo Vi T/2 t 0 Vo T/2 0 T t 0 T/2 t 0 T/ 2 T t 0 T/2 T t T/2 0 t (b) Vi + T/2 0 + T t Vi V R V0 + (c) Gambar 2. . Tentukan nilai tegangan yang mengakibatkan kondisi dioda berubah OFF ON atau sebaliknya 3.16 (c) dan ikuti prosedur di atas. 2. Perhatikan polaritas Vi dan Vo. perhatikan gambar 2.16 Clipper Seri dan Input/Output (a) Rangkaian Dasar Clipper (b) Variasi Input dan Output (C) Variasi Clipper Seri Berikut adalah prosedur dalam menganalisa rangkaian clipper: 1. 1. 2. Untuk dioda yang ideal perubahan kondisi ideal terjadi pada Vd = 0 V dan id = 0A (ingat karakteristik dioda ideal). Dengan menerapkan kondisi nilai Vi yang mengakibatkan transisi kondisi dioda.

17 Menetapkan Kondisi Transisi dari Rangkaian Vi − V − Vd − V0 = 0 Vi − V − 0 − id R = 0 Vi − V − 0 − (0) R = 0 Vi = V ………………………………………………………….6) Artinya dioda berubah dari OFF ON atau ON OFF pada saat Vi = V 3.Aplikasi Dioda Gambar 2.7) 4. Pada saat dioda dalam kondisi ON.(2. Hitung dan gambarkan Vo dengan mengambil nilai sesaat dari Vi .(2.18 Menentukan Vo Vi − V − Vo = 0 Vo = Vi − V ……………………………………. Vo dapat dihitung dengan KVL Gambar 2.

20 Rangkaian Clipper Parallel dan Variasi Input/Outputnya .2 Clipper Paralel Berikut rangkaian dasar clipper parallel.19 Sinyal Vi dan Vo 2. variasi input/output dan variasi konfigurasi yang lain Gambar 2.8.Aplikasi Dioda Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.

Vi > V Dioda OFF • Tentukan Vo pada dioda ON • Tentukan Vo pada dioda OFF .Aplikasi Dioda Cara menganalisa clipper parallel adalah sama dengan cara analisis clipper seri Contoh: Tentukan Vo dari rangkaian berikut Jawab: • • Dioda ON pada fase negative dari input Cari tegangan transisi VR = 0 + Vi V 4V id = 0 + V0 - Vi − VR − Vd − V = 0 Vi − 0 − 0 − V = 0 Vd = 0 Vi = V tegangan transisi Ketika Vi < V Dioda ON.

Aplikasi Dioda • Gambarkan outputnya Vi 16 V t 16 V Vo 4V t Berikut berbagai variasi rangkaian clipper Gambar 2.9 CLAMPER Rangkaian clamper adalah rangkaian yang akan melempar (clamp) sinyal ke level dc yang berbeda. kapasitor kita anggap mengisi dan membuang semua dalam 5 kali konstanta waktu. Hal ini berguna agar kapasitor tidak membuang tegangan (discharge) pada saat dioda mengalami perioda non konduksi (OFF). Sumber dc juga dapat ditambahkan untuk memperoleh pergeseran tegangan tambahan.22 Rangkaian Clamper . Rangkaian clamper sederhana dapat dilihat pada gambar berikut Vi V 0 -V T/2 T t + Vi C R + V0 - Gambar 2.21 (gbr 291 hal 84) 2. Dalam analisis. Clamper tersusun atas capasitor. dioda dan komponen resistif. Nilai R dan C harus dipilih sedemikian rupa agar konstanta waktu τ = RC cukup besar.

23 Dioda ON dan Kapasitor Mengisi Sampai V Volt Pada interval ini.Aplikasi Dioda Selama interval 0 – T/2 rangkaian dapat digambarkan seperti berikut. secara keseluruhan input dan output dari rangkaian adalah sebagai berikut. rangkaian dapat digambarkan sebagai berikut. V C Vi + + R V0 - Gambar 2. Gambar 2. Gambar 2.25 Input/Output dari Contoh Rangkaian Clamper . sedang Vo = 0 V. Ketika polaritas input berbalik. kapasitor akan mengisi dengan cepat sampai V = tegangan input.24 Menetapkan Output Pada Saat Dioda OFF Jika digambarkan.

1 Vi dan R tetap Rangkaian dioda zener yang paling sederhana dapat dilihat pada gambar berikut ini: R VZ PZm RL Gambar 2.28 Rangkaian Dasar Regulator dengan Zener .10 Dioda Zener Dalam menganalisis zener. kita dapat menggunakan cara menganalisis dioda pada bagian sebelumnya. Ketika zener diindikasikan ON.27 Rangkaian pengganti Dioda Zener 2. Gambar 2. sedangkan jika zener OFF rangkaian penggantinya adalah saklar terbuka + VZ - + VZ - + V - ON (Vz > V > 0) OFF Gambar 2.10. rangkaian penggantinya adalah sumber tegangan Vz.26 Rangkaian Clamper dengan Dioda Ideal 2.Aplikasi Dioda Berbagai variasi dari rangkaian clamper dapat dilihat pada gambar berikut.

Dengan menerapkan langkah 1 pada gambar 2. Zener dapat diganti dengan rangkaian OFF dapat Jika V ≥ VZ . zener penggantinya..Aplikasi Dioda Analisa rangkaian zener dapat dilakukan dengan langkah berikut: a.2. Sebaliknya jika V ≤ VZ maka zener digantikan dengan saklar terbuka b.29 Rangkaian Ekivalen Zener ON .8 ON. Tentukan kondisi zener dengan melepasnya dari rangkaian dan menghitung tegangan pada untai terhubung. Ganti Zener dengan rangkaian ekivalennya Gambar 2. akan kita peroleh rangkaian berikut R Vi VZ VL Tegangan V dapat dihitung dengan menerapkan aturan pembagi tegangan V = VL = R LV i R + RL …………………………………….27 diatas.

arus yang mengalir pada zener dapat ditentukan dengan KCL IR = IZ + IL I Z = I R − I L …………………………………………….9 Dimana. dan PZ Ulangi soal (a) dengan RL = 3kΩ a) Terapkan prosedur sebelumnya • Lepaskan zener dari rangkaian R LVi 1.2. VR. IZ.2k (16V ) = = 8.. IL = V − VL VL V dan I R = R = i RL R R Daya yang diserap zener: PZ = VZ I Z …………………………………………….73V R + RL 1k + 1.10 Dioda zener umumnya digunakan dalam rangkaian regulator tegangan Contoh 2… VR 1k 16V VZ = 10 V PZm = 30mW RL 1k2 VL • • Jawab Tentukan VL.2k V = VL = V < VZ Zener OFF . 2.Aplikasi Dioda Dari gambar zener ON.

33mA = 2.27V IZ = 0A PZ = VZ I Z = 0W b) Lepaskan zener dari rangkaian V = VL = R LVi = 12V R + RL V ≥ VZ • Zener ON Ganti zener dengan rangkaian ekivalen untuk zener ON VL = VZ = 10V VR = Vi − V L = 16V − 10V = 6V IL = IR = VL 10V = = 3. RL yang terlalu kecil akan mengakibatkan zener OFF.10.2.33mA RL 3kΩ VR 6V = = 6mA R 1kΩ IZ = IR − IL = 6mA − 3. Nilai minimum RL dapat ditentukan sebagai berikut: VL = VZ = RLVi RL + R R L min = RVZ Vi − VZ ………………………………………………….73V = 7.2 Vi Tetap dan RL Variabel ON/OFF-nya zener tergantung pada interval nilai RL.7 mW 2. Selanjutnya ganti dengan .Aplikasi Dioda • Ganti zener dengan saklar terbuka VR = Vi − V L = 16 − 8. RL min akan menimbulkan IL max min.67 mA) = 26.11 Jika RL yang dipilih > RL rangkaian ekivalen zener ON.67 mA • Daya yang diserap zener PZ = VZ I Z = (10)(2. maka zener ON.

tegangan Vi harus cukup besar untuk dapat mengakibatkan zener ON...2.. Selama tegangan positif pada separuh siklus dari tegangan yang melalui transformer..17 R L max = VZ I L min 2.19 I R max = I Z max − I L Vi max = V R max + VZ Vi max = I R max R + VZ ………………………………………….2..Aplikasi Dioda I L max = VL V = Z RL R L min ……………………………………………. 2.10.30 di bawah adalah rangkaian half wave voltage doubler.11.3 RL Tetap dan Vi Variabel Untuk nilai RL yang tetap.2.2.20 2.16 …………………………………………..14 …………………………………………………..2.2. 3x. Tegangan Vi minimum ditentukan oleh: VL = VZ = VL min = RLVi RL + R ( RL + R )VZ RL ………………………………………….2.12 Tegangan pada R VR = Vi − VZ IR = VR R ………………………………………………….2. atau lebih kecil.11 Rangkaian Pengali Tegangan Rangkaian ini digunakan untuk menaikkan tegangan puncak dari trafo hingga 2x.. dioda D1 terkonduksi (D2 OFF) dan mengisi kapasitor C1 .2.13 ………………………………………………….15 IZ = IR − IL IZ min dicapai pada IL max dan sebaliknya I L min = I R − I Z max ………………………………………….1 Pengali Tegangan Rangkaian yang ditujukan oleh gambar 2.18 ………………………………………….

Selama siklus negative dari input D1 menjadi OFF sementara D2 terkonduksi (ON) dan mengisi kapasitor C2. Gambar 2.11.2 Voltage Tripler dan Quadrupler Gambar 2.31 Rangkaian Half Wave Voltage Doubler Alternatif 2.30 Half Wave Voltage Doubler Tegangan pada output: − VC 2 + VC1 + Vm = 0 − VC 2 + Vm + Vm = 0 VC 2 = 2Vm Model rangkaian yang lain dapat dilihat pada gambar 2.Aplikasi Dioda sampai pada puncak tegangan (Vm) dengan polaritas seperti yang ditujukan dalam gambar. Gambar 2.32 memperlihatkan half-wave voltage doubler yang dimodifikasi agar dapat mengeluarkan output sebesar 3 dan 4x dari tegangan input. .31 berikut.

32 Voltage Tripler dan Quadrupler .Aplikasi Dioda Gambar 2.

Persamaan rangkaian : E = VD + IDR Cari dua nilai ekstrim untuk VD dan ID : Saat VD = 0 : E = 0 + IDR E I D = VD = 0 R ID = 10 mA Saat ID = 0 : E = VD + 0 R VD = 10 V Perpotongan kurva : .Diode dalam Rangkaian Dari rangkaian berikut tentukan arus diode dan tegangan diode pada titik kerja IDQ dan VDQ berdasar : (a) Perhitungan dengan pemodelan diode (b) Analisis garis beban dengan kurva karakteristik diode 10 ID VD Si ID (mA) E 10 V R 1KΩ 5 VD 1.3 mA (b) Dengan analisa garis beban : Buat kurva rangkaian yang memotong kurva karakteristik. Titik perpotongan kedua kurva menyatakan nilai IDQ dan VDQ.7 Volt Sehingga IDQ = (E-VD)/1000 = 9.0 Kurva karakteristik diode Solusi : (a) Dari pemodelan diode : VDQ = 0.

7 V dan IDQ = 9. V1. Rangkaian digambarkan lebih lengkap sbb : . dan mempunyai tegangan VD = 0.3 mA ID (mA) titik Q 5 VD 0. V2 dan V0 E1= 10 + V1 Vo 4.7 Volt.10 9.3 mA Soal : Hitung I.7 K 2.7 V 10 Jadi VDQ = 0.2 K + V2 E2 = -5 V Solusi : Diode berada dalam kondisi on.

7 + 2.07mA x2.7V + 5V I= 1 = R1 + R2 4700Ω + 2200Ω I = 2.7 + V2 .55 V – 5 V = -0.45 V .7 K + 0.E2 V0 = 4.2 K V2 + Vo E1= 10 E2 5V - -E1 + V1 + 0.55 V Pada sisi output.E2 = 0 Persamaan untuk arus I : E − VD + E 2 10V − 0.07mA x 4.7KΩ = 9.+ V1 I 4.73 V V2 = I x R2 = 2.2 KΩ = 4. dengan menerapkan hukum tegangan kirchoff : + V2 KVL + Vo E2 5V - E2 – V2 + V0 = 0 V0 = V2 .07 mA V1 = I x R1 = 2.

.

.

..........4) π Praktikum Elektronika Dasar 16 .......... Penyearah ada 2 macam......................... (5.. Resistor 4.......2) π Frekuensi output: f OUT = fIN .... Mengetahui manfaat dioda sebagai penyearah................... Dioda semikonduktor 3.............................. Mampu merancang rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh...... Bahan Praktikum 1............... 2.... Multimeter 6................ (5............................................ 3..MODUL V I..................... 4............ Penyearah Setengah Gelombang Nilai tegangan puncak input transformator: VRMS = VP 2 ................... Menganalisa rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh....... Ringkasan Teori Penyearah berfungsi untuk mengubah tegangan ac menjadi tegangan dc.. Osiloskop III...............................1) Tegangan rata-rata DC pada penyearah setengah gelombang adalah: VDC = VP = 0........ (5......................318 × VP ....... II......... Projectboard 5....... RANGKAIAN PENYEARAH Tujuan Praktikum 1... Transformator 2......................................... yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh.........3) Penyearah Gelombang Penuh Tegangan rata-rata DC pada penyearah sinyal gelombang penuh: VDC = 2VP .................... (5................. Mengetahui cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh..................

5) V. Penyearah Setengah Gelombang 1.. 5..........1.. D1 = Dioda semikonduktor... R1 = Resistor Praktikum Elektronika Dasar 17 .... 6..... Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter... 3.... (5. Penyearah Gelombang Penuh dengan Center Tap 1.. 8.... dan R1 Gambar 5.... B.... 4.... Hitung besar tegangan keluaran pada R1. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini.........fIN ......... Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB.... Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini...... Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop.... Tentukan nilai T1... Rangkaian Penyearah Setengah Gelombang 2...... Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 2....... Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda (diode bridge) Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! VI.. Tugas Pendahuluan 1.. 7.... D1........ Langkah Percobaan A...... Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop.... Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh center tap? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 3.Frekuensi output: f OUT = 2... T1 = Transformator..... Tutup saklar S1.. Ukur besar tegangan keluaran pada T1 menggunakan multimeter.....

3. Praktikum Elektronika Dasar 18 . Ukur besar tegangan pada resistor beban menggunakan multimeter.2. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. 6. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. T1 = Transformator. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop.Gambar 5. Penyearah gelombang Penuh dengan Diode Bridge 1. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan dioda bridge 2. 5. Tutup saklar S1. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh 2. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. 4. 6. Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. 3. C. 8. R1 = Resistor Gambar 5. 3. Tutup saklar S1. 5. DB1 = Dioda Bridge. 4. 7. Hitung besar keluaran pada R1.

7. Berikan kesimpulan dari percobaan yang telah dilakukan diatas. Praktikum Elektronika Dasar 19 . 8. VII Laporan Akhir Gambarkan bentuk gelombang dari hasil percobaan yang telah dilakukan. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. Lakukan analisa dari ketiga percobaan diatas. Hitung besar keluaran pada R1.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful