BAHAN AJAR

ELEKTRONIKA DASAR
Disusun oleh: Ahmad Fali Oklilas

PROGRAM DIPLOMA KOMPUTER UNIVERSITAS SRIWIJAY 2007

SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH ELEKTRONIKA DASAR KODE / SKS : MTK224 / 2 SKS
Dosen Pengasuh NIP Program Studi Kelas/angkatan
Minggu ke 1

: Ahamad Fali Oklilas : 132231465 : Teknik Komputer : Teknik Komputer/2006

Sub Pokok Bahasan Pengantar Tujuan Instruksional Khusus Muatan Partikel Intensitas, Tegangan dan Energi Satuan eV untuk Energi Tingkat Energi Atom Struktur Elektronik dari Element Mobilitas dan Konduktivitas Elektron dan Holes Donor dan Aseptor Kerapatan Muatan Sifat Elektrik Ref.

Pokok Bahasan

Tingkat Energi Pada Zat Padat

1,2

Transport Sistem Pada Semikonduktor

Energi Atom

Prinsip Dasar Pada Zat Padat

Prinsip Semikonduktor

Karakteristik Dioda

Prinsip Dasar

Rangkaian terbuka p-n Junction Penyerarah pada pn Junction Sifat Volt-Ampere Sifat ketergantungan Temperatur Tahanan Dioda Kapaitas

Karakterisrik Dioda

Sifat Dioda

Karakteristik Dioda

Jenis Dioda

Switching Times Breakdown Dioda Tunnel Dioda Semiconductor Photovoltaic Effect Light Emitting Diodes Dioda sebagai elemen rangkaian Prinsip garis beban Model dioda Clipping Comparator Sampling gate Penyearah Penyearah gelombang penuh Rangkaian lainnya 1

Rangkaian Dioda

Dasar

Rangkaian Dioda

Lanjut

MID TEST/UTS
7 Rangkaian Transistor Sifat Transistor Transistor Junction Komponen Transistor Transistor Sebagai Penguat (Amplifier) Konstruksi Transistor Konfigurasi Common Base Konfigurasi Common Emitor CE Cutoff CE Saturasi CE Current Gain Konfigurasi Common Kolektor Analisis Grafik Konfigurasi CE Model Two Port Device Model Hybrid Parameter h

Rangkaian Transistor

Sifat Transistor

Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah

10

Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah

Thevenin & Norton Emitter Follower Membandingkan Konfigurasi Amplifier Teori Miller Model Hybrid JFET Karakteristik Amper

11

Rangkaian Transistor Field Effect Transistor

Transistor Pada frekuensi Tinggi Sifat Dasar

Volt

Rangkaian Dasar

FET MOSFET Voltager Variable Resitor Sebagai Osilator Sebagai Penguat Sebagai Sensor

12

Studi Kasus

Penerapan Transistor

FINAL TEST
Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. http://WWW.id.wikipedia.org 4. http://www.tpub.com/content/ 5. http://www.electroniclab.com/ Palembang, 7 Feb 2007 Dosen Pengampu,

Ahmad Fali Oklilas, MT NIP. 132231465

ATURAN PERKULIAHAN ELEKTRONIKA DASAR DAFTAR HADIR MIN = 80% X 16= 14 KOMPONEN NILAI TUGAS/QUIS = 25% UTS = 30% UAS = 45% Nilai Mutlak 86 100 = 71 85 = 56 70 = 41 55 = 40 = A B C D E

Keterlambatan kehadiran dengan toleransi 15 menit Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. http://WWW.id.wikipedia.org 4. http://www.tpub.com/content/ 5. http://www.electroniclab.com/

Tingkat Energi Pada Zat Padat Electrons Energy Level The NEUTRON is a neutral particle in that it has no electrical charge. The mass of the neutron is approximately equal to that of the proton. An ELECTRONS ENERGY LEVEL is the amount of energy required by an electron to stay in orbit. Just by the electrons motion alone, it has kinetic energy. The electrons position in reference to the nucleus gives it potential energy. An energy balance keeps the electron in orbit and as it gains or loses energy, it assumes an orbit further from or closer to the center of the atom. SHELLS and SUBSHELLS are the orbits of the electrons in an atom. Each shell can contain a maximum number of electrons, which can be determined by the formula 2n 2. Shells are lettered K through Q, starting with K, which is the closest to the nucleus. The shell can also be split into four subshells labeled s, p, d, and f, which can contain 2, 6, 10, and 14 electrons, respectively.

VALENCE is the ability of an atom to combine with other atoms. The valence of an atom is determined by the number of electrons in the atoms outermost shell. This shell is referred to as the VALENCE SHELL. The electrons in the outermost shell are called VALENCE ELECTRONS.

IONIZATION is the process by which an atom loses or gains electrons. An atom that loses some of its electrons in the process becomes positively charged and is called a POSITIVE ION. An atom that has an excess number of electrons is negatively charged and is called a NEGATIVE ION. ENERGY BANDS are groups of energy levels that result from the close proximity of atoms in a solid. The three most important energy bands are the CONDUCTION BAND, FORBIDDEN BAND, and VALENCE BAND. Electrons and holes in semiconductors As pointed out before, semiconductors distinguish themselves from metals and insulators by the fact that they contain an "almost-empty" conduction band and an "almost-full" valence band. This also means that we will have to deal with the transport of carriers in both bands. To facilitate the discussion of the transport in the "almost-full" valence band we will introduce the concept of holes in a semiconductor. It is important for the reader to understand that one could deal with only electrons (since these are the only real particles available in a semiconductor) if one is willing to keep track of all the electrons in the "almost-full" valence band. The concepts of holes is introduced based on the notion that it is a whole lot easier to keep track of the missing particles in an "almost-full" band, rather than keeping track of the actual electrons in that band. We will now first explain the concept of a hole and then point out how the hole concept simplifies the analysis. Holes are missing electrons. They behave as particles with the same properties as the electrons would have occupying the same states except that they carry a positive charge. This definition is illustrated further with the figure below which presents

the simplified energy band diagram in the presence of an electric field.

band1.gif Fig.2.2.12 Energy band diagram in the presence of a uniform electric field. Shown are electrons (red circles) which move against the field and holes (blue circles) which move in the direction of the applied field.
A uniform electric field is assumed which causes a constant gradient of the conduction and valence band edges as well as a constant gradient of the vacuum level. The gradient of the vacuum level requires some further explaination since the vacuum level is associated with the potential energy of the electrons outside the semiconductor. However the gradient of the vacuum level represents the electric field within the semiconductor. The electrons in the conduction band are negatively charged particles which therefore move in a direction which opposes the direction of the field. Electrons therefore move down hill in the conduction band. Electrons in the valence band also move in the same direction. The total current due to the electrons in the valence band can therefore be written as:

(f36)

where V is the volume of the semiconductor, q is the electronic charge and v is the electron velocity. The sum is taken over all occupied or filled states in the valence band. This expression can be reformulated by first taking the sum over all the states in the valence band and subtracting the current due to the electrons which are actually missing in the valence band. This last term therefore represents the sum taken over all the empty states in the valence band, or:

(f37)
The sum over all the states in the valence band has to equal zero since electrons in a completely filled band do not contribute to current, while the remaining term can be written as:

(f38)
which states that the current is due to positively charged particles associated with the empty states in the valence band. We call these particles holes. Keep in mind that there is no real particle associated with a hole, but rather that the combined behavior of all the electrons which occupy states in the valence band is the same as that of positively charge particles associated with the unoccupied states. The reason the concept of holes simplifies the analysis is that the density of states function of a whole band can be rather complex. However it can be dramatically simplified if only states close to the band edge need to be considered. As illustrated by the above figure, the holes move in the direction of the field (since they are positively charged particles). They move upward in the energy band diagram similar to air bubbles in a tube filled with water which is closed on each end.

Distribution functions 1. Introduction The distribution or probability density functions describe the probability with which one can expect particles to occupy the available energy levels in a given system. While the actual derivation belongs in a course on statistical thermodynamics it is of interest to understand the initial assumptions of such derivations and therefore also the applicability of the results. The derivation starts from the basic notion that any possible distribution of particles over the available energy levels has the same probability as any other possible distribution, which can be distinguished from the first one. In addition, one takes into account the fact that the total number of particles as well as the total energy of the system has a specific value. Third, one must acknowledge the different behavior of different particles. Only one Fermion can occupy a given energy level (as described by a unique set of quantum numbers including spin). The number of bosons occupying the same energy levels is unlimited. Fermions and Bosons all "look alike" i.e. they are indistinguishable. Maxwellian particles can be distinguished from each other. The derivation then yields the most probable distribution of particles by using the Lagrange method of indeterminate constants. One of the Lagrange constants, namely the one associated with the average energy per particle in the distribution, turns out to be a more meaningful physical variable than the total energy. This variable is called the Fermi energy, EF. An essential assumption in the derivation is that one is dealing with a very large number of particles. This assumption enables to approximate the factorial terms using the Stirling approximation.

The resulting distributions do have some peculiar characteristics, which are hard to explain. First of all the fact that a probability of occupancy can be obtained independent of whether a particular energy level exists or not. It would seem more acceptable that the distribution function does depend on the density of available states, since it determines where particles can be in the first place. The fact that the distribution function does not depend on the density of states is due to the assumption that a particular energy level is in thermal equilibrium with a large number of other particles. The nature of these particles does not need to be described further as long as their number is indeed very large. The independence of the density of states is very fortunate since it provides a single distribution function for a wide range of systems. A plot of the three distribution functions, the Fermi-Dirac distribution, the Maxwell-Boltzmann distribution and the Bose-Einstein distribution is shown in the figure below, where the Fermi energy was set equal to zero.

distrib.xls - distrib.gif
Fig. 2.4.1 Occupancy probability versus energy of the Fermi-Dirac (red curve), the Bose-Einstein (green curve) and the Maxwell-Boltzman (blue curve) distribution.

All three distribution functions are almost equal for large energies (more than a few kT beyond the Fermi energy). The Fermi-Dirac distribution reaches a maximum of 1 for energies which are a few kT below the Fermi energy, while the Bose-Einstein distribution diverges at the Fermi energy and has no validity for energies below the Fermi energy.

2. An Example To better understand the general derivation without going through it, we now consider a system with equidistant energy levels at 0.5, 1.5, 2.5, 3.5, 4.5, 5.5, .... eV, which each can contain two electrons. The electrons are Fermions so that they are indistinguishable from each other and no more than two electrons (with opposite spin) can occupy a given energy level. This system contains 20 electrons and we arbitrarily set the total energy at 106 eV, which is 6 eV more than the minimum possible energy of this system. There are 24 possible and different configurations, which satisfy these particular constraints. Six of those configurations are shown in the figure below, where the red dots represent the electrons:

occdraw.gif
Fig. 2.4.2 Six of the 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.

A complete list of the 24 configurations is shown in the table below:

fddist.xls - occtable.gif
Table 2.4.1 All 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV. The average occupancy of each energy level as taken over all (and equally probable) 24 configurations is compared in the figure below to the expected FermiDirac distribution function. A best fit was obtained using a Fermi energy of 9.998 eV and kT = 1.447 eV or T = 16,800 K. The agreement is surprisingly good considering the small size of this system.

fddist.xls - occprob.gif

Fig. 2.4.3 Probability versus energy averaged over the 24 possible configurations of the example (red squares) fitted with a Fermi-Dirac function (green curve) using kT = 1.447 eV and EF= 9.998 eV. 3. The Fermi-Dirac distribution function The Fermi-Dirac probability density function provides the probability that an energy level is occupied by a Fermion which is in thermal equilibrium with a large reservoir. Fermions are by definition particles with half-integer spin (1/2, 3/2, 5/2 ...). A unique characteristic of Fermions is that they obey the Pauli exclusion principle which states that only one Fermion can occupy a state which is defined by its set of quantum numbers n,k,l and s. The definition of Fermions could therefore also be particles which obey the Pauli exclusion principle. All such particles also happen to have a half-integer spin. Electrons as well as holes have a spin 1/2 and obey the Pauli exclusion principle. As these particles are added to an energy band, they will fill the available states in an energy band just like water fills a bucket. The states with the lowest energy are filled first, followed by the next higher ones. At absolute zero temperature (T = 0 K), the energy levels are all filled up to a maximum energy which we call the Fermi level. No states above the Fermi level are filled. At higher temperature one finds that the transition between completely filled states and completely empty states is gradual rather than abrupt. The Fermi function which describes this behavior, is given by:

(f18)
This function is plotted in the figure below.

fermi.xls - fermi.gif
Fig. 2.4.4 Fermi function at an ambient temperature of 150 K (red curve), 300 K (blue curve) and 600 K (black curve). The Fermi function has a value of one for energies, which are more than a few times kT below the Fermi energy. It equals 1/2 if the energy equals the Fermi energy and decreases exponentially for energies which are a few times kT larger than the Fermi energy. While at T =0 K the Fermi function equals a step function, the transition is more gradual at finite temperatures and more so at higher temperatures.

4. Impurity distribution functions The distribution function of impurities differs from the Fermi-Dirac distribution function although the particles involved are Fermions. The difference is due to the fact that a filled donor energy level contains only one electron which can have either spin (spin up or spin down) , while having two electrons with opposite spin occupy this one level is not allowed since this would leave a negatively charge atom which would have a different energy as the donor energy. This yields a modified distribution function for donors as given by:

(f25)
The main difference is the factor 1/2 in front of the exponential term. The distribution function for acceptors differs also because of the different possible ways to occupy the acceptor level. The neutral acceptor contains two electrons with opposite spin, the ionized acceptor still contains one electron which can have either spin, while the doubly positive state is not allowed since this would require a different energy. This restriction would yield a factor of 2 in front of the exponential term. In addition, one finds that most commonly used semiconductors have a two-fold degenerate valence band, which causes this factor to increase to 4 yielding:

(f26)
5. The Bose-Einstein distribution function

(f27)
6. The Maxwell-Boltzmann distribution function

(f28)

7. Semiconductor thermodynamics In order to understand the carrier distribution functions one must be familiar with a variety of thermodynamic concepts. These include thermal equilibrium, the difference between the total energy and heat, work and particle energy and the meaning of the Fermi energy. These and other related topics are discussed in the section on semiconductor thermodynamics. An ideal electron gas is discussed in more detail as an example Semikonduktor Prinsip Dasar Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan- bahan logam seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-). Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian dalam membentuk inti yang disebut nucleus. Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29, berada pada orbit paling luar. Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi. Karena hanya ada satu elektron dan jaraknya 'jauh' dari nucleus, ikatannya tidaklah terlalu kuat. Hanya dengan energi yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya.

ikatan atom tembaga Pada suhu kamar, elektron tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Jika diberi tegangan potensial listrik, elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama. Phenomena ini yang dinamakan sebagai arus listrik. Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8 buah, dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron ini. Dapat ditebak, semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur yang atomnya memiliki 4 elektron valensi. Susunan Atom Semikonduktor Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si), Germanium (Ge) dan Galium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun belakangan, silikon menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada dibumi setelah oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur

silikon. Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai. Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron, sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat rendah (0oK), struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada gambar berikut.

struktur dua dimensi kristal Silikon Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. Pada suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas, sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik. Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini.

Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Kenyataanya demikian, mereka memang iseng sekali dan jenius. Tipe-N Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n. Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan elektron.

doping atom pentavalen Tipe-P Kalau silikon diberi doping Boron, Gallium atau Indium, maka akan didapat semikonduktor tipe-p. Untuk mendapatkan silikon tipe-p, bahan dopingnya adalah bahan trivalen yaitu unsur dengan ion yang memiliki 3 elektron pada pita valensi. Karena ion silikon memiliki 4 elektron, dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole). Hole

ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron. Dengan demikian, kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p.

doping atom trivalen Resistansi Semikonduktor tipe-p atau tipe-n jika berdiri sendiri tidak lain adalah sebuah resistor. Sama seperti resistor karbon, semikonduktor memiliki resistansi. Cara ini dipakai untuk membuat resistor di dalam sebuah komponen semikonduktor. Namun besar resistansi yang bisa didapat kecil karena terbatas pada volume semikonduktor itu sendiri. Dioda PN Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan-pakai lem barangkali ya :), maka akan didapat sambungan P-N (p-n junction) yang dikenal sebagai dioda.Pada pembuatannya memang material tipe P dan tipe N bukan disambung secara harpiah, melainkan dari satu bahan (monolitic) dengan memberi doping (impurity material) yang berbeda.

sambungan p-n Jika diberi tegangan maju (forward bias), dimana tegangan sisi P lebih besar dari sisi N, elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N mengisi kekosongan elektron (hole) di sisi P.

forward bias Sebaliknya jika diberi tegangan balik (reverse bias), dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P, karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja, sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). Dioda, Zener, LED, Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus. Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor.

Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor. Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar.

Transistor npn dan pnp Akan dijelaskan kemudian, transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar. Bias DC Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda.

Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reverse bias).

arus elektron transistor npn Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik

(reverse bias), maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off).Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus hole.

arus hole transistor pnp Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut adalah terminologi

parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.

arus potensial IC : arus kolektor IB : arus base IE : arus emitor VC : tegangan kolektor VB : tegangan base VE : tegangan emitor VCC : tegangan pada kolektor VCE : tegangan jepit kolektor-emitor VEE : tegangan pada emitor VBE : tegangan jepit base-emitor ICBO : arus base-kolektor VCB : tegangan jepit kolektor-base Perlu diingat, walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan kolektor, namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik.

penampang transistor bipolar

Dari satu bahan silikon (monolitic), emitor dibuat terlebih dahulu, kemudian base dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. Terkadang dibuat juga efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah yang dikehendaki. DIODA Kita dapat menyelidiki karakteristik statik dioda, dengan cara memasang dioda seri dengan sebuah catu daya dc dan sebuah resistor. Kurva karakteristik statik dioda merupakan fungsi dari arus ID, arus yang melalui dioda, terhadap tegangan VD, beda tegang antara titik a dan b (lihat gambar 1 dan gambar 2)

karakteristik statik dioda Karakteristik statik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab) dan arus yang melalui dioda, yaitu ID. Dapat diubah dengan dua cara, yaitu mengubah VDD.Bila arus dioda ID kita plotkan terhadap tegangan dioda Vab, kita peroleh karakteristik statik dioda. Bila anoda berada pada

tegangan lebih tinggi daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan mendapat bias forward. Bila VD negatip disebut bias reserve atau bias mundur. Pada gambar 2 VC disebut cut-in-voltage, IS arus saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage. Bila harga VDD diubah, maka arus ID dan VD akan berubah pula. Bila kita mempunyai karakteristik statik dioda dan kita tahu harga VDD dan RL, maka harga arus ID dan VD dapat kita tentukan sebagai berikut. Dari gambar 1. VDD = Vab + (I RL) atau I = -(Vab/RL) + (VDD / RL) Bila hubungan di atas kita lukiskan pada karakteristik statik dioda kita akan mendapatkan garis lurus dengan kemiringan (1/RL). Garis ini disebut garis beban (load line). Ini ditunjukkan pada gambar 3.

Kita lihat bahwa garis beban memotong sumbu V dioda pada harga VDD yaitu bila arus I=0, dan memotong sumbu I pada harga (VDD/RL). Titik potong antara karakteristik statik dengan garis beban memberikan harga tegangan dioda VD(q) dan arus dioda ID(q).

Dengan mengubah harga VDD kita akan mendapatkan garis-garis beban sejajar seperti pada gambar 3. Bila VDD<0 dan |VDD| < VPIV maka arus dioda yang mengalir adalah kecil sekali, yaitu arus saturasi IS. Arus ini mempunyai harga kira-kira 1 A untuk dioda silikon. Pengenalan vacuum Tube Pada bagian ini penulis bermaksud mengajak para rekan rekan tube mania untuk ngobrol mengenai prinsip kerja dari Tabung. 1. Emisi Electron Membahas mengenai cara kerja tabung tak akan karena bisa lepas dari Proses Emisi Electron sesungguhnya cara kerja tabung yang paling mendasar ialah proses emisi elektron dan pengendaliannya. Emisi elektron ialah proses pelepasan elektron dari permukaan suatu substansi atau material yang disebabkan karena elektron elektron tersebut mendapat energi dari luar. Dalam realita yang ada proses emisi elektron cenderung terjadi pada logam dibandingkan pada bahan lainnya, hal ini disebabkan karena logam banyak memiliki elektron bebas yang selalu bergerak setiap saat. Banyaknya elektron bebas pada logam disebabkan karena daya tarik ini atom logam terhadap elektron, terutama pada elektron yang terletak pada kulit terluar dari atom logam (elektron valensi) tidak terlalu kuat dibandingkan yang terjadi pada bahan lainnya. Akan tetapi walaupun daya tarik tesebut tidak

terlalu kuat, masihlah cukup untuk menahan elektron agar tidak sampai lepas dari atom logam. Agar supaya elektron pada logam bisa melompat keluar melalui permukaan logam, sehingga terjadi proses emisi elektron, maka diperlukanlah sejumlah energi untuk mengatasi daya tarik inti atom terhadap elektron. Besarnya energi yang diperlukan oleh sebuah elektron untuk mengatasi daya tarik inti atom sehingga bisa melompat keluar dari permukaan logam, didefinisikan sebagai Fungsi Kerja (Work Function).Fungsi kerja biasanya dinyatakan dalam satuan eV (electron volt), besarnya fungsi kerja adalah berbeda untuk setiap logam. Proses penerimaan energi luar oleh elektron agar bisa beremisi dapat terjadi dengan beberapa cara, dan jenis proses penerimaan energi inilah yang membedakan proses emisi elektron yaitu :

1. 2. 3. 4.

Emisi Thermionic Emisi medan listrik Emisi Sekunder Emisi Fotolistrik

(Thermionic emission) (Field emission) (Secondary emission) (Photovoltaic emission)

2. Emisi Thermionic Pada emisi jenis ini, energi luar yang masuk ke bahan ialah dalam bentuk energi panas. Oleh elektron energi panas ini diubah menjadi energi kinetik. Semakin besar panas yang diterima oleh bahan maka akan semakin besar pula kenaikan energi kinetik yang terjadi pada elektron, dengan semakin besarnya kenaikan energi kinetik dari elektron maka gerakan elektron menjadi semakin cepat dan semakin tidak menentu. Pada situasi inilah akan terdapat elektron yang pada ahirnya terlepas keluar melalui permukaan bahan. Pada proses emisi thermionic dan juga pada proses emisi lainnya, bahan yang digunakan sebagai asal ataupun sumber elektron disebut sebagai "emiter"

atau lebih sering disebut "katoda" (cathode), sedangkan bahan yang menerima elektron disebut sebagai anoda. Dalam konteks tabung hampa (vacuum tube) anoda lebih sering disebut sebagai "plate". Dalam proses emisi thermionik dikenal dua macam jenis katoda yaitu : a) Katoda panas langsung (Direct Heated Cathode, disingkat DHC) b) Katoda panas tak langsung (Indirect Heated Cathode, disingkat IHC) Pada Figure 2 dapat dilihat struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari DHC, pada katoda jenis ini katoda selain sebagai sumber elektron juga dialiri oleh arus heater (pemanas). Struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari IHC dapat dilihat pada Figure 3. Katoda jenis ini tidak dialiri langsung oleh arus heater, panas yang dibutuhkan untuk memanasi katoda dihasilkan oleh heater element (elemen pemanas) dan panas ini dialirkan secara konduksi dari heater elemen ke katoda dengan perantaraan insulasi listrik, yaitu bahan yang baik dalam menghantarkan panas tetapi tidak mengalirkan arus listrik. Pada proses emisi thermionik bahan yang akan digunakan sebagai katoda harus memiliki sifat sifat yang memadai untuk berperan dalam proses yaitu : a. Memiliki fungsi kerja yang rendah, dengan fungsi kerja yang rendah maka energi yang dibutuhkan

untuk

menarik

elektron menjadi lebih kecil sehingga proses emisi lebih mudah terjadi.

b. Memiliki titik lebur (melting point) yang tinggi. Pada proses emisi thermionic katoda harus dipanaskan pada suhu yang cukup tinggi untuk memungkinkan terjadinya lompatan elektron, dan suhu ini bisa mencapaai 1500 derajat celcius. C. Memiliki ketahanan mekanik (mechanical strenght) yang tinggi Pada saat terjadinya emisi maka terjadi pula lompatan ion positif dari plate menuju ke katoda. Lompatan ion positif tersebut oleh katoda akan dirasakan sebagai benturan, sehingga agar supaya katoda tidak mengalami deformasi maka bahan dari katoda harus memiliki mechanical strenght yang tinggi. Pada aplikasi yang sesungguhnya ada tiga jenis material yang digunakan untuk membuat katoda, yaitu :

3. Tungsten
Material ini adalah material yang pertama kali digunakan orang untuk membuat katode. Tungsten memiliki dua kelebihan untuk digunakan sebagai katoda yaitu memiliki ketahanan mekanik dan juga titik lebur yang tinggi (sekitar 3400 derajat Celcius), sehingga tungsten banyak digunakan untuk aplikasi khas yaitu tabung X-Ray yang bekerja pada tegangan sekitar 5000V dan temperature tinggi. Akan tetapi untuk aplikasi yang umum terutama untuk aplikasi Tabung Audio dimana tegangan kerja dan temperature

tidak terlalu tinggi maka tungsten bukan material yang ideal, hal ini disebabkan karena tungsten memiliki fungsi kerja yang tinggi( 4,52 eV) dan juga temperature kerja optimal yang cukup tinggi (sekitar 2200 derajat celcius)

4. Thoriated Tungsten
Material ini ialah campuran antara tungsten dan thorium. Thorium adalah material yang secara individual memiliki fungsi kerja 3,4 eV, campuran antara thorium dan tungsten memiliki fungsi kerja 2,63eV, yaitu suatu nilai fungsi kerja yang lebih rendah dibandingan dengan fungsi kerja tungsten ataupun thorium dalam keadaan tidak dicampur. Selain itu hasil pencampuran kedua logam tersebut memiliki temperature kerja optimal yang lebih rendah daripada tungsten yaitu 1700 derajat celcius hal ini berarti besarnya energi yang dibutuhkan untuk pemanasan pada aplikasi pemakaian logam campuran ini juga lebih rendah.

5. Katoda berlapis oksida (Oxide-Coated Cathode)

Katoda tipe ini terbuat dari lempengan nickel yang dilapis dengan barium dan oksida strontium. Sebagai hasil dari pelapisan tersebut maka dihasilkanlah katoda yang memiliki fungsi kerja yang dan temperature kerja optimal rendah yaitu sekitar 750 derajat celsius. Katoda jenis ini umumnya digunakan untuk aplikasi yang menggunakan tegangan tidak lebih dari 1000 V.

5. Emisi Medan Listrik (Field Emission)

Pada emisi jenis ini yang menjadi penyebab lepasnya elektron dari

bahan ialah adanya gaya tarik medan listrik luar yang diberikan pada bahan. Pada katoda yang digunakan pada proses emisi ini dikenakan medan listrik yang cukup besar sehingga tarikan yang terjadi dari medan listrik pada elektron menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk lompat keluar dari permukaan katoda. Emisi medan listrik adalah salah satu emisi utama yang terjadi pada vacuum tube selain emisi thermionic.

6. Emisi Sekunder ( Secondary emission)

Pada emisi sekunder ini energi yang menjadi penyebab lepasnya elektron datang dalam bentuk energi mekanik yaitu energi yang diberikan dalam proses tumbukan antara elektron luar yang datang dengan elektron yang ada pada katoda. Pada proses tumbukan terjadi pemindahan sebagian energi kinetik dari elektron yang datang ke elektron yang ada pada katoda sehingga elektron yang ada pada katoda tersebut terpental keluar dari permukaan katoda. Pada kenyataannya proses emisi sekunder tidak dapat berlangsung sukses dengan sendirinya untuk melepaskan elektron dari permukaan akan tetapi proses emisi ini masih membutuhkan dukungan dari emisi jenis lainnya secara bersamaan yaitu emisi medan listrik. Dukungan proses emisi medan listrik dibutuhkan pada proses emisi sekunder, karena walaupun elektron sudah terpental keluar dari permukaan katoda akan tetapi energi yang dimiliki oleh elektron ini seringkali tidak cukup untuk

menjangkau anoda sehingga dibutuhkanlah dukungan energi dari proses emisi medan listrik.

7. Emisi Fotolistrik (Photo Electric Emission)

Pada emisi fotolistrik energi diberikan ke elektron pada katoda melalui foton yaitu paket paket energi cahaya, yang oleh elektron kemudian diubah menjadi energi mekanik sehingga elektron tersebut dapat terlepas dari permukaan katoda. Sama seperti proses emisi sekunder emisi fotolistrik juga tidak dapat berjalan dengan sempurna tanpa bantuan proses emisi medan listrik, hal ini disebabkan karena energi yang didapat oleh elektron dari foton belum cukup untuk membuat elektron tersebut mampu menjangkau anoda. Sampai pada bagian ini kita baru saja meyelesaikan obrolan kita mengenai emisi electron dan sekarang obrolan akan kita lanjutkan ke pembahasan mengenai vacuum tube dan cara kerjanya. Yang dimaksud dengan vacuum tube ialah peralatan elektronik dimana aliran elektron terjadi pada ruang hampa. Ada beberapa jenis vacuum tube yang umum digunakan yaitu - Dioda - Trioda

- Tetroda - Pentoda REFERENSI Elektronika : teori dasar dan penerapannya, jilid 1, Bandung: Penerbit ITB, 1986 Dioda Hubungan Hubungan p-n

Lihat gambar diatas i. hubungan berangsur-tangga atau ii. hubungan berangsur-linier Hubungan berangsur-tangga, rapat pencampuran akseptor atau donor dalam semikondktor tetap sampai mencapai hubungan. Pencampuran dengan pemanasan pada temperature tinggi dlm waktu singkat. Dalam hubungan berangsur-linier, rapat pencampuran berubah secara linier menurut jarak menjauh dari hubungan. Terbentuk dg menarik kristal tunggal dari lelehan germanium yang pd saat dimulai proses sudah berisi pencampuran dari satu jenis. Hubungan p-n tanpa catu

Lihat gambar atas Elektron berdifusi lewat hubungan ke kiri dan lobang-lobang berdifusi ke kanan. Setelah melewati hubungan mereka bergabung dg membiarkan ion-ion tidak bergerak disekelilingnya tidak ternetralkan. mereka dinama muatan tidak tercakup, yang menghasilkan medan listrik lewat hubungan. Medan ini diarahkan dari sisi n ke sisi p dan dinamakan medan halangan. Medan ini melawan gerakan difusi elektron dan lubang lewat hubungan. Tebal daerah kosong sekitar 0,5 mikrometer. Karena ada medan halangan lewat hubungan, perpindahan elektron dari sisi n ke sisi p memerlukan sejumlah energi yang dinamakan energi halangan (barrier) (Eb). Potensial halangan ekivalen VB diberikan oleh Eb=eVB berdasarkan energi halangan tergantung pada lebar daerah tidak tercakup. Jumlah energinya sama kalau lobang dari daerah p berpindah ke daerah n. Daerah P terdiri dari elektron sbg pembawa minoritas dan daerah n berisi lubang sebagai pembawa minoritas. Medan halangan berperan sehingga elektron dari sisi p dan lubang dari sisi n dg mudah melewati hubungan. Krn itu gerakan pembawa minoritas membentuk aliran arus. Diagram pita energi dari hubungan p-n tanpa dicatu, lihat gambar bawah.

Hubungan p-n yang dicatu Jika + batere dihub ke sisi jenis p dan batere ke sisi jenis n. Hubungan akan mengalir arus besar. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu maju (forward biased).

Jika dibalik +batere ke sisi n dan batere ke sisi p. Hubungan akan mengalir arus kecil. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu balik (reverse biased). Sifat-sifat diatas cocok untuk penyearahan. Hubungan p-n dicatu maju Gambar lihat samping kanan

Tegangan catu maju mengakibatkan gaya pada lubang di sisi jenis p dan pada electron di sisi jenis n. Gaya ini mengakibatkan lubang dan electron bergerak menuju hubungan. Akibatnya lebar muatan tidak tercakup berkurang dan halangan berkurang, yakni energi halangannya.gambar samping kiri. PENYEARAH 1. Pendahuluan Penggunaan dioda yang paling umum adalah sebagai penyearah . Penyearah adalah suatu rangkaian yang berfungsi untuk mengubah tegangan bolak-balik menjadi tegangan searah. Penyearah dengan dioda mengikuti sifat dioda yang akan menghantar pada satu arah dengan drop tegangan yang kecil yaitu sebesar 0,7 volt. Ada dua type rangkaian penyearah dengan menggunakan dioda yaitu penyearah gelombang penuh dan penyearah setengah gelombang yang mana kedua rangkaian tersebut akan diuji pada praktikum

2. Penyearah Setengah Gelombang

A K

Dioda silikon

12 VAC 50 Hz

10K

V V

Voltmeter

2.1. Penyearah Kapasitor

Setengah

Gelombang

dengan

Untuk mendapatkan suatu tegangan DC yang baik dimana bentuk tegangan hasil penyearahan adalah mendekati garis lurus maka tegangan keluaran dari suatu rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar 1.1 dihubungkan dengan suatu kapasitor secara paralel terhadap beban seperti pada gambar 1.2 dimana arus dari keluaran rangkaian penyearah selain akan melewati beban juga akan mengisi kapasitor sehingga pada saat tegangan hasil penyearahan mengalami penurunan maka kapasitor akan membuang muatannya kebeban dan tegangan beban akan tertahan sebelum mencapai nol. Hal ini dapat dijelaskan pada gambar berikut: Hasil penyearahan yang tidak ideal akan mengakibatkan adanya ripple seperti terlihat pada gambar diatas dimana tegangan ripple yang dihasilkan dapat ditentukan oleh persamaan berikut :

Ripple (peak to peak) = Idc . (T / C)

Dimana Idc dalam hal ini adalah tegangan keluaran dibagi dengan R beban. T adalah periode

tegangan ripple (detik) dan C adalah nilai kapasitor (Farad) yang digunakan.
A K

Dioda silikon

12 VAC 50 Hz

+ C 10K

V V

Voltmeter

3. Penyearah Gelombang Penuh

12 VAC 50 Hz

10K

V V

Voltmeter

3.1. Penyearah Kapasitor

Setengah

Gelombang

dengan

12 VAC 50 Hz

+ C 10K

V V

Voltmeter

DIODA ZENER

1. Pendahuluan Sebagian dioda semikonduktor bila dihubungkan dengan suatu tegangan balik yang cukup akan melakukan suatu arus balik. Hal ini tidak ditunjukkan sebelumnya karena biasanya akan merusak dioda. Akan tetapi dioda Zener justru adalah suatu dioda yang dirancang untuk bisa melakukan arus balik dengan aman dan dengan drop tegangan hanya beberapa volt saja. Simbol dioda zener adalah seperti pada gambar 2.1 dimana bentuk simbol tersebut menyerupai dioda biasa kecuali garis melintang pada kepala panah yang digunakan untuk menyatakan sudut karakteristik balik. Pada arah maju dioda zener berperilaku seperti dioda biasa.

2. Karakteristik maju dioda Zener

+ A 100 Ohm

+
Supply DC Variabel

Zener 12V

V V
-

Voltmeter

3. Karakteristik balik dioda Zener

Reverse Current (mA)
60 +10V

Zener Current

50 40

30

Resistor for zener dioda

20

10

V
5 10 15

Reverse Voltage (b)

0V

(a)

(c)

Tugas perorangan: Buat resume tentang 1. konsep elektron, atom, pita energi. 2. konduktor, isolator, semikonduktor 3. semi konduktor murni 4. rekombinasi 5. semikonduktor tidak murni 6. pengaruh temperatur pada semikonduktor 7. efek hall. 8. dioda dan hubungan-hubungannya 9. s.d. hubungan p-n yang dicatu. Tolong diketik yang rapi dan menarik dijilid. Silahkan ambil dari referensi mana saja dan media apa saja.

Transistor The transistor, invented by three scientists at the Bell Laboratories in 1947, rapidly replaced the vacuum tube as an electronic signal regulator. A transistor regulates current or voltage flow and acts as a switch or gate for electronic signals. A transistor consists of three layers of a semiconductor material, each capable of carrying a current. A semiconductor is a material such as germanium and silicon that conducts electricity in a "semi-enthusiastic" way. It's somewhere between a real conductor such as copper and an insulator (like the plastic wrapped around wires). The semiconductor material is given special properties by a chemical process called doping. The doping results in a material that either adds extra electrons to the material (which is then called N-type for the extra negative charge carriers) or creates "holes" in the material's crystal structure (which is then called P-type because it results in more positive charge carriers). The transistor's three-layer structure contains an N-type semiconductor layer sandwiched between P-type layers (a PNP configuration) or a Ptype layer between N-type layers (an NPN configuration). A small change in the current or voltage at the inner semiconductor layer (which acts as the control electrode) produces a large, rapid change in the current passing through the entire component. The component can thus act as a switch, opening and closing an electronic gate many times per second. Today's computers use circuitry made with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. CMOS uses two complementary transistors per gate (one with N-type material; the

other with P-type material). When one transistor is maintaining a logic state, it requires almost no power. Transistors are the basic elements in integrated circuits (ICs), which consist of very large numbers of transistors interconnected with circuitry and baked into a single silicon microchip or "chip." Jenis Transistor

Berbagai macam Transistor (Dibandingkan dengan pita ukur centimeter) Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, pemotong (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi

pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya. Cara Kerja Semikonduktor Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah nonkonduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan bebas dan hasilnya memberikan elektron memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena

pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. Selain dari itu, Silikon dapat dicampur dengn Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipen dibuat dalam satu keping Silikon, pembawapembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal Silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu

pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk merubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak. Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. Cara Kerja Transistor Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas

pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk merubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. Jenis-Jenis Transistor Pchannel

PNP

NPN

Nchannel

BJT

JFET

Simbol Transistor dari Berbagai Tipe Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau Pchannel Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain

BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B). Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan atau hFE. biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah

dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat Nchannel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.

Operational Amplifier Karakteristik Op-Amp

kalau perlu mendesain sinyal level meter, histeresis pengatur suhu, osilator, pembangkit sinyal, penguat audio, penguat mic, filter aktif semisal tapis nada bass, mixer, konverter sinyal, integrator, differensiator, komparator dan sederet aplikasi lainnya, selalu pilihan yang mudah adalah dengan membolak-balik data komponen yang bernama opamp. Komponen elektronika analog dalam kemasan IC (integrated circuits) ini memang adalah komponen serbaguna dan dipakai pada banyak aplikasi hingga sekarang. Hanya dengan menambah beberapa resitor dan potensiometer, dalam sekejap (atau dua kejap) sebuah pre-amp audio kelas B sudah dapat jadi dirangkai di atas sebuah proto-board.

Penguat diferensial Op-amp dinamakan juga dengan penguat diferensial (differential amplifier). Sesuai dengan istilah ini, op-amp adalah komponen IC yang memiliki 2 input tegangan dan 1 output tegangan, dimana tegangan output-nya adalah proporsional terhadap perbedaan tegangan antara kedua inputnya itu. Penguat diferensial seperti yang ditunjukkan pada gambar-1 merupakan rangkaian dasar dari sebuah opamp.

gambar-1 : penguat diferensial

Pada rangkaian yang demikian, persamaan pada titik Vout adalah Vout = A(v1-v2) dengan A adalah nilai penguatan dari penguat diferensial ini. Titik input v1 dikatakan sebagai input non-iverting, sebab tegangan vout satu phase dengan v1. Sedangkan sebaliknya titik v2 dikatakan input inverting sebab berlawanan phasa dengan tengangan vout. Diagram Op-amp Op-amp di dalamnya terdiri dari beberapa bagian, yang pertama adalah penguat diferensial, lalu ada tahap penguatan (gain), selanjutnya ada rangkaian penggeser level (level shifter) dan kemudian penguat akhir yang biasanya dibuat dengan penguat push-pull kelas B. Gambar-2(a) berikut menunjukkan diagram dari op-amp yang terdiri dari beberapa bagian tersebut.

gambar-2 (a) : Diagram blok Op-Amp

gambar-2 (b) : Diagram schematic simbol Op-Amp Simbol op-amp adalah seperti pada gambar-2(b) dengan 2 input, non-inverting (+) dan input inverting (-). Umumnya op-amp bekerja dengan dual supply (+Vcc dan Vee) namun banyak juga op-amp dibuat dengan single supply (Vcc ground). Simbol rangkaian di dalam op-amp pada gambar-2(b) adalah parameter umum dari sebuah op-amp. Rin adalah resitansi input yang nilai idealnya infinit (tak terhingga). Rout adalah resistansi output dan besar resistansi idealnya 0 (nol). Sedangkan AOL adalah nilai penguatan open loop dan nilai idealnya tak terhingga. Saat ini banyak terdapat tipe-tipe op-amp dengan karakterisktik yang spesifik. Op-amp standard type 741 dalam kemasan IC DIP 8 pin sudah dibuat sejak tahun 1960-an. Untuk tipe yang sama, tiap pabrikan mengeluarkan seri IC dengan insial atau nama yang berbeda. Misalnya dikenal MC1741 dari motorola, LM741 buatan National Semiconductor, SN741 dari Texas Instrument dan lain sebagainya. Tergantung dari teknologi pembuatan dan desain IC-nya, karakteristik satu op-amp dapat berbeda dengan opamp lain. Tabel-1 menunjukkan beberapa parameter op-amp yang penting beserta nilai idealnya dan juga contoh real dari parameter LM714.

tabel-1 : parameter op-amp yang penting Penguatan Open-loop Op-amp idealnya memiliki penguatan open-loop (AOL) yang tak terhingga. Namun pada prakteknya opamp semisal LM741 memiliki penguatan yang terhingga kira-kira 100.000 kali. Sebenarnya dengan penguatan yang sebesar ini, sistem penguatan opamp menjadi tidak stabil. Input diferensial yang amat kecil saja sudah dapat membuat outputnya menjadi saturasi. Pada bab berikutnya akan dibahas bagaimana umpan balik bisa membuat sistem penguatan op-amp menjadi stabil.

Unity-gain frequency Op-amp ideal mestinya bisa bekerja pada frekuensi berapa saja mulai dari sinyal dc sampai frekuensi giga Herzt. Parameter unity-gain frequency menjadi penting jika op-amp digunakan untuk aplikasi dengan frekuensi tertentu. Parameter AOL biasanya adalah penguatan op-amp pada sinyal DC. Response penguatan op-amp menurun seiring dengan menaiknya frekuenci sinyal input. Op-amp LM741 misalnya memiliki unity-gain frequency sebesar 1 MHz. Ini berarti penguatan op-amp akan menjadi 1 kali pada frekuensi 1 MHz. Jika perlu merancang

aplikasi pada frekeunsi tinggi, maka pilihlah op-amp yang memiliki unity-gain frequency lebih tinggi.

Slew rate Di dalam op-amp kadang ditambahkan beberapa kapasitor untuk kompensasi dan mereduksi noise. Namun kapasitor ini menimbulkan kerugian yang menyebabkan response op-amp terhadap sinyal input menjadi lambat. Op-amp ideal memiliki parameter slew-rate yang tak terhingga. Sehingga jika input berupa sinyal kotak, maka outputnya juga kotak. Tetapi karena ketidak idealan op-amp, maka sinyal output dapat berbentuk ekponensial. Sebagai contoh praktis, op-amp LM741 memiliki slew-rate sebesar 0.5V/us. Ini berarti perubahan output op-amp LM741 tidak bisa lebih cepat dari 0.5 volt dalam waktu 1 us.

Parameter CMRR Ada satu parameter yang dinamakan CMRR (Commom Mode Rejection Ratio). Parameter ini cukup penting untuk menunjukkan kinerja op-amp tersebut. Op-amp dasarnya adalah penguat diferensial dan mestinya tegangan input yang dikuatkan hanyalah selisih tegangan antara input v1 (non-inverting) dengan input v2 (inverting). Karena ketidak-idealan op-amp, maka tegangan persamaan dari kedua input ini ikut juga dikuatkan. Parameter CMRR diartikan sebagai kemampuan op-amp untuk menekan penguatan tegangan ini (common mode) sekecilkecilnya. CMRR didefenisikan dengan rumus CMRR = ADM/ACM yang dinyatakan dengan satuan dB. Contohnya op-amp dengan CMRR = 90 dB, ini artinya penguatan ADM (differential mode) adalah kira-kira 30.000 kali dibandingkan penguatan ACM (commom mode). Kalau CMRR-nya 30 dB, maka artinya perbandingannya kira-kira hanya 30 kali. Kalau

diaplikasikan secara real, misalkan tegangan input v1 = 5.05 volt dan tegangan v2 = 5 volt, maka dalam hal ini tegangan diferensialnya (differential mode) = 0.05 volt dan tegangan persamaan-nya (common mode) adalah 5 volt. Pembaca dapat mengerti dengan CMRR yang makin besar maka op-amp diharapkan akan dapat menekan penguatan sinyal yang tidak diinginkan (common mode) sekecil-kecilnya. Jika kedua pin input dihubung singkat dan diberi tegangan, maka output op-amp mestinya nol. Dengan kata lain, op-amp dengan CMRR yang semakin besar akan semakin baik. LM714 termasuk jenis op-amp yang sering digunakan dan banyak dijumpai dipasaran. Contoh lain misalnya TL072 dan keluarganya sering digunakan untuk penguat audio. Tipe lain seperti LM139/239/339 adalah opamp yang sering dipakai sebagai komparator. Di pasaran ada banyak tipe op-amp. Cara yang paling baik pada saat mendesain aplikasi dengan op-amp adalah dengan melihat dulu karakteristik opamp tersebut. Saat ini banyak op-amp yang dilengkapi dengan kemampuan seperti current sensing, current limmiter, rangkaian kompensasi temperatur dan lainnya. Ada juga op-amp untuk aplikasi khusus seperti aplikasi frekuesi tinggi, open colector output, high power output dan lain sebagainya. Data karakteristik op-amp yang lengkap, ya ada di datasheet. Analisa Rangkaian Op-Amp Popular Operational Amplifier atau di singkat op-amp merupakan salah satu komponen analog yang popular digunakan dalam berbagai aplikasi rangkaian elektronika. Aplikasi op-amp popular yang paling sering dibuat antara lain adalah rangkaian inverter, non-inverter, integrator dan differensiator. Pada pokok bahasan kali ini akan dipaparkan beberapa aplikasi opamp yang paling dasar, dimana rangkaian feedback

(umpan balik) negatif memegang peranan penting. Secara umum, umpanbalik positif akan menghasilkan osilasi sedangkan umpanbalik negatif menghasilkan penguatan yang dapat terukur. Op-amp ideal Op-amp pada dasarnya adalah sebuah differential amplifier (penguat diferensial) yang memiliki dua masukan. Input (masukan) op-amp seperti yang telah dimaklumi ada yang dinamakan input inverting dan non-inverting. Op-amp ideal memiliki open loop gain (penguatan loop terbuka) yang tak terhingga besarnya. Seperti misalnya op-amp LM741 yang sering digunakan oleh banyak praktisi elektronika, memiliki karakteristik tipikal open loop gain sebesar 104 ~ 105. Penguatan yang sebesar ini membuat opamp menjadi tidak stabil, dan penguatannya menjadi tidak terukur (infinite). Disinilah peran rangkaian negative feedback (umpanbalik negatif) diperlukan, sehingga op-amp dapat dirangkai menjadi aplikasi dengan nilai penguatan yang terukur (finite). Impedasi input op-amp ideal mestinya adalah tak terhingga, sehingga mestinya arus input pada tiap masukannya adalah 0. Sebagai perbandingan praktis, op-amp LM741 memiliki impedansi input Zin = 106 Ohm. Nilai impedansi ini masih relatif sangat besar sehingga arus input op-amp LM741 mestinya sangat kecil. Ada dua aturan penting dalam melakukan analisa rangkaian op-amp berdasarkan karakteristik op-amp ideal. Aturan ini dalam beberapa literatur dinamakan golden rule, yaitu : Aturan 1 : Perbedaan tegangan antara input v+ dan v- adalah nol (v+ - v- = 0 atau v+ = v- ) Aturan 2 : Arus pada input Op-amp adalah nol (i+ = i= 0) Inilah dua aturan penting op-amp ideal yang digunakan untuk menganalisa rangkaian op-amp.

Inverting amplifier Rangkaian dasar penguat inverting adalah seperti yang ditunjukkan pada gambar 1, dimana sinyal masukannya dibuat melalui input inverting. Seperti tersirat pada namanya, pembaca tentu sudah menduga bahwa fase keluaran dari penguat inverting ini akan selalu berbalikan dengan inputnya. Pada rangkaian ini, umpanbalik negatif di bangun melalui resistor R2.

gambar 1 : penguat inverter Input non-inverting pada rangkaian ini dihubungkan ke ground, atau v+ = 0. Dengan mengingat dan menimbang aturan 1 (lihat aturan 1), maka akan dipenuhi v- = v+ = 0. Karena nilainya = 0 namun tidak terhubung langsung ke ground, input opamp v- pada rangkaian ini dinamakan virtual ground. Dengan fakta ini, dapat dihitung tegangan jepit pada R1 adalah vin v- = vin dan tegangan jepit pada reistor R2 adalah vout v- = vout. Kemudian dengan menggunakan aturan 2, di ketahui bahwa : iin + iout = i- = 0, karena menurut aturan 2, arus masukan op-amp adalah 0. iin + iout = vin/R1 + vout/R2 = 0 Selanjutnya vout/R2 = - vin/R1 .... atau vout/vin = - R2/R1

Jika penguatan G didefenisikan sebagai perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan, maka dapat ditulis (1) Impedansi rangkaian inverting didefenisikan sebagai impedansi input dari sinyal masukan terhadap ground. Karena input inverting (-) pada rangkaian ini diketahui adalah 0 (virtual ground) maka impendasi rangkaian ini tentu saja adalah Zin = R1.

Non-Inverting amplifier Prinsip utama rangkaian penguat non-inverting adalah seperti yang diperlihatkan pada gambar 2 berikut ini. Seperti namanya, penguat ini memiliki masukan yang dibuat melalui input non-inverting. Dengan demikian tegangan keluaran rangkaian ini akan satu fasa dengan tegangan inputnya. Untuk menganalisa rangkaian penguat op-amp non inverting, caranya sama seperti menganalisa rangkaian inverting.

gambar 2 : penguat non-inverter

Dengan menggunakan aturan 1 dan aturan 2, kita uraikan dulu beberapa fakta yang ada, antara lain : vin = v+ v+ = v- = vin ..... lihat aturan 1. Dari sini ketahui tegangan jepit pada R2 adalah vout v- = vout vin, atau iout = (vout-vin)/R2. Lalu tegangan jepit pada R1 adalah v- = vin, yang berarti arus iR1 = vin/R1. Hukum kirchkof pada titik input inverting merupakan fakta yang mengatakan bahwa : iout + i(-) = iR1 Aturan 2 mengatakan bahwa i(-) = 0 dan jika disubsitusi ke rumus yang sebelumnya, maka diperoleh iout = iR1 dan Jika ditulis dengan tegangan jepit masing-masing maka diperoleh (vout vin)/R2 = vin/R1 yang kemudian dapat disederhanakan menjadi : vout = vin (1 + R2/R1) Jika penguatan G adalah perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan, maka didapat penguatan op-amp non-inverting : (2) Impendasi untuk rangkaian Op-amp non inverting adalah impedansi dari input non-inverting op-amp tersebut. Dari datasheet, LM741 diketahui memiliki impedansi input Zin = 108 to 1012 Ohm.

Integrator Opamp bisa juga digunakan untuk membuat rangkaian-rangkaian dengan respons frekuensi, misalnya rangkaian penapis (filter). Salah satu contohnya adalah rangkaian integrator seperti yang ditunjukkan pada gambar 3. Rangkaian dasar sebuah integrator adalah rangkaian op-amp inverting, hanya

saja rangkaian umpanbaliknya (feedback) resistor melainkan menggunakan capasitor C.

bukan

gambar 3 : integrator Mari kita coba menganalisa rangkaian ini. Prinsipnya sama dengan menganalisa rangkaian opamp inverting. Dengan menggunakan 2 aturan opamp (golden rule) maka pada titik inverting akan didapat hubungan matematis : iin = (vin v-)/R = vin/R , dimana v- = 0 (aturan1) iout = -C d(vout v-)/dt = -C dvout/dt; v- = 0 iin = iout ; (aturan 2) Maka jika disubtisusi, akan diperoleh persamaan : iin = iout = vin/R = -C dvout/dt, atau dengan kata lain ...(3) Dari sinilah nama rangkaian ini diambil, karena secara matematis tegangan keluaran rangkaian ini merupakan fungsi integral dari tegangan input. Sesuai dengan nama penemunya, rangkaian yang demikian dinamakan juga rangkaian Miller Integral. Aplikasi yang paling populer menggunakan rangkaian integrator adalah rangkaian pembangkit sinyal segitiga dari inputnya yang berupa sinyal kotak.

Dengan analisa rangkaian integral serta notasi Fourier, dimana

f = 1/t dan (4)

penguatan integrator disederhanakan dengan rumus tersebut dapat

(5)
Sebenarnya rumus ini dapat diperoleh dengan cara lain, yaitu dengan mengingat rumus dasar penguatan opamp inverting G = - R2/R1. Pada rangkaian integrator (gambar 3) tersebut diketahui

Dengan demikian dapat diperoleh penguatan integrator tersebut seperti persamaan (5) atau agar terlihat respons frekuensinya dapat juga ditulis dengan

(6)
Karena respons frekuensinya yang demikian, rangkain integrator ini merupakan dasar dari low pass filter. Terlihat dari rumus tersebut secara matematis, penguatan akan semakin kecil (meredam) jika frekuensi sinyal input semakin besar. Pada prakteknya, rangkaian feedback integrator mesti diparalel dengan sebuah resistor dengan nilai misalnya 10 kali nilai R atau satu besaran tertentu yang diinginkan. Ketika inputnya berupa sinyal dc (frekuensi = 0), kapasitor akan berupa saklar terbuka. Jika tanpa resistor feedback seketika itu juga outputnya akan saturasi sebab rangkaian umpanbalik op-amp menjadi open loop (penguatan open loop opamp ideal tidak berhingga atau sangat besar). Nilai resistor feedback sebesar 10R akan selalu menjamin

output offset voltage (offset tegangan keluaran) sebesar 10x sampai pada suatu frekuensi cutoff tertentu.

Differensiator Kalau komponen C pada rangkaian penguat inverting di tempatkan di depan, maka akan diperoleh rangkaian differensiator seperti pada gambar 4. Dengan analisa yang sama seperti rangkaian integrator, akan diperoleh persamaan penguatannya :

(7)
Rumus ini secara matematis menunjukkan bahwa tegangan keluaran vout pada rangkaian ini adalah differensiasi dari tegangan input vin. Contoh praktis dari hubungan matematis ini adalah jika tegangan input berupa sinyal segitiga, maka outputnya akan mengahasilkan sinyal kotak.

gambar 4 : differensiator Bentuk rangkain differensiator adalah mirip dengan rangkaian inverting. Sehingga jika berangkat dari rumus penguat inverting

dan pada rangkaian differensiator diketahui :

G = -R2/R1

maka jika besaran ini disubtitusikan akan didapat rumus penguat differensiator

(8)
Dari hubungan ini terlihat sistem akan meloloskan frekuensi tinggi (high pass filter), dimana besar penguatan berbanding lurus dengan frekuensi. Namun demikian, sistem seperti ini akan menguatkan noise yang umumnya berfrekuensi tinggi. Untuk praktisnya, rangkain ini dibuat dengan penguatan dc sebesar 1 (unity gain). Biasanya kapasitor diseri dengan sebuah resistor yang nilainya sama dengan R. Dengan cara ini akan diperoleh penguatan 1 (unity gain) pada nilai frekuensi cutoff tertentu. Penutup Uraian diatas adalah rumusan untuk penguatan opamp ideal. Pada prakteknya ada beberapa hal yang mesti diperhatikan dan ditambahkan pada rangkaian opamp. Antara lain, Tegangan Ofset (Offset voltage), Arus Bias (Bias Current), Arus offset (offset current) dan lain sebagainya. Umumnya ketidak ideal-an opamp dan bagaimana cara mengatasinya diterangkan pada datasheet opamp dan hal ini spesifik untuk masing-masing pabrikan. Dari Mikro ke Nano Orde mikro (m) dalam satuan menunjukkan nilai sepersejuta (10-6). Satu mikrometer (1mm) misalnya, nilainya sama dengan sepersejuta meter (10-6 m). Sedang nano (n) menunjukkan nilai seper satu milyar (10-9). Satu nano gram (1 ng) nilainya sama dengan seper satu milyar gram (10-9 g). Orde mikro adalah 1000 kali lebih besar dibandingkan orde nano, atau

sebaliknya orde nano adalah seperseribu dari orde mikro. Kalau dalam dunia elektronika kita mengenal komponen yang disebut mikrochip, berarti di dalam chip elektronik itu terdapat ribuan bahkan jutaan komponen renik berorde mikro. Jika teknologi elektronika kini mulai bergeser dari mikroelektronika ke nanoelektronika, hal ini berarti bahwa komponenkomponen elektronik yang digunakan berode nano atau setingkat molekuler, bagian terkecil dari suatu materi. Berarti pula seribu kali lebih kecil dibandingkan ukuran komponen yang ada dalam mikrochip saat ini. Sekitar tahun 1920-an, lahir konsep baru di beberapa pusat penelitian fisika di Heidelberg, Gottingen, dan Kopenhagen. Konsep baru tersebut adalah kuantum mekanika atau kuantum fisika yang semula dipelopori oleh Max Planck dan Albert Einstein, kemudian dilanjutkan oleh ilmuwan seperti Niels Bohr, Schrodinger, Max Born, Samuel A. Goudsmith, Heisenberg dan lain-lain. Konsep ini secara fundamental mengubah prinsip kontinuitas energi menjadi konsep diskrit yang benar-benar mengubah fikiran yang sudah berjalan lebih dari satu abad. Sisi lain yang tak kalah mengejutkan sebagai akibat lahirnya konsep kuantum in adalah lahirnya fisika zat padat oleh F. Seitz dan fisika semikonduktor oleh J. Bardeen di Amerika Serikat, W.B. Sockley di Inggris dan Love di Rusia pada tahun 1940. Kemajuan riset dalam bidang fisika telah mengantarkan para fisikawan dapat meneliti dan mempelajari berbagai sifat kelistrikan zat padat. Dari penelitian ini telah ditemukan bahan semikonduktor yang mempunyai sifat listrik antara konduktor dan isolator. Penemuan bahan semikonduktor kemudian disusul dengan penemuan komponen elektronik yang disebut transistor. Dalam perjalanan berikutnya, transistor tidak hanya mengubah secara mencolok berbagai aspek kehidupan moderen, tetapi transistor

tergolong salah satu dari beberapa penemuan moderen yang memajukan teknologi dengan biaya rendah. Transistor dapat dihubungkan pada rangkaian elektronik sebagai komponen terpisah atau dalam bentuk terpadu pada suatu chip. Pada tahun 1958, insinyur di dua perusahaan elektronik, Kilby (Texas Instrument) dan Robert Noyce (Fairchild) telah memperkenalkan ide rangkaian terpadu monolitik yang dikenal dengan nama IC (integrated circuit). Kemajuan dalam bidang mikroelektronika ini tidak terlepas dari penemuan bahan semikonduktor maupun transistor. Komputer digital berkecepatan tinggi bisa terwujud berkat penggunaan transistor dalam IC yang merupakan kumpulan jutaan transistor renik yang menempati ruangan sangat kecik, yang semula hanya bisa ditempati oleh sebuah transistor saja. Serba Kecil Berbagai produk monumental dari perkembangan teknologi elektronika hadir di sekeliling kita. Namun teknologi mikroelektronika bukan sekedar menghadirkan produk, tetapi juga menampilkan produk itu dalam bentuk dan ukuran yang makin lama makin kecil dengan kemampuan kerja yang lebih tinggi. Dapat kita sebut disini sebagai contoh adalah munculnya komputer dan telepon seluler (ponsel). Bentuk dini komputer moderen telah menggunakan elektronika pada rangkaian-rangkaian logika, memori dan sistim angka biner. Komputer yang dibuat oleh J. Presper Eckert dan John W. Mauchly itu diberi nama ABC (Atonosoff-Berry Computer) yang diperkenalkan pada tahun 1942. Komputer ini berukuran sangat besar, sebesar salah satu kamar di rumah kita, karena di dalamnya menggunakan 18 ribu tabung hampa. Komputer elektronik generasi pertama yang diberi nama ENIAC (Electronic Numerical Integrator And Computer) dikembangkan pada zaman Perang Dunia Kedua dan dipakai untuk menghitung tabel lintasan

peluru dalam kegiatan militer. Pergeseran penting dalam elektronika telah terjadi pada akhir tahun 1940an. Fungsi tabung-tabung elektronik saat itu mulai digantikan oleh transistor yang dibuat dari bahan semikonduktor. Penggunaan transistor yang mulai mencuat ke permukaan pada tahun '70-an ternyata memiliki beberapa kelebihan dibandingkan tabung hampa elektronik, antara lain : Transistor lebih sederhana sehingga dapat diproduksi dengan biaya lebih rendah. Transistor mengkonsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan tabung hampa. Transistor dapat dioperasikan dalam keadaan dingin sehingga tidak perlu waktu untuk pemanasan. Ukuran transistor jauh lebih kecil dibandingkan tabung hampa. Daya tahan transistor lebih lama dan dapat mencapai beberapa dasawarsa. Transistor mempunyai daya tahan yang tinggi tehadap goncangan dan getaran.

Komputer generasi kedua yang telah menggunakan transistor adalah IBM 1401 yang diluncurkan oleh IBM pada tahun 1959. Sebelumnya juga telah diluncurkan IBM 701 pada tahun 1953 dan IBM 650 pada tahun 1954. Munculnya rangkaian terpadu atau integrated circuit (IC) ternyata telah menggusur dan mengakhiri riwayat keberadaan transistor. Komputer generasi ketiga adalah sistim 360 yang juga diluncurkan oleh IBM. Dalam komputer ini telah menggunakan IC, yang kemudian disusul dengan penggunaan large scale integration (LSI), dan selanjutnya very large scale integration (VLSI). Pada tahun 1971, MITS Inc. meluncurkan ALTAIR, komputer mikro pertama yang menggunakan mikroprosesor Intel 8080. Komputer elektronik generasi berikutnya dikembangkan dengan

menggunakan mikroprosesor yang makin renik sehingga secara fisik tampil dengan ukuran yang lebih kecil, namun dengan kecepatan kerja yang jauh lebih tinggi. Pengaruh kemajuan dalam teknologi elektronika ini demikian pesatnya mengubah wajah teknologi dalam bidang telekomunikasi dan automatisasi. Kemajuan dalam kedua bidang tersebut menyebabkan kontribusi sain ke dalam teknologi yang sangat besar, hampir mencapai 50 % dalam proses, sehingga teknologi semacam ini disebut HighTechnology. Selain pada komputer, kita juga bisa menyaksikan produk elektronik berupa ponsel yang proses miniaturisasinya seakan tak pernah berhenti, baik dalam aspek disain produknya maupun dalam aspek teknologi mikroelektronikanya. Sebagai anak kandung jagad mikroelektronika, kehadiran ponsel selalu mengikuti perkembangan teknologi mikroelektronika sehingga dapat tampil semakin mungil dan lebih multi fungsi dibandingkan generasi sebelumnya. Mengecilnya ponsel juga didukung oleh kemampuan para ahli dalam mengintegrasikan berbagai komponen baru yang ukurannya lebih kecil seperti mikrochip, yang kemampuannya selalu meningkat seiring dengan perjalanan waktu, dan semakin banyak fungsi yang dapat dijalankannya. Kini ponsel dengan berbagai fasilitas di dalamnya bisa masuk ke dalam genggaman tangan. Beralih ke Nanoteknologi Perkembangan teknologi telah mengantarkan elektronika beralih dari orde mikro ke nano, yang berarti komponen elektronika kelak dapat dibuat dalam ukuran seribu kali lebih kecil dibandingkan generasi mikroelektronika sebelumnya. Pada awal tahun '90-an, Dr. Rohrer, penemu tunneling electron microscope dan pemenang hadiah Nobel bidang fisika tahun 1986, meramalkan bahwa mikroelektronika akan segera digantikan oleh nanoelektronika atau

quantum dot. Sedang prof. Petel (president UCLA) meramalkan bahwa teknologi photonik akan menggantikan mikroelektronika di awal abad 21 ini. Feyman pada akhir tahun 1959 juga telah meramalkan akan hadirnya teknologi ini pada abad 21. Para perintis nanoteknologi, suatu bidang baru teknologi miniatur, telah melihat kemungkinan penggunaan materi seukuran molekul untuk membuat komponen elektronika di masa depan. Dalam teknologi ini, ukuran sirkuit-sirkuit elektronika bisa jadi akan lebih kecil dibandingkan garis tengah potongan rambut atau bahkan seukuran dengan diameter sel darah manusia. Ukuran transistor di masa mendatang akan menjadi sangat kecil berskala atom yang disebut quantum dot. Suatu ketika di bulam Mei 1988, dalam acara konferensi pengembangan antariksa di Pittsburg, K. Eric Drexler, pakar komputer dari Universitas Stanford, Amerika Serikat, mengemukakan tentang peluang pengembangan nanoteknologi di masa mendatang. Teknologi ini didasarkan pada kemampuan membuat perangkat elektronika dengan ketelitian setingkat ukuran atom. Drexler melihat bahwa makhluk hidup merupakan bukti adanya nanoteknologi. Dexler menguraikan kemungkinan pembuatan alat seukuran molekul yang proses kerjanya menyerupai molekul dari protein yang menjalankan fungsinya di dalam tubuh manusia. Drexler juga meramalkan bahwa zaman nanoteknologi akan dimulai memasuki awal milenium tiga ini. Dengan beralih ke nanoteknologi ini, tentu saja bidang yang paling banyak dipengaruhi adalah dalam disain komputer. Molekul-molekul akan dihimpun sehingga membentuk komponen elektronika yang mampu menjalankan tugas tertentu. Suatu terobosan besar akan terjadi bila para pakar dapat mewujudkan hal tersebut untuk membuat nanokomputer. Dengan komponen seukuran molekul, nanokomputer dapat

masuk ke dalam kotak seukuran satu mikrometer. Komputer ini mampu bekerja ratusan ribu kali lebih cepat dibandingkan mikrokomputer elektronik yang ada saat ini. Penelitian yang kini sedang dilakukan oleh para pakar adalah mengembangkan metode penggantian dengan materi protein terhadap molekul, alat memori dan struktur lain yang kini ada di dalam komputer. Jacob Hanker, profesor rekayasa biomedik dari Universitas North Caroline, AS, telah berhasil melakukan percobaan membuat komponen semikonduktor dengan bahan-bahan biologis. Mesin-mesin elektronik yang dinamai juga kuantum elektronik akan memiliki kemampuan mengolah pulsa yang jauh lebih besar. Kuantum teknologi ini akan mampu menerobos keterbatasan dan kejenuhan mikroelektronika yang ada saat ini. Perusahaan komputer IBM saat ini sedang merancang komputer dengan teknologi kuantum yang disebut kuantum komputer. Jika komputer tersebut telah memasuki pasar, maka komputer generasi pendahulu yang masih menggunakan teknologi mikroelektronika bakal tersingkir. Teknologi baru ini bakal segera mengubah sistim jaringan telekomunikasi di awal milenium tiga ini. Teknologi ini juga akan membawa dunia kepada ciri-ciri baru dalam perangkat teknologinya, yaitu : berukuran sangat kecil, berkerapatan tinggi, kecepatan kerjanya tinggi, bermulti fungsi, memiliki kontrol yang serba automatik, hemat dalam konsumsi energi dan ramah lingkungan.

Kapasitor Prinsip dasar dan spesifikasi elektriknya Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan listrik. Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu bahan dielektrik. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum, keramik, gelas dan lain-lain. Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik, maka muatan-muatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat yang sama muatan-muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi. Muatan positif tidak dapat mengalir menuju ujung kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif tidak bisa menuju ke ujung kutup positif, karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-konduktif. Muatan elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujungujung kakinya. Di alam bebas, phenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya muatan-muatan positif dan negatif di awan.

prinsip dasar kapasitor Kapasitansi Kapasitansi didefenisikan sebagai kemampuan dari suatu kapasitor untuk dapat menampung muatan elektron. Coulombs pada abad 18 menghitung bahwa 1 coulomb = 6.25 x 1018 elektron. Kemudian Michael

Faraday membuat postulat bahwa sebuah kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika dengan tegangan 1 volt dapat memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs. Dengan rumus dapat ditulis :

Q = CV .(1)
Q = muatan elektron dalam C (coulombs) C = nilai kapasitansi dalam F (farads) V = besar tegangan dalam V (volt) Dalam praktek pembuatan kapasitor, kapasitansi dihitung dengan mengetahui luas area plat metal (A), jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik) dan konstanta (k) bahan dielektrik. Dengan rumusan dapat ditulis sebagai berikut :

C = (8.85 x 10-12) (k A/t) ...(2)

Berikut adalah tabel contoh konstanta (k) dari beberapa bahan dielektrik yang disederhanakan.

Udara vakum Aluminium oksida Keramik Gelas Polyethylene

k=1 k=8 k = 100 - 1000 k=8 k=3

Untuk rangkain elektronik praktis, satuan farads adalah sangat besar sekali. Umumnya kapasitor yang ada di pasar memiliki satuan uF (10-6 F), nF (10-9 F) dan pF (10-12 F). Konversi satuan penting diketahui untuk memudahkan membaca besaran sebuah kapasitor. Misalnya 0.047uF dapat juga dibaca sebagai 47nF, atau contoh lain 0.1nF sama dengan 100pF.

Tipe Kapasitor Kapasitor terdiri dari beberapa tipe, tergantung dari bahan dielektriknya. Untuk lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian, yaitu kapasitor electrostatic, electrolytic dan electrochemical. Kapasitor Electrostatic Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan dielektrik dari keramik, film dan mika. Keramik dan mika adalah bahan yang popular serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil. Tersedia dari besaran pF sampai beberapa uF, yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi. Termasuk kelompok bahan dielektrik film adalah bahan-bahan material seperti polyester (polyethylene terephthalate atau dikenal dengan sebutan mylar), polystyrene, polyprophylene, polycarbonate, metalized paper dan lainnya. Mylar, MKM, MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film. Umumnya kapasitor kelompok ini adalah non-polar. Kapasitor Electrolytic Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan - di badannya. Mengapa kapasitor ini dapat memiliki polaritas, adalah karena proses pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutup positif anoda dan kutup negatif katoda. Telah lama diketahui beberapa metal seperti tantalum, aluminium, magnesium, titanium, niobium, zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga membentuk lapisan metal-oksida

(oxide film). Lapisan oksidasi ini terbentuk melalui proses elektrolisa, seperti pada proses penyepuhan emas. Elektroda metal yang dicelup kedalam larutan electrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan positif (anoda) dan larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). Oksigen pada larutan electrolyte terlepas dan mengoksidai permukaan plat metal. Contohnya, jika digunakan Aluminium, maka akan terbentuk pada lapisan Aluminium-oksida (Al2O3) permukaannya.

Kapasitor Elco Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda), lapisan-metal-oksida dan electrolyte(katoda) membentuk kapasitor. Dalam hal ini lapisan-metaloksida sebagai dielektrik. Dari rumus (2) diketahui besar kapasitansi berbanding terbalik dengan tebal dielektrik. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis, sehingga dengan demikian dapat dibuat kapasitor yang kapasitansinya cukup besar. Karena alasan ekonomis dan praktis, umumnya bahan metal yang banyak digunakan adalah aluminium dan tantalum. Bahan yang paling banyak dan murah adalah Aluminium. Untuk mendapatkan permukaan yang luas, bahan plat Aluminium ini biasanya digulung radial. Sehingga dengan cara itu

dapat diperoleh kapasitor yang kapasitansinya besar. Sebagai contoh 100uF, 470uF, 4700uF dan lain-lain, yang sering juga disebut kapasitor elco. Bahan electrolyte pada kapasitor Tantalum ada yang cair tetapi ada juga yang padat. Disebut electrolyte padat, tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit yang menjadi elektroda negatif-nya, melainkan bahan lain yaitu manganese-dioksida. Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa memiliki kapasitansi yang besar namun menjadi lebih ramping dan mungil. Selain itu karena seluruhnya padat, maka waktu kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Kapasitor tipe ini juga memiliki arus bocor yang sangat kecil Jadi dapat dipahami mengapa kapasitor Tantalum menjadi relatif mahal. Kapasitor Electrochemical Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. Termasuk kapasitor jenis ini adalah batere dan accu. Pada kenyataanya batere dan accu adalah kapasitor yang sangat baik, karena memiliki kapasitansi yang besar dan arus bocor (leakage current) yang sangat kecil. Tipe kapasitor jenis ini juga masih dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan ringan, misalnya untuk applikasi mobil elektrik dan telepon selular.

Membaca Kapasitansi Pada kapasitor yang berukuran besar, nilai kapasitansi umumnya ditulis dengan angka yang jelas. Lengkap dengan nilai tegangan maksimum dan polaritasnya. Misalnya pada kapasitor elco dengan jelas tertulis kapasitansinya sebesar 22uF/25v. Kapasitor yang ukuran fisiknya mungil dan kecil biasanya hanya bertuliskan 2 (dua) atau 3 (tiga) angka saja. Jika hanya ada dua angka satuannya adalah pF (pico farads). Sebagai contoh, kapasitor

yang bertuliskan dua angka 47, maka kapasitansi kapasitor tersebut adalah 47 pF. Jika ada 3 digit, angka pertama dan kedua menunjukkan nilai nominal, sedangkan angka ke-3 adalah faktor pengali. Faktor pengali sesuai dengan angka nominalnya, berturut-turut 1 = 10, 2 = 100, 3 = 1.000, 4 = 10.000 dan seterusnya. Misalnya pada kapasitor keramik tertulis 104, maka kapasitansinya adalah 10 x 10.000 = 100.000pF atau = 100nF. Contoh lain misalnya tertulis 222, artinya kapasitansi kapasitor tersebut adalah 22 x 100 = 2200 pF = 2.2 nF. Selain dari kapasitansi ada beberapa karakteristik penting lainnya yang perlu diperhatikan. Biasanya spesifikasi karakteristik ini disajikan oleh pabrik pembuat didalam datasheet. Berikut ini adalah beberapa spesifikasi penting tersebut. Tegangan Kerja (working voltage) Tegangan kerja adalah tegangan maksimum yang diijinkan sehingga kapasitor masih dapat bekerja dengan baik. Para elektro- mania barangkali pernah mengalami kapasitor yang meledak karena kelebihan tegangan. Misalnya kapasitor 10uF 25V, maka tegangan yang bisa diberikan tidak boleh melebihi 25 volt dc. Umumnya kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar bekerja pada tegangan AC. Temperatur Kerja Kapasitor masih memenuhi spesifikasinya jika bekerja pada suhu yang sesuai. Pabrikan pembuat kapasitor umumnya membuat kapasitor yang mengacu pada standar popular. Ada 4 standar popular yang biasanya tertera di badan kapasitor seperti C0G (ultra stable), X7R (stable) serta Z5U dan Y5V (general purpose). Secara lengkap kode-kode tersebut disajikan pada table berikut.

Kode karakteristik kapasitor kelas I

Koefisien Suhu Simbol C B A M P PPM per Co 0.0 0.3 0.9 1.0 1.5 Faktor Pengali Koefisien Suhu Simbol 0 1 2 3 4 Pengali -1 -10 -100 -1000 -10000 Toleransi Koefisien Suhu Simbol G H J K L PPM per Co +/-30 +/-60 +/-120 +/-250 +/-500

ppm = part per million Kode karakteristik kapasitor kelas II dan III
suhu kerja minimum Simbol Co +10 -30 -55 suhu kerja maksimum Simbol Co +45 +65 +85 +105 +125 +150 +200 Toleransi Kapasitansi Simbol Persen A B C D E F P R S T U V +/- 1.0% +/- 1.5% +/- 2.2% +/- 3.3% +/- 4.7% +/- 7.5% +/10.0% +/15.0% +/22.0% +22% / 33% +22% / 56% +22% / 82%

Z Y X

2 4 5 6 7 8 9

Toleransi Seperti komponen lainnya, besar kapasitansi nominal ada toleransinya. Tabel diatas menyajikan nilai toleransi dengan kode-kode angka atau huruf tertentu. Dengan table di atas pemakai dapat dengan mudah mengetahui toleransi kapasitor yang biasanya tertera menyertai nilai nominal kapasitor. Misalnya jika tertulis 104 X7R, maka kapasitasinya adalah 100nF dengan toleransi +/-15%. Sekaligus dikethaui juga bahwa suhu kerja yang direkomendasikan adalah antara -55Co sampai +125Co (lihat tabel kode karakteristik) Insulation Resistance (IR) Walaupun bahan dielektrik merupakan bahan yang non-konduktor, namun tetap saja ada arus yang dapat melewatinya. Artinya, bahan dielektrik juga memiliki resistansi. walaupun nilainya sangat besar sekali. Phenomena ini dinamakan arus bocor DCL (DC Leakage Current) dan resistansi dielektrik ini dinamakan Insulation Resistance (IR). Untuk menjelaskan ini, berikut adalah model rangkaian kapasitor.

model kapasitor C = Capacitance ESR = Equivalent Series Resistance L = Inductance IR = Insulation Resistance Jika tidak diberi beban, semestinya kapasitor dapat menyimpan muatan selama-lamanya. Namun dari

model di atas, diketahui ada resitansi dielektrik IR(Insulation Resistance) yang paralel terhadap kapasitor. Insulation resistance (IR) ini sangat besar (MOhm). Konsekuensinya tentu saja arus bocor (DCL) sangat kecil (uA). Untuk mendapatkan kapasitansi yang besar diperlukan permukaan elektroda yang luas, tetapi ini akan menyebabkan resistansi dielektrik makin kecil. Karena besar IR selalu berbanding terbalik dengan kapasitansi (C), karakteristik resistansi dielektrik ini biasa juga disajikan dengan besaran RC (IR x C) yang satuannya ohm-farads atau megaohm-micro farads. Dissipation Factor (DF) dan Impedansi (Z) Dissipation Factor adalah besar persentasi rugirugi (losses) kapasitansi jika kapasitor bekerja pada aplikasi frekuensi. Besaran ini menjadi faktor yang diperhitungkan misalnya pada aplikasi motor phasa, rangkaian ballast, tuner dan lain-lain. Dari model rangkaian kapasitor digambarkan adanya resistansi seri (ESR) dan induktansi (L). Pabrik pembuat biasanya meyertakan data DF dalam persen. Rugi-rugi (losses) itu didefenisikan sebagai ESR yang besarnya adalah persentasi dari impedansi kapasitor Xc. Secara matematis di tulis sebagai berikut :

Dari penjelasan di atas dapat dihitung besar total impedansi (Z total) kapasitor adalah :

Karakteristik respons frekuensi sangat perlu diperhitungkan terutama jika kapasitor bekerja pada frekuensi tinggi. Untuk perhitungan- perhitungan respons frekuensi dikenal juga satuan faktor qualitas Q (quality factor) yang tak lain sama dengan 1/DF.

Metal Oxide Silicon Capacitance

1. Introduction Capacitance voltage measurements of MOS capacitor structure provide a wealth of information about the structure which is of direct interest when one evaluates an MOS process. Since the MOS structure is simple to fabricate the technique is widely used. To understand capacitance-voltage measurements one must first be familiar with the frequency dependence of the measurement. This frequency dependence occurs primarily in inversion since a certain time is needed to generate the minority carriers in the inversion layer. Thermal equilibrium is therefore not obtained immediately. The low frequency or quasi-static measurement maintains thermal equilibrium at all times. This capacitance is the difference in charge divided by the difference in gate voltage while the capacitor is in equilibrium at each voltage. A typical measurement is performed with an electrometer which measured the charge added per unit time as one slowly varies the applied gate voltage. The high frequency capacitance is obtained from a small signal capacitance measurement at high frequency. The gate voltage is varied slowly to obtain the capacitance versus voltage. Under such conditions one finds that the charge in the inversion layer does not change from the equilibrium value corresponding to the applied DC voltage. The high frequency capacitance therefore reflects the charge variation in the depletion layer and the (rather small) movement of the inversion layer charge. In this section we first derive the simple capacitance model which is based on the full depletion approximations and our basic assumption. The comparison with the exact low frequency capacitance

reveals that the largest error occurs at the flatband voltage. We therefore derive the exact flatband capacitance using the linearized Poisson's equation. Then we discuss the full exact analysis followed by a discussion of deep depletion as well as the non-ideal effects in MOS capacitors.

2. Simple capacitance model The capacitance of an MOS capacitor is obtained using the same assumptions as in the analysis in section 6.5. The MOS structure is treated as consisting of a series connection of two capacitors: the capacitance of the oxide and the capacitance of the depletion layer. In accumulation there is no depletion layer. The remaining capacitor is the oxide capacitance, so that the capcitance equals:

(mc11)
In depletion the MOS capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer, or:

(mc12)
where xd is the variable depletion layer width which is calculated from:

(mc2)
In order to find the capacitance corresponding to a specific value of the gate voltage we also need to use the relation between the potential across the depletion region and the gate voltage, given by:

(mc8)

In inversion the capacitance becomes independent of the gate voltage. The low frequency capacitance equals the oxide capacitance since charge is added to and from the inversion layer in a low frequency measurement. The high frequency capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer having its maximum width, xd,max. The capacitances are given by:

(mc13)
The capacitance of an MOS capacitor as calculated using the simple model is shown in the figure below. The dotted lines represent the simple model while the solid line corresponds to the low frequency capacitance as obtained from the exact analysis.

mosexact.xls - moslfcap.gif
Fig. 6.6.1 Low frequency capacitance of an MOS capacitor. Shown are the exact solution for the low frequency capacitance (solid line) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines). The red square indicates the flatband voltage and capacitance, while the green square indicates the threshold voltage and capacitance. Na = 1017 cm-3 and tox = 20 nm.

3. Flat band capacitance The simple model predicts that the flatband capacitance equals the oxide capacitance. However, the comparison with the exact solution of the low frequency capacitance as shown in the above figure reveals that the error can be substancial. The reason for this is that we have ignored any charge variation in the semiconductor. We will therefore now derive the exact flatband capacitance. To derive the flatband capacitance including the charge variation in the semiconductor we first linearize Poisson's equation. Since the potential across the semiconductor at flatband is zero, we expect the potential to be small as we vary the gate voltage around the flatband voltage. Poisson's equation can then be simplified to:

(mc16)
The solution to this equation is:

(mc17)
where LD is called the Debye length. The solution of the potential enables the derivation of the capacitance of the semiconductor under flatband conditions, or:

(mc18)
The flatband capacitance of the MOS structure at flatband is obtained by calculating the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the semiconductor, yielding:

(mc19)

4. Exact analysis For a description of the derivation of the MOS capacitance using the exact analysis we refer the reader to that section.

5. Deep depletion capacitance Deep depletion occurs in an MOS capacitor when measuring the high-frequency capacitance while sweeping the gate voltage "quickly". Quickly here means that the gate voltage must be changed fast enough so that the structure is not in thermal equilibrium. One then observes that when ramping the voltage from flatband to threshold and beyond the inversion layer is not or only partially formed as the generation of minority carriers can not keep up with the amount needed to form the inversion layer. The depletion layer therefore keeps increasing beyond its maximum thermal equilibrium value, xd,T resulting in a capacitance which further decreases with voltage. The time required to reach thermal equilibrium when abruptly biasing the MOS capacitor at a voltage larger then the threshold voltage can be estimated by taking the ratio of the total charge in the inversion layer to the thermal generation rate of minority carriers. A complete analysis should include both a surface generation rate as well as generation in the depletion layer and the quasi-neutral region. A good approximation is obtained by considering only the generation rate in the depletion region xd,dd. This yields the following equation:

(mc14)
where the generation in the depletion layer was assumed to be constant. The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from:

(mc15)
This equation enables to predict that deep depletion is less likely at higher ambient temperature since the intrinsic concentration ni increases exponentially with temperature, while it is more likely to occur in MOS structures made with wide bandgap materials (for instance SiC for which Eg = 3 eV) as the intrinsic concentration decreases exponentially with the value of the energy bandgap. In silicon MOS structures one finds that the occurance of deep depletion can be linked to the minority carrier lifetime: while structures with a long (0.1 ms) lifetime require a few seconds to reach thermal equilibrium which results in a pronounced deep depletion effect at room temperature , structures with a short (1 ms) lifetime do not show this effect. Carrier generation due to light will increase the generation rate beyond the thermal generation rate which we assumed above and reduce the time needed to reach equilibrium. Deep depletion measurements are therefore done in the dark.

6. Experimental results and comparison with theory As an example we show below the measured low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance-voltage curves of an MOS capacitor. The capacitance was measured in the presence of ambient light as well as in the dark as explained in the figure caption.

cv1.gif
Fig. 6.6.2 Low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance of an MOS capacitor. Shown are, from top to bottom, the low frequency capacitance measured in the presence of ambient light (top curve), the low frequency capacitance measured in the dark, the high frequency capacitance measured in the presence of ambient light and the high frequency capacitance measured in the dark (bottom curve). All curves were measured from left to right. The MOS parameters are Na = 4 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. The device area is 0.0007 cm2 The figure illustrates some of the issues when measuring the capacitance of an MOS capacitance. First of all one should measure the devices in the dark; the presence of light causes carrier generation in the capacitor which affects the measured capacitance. In addition one must avoid the deep depletion effects such as the initial linearly varying capacitance of the high frequency capacitance measured in the dark on the above figure (bottom curve). The larger the carrier lifetime, the slower the voltage is to be changed to avoid deep depletion. The low frequency measured is compared to the theorical value in the figure below. The high frequency capacitance measured in the presence of light is also

shown on the figure. The figure illustrates the agreement between experiment and theory. A comparison of the experimental low (rather than high) frequency capacitance with theory is somewhat easier to carry out since the theoretical expression is easier to calculate while the low frequency measurement tends to be less sensitive to deep depletion effects.

cv2.gif
Fig. 6.6.3 Comparison of the theoretical low frequency capacitance (solid line) and the experimental data (open squares) obtained in the dark. Also shown is the high frequency measurement in the presence of light of the MOS capacitor (filled squares) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines). Fitting parameters are Na = 3.95 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm.

7. Non-Ideal effects in MOS capacitors Non-ideal effects in MOS capacitors include fixed charge, mobile charge and charge in surface states. All three types of charge can be identified by performing a capacitance-voltage measurement. Fixed charge in the oxide simply shifts the measured curve. A positive fixed charge at the oxide-

semiconductor interface shifts the flatband voltage by an amount which equals the charge divided by the oxide capacitance. The shift reduces linearly as one reduces the position of the charge relative to the gate electrode and becomes zero if the charge is located at the metal-oxide interface. A fixed charge is caused by ions which are incorporated in the oxide during growth or deposition. The flatband voltage shift due to mobile charge is described by the same equation as that due to fixed charge. However the measured curves differ since a positive gate voltage causes mobile charge to move away from the gate electrode, while a negative voltage attracts the charge towards the gate. This causes the curve to shift towards the applied voltage. One can recognize mobile charge by the hysteresis in the high frequency capacitance curve when sweeping the gate voltage back and forth. Sodium ions incorporated in the oxide of silicon MOS capacitors are known to yield mobile charge. It is because of the high sensitivity of MOS structures to a variety of impurities that the industry carefully controls the purity of the water and the chemicals used. Charge due to electrons occupying surface states also yields a shift in flatband voltage. However as the applied voltage is varied, the fermi energy at the oxide-semiconductor interface changes also and affects the occupancy of the surface states. The interface states cause the transition in the capacitance measurement to be less abrupt. The combination of the low frequency and high frequency capacitance allows to calculate the surface state density. This method provides the surface state density over a limited (but highly relevant) range of energies within the bandgap. Measurements on n-type and p-type capacitors at different temperatures provide the surface state density throughout the bandgap.

Resistor Pada dasarnya semua bahan memiliki sifat resistif namun beberapa bahan seperti tembaga, perak, emas dan bahan metal umumnya memiliki resistansi yang sangat kecil. Bahan-bahan tersebut menghantar arus listrik dengan baik, sehingga dinamakan konduktor. Kebalikan dari bahan yang konduktif, bahan material seperti karet, gelas, karbon memiliki resistansi yang lebih besar menahan aliran elektron dan disebut sebagai insulator. Bagaimana prinsip konduksi, dijelaskan pada artikel tentang semikonduktor. Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk membatasi jumlah arus yang mengalir dalam satu rangkaian. Sesuai dengan namanya resistor bersifat resistif dan umumnya terbuat dari bahan karbon . Dari hukum Ohms diketahui, resistansi berbanding terbalik dengan jumlah arus yang mengalir melaluinya. Satuan resistansi dari suatu resistor disebut Ohm atau dilambangkan dengan simbol (Omega). Tipe resistor yang umum adalah berbentuk tabung dengan dua kaki tembaga di kiri dan kanan. Pada badannya terdapat lingkaran membentuk gelang kode warna untuk memudahkan pemakai mengenali besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan Ohmmeter. Kode warna tersebut adalah standar manufaktur yang dikeluarkan oleh EIA (Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut. Waktu penulis masuk pendaftaran kuliah elektro, ada satu test yang harus dipenuhi yaitu diharuskan tidak buta warna. Belakangan baru diketahui bahwa mahasiswa elektro wajib untuk bisa membaca warna gelang resistor (barangkali).

Warna Hitam Coklat Merah Jingga Kuning Hijau Biru Violet Abu-abu Putih Emas Perak Tanpa warna

Nilai 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -

faktor Toleransi pengali 1 10 100 1.000 10.000 100.000 106 107 108 109 0.1 0.01 5% 10% 20% 1% 2%

Tabel - 1 : nilai warna gelang Resistansi dibaca dari warna gelang yang paling depan ke arah gelang toleransi berwarna coklat, merah, emas atau perak. Biasanya warna gelang toleransi ini berada pada badan resistor yang paling pojok atau juga dengan lebar yang lebih menonjol, sedangkan warna gelang yang pertama agak sedikit ke dalam. Dengan demikian pemakai sudah langsung mengetahui berapa toleransi dari resistor tersebut. Kalau anda telah bisa menentukan mana gelang yang pertama selanjutnya adalah membaca nilai resistansinya. Jumlah gelang yang melingkar pada resistor umumnya sesuai dengan besar toleransinya. Biasanya

resistor dengan toleransi 5%, 10% atau 20% memiliki 3 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). Tetapi resistor dengan toleransi 1% atau 2% (toleransi kecil) memiliki 4 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). Gelang pertama dan seterusnya berturut-turut menunjukkan besar nilai satuan, dan gelang terakhir adalah faktor pengalinya. Misalnya resistor dengan gelang kuning, violet, merah dan emas. Gelang berwarna emas adalah gelang toleransi. Dengan demikian urutan warna gelang resitor ini adalah, gelang pertama berwarna kuning, gelang kedua berwana violet dan gelang ke tiga berwarna merah. Gelang ke empat tentu saja yang berwarna emas dan ini adalah gelang toleransi. Dari tabel-1 diketahui jika gelang toleransi berwarna emas, berarti resitor ini memiliki toleransi 5%. Nilai resistansisnya dihitung sesuai dengan urutan warnanya. Pertama yang dilakukan adalah menentukan nilai satuan dari resistor ini. Karena resitor ini resistor 5% (yang biasanya memiliki tiga gelang selain gelang toleransi), maka nilai satuannya ditentukan oleh gelang pertama dan gelang kedua. Masih dari tabel-1 diketahui gelang kuning nilainya = 4 dan gelang violet nilainya = 7. Jadi gelang pertama dan kedua atau kuning dan violet berurutan, nilai satuannya adalah 47. Gelang ketiga adalah faktor pengali, dan jika warna gelangnya merah berarti faktor pengalinya adalah 100. Sehingga dengan ini diketahui nilai resistansi resistor tersebut adalah nilai satuan x faktor pengali atau 47 x 100 = 4.7K Ohm dan toleransinya adalah 5%. Spesifikasi lain yang perlu diperhatikan dalam memilih resitor pada suatu rancangan selain besar resistansi adalah besar watt-nya. Karena resistor bekerja dengan dialiri arus listrik, maka akan terjadi disipasi daya berupa panas sebesar W=I2R watt.

Semakin besar ukuran fisik suatu resistor bisa menunjukkan semakin besar kemampuan disipasi daya resistor tersebut. Umumnya di pasar tersedia ukuran 1/8, 1/4, 1, 2, 5, 10 dan 20 watt. Resistor yang memiliki disipasi daya 5, 10 dan 20 watt umumnya berbentuk kubik memanjang persegi empat berwarna putih, namun ada juga yang berbentuk silinder. Tetapi biasanya untuk resistor ukuran jumbo ini nilai resistansi dicetak langsung dibadannya, misalnya 100 5W.

Induktor Masih ingat aturan tangan kanan pada pelajaran fisika ? Ini cara yang efektif untuk mengetahui arah medan listrik terhadap arus listrik. Jika seutas kawat tembaga diberi aliran listrik, maka di sekeliling kawat tembaga akan terbentuk medan listrik. Dengan aturan tangan kanan dapat diketahui arah medan listrik terhadap arah arus listrik. Caranya sederhana yaitu dengan mengacungkan jari jempol tangan kanan sedangkan keempat jari lain menggenggam. Arah jempol adalah arah arus dan arah ke empat jari lain adalah arah medan listrik yang mengitarinya.

Tentu masih ingat juga percobaan dua utas kawat tembaga paralel yang keduanya diberi arus listrik. Jika arah arusnya berlawanan, kedua kawat tembaga tersebut saling menjauh. Tetapi jika arah arusnya sama ternyata keduanya berdekatan saling tarikmenarik. Hal ini terjadi karena adanya induksi medan listrik. Dikenal medan listrik dengan simbol B dan satuannya Tesla (T). Besar akumulasi medan listrik B

pada suatu luas area A tertentu difenisikan sebagai besar magnetic flux. Simbol yang biasa digunakan untuk menunjukkan besar magnetic flux ini adalah dan satuannya Weber (Wb = T.m2). Secara matematis besarnya adalah :

medan flux...(1)
Lalu bagaimana jika kawat tembaga itu dililitkan membentuk koil atau kumparan. Jika kumparan tersebut dialiri listrik maka tiap lilitan akan saling menginduksi satu dengan yang lainnya. Medan listrik yang terbentuk akan segaris dan saling menguatkan. Komponen yang seperti inilah yang dikenal dengan induktor selenoid. Dari buku fisika dan teori medan yang menjelimet, dibuktikan bahwa induktor adalah komponen yang dapat menyimpan energi magnetik. Energi ini direpresentasikan dengan adanya tegangan emf (electromotive force) jika induktor dialiri listrik. Secara matematis tegangan emf ditulis :

tegangan emf .... (2)

Jika dibandingkan dengan rumus hukum Ohm V=RI, maka kelihatan ada kesamaan rumus. Jika R disebut resistansi dari resistor dan V adalah besar tegangan jepit jika resistor dialiri listrik sebesar I. Maka L adalah induktansi dari induktor dan E adalah tegangan yang timbul jika induktor dilairi listrik.

Tegangan emf di sini adalah respon terhadap perubahan arus fungsi dari waktu terlihat dari rumus di/dt. Sedangkan bilangan negatif sesuai dengan hukum Lenz yang mengatakan efek induksi cenderung melawan perubahan yang menyebabkannya. Hubungan antara emf dan arus inilah yang disebut dengan induktansi, dan satuan yang digunakan adalah (H) Henry. Induktor disebut self-induced Arus listrik yang melewati kabel, jalur-jalur pcb dalam suatu rangkain berpotensi untuk menghasilkan medan induksi. Ini yang sering menjadi pertimbangan dalam mendesain pcb supaya bebas dari efek induktansi terutama jika multilayer. Tegangan emf akan menjadi penting saat perubahan arusnya fluktuatif. Efek emf menjadi signifikan pada sebuah induktor, karena perubahan arus yang melewati tiap lilitan akan saling menginduksi. Ini yang dimaksud dengan self-induced. Secara matematis induktansi pada suatu induktor dengan jumlah lilitan sebanyak N adalah akumulasi flux magnet untuk tiap arus yang melewatinya :

induktansi ...... (3)

Induktor selenoida

Fungsi utama dari induktor di dalam suatu rangkaian adalah untuk melawan fluktuasi arus yang melewatinya. Aplikasinya pada rangkaian dc salah satunya adalah untuk menghasilkan tegangan dc yang konstan terhadap fluktuasi beban arus. Pada aplikasi rangkaian ac, salah satu gunanya adalah bisa untuk meredam perubahan fluktuasi arus yang tidak dinginkan. Akan lebih banyak lagi fungsi dari induktor yang bisa diaplikasikan pada rangkaian filter, tuner dan sebagainya. Dari pemahaman fisika, elektron yang bergerak akan menimbulkan medan elektrik di sekitarnya. Berbagai bentuk kumparan, persegi empat, setegah lingkaran ataupun lingkaran penuh, jika dialiri listrik akan menghasilkan medan listrik yang berbeda. Penampang induktor biasanya berbentuk lingkaran, sehingga diketahui besar medan listrik di titik tengah lingkaran adalah :

Medan listrik ........ (4)

Jika dikembangkan, n adalah jumlah lilitan N relatif terhadap panjang induktor l. Secara matematis ditulis :

Lilitan per-meter.(5)
Lalu i adalah besar arus melewati induktor tersebut. Ada simbol yang dinamakan permeability dan 0 yang disebut permeability udara vakum. Besar

permeability tergantung dari bahan inti (core) dari induktor. Untuk induktor tanpa inti (air winding) = 1. Jika rumus-rumus di atas di subsitusikan maka rumus induktansi (rumus 3) dapat ditulis menjadi :

Induktansi Induktor ..... (6)

L : induktansi dalam H (Henry) : permeability inti (core) o : permeability udara vakum o = 4 x 10-7 N : jumlah lilitan induktor A : luas penampang induktor (m2) l : panjang induktor (m)

Induktor selenoida dengan inti (core)

Inilah rumus untuk menghitung nilai induktansi dari sebuah induktor. Tentu saja rumus ini bisa dibolak-balik untuk menghitung jumlah lilitan induktor jika nilai induktansinya sudah ditentukan.

Toroid Ada satu jenis induktor yang kenal dengan nama toroid. Jika biasanya induktor berbentuk silinder memanjang, maka toroid berbentuk lingkaran. Biasanya selalu menggunakan inti besi (core) yang juga berbentuk lingkaran seperti kue donat.

Toroida
Jika jari-jari toroid adalah r, yaitu jari-jari lingkar luar dikurang jari-jari lingkar dalam. Maka panjang induktor efektif adalah kira-kira :

Keliling lingkaran toroida ... (7) Dengan demikian untuk toroida besar induktansi L adalah :

Induktansi Toroida (8)

Salah satu keuntungan induktor berbentuk toroid, dapat induktor dengan induktansi yang lebih besar dan dimensi yang relatif lebih kecil dibandingkan dengan induktor berbentuk silinder. Juga karena toroid umumnya menggunakan inti (core) yang melingkar, maka medan induksinya tertutup dan relatif tidak menginduksi komponen lain yang berdekatan di dalam satu pcb. Ferit dan Permeability Besi lunak banyak digunakan sebagai inti (core) dari induktor yang disebut ferit. Ada bermacammacam bahan ferit yang disebut ferromagnetik. Bahan dasarnya adalah bubuk besi oksida yang disebut juga iron powder. Ada juga ferit yang dicampur dengan bahan bubuk lain seperti nickle, manganase, zinc (seng) dan magnesium. Melalui proses yang dinamakan kalsinasi yaitu dengan pemanasan tinggi dan tekanan tinggi, bubuk campuran tersebut dibuat menjadi komposisi yang padat. Proses pembuatannya sama seperti membuat keramik. Oleh sebab itu ferit ini sebenarnya adalah keramik. Ferit yang sering dijumpai ada yang memiliki = 1 sampai = 15.000. Dapat dipahami penggunaan ferit dimaksudkan untuk mendapatkan nilai induktansi yang lebih besar relatif terhadap jumlah lilitan yang lebih sedikit serta dimensi induktor yang lebih kecil. Penggunaan ferit juga disesuaikan dengan frekeunsi kerjanya. Karena beberapa ferit akan optimum jika bekerja pada selang frekuensi tertentu. Berikut ini adalah beberapa contoh bahan ferit yang dipasar dikenal dengan kode nomer materialnya. Pabrik pembuat biasanya dapat memberikan data kode material, dimensi dan permeability yang lebih detail.

data material ferit

Sampai di sini kita sudah dapat menghitung nilai induktansi suatu induktor. Misalnya induktor dengan jumlah lilitan 20, berdiameter 1 cm dengan panjang 2 cm serta mengunakan inti ferit dengan = 3000. Dapat diketahui nilai induktansinya adalah :

L 5.9 mH
Selain ferit yang berbentuk silinder ada juga ferit yang berbentuk toroida. Umumnya dipasar tersedia berbagai macam jenis dan ukuran toroida. Jika datanya lengkap, maka kita dapat menghitung nilai induktansi dengan menggunakan rumus-rumus yang ada. Karena perlu diketahui nilai permeability bahan ferit, diameter lingkar luar, diameter lingkar dalam serta luas penampang toroida. Tetapi biasanya pabrikan hanya membuat daftar indeks induktansi (inductance index) AL. Indeks ini dihitung berdasarkan dimensi dan permeability ferit. Dengan data ini dapat dihitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi tertentu. Seperti contoh

tabel AL berikut ini yang satuannya H/100 lilitan.

Tabel AL
Rumus untuk menghitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi yang diinginkan adalah :

Indeks AL . (9)
Misalnya digunakan ferit toroida T50-1, maka dari table diketahui nilai AL = 100. Maka untuk mendapatkan induktor sebesar 4H diperlukan lilitan sebanyak :

N 20 lilitan

Rumus ini sebenarnya diperoleh dari rumus dasar perhitungan induktansi dimana induktansi L berbanding lurus dengan kuadrat jumlah lilitan N2. Indeks AL umumnya sudah baku dibuat oleh pabrikan sesuai dengan dimensi dan permeability bahan feritnya. Permeability bahan bisa juga diketahui dengan kode warna tertentu. Misalnya abu-abu, hitam, merah, biru atau kuning. Sebenarnya lapisan ini bukan hanya sekedar warna yang membedakan permeability, tetapi berfungsi juga sebagai pelapis atau isolator. Biasanya pabrikan menjelaskan berapa nilai tegangan kerja untuk toroida tersebut. Contoh bahan ferit toroida di atas umumnya memiliki premeability yang kecil. Karena bahan ferit yang demikian terbuat hanya dari bubuk besi (iron power). Banyak juga ferit toroid dibuat dengan nilai permeability yang besar. Bahan ferit tipe ini terbuat dari campuran bubuk besi dengan bubuk logam lain. Misalnya ferit toroida FT50-77 memiliki indeks AL = 1100. Kawat tembaga Untuk membuat induktor biasanya tidak diperlukan kawat tembaga yang sangat panjang. Paling yang diperlukan hanya puluhan sentimeter saja, sehingga efek resistansi bahan kawat tembaga dapat diabaikan. Ada banyak kawat tembaga yang bisa digunakan. Untuk pemakaian yang profesional di pasar dapat dijumpai kawat tembaga dengan standar AWG (American Wire Gauge). Standar ini tergantung dari diameter kawat, resistansi dan sebagainya. Misalnya kawat tembaga AWG32 berdiameter kira-kira 0.3mm, AWG22 berdiameter 0.7mm ataupun AWG20 yang berdiameter kira-kira 0.8mm. Biasanya yang digunakan adalah kawat tembaga tunggal dan memiliki isolasi.

Penutup Sayangnya untuk pengguna amatir, data yang diperlukan tidak banyak tersedia di toko eceran. Sehingga terkadang dalam membuat induktor jumlah lilitan yang semestinya berbeda dengan hasil perhitungan teoritis. Kawat tembaga yang digunakan bisa berdiameter berapa saja, yang pasti harus lebih kecil dibandingkan diameter penampang induktor. Terkadang pada prakteknya untuk membuat induktor sendiri harus coba-coba dan toleransi induktansinya cukup besar. Untuk mendapatkan nilai induktansi yang akurat ada efek kapasitif dan resistif yang harus diperhitungkan. Karena ternyata arus yang melewati kawat tembaga hanya dipermukaan saja. Ini yang dikenal dengan istilah ekef kulit (skin effect). Ada satu tip untuk membuat induktor yang baik, terutama induktor berbentuk silinder. Untuk memperoleh nilai Q yang optimal panjang induktor sebaiknya tidak lebih dari 2x diameter penampangnya. Untuk toroid usahakan lilitannya merata dan rapat.

MODUL PEMBELAJARAN
KODE : LIS.PTL.047 (P) (40 Jam)

ELEKTRONIKA 1

BIDANG KEAHLIAN : KETENAGALISTRIKAN PROGRAM KEAHLIAN : TEKNIK PEMANFAATAN ENERGI

PROYEK PENGEMBANGAN PENDIDIKAN BERORIENTASI KETERAMPILAN HIDUP

DIREKTORAT PENDIDIKAN MENENGAH KEJURUAN DIREKTORAT JENDERAL PENDIDIKAN DASAR DAN MENENGAH

DEPARTEMEN PENDIDIKAN NASIONAL 2003

KATA PENGANTAR
Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial, sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis.

Dalam penggunaannya, bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya, yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta, kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat, guna merealisasikan penyelenggaraan

pembelajaran di SMK. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK.

Demikian, mudah -mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan, khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat.

Jakarta, 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur,

Dr. Ir. Gator Priowirjanto NIP 130675814

DAFTAR ISI
KATA PENGANTAR REKOMENDASI DAFTAR ISI ... PETA KEDUDUKAN MODUL GLOSARRY/PERISTILAHAN I PENDAHULUAN A. Deskripsi . B. Prasyarat . C. Petunjuk Penggunaan Modul . D. Tujuan Akhir.. E. F. II STANDAR KOMPETENSI.. Cek Kemampuan ... 1 1 1 2 3 4 6 7 7 8 8 8 8 18 20 21 25 26 26 26 48 50 Halaman i ii iv v

PEMBELAJARAN A. RENCANA BELAJAR PESERTA DIKLAT. B. KEGIATAN BELAJAR. Kegiatan Belajar 1 A. B. C. D. E. F. Tujuan Kegiatan . Uraian Materi . Rangkuman 1 . Tugas 1 .. Test Formatif 1 .. Jawaban Test Formatif 1 ..

Kegiatan Belajar 2 A. B. C. D. Tujuan Kegiatan .. Uraian Materi . Rangkuman 2 . Tugas 2 ..

Elektronika -1

I. PENDAHULUAN
A. DESKRIPSI

odul ini berjudul Elektronika - 1 merupakan bagian dari Kompetensi Mengoperasikan Mesin Produksi dengan Kendali Elektronik (PTL. OPS 005 (

)A dipersiapkan bagi anda siswa Sekolah Menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pemanfaatan Energi tingkat III (semester 5) dengan alokasi waktu selama 40 jam. Modul ini berisikan tentang dasar-dasar elektronika mulai dari teori atom, bahan semikonduktor, macam-macam Dioda, Transistor Bipolar serta pemanfaatannya. Modul ini tidak ada kaitan secara langsung dipelajari tersendiri. Setelah modul ini dapat anda kuasai, maka hasil belajar yang akan anda capai adalah adanya pemahaman terhadap ilmu elektronika, khususnya mampu dalam dengan modul lainnya, jadi dapat

mengidentifikasi komponen elektronik serta menganalisis sifat-sifatnya. Dengan pengetahuan dasar ini akan membimbing anda ke arah pekerjaan dan kemampuan yang dimiliki khususnya bidang keahlian yang berkaitan dengan dunia elektronik dan bidang keahlian pemanfaatan energi pada umumnya.

B. PRASYARAT

Untuk mempelajari modul ini tidak diperlukan prasyarat khusus, tetapi dikarenakan modul ini dilengkapi dengan Lembar Kerja, maka sudah tentu diperlukan penguasaan anda terhadap alat-alat ukur besaran listrik dan yang paling penting adalah pengetahuan dan kepedulian anda terhadap Keselamatan Kerja dan Bahaya Listrik.

C. PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL

1. Modul ini dapat anda pelajari secara klasikal ataupun individual, dimana setiap kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas -tugas yang terdapat

Elektronika -1

dalam topik-topik pembelajaran modul ini secara tuntas (Mastery Learning) baik ranah pengetahuan, sikap dan khususnya ranah keterampilan. 2. Jika anda sudah merasa mampu untuk menyelesaikan salah satu topik dari modul ini, maka anda diperkenankan untuk meminta kepada guru pembimbing anda guna diuji kompetensinya. 3. Jika anda sudah dinyatakan kompeten untuk satu topik pertama dengan melewati uji kompetensi tersebut di atas, maka anda diperkenankan untuk melanjutkan ke topik (pembelajaran) berikutnya. Tapi jika dianggap belum kompeten, maka sebaiknya anda tidak segan untuk mengulang kembali dengan arahan guru pembimbing. 4. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan beberapa peralatan ukur dan piranti-piranti elektronik baik aktif maupun pasif serta sumber daya searah dan bolak-balik yang tetap maupun variabel.

D. TUJUAN AKHIR

Karena modul ini mengacu pada Kurikulum 2004 (Standar Kompetensi Nasional) , maka setelah anda menyelesaikan kegiatan belajar ini ada beberapa kinerja yang diharapkan untuk anda kuasai dan telah memenuhi persyaratan dari dunia kerja seperti berikut : 1. Mampu mengidentifikasi komponen elektronik 2. Mampu melakukan troubleshooting rangkaian elektronik 3. Mampu melakukan perbaikan pesawat elektronik

Elektronika -1

E. STANDAR KOMPETENSI

KODE KOMPETENSI : Kompetensi Sub Kompetensi 1 Kriteria Unjuk Kerja : : :

PTL OPS 005( ) A Memelihara rangkaian elektronik Memahami teori atom dan semikonduktor - Teori atom dan sifatnya difahami sebagai dasar pengetahuan elektronik - Bahan semikonduktor dijelaskan sesuai dengan sifat-sifatnya - Terjadinya bahan semikonduktor tipe P dan N dijelaskan sesuai dengan kejadian dan sifatnya - Sifat PN junction dijelaskan - Sifat macam macam dioda dijelaskan sesuai dengan karakteristik dan penggunaannya - Dioda diidentifikasi sesuai dengan sifatnya dengan alat ukur yang sesuai - Dioda diuji sesuai dengan karakteristiknya dengan rangkaian uji yang ditetapkan - Menjelaskan teori atom - Menjelaskan sifat unsur bahan semikonduktor - Menjelaskan terjadinya bahan sk. Tipe P dan N dan sifatnya - Menjelaskan sifat PN junction - Menjelaskan sifat macam-macam dioda dan penggunaannya - Melakukan percobaan karakteristik dioda. - Melakukan percobaan Dioda sebagai penyearah arus - Melakukan percobaan dioda zener sebagai stabilisator tegangan searah Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja yang telah ditetapkan

Pengetahuan

Ketrampilan

Sikap

Sub Kompetensi 2 Kriteria Unjuk Kerja

: :

Memahami sifat dan karakteristik transistor bipolar - Terjadinya lapisan PNP dan NPN dijelaskan sesuai dengan kejadiannya - Sifat transistor NPN dan PNP dijelaskan sesuai dengan sifat atau karakteristiknya - Transistor Bipolar diidentifikasi dengan alat ukur yang sesuai. - Fungsi transistor dijelaskan sesuai dengan fungsinya 3

Elektronika -1

- Penguatan dan konfigurasi penguat transistor dijelaskan sesuai dengan rangkaian sambungannya Pengetahuan : Menjelaskan terjadinya lapisan PNP dan NPN Menjelaskan sifat dan karaktersitik transistor bipolar Menjelaskan cara mengidentifikasi transistor bipolar Menjelaskan fungsi transistor sebagai penguat, saklar elektronik - Menjelaskan konfigurasi, CB,CE dan CC - Melakukan identifikasi transistor dengan alat ukur - Melakukan percobaan transistor s ebagai saklar elektronik

Ketrampilan

Sikap Ruang Lingkup Belajar

: :

Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja Kompetensi ini berkaitan dengan pemahaman tentang komponen-komponen elektronik yang umumnya digunakan dalam peralatan kendali di industri LIS PTL 47 (P)

Kode Modul

Elektronika -1

F. CEK KEMAMPUAN PENGUASAAN KONDISI 1. Penguasaan terhadap peralatan ukur Analog 2. Penguasaan terhadap peralatan ukur Digital 3. Penguasaan terhadap peralatan ukur elektronik (osiloskop) 4. Penguasaan terhadap peralatan perbaikan (alat tangan) 5. Penguasaan terhadap prosedur perbaikan dan perawatan elektronik 6. Penguasaan terhadap karakter komponen elektronik YA BELUM REMARK

Catatan Pembimbing :

Elektronika -1

II. PEMBELAJARAN
RENCANA PEMBELAJARAN SISWA
No. 01. 02. 03. 04. 05. 06. 07. 08. 09. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 19. 20. TOTAL WAKTU 2400 Kegiatan Tanggal Waktu (menit) Tempat Belajar Paraf Guru

Elektronika -1

Kegiatan Belajar -1

TEORI ATOM DAN DIODA SEMIKONDUKTOR

TUJUAN :

Setelah mempelajari topik ini, maka diharapkan anda dapat : ? Memahami karakteristik atom suatu unsur ? Membedakan antara sifat bahan penghantar, penyekat dan setengah Penghantar ? Memahami terbentuknya bahan semikonduktor P dan N ? Menganalisis karakteristik Dioda Semikonduktor ? Menganalisis karakteristik Dioda Zener ? Mengaplikasikasikan dioda sebagai penyearah (rectifier), pelipat (multiplier) dan penstabil tegangan (voltage stabilizer)

Elektronika -1

A. Karakteristik Atom

A
1.1.

tom adalah partikel terkecil dari sebuah molekul yang sifatnya tidak dapat dibagi lagi dan hal ini sesuai dengan nama asal atom dari bahasa Yunani ATOMOS, yang berarti tidak dapat dibagi lagi.

Secara tiga dimensi bentuk atom suatu unsur digambarkan seperti terlihat pada gambar

Gambar 1.1. Atom dan lintasan elektronnya

Atom terdiri dari proton, neutron dan elektron, dimana proton bermuatan positip terhadap elektron atau elektron bermuatan negatip sedangkan dalam keadaan normal inti (neutron) tidak bermuatan.

Karakteristik suatu atom adalah :

1. Setiap inti mempunyai medan gaya tarik dengan elektronnya dan dikenal sebagai muatan, 2. Inti bermuatan positip terhadap elektron, sebaliknya elektron bermuatan negatip terhadap intinya, 3. Kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak,dan juga bisa bermuatan netral jika jumlah muatan positip dan negatipnya seimbang.

Elektronika -1

B. Susunan Atom

Susunan setiap atom terdiri dari lapisan -lapisan tertentu yang menjadi tempat beredarnya elektron, lapisan ini disebut lintasan atau orbit. Banyaknya elektron yang melintas ditentukan oleh berat unsur kimia, dimana semakin besar berat unsurnya suatu unsur akan semakin banyak jumlah elektron yang mengelilingi intinya. Gambar 1.2. Memperlihatkan susunan lapisan suatu atom unsur Silikon (Si) yang mempunyai nomor atom 14 atau mempunyai 14 buah elektron yang mengelilingi intinya.

Gambar 1.2. Lapisan atom unsur silikon dan penyederhanaannya

Jumlah elektron yang melintas pada setiap lapisan dapat ditentukan dengan rumus pendekatan sebagai berikut : ? e = 2 n2

(1.1)

dimana : ? e = banyak elektron yang melintas n = 1,2,3,4, (nomor lintasan, dimana angka terkecil menyatakan nomor lintasan yang paling dekat ke intinya).

Dengan demikian banyaknya elektron yang melintas pada setiap lintasan untuk unsur silikon seperti gambar 1.2. adalah : (1) = 2 . 12 = 2 buah elektron 9

- Lintasan pertama

Elektronika -1

- Lintasan kedua - Lintasan ketiga

(2) = 2 . 22 = 8 buah elektron (3) = 4 buah elektron (sisa).

Pada lintasan ketiga hanya melintas empat buah elektron , hal ini dikarenakan merupakan sisa dari 14 (2 + 8) = 4 buah elektron. Elektron-elektron yang melintas pada lapisan terdalam (berdekatan dengan inti) akan terikat kuat oleh muatan intinya dana kan sulit untuk melepaskan diri dari susunannya. Sedang bagi elektron-elektron yang menempati lapisan terluar akan mudah dipengaruhi oleh sejumlah tenaga dari luar dan mereka dapat keluar sebagai elektron bebas. Elektron yang menempati lapisan terluar tersebut sangat memegang peranan penting dalam penentuan sifat kimia dan kelistrikan unsur dan sering disebut sebagai elektron martabat (Valensi). Setiap elektron mempunyai kemampuan untuk mengikat satu elektron lain dari atom lainnya yang berada disekitarnya. Misalkan ada beberapa atom silikon yang saling berdekatan seperti gambar 1.3, maka elektron-elektron yang saling berdekatan akan menjalin ikatan yang dikenal sebagai Ikatan Kovalen (Covalent-Bond).

Gambar 1.3. Ikatan Kovalen

10

Elektronika -1

? Catatan :

C. Elektron Bebas dan Hole

Suatu efek agitasi seperti kenaikan temperatur akan menghasilkan getaran pada inti atom sehingga berakibat ikatan kovalen akan pecah dan diikuti oleh lepasnya elektronelektron. Elektron yang lepas dari ikatannya ini dikenal sebagai Elektron Bebas yang bermuatan negatip, sedangkan tempat yang ditinggalkan oleh elektron akan membentuk suatu muatan positip, dim ana tempat tadi disebut sebagai kekosongan atau dikenal dengan nama lain Hole. Gambar 1.4. memperlihatkan elektron bebas dan hole pada susunan atom unsur silikon. 11

Elektronika -1

Gambar 1.4. Elektron Bebas dan Hole

0

Pada temperatur kamar (? 27

C), enerji panas sudah mampu untuk membebaskan

elektron dari ikatan kovalen, sehingga dengan perkataan lain dengan temperatur kamar sifat silikon yang pada kondisi semula bersifat sebagai penyekat sempurna dapat berubah menjadi penghantar arus listrik. Dikarenakan daya hantar jenis bahan semikonduktor murni sangat rendah, maka guna memperbesar daya hantar tersebut dapat dilakukan dengan proses pencampuran dengan unsur lain dengan maksud untuk memperbanyak terjadinya elektron-elektron bebas dan hole. Istilah pencampuran ini dikenal dengan nama pengotoran (Impurity) atau Doping. Elektron bebas dan hole yang terjadi disebut juga sebagai pembawa muatan (Charge-Carrier).

D. Bahan Penghantar, penyekat dan Setengah-Penghantar

Pada umumnya bahan kelistrikan yang anda kenal ada dua, yaitu penghantar (konduktor) dan penyekat (isolator). Suatu bahan konduktor dikatakan baik, jika mempunyai nilai tahanan jenis yang rendah yaitu berkisar antara 10-8 sampai 10-7 ohmmeter. Sedangkan suatu bahan isolator dikatakan baik jika mempunyai nilai tahanan jenis yang tinggi, yaitu berkisar antara 10 4 sampai 1016 ohm-meter. Selain kedua jenis bahan di atas, ada suatu bahan yang mempunyai tahanan jenis yang berubah-ubah seiring dengan perubahan temperatur. Bahan ini digolongkan pada bahan setengah-penghantar (semiconductor), dimana pada temperatur absolut (0 0K = -273
0

C) dalam keadaan murni bersifat sebagai isolator, 12

Elektronika -1

sedangkan jika ada kenaikan temperatur sifatnya akan berubah menjadi konduktor. Nilai tahanan jenis bahan semikonduktor ini berkisar antara 10-1 sampai 10 -15 ohm-meter. Berikut ini diperlihatkan contoh perbedaan tahanan jenis bahan pada temperatur kamar (? 27 0 C).

TABEL-1 CONTOH BEDA TAHANAN JENIS PADA TEMPERATUR KAMAR KONDUKTOR ? Cu ? 10-8 ? m SEMI-KONDUKTOR ? Ge ? 50 x 10-2 ? m ? Si ? 50 x 10-1 ? m ISOLATOR ? mika ? 1010 ? m

Tahanan jenis bahan konduktor hanya akan bertambah sedikit naik dan berbanding lurus dengan kenaikan dari temperatur, sebaliknya tahanan jenis bahan semikonduktor akan turun secara eksponensial jika temperaturnya anda naikkan. Oleh karena itu bahan semikonduktor akan lebih baik menghantarkan arus listrik saat panas daripada saat dingin. Gambar 1.5. memperlihatkan kurva pengaruh panas terhadap tahanan jenis.

Gambar 1.5. Pengaruh panas terhadap tahanan jenis bahan

13

Elektronika -1

? Catatan :

E. Terbentuknya Bahan Semikonduktor tipe P dan N

Bahan dasar yang bayak dan sering digunakan dalam membuat piranti elektronik adalah bahan Germanium dan Silikon, dimana kedua bahan tersebut mempunyai elektron valensi yang sama yaitu empat buah. Tabel 2 berikut memperlihatkan tabel periodik golongan atom bahan semikonduktor.

14

Elektronika -1

TABEL 2. GOLONGAN ATOM SEMIKONDUKTOR

Pada pembahasan terdahulu disebutkan bahwa elektron-elektron bebas akan mengalir dalam bahan semikonduktor pada temperatur diatas nol-mutlak. Atau dengan kata lain harus adanya pemaksaan panas (agitasi thermis). Selain itu juga disebutkan adanya metoda impurity, dimana unsur murni bahan semikonduktor tersebut dicampur dengan unsur lainnya (agitasi chemis). Guna mendapat muatan positip pada atom silikon atau germanium yang mempunyai valensi empat, maka atom tersebut harus dicampur dengan atom unsur lain yang bervalensi tiga, misal unsur Indium (In) dan Galium (Ga). Dikarenakan unsur silikon bervalensi empat, maka unsur indium yang bervalensi tiga akan menerima empat buah elektron.

Gambar 1.6. Kristal Silikon tipe P

15

Elektronika -1

Sebagai paduan bersama, maka akan terbentuk bahan baru yang disebut silikon atau germanium tipe P, dimana hurup P ini menunjukkan muatan terbanyak positip atau hole. Dikarenakan atom indium menerima elektron dari silikon atau germanium, maka indium disebut sebagai penerima (akseptor). Gambar 1.6. memperlihatkan susunan kristal silikon-P dan jika anda perhatikan lebih seksama akan tampak pada ikatan kovalennya terjadi kekurangan elektron yang mengasilkan muatan positip (hole). Jika hasil pencampuran antara atom unsur semikonduktor yang bervalensi empat dengan unsur yang bervalensi tiga akan menghasilkan campuran yang bermuatan positip dan untuk memperoleh campuran yang bermuatan negatip kita harus campurkan bahan silikon atau germanium dengan unsur lain yang bervalensi lima misalnya unsur Arsenikum, Antimon atau Phospor. Campuran ini akan membentuk campuran bermuatan negatip dikarenak an kelebihan elektron. Unsur pencampur tersebut dinamakan unsur pemberi (donor) sedangkan hasil campurannya disebut Silikon atau Germanium tipe N. Gambar 1.7. memperlihatkan susunan kristal silikon atau germanium N.

Gambar 1.7. Kristal Silikon N

F. Dioda PN Sambungan bahan semikonduktor tipe P dan N mendasari terbentuknya suatu piranti elektronik aktif yang dikenal sebagai Dioda . Dioda ini berasal dari dua kata Duo dan Electrode yang berarti dua elektroda, yaitu Anoda yang berpolaritas postip dan Katoda yang berpolatitas negatip. 16

Elektronika -1

Secara umum dioda disimbolkan dan bentuk fisiknya seperti terlihat pada gambar 1.8. Salah satu aplikasi penggunaan dioda dalam ilmu kelistrikan adalah sebagai penyearah arus (rectifier) dari arus bolak-balik ke arus searah.

DIN 40 700

Gambar 1.8. Simbol dan bentuk fisik Dioda

1. Sifat Dioda 1.1. Bias Maju Jika anoda dihubungkan dengan kutub positip sumber searah dan katodanya dihubungkan dengan kutub negatipnya seperti terlihat pada gambar 1.9., maka rangkaian tersebut dikenal sebagai rangkaian bias maju (Forward -Bias).

Gambar 1.9. Bias maju (Forward-Bias)

17

Elektronika -1

Pada kondisi seperti ini arus akan mengalir dari anoda menuju katoda. Tegangan dimana dioda mulai mengalirkan arus disebut sebagai tegangan kerja dioda ( Ud). Untuk dioda silikon Ud ? 0,7 volt sedangkan untuk dioda germanium Ud ? 0,3 volt. 1.2. Bias Mundur

Jika kedua elektroda dioda tersebut kita hubungkan secara terbalik (berlawanan polaritas), yaitu anoda dihubungkan dengan sumber negatip sumber searah sedangkan katoda dihubungkan dengan sumber positipnya, maka bias demikian disebut bias mundur (Reverse-Bias) seperti diperlihatkan pada gambar 1.10.

Gambar 1.10. Bias Mundur (Reverse-Bias)

Pada saat reverse ini dioda akan mempunyai nilai hambatan yang besar, sehingga arus tidak akan atau sedikit mengalir dalam orde mikroamper. Jika tegangan sumber dinaikkan lebih besar lagi, maka suatu saat tertentu secara tiba-tiba arus akan naik secara linear. Tegangan saat arus mengalir secara linear ini dikenal sebagai tegangan patahan (Breakdown Voltage). Tegangan ini jika terus diperbesar akan mengakibatkan kerusakan pada dioda dan untuk itu tegangan ini dibatasi hingga tegangan nominal yang dikenal dengan nama Peak Inverse Voltage disingkat PIV.

18

Elektronika -1

RANGKUMAN - 1
1. Atom adalah bagian terkecil dari benda yang tidak dapat dibagi lagi, dimana atom terdiri dari Inti, Proton dan Elektron. 2. Inti dan proton dianggap bermuatan sama (positip), sedangkan elektron bermuatan negatip dan kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak bahkan bisa bermuatan netral, jika muatannya seimbang . 3. Jumlah lapisan (orbit) elektron dari suatu unsur dapat dihitung dengan rumus pendekatan ? e = 2 n2 4. Setiap elektron yang berdekatan dari atom yang berbeda dapat membuat suatu ikatan yang dikenal sebagai ikatan kovalen (Covalent-Bond). 5. Elektron yang melepaskan diri dari ikatannya disebut Elektron-bebas, sedangkan tempat yang ditinggalkannya membentuk muatan p ositip yang diberi nama Hole. 6. Dalam keadaan murni dan pada temperatur 2730 C (0 0 K), bahan semikonduktor bersifat sebagai penyekat, sedangkan pada temperatur kamar menjadi penghantar. 7. Pencampuran antara bahan semikonduktor bervalensi berbeda misal Silikon yang bervalensi 4 dengan bahan Indium yang bervalensi 3 akan menghasilkan tipe semikonduktor P (positip), sedangkan pencampuran Silikon dengan Arsenikum yang bervalensi 5 akan menghasilkan tipe N (negatip). 8. Sifat dioda PN adalah menghantarkan arus saat bias maju (forward) dan menghambat arus saat bias mundur (reverse).( 27 0 C) berubah ?

19

Elektronika -1

?
kejadiannya !

LEMBAR LATIHAN - 1

1. Apa yang dimaksud dengan Elektron Bebas dan Hole ?

Sebutkan juga

2. Unsur Indium (In) yang mempunyai nomor atom 49 dan Phospor (P) yang bernomor atom 15. a. Hitung / gambarkan jumlah lintasan dan jumlah elektron setiap lintasannya ! b. Valensi In = . ; valensi P = 3. Apa yang dimaksud dengan metoda Impurity (DOPING) dan sebutkan apa tujuan / alasannya ? 4. Sebutkan ciri-ciri (sifat) dioda untuk bias maju dan mundur !

20

Elektronika -1

JAWABAN LATIHAN - 1
1. Elektron bebas dan hole adalah pembawa muatan negatip dan positip, dimana kejadiannya adalah saat elektron tersebut lepas dari ikatannya akibat adanya pengaruh agitasi thermis ataupun chemis. Sedangkan atom yang ditinggalkan oleh elektron akan kehilangan muatan negatip sehingga atom tersebut akan lebih negatip. Kehilangan elektron tersebut mengakibatkan lubang (hole) yang bermuatan positip. 2. Usur Indium yang mempunyai nomor atom 49, jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah sebagai berikut : Orbit 1 = 2 x 12 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 2 x 32 = 18 Orbit 4 = 2 x 42 = 18 * Orbit 5 = 3 elektron Sedangkan untuk Phospor yang mempunyai nomor atom 15, jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah : Orbit 1 = 2 x 1 2 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 5 elektron Dengan demikian Elektron valensi untuk unsur Indium adalah = 5, sedangkan unsur Phospor = 3.

2. Metoda impurity (doping) adalah metoda untuk memperoleh bahan (unsur) yang mempunyai polaritas tertentu (positip atau negatip). Metoda ini disebut metoda pengotoran (doping), dimana unsur murni dicampur dengan unsur lain sehingga berubah sifat, misalnya unsur silicon murni dicampur dengan indium akan menghasilkan bahan silicon dengan polaritas positip. 3. Jika dioda diberi bias maju, maka dia akan menghantarkan arus listrik. Sedangkan jika dibias mundur, maka dia akan menghambat arus.

21

Elektronika -1

LEMBAR KERJA 1

KARAKTERISTIK DIODA
?

TUJUAN Setelah selesai mengerjakan lembar kerja 1 ini diharapkan anda : 1. Dapat menggambarkan karakteristik listrik dioda arah maju dan mundur, 2. Dapat membuktikan sifat-sifat dioda secara umum.

RANGKAIAN PERCOBAAN A) ARAH MAJU S + R + A

Us

Rp

B) ARAH MUNDUR S + Us U V D + A

22

Elektronika -1

DAFTAR ALAT DAN BAHAN 1. Regulated DC Power Supply 0 20 volt 2. mA meter dc, 3. ? A meter dc, 4. Saklar ON-OFF 5. V meter dc 6. Proto Board Trainer 7. Multimeter 8. Potensiometer limear 1 k? 9. Dioda Rectifier 1N4005 10. Resistor = 100 ? / 1 W 11. Kabel secukupnya.

LANGKAH KERJA 1 1. Buat rangkaian seperti gambar 1 di atas, dimana semua posisi saklar pada posisi OFF, catatan : Dalam rangkaian ini sebagai pengukur arus digunakan mA meter. 2. Periksakan rangkaian tersebut kepada instruktor sebelum mulai percobaan. 3. Nyalakan Power Supply dan atur tegangan sebesar 1 volt, 4. Posisikan mA meter pada batas ukur 100 mA, 5. Posisikan V meter pada batas ukur 1 volt, 6. Hidupkan saklar (ON), 7. Atur tegangan melalui potensiometer secara bertahap setiap 0,1 volt, 8. Amati kedua meter dan catat hasil penunjukkannya pada tabel - 1 yang disediakan. 9. Hentikan percobaan jika pembacaan meter sulit dibaca ! TABEL 1 U (volt) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 23

I ( mA)

R ( ohm )

Elektronika -1

R=U/I
?

LANGKAH KERJA - 2 1. Buat rangkaian seperti gambar 2, posisi saklar pada posisi OFF. Catatan : Pengukur arus adalah ? A-meter 2. Periksa kebenaran rangkaian pada instruktur anda, 3. Hidupkan saklar dan atur tegangan dari nol, kemudian naikkan bertahap setiap 2 volt dan amati penunjukkan ? A-meter, 4. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel 2 di bawah, 5. Hentikan percobaan, jika batas tegangan Power Supply telah mencapai 20 volt. Catatan : Untuk percobaan ke 2 ini batas ukur ? A meter diatur pada batas terendah, sedangkan batas ukur V meter hingga diatas 20 volt. TABEL 2 U (volt) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

I (? A)

R ( ohm )

KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1. Perhatikan polaritas dioda dan meter pengukur dc ! 2. Perhatikan juga batas ukur meter yang digunakan ! 3. Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula.

24

Elektronika -1

TUGAS Buat gambar karakteristik dioda arah maju dan mundur dari data tabel 1 dan 2 hasil pengukuran anda pada pola di bawah ini dengan skala : a. Untuk arah maju 5 mm ? 0,1 volt dan 5 mm ? 10 mA. b. Untuk arah mundur 20 mm ? 2 volt dan 5 mm ? 1 ? A.

EVALUASI 1. Berapa titik konduk dioda yang anda amati ? Ud = ? volt 2. Berapa titik Breakdown-nya ? Ubd = ? ...volt 3. Kenapa rangkaian percobaan 1 dan 2 dibedakan atas posisi alat ukurnya ? . . . . 25

Elektronika -1

4. Kenapa pada rangkaian percobaan 2 tidak digunakan hambatan R ? . . .

2. Dioda Sebagai Penyearah Arus (Rectifier)

Berdasarkan sifat-sifat dioda , maka dioda dapat dimanfaatkan sebagai alat penyearah arus bolak-balik (rectifier). Ada dua macam penyearah yang dikenal, yaitu :
? ?

Penyearah Setengah Gelombang (Half-Wave Rectifier), Penyearah Gelombang Penuh (Full-Wave Rectifier).

2.1. Penyearah Setengah Gelombang

Rangkaian dasar penyearah setengah gelombang diperlihatkan pada gambar 1.11. dimana sisi primer transformator tersambung dengan sumber bolak-balik (ac) sedangkan sisi sekunder dihubungkan seri dengan sebuah dioda dan tahanan beban (R L).

Gambar 1.11. Rangkaian Penyearah setengah gelombang

Jika saklar S ditutup, maka saat t1 t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip, maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir.

26

Elektronika -1

Gambar 1.12. Proses penyearahan setengah gelombang

Pada saat t2 t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat, sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan. Jika titik A kembali positip pada saat t3 t4, maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja. Proses perubahan tegangan bolak -balik menjadi pulsa searah ini disebut penyearahan dan dikarenakan hanya setengah periode saja yang dapat dimanfaatkan, maka penyearah seperti ini dikenal sebagai Penyearah Setengah Gelombang. Guna menghitung besar harga rata-rata signal yang disearahkan dapat digunakan rumus pendekatan sebagai berikut :

Um Udc = ? = 0,318 Um

(1.2)

Dimana : Um = harga maksimum tegangan ac Udc = harga rata-rata tegangan dc

27

Elektronika -1

2.2. Penyearah Gelombang Penuh

Ada dua macam penyearah gelombang penuh, yaitu sistem Titik -Tengah (centretap) dan Sistem Jembatan (bridge). Penyearah sistem titik-tengah menggunakan transformator centre-tap, dimana jumlah lilitan antara titik AC sama dengan jumlah lilitan pada titik CB.

Gambar 1.13. Sistem Centre-tap

Ujung A dihubungkan pada dioda D1 dan ujung B pada dioda D2. Ujung lain dari dioda ini dihubungkan pada titik yang sama dari ujung tahanan RL di titik X dan ujung titik Y disambungkan ke titik tengah transformator C. Kerja penyearah ini dapat dilihat pada gambar 1.14. dimana kurva a1 dan a2 menunjukkan tegangan yang masuk pada dioda D1 dan D2 yang selalu berlawanan phasa dan sama besarnya.

28

Elektronika -1

Gambar 1.14. Proses Penyearahan Gelombang Penuh

Pada saat t1 t2 ujung A sedang berpolaritas positip, sedangkan ujung B negatip sehingga pada sat ini dioda D1 yang sedang menghantar (kurva b1 saat t1 t2), sedangkan D2 tidak menghantar (kurva b2 saat t1 -t 2). Pada saat t2 - t3 ujung A berpolaritas negatip sedang ujung B positip sehingga pada saat ini dioda D2 yang menghantar (kurva b2 saat t2 - t 3) sedang D1 tidak menghantar (kurva b1 saat t2 t3 ). Dengan demikian kedua dioda tersebut secara bergantian setiap setengah periode dan tahanan RL sertiap saat selalu dilewati arus (kuva c) yang berbentuk pulsa positip. Dikarenakan satu gelombang penuh tegangan bolak-balik telah dimanfaatkan, maka rangkaian ini dinamakan penyearah gelombang penuh. Kelebihan penyearah gelombang penuh dari penyearah setengah gelombang adalah menghasilkan tegangan rata-rata (Udc ) duakali lipat atau dituliskan sebagai berikut : Udc = 2 x 0,318 Um = 0,636 Um Untuk penyearah gelombang penuh Sistem Jembatan diperlukan empat buah dioda yang dipasang sedemikian rupa seperti diperlihatkan pada gambar 1.15. ( 1.3)

29

Elektronika -1

Gambar 1.15. Penyearah sistem Jembatan

Ketika titik A sedang positip, dioda D1 dan D2 berada dalam kondisi menghantar, sedang dioda D3 dan D4 tidak menghantar. Guna memudahkan anda mengetahui bagaimana sistem ini bekerja, maka ikuti gambar 1.16., dimana ketika titik A sedang negatip, dioda yang menghantar adalah dioda D3 dan D4 ,sedang D1 dan D2 tidak menghantar.

Gambar 1.16. Proses kerja Sistem Jembatan

Dengan demikian pada setiap setengah periode tegangan bolak-balik ada dua buah dioda yang bekerja secara serempak sedangkan dua buah lainnya tidak bekerja. Adapun hasil penyearahan dari sistem ini adalah mirip dengan sistem Titik -Tengah.

30

Elektronika -1

3. Dioda sebagai pelipat tegangan (Voltage Multiplier)

Guna melipat tegangan dari suatu sumber tegangan searah , maka dapat dibuat rangkaian pelipat yang dasarnya adalah merupakan rangkaian penyearah tegangan. Besar tegangan yang dilipatkan dapat diatur mulai dari duakali lipat, tigakali lipat atau seterusnya. Sebagai contoh jika anda menghendaki kelipatan dua dari tegangan output suatu penyearah sebagai berikut :

Jika diketahui tegangan efektiv (rms) suatu sumber ac adalah 4,5 volt, maka tegangan maksimum (U m) adalah 4,5 x ? 2 = 6,3 volt. Jika tegangan tersebut dilewatkan pada rangkaian pelipat dua, maka tegangan output yang dihasilkan adalah Uo = 2 x 6,3 volt = ? 12,6 volt.

Rangkaian pelipat dua disebut Doubler, pelipat tiga disebut Tripler dan pelipat empat disebut Quadrupler atau secara umum pelipat ini disebut sebagai Multiplier. 3.1. Pelipat Dua (Doubler)

Ada dua macam rangkaian pelipat dua ini, yaitu untuk setengah gelombang dan gelombang penuh. Rangkaian doubler setengah gelombang seperti terlihat pada gambar 1.17. dan rangkaian ini dikenal sebagai Rangkaian Villard atau Cascade.

Gambar 1.17. Doubler setengah gelombang

Agar anda mudah memahami prinsip kerja rangkaian tersebut, maka ikuti gambar 1.18. berikut : 31

Elektronika -1

Gambar 1.18. Prinsip Kerja Doubler setengah gelombang

Ketika setengah perioda tegangan trafo sisi sekunder sedang positip, maka dioda D1 menghantar sedangkan dioda D2 off. Kapasitor C1 mengisi muatan hingga mencapai tegangan maksimumnya (Um ). Secara ideal D terhubung singkat selama 1 setengah periode tersebut dan tegangan input mengisi kapasitor C1 hingga Um dengan polaritas seperti pada gambar 1.18.(a). Pada setengah perioda berikutnya sedang negatip, dioda D1 off dan dioda D2 menghantar dan C2 mengisi muatannya. Pada saat D2 terhubung singkat selama setengah perioda negatip dan D1 membuka kembali, kita dapat menjumlahkan tegangan yang ada pada jaringan sehingga akan ditemukan bahwa Uc2 = 2 Um. Jika paralel dengan kapasitor C2 tidak dibebani, maka kedua kapasitor tersebut akan tetap bermuatan, yaitu Uc1 = Um dan Uc2 = 2 Um. Jika output doubler ini dihubungkan dengan sebuah beban, misalnya resistor, maka tegangan Uc2 akan turun selama setengah perioda positip dan kapasitor tersebut akan mengisi kembali hingga 2 Um pada setengah periode negatipnya. Gambar 1.19. berikut memperlihatkan rangkaian doubler gelombang penuh yang dikenal dengan nama Rangkaian Delon.

32

Elektronika -1

Gambar 1.19. Rangkaian Doubler Gelombang Penuh

Rangkaian pelipat lain dengan kemampuan lebih besar diperlihatkan seperti gambar 1.20.

Gambar 1.20. Rangkaian Multiplier

33

Elektronika -1

RANGKUMAN - 2
1. Dioda dapat digunakan sebagai penyearah arus dari arus bolak -balik ke arus searah 2. Penyearah arus ada dua macam, yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh 3. Hasil penyearahan setengah gelombang adalah 0,318 Um, sedangkan hasil penyearahan gelombang penuh adalah 2 x 0,318 Um = 0,636 Um 4. Penyearah gelombang penuh ada dua tipe, yaitu dengan menggunakan transformator titik tengah (centre-tap) dan tipe jembatan (bridge). 5. Dengan bantuan kapasitor, penyearah dapat dibentuk sebagai rangkaian pelipat (multiplier) tegangan.

34

Elektronika -1

LEMBAR LATIHAN - 2

1. Ceriterakan prinsip penyearahan signal ac menjadi dc dengan system penyearah setengah gelombang lengkap dengan gambarnya. 2. Jika diketahui sebuah penyearah gelombang penuh sistem jembatan dengan input ac = 12 volt, maka hitunglah : a. Tegangan maksimum (Um) b. Tegangan searah (dc) 3. Menurut analisa anda, kenapa tegangan dc output lebih rendah dari tegangan input ac ?

35

Elektronika -1

JAWABAN LATIHAN - 2

1. Prinsip penyearahan setengah gelombang

Jika saklar S ditutup, maka saat t1 t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip, maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir. Pada saat t2 t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat, sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan. Jika titik A kembali positip pada saat t3 t4, maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja. 2. Diketahui Uin = 12 volt effektif Ditanya : a) U maksimum ( Um) b) U dc Jawab : a) Um = 16,97 volt b) Udc = 5,40 volt 36

Elektronika -1

3. Karena yang dilewatkan hanya setengah periode sedangkan setengah lainnya dihambat, maka tegangan dc yang dihasilkan oleh penyearah setengah gelombang akan lebih rendah dari tegangan inputnya (U ef ataupun Umak nya)

37

Elektronika -1

LEMBAR KERJA 2

DIODA SEBAGAI PENYEARAH ARUS

?

TUJUAN Setelah menyelesaikan lembar kerja 2 , diharapkan anda mampu : 1. membuktikan dioda sebagai penyearah arus setengah gelombang, 2. membuktikan dioda sebagai penyearah gelombang penuh 3. menganalisis bentuk gelombang searah.

RANGKAIAN PERCOBAAN A. Penyearah setengah gelombang D x

AC

B. Penyearah Sistem Jembatan

38

Elektronika -1

ALAT DAN BAHAN

1. AC Regulated Power Supply 0 220 volt 2. Dioda rectifier IN4005 dan Bridge Diode 3. R = 100 ohm/5 W 4. V meter dc 5. V meter ac 6. Oscilloscope Dual-Trace

LANGKAH KERJA

1. Buat rangkaian seperti gambar A 2. Periksa sambungan dan perhatikan polaritas 3. Atur sumber ac sesuai dengan Tabel 1. di bawah, 4. Ukurlah dengan menggunakan V meter dc tegangan output antara titik x dan y, 5. Lakukan langkah 4 dengan menggunakan Oscilloscope 6. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel 1 7. Jika anda telah menyelesaikan perintah 1 s/d 6, buat rangkaian seperti gambar 2. 8. Ikuti petunjuk yang sama dan masukkan hasil pengamatan anda pada tabel 2. 9. Buat kesimpulan hasil pengamatan anda

KESELAMATAN KERJA

1. Periksakan rangkaian anda kepada instruktur sebelum melakukan pengamatan atau menghidupkan sumber daya ! 2. Periksa polaritas dan jenis alat ukur (meter) dengan benar ! 3. Kembalikan semua alat dan bahan ke tempat semula.

39

Elektronika -1

TABEL PENGAMATAN TABEL 1 V METER U 6 8 10 Uxy OSCILLOSCOPE Uxy

TABEL - 2 V METER U 6 8 10 Uxy OSCILLOSCOPE Uxy

KESIMPULAN :

40

Elektronika -1

4. Dioda Zener

Dioda zener adalah merupakan dioda yang terbuat dari bahan silikon dan dikenal sebagai Voltage Regulation Diode yang bekerja pada daerah reverse bias (kuadran III) di daerah breakdownnya. Kemampuan dioda zener berkisar mulai 2,4 volt sampai 200 volt dengan disipasi daya sampai 500 W. Simbol dan rangkaian ekuivalennya diperlihatkan seperti gambar 1.21.

Gambar 1.21. Simbol dan rangkaian ekuivalen dioda zener

Rangkaian ekuivalen dioda zener merupakan suatu hambatan dinamis yang bernilai relatip kecil dan seri dengan sebuah batere searah yang besarnya sebanding dengan potensial zener tersebut.

4.1. Karakteristik dioda zener

Gambar 1.22. memperlihatkan karakteristik listrik dioda zener yang mirip dengan karakteristik dioda pada umumnya. Notasi Uz adalah tegangan reverse dioda, dimana terjadi patahan (breakdown). Jika tegangan sumber yang dib erikan pada zener lebih kecil dari Uz, maka tahanan dioda zener sekitar 1 Mega ohm bahkan lebih, sedangkan jika tegangan sumber sedikit diatas Uz, arus reverse akan naik dengan cepat.

41

Elektronika -1

Gambar 1.22. Karakteristik listrik dioda zener

Dari karakteristik terlihat bahwa setelah terjadi tegangan patahan, arus naik sedemikian rupa sedangkan tegangan zener Uz akan tetap tidak berubah. Kenaikan arus zener ini mempunyai batas maksimal yang diberi notasi Iz max. dan jika terlampaui akan mengakibatkan kerusakan. Oleh karena itu dalam prakteknya dioda zener selalu dipasang serikan dengan sebuah resistor.

Gambar 1.23. Rangkaian dioda zener

42

Elektronika -1

Guna menentukan nilai tahanan seri (Rs) agar dioda terhindar dari arus lebih digunakan rumus sebagai berikut :

Rs ?

(Us ? Uz) Iz (max)

(1.4 )

Persamaan diatas akan menghasilkan nilai Rs minimal yang dapat dipasang, sedangkan nilai Rs maksimalnya dengan memperhitungkan Iz minimal dari zener.

4.2. Zener sebagai penstabil tegangan

Dikarenakan karakteristiknya, maka zener dioda banyak digunakan sebagai penstabil tegangan searah. Gambar-gambar zener sebagai penstabil tegangan dapat dilihat pada gambar berikut.

Gambar 1.24. Variasi stabilisator tegangan dengan zener

Untuk penstabil seperti yang diperlihatkan pada gambar 1.24, kita dapat memperoleh enam tegangan yang stabildan berbeda-beda, yaitu Uz1 s/d Uz3 kemudian variasi Uz1+Uz2, Uz2+Uz3 dan (Uz1+Uz2+Uz3). Syarat yang perlu diperhatikan dalam penggunaan rangkaian ini adalah arus yang melewati ketiga zener tidak boleh lebih rendah dari Iz minimum dan tidak boleh melewati Iz maksimum. 43

Elektronika -1

Untuk memperoleh tegangan yang lebih stabil dan menghilangkan faktor kerut dari tegangan input, maka digunakan rangkaian seperti gambar 1.25. Adapun syaratnya Uz1 harus lebih besar daripada Uz2.

Gambar 1.25. Rangkaian stabilisator parallel

Dengan mengubah R2 dengan sebuah potensiometer, maka tegangan output rangkaian tersebut dapat diatur dari Uz2 hingga Uz1.

5.

Dioda Emisi Cahaya (LED)

Dioda Emisi Cahaya (Light Emitting Diode= disingkat LED) dikenal dengan istilah lain Solid State Lamp adalah piranti elektronik gabungan elektronik dengan optic (lensa) dan akhirnya dikenal juga sebagai keluarga Opto-Electronic. Simbol dan bentuk fisiknya diperlihatkan seperti gambar 1.26.

Gambar 1.26. Konstruksi dan simbol LED

44

Elektronika -1

Bahan dasar yang digunakan untuk pembuatan LED adalah Galium Arsenida (GaAs) atau Galium Arsenida Phospida (GaAsP) atau juga Galium Phospida (GaP) yang dapat memancarkan cahaya dengan warna yang berbeda. Bahan GaS memancarkan warna infra -merah, Bahan GaAsP warna merah atau kuning sedangkan bahan GaP dengan warna merah atau hijau.

5.1. Batasan kemampuan LED

LED mempunyai batas kemampuan arus maupun tegangan yang dibedakan berdasarkan warna seperti diperlihatkan pada tabel 3 berikut.

WARNA Merah Orange Kuning Hijau

TEGANGAN MAJU 1,8 volt 2,0 volt 2,1 volt 2,2 volt
Tabel 3. Tegangan Maju LED

Standar arus maju LED standar adalah 20 mA. Oleh karena itu dalam penggunaan LED biasanya dihubung seri dengan sebuah hambatan ( R ).

5.2. Penggunaan LED

Penggunaan LED dalam rangkaian elektronik dibagi dalam tiga kategori umum, yaitu a. Sebagai lampu indicator, b. Untuk transmisi signal cahaya yang dimodulasikan dala m suatu jarak tertentu, c. Sebagai penggandeng rangkaian elektronik yang masing-masing terisolir secara total. 45

Elektronika -1

Jika LED digunakan sebagai indicator cahaya dalam suatu rangkaian arus bolak-balik, biasanya dihubungkan parallel dengan sebuah dioda penyearah secara terbalik (anti-parallel) seperti terlihat pada gambar 1.27.

Gambar 1.27. LED sebagai indikator sumber ac

6. Photo Dioda

Secara umum dioda-cahaya ini mirip dengan PN-Junction, perbedaannya terletak pada persambungan yang diberi celah agar cahaya dapat masuk padanya. Konstruksi simbol dan bentuk fisiknya dapat dilihat pada gambar 1.27.

Gambar 1.27. Konstruksi, bentuk fisik dan simbol dioda cahaya

Dioda cahaya ini bekerja pada daerah reverse, jadi hanya arus bocor saja yang melewatinya. Dalam keadaan gelap, arus yang mengalir sekitar 10 ? A untuk dioda cahaya dengan bahan dasar germanium dan 1? A untuk bahan silikon.

46

Elektronika -1

Kuat cahaya dan temperature keliling dapat menaikkan arus bocor tersebut karena dapat mengubah nilai resistansinya dimana semakin kuat cahaya yang menyinari semakin kecil nilai resistansi dioda cahaya tersebut. Penggunaan dioda cahaya diantaranya adalah sebagai sensor dalam pembacaan pita data berlubang (Punch Tape), dimana pita berlubang tersebut terletak diantara sumber cahaya dan dioda cahaya. Jika setiap lubang pita itu melewati celah antara tadi, maka cahaya yang memasuki lubang tersebut akan diterima oleh dioda cahaya dan diubah dalam bentuk signal listrik. Sedangkan penggunaan lainnya adalah dalam alat pengukur kuat cahaya (LuxMeter), dimana dalam keadaan gelap resistansi dioda cahaya ini tinggi, sedangkan jika disinari cahaya resistansinya akan berubah rendah. Dioda cahaya ini banyak juga digunakan sebagai sensor sistem pengaman (security), misal dalam penggunaan alarm.

47

Elektronika -1

RANGKUMAN - 3
1. Dioda zener terbuat dari bahan dasar silicon dengan konsentransi campuran lebih tinggi dari dioda rectifier. 2. Dioda zener bekerja di daerah reverse bias (kuadran III) 3. Dioda zener sering digunakan sebagai penstabil tegangan (voltage Stabilisator) sumber arus searah. 4. Mengingat keterbatasan dioda zener, maka dalam prakteknya harus dihubung seri dengan sebuah tahanan. 5. Dioda Emisi Cahaya (LED) banyak digunakan sebagai indikator cahaya elektronik 6. Kemampuan tegangan setiap LED tergantung dari jenis bahan dasar dan warna cahaya yang dikeluarkannya 7. Dioda cahaya juga bekerja didaerah reverse bias. 8. Dioda cahaya banyak digunakan sebagai piranti sensor system pengaman dan peraba data dari pita berlubang (Punch Tape).

48

Elektronika -1

LEMBAR LATIHAN - 3

1. Dengan alasan apa dioda zener terbuat dari bahan dasar unsur silikon ? 2. Apa yang dimaksud dengan dioda zener bekerja pada kuadran ke III ? 3. Dengan alasan apa, dioda zener harus diserikan dengan sebuah resistor ? 4. Sumber tegangan searah (dc) sebesar 15 volt akan distabilkan oleh sebuah dioda zener sehingga outputnya = 8 volt dc. Identitas dioda zener adalah sebagai berikut Uz = 8 volt, Iz (max.) = 140 mA; Iz(min) = 1,5 mA. Hitung nilai tahanan seri (Rs) minimal dan maksimalnya yang diizinkan dipasang. 5. Dapatkah sebuah LED digunakan sebagai penyearah ? Sebutkan alasan anda.

49

Elektronika -1

JAWABAN LATIHAN - 3
1. Silikon lebih tahan terhadap panas dibandingkan bahan semikonduktor lainnya . 2. Maksud dioda zener bekerja pada kuadran ketiga adalah, karena dia bekerja pada daerah reverse bias. 3. Dalam kerjanya dioda zener harus terhubung seri dengan sebuah resistor dengan alasan guna menghindari arus / tegangan lebih. 4. R min ?

Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 50? Iz ( mak) 140 x10? 3 A Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 4666,66? Iz (min) 1,5x10 ? 3 A

Rmak ?
5.

LED tidak dapat digunakan sebagai dioda penyearah, karena LED mempunyai keterbatasan kemampuan elektrik seperti tegangan dan arus yang relatip kecil.

50

Elektronika -1

LEMBAR KERJA - 3

ZENER DIODA
SEBAGAI PENSTABIL TEGANGAN SEARAH
? TUJUAN Dapat membuktikan dioda zener sebagai penstabil tegangan ? RANGKAIAN PERCOBAAN S A IZ + U A V RL IT R1 A IL

? ALAT DAN BAHAN R1 = 100 ohm RL = 500 3000 ohm (variativ) Z = 1N 4744 / 60 mA atau yang sejenis Us = 0-20 volt dc variable A = mA meter dc V = volt meter dc ? LANGKAH KERJA A. Tegangan sumber berubah, beban tetap

1. Tetapkan R L = 1000 ohm 2. Naikkan tegangan U s hingga Iz = 5 mA 3. Ukur dan catat hasil pengamatan anda untuk besaran UAB, IT dan Us 51

Elektronika -1

4. Atur Iz sesuai tabel A dan catat setiap penunjukkan alat ukur pada tabel A yang tersedia. B. Variasi beban R L 1. Atur Iz = 5 mA dengan RL = 500 ohm , ukur dan catat penunjukkan meter. 2. Ubah RL dari 500 ohm sampai 3000 ohm secara bertahap tanpa mengubah nilai Us. 3. Pada setiap perubahan RL tersebut perhatikan penunjukkan alat ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel B yang tersedia.
?

KESELAMATAN & KESEHATAN KERJA 1. 2. 3. 4. 5. Periksakan rangkaian anda pada instruktur sebelum memulai percobaan. Perhatikan polaritas zener dan alat ukur agar tidak terbalik ! Perhatikan penunjukkan A-meter (Iz) ! Hentikan pengukuran (percobaan) jika Iz menuju nilai maksimal (60 mA) ! Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula !

? TABEL PENGUKURAN

TABEL A UAB

RL = 1000 ohm Iz 5 10 15 20 25 30 40 50 60 IL IT US

52

Elektronika -1

TABEL B RL 500 1000 1500 2000 2500 3000 Iz IT UAB US

? KOMENTAR DAN KESIMPULAN

53

Elektronika -1

KEGIATAN BELAJAR - 2

TRANSISTOR BIPOLAR
TUJUAN
Setelah mempelajari topik ini, maka diharapkan anda dapat : ? Memahami prinsip kerja transistor bipolar ? Mengidentifikasi transistor bipolar ? Menguji transistor bipolar ? Menggunakan transistor bipolar dalam rangkaian elektronik

54

Elektronika -1

1. PENDAHULUAN

ransistor adalah piranti elektronik yan g menggantikan fungsi tabung elektron-trioda, dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda , yaitu Emiter, Kolektor dan Basis.

Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier), namun dikarenakan sifatnya, transistor ini dapat digunakan sebagai saklar elektronis. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N seperti digambarkan pada gambar 2.1.

Gambar 2.1. Susunan fisik lapis transistor

Sedangkan gambar rangkaian penggantinya sama dengan dua buah dioda yang dipasang saling bertolak seperti terlihat pada gambar 2.2.

Gambar 2.2. Rangkaian pengganti transistor

Gambar 2.3. berikut memperlihatkan beberapa bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar, dikatakan bipolar karena terdapat dua pembawa muatan , yaitu elektron bebas dan hole. Sedangkan jenisnya ada dua macam, yaitu jenis PNP dan NPN yang simbolnya diperlihatkan pada gambar 2.4.

55

Elektronika -1

Gambar 2.3. Bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar

Gambar 2.4. Simbol transistor

Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya, kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan, namun pada dasarnya karena transistor i i tidak tahan terhadap temperatur, maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan n logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink).

56

Elektronika -1

2. PENENTUAN ELEKTRODA TRANSISTOR

Spesifikasi transistor yang lengkap dapat anda peroleh dari buku petunjuk transistor, dimana dalam buku tersebut akan anda peroleh karakteristik fisik dan listrik suatu jenis transistor bahkan dilengkapi dengan transistor ekuivalennya. Berikut ini adalah gambaran spesifikasi transistor yang banyak digunakan khususnya dalam penentuan elektroda dari transistor tersebut.

Gambar 2.5. Elektroda transistor

3. PENGKODEAN TRANSISTOR

Hampir sama dengan pengkodean pada dioda, maka huruf pertama menyatakan bahan dasar transistor tersebut, A = Germaniun dan B = Silikon, sedangkan huruf kedua menyatakan penerapannya. Berikut ini adalah huruf-huruf kedua yang dimaksud : C = transistor frekuensi rendah D = transistor daya untuk frekuensi rendah F = transistor frekuensi tinggi L = transistor daya frekuensi tinggi Contoh penerapan kode ini diantaranya adalah BF 121, AD 101, BC 108 dan ASY 12.

4. PENGUJIAN TRANSISTOR

Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda, maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. 57

Elektronika -1

Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. Salah pemasangan pada rangkaian b. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c. Pengujian yang tidak professional Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tig a jenis, yaitu : a. Pemutusan b. Hubung singkat c. Kebocoran Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut, tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. Gambar 3.6. memperlihatkan kembali rangkaian d ioda transistor PNP yang akan dijadikan referensi pengujian transistor. Collector

Base

PNP Transistor

Emitter
Gambar 2.6. Dioda Transistor

Guna mempermudah cara pengujian, berikut ini diberikan contoh hasil pengujian transistor ASY 12 dan BC 108 dengan menggunakan ohmmeter.

58

Elektronika -1

ELEKTRODA

ARAH REVERSE

ASY 12 2,5 M? 50 ? 3 M? 55 ? 200 k? 8 k?

BC 108 ? 15 ? ? 18 ? 5 M? 4 M?

RANGE OHMMETER x 1 k? x 10 ? x 1k? x 10 ? x 1 k? x 1 k?

C B

FORWARD REVERSE

E B

FORWARD REVERSE

CE

FORWARD

Dari tabel pengujian ternyata terdapat perbedaan besar antara nilai hambatan untuk arah forward dan hambatan untuk arah reverse. Pada pengukuran elektroda C dan B untuk transistor BC 108 (silicon) dengan arah reverse diperoleh nilai hambatan yang besar ( ) dan jika pada pengukuran ini ternyata ? nilai tersebut rendah, maka dapat kita nyatakan adanya kebocoran transistor antara kaki kolektor dan basisnya. Hal lain yang perlu diperhatikan dalam pengujian transistor dengan ohmmeter adalah posisi RANGE ohmmeter tersebut, karena kesalahan range akan menimbulkan kerusakan p ada transistor yang diuji. Cara pengujian lain transistor adalah dengan menggunakan alat elektronik yang dikenal sebagai Transistor Checker. Kondisi transistor dapat juga anda uji ketika transistor tersebut sedang bekerja dalam suatu rangkaian, yaitu den gan mengukur tegangan antara basis dan emitter. Tegangan antara basis dan emitter ini normalnya untuk transistor germanium adalah 0,3 volt sedangkan tegangan basis emitter untuk jenis silicon sekitar 0,6 volt. Jika jauh lebih rendah atau lebih tinggi dari harga tersebut, maka transistor tersebut sedang dalam kondisi tidak normal atau rusak.

59

Elektronika -1

5. NILAI BATAS SUATU TRANSISTOR

Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Suhu maksimal sutu transis tor Germanium adalah sekitar 75 o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150 o C. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor, harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan penyaluran panas. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. Selain itu ada juga biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas.

6. PRINSIP KERJA TRANSISTOR

Untuk memberi gambaran bagaimana suatu transistor bekerja, pada gambar 2.7 diperlihatkan operasi dasar sederhana transistor jenis PNP.

Gambar 2.7. Operasi dasar transistor

Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung, sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. 60

Elektronika -1

Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. Jika sekarang kedua potensial secara bersama dipasang seperti gambar 2.8, maka akan tampak kedua aliran mayoritas dan minoritasnya.

Gambar 2.8. Aliran mayoritas dan minoritas

Pada gambar terlihat sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (IB) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis, maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff, maka

I E = IC + IB

Jika besar tegangan antara kolektor dan basis (UCB ) konstan, maka perbandingan perubahan arus kolektor IC dengan perubahan arus emitter IE disebut faktor penguatan basis bersama dan diberi simbol ? (alpha) dan besarnya berkisar dari 0 sampai

0,998. Secara pendekatan rumus alpha ini adalah

? ?

IC IE

Harga ?

lebih besar dari nol tapi lebih kecil dari satu sehingga sering ditulis sebagai 0< ? < 1 61

Elektronika -1

7. KONFIGURASI PENGUAT TRANSISTOR

Transistor adalah piranti aktif, dimana outputnya adalah merupakan hasil perubahan dari inputnya. Dengan membandingkan antara output dengan inputnya, maka akan diperoleh factor penguatan (amplification). Dengan demikian, maka transistor ini dibuat atau dipersiapkan sebagai piranti penguat. Sebagai piranti elektronik, transistor mempunyai tiga elektroda yang tersusun sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai sebuah penguat. Ada tiga system sambungan (konfigurasi) dari penguat transistor, yaitu konfigurasi Basis Bersama (Common Base), Emiter Bersama (Common Emitter) dan Kolektor Bersama (Common Collector).

7.1. Konfigurasi Basis Bersama Rangkaian pada gambar 2.9. memperlihatkan rangkaian konfigurasi Basis Bersama (CB) dengan potensial UEB dan UCB untuk kedua jenis transistor PNP dan NPN. Untuk jenis PNP, emiter positip terhadap basis sedangkan kolektornya negatip. Sedangkan untuk jenis NPN sebaliknya emitter negatip terhadap basis dan kolektornya positip.

Gambar 2.9. Konfigurasi Basis Bersama

62

Elektronika -1

Karakteristik input atau karakteristik emitter konfigurasi basis bersama diperlihatkan pada gambar 2.10.

Gambar 2.10. Karakteristik input konfigurasi basis bersama (CB)

Dari karakteristik terlihat bahwa dalam mode arus searah, tegangan hantar untuk sambungan basis ke emiter sekitar 0,6 s/d 0,7 volt, ini menandakan berlaku bagi bahan dasar silikon, sedangkan untuk bahan dasar germanium sekitar 0,3 volt.

7.2. Konfigurasi Emiter Bersama

Konfigurasi emitter bersama (CE) sambungannya diperlihatkan pada gambar 2.11. tampak bahwa emitter digandeng bersama baik dengan kolektor maupun basisnya.

63

Elektronika -1

Gambar 2.11. Konfigurasi Emiter Bersama (CE)

Karakteristik kolektor tipe NPN atau karakteristik outputnya diperlihatkan pada gambar 2.12. Karakteristik output ini melukiskan arus output IC yang merupakan fungsi dari tegangan output U CE untuk harga arus input IB yang bervariasi.

Gambar 2.12. Karakteristik Output Emiter Bersama

64

Elektronika -1

Perbandingan arus kolektor dengan arus basis dengan tegangan kolektor-emiter konstan disebutkan sebagai faktor penguatan arus maju emiter bersama disimbolkan dengan huruf Yunani ? (betha). Hubungan faktor penguatan ? dengan ? dituliskan sebagai

? ?
? ?

? 1? ?
? ? ?1

atau

7.3. Konfigurasi Kolektor Bersama

Konfigurasi kolektor bersama (CC) sambungannya diperlihatkan seperti gambar 2.13. Konfigurasi ini sering digunakan sebagai penyama-impedansi (matchingimpedance), dimana dengan impedansi input tinggi dan outputnya rendah.

Gambar 2.13. Konfigurasi Kolektor Bersama (CC)

Karakteristik output konfigurasi CC serupa dengan karakteristik output CE. 65

Elektronika -1

8. PENGGUNAAN TRANSISTOR

Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor, maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan signal-signal, daya, arus, tegangan dan sebagainya. Namun dikarenakan karakteristik listriknya, penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan. 8.1.Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube), maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik, dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik, seperti :

a. Fisik relative jauh lebih kecil, b. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. c. Lebih ekonomis.

Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2.14., dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya.

Gambar 2.14. Prinsip Saklar Transistor

Kondisi OFF terjadi jika IC . RL = 0, dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor, sehingga tegangan UCE = UCC. 66

Elektronika -1

Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . R L = UCC , dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0. Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade , yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2.15., dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor 1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).

Gambar 2.15. Rangkaian Kaskade Transistor

8.2.Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator)

Gambar 2.16. Regulator Tegangan dengan Transistor

67

Elektronika -1

Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban R L, maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama, kar ena UZ tetap konstan sedangkan Ui = U CB + U Z. Pada saat terjadi perubahan tegangan ini, Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB.

68

Elektronika -1

RANGKUMAN 4
1. Transistor mempunyai tiga buah elektroda, yaitu Emiter, Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN 2. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus, tegangan, daya (Amplifier) 3. Karena karakteristik listriknya, transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. 4. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse), 5. Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75 o C, sedangkan silicon sekitar 150 o C 6. Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan, maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat Sink, Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. 7. Ada tiga konfigurasi penguat transistor, yaitu konfigurasi basis bersama, emitter bersama dan kolektor bersama. 8. Penguatan arus konfigurasi basis bersama (CB) disimbolkan dengan huruf Yunani ? berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol atau dituliskan 0<? <1. 9. Penguatan arus konfigurasi emitter bersama (CE) disimbolkan dengan huruf Yunani ? bernilai lebih besar dari satu bahkan puluhan dan ratusan. 10. Hubungan antara ? dan ? dituliskan sebagai

? ?
? ?

? 1? ?
? ? ?1

atau

Selain sebagai penguat (amplifier) sering digunakan sebagai saklar elektronis dengan pertimbangan tidak memercikan api saat pengontakan, lebih kecil dan ekonomis. 11. Penggunaan lainnya adalah sebagai pengatur arus (current regulator) pada penstabil arus searah.

69

Elektronika -1

LEMBAR LATIHAN - 4

1. Sebutkan perbedaan antara transistor PNP dengan transistor NPN ! 2. Ceriterakan prinsip kerja suatu transistor ! 3. Apa yang dimaksud dengan 0 < ? < 1 ? 4. Apa yang dimaksud dengan istilah rangkaian kaskade dalam rangkaian transistor ? 5. Kenapa dalam penggunaan transistor sering dipasang alat pendingin ? 6. Jika diketahui nilai ? suatu transistor = 0,995 berapakah nilai ? -nya ? 7. Sebutkan kemungkinan kerusakan transistor dan penyebabnya ! 8. Sebutkan keuntungan saklar elektronis dibandingkan dengan saklar mekanik !

70

Elektronika -1

JAWABAN LATIHAN - 4
1. Perbedaan tarnsstor PNP dan NPN selain konstruksinya adalah pada pemberian bias-nya saja. 2. Prinsip kerja transistor adalah

Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung, sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. Jika pemberian biasnya sekarang adalah seperti gambar berikut, maka pada gambar terlih at sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (I B) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C).

71

Elektronika -1

Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis, maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff, maka

I E = IC + IB 2. Yang dimaksud dengan 0<? <1 adalah bahwa nilai ? selalu berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol. 3. Rangkaian kaskade adalah rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri.

4. Karena transistor tidak tahan terhadap panas, maka diperlukan pendingin bantuan, misal menggunakan sirip -sirip heat-sink. 5. ? = 199 7. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : 72

Elektronika -1

a. Salah pemasangan pada rangkaian b. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c. Pengujian yang tidak professional

8.

a.

Fisik relative jauh lebih kecil,

b. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. c. Lebih ekonomis.

73

Elektronika -1

LEMBAR KERJA - 4
TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR

TUJUAN Setelah menyelesaikan percobaan ini diharapkan anda : Dapat membuktikan fungsi transistor sebagai saklar elektronik

RANGKAIAN PERCOBAAN

ALAT DAN BAHAN Us = dc Power Suplly regulated 0- 10 volt Q = transistor BC 108 A1 = ? A meter A2 = mA meter V1 dan V2 = V meter dc Rp = Potensiometer linear minimal 50 ohm R1 = 220 ohm R2 = 100 ohm R3 = 200 ohm 74

Elektronika -1

LANGKAH KERJA 1. Buat rangkaian seperti gambar 2. Hidupkan saklar 3. Atur potensiometer sehingga UBE naik secara bertahap dari 0 sampai 1,0 volt 4. Pada setiap pengaturan langkag ke 4 di atas, perhatikan penunjukkan instrument ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel yang tersedia 5. Buat grafik hubungan antara UBE dengan UCE : UCE = f (UBE) 6. Beri kesimpulan dan komentar anda terhadap hasil percobaan tersebut !

KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1. 2. 3. 4. Perhatikan pengkutuban sumber daya, alat ukur dan kaki transistor Periksakan rangkaian anda ke instruktur Ikuti prosedur dengan benar dan teliti Kembalikan alat dan bahan jika selesai percobaan pada tempat semula

o UBE 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1.0

TABEL PENGUKURAN IB UCE IC IC.R3

75

Elektronika -1

GRAFIK UCE = f (UBE)

o KOMENTAR DAN KESIMPULAN

76

Elektronika -1

III. EVALUASI

valuasi ini bertujuan untuk mengukur kemampuan atau kompetensi anda setelah lengkap mengikuti atau mempelajari semua kegiatan belajar (Kegiatan Belajar 1 sampai 2), dimana evaluasi ini meliputi evaluasi terhadap

Pengetahuan, Keterampilan dan Sikap diri anda. Khusus untuk menilai sikap dapat dinilai dari perilaku kerja anda dalam pemahaman dan kepatuhan terhadap prosedur kerja yang telah ditentukan termasuk kepedualian anda terhadap Keselamatan dan Kesehatan Kerja.

A. EVALUASI PENGETAHUAN

1. Kenapa bahan semikonduktor atau piranti elektronik tidak tahan terhadap kenaikan temperatur ? 2. Ceriterakan pengaruh pemberian bias terhadap PN Dioda baik arah mundur dan maju ! 3. Bagaimana anda mengatasi nilai Peak Inverse Vo ltage (PIV) suatu dioda ? 4. Sebuah dioda zener dengan ciri Uz = 8 volt; Iz (max) = 50 mA dihubungkan dengan sebuah sumber tegangan searah Us = 12 volt. Hitung nilai tahanan shunt (Rs) minimal agar dioda zener tersebut aman bekerja. 5. Sebutkan beda transistor PNP dengan NPN ! 6. Untuk apa pendingin transistor dibuat ?

77

Elektronika -1

B. EVALUASI KETERAMPILAN

Untuk evaluasi keterampilan diberikan lembar kerja sebagai berikut : Lakukan pengujian transistor Jenis germanium dan silikon dengan menggunakan multitester (ohmmeter) den gan ketentuan sebagai berikut :

1. Tentukan sendiri jenis transistornya PNP atau NPN 2. Perhatikan polaritas dan kaki-kakinya 3. Jangan gunakan range ohm, dimana skala tengahnya lebih kecil dari 100 ohm 4. Gunakan tabel pengujian di bawah ini.

ELEKTRODA

ARAH REVERSE

R Germaium

R Silikon

RANGE OHMMETER

C B

FORWARD REVERSE

EB

FORWARD REVERSE

C E

FORWARD

5. Beri kesimpulan pengujian anda.

78

Elektronika -1

LEMBAR PENILAIAN
MODUL NAMA SISWA NAMA ASSESOR : ELEKTRONIKA - 1 : . : .

Bubuhkan tanda thick (? ) pada tabel berikut : No. Methoda Penilaian KOMPETEN 1. Tertulis

BELUM KOMPETEN

KETERANGAN

2.

Praktik

HASIL ; ? KOMPETEN ? BELUM KOMPETEN

Catatan

.. .. .. ..

, .. 200

Siswa,

Assesor,

..

79

Elektronika -1

DAFTAR PUSTAKA

Boylested, Robert L. dan Louis Nashelky, Electronic Devices and Circuit Theory, 1982, Prentice-Hall, New Jersey Dirksen, AJ, Pelajaran Elektronika Jilid 3, terjemahan Haroen, 1982, Penerbit Erlangga, Jakarta Erawan, Bambang. Drs., Dasar Elektronika 1 dan 2, PPPG Teknologi Bandung, 1992, Bandung Floyd, Thomas L, Electronic Devices, Charlkes E. .Merril Publishing Company, 1984, Toronto-London-Sidney Maloney,J.Timothy, Industrial Solid State Electronics, Prentice-Hall, 1979, NewJersey Morris, Noel, Control Engineering, Mc. Graw Hill Book Company (UK) Limited, 1974, London Villanucci et.al., Electronic Techniques, Prentice Hall, 1981, Welington - New Zealand Zbar, Paul B.,Basic Electronics, EIA-Mc. Graw Hill Co., 1976, USA

80

Elektronika -1

STORY BOARD
Judul Modul Pembelajaran Bidang Keahlian Program Keahlian : ELEKTRONIKA - 1 : LISTRIK : PEMANFAATAN ENERJI LISTRIK

SIMULASI PEMBELAJARAN SESUAI URUTAN TOPIK Simulasi praktek Animasi evaluasi URUTAN No. 1. PEMBELAJARAN DESKRIPSI MATERI NARASI Berisi tentang penje lasan target pembe lajaran Berisi tentang prasyarat yang diperlukan sebe lum mempelajari mo dul, khususnya tentang penguasaan terhadap peralatan ukur dan respek terhadap kesela matan kerja KET. Skor SIMULASI gambar latihan

video

2.

PRASYARAT

audio

81

Elektronika -1

3.

PETA MODUL

4.

5.

KEDUDUKAN Peta ini menunjukkan posisi modul yang akan dipelajari, khususnya memperlihatkan arah tujuan pencapaian kom petensi atau peranan modul dalam mencapai kompetensi akhir PERISTILAHAN Berisikan terminologiterminologi yang digu nakan dalam ilmu elektronika atau tek nologi pada umumnya. KEGIATAN BELAJAR-1 Berjudul Teori Atom dan Dioda Semikon duktor, yang berisikan teori atom serta kejadian-kejadian pengutuban bahan semi konduktor , prinsip dioda PN, sifat, apli kasi dalam rangkaian. Selain itu dilengkapi dengan latihan dan lembar praktik.

82

Elektronika -1

6.

KEGIATAN BELAJAR-2

7.

EVALUASI AKHIR

Berjudul Transistor Bi polar, berisikan tentang prinsip kerja transis tor,fisik, cara pengu jian, aplikasi dalam rangkaian. Selain itu di lengkapi dengan la tihan dan lembar prak tik. Terdiri atas dua meto da, yaitu teoritis dan praktik.

83

MODUL PEMBELAJARAN
KODE : MKH.LD ( 1).14 ( 40 Jam )

RANGKAIAN PENYEARAH

BIDANG KEAHLIAN : KETENAGALISTRIKAN PROGRAM KEAHLIAN : TEKNIK PEMBANGKITAN

PROYEK PENGEMBANGAN PENDIDIKAN BERORIENTASI KETERAMPILAN HIDUP

DIREKTORAT PENDIDIKAN MENENGAH KEJURUAN DIREKTORAT JENDERAL PENDIDIKAN DASAR DAN MENENGAH

DEPARTEMEN PENDIDIKAN NASIONAL 2003

KATA PENGANTAR
Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial, sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis.

Dalam penggunaannya, bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya, yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta, kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat, guna merealisasikan penyelenggaraan

pembelajaran di SMK. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK.

Demikian,

mudah-mudahan

modul

ini

dapat

bermanfaat

dalam

mendukung

pengembangan pendidikan kejuruan, khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat.

Jakarta, 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur,

Dr. Ir. Gator Priowirjanto NIP 130675814

Rangkaian Penyearah

DAFTAR ISI
Halaman i ii iv vi 1 1 1 2 2 3 5 6 6 6 6 6 18 19 19 19 26 27 27 27

KATA PENGANTAR DAFTAR ISI ... PETA KEDUDUKAN MODUL PERISTILAHAN .. I PENDAHULUAN

A. Deskripsi . B. Prasyarat . C. Petunjuk Penggunaan Modul . D. Tujuan Akhir.. E. Standar Kompetensi.. F. II Cek Kemampuan ...

PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR. KEGIATAN BELAJAR 1 A. B. C. Tujuan Kegiatan . Uraian Materi . Test Formatif 1 ..

KEGIATAN BELAJAR 2 A. B. C. Tujuan Kegiatan ... Uraian Materi . Test Formatif 2 ..

KEGIATAN BELAJAR 3 A. B. Tujuan Kegiatan ... Uraian Materi .

ii

Rangkaian Penyearah

KEGIATAN BELAJAR 4 A. B. C. Tujuan Kegiatan ... Uraian Materi . Test Formatif 4 ..

31 31 31 34 35 35 35 43 45 45 45 52 52 52 59 63 67

KEGIATAN BELAJAR 5 A. B. C. Tujuan Kegiatan ... Uraian Materi . Test Formatif 5 ..

KEGIATAN BELAJAR 6 A. B. Tujuan Kegiatan ... Uraian Materi .

KEGIATAN BELAJAR 7 A. B. III Tujuan Kegiatan ... Uraian Materi .

EVALUASI .. KUNCI JAWABAN

DAFTAR PUSTAKA . LAMPIRAN

iii

PERISTILAHAN (GLOSSARY)
Forward Bias : Arah maju aliran arus dari anoda ke katoda, saat anoda lebih positip Reverse Bias Average : : Arah mundur /balik bila katoda lebih positip dari anoda menunjukkan bentuk gelombang harga arus Searah a.. 0,637 x harga puncak untuk gelombang penuh b. 0,318 x harga puncak untuk setengah gelombang Rms : Root mean square, harga efektif gelombang ac

a. 0,707 x harga puncak untuk gelombang penuh b. 0,5 x harga puncak untuk setengah gelombang Inverted IB IC IE IL IQ Iz PIV : : : : : : : : Keluaran /output berlawanan polritas dengan masukan/ input Arus basis Arus kolektor Arus Emitor Arus beban Arus diam regulator / quiscent Arus zener dioda Peak Inverse Voltage ,tegangan balik maksimum saat Dioda arah mundur Ripple Reg. RL V.Reg Uz=Vz ZD : : : : : : Tegangan kerut, fluktuasi atas dan bawah , harga rata- rata Regulator / pengatur Tahanan beban Tegangan keluaran output dari regulator Tegangan Zener dioda Zener dioda

Rangkaian Penyearah

I. PENDAHULUAN
Dalam Sistem Pelatihan Berbasis Kompetensi, modul atau unit ini menggunakan pendekatan kompetensi yang merupakan salah satu cara untuk menyampaikan atau mengajarkan pengetahuan , ketrampilan dan sikap kerja yang dibutuhkan dalam suatu pekerjaan . Dalam sistem pelatihan Berbasis Kompetensi, Standar kompetensi diharapkan dapat menjadi panduan bagi peserta pelatihan untuk dapat : ? mengidentfikasikan apa yang harus dikerjakan oleh peserta pelatihan ? mengidentifikasikan apa yang telah dikerjakan peserta pelatihan ? memeriksa kemajuan peserta pelatihan ? meyakinkan bahwa semua elemen dan kriteria unjuk kerja telah dimasukkan dalam pelatihan dan penilaian.

A. DESKRIPSI MODUL
Modul ini berjudul Rangkaian Penyearah dipersiapkan untuk siswa Sekolah menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pembn\angkitan Level 1 Unit atau modul ini berkaitan dengan pemahaman tentang prosedur pemeliharaan Catu Daya Arus Searah atau DC Power pada stasiun pembangkit.Pekerjaan ini mencakup identifikasi komponen Catu Daya dan prosedur bongkar pasang komponen catu daya sesuai standar dan peraturan yang berlaku serta pembuatan laporan pelaksanaan pekerjaan Modul ini bertujuan mempersiapkan seorang pengajar / guru atau teknisi listrik yang kompeten dalam memahami aplikasi rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasa .

B. PRASYARAT ( KEMAMPUAN AWAL )

Peserta pelatihan / Siswa harus sudah memiliki kemampuan awal materi sebagai berikut: ? Dasar dasar Teknik Listrik ? Membaca gambar /simbol listrik ? Pengukuran Listrik ? Komponen dan Piranti Elektronik penguasaan

Rangkaian Penyearah

C. PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL

1. Modul ini dapat anda gunakan secara klsikal ataupun individual, dimana setiap Kompetensi / Sub.Kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas-tugas atau Tes yang tedapat dalam modul ini. 2. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan komponen ,alat ukur dan contoh model Catu Daya atau Trainer elektronik dan sumber daya searah maupun bolak bali yang tetap maupun variabel. 3. Penilaian unit ini dapat dilakukan oleh Guru/Asesor, Asosiasi atau industri tempat bekerja. Penilaian seharusnya meliputi penilaian kemampuan praktek unjuk kerja dan penilaian pokok-pokok pengetahuan dengan beberapa metode penilaian. Fokus penilaian ini sebaiknya mencakup: ? adanya integrasi antara teori dan praktek ? penekanan pada prosedur disamping hasil

D. HASIL BELAJAR / TUJUAN AKHIR

Setelah tuntas mempelajari modul ini peserta diharapkan mampu : 1. Mengindentifikasi simbol-simbol komponen Catu Daya 2. Mengindentifikasi komponen-komponen Catu Daya sesuai dengan spesifiksinya 3. Menerapkan Fungsi komponen Penyearah dan Regulator pada rangkaian Catu Daya sesuai standar 4. Menganalisis prinsip kerja Rangkaian Penyearah satu fasa , tiga fasa dan regulator 5. Melakukan pemeliharaan Catu Daya dengan prosedur yang benar

Rangkaian Penyearah

E. STANDAR KOMPETENSI
Kode Kompetensi Unit Kompetensi : K.HLD. (1) : Memlihara Rangkaian Penyearah ( Rectifier )

Elemen Kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja Adapun eleme n kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja yang harus dicapai melalui modul ini adalah sebagai berikut Sub Kompetensi / Elemen
1.0 Mengidentifikasi komponen utama rangkaian penyearah satu fasa,tiga fasa dan regulator 1.1

Kriteria Unjuk Kerja

Jenis dan spesifikasi kompenen penyearah diidentifikasi dan dijelaskan perisip kerjanya Jenis dan tipe filter yang digunakan di indentifikasi Prinsip kerja Peneyearah satu fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan Prinsip kerja Peneyearah tiga fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan

1.2

2.0. Menganalisa rangkaian penyearah satu fasa dan tiga fasa

2.1

2.2

30..Menganalisa rangkaian regulator transistor dan IC regulator

3.1 3.2

Funsi rangkaian regulator dijelaskan Suatu fungsi IC regulator tegangan tetap dan tegangan dapat diatur dijelaskan penerapannya.

4.0

Mengidentifikasi kerusakan komponen utama rangkaian penyearah satu fasa,tiga fasa dan regulator

4.1

4.2

Jenis kerusakan kompenen penyearah, regulator diidentifikasi dan dijelaskan Penyebab kerusakan komponen dianalisa dan dijelaskan

5.0

.Menganalisa gangguan rangkaian penyearah satu , tiga fasa dan regulator

5.0. Gangguan pada rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasadi analisa dan dijelaskan 5.1. Gangguan pada rangkaian regulator transistor dan IC regulator dianalisa dijelaskan

Rangkaian Penyearah

Pengetahuan

Memahami susunan konstruksi komponen DC power , perinsip kerja rangkaian penyearah pada catu daya dan perlengkapan kerja pemeliharaan DC power. Menganalisa gangguan rangkaian catu daya ( DC power ) dan m elakukan bongkar pasang komponen / unit peralatan catu daya sesuai dengan prosedur dan rencana kerja pemeliharan Membongkar dan memsang komponen catu daya dilakukan secara cermat berdasarkan prosedur kerja serta mentaati prosedur keselamatan kerja MKH.LD (1) 14

Ketrampilan

Sikap

Kode Modul

Rangkaian Penyearah

F. Check List Kemampuan Kegitan Pembelajaran

Elemen PENGUASAAN Kriteria Unjuk Kerja
1.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya 1.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.2 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda, resistor,kapasitor dan induktor dijelaskan 2.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan

Catatan Ya Tidak

2.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah

30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa

3.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan

4.0 Menguasai prosedur pemeliharaan catu daya

4.1

Melakukan dan

pemeliharan

perbaikan catu daya sesuai SOP

Rangkaian Penyearah

II. PEMBELAJARAN

KEGIATAN BELAJAR 1

PENYEARAH
TUJUAN :

Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? ? Menghitung tegangan dan arus beban. Menghitung tegangan dan arus dioda. Menentukan batas tegangan balik (revers) dioda dalam rangkaian penyearah setebgah gelombang dan gelombang penuh. Membuat hubungan rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.

1.1 DIODA SEBAGAI PENYEARAH

Dioda semikonduktor

Bahan dasar yang banyak digunakan untuk membuat piranti elektronik adalah bahan semikonduktor germanium (Ge) dan silikon (Si), yang mana kedua bahan ini mempunyai elektron valensi yang sama. Sambungan bahan semikonduktor P dan N mendasari suatu piranti elektronik aktif yang disebut sebagai Dioda. Dioda mempunyai elektroda Anoda yang berkutub positif dan elektroda Katoda yang berkutub negatif. Simbol dioda diperlihatkan seperti pada gambar 1.1.

Rangkaian Penyearah

Gambar 1.1 Simbol Dioda

A. Bias Maju Dioda Jika anoda dihubungkan pada polaritas positif batere, sedangkan katoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.2, maka keadaan dioda disebut arah maju (forward-bias) aliran arus dari anoda menuju katoda, dan aksinya sama dengan rangkaian tertutup

Gambar 1.2 Bias maju-Saklar on

I Forward

U
Gambar 1.3 Kurva Hubungan arus dan tegangan bias maju

Rangkaian Penyearah

B. Bias Mundur Dioda Jika katoda dihubungkan pada polaritas positif batere, sedangkan anoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.4, maka keadaan dioda disebut arah mundur (reverse-bias) dan aksinya sama dengan rangkaian terbuka.

Gambar 1.4 Bias mundur Saklar off

Sebagai sifat dioda, pada saat reverse, nilai tahanan dioda relatif sangat besar dan dioda ini tidak dapat menghantarkan arus. Gambar 1.5 memperlihatkan kurva pada saat reverse . Harga-harga nominal baik arus maupun tegangan tidak boleh dilampaui, karena akan mengakibatkan rusaknya dioda. -U

Reverse

-I
Gambar 1.5 Kurva Hubungan arus dan tegangan b ias maju

Secara umum dioda digunakan sebagai penyearah (rctifier) arus/tegangan arus bolak balik (AC) satu fasa atau tiga fasa kedalam bentuk gelombang arus searah (DC).

Rangkaian Penyearah

Pada dasarnya penyearahan ini ada dua macam yaitu : ? ? Penyearah setengah gelombang (half wave rectifier) Penyearah gelombang penuh (full wave rectifier)

1.2

PENYEARAH (RECTIFIER)
Tegangan arus searah biasanya dibutuhkan untuk mengoperasikan peralatan elektronik, misalnya pesawat amplifier, peralatan kontrol elektronik, peralatan komunikasi dan sebagainya. Catu daya arus searah (DC) dapat dipeloreh dari batere atau dari sumber daya listrik 220/240 Volt Ac 50 Hz yang dirubah menjadi arus searah melalui rangkaian penyearah (rectifier). Pada sistem rangkaian penyearah ada 4 fungsi dasar yang dibahas, yaitu : ? ? ? ? Tranformasi tegangan yang diperlukan untuk menurunkan tegangan yang diinginkan. Rangkaian penyearah , rangkaian ini untuk mengubah tingkat tegangan arus bolak balik ke arus searah. Filter, merupakan rangkaian untuk memproses fluktuasi penyearahan yang menghasilkan keluaran tegangan DC yang lebih rata. Regulasi, adalah parameter yang sangat penting pada catu daya dan regulator tegangan dengan bahan bervariasi.

1.2.1 PENYEARAH SETENGAH GELOMBANG

Contoh sederhana rangkaian penyearah setengah gelombang diperlihatkan seperti gambar 1.6

Us +
Time Us

Diode

RL

common
Gambar 1.6 Rangkaian Penyearah setengah gelombang

Rangkaian Penyearah

Jika dioda dalam kondisi menghantar (conduct) pada setengah perioda positif, dioda tersebut pada keadaaan forward biased sehingga arus mengalir dan melewati tahanan beban R L. Pada saat setengah perioda negatif, dioda bersifat menghambat (reverse bised) nilai tahanan dioda sangat tinggi dan dioda tidak menghantar. Secara praktis, tegangan keluaran (UL) hampir sama dengan sumber Us Drop tegangan pada dioda lebih kurang 700mV. Gambar 1.7 memperlihatkan bentuk gelombang proses penyearahan setengah gelombang.

Gambar 1.7 Bentuk Gelombang Output Penyearah Setengah Gelombang

Untuk menghitung besarnya harga rata-rata dari signal yang disearahkan, kita dapat menghitung dari luas kurva seperti pada gambar 1.8

Gambar 1.8 kurva harga rata-rata

10

Rangkaian Penyearah

Tegangan AC selalu diasumsikan harga RMS (Urms ) harga efektif RMS = 0,5 x harga puncak (Um) (Udc) harga rata-rata = 1/? x Um = 0,318 x Um tegangan maximum Um = 1,414 x Ueff disipasi daya pada beban dapat dihitung dari harga RMS tegangan dan arus pada beban. Daya = Um x Im Um Im = -----RL Udc Idc = -----RL

Arus yang melalui rangkaian seri adalah sama. Hal yang perlu diperhatikan dalam penyearahan ini adalah besarnya tegangan balik maksimum (PIV) dari dioda yang digunakan minimal harus sama besarnya dengan tegangan maksimum AC yang akan disearahkan.

Contoh soal 1. Tentukan tegangan rata-rata (Udc) yang melalui beban pada gambar 1.9 dibawah ini, bila : Ueff = 20 volt Drop tegangan dioda 0,8 volt.

Us Us

U dioda = 0,8 V

Time

Gambar 1.9

11

Rangkaian Penyearah

Penyelesaian : Um = 1,414 x Ueff = 1,414 x 20 volt = 28,28 V

Um (beban) = (Um 0,8) volt = 28,28 0,8 = 27,48 V

Udc = 0, 318 x Um = 0, 318 x 27,48 = 8,74 V

1.2.2 PENYEARAH GELOMBANG PENUH

Rangkaian penyearah gelombang penuh dapat diperoleh dengan dua cara. Cara pertama memerlukan transformator sadapan pusat (Centre Tap-CT). Cara yang lain untuk mendapatkan keluaran (output) gelombang penuh adalah dengan menggunakan empat dioda disebut penyearah jembatan (rectifier bridge). A. Rangkaian Penyearah Centre tap Penyearah gelombang penuh dengan menggunakan transformator sadapan pusat ( Center Tap ) diperlihatkan seperti gambar 1.10 dan 1.11 D1 A
R L

D2 B

Gambar 1.10 Penyearah dengan Trafo CT

12

Rangkaian Penyearah

Bila U1 dan U2 mempunyai polaritas, ujung A berpolaritas positif dan ujung B berpolaritas negatif. Pada saat ini D1 menghantar (conduct) sedangkan D2 tidak menghantar (reverse biased). Pada saat A berpolaritas negatif , sedang B berpolaritas positif, pada saat ini D2 menghantar sedangkan D1 tidak menghantar . Bentuk gelombang input dan output ditunjukkan seperti terlihat pada gambar 1.11

Gambar 1.11 Bentuk gelombang Penyearah gelombang penuh

Harga tegangan dapat dihitung : Ueff = 0,707 x Um Udc = 0,636 x Um Harga arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : Um Im = --------RL Udc Idc = ---------RL

13

Rangkaian Penyearah

Soal latihan :

1. Dari gambar 1.12 tentukan : a) Harga tegangan maksimum lilitan sekunder trafo b) Harga tegangan maksimum pada beban bila drop tegangan dioda 0,6 volt c) Harga arus maksimum d) Harga arus rata-rata

D1

220 v

50 v 50v 40O

D2

Gambar 1.12

2. dari gambar 1,12 diatas bila D1 menghantar hitung harga tegangan : a) Tegangan maksimum pada katoda D 1 b) Tegamgam maksimum pada anoda D2 c) Tegangan antara anoda dan katoda pada D1 d) Tegangan antara anoda dan katoda pada D2

14

Rangkaian Penyearah

B. Penyearah Gelombang Penuh Sistem Jembatan Rangkaian penyearah ini memerlukan empat buah dioda yang dipasang dengan konfigurasi jembatan seperti terlihat pada gambar 1.13

a)
A

b)
Bridge rectifier

D1

D2

_ B
D3 D4

RL
120 ?

Gambar 1.13 Rangkaian penyearah sistem jembatan

Pada saat terminal A positif dan terminal B negatif , dioda-dioda D2 dan D3 berada dalam kondisi menghantar seadangkan D4 dan D 1 tidak menghantar. Pada saat terminal A negatif dan B positip , dioda yang menghantar adalah D4 dan D 1, sedang D2 dan D 3 tidak menghantar. Dengan demikian setiap setengah perioda tegangan bolak balik ada dua dioda yang menghantar (conduct) secara bersamaan dan dua buah dioda lainnya tidak menghantar sehingga menghasilkan bentuk gelombang penuh. Tegangan rata-rata (Udc) sama dengan sistem penyearah dengan menggunakan trafo CT.

15

Rangkaian Penyearah

Bentuk gelombang keluaran (output) terlihat seperti gambar 1.14.

Kelebihan sistem jembatan terhadap sistem trafo CT adalah adanya dioda yang tersambung seri sehingga masing-masing dioda dapat menahan tegangan balik maksimumnya.

Contoh soal Dari gambar 1.15 tentukan : a. Um tegangan sekunder trafo b. Um pada beban jika drop tegangan dioda 0,7 volt c. Udc pada beban d. Im dan Idc

Us 15 V

RL
200O

Gambar 1.15 Hububungan Beban Pada Penyearah Gelombang Penuh

16

Rangkaian Penyearah

Penyelesaian : a. Um pada sekunder Um = 1,414 x Us = 1.414 x 15 = 21,211 volt

b. Um pada beban RL Um (beban) = 21,21 (2 x x0,7) = 19,81 volt

c. Tegangan rata-rata : Udc = 0,637 x Um (beban) = 0,637 x 19,81 = 12,64 volt

Um d. Im = -------RL 19,81 = ----------200 = 99,1 mA

Udc Idc = ------RL 12,56 = -----------200 = 63,2 mA

17

Rangkaian Penyearah

Review Test 1 Soal 1.

D 1 7,5 V

U0 RL

7,5 V

D 2 120 ?

gambar 1.16

Soal 1.

Dari gambar 1.16 a. Hitung tegangan rata-rata pada beban dan arus maksimum yang melalui setiap dioda b. Tentukan besar PIV untuk dioda.

Soal 2. Dari rangkaian penyearah gelombang penuh seperti terlihat pada gambar 1.17
8,5 D1 D2

Us 40 v
D3 0V D4

RL 18 O

gambar 1.17

Hitung : a. b. c. Soal 3. Tegangan rata-rata keluaran ( output ) Arus melalui beban Tegangan balik puncak dioda ( PIV )

Coba jelaskan dari pengalaman anda gangguan-gangguan yang terjadi pada : a. b. dioda transformator

18

Rangkaian Penyearah

KEGIATAN BELAJAR 2 FILTER

TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat menerapkan : Nilai kapasitor untuk perubahan tegangan rata-rata dan tegangan kerut. Effek tegangan rata-rata dan tegangan kerut pada perubahan arus beban.

PERATA DENGAN KAPASITOR Pada rangkaian penyearah yang dibahas pada kegiatan belajar 2 , sistem penyearah menghasilkan arus gelombang searah masih terdapat pulsa gelombang bolak balik Secara umum peralatan elektronik membutuhkan sumber arus searah (DC) yang halus atau lebih rata. Guna menghilangkan sisa gelombang bolak balik tersebut sering digunakan kondensator elektrolit sebagai tapis perata (Filter) seperti pada gambar 2.1
Rectifier Filter Beban (Load)

Gambar 2.1 Rangkaian penyearah dengan Filter

19

Rangkaian Penyearah

2.1. Filter Kapasitip Penambahan nilai kapasitor yang dipararel dengan beban akan memberikan efek peralatan pulsa DC yang lebih halus. Nilai kapasitor yang lebih besar akan menyimpan muatan pada saat pengisian. Kecepatan pengosongan muatan kapasitor tergantung dari besarnya konstanta waku ? = RL x C Gambar 2.2 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dilengkapi filter kapasitor .
(2 x IN4004) Ac supla y

D1

470?F

RL

D2

0v

Gambar 2.2 Rangkaian Penyearah gelombang penuh dengan filter kapasitor

Gambar 2.3 bentuk gelombang perataan dengan kapasitor

20

Rangkaian Penyearah

Perhatikan gambar 2.3 diatas, pada saat T1 kapasitor terjadi pengisian muatan kapasitor mendekati harga tegangan puncak Um (maksimum) jika tegangan pulsa turun lebih rendah dari Um maka kapasitor akan mengosongkan muatannya. Dengan adanya kapasitor (C) tegangan keluaran tidak segera turun walaupun tegangan masuk sudah turun, hal ini disebabkan karena kapasitor memerlukan waktu mengosongkan muatannya.(Ingat ? = R.C). Sebelum tegangan kapasitor turun banyak, tegangan pada kapasitor keburu naik lagi. Tegangan berubah yang terjadi tersebut disebut tegangan kerut (ripple voltage) hasil dari transient kapasitor.

2.2 Faktor Kerut (Ripple) Keluaran dari penyearah terdiri dari tegangan searah dan tegangan bolak balik atau ripple. Faktor kerut didefinisikan : Harga efektif komponen signal AC r = ---------------------------------------------Harga rata-rata signal DC

Ur (rms) r = ------------Udc

Ur(rms) 100 atau % ripple = -------------- x --------Udc 1

Dimana :

Ur (rms) Udc %r ?

= harga tegangan kerut yang terukur oleh volt meter AC. = harga tegangan keluaran DC yang terukur oleh volt meter DC. = persentase dari tegangan kerut. Ur ? . I . RL

Tegangan kerut adalah berbanding langsung terhadap arus beban (RL).

21

Rangkaian Penyearah

Gambar 2.4 mempelihatkan bentuk gelombang dengan menggunakan filter dan tanpa filter untuk penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.

Gambar 2.4 bentuk gelombang kerut

22

Rangkaian Penyearah

2.3 Filter CR

Gambar 2.5 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dengan perata kapasitor dan resistor ( C R ) dc

C1

C2 RL

Gambar 2.5 Penyearah dengan filter RC

Tegangan keluaran (output) DC ditentukan oleh R dan R L sebagai pembagi tegangan. RL

DC. Uo = -------------- x Uin (DC)

R + RL 1 Xc = -------2? fC Xc tegangan kerut AC = ---------------- = Uin (rms) R2 + Xc2

23

Rangkaian Penyearah

Secara umum, R harus lebih rendah dari RL hal ini untuk memelihara level output
DC, Xc2 harus lebih rendah dari R, hal ini untuk mengurangi level kerut AC pada

output dan Xc2 harus seperlima dari harga RL. 2.4 Filter LC

Pada gambar 2.6 diperlihatkan diagram rangkaian tipe perata dengan L dan C.

Gambar 2.6 Penyearah dengan filter LC

Gambar 2.6 rangkaian filter LC

Induktor atau choke menentang perubahan arus dan energi disimpan pada induktor dalam bentuk medan magnet . Dari rangkaian dapat dihitung beberapa besaran yaitu : ? XL = 2?fL 1 Xc = -------2? fC impedansi dari rangkaian perata adalah : Z = XL ? Xc U dan besarnya I = -----Z

24

Rangkaian Penyearah

Tegangan kerut melalui kapasitor C adalah: Uc (rms) = I x Xc 2.5. Regulasi Tegangan

Perubahan besarnya tegangan output, dari suatu tegangan arus searah tanpa beban ke keadaan berbeban penuh disebut sebagai regulasi tegangan. UNL - UFL % VR = --------------- x 100 UFL Keterangan : VR = regulasi tegangan (%) UNL = tegangan tanpa beban UFL = tegangan beban penuh Sebagai contoh, catu daya tanpa beban dengan dengan tegangan output 100 volt. Arus beban penuh mengalir bila beban dihubungkan, tegangan outputnya jatuh menjadi 80 volt, maka regulasi tegangan dapat dihitung sebagai berikut : (100 80) % VR = -------------- x 100 80 = 25%

Catatan; Jika persentase regulasinya rendah maka dapat dikatan bahwa penyearah tersebut mempunyai regulasi yang baik. Penyearah yang sederhana dan rangkaian perata (filter) nya kurang baik regulasinya dapat diperbaiki dengan cara : 1. Gunakan penyearahan gelombang penuh. 2. Pastikan tahanan kedua transformator dan filter choke rendah (minimum). 3. Gunakan LC filter jika arusnya tinggi. 4. Pastikan dioda yang digunakan mempunyai tegangan jatuh yang rendah. 25

Rangkaian Penyearah

Review Test 2

Soal 1.

Apa tujuan pemasangan filter pada penyearah ?

Soal 2.

Bila pada rangkaian filter menggunakan kapasitor dan nilai kapasitornya dirubah menjadi lebih besar.Efek apa yang terjadi pada : a. output rata-rata b. arus dioda

soal 3.

Suatu rangkaian penyearah gelombang penuh menggunakan filter LC dan beban RL. Tegangan kerut = 12 V (rms) dengan frekuensi 100Hz, L =5 H dan C = 100? F. 1. gambarkan diagram rangkaiannya? 2. hitunglah : a. XL

b. Arus yang mengalir c. Tegangan kerut yang melalui kapasitor C.

26

Rangkaian Penyearah

KEGIATAN BELAJAR 3 REGULATOR ZENER

TUJUAN :
Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? Menghitung tegangan, arus dan disipasi daya dari komponen zener regulator.

3.1 Dioda Zener

Dioda zener adalah dioda silikon (si) yang khusus dibuat sebagai penstabil tegangan pada catu daya DC. Tujuannya agar tegangan searah yang dihasilkan yaitu

tegangan keluarannya (output) tidak berubah jika dibebani dalam batas-batas tertentu. Dioda zener dibuat dengan potensial pada nilai tertentu antara 2,4 V sampai200 V dengan disipasi daya dari W sampai 50 W. Dioda zener dengan tegangan zener diatas 6 V mempunyai koefisien suhu positif dan dibawah 6 V mempunyai kosfisien suhu negatif. Koefisien suhu minimum terjadi pada zener 6 V untuk arus 40 mA

3.2 Dioda Zener Sebagai PengaturTegangan

Penyebab ke tidakstabilan suatu sumber tegangan, biasanya terjadi akibat adanya fluktuasi tegangan pada jala-jala input dan variasi beban yang berubah-ubah. Rangkaian sederhana Zener regulator ditunjukkan seperti gambar 3.1 dan gambar 3.2

27

Rangkaian Penyearah

Gambar 3.1 memperlihatkan rangkaian regulator dioda zener yang sederhana.

Gambar 3.1 rankaian regulator sederhana

D1

Rs

RL Zd

Unregulated power Suplly

Zener dioda regulated

load

Gambar 3.2 Rangkaian regulator zener

Dari diagaram rangkaian diatas dapat dihitung besarnya arus dan tegangan yang terjadi pada rangkaian. Dengan membuat tegangan masukan ( input ) lebih besar dari tegangan zener maka dioda zener bekerja pada daerah tegangan balik (VIP), sehingga tegangan

28

Rangkaian Penyearah

keluaran (output) tetap untuk berbagai nilai arus beban selama tegangan pada zener tidak kurang dari 12 V Tegangan pada Rs adalah : URS = Ui - Uz Tegangan pada beban RL adalah sama dengan tegangan zener. URL = Uz Arus maksimum yang melalui Rs adalah Is atau Imaks = IZ + IL Iz = Imaks - IL untuk tegangan kerja zener 12 volt.

Imaks x Rs harus sama dengan Ui - Uz atau Ui - Uz Rs = ----------Imaks Disipasi daya ( Pd ) pada resistor Rs adalah : Pd = URS x Imaks

= (Imaks )2 x Rs
Dari perinsip kerja rangkaian diatas dapat disimpulkan bahwa : apabila IL turun akibat kenaikan beban RLdan karena Imaks tetap , akhirnya Iz akan naik sehinga harga Uz akan selalu tetap. Dari analisa diatas, walaupun arus beban (I L) berubah-ubah , tegangan pada beban akan tetap stabil dan yang selalu berubah adalah arus pada zener dioda ( Iz ) yang mengikuti perubahan arus beban.

29

Rangkaian Penyearah

Contoh Soal Dari rangkaian gambar 3.1 diketahui : Tegangan zener Tegangan input Arus Zener Arus beban = 12 volt = 20 volt = 10 mA = 60 mA

Ditanya berapa harga Rs dan Disipasi daya pada hambatan Rs

Penyelesaian: Arus maksimum yang melalui Rs adalah Iz + IL = 60 +10 mA = 70 mA Drop tegangan akan terjadi pada Rs adalah sama dengan Uin - Uo Uin - Uo Rs = --------------Imaks 20 - 12 Rs = ---------70 x 10 3 = 114 O Disipasi daya pada Rs adalah 0,07 2 x 114 = 559 miliwatt

30

Rangkaian Penyearah

KEGIATAN BELAJAR 4 REGULATOR TRANSISTOR SERI

TUJUAN :

? ?
?

Menyebutkan alasan penggunaan regulator transistor seri. Menghitung arus dan tegangan rangkaian regulator seri. Menerapkan operasi regulator secara genar.

4.1

Regulator Seri
Rangkaian regulator seri menggunakan transistor bipolar seperti pada gambar 4.1 arus beban lewat melalui transistor dari kolektor ke emitor. Rangkaian ini memberikan kerja yang lebih efisien dan arus beban yang lebih besar. Q1 UCE C RS US B E IL

IZ

UR L

Gambar 4.1 Rangkaian regulator seri

Rs dan zener dalam rangkaian ini adalah bentuk yang sederhana dari regulator zener yang mempertahankan tegangan konstan pada basis transsistor Q1. Resistor Rs memberikan arus basis (IB) Q1 dan arus ke dioda zener (!Z ).

31

Rangkaian Penyearah

Transistor tersebut akan berpungsi sebagai pengatur tegangan (voltage regulator).

Besarnya tegangan output didapat dari persamaan : UCE = Uin - Uo U0 = UZ + UBE Karena besarnya UBE relatif kecil, maka U0 = UZ dan selalu konstan. Perinsip kerja rangkaian adalah sebagai berikut : Jika tahanan beban dari rangkaian turun , tegangan output akan jatuh , menjadi kurang positip. Ini artinya tegangan Emitor ( VE) dari transistor dikurangi , kemudian U Arus beban melalui R
CE Be naik

, kemudian akan terjadi drop tegangan pada transistor , dan

tegangan output kembali keharga semula . Bila arus beban naik ,tegangan output akan naik terhadap tegangan awal. Hal ini akan mengurangi U
BE dan

UCE akan naik sehingga

tegangan output kembali normal. Jadi jika tegangan input naik , tegangan output akan naikn juga., dengan adanya zener dioda maka tegangan out put dapat dipr\ertahankan stabil. Rangkaian lainnya adalah transistor sebagai regulator arus seperti pada gambar rangkaian 4.2

Gambar 4.2 Regulator Arus

Rangkaian ini dirancang untuk mempertahankan harga arus yang melewati beban ketika terjadi perubahan beban pada tegangan tetap.

32

Rangkaian Penyearah

Dari rangkaian didapat persamaan : Uz IE = --------R1 IL = IC = IE - IB IE = IC + IB Keterangan : ? ? ? ? IE = arus emitor IC= arus kolektor IB = arus basis IL = arus beban

Penurunan arus beban IL = IC akan mengakibatkan penurunan arus emitor dan akan mengurangi drop tegangan pada R 1 (UR 1 = IE x R1). Efek terhadap bias Q1 adalah : UBE = UZ UR 1 Karena harga UZ selalu konstan, maka penurunan pada UR 1 akan mengakibatkan

kenaikan pada UBE transistor dan sekaligus menaikkan konduktifitas dari transsistor sehingga arus beban IL dapat dipertahankan pada harga yang tetap. Regulasi arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : INL - IFL Regulasi arus = ------------- x 100% IFL Dimana : INL = arus tanpa beban. IFL = arus beban penuh.

33

Rangkaian Penyearah

Review Test 3 Soal 1. Perhatikan gambar rangkaian dibawah ini : +12 v 330 ?

Rs

RL Vz = 8,2 v 0
gambar 3.3 Rangkaian zener

Ik

Hitung berapa besarnya : a. tegangan pada beban R L b. tegangan pada resistor seri Rs c. arus maksimum d. arus dioda zener e. disipasi daya pada Rs ; Zd dan R L Soal 2 . Rangkaian regulator seri ( lihat gambar 4.1 ) mempunyai tegangan input 15 volt, tegangan Zener 12,5 voltdan arus zener 100 mA. Jika arus beban 1 amper, hitunglah : a. Efisiensi rangkaian b. Daya pada Zener c. Disipasi daya transistor

Soal 3 Apakah fungsi regulator arus konstan ?Jika perubaha arus dari 1,5 A tanpa beban ke beban penuh menjadi 1,2 A , berapa persen regulasi yang terjadi ?

34

Rangkaian Penyearah

KEGIATAN BELAJAR 5 REGULATOR TEGANGAN

TUJUAN :

Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? Membaca parameter esensial regulator tiga terminal dari lembaran data. Menghitung tegangan output dari rangkaian regulator. Mengukur arus dan tegangan dan menentukan rangkaian regulator bekerja dengan benar.

5.1 IC Regulator Tiga Terminal.

Regulator tiga terminal adalah Integrated Voltage Regulator Circuit yang dirancang untuk mempertahankan tegangan outputnya tetap dan mudah untuk dirangkai. Keuntungannya adalah :

1. Membutuhkan penambahan komponen luar yang sangat sedikit, ukuran kecil 2. Mempunyai proteksi terhadap arus hubung singkat. 3. Mempunyai automatic thermal shutdown. 4. Mempunyai tegangan output yang sangat konstan 5. Mempunyai arus rendah 6. Mempunyai ripple output yang sangat kecil. 7. Pembiyaan rendah

35

Rangkaian Penyearah

Gambar 5.1 memperlihatkan contoh IC regulator Tegangan Positif tiga terminal MC 7805.

Gambar 5.1 bentuk IC regulator dan simbol rangakain

Seri LM 78XX adalah regulator dengan tiga terminal, dapat diperoleh dengan berbagai tegangan tetap Beberapa IC regulator mempunyai kode yang dibuat oleh pabrik pembuat komponen , sebagai contoh : IC LM.7805 AC Z yang artinya sebagai berikut: LM 78L 06 AC Z Linear Monolithic Bagian nomor dasar yang menyatakan tegangan positip Tegangan output Standart ketepatan Tipe pembungkus , ZTO-92 Plastic

Seri LM 78XXC dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 alamunium , arus keluaran (output) 1A ,boleh lebih asalkan IC regulator dilengkapi dengan pendingin (heatsink). Regulator LM 78XXC mudah dipakai dan tambahan komponen-komponen ektern tidak banyak . Sifat-sifat IC regulator LM 78XX adalah sebagai berikut : ? ? ? ? ? Arus keluaran melebihi 1A Pengamanan pembebanan lebih termik Tidak diperlukan komponen tambahan Ada pengamanan untuk transistor keluaran ( output ) Dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 aluminium

36

Rangkaian Penyearah

Karakteritik Elektrik Tipe Regulator Tegangan I out ( A ) Tipe 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 ? U out ( V) 78XX C 5 6 8 10 12 15 18 24 1 1 1 1 1 1 1 1 78 LXX 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 78 MXX 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Uin ( V ) 7,5 8,6 10,6 12,7 14,8 18 21 27,3 20 21 23 25 27 30 33 38

Sumber National Semiconductor , IC linier

Contoh rangkaian lengkap catu daya menggunakan regulator tiga terminal IC 7805 untuk tegangan output 5 volt konstan ditunjukkan pada gambar 5.2

Gambar 5.2 rangkaian catu daya dengan IC regulator

Arus maksimum regulator IC yang dikirim ke beban tergantung pada tiga faktor, yaitu: 1. Temperatur. 2. Perbedaan antara tegangan input dan output atau disebut diferensial input output. 3. Arus beban. 37

Rangkaian Penyearah

Uraian lengkap mengenai parameter IC regulator dapat dilihat dari data sheet yang dibuat oleh pabrikpembuat komponen . Contoh IC 7805 C mempunyai output nominal 5 volt. Dari data sheet Motorolla didapat temperatur juntion 250 C (Tj + 250 C) ,tegangan output antara low 4,8 volt atau high 5,2 volt ; arus output > 100 mA.

5.2 Regulator Positip Sebagai Sumber Arus.

Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 , LM 317 Pada gambar 5.3 diperlihatkan rangkaian IC Positip regulator yang digunakan sebagai sumber arus. U in LM 317 +12 v R1 IQ R2 0v
gambar 5.3 regulator tegangan tetap

I out

U out

Dari rangkaian diatas, tegangan output dihasilkan dari penjumlahan UR1 dan UR2 Tegangan output , U0 = UR 1 + UR2 Dimana tegangan UR1 adalah tegangan output IC regulator 7805 yaitu sebesar 5 volt. UR1 IR1 = -------R1 IR2 = IR1 + IQ

38

Rangkaian Penyearah

Tegangan pada R 2 adalah : UR2 = IR2 x R2 Pada gambar 5.4 diperlihatkan rangkaian tegangan output yang diukur dari pembebanan ( R load )

U in LM 317

I out

R1 IQ IL 0v
U out

Beban

Gambar 5.4 Regulator arus

U Reg IL = -----------R
+

IQ

Teganga output adalah U out = IL x R Load Dimana IQ adalah arus pada regulator ,dan U
Reg

batas tegangan regulator

5.3 Regulator Tegangan Yang dapat Diatur

Konsep baru dalam rangkaian regulator yang tegangan outputnya dapat diatur adalah regulator daya. Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 .

39

Rangkaian Penyearah

Regulator LM 317 dapat memberika arus keluaran ( output ) lebih dari 1,5 amper dengan tegangan antara 1,2 volt sampai 37 volt. dan IC LM 350 mampu memberikan arus 3A dan jangkauan tegangan output 1,2 V sampai 33 V.

Gambar 5.7 memberikan dasar rangkaian regulator yang dapat diatur tegangan outputnya.

V in

IC.Reg

R1 IQ

1,25 v

RL R2 U R2 0v

UO

Gambar 5.7 regulator teganagan output dapat diatur

U Reg Arus regulator adalah I Reg = ------R1 Tegangan output diperoleh dari rumus: U out = U Reg Atau R2 U out = U Reg + ( ----- + 1 ) + IQ R 2 R1 U Rreg + ( -------- + IQ ) R 2 R1

40

Rangkaian Penyearah

5.4 Regulator Tegangan Negatif

Pada rangkaian operational amplifier dan microprocessor dibutuhkan catu daya yang membutuhkan dua polaritas sumbertegangan, misal +5V dan -5V. Seri LM 79XXC , LM 79LXX adalah regulator tegangan negatif 3 terminal . Seri LM 79XXC dikemas dalam kemasan daya TO-200 dan mampu

mengeluarkan arus 1,5 amper . Sifat-sifat regulatorLM79XXC adalah sebagai berikut: ? ? ? ? Mempunyai pengaman daerah,hubung singkat dan termik Penindasan kerut ( ripple ) tinggi Arus keluara 1,5 A Tegangan keluaran stelan pendahuluan 4%

Untuk seri LM79LXX AC ,piranti ini telah dirancang untuk mengeluarkan tegangan tetap dan dapat diperoleh dalam kemsan TO-92 dengan 3 kawat. Sifat-sifat regulator ini adalah sebagai berikut : ? ? ? ? Arus keluaran 100mA Mudah dikompensasi dengan kodensator kapasitas kecil 0,1 A Mudah distel untuk tegangan keluaran tinggi Penyimpangan tegangan keluaran stelan 5 % yang tegangan

Gamnar 5.6 memperlihatkan regulator negatif tiga terminal outputnya dapat diatur

79XX

Gambare 5.6 regulator negatif

41

Rangkaian Penyearah

5.5

Catu daya Dua Polaritas.

Contoh diagram rangkaian pada gambar 5.7 menggunakan LM 340 positif regulator yang dihubung dengan negatif regulator LM 320. D1 dan D2 adalah dioda proteksi bekerjanya regulator pada common load dan akan membatasi arus hubung singkat regulator. Jenis rangkaian kombinasi regulator positip dan negatip adalah sebagai berikut : 1. Suplai ? 15 volt , 1A LM 340 T, LM 320-15 , (D1 D2 IN 4720 ) 2. Suplai ? 12 volt , 1 A LM 340 T-12 , LM 320 T-12 , (D1 D2 IN 4720 ) 3. Suplai ? 15 volt , 200mA LM 342H-15 , LM 320 T 15 , (D1 D2 IN 4001 )

Gambar 5.7 dasar catu daya dua tegangan

42

Rangkaian Penyearah

Review Test 4

Hitung berapa tegangan output yang dihasilkan.dari rangkaian regulator tegangan gambar dibawah ini ; Soal 1 7805

R1 IQ Us = 20 v R2
180?
= 50 mA

100?

U0

gambar 5.4

Soal .2 7812

1k

Us = 20 v

RL Uz = 8,2 v

Gambar 5.5

43

Rangkaian Penyearah

Soal 3 V in LM317 IQ =50 A R1 220? 1,25 v

+20 v

R2 Rp 2k URp

0v
Gambar 5.7 regulator teganagan menggunakan LM 317

Dari gambar 5.7 diatas coba anda analisa prinsip kerjanya dan jawablah pertanyaan dibawah ini., bila IQ = 50 A a. Berapa tegangan pada Rp bila harga Rp diset pada nol ohm? b. Berapa tegangan output bila Rp diset pada nol ohm tersebut? c. Bila Rp diset ke maksimum 2 kilo ohm, hitung tegangan output rangkaian catu daya.

44

Rangkaian Penyearah

KEGIATAN BELAJAR 6

PENYEARAH TIGA FASA

PENDAHULUAN

Penyearah tiga fasa banyak dipakai , karena penyearah tiga fasa ini menghasilkan daya yang cukup besar serta banyak dipakai antara lain pada pengisian batere atau accumulator, elektroplating , AVR alternator dan sebagainya. Penyearah tiga fasa lebih efisien serta menghasilkan daya output yang konstan

sehingga dapat dipakai pada sistem yang lebih komplek dengan beban yang tetap. Penyearah tiga fasa dengan filter mengahasilkan output DC yang lebih rata., karena pulsa yang terbentuk lebih berdekatan satu sama lainnya serta lebih rendah setengah dari tegangan puncak outputnya.. Pada rangkaian penyearah tiga fasa dapat dipasang sebanyak tiga, enam atau dua belas komponen penyearah dioda atau SCR, dalam hal ini sangat tergantung pada keperluan yang dibutuhkan.

6.1. Penyearah Setengah Gelombang 3 Fasa.

Gambar 6,1 memperlihatkan penyearahan tiga fasa setengah gelombang yang tidak menggunakan transformator. Fasa A, B dan C sebagai sumber tegangan tiga fasa memberikan tegangan ke anoda dari dioda-dioda D1, D2, dan D 3. Bagian beban dihubungkan antara katoda dari dioda D1,D2,dan D3 dan titik netral dari sumber yang dihubungkan bintang.

45

Rangkaian Penyearah

Gambar 6.1 a.diagram rangkaian penyearah 3 fasa

Gambar 6. 1.b bentuk gelmbang tegangan input / output

Dengan adanya perioda tegangan positif akan membuat dioda menjadi menghantar, dengan tegangan positif ini akan menyebagkan tegangan yang lebih positif terhadap katoda dari dua titik yang lain; akibatnya kedua dioda saja yang menghantar pada perioda ini. Dari kurva bentuk gelombang dapat dianalisa bahwa mulai dari 00 sampai 300, dari fasa C (VC) mempunyai tegangan yang lebih positif dan ini akan memberi bias maju pada dioda D3 serta akan menghasilkan tegangan pada beban R yaitu sebesar U0. kemudaian dari sudut 300 sampai 1500 dari fasa A (VA ) mempunyai tegangan yang lebih positif yang membuat dioda D1 dipicu kearah maju sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R. Pada sudut 150 0 VB menjadi lebih positif dan dioda D2 akan

46

Rangkaian Penyearah

menghantar sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R.Demikian seterunya pada 2700, D3 menghantar kembali selama satu periode. Catatan : Tegangan output DC tidak pernah jatuh sampai nol. Tegangan rata-rata output DC(Udc) tiga fasa dinyatakan sebagai berikut : Udc = 0,831 x Umaks Pada gambar 6.2 adalah bentuk yang sama dengan penyearah setengah belombang tiga fasa yang menggunakan transformator 3 fasa .Tegangan sekunder dimungkinkan dinaikkan atau diturunkan dengan seleksi yang sesuai dengan kebutuhan tegangan output DC yang diinginkan .

Gambar 6.2 penyearah setengah gelombang tiga fasa menggunakan trafo

47

Rangkaian Penyearah

6.2. Penyearah Gelombang Penuh Tiga Fasa

pada gambar 6.3 dan 6.4 diperlihatkan diagram rangkaian penyearah tiga pasa. gelombang penuh dan bentuk gelombang output

Gambar 6.3 Rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh

Rangkaian penyearah gelombanga penuh tiga fasa ini dapat dilengkapi/dipasang untuk dua keadaaan yaitu untuk setengah bagian positif dan setengah bagian negatif dari inputnya seperti halnya pada penyearah gelombang penuh untuk satu pasa.

Gambar 6.4 bentuk belombang tegangan inputdan output

48

Rangkaian Penyearah

Terdapat tiga hal yang harus diperhatikan pada waktu menganalisa kerja untuk rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh ini, yaitu: a. dua dioda selalu menghantar, berarti empat dioda yang lain dalam keadaan tidak menghantar . b. Satu dari dioda-dioda yang bernomor genap (D2,D4dan D6) dalam keadaaan menghantar dan satu dari dioda-dioda yang bernimor ganjil (D1,D 3 dan D5) juga selalu mengahantar. c. Arus selalu mengalir dari sumber yang mempunyai tegangan positif tertinggi melalui dioda-dioda yang bernomor genap menuju bebandan terus mengalir pada dioda-dioda yang bernomor ganjil dan seterusnya kembali ke terminal sumber yang mempunyai tegangan negatif tertinggi.

Pada rangkaian diatas, Idc adalah 0,995 x Im melalui tiap dioda dan hanya sepertiganya yang mengalir melalui tiap dioda. Teganan rata-rata Udc adalah dua kali dari penyearah setengah gelombang tiga fasa atau Udc = 2,34 x Urms ( ac ) Penyearah gelombang penuh dipersiapkan untuk daya tinggi, sebab : a. Tiap sekunder membawa arus untuk 1/3 siklus. b. Tiap primer membawa arus 2/3 siklus. c. Kerugian tembaga dalam belitan transformator adalah lebih rendah. Untuk instalasi yang besar, penyearah mercury arc yangdipilih untuk digunakan.

49

Rangkaian Penyearah

Contoh soal Harga efektif (rms) tegangan sekunder transformator (Us) pada penyearah gelombang penuh segitiga / bintang adalah 150 volt. Jika harga rata rata arus beban adalah 2A, hitunglah : a. tegangan output DC. b. Arus puncak /maksimum yang melalui tiap dioda c. Daya rata-rata yang dikiram ke beban. Penyelesaian : a. Udc = 2,34 x Us = 2,34 x 150 = 351 V b. Im / dioda = (1/ 0, 955) x Idc = 2,1 A c. Pdc = Udc x Idc = 351 x 2 = 720 W

6.3 Penyearah Tiga Fasa Menggunakan SCR

SCR digunakan seperti penyearah dioda , perbedaan nya waktu kondisi dari penyearah SCR dapat divariasikan untuk mengatur tegangan output dan level arus searah ( dc) .Simbol SCR diperlihatkan pada gambar 6.5

Gambar 6.5 Simbol SCR

SCR dapat dihidupkan oleh suatu arus penyulutan singkat ke dalam gatenya. Arus gate ini (Ig) mengalir melalui persambungan (junction) antara gate dan katoda. Kebanyakan SCR membutuhkan arus gate untuk penyalaan antara 0,1 sampai 20 mA, sedangakan tegangan antara gate dan katodanya (UGK) harus lebih besar dari 0,6 vot. Untuk memperdalam penguasaan perinsip kerja dari SCR perlu dipelajari secara khusus .

50

Rangkaian Penyearah

Contoh rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan Silicon Controlled Rectifier (SCR) diperlihatkan pada gambar 6.6

Gambar 6.6 penyearah SCR tiga fasa

Untuk mengontrol SCR diperlukan rangkaian phase shift, R1 -C 1; R2 C 2; dan R3 C 3 sebagai rangkaian RC phase shifting. Tiga buah rheostat dijadikan satu untuk memperoleh kontrol penyalaan atau penyulutan SCR secara bersamaan. Kerja dari rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan SCR adalah sama seperti penyearah setengah gelombang tiga fasa yang sudah dibahas terdahulu.. Tegangan output rangkaian lebih mudah dikontrol atau diatur dengan mengatur

rheostat penyalaan untuk SCR tersebut.

51

Rangkaian Penyearah

KEGIATAN BELAJAR 7 MENCARI LETAK GANGGUAN

PENDAHULUAN

Gangguan atau kesalahan yang paling banyak tejadi pada rangkaian catu daya adalah diakibatkan oleh beban yang terus menerus yang dipikul oleh catu daya tesebut atau beban yang tidak sesuai dengan kemampuan / kapasitas catudaya. Asumsi dasar yang harus dibuat untuk melakukan pemeliharaan (service unit ) catu daya adalah mencari penyebab kesalahan , memeriksa rangkaian dan komponen yang rusak dengan mengguanakan alat ukur yang cocok misalnya AVO meter dan CRO.

7.1 Kesalahan Komponen

A. Kapasitor Kesalahan pada kapasitor seperti : a. rangkaian terbuka. b. Rangkaian hubung singkat c. Terjadi kebocoran pada rangkaian kapasitor. B. Resistor, kesalahan arus yang melaluinya lebih besar sehingga terjadi disipasi panas yang menyebabkan resisitor terbakar. C. Transistor atau IC Problem yang terjadi pada semi konduktor adalah : a. titik sambungan hubung singkat disebabkan sentaka tegangan tinggi. b. Titik sambungan rangkaian terbuka, disebabkan beban lebih. c. Arus bocor yang besar, biasanya ditujukan oleh penguatan rendah atau level kebisingan tingggi.

52

Rangkaian Penyearah

7.2 Mengganti Komponen

Bila mengganti komponen yang rusak pada rangkaian yang penting harus diperhatikan : a. Lepas dan ganti komponen yang sesuai dengan aslinya atau eqivalen dari karakteristik komponen yaitu kemampuan arus, tegangan dan daya yang sesuai dengan spesifikasinya. Data dan spesifikasi komponen dapat dilihat pada buku data komponen yang diterbitkan oleh perusahaan /pabrik pembuat komponen. b. Tempatkan komponen yang diganti secara pasti dan tepat.

7.3 Pemeriksaan Catu Daya

Poin utama yang harus diperiksa setelah anda melakukan perbaikan adalah.sebagai berikut : 1. Tegangan output DC , apakah sudah sesuai dengan tegangan yang dibutuhkan 2. Arus ouput DC yang diperlukan. 3. Tegangan kerut (riple) dari amplitudo output diukur dengan Ossiloskope ( CRO.) 4. Regulasi tegangan atau regulasi arus.

Pada tabel berikut ini diberikan pedaman dasar sebagai langkah awal mendiaknosa gangguan atau kesalahan suatu rangkaian. Dan ingat dalam melakukan pemerika\saan dan perbaikan harus diperhatikan Standart Opertional Procedur ( SOP ) yang berlaku dan disepakati.

53

Rangkaian Penyearah

ANALISA GANGGUAN RANGKAIAN CATU DAYA.

GEJALA Kesalahan Transformator : 1. output DC nol dan tegangan sekonder tidak ada.

KESALAHAN

Rangkaian input AC terbuka atau sekring putus. Lilitan trafo primer dan sekumder hubung singkat

2. ouput DC rendah dan transformer putus

Kesalahan Penyearah : 1. output DC rendah dengan riple 50 Hz 2. sekring putus arus lebih transformator baik. 3. rangkaianbekerja baik, tetapi output DC rendah dari yang seharusnya Kesalahan Filter kapasitor : 1. output DC rendah dengan level riple tinggi. Regulasi sangant jelek. 2. sekring putus Filter kapasior hubung singakat Filter kapasitor rangkaian terbuka. Rangkaian dioda penyearah terbuka

Rangkaian dioda hubung singkat.

Tahanan dioda terlalu besar (tegangan jatuh saat forward besar)

3. output DC rendah dengan naiknya level riple, regulasi jelek

Filter kapasitor bocor

54

Rangkaian Penyearah

LATIHAN MENCARI GANGGUAN/KESALAHAAN.

1. Zener Regulator Dari gambat 7.1 apa yang akan terjadi bila : a. RS putus (rangkaian terbuka ) b. Dioda zener putus (rangkaian terbuka ) c. Dioda zener hubung singkat.

Rs 82?

12 v

Vz 6,8 v RL 135?

Regulator

Beban

Gambar 7.1 Zener regulator +

Open circuit Vz 12 v 6,8 v RL

Gambar 7.1a. RS terbuka

55

Rangkaian Penyearah

Rs = 82?

Zener diode Open circuit

RL 135?

GAMBAR 7.1 b. Zener terbuka

Rs = 82?

Short circuit (zero ohm)

RL 135?

Gambar 7.1c. Zener hubung singkat

56

Rangkaian Penyearah

2. Regulator Seri

Vin

Q1

Vo

Rs

IB RL Vz

Gambar 7.2 regulasi seri

Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. Rs rangkaian terbuka b. Zener rangkaian terbuka c. Zener hubung singkat d. Transistor hubung singkat

57

Rangkaian Penyearah

3. IC Regulator

7805 +20 v

Vo

R1 220?

RL

R2 320?

0
Gambar 7.3 Regulator

Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. R1 rangkaian tebuka

b. c.

R2 hubung singkat RL rangkaian terbuka

58

Rangkaian Penyearah

III. EVALUASI
TES TEORI
I. Rangkaian Penyearah Untuk setiap setiap pertanyaan ,pilihlah jawaban yang paling benar a,b,c atau d

1. Pada rangkaian penyearah 1 fasa setengah gelombang dibutuhkan dioda minimal : a. 1 , b. 2 , c. 3 , d. 4

2. Perbandingan tegangan output dan input penyearah setengah gelombang adalah: a. 0,3 ,b 0,35 ,c 0,4 ,d 0,45

3. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah setengah gelombang adalah : a. 25 Hz , b. 50 Hz ,c 75 Hz ,d 100Hz

4. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah gelombang penuh adalah : a. 25 Hz , b. 50 Hz ,c 100 Hz ,d 200 Hz

5. Pilter pada rangkaian penyearan digunakan untuk : a. b. c. d. menaikkan tegangan kerut ( ripple ) menaikkan frekuensi ripple mengurang tegangan beban mengurangi tegangan ripple

59

Rangkaian Penyearah

6. Pilter dihubungkan : a.sebelum penyearah b.antara penyearah dengan beban c. sesudah beban d.sesudah regulator

7. Bila kapasitor digunakan sebagai filter, maka haru dihubungkan : a. b. c. d. paralel dengan beban seri dengan beban pralel dengan dioda pnyearah paralel dengan input penyearah

8. Bila induktor digunakan sebagai filter, maka haru dihubungkan : a.paralel dengan beban b. seri dengan beban c.pralel dengan dioda pnyearah d. paralel dengan input penyearah

9.Hitung tegangan output tanpa beban penyearah setengah gelombang bila dihubungka pada tegangan sumber 24 v ac: a. 10 v ,b. 12v c, 10,8v d.24 v

10.Hitung tegangan output pada beban bila penyearah gelombang penuh sistem jembatan dihubungkan dengan sumber 20 v ac. a. 1,44 v b. 9 v c. 18 v d. 20 v

60

Rangkaian Penyearah

II. Regulator Zener

1.

Tegangan jatuh /drop pada Rs dalam gambar 1 adalah: Rs

30 V

Uz 15 v

RL
470?

a. 0,6 v

b. 0 v

c. 15 v

d. 30 v

2.

Tegangan beban UL dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 10 v b. 15 v c. 30 v d. 0,6 v

3. Aruus beban IL dalam rangkaia gambar 1 adalah: a. 10 mA 4. b.20 mA c. 32 mA d. 39 mA Besarnya Rs dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 100 5 b. 144 c.204 d.268

Jika zener dioda menjadi rengkaian terbuka ,maka tegangan output adalah: a. 18,5 v b. 15 v c. 30 v d. 0,5 v

61

Rangkaian Penyearah

III. IC .Regulator 1. Regulator tegangan digunakan untuk : a. mendapatkan arus beban konstan b. mendapatkan tegangan beban konstan c. mendapatkan tegangan sumber konstan d. mendapatkan arus sumber konstan 2. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 12 v adalah : a. 5 v b. 7 v c. 8 v d. 12 v 3. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 4 v adalah : a 5v b. 7 v c. 8 v d .4 v 4. Regulator tegangan tiga terminal dihubungkan pada : a. Sebelum sumber tegangan input b. Sesudah beban c. Antara sumber dan beban d. Antara penyearah dan filter 5. Regulator tegan tiga teminal 7912 ,output tegangan nya adalah : a. positif 12 v b. negatif 12 v c. negatif 7 v d. positif 9 v

62

Rangkaian Penyearah

KUNCI JAWABAN REVIEW TEST

REVIEW TEST 1

1.

a. Udc = 6.75 volt b. PIV dioda = 21,2 volt

2.

a.Udc = 7,64 volt b.I beban = 424,44mA c. PIV dioda =12 volt

3.

a. - Rangkaian terbuka - Hubung Singkat - Tahanan arah maju (forward ) tinggi

REVIEW TEST 2

1.Untuk mengurangi tegangan kerut (ripple voltage ) AC pada perubahan beban dalam % 2. a. Level rata-rata naik b. Arus dioda berkurang 3. Filter LC a. XL = 1340 O b. I = 3,8 mA c. Tegangan kerut = 86.26 mV

63

Rangkaian Penyearah

REVIEW TEST 3

a. 8,2 volt b. 3,8 volt c. Imaks =11,5 mA d. Iz = 3,3 mA e. Disipasi daya Rs = 43,6 mW Zd = 27 mW RL = 67,24 mW

a 72 % b = 1,25 watt. c. 3,1 volt

4. Untuk memberikan arus yang konstan dengan bermacam- macam beban , Regulasi adalah 25 %

REVIEW TEST 4

1 .U output = 14 volt 2 U output = 11,8 volt

3. a. = 0 volt b. Uo = 1,25 volt c. Uo = 11,45 volt

64

Rangkaian Penyearah

KUNCI JAWABAN SOAL TEORI

I. Tes Rangkaian Penyearah

1.a 2.d 3.b 4.c 5.d 6.b 7.a 8.b 9.c 10.c

II.Regulator Zener

4. d 5. b 6. c 7. c 8. a

III. Regulator Tegangan

1 .d 4. b 5. c 6. c 7. a

65

Rangkaian Penyearah

Self Assesment Check List Kegitan pembelajaran

Elemen
1.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya

Kriteria Unjuk Kerja

1.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.3 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda, resistor,kapasitor dan induktor dijelaskan 2.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan 3.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan

Ya

Tidak

Training Lanjut

2.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah

30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa

66

Rangkaian Penyearah

DAFTAR PUSTAKA

Barry Davis, Under standing DC Power Suppllies, Prentice-Hall of Australia Pty Ltd,1981 Edy Burnawi , Catu Daya , PPPGTeknologi Bandung ,1996 Emst Hornermann , Electrical Power Engineering Profinciecy Course, GTZ GmbHEscbom ( Federal Republic of Germany ), 1988 Fardo and Patrick , Electrical Power Systems Technology , Howard W.Sams &Co,Inc James F.Lowe , Electronics for Electrical Trades , McGraw-Hill,Book Company Sydney, 1977

67

Rangkaian Penyearah

LEMBAR PENILAIAN
Modul Nama Peserta Nama Penilai Beri tanda ( v ) No 1 2 Hasil METODA PENILAIAN Tertulis Praktik KOMPETEN BELUM KOMPRTEN KETERANGAN : RANGKAIAN PENTEARAH : :

: Kompeten Belun kompeten CATATAN:

Tanada Tangan Peserta

Tanada Tangan Penilai

Tanggal: .

68

Aplikasi Dioda

Bab

Aplikasi Dioda

dirangkaian elektronik.

etelah mengetahui konstruksi, karakteristik dan model dari dioda semikonduktor, diharapkan mahasiswa dapat memahami pula berbagai konfigurasi dioda dengan menggunkan model dalam aplikasinya

2.1 Analisis Garis Beban (Load-Line Analysis) Beban yang diberikan pada rangkaian secara normal akan mempunyai implikasi pada daerah kerja (operasi) dan piranti elektronik. Bila analisis disajikan dalam bentuk grafik, sebuah garis dapat digambarkan sebagai karakteristik dioda yang mewakili efek dari beban. Perpotongan antara karakteristik dan garis beban akan menggambarkan titik operasi dari system. Perhatikan gambar 2.1 berikut ini,.
Id + E Vd R + VR VD ID

(a)

(b)

Gambar 2.1 Konfigurasi Seri dari Dioda. (a) Rangkaian Dioda (b) Karakteristik Menurut Hukum Kirchoff tegangan:
E VD VR = 0 E = VD + I D R

.(2.1)

Aplikasi Dioda

Variabel VD dan ID dari persamaan 2.1 adalah semua seperti axis variable dari karakteristik dioda pada gambar 2.1 (b). Perpotongan garis beban dan karakteristik dapat digambarkan dengan menentukan titik pada horizontal axis yang mempunyai ID = 0A dan juga menentukan titik vertical axis yang mempunyai vertical
E = VD + I D R

VD = 0V. JIka kita

atur VD = 0V, dengan persamaan 2.1 akan kita peroleh nilai magnitude ID pada sumbu

E = 0V + I D R
ID = E R VD =0V

.. (2.2)

Selanjutnya, kita atur ID = 0A, dengan persamaan 2.1 kita dapat memperoleh magnitude VD pada sumbu horizontal.
E = VD + I D RD
E = V D + ( 0) R D

VD = E I

D =0 A

. (2.3)

Seperti terlihat pada gambar 2.2. garis lurus yang menghubungkan ke dua titik menggambarkan garis beban. Jika nilai R diubah, maka gambar garis beban akan berubah.

ID
E R

Karakteristik dioda

IDQ

Q-point Garis beban

VDQ

VD

Gambar 2.2 Garis Beban dan Titik Operasi Titik perpotongan antara garis karakteristik dioda dan garis beban disebut dengan Q point (Quiescent Point)

Aplikasi Dioda

2.2 Aproximasi Dioda

Dalam menganalisis rangkaian dioda, dapat digunakan 3 macam model pendekatan (aproximasi), yaitu:

Piecewise-linear model Simplified model Ideal model

Untuk dioda Silikon, ketiga model tadi dapat digambarkan sebagai berikut: Tabel 2.1 Aproximasi untuk Dioda Silikon
Model Gambar VT 0.7 rav 10
VT VD

Karakteristik
ID

Piece-wise linear model

rav

Simplified model

VT 0.7

ID

VT

VD

Ideal model

ID

VD

Untuk dioda yang terbuat dari Germanium, VT adalah 0.3V.

2.3 Konfigurasi Seri dari Dioda dengan Input DC

Ada beberapa prosedur yang harus dilakukan dalam menganalisis dioda, yaitu: a. Tentukan kondisi dioda ON/OFF, dengan cara:

Lepaskan dioda dari rangkaian Hitung tegangan pada terminal dioda VD yang dilepas tadi dengan KVL

Aplikasi Dioda

V D 0.7 Dioda silikon ON, dioda germanium V D 0.3 ON V D 0.7 Dioda silikon OFF, dioda germanium V D 0.3 OFF

b. Jika dioda ON, ganti dengan model pendekatan yang digunakan c. Analisis rangkaian tersebut contoh Tentukan VD, VR dan ID dari rangkaian dioda berikut

Jawab

Langkah 1 Dengan KVL:

E VD VR = 0 VD = E VR = (8V ) I R R = (8V ) (0) R
V D = 8V VD 0.7V dioda ON

Langkah 2
+ VD 0.7V 8V E + VR -

Langkah 3

VD = 0.7V VR = E VD
= 8 0.7 = 7.3V

2K2

ID = IR =

V R 7.3V = = 3.32mA R 2K 2

Aplikasi Dioda

2.4 Konfigurasi Paralel dan Seri-Paralel dari Dioda

Prosedur pada bagian 2.4 dapat digunakan dalam menganalisis rangkaian dioda paralel dan seri-paralel Contoh : Hitunglah Vo, I1, ID1, dan ID2 dari rangkaian dioda berikut:

Jawab E VR V D1 = 0 VD1 = V D 2 = E = 10V

VD1 = VD 2 0.7V D1 & D2 ON

E V R V D1 = 0 E ( I 1 R ) V D1 = 0 I 1 R = E V D1 E V D1 10 0.7 = = 28.18mA R 0.33K I 28.18mA I D1 = I D 2 = 1 = = 14.09mA 2 2 V0 = V D 2 = 0.7V I1 =

Aplikasi Dioda

2.5 AND/OR Gate

Aplikasi dioda yang lain adalah dapat digunakan sebagai rangkaian logika AND dan OR. Berikut adalah rangkaian gerbang logika AND dan OR yang menggunakan dioda silikon.

OR Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0

AND Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0

Gambar 2.3 Gerbang Logika OR dan AND Dengan Menggunakan Dioda

2.6 Input Sinusoidal : Penyearah Setengah Gelombang

Pada bagian ini akan kita kembangkan metode analisis dari dioda yang telah dipelajari sebelumnya. Untuk menganalisis rangkaian dioda dengan input yang berubah terhadap waktu seperti gelombang sinusoidal dan gelombang kotak. Rangkaian sederhana di bawah ini akan kita gunakan untuk mempelajari cara menganalisisnya. Metode dioda ideal akan digunakan dalam analisis selanjutnya.

Gambar 2.4 Penyearah Gelombang

Aplikasi Dioda

Rangkaian diatas akan menghasilkan output V0 yang akan digunakan dalam konversi dari ac ke dc yang banyak digunakan dalam rangkaian-rangkaian elektronika. Selama interval t = 0

T mengakibatkan dioda ON, dioda selanjutnya dapat 2

diganti dengan rangkaian ekivalen model idealnya, sehingga outputnya bias diperoleh proses di atas dapat digambarkan seperti gambar di bawah ini.

Gambar 2.5 Daerah Dioda Konduksi (0 T/2)

Selanjutnya, selama perioda

T T 2

polaritas dari input Vi berubah

mengakibatkan dioda tidak bekerja (OFF), berikut penggambaran prosesnya.

Vi Vi + R + + V0 Vi + R +

V0 = 0V
0 T/2

V0 = 0V
-

Gambar 2.6 Daerah Dioda Non Konduksi (T/2 T) Sinyal output V0 mempunyai nilai rata-rata selama satu siklus penuh dan dapat dihitung dengan persamaan berikut Vdc = 0.318Vm (2.4)

Berikut adalah gambar input dan output rangkaian penyearah gelombang

Aplikasi Dioda

Gambar 2.7 Sinyal Input dan Output Rangkaian Penyearah Gelombang Selain menggunakan model ideal kita juga dapat menggunakan kedua model lain.

2.7 Penyearah Gelombang Penuh 2.7.1 Konfigurasi Bridge

Untuk meningkatkan dc level yang diperoleh dari input sinusoidal sebanyak 100% kita dapat menggunakan rangkaian penyearah gelombang penuh. Konfigurasi yang sangat terkenal adalah konfigurasi Bridge atau jembatan, dengan menggunakan 4 buah dioda dengan penyearah seperti pada gambar 2.8 berikut.

Vi

Vm T/2 T t

D1 + Vo -

D2

Vi R D3 D4

Gambar 2.8 Penyearah Gelombang Penuh Selama periode t = 0 gambar 2.9 T/2 polaritas polaritas input digambarkan seperti pada

Aplikasi Dioda

+ OFF Vi + ON

+ + Vo R -

+ -

ON -

+ - OFF

Gambar 2.9 Rangkaian Full Wave Bridge untuk t = 0

T/2

Dari gambar 2.9 terlihat bahwa D2 dan D3 terkonduksi (ON) sementara D1 dan D4 OFF. Dengan mengganti dioda dengan model ideal diperoleh gambar berikut.

Gambar 2.10 Aliran Arus Pada Fase Positif dari Vi Untuk perioda input t = T/2 T, D2 dan D3 OFF sementara D1 dan D4 ON. Berikut

gambar polaritas input, arah arus serta rangkaian ekivalen rangkaian dioda

Gambar 2.11 Aliran Arus Pada Fase Negative dari Vi

Aplikasi Dioda

Secara keseluruhan input dan output rangkaian ini adalah

Vi

T/2

Vo Vm

T/2

Gambar 2.12 Sinyal Input dan Output Rangkaian Dioda Bridge Nilai rata-rata dc dapat diperoleh dengan persamaan berikut Vdc = 0.636Vm .(2.5)

2.7.2 Center Tapped Transformer

Bentuk kedua yang popular dari penyearah gelombang penuh adalah dengan menggunakan 2 buah dioda dan center tapped (CT) transformer konfigurasinya dapat dilihat pada gambar berikut.
Vi
+ + Vi + Vi -

D1

T 0 T/2 t

CT

R
- Vo +

Vi -

D2

Gambar 2.13 Gelombang Penuh Dengan Trafo CT Selama perioda t = 0 gambar berikut. T/2 , D1 akan menjadi ON sedang D2 OFF, seperti

Aplikasi Dioda
Vi Vm
+ Vi + Vi + Vi -

D1 Vo R
- Vo +

Vm

T/2

D2

T/2

Gambar 2.14 Kondisi Rangkaian Pada Perioda Input 0 T/2 Sebaliknya, selama perioda input T/2 T kondisi rangkaian adalah seperti gambar berikut
Vi
+ + Vi + Vi -

D1

Vo R

Vm

T/2

T t

Vi -

- Vo +

0 D2

T/2

Gambar 2.15 Kondisi Rangkaian Untuk Perioda Input T/2 T

2.8 CLIPPER
Clipper merupakan rangkaian dioda yang memiliki kemampuan memotong sebagian sinyal input tanpa menimbulkan efek pada bagian lain dari sinyal. Terdapat dua kategori clipper: 1. Clipper seri Dioda seri dengan beban dioda parallel dengan beban 2. Clipper parallel

2.8.1 Clipper Seri

Rangkaian dasar dari clipper seri adalah mirip dengan rangkaian penyearah gelombang. Namun demikian rangkaian clipper seri dapat dibuat dalam berbagai variasi. Salah satu contohnya dapat dilihat pada gambar berikut.

Aplikasi Dioda
Vi + R + + V0 -

(a)
Vi Vo Vi Vo Vi T/2 t 0 Vo

T/2 0

T t

T/2 t

T/ 2

T t

T/2

T t

T/2 0 t

(b)
Vi + T/2 0 + T t Vi V R V0 +

(c)

Gambar 2.16 Clipper Seri dan Input/Output (a) Rangkaian Dasar Clipper (b) Variasi Input dan Output (C) Variasi Clipper Seri Berikut adalah prosedur dalam menganalisa rangkaian clipper: 1. Tentukan apakah dioda ON/OFF dengan melihat rangkaian. 2. Tentukan nilai tegangan yang mengakibatkan kondisi dioda berubah OFF ON atau sebaliknya 3. Perhatikan polaritas Vi dan Vo, tentukan persamaan Vo 4. Hitung dan gambarkan nilai Vo berdasar nilai sesaat dari Vi Sebagai contoh, perhatikan gambar 2.16 (c) dan ikuti prosedur di atas. 1. Dioda ON pada saat Vi berada pada polaritas positif. Tegangan dc (V) harus lebih kecil dari Vi agar dioda ON. 2. Untuk dioda yang ideal perubahan kondisi ideal terjadi pada Vd = 0 V dan id = 0A (ingat karakteristik dioda ideal). Dengan menerapkan kondisi nilai Vi yang mengakibatkan transisi kondisi dioda.

Aplikasi Dioda

Gambar 2.17 Menetapkan Kondisi Transisi dari Rangkaian

Vi V Vd V0 = 0 Vi V 0 id R = 0 Vi V 0 (0) R = 0 Vi = V .(2.6)

Artinya dioda berubah dari OFF

ON atau ON

OFF pada saat Vi = V

3. Pada saat dioda dalam kondisi ON, Vo dapat dihitung dengan KVL

Gambar 2.18 Menentukan Vo Vi V Vo = 0 Vo = Vi V .(2.7)

4. Hitung dan gambarkan Vo dengan mengambil nilai sesaat dari Vi

Aplikasi Dioda
Vi

T/2

Vo Vm

T/2

Gambar 2.19 Sinyal Vi dan Vo

2.8.2 Clipper Paralel

Berikut rangkaian dasar clipper parallel, variasi input/output dan variasi konfigurasi yang lain

Gambar 2.20 Rangkaian Clipper Parallel dan Variasi Input/Outputnya

Aplikasi Dioda

Cara menganalisa clipper parallel adalah sama dengan cara analisis clipper seri Contoh: Tentukan Vo dari rangkaian berikut

Jawab: Dioda ON pada fase negative dari input Cari tegangan transisi
VR = 0 + Vi V 4V id = 0 + V0 -

Vi VR Vd V = 0 Vi 0 0 V = 0
Vd = 0

Vi = V

tegangan transisi

Ketika Vi < V Dioda ON, Vi > V Dioda OFF Tentukan Vo pada dioda ON

Tentukan Vo pada dioda OFF

Aplikasi Dioda

Gambarkan outputnya
Vi 16 V

t 16 V

Vo 4V

Berikut berbagai variasi rangkaian clipper

Gambar 2.21 (gbr 291 hal 84)

2.9

CLAMPER

Rangkaian clamper adalah rangkaian yang akan melempar (clamp) sinyal ke level dc yang berbeda. Clamper tersusun atas capasitor, dioda dan komponen resistif. Sumber dc juga dapat ditambahkan untuk memperoleh pergeseran tegangan tambahan. Nilai R dan C harus dipilih sedemikian rupa agar konstanta waktu = RC cukup besar. Hal ini berguna agar kapasitor tidak membuang tegangan (discharge) pada saat dioda mengalami perioda non konduksi (OFF). Dalam analisis, kapasitor kita anggap mengisi dan membuang semua dalam 5 kali konstanta waktu. Rangkaian clamper sederhana dapat dilihat pada gambar berikut
Vi V 0 -V T/2 T t + Vi C R + V0 -

Gambar 2.22 Rangkaian Clamper

Aplikasi Dioda

Selama interval 0 T/2 rangkaian dapat digambarkan seperti berikut.

Gambar 2.23 Dioda ON dan Kapasitor Mengisi Sampai V Volt Pada interval ini, kapasitor akan mengisi dengan cepat sampai V = tegangan input, sedang Vo = 0 V. Ketika polaritas input berbalik, rangkaian dapat digambarkan sebagai berikut.

V C Vi +

+ R V0 -

Gambar 2.24 Menetapkan Output Pada Saat Dioda OFF Jika digambarkan, secara keseluruhan input dan output dari rangkaian adalah sebagai berikut.

Gambar 2.25 Input/Output dari Contoh Rangkaian Clamper

Aplikasi Dioda

Berbagai variasi dari rangkaian clamper dapat dilihat pada gambar berikut.

Gambar 2.26 Rangkaian Clamper dengan Dioda Ideal

2.10 Dioda Zener

Dalam menganalisis zener, kita dapat menggunakan cara menganalisis dioda pada bagian sebelumnya. Ketika zener diindikasikan ON, rangkaian penggantinya adalah sumber tegangan Vz, sedangkan jika zener OFF rangkaian penggantinya adalah saklar terbuka

+ VZ -

+ VZ -

+ V -

ON

(Vz > V > 0) OFF

Gambar 2.27 Rangkaian pengganti Dioda Zener

2.10.1 Vi dan R tetap

Rangkaian dioda zener yang paling sederhana dapat dilihat pada gambar berikut ini:

VZ PZm

RL

Gambar 2.28 Rangkaian Dasar Regulator dengan Zener

Aplikasi Dioda

Analisa rangkaian zener dapat dilakukan dengan langkah berikut: a. Tentukan kondisi zener dengan melepasnya dari rangkaian dan menghitung tegangan pada untai terhubung. Dengan menerapkan langkah 1 pada gambar 2.27 diatas, akan kita peroleh rangkaian berikut
R

Vi

VZ

VL

Tegangan V dapat dihitung dengan menerapkan aturan pembagi tegangan

V = VL = R LV i R + RL

..2.8 ON. Zener dapat diganti dengan rangkaian OFF dapat

Jika V VZ , zener

penggantinya. Sebaliknya jika V VZ maka zener digantikan dengan saklar terbuka b. Ganti Zener dengan rangkaian ekivalennya

Gambar 2.29 Rangkaian Ekivalen Zener ON

Aplikasi Dioda

Dari gambar zener ON, arus yang mengalir pada zener dapat ditentukan dengan KCL IR = IZ + IL
I Z = I R I L .2.9

Dimana,
IL =

V VL VL V dan I R = R = i RL R R

Daya yang diserap zener:

PZ = VZ I Z .. 2.10

Dioda zener umumnya digunakan dalam rangkaian regulator tegangan Contoh 2

VR 1k 16V
VZ = 10 V PZm = 30mW

RL

1k2 VL

Jawab

Tentukan VL, VR, IZ, dan PZ Ulangi soal (a) dengan RL = 3k

a) Terapkan prosedur sebelumnya Lepaskan zener dari rangkaian

R LVi 1.2k (16V ) = = 8.73V R + RL 1k + 1.2k

V = VL =

V < VZ

Zener OFF

Aplikasi Dioda

Ganti zener dengan saklar terbuka

VR = Vi V L = 16 8.73V = 7.27V IZ = 0A PZ = VZ I Z = 0W b) Lepaskan zener dari rangkaian

V = VL = R LVi = 12V R + RL

V VZ

Zener ON

Ganti zener dengan rangkaian ekivalen untuk zener ON

VL = VZ = 10V VR = Vi V L = 16V 10V = 6V IL = IR = VL 10V = = 3.33mA RL 3k

VR 6V = = 6mA R 1k IZ = IR IL
= 6mA 3.33mA = 2.67 mA

Daya yang diserap zener

PZ = VZ I Z = (10)(2.67 mA) = 26.7 mW

2.10.2 Vi Tetap dan RL Variabel

ON/OFF-nya zener tergantung pada interval nilai RL. RL yang terlalu kecil akan mengakibatkan zener OFF. Nilai minimum RL dapat ditentukan sebagai berikut:
VL = VZ = RLVi RL + R

R L min =

RVZ Vi VZ

.2.11

Jika RL yang dipilih > RL rangkaian ekivalen zener ON. RL min akan menimbulkan IL max

min,

maka zener ON. Selanjutnya ganti dengan

Aplikasi Dioda

I L max =

VL V = Z RL R L min

.2.12

Tegangan pada R VR = Vi VZ IR = VR R ..2.13 ..2.14 ..2.15

IZ = IR IL

IZ min dicapai pada IL max dan sebaliknya I L min = I R I Z max ..2.16 ..2.17

R L max =

VZ I L min

2.10.3 RL Tetap dan Vi Variabel

Untuk nilai RL yang tetap, tegangan Vi harus cukup besar untuk dapat mengakibatkan zener ON. Tegangan Vi minimum ditentukan oleh:
VL = VZ = VL min = RLVi RL + R

( RL + R )VZ RL

..2.18 ..2.19

I R max = I Z max I L Vi max = V R max + VZ Vi max = I R max R + VZ

..2.20

2.11 Rangkaian Pengali Tegangan

Rangkaian ini digunakan untuk menaikkan tegangan puncak dari trafo hingga 2x, 3x, atau lebih kecil.

2.11.1 Pengali Tegangan

Rangkaian yang ditujukan oleh gambar 2.30 di bawah adalah rangkaian half wave voltage doubler. Selama tegangan positif pada separuh siklus dari tegangan yang melalui transformer, dioda D1 terkonduksi (D2 OFF) dan mengisi kapasitor C1

Aplikasi Dioda

sampai pada puncak tegangan (Vm) dengan polaritas seperti yang ditujukan dalam gambar. Selama siklus negative dari input D1 menjadi OFF sementara D2 terkonduksi (ON) dan mengisi kapasitor C2.

Gambar 2.30 Half Wave Voltage Doubler Tegangan pada output:

VC 2 + VC1 + Vm = 0 VC 2 + Vm + Vm = 0 VC 2 = 2Vm
Model rangkaian yang lain dapat dilihat pada gambar 2.31 berikut.

Gambar 2.31 Rangkaian Half Wave Voltage Doubler Alternatif

2.11.2 Voltage Tripler dan Quadrupler

Gambar 2.32 memperlihatkan half-wave voltage doubler yang dimodifikasi agar dapat mengeluarkan output sebesar 3 dan 4x dari tegangan input.

Aplikasi Dioda

Gambar 2.32 Voltage Tripler dan Quadrupler

Diode dalam Rangkaian Dari rangkaian berikut tentukan arus diode dan tegangan diode pada titik kerja IDQ dan VDQ berdasar : (a) Perhitungan dengan pemodelan diode (b) Analisis garis beban dengan kurva karakteristik diode
10 ID VD Si ID (mA)

10 V

1K

VD 1,0 Kurva karakteristik diode

Solusi : (a) Dari pemodelan diode : VDQ = 0,7 Volt Sehingga IDQ = (E-VD)/1000 = 9,3 mA (b) Dengan analisa garis beban : Buat kurva rangkaian yang memotong kurva karakteristik. Titik perpotongan kedua kurva menyatakan nilai IDQ dan VDQ. Persamaan rangkaian : E = VD + IDR Cari dua nilai ekstrim untuk VD dan ID : Saat VD = 0 : E = 0 + IDR E I D = VD = 0 R ID = 10 mA Saat ID = 0 : E = VD + 0 R VD = 10 V Perpotongan kurva :

10 9,3 mA

ID (mA)

titik Q

VD 0,7 V 10

Jadi VDQ = 0,7 V dan IDQ = 9,3 mA

Soal : Hitung I, V1, V2 dan V0

E1= 10

+ V1 Vo 4,7 K 2,2 K

+
V2

E2 = -5 V

Solusi : Diode berada dalam kondisi on, dan mempunyai tegangan VD = 0,7 Volt. Rangkaian digambarkan lebih lengkap sbb :

+ V1 I 4,7 K

+ 0,7 +
2,2 K V2

+
Vo

E1= 10 E2 5V

-E1 + V1 + 0,7 + V2 - E2 = 0 Persamaan untuk arus I : E VD + E 2 10V 0,7V + 5V I= 1 = R1 + R2 4700 + 2200 I = 2,07 mA V1 = I x R1 = 2,07mA x 4,7K = 9,73 V V2 = I x R2 = 2,07mA x2,2 K = 4,55 V Pada sisi output, dengan menerapkan hukum tegangan kirchoff :

+
V2

KVL

+
Vo

E2 5V

E2 V2 + V0 = 0 V0 = V2 - E2 V0 = 4,55 V 5 V = -0,45 V

MODUL

V
I.

RANGKAIAN PENYEARAH

Tujuan Praktikum 1. Mengetahui manfaat dioda sebagai penyearah. 2. Mampu merancang rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh. 3. Menganalisa rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh. 4. Mengetahui cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.

II. Bahan Praktikum 1. Transformator 2. Dioda semikonduktor 3. Resistor 4. Projectboard 5. Multimeter 6. Osiloskop

III. Ringkasan Teori Penyearah berfungsi untuk mengubah tegangan ac menjadi tegangan dc. Penyearah ada 2 macam, yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh.

Penyearah Setengah Gelombang Nilai tegangan puncak input transformator:

VRMS =

VP 2

............................................................................................................. (5.1)

Tegangan rata-rata DC pada penyearah setengah gelombang adalah:

VDC =

VP = 0,318 VP .......................................................................................... (5.2)

Frekuensi output:

f OUT = fIN ................................................................................................................. (5.3)

Penyearah Gelombang Penuh Tegangan rata-rata DC pada penyearah sinyal gelombang penuh:

VDC =

2VP ............................................................................................................. (5.4)

Praktikum Elektronika Dasar

16

Frekuensi output:

f OUT = 2.fIN .............................................................................................................. (5.5)

V. Tugas Pendahuluan 1. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 2. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh center tap? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 3. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda (diode bridge) Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya!

VI. Langkah Percobaan A. Penyearah Setengah Gelombang 1. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. Tentukan nilai T1, D1, dan R1

Gambar 5.1. Rangkaian Penyearah Setengah Gelombang

2. Tutup saklar S1. 3. Ukur besar tegangan keluaran pada T1 menggunakan multimeter. 4. Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter. 5. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. 6. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. 7. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. 8. Hitung besar tegangan keluaran pada R1.

B. Penyearah Gelombang Penuh dengan Center Tap 1. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. T1 = Transformator, D1 = Dioda semikonduktor, R1 = Resistor

Praktikum Elektronika Dasar

17

Gambar 5.2. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh

2. Tutup saklar S1. 3. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. 4. Ukur besar tegangan pada resistor beban menggunakan multimeter. 5. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. 6. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. 7. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. 8. Hitung besar keluaran pada R1.

C. Penyearah gelombang Penuh dengan Diode Bridge 1. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. T1 = Transformator, DB1 = Dioda Bridge, R1 = Resistor

Gambar 5.3. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan dioda bridge

2. Tutup saklar S1. 3. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. 4. Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter. 5. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. 6. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop.
Praktikum Elektronika Dasar 18

7. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. 8. Hitung besar keluaran pada R1. VII Laporan Akhir Gambarkan bentuk gelombang dari hasil percobaan yang telah dilakukan. Lakukan analisa dari ketiga percobaan diatas. Berikan kesimpulan dari percobaan yang telah dilakukan diatas.

Praktikum Elektronika Dasar

19