Disusun oleh: Ahmad Fali Oklilas


Dosen Pengasuh NIP Program Studi Kelas/angkatan
Minggu ke 1

: Ahamad Fali Oklilas : 132231465 : Teknik Komputer : Teknik Komputer/2006
Sub Pokok Bahasan Pengantar Tujuan Instruksional Khusus Muatan Partikel Intensitas, Tegangan dan Energi Satuan eV untuk Energi Tingkat Energi Atom Struktur Elektronik dari Element Mobilitas dan Konduktivitas Elektron dan Holes Donor dan Aseptor Kerapatan Muatan Sifat Elektrik Ref.

Pokok Bahasan

Tingkat Energi Pada Zat Padat


Transport Sistem Pada Semikonduktor

Energi Atom

Prinsip Dasar Pada Zat Padat

Prinsip Semikonduktor


Karakteristik Dioda

Prinsip Dasar

Rangkaian terbuka p-n Junction Penyerarah pada pn Junction Sifat Volt-Ampere Sifat ketergantungan Temperatur Tahanan Dioda Kapaitas


Karakterisrik Dioda

Sifat Dioda


Karakteristik Dioda

Jenis Dioda

Switching Times Breakdown Dioda Tunnel Dioda Semiconductor Photovoltaic Effect Light Emitting Diodes Dioda sebagai elemen rangkaian Prinsip garis beban Model dioda Clipping Comparator Sampling gate Penyearah Penyearah gelombang penuh Rangkaian lainnya 1


Rangkaian Dioda



Rangkaian Dioda


7 Rangkaian Transistor Sifat Transistor Transistor Junction Komponen Transistor Transistor Sebagai Penguat (Amplifier) Konstruksi Transistor Konfigurasi Common Base Konfigurasi Common Emitor CE Cutoff CE Saturasi CE Current Gain Konfigurasi Common Kolektor Analisis Grafik Konfigurasi CE Model Two Port Device Model Hybrid Parameter h


Rangkaian Transistor

Sifat Transistor


Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah


Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah

Thevenin & Norton Emitter Follower Membandingkan Konfigurasi Amplifier Teori Miller Model Hybrid JFET Karakteristik Amper



Rangkaian Transistor Field Effect Transistor

Transistor Pada frekuensi Tinggi Sifat Dasar


Rangkaian Dasar

FET MOSFET Voltager Variable Resitor Sebagai Osilator Sebagai Penguat Sebagai Sensor


Studi Kasus

Penerapan Transistor

Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. 4. 5. Palembang, 7 Feb 2007 Dosen Pengampu,

Ahmad Fali Oklilas, MT NIP. 132231465

ATURAN PERKULIAHAN ELEKTRONIKA DASAR DAFTAR HADIR MIN = 80% X 16= 14 KOMPONEN NILAI TUGAS/QUIS = 25% UTS = 30% UAS = 45% Nilai Mutlak 86 – 100 = 71 – 85 = 56 – 70 = 41 – 55 = ≤ 40 = A B C D E

Keterlambatan kehadiran dengan toleransi 15 menit Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. 4. 5.

The mass of the neutron is approximately equal to that of the proton. The valence of an atom is determined by the number of electrons in the atom’s outermost shell. . 10. it assumes an orbit further from or closer to the center of the atom. p. An energy balance keeps the electron in orbit and as it gains or loses energy. d. respectively. Shells are lettered K through Q. 6. it has kinetic energy.Tingkat Energi Pada Zat Padat Electron’s Energy Level The NEUTRON is a neutral particle in that it has no electrical charge. The shell can also be split into four subshells labeled s. starting with K. Each shell can contain a maximum number of electrons. An ELECTRON’S ENERGY LEVEL is the amount of energy required by an electron to stay in orbit. and 14 electrons. The electron’s position in reference to the nucleus gives it potential energy. and f. which can contain 2. This shell is referred to as the VALENCE SHELL. which can be determined by the formula 2n 2. SHELLS and SUBSHELLS are the orbits of the electrons in an atom. The electrons in the outermost shell are called VALENCE ELECTRONS. which is the closest to the nucleus. VALENCE is the ability of an atom to combine with other atoms. Just by the electron’s motion alone.

Electrons and holes in semiconductors As pointed out before. ENERGY BANDS are groups of energy levels that result from the close proximity of atoms in a solid. This definition is illustrated further with the figure below which presents . We will now first explain the concept of a hole and then point out how the hole concept simplifies the analysis. An atom that loses some of its electrons in the process becomes positively charged and is called a POSITIVE ION. This also means that we will have to deal with the transport of carriers in both bands. FORBIDDEN BAND. The three most important energy bands are the CONDUCTION BAND. rather than keeping track of the actual electrons in that band. semiconductors distinguish themselves from metals and insulators by the fact that they contain an "almost-empty" conduction band and an "almost-full" valence band. To facilitate the discussion of the transport in the "almost-full" valence band we will introduce the concept of holes in a semiconductor. and VALENCE BAND. Holes are missing electrons.IONIZATION is the process by which an atom loses or gains electrons. The concepts of holes is introduced based on the notion that it is a whole lot easier to keep track of the missing particles in an "almost-full" band. It is important for the reader to understand that one could deal with only electrons (since these are the only real particles available in a semiconductor) if one is willing to keep track of all the electrons in the "almost-full" valence band. An atom that has an excess number of electrons is negatively charged and is called a NEGATIVE ION. They behave as particles with the same properties as the electrons would have occupying the same states except that they carry a positive charge.

The gradient of the vacuum level requires some further explaination since the vacuum level is associated with the potential energy of the electrons outside the semiconductor. Electrons in the valence band also move in the same direction.gif Fig. However the gradient of the vacuum level represents the electric field within the semiconductor.2. The total current due to the electrons in the valence band can therefore be written as: (f36) . Electrons therefore move down hill in the conduction band.12 Energy band diagram in the presence of a uniform electric field. The electrons in the conduction band are negatively charged particles which therefore move in a direction which opposes the direction of the field.2. Shown are electrons (red circles) which move against the field and holes (blue circles) which move in the direction of the applied field. A uniform electric field is assumed which causes a constant gradient of the conduction and valence band edges as well as a constant gradient of the vacuum level. band1.the simplified energy band diagram in the presence of an electric field.

. The sum is taken over all occupied or filled states in the valence band. This expression can be reformulated by first taking the sum over all the states in the valence band and subtracting the current due to the electrons which are actually missing in the valence band. but rather that the combined behavior of all the electrons which occupy states in the valence band is the same as that of positively charge particles associated with the unoccupied states. q is the electronic charge and v is the electron velocity. However it can be dramatically simplified if only states close to the band edge need to be considered. Keep in mind that there is no real particle associated with a hole. while the remaining term can be written as: (f38) which states that the current is due to positively charged particles associated with the empty states in the valence band. or: (f37) The sum over all the states in the valence band has to equal zero since electrons in a completely filled band do not contribute to current. They move upward in the energy band diagram similar to air bubbles in a tube filled with water which is closed on each end. We call these particles holes. As illustrated by the above figure. The reason the concept of holes simplifies the analysis is that the density of states function of a whole band can be rather complex.where V is the volume of the semiconductor. the holes move in the direction of the field (since they are positively charged particles). This last term therefore represents the sum taken over all the empty states in the valence band.

e. This variable is called the Fermi energy. EF. Fermions and Bosons all "look alike" i. While the actual derivation belongs in a course on statistical thermodynamics it is of interest to understand the initial assumptions of such derivations and therefore also the applicability of the results. An essential assumption in the derivation is that one is dealing with a very large number of particles. one takes into account the fact that the total number of particles as well as the total energy of the system has a specific value. which can be distinguished from the first one. The derivation then yields the most probable distribution of particles by using the Lagrange method of indeterminate constants. one must acknowledge the different behavior of different particles.Distribution functions 1. Introduction The distribution or probability density functions describe the probability with which one can expect particles to occupy the available energy levels in a given system. . One of the Lagrange constants. The derivation starts from the basic notion that any possible distribution of particles over the available energy levels has the same probability as any other possible distribution. they are indistinguishable. The number of bosons occupying the same energy levels is unlimited. turns out to be a more meaningful physical variable than the total energy. In addition. Third. This assumption enables to approximate the factorial terms using the Stirling approximation. Only one Fermion can occupy a given energy level (as described by a unique set of quantum numbers including spin). namely the one associated with the average energy per particle in the distribution. Maxwellian particles can be distinguished from each other.

which are hard to explain. the Maxwell-Boltzmann distribution and the Bose-Einstein distribution is shown in the figure below. The independence of the density of states is very fortunate since it provides a single distribution function for a wide range of systems. the Fermi-Dirac distribution.gif Fig. First of all the fact that a probability of occupancy can be obtained independent of whether a particular energy level exists or not. since it determines where particles can be in the first place. 2. The fact that the distribution function does not depend on the density of states is due to the assumption that a particular energy level is in thermal equilibrium with a large number of other particles.4. . the Bose-Einstein (green curve) and the Maxwell-Boltzman (blue curve) distribution.1 Occupancy probability versus energy of the Fermi-Dirac (red curve).xls . It would seem more acceptable that the distribution function does depend on the density of available states. A plot of the three distribution functions.distrib. where the Fermi energy was set equal to zero. distrib.The resulting distributions do have some peculiar characteristics. The nature of these particles does not need to be described further as long as their number is indeed very large.

5.5. eV. 2.gif Fig. 1. which is 6 eV more than the minimum possible energy of this system.5. The Fermi-Dirac distribution reaches a maximum of 1 for energies which are a few kT below the Fermi energy.5. where the red dots represent the electrons: occdraw.. 2.. which satisfy these particular constraints. The electrons are Fermions so that they are indistinguishable from each other and no more than two electrons (with opposite spin) can occupy a given energy level..All three distribution functions are almost equal for large energies (more than a few kT beyond the Fermi energy). which each can contain two electrons. . . Six of those configurations are shown in the figure below. This system contains 20 electrons and we arbitrarily set the total energy at 106 eV. 3.4. 5. we now consider a system with equidistant energy levels at 0. while the Bose-Einstein distribution diverges at the Fermi energy and has no validity for energies below the Fermi energy. 2.5. There are 24 possible and different configurations. An Example To better understand the general derivation without going through it.2 Six of the 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV. 4.5.

447 eV or T = 16.A complete list of the 24 configurations is shown in the table below: fddist.occtable.xls . The average occupancy of each energy level as taken over all (and equally probable) 24 configurations is compared in the figure below to the expected FermiDirac distribution function.xls . fddist.998 eV and kT = 1.gif .1 All 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.800 K.4. The agreement is surprisingly good considering the small size of this system. A best fit was obtained using a Fermi energy of 9.occprob.gif Table 2.

As these particles are added to an energy band.Fig. The definition of Fermions could therefore also be particles which obey the Pauli exclusion principle. A unique characteristic of Fermions is that they obey the Pauli exclusion principle which states that only one Fermion can occupy a state which is defined by its set of quantum numbers n.l and s. .447 eV and EF= 9.998 eV. Fermions are by definition particles with half-integer spin (1/2. 3. The Fermi-Dirac distribution function The Fermi-Dirac probability density function provides the probability that an energy level is occupied by a Fermion which is in thermal equilibrium with a large reservoir.k..4. All such particles also happen to have a half-integer spin.). the energy levels are all filled up to a maximum energy which we call the Fermi level. 3/2. followed by the next higher ones.3 Probability versus energy averaged over the 24 possible configurations of the example (red squares) fitted with a Fermi-Dirac function (green curve) using kT = 1. No states above the Fermi level are filled. is given by: (f18) This function is plotted in the figure below. The states with the lowest energy are filled first. 2. The Fermi function which describes this behavior.. 5/2 . they will fill the available states in an energy band just like water fills a bucket. At higher temperature one finds that the transition between completely filled states and completely empty states is gradual rather than abrupt. At absolute zero temperature (T = 0 K). Electrons as well as holes have a spin 1/2 and obey the Pauli exclusion principle.

The difference is due to the fact that a filled donor energy level contains only one electron which can have either spin (spin up or spin down) .gif Fig.4. the transition is more gradual at finite temperatures and more so at higher temperatures. 4. Impurity distribution functions The distribution function of impurities differs from the Fermi-Dirac distribution function although the particles involved are Fermions.fermi. It equals 1/2 if the energy equals the Fermi energy and decreases exponentially for energies which are a few times kT larger than the Fermi energy. 2. 300 K (blue curve) and 600 K (black curve). which are more than a few times kT below the Fermi energy. While at T =0 K the Fermi function equals a step function.4 Fermi function at an ambient temperature of 150 K (red curve). This yields a modified distribution function for donors as given by: . while having two electrons with opposite spin occupy this one level is not allowed since this would leave a negatively charge atom which would have a different energy as the donor energy.xls . The Fermi function has a value of one for energies.fermi.

the ionized acceptor still contains one electron which can have either spin. one finds that most commonly used semiconductors have a two-fold degenerate valence band. In addition. The distribution function for acceptors differs also because of the different possible ways to occupy the acceptor level. The Bose-Einstein distribution function (f27) 6. The neutral acceptor contains two electrons with opposite spin. while the doubly positive state is not allowed since this would require a different energy. The Maxwell-Boltzmann distribution function (f28) . which causes this factor to increase to 4 yielding: (f26) 5.(f25) The main difference is the factor 1/2 in front of the exponential term. This restriction would yield a factor of 2 in front of the exponential term.

transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Hanya dengan energi yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya. berada pada orbit paling luar. Bahan. besi. Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi.7. Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-). Disebut semi atau setengah konduktor. Semiconductor thermodynamics In order to understand the carrier distribution functions one must be familiar with a variety of thermodynamic concepts. karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini. These include thermal equilibrium. . ikatannya tidaklah terlalu kuat.bahan logam seperti tembaga. These and other related topics are discussed in the section on semiconductor thermodynamics. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29. the difference between the total energy and heat. sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa. An ideal electron gas is discussed in more detail as an example Semikonduktor Prinsip Dasar Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda. Karena hanya ada satu elektron dan jaraknya 'jauh' dari nucleus. work and particle energy and the meaning of the Fermi energy. Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian dalam membentuk inti yang disebut nucleus.

Namun belakangan. kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur . Phenomena ini yang dinamakan sebagai arus listrik. Susunan Atom Semikonduktor Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si). elektron tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama. Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur yang atomnya memiliki 4 elektron valensi.ikatan atom tembaga Pada suhu kamar. semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Dapat ditebak. Jika diberi tegangan potensial listrik. Germanium (Ge) dan Galium Arsenida (GaAs). Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8 buah. dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron ini. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada dibumi setelah oksigen (O2). Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. silikon menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Pasir.

ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas. . satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Struktur atom kristal silikon. Pada kondisi demikian. Pada suhu kamar. struktur dua dimensi kristal Silikon Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas. bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron. sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik.silikon. Pada suhu yang sangat rendah (0oK). struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada gambar berikut. Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini.

Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen. Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan elektron. Gallium atau Indium. Untuk mendapatkan silikon tipe-p. Tipe-N Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n. Dengan doping. Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. mereka memang iseng sekali dan jenius. Kenyataanya demikian. dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole). Karena ion silikon memiliki 4 elektron. bahan dopingnya adalah bahan trivalen yaitu unsur dengan ion yang memiliki 3 elektron pada pita valensi. maka akan didapat semikonduktor tipe-p. doping atom pentavalen Tipe-P Kalau silikon diberi doping Boron. yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Hole .

kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p. Namun besar resistansi yang bisa didapat kecil karena terbatas pada volume semikonduktor itu sendiri. melainkan dari satu bahan (monolitic) dengan memberi doping (impurity material) yang berbeda. doping atom trivalen Resistansi Semikonduktor tipe-p atau tipe-n jika berdiri sendiri tidak lain adalah sebuah resistor.ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron. maka akan didapat sambungan P-N (p-n junction) yang dikenal sebagai dioda. Dengan demikian. . Dioda PN Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan-pakai lem barangkali ya :).Pada pembuatannya memang material tipe P dan tipe N bukan disambung secara harpiah. semikonduktor memiliki resistansi. Cara ini dipakai untuk membuat resistor di dalam sebuah komponen semikonduktor. Sama seperti resistor karbon.

Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. forward bias Sebaliknya jika diberi tegangan balik (reverse bias). Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor.sambungan p-n Jika diberi tegangan maju (forward bias). dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P. base dan kolektor. Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N mengisi kekosongan elektron (hole) di sisi P. Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. LED. Dioda. Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus. . dimana tegangan sisi P lebih besar dari sisi N. Zener. sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier).

Sebab untuk dapat melepaskan elektron. teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar. Dalam beberapa aplikasi. . Transistor ini disebut transistor bipolar. di antara emitor dan kolektor. disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar. untuk mendapatkan kualitas suara yang baik. Transistor npn dan pnp Akan dijelaskan kemudian. transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio. Bias DC Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda. karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. namun konsumsi dayanya sangat besar. Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil.Base selalu berada di tengah. bi = 2 dan polar = kutup.

Misalnya tidak ada kolektor. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis. junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reverse bias). aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Karena kolektor ini lebih positif. hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor. elektron mengalir dari emiter menuju base. Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini.Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Seperti pada dioda. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat tegangan positif. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik . aliran elektron bergerak menuju kutup ini. arus elektron transistor npn Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda. karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif.

(reverse bias). Dengan kata lain. karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus hole. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju (forward bias). Ini yang dinamakan efek penguatan transistor. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off). Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah. berikut adalah terminologi .Pada transistor PNP. karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan. fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias seperti pada gambar berikut. melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. arus hole transistor pnp Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut.

walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan kolektor.parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil. penampang transistor bipolar . namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik. arus potensial IC : arus kolektor IB : arus base IE : arus emitor VC : tegangan kolektor VB : tegangan base VE : tegangan emitor VCC : tegangan pada kolektor VCE : tegangan jepit kolektor-emitor VEE : tegangan pada emitor VBE : tegangan jepit base-emitor ICBO : arus base-kolektor VCB : tegangan jepit kolektor-base Perlu diingat.

emitor dibuat terlebih dahulu. terhadap tegangan VD. Kurva karakteristik statik dioda merupakan fungsi dari arus ID. DIODA Kita dapat menyelidiki karakteristik statik dioda. yaitu ID. arus yang melalui dioda. dengan cara memasang dioda seri dengan sebuah catu daya dc dan sebuah resistor.Dari satu bahan silikon (monolitic). kemudian base dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. kita peroleh karakteristik statik dioda. beda tegang antara titik a dan b (lihat gambar 1 dan gambar 2) karakteristik statik dioda Karakteristik statik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab) dan arus yang melalui dioda. Bila anoda berada pada . Dapat diubah dengan dua cara. yaitu mengubah VDD.Bila arus dioda ID kita plotkan terhadap tegangan dioda Vab. Terkadang dibuat juga efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah yang dikehendaki.

maka arus ID dan VD akan berubah pula. Titik potong antara karakteristik statik dengan garis beban memberikan harga tegangan dioda VD(q) dan arus dioda ID(q). VDD = Vab + (I· RL) atau I = -(Vab/RL) + (VDD / RL) Bila hubungan di atas kita lukiskan pada karakteristik statik dioda kita akan mendapatkan garis lurus dengan kemiringan (1/RL). Garis ini disebut garis beban (load line). . Bila harga VDD diubah. Pada gambar 2 VC disebut cut-in-voltage. Bila VD negatip disebut bias reserve atau bias mundur. Dari gambar 1. Bila kita mempunyai karakteristik statik dioda dan kita tahu harga VDD dan RL. maka harga arus ID dan VD dapat kita tentukan sebagai berikut. Kita lihat bahwa garis beban memotong sumbu V dioda pada harga VDD yaitu bila arus I=0. dan memotong sumbu I pada harga (VDD/RL). IS arus saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage.tegangan lebih tinggi daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan mendapat bias forward. Ini ditunjukkan pada gambar 3.

Bila VDD<0 dan |VDD| < VPIV maka arus dioda yang mengalir adalah kecil sekali. 1. Dalam realita yang ada proses emisi elektron cenderung terjadi pada logam dibandingkan pada bahan lainnya. Emisi Electron Membahas mengenai cara kerja tabung tak akan karena bisa lepas dari Proses Emisi Electron sesungguhnya cara kerja tabung yang paling mendasar ialah proses emisi elektron dan pengendaliannya. Akan tetapi walaupun daya tarik tesebut tidak . Arus ini mempunyai harga kira-kira 1 µA untuk dioda silikon. Emisi elektron ialah proses pelepasan elektron dari permukaan suatu substansi atau material yang disebabkan karena elektron elektron tersebut mendapat energi dari luar. Pengenalan vacuum Tube Pada bagian ini penulis bermaksud mengajak para rekan rekan tube mania untuk ngobrol mengenai prinsip kerja dari Tabung. Banyaknya elektron bebas pada logam disebabkan karena daya tarik ini atom logam terhadap elektron. terutama pada elektron yang terletak pada kulit terluar dari atom logam (elektron valensi) tidak terlalu kuat dibandingkan yang terjadi pada bahan lainnya. hal ini disebabkan karena logam banyak memiliki elektron bebas yang selalu bergerak setiap saat.Dengan mengubah harga VDD kita akan mendapatkan garis-garis beban sejajar seperti pada gambar 3. yaitu arus saturasi IS.

Agar supaya elektron pada logam bisa melompat keluar melalui permukaan logam. sehingga terjadi proses emisi elektron. masihlah cukup untuk menahan elektron agar tidak sampai lepas dari atom logam. Oleh elektron energi panas ini diubah menjadi energi kinetik. besarnya fungsi kerja adalah berbeda untuk setiap logam. Emisi Thermionic Pada emisi jenis ini. dengan semakin besarnya kenaikan energi kinetik dari elektron maka gerakan elektron menjadi semakin cepat dan semakin tidak menentu. Besarnya energi yang diperlukan oleh sebuah elektron untuk mengatasi daya tarik inti atom sehingga bisa melompat keluar dari permukaan logam. 4. 3. Proses penerimaan energi luar oleh elektron agar bisa beremisi dapat terjadi dengan beberapa cara. didefinisikan sebagai Fungsi Kerja (Work Function). Emisi Thermionic Emisi medan listrik Emisi Sekunder Emisi Fotolistrik (Thermionic emission) (Field emission) (Secondary emission) (Photovoltaic emission) 2. energi luar yang masuk ke bahan ialah dalam bentuk energi panas. Pada situasi inilah akan terdapat elektron yang pada ahirnya terlepas keluar melalui permukaan bahan. bahan yang digunakan sebagai asal ataupun sumber elektron disebut sebagai "emiter" .terlalu kuat. 2. dan jenis proses penerimaan energi inilah yang membedakan proses emisi elektron yaitu : 1.Fungsi kerja biasanya dinyatakan dalam satuan eV (electron volt). Pada proses emisi thermionic dan juga pada proses emisi lainnya. maka diperlukanlah sejumlah energi untuk mengatasi daya tarik inti atom terhadap elektron. Semakin besar panas yang diterima oleh bahan maka akan semakin besar pula kenaikan energi kinetik yang terjadi pada elektron.

pada katoda jenis ini katoda selain sebagai sumber elektron juga dialiri oleh arus heater (pemanas). yaitu bahan yang baik dalam menghantarkan panas tetapi tidak mengalirkan arus listrik. Dalam konteks tabung hampa (vacuum tube) anoda lebih sering disebut sebagai "plate". panas yang dibutuhkan untuk memanasi katoda dihasilkan oleh heater element (elemen pemanas) dan panas ini dialirkan secara konduksi dari heater elemen ke katoda dengan perantaraan insulasi listrik. Dalam proses emisi thermionik dikenal dua macam jenis katoda yaitu : a) Katoda panas langsung (Direct Heated Cathode. Katoda jenis ini tidak dialiri langsung oleh arus heater. disingkat DHC) b) Katoda panas tak langsung (Indirect Heated Cathode. dengan fungsi kerja yang rendah maka energi yang dibutuhkan . Pada proses emisi thermionik bahan yang akan digunakan sebagai katoda harus memiliki sifat sifat yang memadai untuk berperan dalam proses yaitu : a. Struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari IHC dapat dilihat pada Figure 3. Memiliki fungsi kerja yang rendah.atau lebih sering disebut "katoda" (cathode). disingkat IHC) Pada Figure 2 dapat dilihat struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari DHC. sedangkan bahan yang menerima elektron disebut sebagai anoda.

untuk menarik elektron menjadi lebih kecil sehingga proses emisi lebih mudah terjadi. Tungsten Material ini adalah material yang pertama kali digunakan orang untuk membuat katode. C. Memiliki titik lebur (melting point) yang tinggi. Akan tetapi untuk aplikasi yang umum terutama untuk aplikasi Tabung Audio dimana tegangan kerja dan temperature . Tungsten memiliki dua kelebihan untuk digunakan sebagai katoda yaitu memiliki ketahanan mekanik dan juga titik lebur yang tinggi (sekitar 3400 derajat Celcius). dan suhu ini bisa mencapaai 1500 derajat celcius. Pada proses emisi thermionic katoda harus dipanaskan pada suhu yang cukup tinggi untuk memungkinkan terjadinya lompatan elektron. b. yaitu : 3. sehingga agar supaya katoda tidak mengalami deformasi maka bahan dari katoda harus memiliki mechanical strenght yang tinggi. Lompatan ion positif tersebut oleh katoda akan dirasakan sebagai benturan. Memiliki ketahanan mekanik (mechanical strenght) yang tinggi Pada saat terjadinya emisi maka terjadi pula lompatan ion positif dari plate menuju ke katoda. sehingga tungsten banyak digunakan untuk aplikasi khas yaitu tabung X-Ray yang bekerja pada tegangan sekitar 5000V dan temperature tinggi. Pada aplikasi yang sesungguhnya ada tiga jenis material yang digunakan untuk membuat katoda.

5. Selain itu hasil pencampuran kedua logam tersebut memiliki temperature kerja optimal yang lebih rendah daripada tungsten yaitu 1700 derajat celcius hal ini berarti besarnya energi yang dibutuhkan untuk pemanasan pada aplikasi pemakaian logam campuran ini juga lebih rendah.tidak terlalu tinggi maka tungsten bukan material yang ideal. hal ini disebabkan karena tungsten memiliki fungsi kerja yang tinggi( 4. Katoda jenis ini umumnya digunakan untuk aplikasi yang menggunakan tegangan tidak lebih dari 1000 V. Katoda berlapis oksida (Oxide-Coated Cathode) Katoda tipe ini terbuat dari lempengan nickel yang dilapis dengan barium dan oksida strontium. Sebagai hasil dari pelapisan tersebut maka dihasilkanlah katoda yang memiliki fungsi kerja yang dan temperature kerja optimal rendah yaitu sekitar 750 derajat celsius.4 eV. yaitu suatu nilai fungsi kerja yang lebih rendah dibandingan dengan fungsi kerja tungsten ataupun thorium dalam keadaan tidak dicampur.52 eV) dan juga temperature kerja optimal yang cukup tinggi (sekitar 2200 derajat celcius) 4. Thoriated Tungsten Material ini ialah campuran antara tungsten dan thorium. campuran antara thorium dan tungsten memiliki fungsi kerja 2.63eV. 5. Thorium adalah material yang secara individual memiliki fungsi kerja 3. Emisi Medan Listrik (Field Emission) Pada emisi jenis ini yang menjadi penyebab lepasnya elektron dari .

Emisi Sekunder ( Secondary emission) Pada emisi sekunder ini energi yang menjadi penyebab lepasnya elektron datang dalam bentuk energi mekanik yaitu energi yang diberikan dalam proses tumbukan antara elektron luar yang datang dengan elektron yang ada pada katoda. Dukungan proses emisi medan listrik dibutuhkan pada proses emisi sekunder. Pada proses tumbukan terjadi pemindahan sebagian energi kinetik dari elektron yang datang ke elektron yang ada pada katoda sehingga elektron yang ada pada katoda tersebut terpental keluar dari permukaan katoda. Pada katoda yang digunakan pada proses emisi ini dikenakan medan listrik yang cukup besar sehingga tarikan yang terjadi dari medan listrik pada elektron menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk lompat keluar dari permukaan katoda. Pada kenyataannya proses emisi sekunder tidak dapat berlangsung sukses dengan sendirinya untuk melepaskan elektron dari permukaan akan tetapi proses emisi ini masih membutuhkan dukungan dari emisi jenis lainnya secara bersamaan yaitu emisi medan listrik. 6. karena walaupun elektron sudah terpental keluar dari permukaan katoda akan tetapi energi yang dimiliki oleh elektron ini seringkali tidak cukup untuk .bahan ialah adanya gaya tarik medan listrik luar yang diberikan pada bahan. Emisi medan listrik adalah salah satu emisi utama yang terjadi pada vacuum tube selain emisi thermionic.

yang oleh elektron kemudian diubah menjadi energi mekanik sehingga elektron tersebut dapat terlepas dari permukaan katoda. Ada beberapa jenis vacuum tube yang umum digunakan yaitu . Yang dimaksud dengan vacuum tube ialah peralatan elektronik dimana aliran elektron terjadi pada ruang hampa.Trioda .Dioda . Sama seperti proses emisi sekunder emisi fotolistrik juga tidak dapat berjalan dengan sempurna tanpa bantuan proses emisi medan listrik. hal ini disebabkan karena energi yang didapat oleh elektron dari foton belum cukup untuk membuat elektron tersebut mampu menjangkau anoda.menjangkau anoda sehingga dibutuhkanlah dukungan energi dari proses emisi medan listrik. Sampai pada bagian ini kita baru saja meyelesaikan obrolan kita mengenai emisi electron dan sekarang obrolan akan kita lanjutkan ke pembahasan mengenai vacuum tube dan cara kerjanya. Emisi Fotolistrik (Photo Electric Emission) Pada emisi fotolistrik energi diberikan ke elektron pada katoda melalui foton yaitu paket paket energi cahaya. 7.

rapat pencampuran akseptor atau donor dalam semikondktor tetap sampai mencapai hubungan. Hubungan p-n tanpa catu . hubungan berangsur-linier Hubungan berangsur-tangga. Pencampuran dengan pemanasan pada temperature tinggi dlm waktu singkat. 1986” Dioda Hubungan Hubungan p-n Lihat gambar diatas i.. Dalam hubungan berangsur-linier. Terbentuk dg menarik kristal tunggal dari lelehan germanium yang pd saat dimulai proses sudah berisi pencampuran dari satu jenis.Tetroda . hubungan berangsur-tangga atau ii. rapat pencampuran berubah secara linier menurut jarak menjauh dari hubungan. Bandung: Penerbit ITB. jilid 1.Pentoda REFERENSI “Elektronika : teori dasar dan penerapannya”.

Tebal daerah kosong sekitar 0. Potensial halangan ekivalen VB diberikan oleh Eb=eVB berdasarkan energi halangan tergantung pada lebar daerah tidak tercakup. Jumlah energinya sama kalau lobang dari daerah p berpindah ke daerah n. Karena ada medan halangan lewat hubungan. Medan halangan berperan sehingga elektron dari sisi p dan lubang dari sisi n dg mudah melewati hubungan. Diagram pita energi dari hubungan p-n tanpa dicatu. yang menghasilkan medan listrik lewat hubungan. perpindahan elektron dari sisi n ke sisi p memerlukan sejumlah energi yang dinamakan energi halangan (barrier) (Eb). Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu maju (forward biased).5 mikrometer. Setelah melewati hubungan mereka bergabung dg membiarkan ion-ion tidak bergerak disekelilingnya tidak ternetralkan. mereka dinama muatan tidak tercakup.Lihat gambar atas Elektron berdifusi lewat hubungan ke kiri dan lobang-lobang berdifusi ke kanan. Medan ini diarahkan dari sisi n ke sisi p dan dinamakan medan halangan. Krn itu gerakan pembawa minoritas membentuk aliran arus. Hubungan akan mengalir arus besar. Medan ini melawan gerakan difusi elektron dan lubang lewat hubungan. lihat gambar bawah. . Daerah P terdiri dari elektron sbg pembawa minoritas dan daerah n berisi lubang sebagai pembawa minoritas. Hubungan p-n yang dicatu Jika + batere dihub ke sisi jenis p dan – batere ke sisi jenis n.

Penyearah adalah suatu rangkaian yang berfungsi untuk mengubah tegangan bolak-balik menjadi tegangan searah. Penyearah dengan dioda mengikuti sifat dioda yang akan menghantar pada satu arah dengan drop tegangan yang kecil yaitu sebesar 0. yakni energi halangannya.7 volt. Hubungan akan mengalir arus kecil. PENYEARAH 1.Jika dibalik +batere ke sisi n dan –batere ke sisi p.gambar samping kiri. Sifat-sifat diatas cocok untuk penyearahan. Hubungan p-n dicatu maju Gambar lihat samping kanan Tegangan catu maju mengakibatkan gaya pada lubang di sisi jenis p dan pada electron di sisi jenis n. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu balik (reverse biased). Ada dua type rangkaian penyearah dengan menggunakan dioda yaitu penyearah gelombang penuh dan penyearah setengah gelombang yang mana kedua rangkaian tersebut akan diuji pada praktikum . Pendahuluan Penggunaan dioda yang paling umum adalah sebagai penyearah . Gaya ini mengakibatkan lubang dan electron bergerak menuju hubungan. Akibatnya lebar muatan tidak tercakup berkurang dan halangan berkurang.

1 dihubungkan dengan suatu kapasitor secara paralel terhadap beban seperti pada gambar 1. Hal ini dapat dijelaskan pada gambar berikut: Hasil penyearahan yang tidak ideal akan mengakibatkan adanya ripple seperti terlihat pada gambar diatas dimana tegangan ripple yang dihasilkan dapat ditentukan oleh persamaan berikut : Ripple (peak to peak) = Idc . T adalah periode . Penyearah Setengah Gelombang A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 2. Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan Untuk mendapatkan suatu tegangan DC yang baik dimana bentuk tegangan hasil penyearahan adalah mendekati garis lurus maka tegangan keluaran dari suatu rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar dimana arus dari keluaran rangkaian penyearah selain akan melewati beban juga akan mengisi kapasitor sehingga pada saat tegangan hasil penyearahan mengalami penurunan maka kapasitor akan membuang muatannya kebeban dan tegangan beban akan tertahan sebelum mencapai nol. (T / C) Dimana Idc dalam hal ini adalah tegangan keluaran dibagi dengan R beban.

1.tegangan ripple (detik) dan C adalah nilai kapasitor (Farad) yang digunakan. A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - 3. Penyearah Gelombang Penuh 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 3. Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - .

DIODA ZENER 1. Karakteristik maju dioda Zener + A 100 Ohm + Supply DC Variabel Zener 12V V V - Voltmeter . Akan tetapi dioda Zener justru adalah suatu dioda yang dirancang untuk bisa melakukan arus balik dengan aman dan dengan drop tegangan hanya beberapa volt saja. Simbol dioda zener adalah seperti pada gambar 2. Pendahuluan Sebagian dioda semikonduktor bila dihubungkan dengan suatu tegangan balik yang cukup akan melakukan suatu arus balik. Hal ini tidak ditunjukkan sebelumnya karena biasanya akan merusak dioda.1 dimana bentuk simbol tersebut menyerupai dioda biasa kecuali garis melintang pada kepala panah yang digunakan untuk menyatakan sudut karakteristik balik. Pada arah maju dioda zener berperilaku seperti dioda biasa. A K 2.

Tolong diketik yang rapi dan menarik dijilid. konsep elektron. 8. Karakteristik balik dioda Zener Reverse Current (mA) 60 +10V Zener Current 50 40 I 30 Resistor for zener dioda 20 10 V V 5 10 15 Reverse Voltage (b) 0V (a) (c) Tugas perorangan: Buat resume tentang 1. semikonduktor tidak murni 6. rekombinasi 5.3. konduktor. 2. s. pita energi. dioda dan hubungan-hubungannya 9. Silahkan ambil dari referensi mana saja dan media apa saja. efek hall. pengaruh temperatur pada semikonduktor 7. semi konduktor murni 4. hubungan p-n yang dicatu.d. isolator. . semikonduktor 3. atom.

invented by three scientists at the Bell Laboratories in 1947. A transistor regulates current or voltage flow and acts as a switch or gate for electronic signals. A semiconductor is a material such as germanium and silicon that conducts electricity in a "semi-enthusiastic" way. A small change in the current or voltage at the inner semiconductor layer (which acts as the control electrode) produces a large. The doping results in a material that either adds extra electrons to the material (which is then called N-type for the extra negative charge carriers) or creates "holes" in the material's crystal structure (which is then called P-type because it results in more positive charge carriers). The component can thus act as a switch. rapidly replaced the vacuum tube as an electronic signal regulator. opening and closing an electronic gate many times per second. rapid change in the current passing through the entire component. The transistor's three-layer structure contains an N-type semiconductor layer sandwiched between P-type layers (a PNP configuration) or a Ptype layer between N-type layers (an NPN configuration). each capable of carrying a current. Today's computers use circuitry made with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. It's somewhere between a real conductor such as copper and an insulator (like the plastic wrapped around wires). A transistor consists of three layers of a semiconductor material. CMOS uses two complementary transistors per gate (one with N-type material.Transistor The transistor. The semiconductor material is given special properties by a chemical process called doping. the .

Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya." Jenis Transistor Berbagai macam Transistor (Dibandingkan dengan pita ukur centimeter) Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat. dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET). Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog. stabilisasi tegangan. modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Transistors are the basic elements in integrated circuits (ICs). Pada umumnya. memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. When one transistor is maintaining a logic state. transistor memiliki 3 terminal.other with P-type material). which consist of very large numbers of transistors interconnected with circuitry and baked into a single silicon microchip or "chip. pemotong (switching). transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi . it requires almost no power.

konduksi arus akan mulai mengalir. karena . Cara Kerja Semikonduktor Pada dasarnya. sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif. dan penguat sinyal radio. air murni dianggap sebagai isolator. Sehingga. dan komponen-komponen lainnya. seperti Arsenik. dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen). karena pembawa muatanya tidak bebas. sedangkan Silikon hanya 4. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya. tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Dalam kasus ini. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator. namun tidak banyak. transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. dengan sebuah proses yang dinamakan doping. dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon. memori. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor. karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers. ion) terbentuk. sumber listrik stabil. keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. Dalam rangkaian-rangkaian digital. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya. misalkan sebuah gelas berisi air murni. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Arsenik akan bebas dan hasilnya memberikan elektron memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik.pengeras suara. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate. Garam dapur sendiri adalah nonkonduktor (isolator). namun jika sedikit pencemar ditambahkan. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya. transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi.

asalkan tata-letak kristal Silikon tetap dipertahankan. pembawa muatan positif). pembawa muatan yang baru. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil. Dalam tabung hampa. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. pembawapembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n). sehingga tanpa adanya gaya yang lain. dinamakan "lubang" (hole. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipen dibuat dalam satu keping Silikon. Karena itu. tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak. satu . akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi.pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. Silikon dapat dicampur dengn Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya. Selain dari itu. Dalam sebuah metal. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor. pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. dalam ukuran satu berbanding seratus juta. dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah transistor bipolar.

yaitu elektron atau lubang. Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan. Cara Kerja Transistor Dari banyak tipe-tipe transistor modern. Sedangkan dalam semikonduktor. jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator. Dalam metal. yang masing-masing bekerja secara berbeda. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik. namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Dalam metal. Dengan kata lain. oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Untuk membuat transistor. listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan). Namun. bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET). Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan. pada awalnya ada dua tipe dasar transistor. bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon. seperti fluida. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. sedangkan metal tidak.pembawa muatan untuk setiap atom. dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. tegangan ini sangat tinggi. dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. untuk merubah metal menjadi isolator. pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas .

untuk merubah ketebalan kanal konduksi tersebut.pembawa muatan: elektron dan lubang. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole. tergantung dari tipe FET). Dalam FET. Jenis-Jenis Transistor Pchannel PNP NPN Nchannel BJT JFET Simbol Transistor dari Berbagai Tipe Secara umum. dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut. Dalam BJT. Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan. untuk membawa arus listrik. arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori: . arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.

Medium. General Purpose. Berbeda dengan IGFET. MISFET. MESFET. atau High Frequency. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet. Through Hole Plastic. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. Microwave. dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Medium Power.• • • • • • • Materi semikonduktor: Germanium. terminal gate dalam JFET membentuk sebuah . Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). JFET. RF transistor. dan lain-lain Tipe: UJT. Surface Mount. IC. PNP atau Pchannel Maximum kapasitas daya: Low Power. dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. HBT. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. sehingga ada tiga terminal. dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel. Silikon. IGFET (MOSFET). β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. Audio. kolektor (C). BJT. IGBT. Saklar. dan basis (B). Tegangan Tinggi. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau hFE. VMOSFET. HEMT. High Power Maximum frekwensi kerja: Low.

gate adalah positif. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. sedangkan dalam enhancement mode. Secara fungsinya. dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. gate adalah negatif dibandingkan dengan source. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode.dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). keduanya memiliki impedansi input tinggi. Dan juga. Untuk P-channel FET. jika tegangan gate dibuat lebih positif. polaritas-polaritas semua dibalik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode. Operational Amplifier Karakteristik Op-Amp . ini membuat Nchannel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum. dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode. yang juga membentuk sebuah dioda antara antara grid dan katode. Untuk kedua mode. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode".

Komponen elektronika analog dalam kemasan IC (integrated circuits) ini memang adalah komponen serbaguna dan dipakai pada banyak aplikasi hingga sekarang. mixer. selalu pilihan yang mudah adalah dengan membolak-balik data komponen yang bernama opamp. dalam sekejap (atau dua kejap) sebuah pre-amp audio kelas B sudah dapat jadi dirangkai di atas sebuah proto-board. differensiator. integrator. . Sesuai dengan istilah ini. osilator. Penguat diferensial Op-amp dinamakan juga dengan penguat diferensial (differential amplifier). Hanya dengan menambah beberapa resitor dan potensiometer. histeresis pengatur suhu. dimana tegangan output-nya adalah proporsional terhadap perbedaan tegangan antara kedua inputnya itu. penguat audio. konverter sinyal. penguat mic. op-amp adalah komponen IC yang memiliki 2 input tegangan dan 1 output tegangan. pembangkit sinyal. Penguat diferensial seperti yang ditunjukkan pada gambar-1 merupakan rangkaian dasar dari sebuah opamp. filter aktif semisal tapis nada bass. komparator dan sederet aplikasi lainnya.kalau perlu mendesain sinyal level meter.

Gambar-2(a) berikut menunjukkan diagram dari op-amp yang terdiri dari beberapa bagian tersebut. sebab tegangan vout satu phase dengan v1. Diagram Op-amp Op-amp di dalamnya terdiri dari beberapa bagian. Titik input v1 dikatakan sebagai input non-iverting. Sedangkan sebaliknya titik v2 dikatakan input inverting sebab berlawanan phasa dengan tengangan vout. lalu ada tahap penguatan (gain). gambar-2 (a) : Diagram blok Op-Amp .gambar-1 : penguat diferensial Pada rangkaian yang demikian. yang pertama adalah penguat diferensial. persamaan pada titik Vout adalah Vout = A(v1-v2) dengan A adalah nilai penguatan dari penguat diferensial ini. selanjutnya ada rangkaian penggeser level (level shifter) dan kemudian penguat akhir yang biasanya dibuat dengan penguat push-pull kelas B.

non-inverting (+) dan input inverting (-). Misalnya dikenal MC1741 dari motorola. tiap pabrikan mengeluarkan seri IC dengan insial atau nama yang berbeda. karakteristik satu op-amp dapat berbeda dengan opamp lain. . Tabel-1 menunjukkan beberapa parameter op-amp yang penting beserta nilai idealnya dan juga contoh real dari parameter LM714. Sedangkan AOL adalah nilai penguatan open loop dan nilai idealnya tak terhingga. Rin adalah resitansi input yang nilai idealnya infinit (tak terhingga).gambar-2 (b) : Diagram schematic simbol Op-Amp Simbol op-amp adalah seperti pada gambar-2(b) dengan 2 input. Rout adalah resistansi output dan besar resistansi idealnya 0 (nol). Untuk tipe yang sama. Umumnya op-amp bekerja dengan dual supply (+Vcc dan –Vee) namun banyak juga op-amp dibuat dengan single supply (Vcc – ground). Op-amp standard type 741 dalam kemasan IC DIP 8 pin sudah dibuat sejak tahun 1960-an. SN741 dari Texas Instrument dan lain sebagainya. LM741 buatan National Semiconductor. Simbol rangkaian di dalam op-amp pada gambar-2(b) adalah parameter umum dari sebuah op-amp. Tergantung dari teknologi pembuatan dan desain IC-nya. Saat ini banyak terdapat tipe-tipe op-amp dengan karakterisktik yang spesifik.

Unity-gain frequency Op-amp ideal mestinya bisa bekerja pada frekuensi berapa saja mulai dari sinyal dc sampai frekuensi giga Herzt.000 kali. Pada bab berikutnya akan dibahas bagaimana umpan balik bisa membuat sistem penguatan op-amp menjadi stabil.tabel-1 : parameter op-amp yang penting Penguatan Open-loop Op-amp idealnya memiliki penguatan open-loop (AOL) yang tak terhingga. Parameter AOL biasanya adalah penguatan op-amp pada sinyal DC. Ini berarti penguatan op-amp akan menjadi 1 kali pada frekuensi 1 MHz. Parameter unity-gain frequency menjadi penting jika op-amp digunakan untuk aplikasi dengan frekuensi tertentu. Namun pada prakteknya opamp semisal LM741 memiliki penguatan yang terhingga kira-kira 100. Sebenarnya dengan penguatan yang sebesar ini. Jika perlu merancang . sistem penguatan opamp menjadi tidak stabil. Response penguatan op-amp menurun seiring dengan menaiknya frekuenci sinyal input. Op-amp LM741 misalnya memiliki unity-gain frequency sebesar 1 MHz. Input diferensial yang amat kecil saja sudah dapat membuat outputnya menjadi saturasi.

Parameter CMRR Ada satu parameter yang dinamakan CMRR (Commom Mode Rejection Ratio). Ini berarti perubahan output op-amp LM741 tidak bisa lebih cepat dari 0. Op-amp dasarnya adalah penguat diferensial dan mestinya tegangan input yang dikuatkan hanyalah selisih tegangan antara input v1 (non-inverting) dengan input v2 (inverting). Sebagai contoh praktis. maka sinyal output dapat berbentuk ekponensial. maka artinya perbandingannya kira-kira hanya 30 kali. Kalau . op-amp LM741 memiliki slew-rate sebesar 0. Namun kapasitor ini menimbulkan kerugian yang menyebabkan response op-amp terhadap sinyal input menjadi lambat. CMRR didefenisikan dengan rumus CMRR = ADM/ACM yang dinyatakan dengan satuan dB. Parameter ini cukup penting untuk menunjukkan kinerja op-amp tersebut. Kalau CMRR-nya 30 dB.aplikasi pada frekeunsi tinggi. ini artinya penguatan ADM (differential mode) adalah kira-kira 30. maka pilihlah op-amp yang memiliki unity-gain frequency lebih tinggi. maka tegangan persamaan dari kedua input ini ikut juga dikuatkan. Parameter CMRR diartikan sebagai kemampuan op-amp untuk menekan penguatan tegangan ini (common mode) sekecilkecilnya. Contohnya op-amp dengan CMRR = 90 dB. Karena ketidak-idealan op-amp.000 kali dibandingkan penguatan ACM (commom mode).5V/us. Op-amp ideal memiliki parameter slew-rate yang tak terhingga. Sehingga jika input berupa sinyal kotak. Slew rate Di dalam op-amp kadang ditambahkan beberapa kapasitor untuk kompensasi dan mereduksi noise.5 volt dalam waktu 1 us. maka outputnya juga kotak. Tetapi karena ketidak idealan op-amp.

Saat ini banyak op-amp yang dilengkapi dengan kemampuan seperti current sensing. Pembaca dapat mengerti dengan CMRR yang makin besar maka op-amp diharapkan akan dapat menekan penguatan sinyal yang tidak diinginkan (common mode) sekecil-kecilnya. maka dalam hal ini tegangan diferensialnya (differential mode) = 0. ya ada di datasheet. misalkan tegangan input v1 = 5. Di pasaran ada banyak tipe op-amp. Aplikasi op-amp popular yang paling sering dibuat antara lain adalah rangkaian inverter. dimana rangkaian feedback . Data karakteristik op-amp yang lengkap. Jika kedua pin input dihubung singkat dan diberi tegangan.05 volt dan tegangan v2 = 5 volt. maka output op-amp mestinya nol. Dengan kata lain. Cara yang paling baik pada saat mendesain aplikasi dengan op-amp adalah dengan melihat dulu karakteristik opamp tersebut. Contoh lain misalnya TL072 dan keluarganya sering digunakan untuk penguat audio.diaplikasikan secara real. current limmiter. Ada juga op-amp untuk aplikasi khusus seperti aplikasi frekuesi tinggi. LM714 termasuk jenis op-amp yang sering digunakan dan banyak dijumpai dipasaran. non-inverter. open colector output. op-amp dengan CMRR yang semakin besar akan semakin baik. rangkaian kompensasi temperatur dan lainnya.05 volt dan tegangan persamaan-nya (common mode) adalah 5 volt. Analisa Rangkaian Op-Amp Popular Operational Amplifier atau di singkat op-amp merupakan salah satu komponen analog yang popular digunakan dalam berbagai aplikasi rangkaian elektronika. high power output dan lain sebagainya. Tipe lain seperti LM139/239/339 adalah opamp yang sering dipakai sebagai komparator. integrator dan differensiator. Pada pokok bahasan kali ini akan dipaparkan beberapa aplikasi opamp yang paling dasar.

Op-amp ideal Op-amp pada dasarnya adalah sebuah differential amplifier (penguat diferensial) yang memiliki dua masukan.= 0 atau v+ = v. umpanbalik positif akan menghasilkan osilasi sedangkan umpanbalik negatif menghasilkan penguatan yang dapat terukur.(umpan balik) negatif memegang peranan penting. Sebagai perbandingan praktis. Op-amp ideal memiliki open loop gain (penguatan loop terbuka) yang tak terhingga besarnya. Ada dua aturan penting dalam melakukan analisa rangkaian op-amp berdasarkan karakteristik op-amp ideal. dan penguatannya menjadi tidak terukur (infinite). yaitu : Aturan 1 : Perbedaan tegangan antara input v+ dan v.adalah nol (v+ . Disinilah peran rangkaian negative feedback (umpanbalik negatif) diperlukan. Secara umum. Impedasi input op-amp ideal mestinya adalah tak terhingga.v. Nilai impedansi ini masih relatif sangat besar sehingga arus input op-amp LM741 mestinya sangat kecil. sehingga op-amp dapat dirangkai menjadi aplikasi dengan nilai penguatan yang terukur (finite). memiliki karakteristik tipikal open loop gain sebesar 104 ~ 105. Input (masukan) op-amp seperti yang telah dimaklumi ada yang dinamakan input inverting dan non-inverting. Penguatan yang sebesar ini membuat opamp menjadi tidak stabil. Seperti misalnya op-amp LM741 yang sering digunakan oleh banyak praktisi elektronika.) Aturan 2 : Arus pada input Op-amp adalah nol (i+ = i= 0) Inilah dua aturan penting op-amp ideal yang digunakan untuk menganalisa rangkaian op-amp. Aturan ini dalam beberapa literatur dinamakan golden rule. op-amp LM741 memiliki impedansi input Zin = 106 Ohm. . sehingga mestinya arus input pada tiap masukannya adalah 0.

Kemudian dengan menggunakan aturan . di ketahui bahwa : iin + iout = i..= vin dan tegangan jepit pada reistor R2 adalah vout – v. Seperti tersirat pada namanya. dapat dihitung tegangan jepit pada R1 adalah vin – v. umpanbalik negatif di bangun melalui resistor R2.= 0.. karena menurut aturan 2.= vout.= v+ = 0. Dengan fakta ini. Dengan mengingat dan menimbang aturan 1 (lihat aturan 1). gambar 1 : penguat inverter Input non-inverting pada rangkaian ini dihubungkan ke ground. pembaca tentu sudah menduga bahwa fase keluaran dari penguat inverting ini akan selalu berbalikan dengan inputnya. Karena nilainya = 0 namun tidak terhubung langsung ke ground. Pada rangkaian ini. iin + iout = vin/R1 + vout/R2 = 0 Selanjutnya vout/R2 = . input opamp v.. atau vout/vin = . arus masukan op-amp adalah 0. atau v+ = 0. maka akan dipenuhi v.Inverting amplifier Rangkaian dasar penguat inverting adalah seperti yang ditunjukkan pada gambar 1. dimana sinyal masukannya dibuat melalui input inverting.R2/R1 .pada rangkaian ini dinamakan virtual ground.

caranya sama seperti menganalisa rangkaian inverting. Dengan demikian tegangan keluaran rangkaian ini akan satu fasa dengan tegangan inputnya. Karena input inverting (-) pada rangkaian ini diketahui adalah 0 (virtual ground) maka impendasi rangkaian ini tentu saja adalah Zin = R1. gambar 2 : penguat non-inverter . maka dapat ditulis …(1) Impedansi rangkaian inverting didefenisikan sebagai impedansi input dari sinyal masukan terhadap ground. Seperti namanya.Jika penguatan G didefenisikan sebagai perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan. Untuk menganalisa rangkaian penguat op-amp non inverting. Non-Inverting amplifier Prinsip utama rangkaian penguat non-inverting adalah seperti yang diperlihatkan pada gambar 2 berikut ini. penguat ini memiliki masukan yang dibuat melalui input non-inverting.

= vin.= vin . maka didapat penguatan op-amp non-inverting : … (2) Impendasi untuk rangkaian Op-amp non inverting adalah impedansi dari input non-inverting op-amp tersebut. Dari datasheet. antara lain : vin = v+ v+ = v. yang berarti arus iR1 = vin/R1. atau iout = (vout-vin)/R2. Hukum kirchkof pada titik input inverting merupakan fakta yang mengatakan bahwa : iout + i(-) = iR1 Aturan 2 mengatakan bahwa i(-) = 0 dan jika disubsitusi ke rumus yang sebelumnya... Lalu tegangan jepit pada R1 adalah v. hanya .= vout – vin. Dari sini ketahui tegangan jepit pada R2 adalah vout – v.. LM741 diketahui memiliki impedansi input Zin = 108 to 1012 Ohm.. Salah satu contohnya adalah rangkaian integrator seperti yang ditunjukkan pada gambar 3. lihat aturan 1. Integrator Opamp bisa juga digunakan untuk membuat rangkaian-rangkaian dengan respons frekuensi. Rangkaian dasar sebuah integrator adalah rangkaian op-amp inverting. maka diperoleh iout = iR1 dan Jika ditulis dengan tegangan jepit masing-masing maka diperoleh (vout – vin)/R2 = vin/R1 yang kemudian dapat disederhanakan menjadi : vout = vin (1 + R2/R1) Jika penguatan G adalah perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan. misalnya rangkaian penapis (filter). kita uraikan dulu beberapa fakta yang ada.Dengan menggunakan aturan 1 dan aturan 2.

(aturan 2) Maka jika disubtisusi. Sesuai dengan nama penemunya.saja rangkaian umpanbaliknya (feedback) resistor melainkan menggunakan capasitor C. Prinsipnya sama dengan menganalisa rangkaian opamp inverting..(3) Dari sinilah nama rangkaian ini diambil. rangkaian yang demikian dinamakan juga rangkaian Miller Integral.= 0 iin = iout .= 0 (aturan1) iout = -C d(vout – v-)/dt = -C dvout/dt. karena secara matematis tegangan keluaran rangkaian ini merupakan fungsi integral dari tegangan input.. akan diperoleh persamaan : iin = iout = vin/R = -C dvout/dt. Aplikasi yang paling populer menggunakan rangkaian integrator adalah rangkaian pembangkit sinyal segitiga dari inputnya yang berupa sinyal kotak. v. Dengan menggunakan 2 aturan opamp (golden rule) maka pada titik inverting akan didapat hubungan matematis : iin = (vin – v-)/R = vin/R . dimana v. . atau dengan kata lain . bukan gambar 3 : integrator Mari kita coba menganalisa rangkaian ini.

Dengan analisa rangkaian integral serta notasi Fourier. Nilai resistor feedback sebesar 10R akan selalu menjamin . rangkaian feedback integrator mesti diparalel dengan sebuah resistor dengan nilai misalnya 10 kali nilai R atau satu besaran tertentu yang diinginkan. Ketika inputnya berupa sinyal dc (frekuensi = 0). Terlihat dari rumus tersebut secara matematis. Pada prakteknya. Pada rangkaian integrator (gambar 3) tersebut diketahui Dengan demikian dapat diperoleh penguatan integrator tersebut seperti persamaan (5) atau agar terlihat respons frekuensinya dapat juga ditulis dengan …(6) Karena respons frekuensinya yang demikian. kapasitor akan berupa saklar terbuka. Jika tanpa resistor feedback seketika itu juga outputnya akan saturasi sebab rangkaian umpanbalik op-amp menjadi open loop (penguatan open loop opamp ideal tidak berhingga atau sangat besar). rangkain integrator ini merupakan dasar dari low pass filter.R2/R1. penguatan akan semakin kecil (meredam) jika frekuensi sinyal input semakin besar. yaitu dengan mengingat rumus dasar penguatan opamp inverting G = . dimana f = 1/t dan …(4) penguatan integrator disederhanakan dengan rumus tersebut dapat …(5) Sebenarnya rumus ini dapat diperoleh dengan cara lain.

Differensiator Kalau komponen C pada rangkaian penguat inverting di tempatkan di depan. Dengan analisa yang sama seperti rangkaian integrator. akan diperoleh persamaan penguatannya : …(7) Rumus ini secara matematis menunjukkan bahwa tegangan keluaran vout pada rangkaian ini adalah differensiasi dari tegangan input vin. gambar 4 : differensiator Bentuk rangkain differensiator adalah mirip dengan rangkaian inverting. maka akan diperoleh rangkaian differensiator seperti pada gambar 4. Contoh praktis dari hubungan matematis ini adalah jika tegangan input berupa sinyal segitiga. Sehingga jika berangkat dari rumus penguat inverting dan pada rangkaian differensiator diketahui : G = -R2/R1 . maka outputnya akan mengahasilkan sinyal kotak.output offset voltage (offset tegangan keluaran) sebesar 10x sampai pada suatu frekuensi cutoff tertentu.

Orde mikro adalah 1000 kali lebih besar dibandingkan orde nano. Pada prakteknya ada beberapa hal yang mesti diperhatikan dan ditambahkan pada rangkaian opamp. Umumnya ketidak ideal-an opamp dan bagaimana cara mengatasinya diterangkan pada datasheet opamp dan hal ini spesifik untuk masing-masing pabrikan. Tegangan Ofset (Offset voltage). Dari Mikro ke Nano Orde mikro (m) dalam satuan menunjukkan nilai sepersejuta (10-6). Namun demikian. Satu nano gram (1 ng) nilainya sama dengan seper satu milyar gram (10-9 g). Satu mikrometer (1mm) misalnya. Antara lain. atau . nilainya sama dengan sepersejuta meter (10-6 m). Dengan cara ini akan diperoleh penguatan 1 (unity gain) pada nilai frekuensi cutoff tertentu. Penutup Uraian diatas adalah rumusan untuk penguatan opamp ideal. sistem seperti ini akan menguatkan noise yang umumnya berfrekuensi tinggi. Sedang nano (n) menunjukkan nilai seper satu milyar (10-9). Untuk praktisnya. rangkain ini dibuat dengan penguatan dc sebesar 1 (unity gain).maka jika besaran ini disubtitusikan akan didapat rumus penguat differensiator …(8) Dari hubungan ini terlihat sistem akan meloloskan frekuensi tinggi (high pass filter). dimana besar penguatan berbanding lurus dengan frekuensi. Arus Bias (Bias Current). Arus offset (offset current) dan lain sebagainya. Biasanya kapasitor diseri dengan sebuah resistor yang nilainya sama dengan R.

Schrodinger. hal ini berarti bahwa komponenkomponen elektronik yang digunakan berode nano atau setingkat molekuler. Kalau dalam dunia elektronika kita mengenal komponen yang disebut mikrochip. Berarti pula seribu kali lebih kecil dibandingkan ukuran komponen yang ada dalam mikrochip saat ini. berarti di dalam chip elektronik itu terdapat ribuan bahkan jutaan komponen renik berorde mikro. Sisi lain yang tak kalah mengejutkan sebagai akibat lahirnya konsep kuantum in adalah lahirnya fisika zat padat oleh F. kemudian dilanjutkan oleh ilmuwan seperti Niels Bohr. dan Kopenhagen.sebaliknya orde nano adalah seperseribu dari orde mikro. lahir konsep baru di beberapa pusat penelitian fisika di Heidelberg. Sockley di Inggris dan Love di Rusia pada tahun 1940. Bardeen di Amerika Serikat. Sekitar tahun 1920-an. transistor tidak hanya mengubah secara mencolok berbagai aspek kehidupan moderen. Dari penelitian ini telah ditemukan bahan semikonduktor yang mempunyai sifat listrik antara konduktor dan isolator. Samuel A. Konsep ini secara fundamental mengubah prinsip kontinuitas energi menjadi konsep diskrit yang benar-benar mengubah fikiran yang sudah berjalan lebih dari satu abad. Goudsmith. Gottingen. tetapi transistor . Dalam perjalanan berikutnya. Max Born. bagian terkecil dari suatu materi. Heisenberg dan lain-lain. Penemuan bahan semikonduktor kemudian disusul dengan penemuan komponen elektronik yang disebut transistor. Jika teknologi elektronika kini mulai bergeser dari mikroelektronika ke nanoelektronika. W. Kemajuan riset dalam bidang fisika telah mengantarkan para fisikawan dapat meneliti dan mempelajari berbagai sifat kelistrikan zat padat.B. Seitz dan fisika semikonduktor oleh J. Konsep baru tersebut adalah kuantum mekanika atau kuantum fisika yang semula dipelopori oleh Max Planck dan Albert Einstein.

Bentuk dini komputer moderen telah menggunakan elektronika pada rangkaian-rangkaian logika. sebesar salah satu kamar di rumah kita.tergolong salah satu dari beberapa penemuan moderen yang memajukan teknologi dengan biaya rendah. Kilby (Texas Instrument) dan Robert Noyce (Fairchild) telah memperkenalkan ide rangkaian terpadu monolitik yang dikenal dengan nama IC (integrated circuit). Mauchly itu diberi nama ABC (Atonosoff-Berry Computer) yang diperkenalkan pada tahun 1942. insinyur di dua perusahaan elektronik. Komputer elektronik generasi pertama yang diberi nama ENIAC (Electronic Numerical Integrator And Computer) dikembangkan pada zaman Perang Dunia Kedua dan dipakai untuk menghitung tabel lintasan . Namun teknologi mikroelektronika bukan sekedar menghadirkan produk. tetapi juga menampilkan produk itu dalam bentuk dan ukuran yang makin lama makin kecil dengan kemampuan kerja yang lebih tinggi. karena di dalamnya menggunakan 18 ribu tabung hampa. Pada tahun 1958. Komputer digital berkecepatan tinggi bisa terwujud berkat penggunaan transistor dalam IC yang merupakan kumpulan jutaan transistor renik yang menempati ruangan sangat kecik. Serba Kecil Berbagai produk monumental dari perkembangan teknologi elektronika hadir di sekeliling kita. yang semula hanya bisa ditempati oleh sebuah transistor saja. Kemajuan dalam bidang mikroelektronika ini tidak terlepas dari penemuan bahan semikonduktor maupun transistor. Komputer yang dibuat oleh J. Dapat kita sebut disini sebagai contoh adalah munculnya komputer dan telepon seluler (ponsel). Komputer ini berukuran sangat besar. Presper Eckert dan John W. Transistor dapat dihubungkan pada rangkaian elektronik sebagai komponen terpisah atau dalam bentuk terpadu pada suatu chip. memori dan sistim angka biner.

peluru dalam kegiatan militer. Daya tahan transistor lebih lama dan dapat mencapai beberapa dasawarsa. Pergeseran penting dalam elektronika telah terjadi pada akhir tahun 1940an. MITS Inc. meluncurkan ALTAIR. Pada tahun 1971. Fungsi tabung-tabung elektronik saat itu mulai digantikan oleh transistor yang dibuat dari bahan semikonduktor. Munculnya rangkaian terpadu atau integrated circuit (IC) ternyata telah menggusur dan mengakhiri riwayat keberadaan transistor. Dalam komputer ini telah menggunakan IC. antara lain : • • • • • • Transistor lebih sederhana sehingga dapat diproduksi dengan biaya lebih rendah. Komputer generasi ketiga adalah sistim 360 yang juga diluncurkan oleh IBM. Penggunaan transistor yang mulai mencuat ke permukaan pada tahun '70-an ternyata memiliki beberapa kelebihan dibandingkan tabung hampa elektronik. dan selanjutnya very large scale integration (VLSI). Komputer elektronik generasi berikutnya dikembangkan dengan . Transistor dapat dioperasikan dalam keadaan dingin sehingga tidak perlu waktu untuk pemanasan. komputer mikro pertama yang menggunakan mikroprosesor Intel 8080. Komputer generasi kedua yang telah menggunakan transistor adalah IBM 1401 yang diluncurkan oleh IBM pada tahun 1959. Transistor mengkonsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan tabung hampa. Sebelumnya juga telah diluncurkan IBM 701 pada tahun 1953 dan IBM 650 pada tahun 1954. yang kemudian disusul dengan penggunaan large scale integration (LSI). Transistor mempunyai daya tahan yang tinggi tehadap goncangan dan getaran. Ukuran transistor jauh lebih kecil dibandingkan tabung hampa.

Sebagai anak kandung jagad mikroelektronika. sehingga teknologi semacam ini disebut HighTechnology. yang kemampuannya selalu meningkat seiring dengan perjalanan waktu. hampir mencapai 50 % dalam proses. Dr. namun dengan kecepatan kerja yang jauh lebih tinggi. kita juga bisa menyaksikan produk elektronik berupa ponsel yang proses miniaturisasinya seakan tak pernah berhenti. Mengecilnya ponsel juga didukung oleh kemampuan para ahli dalam mengintegrasikan berbagai komponen baru yang ukurannya lebih kecil seperti mikrochip. baik dalam aspek disain produknya maupun dalam aspek teknologi mikroelektronikanya. yang berarti komponen elektronika kelak dapat dibuat dalam ukuran seribu kali lebih kecil dibandingkan generasi mikroelektronika sebelumnya. Selain pada komputer. Pada awal tahun '90-an. Pengaruh kemajuan dalam teknologi elektronika ini demikian pesatnya mengubah wajah teknologi dalam bidang telekomunikasi dan automatisasi. Kemajuan dalam kedua bidang tersebut menyebabkan kontribusi sain ke dalam teknologi yang sangat besar. kehadiran ponsel selalu mengikuti perkembangan teknologi mikroelektronika sehingga dapat tampil semakin mungil dan lebih multi fungsi dibandingkan generasi sebelumnya. penemu tunneling electron microscope dan pemenang hadiah Nobel bidang fisika tahun 1986. Beralih ke Nanoteknologi Perkembangan teknologi telah mengantarkan elektronika beralih dari orde mikro ke nano. meramalkan bahwa mikroelektronika akan segera digantikan oleh nanoelektronika atau . Rohrer.menggunakan mikroprosesor yang makin renik sehingga secara fisik tampil dengan ukuran yang lebih kecil. Kini ponsel dengan berbagai fasilitas di dalamnya bisa masuk ke dalam genggaman tangan. dan semakin banyak fungsi yang dapat dijalankannya.

Molekul-molekul akan dihimpun sehingga membentuk komponen elektronika yang mampu menjalankan tugas tertentu. Dexler menguraikan kemungkinan pembuatan alat seukuran molekul yang proses kerjanya menyerupai molekul dari protein yang menjalankan fungsinya di dalam tubuh manusia. Eric Drexler. Suatu ketika di bulam Mei 1988. Para perintis nanoteknologi. suatu bidang baru teknologi miniatur. Suatu terobosan besar akan terjadi bila para pakar dapat mewujudkan hal tersebut untuk membuat nanokomputer. telah melihat kemungkinan penggunaan materi seukuran molekul untuk membuat komponen elektronika di masa depan. nanokomputer dapat . Dengan komponen seukuran molekul. Drexler juga meramalkan bahwa zaman nanoteknologi akan dimulai memasuki awal milenium tiga ini. dalam acara konferensi pengembangan antariksa di Pittsburg. ukuran sirkuit-sirkuit elektronika bisa jadi akan lebih kecil dibandingkan garis tengah potongan rambut atau bahkan seukuran dengan diameter sel darah manusia. Dengan beralih ke nanoteknologi ini. Sedang prof. Drexler melihat bahwa makhluk hidup merupakan bukti adanya nanoteknologi. K. Dalam teknologi ini. Ukuran transistor di masa mendatang akan menjadi sangat kecil berskala atom yang disebut quantum dot. Amerika Serikat. Petel (president UCLA) meramalkan bahwa teknologi photonik akan menggantikan mikroelektronika di awal abad 21 ini.quantum dot. Teknologi ini didasarkan pada kemampuan membuat perangkat elektronika dengan ketelitian setingkat ukuran atom. tentu saja bidang yang paling banyak dipengaruhi adalah dalam disain komputer. mengemukakan tentang peluang pengembangan nanoteknologi di masa mendatang. Feyman pada akhir tahun 1959 juga telah meramalkan akan hadirnya teknologi ini pada abad 21. pakar komputer dari Universitas Stanford.

Komputer ini mampu bekerja ratusan ribu kali lebih cepat dibandingkan mikrokomputer elektronik yang ada saat ini. maka komputer generasi pendahulu yang masih menggunakan teknologi mikroelektronika bakal tersingkir. berkerapatan tinggi. kecepatan kerjanya tinggi. Teknologi ini juga akan membawa dunia kepada ciri-ciri baru dalam perangkat teknologinya. Mesin-mesin elektronik yang dinamai juga kuantum elektronik akan memiliki kemampuan mengolah pulsa yang jauh lebih besar. memiliki kontrol yang serba automatik. . alat memori dan struktur lain yang kini ada di dalam komputer. Kuantum teknologi ini akan mampu menerobos keterbatasan dan kejenuhan mikroelektronika yang ada saat ini. Jacob Hanker. bermulti fungsi. yaitu : berukuran sangat kecil. AS. Jika komputer tersebut telah memasuki pasar. Teknologi baru ini bakal segera mengubah sistim jaringan telekomunikasi di awal milenium tiga ini.masuk ke dalam kotak seukuran satu mikrometer. profesor rekayasa biomedik dari Universitas North Caroline. Perusahaan komputer IBM saat ini sedang merancang komputer dengan teknologi kuantum yang disebut kuantum komputer. Penelitian yang kini sedang dilakukan oleh para pakar adalah mengembangkan metode penggantian dengan materi protein terhadap molekul. telah berhasil melakukan percobaan membuat komponen semikonduktor dengan bahan-bahan biologis. hemat dalam konsumsi energi dan ramah lingkungan.

Muatan positif tidak dapat mengalir menuju ujung kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif tidak bisa menuju ke ujung kutup positif. gelas dan lain-lain. maka muatan-muatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat yang sama muatan-muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi. keramik. Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik. prinsip dasar kapasitor Kapasitansi Kapasitansi didefenisikan sebagai kemampuan dari suatu kapasitor untuk dapat menampung muatan elektron. Kemudian Michael . Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu bahan dielektrik. Muatan elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujungujung kakinya. Di alam bebas. karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-konduktif. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum. Coulombs pada abad 18 menghitung bahwa 1 coulomb = 6.Kapasitor Prinsip dasar dan spesifikasi elektriknya Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan listrik. phenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya muatan-muatan positif dan negatif di awan.25 x 1018 elektron.

Dengan rumusan dapat ditulis sebagai berikut : C = (8.047uF dapat juga dibaca sebagai 47nF. nF (10-9 F) dan pF (10-12 F). Konversi satuan penting diketahui untuk memudahkan membaca besaran sebuah kapasitor.. Dengan rumus dapat ditulis : Q = CV ……………. Umumnya kapasitor yang ada di pasar memiliki satuan uF (10-6 F).Faraday membuat postulat bahwa sebuah kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika dengan tegangan 1 volt dapat memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs.1000 k=8 k=3 Untuk rangkain elektronik praktis. Udara vakum Aluminium oksida Keramik Gelas Polyethylene k=1 k=8 k = 100 . satuan farads adalah sangat besar sekali..(1) Q = muatan elektron dalam C (coulombs) C = nilai kapasitansi dalam F (farads) V = besar tegangan dalam V (volt) Dalam praktek pembuatan kapasitor.1nF sama dengan 100pF.(2) Berikut adalah tabel contoh konstanta (k) dari beberapa bahan dielektrik yang disederhanakan.85 x 10-12) (k A/t) . Misalnya 0. kapasitansi dihitung dengan mengetahui luas area plat metal (A). atau contoh lain 0. jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik) dan konstanta (k) bahan dielektrik. .

niobium. Termasuk kelompok bahan dielektrik film adalah bahan-bahan material seperti polyester (polyethylene terephthalate atau dikenal dengan sebutan mylar). titanium. zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga membentuk lapisan metal-oksida . yaitu kapasitor electrostatic. Tersedia dari besaran pF sampai beberapa uF. polystyrene. Untuk lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian. MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film. magnesium. Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan . film dan mika. metalized paper dan lainnya. yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi. MKM. electrolytic dan electrochemical.di badannya. adalah karena proses pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutup positif anoda dan kutup negatif katoda. Mengapa kapasitor ini dapat memiliki polaritas. Telah lama diketahui beberapa metal seperti tantalum. Mylar. Keramik dan mika adalah bahan yang popular serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil. polyprophylene.Tipe Kapasitor Kapasitor terdiri dari beberapa tipe. Kapasitor Electrolytic Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. Umumnya kapasitor kelompok ini adalah non-polar. polycarbonate. Kapasitor Electrostatic Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan dielektrik dari keramik. aluminium. tergantung dari bahan dielektriknya.

(oxide film). Dalam hal ini lapisan-metaloksida sebagai dielektrik. Untuk mendapatkan permukaan yang luas. Contohnya. seperti pada proses penyepuhan emas. maka akan terbentuk pada lapisan Aluminium-oksida (Al2O3) permukaannya. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis. umumnya bahan metal yang banyak digunakan adalah aluminium dan tantalum. jika digunakan Aluminium. Kapasitor Elco Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda). Bahan yang paling banyak dan murah adalah Aluminium. bahan plat Aluminium ini biasanya digulung radial. Dari rumus (2) diketahui besar kapasitansi berbanding terbalik dengan tebal dielektrik. Sehingga dengan cara itu . lapisan-metal-oksida dan electrolyte(katoda) membentuk kapasitor. Lapisan oksidasi ini terbentuk melalui proses elektrolisa. Karena alasan ekonomis dan praktis. Oksigen pada larutan electrolyte terlepas dan mengoksidai permukaan plat metal. Elektroda metal yang dicelup kedalam larutan electrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan positif (anoda) dan larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). sehingga dengan demikian dapat dibuat kapasitor yang kapasitansinya cukup besar.

Lengkap dengan nilai tegangan maksimum dan polaritasnya. maka waktu kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Membaca Kapasitansi Pada kapasitor yang berukuran besar. Sebagai contoh. kapasitor . Misalnya pada kapasitor elco dengan jelas tertulis kapasitansinya sebesar 22uF/25v. misalnya untuk applikasi mobil elektrik dan telepon selular. Kapasitor yang ukuran fisiknya mungil dan kecil biasanya hanya bertuliskan 2 (dua) atau 3 (tiga) angka saja. karena memiliki kapasitansi yang besar dan arus bocor (leakage current) yang sangat kecil. Tipe kapasitor jenis ini juga masih dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan ringan. Pada kenyataanya batere dan accu adalah kapasitor yang sangat baik. Jika hanya ada dua angka satuannya adalah pF (pico farads).dapat diperoleh kapasitor yang kapasitansinya besar. Disebut electrolyte padat. Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa memiliki kapasitansi yang besar namun menjadi lebih ramping dan mungil. 4700uF dan lain-lain. melainkan bahan lain yaitu manganese-dioksida. yang sering juga disebut kapasitor elco. Sebagai contoh 100uF. Bahan electrolyte pada kapasitor Tantalum ada yang cair tetapi ada juga yang padat. Termasuk kapasitor jenis ini adalah batere dan accu. nilai kapasitansi umumnya ditulis dengan angka yang jelas. Kapasitor tipe ini juga memiliki arus bocor yang sangat kecil Jadi dapat dipahami mengapa kapasitor Tantalum menjadi relatif mahal. Selain itu karena seluruhnya padat. Kapasitor Electrochemical Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit yang menjadi elektroda negatif-nya. 470uF.

mania barangkali pernah mengalami kapasitor yang meledak karena kelebihan tegangan. maka kapasitansi kapasitor tersebut adalah 47 pF. Biasanya spesifikasi karakteristik ini disajikan oleh pabrik pembuat didalam datasheet. sedangkan angka ke-3 adalah faktor pengali. Misalnya kapasitor 10uF 25V. Umumnya kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar bekerja pada tegangan AC. artinya kapasitansi kapasitor tersebut adalah 22 x 100 = 2200 pF = 2. Selain dari kapasitansi ada beberapa karakteristik penting lainnya yang perlu diperhatikan. X7R (stable) serta Z5U dan Y5V (general purpose). Berikut ini adalah beberapa spesifikasi penting tersebut.000pF atau = 100nF. angka pertama dan kedua menunjukkan nilai nominal. maka tegangan yang bisa diberikan tidak boleh melebihi 25 volt dc. Contoh lain misalnya tertulis 222. Secara lengkap kode-kode tersebut disajikan pada table berikut. 3 = 1. . Temperatur Kerja Kapasitor masih memenuhi spesifikasinya jika bekerja pada suhu yang sesuai.2 nF. Pabrikan pembuat kapasitor umumnya membuat kapasitor yang mengacu pada standar popular.000. maka kapasitansinya adalah 10 x 10. Ada 4 standar popular yang biasanya tertera di badan kapasitor seperti C0G (ultra stable). 4 = 10. Para elektro.000 = 100. Jika ada 3 digit. 2 = 100. Misalnya pada kapasitor keramik tertulis 104.yang bertuliskan dua angka 47. Tegangan Kerja (working voltage) Tegangan kerja adalah tegangan maksimum yang diijinkan sehingga kapasitor masih dapat bekerja dengan baik. berturut-turut 1 = 10. Faktor pengali sesuai dengan angka nominalnya.000 dan seterusnya.

1.5 Faktor Pengali Koefisien Suhu Simbol 0 1 2 3 4 Pengali -1 -10 -100 -1000 -10000 Toleransi Koefisien Suhu Simbol G H J K L PPM per Co +/-30 +/-60 +/-120 +/-250 +/-500 ppm = part per million Kode karakteristik kapasitor kelas II dan III suhu kerja minimum Simbol Co +10 -30 -55 suhu kerja maksimum Simbol Co +45 +65 +85 +105 +125 +150 +200 Toleransi Kapasitansi Simbol Persen A B C D E F P R S T U V +/.0% +22% / 33% +22% / 56% +22% / 82% Z Y X 2 4 5 6 7 8 9 .1.3.0 1.0% +/22.3% +/.Kode karakteristik kapasitor kelas I Koefisien Suhu Simbol C B A M P PPM per Co 0.7.5% +/.3 0.0 0.4.9 1.0% +/15.2% +/.2.5% +/10.0% +/.7% +/.

Toleransi Seperti komponen lainnya. bahan dielektrik juga memiliki resistansi. maka kapasitasinya adalah 100nF dengan toleransi +/-15%. Misalnya jika tertulis 104 X7R. Tabel diatas menyajikan nilai toleransi dengan kode-kode angka atau huruf tertentu. Dengan table di atas pemakai dapat dengan mudah mengetahui toleransi kapasitor yang biasanya tertera menyertai nilai nominal kapasitor. Sekaligus dikethaui juga bahwa suhu kerja yang direkomendasikan adalah antara -55Co sampai +125Co (lihat tabel kode karakteristik) Insulation Resistance (IR) Walaupun bahan dielektrik merupakan bahan yang non-konduktor. besar kapasitansi nominal ada toleransinya. namun tetap saja ada arus yang dapat melewatinya. Untuk menjelaskan ini. Namun dari . walaupun nilainya sangat besar sekali. semestinya kapasitor dapat menyimpan muatan selama-lamanya. model kapasitor C = Capacitance ESR = Equivalent Series Resistance L = Inductance IR = Insulation Resistance Jika tidak diberi beban. berikut adalah model rangkaian kapasitor. Phenomena ini dinamakan arus bocor DCL (DC Leakage Current) dan resistansi dielektrik ini dinamakan Insulation Resistance (IR). Artinya.

Untuk mendapatkan kapasitansi yang besar diperlukan permukaan elektroda yang luas. Pabrik pembuat biasanya meyertakan data DF dalam persen. Insulation resistance (IR) ini sangat besar (MOhm). tuner dan lain-lain. Dissipation Factor (DF) dan Impedansi (Z) Dissipation Factor adalah besar persentasi rugirugi (losses) kapasitansi jika kapasitor bekerja pada aplikasi frekuensi. Besaran ini menjadi faktor yang diperhitungkan misalnya pada aplikasi motor phasa. Secara matematis di tulis sebagai berikut : . Karena besar IR selalu berbanding terbalik dengan kapasitansi (C). Rugi-rugi (losses) itu didefenisikan sebagai ESR yang besarnya adalah persentasi dari impedansi kapasitor Xc. diketahui ada resitansi dielektrik IR(Insulation Resistance) yang paralel terhadap kapasitor. Dari model rangkaian kapasitor digambarkan adanya resistansi seri (ESR) dan induktansi (L). Konsekuensinya tentu saja arus bocor (DCL) sangat kecil (uA).model di atas. karakteristik resistansi dielektrik ini biasa juga disajikan dengan besaran RC (IR x C) yang satuannya ohm-farads atau megaohm-micro farads. tetapi ini akan menyebabkan resistansi dielektrik makin kecil. rangkaian ballast.

Dari penjelasan di atas dapat dihitung besar total impedansi (Z total) kapasitor adalah : Karakteristik respons frekuensi sangat perlu diperhitungkan terutama jika kapasitor bekerja pada frekuensi tinggi.perhitungan respons frekuensi dikenal juga satuan faktor qualitas Q (quality factor) yang tak lain sama dengan 1/DF. Untuk perhitungan. .

Introduction Capacitance voltage measurements of MOS capacitor structure provide a wealth of information about the structure which is of direct interest when one evaluates an MOS process. Thermal equilibrium is therefore not obtained immediately. This capacitance is the difference in charge divided by the difference in gate voltage while the capacitor is in equilibrium at each voltage. To understand capacitance-voltage measurements one must first be familiar with the frequency dependence of the measurement.Metal Oxide Silicon Capacitance 1. The gate voltage is varied slowly to obtain the capacitance versus voltage. A typical measurement is performed with an electrometer which measured the charge added per unit time as one slowly varies the applied gate voltage. The comparison with the exact low frequency capacitance . In this section we first derive the simple capacitance model which is based on the full depletion approximations and our basic assumption. Since the MOS structure is simple to fabricate the technique is widely used. The high frequency capacitance is obtained from a small signal capacitance measurement at high frequency. Under such conditions one finds that the charge in the inversion layer does not change from the equilibrium value corresponding to the applied DC voltage. The low frequency or quasi-static measurement maintains thermal equilibrium at all times. The high frequency capacitance therefore reflects the charge variation in the depletion layer and the (rather small) movement of the inversion layer charge. This frequency dependence occurs primarily in inversion since a certain time is needed to generate the minority carriers in the inversion layer.

reveals that the largest error occurs at the flatband voltage. so that the capcitance equals: (mc11) In depletion the MOS capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer.5. 2. Simple capacitance model The capacitance of an MOS capacitor is obtained using the same assumptions as in the analysis in section 6. or: (mc12) where xd is the variable depletion layer width which is calculated from: (mc2) In order to find the capacitance corresponding to a specific value of the gate voltage we also need to use the relation between the potential across the depletion region and the gate voltage. The remaining capacitor is the oxide capacitance. Then we discuss the full exact analysis followed by a discussion of deep depletion as well as the non-ideal effects in MOS capacitors. We therefore derive the exact flatband capacitance using the linearized Poisson's equation. The MOS structure is treated as consisting of a series connection of two capacitors: the capacitance of the oxide and the capacitance of the depletion layer. In accumulation there is no depletion layer. given by: (mc8) .

6.xls .1 Low frequency capacitance of an MOS capacitor. while the green square indicates the threshold voltage and capacitance.max. Na = 1017 cm-3 and tox = 20 nm. The low frequency capacitance equals the oxide capacitance since charge is added to and from the inversion layer in a low frequency measurement.moslfcap. The dotted lines represent the simple model while the solid line corresponds to the low frequency capacitance as obtained from the exact analysis. The high frequency capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer having its maximum width.gif Fig. mosexact. The red square indicates the flatband voltage and capacitance. Shown are the exact solution for the low frequency capacitance (solid line) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines).In inversion the capacitance becomes independent of the gate voltage. 6. . xd. The capacitances are given by: (mc13) The capacitance of an MOS capacitor as calculated using the simple model is shown in the figure below.

the comparison with the exact solution of the low frequency capacitance as shown in the above figure reveals that the error can be substancial. yielding: (mc19) .3. However. Since the potential across the semiconductor at flatband is zero. We will therefore now derive the exact flatband capacitance. To derive the flatband capacitance including the charge variation in the semiconductor we first linearize Poisson's equation. Poisson's equation can then be simplified to: (mc16) The solution to this equation is: (mc17) where LD is called the Debye length. we expect the potential to be small as we vary the gate voltage around the flatband voltage. or: (mc18) The flatband capacitance of the MOS structure at flatband is obtained by calculating the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the semiconductor. The solution of the potential enables the derivation of the capacitance of the semiconductor under flatband conditions. Flat band capacitance The simple model predicts that the flatband capacitance equals the oxide capacitance. The reason for this is that we have ignored any charge variation in the semiconductor.

xd. The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from: . Exact analysis For a description of the derivation of the MOS capacitance using the exact analysis we refer the reader to that section. Deep depletion capacitance Deep depletion occurs in an MOS capacitor when measuring the high-frequency capacitance while sweeping the gate voltage "quickly".T resulting in a capacitance which further decreases with voltage. A good approximation is obtained by considering only the generation rate in the depletion region xd. The time required to reach thermal equilibrium when abruptly biasing the MOS capacitor at a voltage larger then the threshold voltage can be estimated by taking the ratio of the total charge in the inversion layer to the thermal generation rate of minority carriers. 5. One then observes that when ramping the voltage from flatband to threshold and beyond the inversion layer is not or only partially formed as the generation of minority carriers can not keep up with the amount needed to form the inversion layer. This yields the following equation: (mc14) where the generation in the depletion layer was assumed to be constant. The depletion layer therefore keeps increasing beyond its maximum thermal equilibrium value.dd. Quickly here means that the gate voltage must be changed fast enough so that the structure is not in thermal equilibrium.4. A complete analysis should include both a surface generation rate as well as generation in the depletion layer and the quasi-neutral region.

The capacitance was measured in the presence of ambient light as well as in the dark as explained in the figure caption. Carrier generation due to light will increase the generation rate beyond the thermal generation rate which we assumed above and reduce the time needed to reach equilibrium. Deep depletion measurements are therefore done in the dark.(mc15) This equation enables to predict that deep depletion is less likely at higher ambient temperature since the intrinsic concentration ni increases exponentially with temperature. structures with a short (1 ms) lifetime do not show this effect. In silicon MOS structures one finds that the occurance of deep depletion can be linked to the minority carrier lifetime: while structures with a long (0. Experimental results and comparison with theory As an example we show below the measured low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance-voltage curves of an MOS capacitor. 6. while it is more likely to occur in MOS structures made with wide bandgap materials (for instance SiC for which Eg = 3 eV) as the intrinsic concentration decreases exponentially with the value of the energy bandgap.1 ms) lifetime require a few seconds to reach thermal equilibrium which results in a pronounced deep depletion effect at room temperature . .

The high frequency capacitance measured in the presence of light is also .0007 cm2 The figure illustrates some of the issues when measuring the capacitance of an MOS capacitance. The low frequency measured is compared to the theorical value in the figure below. 6.cv1.6. the high frequency capacitance measured in the presence of ambient light and the high frequency capacitance measured in the dark (bottom curve). The MOS parameters are Na = 4 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. First of all one should measure the devices in the dark. the low frequency capacitance measured in the presence of ambient light (top curve). The larger the carrier lifetime. the low frequency capacitance measured in the dark. In addition one must avoid the deep depletion effects such as the initial linearly varying capacitance of the high frequency capacitance measured in the dark on the above figure (bottom curve). from top to bottom. All curves were measured from left to right. the presence of light causes carrier generation in the capacitor which affects the measured capacitance. Shown are. the slower the voltage is to be changed to avoid deep depletion.2 Low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance of an MOS capacitor. The device area is 0.gif Fig.

3 Comparison of the theoretical low frequency capacitance (solid line) and the experimental data (open squares) obtained in the dark. mobile charge and charge in surface states.shown on the figure.gif Fig.95 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. 7. Also shown is the high frequency measurement in the presence of light of the MOS capacitor (filled squares) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines). Fixed charge in the oxide simply shifts the measured curve. All three types of charge can be identified by performing a capacitance-voltage measurement. Fitting parameters are Na = 3. A comparison of the experimental low (rather than high) frequency capacitance with theory is somewhat easier to carry out since the theoretical expression is easier to calculate while the low frequency measurement tends to be less sensitive to deep depletion effects.6. A positive fixed charge at the oxide- . cv2. 6. The figure illustrates the agreement between experiment and theory. Non-Ideal effects in MOS capacitors Non-ideal effects in MOS capacitors include fixed charge.

One can recognize mobile charge by the hysteresis in the high frequency capacitance curve when sweeping the gate voltage back and forth.semiconductor interface shifts the flatband voltage by an amount which equals the charge divided by the oxide capacitance. A fixed charge is caused by ions which are incorporated in the oxide during growth or deposition. the fermi energy at the oxide-semiconductor interface changes also and affects the occupancy of the surface states. Charge due to electrons occupying surface states also yields a shift in flatband voltage. However the measured curves differ since a positive gate voltage causes mobile charge to move away from the gate electrode. The interface states cause the transition in the capacitance measurement to be less abrupt. . The combination of the low frequency and high frequency capacitance allows to calculate the surface state density. Sodium ions incorporated in the oxide of silicon MOS capacitors are known to yield mobile charge. The flatband voltage shift due to mobile charge is described by the same equation as that due to fixed charge. while a negative voltage attracts the charge towards the gate. Measurements on n-type and p-type capacitors at different temperatures provide the surface state density throughout the bandgap. It is because of the high sensitivity of MOS structures to a variety of impurities that the industry carefully controls the purity of the water and the chemicals used. However as the applied voltage is varied. This causes the curve to shift towards the applied voltage. This method provides the surface state density over a limited (but highly relevant) range of energies within the bandgap. The shift reduces linearly as one reduces the position of the charge relative to the gate electrode and becomes zero if the charge is located at the metal-oxide interface.

Bahan-bahan tersebut menghantar arus listrik dengan baik. perak. ada satu test yang harus dipenuhi yaitu diharuskan tidak buta warna. emas dan bahan metal umumnya memiliki resistansi yang sangat kecil. . bahan material seperti karet. Bagaimana prinsip konduksi. sehingga dinamakan konduktor. resistansi berbanding terbalik dengan jumlah arus yang mengalir melaluinya. Belakangan baru diketahui bahwa mahasiswa elektro wajib untuk bisa membaca warna gelang resistor (barangkali). karbon memiliki resistansi yang lebih besar menahan aliran elektron dan disebut sebagai insulator. Pada badannya terdapat lingkaran membentuk gelang kode warna untuk memudahkan pemakai mengenali besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan Ohmmeter. Waktu penulis masuk pendaftaran kuliah elektro. gelas. Satuan resistansi dari suatu resistor disebut Ohm atau dilambangkan dengan simbol (Omega). Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk membatasi jumlah arus yang mengalir dalam satu rangkaian. Kebalikan dari bahan yang konduktif. Tipe resistor yang umum adalah berbentuk tabung dengan dua kaki tembaga di kiri dan kanan. Dari hukum Ohms diketahui. Sesuai dengan namanya resistor bersifat resistif dan umumnya terbuat dari bahan karbon . Kode warna tersebut adalah standar manufaktur yang dikeluarkan oleh EIA (Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut. dijelaskan pada artikel tentang semikonduktor.Resistor Pada dasarnya semua bahan memiliki sifat resistif namun beberapa bahan seperti tembaga.

000 10. Kalau anda telah bisa menentukan mana gelang yang pertama selanjutnya adalah membaca nilai resistansinya.Warna Hitam Coklat Merah Jingga Kuning Hijau Biru Violet Abu-abu Putih Emas Perak Tanpa warna Nilai 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 - faktor Toleransi pengali 1 10 100 1.01 5% 10% 20% 1% 2% Tabel . merah.1 : nilai warna gelang Resistansi dibaca dari warna gelang yang paling depan ke arah gelang toleransi berwarna coklat. sedangkan warna gelang yang pertama agak sedikit ke dalam. emas atau perak. Biasanya .1 0. Dengan demikian pemakai sudah langsung mengetahui berapa toleransi dari resistor tersebut.000 100. Biasanya warna gelang toleransi ini berada pada badan resistor yang paling pojok atau juga dengan lebar yang lebih menonjol. Jumlah gelang yang melingkar pada resistor umumnya sesuai dengan besar toleransinya.000 106 107 108 109 0.

Dengan demikian urutan warna gelang resitor ini adalah.7K Ohm dan toleransinya adalah 5%. nilai satuannya adalah 47. gelang kedua berwana violet dan gelang ke tiga berwarna merah. maka nilai satuannya ditentukan oleh gelang pertama dan gelang kedua. violet. maka akan terjadi disipasi daya berupa panas sebesar W=I2R watt. Masih dari tabel-1 diketahui gelang kuning nilainya = 4 dan gelang violet nilainya = 7. . Gelang berwarna emas adalah gelang toleransi. Gelang pertama dan seterusnya berturut-turut menunjukkan besar nilai satuan. Dari tabel-1 diketahui jika gelang toleransi berwarna emas. Karena resistor bekerja dengan dialiri arus listrik. 10% atau 20% memiliki 3 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). Gelang ketiga adalah faktor pengali. Sehingga dengan ini diketahui nilai resistansi resistor tersebut adalah nilai satuan x faktor pengali atau 47 x 100 = 4. Pertama yang dilakukan adalah menentukan nilai satuan dari resistor ini. Spesifikasi lain yang perlu diperhatikan dalam memilih resitor pada suatu rancangan selain besar resistansi adalah besar watt-nya. dan jika warna gelangnya merah berarti faktor pengalinya adalah 100. berarti resitor ini memiliki toleransi 5%.resistor dengan toleransi 5%. Misalnya resistor dengan gelang kuning. Nilai resistansisnya dihitung sesuai dengan urutan warnanya. dan gelang terakhir adalah faktor pengalinya. merah dan emas. Jadi gelang pertama dan kedua atau kuning dan violet berurutan. gelang pertama berwarna kuning. Gelang ke empat tentu saja yang berwarna emas dan ini adalah gelang toleransi. Tetapi resistor dengan toleransi 1% atau 2% (toleransi kecil) memiliki 4 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). Karena resitor ini resistor 5% (yang biasanya memiliki tiga gelang selain gelang toleransi).

Jika arah arusnya berlawanan. 10 dan 20 watt umumnya berbentuk kubik memanjang persegi empat berwarna putih. Tetapi biasanya untuk resistor ukuran jumbo ini nilai resistansi dicetak langsung dibadannya. Tentu masih ingat juga percobaan dua utas kawat tembaga paralel yang keduanya diberi arus listrik. 2. Dikenal medan listrik dengan simbol B dan satuannya Tesla (T). 1/4. Jika seutas kawat tembaga diberi aliran listrik. Tetapi jika arah arusnya sama ternyata keduanya berdekatan saling tarikmenarik. misalnya 100 5W. Besar akumulasi medan listrik B . namun ada juga yang berbentuk silinder. Hal ini terjadi karena adanya induksi medan listrik. Resistor yang memiliki disipasi daya 5. Caranya sederhana yaitu dengan mengacungkan jari jempol tangan kanan sedangkan keempat jari lain menggenggam. kedua kawat tembaga tersebut saling menjauh. Induktor Masih ingat aturan tangan kanan pada pelajaran fisika ? Ini cara yang efektif untuk mengetahui arah medan listrik terhadap arus listrik. 10 dan 20 watt. 5. maka di sekeliling kawat tembaga akan terbentuk medan listrik. 1. Arah jempol adalah arah arus dan arah ke empat jari lain adalah arah medan listrik yang mengitarinya. Umumnya di pasar tersedia ukuran 1/8.Semakin besar ukuran fisik suatu resistor bisa menunjukkan semakin besar kemampuan disipasi daya resistor tersebut. Dengan aturan tangan kanan dapat diketahui arah medan listrik terhadap arah arus listrik.

. maka kelihatan ada kesamaan rumus. Komponen yang seperti inilah yang dikenal dengan induktor selenoid.. Energi ini direpresentasikan dengan adanya tegangan emf (electromotive force) jika induktor dialiri listrik.pada suatu luas area A tertentu difenisikan sebagai besar magnetic flux. Simbol yang biasa digunakan untuk menunjukkan besar magnetic flux ini adalah φ dan satuannya Weber (Wb = T. Medan listrik yang terbentuk akan segaris dan saling menguatkan.. Maka L adalah induktansi dari induktor dan E adalah tegangan yang timbul jika induktor dilairi listrik. Dari buku fisika dan teori medan yang menjelimet.. Jika kumparan tersebut dialiri listrik maka tiap lilitan akan saling menginduksi satu dengan yang lainnya.. Secara matematis besarnya adalah : medan flux. Secara matematis tegangan emf ditulis : tegangan emf . dibuktikan bahwa induktor adalah komponen yang dapat menyimpan energi magnetik.m2). (2) Jika dibandingkan dengan rumus hukum Ohm V=RI.(1) Lalu bagaimana jika kawat tembaga itu dililitkan membentuk koil atau kumparan. Jika R disebut resistansi dari resistor dan V adalah besar tegangan jepit jika resistor dialiri listrik sebesar I..

. Induktor disebut self-induced Arus listrik yang melewati kabel... Hubungan antara emf dan arus inilah yang disebut dengan induktansi. Efek emf menjadi signifikan pada sebuah induktor. Secara matematis induktansi pada suatu induktor dengan jumlah lilitan sebanyak N adalah akumulasi flux magnet untuk tiap arus yang melewatinya : induktansi . Tegangan emf akan menjadi penting saat perubahan arusnya fluktuatif. dan satuan yang digunakan adalah (H) Henry. Ini yang sering menjadi pertimbangan dalam mendesain pcb supaya bebas dari efek induktansi terutama jika multilayer. karena perubahan arus yang melewati tiap lilitan akan saling menginduksi. Sedangkan bilangan negatif sesuai dengan hukum Lenz yang mengatakan efek induksi cenderung melawan perubahan yang menyebabkannya. jalur-jalur pcb dalam suatu rangkain berpotensi untuk menghasilkan medan induksi..Tegangan emf di sini adalah respon terhadap perubahan arus fungsi dari waktu terlihat dari rumus di/dt. (3) Induktor selenoida .. Ini yang dimaksud dengan self-induced.

elektron yang bergerak akan menimbulkan medan elektrik di sekitarnya... Akan lebih banyak lagi fungsi dari induktor yang bisa diaplikasikan pada rangkaian filter. Dari pemahaman fisika. Penampang induktor biasanya berbentuk lingkaran.. Ada simbol µ yang dinamakan permeability dan µ0 yang disebut permeability udara vakum. sehingga diketahui besar medan listrik di titik tengah lingkaran adalah : Medan listrik .Fungsi utama dari induktor di dalam suatu rangkaian adalah untuk melawan fluktuasi arus yang melewatinya. Secara matematis ditulis : Lilitan per-meter………. Besar .. (4) Jika dikembangkan. Pada aplikasi rangkaian ac.. salah satu gunanya adalah bisa untuk meredam perubahan fluktuasi arus yang tidak dinginkan. persegi empat. Berbagai bentuk kumparan. n adalah jumlah lilitan N relatif terhadap panjang induktor l.(5) Lalu i adalah besar arus melewati induktor tersebut. Aplikasinya pada rangkaian dc salah satunya adalah untuk menghasilkan tegangan dc yang konstan terhadap fluktuasi beban arus. jika dialiri listrik akan menghasilkan medan listrik yang berbeda.. tuner dan sebagainya. setegah lingkaran ataupun lingkaran penuh..

. Untuk induktor tanpa inti (air winding) µ = 1. . (6) L : induktansi dalam H (Henry) µ : permeability inti (core) µo : permeability udara vakum µo = 4π x 10-7 N : jumlah lilitan induktor A : luas penampang induktor (m2) l : panjang induktor (m) Induktor selenoida dengan inti (core) Inilah rumus untuk menghitung nilai induktansi dari sebuah induktor.. Jika rumus-rumus di atas di subsitusikan maka rumus induktansi (rumus 3) dapat ditulis menjadi : Induktansi Induktor .. Tentu saja rumus ini bisa dibolak-balik untuk menghitung jumlah lilitan induktor jika nilai induktansinya sudah ditentukan..permeability µ tergantung dari bahan inti (core) dari induktor.

Maka panjang induktor efektif adalah kira-kira : Keliling lingkaran toroida …. Biasanya selalu menggunakan inti besi (core) yang juga berbentuk lingkaran seperti kue donat.. Jika biasanya induktor berbentuk silinder memanjang. Toroida Jika jari-jari toroid adalah r. (7) Dengan demikian untuk toroida besar induktansi L adalah : Induktansi Toroida ………(8) . yaitu jari-jari lingkar luar dikurang jari-jari lingkar dalam.. maka toroid berbentuk lingkaran.Toroid Ada satu jenis induktor yang kenal dengan nama toroid.

Oleh sebab itu ferit ini sebenarnya adalah keramik. Ada juga ferit yang dicampur dengan bahan bubuk lain seperti nickle. Melalui proses yang dinamakan kalsinasi yaitu dengan pemanasan tinggi dan tekanan tinggi. Proses pembuatannya sama seperti membuat keramik. Penggunaan ferit juga disesuaikan dengan frekeunsi kerjanya. dapat induktor dengan induktansi yang lebih besar dan dimensi yang relatif lebih kecil dibandingkan dengan induktor berbentuk silinder. Dapat dipahami penggunaan ferit dimaksudkan untuk mendapatkan nilai induktansi yang lebih besar relatif terhadap jumlah lilitan yang lebih sedikit serta dimensi induktor yang lebih kecil. zinc (seng) dan magnesium. dimensi dan permeability yang lebih detail. Berikut ini adalah beberapa contoh bahan ferit yang dipasar dikenal dengan kode nomer materialnya. bubuk campuran tersebut dibuat menjadi komposisi yang padat. . Pabrik pembuat biasanya dapat memberikan data kode material. Ada bermacammacam bahan ferit yang disebut ferromagnetik. Karena beberapa ferit akan optimum jika bekerja pada selang frekuensi tertentu. manganase. Ferit dan Permeability Besi lunak banyak digunakan sebagai inti (core) dari induktor yang disebut ferit. Juga karena toroid umumnya menggunakan inti (core) yang melingkar. maka medan induksinya tertutup dan relatif tidak menginduksi komponen lain yang berdekatan di dalam satu pcb.000. Ferit yang sering dijumpai ada yang memiliki µ = 1 sampai µ = 15. Bahan dasarnya adalah bubuk besi oksida yang disebut juga iron powder.Salah satu keuntungan induktor berbentuk toroid.

Seperti contoh . Karena perlu diketahui nilai permeability bahan ferit. Dapat diketahui nilai induktansinya adalah : L ≈ 5. Dengan data ini dapat dihitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi tertentu. diameter lingkar dalam serta luas penampang toroida. Indeks ini dihitung berdasarkan dimensi dan permeability ferit. maka kita dapat menghitung nilai induktansi dengan menggunakan rumus-rumus yang ada. Tetapi biasanya pabrikan hanya membuat daftar indeks induktansi (inductance index) AL. berdiameter 1 cm dengan panjang 2 cm serta mengunakan inti ferit dengan µ = 3000. Jika datanya material ferit Sampai di sini kita sudah dapat menghitung nilai induktansi suatu induktor. Misalnya induktor dengan jumlah lilitan 20. Umumnya dipasar tersedia berbagai macam jenis dan ukuran toroida.9 mH Selain ferit yang berbentuk silinder ada juga ferit yang berbentuk toroida. diameter lingkar luar.

maka dari table diketahui nilai AL = 100. Maka untuk mendapatkan induktor sebesar 4µH diperlukan lilitan sebanyak : N ≈ 20 lilitan . Tabel AL Rumus untuk menghitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi yang diinginkan adalah : Indeks AL ……….tabel AL berikut ini yang satuannya µH/100 lilitan. (9) Misalnya digunakan ferit toroida T50-1.

Rumus ini sebenarnya diperoleh dari rumus dasar perhitungan induktansi dimana induktansi L berbanding lurus dengan kuadrat jumlah lilitan N2.3mm. Karena bahan ferit yang demikian terbuat hanya dari bubuk besi (iron power). Permeability bahan bisa juga diketahui dengan kode warna tertentu. Indeks AL umumnya sudah baku dibuat oleh pabrikan sesuai dengan dimensi dan permeability bahan feritnya. . Biasanya yang digunakan adalah kawat tembaga tunggal dan memiliki isolasi. Misalnya kawat tembaga AWG32 berdiameter kira-kira 0. Untuk pemakaian yang profesional di pasar dapat dijumpai kawat tembaga dengan standar AWG (American Wire Gauge). AWG22 berdiameter 0. Misalnya ferit toroida FT50-77 memiliki indeks AL = 1100. Ada banyak kawat tembaga yang bisa digunakan. Contoh bahan ferit toroida di atas umumnya memiliki premeability yang kecil. tetapi berfungsi juga sebagai pelapis atau isolator. sehingga efek resistansi bahan kawat tembaga dapat diabaikan. biru atau kuning. Misalnya abu-abu.8mm. Standar ini tergantung dari diameter kawat. Banyak juga ferit toroid dibuat dengan nilai permeability µ yang besar. Bahan ferit tipe ini terbuat dari campuran bubuk besi dengan bubuk logam lain. hitam. Biasanya pabrikan menjelaskan berapa nilai tegangan kerja untuk toroida tersebut. Sebenarnya lapisan ini bukan hanya sekedar warna yang membedakan permeability. resistansi dan sebagainya. merah.7mm ataupun AWG20 yang berdiameter kira-kira 0. Paling yang diperlukan hanya puluhan sentimeter saja. Kawat tembaga Untuk membuat induktor biasanya tidak diperlukan kawat tembaga yang sangat panjang.

yang pasti harus lebih kecil dibandingkan diameter penampang induktor. Kawat tembaga yang digunakan bisa berdiameter berapa saja. data yang diperlukan tidak banyak tersedia di toko eceran. . Ini yang dikenal dengan istilah ekef kulit (skin effect).Penutup Sayangnya untuk pengguna amatir. Untuk memperoleh nilai “Q” yang optimal panjang induktor sebaiknya tidak lebih dari 2x diameter penampangnya. Untuk toroid usahakan lilitannya merata dan rapat. Sehingga terkadang dalam membuat induktor jumlah lilitan yang semestinya berbeda dengan hasil perhitungan teoritis. terutama induktor berbentuk silinder. Karena ternyata arus yang melewati kawat tembaga hanya dipermukaan saja. Terkadang pada prakteknya untuk membuat induktor sendiri harus coba-coba dan toleransi induktansinya cukup besar. Untuk mendapatkan nilai induktansi yang akurat ada efek kapasitif dan resistif yang harus diperhitungkan. Ada satu tip untuk membuat induktor yang baik.

KODE : LIS.PTL.047 (P) (40 Jam)






Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial, sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis.

Dalam penggunaannya, bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya, yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta, kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat, guna merealisasikan penyelenggaraan

pembelajaran di SMK. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK.

Demikian, mudah -mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan, khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat.

Jakarta, 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur,

Dr. Ir. Gator Priowirjanto NIP 130675814

KATA PENGANTAR …………………………………………………… REKOMENDASI ………………………………………………………… DAFTAR ISI ……………………………………………………………... PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… GLOSARRY/PERISTILAHAN I PENDAHULUAN A. Deskripsi …………………………………………….………… B. Prasyarat ………………………………………………………. C. Petunjuk Penggunaan Modul ………………………….……… D. Tujuan Akhir………………………………………………….. E. F. II STANDAR KOMPETENSI……………..………………… Cek Kemampuan …………………………………….……….. 1 1 1 2 3 4 6 7 7 8 8 8 8 18 20 21 25 26 26 26 48 50 Halaman i ii iv v

PEMBELAJARAN A. RENCANA BELAJAR PESERTA DIKLAT…………………. B. KEGIATAN BELAJAR. ……………………………………… Kegiatan Belajar 1 A. B. C. D. E. F. Tujuan Kegiatan ……………………………….……… Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 1 …………………………………………. Tugas 1 ……………………………………………….. Test Formatif 1 ……………………………………….. Jawaban Test Formatif 1 ……………………………..

Kegiatan Belajar 2 A. B. C. D. Tujuan Kegiatan ……………………………….…. Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 2 ………………………………….……… Tugas 2 ………………………………………………..

Elektronika -1



odul ini berjudul Elektronika - 1 merupakan bagian dari Kompetensi Mengoperasikan Mesin Produksi dengan Kendali Elektronik (PTL. OPS 005 (

)A dipersiapkan bagi anda siswa Sekolah Menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pemanfaatan Energi tingkat III (semester 5) dengan alokasi waktu selama 40 jam. Modul ini berisikan tentang dasar-dasar elektronika mulai dari teori atom, bahan semikonduktor, macam-macam Dioda, Transistor Bipolar serta pemanfaatannya. Modul ini tidak ada kaitan secara langsung dipelajari tersendiri. Setelah modul ini dapat anda kuasai, maka hasil belajar yang akan anda capai adalah adanya pemahaman terhadap ilmu elektronika, khususnya mampu dalam dengan modul lainnya, jadi dapat

mengidentifikasi komponen elektronik serta menganalisis sifat-sifatnya. Dengan pengetahuan dasar ini akan membimbing anda ke arah pekerjaan dan kemampuan yang dimiliki khususnya bidang keahlian yang berkaitan dengan dunia elektronik dan bidang keahlian pemanfaatan energi pada umumnya.


Untuk mempelajari modul ini tidak diperlukan prasyarat khusus, tetapi dikarenakan modul ini dilengkapi dengan Lembar Kerja, maka sudah tentu diperlukan penguasaan anda terhadap alat-alat ukur besaran listrik dan yang paling penting adalah pengetahuan dan kepedulian anda terhadap Keselamatan Kerja dan Bahaya Listrik.


1. Modul ini dapat anda pelajari secara klasikal ataupun individual, dimana setiap kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas -tugas yang terdapat


Elektronika -1

dalam topik-topik pembelajaran modul ini secara tuntas (Mastery Learning) baik ranah pengetahuan, sikap dan khususnya ranah keterampilan. 2. Jika anda sudah merasa mampu untuk menyelesaikan salah satu topik dari modul ini, maka anda diperkenankan untuk meminta kepada guru pembimbing anda guna diuji kompetensinya. 3. Jika anda sudah dinyatakan kompeten untuk satu topik pertama dengan melewati uji kompetensi tersebut di atas, maka anda diperkenankan untuk melanjutkan ke topik (pembelajaran) berikutnya. Tapi jika dianggap belum kompeten, maka sebaiknya anda tidak segan untuk mengulang kembali dengan arahan guru pembimbing. 4. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan beberapa peralatan ukur dan piranti-piranti elektronik baik aktif maupun pasif serta sumber daya searah dan bolak-balik yang tetap maupun variabel.


Karena modul ini mengacu pada Kurikulum 2004 (Standar Kompetensi Nasional) , maka setelah anda menyelesaikan kegiatan belajar ini ada beberapa kinerja yang diharapkan untuk anda kuasai dan telah memenuhi persyaratan dari dunia kerja seperti berikut : 1. Mampu mengidentifikasi komponen elektronik 2. Mampu melakukan troubleshooting rangkaian elektronik 3. Mampu melakukan perbaikan pesawat elektronik


Tipe P dan N dan sifatnya .Terjadinya lapisan PNP dan NPN dijelaskan sesuai dengan kejadiannya .Sifat PN junction dijelaskan .Elektronika -1 E.Terjadinya bahan semikonduktor tipe P dan N dijelaskan sesuai dengan kejadian dan sifatnya .Transistor Bipolar diidentifikasi dengan alat ukur yang sesuai.Menjelaskan sifat macam-macam dioda dan penggunaannya . .Dioda diuji sesuai dengan karakteristiknya dengan rangkaian uji yang ditetapkan .Dioda diidentifikasi sesuai dengan sifatnya dengan alat ukur yang sesuai .Melakukan percobaan Dioda sebagai penyearah arus .Menjelaskan sifat unsur bahan semikonduktor .Sifat transistor NPN dan PNP dijelaskan sesuai dengan sifat atau karakteristiknya .Teori atom dan sifatnya difahami sebagai dasar pengetahuan elektronik . STANDAR KOMPETENSI KODE KOMPETENSI : Kompetensi Sub Kompetensi 1 Kriteria Unjuk Kerja : : : PTL OPS 005( ) A Memelihara rangkaian elektronik Memahami teori atom dan semikonduktor . .Sifat macam macam dioda dijelaskan sesuai dengan karakteristik dan penggunaannya .Menjelaskan sifat PN junction .Melakukan percobaan karakteristik dioda.Melakukan percobaan dioda zener sebagai stabilisator tegangan searah Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja yang telah ditetapkan Pengetahuan : Ketrampilan : Sikap : Sub Kompetensi 2 Kriteria Unjuk Kerja : : Memahami sifat dan karakteristik transistor bipolar .Menjelaskan teori atom .Menjelaskan terjadinya bahan sk.Bahan semikonduktor dijelaskan sesuai dengan sifat-sifatnya .Fungsi transistor dijelaskan sesuai dengan fungsinya 3 .

CB.Menjelaskan konfigurasi.Elektronika -1 .Melakukan percobaan transistor s ebagai saklar elektronik Ketrampilan : Sikap Ruang Lingkup Belajar : : Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja Kompetensi ini berkaitan dengan pemahaman tentang komponen-komponen elektronik yang umumnya digunakan dalam peralatan kendali di industri LIS PTL 47 (P) Kode Modul : 4 .Melakukan identifikasi transistor dengan alat ukur .Penguatan dan konfigurasi penguat transistor dijelaskan sesuai dengan rangkaian sambungannya Pengetahuan : Menjelaskan terjadinya lapisan PNP dan NPN Menjelaskan sifat dan karaktersitik transistor bipolar Menjelaskan cara mengidentifikasi transistor bipolar Menjelaskan fungsi transistor sebagai penguat. saklar elektronik .CE dan CC .

CEK KEMAMPUAN PENGUASAAN KONDISI 1. Penguasaan terhadap peralatan ukur elektronik (osiloskop) 4. Penguasaan terhadap peralatan ukur Digital 3. Penguasaan terhadap peralatan perbaikan (alat tangan) 5. Penguasaan terhadap karakter komponen elektronik YA BELUM REMARK Catatan Pembimbing : 5 .Elektronika -1 F. Penguasaan terhadap peralatan ukur Analog 2. Penguasaan terhadap prosedur perbaikan dan perawatan elektronik 6.

09. 07. 14. 02. 17. 01. 06.Elektronika -1 II. 04. 19. TOTAL WAKTU 2400 Kegiatan Tanggal Waktu (menit) Tempat Belajar Paraf Guru 6 . 11. 13. 10. 12. 20. 03. PEMBELAJARAN RENCANA PEMBELAJARAN SISWA No. 16. 15. 08. 18. 05.

Elektronika -1 Kegiatan Belajar -1 TEORI ATOM DAN DIODA SEMIKONDUKTOR TUJUAN : Setelah mempelajari topik ini. maka diharapkan anda dapat : ? Memahami karakteristik atom suatu unsur ? Membedakan antara sifat bahan penghantar. pelipat (multiplier) dan penstabil tegangan (voltage stabilizer) 7 . penyekat dan setengah Penghantar ? Memahami terbentuknya bahan semikonduktor P dan N ? Menganalisis karakteristik Dioda Semikonduktor ? Menganalisis karakteristik Dioda Zener ? Mengaplikasikasikan dioda sebagai penyearah (rectifier).

Atom dan lintasan elektronnya Atom terdiri dari proton. 8 . neutron dan elektron. Karakteristik Atom A 1.1. 3. sebaliknya elektron bermuatan negatip terhadap intinya.dan juga bisa bermuatan netral jika jumlah muatan positip dan negatipnya seimbang. Secara tiga dimensi bentuk atom suatu unsur digambarkan seperti terlihat pada gambar Gambar 1. Inti bermuatan positip terhadap elektron. Karakteristik suatu atom adalah : 1.1. Kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak. tom adalah partikel terkecil dari sebuah molekul yang sifatnya tidak dapat dibagi lagi dan hal ini sesuai dengan nama asal atom dari bahasa Yunani ATOMOS. yang berarti tidak dapat dibagi lagi. dimana proton bermuatan positip terhadap elektron atau elektron bermuatan negatip sedangkan dalam keadaan normal inti (neutron) tidak bermuatan. 2. Setiap inti mempunyai medan gaya tarik dengan elektronnya dan dikenal sebagai muatan.Elektronika -1 A.

12 = 2 buah elektron 9 .1) dimana : ? e = banyak elektron yang melintas n = 1. Dengan demikian banyaknya elektron yang melintas pada setiap lintasan untuk unsur silikon seperti gambar 1.……… (nomor lintasan. dimana angka terkecil menyatakan nomor lintasan yang paling dekat ke intinya). lapisan ini disebut lintasan atau orbit.Lintasan pertama . dimana semakin besar berat unsurnya suatu unsur akan semakin banyak jumlah elektron yang mengelilingi intinya. Memperlihatkan susunan lapisan suatu atom unsur Silikon (Si) yang mempunyai nomor atom 14 atau mempunyai 14 buah elektron yang mengelilingi intinya. adalah : (1) = 2 . Gambar 1.4.2. Susunan Atom Susunan setiap atom terdiri dari lapisan -lapisan tertentu yang menjadi tempat beredarnya elektron. Banyaknya elektron yang melintas ditentukan oleh berat unsur kimia.3.Elektronika -1 B.2. Gambar 1.2.2. Lapisan atom unsur silikon dan penyederhanaannya Jumlah elektron yang melintas pada setiap lapisan dapat ditentukan dengan rumus pendekatan sebagai berikut : ? e = 2 n2 (1.

hal ini dikarenakan merupakan sisa dari 14 – (2 + 8) = 4 buah elektron. Pada lintasan ketiga hanya melintas empat buah elektron .3. Sedang bagi elektron-elektron yang menempati lapisan terluar akan mudah dipengaruhi oleh sejumlah tenaga dari luar dan mereka dapat keluar sebagai elektron bebas.3. Ikatan Kovalen 10 . Misalkan ada beberapa atom silikon yang saling berdekatan seperti gambar 1.Lintasan ketiga (2) = 2 . Setiap elektron mempunyai kemampuan untuk mengikat satu elektron lain dari atom lainnya yang berada disekitarnya. Elektron-elektron yang melintas pada lapisan terdalam (berdekatan dengan inti) akan terikat kuat oleh muatan intinya dana kan sulit untuk melepaskan diri dari susunannya. 22 = 8 buah elektron (3) = 4 buah elektron (sisa).Elektronika -1 . Gambar 1.Lintasan kedua . Elektron yang menempati lapisan terluar tersebut sangat memegang peranan penting dalam penentuan sifat kimia dan kelistrikan unsur dan sering disebut sebagai elektron martabat (Valensi). maka elektron-elektron yang saling berdekatan akan menjalin ikatan yang dikenal sebagai Ikatan Kovalen (Covalent-Bond).

Elektronika -1 ? Catatan : C. 11 . sedangkan tempat yang ditinggalkan oleh elektron akan membentuk suatu muatan positip. Gambar 1. Elektron yang lepas dari ikatannya ini dikenal sebagai Elektron Bebas yang bermuatan negatip. dim ana tempat tadi disebut sebagai kekosongan atau dikenal dengan nama lain Hole.4. Elektron Bebas dan Hole Suatu efek agitasi seperti kenaikan temperatur akan menghasilkan getaran pada inti atom sehingga berakibat ikatan kovalen akan pecah dan diikuti oleh lepasnya elektronelektron. memperlihatkan elektron bebas dan hole pada susunan atom unsur silikon.

jika mempunyai nilai tahanan jenis yang rendah yaitu berkisar antara 10-8 sampai 10-7 ohmmeter. Selain kedua jenis bahan di atas. Istilah pencampuran ini dikenal dengan nama pengotoran (Impurity) atau Doping. D.Elektronika -1 Gambar 1. maka guna memperbesar daya hantar tersebut dapat dilakukan dengan proses pencampuran dengan unsur lain dengan maksud untuk memperbanyak terjadinya elektron-elektron bebas dan hole. yaitu berkisar antara 10 4 sampai 1016 ohm-meter. 12 . yaitu penghantar (konduktor) dan penyekat (isolator). sehingga dengan perkataan lain dengan temperatur kamar sifat silikon yang pada kondisi semula bersifat sebagai penyekat sempurna dapat berubah menjadi penghantar arus listrik. Suatu bahan konduktor dikatakan baik. dimana pada temperatur absolut (0 0K = -273 0 C) dalam keadaan murni bersifat sebagai isolator.4. Dikarenakan daya hantar jenis bahan semikonduktor murni sangat rendah. Bahan Penghantar. Bahan ini digolongkan pada bahan setengah-penghantar (semiconductor). Elektron Bebas dan Hole 0 Pada temperatur kamar (? 27 C). enerji panas sudah mampu untuk membebaskan elektron dari ikatan kovalen. ada suatu bahan yang mempunyai tahanan jenis yang berubah-ubah seiring dengan perubahan temperatur. Elektron bebas dan hole yang terjadi disebut juga sebagai pembawa muatan (Charge-Carrier). penyekat dan Setengah-Penghantar Pada umumnya bahan kelistrikan yang anda kenal ada dua. Sedangkan suatu bahan isolator dikatakan baik jika mempunyai nilai tahanan jenis yang tinggi.

Gambar 1. Pengaruh panas terhadap tahanan jenis bahan 13 . Berikut ini diperlihatkan contoh perbedaan tahanan jenis bahan pada temperatur kamar (? 27 0 C).Elektronika -1 sedangkan jika ada kenaikan temperatur sifatnya akan berubah menjadi konduktor.5. TABEL-1 CONTOH BEDA TAHANAN JENIS PADA TEMPERATUR KAMAR KONDUKTOR ? Cu ? 10-8 ? m SEMI-KONDUKTOR ? Ge ? 50 x 10-2 ? m ? Si ? 50 x 10-1 ? m ISOLATOR ? mika ? 1010 ? m Tahanan jenis bahan konduktor hanya akan bertambah sedikit naik dan berbanding lurus dengan kenaikan dari temperatur. memperlihatkan kurva pengaruh panas terhadap tahanan jenis. Gambar 1.5. Oleh karena itu bahan semikonduktor akan lebih baik menghantarkan arus listrik saat panas daripada saat dingin. sebaliknya tahanan jenis bahan semikonduktor akan turun secara eksponensial jika temperaturnya anda naikkan. Nilai tahanan jenis bahan semikonduktor ini berkisar antara 10-1 sampai 10 -15 ohm-meter.

14 .Elektronika -1 ? Catatan : E. Terbentuknya Bahan Semikonduktor tipe P dan N Bahan dasar yang bayak dan sering digunakan dalam membuat piranti elektronik adalah bahan Germanium dan Silikon. dimana kedua bahan tersebut mempunyai elektron valensi yang sama yaitu empat buah. Tabel 2 berikut memperlihatkan tabel periodik golongan atom bahan semikonduktor.

Atau dengan kata lain harus adanya pemaksaan panas (agitasi thermis). Selain itu juga disebutkan adanya metoda impurity.6. Guna mendapat muatan positip pada atom silikon atau germanium yang mempunyai valensi empat. GOLONGAN ATOM SEMIKONDUKTOR Pada pembahasan terdahulu disebutkan bahwa elektron-elektron bebas akan mengalir dalam bahan semikonduktor pada temperatur diatas nol-mutlak. misal unsur Indium (In) dan Galium (Ga). maka unsur indium yang bervalensi tiga akan menerima empat buah elektron. dimana unsur murni bahan semikonduktor tersebut dicampur dengan unsur lainnya (agitasi chemis). Gambar 1. maka atom tersebut harus dicampur dengan atom unsur lain yang bervalensi tiga. Kristal Silikon tipe P 15 .Elektronika -1 TABEL –2. Dikarenakan unsur silikon bervalensi empat.

Gambar 1. Dioda ini berasal dari dua kata Duo dan Electrode yang berarti dua elektroda. yaitu Anoda yang berpolaritas postip dan Katoda yang berpolatitas negatip. Jika hasil pencampuran antara atom unsur semikonduktor yang bervalensi empat dengan unsur yang bervalensi tiga akan menghasilkan campuran yang bermuatan positip dan untuk memperoleh campuran yang bermuatan negatip kita harus campurkan bahan silikon atau germanium dengan unsur lain yang bervalensi lima misalnya unsur Arsenikum.Elektronika -1 Sebagai paduan bersama.7.6. maka indium disebut sebagai penerima (akseptor). Gambar 1. Gambar 1. Unsur pencampur tersebut dinamakan unsur pemberi (donor) sedangkan hasil campurannya disebut Silikon atau Germanium tipe N. 16 . Antimon atau Phospor. memperlihatkan susunan kristal silikon-P dan jika anda perhatikan lebih seksama akan tampak pada ikatan kovalennya terjadi kekurangan elektron yang mengasilkan muatan positip (hole). maka akan terbentuk bahan baru yang disebut silikon atau germanium tipe P. Kristal Silikon – N F. Campuran ini akan membentuk campuran bermuatan negatip dikarenak an kelebihan elektron. dimana hurup P ini menunjukkan muatan terbanyak positip atau hole.7. Dioda PN Sambungan bahan semikonduktor tipe P dan N mendasari terbentuknya suatu piranti elektronik aktif yang dikenal sebagai Dioda . memperlihatkan susunan kristal silikon atau germanium N. Dikarenakan atom indium menerima elektron dari silikon atau germanium.

.9. Salah satu aplikasi penggunaan dioda dalam ilmu kelistrikan adalah sebagai penyearah arus (rectifier) dari arus bolak-balik ke arus searah.1. Sifat Dioda 1.8. Bias Maju Jika anoda dihubungkan dengan kutub positip sumber searah dan katodanya dihubungkan dengan kutub negatipnya seperti terlihat pada gambar 1.Elektronika -1 Secara umum dioda disimbolkan dan bentuk fisiknya seperti terlihat pada gambar 1.9. Simbol dan bentuk fisik Dioda 1. Bias maju (Forward-Bias) 17 . Gambar 1.8. maka rangkaian tersebut dikenal sebagai rangkaian bias maju (Forward -Bias). DIN 40 700 Gambar 1.

sehingga arus tidak akan atau sedikit mengalir dalam orde mikroamper. Bias Mundur (Reverse-Bias) Pada saat reverse ini dioda akan mempunyai nilai hambatan yang besar.10.7 volt sedangkan untuk dioda germanium Ud ? 0. 1. maka bias demikian disebut bias mundur (Reverse-Bias) seperti diperlihatkan pada gambar 1. Jika tegangan sumber dinaikkan lebih besar lagi. Tegangan saat arus mengalir secara linear ini dikenal sebagai tegangan patahan (Breakdown Voltage). Tegangan dimana dioda mulai mengalirkan arus disebut sebagai tegangan kerja dioda ( Ud).3 volt. maka suatu saat tertentu secara tiba-tiba arus akan naik secara linear. yaitu anoda dihubungkan dengan sumber negatip sumber searah sedangkan katoda dihubungkan dengan sumber positipnya. Bias Mundur Jika kedua elektroda dioda tersebut kita hubungkan secara terbalik (berlawanan polaritas). Untuk dioda silikon Ud ? 0. 18 .2. Tegangan ini jika terus diperbesar akan mengakibatkan kerusakan pada dioda dan untuk itu tegangan ini dibatasi hingga tegangan nominal yang dikenal dengan nama Peak Inverse Voltage disingkat PIV.Elektronika -1 Pada kondisi seperti ini arus akan mengalir dari anoda menuju katoda.10. Gambar 1.

8. sedangkan pada temperatur kamar menjadi penghantar.Elektronika -1 RANGKUMAN . Dalam keadaan murni dan pada temperatur –2730 C (0 0 K). 2. dimana atom terdiri dari Inti. sedangkan tempat yang ditinggalkannya membentuk muatan p ositip yang diberi nama Hole. Atom adalah bagian terkecil dari benda yang tidak dapat dibagi lagi.1 1. sedangkan elektron bermuatan negatip dan kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak bahkan bisa bermuatan netral. Inti dan proton dianggap bermuatan sama (positip). Sifat dioda PN adalah menghantarkan arus saat bias maju (forward) dan menghambat arus saat bias mundur (reverse). Proton dan Elektron. Elektron yang melepaskan diri dari ikatannya disebut Elektron-bebas. Setiap elektron yang berdekatan dari atom yang berbeda dapat membuat suatu ikatan yang dikenal sebagai ikatan kovalen (Covalent-Bond). 6. 5. 3. Jumlah lapisan (orbit) elektron dari suatu unsur dapat dihitung dengan rumus pendekatan ? e = 2 n2 4.( 27 0 C) berubah ? 19 . Pencampuran antara bahan semikonduktor bervalensi berbeda misal Silikon yang bervalensi 4 dengan bahan Indium yang bervalensi 3 akan menghasilkan tipe semikonduktor P (positip). 7. bahan semikonduktor bersifat sebagai penyekat. sedangkan pencampuran Silikon dengan Arsenikum yang bervalensi 5 akan menghasilkan tipe N (negatip). jika muatannya seimbang .

Apa yang dimaksud dengan metoda Impurity (DOPING) dan sebutkan apa tujuan / alasannya ? 4. Unsur Indium (In) yang mempunyai nomor atom 49 dan Phospor (P) yang bernomor atom 15. . Hitung / gambarkan jumlah lintasan dan jumlah elektron setiap lintasannya ! b. Valensi In = ………….Elektronika -1 ? kejadiannya ! LEMBAR LATIHAN . Sebutkan ciri-ciri (sifat) dioda untuk bias maju dan mundur ! 20 .1 1. valensi P = …………… 3. Apa yang dimaksud dengan Elektron Bebas dan Hole ? Sebutkan juga 2. a.

dimana kejadiannya adalah saat elektron tersebut lepas dari ikatannya akibat adanya pengaruh agitasi thermis ataupun chemis. Usur Indium yang mempunyai nomor atom 49. dimana unsur murni dicampur dengan unsur lain sehingga berubah sifat.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . 21 . sedangkan unsur Phospor = 3. Jika dioda diberi bias maju. Sedangkan jika dibias mundur. maka dia akan menghantarkan arus listrik. jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah sebagai berikut : Orbit 1 = 2 x 12 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 2 x 32 = 18 Orbit 4 = 2 x 42 = 18 * Orbit 5 = 3 elektron Sedangkan untuk Phospor yang mempunyai nomor atom 15.1 1. Kehilangan elektron tersebut mengakibatkan “lubang” (hole) yang bermuatan positip. Metoda ini disebut metoda pengotoran (doping). Sedangkan atom yang ditinggalkan oleh elektron akan kehilangan muatan negatip sehingga atom tersebut akan lebih negatip. jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah : Orbit 1 = 2 x 1 2 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 5 elektron Dengan demikian Elektron valensi untuk unsur Indium adalah = 5. 3. misalnya unsur silicon murni dicampur dengan indium akan menghasilkan bahan silicon dengan polaritas positip. maka dia akan menghambat arus. Metoda impurity (doping) adalah metoda untuk memperoleh bahan (unsur) yang mempunyai polaritas tertentu (positip atau negatip). Elektron bebas dan hole adalah pembawa muatan negatip dan positip. 2. 2.

Dapat membuktikan sifat-sifat dioda secara umum.Elektronika -1 LEMBAR KERJA 1 KARAKTERISTIK DIODA ? TUJUAN Setelah selesai mengerjakan lembar kerja – 1 ini diharapkan anda : 1. ? RANGKAIAN PERCOBAAN A) ARAH MAJU S + R + A Us U Rp V D B) ARAH MUNDUR S + Us U V D + A 22 . Dapat menggambarkan karakteristik listrik dioda arah maju dan mundur. 2.

1 volt.9 1. Amati kedua meter dan catat hasil penunjukkannya pada tabel . Multimeter 8.7 0. dimana semua posisi saklar pada posisi OFF. mA meter dc.4 0. Periksakan rangkaian tersebut kepada instruktor sebelum mulai percobaan. Resistor = 100 ? / 1 W 11.0 23 I ( mA) R ( ohm ) .5 0. 8. Buat rangkaian seperti gambar 1 di atas. 5. Hidupkan saklar (ON).8 0. Hentikan percobaan jika pembacaan meter sulit dibaca ! TABEL – 1 U (volt) 0 0. 2. Atur tegangan melalui potensiometer secara bertahap setiap 0. Dioda Rectifier 1N4005 10. Potensiometer limear 1 k? 9. Regulated DC Power Supply 0 –20 volt 2. 4. Posisikan mA meter pada batas ukur 100 mA. Saklar ON-OFF 5.Elektronika -1 ? DAFTAR ALAT DAN BAHAN 1. ? LANGKAH KERJA –1 1. 3. 4. Posisikan V meter pada batas ukur 1 volt. 9.6 0.1 yang disediakan. Kabel secukupnya. Proto Board Trainer 7. V meter dc 6. 7. ? A meter dc. catatan : Dalam rangkaian ini sebagai pengukur arus digunakan mA meter. Nyalakan Power Supply dan atur tegangan sebesar 1 volt.2 0.3 0. 6. 3.1 0.

sedangkan batas ukur V meter hingga diatas 20 volt. Catatan : Untuk percobaan ke 2 ini batas ukur ? A meter diatur pada batas terendah. Hidupkan saklar dan atur tegangan dari nol. 3. Buat rangkaian seperti gambar 2. Periksa kebenaran rangkaian pada instruktur anda. jika batas tegangan Power Supply telah mencapai 20 volt. Perhatikan juga batas ukur meter yang digunakan ! 3. 4. Catatan : Pengukur arus adalah ? A-meter 2. 24 . kemudian naikkan bertahap setiap 2 volt dan amati penunjukkan ? A-meter. 5. Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula. TABEL – 2 U (volt) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 I (? A) R ( ohm ) ? KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1.Elektronika -1 R=U/I ? LANGKAH KERJA . Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel –2 di bawah. Perhatikan polaritas dioda dan meter pengukur dc ! 2. posisi saklar pada posisi OFF.2 1. Hentikan percobaan.

Berapa titik konduk dioda yang anda amati ? Ud = ? ………… volt 2. b. Kenapa rangkaian percobaan 1 dan 2 dibedakan atas posisi alat ukurnya ? ……………………………………………………………………….1 volt dan 5 mm ? 10 mA. Untuk arah maju 5 mm ? 0. 25 . Berapa titik Breakdown-nya ? Ubd = ? ………….volt 3. ………………………………………………………………………. ………………………………………………………………………...Elektronika -1 ? TUGAS Buat gambar karakteristik dioda arah maju dan mundur dari data tabel 1 dan 2 hasil pengukuran anda pada pola di bawah ini dengan skala : a. ………………………………………………………………………. Untuk arah mundur 20 mm ? 2 volt dan 5 mm ? 1 ? A. ? EVALUASI 1.

dimana sisi primer transformator tersambung dengan sumber bolak-balik (ac) sedangkan sisi sekunder dihubungkan seri dengan sebuah dioda dan tahanan beban (R L). Penyearah Setengah Gelombang Rangkaian dasar penyearah setengah gelombang diperlihatkan pada gambar 1. maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. Rangkaian Penyearah setengah gelombang Jika saklar S ditutup. 26 . Penyearah Gelombang Penuh (Full-Wave Rectifier).Elektronika -1 4. ……………………………………………………………………….11. maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. 2. Gambar 1. ……………………………………………………………………….1. Dioda Sebagai Penyearah Arus (Rectifier) Berdasarkan sifat-sifat dioda . yaitu : ? ? Penyearah Setengah Gelombang (Half-Wave Rectifier). 2. maka dioda dapat dimanfaatkan sebagai alat penyearah arus bolak-balik (rectifier). Ada dua macam penyearah yang dikenal. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir.11. Kenapa pada rangkaian percobaan – 2 tidak digunakan hambatan R ? ……………………………………………………………………….

Guna menghitung besar harga rata-rata signal yang disearahkan dapat digunakan rumus pendekatan sebagai berikut : Um Udc = ? = 0.2) Dimana : Um = harga maksimum tegangan ac Udc = harga rata-rata tegangan dc 27 . Proses perubahan tegangan bolak -balik menjadi pulsa searah ini disebut penyearahan dan dikarenakan hanya setengah periode saja yang dapat dimanfaatkan.Elektronika -1 Gambar 1.318 Um (1.12. maka penyearah seperti ini dikenal sebagai Penyearah Setengah Gelombang. maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja. Proses penyearahan setengah gelombang Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat. Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4. sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan.

28 .2.14. Ujung lain dari dioda ini dihubungkan pada titik yang sama dari ujung tahanan RL di titik X dan ujung titik Y disambungkan ke titik tengah transformator C. Sistem Centre-tap Ujung A dihubungkan pada dioda D1 dan ujung B pada dioda D2.13. Penyearah Gelombang Penuh Ada dua macam penyearah gelombang penuh. Gambar 1. yaitu sistem Titik -Tengah (centretap) dan Sistem Jembatan (bridge). dimana jumlah lilitan antara titik AC sama dengan jumlah lilitan pada titik CB.Elektronika -1 2. Penyearah sistem titik-tengah menggunakan transformator centre-tap. dimana kurva a1 dan a2 menunjukkan tegangan yang masuk pada dioda D1 dan D2 yang selalu berlawanan phasa dan sama besarnya. Kerja penyearah ini dapat dilihat pada gambar 1.

Elektronika -1 Gambar 1. Kelebihan penyearah gelombang penuh dari penyearah setengah gelombang adalah menghasilkan tegangan rata-rata (Udc ) duakali lipat atau dituliskan sebagai berikut : Udc = 2 x 0.t3 ujung A berpolaritas negatip sedang ujung B positip sehingga pada saat ini dioda D2 yang menghantar (kurva b2 saat t2 .14. Pada saat t2 . Dengan demikian kedua dioda tersebut secara bergantian setiap setengah periode dan tahanan RL sertiap saat selalu dilewati arus (kuva c) yang berbentuk pulsa positip.636 Um Untuk penyearah gelombang penuh Sistem Jembatan diperlukan empat buah dioda yang dipasang sedemikian rupa seperti diperlihatkan pada gambar 1. sedangkan D2 tidak menghantar (kurva b2 saat t1 -t 2).t 3) sedang D1 tidak menghantar (kurva b1 saat t2 – t3 ).318 Um = 0.3) 29 . Proses Penyearahan Gelombang Penuh Pada saat t1 – t2 ujung A sedang berpolaritas positip. ( 1. sedangkan ujung B negatip sehingga pada sat ini dioda D1 yang sedang menghantar (kurva b1 saat t1 – t2).15. maka rangkaian ini dinamakan penyearah gelombang penuh. Dikarenakan satu gelombang penuh tegangan bolak-balik telah dimanfaatkan.

15. Guna memudahkan anda mengetahui bagaimana sistem ini bekerja. Penyearah sistem Jembatan Ketika titik A sedang positip. dioda D1 dan D2 berada dalam kondisi menghantar. maka ikuti gambar 1.. Proses kerja Sistem Jembatan Dengan demikian pada setiap setengah periode tegangan bolak-balik ada dua buah dioda yang bekerja secara serempak sedangkan dua buah lainnya tidak bekerja.16.sedang D1 dan D2 tidak menghantar. 30 . Adapun hasil penyearahan dari sistem ini adalah mirip dengan sistem Titik -Tengah. dimana ketika titik A sedang negatip. Gambar 1.16. sedang dioda D3 dan D4 tidak menghantar. dioda yang menghantar adalah dioda D3 dan D4 .Elektronika -1 Gambar 1.

5 volt. maka tegangan maksimum (U m) adalah 4.6 volt. Sebagai contoh jika anda menghendaki kelipatan dua dari tegangan output suatu penyearah sebagai berikut : Jika diketahui tegangan efektiv (rms) suatu sumber ac adalah 4.3 volt = ? 12. maka dapat dibuat rangkaian pelipat yang dasarnya adalah merupakan rangkaian penyearah tegangan.3 volt.18. 3. yaitu untuk setengah gelombang dan gelombang penuh. pelipat tiga disebut Tripler dan pelipat empat disebut Quadrupler atau secara umum pelipat ini disebut sebagai Multiplier. Jika tegangan tersebut dilewatkan pada rangkaian pelipat dua.5 x ? 2 = 6. Gambar 1. Rangkaian doubler setengah gelombang seperti terlihat pada gambar 1.17. Pelipat Dua (Doubler) Ada dua macam rangkaian pelipat dua ini.1. berikut : 31 . maka tegangan output yang dihasilkan adalah Uo = 2 x 6.Elektronika -1 3. Dioda sebagai pelipat tegangan (Voltage Multiplier) Guna melipat tegangan dari suatu sumber tegangan searah . Doubler setengah gelombang Agar anda mudah memahami prinsip kerja rangkaian tersebut. Besar tegangan yang dilipatkan dapat diatur mulai dari duakali lipat. tigakali lipat atau seterusnya. Rangkaian pelipat dua disebut Doubler. dan rangkaian ini dikenal sebagai Rangkaian Villard atau Cascade. maka ikuti gambar 1.17.

Pada setengah perioda berikutnya sedang negatip. yaitu Uc1 = Um dan Uc2 = 2 Um. Pada saat D2 terhubung singkat selama setengah perioda negatip dan D1 membuka kembali. Secara ideal D terhubung singkat selama 1 setengah periode tersebut dan tegangan input mengisi kapasitor C1 hingga Um dengan polaritas seperti pada gambar 1. dioda D1 off dan dioda D2 menghantar dan C2 mengisi muatannya.Elektronika -1 Gambar 1.(a). Jika paralel dengan kapasitor C2 tidak dibebani. maka dioda D1 menghantar sedangkan dioda D2 –off.19. berikut memperlihatkan rangkaian doubler gelombang penuh yang dikenal dengan nama Rangkaian Delon.18. Prinsip Kerja Doubler setengah gelombang Ketika setengah perioda tegangan trafo sisi sekunder sedang positip. 32 . maka kedua kapasitor tersebut akan tetap bermuatan. Jika output doubler ini dihubungkan dengan sebuah beban. Gambar 1. kita dapat menjumlahkan tegangan yang ada pada jaringan sehingga akan ditemukan bahwa Uc2 = 2 Um.18. maka tegangan Uc2 akan turun selama setengah perioda positip dan kapasitor tersebut akan mengisi kembali hingga 2 Um pada setengah periode negatipnya. misalnya resistor. Kapasitor C1 mengisi muatan hingga mencapai tegangan maksimumnya (Um ).

19. Rangkaian Multiplier 33 .20.Elektronika -1 Gambar 1. Gambar 1. Rangkaian Doubler Gelombang Penuh Rangkaian pelipat lain dengan kemampuan lebih besar diperlihatkan seperti gambar 1.20.

yaitu dengan menggunakan transformator titik tengah (centre-tap) dan tipe jembatan (bridge).318 Um. Hasil penyearahan setengah gelombang adalah 0. Penyearah gelombang penuh ada dua tipe.2 1.318 Um = 0. Penyearah arus ada dua macam. 5. 34 . Dengan bantuan kapasitor. sedangkan hasil penyearahan gelombang penuh adalah 2 x 0.636 Um 4. Dioda dapat digunakan sebagai penyearah arus dari arus bolak -balik ke arus searah 2. penyearah dapat dibentuk sebagai rangkaian pelipat (multiplier) tegangan.Elektronika -1 RANGKUMAN . yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh 3.

Menurut analisa anda. 2.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN .2 1. kenapa tegangan dc output lebih rendah dari tegangan input ac ? 35 . Ceriterakan prinsip penyearahan signal ac menjadi dc dengan system penyearah setengah gelombang lengkap dengan gambarnya. Jika diketahui sebuah penyearah gelombang penuh sistem jembatan dengan input ac = 12 volt. Tegangan searah (dc) 3. Tegangan maksimum (Um) b. maka hitunglah : a.

97 volt b) Udc = 5. Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat.2 1. maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir. Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . Diketahui Uin = 12 volt effektif Ditanya : a) U maksimum ( Um) b) U dc Jawab : a) Um = 16.40 volt 36 . sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan. Prinsip penyearahan setengah gelombang Jika saklar S ditutup. maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. 2.

Elektronika -1 3. maka tegangan dc yang dihasilkan oleh penyearah setengah gelombang akan lebih rendah dari tegangan inputnya (U ef ataupun Umak nya) 37 . Karena yang dilewatkan hanya setengah periode sedangkan setengah lainnya dihambat.

menganalisis bentuk gelombang searah. Penyearah Sistem Jembatan 38 .Elektronika -1 LEMBAR KERJA 2 DIODA SEBAGAI PENYEARAH ARUS ? TUJUAN Setelah menyelesaikan lembar kerja – 2 . diharapkan anda mampu : 1. membuktikan dioda sebagai penyearah gelombang penuh 3. Penyearah setengah gelombang D x AC R y B. 2. membuktikan dioda sebagai penyearah arus setengah gelombang. ? RANGKAIAN PERCOBAAN A.

R = 100 ohm/5 W 4. Buat rangkaian seperti gambar A 2. AC Regulated Power Supply 0 – 220 volt 2. 9. Ukurlah dengan menggunakan V meter dc tegangan output antara titik x dan y. Dioda rectifier IN4005 dan Bridge Diode 3. Lakukan langkah 4 dengan menggunakan Oscilloscope 6. Periksa polaritas dan jenis alat ukur (meter) dengan benar ! 3. Atur sumber ac sesuai dengan Tabel 1. buat rangkaian seperti gambar 2. V meter ac 6. Buat kesimpulan hasil pengamatan anda ? KESELAMATAN KERJA 1. 4. V meter dc 5. Kembalikan semua alat dan bahan ke tempat semula. Jika anda telah menyelesaikan perintah 1 s/d 6. Periksa sambungan dan perhatikan polaritas 3. Oscilloscope Dual-Trace ? LANGKAH KERJA 1. 39 . Ikuti petunjuk yang sama dan masukkan hasil pengamatan anda pada tabel – 2. Periksakan rangkaian anda kepada instruktur sebelum melakukan pengamatan atau menghidupkan sumber daya ! 2. di bawah. 5.Elektronika -1 ? ALAT DAN BAHAN 1. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel – 1 7. 8.


Notasi Uz adalah tegangan reverse dioda. dimana terjadi patahan (breakdown). 41 . maka tahanan dioda zener sekitar 1 Mega ohm bahkan lebih. Kemampuan dioda zener berkisar mulai 2. sedangkan jika tegangan sumber sedikit diatas Uz. Gambar 1.21. memperlihatkan karakteristik listrik dioda zener yang mirip dengan karakteristik dioda pada umumnya.22.4 volt sampai 200 volt dengan disipasi daya ¼ sampai 500 W. Simbol dan rangkaian ekuivalennya diperlihatkan seperti gambar 1. Dioda Zener Dioda zener adalah merupakan dioda yang terbuat dari bahan silikon dan dikenal sebagai Voltage Regulation Diode yang bekerja pada daerah reverse bias (kuadran III) di daerah breakdownnya. Jika tegangan sumber yang dib erikan pada zener lebih kecil dari Uz. arus reverse akan naik dengan cepat. Karakteristik dioda zener Gambar 1.21.1.Elektronika -1 4. Simbol dan rangkaian ekuivalen dioda zener Rangkaian ekuivalen dioda zener merupakan suatu hambatan dinamis yang bernilai relatip kecil dan seri dengan sebuah batere searah yang besarnya sebanding dengan potensial zener tersebut. 4.

Rangkaian dioda zener 42 .Elektronika -1 Gambar 1. arus naik sedemikian rupa sedangkan tegangan zener Uz akan tetap tidak berubah.22. dan jika terlampaui akan mengakibatkan kerusakan. Kenaikan arus zener ini mempunyai batas maksimal yang diberi notasi Iz max. Oleh karena itu dalam prakteknya dioda zener selalu dipasang serikan dengan sebuah resistor.23. Gambar 1. Karakteristik listrik dioda zener Dari karakteristik terlihat bahwa setelah terjadi tegangan patahan.

Uz2+Uz3 dan (Uz1+Uz2+Uz3). kita dapat memperoleh enam tegangan yang stabildan berbeda-beda. Gambar 1. Syarat yang perlu diperhatikan dalam penggunaan rangkaian ini adalah arus yang melewati ketiga zener tidak boleh lebih rendah dari Iz minimum dan tidak boleh melewati Iz maksimum. Variasi stabilisator tegangan dengan zener Untuk penstabil seperti yang diperlihatkan pada gambar 1. maka zener dioda banyak digunakan sebagai penstabil tegangan searah. yaitu Uz1 s/d Uz3 kemudian variasi Uz1+Uz2. Gambar-gambar zener sebagai penstabil tegangan dapat dilihat pada gambar berikut. 4.24. Zener sebagai penstabil tegangan Dikarenakan karakteristiknya.24.4 ) Persamaan diatas akan menghasilkan nilai Rs minimal yang dapat dipasang. sedangkan nilai Rs maksimalnya dengan memperhitungkan Iz minimal dari zener.2.Elektronika -1 Guna menentukan nilai tahanan seri (Rs) agar dioda terhindar dari arus lebih digunakan rumus sebagai berikut : Rs ? (Us ? Uz) Iz (max) (1. 43 .

25. Konstruksi dan simbol LED 44 . Gambar 1. maka tegangan output rangkaian tersebut dapat diatur dari Uz2 hingga Uz1. 5.26.Elektronika -1 Untuk memperoleh tegangan yang lebih stabil dan menghilangkan faktor kerut dari tegangan input. Simbol dan bentuk fisiknya diperlihatkan seperti gambar 1.25. Gambar 1.26. Adapun syaratnya Uz1 harus lebih besar daripada Uz2. Dioda Emisi Cahaya (LED) Dioda Emisi Cahaya (Light Emitting Diode= disingkat LED) dikenal dengan istilah lain Solid State Lamp adalah piranti elektronik gabungan elektronik dengan optic (lensa) dan akhirnya dikenal juga sebagai keluarga Opto-Electronic. Rangkaian stabilisator parallel Dengan mengubah R2 dengan sebuah potensiometer. maka digunakan rangkaian seperti gambar 1.

Sebagai lampu indicator.0 volt 2. Oleh karena itu dalam penggunaan LED biasanya dihubung seri dengan sebuah hambatan ( R ). Batasan kemampuan LED LED mempunyai batas kemampuan arus maupun tegangan yang dibedakan berdasarkan warna seperti diperlihatkan pada tabel 3 berikut. Bahan GaS memancarkan warna infra -merah.1 volt 2. Tegangan Maju LED Standar arus maju LED standar adalah 20 mA. Penggunaan LED Penggunaan LED dalam rangkaian elektronik dibagi dalam tiga kategori umum. WARNA Merah Orange Kuning Hijau TEGANGAN MAJU 1. 45 . b. c. Sebagai penggandeng rangkaian elektronik yang masing-masing terisolir secara total.1. 5.8 volt 2. Untuk transmisi signal cahaya yang dimodulasikan dala m suatu jarak tertentu.Elektronika -1 Bahan dasar yang digunakan untuk pembuatan LED adalah Galium Arsenida (GaAs) atau Galium Arsenida Phospida (GaAsP) atau juga Galium Phospida (GaP) yang dapat memancarkan cahaya dengan warna yang berbeda.2 volt Tabel 3. Bahan GaAsP warna merah atau kuning sedangkan bahan GaP dengan warna merah atau hijau.2. 5. yaitu a.

perbedaannya terletak pada persambungan yang diberi celah agar cahaya dapat masuk padanya. Konstruksi simbol dan bentuk fisiknya dapat dilihat pada gambar 1.27.Elektronika -1 Jika LED digunakan sebagai indicator cahaya dalam suatu rangkaian arus bolak-balik. Gambar 1.27. Dalam keadaan gelap. biasanya dihubungkan parallel dengan sebuah dioda penyearah secara terbalik (anti-parallel) seperti terlihat pada gambar 1. arus yang mengalir sekitar 10 ? A untuk dioda cahaya dengan bahan dasar germanium dan 1? A untuk bahan silikon. jadi hanya arus bocor saja yang melewatinya. LED sebagai indikator sumber ac 6. Konstruksi.27. Gambar 1. bentuk fisik dan simbol dioda cahaya Dioda cahaya ini bekerja pada daerah reverse. Photo Dioda Secara umum dioda-cahaya ini mirip dengan PN-Junction.27. 46 .

misal dalam penggunaan alarm. Sedangkan penggunaan lainnya adalah dalam alat pengukur kuat cahaya (LuxMeter).Elektronika -1 Kuat cahaya dan temperature keliling dapat menaikkan arus bocor tersebut karena dapat mengubah nilai resistansinya dimana semakin kuat cahaya yang menyinari semakin kecil nilai resistansi dioda cahaya tersebut. dimana dalam keadaan gelap resistansi dioda cahaya ini tinggi. maka cahaya yang memasuki lubang tersebut akan diterima oleh dioda cahaya dan diubah dalam bentuk signal listrik. sedangkan jika disinari cahaya resistansinya akan berubah rendah. Jika setiap lubang pita itu melewati celah antara tadi. Dioda cahaya ini banyak juga digunakan sebagai sensor sistem pengaman (security). Penggunaan dioda cahaya diantaranya adalah sebagai sensor dalam pembacaan pita data berlubang (Punch Tape). dimana pita berlubang tersebut terletak diantara sumber cahaya dan dioda cahaya. 47 .

Kemampuan tegangan setiap LED tergantung dari jenis bahan dasar dan warna cahaya yang dikeluarkannya 7. Dioda zener sering digunakan sebagai penstabil tegangan (voltage Stabilisator) sumber arus searah.3 1. Dioda cahaya banyak digunakan sebagai piranti sensor system pengaman dan peraba data dari pita berlubang (Punch Tape). 48 . maka dalam prakteknya harus dihubung seri dengan sebuah tahanan. Dioda zener bekerja di daerah reverse bias (kuadran III) 3. 2. Dioda zener terbuat dari bahan dasar silicon dengan konsentransi campuran lebih tinggi dari dioda rectifier.Elektronika -1 RANGKUMAN . 4. Mengingat keterbatasan dioda zener. 5. 8. Dioda Emisi Cahaya (LED) banyak digunakan sebagai indikator cahaya elektronik 6. Dioda cahaya juga bekerja didaerah reverse bias.

Iz (max. 49 . Dapatkah sebuah LED digunakan sebagai penyearah ? Sebutkan alasan anda. Dengan alasan apa dioda zener terbuat dari bahan dasar unsur silikon ? 2. Identitas dioda zener adalah sebagai berikut Uz = 8 volt. dioda zener harus diserikan dengan sebuah resistor ? 4. Apa yang dimaksud dengan “dioda zener bekerja pada kuadran ke III” ? 3.5 mA. Hitung nilai tahanan seri (Rs) minimal dan maksimalnya yang diizinkan dipasang. Sumber tegangan searah (dc) sebesar 15 volt akan distabilkan oleh sebuah dioda zener sehingga outputnya = 8 volt dc. Dengan alasan apa. 5.3 1.) = 140 mA.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN . Iz(min) = 1.

4. R min ? Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 50? Iz ( mak) 140 x10? 3 A Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 4666.66? Iz (min) 1. 2. Maksud dioda zener bekerja pada kuadran ketiga adalah. Silikon lebih tahan terhadap panas dibandingkan bahan semikonduktor lainnya .Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN .5x10 ? 3 A Rmak ? 5. 3. karena dia bekerja pada daerah reverse bias. 50 .3 1. LED tidak dapat digunakan sebagai dioda penyearah. karena LED mempunyai keterbatasan kemampuan elektrik seperti tegangan dan arus yang relatip kecil. Dalam kerjanya dioda zener harus terhubung seri dengan sebuah resistor dengan alasan guna menghindari arus / tegangan lebih.

Tegangan sumber berubah. beban tetap B 1. Naikkan tegangan U s hingga Iz = 5 mA 3.Elektronika -1 LEMBAR KERJA . Tetapkan R L = 1000 ohm 2. IT dan Us 51 .3 ZENER DIODA SEBAGAI PENSTABIL TEGANGAN SEARAH ? TUJUAN Dapat membuktikan dioda zener sebagai penstabil tegangan ? RANGKAIAN PERCOBAAN S A IZ + U A V RL IT R1 A IL ? ALAT DAN BAHAN R1 = 100 ohm RL = 500 – 3000 ohm (variativ) Z = 1N 4744 / 60 mA atau yang sejenis Us = 0-20 volt dc variable A = mA meter dc V = volt meter dc ? LANGKAH KERJA A. Ukur dan catat hasil pengamatan anda untuk besaran UAB.

Perhatikan polaritas zener dan alat ukur agar tidak terbalik ! Perhatikan penunjukkan A-meter (Iz) ! Hentikan pengukuran (percobaan) jika Iz menuju nilai maksimal (60 mA) ! Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula ! ? TABEL PENGUKURAN TABEL A UAB RL = 1000 ohm Iz 5 10 15 20 25 30 40 50 60 IL IT US 52 . 2. ? KESELAMATAN & KESEHATAN KERJA 1. 3. Atur Iz sesuai tabel A dan catat setiap penunjukkan alat ukur pada tabel A yang tersedia. ukur dan catat penunjukkan meter. Ubah RL dari 500 ohm sampai 3000 ohm secara bertahap tanpa mengubah nilai Us. Variasi beban R L 1. B. Periksakan rangkaian anda pada instruktur sebelum memulai percobaan. 2. 5. 3. Atur Iz = 5 mA dengan RL = 500 ohm .Elektronika -1 4. 4. Pada setiap perubahan RL tersebut perhatikan penunjukkan alat ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel B yang tersedia.

Elektronika -1 TABEL B RL 500 1000 1500 2000 2500 3000 Iz IT UAB US ? KOMENTAR DAN KESIMPULAN 53 .

2 TRANSISTOR BIPOLAR TUJUAN Setelah mempelajari topik ini. maka diharapkan anda dapat : ? Memahami prinsip kerja transistor bipolar ? Mengidentifikasi transistor bipolar ? Menguji transistor bipolar ? Menggunakan transistor bipolar dalam rangkaian elektronik 54 .Elektronika -1 KEGIATAN BELAJAR .

yaitu jenis PNP dan NPN yang simbolnya diperlihatkan pada gambar 2.4. Sedangkan jenisnya ada dua macam. Kolektor dan Basis.1. PENDAHULUAN T ransistor adalah piranti elektronik yan g menggantikan fungsi tabung elektron-trioda. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier). Gambar 2. namun dikarenakan sifatnya. Gambar 2. dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda . yaitu Emiter. transistor ini dapat digunakan sebagai saklar elektronis. Susunan fisik lapis transistor Sedangkan gambar rangkaian penggantinya sama dengan dua buah dioda yang dipasang saling bertolak seperti terlihat pada gambar 2.2. yaitu elektron bebas dan hole.3. dikatakan bipolar karena terdapat dua pembawa muatan .2. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N seperti digambarkan pada gambar 2. Rangkaian pengganti transistor Gambar 2. 55 .1. berikut memperlihatkan beberapa bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar.Elektronika -1 1.

kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja.4. maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan n logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink).3.Elektronika -1 Gambar 2. Bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar Gambar 2. namun pada dasarnya karena transistor i i tidak tahan terhadap temperatur. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan. Simbol transistor Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya. 56 .

Elektronika -1 2.5. Berikut ini adalah huruf-huruf kedua yang dimaksud : C = transistor frekuensi rendah D = transistor daya untuk frekuensi rendah F = transistor frekuensi tinggi L = transistor daya frekuensi tinggi Contoh penerapan kode ini diantaranya adalah BF 121. maka huruf pertama menyatakan bahan dasar transistor tersebut. dimana dalam buku tersebut akan anda peroleh karakteristik fisik dan listrik suatu jenis transistor bahkan dilengkapi dengan transistor ekuivalennya. A = Germaniun dan B = Silikon. Gambar 2. BC 108 dan ASY 12. PENGKODEAN TRANSISTOR Hampir sama dengan pengkodean pada dioda. PENENTUAN ELEKTRODA TRANSISTOR Spesifikasi transistor yang lengkap dapat anda peroleh dari buku petunjuk transistor. Elektroda transistor 3. sedangkan huruf kedua menyatakan penerapannya. PENGUJIAN TRANSISTOR Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda. Berikut ini adalah gambaran spesifikasi transistor yang banyak digunakan khususnya dalam penentuan elektroda dari transistor tersebut. 57 . 4. maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. AD 101.

Elektronika -1 Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a.6. tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. Salah pemasangan pada rangkaian b. 58 . Kebocoran Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut. Hubung singkat c. Pemutusan b.6. Dioda Transistor Guna mempermudah cara pengujian. Collector Base PNP Transistor Emitter Gambar 2. Gambar 3. memperlihatkan kembali rangkaian d ioda transistor PNP yang akan dijadikan referensi pengujian transistor. berikut ini diberikan contoh hasil pengujian transistor ASY 12 dan BC 108 dengan menggunakan ohmmeter. Pengujian yang tidak professional Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tig a jenis. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c. yaitu : a.

Elektronika -1



ASY 12 2,5 M? 50 ? 3 M? 55 ? 200 k? 8 k?

BC 108 ? 15 ? ? 18 ? 5 M? 4 M?

RANGE OHMMETER x 1 k? x 10 ? x 1k? x 10 ? x 1 k? x 1 k?

C– B


E– B




Dari tabel pengujian ternyata terdapat perbedaan besar antara nilai hambatan untuk arah forward dan hambatan untuk arah reverse. Pada pengukuran elektroda C dan B untuk transistor BC 108 (silicon) dengan arah reverse diperoleh nilai hambatan yang besar ( ) dan jika pada pengukuran ini ternyata ? nilai tersebut rendah, maka dapat kita nyatakan adanya kebocoran transistor antara kaki kolektor dan basisnya. Hal lain yang perlu diperhatikan dalam pengujian transistor dengan ohmmeter adalah posisi RANGE ohmmeter tersebut, karena kesalahan range akan menimbulkan kerusakan p ada transistor yang diuji. Cara pengujian lain transistor adalah dengan menggunakan alat elektronik yang dikenal sebagai Transistor Checker. Kondisi transistor dapat juga anda uji ketika transistor tersebut sedang bekerja dalam suatu rangkaian, yaitu den gan mengukur tegangan antara basis dan emitter. Tegangan antara basis dan emitter ini normalnya untuk transistor germanium adalah 0,3 volt sedangkan tegangan basis emitter untuk jenis silicon sekitar 0,6 volt. Jika jauh lebih rendah atau lebih tinggi dari harga tersebut, maka transistor tersebut sedang dalam kondisi tidak normal atau rusak.


Elektronika -1


Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Suhu maksimal sutu transis tor Germanium adalah sekitar 75 o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150 o C. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor, harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan penyaluran panas. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. Selain itu ada juga biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas.


Untuk memberi gambaran bagaimana suatu transistor bekerja, pada gambar 2.7 diperlihatkan operasi dasar sederhana transistor jenis PNP.

Gambar 2.7. Operasi dasar transistor

Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung, sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. 60

Elektronika -1

Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. Jika sekarang kedua potensial secara bersama dipasang seperti gambar 2.8, maka akan tampak kedua aliran mayoritas dan minoritasnya.

Gambar 2.8. Aliran mayoritas dan minoritas

Pada gambar terlihat sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (IB) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis, maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff, maka

I E = IC + IB

Jika besar tegangan antara kolektor dan basis (UCB ) konstan, maka perbandingan perubahan arus kolektor IC dengan perubahan arus emitter IE disebut faktor penguatan basis bersama dan diberi simbol ? (alpha) dan besarnya berkisar dari 0 sampai

0,998. Secara pendekatan rumus alpha ini adalah

? ?


Harga ?

lebih besar dari nol tapi lebih kecil dari satu sehingga sering ditulis sebagai 0< ? < 1 61

Elektronika -1


Transistor adalah piranti aktif, dimana outputnya adalah merupakan hasil perubahan dari inputnya. Dengan membandingkan antara output dengan inputnya, maka akan diperoleh factor penguatan (amplification). Dengan demikian, maka transistor ini dibuat atau dipersiapkan sebagai piranti penguat. Sebagai piranti elektronik, transistor mempunyai tiga elektroda yang tersusun sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai sebuah penguat. Ada tiga system sambungan (konfigurasi) dari penguat transistor, yaitu konfigurasi Basis Bersama (Common Base), Emiter Bersama (Common Emitter) dan Kolektor Bersama (Common Collector).

7.1. Konfigurasi Basis Bersama Rangkaian pada gambar 2.9. memperlihatkan rangkaian konfigurasi Basis Bersama (CB) dengan potensial UEB dan UCB untuk kedua jenis transistor PNP dan NPN. Untuk jenis PNP, emiter positip terhadap basis sedangkan kolektornya negatip. Sedangkan untuk jenis NPN sebaliknya emitter negatip terhadap basis dan kolektornya positip.

Gambar 2.9. Konfigurasi Basis Bersama


Elektronika -1

Karakteristik input atau karakteristik emitter konfigurasi basis bersama diperlihatkan pada gambar 2.10.

Gambar 2.10. Karakteristik input konfigurasi basis bersama (CB)

Dari karakteristik terlihat bahwa dalam mode arus searah, tegangan hantar untuk sambungan basis ke emiter sekitar 0,6 s/d 0,7 volt, ini menandakan berlaku bagi bahan dasar silikon, sedangkan untuk bahan dasar germanium sekitar 0,3 volt.

7.2. Konfigurasi Emiter Bersama

Konfigurasi emitter bersama (CE) sambungannya diperlihatkan pada gambar 2.11. tampak bahwa emitter digandeng bersama baik dengan kolektor maupun basisnya.


11. Gambar 2. Karakteristik Output Emiter Bersama 64 .12. Konfigurasi Emiter Bersama (CE) Karakteristik kolektor tipe NPN atau karakteristik outputnya diperlihatkan pada gambar 2.Elektronika -1 Gambar 2. Karakteristik output ini melukiskan arus output IC yang merupakan fungsi dari tegangan output U CE untuk harga arus input IB yang bervariasi.12.

Hubungan faktor penguatan ? dengan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau 7. Konfigurasi ini sering digunakan sebagai penyama-impedansi (matchingimpedance). Konfigurasi Kolektor Bersama (CC) Karakteristik output konfigurasi CC serupa dengan karakteristik output CE. dimana dengan impedansi input tinggi dan outputnya rendah.Elektronika -1 Perbandingan arus kolektor dengan arus basis dengan tegangan kolektor-emiter konstan disebutkan sebagai faktor penguatan arus maju emiter bersama disimbolkan dengan huruf Yunani ? (betha).13. 65 . Konfigurasi Kolektor Bersama Konfigurasi kolektor bersama (CC) sambungannya diperlihatkan seperti gambar 2. Gambar 2.3.13.

Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2. Lebih ekonomis.Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube). dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya. 66 . seperti : a. maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan signal-signal.14. b. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik. 8. c. penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan. arus. dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor. Namun dikarenakan karakteristik listriknya. daya. PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor. Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC . Fisik relative jauh lebih kecil.1. Gambar 2.Elektronika -1 8.. tegangan dan sebagainya. sehingga tegangan UCE = UCC.14. RL = 0.

2.16.. Rangkaian Kaskade Transistor 8. R L = UCC . Gambar 2. dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).15.Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2. Regulator Tegangan dengan Transistor 67 . Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade .Elektronika -1 Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2. dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0.15.

kar ena UZ tetap konstan sedangkan Ui = U CB + U Z.Elektronika -1 Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban R L. Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB. 68 . maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama. Pada saat terjadi perubahan tegangan ini.

Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan. 4. 7. sedangkan silicon sekitar 150 o C 6. maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat Sink. yaitu Emiter. 5. 10. Karena karakteristik listriknya. daya (Amplifier) 3. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. lebih kecil dan ekonomis. 11. yaitu konfigurasi basis bersama. Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN 2. Penguatan arus konfigurasi basis bersama (CB) disimbolkan dengan huruf Yunani ? berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol atau dituliskan 0<? <1. 69 . transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75 o C. Penguatan arus konfigurasi emitter bersama (CE) disimbolkan dengan huruf Yunani ? bernilai lebih besar dari satu bahkan puluhan dan ratusan. 9. Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. Penggunaan lainnya adalah sebagai pengatur arus (current regulator) pada penstabil arus searah. Hubungan antara ? dan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau Selain sebagai penguat (amplifier) sering digunakan sebagai saklar elektronis dengan pertimbangan tidak memercikan api saat pengontakan. tegangan. Ada tiga konfigurasi penguat transistor. Transistor mempunyai tiga buah elektroda. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse). 8. emitter bersama dan kolektor bersama.Elektronika -1 RANGKUMAN – 4 1.

Kenapa dalam penggunaan transistor sering dipasang alat pendingin ? 6.995 berapakah nilai ? -nya ? 7. Sebutkan keuntungan saklar elektronis dibandingkan dengan saklar mekanik ! 70 .4 1. Apa yang dimaksud dengan istilah rangkaian kaskade dalam rangkaian transistor ? 5. Jika diketahui nilai ? suatu transistor = 0.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN . Ceriterakan prinsip kerja suatu transistor ! 3. Sebutkan perbedaan antara transistor PNP dengan transistor NPN ! 2. Sebutkan kemungkinan kerusakan transistor dan penyebabnya ! 8. Apa yang dimaksud dengan 0 < ? < 1 ? 4.

Jika pemberian biasnya sekarang adalah seperti gambar berikut. 71 . Prinsip kerja transistor adalah Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung. maka pada gambar terlih at sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (I B) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Perbedaan tarnsstor PNP dan NPN selain konstruksinya adalah pada pemberian bias-nya saja. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras.4 1. 2. Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN .

misal menggunakan sirip -sirip heat-sink. 4. maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. Rangkaian kaskade adalah rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri. 5.Elektronika -1 Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis. Yang dimaksud dengan 0<? <1 adalah bahwa nilai ? selalu berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol. ? = 199 7. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff. 3. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : 72 . maka I E = IC + IB 2. maka diperlukan pendingin bantuan. Karena transistor tidak tahan terhadap panas.

Elektronika -1 a. Salah pemasangan pada rangkaian b. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. a. c. Pengujian yang tidak professional 8. 73 . Lebih ekonomis. b. Fisik relative jauh lebih kecil.

4 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR o TUJUAN Setelah menyelesaikan percobaan ini diharapkan anda : Dapat membuktikan fungsi transistor sebagai saklar elektronik o RANGKAIAN PERCOBAAN o ALAT DAN BAHAN Us = dc Power Suplly regulated 0.10 volt Q = transistor BC 108 A1 = ? A meter A2 = mA meter V1 dan V2 = V meter dc Rp = Potensiometer linear minimal 50 ohm R1 = 220 ohm R2 = 100 ohm R3 = 200 ohm 74 .Elektronika -1 LEMBAR KERJA .

8 0.7 0. Buat grafik hubungan antara UBE dengan UCE : UCE = f (UBE) 6. Pada setiap pengaturan langkag ke 4 di atas.0 TABEL PENGUKURAN IB UCE IC IC.9 1.1 0. Perhatikan pengkutuban sumber daya. alat ukur dan kaki transistor Periksakan rangkaian anda ke instruktur Ikuti prosedur dengan benar dan teliti Kembalikan alat dan bahan jika selesai percobaan pada tempat semula o UBE 0 0. 2.5 0. 4.R3 75 . perhatikan penunjukkan instrument ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel yang tersedia 5.2 0.0 volt 4. Hidupkan saklar 3. 3.6 0.Elektronika -1 o LANGKAH KERJA 1.4 0. Buat rangkaian seperti gambar 2. Atur potensiometer sehingga UBE naik secara bertahap dari 0 sampai 1. Beri kesimpulan dan komentar anda terhadap hasil percobaan tersebut ! o KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1.3 0.

Elektronika -1 o GRAFIK UCE = f (UBE) o KOMENTAR DAN KESIMPULAN 76 .

Iz (max) = 50 mA dihubungkan dengan sebuah sumber tegangan searah Us = 12 volt. Khusus untuk menilai sikap dapat dinilai dari perilaku kerja anda dalam pemahaman dan kepatuhan terhadap prosedur kerja yang telah ditentukan termasuk kepedualian anda terhadap Keselamatan dan Kesehatan Kerja. A. Sebutkan beda transistor PNP dengan NPN ! 6. Kenapa bahan semikonduktor atau piranti elektronik tidak tahan terhadap kenaikan temperatur ? 2. 5. Bagaimana anda mengatasi nilai Peak Inverse Vo ltage (PIV) suatu dioda ? 4. EVALUASI PENGETAHUAN 1. Sebuah dioda zener dengan ciri Uz = 8 volt. Keterampilan dan Sikap diri anda. EVALUASI E valuasi ini bertujuan untuk mengukur kemampuan atau kompetensi anda setelah lengkap mengikuti atau mempelajari semua kegiatan belajar (Kegiatan Belajar 1 sampai 2). Ceriterakan pengaruh pemberian bias terhadap PN Dioda baik arah mundur dan maju ! 3. Untuk apa pendingin transistor dibuat ? 77 . dimana evaluasi ini meliputi evaluasi terhadap Pengetahuan.Elektronika -1 III. Hitung nilai tahanan shunt (Rs) minimal agar dioda zener tersebut aman bekerja.

Gunakan tabel pengujian di bawah ini.Elektronika -1 B. dimana skala tengahnya lebih kecil dari 100 ohm 4. Jangan gunakan range ohm. Perhatikan polaritas dan kaki-kakinya 3. ELEKTRODA ARAH REVERSE R Germaium R Silikon RANGE OHMMETER C– B FORWARD REVERSE E–B FORWARD REVERSE C– E FORWARD 5. 78 . Tentukan sendiri jenis transistornya PNP atau NPN 2. Beri kesimpulan pengujian anda. EVALUASI KETERAMPILAN Untuk evaluasi keterampilan diberikan lembar kerja sebagai berikut : Lakukan pengujian transistor Jenis germanium dan silikon dengan menggunakan multitester (ohmmeter) den gan ketentuan sebagai berikut : 1.

…………………….. ? KOMPETEN ? BELUM KOMPETEN Catatan : …………………………………………………………………………………………. Bubuhkan tanda thick (? ) pada tabel berikut : No. : …………………………………. ………………………………………………………………………………………….. 200… Siswa. Praktik HASIL . 79 . ……………………… ………………………………. Tertulis BELUM KOMPETEN KETERANGAN 2... ……………………. Assesor. ………………………………………………………………………………………….Elektronika -1 LEMBAR PENILAIAN MODUL NAMA SISWA NAMA ASSESOR : ELEKTRONIKA . ………………………………………………………………………………………….1 : …………………………………... Methoda Penilaian KOMPETEN 1.

Timothy. Charlkes E.New Zealand Zbar.. Toronto-London-Sidney Maloney. London Villanucci et.. Electronic Devices and Circuit Theory.Merril Publishing Control Engineering.. AJ..Basic Electronics.Elektronika -1 DAFTAR PUSTAKA Boylested. 1981.J. 1992. NewJersey Morris. Noel. terjemahan Haroen. Electronic Devices. Jakarta Erawan. Prentice-Hall. Mc. Graw Hill Co. Pelajaran Elektronika Jilid 3. Industrial Solid State Electronics. EIA-Mc. Drs. Robert L. PPPG Teknologi Bandung. 1984. Graw Hill Book Company (UK) Limited. Paul B. Prentice-Hall. 1982. . Penerbit Erlangga. 1976. Thomas L. Prentice Hall. Electronic Techniques. Welington . Bandung Floyd. 1982. dan Louis Nashelky. 1979. 1974. Bambang. Dasar Elektronika 1 dan 2. New Jersey Dirksen. USA 80 .

1 : LISTRIK : PEMANFAATAN ENERJI LISTRIK SIMULASI PEMBELAJARAN SESUAI URUTAN TOPIK Simulasi praktek Animasi evaluasi URUTAN No. 1. PRASYARAT audio 81 . khususnya tentang penguasaan terhadap peralatan ukur dan respek terhadap kesela matan kerja KET. PEMBELAJARAN DESKRIPSI MATERI NARASI Berisi tentang penje lasan target pembe lajaran Berisi tentang prasyarat yang diperlukan sebe lum mempelajari mo dul.Elektronika -1 STORY BOARD Judul Modul Pembelajaran Bidang Keahlian Program Keahlian : ELEKTRONIKA . Skor SIMULASI gambar latihan video 2.

? ? ? 82 . yang berisikan teori atom serta kejadian-kejadian pengutuban bahan semi konduktor . KEGIATAN BELAJAR-1 Berjudul Teori Atom dan Dioda Semikon duktor. 5.Elektronika -1 3. Selain itu dilengkapi dengan latihan dan lembar praktik. prinsip dioda PN. apli kasi dalam rangkaian. khususnya memperlihatkan arah tujuan pencapaian kom petensi atau peranan modul dalam mencapai kompetensi akhir PERISTILAHAN Berisikan terminologiterminologi yang digu nakan dalam ilmu elektronika atau tek nologi pada umumnya. sifat. KEDUDUKAN Peta ini menunjukkan posisi modul yang akan dipelajari. PETA MODUL 4.

Elektronika -1 6. EVALUASI AKHIR Berjudul Transistor Bi polar. cara pengu jian. berisikan tentang prinsip kerja transis tor. ? ? ? ? 83 . aplikasi dalam rangkaian. Terdiri atas dua meto da. KEGIATAN BELAJAR-2 7. yaitu teoritis dan praktik. Selain itu di lengkapi dengan la tihan dan lembar prak tik.fisik.


Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis. kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat. mudah-mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan. guna merealisasikan penyelenggaraan pembelajaran di SMK. Dr. Gator Priowirjanto NIP 130675814 . Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK. Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat. yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta. bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya. 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur. Ir.KATA PENGANTAR Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial. Demikian. Dalam penggunaannya. Jakarta.

Tujuan Akhir…………………………………………………. PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… PERISTILAHAN ……………………………………………………….……. Uraian Materi ………………………………….……… Test Formatif 1 ……………………………………….…………………………… F. Petunjuk Penggunaan Modul …………………………... Tujuan Kegiatan ……………………………….……… Test Formatif 2 ……………………………………….Rangkaian Penyearah DAFTAR ISI Halaman i ii iv vi 1 1 1 2 2 3 5 6 6 6 6 6 18 19 19 19 26 27 27 27 KATA PENGANTAR …………………………………………………… DAFTAR ISI …………………………………………………………….……… D.……. Tujuan Kegiatan ………………………………. KEGIATAN BELAJAR 2 A.……… Uraian Materi …………………………………... E. ……………………………………… KEGIATAN BELAJAR 1 A.. B.……… ii . Tujuan Kegiatan ………………………………. KEGIATAN BELAJAR 3 A. C. Deskripsi ……………………………………………. PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR.. Uraian Materi ………………………………….. C. C. B. B... I PENDAHULUAN A.………… B. II Cek Kemampuan ……………………………………. Prasyarat ……………………………………………………….………. Standar Kompetensi……………..

C..……… KEGIATAN BELAJAR 7 A. B.. LAMPIRAN iii ..…….……. Tujuan Kegiatan ……………………………….Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 A. Uraian Materi ………………………………….……. Uraian Materi …………………………………. KUNCI JAWABAN ……………………………………………… DAFTAR PUSTAKA …………………………………………………….……… Test Formatif 4 ………………………………………. Uraian Materi ………………………………….……… EVALUASI ………………………………………………………. C..……. B. 31 31 31 34 35 35 35 43 45 45 45 52 52 52 59 63 67 KEGIATAN BELAJAR 5 A.. III Tujuan Kegiatan ………………………………. Uraian Materi ………………………………….. Tujuan Kegiatan ……………………………….. Tujuan Kegiatan ………………………………. B. B.……… Test Formatif 5 ………………………………………. KEGIATAN BELAJAR 6 A.

0.PERISTILAHAN (GLOSSARY) Forward Bias : Arah maju aliran arus dari anoda ke katoda.rata Regulator / pengatur Tahanan beban Tegangan keluaran –output dari regulator Tegangan Zener dioda Zener dioda .637 x harga puncak untuk gelombang penuh b. saat anoda lebih positip Reverse Bias Average : : Arah mundur /balik bila katoda lebih positip dari anoda menunjukkan bentuk gelombang harga arus Searah a.5 x harga puncak untuk setengah gelombang Inverted IB IC IE IL IQ Iz PIV : : : : : : : : Keluaran /output berlawanan polritas dengan masukan/ input Arus basis Arus kolektor Arus Emitor Arus beban Arus diam regulator / quiscent Arus zener dioda Peak Inverse Voltage . 0. 0. RL V. harga efektif gelombang ac a.tegangan balik maksimum saat Dioda arah mundur Ripple Reg. harga rata.Reg Uz=Vz ZD : : : : : : Tegangan kerut.. 0. fluktuasi atas dan bawah .707 x harga puncak untuk gelombang penuh b.318 x harga puncak untuk setengah gelombang Rms : Root mean square.

PRASYARAT ( KEMAMPUAN AWAL ) Peserta pelatihan / Siswa harus sudah memiliki kemampuan awal materi sebagai berikut: ? Dasar –dasar Teknik Listrik ? Membaca gambar /simbol listrik ? Pengukuran Listrik ? Komponen dan Piranti Elektronik penguasaan 1 .Rangkaian Penyearah I. Dalam sistem pelatihan Berbasis Kompetensi. B. Standar kompetensi diharapkan dapat menjadi panduan bagi peserta pelatihan untuk dapat : ? mengidentfikasikan apa yang harus dikerjakan oleh peserta pelatihan ? mengidentifikasikan apa yang telah dikerjakan peserta pelatihan ? memeriksa kemajuan peserta pelatihan ? meyakinkan bahwa semua elemen dan kriteria unjuk kerja telah dimasukkan dalam pelatihan dan penilaian. A. DESKRIPSI MODUL Modul ini berjudul Rangkaian Penyearah dipersiapkan untuk siswa Sekolah menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pembn\angkitan Level 1 Unit atau modul ini berkaitan dengan pemahaman tentang prosedur pemeliharaan Catu Daya Arus Searah atau DC Power pada stasiun pembangkit.Pekerjaan ini mencakup identifikasi komponen Catu Daya dan prosedur bongkar pasang komponen catu daya sesuai standar dan peraturan yang berlaku serta pembuatan laporan pelaksanaan pekerjaan Modul ini bertujuan mempersiapkan seorang pengajar / guru atau teknisi listrik yang kompeten dalam memahami aplikasi rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasa . PENDAHULUAN Dalam Sistem Pelatihan Berbasis Kompetensi. ketrampilan dan sikap kerja yang dibutuhkan dalam suatu pekerjaan . modul atau unit ini menggunakan pendekatan kompetensi yang merupakan salah satu cara untuk menyampaikan atau mengajarkan pengetahuan .

Menerapkan Fungsi komponen Penyearah dan Regulator pada rangkaian Catu Daya sesuai standar 4.Rangkaian Penyearah C. Mengindentifikasi simbol-simbol komponen Catu Daya 2. HASIL BELAJAR / TUJUAN AKHIR Setelah tuntas mempelajari modul ini peserta diharapkan mampu : 1. Penilaian unit ini dapat dilakukan oleh Guru/Asesor. Modul ini dapat anda gunakan secara klsikal ataupun individual.Kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas-tugas atau Tes yang tedapat dalam modul ini. Menganalisis prinsip kerja Rangkaian Penyearah satu fasa . 2. tiga fasa dan regulator 5. Penilaian seharusnya meliputi penilaian kemampuan praktek unjuk kerja dan penilaian pokok-pokok pengetahuan dengan beberapa metode penilaian.alat ukur dan contoh model Catu Daya atau Trainer elektronik dan sumber daya searah maupun bolak bali yang tetap maupun variabel. Fokus penilaian ini sebaiknya mencakup: ? adanya integrasi antara teori dan praktek ? penekanan pada prosedur disamping hasil D. PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL 1. dimana setiap Kompetensi / Sub. Mengindentifikasi komponen-komponen Catu Daya sesuai dengan spesifiksinya 3. Melakukan pemeliharaan Catu Daya dengan prosedur yang benar 2 . Asosiasi atau industri tempat bekerja. 3. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan komponen .

tiga fasa dan regulator 4. tiga fasa dan regulator 5. STANDAR KOMPETENSI Kode Kompetensi Unit Kompetensi : K.2 2.2 30.0 Mengidentifikasi kerusakan komponen utama rangkaian penyearah satu fasa.tiga fasa dan regulator 1.0. Menganalisa rangkaian penyearah satu fasa dan tiga fasa 2.2 Funsi rangkaian regulator dijelaskan Suatu fungsi IC regulator tegangan tetap dan tegangan dapat diatur dijelaskan penerapannya.HLD. (1) : Memlihara Rangkaian Penyearah ( Rectifier ) Elemen Kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja Adapun eleme n kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja yang harus dicapai melalui modul ini adalah sebagai berikut Sub Kompetensi / Elemen 1.1 3.0 . regulator diidentifikasi dan dijelaskan Penyebab kerusakan komponen dianalisa dan dijelaskan 5.1 2.Rangkaian Penyearah E. 4.1.. Gangguan pada rangkaian regulator transistor dan IC regulator dianalisa dijelaskan 3 .Menganalisa rangkaian regulator transistor dan IC regulator 3.1 4.0 Mengidentifikasi komponen utama rangkaian penyearah satu fasa.Menganalisa gangguan rangkaian penyearah satu . Gangguan pada rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasadi analisa dan dijelaskan 5.1 Kriteria Unjuk Kerja Jenis dan spesifikasi kompenen penyearah diidentifikasi dan dijelaskan perisip kerjanya Jenis dan tipe filter yang digunakan di indentifikasi Prinsip kerja Peneyearah satu fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan Prinsip kerja Peneyearah tiga fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan 1.2 Jenis kerusakan kompenen penyearah.0.

LD (1) 14 Ketrampilan : Sikap : Kode Modul : 4 . Menganalisa gangguan rangkaian catu daya ( DC power ) dan m elakukan bongkar pasang komponen / unit peralatan catu daya sesuai dengan prosedur dan rencana kerja pemeliharan Membongkar dan memsang komponen catu daya dilakukan secara cermat berdasarkan prosedur kerja serta mentaati prosedur keselamatan kerja MKH.Rangkaian Penyearah Pengetahuan : Memahami susunan konstruksi komponen DC power . perinsip kerja rangkaian penyearah pada catu daya dan perlengkapan kerja pemeliharaan DC power.

2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.0 Menguasai prosedur pemeliharaan catu daya 4.Rangkaian Penyearah F.kapasitor dan induktor dijelaskan 2.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya 1.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan Catatan Ya Tidak 2.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan 4.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 3. Check List Kemampuan Kegitan Pembelajaran Elemen PENGUASAAN Kriteria Unjuk Kerja 1.1 Melakukan dan pemeliharan perbaikan catu daya sesuai SOP 5 .2 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda. resistor.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.

1. yang mana kedua bahan ini mempunyai elektron valensi yang sama. Sambungan bahan semikonduktor P dan N mendasari suatu piranti elektronik aktif yang disebut sebagai Dioda. Menghitung tegangan dan arus dioda. Membuat hubungan rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh. PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR 1 PENYEARAH TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? ? Menghitung tegangan dan arus beban. 6 .Rangkaian Penyearah II. Menentukan batas tegangan balik (revers) dioda dalam rangkaian penyearah setebgah gelombang dan gelombang penuh.1.1 DIODA SEBAGAI PENYEARAH Dioda semikonduktor Bahan dasar yang banyak digunakan untuk membuat piranti elektronik adalah bahan semikonduktor germanium (Ge) dan silikon (Si). Simbol dioda diperlihatkan seperti pada gambar 1. Dioda mempunyai elektroda Anoda yang berkutub positif dan elektroda Katoda yang berkutub negatif.

dan aksinya sama dengan rangkaian tertutup Gambar 1. maka keadaan dioda disebut arah maju (forward-bias) aliran arus dari anoda menuju katoda.2 Bias maju-Saklar on I Forward U Gambar 1. Bias Maju Dioda Jika anoda dihubungkan pada polaritas positif batere.3 Kurva Hubungan arus dan tegangan bias maju 7 . sedangkan katoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.1 Simbol Dioda A.2.Rangkaian Penyearah Gambar 1.

8 . Bias Mundur Dioda Jika katoda dihubungkan pada polaritas positif batere.4 Bias mundur –Saklar off Sebagai sifat dioda. nilai tahanan dioda relatif sangat besar dan dioda ini tidak dapat menghantarkan arus.5 Kurva Hubungan arus dan tegangan b ias maju Secara umum dioda digunakan sebagai penyearah (rctifier) arus/tegangan arus bolak balik (AC) satu fasa atau tiga fasa kedalam bentuk gelombang arus searah (DC). Gambar 1. maka keadaan dioda disebut arah mundur (reverse-bias) dan aksinya sama dengan rangkaian terbuka. sedangkan anoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.Rangkaian Penyearah B.5 memperlihatkan kurva pada saat reverse . -U Reverse -I Gambar 1. Gambar 1. karena akan mengakibatkan rusaknya dioda. pada saat reverse. Harga-harga nominal baik arus maupun tegangan tidak boleh dilampaui.4.

6 Us + Time Us Diode RL - common Gambar 1. peralatan kontrol elektronik.2 PENYEARAH (RECTIFIER) Tegangan arus searah biasanya dibutuhkan untuk mengoperasikan peralatan elektronik. peralatan komunikasi dan sebagainya. rangkaian ini untuk mengubah tingkat tegangan arus bolak balik ke arus searah. yaitu : ? ? ? ? Tranformasi tegangan yang diperlukan untuk menurunkan tegangan yang diinginkan.Rangkaian Penyearah Pada dasarnya penyearahan ini ada dua macam yaitu : ? ? Penyearah setengah gelombang (half wave rectifier) Penyearah gelombang penuh (full wave rectifier) 1. misalnya pesawat amplifier. Pada sistem rangkaian penyearah ada 4 fungsi dasar yang dibahas. 1. Rangkaian penyearah . Filter. Regulasi.6 Rangkaian Penyearah setengah gelombang 9 . adalah parameter yang sangat penting pada catu daya dan regulator tegangan dengan bahan bervariasi.2.1 PENYEARAH SETENGAH GELOMBANG Contoh sederhana rangkaian penyearah setengah gelombang diperlihatkan seperti gambar 1. Catu daya arus searah (DC) dapat dipeloreh dari batere atau dari sumber daya listrik 220/240 Volt Ac 50 Hz yang dirubah menjadi arus searah melalui rangkaian penyearah (rectifier). merupakan rangkaian untuk memproses fluktuasi penyearahan yang menghasilkan keluaran tegangan DC yang lebih rata.

Rangkaian Penyearah Jika dioda dalam kondisi menghantar (conduct) pada setengah perioda positif.8 kurva harga rata-rata 10 . Secara praktis. Gambar 1. kita dapat menghitung dari luas kurva seperti pada gambar 1. dioda bersifat menghambat (reverse bised) nilai tahanan dioda sangat tinggi dan dioda tidak menghantar. dioda tersebut pada keadaaan forward biased sehingga arus mengalir dan melewati tahanan beban R L. Gambar 1.7 Bentuk Gelombang Output Penyearah Setengah Gelombang Untuk menghitung besarnya harga rata-rata dari signal yang disearahkan. tegangan keluaran (UL) hampir sama dengan sumber Us Drop tegangan pada dioda lebih kurang 700mV.8 Gambar 1. Pada saat setengah perioda negatif.7 memperlihatkan bentuk gelombang proses penyearahan setengah gelombang.

5 x harga puncak (Um) (Udc) harga rata-rata = 1/? x Um = 0.Rangkaian Penyearah ? Tegangan AC selalu diasumsikan harga RMS (Urms ) harga efektif RMS = 0. U Us Us U dioda = 0. Daya = Um x Im Um Im = -----RL Udc Idc = -----RL ? Arus yang melalui rangkaian seri adalah sama.318 x Um tegangan maximum Um = 1. Tentukan tegangan rata-rata (Udc) yang melalui beban pada gambar 1.9 11 .8 V 0 Time Gambar 1. Contoh soal 1. bila : Ueff = 20 volt Drop tegangan dioda 0. Hal yang perlu diperhatikan dalam penyearahan ini adalah besarnya tegangan balik maksimum (PIV) dari dioda yang digunakan minimal harus sama besarnya dengan tegangan maksimum AC yang akan disearahkan.9 dibawah ini.8 volt.414 x Ueff disipasi daya pada beban dapat dihitung dari harga RMS tegangan dan arus pada beban.

Rangkaian Penyearah Penyelesaian : Um = 1.2 PENYEARAH GELOMBANG PENUH Rangkaian penyearah gelombang penuh dapat diperoleh dengan dua cara. 318 x Um = 0.8 = 27.74 V 1. Rangkaian Penyearah Centre tap Penyearah gelombang penuh dengan menggunakan transformator sadapan pusat ( Center Tap ) diperlihatkan seperti gambar 1.8) volt = 28.48 V Udc = 0.28 – 0. Cara pertama memerlukan transformator sadapan pusat (Centre Tap-CT).414 x 20 volt = 28.10 dan 1. A.48 = 8. 318 x 27.11 D1 A R L D2 B Gambar 1.28 V Um (beban) = (Um – 0. Cara yang lain untuk mendapatkan keluaran (output) gelombang penuh adalah dengan menggunakan empat dioda disebut penyearah jembatan (rectifier bridge).10 Penyearah dengan Trafo CT 12 .414 x Ueff = 1.2.

ujung A berpolaritas positif dan ujung B berpolaritas negatif. Pada saat A berpolaritas negatif .636 x Um Harga arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : Um Im = --------RL Udc Idc = ---------RL 13 .11 Gambar 1. pada saat ini D2 menghantar sedangkan D1 tidak menghantar .707 x Um Udc = 0. Pada saat ini D1 menghantar (conduct) sedangkan D2 tidak menghantar (reverse biased). sedang B berpolaritas positif. Bentuk gelombang input dan output ditunjukkan seperti terlihat pada gambar 1.11 Bentuk gelombang Penyearah gelombang penuh Harga tegangan dapat dihitung : Ueff = 0.Rangkaian Penyearah Bila U1 dan U2 mempunyai polaritas.

12 diatas bila D1 menghantar hitung harga tegangan : a) Tegangan maksimum pada katoda D 1 b) Tegamgam maksimum pada anoda D2 c) Tegangan antara anoda dan katoda pada D1 d) Tegangan antara anoda dan katoda pada D2 14 .Rangkaian Penyearah Soal latihan : 1. dari gambar 1.12 tentukan : a) Harga tegangan maksimum lilitan sekunder trafo b) Harga tegangan maksimum pada beban bila drop tegangan dioda 0.12 2.6 volt c) Harga arus maksimum d) Harga arus rata-rata D1 220 v 50 v 50v 40O D2 Gambar 1. Dari gambar 1.

dioda yang menghantar adalah D4 dan D 1. Pada saat terminal A negatif dan B positip . sedang D2 dan D 3 tidak menghantar.Rangkaian Penyearah B.13 Rangkaian penyearah sistem jembatan Pada saat terminal A positif dan terminal B negatif .13 a) A b) Bridge rectifier + D1 D2 _ B D3 D4 + RL 120 ? - Gambar 1. Tegangan rata-rata (Udc) sama dengan sistem penyearah dengan menggunakan trafo CT. 15 . dioda-dioda D2 dan D3 berada dalam kondisi menghantar seadangkan D4 dan D 1 tidak menghantar. Penyearah Gelombang Penuh Sistem Jembatan Rangkaian penyearah ini memerlukan empat buah dioda yang dipasang dengan konfigurasi jembatan seperti terlihat pada gambar 1. Dengan demikian setiap setengah perioda tegangan bolak balik ada dua dioda yang menghantar (conduct) secara bersamaan dan dua buah dioda lainnya tidak menghantar sehingga menghasilkan bentuk gelombang penuh.

15 Hububungan Beban Pada Penyearah Gelombang Penuh 16 .14.15 tentukan : a.7 volt c. Um tegangan sekunder trafo b. Um pada beban jika drop tegangan dioda 0. Im dan Idc Us 15 V RL 200O Gambar 1. Contoh soal Dari gambar 1. Udc pada beban d.Rangkaian Penyearah Bentuk gelombang keluaran (output) terlihat seperti gambar 1. ? Kelebihan sistem jembatan terhadap sistem trafo CT adalah adanya dioda yang tersambung seri sehingga masing-masing dioda dapat menahan tegangan balik maksimumnya.

81 volt c. Tegangan rata-rata : Udc = 0.637 x Um (beban) = 0. Um pada sekunder Um = 1.81 = ----------200 = 99.2 mA 17 .Rangkaian Penyearah Penyelesaian : a. Im = -------RL 19.56 = -----------200 = 63.21 – (2 x x0.7) = 19.637 x 19.1 mA Udc Idc = ------RL 12.211 volt b.414 x 15 = 21. Um pada beban RL Um (beban) = 21.81 = 12.64 volt Um d.414 x Us = 1.

5 V U0 RL 7. Soal 3.17 Hitung : a. Tentukan besar PIV untuk dioda.17 8. dioda transformator 18 .Rangkaian Penyearah Review Test 1 Soal 1.5 V D 2 120 ? gambar 1.5 D1 D2 Us 40 v D3 0V D4 RL 18 O gambar 1. Tegangan rata-rata keluaran ( output ) Arus melalui beban Tegangan balik puncak dioda ( PIV ) Coba jelaskan dari pengalaman anda gangguan-gangguan yang terjadi pada : a. Soal 2. D 1 7. Dari gambar 1. Dari rangkaian penyearah gelombang penuh seperti terlihat pada gambar 1.16 Soal 1. b.16 a. c. b. Hitung tegangan rata-rata pada beban dan arus maksimum yang melalui setiap dioda b.

Guna menghilangkan sisa gelombang bolak balik tersebut sering digunakan kondensator elektrolit sebagai tapis perata (Filter) seperti pada gambar 2. PERATA DENGAN KAPASITOR Pada rangkaian penyearah yang dibahas pada kegiatan belajar 2 . sistem penyearah menghasilkan arus gelombang searah masih terdapat pulsa gelombang bolak balik Secara umum peralatan elektronik membutuhkan sumber arus searah (DC) yang halus atau lebih rata.1 Rangkaian penyearah dengan Filter 19 .Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 2 FILTER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat menerapkan : Nilai kapasitor untuk perubahan tegangan rata-rata dan tegangan kerut. Effek tegangan rata-rata dan tegangan kerut pada perubahan arus beban.1 Rectifier Filter Beban (Load) T C R Gambar 2.

Rangkaian Penyearah 2. Nilai kapasitor yang lebih besar akan menyimpan muatan pada saat pengisian.2 Rangkaian Penyearah gelombang penuh dengan filter kapasitor Gambar 2. Kecepatan pengosongan muatan kapasitor tergantung dari besarnya konstanta waku ? = RL x C Gambar 2.3 bentuk gelombang perataan dengan kapasitor 20 . Filter Kapasitip Penambahan nilai kapasitor yang dipararel dengan beban akan memberikan efek peralatan pulsa DC yang lebih halus.1. (2 x IN4004) Ac supla y D1 470?F RL D2 0v Gambar 2.2 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dilengkapi filter kapasitor .

RL Tegangan kerut adalah berbanding langsung terhadap arus beban (RL). pada saat T1 kapasitor terjadi pengisian muatan kapasitor mendekati harga tegangan puncak Um (maksimum) jika tegangan pulsa turun lebih rendah dari Um maka kapasitor akan mengosongkan muatannya.2 Faktor Kerut (Ripple) Keluaran dari penyearah terdiri dari tegangan searah dan tegangan bolak balik atau ripple. Faktor kerut didefinisikan : Harga efektif komponen signal AC r = ---------------------------------------------Harga rata-rata signal DC Ur (rms) r = ------------Udc Ur(rms) 100 atau % ripple = -------------.Rangkaian Penyearah Perhatikan gambar 2. Dengan adanya kapasitor (C) tegangan keluaran tidak segera turun walaupun tegangan masuk sudah turun. I . hal ini disebabkan karena kapasitor memerlukan waktu mengosongkan muatannya. = persentase dari tegangan kerut. Ur ? .(Ingat ? = R. 21 .3 diatas. Sebelum tegangan kapasitor turun banyak. = harga tegangan keluaran DC yang terukur oleh volt meter DC.x --------Udc 1 Dimana : Ur (rms) Udc %r ? = harga tegangan kerut yang terukur oleh volt meter AC. Tegangan berubah yang terjadi tersebut disebut tegangan kerut (ripple voltage) hasil dari transient kapasitor.C). tegangan pada kapasitor keburu naik lagi. 2.

4 mempelihatkan bentuk gelombang dengan menggunakan filter dan tanpa filter untuk penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.Rangkaian Penyearah Gambar 2. Gambar 2.4 bentuk gelombang kerut 22 .

Uo = -------------.Rangkaian Penyearah 2.3 Filter CR Gambar 2.5 Penyearah dengan filter RC Tegangan keluaran (output) DC ditentukan oleh R dan R L sebagai pembagi tegangan.5 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dengan perata kapasitor dan resistor ( C R ) dc R C1 C2 RL Gambar 2.= Uin (rms) R2 + Xc2 23 .x Uin (DC) R + RL 1 Xc = -------2? fC Xc tegangan kerut AC = ---------------. RL DC.

R harus lebih rendah dari RL hal ini untuk memelihara level output DC. Gambar 2. hal ini untuk mengurangi level kerut AC pada output dan Xc2 harus seperlima dari harga RL.6 rangkaian filter LC Induktor atau choke menentang perubahan arus dan energi disimpan pada induktor dalam bentuk medan magnet .4 Filter LC Pada gambar 2. Dari rangkaian dapat dihitung beberapa besaran yaitu : ? XL = 2?fL 1 Xc = -------2? fC impedansi dari rangkaian perata adalah : Z = XL ? Xc U dan besarnya I = -----Z ? 24 .6 diperlihatkan diagram rangkaian tipe perata dengan L dan C.6 Penyearah dengan filter LC Gambar 2. 2. Xc2 harus lebih rendah dari R.Rangkaian Penyearah ? Secara umum.

25 .x 100 80 = 25% Catatan.UFL % VR = --------------. dari suatu tegangan arus searah tanpa beban ke keadaan berbeban penuh disebut sebagai regulasi tegangan.5.x 100 UFL Keterangan : VR = regulasi tegangan (%) UNL = tegangan tanpa beban UFL = tegangan beban penuh Sebagai contoh. catu daya tanpa beban dengan dengan tegangan output 100 volt. 3. Pastikan tahanan kedua transformator dan filter choke rendah (minimum). Regulasi Tegangan Perubahan besarnya tegangan output. UNL . 4. Gunakan LC filter jika arusnya tinggi. Jika persentase regulasinya rendah maka dapat dikatan bahwa penyearah tersebut mempunyai regulasi yang baik. Arus beban penuh mengalir bila beban dihubungkan. 2. Gunakan penyearahan gelombang penuh. tegangan outputnya jatuh menjadi 80 volt. maka regulasi tegangan dapat dihitung sebagai berikut : (100 – 80) % VR = -------------. Pastikan dioda yang digunakan mempunyai tegangan jatuh yang rendah. Penyearah yang sederhana dan rangkaian perata (filter) nya kurang baik regulasinya dapat diperbaiki dengan cara : 1.Rangkaian Penyearah Tegangan kerut melalui kapasitor C adalah: Uc (rms) = I x Xc 2.

gambarkan diagram rangkaiannya? 2. 1. Tegangan kerut = 12 V (rms) dengan frekuensi 100Hz. arus dioda soal 3. hitunglah : a. Tegangan kerut yang melalui kapasitor C. 26 .Rangkaian Penyearah Review Test 2 Soal 1. Bila pada rangkaian filter menggunakan kapasitor dan nilai kapasitornya dirubah menjadi lebih besar. Apa tujuan pemasangan filter pada penyearah ? Soal 2. Arus yang mengalir c. output rata-rata b. Suatu rangkaian penyearah gelombang penuh menggunakan filter LC dan beban RL.Efek apa yang terjadi pada : a. L =5 H dan C = 100? F. XL b.

2 Dioda Zener Sebagai PengaturTegangan Penyebab ke tidakstabilan suatu sumber tegangan.1 Dioda Zener Dioda zener adalah dioda silikon (si) yang khusus dibuat sebagai penstabil tegangan pada catu daya DC.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 3 REGULATOR ZENER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? Menghitung tegangan. 3. Tujuannya agar tegangan searah yang dihasilkan yaitu tegangan keluarannya (output) tidak berubah jika dibebani dalam batas-batas tertentu. Dioda zener dengan tegangan zener diatas 6 V mempunyai koefisien suhu positif dan dibawah 6 V mempunyai kosfisien suhu negatif. arus dan disipasi daya dari komponen zener regulator.1 dan gambar 3. Dioda zener dibuat dengan potensial pada nilai tertentu antara 2. Rangkaian sederhana Zener regulator ditunjukkan seperti gambar 3.4 V sampai200 V dengan disipasi daya dari ¼ W sampai 50 W. biasanya terjadi akibat adanya fluktuasi tegangan pada jala-jala input dan variasi beban yang berubah-ubah.2 27 . Koefisien suhu minimum terjadi pada zener 6 V untuk arus 40 mA 3.

1 rankaian regulator sederhana T D1 Rs RL Zd Unregulated power Suplly Zener dioda regulated load Gambar 3. Dengan membuat tegangan masukan ( input ) lebih besar dari tegangan zener maka dioda zener bekerja pada daerah tegangan balik (VIP).2 Rangkaian regulator zener Dari diagaram rangkaian diatas dapat dihitung besarnya arus dan tegangan yang terjadi pada rangkaian. sehingga tegangan 28 .1 memperlihatkan rangkaian regulator dioda zener yang sederhana.Rangkaian Penyearah Gambar 3. Gambar 3.

Uz atau Ui . walaupun arus beban (I L) berubah-ubah . URL = Uz Arus maksimum yang melalui Rs adalah Is atau Imaks = IZ + IL Iz = Imaks . tegangan pada beban akan tetap stabil dan yang selalu berubah adalah arus pada zener dioda ( Iz ) yang mengikuti perubahan arus beban. Imaks x Rs harus sama dengan Ui .Uz Tegangan pada beban RL adalah sama dengan tegangan zener. Dari analisa diatas.Uz Rs = ----------Imaks Disipasi daya ( Pd ) pada resistor Rs adalah : Pd = URS x Imaks = (Imaks )2 x Rs Dari perinsip kerja rangkaian diatas dapat disimpulkan bahwa : apabila IL turun akibat kenaikan beban RLdan karena Imaks tetap .IL untuk tegangan kerja zener 12 volt.Rangkaian Penyearah keluaran (output) tetap untuk berbagai nilai arus beban selama tegangan pada zener tidak kurang dari 12 V Tegangan pada Rs adalah : URS = Ui . 29 . akhirnya Iz akan naik sehinga harga Uz akan selalu tetap.

12 Rs = ---------70 x 10 – 3 = 114 O Disipasi daya pada Rs adalah 0.Rangkaian Penyearah Contoh Soal Dari rangkaian gambar 3.07 2 x 114 = 559 miliwatt 30 .Uo Rs = --------------Imaks 20 .Uo Uin .1 diketahui : Tegangan zener Tegangan input Arus Zener Arus beban = 12 volt = 20 volt = 10 mA = 60 mA Ditanya berapa harga Rs dan Disipasi daya pada hambatan Rs Penyelesaian: Arus maksimum yang melalui Rs adalah Iz + IL = 60 +10 mA = 70 mA Drop tegangan akan terjadi pada Rs adalah sama dengan Uin .

31 .1 Regulator Seri Rangkaian regulator seri menggunakan transistor bipolar seperti pada gambar 4.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 REGULATOR TRANSISTOR SERI TUJUAN : ? ? ? Menyebutkan alasan penggunaan regulator transistor seri. Q1 UCE C RS US B E IL IZ UR L Gambar 4.1 arus beban lewat melalui transistor dari kolektor ke emitor. Menerapkan operasi regulator secara genar. Rangkaian ini memberikan kerja yang lebih efisien dan arus beban yang lebih besar. Resistor Rs memberikan arus basis (IB) Q1 dan arus ke dioda zener (!Z ). Menghitung arus dan tegangan rangkaian regulator seri.1 Rangkaian regulator seri Rs dan zener dalam rangkaian ini adalah bentuk yang sederhana dari regulator zener yang mempertahankan tegangan konstan pada basis transsistor Q1. 4.

menjadi kurang positip. dan tegangan output kembali keharga semula . Perinsip kerja rangkaian adalah sebagai berikut : Jika tahanan beban dari rangkaian turun . Bila arus beban naik . Besarnya tegangan output didapat dari persamaan : UCE = Uin . .Rangkaian Penyearah Transistor tersebut akan berpungsi sebagai pengatur tegangan (voltage regulator). maka U0 = UZ dan selalu konstan. kemudian U Arus beban melalui R CE Be naik . tegangan output akan naikn juga. Hal ini akan mengurangi U BE dan UCE akan naik sehingga tegangan output kembali normal. dengan adanya zener dioda maka tegangan out put dapat dipr\ertahankan stabil.. tegangan output akan jatuh .2 Gambar 4.Uo U0 = UZ + UBE Karena besarnya UBE relatif kecil.tegangan output akan naik terhadap tegangan awal. Ini artinya tegangan Emitor ( VE) dari transistor dikurangi . 32 .2 Regulator Arus Rangkaian ini dirancang untuk mempertahankan harga arus yang melewati beban ketika terjadi perubahan beban pada tegangan tetap. Rangkaian lainnya adalah transistor sebagai regulator arus seperti pada gambar rangkaian 4. Jadi jika tegangan input naik . kemudian akan terjadi drop tegangan pada transistor .

IB IE = IC + IB Keterangan : ? ? ? ? IE = arus emitor IC= arus kolektor IB = arus basis IL = arus beban Penurunan arus beban IL = IC akan mengakibatkan penurunan arus emitor dan akan mengurangi drop tegangan pada R 1 (UR 1 = IE x R1).IFL Regulasi arus = ------------.Rangkaian Penyearah Dari rangkaian didapat persamaan : Uz IE = --------R1 IL = IC = IE .x 100% IFL Dimana : INL = arus tanpa beban. IFL = arus beban penuh. Regulasi arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : INL . 33 . Efek terhadap bias Q1 adalah : UBE = UZ – UR 1 Karena harga UZ selalu konstan. maka penurunan pada UR 1 akan mengakibatkan kenaikan pada UBE transistor dan sekaligus menaikkan konduktifitas dari transsistor sehingga arus beban IL dapat dipertahankan pada harga yang tetap.

5 A tanpa beban ke beban penuh menjadi 1. Perhatikan gambar rangkaian dibawah ini : +12 v 330 ? Rs RL Vz = 8.5 voltdan arus zener 100 mA. tegangan Zener 12. disipasi daya pada Rs . arus maksimum d.Rangkaian Penyearah Review Test 3 Soal 1. Disipasi daya transistor Soal 3 Apakah fungsi regulator arus konstan ?Jika perubaha arus dari 1. berapa persen regulasi yang terjadi ? 34 . Jika arus beban 1 amper. Zd dan R L Soal 2 . hitunglah : a.2 A . Rangkaian regulator seri ( lihat gambar 4.1 ) mempunyai tegangan input 15 volt. arus dioda zener e. Efisiensi rangkaian b. tegangan pada resistor seri Rs c.3 Rangkaian zener Ik Hitung berapa besarnya : a. Daya pada Zener c. tegangan pada beban R L b.2 v 0 gambar 3.

Mempunyai automatic thermal shutdown.1 IC Regulator Tiga Terminal. 7. Mempunyai arus rendah 6.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 5 REGULATOR TEGANGAN TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? Membaca parameter esensial regulator tiga terminal dari lembaran data. 5. Membutuhkan penambahan komponen luar yang sangat sedikit. Regulator tiga terminal adalah “ Integrated Voltage Regulator Circuit “ yang dirancang untuk mempertahankan tegangan outputnya tetap dan mudah untuk dirangkai. 4. Mempunyai tegangan output yang sangat konstan 5. ukuran kecil 2. Mempunyai ripple output yang sangat kecil. Mengukur arus dan tegangan dan menentukan rangkaian regulator bekerja dengan benar. 3. Menghitung tegangan output dari rangkaian regulator. Keuntungannya adalah : 1. Pembiyaan rendah 35 . Mempunyai proteksi terhadap arus hubung singkat.

Rangkaian Penyearah

Gambar 5.1 memperlihatkan contoh IC regulator Tegangan Positif tiga terminal MC 7805.

Gambar 5.1 bentuk IC regulator dan simbol rangakain

Seri LM 78XX adalah regulator dengan tiga terminal, dapat diperoleh dengan berbagai tegangan tetap Beberapa IC regulator mempunyai kode yang dibuat oleh pabrik pembuat komponen , sebagai contoh : IC LM.7805 AC Z yang artinya sebagai berikut: LM 78L 06 AC Z Linear Monolithic Bagian nomor dasar yang menyatakan tegangan positip Tegangan output Standart ketepatan Tipe pembungkus , ZTO-92 Plastic

Seri LM 78XXC dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 alamunium , arus keluaran (output) 1A ,boleh lebih asalkan IC regulator dilengkapi dengan pendingin (heatsink). Regulator LM 78XXC mudah dipakai dan tambahan komponen-komponen ektern tidak banyak . Sifat-sifat IC regulator LM 78XX adalah sebagai berikut : ? ? ? ? ? Arus keluaran melebihi 1A Pengamanan pembebanan lebih termik Tidak diperlukan komponen tambahan Ada pengamanan untuk transistor keluaran ( output ) Dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 aluminium


Rangkaian Penyearah

Karakteritik Elektrik Tipe Regulator Tegangan I out ( A ) Tipe 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 ? U out ( V) 78XX C 5 6 8 10 12 15 18 24 1 1 1 1 1 1 1 1 78 LXX 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 78 MXX 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Uin ( V ) 7,5 8,6 10,6 12,7 14,8 18 21 27,3 20 21 23 25 27 30 33 38

Sumber National Semiconductor , IC linier

Contoh rangkaian lengkap catu daya menggunakan regulator tiga terminal IC 7805 untuk tegangan output 5 volt konstan ditunjukkan pada gambar 5.2

Gambar 5.2 rangkaian catu daya dengan IC regulator

Arus maksimum regulator IC yang dikirim ke beban tergantung pada tiga faktor, yaitu: 1. Temperatur. 2. Perbedaan antara tegangan input dan output atau disebut diferensial input output. 3. Arus beban. 37

Rangkaian Penyearah

Uraian lengkap mengenai parameter IC regulator dapat dilihat dari data sheet yang dibuat oleh pabrikpembuat komponen . Contoh IC 7805 C mempunyai output nominal 5 volt. Dari data sheet Motorolla didapat temperatur juntion 250 C (Tj + 250 C) ,tegangan output antara low 4,8 volt atau high 5,2 volt ; arus output > 100 mA.

5.2 Regulator Positip Sebagai Sumber Arus.
Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 , LM 317 Pada gambar 5.3 diperlihatkan rangkaian IC Positip regulator yang digunakan sebagai sumber arus. U in LM 317 +12 v R1 IQ R2 0v
gambar 5.3 regulator tegangan tetap

I out

U out

Dari rangkaian diatas, tegangan output dihasilkan dari penjumlahan UR1 dan UR2 Tegangan output , U0 = UR 1 + UR2 Dimana tegangan UR1 adalah tegangan output IC regulator 7805 yaitu sebesar 5 volt. UR1 IR1 = -------R1 IR2 = IR1 + IQ


Rangkaian Penyearah

Tegangan pada R 2 adalah : UR2 = IR2 x R2 Pada gambar 5.4 diperlihatkan rangkaian tegangan output yang diukur dari pembebanan ( R load )

U in LM 317

I out

R1 IQ IL 0v
U out


Gambar 5.4 Regulator arus

U Reg IL = -----------R


Teganga output adalah U out = IL x R Load Dimana IQ adalah arus pada regulator ,dan U

batas tegangan regulator

5.3 Regulator Tegangan Yang dapat Diatur
Konsep baru dalam rangkaian regulator yang tegangan outputnya dapat diatur adalah regulator daya. Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 .


Rangkaian Penyearah

Regulator LM 317 dapat memberika arus keluaran ( output ) lebih dari 1,5 amper dengan tegangan antara 1,2 volt sampai 37 volt. dan IC LM 350 mampu memberikan arus 3A dan jangkauan tegangan output 1,2 V sampai 33 V.

Gambar 5.7 memberikan dasar rangkaian regulator yang dapat diatur tegangan outputnya.

V in



1,25 v

RL R2 U R2 0v


Gambar 5.7 regulator teganagan output dapat diatur

U Reg Arus regulator adalah I Reg = ------R1 Tegangan output diperoleh dari rumus: U out = U Reg Atau R2 U out = U Reg + ( ----- + 1 ) + IQ R 2 R1 U Rreg + ( -------- + IQ ) R 2 R1


Seri LM 79XXC dikemas dalam kemasan daya TO-200 dan mampu mengeluarkan arus 1.Rangkaian Penyearah 5.4 Regulator Tegangan Negatif Pada rangkaian operational amplifier dan microprocessor dibutuhkan catu daya yang membutuhkan dua polaritas sumbertegangan. Sifat-sifat regulatorLM79XXC adalah sebagai berikut: ? ? ? ? Mempunyai pengaman daerah.6 regulator negatif 41 .5 A Tegangan keluaran stelan pendahuluan 4% Untuk seri LM79LXX AC .piranti ini telah dirancang untuk mengeluarkan tegangan tetap dan dapat diperoleh dalam kemsan TO-92 dengan 3 kawat. Sifat-sifat regulator ini adalah sebagai berikut : ? ? ? ? Arus keluaran 100mA Mudah dikompensasi dengan kodensator kapasitas kecil 0. misal +5V dan -5V. Seri LM 79XXC .1 µ A Mudah distel untuk tegangan keluaran tinggi Penyimpangan tegangan keluaran stelan ± 5 % yang tegangan Gamnar 5.5 amper .hubung singkat dan termik Penindasan kerut ( ripple ) tinggi Arus keluara 1. LM 79LXX adalah regulator tegangan negatif 3 terminal .6 memperlihatkan regulator negatif tiga terminal outputnya dapat diatur 79XX Gambare 5.

Suplai ? 12 volt .5 Catu daya Dua Polaritas. Contoh diagram rangkaian pada gambar 5. (D1 D2 IN 4720 ) 3. 1 A LM 340 T-12 . LM 320-15 . Jenis rangkaian kombinasi regulator positip dan negatip adalah sebagai berikut : 1.7 dasar catu daya dua tegangan 42 . Suplai ? 15 volt . 200mA LM 342H-15 . Suplai ? 15 volt . 1A LM 340 T.7 menggunakan LM 340 positif regulator yang dihubung dengan negatif regulator LM 320. (D1 D2 IN 4001 ) Gambar 5.Rangkaian Penyearah 5. LM 320 T-12 . (D1 D2 IN 4720 ) 2. LM 320 T –15 . D1 dan D2 adalah dioda proteksi bekerjanya regulator pada common load dan akan membatasi arus hubung singkat regulator.

2 7812 1k Us = 20 v RL Uz = 8.dari rangkaian regulator tegangan gambar dibawah ini . Soal 1 7805 R1 IQ Us = 20 v R2 180? = 50 mA 100? U0 gambar 5.Rangkaian Penyearah Review Test 4 Hitung berapa tegangan output yang dihasilkan.4 Soal .5 43 .2 v Gambar 5.

hitung tegangan output rangkaian catu daya. Bila Rp diset ke maksimum 2 kilo ohm.7 regulator teganagan menggunakan LM 317 Dari gambar 5.. Berapa tegangan output bila Rp diset pada nol ohm tersebut? c.Rangkaian Penyearah Soal 3 V in LM317 IQ =50 µA R1 220? 1. 44 . bila IQ = 50 µ A a.25 v +20 v R2 Rp 2k URp 0v Gambar 5.7 diatas coba anda analisa prinsip kerjanya dan jawablah pertanyaan dibawah ini. Berapa tegangan pada Rp bila harga Rp diset pada nol ohm? b.

Bagian beban dihubungkan antara katoda dari dioda D1.1 memperlihatkan penyearahan tiga fasa setengah gelombang yang tidak menggunakan transformator. karena pulsa yang terbentuk lebih berdekatan satu sama lainnya serta lebih rendah setengah dari tegangan puncak outputnya. Penyearah tiga fasa lebih efisien serta menghasilkan daya output yang konstan sehingga dapat dipakai pada sistem yang lebih komplek dengan beban yang tetap. karena penyearah tiga fasa ini menghasilkan daya yang cukup besar serta banyak dipakai antara lain pada pengisian batere atau accumulator. Penyearah tiga fasa dengan filter mengahasilkan output DC yang lebih rata..1. Penyearah Setengah Gelombang 3 Fasa. elektroplating . Pada rangkaian penyearah tiga fasa dapat dipasang sebanyak tiga.dan D3 dan titik netral dari sumber yang dihubungkan bintang. AVR alternator dan sebagainya. 45 . Fasa A. enam atau dua belas komponen penyearah dioda atau SCR.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 6 PENYEARAH TIGA FASA PENDAHULUAN Penyearah tiga fasa banyak dipakai . dalam hal ini sangat tergantung pada keperluan yang dibutuhkan.. Gambar 6. 6.D2. dan D 3. D2. B dan C sebagai sumber tegangan tiga fasa memberikan tegangan ke anoda dari dioda-dioda D1.

dengan tegangan positif ini akan menyebagkan tegangan yang lebih positif terhadap katoda dari dua titik yang lain.1 a.b bentuk gelmbang tegangan input / output Dengan adanya perioda tegangan positif akan membuat dioda menjadi menghantar. kemudaian dari sudut 300 sampai 1500 dari fasa A (VA ) mempunyai tegangan yang lebih positif yang membuat dioda D1 dipicu kearah maju sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R.diagram rangkaian penyearah 3 fasa Gambar 6.Rangkaian Penyearah Gambar 6. Pada sudut 150 0 VB menjadi lebih positif dan dioda D2 akan 46 . 1. akibatnya kedua dioda saja yang menghantar pada perioda ini. Dari kurva bentuk gelombang dapat dianalisa bahwa mulai dari 00 sampai 300. dari fasa C (VC) mempunyai tegangan yang lebih positif dan ini akan memberi bias maju pada dioda D3 serta akan menghasilkan tegangan pada beban R yaitu sebesar U0.

Catatan : Tegangan output DC tidak pernah jatuh sampai nol.Demikian seterunya pada 2700.Rangkaian Penyearah menghantar sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R. D3 menghantar kembali selama satu periode.831 x Umaks Pada gambar 6.2 penyearah setengah gelombang tiga fasa menggunakan trafo 47 .Tegangan sekunder dimungkinkan dinaikkan atau diturunkan dengan seleksi yang sesuai dengan kebutuhan tegangan output DC yang diinginkan .2 adalah bentuk yang sama dengan penyearah setengah belombang tiga fasa yang menggunakan transformator 3 fasa . Tegangan rata-rata output DC(Udc) tiga fasa dinyatakan sebagai berikut : Udc = 0. Gambar 6.

2.4 bentuk belombang tegangan inputdan output 48 .4 diperlihatkan diagram rangkaian penyearah tiga pasa. Penyearah Gelombang Penuh Tiga Fasa pada gambar 6. Gambar 6.3 dan 6.Rangkaian Penyearah 6. gelombang penuh dan bentuk gelombang output Gambar 6.3 Rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh Rangkaian penyearah gelombanga penuh tiga fasa ini dapat dilengkapi/dipasang untuk dua keadaaan yaitu untuk setengah bagian positif dan setengah bagian negatif dari inputnya seperti halnya pada penyearah gelombang penuh untuk satu pasa.

D 3 dan D5) juga selalu mengahantar. Tiap primer membawa arus 2/3 siklus. 49 . Kerugian tembaga dalam belitan transformator adalah lebih rendah. yaitu: a. Satu dari dioda-dioda yang bernomor genap (D2.D4dan D6) dalam keadaaan menghantar dan satu dari dioda-dioda yang bernimor ganjil (D1. b. Untuk instalasi yang besar. Idc adalah 0.995 x Im melalui tiap dioda dan hanya sepertiganya yang mengalir melalui tiap dioda. Teganan rata-rata Udc adalah dua kali dari penyearah setengah gelombang tiga fasa atau Udc = 2. Pada rangkaian diatas. b. sebab : a. berarti empat dioda yang lain dalam keadaan tidak menghantar .34 x Urms ( ac ) Penyearah gelombang penuh dipersiapkan untuk daya tinggi. dua dioda selalu menghantar. Tiap sekunder membawa arus untuk 1/3 siklus. penyearah mercury arc yangdipilih untuk digunakan.Rangkaian Penyearah Terdapat tiga hal yang harus diperhatikan pada waktu menganalisa kerja untuk rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh ini. Arus selalu mengalir dari sumber yang mempunyai tegangan positif tertinggi melalui dioda-dioda yang bernomor genap menuju bebandan terus mengalir pada dioda-dioda yang bernomor ganjil dan seterusnya kembali ke terminal sumber yang mempunyai tegangan negatif tertinggi. c. c.

34 x Us = 2.5 Gambar 6. perbedaan nya waktu kondisi dari penyearah SCR dapat divariasikan untuk mengatur tegangan output dan level arus searah ( dc) .6 vot. Arus puncak /maksimum yang melalui tiap dioda c. Daya rata-rata yang dikiram ke beban.1 sampai 20 mA. Udc = 2. hitunglah : a. Untuk memperdalam penguasaan perinsip kerja dari SCR perlu dipelajari secara khusus . 50 . 955) x Idc = 2. Im / dioda = (1/ 0. Pdc = Udc x Idc = 351 x 2 = 720 W 6. tegangan output DC. Arus gate ini (Ig) mengalir melalui persambungan (junction) antara gate dan katoda.3 Penyearah Tiga Fasa Menggunakan SCR SCR digunakan seperti penyearah dioda .5 Simbol SCR SCR dapat dihidupkan oleh suatu arus penyulutan singkat ke dalam gatenya. b. Kebanyakan SCR membutuhkan arus gate untuk penyalaan antara 0. sedangakan tegangan antara gate dan katodanya (UGK) harus lebih besar dari 0.34 x 150 = 351 V b. Jika harga rata –rata arus beban adalah 2A.Simbol SCR diperlihatkan pada gambar 6.Rangkaian Penyearah Contoh soal Harga efektif (rms) tegangan sekunder transformator (Us) pada penyearah gelombang penuh segitiga / bintang adalah 150 volt. Penyelesaian : a.1 A c.

6 penyearah SCR tiga fasa Untuk mengontrol SCR diperlukan rangkaian phase shift. R1 -C 1. dan R3 –C 3 sebagai rangkaian RC phase shifting.Rangkaian Penyearah Contoh rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan Silicon Controlled Rectifier (SCR) diperlihatkan pada gambar 6.. R2 –C 2. 51 . Tiga buah rheostat dijadikan satu untuk memperoleh kontrol penyalaan atau penyulutan SCR secara bersamaan. Tegangan output rangkaian lebih mudah dikontrol atau diatur dengan mengatur rheostat penyalaan untuk SCR tersebut. Kerja dari rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan SCR adalah sama seperti penyearah setengah gelombang tiga fasa yang sudah dibahas terdahulu.6 Gambar 6.

memeriksa rangkaian dan komponen yang rusak dengan mengguanakan alat ukur yang cocok misalnya AVO meter dan CRO. 52 . Transistor atau IC Problem yang terjadi pada semi konduktor adalah : a. B. b. disebabkan beban lebih. biasanya ditujukan oleh penguatan rendah atau level kebisingan tingggi.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 7 MENCARI LETAK GANGGUAN PENDAHULUAN Gangguan atau kesalahan yang paling banyak tejadi pada rangkaian catu daya adalah diakibatkan oleh beban yang terus menerus yang dipikul oleh catu daya tesebut atau beban yang tidak sesuai dengan kemampuan / kapasitas catudaya.1 Kesalahan Komponen A. Rangkaian hubung singkat c. Resistor. Kapasitor Kesalahan pada kapasitor seperti : a. Titik sambungan rangkaian terbuka. titik sambungan hubung singkat disebabkan sentaka tegangan tinggi. rangkaian terbuka. C. c. kesalahan arus yang melaluinya lebih besar sehingga terjadi disipasi panas yang menyebabkan resisitor terbakar. b. Arus bocor yang besar. Terjadi kebocoran pada rangkaian kapasitor. Asumsi dasar yang harus dibuat untuk melakukan pemeliharaan (service unit ) catu daya adalah mencari penyebab kesalahan . 7.

b. Tegangan output DC . Regulasi tegangan atau regulasi arus. Lepas dan ganti komponen yang sesuai dengan aslinya atau eqivalen dari karakteristik komponen yaitu kemampuan arus. 3. Dan ingat dalam melakukan pemerika\saan dan perbaikan harus diperhatikan Standart Opertional Procedur ( SOP ) yang berlaku dan disepakati.sebagai berikut : 1.Rangkaian Penyearah 7. Tegangan kerut (riple) dari amplitudo output diukur dengan Ossiloskope ( CRO.3 Pemeriksaan Catu Daya Poin utama yang harus diperiksa setelah anda melakukan perbaikan adalah.) 4.2 Mengganti Komponen Bila mengganti komponen yang rusak pada rangkaian yang penting harus diperhatikan : a. Pada tabel berikut ini diberikan pedaman dasar sebagai langkah awal mendiaknosa gangguan atau kesalahan suatu rangkaian. 7. apakah sudah sesuai dengan tegangan yang dibutuhkan 2. Arus ouput DC yang diperlukan. 53 . Data dan spesifikasi komponen dapat dilihat pada buku data komponen yang diterbitkan oleh perusahaan /pabrik pembuat komponen. tegangan dan daya yang sesuai dengan spesifikasinya. Tempatkan komponen yang diganti secara pasti dan tepat.

sekring putus Filter kapasior hubung singakat Filter kapasitor rangkaian terbuka. Regulasi sangant jelek.Rangkaian Penyearah ANALISA GANGGUAN RANGKAIAN CATU DAYA. regulasi jelek Filter kapasitor bocor 54 . output DC rendah dengan level riple tinggi. GEJALA Kesalahan Transformator : 1. sekring putus arus lebih transformator baik. Rangkaian dioda penyearah terbuka Rangkaian dioda hubung singkat. rangkaianbekerja baik. KESALAHAN Rangkaian input AC terbuka atau sekring putus. output DC rendah dengan riple 50 Hz 2. ouput DC rendah dan transformer putus Kesalahan Penyearah : 1. Tahanan dioda terlalu besar (tegangan jatuh saat forward besar) 3. 3. output DC nol dan tegangan sekonder tidak ada. Lilitan trafo primer dan sekumder hubung singkat 2. tetapi output DC rendah dari yang seharusnya Kesalahan Filter kapasitor : 1. output DC rendah dengan naiknya level riple. 2.

+ Rs 82? 12 v Vz 6.1a. 1.1 apa yang akan terjadi bila : a. Dioda zener putus (rangkaian terbuka ) c. Dioda zener hubung singkat. RS terbuka 55 . RS putus (rangkaian terbuka ) b.8 v RL - Gambar 7. Zener Regulator Dari gambat 7.1 Zener regulator + Open circuit Vz 12 v 6.8 v RL 135? - Regulator Beban Gambar 7.Rangkaian Penyearah LATIHAN MENCARI GANGGUAN/KESALAHAAN.

1 b. Zener terbuka Rs = 82? Short circuit (zero ohm) RL 135? Gambar 7.Rangkaian Penyearah Rs = 82? Zener diode Open circuit RL 135? GAMBAR 7. Zener hubung singkat 56 .1c.

Rs rangkaian terbuka b. Zener rangkaian terbuka c.Rangkaian Penyearah 2. Regulator Seri Vin Q1 Vo Rs IB RL Vz Gambar 7. Transistor hubung singkat 57 .2 regulasi seri Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. Zener hubung singkat d.

Rangkaian Penyearah 3.3 Regulator Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. IC Regulator 7805 +20 v Vo R1 220? RL R2 320? 0 Gambar 7. c. R2 hubung singkat RL rangkaian terbuka 58 . R1 rangkaian tebuka b.

d 100Hz 4.4 . Pada rangkaian penyearah 1 fasa setengah gelombang dibutuhkan dioda minimal : a. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah setengah gelombang adalah : a. 3 . d. 50 Hz . 25 Hz . d.3 .35 . EVALUASI TES TEORI I.b 0.c 100 Hz .c 0. c. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah gelombang penuh adalah : a. 50 Hz . 0. 25 Hz . b. Pilter pada rangkaian penyearan digunakan untuk : a. b.45 3. c.Rangkaian Penyearah III. b.c 75 Hz . b.c atau d 1.d 200 Hz 5. Rangkaian Penyearah Untuk setiap setiap pertanyaan . 2 . 4 2. Perbandingan tegangan output dan input penyearah setengah gelombang adalah: a.d 0. menaikkan tegangan kerut ( ripple ) menaikkan frekuensi ripple mengurang tegangan beban mengurangi tegangan ripple 59 .b. 1 .pilihlah jawaban yang paling benar a.

Bila kapasitor digunakan sebagai filter. d. 1. 20 v 60 . paralel dengan beban seri dengan beban pralel dengan dioda pnyearah paralel dengan input penyearah 8.Rangkaian Penyearah 6. 9 v c.Hitung tegangan output tanpa beban penyearah setengah gelombang bila dihubungka pada tegangan sumber 24 v ac: a. 10. 12v c. a.pralel dengan dioda pnyearah d.24 v 10. 18 v d.sebelum penyearah b. maka haru dihubungkan : a.44 v b.8v d. sesudah beban d. 10 v . seri dengan beban c.b.paralel dengan beban b. maka haru dihubungkan : a. Bila induktor digunakan sebagai filter.Hitung tegangan output pada beban bila penyearah gelombang penuh sistem jembatan dihubungkan dengan sumber 20 v ac. c. b.sesudah regulator 7. Pilter dihubungkan : a.antara penyearah dengan beban c. paralel dengan input penyearah 9.

maka tegangan output adalah: a. 0. 30 v d. 32 mA d. 39 mA Besarnya Rs dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 144 c.5 v 61 .20 mA c.6 v b. 15 v c. Aruus beban IL dalam rangkaia gambar 1 adalah: a. 10 mA 4. 18. 10 v b.6 v 3.Rangkaian Penyearah II. 30 v 2.204 d. 15 v d.5 v b. 0. 0.268 Jika zener dioda menjadi rengkaian terbuka . Regulator Zener 1. b. Tegangan beban UL dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 0 v c. 100 5 b. 30 v d. Tegangan jatuh /drop pada Rs dalam gambar 1 adalah: Rs 30 V Uz 15 v RL 470? a. 15 v c.

mendapatkan tegangan sumber konstan d. Regulator tegan tiga teminal 7912 .Rangkaian Penyearah III. 7 v c. 12 v 3. Antara sumber dan beban d. 8 v d . 5 v b. Regulator tegangan digunakan untuk : a. Sebelum sumber tegangan input b. 8 v d. 7 v c. negatif 7 v d. Sesudah beban c. Antara penyearah dan filter 5.4 v 4. mendapatkan tegangan beban konstan c.output tegangan nya adalah : a. negatif 12 v c.Regulator 1. positif 12 v b. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 12 v adalah : a. Regulator tegangan tiga terminal dihubungkan pada : a. mendapatkan arus sumber konstan 2. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 4 v adalah : a 5v b. IC . mendapatkan arus beban konstan b. positif 9 v 62 .

a.64 volt b.Rangkaian terbuka . a. XL = 1340 O b. a.Untuk mengurangi tegangan kerut (ripple voltage ) AC pada perubahan beban dalam % 2.26 mV 63 .8 mA c. PIV dioda =12 volt 3.I beban = 424. I = 3.Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN REVIEW TEST REVIEW TEST 1 1. Level rata-rata naik b. Filter LC a. a. Arus dioda berkurang 3.2 volt 2.Udc = 7.Hubung Singkat .75 volt b. Udc = 6. Tegangan kerut = 86. PIV dioda = 21.Tahanan arah maju (forward ) tinggi REVIEW TEST 2 1.44mA c. .

Rangkaian Penyearah REVIEW TEST 3 1 a. Uo = 1.24 mW 2 a 72 % b = 1.25 watt.5 mA d. 3.3 mA e.8 volt 3. Uo = 11. 3.2 volt b. = 0 volt b. c. 8.45 volt 64 . Untuk memberikan arus yang konstan dengan bermacam. Disipasi daya Rs = 43.8 volt c.1 volt 4. Regulasi adalah 25 % REVIEW TEST 4 1 .macam beban . Imaks =11.6 mW Zd = 27 mW RL = 67.U output = 14 volt 2 U output = 11.25 volt c. a. Iz = 3.

a 2.c 5. Regulator Tegangan 1 . b 6.c II. c 8. c 6.d 3.a 8. a III.Regulator Zener 4. c 7.b 9.b 7. c 7.c 10.d 4. d 5. b 5.b 4. a 65 . Tes Rangkaian Penyearah 1.Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN SOAL TEORI I.d 6.

1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan 3.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan Ya Tidak Training Lanjut 2.3 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya Kriteria Unjuk Kerja 1.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.kapasitor dan induktor dijelaskan 2.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 66 .1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.Rangkaian Penyearah Self Assesment Check List Kegitan pembelajaran Elemen 1. resistor.

Rangkaian Penyearah


Barry Davis, Under standing DC Power Suppllies, Prentice-Hall of Australia Pty Ltd,1981 Edy Burnawi , Catu Daya , PPPGTeknologi Bandung ,1996 Emst Hornermann , Electrical Power Engineering Profinciecy Course, GTZ GmbHEscbom ( Federal Republic of Germany ), 1988 Fardo and Patrick , Electrical Power Systems Technology , Howard W.Sams &Co,Inc James F.Lowe , Electronics for Electrical Trades , McGraw-Hill,Book Company Sydney, 1977


Rangkaian Penyearah

Modul Nama Peserta Nama Penilai Beri tanda ( v ) No 1 2 Hasil METODA PENILAIAN Tertulis Praktik KOMPETEN BELUM KOMPRTEN KETERANGAN : RANGKAIAN PENTEARAH : ……………………… : ………………………

: Kompeten Belun kompeten CATATAN:

Tanada Tangan Peserta

Tanada Tangan Penilai

Tanggal: ……………….


Aplikasi Dioda



Aplikasi Dioda

dirangkaian elektronik.


etelah mengetahui konstruksi, karakteristik dan model dari dioda semikonduktor, diharapkan mahasiswa dapat memahami pula berbagai konfigurasi dioda dengan menggunkan model dalam aplikasinya

2.1 Analisis Garis Beban (Load-Line Analysis) Beban yang diberikan pada rangkaian secara normal akan mempunyai implikasi pada daerah kerja (operasi) dan piranti elektronik. Bila analisis disajikan dalam bentuk grafik, sebuah garis dapat digambarkan sebagai karakteristik dioda yang mewakili efek dari beban. Perpotongan antara karakteristik dan garis beban akan menggambarkan titik operasi dari system. Perhatikan gambar 2.1 berikut ini,.
Id + E Vd R + VR VD ID



Gambar 2.1 Konfigurasi Seri dari Dioda. (a) Rangkaian Dioda (b) Karakteristik Menurut Hukum Kirchoff tegangan:
E − VD − VR = 0 E = VD + I D R


Aplikasi Dioda

Variabel VD dan ID dari persamaan 2.1 adalah semua seperti axis variable dari karakteristik dioda pada gambar 2.1 (b). Perpotongan garis beban dan karakteristik dapat digambarkan dengan menentukan titik pada horizontal axis yang mempunyai ID = 0A dan juga menentukan titik vertical axis yang mempunyai vertical
E = VD + I D R

VD = 0V. JIka kita

atur VD = 0V, dengan persamaan 2.1 akan kita peroleh nilai magnitude ID pada sumbu

E = 0V + I D R
ID = E R VD =0V

………………………………….. (2.2)

Selanjutnya, kita atur ID = 0A, dengan persamaan 2.1 kita dapat memperoleh magnitude VD pada sumbu horizontal.
E = VD + I D RD
E = V D + ( 0) R D

VD = E I

D =0 A

…………………………………. (2.3)

Seperti terlihat pada gambar 2.2. garis lurus yang menghubungkan ke dua titik menggambarkan garis beban. Jika nilai R diubah, maka gambar garis beban akan berubah.


Karakteristik dioda


Q-point Garis beban




Gambar 2.2 Garis Beban dan Titik Operasi Titik perpotongan antara garis karakteristik dioda dan garis beban disebut dengan “ Q point ” (Quiescent Point)

Aplikasi Dioda

2.2 Aproximasi Dioda

Dalam menganalisis rangkaian dioda, dapat digunakan 3 macam model pendekatan (aproximasi), yaitu:
• • •

Piecewise-linear model Simplified model Ideal model

Untuk dioda Silikon, ketiga model tadi dapat digambarkan sebagai berikut: Tabel 2.1 Aproximasi untuk Dioda Silikon
Model Gambar VT 0.7 rav 10Ω


Piece-wise linear model


Simplified model

VT 0.7




Ideal model




Untuk dioda yang terbuat dari Germanium, VT adalah 0.3V.

2.3 Konfigurasi Seri dari Dioda dengan Input DC

Ada beberapa prosedur yang harus dilakukan dalam menganalisis dioda, yaitu: a. Tentukan kondisi dioda ON/OFF, dengan cara:
• •

Lepaskan dioda dari rangkaian Hitung tegangan pada terminal dioda VD yang dilepas tadi dengan KVL

Jika dioda ON.Aplikasi Dioda • V D 〉 0.3V 2K2 ID = IR = V R 7.3 → OFF b.32mA R 2K 2 .7 → Dioda silikon OFF. VR dan ID dari rangkaian dioda berikut Jawab • Langkah 1 Dengan KVL: E − VD − VR = 0 VD = E − VR = (8V ) − I R R = (8V ) − (0) R V D = 8V VD 〉 0.3V = = 3.7V VR = E − VD = 8 − 0. dioda germanium V D 〉 0.3 → ON V D 〈 0.7 → Dioda silikon ON. ganti dengan model pendekatan yang digunakan c. Analisis rangkaian tersebut contoh Tentukan VD. dioda germanium V D 〈0.7V dioda ON • Langkah 2 + VD 0.7 = 7.7V 8V E + VR - • Langkah 3 VD = 0.

18mA I D1 = I D 2 = 1 = = 14.09mA 2 2 V0 = V D 2 = 0.7V → D1 & D2 ON E − V R − V D1 = 0 E − ( I 1 R ) − V D1 = 0 I 1 R = E − V D1 E − V D1 10 − 0. dan ID2 dari rangkaian dioda berikut: Jawab E − VR − V D1 = 0 VD1 = V D 2 = E = 10V VD1 = VD 2 〉 0.7V I1 = .33K I 28. ID1.4 Konfigurasi Paralel dan Seri-Paralel dari Dioda Prosedur pada bagian 2.Aplikasi Dioda 2.18mA R 0.4 dapat digunakan dalam menganalisis rangkaian dioda paralel dan seri-paralel Contoh : Hitunglah Vo.7 = = 28. I1.

5 AND/OR Gate Aplikasi dioda yang lain adalah dapat digunakan sebagai rangkaian logika AND dan OR. Gambar 2. Untuk menganalisis rangkaian dioda dengan input yang berubah terhadap waktu seperti gelombang sinusoidal dan gelombang kotak. OR Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 AND Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 Gambar 2. Rangkaian sederhana di bawah ini akan kita gunakan untuk mempelajari cara menganalisisnya. Berikut adalah rangkaian gerbang logika AND dan OR yang menggunakan dioda silikon. Metode dioda ideal akan digunakan dalam analisis selanjutnya.3 Gerbang Logika OR dan AND Dengan Menggunakan Dioda 2.4 Penyearah ½ Gelombang .Aplikasi Dioda 2.6 Input Sinusoidal : Penyearah Setengah Gelombang Pada bagian ini akan kita kembangkan metode analisis dari dioda yang telah dipelajari sebelumnya.

318Vm ………………………………………… (2.4) Berikut adalah gambar input dan output rangkaian penyearah ½ gelombang .5 Daerah Dioda Konduksi (0 – T/2) Selanjutnya. Selama interval t = 0 → T mengakibatkan dioda ON.6 Daerah Dioda Non Konduksi (T/2 – T) Sinyal output V0 mempunyai nilai rata-rata selama satu siklus penuh dan dapat dihitung dengan persamaan berikut Vdc = 0. dioda selanjutnya dapat 2 diganti dengan rangkaian ekivalen model idealnya. Gambar 2. selama perioda T →T 2 polaritas dari input Vi berubah mengakibatkan dioda tidak bekerja (OFF).Aplikasi Dioda Rangkaian diatas akan menghasilkan output V0 yang akan digunakan dalam konversi dari ac ke dc yang banyak digunakan dalam rangkaian-rangkaian elektronika. sehingga outputnya bias diperoleh proses di atas dapat digambarkan seperti gambar di bawah ini. berikut penggambaran prosesnya. Vi Vi + R + + V0 Vi + R + V0 = 0V 0 T/2 V0 = 0V - t Gambar 2.

2. Konfigurasi yang sangat terkenal adalah konfigurasi Bridge atau jembatan.7 Sinyal Input dan Output Rangkaian Penyearah ½ Gelombang Selain menggunakan model ideal kita juga dapat menggunakan kedua model lain.Aplikasi Dioda Gambar 2. dengan menggunakan 4 buah dioda dengan penyearah seperti pada gambar 2. Vi Vm T/2 T t + D1 + Vo - D2 0 Vi R D3 D4 Gambar 2.1 Konfigurasi Bridge Untuk meningkatkan dc level yang diperoleh dari input sinusoidal sebanyak 100% kita dapat menggunakan rangkaian penyearah gelombang penuh.9 T/2 polaritas polaritas input digambarkan seperti pada .8 Penyearah Gelombang Penuh Selama periode t = 0 gambar 2.8 berikut.7 Penyearah Gelombang Penuh 2.7.

11 Aliran Arus Pada Fase Negative dari Vi .Aplikasi Dioda + OFF Vi + ON + + Vo R - + - ON - + . Gambar 2.9 Rangkaian Full Wave Bridge untuk t = 0 T/2 Dari gambar 2.9 terlihat bahwa D2 dan D3 terkonduksi (ON) sementara D1 dan D4 OFF.10 Aliran Arus Pada Fase Positif dari Vi Untuk perioda input t = T/2 T. Dengan mengganti dioda dengan model ideal diperoleh gambar berikut. Berikut gambar polaritas input.OFF Gambar 2. D2 dan D3 OFF sementara D1 dan D4 ON. arah arus serta rangkaian ekivalen rangkaian dioda Gambar 2.

13 Gelombang Penuh Dengan Trafo CT Selama perioda t = 0 gambar berikut. seperti .Vo + Vi - D2 Gambar 2.12 Sinyal Input dan Output Rangkaian Dioda Bridge Nilai rata-rata dc dapat diperoleh dengan persamaan berikut Vdc = 0.(2.Aplikasi Dioda Secara keseluruhan input dan output rangkaian ini adalah Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.636Vm ……………………………………. D1 akan menjadi ON sedang D2 OFF.2 Center Tapped Transformer Bentuk kedua yang popular dari penyearah gelombang penuh adalah dengan menggunakan 2 buah dioda dan center tapped (CT) transformer konfigurasinya dapat dilihat pada gambar berikut.5) 2. T/2 .7. Vi + + Vi + Vi - D1 T 0 T/2 t CT R .

Clipper seri Dioda seri dengan beban dioda parallel dengan beban 2.14 Kondisi Rangkaian Pada Perioda Input 0 – T/2 Sebaliknya.1 Clipper Seri Rangkaian dasar dari clipper seri adalah mirip dengan rangkaian penyearah ½ gelombang.8 CLIPPER Clipper merupakan rangkaian dioda yang memiliki kemampuan memotong sebagian sinyal input tanpa menimbulkan efek pada bagian lain dari sinyal.Vo + 0 D2 T/2 T t Gambar 2. Terdapat dua kategori clipper: 1. selama perioda input T/2 – T kondisi rangkaian adalah seperti gambar berikut Vi + + Vi + Vi - D1 Vo R Vm 0 T/2 T t Vi - .Aplikasi Dioda Vi Vm + Vi + Vi + Vi - D1 Vo R . .15 Kondisi Rangkaian Untuk Perioda Input T/2 – T 2.Vo + Vm 0 T/2 t D2 0 T/2 t Gambar 2. Namun demikian rangkaian clipper seri dapat dibuat dalam berbagai variasi.8. Clipper parallel 2. Salah satu contohnya dapat dilihat pada gambar berikut.

Aplikasi Dioda Vi + R + + V0 - (a) Vi Vo Vi Vo Vi T/2 t 0 Vo T/2 0 T t 0 T/2 t 0 T/ 2 T t 0 T/2 T t T/2 0 t (b) Vi + T/2 0 + T t Vi V R V0 + (c) Gambar 2. Untuk dioda yang ideal perubahan kondisi ideal terjadi pada Vd = 0 V dan id = 0A (ingat karakteristik dioda ideal). Perhatikan polaritas Vi dan Vo. 2. Dioda ON pada saat Vi berada pada polaritas positif. .16 (c) dan ikuti prosedur di atas. Hitung dan gambarkan nilai Vo berdasar nilai sesaat dari Vi Sebagai contoh. Tegangan dc (V) harus lebih kecil dari Vi agar dioda ON. 1. perhatikan gambar 2. Tentukan apakah dioda ON/OFF dengan melihat rangkaian. 2. Tentukan nilai tegangan yang mengakibatkan kondisi dioda berubah OFF ON atau sebaliknya 3. Dengan menerapkan kondisi nilai Vi yang mengakibatkan transisi kondisi dioda.16 Clipper Seri dan Input/Output (a) Rangkaian Dasar Clipper (b) Variasi Input dan Output (C) Variasi Clipper Seri Berikut adalah prosedur dalam menganalisa rangkaian clipper: 1. tentukan persamaan Vo 4.

Vo dapat dihitung dengan KVL Gambar 2. Pada saat dioda dalam kondisi ON.(2.Aplikasi Dioda Gambar 2. Hitung dan gambarkan Vo dengan mengambil nilai sesaat dari Vi .18 Menentukan Vo Vi − V − Vo = 0 Vo = Vi − V …………………………………….(2.6) Artinya dioda berubah dari OFF ON atau ON OFF pada saat Vi = V 3.17 Menetapkan Kondisi Transisi dari Rangkaian Vi − V − Vd − V0 = 0 Vi − V − 0 − id R = 0 Vi − V − 0 − (0) R = 0 Vi = V ………………………………………………………….7) 4.

variasi input/output dan variasi konfigurasi yang lain Gambar 2.19 Sinyal Vi dan Vo 2.20 Rangkaian Clipper Parallel dan Variasi Input/Outputnya .2 Clipper Paralel Berikut rangkaian dasar clipper parallel.8.Aplikasi Dioda Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.

Vi > V Dioda OFF • Tentukan Vo pada dioda ON • Tentukan Vo pada dioda OFF .Aplikasi Dioda Cara menganalisa clipper parallel adalah sama dengan cara analisis clipper seri Contoh: Tentukan Vo dari rangkaian berikut Jawab: • • Dioda ON pada fase negative dari input Cari tegangan transisi VR = 0 + Vi V 4V id = 0 + V0 - Vi − VR − Vd − V = 0 Vi − 0 − 0 − V = 0 Vd = 0 Vi = V tegangan transisi Ketika Vi < V Dioda ON.

9 CLAMPER Rangkaian clamper adalah rangkaian yang akan melempar (clamp) sinyal ke level dc yang berbeda.Aplikasi Dioda • Gambarkan outputnya Vi 16 V t 16 V Vo 4V t Berikut berbagai variasi rangkaian clipper Gambar 2. Rangkaian clamper sederhana dapat dilihat pada gambar berikut Vi V 0 -V T/2 T t + Vi C R + V0 - Gambar 2. Nilai R dan C harus dipilih sedemikian rupa agar konstanta waktu τ = RC cukup besar.21 (gbr 291 hal 84) 2. Dalam analisis.22 Rangkaian Clamper . dioda dan komponen resistif. kapasitor kita anggap mengisi dan membuang semua dalam 5 kali konstanta waktu. Hal ini berguna agar kapasitor tidak membuang tegangan (discharge) pada saat dioda mengalami perioda non konduksi (OFF). Clamper tersusun atas capasitor. Sumber dc juga dapat ditambahkan untuk memperoleh pergeseran tegangan tambahan.

Gambar 2. Ketika polaritas input berbalik.24 Menetapkan Output Pada Saat Dioda OFF Jika digambarkan. kapasitor akan mengisi dengan cepat sampai V = tegangan input. secara keseluruhan input dan output dari rangkaian adalah sebagai berikut. rangkaian dapat digambarkan sebagai berikut. Gambar 2.23 Dioda ON dan Kapasitor Mengisi Sampai V Volt Pada interval ini. sedang Vo = 0 V.25 Input/Output dari Contoh Rangkaian Clamper . V C Vi + + R V0 - Gambar 2.Aplikasi Dioda Selama interval 0 – T/2 rangkaian dapat digambarkan seperti berikut.

rangkaian penggantinya adalah sumber tegangan Vz.27 Rangkaian pengganti Dioda Zener 2. kita dapat menggunakan cara menganalisis dioda pada bagian sebelumnya. Ketika zener diindikasikan ON.1 Vi dan R tetap Rangkaian dioda zener yang paling sederhana dapat dilihat pada gambar berikut ini: R VZ PZm RL Gambar 2.Aplikasi Dioda Berbagai variasi dari rangkaian clamper dapat dilihat pada gambar berikut.10 Dioda Zener Dalam menganalisis zener. Gambar 2.10. sedangkan jika zener OFF rangkaian penggantinya adalah saklar terbuka + VZ - + VZ - + V - ON (Vz > V > 0) OFF Gambar 2.26 Rangkaian Clamper dengan Dioda Ideal 2.28 Rangkaian Dasar Regulator dengan Zener .

Zener dapat diganti dengan rangkaian OFF dapat Jika V ≥ VZ .Aplikasi Dioda Analisa rangkaian zener dapat dilakukan dengan langkah berikut: a. Dengan menerapkan langkah 1 pada gambar 2..8 ON.2. Tentukan kondisi zener dengan melepasnya dari rangkaian dan menghitung tegangan pada untai terhubung. akan kita peroleh rangkaian berikut R Vi VZ VL Tegangan V dapat dihitung dengan menerapkan aturan pembagi tegangan V = VL = R LV i R + RL ……………………………………. zener penggantinya.27 diatas.29 Rangkaian Ekivalen Zener ON . Sebaliknya jika V ≤ VZ maka zener digantikan dengan saklar terbuka b. Ganti Zener dengan rangkaian ekivalennya Gambar 2.

2. VR.Aplikasi Dioda Dari gambar zener ON. arus yang mengalir pada zener dapat ditentukan dengan KCL IR = IZ + IL I Z = I R − I L …………………………………………….2. dan PZ Ulangi soal (a) dengan RL = 3kΩ a) Terapkan prosedur sebelumnya • Lepaskan zener dari rangkaian R LVi 1. IZ..9 Dimana.73V R + RL 1k + 1.10 Dioda zener umumnya digunakan dalam rangkaian regulator tegangan Contoh 2… VR 1k 16V VZ = 10 V PZm = 30mW RL 1k2 VL • • Jawab Tentukan VL. IL = V − VL VL V dan I R = R = i RL R R Daya yang diserap zener: PZ = VZ I Z …………………………………………….2k (16V ) = = 8.2k V = VL = V < VZ Zener OFF .

maka zener ON.67 mA • Daya yang diserap zener PZ = VZ I Z = (10)(2. Nilai minimum RL dapat ditentukan sebagai berikut: VL = VZ = RLVi RL + R R L min = RVZ Vi − VZ ………………………………………………….2 Vi Tetap dan RL Variabel ON/OFF-nya zener tergantung pada interval nilai RL.11 Jika RL yang dipilih > RL rangkaian ekivalen zener ON.73V = 7.33mA RL 3kΩ VR 6V = = 6mA R 1kΩ IZ = IR − IL = 6mA − 3. Selanjutnya ganti dengan . RL min akan menimbulkan IL max min.33mA = 2.7 mW 2.2. RL yang terlalu kecil akan mengakibatkan zener OFF.Aplikasi Dioda • Ganti zener dengan saklar terbuka VR = Vi − V L = 16 − 8.10.67 mA) = 26.27V IZ = 0A PZ = VZ I Z = 0W b) Lepaskan zener dari rangkaian V = VL = R LVi = 12V R + RL V ≥ VZ • Zener ON Ganti zener dengan rangkaian ekivalen untuk zener ON VL = VZ = 10V VR = Vi − V L = 16V − 10V = 6V IL = IR = VL 10V = = 3.

10.2.2. dioda D1 terkonduksi (D2 OFF) dan mengisi kapasitor C1 ..2. atau lebih kecil..Aplikasi Dioda I L max = VL V = Z RL R L min …………………………………………….. tegangan Vi harus cukup besar untuk dapat mengakibatkan zener ON.12 Tegangan pada R VR = Vi − VZ IR = VR R …………………………………………………...18 ………………………………………….2. Tegangan Vi minimum ditentukan oleh: VL = VZ = VL min = RLVi RL + R ( RL + R )VZ RL …………………………………………. Pengali Tegangan Rangkaian yang ditujukan oleh gambar 2..2.17 R L max = VZ I L min 2.13 …………………………………………………..16 ………………………………………….20 2.14 ………………………………………………….15 IZ = IR − IL IZ min dicapai pada IL max dan sebaliknya I L min = I R − I Z max …………………………………………. 2.19 I R max = I Z max − I L Vi max = V R max + VZ Vi max = I R max R + VZ …………………………………………..11 Rangkaian Pengali Tegangan Rangkaian ini digunakan untuk menaikkan tegangan puncak dari trafo hingga 2x.2.11.30 di bawah adalah rangkaian half wave voltage doubler. 3x. Selama tegangan positif pada separuh siklus dari tegangan yang melalui transformer.3 RL Tetap dan Vi Variabel Untuk nilai RL yang tetap.

31 berikut.32 memperlihatkan half-wave voltage doubler yang dimodifikasi agar dapat mengeluarkan output sebesar 3 dan 4x dari tegangan input.31 Rangkaian Half Wave Voltage Doubler Alternatif 2.11.30 Half Wave Voltage Doubler Tegangan pada output: − VC 2 + VC1 + Vm = 0 − VC 2 + Vm + Vm = 0 VC 2 = 2Vm Model rangkaian yang lain dapat dilihat pada gambar 2. Gambar 2. . Gambar 2.2 Voltage Tripler dan Quadrupler Gambar 2. Selama siklus negative dari input D1 menjadi OFF sementara D2 terkonduksi (ON) dan mengisi kapasitor C2.Aplikasi Dioda sampai pada puncak tegangan (Vm) dengan polaritas seperti yang ditujukan dalam gambar.

32 Voltage Tripler dan Quadrupler .Aplikasi Dioda Gambar 2.

0 Kurva karakteristik diode Solusi : (a) Dari pemodelan diode : VDQ = 0. Persamaan rangkaian : E = VD + IDR Cari dua nilai ekstrim untuk VD dan ID : Saat VD = 0 : E = 0 + IDR E I D = VD = 0 R ID = 10 mA Saat ID = 0 : E = VD + 0 R VD = 10 V Perpotongan kurva : .7 Volt Sehingga IDQ = (E-VD)/1000 = 9. Titik perpotongan kedua kurva menyatakan nilai IDQ dan VDQ.3 mA (b) Dengan analisa garis beban : Buat kurva rangkaian yang memotong kurva karakteristik.Diode dalam Rangkaian Dari rangkaian berikut tentukan arus diode dan tegangan diode pada titik kerja IDQ dan VDQ berdasar : (a) Perhitungan dengan pemodelan diode (b) Analisis garis beban dengan kurva karakteristik diode 10 ID VD Si ID (mA) E 10 V R 1KΩ 5 VD 1.

10 9. V1. Rangkaian digambarkan lebih lengkap sbb : .2 K + V2 E2 = -5 V Solusi : Diode berada dalam kondisi on.7 Volt.3 mA Soal : Hitung I. dan mempunyai tegangan VD = 0.3 mA ID (mA) titik Q 5 VD 0. V2 dan V0 E1= 10 + V1 Vo 4.7 K 2.7 V dan IDQ = 9.7 V 10 Jadi VDQ = 0.

2 KΩ = 4.73 V V2 = I x R2 = 2.7V + 5V I= 1 = R1 + R2 4700Ω + 2200Ω I = 2.07 mA V1 = I x R1 = 2.07mA x2.45 V .+ V1 I 4.07mA x 4.E2 V0 = 4.7 K + 0.7 + V2 .7KΩ = 9.2 K V2 + Vo E1= 10 E2 5V - -E1 + V1 + 0.E2 = 0 Persamaan untuk arus I : E − VD + E 2 10V − 0.55 V Pada sisi output.7 + 2.55 V – 5 V = -0. dengan menerapkan hukum tegangan kirchoff : + V2 KVL + Vo E2 5V - E2 – V2 + V0 = 0 V0 = V2 .



.................. Osiloskop III........ II......... Mengetahui manfaat dioda sebagai penyearah.............. (5..................... Multimeter 6...........2) π Frekuensi output: f OUT = fIN .......3) Penyearah Gelombang Penuh Tegangan rata-rata DC pada penyearah sinyal gelombang penuh: VDC = 2VP .. RANGKAIAN PENYEARAH Tujuan Praktikum 1.......MODUL V I.......................................... Mengetahui cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh...................... 4... 3... 2.... (5...................................................... Bahan Praktikum 1......318 × VP .. Menganalisa rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh..... (5........................ Dioda semikonduktor 3.................... yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh.... (5....... Ringkasan Teori Penyearah berfungsi untuk mengubah tegangan ac menjadi tegangan dc........ Transformator 2................... Penyearah ada 2 macam......1) Tegangan rata-rata DC pada penyearah setengah gelombang adalah: VDC = VP = 0.... Penyearah Setengah Gelombang Nilai tegangan puncak input transformator: VRMS = VP 2 .......................... Mampu merancang rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh..................... Resistor 4.. Projectboard 5........4) π Praktikum Elektronika Dasar 16 ............................................................

Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter...... Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini... Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh center tap? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 3. Tutup saklar S1. 4... Ukur besar tegangan keluaran pada T1 menggunakan multimeter. D1....... R1 = Resistor Praktikum Elektronika Dasar 17 . Tentukan nilai T1.... Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop..... (5...Frekuensi output: f OUT = 2.... B. Penyearah Gelombang Penuh dengan Center Tap 1.. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 2.........fIN . Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda (diode bridge) Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! VI... Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB.................... Hitung besar tegangan keluaran pada R1. 3... Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini.... 6.. Langkah Percobaan A.... D1 = Dioda semikonduktor.....1... Penyearah Setengah Gelombang 1.. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop.......... 7... 5... Tugas Pendahuluan 1........... 8...... dan R1 Gambar 5..... T1 = Transformator. Rangkaian Penyearah Setengah Gelombang 2...5) V...

Penyearah gelombang Penuh dengan Diode Bridge 1. 3. 6. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. 8.2. Praktikum Elektronika Dasar 18 . R1 = Resistor Gambar 5.3. 5. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. 7. T1 = Transformator. Tutup saklar S1. Hitung besar keluaran pada R1. Tutup saklar S1. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. 4. 5. C. 3. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh 2. 6. 4. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan dioda bridge 2. DB1 = Dioda Bridge. Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter.Gambar 5. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. Ukur besar tegangan pada resistor beban menggunakan multimeter.

Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. VII Laporan Akhir Gambarkan bentuk gelombang dari hasil percobaan yang telah dilakukan. 8. Praktikum Elektronika Dasar 19 . Lakukan analisa dari ketiga percobaan diatas.7. Hitung besar keluaran pada R1. Berikan kesimpulan dari percobaan yang telah dilakukan diatas.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful