Disusun oleh: Ahmad Fali Oklilas


Dosen Pengasuh NIP Program Studi Kelas/angkatan
Minggu ke 1

: Ahamad Fali Oklilas : 132231465 : Teknik Komputer : Teknik Komputer/2006
Sub Pokok Bahasan Pengantar Tujuan Instruksional Khusus Muatan Partikel Intensitas, Tegangan dan Energi Satuan eV untuk Energi Tingkat Energi Atom Struktur Elektronik dari Element Mobilitas dan Konduktivitas Elektron dan Holes Donor dan Aseptor Kerapatan Muatan Sifat Elektrik Ref.

Pokok Bahasan

Tingkat Energi Pada Zat Padat


Transport Sistem Pada Semikonduktor

Energi Atom

Prinsip Dasar Pada Zat Padat

Prinsip Semikonduktor


Karakteristik Dioda

Prinsip Dasar

Rangkaian terbuka p-n Junction Penyerarah pada pn Junction Sifat Volt-Ampere Sifat ketergantungan Temperatur Tahanan Dioda Kapaitas


Karakterisrik Dioda

Sifat Dioda


Karakteristik Dioda

Jenis Dioda

Switching Times Breakdown Dioda Tunnel Dioda Semiconductor Photovoltaic Effect Light Emitting Diodes Dioda sebagai elemen rangkaian Prinsip garis beban Model dioda Clipping Comparator Sampling gate Penyearah Penyearah gelombang penuh Rangkaian lainnya 1


Rangkaian Dioda



Rangkaian Dioda


7 Rangkaian Transistor Sifat Transistor Transistor Junction Komponen Transistor Transistor Sebagai Penguat (Amplifier) Konstruksi Transistor Konfigurasi Common Base Konfigurasi Common Emitor CE Cutoff CE Saturasi CE Current Gain Konfigurasi Common Kolektor Analisis Grafik Konfigurasi CE Model Two Port Device Model Hybrid Parameter h


Rangkaian Transistor

Sifat Transistor


Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah


Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah

Thevenin & Norton Emitter Follower Membandingkan Konfigurasi Amplifier Teori Miller Model Hybrid JFET Karakteristik Amper



Rangkaian Transistor Field Effect Transistor

Transistor Pada frekuensi Tinggi Sifat Dasar


Rangkaian Dasar

FET MOSFET Voltager Variable Resitor Sebagai Osilator Sebagai Penguat Sebagai Sensor


Studi Kasus

Penerapan Transistor

Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. 4. 5. Palembang, 7 Feb 2007 Dosen Pengampu,

Ahmad Fali Oklilas, MT NIP. 132231465

ATURAN PERKULIAHAN ELEKTRONIKA DASAR DAFTAR HADIR MIN = 80% X 16= 14 KOMPONEN NILAI TUGAS/QUIS = 25% UTS = 30% UAS = 45% Nilai Mutlak 86 – 100 = 71 – 85 = 56 – 70 = 41 – 55 = ≤ 40 = A B C D E

Keterlambatan kehadiran dengan toleransi 15 menit Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. 4. 5.

and 14 electrons. 10. The shell can also be split into four subshells labeled s. respectively. which can be determined by the formula 2n 2. Shells are lettered K through Q. d. it assumes an orbit further from or closer to the center of the atom. it has kinetic energy. 6. SHELLS and SUBSHELLS are the orbits of the electrons in an atom. The mass of the neutron is approximately equal to that of the proton. p. starting with K. This shell is referred to as the VALENCE SHELL. which can contain 2. Just by the electron’s motion alone. and f. The valence of an atom is determined by the number of electrons in the atom’s outermost shell. which is the closest to the nucleus. VALENCE is the ability of an atom to combine with other atoms.Tingkat Energi Pada Zat Padat Electron’s Energy Level The NEUTRON is a neutral particle in that it has no electrical charge. An ELECTRON’S ENERGY LEVEL is the amount of energy required by an electron to stay in orbit. The electron’s position in reference to the nucleus gives it potential energy. An energy balance keeps the electron in orbit and as it gains or loses energy. Each shell can contain a maximum number of electrons. The electrons in the outermost shell are called VALENCE ELECTRONS. .

Holes are missing electrons. The three most important energy bands are the CONDUCTION BAND. The concepts of holes is introduced based on the notion that it is a whole lot easier to keep track of the missing particles in an "almost-full" band. It is important for the reader to understand that one could deal with only electrons (since these are the only real particles available in a semiconductor) if one is willing to keep track of all the electrons in the "almost-full" valence band. This definition is illustrated further with the figure below which presents . This also means that we will have to deal with the transport of carriers in both bands. An atom that loses some of its electrons in the process becomes positively charged and is called a POSITIVE ION. and VALENCE BAND. rather than keeping track of the actual electrons in that band. Electrons and holes in semiconductors As pointed out before.IONIZATION is the process by which an atom loses or gains electrons. ENERGY BANDS are groups of energy levels that result from the close proximity of atoms in a solid. semiconductors distinguish themselves from metals and insulators by the fact that they contain an "almost-empty" conduction band and an "almost-full" valence band. We will now first explain the concept of a hole and then point out how the hole concept simplifies the analysis. To facilitate the discussion of the transport in the "almost-full" valence band we will introduce the concept of holes in a semiconductor. FORBIDDEN BAND. They behave as particles with the same properties as the electrons would have occupying the same states except that they carry a positive charge. An atom that has an excess number of electrons is negatively charged and is called a NEGATIVE ION.

Electrons therefore move down hill in the conduction band. Shown are electrons (red circles) which move against the field and holes (blue circles) which move in the direction of the applied field. A uniform electric field is assumed which causes a constant gradient of the conduction and valence band edges as well as a constant gradient of the vacuum level. band1. Electrons in the valence band also move in the same direction.12 Energy band diagram in the presence of a uniform electric field.the simplified energy band diagram in the presence of an electric field. However the gradient of the vacuum level represents the electric field within the semiconductor.gif Fig.2. The gradient of the vacuum level requires some further explaination since the vacuum level is associated with the potential energy of the electrons outside the semiconductor. The electrons in the conduction band are negatively charged particles which therefore move in a direction which opposes the direction of the field.2. The total current due to the electrons in the valence band can therefore be written as: (f36) .

As illustrated by the above figure. q is the electronic charge and v is the electron velocity. but rather that the combined behavior of all the electrons which occupy states in the valence band is the same as that of positively charge particles associated with the unoccupied states. They move upward in the energy band diagram similar to air bubbles in a tube filled with water which is closed on each end. We call these particles holes. The sum is taken over all occupied or filled states in the valence band. However it can be dramatically simplified if only states close to the band edge need to be considered. or: (f37) The sum over all the states in the valence band has to equal zero since electrons in a completely filled band do not contribute to current. The reason the concept of holes simplifies the analysis is that the density of states function of a whole band can be rather complex. This last term therefore represents the sum taken over all the empty states in the valence band. This expression can be reformulated by first taking the sum over all the states in the valence band and subtracting the current due to the electrons which are actually missing in the valence band.where V is the volume of the semiconductor. while the remaining term can be written as: (f38) which states that the current is due to positively charged particles associated with the empty states in the valence band. the holes move in the direction of the field (since they are positively charged particles). Keep in mind that there is no real particle associated with a hole. .

The derivation starts from the basic notion that any possible distribution of particles over the available energy levels has the same probability as any other possible distribution. they are indistinguishable. Third. This assumption enables to approximate the factorial terms using the Stirling approximation. While the actual derivation belongs in a course on statistical thermodynamics it is of interest to understand the initial assumptions of such derivations and therefore also the applicability of the results. turns out to be a more meaningful physical variable than the total energy. namely the one associated with the average energy per particle in the distribution. Maxwellian particles can be distinguished from each other. Only one Fermion can occupy a given energy level (as described by a unique set of quantum numbers including spin). The number of bosons occupying the same energy levels is unlimited.Distribution functions 1. The derivation then yields the most probable distribution of particles by using the Lagrange method of indeterminate constants. one must acknowledge the different behavior of different particles. . one takes into account the fact that the total number of particles as well as the total energy of the system has a specific value. One of the Lagrange constants. This variable is called the Fermi energy. which can be distinguished from the first one. EF.e. Introduction The distribution or probability density functions describe the probability with which one can expect particles to occupy the available energy levels in a given system. Fermions and Bosons all "look alike" i. In addition. An essential assumption in the derivation is that one is dealing with a very large number of particles.

It would seem more acceptable that the distribution function does depend on the density of available states. A plot of the three distribution functions. . 2.4. the Maxwell-Boltzmann distribution and the Bose-Einstein distribution is shown in the figure below. The nature of these particles does not need to be described further as long as their number is indeed very large.distrib. where the Fermi energy was set equal to zero. The fact that the distribution function does not depend on the density of states is due to the assumption that a particular energy level is in thermal equilibrium with a large number of other particles. First of all the fact that a probability of occupancy can be obtained independent of whether a particular energy level exists or not. since it determines where particles can be in the first place.The resulting distributions do have some peculiar characteristics.xls .1 Occupancy probability versus energy of the Fermi-Dirac (red curve). the Bose-Einstein (green curve) and the Maxwell-Boltzman (blue curve) distribution. distrib. which are hard to explain. the Fermi-Dirac distribution. The independence of the density of states is very fortunate since it provides a single distribution function for a wide range of systems.gif Fig.

2.2 Six of the 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV. where the red dots represent the electrons: occdraw. There are 24 possible and different configurations.gif Fig. 2.5.5. which is 6 eV more than the minimum possible energy of this system. The Fermi-Dirac distribution reaches a maximum of 1 for energies which are a few kT below the Fermi energy. . An Example To better understand the general derivation without going through it.4. 4. while the Bose-Einstein distribution diverges at the Fermi energy and has no validity for energies below the Fermi energy.. 1. . 3. 2.5. we now consider a system with equidistant energy levels at 0.5.5. Six of those configurations are shown in the figure below. which satisfy these particular constraints.. This system contains 20 electrons and we arbitrarily set the total energy at 106 eV. The electrons are Fermions so that they are indistinguishable from each other and no more than two electrons (with opposite spin) can occupy a given energy level.5. 5. eV. which each can contain two electrons.All three distribution functions are almost equal for large energies (more than a few kT beyond the Fermi energy)..

1 All 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.gif .xls .800 K.A complete list of the 24 configurations is shown in the table below: fddist. A best fit was obtained using a Fermi energy of 9.gif Table 2. The agreement is surprisingly good considering the small size of this system.occprob. fddist.4. The average occupancy of each energy level as taken over all (and equally probable) 24 configurations is compared in the figure below to the expected FermiDirac distribution function.447 eV or T = 16.998 eV and kT = 1.xls .occtable.

is given by: (f18) This function is plotted in the figure below. The states with the lowest energy are filled first. they will fill the available states in an energy band just like water fills a bucket.4. At absolute zero temperature (T = 0 K). 3. 2.l and s. All such particles also happen to have a half-integer spin.998 eV. A unique characteristic of Fermions is that they obey the Pauli exclusion principle which states that only one Fermion can occupy a state which is defined by its set of quantum numbers n. No states above the Fermi level are filled. Electrons as well as holes have a spin 1/2 and obey the Pauli exclusion principle. the energy levels are all filled up to a maximum energy which we call the Fermi level.3 Probability versus energy averaged over the 24 possible configurations of the example (red squares) fitted with a Fermi-Dirac function (green curve) using kT = 1. followed by the next higher ones. At higher temperature one finds that the transition between completely filled states and completely empty states is gradual rather than abrupt. Fermions are by definition particles with half-integer spin (1/2. As these particles are added to an energy band. The definition of Fermions could therefore also be particles which obey the Pauli exclusion principle. 5/2 .447 eV and EF= 9.Fig.k. The Fermi-Dirac distribution function The Fermi-Dirac probability density function provides the probability that an energy level is occupied by a Fermion which is in thermal equilibrium with a large reservoir.. . 3/2.. The Fermi function which describes this behavior.).

the transition is more gradual at finite temperatures and more so at higher temperatures. while having two electrons with opposite spin occupy this one level is not allowed since this would leave a negatively charge atom which would have a different energy as the donor energy. 4. Impurity distribution functions The distribution function of impurities differs from the Fermi-Dirac distribution function although the particles involved are Fermions.gif Fig.fermi.4. 2. The difference is due to the fact that a filled donor energy level contains only one electron which can have either spin (spin up or spin down) . This yields a modified distribution function for donors as given by: . 300 K (blue curve) and 600 K (black curve).4 Fermi function at an ambient temperature of 150 K (red curve). It equals 1/2 if the energy equals the Fermi energy and decreases exponentially for energies which are a few times kT larger than the Fermi energy. While at T =0 K the Fermi function equals a step function. which are more than a few times kT below the Fermi energy.xls .fermi. The Fermi function has a value of one for energies.

which causes this factor to increase to 4 yielding: (f26) 5. one finds that most commonly used semiconductors have a two-fold degenerate valence band. while the doubly positive state is not allowed since this would require a different energy. The distribution function for acceptors differs also because of the different possible ways to occupy the acceptor level. the ionized acceptor still contains one electron which can have either spin.(f25) The main difference is the factor 1/2 in front of the exponential term. In addition. The neutral acceptor contains two electrons with opposite spin. This restriction would yield a factor of 2 in front of the exponential term. The Maxwell-Boltzmann distribution function (f28) . The Bose-Einstein distribution function (f27) 6.

Hanya dengan energi yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya. These and other related topics are discussed in the section on semiconductor thermodynamics. Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-).7. Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini. sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. An ideal electron gas is discussed in more detail as an example Semikonduktor Prinsip Dasar Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29. berada pada orbit paling luar. Disebut semi atau setengah konduktor. the difference between the total energy and heat. work and particle energy and the meaning of the Fermi energy. besi. Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian dalam membentuk inti yang disebut nucleus. karena bahan ini memang bukan konduktor murni. transistor dan sebuah IC (integrated circuit). ikatannya tidaklah terlalu kuat. Bahan.bahan logam seperti tembaga. Semiconductor thermodynamics In order to understand the carrier distribution functions one must be familiar with a variety of thermodynamic concepts. Karena hanya ada satu elektron dan jaraknya 'jauh' dari nucleus. These include thermal equilibrium. . Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi. timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa.

Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8 buah. dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron ini. Susunan Atom Semikonduktor Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si). Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada dibumi setelah oksigen (O2). kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur . Phenomena ini yang dinamakan sebagai arus listrik. Dapat ditebak. Jika diberi tegangan potensial listrik. elektron tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Germanium (Ge) dan Galium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. silikon menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Pasir. elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama. semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Namun belakangan.ikatan atom tembaga Pada suhu kamar. Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur yang atomnya memiliki 4 elektron valensi.

bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas. Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai. sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas. sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya.silikon. struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada gambar berikut. Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Pada suhu yang sangat rendah (0oK). . struktur dua dimensi kristal Silikon Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron. Struktur atom kristal silikon. Pada kondisi demikian. sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik. Pada suhu kamar.

Untuk mendapatkan silikon tipe-p. Hole . bahan dopingnya adalah bahan trivalen yaitu unsur dengan ion yang memiliki 3 elektron pada pita valensi. doping atom pentavalen Tipe-P Kalau silikon diberi doping Boron.Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen. Dengan doping. dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole). Tipe-N Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan elektron. Karena ion silikon memiliki 4 elektron. maka akan didapat semikonduktor tipe-p. Gallium atau Indium. Kenyataanya demikian. Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n. mereka memang iseng sekali dan jenius. yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron.

maka akan didapat sambungan P-N (p-n junction) yang dikenal sebagai dioda. Sama seperti resistor karbon. . Dioda PN Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan-pakai lem barangkali ya :).Pada pembuatannya memang material tipe P dan tipe N bukan disambung secara harpiah. Cara ini dipakai untuk membuat resistor di dalam sebuah komponen semikonduktor. melainkan dari satu bahan (monolitic) dengan memberi doping (impurity material) yang berbeda. semikonduktor memiliki resistansi.ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron. kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p. Dengan demikian. doping atom trivalen Resistansi Semikonduktor tipe-p atau tipe-n jika berdiri sendiri tidak lain adalah sebuah resistor. Namun besar resistansi yang bisa didapat kecil karena terbatas pada volume semikonduktor itu sendiri.

Dioda. elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N mengisi kekosongan elektron (hole) di sisi P. LED. forward bias Sebaliknya jika diberi tegangan balik (reverse bias). . dimana tegangan sisi P lebih besar dari sisi N. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor. Zener. karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN.sambungan p-n Jika diberi tegangan maju (forward bias). base dan kolektor. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P. Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus.

namun konsumsi dayanya sangat besar. transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio. Transistor ini disebut transistor bipolar. Bias DC Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda. disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). untuk mendapatkan kualitas suara yang baik. karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar. bi = 2 dan polar = kutup. .Base selalu berada di tengah. Sebab untuk dapat melepaskan elektron. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar. di antara emitor dan kolektor. Transistor npn dan pnp Akan dijelaskan kemudian. Dalam beberapa aplikasi. Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil.

Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik . elektron mengalir dari emiter menuju base. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis. karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. arus elektron transistor npn Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda. yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). aliran elektron bergerak menuju kutup ini. arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif. Seperti pada dioda.Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Misalnya tidak ada kolektor. junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reverse bias). Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor.

karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan. berikut adalah terminologi . maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan transistor. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus hole. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju (forward bias).(reverse bias). arus hole transistor pnp Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut. fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias seperti pada gambar berikut. arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. Dengan kata lain. elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah. melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar.Pada transistor PNP. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off).

parameter transistor. arus potensial IC : arus kolektor IB : arus base IE : arus emitor VC : tegangan kolektor VB : tegangan base VE : tegangan emitor VCC : tegangan pada kolektor VCE : tegangan jepit kolektor-emitor VEE : tegangan pada emitor VBE : tegangan jepit base-emitor ICBO : arus base-kolektor VCB : tegangan jepit kolektor-base Perlu diingat. penampang transistor bipolar . walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan kolektor. namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.

Kurva karakteristik statik dioda merupakan fungsi dari arus ID. Bila anoda berada pada .Bila arus dioda ID kita plotkan terhadap tegangan dioda Vab. emitor dibuat terlebih dahulu. arus yang melalui dioda. terhadap tegangan VD. kemudian base dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. yaitu mengubah VDD. beda tegang antara titik a dan b (lihat gambar 1 dan gambar 2) karakteristik statik dioda Karakteristik statik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab) dan arus yang melalui dioda.Dari satu bahan silikon (monolitic). Dapat diubah dengan dua cara. kita peroleh karakteristik statik dioda. yaitu ID. Terkadang dibuat juga efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah yang dikehendaki. dengan cara memasang dioda seri dengan sebuah catu daya dc dan sebuah resistor. DIODA Kita dapat menyelidiki karakteristik statik dioda.

dan memotong sumbu I pada harga (VDD/RL). maka harga arus ID dan VD dapat kita tentukan sebagai berikut. Ini ditunjukkan pada gambar 3. . Bila kita mempunyai karakteristik statik dioda dan kita tahu harga VDD dan RL. IS arus saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage. Garis ini disebut garis beban (load line). Titik potong antara karakteristik statik dengan garis beban memberikan harga tegangan dioda VD(q) dan arus dioda ID(q). Bila VD negatip disebut bias reserve atau bias mundur. Kita lihat bahwa garis beban memotong sumbu V dioda pada harga VDD yaitu bila arus I=0. Dari gambar 1.tegangan lebih tinggi daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan mendapat bias forward. Pada gambar 2 VC disebut cut-in-voltage. VDD = Vab + (I· RL) atau I = -(Vab/RL) + (VDD / RL) Bila hubungan di atas kita lukiskan pada karakteristik statik dioda kita akan mendapatkan garis lurus dengan kemiringan (1/RL). maka arus ID dan VD akan berubah pula. Bila harga VDD diubah.

Bila VDD<0 dan |VDD| < VPIV maka arus dioda yang mengalir adalah kecil sekali.Dengan mengubah harga VDD kita akan mendapatkan garis-garis beban sejajar seperti pada gambar 3. terutama pada elektron yang terletak pada kulit terluar dari atom logam (elektron valensi) tidak terlalu kuat dibandingkan yang terjadi pada bahan lainnya. Banyaknya elektron bebas pada logam disebabkan karena daya tarik ini atom logam terhadap elektron. yaitu arus saturasi IS. Emisi Electron Membahas mengenai cara kerja tabung tak akan karena bisa lepas dari Proses Emisi Electron sesungguhnya cara kerja tabung yang paling mendasar ialah proses emisi elektron dan pengendaliannya. Akan tetapi walaupun daya tarik tesebut tidak . Arus ini mempunyai harga kira-kira 1 µA untuk dioda silikon. Emisi elektron ialah proses pelepasan elektron dari permukaan suatu substansi atau material yang disebabkan karena elektron elektron tersebut mendapat energi dari luar. 1. Dalam realita yang ada proses emisi elektron cenderung terjadi pada logam dibandingkan pada bahan lainnya. Pengenalan vacuum Tube Pada bagian ini penulis bermaksud mengajak para rekan rekan tube mania untuk ngobrol mengenai prinsip kerja dari Tabung. hal ini disebabkan karena logam banyak memiliki elektron bebas yang selalu bergerak setiap saat.

Besarnya energi yang diperlukan oleh sebuah elektron untuk mengatasi daya tarik inti atom sehingga bisa melompat keluar dari permukaan logam. 3. Emisi Thermionic Emisi medan listrik Emisi Sekunder Emisi Fotolistrik (Thermionic emission) (Field emission) (Secondary emission) (Photovoltaic emission) 2. 2. Agar supaya elektron pada logam bisa melompat keluar melalui permukaan logam. 4. didefinisikan sebagai Fungsi Kerja (Work Function).Fungsi kerja biasanya dinyatakan dalam satuan eV (electron volt). besarnya fungsi kerja adalah berbeda untuk setiap logam. Pada situasi inilah akan terdapat elektron yang pada ahirnya terlepas keluar melalui permukaan bahan. maka diperlukanlah sejumlah energi untuk mengatasi daya tarik inti atom terhadap elektron. Pada proses emisi thermionic dan juga pada proses emisi lainnya. dengan semakin besarnya kenaikan energi kinetik dari elektron maka gerakan elektron menjadi semakin cepat dan semakin tidak menentu. sehingga terjadi proses emisi elektron. Proses penerimaan energi luar oleh elektron agar bisa beremisi dapat terjadi dengan beberapa cara.terlalu kuat. dan jenis proses penerimaan energi inilah yang membedakan proses emisi elektron yaitu : 1. masihlah cukup untuk menahan elektron agar tidak sampai lepas dari atom logam. Oleh elektron energi panas ini diubah menjadi energi kinetik. energi luar yang masuk ke bahan ialah dalam bentuk energi panas. Emisi Thermionic Pada emisi jenis ini. bahan yang digunakan sebagai asal ataupun sumber elektron disebut sebagai "emiter" . Semakin besar panas yang diterima oleh bahan maka akan semakin besar pula kenaikan energi kinetik yang terjadi pada elektron.

pada katoda jenis ini katoda selain sebagai sumber elektron juga dialiri oleh arus heater (pemanas). Katoda jenis ini tidak dialiri langsung oleh arus heater. Pada proses emisi thermionik bahan yang akan digunakan sebagai katoda harus memiliki sifat sifat yang memadai untuk berperan dalam proses yaitu : a.atau lebih sering disebut "katoda" (cathode). Dalam konteks tabung hampa (vacuum tube) anoda lebih sering disebut sebagai "plate". dengan fungsi kerja yang rendah maka energi yang dibutuhkan . Memiliki fungsi kerja yang rendah. disingkat DHC) b) Katoda panas tak langsung (Indirect Heated Cathode. disingkat IHC) Pada Figure 2 dapat dilihat struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari DHC. panas yang dibutuhkan untuk memanasi katoda dihasilkan oleh heater element (elemen pemanas) dan panas ini dialirkan secara konduksi dari heater elemen ke katoda dengan perantaraan insulasi listrik. yaitu bahan yang baik dalam menghantarkan panas tetapi tidak mengalirkan arus listrik. Struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari IHC dapat dilihat pada Figure 3. Dalam proses emisi thermionik dikenal dua macam jenis katoda yaitu : a) Katoda panas langsung (Direct Heated Cathode. sedangkan bahan yang menerima elektron disebut sebagai anoda.

yaitu : 3. b. Pada proses emisi thermionic katoda harus dipanaskan pada suhu yang cukup tinggi untuk memungkinkan terjadinya lompatan elektron. Memiliki titik lebur (melting point) yang tinggi. Pada aplikasi yang sesungguhnya ada tiga jenis material yang digunakan untuk membuat katoda. Tungsten Material ini adalah material yang pertama kali digunakan orang untuk membuat katode. sehingga tungsten banyak digunakan untuk aplikasi khas yaitu tabung X-Ray yang bekerja pada tegangan sekitar 5000V dan temperature tinggi.untuk menarik elektron menjadi lebih kecil sehingga proses emisi lebih mudah terjadi. sehingga agar supaya katoda tidak mengalami deformasi maka bahan dari katoda harus memiliki mechanical strenght yang tinggi. Tungsten memiliki dua kelebihan untuk digunakan sebagai katoda yaitu memiliki ketahanan mekanik dan juga titik lebur yang tinggi (sekitar 3400 derajat Celcius). dan suhu ini bisa mencapaai 1500 derajat celcius. Lompatan ion positif tersebut oleh katoda akan dirasakan sebagai benturan. C. Memiliki ketahanan mekanik (mechanical strenght) yang tinggi Pada saat terjadinya emisi maka terjadi pula lompatan ion positif dari plate menuju ke katoda. Akan tetapi untuk aplikasi yang umum terutama untuk aplikasi Tabung Audio dimana tegangan kerja dan temperature .

Katoda berlapis oksida (Oxide-Coated Cathode) Katoda tipe ini terbuat dari lempengan nickel yang dilapis dengan barium dan oksida strontium. 5. 5.52 eV) dan juga temperature kerja optimal yang cukup tinggi (sekitar 2200 derajat celcius) 4.4 eV. Thorium adalah material yang secara individual memiliki fungsi kerja 3. hal ini disebabkan karena tungsten memiliki fungsi kerja yang tinggi( 4. campuran antara thorium dan tungsten memiliki fungsi kerja 2. Emisi Medan Listrik (Field Emission) Pada emisi jenis ini yang menjadi penyebab lepasnya elektron dari . Thoriated Tungsten Material ini ialah campuran antara tungsten dan thorium. Sebagai hasil dari pelapisan tersebut maka dihasilkanlah katoda yang memiliki fungsi kerja yang dan temperature kerja optimal rendah yaitu sekitar 750 derajat celsius.63eV. yaitu suatu nilai fungsi kerja yang lebih rendah dibandingan dengan fungsi kerja tungsten ataupun thorium dalam keadaan tidak dicampur. Katoda jenis ini umumnya digunakan untuk aplikasi yang menggunakan tegangan tidak lebih dari 1000 V.tidak terlalu tinggi maka tungsten bukan material yang ideal. Selain itu hasil pencampuran kedua logam tersebut memiliki temperature kerja optimal yang lebih rendah daripada tungsten yaitu 1700 derajat celcius hal ini berarti besarnya energi yang dibutuhkan untuk pemanasan pada aplikasi pemakaian logam campuran ini juga lebih rendah.

Pada katoda yang digunakan pada proses emisi ini dikenakan medan listrik yang cukup besar sehingga tarikan yang terjadi dari medan listrik pada elektron menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk lompat keluar dari permukaan katoda. 6. Emisi Sekunder ( Secondary emission) Pada emisi sekunder ini energi yang menjadi penyebab lepasnya elektron datang dalam bentuk energi mekanik yaitu energi yang diberikan dalam proses tumbukan antara elektron luar yang datang dengan elektron yang ada pada katoda. Emisi medan listrik adalah salah satu emisi utama yang terjadi pada vacuum tube selain emisi thermionic. Dukungan proses emisi medan listrik dibutuhkan pada proses emisi sekunder.bahan ialah adanya gaya tarik medan listrik luar yang diberikan pada bahan. Pada proses tumbukan terjadi pemindahan sebagian energi kinetik dari elektron yang datang ke elektron yang ada pada katoda sehingga elektron yang ada pada katoda tersebut terpental keluar dari permukaan katoda. karena walaupun elektron sudah terpental keluar dari permukaan katoda akan tetapi energi yang dimiliki oleh elektron ini seringkali tidak cukup untuk . Pada kenyataannya proses emisi sekunder tidak dapat berlangsung sukses dengan sendirinya untuk melepaskan elektron dari permukaan akan tetapi proses emisi ini masih membutuhkan dukungan dari emisi jenis lainnya secara bersamaan yaitu emisi medan listrik.

Trioda . Yang dimaksud dengan vacuum tube ialah peralatan elektronik dimana aliran elektron terjadi pada ruang hampa. hal ini disebabkan karena energi yang didapat oleh elektron dari foton belum cukup untuk membuat elektron tersebut mampu menjangkau anoda. Emisi Fotolistrik (Photo Electric Emission) Pada emisi fotolistrik energi diberikan ke elektron pada katoda melalui foton yaitu paket paket energi cahaya. Sama seperti proses emisi sekunder emisi fotolistrik juga tidak dapat berjalan dengan sempurna tanpa bantuan proses emisi medan listrik. yang oleh elektron kemudian diubah menjadi energi mekanik sehingga elektron tersebut dapat terlepas dari permukaan katoda.menjangkau anoda sehingga dibutuhkanlah dukungan energi dari proses emisi medan listrik.Dioda . Ada beberapa jenis vacuum tube yang umum digunakan yaitu . 7. Sampai pada bagian ini kita baru saja meyelesaikan obrolan kita mengenai emisi electron dan sekarang obrolan akan kita lanjutkan ke pembahasan mengenai vacuum tube dan cara kerjanya.

1986” Dioda Hubungan Hubungan p-n Lihat gambar diatas i. Bandung: Penerbit ITB.Pentoda REFERENSI “Elektronika : teori dasar dan penerapannya”.Tetroda . rapat pencampuran akseptor atau donor dalam semikondktor tetap sampai mencapai hubungan. Dalam hubungan berangsur-linier. Pencampuran dengan pemanasan pada temperature tinggi dlm waktu singkat. hubungan berangsur-linier Hubungan berangsur-tangga. jilid 1. Terbentuk dg menarik kristal tunggal dari lelehan germanium yang pd saat dimulai proses sudah berisi pencampuran dari satu jenis.. rapat pencampuran berubah secara linier menurut jarak menjauh dari hubungan. hubungan berangsur-tangga atau ii. Hubungan p-n tanpa catu .

. Karena ada medan halangan lewat hubungan. Medan ini diarahkan dari sisi n ke sisi p dan dinamakan medan halangan. Daerah P terdiri dari elektron sbg pembawa minoritas dan daerah n berisi lubang sebagai pembawa minoritas. Hubungan akan mengalir arus besar. Krn itu gerakan pembawa minoritas membentuk aliran arus. Potensial halangan ekivalen VB diberikan oleh Eb=eVB berdasarkan energi halangan tergantung pada lebar daerah tidak tercakup. Medan halangan berperan sehingga elektron dari sisi p dan lubang dari sisi n dg mudah melewati hubungan. Tebal daerah kosong sekitar 0. perpindahan elektron dari sisi n ke sisi p memerlukan sejumlah energi yang dinamakan energi halangan (barrier) (Eb).Lihat gambar atas Elektron berdifusi lewat hubungan ke kiri dan lobang-lobang berdifusi ke kanan. Medan ini melawan gerakan difusi elektron dan lubang lewat hubungan. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu maju (forward biased). Jumlah energinya sama kalau lobang dari daerah p berpindah ke daerah n. mereka dinama muatan tidak tercakup. Diagram pita energi dari hubungan p-n tanpa dicatu.5 mikrometer. yang menghasilkan medan listrik lewat hubungan. Setelah melewati hubungan mereka bergabung dg membiarkan ion-ion tidak bergerak disekelilingnya tidak ternetralkan. lihat gambar bawah. Hubungan p-n yang dicatu Jika + batere dihub ke sisi jenis p dan – batere ke sisi jenis n.

Sifat-sifat diatas cocok untuk penyearahan. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu balik (reverse biased). Penyearah adalah suatu rangkaian yang berfungsi untuk mengubah tegangan bolak-balik menjadi tegangan searah.Jika dibalik +batere ke sisi n dan –batere ke sisi p. Akibatnya lebar muatan tidak tercakup berkurang dan halangan berkurang. Hubungan akan mengalir arus kecil. yakni energi halangannya. Penyearah dengan dioda mengikuti sifat dioda yang akan menghantar pada satu arah dengan drop tegangan yang kecil yaitu sebesar 0.gambar samping kiri. Gaya ini mengakibatkan lubang dan electron bergerak menuju hubungan. PENYEARAH 1. Pendahuluan Penggunaan dioda yang paling umum adalah sebagai penyearah . Ada dua type rangkaian penyearah dengan menggunakan dioda yaitu penyearah gelombang penuh dan penyearah setengah gelombang yang mana kedua rangkaian tersebut akan diuji pada praktikum .7 volt. Hubungan p-n dicatu maju Gambar lihat samping kanan Tegangan catu maju mengakibatkan gaya pada lubang di sisi jenis p dan pada electron di sisi jenis n.

(T / C) Dimana Idc dalam hal ini adalah tegangan keluaran dibagi dengan R beban.2 dimana arus dari keluaran rangkaian penyearah selain akan melewati beban juga akan mengisi kapasitor sehingga pada saat tegangan hasil penyearahan mengalami penurunan maka kapasitor akan membuang muatannya kebeban dan tegangan beban akan tertahan sebelum mencapai nol.2. Penyearah Setengah Gelombang A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 2. T adalah periode . Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan Untuk mendapatkan suatu tegangan DC yang baik dimana bentuk tegangan hasil penyearahan adalah mendekati garis lurus maka tegangan keluaran dari suatu rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar 1.1 dihubungkan dengan suatu kapasitor secara paralel terhadap beban seperti pada gambar 1.1. Hal ini dapat dijelaskan pada gambar berikut: Hasil penyearahan yang tidak ideal akan mengakibatkan adanya ripple seperti terlihat pada gambar diatas dimana tegangan ripple yang dihasilkan dapat ditentukan oleh persamaan berikut : Ripple (peak to peak) = Idc .

1. Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - .tegangan ripple (detik) dan C adalah nilai kapasitor (Farad) yang digunakan. Penyearah Gelombang Penuh 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 3. A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - 3.

Pada arah maju dioda zener berperilaku seperti dioda biasa.1 dimana bentuk simbol tersebut menyerupai dioda biasa kecuali garis melintang pada kepala panah yang digunakan untuk menyatakan sudut karakteristik balik. A K 2. Akan tetapi dioda Zener justru adalah suatu dioda yang dirancang untuk bisa melakukan arus balik dengan aman dan dengan drop tegangan hanya beberapa volt saja. Simbol dioda zener adalah seperti pada gambar 2. Hal ini tidak ditunjukkan sebelumnya karena biasanya akan merusak dioda. Pendahuluan Sebagian dioda semikonduktor bila dihubungkan dengan suatu tegangan balik yang cukup akan melakukan suatu arus balik. Karakteristik maju dioda Zener + A 100 Ohm + Supply DC Variabel Zener 12V V V - Voltmeter .DIODA ZENER 1.

d. semi konduktor murni 4. efek hall. 8. pengaruh temperatur pada semikonduktor 7. dioda dan hubungan-hubungannya 9. semikonduktor tidak murni 6. Karakteristik balik dioda Zener Reverse Current (mA) 60 +10V Zener Current 50 40 I 30 Resistor for zener dioda 20 10 V V 5 10 15 Reverse Voltage (b) 0V (a) (c) Tugas perorangan: Buat resume tentang 1. Silahkan ambil dari referensi mana saja dan media apa saja. isolator. konduktor. konsep elektron. . Tolong diketik yang rapi dan menarik dijilid.3. s. hubungan p-n yang dicatu. pita energi. 2. atom. rekombinasi 5. semikonduktor 3.

Transistor The transistor. The doping results in a material that either adds extra electrons to the material (which is then called N-type for the extra negative charge carriers) or creates "holes" in the material's crystal structure (which is then called P-type because it results in more positive charge carriers). A semiconductor is a material such as germanium and silicon that conducts electricity in a "semi-enthusiastic" way. CMOS uses two complementary transistors per gate (one with N-type material. invented by three scientists at the Bell Laboratories in 1947. The transistor's three-layer structure contains an N-type semiconductor layer sandwiched between P-type layers (a PNP configuration) or a Ptype layer between N-type layers (an NPN configuration). It's somewhere between a real conductor such as copper and an insulator (like the plastic wrapped around wires). opening and closing an electronic gate many times per second. rapid change in the current passing through the entire component. each capable of carrying a current. Today's computers use circuitry made with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. A small change in the current or voltage at the inner semiconductor layer (which acts as the control electrode) produces a large. The semiconductor material is given special properties by a chemical process called doping. rapidly replaced the vacuum tube as an electronic signal regulator. A transistor regulates current or voltage flow and acts as a switch or gate for electronic signals. the . A transistor consists of three layers of a semiconductor material. The component can thus act as a switch.

stabilisasi tegangan. Rangkaian analog melingkupi . which consist of very large numbers of transistors interconnected with circuitry and baked into a single silicon microchip or "chip. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik. dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET).other with P-type material). Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. transistor memiliki 3 terminal. memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya." Jenis Transistor Berbagai macam Transistor (Dibandingkan dengan pita ukur centimeter) Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat. When one transistor is maintaining a logic state. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistors are the basic elements in integrated circuits (ICs). Pada umumnya. transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Dalam rangkaian analog. pemotong (switching). modulasi sinyal atau fungsi lainnya. it requires almost no power.

Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi. air murni dianggap sebagai isolator. konduksi arus akan mulai mengalir. dan penguat sinyal radio. ion) terbentuk. Dalam kasus ini. keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. Dalam rangkaian-rangkaian digital. karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers. Sehingga. namun jika sedikit pencemar ditambahkan. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator. karena . dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon. misalkan sebuah gelas berisi air murni. sedangkan Silikon hanya 4. transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya. karena pembawa muatanya tidak bebas. Garam dapur sendiri adalah nonkonduktor (isolator). Cara Kerja Semikonduktor Pada dasarnya. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). namun tidak banyak. tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). memori. seperti Arsenik. dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen). sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif.pengeras suara. transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. sumber listrik stabil. dan komponen-komponen lainnya. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate. Arsenik akan bebas dan hasilnya memberikan elektron memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. dengan sebuah proses yang dinamakan doping.

Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil. Dalam sebuah metal. pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. pembawa muatan positif). asalkan tata-letak kristal Silikon tetap dipertahankan. karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi. akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipen dibuat dalam satu keping Silikon. daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. pembawapembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n). Silikon dapat dicampur dengn Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Dalam tabung hampa. satu . sehingga tanpa adanya gaya yang lain. Karena itu. Selain dari itu. dalam ukuran satu berbanding seratus juta. pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. Dalam sebuah transistor bipolar. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya.pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). dinamakan "lubang" (hole. pembawa muatan yang baru.

dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Dalam metal. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas . Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik. Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan. bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET). jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. yang masing-masing bekerja secara berbeda. pada awalnya ada dua tipe dasar transistor. sedangkan metal tidak. Sedangkan dalam semikonduktor. sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Dengan kata lain. oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Dalam metal. listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan). Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan. bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon. untuk merubah metal menjadi isolator. Namun.pembawa muatan untuk setiap atom. tegangan ini sangat tinggi. dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Cara Kerja Transistor Dari banyak tipe-tipe transistor modern. Untuk membuat transistor. listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator. seperti fluida. pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. yaitu elektron atau lubang.

Dalam BJT. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. Jenis-Jenis Transistor Pchannel PNP NPN Nchannel BJT JFET Simbol Transistor dari Berbagai Tipe Secara umum. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori: . FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole. dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut. Dalam FET. arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone.pembawa muatan: elektron dan lubang. Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan. tergantung dari tipe FET). arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). untuk merubah ketebalan kanal konduksi tersebut. untuk membawa arus listrik.

Berbeda dengan IGFET. JFET. Tegangan Tinggi. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Audio. High Power Maximum frekwensi kerja: Low. Medium Power. sehingga ada tiga terminal. dan lain-lain Tipe: UJT.• • • • • • • Materi semikonduktor: Germanium. IGBT. IC. dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel. IGFET (MOSFET). VMOSFET. Saklar. Microwave. HBT. Surface Mount. Silikon. dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. HEMT. PNP atau Pchannel Maximum kapasitas daya: Low Power. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau hFE. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. MISFET. Through Hole Plastic. kolektor (C). terminal gate dalam JFET membentuk sebuah . Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. MESFET. General Purpose. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). dan basis (B). atau High Frequency. RF transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet. Medium. BJT.

dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. keduanya memiliki impedansi input tinggi. Secara fungsinya. Untuk P-channel FET. polaritas-polaritas semua dibalik. Untuk kedua mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. jika tegangan gate dibuat lebih positif. yang juga membentuk sebuah dioda antara antara grid dan katode.dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Operational Amplifier Karakteristik Op-Amp . gate adalah positif. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode. ini membuat Nchannel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. sedangkan dalam enhancement mode. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode". Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode. Dan juga. dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode. aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. gate adalah negatif dibandingkan dengan source.

dimana tegangan output-nya adalah proporsional terhadap perbedaan tegangan antara kedua inputnya itu. penguat audio. dalam sekejap (atau dua kejap) sebuah pre-amp audio kelas B sudah dapat jadi dirangkai di atas sebuah proto-board. histeresis pengatur suhu. Penguat diferensial Op-amp dinamakan juga dengan penguat diferensial (differential amplifier). filter aktif semisal tapis nada bass. op-amp adalah komponen IC yang memiliki 2 input tegangan dan 1 output tegangan. Penguat diferensial seperti yang ditunjukkan pada gambar-1 merupakan rangkaian dasar dari sebuah opamp. konverter sinyal. mixer. . pembangkit sinyal. komparator dan sederet aplikasi lainnya. integrator. selalu pilihan yang mudah adalah dengan membolak-balik data komponen yang bernama opamp. osilator.kalau perlu mendesain sinyal level meter. Hanya dengan menambah beberapa resitor dan potensiometer. penguat mic. Komponen elektronika analog dalam kemasan IC (integrated circuits) ini memang adalah komponen serbaguna dan dipakai pada banyak aplikasi hingga sekarang. differensiator. Sesuai dengan istilah ini.

Titik input v1 dikatakan sebagai input non-iverting. yang pertama adalah penguat diferensial. Sedangkan sebaliknya titik v2 dikatakan input inverting sebab berlawanan phasa dengan tengangan vout. sebab tegangan vout satu phase dengan v1. lalu ada tahap penguatan (gain). Gambar-2(a) berikut menunjukkan diagram dari op-amp yang terdiri dari beberapa bagian tersebut. selanjutnya ada rangkaian penggeser level (level shifter) dan kemudian penguat akhir yang biasanya dibuat dengan penguat push-pull kelas B. Diagram Op-amp Op-amp di dalamnya terdiri dari beberapa bagian. gambar-2 (a) : Diagram blok Op-Amp .gambar-1 : penguat diferensial Pada rangkaian yang demikian. persamaan pada titik Vout adalah Vout = A(v1-v2) dengan A adalah nilai penguatan dari penguat diferensial ini.

Untuk tipe yang sama. tiap pabrikan mengeluarkan seri IC dengan insial atau nama yang berbeda. non-inverting (+) dan input inverting (-). Rout adalah resistansi output dan besar resistansi idealnya 0 (nol). Tergantung dari teknologi pembuatan dan desain IC-nya. SN741 dari Texas Instrument dan lain sebagainya. LM741 buatan National Semiconductor. Umumnya op-amp bekerja dengan dual supply (+Vcc dan –Vee) namun banyak juga op-amp dibuat dengan single supply (Vcc – ground). Op-amp standard type 741 dalam kemasan IC DIP 8 pin sudah dibuat sejak tahun 1960-an. karakteristik satu op-amp dapat berbeda dengan opamp lain. Saat ini banyak terdapat tipe-tipe op-amp dengan karakterisktik yang spesifik. Rin adalah resitansi input yang nilai idealnya infinit (tak terhingga). Misalnya dikenal MC1741 dari motorola. Tabel-1 menunjukkan beberapa parameter op-amp yang penting beserta nilai idealnya dan juga contoh real dari parameter LM714. Simbol rangkaian di dalam op-amp pada gambar-2(b) adalah parameter umum dari sebuah op-amp.gambar-2 (b) : Diagram schematic simbol Op-Amp Simbol op-amp adalah seperti pada gambar-2(b) dengan 2 input. . Sedangkan AOL adalah nilai penguatan open loop dan nilai idealnya tak terhingga.

Parameter AOL biasanya adalah penguatan op-amp pada sinyal DC. Ini berarti penguatan op-amp akan menjadi 1 kali pada frekuensi 1 MHz. Unity-gain frequency Op-amp ideal mestinya bisa bekerja pada frekuensi berapa saja mulai dari sinyal dc sampai frekuensi giga Herzt. Input diferensial yang amat kecil saja sudah dapat membuat outputnya menjadi saturasi. Op-amp LM741 misalnya memiliki unity-gain frequency sebesar 1 MHz.000 kali. Sebenarnya dengan penguatan yang sebesar ini.tabel-1 : parameter op-amp yang penting Penguatan Open-loop Op-amp idealnya memiliki penguatan open-loop (AOL) yang tak terhingga. Namun pada prakteknya opamp semisal LM741 memiliki penguatan yang terhingga kira-kira 100. Jika perlu merancang . Response penguatan op-amp menurun seiring dengan menaiknya frekuenci sinyal input. Parameter unity-gain frequency menjadi penting jika op-amp digunakan untuk aplikasi dengan frekuensi tertentu. Pada bab berikutnya akan dibahas bagaimana umpan balik bisa membuat sistem penguatan op-amp menjadi stabil. sistem penguatan opamp menjadi tidak stabil.

CMRR didefenisikan dengan rumus CMRR = ADM/ACM yang dinyatakan dengan satuan dB. Karena ketidak-idealan op-amp. Slew rate Di dalam op-amp kadang ditambahkan beberapa kapasitor untuk kompensasi dan mereduksi noise. Parameter ini cukup penting untuk menunjukkan kinerja op-amp tersebut. ini artinya penguatan ADM (differential mode) adalah kira-kira 30. Contohnya op-amp dengan CMRR = 90 dB. Ini berarti perubahan output op-amp LM741 tidak bisa lebih cepat dari 0. Sehingga jika input berupa sinyal kotak. Kalau . maka artinya perbandingannya kira-kira hanya 30 kali. maka sinyal output dapat berbentuk ekponensial. op-amp LM741 memiliki slew-rate sebesar 0.5 volt dalam waktu 1 us. maka pilihlah op-amp yang memiliki unity-gain frequency lebih tinggi. Parameter CMRR Ada satu parameter yang dinamakan CMRR (Commom Mode Rejection Ratio). Kalau CMRR-nya 30 dB. maka outputnya juga kotak. Op-amp ideal memiliki parameter slew-rate yang tak terhingga. Sebagai contoh praktis. Tetapi karena ketidak idealan op-amp.000 kali dibandingkan penguatan ACM (commom mode). Op-amp dasarnya adalah penguat diferensial dan mestinya tegangan input yang dikuatkan hanyalah selisih tegangan antara input v1 (non-inverting) dengan input v2 (inverting). Parameter CMRR diartikan sebagai kemampuan op-amp untuk menekan penguatan tegangan ini (common mode) sekecilkecilnya.5V/us. maka tegangan persamaan dari kedua input ini ikut juga dikuatkan.aplikasi pada frekeunsi tinggi. Namun kapasitor ini menimbulkan kerugian yang menyebabkan response op-amp terhadap sinyal input menjadi lambat.

open colector output. Contoh lain misalnya TL072 dan keluarganya sering digunakan untuk penguat audio. Aplikasi op-amp popular yang paling sering dibuat antara lain adalah rangkaian inverter. Analisa Rangkaian Op-Amp Popular Operational Amplifier atau di singkat op-amp merupakan salah satu komponen analog yang popular digunakan dalam berbagai aplikasi rangkaian elektronika.05 volt dan tegangan v2 = 5 volt. Dengan kata lain. current limmiter. Data karakteristik op-amp yang lengkap. maka dalam hal ini tegangan diferensialnya (differential mode) = 0. Ada juga op-amp untuk aplikasi khusus seperti aplikasi frekuesi tinggi. Saat ini banyak op-amp yang dilengkapi dengan kemampuan seperti current sensing. Di pasaran ada banyak tipe op-amp. Tipe lain seperti LM139/239/339 adalah opamp yang sering dipakai sebagai komparator. Pada pokok bahasan kali ini akan dipaparkan beberapa aplikasi opamp yang paling dasar. LM714 termasuk jenis op-amp yang sering digunakan dan banyak dijumpai dipasaran. Pembaca dapat mengerti dengan CMRR yang makin besar maka op-amp diharapkan akan dapat menekan penguatan sinyal yang tidak diinginkan (common mode) sekecil-kecilnya.diaplikasikan secara real. op-amp dengan CMRR yang semakin besar akan semakin baik. rangkaian kompensasi temperatur dan lainnya. Cara yang paling baik pada saat mendesain aplikasi dengan op-amp adalah dengan melihat dulu karakteristik opamp tersebut. high power output dan lain sebagainya. integrator dan differensiator. non-inverter. maka output op-amp mestinya nol. Jika kedua pin input dihubung singkat dan diberi tegangan. ya ada di datasheet. dimana rangkaian feedback .05 volt dan tegangan persamaan-nya (common mode) adalah 5 volt. misalkan tegangan input v1 = 5.

Sebagai perbandingan praktis. Op-amp ideal memiliki open loop gain (penguatan loop terbuka) yang tak terhingga besarnya. umpanbalik positif akan menghasilkan osilasi sedangkan umpanbalik negatif menghasilkan penguatan yang dapat terukur. . Secara umum.adalah nol (v+ . sehingga mestinya arus input pada tiap masukannya adalah 0. Disinilah peran rangkaian negative feedback (umpanbalik negatif) diperlukan. dan penguatannya menjadi tidak terukur (infinite). Ada dua aturan penting dalam melakukan analisa rangkaian op-amp berdasarkan karakteristik op-amp ideal.(umpan balik) negatif memegang peranan penting. Aturan ini dalam beberapa literatur dinamakan golden rule. Penguatan yang sebesar ini membuat opamp menjadi tidak stabil.) Aturan 2 : Arus pada input Op-amp adalah nol (i+ = i= 0) Inilah dua aturan penting op-amp ideal yang digunakan untuk menganalisa rangkaian op-amp.= 0 atau v+ = v. Input (masukan) op-amp seperti yang telah dimaklumi ada yang dinamakan input inverting dan non-inverting. op-amp LM741 memiliki impedansi input Zin = 106 Ohm. Seperti misalnya op-amp LM741 yang sering digunakan oleh banyak praktisi elektronika. Op-amp ideal Op-amp pada dasarnya adalah sebuah differential amplifier (penguat diferensial) yang memiliki dua masukan. yaitu : Aturan 1 : Perbedaan tegangan antara input v+ dan v.v. Impedasi input op-amp ideal mestinya adalah tak terhingga. memiliki karakteristik tipikal open loop gain sebesar 104 ~ 105. sehingga op-amp dapat dirangkai menjadi aplikasi dengan nilai penguatan yang terukur (finite). Nilai impedansi ini masih relatif sangat besar sehingga arus input op-amp LM741 mestinya sangat kecil.

di ketahui bahwa : iin + iout = i. Kemudian dengan menggunakan aturan 2.. Pada rangkaian ini. arus masukan op-amp adalah 0.= vin dan tegangan jepit pada reistor R2 adalah vout – v.pada rangkaian ini dinamakan virtual ground. input opamp v. dapat dihitung tegangan jepit pada R1 adalah vin – v. Karena nilainya = 0 namun tidak terhubung langsung ke ground.R2/R1 . iin + iout = vin/R1 + vout/R2 = 0 Selanjutnya vout/R2 = ..= 0. Seperti tersirat pada namanya. pembaca tentu sudah menduga bahwa fase keluaran dari penguat inverting ini akan selalu berbalikan dengan inputnya. karena menurut aturan 2. atau v+ = 0.= vout. maka akan dipenuhi v.= v+ = 0. umpanbalik negatif di bangun melalui resistor R2. gambar 1 : penguat inverter Input non-inverting pada rangkaian ini dihubungkan ke ground.. atau vout/vin = . dimana sinyal masukannya dibuat melalui input inverting. Dengan fakta ini.Inverting amplifier Rangkaian dasar penguat inverting adalah seperti yang ditunjukkan pada gambar . Dengan mengingat dan menimbang aturan 1 (lihat aturan 1).

Untuk menganalisa rangkaian penguat op-amp non inverting. Karena input inverting (-) pada rangkaian ini diketahui adalah 0 (virtual ground) maka impendasi rangkaian ini tentu saja adalah Zin = R1. gambar 2 : penguat non-inverter .Jika penguatan G didefenisikan sebagai perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan. Non-Inverting amplifier Prinsip utama rangkaian penguat non-inverting adalah seperti yang diperlihatkan pada gambar 2 berikut ini. penguat ini memiliki masukan yang dibuat melalui input non-inverting. Seperti namanya. Dengan demikian tegangan keluaran rangkaian ini akan satu fasa dengan tegangan inputnya. caranya sama seperti menganalisa rangkaian inverting. maka dapat ditulis …(1) Impedansi rangkaian inverting didefenisikan sebagai impedansi input dari sinyal masukan terhadap ground.

LM741 diketahui memiliki impedansi input Zin = 108 to 1012 Ohm. kita uraikan dulu beberapa fakta yang ada. lihat aturan 1. atau iout = (vout-vin)/R2.Dengan menggunakan aturan 1 dan aturan 2. yang berarti arus iR1 = vin/R1. misalnya rangkaian penapis (filter). antara lain : vin = v+ v+ = v. Rangkaian dasar sebuah integrator adalah rangkaian op-amp inverting. Salah satu contohnya adalah rangkaian integrator seperti yang ditunjukkan pada gambar 3. maka didapat penguatan op-amp non-inverting : … (2) Impendasi untuk rangkaian Op-amp non inverting adalah impedansi dari input non-inverting op-amp tersebut..= vout – vin.. maka diperoleh iout = iR1 dan Jika ditulis dengan tegangan jepit masing-masing maka diperoleh (vout – vin)/R2 = vin/R1 yang kemudian dapat disederhanakan menjadi : vout = vin (1 + R2/R1) Jika penguatan G adalah perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan. Integrator Opamp bisa juga digunakan untuk membuat rangkaian-rangkaian dengan respons frekuensi. Lalu tegangan jepit pada R1 adalah v. Dari datasheet. Dari sini ketahui tegangan jepit pada R2 adalah vout – v. Hukum kirchkof pada titik input inverting merupakan fakta yang mengatakan bahwa : iout + i(-) = iR1 Aturan 2 mengatakan bahwa i(-) = 0 dan jika disubsitusi ke rumus yang sebelumnya..= vin .. hanya .= vin.

Dengan menggunakan 2 aturan opamp (golden rule) maka pada titik inverting akan didapat hubungan matematis : iin = (vin – v-)/R = vin/R . rangkaian yang demikian dinamakan juga rangkaian Miller Integral. atau dengan kata lain . Aplikasi yang paling populer menggunakan rangkaian integrator adalah rangkaian pembangkit sinyal segitiga dari inputnya yang berupa sinyal kotak. akan diperoleh persamaan : iin = iout = vin/R = -C dvout/dt.= 0 (aturan1) iout = -C d(vout – v-)/dt = -C dvout/dt. v. karena secara matematis tegangan keluaran rangkaian ini merupakan fungsi integral dari tegangan input. Prinsipnya sama dengan menganalisa rangkaian opamp inverting. bukan gambar 3 : integrator Mari kita coba menganalisa rangkaian ini. dimana v. (aturan 2) Maka jika disubtisusi.. Sesuai dengan nama penemunya.= 0 iin = iout ..saja rangkaian umpanbaliknya (feedback) resistor melainkan menggunakan capasitor C.(3) Dari sinilah nama rangkaian ini diambil. .

dimana f = 1/t dan …(4) penguatan integrator disederhanakan dengan rumus tersebut dapat …(5) Sebenarnya rumus ini dapat diperoleh dengan cara lain. kapasitor akan berupa saklar terbuka. Nilai resistor feedback sebesar 10R akan selalu menjamin .Dengan analisa rangkaian integral serta notasi Fourier.R2/R1. Ketika inputnya berupa sinyal dc (frekuensi = 0). Terlihat dari rumus tersebut secara matematis. rangkain integrator ini merupakan dasar dari low pass filter. yaitu dengan mengingat rumus dasar penguatan opamp inverting G = . Jika tanpa resistor feedback seketika itu juga outputnya akan saturasi sebab rangkaian umpanbalik op-amp menjadi open loop (penguatan open loop opamp ideal tidak berhingga atau sangat besar). Pada rangkaian integrator (gambar 3) tersebut diketahui Dengan demikian dapat diperoleh penguatan integrator tersebut seperti persamaan (5) atau agar terlihat respons frekuensinya dapat juga ditulis dengan …(6) Karena respons frekuensinya yang demikian. rangkaian feedback integrator mesti diparalel dengan sebuah resistor dengan nilai misalnya 10 kali nilai R atau satu besaran tertentu yang diinginkan. penguatan akan semakin kecil (meredam) jika frekuensi sinyal input semakin besar. Pada prakteknya.

gambar 4 : differensiator Bentuk rangkain differensiator adalah mirip dengan rangkaian inverting. Sehingga jika berangkat dari rumus penguat inverting dan pada rangkaian differensiator diketahui : G = -R2/R1 . akan diperoleh persamaan penguatannya : …(7) Rumus ini secara matematis menunjukkan bahwa tegangan keluaran vout pada rangkaian ini adalah differensiasi dari tegangan input vin. Contoh praktis dari hubungan matematis ini adalah jika tegangan input berupa sinyal segitiga. maka outputnya akan mengahasilkan sinyal kotak. Dengan analisa yang sama seperti rangkaian integrator. maka akan diperoleh rangkaian differensiator seperti pada gambar 4. Differensiator Kalau komponen C pada rangkaian penguat inverting di tempatkan di depan.output offset voltage (offset tegangan keluaran) sebesar 10x sampai pada suatu frekuensi cutoff tertentu.

Dengan cara ini akan diperoleh penguatan 1 (unity gain) pada nilai frekuensi cutoff tertentu. Satu mikrometer (1mm) misalnya. rangkain ini dibuat dengan penguatan dc sebesar 1 (unity gain). Tegangan Ofset (Offset voltage). Dari Mikro ke Nano Orde mikro (m) dalam satuan menunjukkan nilai sepersejuta (10-6). nilainya sama dengan sepersejuta meter (10-6 m). Biasanya kapasitor diseri dengan sebuah resistor yang nilainya sama dengan R. Arus Bias (Bias Current).maka jika besaran ini disubtitusikan akan didapat rumus penguat differensiator …(8) Dari hubungan ini terlihat sistem akan meloloskan frekuensi tinggi (high pass filter). dimana besar penguatan berbanding lurus dengan frekuensi. Arus offset (offset current) dan lain sebagainya. Pada prakteknya ada beberapa hal yang mesti diperhatikan dan ditambahkan pada rangkaian opamp. Antara lain. sistem seperti ini akan menguatkan noise yang umumnya berfrekuensi tinggi. Umumnya ketidak ideal-an opamp dan bagaimana cara mengatasinya diterangkan pada datasheet opamp dan hal ini spesifik untuk masing-masing pabrikan. Untuk praktisnya. atau . Orde mikro adalah 1000 kali lebih besar dibandingkan orde nano. Penutup Uraian diatas adalah rumusan untuk penguatan opamp ideal. Namun demikian. Satu nano gram (1 ng) nilainya sama dengan seper satu milyar gram (10-9 g). Sedang nano (n) menunjukkan nilai seper satu milyar (10-9).

kemudian dilanjutkan oleh ilmuwan seperti Niels Bohr. Dalam perjalanan berikutnya. Penemuan bahan semikonduktor kemudian disusul dengan penemuan komponen elektronik yang disebut transistor. dan Kopenhagen. Sisi lain yang tak kalah mengejutkan sebagai akibat lahirnya konsep kuantum in adalah lahirnya fisika zat padat oleh F. Gottingen. Jika teknologi elektronika kini mulai bergeser dari mikroelektronika ke nanoelektronika. Bardeen di Amerika Serikat. lahir konsep baru di beberapa pusat penelitian fisika di Heidelberg. Kemajuan riset dalam bidang fisika telah mengantarkan para fisikawan dapat meneliti dan mempelajari berbagai sifat kelistrikan zat padat. berarti di dalam chip elektronik itu terdapat ribuan bahkan jutaan komponen renik berorde mikro. Konsep ini secara fundamental mengubah prinsip kontinuitas energi menjadi konsep diskrit yang benar-benar mengubah fikiran yang sudah berjalan lebih dari satu abad.B. hal ini berarti bahwa komponenkomponen elektronik yang digunakan berode nano atau setingkat molekuler. transistor tidak hanya mengubah secara mencolok berbagai aspek kehidupan moderen. bagian terkecil dari suatu materi. Goudsmith. Heisenberg dan lain-lain. Samuel A. Kalau dalam dunia elektronika kita mengenal komponen yang disebut mikrochip.sebaliknya orde nano adalah seperseribu dari orde mikro. Berarti pula seribu kali lebih kecil dibandingkan ukuran komponen yang ada dalam mikrochip saat ini. Dari penelitian ini telah ditemukan bahan semikonduktor yang mempunyai sifat listrik antara konduktor dan isolator. Max Born. Konsep baru tersebut adalah kuantum mekanika atau kuantum fisika yang semula dipelopori oleh Max Planck dan Albert Einstein. W. Schrodinger. tetapi transistor . Seitz dan fisika semikonduktor oleh J. Sockley di Inggris dan Love di Rusia pada tahun 1940. Sekitar tahun 1920-an.

insinyur di dua perusahaan elektronik. Dapat kita sebut disini sebagai contoh adalah munculnya komputer dan telepon seluler (ponsel). Komputer yang dibuat oleh J. Komputer ini berukuran sangat besar. Serba Kecil Berbagai produk monumental dari perkembangan teknologi elektronika hadir di sekeliling kita. Kilby (Texas Instrument) dan Robert Noyce (Fairchild) telah memperkenalkan ide rangkaian terpadu monolitik yang dikenal dengan nama IC (integrated circuit). Mauchly itu diberi nama ABC (Atonosoff-Berry Computer) yang diperkenalkan pada tahun 1942. Komputer elektronik generasi pertama yang diberi nama ENIAC (Electronic Numerical Integrator And Computer) dikembangkan pada zaman Perang Dunia Kedua dan dipakai untuk menghitung tabel lintasan . sebesar salah satu kamar di rumah kita.tergolong salah satu dari beberapa penemuan moderen yang memajukan teknologi dengan biaya rendah. Pada tahun 1958. Bentuk dini komputer moderen telah menggunakan elektronika pada rangkaian-rangkaian logika. Transistor dapat dihubungkan pada rangkaian elektronik sebagai komponen terpisah atau dalam bentuk terpadu pada suatu chip. karena di dalamnya menggunakan 18 ribu tabung hampa. Komputer digital berkecepatan tinggi bisa terwujud berkat penggunaan transistor dalam IC yang merupakan kumpulan jutaan transistor renik yang menempati ruangan sangat kecik. tetapi juga menampilkan produk itu dalam bentuk dan ukuran yang makin lama makin kecil dengan kemampuan kerja yang lebih tinggi. yang semula hanya bisa ditempati oleh sebuah transistor saja. Presper Eckert dan John W. Namun teknologi mikroelektronika bukan sekedar menghadirkan produk. memori dan sistim angka biner. Kemajuan dalam bidang mikroelektronika ini tidak terlepas dari penemuan bahan semikonduktor maupun transistor.

peluru dalam kegiatan militer. dan selanjutnya very large scale integration (VLSI). Pergeseran penting dalam elektronika telah terjadi pada akhir tahun 1940an. Komputer generasi ketiga adalah sistim 360 yang juga diluncurkan oleh IBM. Munculnya rangkaian terpadu atau integrated circuit (IC) ternyata telah menggusur dan mengakhiri riwayat keberadaan transistor. meluncurkan ALTAIR. Fungsi tabung-tabung elektronik saat itu mulai digantikan oleh transistor yang dibuat dari bahan semikonduktor. Komputer generasi kedua yang telah menggunakan transistor adalah IBM 1401 yang diluncurkan oleh IBM pada tahun 1959. Transistor mempunyai daya tahan yang tinggi tehadap goncangan dan getaran. Penggunaan transistor yang mulai mencuat ke permukaan pada tahun '70-an ternyata memiliki beberapa kelebihan dibandingkan tabung hampa elektronik. Transistor dapat dioperasikan dalam keadaan dingin sehingga tidak perlu waktu untuk pemanasan. antara lain : • • • • • • Transistor lebih sederhana sehingga dapat diproduksi dengan biaya lebih rendah. yang kemudian disusul dengan penggunaan large scale integration (LSI). Pada tahun 1971. Transistor mengkonsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan tabung hampa. Dalam komputer ini telah menggunakan IC. Daya tahan transistor lebih lama dan dapat mencapai beberapa dasawarsa. MITS Inc. komputer mikro pertama yang menggunakan mikroprosesor Intel 8080. Komputer elektronik generasi berikutnya dikembangkan dengan . Ukuran transistor jauh lebih kecil dibandingkan tabung hampa. Sebelumnya juga telah diluncurkan IBM 701 pada tahun 1953 dan IBM 650 pada tahun 1954.

Selain pada komputer. Kemajuan dalam kedua bidang tersebut menyebabkan kontribusi sain ke dalam teknologi yang sangat besar. Pada awal tahun '90-an. Sebagai anak kandung jagad mikroelektronika. Mengecilnya ponsel juga didukung oleh kemampuan para ahli dalam mengintegrasikan berbagai komponen baru yang ukurannya lebih kecil seperti mikrochip. yang kemampuannya selalu meningkat seiring dengan perjalanan waktu. namun dengan kecepatan kerja yang jauh lebih tinggi. kita juga bisa menyaksikan produk elektronik berupa ponsel yang proses miniaturisasinya seakan tak pernah berhenti. Beralih ke Nanoteknologi Perkembangan teknologi telah mengantarkan elektronika beralih dari orde mikro ke nano. Dr. Kini ponsel dengan berbagai fasilitas di dalamnya bisa masuk ke dalam genggaman tangan. meramalkan bahwa mikroelektronika akan segera digantikan oleh nanoelektronika atau .menggunakan mikroprosesor yang makin renik sehingga secara fisik tampil dengan ukuran yang lebih kecil. dan semakin banyak fungsi yang dapat dijalankannya. hampir mencapai 50 % dalam proses. Rohrer. sehingga teknologi semacam ini disebut HighTechnology. yang berarti komponen elektronika kelak dapat dibuat dalam ukuran seribu kali lebih kecil dibandingkan generasi mikroelektronika sebelumnya. kehadiran ponsel selalu mengikuti perkembangan teknologi mikroelektronika sehingga dapat tampil semakin mungil dan lebih multi fungsi dibandingkan generasi sebelumnya. Pengaruh kemajuan dalam teknologi elektronika ini demikian pesatnya mengubah wajah teknologi dalam bidang telekomunikasi dan automatisasi. penemu tunneling electron microscope dan pemenang hadiah Nobel bidang fisika tahun 1986. baik dalam aspek disain produknya maupun dalam aspek teknologi mikroelektronikanya.

Eric Drexler. K. Dengan beralih ke nanoteknologi ini. Drexler juga meramalkan bahwa zaman nanoteknologi akan dimulai memasuki awal milenium tiga ini. pakar komputer dari Universitas Stanford. Drexler melihat bahwa makhluk hidup merupakan bukti adanya nanoteknologi. tentu saja bidang yang paling banyak dipengaruhi adalah dalam disain komputer. Teknologi ini didasarkan pada kemampuan membuat perangkat elektronika dengan ketelitian setingkat ukuran atom. nanokomputer dapat . Molekul-molekul akan dihimpun sehingga membentuk komponen elektronika yang mampu menjalankan tugas tertentu. Dengan komponen seukuran molekul. Para perintis nanoteknologi. Petel (president UCLA) meramalkan bahwa teknologi photonik akan menggantikan mikroelektronika di awal abad 21 ini. Dalam teknologi ini. Ukuran transistor di masa mendatang akan menjadi sangat kecil berskala atom yang disebut quantum dot.quantum dot. Suatu terobosan besar akan terjadi bila para pakar dapat mewujudkan hal tersebut untuk membuat nanokomputer. dalam acara konferensi pengembangan antariksa di Pittsburg. Dexler menguraikan kemungkinan pembuatan alat seukuran molekul yang proses kerjanya menyerupai molekul dari protein yang menjalankan fungsinya di dalam tubuh manusia. Amerika Serikat. mengemukakan tentang peluang pengembangan nanoteknologi di masa mendatang. telah melihat kemungkinan penggunaan materi seukuran molekul untuk membuat komponen elektronika di masa depan. ukuran sirkuit-sirkuit elektronika bisa jadi akan lebih kecil dibandingkan garis tengah potongan rambut atau bahkan seukuran dengan diameter sel darah manusia. Feyman pada akhir tahun 1959 juga telah meramalkan akan hadirnya teknologi ini pada abad 21. suatu bidang baru teknologi miniatur. Suatu ketika di bulam Mei 1988. Sedang prof.

Kuantum teknologi ini akan mampu menerobos keterbatasan dan kejenuhan mikroelektronika yang ada saat ini. Penelitian yang kini sedang dilakukan oleh para pakar adalah mengembangkan metode penggantian dengan materi protein terhadap molekul. Perusahaan komputer IBM saat ini sedang merancang komputer dengan teknologi kuantum yang disebut kuantum komputer. memiliki kontrol yang serba automatik. berkerapatan tinggi. Teknologi ini juga akan membawa dunia kepada ciri-ciri baru dalam perangkat teknologinya. profesor rekayasa biomedik dari Universitas North Caroline. AS. yaitu : berukuran sangat kecil.masuk ke dalam kotak seukuran satu mikrometer. . kecepatan kerjanya tinggi. hemat dalam konsumsi energi dan ramah lingkungan. alat memori dan struktur lain yang kini ada di dalam komputer. Mesin-mesin elektronik yang dinamai juga kuantum elektronik akan memiliki kemampuan mengolah pulsa yang jauh lebih besar. Jacob Hanker. Jika komputer tersebut telah memasuki pasar. bermulti fungsi. Teknologi baru ini bakal segera mengubah sistim jaringan telekomunikasi di awal milenium tiga ini. maka komputer generasi pendahulu yang masih menggunakan teknologi mikroelektronika bakal tersingkir. telah berhasil melakukan percobaan membuat komponen semikonduktor dengan bahan-bahan biologis. Komputer ini mampu bekerja ratusan ribu kali lebih cepat dibandingkan mikrokomputer elektronik yang ada saat ini.

keramik.25 x 1018 elektron. maka muatan-muatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat yang sama muatan-muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi. Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik. Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu bahan dielektrik.Kapasitor Prinsip dasar dan spesifikasi elektriknya Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan listrik. Kemudian Michael . Coulombs pada abad 18 menghitung bahwa 1 coulomb = 6. phenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya muatan-muatan positif dan negatif di awan. Muatan positif tidak dapat mengalir menuju ujung kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif tidak bisa menuju ke ujung kutup positif. karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-konduktif. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum. prinsip dasar kapasitor Kapasitansi Kapasitansi didefenisikan sebagai kemampuan dari suatu kapasitor untuk dapat menampung muatan elektron. Di alam bebas. Muatan elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujungujung kakinya. gelas dan lain-lain.

(1) Q = muatan elektron dalam C (coulombs) C = nilai kapasitansi dalam F (farads) V = besar tegangan dalam V (volt) Dalam praktek pembuatan kapasitor.85 x 10-12) (k A/t) . atau contoh lain 0. jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik) dan konstanta (k) bahan dielektrik. Misalnya 0. satuan farads adalah sangat besar sekali. nF (10-9 F) dan pF (10-12 F). Dengan rumus dapat ditulis : Q = CV ……………. kapasitansi dihitung dengan mengetahui luas area plat metal (A).Faraday membuat postulat bahwa sebuah kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika dengan tegangan 1 volt dapat memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs..1nF sama dengan 100pF. . Konversi satuan penting diketahui untuk memudahkan membaca besaran sebuah kapasitor. Dengan rumusan dapat ditulis sebagai berikut : C = (8.047uF dapat juga dibaca sebagai 47nF.1000 k=8 k=3 Untuk rangkain elektronik praktis.. Udara vakum Aluminium oksida Keramik Gelas Polyethylene k=1 k=8 k = 100 . Umumnya kapasitor yang ada di pasar memiliki satuan uF (10-6 F).(2) Berikut adalah tabel contoh konstanta (k) dari beberapa bahan dielektrik yang disederhanakan.

magnesium. Tersedia dari besaran pF sampai beberapa uF. Mengapa kapasitor ini dapat memiliki polaritas. Telah lama diketahui beberapa metal seperti tantalum. Termasuk kelompok bahan dielektrik film adalah bahan-bahan material seperti polyester (polyethylene terephthalate atau dikenal dengan sebutan mylar). niobium. polystyrene. aluminium. Umumnya kapasitor kelompok ini adalah non-polar. electrolytic dan electrochemical. MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film. yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi. adalah karena proses pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutup positif anoda dan kutup negatif katoda. tergantung dari bahan dielektriknya. Untuk lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian. Kapasitor Electrostatic Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan dielektrik dari keramik. titanium. Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan . Keramik dan mika adalah bahan yang popular serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil. film dan mika. Mylar. yaitu kapasitor electrostatic.di badannya. MKM. zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga membentuk lapisan metal-oksida . polyprophylene. metalized paper dan lainnya.Tipe Kapasitor Kapasitor terdiri dari beberapa tipe. Kapasitor Electrolytic Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. polycarbonate.

Contohnya. Dalam hal ini lapisan-metaloksida sebagai dielektrik. Sehingga dengan cara itu . Bahan yang paling banyak dan murah adalah Aluminium. Untuk mendapatkan permukaan yang luas. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis. Lapisan oksidasi ini terbentuk melalui proses elektrolisa. Oksigen pada larutan electrolyte terlepas dan mengoksidai permukaan plat metal.(oxide film). maka akan terbentuk pada lapisan Aluminium-oksida (Al2O3) permukaannya. Elektroda metal yang dicelup kedalam larutan electrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan positif (anoda) dan larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). Kapasitor Elco Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda). sehingga dengan demikian dapat dibuat kapasitor yang kapasitansinya cukup besar. umumnya bahan metal yang banyak digunakan adalah aluminium dan tantalum. bahan plat Aluminium ini biasanya digulung radial. Karena alasan ekonomis dan praktis. seperti pada proses penyepuhan emas. lapisan-metal-oksida dan electrolyte(katoda) membentuk kapasitor. Dari rumus (2) diketahui besar kapasitansi berbanding terbalik dengan tebal dielektrik. jika digunakan Aluminium.

470uF. Bahan electrolyte pada kapasitor Tantalum ada yang cair tetapi ada juga yang padat. Selain itu karena seluruhnya padat. Misalnya pada kapasitor elco dengan jelas tertulis kapasitansinya sebesar 22uF/25v. Jika hanya ada dua angka satuannya adalah pF (pico farads). misalnya untuk applikasi mobil elektrik dan telepon selular.dapat diperoleh kapasitor yang kapasitansinya besar. Sebagai contoh. Pada kenyataanya batere dan accu adalah kapasitor yang sangat baik. maka waktu kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Kapasitor Electrochemical Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. Tipe kapasitor jenis ini juga masih dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan ringan. Disebut electrolyte padat. Kapasitor yang ukuran fisiknya mungil dan kecil biasanya hanya bertuliskan 2 (dua) atau 3 (tiga) angka saja. yang sering juga disebut kapasitor elco. Sebagai contoh 100uF. Membaca Kapasitansi Pada kapasitor yang berukuran besar. Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa memiliki kapasitansi yang besar namun menjadi lebih ramping dan mungil. Lengkap dengan nilai tegangan maksimum dan polaritasnya. kapasitor . 4700uF dan lain-lain. melainkan bahan lain yaitu manganese-dioksida. karena memiliki kapasitansi yang besar dan arus bocor (leakage current) yang sangat kecil. Termasuk kapasitor jenis ini adalah batere dan accu. Kapasitor tipe ini juga memiliki arus bocor yang sangat kecil Jadi dapat dipahami mengapa kapasitor Tantalum menjadi relatif mahal. tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit yang menjadi elektroda negatif-nya. nilai kapasitansi umumnya ditulis dengan angka yang jelas.

Temperatur Kerja Kapasitor masih memenuhi spesifikasinya jika bekerja pada suhu yang sesuai. Misalnya pada kapasitor keramik tertulis 104. 4 = 10. X7R (stable) serta Z5U dan Y5V (general purpose). Ada 4 standar popular yang biasanya tertera di badan kapasitor seperti C0G (ultra stable).000 = 100. . maka kapasitansinya adalah 10 x 10.yang bertuliskan dua angka 47. Secara lengkap kode-kode tersebut disajikan pada table berikut.000pF atau = 100nF. Jika ada 3 digit. Biasanya spesifikasi karakteristik ini disajikan oleh pabrik pembuat didalam datasheet. Umumnya kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar bekerja pada tegangan AC. sedangkan angka ke-3 adalah faktor pengali. Tegangan Kerja (working voltage) Tegangan kerja adalah tegangan maksimum yang diijinkan sehingga kapasitor masih dapat bekerja dengan baik. angka pertama dan kedua menunjukkan nilai nominal.2 nF. Contoh lain misalnya tertulis 222. Para elektro. 2 = 100. Selain dari kapasitansi ada beberapa karakteristik penting lainnya yang perlu diperhatikan.000. Faktor pengali sesuai dengan angka nominalnya. berturut-turut 1 = 10. maka tegangan yang bisa diberikan tidak boleh melebihi 25 volt dc. 3 = 1. Berikut ini adalah beberapa spesifikasi penting tersebut.000 dan seterusnya. Misalnya kapasitor 10uF 25V. Pabrikan pembuat kapasitor umumnya membuat kapasitor yang mengacu pada standar popular. artinya kapasitansi kapasitor tersebut adalah 22 x 100 = 2200 pF = 2.mania barangkali pernah mengalami kapasitor yang meledak karena kelebihan tegangan. maka kapasitansi kapasitor tersebut adalah 47 pF.

3 0.0 1.5% +/.2% +/.4.0 0.0% +22% / 33% +22% / 56% +22% / 82% Z Y X 2 4 5 6 7 8 9 .0% +/22.3.5 Faktor Pengali Koefisien Suhu Simbol 0 1 2 3 4 Pengali -1 -10 -100 -1000 -10000 Toleransi Koefisien Suhu Simbol G H J K L PPM per Co +/-30 +/-60 +/-120 +/-250 +/-500 ppm = part per million Kode karakteristik kapasitor kelas II dan III suhu kerja minimum Simbol Co +10 -30 -55 suhu kerja maksimum Simbol Co +45 +65 +85 +105 +125 +150 +200 Toleransi Kapasitansi Simbol Persen A B C D E F P R S T U V +/.1.7% +/.1.9 1.7.0% +/15.2.0% +/.Kode karakteristik kapasitor kelas I Koefisien Suhu Simbol C B A M P PPM per Co 0.5% +/10.3% +/.

Sekaligus dikethaui juga bahwa suhu kerja yang direkomendasikan adalah antara -55Co sampai +125Co (lihat tabel kode karakteristik) Insulation Resistance (IR) Walaupun bahan dielektrik merupakan bahan yang non-konduktor. besar kapasitansi nominal ada toleransinya. berikut adalah model rangkaian kapasitor. Untuk menjelaskan ini. Namun dari . Artinya. Tabel diatas menyajikan nilai toleransi dengan kode-kode angka atau huruf tertentu. bahan dielektrik juga memiliki resistansi. namun tetap saja ada arus yang dapat melewatinya. walaupun nilainya sangat besar sekali. semestinya kapasitor dapat menyimpan muatan selama-lamanya. Phenomena ini dinamakan arus bocor DCL (DC Leakage Current) dan resistansi dielektrik ini dinamakan Insulation Resistance (IR). maka kapasitasinya adalah 100nF dengan toleransi +/-15%. Dengan table di atas pemakai dapat dengan mudah mengetahui toleransi kapasitor yang biasanya tertera menyertai nilai nominal kapasitor. model kapasitor C = Capacitance ESR = Equivalent Series Resistance L = Inductance IR = Insulation Resistance Jika tidak diberi beban.Toleransi Seperti komponen lainnya. Misalnya jika tertulis 104 X7R.

Pabrik pembuat biasanya meyertakan data DF dalam persen. Dari model rangkaian kapasitor digambarkan adanya resistansi seri (ESR) dan induktansi (L). rangkaian ballast. Konsekuensinya tentu saja arus bocor (DCL) sangat kecil (uA). Untuk mendapatkan kapasitansi yang besar diperlukan permukaan elektroda yang luas. Secara matematis di tulis sebagai berikut : . diketahui ada resitansi dielektrik IR(Insulation Resistance) yang paralel terhadap kapasitor. Karena besar IR selalu berbanding terbalik dengan kapasitansi (C). karakteristik resistansi dielektrik ini biasa juga disajikan dengan besaran RC (IR x C) yang satuannya ohm-farads atau megaohm-micro farads. Dissipation Factor (DF) dan Impedansi (Z) Dissipation Factor adalah besar persentasi rugirugi (losses) kapasitansi jika kapasitor bekerja pada aplikasi frekuensi. Insulation resistance (IR) ini sangat besar (MOhm). Rugi-rugi (losses) itu didefenisikan sebagai ESR yang besarnya adalah persentasi dari impedansi kapasitor Xc.model di atas. Besaran ini menjadi faktor yang diperhitungkan misalnya pada aplikasi motor phasa. tetapi ini akan menyebabkan resistansi dielektrik makin kecil. tuner dan lain-lain.

Untuk perhitungan.perhitungan respons frekuensi dikenal juga satuan faktor qualitas Q (quality factor) yang tak lain sama dengan 1/DF.Dari penjelasan di atas dapat dihitung besar total impedansi (Z total) kapasitor adalah : Karakteristik respons frekuensi sangat perlu diperhitungkan terutama jika kapasitor bekerja pada frekuensi tinggi. .

Metal Oxide Silicon Capacitance 1. A typical measurement is performed with an electrometer which measured the charge added per unit time as one slowly varies the applied gate voltage. The high frequency capacitance therefore reflects the charge variation in the depletion layer and the (rather small) movement of the inversion layer charge. This capacitance is the difference in charge divided by the difference in gate voltage while the capacitor is in equilibrium at each voltage. This frequency dependence occurs primarily in inversion since a certain time is needed to generate the minority carriers in the inversion layer. To understand capacitance-voltage measurements one must first be familiar with the frequency dependence of the measurement. The gate voltage is varied slowly to obtain the capacitance versus voltage. In this section we first derive the simple capacitance model which is based on the full depletion approximations and our basic assumption. The high frequency capacitance is obtained from a small signal capacitance measurement at high frequency. Thermal equilibrium is therefore not obtained immediately. Since the MOS structure is simple to fabricate the technique is widely used. Introduction Capacitance voltage measurements of MOS capacitor structure provide a wealth of information about the structure which is of direct interest when one evaluates an MOS process. The comparison with the exact low frequency capacitance . Under such conditions one finds that the charge in the inversion layer does not change from the equilibrium value corresponding to the applied DC voltage. The low frequency or quasi-static measurement maintains thermal equilibrium at all times.

reveals that the largest error occurs at the flatband voltage. The remaining capacitor is the oxide capacitance. 2. so that the capcitance equals: (mc11) In depletion the MOS capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer.5. In accumulation there is no depletion layer. given by: (mc8) . Simple capacitance model The capacitance of an MOS capacitor is obtained using the same assumptions as in the analysis in section 6. The MOS structure is treated as consisting of a series connection of two capacitors: the capacitance of the oxide and the capacitance of the depletion layer. We therefore derive the exact flatband capacitance using the linearized Poisson's equation. Then we discuss the full exact analysis followed by a discussion of deep depletion as well as the non-ideal effects in MOS capacitors. or: (mc12) where xd is the variable depletion layer width which is calculated from: (mc2) In order to find the capacitance corresponding to a specific value of the gate voltage we also need to use the relation between the potential across the depletion region and the gate voltage.

The dotted lines represent the simple model while the solid line corresponds to the low frequency capacitance as obtained from the exact analysis.In inversion the capacitance becomes independent of the gate voltage. Na = 1017 cm-3 and tox = 20 nm.gif Fig. The red square indicates the flatband voltage and capacitance. while the green square indicates the threshold voltage and capacitance. . The high frequency capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer having its maximum width.1 Low frequency capacitance of an MOS capacitor. The capacitances are given by: (mc13) The capacitance of an MOS capacitor as calculated using the simple model is shown in the figure below.xls .moslfcap. Shown are the exact solution for the low frequency capacitance (solid line) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines).6.max. The low frequency capacitance equals the oxide capacitance since charge is added to and from the inversion layer in a low frequency measurement. 6. xd. mosexact.

Since the potential across the semiconductor at flatband is zero. We will therefore now derive the exact flatband capacitance. the comparison with the exact solution of the low frequency capacitance as shown in the above figure reveals that the error can be substancial. However.3. Flat band capacitance The simple model predicts that the flatband capacitance equals the oxide capacitance. Poisson's equation can then be simplified to: (mc16) The solution to this equation is: (mc17) where LD is called the Debye length. The solution of the potential enables the derivation of the capacitance of the semiconductor under flatband conditions. or: (mc18) The flatband capacitance of the MOS structure at flatband is obtained by calculating the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the semiconductor. yielding: (mc19) . To derive the flatband capacitance including the charge variation in the semiconductor we first linearize Poisson's equation. we expect the potential to be small as we vary the gate voltage around the flatband voltage. The reason for this is that we have ignored any charge variation in the semiconductor.

The time required to reach thermal equilibrium when abruptly biasing the MOS capacitor at a voltage larger then the threshold voltage can be estimated by taking the ratio of the total charge in the inversion layer to the thermal generation rate of minority carriers. Exact analysis For a description of the derivation of the MOS capacitance using the exact analysis we refer the reader to that section. The depletion layer therefore keeps increasing beyond its maximum thermal equilibrium value.dd. Deep depletion capacitance Deep depletion occurs in an MOS capacitor when measuring the high-frequency capacitance while sweeping the gate voltage "quickly". The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from: .4. A complete analysis should include both a surface generation rate as well as generation in the depletion layer and the quasi-neutral region. This yields the following equation: (mc14) where the generation in the depletion layer was assumed to be constant. xd. One then observes that when ramping the voltage from flatband to threshold and beyond the inversion layer is not or only partially formed as the generation of minority carriers can not keep up with the amount needed to form the inversion layer. A good approximation is obtained by considering only the generation rate in the depletion region xd. Quickly here means that the gate voltage must be changed fast enough so that the structure is not in thermal equilibrium.T resulting in a capacitance which further decreases with voltage. 5.

1 ms) lifetime require a few seconds to reach thermal equilibrium which results in a pronounced deep depletion effect at room temperature . The capacitance was measured in the presence of ambient light as well as in the dark as explained in the figure caption. structures with a short (1 ms) lifetime do not show this effect. while it is more likely to occur in MOS structures made with wide bandgap materials (for instance SiC for which Eg = 3 eV) as the intrinsic concentration decreases exponentially with the value of the energy bandgap.(mc15) This equation enables to predict that deep depletion is less likely at higher ambient temperature since the intrinsic concentration ni increases exponentially with temperature. 6. In silicon MOS structures one finds that the occurance of deep depletion can be linked to the minority carrier lifetime: while structures with a long (0. Carrier generation due to light will increase the generation rate beyond the thermal generation rate which we assumed above and reduce the time needed to reach equilibrium. . Deep depletion measurements are therefore done in the dark. Experimental results and comparison with theory As an example we show below the measured low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance-voltage curves of an MOS capacitor.

2 Low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance of an MOS capacitor.cv1. All curves were measured from left to right. The high frequency capacitance measured in the presence of light is also . 6. In addition one must avoid the deep depletion effects such as the initial linearly varying capacitance of the high frequency capacitance measured in the dark on the above figure (bottom curve). The low frequency measured is compared to the theorical value in the figure below.0007 cm2 The figure illustrates some of the issues when measuring the capacitance of an MOS capacitance. The MOS parameters are Na = 4 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. The device area is 0. Shown are. from top to bottom.6. First of all one should measure the devices in the dark. the low frequency capacitance measured in the dark. The larger the carrier lifetime. the presence of light causes carrier generation in the capacitor which affects the measured capacitance.gif Fig. the low frequency capacitance measured in the presence of ambient light (top curve). the slower the voltage is to be changed to avoid deep depletion. the high frequency capacitance measured in the presence of ambient light and the high frequency capacitance measured in the dark (bottom curve).

6. cv2. Fixed charge in the oxide simply shifts the measured curve. Non-Ideal effects in MOS capacitors Non-ideal effects in MOS capacitors include fixed charge. A positive fixed charge at the oxide- .3 Comparison of the theoretical low frequency capacitance (solid line) and the experimental data (open squares) obtained in the dark.gif Fig. All three types of charge can be identified by performing a capacitance-voltage measurement. Also shown is the high frequency measurement in the presence of light of the MOS capacitor (filled squares) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines). A comparison of the experimental low (rather than high) frequency capacitance with theory is somewhat easier to carry out since the theoretical expression is easier to calculate while the low frequency measurement tends to be less sensitive to deep depletion effects. Fitting parameters are Na = 3. mobile charge and charge in surface states. 6.shown on the figure.95 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. 7. The figure illustrates the agreement between experiment and theory.

the fermi energy at the oxide-semiconductor interface changes also and affects the occupancy of the surface states. The interface states cause the transition in the capacitance measurement to be less abrupt. The flatband voltage shift due to mobile charge is described by the same equation as that due to fixed charge. . A fixed charge is caused by ions which are incorporated in the oxide during growth or deposition. The shift reduces linearly as one reduces the position of the charge relative to the gate electrode and becomes zero if the charge is located at the metal-oxide interface. The combination of the low frequency and high frequency capacitance allows to calculate the surface state density.semiconductor interface shifts the flatband voltage by an amount which equals the charge divided by the oxide capacitance. However as the applied voltage is varied. Sodium ions incorporated in the oxide of silicon MOS capacitors are known to yield mobile charge. One can recognize mobile charge by the hysteresis in the high frequency capacitance curve when sweeping the gate voltage back and forth. This causes the curve to shift towards the applied voltage. However the measured curves differ since a positive gate voltage causes mobile charge to move away from the gate electrode. Charge due to electrons occupying surface states also yields a shift in flatband voltage. while a negative voltage attracts the charge towards the gate. It is because of the high sensitivity of MOS structures to a variety of impurities that the industry carefully controls the purity of the water and the chemicals used. This method provides the surface state density over a limited (but highly relevant) range of energies within the bandgap. Measurements on n-type and p-type capacitors at different temperatures provide the surface state density throughout the bandgap.

Waktu penulis masuk pendaftaran kuliah elektro.Resistor Pada dasarnya semua bahan memiliki sifat resistif namun beberapa bahan seperti tembaga. karbon memiliki resistansi yang lebih besar menahan aliran elektron dan disebut sebagai insulator. emas dan bahan metal umumnya memiliki resistansi yang sangat kecil. Kebalikan dari bahan yang konduktif. resistansi berbanding terbalik dengan jumlah arus yang mengalir melaluinya. Satuan resistansi dari suatu resistor disebut Ohm atau dilambangkan dengan simbol (Omega). ada satu test yang harus dipenuhi yaitu diharuskan tidak buta warna. Sesuai dengan namanya resistor bersifat resistif dan umumnya terbuat dari bahan karbon . Bagaimana prinsip konduksi. Pada badannya terdapat lingkaran membentuk gelang kode warna untuk memudahkan pemakai mengenali besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan Ohmmeter. sehingga dinamakan konduktor. . Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk membatasi jumlah arus yang mengalir dalam satu rangkaian. bahan material seperti karet. gelas. Bahan-bahan tersebut menghantar arus listrik dengan baik. Kode warna tersebut adalah standar manufaktur yang dikeluarkan oleh EIA (Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut. perak. dijelaskan pada artikel tentang semikonduktor. Tipe resistor yang umum adalah berbentuk tabung dengan dua kaki tembaga di kiri dan kanan. Dari hukum Ohms diketahui. Belakangan baru diketahui bahwa mahasiswa elektro wajib untuk bisa membaca warna gelang resistor (barangkali).

Biasanya warna gelang toleransi ini berada pada badan resistor yang paling pojok atau juga dengan lebar yang lebih menonjol. merah. Kalau anda telah bisa menentukan mana gelang yang pertama selanjutnya adalah membaca nilai resistansinya.01 5% 10% 20% 1% 2% Tabel . Jumlah gelang yang melingkar pada resistor umumnya sesuai dengan besar toleransinya.000 100.000 10. Dengan demikian pemakai sudah langsung mengetahui berapa toleransi dari resistor tersebut.000 106 107 108 109 0. Biasanya .1 : nilai warna gelang Resistansi dibaca dari warna gelang yang paling depan ke arah gelang toleransi berwarna coklat. sedangkan warna gelang yang pertama agak sedikit ke dalam. emas atau perak.Warna Hitam Coklat Merah Jingga Kuning Hijau Biru Violet Abu-abu Putih Emas Perak Tanpa warna Nilai 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 - faktor Toleransi pengali 1 10 100 1.1 0.

. Nilai resistansisnya dihitung sesuai dengan urutan warnanya. 10% atau 20% memiliki 3 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). Dengan demikian urutan warna gelang resitor ini adalah. Jadi gelang pertama dan kedua atau kuning dan violet berurutan. Sehingga dengan ini diketahui nilai resistansi resistor tersebut adalah nilai satuan x faktor pengali atau 47 x 100 = 4. Gelang ke empat tentu saja yang berwarna emas dan ini adalah gelang toleransi. Masih dari tabel-1 diketahui gelang kuning nilainya = 4 dan gelang violet nilainya = 7. Gelang pertama dan seterusnya berturut-turut menunjukkan besar nilai satuan. dan jika warna gelangnya merah berarti faktor pengalinya adalah 100. nilai satuannya adalah 47. Pertama yang dilakukan adalah menentukan nilai satuan dari resistor ini.resistor dengan toleransi 5%. dan gelang terakhir adalah faktor pengalinya. maka nilai satuannya ditentukan oleh gelang pertama dan gelang kedua. Karena resistor bekerja dengan dialiri arus listrik. gelang pertama berwarna kuning. Karena resitor ini resistor 5% (yang biasanya memiliki tiga gelang selain gelang toleransi). Gelang ketiga adalah faktor pengali. berarti resitor ini memiliki toleransi 5%. gelang kedua berwana violet dan gelang ke tiga berwarna merah. Tetapi resistor dengan toleransi 1% atau 2% (toleransi kecil) memiliki 4 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). merah dan emas. Dari tabel-1 diketahui jika gelang toleransi berwarna emas. Gelang berwarna emas adalah gelang toleransi.7K Ohm dan toleransinya adalah 5%. violet. Spesifikasi lain yang perlu diperhatikan dalam memilih resitor pada suatu rancangan selain besar resistansi adalah besar watt-nya. Misalnya resistor dengan gelang kuning. maka akan terjadi disipasi daya berupa panas sebesar W=I2R watt.

kedua kawat tembaga tersebut saling menjauh. Caranya sederhana yaitu dengan mengacungkan jari jempol tangan kanan sedangkan keempat jari lain menggenggam. Induktor Masih ingat aturan tangan kanan pada pelajaran fisika ? Ini cara yang efektif untuk mengetahui arah medan listrik terhadap arus listrik. maka di sekeliling kawat tembaga akan terbentuk medan listrik. Dengan aturan tangan kanan dapat diketahui arah medan listrik terhadap arah arus listrik. Tentu masih ingat juga percobaan dua utas kawat tembaga paralel yang keduanya diberi arus listrik. 1/4.Semakin besar ukuran fisik suatu resistor bisa menunjukkan semakin besar kemampuan disipasi daya resistor tersebut. Tetapi biasanya untuk resistor ukuran jumbo ini nilai resistansi dicetak langsung dibadannya. Dikenal medan listrik dengan simbol B dan satuannya Tesla (T). 5. Hal ini terjadi karena adanya induksi medan listrik. Resistor yang memiliki disipasi daya 5. 10 dan 20 watt umumnya berbentuk kubik memanjang persegi empat berwarna putih. Umumnya di pasar tersedia ukuran 1/8. namun ada juga yang berbentuk silinder. 2. Jika arah arusnya berlawanan. Jika seutas kawat tembaga diberi aliran listrik. Besar akumulasi medan listrik B . misalnya 100 5W. Tetapi jika arah arusnya sama ternyata keduanya berdekatan saling tarikmenarik. Arah jempol adalah arah arus dan arah ke empat jari lain adalah arah medan listrik yang mengitarinya. 10 dan 20 watt. 1.

Secara matematis tegangan emf ditulis : tegangan emf . Energi ini direpresentasikan dengan adanya tegangan emf (electromotive force) jika induktor dialiri listrik.. Medan listrik yang terbentuk akan segaris dan saling menguatkan. Maka L adalah induktansi dari induktor dan E adalah tegangan yang timbul jika induktor dilairi listrik. Komponen yang seperti inilah yang dikenal dengan induktor selenoid.pada suatu luas area A tertentu difenisikan sebagai besar magnetic flux. Jika R disebut resistansi dari resistor dan V adalah besar tegangan jepit jika resistor dialiri listrik sebesar I. maka kelihatan ada kesamaan rumus. Simbol yang biasa digunakan untuk menunjukkan besar magnetic flux ini adalah φ dan satuannya Weber (Wb = T...(1) Lalu bagaimana jika kawat tembaga itu dililitkan membentuk koil atau kumparan. Secara matematis besarnya adalah : medan flux. . Jika kumparan tersebut dialiri listrik maka tiap lilitan akan saling menginduksi satu dengan yang lainnya.. Dari buku fisika dan teori medan yang menjelimet..m2). dibuktikan bahwa induktor adalah komponen yang dapat menyimpan energi magnetik. (2) Jika dibandingkan dengan rumus hukum Ohm V=RI.

(3) Induktor selenoida . dan satuan yang digunakan adalah (H) Henry..Tegangan emf di sini adalah respon terhadap perubahan arus fungsi dari waktu terlihat dari rumus di/dt. Induktor disebut self-induced Arus listrik yang melewati kabel.. Hubungan antara emf dan arus inilah yang disebut dengan induktansi. Ini yang dimaksud dengan self-induced.. Tegangan emf akan menjadi penting saat perubahan arusnya fluktuatif.. jalur-jalur pcb dalam suatu rangkain berpotensi untuk menghasilkan medan induksi. Efek emf menjadi signifikan pada sebuah induktor. Ini yang sering menjadi pertimbangan dalam mendesain pcb supaya bebas dari efek induktansi terutama jika multilayer. Secara matematis induktansi pada suatu induktor dengan jumlah lilitan sebanyak N adalah akumulasi flux magnet untuk tiap arus yang melewatinya : induktansi .. Sedangkan bilangan negatif sesuai dengan hukum Lenz yang mengatakan efek induksi cenderung melawan perubahan yang menyebabkannya. karena perubahan arus yang melewati tiap lilitan akan saling menginduksi.

. jika dialiri listrik akan menghasilkan medan listrik yang berbeda. Penampang induktor biasanya berbentuk lingkaran. sehingga diketahui besar medan listrik di titik tengah lingkaran adalah : Medan listrik . (4) Jika dikembangkan.. elektron yang bergerak akan menimbulkan medan elektrik di sekitarnya..Fungsi utama dari induktor di dalam suatu rangkaian adalah untuk melawan fluktuasi arus yang melewatinya.. setegah lingkaran ataupun lingkaran penuh. Berbagai bentuk kumparan. Dari pemahaman fisika. tuner dan sebagainya.. Pada aplikasi rangkaian ac. Secara matematis ditulis : Lilitan per-meter………. n adalah jumlah lilitan N relatif terhadap panjang induktor l.(5) Lalu i adalah besar arus melewati induktor tersebut.. Akan lebih banyak lagi fungsi dari induktor yang bisa diaplikasikan pada rangkaian filter. Aplikasinya pada rangkaian dc salah satunya adalah untuk menghasilkan tegangan dc yang konstan terhadap fluktuasi beban arus. Besar . Ada simbol µ yang dinamakan permeability dan µ0 yang disebut permeability udara vakum. persegi empat.. salah satu gunanya adalah bisa untuk meredam perubahan fluktuasi arus yang tidak dinginkan.

Tentu saja rumus ini bisa dibolak-balik untuk menghitung jumlah lilitan induktor jika nilai induktansinya sudah ditentukan. Jika rumus-rumus di atas di subsitusikan maka rumus induktansi (rumus 3) dapat ditulis menjadi : Induktansi Induktor . Untuk induktor tanpa inti (air winding) µ = 1. .. (6) L : induktansi dalam H (Henry) µ : permeability inti (core) µo : permeability udara vakum µo = 4π x 10-7 N : jumlah lilitan induktor A : luas penampang induktor (m2) l : panjang induktor (m) Induktor selenoida dengan inti (core) Inilah rumus untuk menghitung nilai induktansi dari sebuah induktor....permeability µ tergantung dari bahan inti (core) dari induktor.

Toroid Ada satu jenis induktor yang kenal dengan nama toroid.. maka toroid berbentuk lingkaran. Toroida Jika jari-jari toroid adalah r. yaitu jari-jari lingkar luar dikurang jari-jari lingkar dalam. Maka panjang induktor efektif adalah kira-kira : Keliling lingkaran toroida …. Biasanya selalu menggunakan inti besi (core) yang juga berbentuk lingkaran seperti kue donat. Jika biasanya induktor berbentuk silinder memanjang.. (7) Dengan demikian untuk toroida besar induktansi L adalah : Induktansi Toroida ………(8) .

Ferit yang sering dijumpai ada yang memiliki µ = 1 sampai µ = 15. Oleh sebab itu ferit ini sebenarnya adalah keramik. Pabrik pembuat biasanya dapat memberikan data kode material. Ada juga ferit yang dicampur dengan bahan bubuk lain seperti nickle. dimensi dan permeability yang lebih detail. bubuk campuran tersebut dibuat menjadi komposisi yang padat. . zinc (seng) dan magnesium. Proses pembuatannya sama seperti membuat keramik. Melalui proses yang dinamakan kalsinasi yaitu dengan pemanasan tinggi dan tekanan tinggi. dapat induktor dengan induktansi yang lebih besar dan dimensi yang relatif lebih kecil dibandingkan dengan induktor berbentuk silinder. Dapat dipahami penggunaan ferit dimaksudkan untuk mendapatkan nilai induktansi yang lebih besar relatif terhadap jumlah lilitan yang lebih sedikit serta dimensi induktor yang lebih kecil.000. manganase. Bahan dasarnya adalah bubuk besi oksida yang disebut juga iron powder. Penggunaan ferit juga disesuaikan dengan frekeunsi kerjanya. Karena beberapa ferit akan optimum jika bekerja pada selang frekuensi tertentu. maka medan induksinya tertutup dan relatif tidak menginduksi komponen lain yang berdekatan di dalam satu pcb. Juga karena toroid umumnya menggunakan inti (core) yang melingkar. Berikut ini adalah beberapa contoh bahan ferit yang dipasar dikenal dengan kode nomer materialnya.Salah satu keuntungan induktor berbentuk toroid. Ferit dan Permeability Besi lunak banyak digunakan sebagai inti (core) dari induktor yang disebut ferit. Ada bermacammacam bahan ferit yang disebut ferromagnetik.

9 mH Selain ferit yang berbentuk silinder ada juga ferit yang berbentuk toroida. diameter lingkar luar. Dapat diketahui nilai induktansinya adalah : L ≈ 5. Tetapi biasanya pabrikan hanya membuat daftar indeks induktansi (inductance index) AL. Misalnya induktor dengan jumlah lilitan 20. Seperti contoh . Karena perlu diketahui nilai permeability bahan ferit. Indeks ini dihitung berdasarkan dimensi dan permeability ferit. Dengan data ini dapat dihitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi tertentu. berdiameter 1 cm dengan panjang 2 cm serta mengunakan inti ferit dengan µ = 3000. Jika datanya lengkap. maka kita dapat menghitung nilai induktansi dengan menggunakan rumus-rumus yang ada. diameter lingkar dalam serta luas penampang toroida. Umumnya dipasar tersedia berbagai macam jenis dan ukuran material ferit Sampai di sini kita sudah dapat menghitung nilai induktansi suatu induktor.

tabel AL berikut ini yang satuannya µH/100 lilitan. (9) Misalnya digunakan ferit toroida T50-1. maka dari table diketahui nilai AL = 100. Maka untuk mendapatkan induktor sebesar 4µH diperlukan lilitan sebanyak : N ≈ 20 lilitan . Tabel AL Rumus untuk menghitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi yang diinginkan adalah : Indeks AL ……….

Biasanya pabrikan menjelaskan berapa nilai tegangan kerja untuk toroida tersebut. hitam.Rumus ini sebenarnya diperoleh dari rumus dasar perhitungan induktansi dimana induktansi L berbanding lurus dengan kuadrat jumlah lilitan N2. Sebenarnya lapisan ini bukan hanya sekedar warna yang membedakan permeability. sehingga efek resistansi bahan kawat tembaga dapat diabaikan. Biasanya yang digunakan adalah kawat tembaga tunggal dan memiliki isolasi. AWG22 berdiameter 0. Kawat tembaga Untuk membuat induktor biasanya tidak diperlukan kawat tembaga yang sangat panjang.3mm. . tetapi berfungsi juga sebagai pelapis atau isolator. Untuk pemakaian yang profesional di pasar dapat dijumpai kawat tembaga dengan standar AWG (American Wire Gauge). Paling yang diperlukan hanya puluhan sentimeter saja. Standar ini tergantung dari diameter kawat. biru atau kuning. Misalnya kawat tembaga AWG32 berdiameter kira-kira 0. resistansi dan sebagainya.8mm. Contoh bahan ferit toroida di atas umumnya memiliki premeability yang kecil. Karena bahan ferit yang demikian terbuat hanya dari bubuk besi (iron power). Indeks AL umumnya sudah baku dibuat oleh pabrikan sesuai dengan dimensi dan permeability bahan feritnya. Bahan ferit tipe ini terbuat dari campuran bubuk besi dengan bubuk logam lain. merah. Ada banyak kawat tembaga yang bisa digunakan. Misalnya ferit toroida FT50-77 memiliki indeks AL = 1100.7mm ataupun AWG20 yang berdiameter kira-kira 0. Banyak juga ferit toroid dibuat dengan nilai permeability µ yang besar. Permeability bahan bisa juga diketahui dengan kode warna tertentu. Misalnya abu-abu.

Kawat tembaga yang digunakan bisa berdiameter berapa saja. terutama induktor berbentuk silinder. Sehingga terkadang dalam membuat induktor jumlah lilitan yang semestinya berbeda dengan hasil perhitungan teoritis. Terkadang pada prakteknya untuk membuat induktor sendiri harus coba-coba dan toleransi induktansinya cukup besar. Untuk toroid usahakan lilitannya merata dan rapat. . Ada satu tip untuk membuat induktor yang baik.Penutup Sayangnya untuk pengguna amatir. Ini yang dikenal dengan istilah ekef kulit (skin effect). Karena ternyata arus yang melewati kawat tembaga hanya dipermukaan saja. yang pasti harus lebih kecil dibandingkan diameter penampang induktor. Untuk mendapatkan nilai induktansi yang akurat ada efek kapasitif dan resistif yang harus diperhitungkan. data yang diperlukan tidak banyak tersedia di toko eceran. Untuk memperoleh nilai “Q” yang optimal panjang induktor sebaiknya tidak lebih dari 2x diameter penampangnya.

KODE : LIS.PTL.047 (P) (40 Jam)






Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial, sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis.

Dalam penggunaannya, bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya, yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta, kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat, guna merealisasikan penyelenggaraan

pembelajaran di SMK. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK.

Demikian, mudah -mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan, khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat.

Jakarta, 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur,

Dr. Ir. Gator Priowirjanto NIP 130675814

KATA PENGANTAR …………………………………………………… REKOMENDASI ………………………………………………………… DAFTAR ISI ……………………………………………………………... PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… GLOSARRY/PERISTILAHAN I PENDAHULUAN A. Deskripsi …………………………………………….………… B. Prasyarat ………………………………………………………. C. Petunjuk Penggunaan Modul ………………………….……… D. Tujuan Akhir………………………………………………….. E. F. II STANDAR KOMPETENSI……………..………………… Cek Kemampuan …………………………………….……….. 1 1 1 2 3 4 6 7 7 8 8 8 8 18 20 21 25 26 26 26 48 50 Halaman i ii iv v

PEMBELAJARAN A. RENCANA BELAJAR PESERTA DIKLAT…………………. B. KEGIATAN BELAJAR. ……………………………………… Kegiatan Belajar 1 A. B. C. D. E. F. Tujuan Kegiatan ……………………………….……… Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 1 …………………………………………. Tugas 1 ……………………………………………….. Test Formatif 1 ……………………………………….. Jawaban Test Formatif 1 ……………………………..

Kegiatan Belajar 2 A. B. C. D. Tujuan Kegiatan ……………………………….…. Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 2 ………………………………….……… Tugas 2 ………………………………………………..

Elektronika -1



odul ini berjudul Elektronika - 1 merupakan bagian dari Kompetensi Mengoperasikan Mesin Produksi dengan Kendali Elektronik (PTL. OPS 005 (

)A dipersiapkan bagi anda siswa Sekolah Menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pemanfaatan Energi tingkat III (semester 5) dengan alokasi waktu selama 40 jam. Modul ini berisikan tentang dasar-dasar elektronika mulai dari teori atom, bahan semikonduktor, macam-macam Dioda, Transistor Bipolar serta pemanfaatannya. Modul ini tidak ada kaitan secara langsung dipelajari tersendiri. Setelah modul ini dapat anda kuasai, maka hasil belajar yang akan anda capai adalah adanya pemahaman terhadap ilmu elektronika, khususnya mampu dalam dengan modul lainnya, jadi dapat

mengidentifikasi komponen elektronik serta menganalisis sifat-sifatnya. Dengan pengetahuan dasar ini akan membimbing anda ke arah pekerjaan dan kemampuan yang dimiliki khususnya bidang keahlian yang berkaitan dengan dunia elektronik dan bidang keahlian pemanfaatan energi pada umumnya.


Untuk mempelajari modul ini tidak diperlukan prasyarat khusus, tetapi dikarenakan modul ini dilengkapi dengan Lembar Kerja, maka sudah tentu diperlukan penguasaan anda terhadap alat-alat ukur besaran listrik dan yang paling penting adalah pengetahuan dan kepedulian anda terhadap Keselamatan Kerja dan Bahaya Listrik.


1. Modul ini dapat anda pelajari secara klasikal ataupun individual, dimana setiap kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas -tugas yang terdapat


Elektronika -1

dalam topik-topik pembelajaran modul ini secara tuntas (Mastery Learning) baik ranah pengetahuan, sikap dan khususnya ranah keterampilan. 2. Jika anda sudah merasa mampu untuk menyelesaikan salah satu topik dari modul ini, maka anda diperkenankan untuk meminta kepada guru pembimbing anda guna diuji kompetensinya. 3. Jika anda sudah dinyatakan kompeten untuk satu topik pertama dengan melewati uji kompetensi tersebut di atas, maka anda diperkenankan untuk melanjutkan ke topik (pembelajaran) berikutnya. Tapi jika dianggap belum kompeten, maka sebaiknya anda tidak segan untuk mengulang kembali dengan arahan guru pembimbing. 4. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan beberapa peralatan ukur dan piranti-piranti elektronik baik aktif maupun pasif serta sumber daya searah dan bolak-balik yang tetap maupun variabel.


Karena modul ini mengacu pada Kurikulum 2004 (Standar Kompetensi Nasional) , maka setelah anda menyelesaikan kegiatan belajar ini ada beberapa kinerja yang diharapkan untuk anda kuasai dan telah memenuhi persyaratan dari dunia kerja seperti berikut : 1. Mampu mengidentifikasi komponen elektronik 2. Mampu melakukan troubleshooting rangkaian elektronik 3. Mampu melakukan perbaikan pesawat elektronik


Teori atom dan sifatnya difahami sebagai dasar pengetahuan elektronik .Terjadinya lapisan PNP dan NPN dijelaskan sesuai dengan kejadiannya .Sifat PN junction dijelaskan .Menjelaskan sifat macam-macam dioda dan penggunaannya .Elektronika -1 E.Melakukan percobaan dioda zener sebagai stabilisator tegangan searah Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja yang telah ditetapkan Pengetahuan : Ketrampilan : Sikap : Sub Kompetensi 2 Kriteria Unjuk Kerja : : Memahami sifat dan karakteristik transistor bipolar .Melakukan percobaan Dioda sebagai penyearah arus .Sifat macam macam dioda dijelaskan sesuai dengan karakteristik dan penggunaannya .Fungsi transistor dijelaskan sesuai dengan fungsinya 3 . STANDAR KOMPETENSI KODE KOMPETENSI : Kompetensi Sub Kompetensi 1 Kriteria Unjuk Kerja : : : PTL OPS 005( ) A Memelihara rangkaian elektronik Memahami teori atom dan semikonduktor . .Menjelaskan sifat unsur bahan semikonduktor . .Transistor Bipolar diidentifikasi dengan alat ukur yang sesuai.Melakukan percobaan karakteristik dioda. Tipe P dan N dan sifatnya .Bahan semikonduktor dijelaskan sesuai dengan sifat-sifatnya .Dioda diuji sesuai dengan karakteristiknya dengan rangkaian uji yang ditetapkan .Sifat transistor NPN dan PNP dijelaskan sesuai dengan sifat atau karakteristiknya .Terjadinya bahan semikonduktor tipe P dan N dijelaskan sesuai dengan kejadian dan sifatnya .Menjelaskan teori atom .Dioda diidentifikasi sesuai dengan sifatnya dengan alat ukur yang sesuai .Menjelaskan sifat PN junction .Menjelaskan terjadinya bahan sk.

Melakukan identifikasi transistor dengan alat ukur . CB.Penguatan dan konfigurasi penguat transistor dijelaskan sesuai dengan rangkaian sambungannya Pengetahuan : Menjelaskan terjadinya lapisan PNP dan NPN Menjelaskan sifat dan karaktersitik transistor bipolar Menjelaskan cara mengidentifikasi transistor bipolar Menjelaskan fungsi transistor sebagai penguat.Menjelaskan konfigurasi.CE dan CC .Melakukan percobaan transistor s ebagai saklar elektronik Ketrampilan : Sikap Ruang Lingkup Belajar : : Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja Kompetensi ini berkaitan dengan pemahaman tentang komponen-komponen elektronik yang umumnya digunakan dalam peralatan kendali di industri LIS PTL 47 (P) Kode Modul : 4 .Elektronika -1 . saklar elektronik .

Elektronika -1 F. Penguasaan terhadap peralatan ukur Analog 2. CEK KEMAMPUAN PENGUASAAN KONDISI 1. Penguasaan terhadap peralatan perbaikan (alat tangan) 5. Penguasaan terhadap peralatan ukur Digital 3. Penguasaan terhadap karakter komponen elektronik YA BELUM REMARK Catatan Pembimbing : 5 . Penguasaan terhadap peralatan ukur elektronik (osiloskop) 4. Penguasaan terhadap prosedur perbaikan dan perawatan elektronik 6.

11. 13.Elektronika -1 II. 02. 06. 09. 15. 05. 19. 04. 10. TOTAL WAKTU 2400 Kegiatan Tanggal Waktu (menit) Tempat Belajar Paraf Guru 6 . 17. PEMBELAJARAN RENCANA PEMBELAJARAN SISWA No. 08. 03. 14. 07. 01. 16. 18. 12. 20.

Elektronika -1 Kegiatan Belajar -1 TEORI ATOM DAN DIODA SEMIKONDUKTOR TUJUAN : Setelah mempelajari topik ini. pelipat (multiplier) dan penstabil tegangan (voltage stabilizer) 7 . maka diharapkan anda dapat : ? Memahami karakteristik atom suatu unsur ? Membedakan antara sifat bahan penghantar. penyekat dan setengah Penghantar ? Memahami terbentuknya bahan semikonduktor P dan N ? Menganalisis karakteristik Dioda Semikonduktor ? Menganalisis karakteristik Dioda Zener ? Mengaplikasikasikan dioda sebagai penyearah (rectifier).

Kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak. dimana proton bermuatan positip terhadap elektron atau elektron bermuatan negatip sedangkan dalam keadaan normal inti (neutron) tidak bermuatan. Karakteristik suatu atom adalah : 1. 8 .dan juga bisa bermuatan netral jika jumlah muatan positip dan negatipnya seimbang. sebaliknya elektron bermuatan negatip terhadap intinya. yang berarti tidak dapat dibagi lagi. 3.Elektronika -1 A.1. Secara tiga dimensi bentuk atom suatu unsur digambarkan seperti terlihat pada gambar Gambar 1. Karakteristik Atom A 1. neutron dan elektron.1. tom adalah partikel terkecil dari sebuah molekul yang sifatnya tidak dapat dibagi lagi dan hal ini sesuai dengan nama asal atom dari bahasa Yunani ATOMOS. Inti bermuatan positip terhadap elektron. Setiap inti mempunyai medan gaya tarik dengan elektronnya dan dikenal sebagai muatan. Atom dan lintasan elektronnya Atom terdiri dari proton. 2.

Dengan demikian banyaknya elektron yang melintas pada setiap lintasan untuk unsur silikon seperti gambar 1.Lintasan pertama .2. lapisan ini disebut lintasan atau orbit.3. adalah : (1) = 2 .1) dimana : ? e = banyak elektron yang melintas n = 1. dimana angka terkecil menyatakan nomor lintasan yang paling dekat ke intinya).2. Memperlihatkan susunan lapisan suatu atom unsur Silikon (Si) yang mempunyai nomor atom 14 atau mempunyai 14 buah elektron yang mengelilingi intinya.2.4. Gambar 1. dimana semakin besar berat unsurnya suatu unsur akan semakin banyak jumlah elektron yang mengelilingi intinya. Banyaknya elektron yang melintas ditentukan oleh berat unsur kimia. Gambar 1. Lapisan atom unsur silikon dan penyederhanaannya Jumlah elektron yang melintas pada setiap lapisan dapat ditentukan dengan rumus pendekatan sebagai berikut : ? e = 2 n2 (1.……… (nomor lintasan. Susunan Atom Susunan setiap atom terdiri dari lapisan -lapisan tertentu yang menjadi tempat beredarnya elektron. 12 = 2 buah elektron 9 .2.Elektronika -1 B.

Sedang bagi elektron-elektron yang menempati lapisan terluar akan mudah dipengaruhi oleh sejumlah tenaga dari luar dan mereka dapat keluar sebagai elektron bebas. hal ini dikarenakan merupakan sisa dari 14 – (2 + 8) = 4 buah elektron. Misalkan ada beberapa atom silikon yang saling berdekatan seperti gambar 1. Elektron yang menempati lapisan terluar tersebut sangat memegang peranan penting dalam penentuan sifat kimia dan kelistrikan unsur dan sering disebut sebagai elektron martabat (Valensi). Gambar 1.3.Elektronika -1 . maka elektron-elektron yang saling berdekatan akan menjalin ikatan yang dikenal sebagai Ikatan Kovalen (Covalent-Bond). Ikatan Kovalen 10 . Setiap elektron mempunyai kemampuan untuk mengikat satu elektron lain dari atom lainnya yang berada disekitarnya.3.Lintasan kedua . Pada lintasan ketiga hanya melintas empat buah elektron .Lintasan ketiga (2) = 2 . 22 = 8 buah elektron (3) = 4 buah elektron (sisa). Elektron-elektron yang melintas pada lapisan terdalam (berdekatan dengan inti) akan terikat kuat oleh muatan intinya dana kan sulit untuk melepaskan diri dari susunannya.

Elektron yang lepas dari ikatannya ini dikenal sebagai Elektron Bebas yang bermuatan negatip.Elektronika -1 ? Catatan : C. sedangkan tempat yang ditinggalkan oleh elektron akan membentuk suatu muatan positip. memperlihatkan elektron bebas dan hole pada susunan atom unsur silikon. dim ana tempat tadi disebut sebagai kekosongan atau dikenal dengan nama lain Hole. Elektron Bebas dan Hole Suatu efek agitasi seperti kenaikan temperatur akan menghasilkan getaran pada inti atom sehingga berakibat ikatan kovalen akan pecah dan diikuti oleh lepasnya elektronelektron. 11 . Gambar 1.4.

Sedangkan suatu bahan isolator dikatakan baik jika mempunyai nilai tahanan jenis yang tinggi. yaitu berkisar antara 10 4 sampai 1016 ohm-meter.4. ada suatu bahan yang mempunyai tahanan jenis yang berubah-ubah seiring dengan perubahan temperatur. jika mempunyai nilai tahanan jenis yang rendah yaitu berkisar antara 10-8 sampai 10-7 ohmmeter. yaitu penghantar (konduktor) dan penyekat (isolator). Elektron bebas dan hole yang terjadi disebut juga sebagai pembawa muatan (Charge-Carrier).Elektronika -1 Gambar 1. Elektron Bebas dan Hole 0 Pada temperatur kamar (? 27 C). Dikarenakan daya hantar jenis bahan semikonduktor murni sangat rendah. enerji panas sudah mampu untuk membebaskan elektron dari ikatan kovalen. sehingga dengan perkataan lain dengan temperatur kamar sifat silikon yang pada kondisi semula bersifat sebagai penyekat sempurna dapat berubah menjadi penghantar arus listrik. penyekat dan Setengah-Penghantar Pada umumnya bahan kelistrikan yang anda kenal ada dua. Suatu bahan konduktor dikatakan baik. Istilah pencampuran ini dikenal dengan nama pengotoran (Impurity) atau Doping. Selain kedua jenis bahan di atas. 12 . D. Bahan ini digolongkan pada bahan setengah-penghantar (semiconductor). maka guna memperbesar daya hantar tersebut dapat dilakukan dengan proses pencampuran dengan unsur lain dengan maksud untuk memperbanyak terjadinya elektron-elektron bebas dan hole. dimana pada temperatur absolut (0 0K = -273 0 C) dalam keadaan murni bersifat sebagai isolator. Bahan Penghantar.

5. TABEL-1 CONTOH BEDA TAHANAN JENIS PADA TEMPERATUR KAMAR KONDUKTOR ? Cu ? 10-8 ? m SEMI-KONDUKTOR ? Ge ? 50 x 10-2 ? m ? Si ? 50 x 10-1 ? m ISOLATOR ? mika ? 1010 ? m Tahanan jenis bahan konduktor hanya akan bertambah sedikit naik dan berbanding lurus dengan kenaikan dari temperatur.Elektronika -1 sedangkan jika ada kenaikan temperatur sifatnya akan berubah menjadi konduktor. Berikut ini diperlihatkan contoh perbedaan tahanan jenis bahan pada temperatur kamar (? 27 0 C). Gambar 1. Pengaruh panas terhadap tahanan jenis bahan 13 . memperlihatkan kurva pengaruh panas terhadap tahanan jenis. Oleh karena itu bahan semikonduktor akan lebih baik menghantarkan arus listrik saat panas daripada saat dingin.5. Nilai tahanan jenis bahan semikonduktor ini berkisar antara 10-1 sampai 10 -15 ohm-meter. Gambar 1. sebaliknya tahanan jenis bahan semikonduktor akan turun secara eksponensial jika temperaturnya anda naikkan.

14 . Terbentuknya Bahan Semikonduktor tipe P dan N Bahan dasar yang bayak dan sering digunakan dalam membuat piranti elektronik adalah bahan Germanium dan Silikon. Tabel 2 berikut memperlihatkan tabel periodik golongan atom bahan semikonduktor.Elektronika -1 ? Catatan : E. dimana kedua bahan tersebut mempunyai elektron valensi yang sama yaitu empat buah.

Gambar 1.Elektronika -1 TABEL –2. Selain itu juga disebutkan adanya metoda impurity. Kristal Silikon tipe P 15 . Atau dengan kata lain harus adanya pemaksaan panas (agitasi thermis). maka unsur indium yang bervalensi tiga akan menerima empat buah elektron. Dikarenakan unsur silikon bervalensi empat. misal unsur Indium (In) dan Galium (Ga). dimana unsur murni bahan semikonduktor tersebut dicampur dengan unsur lainnya (agitasi chemis).6. maka atom tersebut harus dicampur dengan atom unsur lain yang bervalensi tiga. Guna mendapat muatan positip pada atom silikon atau germanium yang mempunyai valensi empat. GOLONGAN ATOM SEMIKONDUKTOR Pada pembahasan terdahulu disebutkan bahwa elektron-elektron bebas akan mengalir dalam bahan semikonduktor pada temperatur diatas nol-mutlak.

Kristal Silikon – N F. Gambar 1.Elektronika -1 Sebagai paduan bersama. Unsur pencampur tersebut dinamakan unsur pemberi (donor) sedangkan hasil campurannya disebut Silikon atau Germanium tipe N. memperlihatkan susunan kristal silikon atau germanium N. Dioda ini berasal dari dua kata Duo dan Electrode yang berarti dua elektroda. Dikarenakan atom indium menerima elektron dari silikon atau germanium.7.6. Jika hasil pencampuran antara atom unsur semikonduktor yang bervalensi empat dengan unsur yang bervalensi tiga akan menghasilkan campuran yang bermuatan positip dan untuk memperoleh campuran yang bermuatan negatip kita harus campurkan bahan silikon atau germanium dengan unsur lain yang bervalensi lima misalnya unsur Arsenikum. memperlihatkan susunan kristal silikon-P dan jika anda perhatikan lebih seksama akan tampak pada ikatan kovalennya terjadi kekurangan elektron yang mengasilkan muatan positip (hole). Gambar 1. Dioda PN Sambungan bahan semikonduktor tipe P dan N mendasari terbentuknya suatu piranti elektronik aktif yang dikenal sebagai Dioda . Antimon atau Phospor. Campuran ini akan membentuk campuran bermuatan negatip dikarenak an kelebihan elektron. yaitu Anoda yang berpolaritas postip dan Katoda yang berpolatitas negatip. maka indium disebut sebagai penerima (akseptor). Gambar 1. maka akan terbentuk bahan baru yang disebut silikon atau germanium tipe P.7. dimana hurup P ini menunjukkan muatan terbanyak positip atau hole. 16 .

8.Elektronika -1 Secara umum dioda disimbolkan dan bentuk fisiknya seperti terlihat pada gambar 1. Bias maju (Forward-Bias) 17 . Bias Maju Jika anoda dihubungkan dengan kutub positip sumber searah dan katodanya dihubungkan dengan kutub negatipnya seperti terlihat pada gambar 1.8.1. Gambar 1.9. Simbol dan bentuk fisik Dioda 1. Salah satu aplikasi penggunaan dioda dalam ilmu kelistrikan adalah sebagai penyearah arus (rectifier) dari arus bolak-balik ke arus searah.9. DIN 40 700 Gambar 1. maka rangkaian tersebut dikenal sebagai rangkaian bias maju (Forward -Bias). Sifat Dioda 1..

Elektronika -1 Pada kondisi seperti ini arus akan mengalir dari anoda menuju katoda. 1.2. Jika tegangan sumber dinaikkan lebih besar lagi. yaitu anoda dihubungkan dengan sumber negatip sumber searah sedangkan katoda dihubungkan dengan sumber positipnya. Tegangan saat arus mengalir secara linear ini dikenal sebagai tegangan patahan (Breakdown Voltage). Bias Mundur (Reverse-Bias) Pada saat reverse ini dioda akan mempunyai nilai hambatan yang besar. 18 . maka bias demikian disebut bias mundur (Reverse-Bias) seperti diperlihatkan pada gambar 1. Tegangan ini jika terus diperbesar akan mengakibatkan kerusakan pada dioda dan untuk itu tegangan ini dibatasi hingga tegangan nominal yang dikenal dengan nama Peak Inverse Voltage disingkat PIV.7 volt sedangkan untuk dioda germanium Ud ? 0. Gambar 1. maka suatu saat tertentu secara tiba-tiba arus akan naik secara linear.10.3 volt. Bias Mundur Jika kedua elektroda dioda tersebut kita hubungkan secara terbalik (berlawanan polaritas).10. sehingga arus tidak akan atau sedikit mengalir dalam orde mikroamper. Tegangan dimana dioda mulai mengalirkan arus disebut sebagai tegangan kerja dioda ( Ud). Untuk dioda silikon Ud ? 0.

7. sedangkan pada temperatur kamar menjadi penghantar. Inti dan proton dianggap bermuatan sama (positip). 5. sedangkan pencampuran Silikon dengan Arsenikum yang bervalensi 5 akan menghasilkan tipe N (negatip). Pencampuran antara bahan semikonduktor bervalensi berbeda misal Silikon yang bervalensi 4 dengan bahan Indium yang bervalensi 3 akan menghasilkan tipe semikonduktor P (positip).1 1. 2. Setiap elektron yang berdekatan dari atom yang berbeda dapat membuat suatu ikatan yang dikenal sebagai ikatan kovalen (Covalent-Bond). Atom adalah bagian terkecil dari benda yang tidak dapat dibagi lagi. 8. Elektron yang melepaskan diri dari ikatannya disebut Elektron-bebas. bahan semikonduktor bersifat sebagai penyekat. dimana atom terdiri dari Inti. 3. Dalam keadaan murni dan pada temperatur –2730 C (0 0 K).Elektronika -1 RANGKUMAN . 6. jika muatannya seimbang . sedangkan tempat yang ditinggalkannya membentuk muatan p ositip yang diberi nama Hole. Jumlah lapisan (orbit) elektron dari suatu unsur dapat dihitung dengan rumus pendekatan ? e = 2 n2 4. sedangkan elektron bermuatan negatip dan kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak bahkan bisa bermuatan netral. Proton dan Elektron. Sifat dioda PN adalah menghantarkan arus saat bias maju (forward) dan menghambat arus saat bias mundur (reverse).( 27 0 C) berubah ? 19 .

Unsur Indium (In) yang mempunyai nomor atom 49 dan Phospor (P) yang bernomor atom 15. Hitung / gambarkan jumlah lintasan dan jumlah elektron setiap lintasannya ! b. valensi P = …………… 3. a. Valensi In = ………….1 1.Elektronika -1 ? kejadiannya ! LEMBAR LATIHAN . Sebutkan ciri-ciri (sifat) dioda untuk bias maju dan mundur ! 20 . . Apa yang dimaksud dengan metoda Impurity (DOPING) dan sebutkan apa tujuan / alasannya ? 4. Apa yang dimaksud dengan Elektron Bebas dan Hole ? Sebutkan juga 2.

maka dia akan menghambat arus. maka dia akan menghantarkan arus listrik. Jika dioda diberi bias maju. Elektron bebas dan hole adalah pembawa muatan negatip dan positip. dimana kejadiannya adalah saat elektron tersebut lepas dari ikatannya akibat adanya pengaruh agitasi thermis ataupun chemis. sedangkan unsur Phospor = 3. dimana unsur murni dicampur dengan unsur lain sehingga berubah sifat. jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah sebagai berikut : Orbit 1 = 2 x 12 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 2 x 32 = 18 Orbit 4 = 2 x 42 = 18 * Orbit 5 = 3 elektron Sedangkan untuk Phospor yang mempunyai nomor atom 15. 3.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . 21 . 2. Metoda impurity (doping) adalah metoda untuk memperoleh bahan (unsur) yang mempunyai polaritas tertentu (positip atau negatip). Metoda ini disebut metoda pengotoran (doping). 2. Sedangkan jika dibias mundur. Sedangkan atom yang ditinggalkan oleh elektron akan kehilangan muatan negatip sehingga atom tersebut akan lebih negatip. Usur Indium yang mempunyai nomor atom 49.1 1. Kehilangan elektron tersebut mengakibatkan “lubang” (hole) yang bermuatan positip. misalnya unsur silicon murni dicampur dengan indium akan menghasilkan bahan silicon dengan polaritas positip. jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah : Orbit 1 = 2 x 1 2 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 5 elektron Dengan demikian Elektron valensi untuk unsur Indium adalah = 5.

Dapat menggambarkan karakteristik listrik dioda arah maju dan mundur. ? RANGKAIAN PERCOBAAN A) ARAH MAJU S + R + A Us U Rp V D B) ARAH MUNDUR S + Us U V D + A 22 .Elektronika -1 LEMBAR KERJA 1 KARAKTERISTIK DIODA ? TUJUAN Setelah selesai mengerjakan lembar kerja – 1 ini diharapkan anda : 1. 2. Dapat membuktikan sifat-sifat dioda secara umum.

Atur tegangan melalui potensiometer secara bertahap setiap 0. dimana semua posisi saklar pada posisi OFF.3 0. 4.4 0.6 0. Nyalakan Power Supply dan atur tegangan sebesar 1 volt. 9. 3.7 0.9 1. Periksakan rangkaian tersebut kepada instruktor sebelum mulai percobaan. Hentikan percobaan jika pembacaan meter sulit dibaca ! TABEL – 1 U (volt) 0 0.2 0. Posisikan mA meter pada batas ukur 100 mA. Regulated DC Power Supply 0 –20 volt 2. Buat rangkaian seperti gambar 1 di atas. Hidupkan saklar (ON). Dioda Rectifier 1N4005 10. catatan : Dalam rangkaian ini sebagai pengukur arus digunakan mA meter.1 yang disediakan.Elektronika -1 ? DAFTAR ALAT DAN BAHAN 1. mA meter dc. Proto Board Trainer 7.5 0. V meter dc 6. Multimeter 8. 2. Posisikan V meter pada batas ukur 1 volt. Saklar ON-OFF 5. Kabel secukupnya. 8. 5. 6. 7. ? A meter dc. 4.1 volt. Potensiometer limear 1 k? 9.1 0. ? LANGKAH KERJA –1 1. Amati kedua meter dan catat hasil penunjukkannya pada tabel . 3. Resistor = 100 ? / 1 W 11.8 0.0 23 I ( mA) R ( ohm ) .

Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel –2 di bawah.2 1. sedangkan batas ukur V meter hingga diatas 20 volt. 3. 24 . Buat rangkaian seperti gambar 2. 4.Elektronika -1 R=U/I ? LANGKAH KERJA . Periksa kebenaran rangkaian pada instruktur anda. Hentikan percobaan. Catatan : Untuk percobaan ke 2 ini batas ukur ? A meter diatur pada batas terendah. Perhatikan juga batas ukur meter yang digunakan ! 3. posisi saklar pada posisi OFF. Perhatikan polaritas dioda dan meter pengukur dc ! 2. jika batas tegangan Power Supply telah mencapai 20 volt. 5. Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula. TABEL – 2 U (volt) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 I (? A) R ( ohm ) ? KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1. Catatan : Pengukur arus adalah ? A-meter 2. Hidupkan saklar dan atur tegangan dari nol. kemudian naikkan bertahap setiap 2 volt dan amati penunjukkan ? A-meter.

……………………………………………………………………….1 volt dan 5 mm ? 10 mA.. Berapa titik Breakdown-nya ? Ubd = ? …………. b.. ? EVALUASI 1. 25 . ………………………………………………………………………. Untuk arah maju 5 mm ? 0. Untuk arah mundur 20 mm ? 2 volt dan 5 mm ? 1 ? A.Elektronika -1 ? TUGAS Buat gambar karakteristik dioda arah maju dan mundur dari data tabel 1 dan 2 hasil pengukuran anda pada pola di bawah ini dengan skala : a.volt 3. Berapa titik konduk dioda yang anda amati ? Ud = ? ………… volt 2. Kenapa rangkaian percobaan 1 dan 2 dibedakan atas posisi alat ukurnya ? ………………………………………………………………………. ……………………………………………………………………….

Elektronika -1 4. 2. maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. 26 . ………………………………………………………………………. ………………………………………………………………………. Dioda Sebagai Penyearah Arus (Rectifier) Berdasarkan sifat-sifat dioda . Ada dua macam penyearah yang dikenal. Kenapa pada rangkaian percobaan – 2 tidak digunakan hambatan R ? ……………………………………………………………………….1. maka dioda dapat dimanfaatkan sebagai alat penyearah arus bolak-balik (rectifier). Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir. Gambar 1. Rangkaian Penyearah setengah gelombang Jika saklar S ditutup. maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. 2. dimana sisi primer transformator tersambung dengan sumber bolak-balik (ac) sedangkan sisi sekunder dihubungkan seri dengan sebuah dioda dan tahanan beban (R L). Penyearah Gelombang Penuh (Full-Wave Rectifier). Penyearah Setengah Gelombang Rangkaian dasar penyearah setengah gelombang diperlihatkan pada gambar 1.11.11. yaitu : ? ? Penyearah Setengah Gelombang (Half-Wave Rectifier).

sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan. Proses perubahan tegangan bolak -balik menjadi pulsa searah ini disebut penyearahan dan dikarenakan hanya setengah periode saja yang dapat dimanfaatkan. Proses penyearahan setengah gelombang Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat. Guna menghitung besar harga rata-rata signal yang disearahkan dapat digunakan rumus pendekatan sebagai berikut : Um Udc = ? = 0. Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4.Elektronika -1 Gambar 1. maka penyearah seperti ini dikenal sebagai Penyearah Setengah Gelombang.12. maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja.318 Um (1.2) Dimana : Um = harga maksimum tegangan ac Udc = harga rata-rata tegangan dc 27 .

28 .13. Kerja penyearah ini dapat dilihat pada gambar 1. Penyearah sistem titik-tengah menggunakan transformator centre-tap. yaitu sistem Titik -Tengah (centretap) dan Sistem Jembatan (bridge). dimana kurva a1 dan a2 menunjukkan tegangan yang masuk pada dioda D1 dan D2 yang selalu berlawanan phasa dan sama besarnya. Gambar 1.14. Ujung lain dari dioda ini dihubungkan pada titik yang sama dari ujung tahanan RL di titik X dan ujung titik Y disambungkan ke titik tengah transformator C.2.Elektronika -1 2. dimana jumlah lilitan antara titik AC sama dengan jumlah lilitan pada titik CB. Penyearah Gelombang Penuh Ada dua macam penyearah gelombang penuh. Sistem Centre-tap Ujung A dihubungkan pada dioda D1 dan ujung B pada dioda D2.

Kelebihan penyearah gelombang penuh dari penyearah setengah gelombang adalah menghasilkan tegangan rata-rata (Udc ) duakali lipat atau dituliskan sebagai berikut : Udc = 2 x 0.15.Elektronika -1 Gambar 1. ( 1.318 Um = 0.3) 29 . sedangkan D2 tidak menghantar (kurva b2 saat t1 -t 2). Dengan demikian kedua dioda tersebut secara bergantian setiap setengah periode dan tahanan RL sertiap saat selalu dilewati arus (kuva c) yang berbentuk pulsa positip.636 Um Untuk penyearah gelombang penuh Sistem Jembatan diperlukan empat buah dioda yang dipasang sedemikian rupa seperti diperlihatkan pada gambar 1.t3 ujung A berpolaritas negatip sedang ujung B positip sehingga pada saat ini dioda D2 yang menghantar (kurva b2 saat t2 . Pada saat t2 . Proses Penyearahan Gelombang Penuh Pada saat t1 – t2 ujung A sedang berpolaritas positip.t 3) sedang D1 tidak menghantar (kurva b1 saat t2 – t3 ). sedangkan ujung B negatip sehingga pada sat ini dioda D1 yang sedang menghantar (kurva b1 saat t1 – t2).14. Dikarenakan satu gelombang penuh tegangan bolak-balik telah dimanfaatkan. maka rangkaian ini dinamakan penyearah gelombang penuh.

. dimana ketika titik A sedang negatip. 30 .16. Gambar 1. Penyearah sistem Jembatan Ketika titik A sedang positip. sedang dioda D3 dan D4 tidak menghantar. dioda yang menghantar adalah dioda D3 dan D4 .15. dioda D1 dan D2 berada dalam kondisi menghantar. Guna memudahkan anda mengetahui bagaimana sistem ini bekerja. Adapun hasil penyearahan dari sistem ini adalah mirip dengan sistem Titik -Tengah.sedang D1 dan D2 tidak menghantar.16. Proses kerja Sistem Jembatan Dengan demikian pada setiap setengah periode tegangan bolak-balik ada dua buah dioda yang bekerja secara serempak sedangkan dua buah lainnya tidak bekerja.Elektronika -1 Gambar 1. maka ikuti gambar 1.

Gambar 1. Rangkaian pelipat dua disebut Doubler. Sebagai contoh jika anda menghendaki kelipatan dua dari tegangan output suatu penyearah sebagai berikut : Jika diketahui tegangan efektiv (rms) suatu sumber ac adalah 4. tigakali lipat atau seterusnya.18. Rangkaian doubler setengah gelombang seperti terlihat pada gambar 1.17. Doubler setengah gelombang Agar anda mudah memahami prinsip kerja rangkaian tersebut.3 volt.17.5 x ? 2 = 6. dan rangkaian ini dikenal sebagai Rangkaian Villard atau Cascade. yaitu untuk setengah gelombang dan gelombang penuh.1. 3. maka tegangan maksimum (U m) adalah 4. maka dapat dibuat rangkaian pelipat yang dasarnya adalah merupakan rangkaian penyearah tegangan. Dioda sebagai pelipat tegangan (Voltage Multiplier) Guna melipat tegangan dari suatu sumber tegangan searah . Pelipat Dua (Doubler) Ada dua macam rangkaian pelipat dua ini. maka ikuti gambar 1. Jika tegangan tersebut dilewatkan pada rangkaian pelipat dua. berikut : 31 . Besar tegangan yang dilipatkan dapat diatur mulai dari duakali lipat.Elektronika -1 3.5 volt.3 volt = ? 12.6 volt. maka tegangan output yang dihasilkan adalah Uo = 2 x 6. pelipat tiga disebut Tripler dan pelipat empat disebut Quadrupler atau secara umum pelipat ini disebut sebagai Multiplier.

Jika paralel dengan kapasitor C2 tidak dibebani. Pada saat D2 terhubung singkat selama setengah perioda negatip dan D1 membuka kembali. kita dapat menjumlahkan tegangan yang ada pada jaringan sehingga akan ditemukan bahwa Uc2 = 2 Um.(a). Jika output doubler ini dihubungkan dengan sebuah beban. misalnya resistor. berikut memperlihatkan rangkaian doubler gelombang penuh yang dikenal dengan nama Rangkaian Delon.Elektronika -1 Gambar 1. dioda D1 off dan dioda D2 menghantar dan C2 mengisi muatannya.18. 32 .18. Gambar 1. Secara ideal D terhubung singkat selama 1 setengah periode tersebut dan tegangan input mengisi kapasitor C1 hingga Um dengan polaritas seperti pada gambar 1.19. maka dioda D1 menghantar sedangkan dioda D2 –off. maka tegangan Uc2 akan turun selama setengah perioda positip dan kapasitor tersebut akan mengisi kembali hingga 2 Um pada setengah periode negatipnya. yaitu Uc1 = Um dan Uc2 = 2 Um. Prinsip Kerja Doubler setengah gelombang Ketika setengah perioda tegangan trafo sisi sekunder sedang positip. Pada setengah perioda berikutnya sedang negatip. Kapasitor C1 mengisi muatan hingga mencapai tegangan maksimumnya (Um ). maka kedua kapasitor tersebut akan tetap bermuatan.

20.19.Elektronika -1 Gambar 1.20. Rangkaian Doubler Gelombang Penuh Rangkaian pelipat lain dengan kemampuan lebih besar diperlihatkan seperti gambar 1. Rangkaian Multiplier 33 . Gambar 1.

Dengan bantuan kapasitor. yaitu dengan menggunakan transformator titik tengah (centre-tap) dan tipe jembatan (bridge).318 Um = 0.2 1.636 Um 4. Penyearah arus ada dua macam. 5. 34 . penyearah dapat dibentuk sebagai rangkaian pelipat (multiplier) tegangan. Dioda dapat digunakan sebagai penyearah arus dari arus bolak -balik ke arus searah 2. yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh 3. sedangkan hasil penyearahan gelombang penuh adalah 2 x 0.Elektronika -1 RANGKUMAN .318 Um. Penyearah gelombang penuh ada dua tipe. Hasil penyearahan setengah gelombang adalah 0.

Tegangan searah (dc) 3. maka hitunglah : a. Tegangan maksimum (Um) b. 2. Jika diketahui sebuah penyearah gelombang penuh sistem jembatan dengan input ac = 12 volt. Menurut analisa anda. kenapa tegangan dc output lebih rendah dari tegangan input ac ? 35 . Ceriterakan prinsip penyearahan signal ac menjadi dc dengan system penyearah setengah gelombang lengkap dengan gambarnya.2 1.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN .

40 volt 36 . maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir.2 1. 2. Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4. Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat. Prinsip penyearahan setengah gelombang Jika saklar S ditutup.97 volt b) Udc = 5. Diketahui Uin = 12 volt effektif Ditanya : a) U maksimum ( Um) b) U dc Jawab : a) Um = 16.

Karena yang dilewatkan hanya setengah periode sedangkan setengah lainnya dihambat. maka tegangan dc yang dihasilkan oleh penyearah setengah gelombang akan lebih rendah dari tegangan inputnya (U ef ataupun Umak nya) 37 .Elektronika -1 3.

Penyearah setengah gelombang D x AC R y B. Penyearah Sistem Jembatan 38 . 2. menganalisis bentuk gelombang searah. diharapkan anda mampu : 1. membuktikan dioda sebagai penyearah gelombang penuh 3. ? RANGKAIAN PERCOBAAN A.Elektronika -1 LEMBAR KERJA 2 DIODA SEBAGAI PENYEARAH ARUS ? TUJUAN Setelah menyelesaikan lembar kerja – 2 . membuktikan dioda sebagai penyearah arus setengah gelombang.

Jika anda telah menyelesaikan perintah 1 s/d 6. 5. Dioda rectifier IN4005 dan Bridge Diode 3. 8. Buat kesimpulan hasil pengamatan anda ? KESELAMATAN KERJA 1. 4. Lakukan langkah 4 dengan menggunakan Oscilloscope 6. 39 . AC Regulated Power Supply 0 – 220 volt 2. Buat rangkaian seperti gambar A 2. Kembalikan semua alat dan bahan ke tempat semula. Periksakan rangkaian anda kepada instruktur sebelum melakukan pengamatan atau menghidupkan sumber daya ! 2.Elektronika -1 ? ALAT DAN BAHAN 1. di bawah. 9. V meter dc 5. Periksa sambungan dan perhatikan polaritas 3. Atur sumber ac sesuai dengan Tabel 1. Ikuti petunjuk yang sama dan masukkan hasil pengamatan anda pada tabel – 2. R = 100 ohm/5 W 4. buat rangkaian seperti gambar 2. Oscilloscope Dual-Trace ? LANGKAH KERJA 1. V meter ac 6. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel – 1 7. Periksa polaritas dan jenis alat ukur (meter) dengan benar ! 3. Ukurlah dengan menggunakan V meter dc tegangan output antara titik x dan y.


Elektronika -1 4. Jika tegangan sumber yang dib erikan pada zener lebih kecil dari Uz.21. Simbol dan rangkaian ekuivalennya diperlihatkan seperti gambar 1.21. Notasi Uz adalah tegangan reverse dioda.22. arus reverse akan naik dengan cepat. memperlihatkan karakteristik listrik dioda zener yang mirip dengan karakteristik dioda pada umumnya. 41 . Dioda Zener Dioda zener adalah merupakan dioda yang terbuat dari bahan silikon dan dikenal sebagai Voltage Regulation Diode yang bekerja pada daerah reverse bias (kuadran III) di daerah breakdownnya. maka tahanan dioda zener sekitar 1 Mega ohm bahkan lebih. Karakteristik dioda zener Gambar 1. Gambar 1. 4.4 volt sampai 200 volt dengan disipasi daya ¼ sampai 500 W. Simbol dan rangkaian ekuivalen dioda zener Rangkaian ekuivalen dioda zener merupakan suatu hambatan dinamis yang bernilai relatip kecil dan seri dengan sebuah batere searah yang besarnya sebanding dengan potensial zener tersebut.1. sedangkan jika tegangan sumber sedikit diatas Uz. dimana terjadi patahan (breakdown). Kemampuan dioda zener berkisar mulai 2.

Karakteristik listrik dioda zener Dari karakteristik terlihat bahwa setelah terjadi tegangan patahan.Elektronika -1 Gambar 1. Kenaikan arus zener ini mempunyai batas maksimal yang diberi notasi Iz max.23. Rangkaian dioda zener 42 .22. arus naik sedemikian rupa sedangkan tegangan zener Uz akan tetap tidak berubah. Gambar 1. Oleh karena itu dalam prakteknya dioda zener selalu dipasang serikan dengan sebuah resistor. dan jika terlampaui akan mengakibatkan kerusakan.

yaitu Uz1 s/d Uz3 kemudian variasi Uz1+Uz2. Variasi stabilisator tegangan dengan zener Untuk penstabil seperti yang diperlihatkan pada gambar 1. Syarat yang perlu diperhatikan dalam penggunaan rangkaian ini adalah arus yang melewati ketiga zener tidak boleh lebih rendah dari Iz minimum dan tidak boleh melewati Iz maksimum.24.Elektronika -1 Guna menentukan nilai tahanan seri (Rs) agar dioda terhindar dari arus lebih digunakan rumus sebagai berikut : Rs ? (Us ? Uz) Iz (max) (1. Uz2+Uz3 dan (Uz1+Uz2+Uz3). 43 .24. 4.4 ) Persamaan diatas akan menghasilkan nilai Rs minimal yang dapat dipasang.2. Zener sebagai penstabil tegangan Dikarenakan karakteristiknya. maka zener dioda banyak digunakan sebagai penstabil tegangan searah. kita dapat memperoleh enam tegangan yang stabildan berbeda-beda. Gambar 1. sedangkan nilai Rs maksimalnya dengan memperhitungkan Iz minimal dari zener. Gambar-gambar zener sebagai penstabil tegangan dapat dilihat pada gambar berikut.

Konstruksi dan simbol LED 44 . Dioda Emisi Cahaya (LED) Dioda Emisi Cahaya (Light Emitting Diode= disingkat LED) dikenal dengan istilah lain Solid State Lamp adalah piranti elektronik gabungan elektronik dengan optic (lensa) dan akhirnya dikenal juga sebagai keluarga Opto-Electronic. maka tegangan output rangkaian tersebut dapat diatur dari Uz2 hingga Uz1. maka digunakan rangkaian seperti gambar 1.Elektronika -1 Untuk memperoleh tegangan yang lebih stabil dan menghilangkan faktor kerut dari tegangan input. 5. Gambar 1.26. Simbol dan bentuk fisiknya diperlihatkan seperti gambar 1.26. Rangkaian stabilisator parallel Dengan mengubah R2 dengan sebuah potensiometer.25. Adapun syaratnya Uz1 harus lebih besar daripada Uz2. Gambar 1.25.

45 . 5. Bahan GaAsP warna merah atau kuning sedangkan bahan GaP dengan warna merah atau hijau.0 volt 2. Batasan kemampuan LED LED mempunyai batas kemampuan arus maupun tegangan yang dibedakan berdasarkan warna seperti diperlihatkan pada tabel 3 berikut.8 volt 2.Elektronika -1 Bahan dasar yang digunakan untuk pembuatan LED adalah Galium Arsenida (GaAs) atau Galium Arsenida Phospida (GaAsP) atau juga Galium Phospida (GaP) yang dapat memancarkan cahaya dengan warna yang berbeda. Bahan GaS memancarkan warna infra -merah.2. Penggunaan LED Penggunaan LED dalam rangkaian elektronik dibagi dalam tiga kategori umum. 5. Untuk transmisi signal cahaya yang dimodulasikan dala m suatu jarak tertentu. c. Oleh karena itu dalam penggunaan LED biasanya dihubung seri dengan sebuah hambatan ( R ). Tegangan Maju LED Standar arus maju LED standar adalah 20 mA. Sebagai lampu indicator. yaitu a.1. WARNA Merah Orange Kuning Hijau TEGANGAN MAJU 1. Sebagai penggandeng rangkaian elektronik yang masing-masing terisolir secara total.2 volt Tabel 3.1 volt 2. b.

Konstruksi simbol dan bentuk fisiknya dapat dilihat pada gambar 1. LED sebagai indikator sumber ac 6. 46 . Dalam keadaan gelap.Elektronika -1 Jika LED digunakan sebagai indicator cahaya dalam suatu rangkaian arus bolak-balik. jadi hanya arus bocor saja yang melewatinya. Konstruksi. arus yang mengalir sekitar 10 ? A untuk dioda cahaya dengan bahan dasar germanium dan 1? A untuk bahan silikon. Photo Dioda Secara umum dioda-cahaya ini mirip dengan PN-Junction. bentuk fisik dan simbol dioda cahaya Dioda cahaya ini bekerja pada daerah reverse. Gambar biasanya dihubungkan parallel dengan sebuah dioda penyearah secara terbalik (anti-parallel) seperti terlihat pada gambar 1. perbedaannya terletak pada persambungan yang diberi celah agar cahaya dapat masuk padanya.27. Gambar 1.

Jika setiap lubang pita itu melewati celah antara tadi. Penggunaan dioda cahaya diantaranya adalah sebagai sensor dalam pembacaan pita data berlubang (Punch Tape). maka cahaya yang memasuki lubang tersebut akan diterima oleh dioda cahaya dan diubah dalam bentuk signal listrik. Sedangkan penggunaan lainnya adalah dalam alat pengukur kuat cahaya (LuxMeter). dimana pita berlubang tersebut terletak diantara sumber cahaya dan dioda cahaya. misal dalam penggunaan alarm. Dioda cahaya ini banyak juga digunakan sebagai sensor sistem pengaman (security). sedangkan jika disinari cahaya resistansinya akan berubah rendah. 47 . dimana dalam keadaan gelap resistansi dioda cahaya ini tinggi.Elektronika -1 Kuat cahaya dan temperature keliling dapat menaikkan arus bocor tersebut karena dapat mengubah nilai resistansinya dimana semakin kuat cahaya yang menyinari semakin kecil nilai resistansi dioda cahaya tersebut.

Dioda zener sering digunakan sebagai penstabil tegangan (voltage Stabilisator) sumber arus searah. Mengingat keterbatasan dioda zener. maka dalam prakteknya harus dihubung seri dengan sebuah tahanan. Kemampuan tegangan setiap LED tergantung dari jenis bahan dasar dan warna cahaya yang dikeluarkannya 7. Dioda zener terbuat dari bahan dasar silicon dengan konsentransi campuran lebih tinggi dari dioda rectifier. Dioda Emisi Cahaya (LED) banyak digunakan sebagai indikator cahaya elektronik 6. 5. Dioda zener bekerja di daerah reverse bias (kuadran III) 3. 8. 48 . 2. Dioda cahaya juga bekerja didaerah reverse bias. Dioda cahaya banyak digunakan sebagai piranti sensor system pengaman dan peraba data dari pita berlubang (Punch Tape).3 1.Elektronika -1 RANGKUMAN . 4.

Sumber tegangan searah (dc) sebesar 15 volt akan distabilkan oleh sebuah dioda zener sehingga outputnya = 8 volt dc.3 1. Iz(min) = 1. Dapatkah sebuah LED digunakan sebagai penyearah ? Sebutkan alasan anda. Iz (max. Dengan alasan apa.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN .) = 140 mA. 49 . Identitas dioda zener adalah sebagai berikut Uz = 8 volt. Dengan alasan apa dioda zener terbuat dari bahan dasar unsur silikon ? 2. dioda zener harus diserikan dengan sebuah resistor ? 4.5 mA. Hitung nilai tahanan seri (Rs) minimal dan maksimalnya yang diizinkan dipasang. Apa yang dimaksud dengan “dioda zener bekerja pada kuadran ke III” ? 3. 5.

3 1. 50 . R min ? Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 50? Iz ( mak) 140 x10? 3 A Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 4666.5x10 ? 3 A Rmak ? 5. karena LED mempunyai keterbatasan kemampuan elektrik seperti tegangan dan arus yang relatip kecil.66? Iz (min) 1. 2. LED tidak dapat digunakan sebagai dioda penyearah. Silikon lebih tahan terhadap panas dibandingkan bahan semikonduktor lainnya . Dalam kerjanya dioda zener harus terhubung seri dengan sebuah resistor dengan alasan guna menghindari arus / tegangan lebih. 4.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . 3. karena dia bekerja pada daerah reverse bias. Maksud dioda zener bekerja pada kuadran ketiga adalah.

Elektronika -1 LEMBAR KERJA . Tetapkan R L = 1000 ohm 2. Tegangan sumber berubah.3 ZENER DIODA SEBAGAI PENSTABIL TEGANGAN SEARAH ? TUJUAN Dapat membuktikan dioda zener sebagai penstabil tegangan ? RANGKAIAN PERCOBAAN S A IZ + U A V RL IT R1 A IL ? ALAT DAN BAHAN R1 = 100 ohm RL = 500 – 3000 ohm (variativ) Z = 1N 4744 / 60 mA atau yang sejenis Us = 0-20 volt dc variable A = mA meter dc V = volt meter dc ? LANGKAH KERJA A. beban tetap B 1. Naikkan tegangan U s hingga Iz = 5 mA 3. IT dan Us 51 . Ukur dan catat hasil pengamatan anda untuk besaran UAB.

Periksakan rangkaian anda pada instruktur sebelum memulai percobaan. Perhatikan polaritas zener dan alat ukur agar tidak terbalik ! Perhatikan penunjukkan A-meter (Iz) ! Hentikan pengukuran (percobaan) jika Iz menuju nilai maksimal (60 mA) ! Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula ! ? TABEL PENGUKURAN TABEL A UAB RL = 1000 ohm Iz 5 10 15 20 25 30 40 50 60 IL IT US 52 . Atur Iz = 5 mA dengan RL = 500 ohm . Variasi beban R L 1. B. Atur Iz sesuai tabel A dan catat setiap penunjukkan alat ukur pada tabel A yang tersedia. ? KESELAMATAN & KESEHATAN KERJA 1. 3. 2. Pada setiap perubahan RL tersebut perhatikan penunjukkan alat ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel B yang tersedia. Ubah RL dari 500 ohm sampai 3000 ohm secara bertahap tanpa mengubah nilai Us. 2. 5. ukur dan catat penunjukkan meter.Elektronika -1 4. 4. 3.

Elektronika -1 TABEL B RL 500 1000 1500 2000 2500 3000 Iz IT UAB US ? KOMENTAR DAN KESIMPULAN 53 .

maka diharapkan anda dapat : ? Memahami prinsip kerja transistor bipolar ? Mengidentifikasi transistor bipolar ? Menguji transistor bipolar ? Menggunakan transistor bipolar dalam rangkaian elektronik 54 .2 TRANSISTOR BIPOLAR TUJUAN Setelah mempelajari topik ini.Elektronika -1 KEGIATAN BELAJAR .

2. Gambar 2. Kolektor dan Basis. 55 . Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N seperti digambarkan pada gambar 2. Rangkaian pengganti transistor Gambar 2.2.3. namun dikarenakan sifatnya. transistor ini dapat digunakan sebagai saklar elektronis. yaitu elektron bebas dan hole. PENDAHULUAN T ransistor adalah piranti elektronik yan g menggantikan fungsi tabung elektron-trioda. dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda .4. Gambar 2.Elektronika -1 1. yaitu Emiter. Sedangkan jenisnya ada dua macam. Susunan fisik lapis transistor Sedangkan gambar rangkaian penggantinya sama dengan dua buah dioda yang dipasang saling bertolak seperti terlihat pada gambar 2. dikatakan bipolar karena terdapat dua pembawa muatan . Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier).1. berikut memperlihatkan beberapa bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar. yaitu jenis PNP dan NPN yang simbolnya diperlihatkan pada gambar 2.1.

Elektronika -1 Gambar 2. maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan n logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink). Bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar Gambar 2. kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja.4. namun pada dasarnya karena transistor i i tidak tahan terhadap temperatur. 56 . Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan.3. Simbol transistor Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya.

PENGKODEAN TRANSISTOR Hampir sama dengan pengkodean pada dioda. dimana dalam buku tersebut akan anda peroleh karakteristik fisik dan listrik suatu jenis transistor bahkan dilengkapi dengan transistor ekuivalennya. Berikut ini adalah huruf-huruf kedua yang dimaksud : C = transistor frekuensi rendah D = transistor daya untuk frekuensi rendah F = transistor frekuensi tinggi L = transistor daya frekuensi tinggi Contoh penerapan kode ini diantaranya adalah BF 121. BC 108 dan ASY 12. sedangkan huruf kedua menyatakan penerapannya.5. PENGUJIAN TRANSISTOR Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda. PENENTUAN ELEKTRODA TRANSISTOR Spesifikasi transistor yang lengkap dapat anda peroleh dari buku petunjuk transistor. Gambar 2.Elektronika -1 2. 4. 57 . Berikut ini adalah gambaran spesifikasi transistor yang banyak digunakan khususnya dalam penentuan elektroda dari transistor tersebut. maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. A = Germaniun dan B = Silikon. AD 101. maka huruf pertama menyatakan bahan dasar transistor tersebut. Elektroda transistor 3.

6. berikut ini diberikan contoh hasil pengujian transistor ASY 12 dan BC 108 dengan menggunakan ohmmeter. memperlihatkan kembali rangkaian d ioda transistor PNP yang akan dijadikan referensi pengujian transistor.Elektronika -1 Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. 58 . Gambar 3. Dioda Transistor Guna mempermudah cara pengujian. tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya.6. Collector Base PNP Transistor Emitter Gambar 2. Salah pemasangan pada rangkaian b. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c. Hubung singkat c. Kebocoran Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut. yaitu : a. Pemutusan b. Pengujian yang tidak professional Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tig a jenis.

Elektronika -1



ASY 12 2,5 M? 50 ? 3 M? 55 ? 200 k? 8 k?

BC 108 ? 15 ? ? 18 ? 5 M? 4 M?

RANGE OHMMETER x 1 k? x 10 ? x 1k? x 10 ? x 1 k? x 1 k?

C– B


E– B




Dari tabel pengujian ternyata terdapat perbedaan besar antara nilai hambatan untuk arah forward dan hambatan untuk arah reverse. Pada pengukuran elektroda C dan B untuk transistor BC 108 (silicon) dengan arah reverse diperoleh nilai hambatan yang besar ( ) dan jika pada pengukuran ini ternyata ? nilai tersebut rendah, maka dapat kita nyatakan adanya kebocoran transistor antara kaki kolektor dan basisnya. Hal lain yang perlu diperhatikan dalam pengujian transistor dengan ohmmeter adalah posisi RANGE ohmmeter tersebut, karena kesalahan range akan menimbulkan kerusakan p ada transistor yang diuji. Cara pengujian lain transistor adalah dengan menggunakan alat elektronik yang dikenal sebagai Transistor Checker. Kondisi transistor dapat juga anda uji ketika transistor tersebut sedang bekerja dalam suatu rangkaian, yaitu den gan mengukur tegangan antara basis dan emitter. Tegangan antara basis dan emitter ini normalnya untuk transistor germanium adalah 0,3 volt sedangkan tegangan basis emitter untuk jenis silicon sekitar 0,6 volt. Jika jauh lebih rendah atau lebih tinggi dari harga tersebut, maka transistor tersebut sedang dalam kondisi tidak normal atau rusak.


Elektronika -1


Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Suhu maksimal sutu transis tor Germanium adalah sekitar 75 o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150 o C. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor, harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan penyaluran panas. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. Selain itu ada juga biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas.


Untuk memberi gambaran bagaimana suatu transistor bekerja, pada gambar 2.7 diperlihatkan operasi dasar sederhana transistor jenis PNP.

Gambar 2.7. Operasi dasar transistor

Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung, sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. 60

Elektronika -1

Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. Jika sekarang kedua potensial secara bersama dipasang seperti gambar 2.8, maka akan tampak kedua aliran mayoritas dan minoritasnya.

Gambar 2.8. Aliran mayoritas dan minoritas

Pada gambar terlihat sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (IB) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis, maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff, maka

I E = IC + IB

Jika besar tegangan antara kolektor dan basis (UCB ) konstan, maka perbandingan perubahan arus kolektor IC dengan perubahan arus emitter IE disebut faktor penguatan basis bersama dan diberi simbol ? (alpha) dan besarnya berkisar dari 0 sampai

0,998. Secara pendekatan rumus alpha ini adalah

? ?


Harga ?

lebih besar dari nol tapi lebih kecil dari satu sehingga sering ditulis sebagai 0< ? < 1 61

Elektronika -1


Transistor adalah piranti aktif, dimana outputnya adalah merupakan hasil perubahan dari inputnya. Dengan membandingkan antara output dengan inputnya, maka akan diperoleh factor penguatan (amplification). Dengan demikian, maka transistor ini dibuat atau dipersiapkan sebagai piranti penguat. Sebagai piranti elektronik, transistor mempunyai tiga elektroda yang tersusun sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai sebuah penguat. Ada tiga system sambungan (konfigurasi) dari penguat transistor, yaitu konfigurasi Basis Bersama (Common Base), Emiter Bersama (Common Emitter) dan Kolektor Bersama (Common Collector).

7.1. Konfigurasi Basis Bersama Rangkaian pada gambar 2.9. memperlihatkan rangkaian konfigurasi Basis Bersama (CB) dengan potensial UEB dan UCB untuk kedua jenis transistor PNP dan NPN. Untuk jenis PNP, emiter positip terhadap basis sedangkan kolektornya negatip. Sedangkan untuk jenis NPN sebaliknya emitter negatip terhadap basis dan kolektornya positip.

Gambar 2.9. Konfigurasi Basis Bersama


Elektronika -1

Karakteristik input atau karakteristik emitter konfigurasi basis bersama diperlihatkan pada gambar 2.10.

Gambar 2.10. Karakteristik input konfigurasi basis bersama (CB)

Dari karakteristik terlihat bahwa dalam mode arus searah, tegangan hantar untuk sambungan basis ke emiter sekitar 0,6 s/d 0,7 volt, ini menandakan berlaku bagi bahan dasar silikon, sedangkan untuk bahan dasar germanium sekitar 0,3 volt.

7.2. Konfigurasi Emiter Bersama

Konfigurasi emitter bersama (CE) sambungannya diperlihatkan pada gambar 2.11. tampak bahwa emitter digandeng bersama baik dengan kolektor maupun basisnya.


Karakteristik output ini melukiskan arus output IC yang merupakan fungsi dari tegangan output U CE untuk harga arus input IB yang bervariasi. Gambar 2.12.11. Konfigurasi Emiter Bersama (CE) Karakteristik kolektor tipe NPN atau karakteristik outputnya diperlihatkan pada gambar 2.12.Elektronika -1 Gambar 2. Karakteristik Output Emiter Bersama 64 .

13. Konfigurasi Kolektor Bersama (CC) Karakteristik output konfigurasi CC serupa dengan karakteristik output CE. Konfigurasi Kolektor Bersama Konfigurasi kolektor bersama (CC) sambungannya diperlihatkan seperti gambar 2.3.13. dimana dengan impedansi input tinggi dan outputnya rendah. Gambar 2. 65 .Elektronika -1 Perbandingan arus kolektor dengan arus basis dengan tegangan kolektor-emiter konstan disebutkan sebagai faktor penguatan arus maju emiter bersama disimbolkan dengan huruf Yunani ? (betha). Konfigurasi ini sering digunakan sebagai penyama-impedansi (matchingimpedance). Hubungan faktor penguatan ? dengan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau 7.

PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor. penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan. Gambar 2.. Fisik relative jauh lebih kecil.14. Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2. arus. daya. dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. 66 . 8. seperti : a. Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC . dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya. dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor.Elektronika -1 8. tegangan dan sebagainya. Namun dikarenakan karakteristik listriknya. sehingga tegangan UCE = UCC. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan.14. c. RL = 0.1. b. maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik. Lebih ekonomis. maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan signal-signal.Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube).

Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2.15.15.Elektronika -1 Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . Rangkaian Kaskade Transistor 8.16.. dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0. yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2. Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade .2. Gambar 2. R L = UCC . dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger). Regulator Tegangan dengan Transistor 67 .

Elektronika -1 Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban R L. kar ena UZ tetap konstan sedangkan Ui = U CB + U Z. Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB. maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama. 68 . Pada saat terjadi perubahan tegangan ini.

Elektronika -1 RANGKUMAN – 4 1. 69 . Hubungan antara ? dan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau Selain sebagai penguat (amplifier) sering digunakan sebagai saklar elektronis dengan pertimbangan tidak memercikan api saat pengontakan. 5. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse). emitter bersama dan kolektor bersama. 9. Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan. yaitu Emiter. lebih kecil dan ekonomis. 8. Penguatan arus konfigurasi basis bersama (CB) disimbolkan dengan huruf Yunani ? berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol atau dituliskan 0<? <1. Penggunaan lainnya adalah sebagai pengatur arus (current regulator) pada penstabil arus searah. maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat Sink. Ada tiga konfigurasi penguat transistor. Penguatan arus konfigurasi emitter bersama (CE) disimbolkan dengan huruf Yunani ? bernilai lebih besar dari satu bahkan puluhan dan ratusan. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. 7. Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN 2. Transistor mempunyai tiga buah elektroda. 11. sedangkan silicon sekitar 150 o C 6. transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. tegangan. Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75 o C. daya (Amplifier) 3. yaitu konfigurasi basis bersama. Karena karakteristik listriknya. 10. 4.

Sebutkan keuntungan saklar elektronis dibandingkan dengan saklar mekanik ! 70 .4 1. Apa yang dimaksud dengan 0 < ? < 1 ? 4.995 berapakah nilai ? -nya ? 7. Apa yang dimaksud dengan istilah rangkaian kaskade dalam rangkaian transistor ? 5. Kenapa dalam penggunaan transistor sering dipasang alat pendingin ? 6. Sebutkan perbedaan antara transistor PNP dengan transistor NPN ! 2. Ceriterakan prinsip kerja suatu transistor ! 3. Sebutkan kemungkinan kerusakan transistor dan penyebabnya ! 8.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN . Jika diketahui nilai ? suatu transistor = 0.

2.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . maka pada gambar terlih at sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (I B) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). 71 . Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras.4 1. Perbedaan tarnsstor PNP dan NPN selain konstruksinya adalah pada pemberian bias-nya saja. sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. Prinsip kerja transistor adalah Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung. Jika pemberian biasnya sekarang adalah seperti gambar berikut.

Jika kita gunakan hokum Kirchhoff. Rangkaian kaskade adalah rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri. misal menggunakan sirip -sirip heat-sink. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : 72 . maka I E = IC + IB 2. 3.Elektronika -1 Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis. 4. Karena transistor tidak tahan terhadap panas. ? = 199 7. maka diperlukan pendingin bantuan. Yang dimaksud dengan 0<? <1 adalah bahwa nilai ? selalu berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol. maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. 5.

Salah pemasangan pada rangkaian b. Fisik relative jauh lebih kecil. 73 . Pengujian yang tidak professional 8. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. Lebih ekonomis. a.Elektronika -1 a. c. b.

Elektronika -1 LEMBAR KERJA .10 volt Q = transistor BC 108 A1 = ? A meter A2 = mA meter V1 dan V2 = V meter dc Rp = Potensiometer linear minimal 50 ohm R1 = 220 ohm R2 = 100 ohm R3 = 200 ohm 74 .4 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR o TUJUAN Setelah menyelesaikan percobaan ini diharapkan anda : Dapat membuktikan fungsi transistor sebagai saklar elektronik o RANGKAIAN PERCOBAAN o ALAT DAN BAHAN Us = dc Power Suplly regulated 0.

4.8 0. alat ukur dan kaki transistor Periksakan rangkaian anda ke instruktur Ikuti prosedur dengan benar dan teliti Kembalikan alat dan bahan jika selesai percobaan pada tempat semula o UBE 0 0. 3.0 TABEL PENGUKURAN IB UCE IC IC.0 volt 4. Buat rangkaian seperti gambar 2.5 0. Beri kesimpulan dan komentar anda terhadap hasil percobaan tersebut ! o KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1.3 0.Elektronika -1 o LANGKAH KERJA 1.6 0. perhatikan penunjukkan instrument ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel yang tersedia 5.R3 75 .4 0.1 0. 2. Atur potensiometer sehingga UBE naik secara bertahap dari 0 sampai 1.2 0. Buat grafik hubungan antara UBE dengan UCE : UCE = f (UBE) 6.9 1. Hidupkan saklar 3.7 0. Perhatikan pengkutuban sumber daya. Pada setiap pengaturan langkag ke 4 di atas.

Elektronika -1 o GRAFIK UCE = f (UBE) o KOMENTAR DAN KESIMPULAN 76 .

Elektronika -1 III. Bagaimana anda mengatasi nilai Peak Inverse Vo ltage (PIV) suatu dioda ? 4. Kenapa bahan semikonduktor atau piranti elektronik tidak tahan terhadap kenaikan temperatur ? 2. 5. Iz (max) = 50 mA dihubungkan dengan sebuah sumber tegangan searah Us = 12 volt. EVALUASI PENGETAHUAN 1. Hitung nilai tahanan shunt (Rs) minimal agar dioda zener tersebut aman bekerja. Sebuah dioda zener dengan ciri Uz = 8 volt. Sebutkan beda transistor PNP dengan NPN ! 6. Keterampilan dan Sikap diri anda. Untuk apa pendingin transistor dibuat ? 77 . Ceriterakan pengaruh pemberian bias terhadap PN Dioda baik arah mundur dan maju ! 3. EVALUASI E valuasi ini bertujuan untuk mengukur kemampuan atau kompetensi anda setelah lengkap mengikuti atau mempelajari semua kegiatan belajar (Kegiatan Belajar 1 sampai 2). Khusus untuk menilai sikap dapat dinilai dari perilaku kerja anda dalam pemahaman dan kepatuhan terhadap prosedur kerja yang telah ditentukan termasuk kepedualian anda terhadap Keselamatan dan Kesehatan Kerja. dimana evaluasi ini meliputi evaluasi terhadap Pengetahuan. A.

ELEKTRODA ARAH REVERSE R Germaium R Silikon RANGE OHMMETER C– B FORWARD REVERSE E–B FORWARD REVERSE C– E FORWARD 5. 78 . Tentukan sendiri jenis transistornya PNP atau NPN 2. EVALUASI KETERAMPILAN Untuk evaluasi keterampilan diberikan lembar kerja sebagai berikut : Lakukan pengujian transistor Jenis germanium dan silikon dengan menggunakan multitester (ohmmeter) den gan ketentuan sebagai berikut : 1. Perhatikan polaritas dan kaki-kakinya 3. dimana skala tengahnya lebih kecil dari 100 ohm 4. Jangan gunakan range ohm.Elektronika -1 B. Beri kesimpulan pengujian anda. Gunakan tabel pengujian di bawah ini.

………………………………………………………………………………………….. 200… Siswa.. Praktik HASIL . Methoda Penilaian KOMPETEN 1. …………………………………………………………………………………………. …………………………………………………………………………………………..Elektronika -1 LEMBAR PENILAIAN MODUL NAMA SISWA NAMA ASSESOR : ELEKTRONIKA . Tertulis BELUM KOMPETEN KETERANGAN 2. ……………………. Bubuhkan tanda thick (? ) pada tabel berikut : No.. : ………………………………….1 : …………………………………. ……………………. ? KOMPETEN ? BELUM KOMPETEN Catatan : …………………………………………………………………………………………... Assesor. 79 . ……………………… ……………………………….

dan Louis Nashelky.. Thomas L.New Zealand Zbar. New Jersey Dirksen. Mc. Prentice Hall.Basic Electronics. USA 80 . Prentice-Hall. EIA-Mc. Control Engineering. terjemahan Haroen. Drs. NewJersey Morris. Dasar Elektronika 1 dan 2. 1984. Electronic Techniques. London Villanucci et. Bambang. Graw Hill Book Company (UK) Limited. 1974. Welington . Graw Hill Co. Toronto-London-Sidney Maloney.. 1981.. PPPG Teknologi Bandung. Paul B. Jakarta Pelajaran Elektronika Jilid 3. 1992. Bandung Floyd. Robert L. 1979. Electronic Devices.. AJ. Industrial Solid State Electronics. Penerbit Erlangga. Charlkes E.Merril Publishing Company. 1976. Prentice-Hall.J. Noel. Electronic Devices and Circuit Theory. 1982.Timothy. .Elektronika -1 DAFTAR PUSTAKA Boylested. 1982.

Skor SIMULASI gambar latihan video 2. khususnya tentang penguasaan terhadap peralatan ukur dan respek terhadap kesela matan kerja KET.Elektronika -1 STORY BOARD Judul Modul Pembelajaran Bidang Keahlian Program Keahlian : ELEKTRONIKA .1 : LISTRIK : PEMANFAATAN ENERJI LISTRIK SIMULASI PEMBELAJARAN SESUAI URUTAN TOPIK Simulasi praktek Animasi evaluasi URUTAN No. 1. PRASYARAT audio 81 . PEMBELAJARAN DESKRIPSI MATERI NARASI Berisi tentang penje lasan target pembe lajaran Berisi tentang prasyarat yang diperlukan sebe lum mempelajari mo dul.

5. prinsip dioda PN. sifat.Elektronika -1 3. ? ? ? 82 . PETA MODUL 4. KEGIATAN BELAJAR-1 Berjudul Teori Atom dan Dioda Semikon duktor. yang berisikan teori atom serta kejadian-kejadian pengutuban bahan semi konduktor . KEDUDUKAN Peta ini menunjukkan posisi modul yang akan dipelajari. Selain itu dilengkapi dengan latihan dan lembar praktik. khususnya memperlihatkan arah tujuan pencapaian kom petensi atau peranan modul dalam mencapai kompetensi akhir PERISTILAHAN Berisikan terminologiterminologi yang digu nakan dalam ilmu elektronika atau tek nologi pada umumnya. apli kasi dalam rangkaian.

berisikan tentang prinsip kerja transis tor. EVALUASI AKHIR Berjudul Transistor Bi polar. Terdiri atas dua meto da.Elektronika -1 6. yaitu teoritis dan praktik. aplikasi dalam rangkaian. ? ? ? ? 83 . KEGIATAN BELAJAR-2 7. Selain itu di lengkapi dengan la tihan dan lembar prak tik. cara pengu jian.fisik.


Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis. yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta. Jakarta. mudah-mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan.KATA PENGANTAR Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial. Dr. Dalam penggunaannya. Ir. Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat. Demikian. Gator Priowirjanto NIP 130675814 . guna merealisasikan penyelenggaraan pembelajaran di SMK. khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat. sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur. bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya.

Standar Kompetensi……………. C. Tujuan Kegiatan ………………………………. PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… PERISTILAHAN ………………………………………………………. C. B. B.……. ……………………………………… KEGIATAN BELAJAR 1 A.……….……… Test Formatif 2 ………………………………………... Prasyarat ………………………………………………………..………… B.. KEGIATAN BELAJAR 3 A. I PENDAHULUAN A.. Tujuan Akhir…………………………………………………. Uraian Materi ………………………………….…………………………… F. Petunjuk Penggunaan Modul …………………………. Deskripsi …………………………………………….. KEGIATAN BELAJAR 2 A.……… D.. Tujuan Kegiatan ………………………………. Uraian Materi ………………………………….……… Test Formatif 1 ………………………………………. B.……… Uraian Materi ………………………………….……… ii . E.. C..……. PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR. Tujuan Kegiatan ……………………………….Rangkaian Penyearah DAFTAR ISI Halaman i ii iv vi 1 1 1 2 2 3 5 6 6 6 6 6 18 19 19 19 26 27 27 27 KATA PENGANTAR …………………………………………………… DAFTAR ISI ……………………………………………………………. II Cek Kemampuan ……………………………………..

B. Uraian Materi …………………………………..……… EVALUASI ………………………………………………………. KUNCI JAWABAN ……………………………………………… DAFTAR PUSTAKA …………………………………………………….……. LAMPIRAN iii .……. Uraian Materi …………………………………. Tujuan Kegiatan ………………………………. C. B..……… KEGIATAN BELAJAR 7 A. KEGIATAN BELAJAR 6 A..Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 A. 31 31 31 34 35 35 35 43 45 45 45 52 52 52 59 63 67 KEGIATAN BELAJAR 5 A. C..……… Test Formatif 4 ………………………………………..……… Test Formatif 5 ………………………………………. Uraian Materi …………………………………. Uraian Materi …………………………………..……. B.……. Tujuan Kegiatan ………………………………. Tujuan Kegiatan ………………………………. III Tujuan Kegiatan ………………………………. B..

rata Regulator / pengatur Tahanan beban Tegangan keluaran –output dari regulator Tegangan Zener dioda Zener dioda .637 x harga puncak untuk gelombang penuh b. harga efektif gelombang ac a.5 x harga puncak untuk setengah gelombang Inverted IB IC IE IL IQ Iz PIV : : : : : : : : Keluaran /output berlawanan polritas dengan masukan/ input Arus basis Arus kolektor Arus Emitor Arus beban Arus diam regulator / quiscent Arus zener dioda Peak Inverse Voltage .Reg Uz=Vz ZD : : : : : : Tegangan kerut. 0.tegangan balik maksimum saat Dioda arah mundur Ripple Reg. RL V. saat anoda lebih positip Reverse Bias Average : : Arah mundur /balik bila katoda lebih positip dari anoda menunjukkan bentuk gelombang harga arus Searah a.PERISTILAHAN (GLOSSARY) Forward Bias : Arah maju aliran arus dari anoda ke katoda. 0. fluktuasi atas dan bawah . 0. harga rata.. 0.707 x harga puncak untuk gelombang penuh b.318 x harga puncak untuk setengah gelombang Rms : Root mean square.

ketrampilan dan sikap kerja yang dibutuhkan dalam suatu pekerjaan . PRASYARAT ( KEMAMPUAN AWAL ) Peserta pelatihan / Siswa harus sudah memiliki kemampuan awal materi sebagai berikut: ? Dasar –dasar Teknik Listrik ? Membaca gambar /simbol listrik ? Pengukuran Listrik ? Komponen dan Piranti Elektronik penguasaan 1 . A. B. Standar kompetensi diharapkan dapat menjadi panduan bagi peserta pelatihan untuk dapat : ? mengidentfikasikan apa yang harus dikerjakan oleh peserta pelatihan ? mengidentifikasikan apa yang telah dikerjakan peserta pelatihan ? memeriksa kemajuan peserta pelatihan ? meyakinkan bahwa semua elemen dan kriteria unjuk kerja telah dimasukkan dalam pelatihan dan penilaian. DESKRIPSI MODUL Modul ini berjudul Rangkaian Penyearah dipersiapkan untuk siswa Sekolah menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pembn\angkitan Level 1 Unit atau modul ini berkaitan dengan pemahaman tentang prosedur pemeliharaan Catu Daya Arus Searah atau DC Power pada stasiun pembangkit.Pekerjaan ini mencakup identifikasi komponen Catu Daya dan prosedur bongkar pasang komponen catu daya sesuai standar dan peraturan yang berlaku serta pembuatan laporan pelaksanaan pekerjaan Modul ini bertujuan mempersiapkan seorang pengajar / guru atau teknisi listrik yang kompeten dalam memahami aplikasi rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasa . PENDAHULUAN Dalam Sistem Pelatihan Berbasis Kompetensi. modul atau unit ini menggunakan pendekatan kompetensi yang merupakan salah satu cara untuk menyampaikan atau mengajarkan pengetahuan .Rangkaian Penyearah I. Dalam sistem pelatihan Berbasis Kompetensi.

Modul ini dapat anda gunakan secara klsikal ataupun individual. Penilaian unit ini dapat dilakukan oleh Guru/Asesor. Asosiasi atau industri tempat bekerja. tiga fasa dan regulator 5. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan komponen . 2.Kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas-tugas atau Tes yang tedapat dalam modul ini. Mengindentifikasi komponen-komponen Catu Daya sesuai dengan spesifiksinya 3. 3. Penilaian seharusnya meliputi penilaian kemampuan praktek unjuk kerja dan penilaian pokok-pokok pengetahuan dengan beberapa metode penilaian.alat ukur dan contoh model Catu Daya atau Trainer elektronik dan sumber daya searah maupun bolak bali yang tetap maupun variabel. PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL 1.Rangkaian Penyearah C. HASIL BELAJAR / TUJUAN AKHIR Setelah tuntas mempelajari modul ini peserta diharapkan mampu : 1. Menerapkan Fungsi komponen Penyearah dan Regulator pada rangkaian Catu Daya sesuai standar 4. Melakukan pemeliharaan Catu Daya dengan prosedur yang benar 2 . dimana setiap Kompetensi / Sub. Mengindentifikasi simbol-simbol komponen Catu Daya 2. Menganalisis prinsip kerja Rangkaian Penyearah satu fasa . Fokus penilaian ini sebaiknya mencakup: ? adanya integrasi antara teori dan praktek ? penekanan pada prosedur disamping hasil D.

.Menganalisa gangguan rangkaian penyearah satu .0 Mengidentifikasi kerusakan komponen utama rangkaian penyearah satu fasa. Gangguan pada rangkaian regulator transistor dan IC regulator dianalisa dijelaskan 3 . regulator diidentifikasi dan dijelaskan Penyebab kerusakan komponen dianalisa dan dijelaskan 5.2 Funsi rangkaian regulator dijelaskan Suatu fungsi IC regulator tegangan tetap dan tegangan dapat diatur dijelaskan penerapannya.0.HLD.Rangkaian Penyearah E.0 . STANDAR KOMPETENSI Kode Kompetensi Unit Kompetensi : K.1 4.2 2. tiga fasa dan regulator 5.1.1 2. 4.2 Jenis kerusakan kompenen penyearah. Gangguan pada rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasadi analisa dan dijelaskan 5.1 Kriteria Unjuk Kerja Jenis dan spesifikasi kompenen penyearah diidentifikasi dan dijelaskan perisip kerjanya Jenis dan tipe filter yang digunakan di indentifikasi Prinsip kerja Peneyearah satu fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan Prinsip kerja Peneyearah tiga fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan 1.0. (1) : Memlihara Rangkaian Penyearah ( Rectifier ) Elemen Kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja Adapun eleme n kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja yang harus dicapai melalui modul ini adalah sebagai berikut Sub Kompetensi / Elemen 1.Menganalisa rangkaian regulator transistor dan IC regulator 3.tiga fasa dan regulator 1. Menganalisa rangkaian penyearah satu fasa dan tiga fasa 2.2 30.tiga fasa dan regulator 4.0 Mengidentifikasi komponen utama rangkaian penyearah satu fasa.1 3.

Menganalisa gangguan rangkaian catu daya ( DC power ) dan m elakukan bongkar pasang komponen / unit peralatan catu daya sesuai dengan prosedur dan rencana kerja pemeliharan Membongkar dan memsang komponen catu daya dilakukan secara cermat berdasarkan prosedur kerja serta mentaati prosedur keselamatan kerja MKH.Rangkaian Penyearah Pengetahuan : Memahami susunan konstruksi komponen DC power . perinsip kerja rangkaian penyearah pada catu daya dan perlengkapan kerja pemeliharaan DC power.LD (1) 14 Ketrampilan : Sikap : Kode Modul : 4 .

1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan Catatan Ya Tidak 2.2 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3. Check List Kemampuan Kegitan Pembelajaran Elemen PENGUASAAN Kriteria Unjuk Kerja 1.kapasitor dan induktor dijelaskan 2.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan 4.0 Menguasai prosedur pemeliharaan catu daya 4.Rangkaian Penyearah F. resistor.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya 1.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 3.1 Melakukan dan pemeliharan perbaikan catu daya sesuai SOP 5 .

1 DIODA SEBAGAI PENYEARAH Dioda semikonduktor Bahan dasar yang banyak digunakan untuk membuat piranti elektronik adalah bahan semikonduktor germanium (Ge) dan silikon (Si). PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR 1 PENYEARAH TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? ? Menghitung tegangan dan arus beban. Membuat hubungan rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh. Menentukan batas tegangan balik (revers) dioda dalam rangkaian penyearah setebgah gelombang dan gelombang penuh. 1. 6 .Rangkaian Penyearah II. yang mana kedua bahan ini mempunyai elektron valensi yang sama. Menghitung tegangan dan arus dioda.1. Sambungan bahan semikonduktor P dan N mendasari suatu piranti elektronik aktif yang disebut sebagai Dioda. Dioda mempunyai elektroda Anoda yang berkutub positif dan elektroda Katoda yang berkutub negatif. Simbol dioda diperlihatkan seperti pada gambar 1.

3 Kurva Hubungan arus dan tegangan bias maju 7 .2 Bias maju-Saklar on I Forward U Gambar 1. Bias Maju Dioda Jika anoda dihubungkan pada polaritas positif batere. maka keadaan dioda disebut arah maju (forward-bias) aliran arus dari anoda menuju katoda.Rangkaian Penyearah Gambar 1. dan aksinya sama dengan rangkaian tertutup Gambar 1.2.1 Simbol Dioda A. sedangkan katoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.

karena akan mengakibatkan rusaknya dioda. pada saat reverse. -U Reverse -I Gambar 1.5 memperlihatkan kurva pada saat reverse . Gambar 1. Bias Mundur Dioda Jika katoda dihubungkan pada polaritas positif batere. maka keadaan dioda disebut arah mundur (reverse-bias) dan aksinya sama dengan rangkaian terbuka.Rangkaian Penyearah B. nilai tahanan dioda relatif sangat besar dan dioda ini tidak dapat menghantarkan arus. 8 .5 Kurva Hubungan arus dan tegangan b ias maju Secara umum dioda digunakan sebagai penyearah (rctifier) arus/tegangan arus bolak balik (AC) satu fasa atau tiga fasa kedalam bentuk gelombang arus searah (DC).4 Bias mundur –Saklar off Sebagai sifat dioda. sedangkan anoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.4. Harga-harga nominal baik arus maupun tegangan tidak boleh dilampaui. Gambar 1.

Catu daya arus searah (DC) dapat dipeloreh dari batere atau dari sumber daya listrik 220/240 Volt Ac 50 Hz yang dirubah menjadi arus searah melalui rangkaian penyearah (rectifier). 1. merupakan rangkaian untuk memproses fluktuasi penyearahan yang menghasilkan keluaran tegangan DC yang lebih rata. peralatan kontrol elektronik.1 PENYEARAH SETENGAH GELOMBANG Contoh sederhana rangkaian penyearah setengah gelombang diperlihatkan seperti gambar 1.6 Rangkaian Penyearah setengah gelombang 9 . yaitu : ? ? ? ? Tranformasi tegangan yang diperlukan untuk menurunkan tegangan yang diinginkan.Rangkaian Penyearah Pada dasarnya penyearahan ini ada dua macam yaitu : ? ? Penyearah setengah gelombang (half wave rectifier) Penyearah gelombang penuh (full wave rectifier) 1. misalnya pesawat amplifier.6 Us + Time Us Diode RL - common Gambar 1. Filter. adalah parameter yang sangat penting pada catu daya dan regulator tegangan dengan bahan bervariasi.2 PENYEARAH (RECTIFIER) Tegangan arus searah biasanya dibutuhkan untuk mengoperasikan peralatan elektronik. peralatan komunikasi dan sebagainya. rangkaian ini untuk mengubah tingkat tegangan arus bolak balik ke arus searah. Pada sistem rangkaian penyearah ada 4 fungsi dasar yang dibahas. Regulasi.2. Rangkaian penyearah .

8 kurva harga rata-rata 10 .Rangkaian Penyearah Jika dioda dalam kondisi menghantar (conduct) pada setengah perioda positif. dioda bersifat menghambat (reverse bised) nilai tahanan dioda sangat tinggi dan dioda tidak menghantar. dioda tersebut pada keadaaan forward biased sehingga arus mengalir dan melewati tahanan beban R L.7 memperlihatkan bentuk gelombang proses penyearahan setengah gelombang. kita dapat menghitung dari luas kurva seperti pada gambar 1.7 Bentuk Gelombang Output Penyearah Setengah Gelombang Untuk menghitung besarnya harga rata-rata dari signal yang disearahkan. Pada saat setengah perioda negatif. Gambar 1. Gambar 1. tegangan keluaran (UL) hampir sama dengan sumber Us Drop tegangan pada dioda lebih kurang 700mV.8 Gambar 1. Secara praktis.

Daya = Um x Im Um Im = -----RL Udc Idc = -----RL ? Arus yang melalui rangkaian seri adalah sama. Hal yang perlu diperhatikan dalam penyearahan ini adalah besarnya tegangan balik maksimum (PIV) dari dioda yang digunakan minimal harus sama besarnya dengan tegangan maksimum AC yang akan disearahkan.414 x Ueff disipasi daya pada beban dapat dihitung dari harga RMS tegangan dan arus pada beban. U Us Us U dioda = 0. bila : Ueff = 20 volt Drop tegangan dioda 0.318 x Um tegangan maximum Um = 1.Rangkaian Penyearah ? Tegangan AC selalu diasumsikan harga RMS (Urms ) harga efektif RMS = 0.9 11 .8 volt.5 x harga puncak (Um) (Udc) harga rata-rata = 1/? x Um = 0.8 V 0 Time Gambar 1. Tentukan tegangan rata-rata (Udc) yang melalui beban pada gambar 1. Contoh soal 1.9 dibawah ini.

10 dan 1. Rangkaian Penyearah Centre tap Penyearah gelombang penuh dengan menggunakan transformator sadapan pusat ( Center Tap ) diperlihatkan seperti gambar 1.48 V Udc = 0.48 = 8. Cara yang lain untuk mendapatkan keluaran (output) gelombang penuh adalah dengan menggunakan empat dioda disebut penyearah jembatan (rectifier bridge).10 Penyearah dengan Trafo CT 12 .74 V 1.2 PENYEARAH GELOMBANG PENUH Rangkaian penyearah gelombang penuh dapat diperoleh dengan dua cara.28 V Um (beban) = (Um – 0. A. 318 x Um = 0.8) volt = 28.8 = 27.28 – 0.414 x Ueff = 1.414 x 20 volt = 28.2. 318 x 27. Cara pertama memerlukan transformator sadapan pusat (Centre Tap-CT).11 D1 A R L D2 B Gambar 1.Rangkaian Penyearah Penyelesaian : Um = 1.

11 Bentuk gelombang Penyearah gelombang penuh Harga tegangan dapat dihitung : Ueff = 0.11 Gambar 1. ujung A berpolaritas positif dan ujung B berpolaritas negatif. Bentuk gelombang input dan output ditunjukkan seperti terlihat pada gambar 1. sedang B berpolaritas positif. Pada saat A berpolaritas negatif . Pada saat ini D1 menghantar (conduct) sedangkan D2 tidak menghantar (reverse biased).636 x Um Harga arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : Um Im = --------RL Udc Idc = ---------RL 13 . pada saat ini D2 menghantar sedangkan D1 tidak menghantar .Rangkaian Penyearah Bila U1 dan U2 mempunyai polaritas.707 x Um Udc = 0.

12 diatas bila D1 menghantar hitung harga tegangan : a) Tegangan maksimum pada katoda D 1 b) Tegamgam maksimum pada anoda D2 c) Tegangan antara anoda dan katoda pada D1 d) Tegangan antara anoda dan katoda pada D2 14 .Rangkaian Penyearah Soal latihan : 1. Dari gambar 1.6 volt c) Harga arus maksimum d) Harga arus rata-rata D1 220 v 50 v 50v 40O D2 Gambar 1. dari gambar 1.12 tentukan : a) Harga tegangan maksimum lilitan sekunder trafo b) Harga tegangan maksimum pada beban bila drop tegangan dioda 0.12 2.

sedang D2 dan D 3 tidak menghantar. dioda yang menghantar adalah D4 dan D 1. Pada saat terminal A negatif dan B positip .13 Rangkaian penyearah sistem jembatan Pada saat terminal A positif dan terminal B negatif .Rangkaian Penyearah B. Dengan demikian setiap setengah perioda tegangan bolak balik ada dua dioda yang menghantar (conduct) secara bersamaan dan dua buah dioda lainnya tidak menghantar sehingga menghasilkan bentuk gelombang penuh.13 a) A b) Bridge rectifier + D1 D2 _ B D3 D4 + RL 120 ? - Gambar 1. Tegangan rata-rata (Udc) sama dengan sistem penyearah dengan menggunakan trafo CT. Penyearah Gelombang Penuh Sistem Jembatan Rangkaian penyearah ini memerlukan empat buah dioda yang dipasang dengan konfigurasi jembatan seperti terlihat pada gambar 1. 15 . dioda-dioda D2 dan D3 berada dalam kondisi menghantar seadangkan D4 dan D 1 tidak menghantar.

Um tegangan sekunder trafo b. ? Kelebihan sistem jembatan terhadap sistem trafo CT adalah adanya dioda yang tersambung seri sehingga masing-masing dioda dapat menahan tegangan balik maksimumnya. Udc pada beban d.Rangkaian Penyearah Bentuk gelombang keluaran (output) terlihat seperti gambar 1. Contoh soal Dari gambar 1.15 Hububungan Beban Pada Penyearah Gelombang Penuh 16 .7 volt c. Im dan Idc Us 15 V RL 200O Gambar 1. Um pada beban jika drop tegangan dioda 0.15 tentukan : a.14.

Um pada sekunder Um = 1.637 x 19.56 = -----------200 = 63.Rangkaian Penyearah Penyelesaian : a. Tegangan rata-rata : Udc = 0. Um pada beban RL Um (beban) = 21.211 volt b.64 volt Um d.1 mA Udc Idc = ------RL 12.81 = ----------200 = 99.21 – (2 x x0.414 x Us = 1.637 x Um (beban) = 0. Im = -------RL 19.414 x 15 = 21.7) = 19.81 = 12.81 volt c.2 mA 17 .

17 Hitung : a. dioda transformator 18 .5 V D 2 120 ? gambar 1. Dari rangkaian penyearah gelombang penuh seperti terlihat pada gambar 1. Soal 2.16 a. Hitung tegangan rata-rata pada beban dan arus maksimum yang melalui setiap dioda b. D 1 7. b.17 8. Tegangan rata-rata keluaran ( output ) Arus melalui beban Tegangan balik puncak dioda ( PIV ) Coba jelaskan dari pengalaman anda gangguan-gangguan yang terjadi pada : a. Dari gambar 1. Tentukan besar PIV untuk dioda.5 V U0 RL 7. b.Rangkaian Penyearah Review Test 1 Soal 1.5 D1 D2 Us 40 v D3 0V D4 RL 18 O gambar 1. Soal 3.16 Soal 1. c.

Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 2 FILTER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat menerapkan : Nilai kapasitor untuk perubahan tegangan rata-rata dan tegangan kerut.1 Rangkaian penyearah dengan Filter 19 . PERATA DENGAN KAPASITOR Pada rangkaian penyearah yang dibahas pada kegiatan belajar 2 . Effek tegangan rata-rata dan tegangan kerut pada perubahan arus beban.1 Rectifier Filter Beban (Load) T C R Gambar 2. Guna menghilangkan sisa gelombang bolak balik tersebut sering digunakan kondensator elektrolit sebagai tapis perata (Filter) seperti pada gambar 2. sistem penyearah menghasilkan arus gelombang searah masih terdapat pulsa gelombang bolak balik Secara umum peralatan elektronik membutuhkan sumber arus searah (DC) yang halus atau lebih rata.

Filter Kapasitip Penambahan nilai kapasitor yang dipararel dengan beban akan memberikan efek peralatan pulsa DC yang lebih halus. Nilai kapasitor yang lebih besar akan menyimpan muatan pada saat pengisian.2 Rangkaian Penyearah gelombang penuh dengan filter kapasitor Gambar 2.3 bentuk gelombang perataan dengan kapasitor 20 . Kecepatan pengosongan muatan kapasitor tergantung dari besarnya konstanta waku ? = RL x C Gambar 2.Rangkaian Penyearah 2. (2 x IN4004) Ac supla y D1 470?F RL D2 0v Gambar 2.1.2 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dilengkapi filter kapasitor .

pada saat T1 kapasitor terjadi pengisian muatan kapasitor mendekati harga tegangan puncak Um (maksimum) jika tegangan pulsa turun lebih rendah dari Um maka kapasitor akan mengosongkan muatannya. hal ini disebabkan karena kapasitor memerlukan waktu mengosongkan muatannya. = persentase dari tegangan kerut.Rangkaian Penyearah Perhatikan gambar 2.3 diatas. Ur ? . Sebelum tegangan kapasitor turun banyak. tegangan pada kapasitor keburu naik lagi.2 Faktor Kerut (Ripple) Keluaran dari penyearah terdiri dari tegangan searah dan tegangan bolak balik atau ripple. 21 . 2. Faktor kerut didefinisikan : Harga efektif komponen signal AC r = ---------------------------------------------Harga rata-rata signal DC Ur (rms) r = ------------Udc Ur(rms) 100 atau % ripple = -------------. = harga tegangan keluaran DC yang terukur oleh volt meter DC.(Ingat ? = R. I .x --------Udc 1 Dimana : Ur (rms) Udc %r ? = harga tegangan kerut yang terukur oleh volt meter AC. Tegangan berubah yang terjadi tersebut disebut tegangan kerut (ripple voltage) hasil dari transient kapasitor. RL Tegangan kerut adalah berbanding langsung terhadap arus beban (RL). Dengan adanya kapasitor (C) tegangan keluaran tidak segera turun walaupun tegangan masuk sudah turun.C).

4 bentuk gelombang kerut 22 .Rangkaian Penyearah Gambar 2.4 mempelihatkan bentuk gelombang dengan menggunakan filter dan tanpa filter untuk penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh. Gambar 2.

3 Filter CR Gambar 2. Uo = -------------. RL DC.= Uin (rms) R2 + Xc2 23 .Rangkaian Penyearah 2.x Uin (DC) R + RL 1 Xc = -------2? fC Xc tegangan kerut AC = ---------------.5 Penyearah dengan filter RC Tegangan keluaran (output) DC ditentukan oleh R dan R L sebagai pembagi tegangan.5 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dengan perata kapasitor dan resistor ( C R ) dc R C1 C2 RL Gambar 2.

Dari rangkaian dapat dihitung beberapa besaran yaitu : ? XL = 2?fL 1 Xc = -------2? fC impedansi dari rangkaian perata adalah : Z = XL ? Xc U dan besarnya I = -----Z ? 24 . Xc2 harus lebih rendah dari R.4 Filter LC Pada gambar 2. R harus lebih rendah dari RL hal ini untuk memelihara level output DC. hal ini untuk mengurangi level kerut AC pada output dan Xc2 harus seperlima dari harga RL.Rangkaian Penyearah ? Secara umum.6 diperlihatkan diagram rangkaian tipe perata dengan L dan C.6 Penyearah dengan filter LC Gambar 2.6 rangkaian filter LC Induktor atau choke menentang perubahan arus dan energi disimpan pada induktor dalam bentuk medan magnet . 2. Gambar 2.

UNL . Gunakan LC filter jika arusnya tinggi. tegangan outputnya jatuh menjadi 80 volt. Regulasi Tegangan Perubahan besarnya tegangan output. 4. dari suatu tegangan arus searah tanpa beban ke keadaan berbeban penuh disebut sebagai regulasi tegangan.x 100 UFL Keterangan : VR = regulasi tegangan (%) UNL = tegangan tanpa beban UFL = tegangan beban penuh Sebagai contoh. Gunakan penyearahan gelombang penuh.5. catu daya tanpa beban dengan dengan tegangan output 100 volt. Jika persentase regulasinya rendah maka dapat dikatan bahwa penyearah tersebut mempunyai regulasi yang baik. Arus beban penuh mengalir bila beban dihubungkan.x 100 80 = 25% Catatan. Penyearah yang sederhana dan rangkaian perata (filter) nya kurang baik regulasinya dapat diperbaiki dengan cara : 1. 25 .UFL % VR = --------------. 3.Rangkaian Penyearah Tegangan kerut melalui kapasitor C adalah: Uc (rms) = I x Xc 2. Pastikan tahanan kedua transformator dan filter choke rendah (minimum). 2. Pastikan dioda yang digunakan mempunyai tegangan jatuh yang rendah. maka regulasi tegangan dapat dihitung sebagai berikut : (100 – 80) % VR = -------------.

Tegangan kerut = 12 V (rms) dengan frekuensi 100Hz. Apa tujuan pemasangan filter pada penyearah ? Soal 2. L =5 H dan C = 100? F. gambarkan diagram rangkaiannya? 2. XL b. Arus yang mengalir c.Efek apa yang terjadi pada : a. 26 . 1. Suatu rangkaian penyearah gelombang penuh menggunakan filter LC dan beban RL. Tegangan kerut yang melalui kapasitor C.Rangkaian Penyearah Review Test 2 Soal 1. output rata-rata b. hitunglah : a. Bila pada rangkaian filter menggunakan kapasitor dan nilai kapasitornya dirubah menjadi lebih besar. arus dioda soal 3.

4 V sampai200 V dengan disipasi daya dari ¼ W sampai 50 W. biasanya terjadi akibat adanya fluktuasi tegangan pada jala-jala input dan variasi beban yang berubah-ubah. Dioda zener dibuat dengan potensial pada nilai tertentu antara 2. Tujuannya agar tegangan searah yang dihasilkan yaitu tegangan keluarannya (output) tidak berubah jika dibebani dalam batas-batas tertentu. Koefisien suhu minimum terjadi pada zener 6 V untuk arus 40 mA 3. 3.1 Dioda Zener Dioda zener adalah dioda silikon (si) yang khusus dibuat sebagai penstabil tegangan pada catu daya DC.1 dan gambar 3.2 Dioda Zener Sebagai PengaturTegangan Penyebab ke tidakstabilan suatu sumber tegangan. arus dan disipasi daya dari komponen zener regulator.2 27 . Dioda zener dengan tegangan zener diatas 6 V mempunyai koefisien suhu positif dan dibawah 6 V mempunyai kosfisien suhu negatif.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 3 REGULATOR ZENER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? Menghitung tegangan. Rangkaian sederhana Zener regulator ditunjukkan seperti gambar 3.

Rangkaian Penyearah Gambar 3. Gambar 3.1 rankaian regulator sederhana T D1 Rs RL Zd Unregulated power Suplly Zener dioda regulated load Gambar 3.2 Rangkaian regulator zener Dari diagaram rangkaian diatas dapat dihitung besarnya arus dan tegangan yang terjadi pada rangkaian. sehingga tegangan 28 .1 memperlihatkan rangkaian regulator dioda zener yang sederhana. Dengan membuat tegangan masukan ( input ) lebih besar dari tegangan zener maka dioda zener bekerja pada daerah tegangan balik (VIP).

Uz atau Ui . 29 .Uz Rs = ----------Imaks Disipasi daya ( Pd ) pada resistor Rs adalah : Pd = URS x Imaks = (Imaks )2 x Rs Dari perinsip kerja rangkaian diatas dapat disimpulkan bahwa : apabila IL turun akibat kenaikan beban RLdan karena Imaks tetap . URL = Uz Arus maksimum yang melalui Rs adalah Is atau Imaks = IZ + IL Iz = Imaks .Rangkaian Penyearah keluaran (output) tetap untuk berbagai nilai arus beban selama tegangan pada zener tidak kurang dari 12 V Tegangan pada Rs adalah : URS = Ui .Uz Tegangan pada beban RL adalah sama dengan tegangan zener. akhirnya Iz akan naik sehinga harga Uz akan selalu tetap. walaupun arus beban (I L) berubah-ubah .IL untuk tegangan kerja zener 12 volt. Imaks x Rs harus sama dengan Ui . tegangan pada beban akan tetap stabil dan yang selalu berubah adalah arus pada zener dioda ( Iz ) yang mengikuti perubahan arus beban. Dari analisa diatas.

12 Rs = ---------70 x 10 – 3 = 114 O Disipasi daya pada Rs adalah 0.07 2 x 114 = 559 miliwatt 30 .Uo Uin .Uo Rs = --------------Imaks 20 .Rangkaian Penyearah Contoh Soal Dari rangkaian gambar 3.1 diketahui : Tegangan zener Tegangan input Arus Zener Arus beban = 12 volt = 20 volt = 10 mA = 60 mA Ditanya berapa harga Rs dan Disipasi daya pada hambatan Rs Penyelesaian: Arus maksimum yang melalui Rs adalah Iz + IL = 60 +10 mA = 70 mA Drop tegangan akan terjadi pada Rs adalah sama dengan Uin .

31 .1 arus beban lewat melalui transistor dari kolektor ke emitor.1 Rangkaian regulator seri Rs dan zener dalam rangkaian ini adalah bentuk yang sederhana dari regulator zener yang mempertahankan tegangan konstan pada basis transsistor Q1.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 REGULATOR TRANSISTOR SERI TUJUAN : ? ? ? Menyebutkan alasan penggunaan regulator transistor seri. Menerapkan operasi regulator secara genar. Q1 UCE C RS US B E IL IZ UR L Gambar 4. Menghitung arus dan tegangan rangkaian regulator seri. Resistor Rs memberikan arus basis (IB) Q1 dan arus ke dioda zener (!Z ). 4. Rangkaian ini memberikan kerja yang lebih efisien dan arus beban yang lebih besar.1 Regulator Seri Rangkaian regulator seri menggunakan transistor bipolar seperti pada gambar 4.

Rangkaian Penyearah Transistor tersebut akan berpungsi sebagai pengatur tegangan (voltage regulator). kemudian akan terjadi drop tegangan pada transistor . menjadi kurang positip. tegangan output akan jatuh . Ini artinya tegangan Emitor ( VE) dari transistor dikurangi .2 Gambar 4. kemudian U Arus beban melalui R CE Be naik . dan tegangan output kembali keharga semula . Bila arus beban naik .Uo U0 = UZ + UBE Karena besarnya UBE relatif kecil. Rangkaian lainnya adalah transistor sebagai regulator arus seperti pada gambar rangkaian 4.2 Regulator Arus Rangkaian ini dirancang untuk mempertahankan harga arus yang melewati beban ketika terjadi perubahan beban pada tegangan tetap. maka U0 = UZ dan selalu konstan. .tegangan output akan naik terhadap tegangan awal. tegangan output akan naikn juga. Besarnya tegangan output didapat dari persamaan : UCE = Uin . Perinsip kerja rangkaian adalah sebagai berikut : Jika tahanan beban dari rangkaian turun . Jadi jika tegangan input naik .. Hal ini akan mengurangi U BE dan UCE akan naik sehingga tegangan output kembali normal. 32 . dengan adanya zener dioda maka tegangan out put dapat dipr\ertahankan stabil.

x 100% IFL Dimana : INL = arus tanpa beban. Efek terhadap bias Q1 adalah : UBE = UZ – UR 1 Karena harga UZ selalu konstan. Regulasi arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : INL .IFL Regulasi arus = ------------. IFL = arus beban penuh. maka penurunan pada UR 1 akan mengakibatkan kenaikan pada UBE transistor dan sekaligus menaikkan konduktifitas dari transsistor sehingga arus beban IL dapat dipertahankan pada harga yang tetap.Rangkaian Penyearah Dari rangkaian didapat persamaan : Uz IE = --------R1 IL = IC = IE .IB IE = IC + IB Keterangan : ? ? ? ? IE = arus emitor IC= arus kolektor IB = arus basis IL = arus beban Penurunan arus beban IL = IC akan mengakibatkan penurunan arus emitor dan akan mengurangi drop tegangan pada R 1 (UR 1 = IE x R1). 33 .

arus maksimum d. tegangan pada resistor seri Rs c. Daya pada Zener c.2 A . berapa persen regulasi yang terjadi ? 34 . Jika arus beban 1 amper. arus dioda zener e.1 ) mempunyai tegangan input 15 volt.5 A tanpa beban ke beban penuh menjadi 1. Rangkaian regulator seri ( lihat gambar 4. Perhatikan gambar rangkaian dibawah ini : +12 v 330 ? Rs RL Vz = 8. Zd dan R L Soal 2 . disipasi daya pada Rs . tegangan Zener 12.2 v 0 gambar 3.Rangkaian Penyearah Review Test 3 Soal 1. tegangan pada beban R L b.3 Rangkaian zener Ik Hitung berapa besarnya : a. Efisiensi rangkaian b. Disipasi daya transistor Soal 3 Apakah fungsi regulator arus konstan ?Jika perubaha arus dari 1. hitunglah : a.5 voltdan arus zener 100 mA.

Mempunyai ripple output yang sangat kecil. 3. ukuran kecil 2. Membutuhkan penambahan komponen luar yang sangat sedikit. Mempunyai proteksi terhadap arus hubung singkat. 5. Menghitung tegangan output dari rangkaian regulator. Mempunyai tegangan output yang sangat konstan 5. Keuntungannya adalah : 1. Mengukur arus dan tegangan dan menentukan rangkaian regulator bekerja dengan benar. 7.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 5 REGULATOR TEGANGAN TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? Membaca parameter esensial regulator tiga terminal dari lembaran data.1 IC Regulator Tiga Terminal. Mempunyai arus rendah 6. 4. Pembiyaan rendah 35 . Regulator tiga terminal adalah “ Integrated Voltage Regulator Circuit “ yang dirancang untuk mempertahankan tegangan outputnya tetap dan mudah untuk dirangkai. Mempunyai automatic thermal shutdown.

Rangkaian Penyearah

Gambar 5.1 memperlihatkan contoh IC regulator Tegangan Positif tiga terminal MC 7805.

Gambar 5.1 bentuk IC regulator dan simbol rangakain

Seri LM 78XX adalah regulator dengan tiga terminal, dapat diperoleh dengan berbagai tegangan tetap Beberapa IC regulator mempunyai kode yang dibuat oleh pabrik pembuat komponen , sebagai contoh : IC LM.7805 AC Z yang artinya sebagai berikut: LM 78L 06 AC Z Linear Monolithic Bagian nomor dasar yang menyatakan tegangan positip Tegangan output Standart ketepatan Tipe pembungkus , ZTO-92 Plastic

Seri LM 78XXC dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 alamunium , arus keluaran (output) 1A ,boleh lebih asalkan IC regulator dilengkapi dengan pendingin (heatsink). Regulator LM 78XXC mudah dipakai dan tambahan komponen-komponen ektern tidak banyak . Sifat-sifat IC regulator LM 78XX adalah sebagai berikut : ? ? ? ? ? Arus keluaran melebihi 1A Pengamanan pembebanan lebih termik Tidak diperlukan komponen tambahan Ada pengamanan untuk transistor keluaran ( output ) Dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 aluminium


Rangkaian Penyearah

Karakteritik Elektrik Tipe Regulator Tegangan I out ( A ) Tipe 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 ? U out ( V) 78XX C 5 6 8 10 12 15 18 24 1 1 1 1 1 1 1 1 78 LXX 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 78 MXX 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Uin ( V ) 7,5 8,6 10,6 12,7 14,8 18 21 27,3 20 21 23 25 27 30 33 38

Sumber National Semiconductor , IC linier

Contoh rangkaian lengkap catu daya menggunakan regulator tiga terminal IC 7805 untuk tegangan output 5 volt konstan ditunjukkan pada gambar 5.2

Gambar 5.2 rangkaian catu daya dengan IC regulator

Arus maksimum regulator IC yang dikirim ke beban tergantung pada tiga faktor, yaitu: 1. Temperatur. 2. Perbedaan antara tegangan input dan output atau disebut diferensial input output. 3. Arus beban. 37

Rangkaian Penyearah

Uraian lengkap mengenai parameter IC regulator dapat dilihat dari data sheet yang dibuat oleh pabrikpembuat komponen . Contoh IC 7805 C mempunyai output nominal 5 volt. Dari data sheet Motorolla didapat temperatur juntion 250 C (Tj + 250 C) ,tegangan output antara low 4,8 volt atau high 5,2 volt ; arus output > 100 mA.

5.2 Regulator Positip Sebagai Sumber Arus.
Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 , LM 317 Pada gambar 5.3 diperlihatkan rangkaian IC Positip regulator yang digunakan sebagai sumber arus. U in LM 317 +12 v R1 IQ R2 0v
gambar 5.3 regulator tegangan tetap

I out

U out

Dari rangkaian diatas, tegangan output dihasilkan dari penjumlahan UR1 dan UR2 Tegangan output , U0 = UR 1 + UR2 Dimana tegangan UR1 adalah tegangan output IC regulator 7805 yaitu sebesar 5 volt. UR1 IR1 = -------R1 IR2 = IR1 + IQ


Rangkaian Penyearah

Tegangan pada R 2 adalah : UR2 = IR2 x R2 Pada gambar 5.4 diperlihatkan rangkaian tegangan output yang diukur dari pembebanan ( R load )

U in LM 317

I out

R1 IQ IL 0v
U out


Gambar 5.4 Regulator arus

U Reg IL = -----------R


Teganga output adalah U out = IL x R Load Dimana IQ adalah arus pada regulator ,dan U

batas tegangan regulator

5.3 Regulator Tegangan Yang dapat Diatur
Konsep baru dalam rangkaian regulator yang tegangan outputnya dapat diatur adalah regulator daya. Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 .


Rangkaian Penyearah

Regulator LM 317 dapat memberika arus keluaran ( output ) lebih dari 1,5 amper dengan tegangan antara 1,2 volt sampai 37 volt. dan IC LM 350 mampu memberikan arus 3A dan jangkauan tegangan output 1,2 V sampai 33 V.

Gambar 5.7 memberikan dasar rangkaian regulator yang dapat diatur tegangan outputnya.

V in



1,25 v

RL R2 U R2 0v


Gambar 5.7 regulator teganagan output dapat diatur

U Reg Arus regulator adalah I Reg = ------R1 Tegangan output diperoleh dari rumus: U out = U Reg Atau R2 U out = U Reg + ( ----- + 1 ) + IQ R 2 R1 U Rreg + ( -------- + IQ ) R 2 R1


5 A Tegangan keluaran stelan pendahuluan 4% Untuk seri LM79LXX AC .Rangkaian Penyearah 5.4 Regulator Tegangan Negatif Pada rangkaian operational amplifier dan microprocessor dibutuhkan catu daya yang membutuhkan dua polaritas sumbertegangan. Sifat-sifat regulator ini adalah sebagai berikut : ? ? ? ? Arus keluaran 100mA Mudah dikompensasi dengan kodensator kapasitas kecil 0.1 µ A Mudah distel untuk tegangan keluaran tinggi Penyimpangan tegangan keluaran stelan ± 5 % yang tegangan Gamnar 5.5 amper . Seri LM 79XXC dikemas dalam kemasan daya TO-200 dan mampu mengeluarkan arus 1. LM 79LXX adalah regulator tegangan negatif 3 terminal .6 regulator negatif 41 . Seri LM 79XXC .piranti ini telah dirancang untuk mengeluarkan tegangan tetap dan dapat diperoleh dalam kemsan TO-92 dengan 3 kawat.6 memperlihatkan regulator negatif tiga terminal outputnya dapat diatur 79XX Gambare 5. Sifat-sifat regulatorLM79XXC adalah sebagai berikut: ? ? ? ? Mempunyai pengaman daerah. misal +5V dan -5V.hubung singkat dan termik Penindasan kerut ( ripple ) tinggi Arus keluara 1.

Suplai ? 12 volt . Contoh diagram rangkaian pada gambar 5. LM 320 T –15 . Jenis rangkaian kombinasi regulator positip dan negatip adalah sebagai berikut : 1.7 menggunakan LM 340 positif regulator yang dihubung dengan negatif regulator LM 320. LM 320 T-12 . Suplai ? 15 volt . LM 320-15 .Rangkaian Penyearah 5. (D1 D2 IN 4720 ) 3. Suplai ? 15 volt .5 Catu daya Dua Polaritas.7 dasar catu daya dua tegangan 42 . 200mA LM 342H-15 . D1 dan D2 adalah dioda proteksi bekerjanya regulator pada common load dan akan membatasi arus hubung singkat regulator. (D1 D2 IN 4001 ) Gambar 5. 1A LM 340 T. (D1 D2 IN 4720 ) 2. 1 A LM 340 T-12 .

4 Soal .5 43 .2 v Gambar 5. Soal 1 7805 R1 IQ Us = 20 v R2 180? = 50 mA 100? U0 gambar 5.2 7812 1k Us = 20 v RL Uz = 8.dari rangkaian regulator tegangan gambar dibawah ini .Rangkaian Penyearah Review Test 4 Hitung berapa tegangan output yang dihasilkan.

44 . Berapa tegangan output bila Rp diset pada nol ohm tersebut? c. Bila Rp diset ke maksimum 2 kilo ohm.7 regulator teganagan menggunakan LM 317 Dari gambar 5. bila IQ = 50 µ A a. Berapa tegangan pada Rp bila harga Rp diset pada nol ohm? b..Rangkaian Penyearah Soal 3 V in LM317 IQ =50 µA R1 220? 1.25 v +20 v R2 Rp 2k URp 0v Gambar 5. hitung tegangan output rangkaian catu daya.7 diatas coba anda analisa prinsip kerjanya dan jawablah pertanyaan dibawah ini.

dan D3 dan titik netral dari sumber yang dihubungkan bintang. Penyearah tiga fasa dengan filter mengahasilkan output DC yang lebih rata.D2. Penyearah tiga fasa lebih efisien serta menghasilkan daya output yang konstan sehingga dapat dipakai pada sistem yang lebih komplek dengan beban yang tetap.1 memperlihatkan penyearahan tiga fasa setengah gelombang yang tidak menggunakan transformator. D2. Penyearah Setengah Gelombang 3 Fasa. 45 .Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 6 PENYEARAH TIGA FASA PENDAHULUAN Penyearah tiga fasa banyak dipakai .. Gambar 6. enam atau dua belas komponen penyearah dioda atau SCR.1. dan D 3. Bagian beban dihubungkan antara katoda dari dioda D1. AVR alternator dan sebagainya. karena pulsa yang terbentuk lebih berdekatan satu sama lainnya serta lebih rendah setengah dari tegangan puncak outputnya.. B dan C sebagai sumber tegangan tiga fasa memberikan tegangan ke anoda dari dioda-dioda D1. karena penyearah tiga fasa ini menghasilkan daya yang cukup besar serta banyak dipakai antara lain pada pengisian batere atau accumulator. Fasa A. Pada rangkaian penyearah tiga fasa dapat dipasang sebanyak tiga. dalam hal ini sangat tergantung pada keperluan yang dibutuhkan. 6. elektroplating .

Rangkaian Penyearah Gambar 6. dari fasa C (VC) mempunyai tegangan yang lebih positif dan ini akan memberi bias maju pada dioda D3 serta akan menghasilkan tegangan pada beban R yaitu sebesar U0. dengan tegangan positif ini akan menyebagkan tegangan yang lebih positif terhadap katoda dari dua titik yang lain. 1.diagram rangkaian penyearah 3 fasa Gambar 6. kemudaian dari sudut 300 sampai 1500 dari fasa A (VA ) mempunyai tegangan yang lebih positif yang membuat dioda D1 dipicu kearah maju sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R.1 a. Pada sudut 150 0 VB menjadi lebih positif dan dioda D2 akan 46 .b bentuk gelmbang tegangan input / output Dengan adanya perioda tegangan positif akan membuat dioda menjadi menghantar. akibatnya kedua dioda saja yang menghantar pada perioda ini. Dari kurva bentuk gelombang dapat dianalisa bahwa mulai dari 00 sampai 300.

Rangkaian Penyearah menghantar sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R.2 penyearah setengah gelombang tiga fasa menggunakan trafo 47 .Tegangan sekunder dimungkinkan dinaikkan atau diturunkan dengan seleksi yang sesuai dengan kebutuhan tegangan output DC yang diinginkan . Gambar 6. D3 menghantar kembali selama satu periode. Catatan : Tegangan output DC tidak pernah jatuh sampai nol. Tegangan rata-rata output DC(Udc) tiga fasa dinyatakan sebagai berikut : Udc = 0.2 adalah bentuk yang sama dengan penyearah setengah belombang tiga fasa yang menggunakan transformator 3 fasa .Demikian seterunya pada 2700.831 x Umaks Pada gambar 6.

4 bentuk belombang tegangan inputdan output 48 .4 diperlihatkan diagram rangkaian penyearah tiga pasa. Gambar 6.3 Rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh Rangkaian penyearah gelombanga penuh tiga fasa ini dapat dilengkapi/dipasang untuk dua keadaaan yaitu untuk setengah bagian positif dan setengah bagian negatif dari inputnya seperti halnya pada penyearah gelombang penuh untuk satu pasa.3 dan 6. Penyearah Gelombang Penuh Tiga Fasa pada gambar 6.2. gelombang penuh dan bentuk gelombang output Gambar 6.Rangkaian Penyearah 6.

D4dan D6) dalam keadaaan menghantar dan satu dari dioda-dioda yang bernimor ganjil (D1.Rangkaian Penyearah Terdapat tiga hal yang harus diperhatikan pada waktu menganalisa kerja untuk rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh ini.995 x Im melalui tiap dioda dan hanya sepertiganya yang mengalir melalui tiap dioda. penyearah mercury arc yangdipilih untuk digunakan. Teganan rata-rata Udc adalah dua kali dari penyearah setengah gelombang tiga fasa atau Udc = 2. 49 . sebab : a. b. Tiap sekunder membawa arus untuk 1/3 siklus. berarti empat dioda yang lain dalam keadaan tidak menghantar . dua dioda selalu menghantar. c. yaitu: a. b. Tiap primer membawa arus 2/3 siklus. Kerugian tembaga dalam belitan transformator adalah lebih rendah. Arus selalu mengalir dari sumber yang mempunyai tegangan positif tertinggi melalui dioda-dioda yang bernomor genap menuju bebandan terus mengalir pada dioda-dioda yang bernomor ganjil dan seterusnya kembali ke terminal sumber yang mempunyai tegangan negatif tertinggi.D 3 dan D5) juga selalu mengahantar. c. Satu dari dioda-dioda yang bernomor genap (D2. Idc adalah 0.34 x Urms ( ac ) Penyearah gelombang penuh dipersiapkan untuk daya tinggi. Untuk instalasi yang besar. Pada rangkaian diatas.

1 A c.34 x 150 = 351 V b. Pdc = Udc x Idc = 351 x 2 = 720 W 6. hitunglah : a. Kebanyakan SCR membutuhkan arus gate untuk penyalaan antara 0.34 x Us = 2. Udc = 2. sedangakan tegangan antara gate dan katodanya (UGK) harus lebih besar dari 0. Daya rata-rata yang dikiram ke beban.5 Simbol SCR SCR dapat dihidupkan oleh suatu arus penyulutan singkat ke dalam gatenya.Rangkaian Penyearah Contoh soal Harga efektif (rms) tegangan sekunder transformator (Us) pada penyearah gelombang penuh segitiga / bintang adalah 150 volt.6 vot. Arus gate ini (Ig) mengalir melalui persambungan (junction) antara gate dan katoda. b.1 sampai 20 mA. perbedaan nya waktu kondisi dari penyearah SCR dapat divariasikan untuk mengatur tegangan output dan level arus searah ( dc) . Im / dioda = (1/ 0.3 Penyearah Tiga Fasa Menggunakan SCR SCR digunakan seperti penyearah dioda .5 Gambar 6. Penyelesaian : a.Simbol SCR diperlihatkan pada gambar 6. Arus puncak /maksimum yang melalui tiap dioda c. Jika harga rata –rata arus beban adalah 2A. 955) x Idc = 2. tegangan output DC. Untuk memperdalam penguasaan perinsip kerja dari SCR perlu dipelajari secara khusus . 50 .

R1 -C 1.6 penyearah SCR tiga fasa Untuk mengontrol SCR diperlukan rangkaian phase shift. 51 . R2 –C 2. Tegangan output rangkaian lebih mudah dikontrol atau diatur dengan mengatur rheostat penyalaan untuk SCR tersebut. Kerja dari rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan SCR adalah sama seperti penyearah setengah gelombang tiga fasa yang sudah dibahas terdahulu.. Tiga buah rheostat dijadikan satu untuk memperoleh kontrol penyalaan atau penyulutan SCR secara bersamaan. dan R3 –C 3 sebagai rangkaian RC phase shifting.Rangkaian Penyearah Contoh rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan Silicon Controlled Rectifier (SCR) diperlihatkan pada gambar 6.6 Gambar 6.

1 Kesalahan Komponen A. b. memeriksa rangkaian dan komponen yang rusak dengan mengguanakan alat ukur yang cocok misalnya AVO meter dan CRO. Arus bocor yang besar. b. biasanya ditujukan oleh penguatan rendah atau level kebisingan tingggi. Asumsi dasar yang harus dibuat untuk melakukan pemeliharaan (service unit ) catu daya adalah mencari penyebab kesalahan . Terjadi kebocoran pada rangkaian kapasitor. Resistor. 52 . c. Transistor atau IC Problem yang terjadi pada semi konduktor adalah : a.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 7 MENCARI LETAK GANGGUAN PENDAHULUAN Gangguan atau kesalahan yang paling banyak tejadi pada rangkaian catu daya adalah diakibatkan oleh beban yang terus menerus yang dipikul oleh catu daya tesebut atau beban yang tidak sesuai dengan kemampuan / kapasitas catudaya. rangkaian terbuka. disebabkan beban lebih. Titik sambungan rangkaian terbuka. kesalahan arus yang melaluinya lebih besar sehingga terjadi disipasi panas yang menyebabkan resisitor terbakar. B. titik sambungan hubung singkat disebabkan sentaka tegangan tinggi. 7. Kapasitor Kesalahan pada kapasitor seperti : a. C. Rangkaian hubung singkat c.

apakah sudah sesuai dengan tegangan yang dibutuhkan 2.3 Pemeriksaan Catu Daya Poin utama yang harus diperiksa setelah anda melakukan perbaikan adalah. 7. Tempatkan komponen yang diganti secara pasti dan tepat. Lepas dan ganti komponen yang sesuai dengan aslinya atau eqivalen dari karakteristik komponen yaitu kemampuan arus. tegangan dan daya yang sesuai dengan spesifikasinya. Dan ingat dalam melakukan pemerika\saan dan perbaikan harus diperhatikan Standart Opertional Procedur ( SOP ) yang berlaku dan disepakati. Arus ouput DC yang diperlukan.) 4. Tegangan output DC . 53 . 3.2 Mengganti Komponen Bila mengganti komponen yang rusak pada rangkaian yang penting harus diperhatikan : a. Data dan spesifikasi komponen dapat dilihat pada buku data komponen yang diterbitkan oleh perusahaan /pabrik pembuat komponen. Regulasi tegangan atau regulasi arus.sebagai berikut : 1. Pada tabel berikut ini diberikan pedaman dasar sebagai langkah awal mendiaknosa gangguan atau kesalahan suatu rangkaian. b.Rangkaian Penyearah 7. Tegangan kerut (riple) dari amplitudo output diukur dengan Ossiloskope ( CRO.

sekring putus arus lebih transformator baik. regulasi jelek Filter kapasitor bocor 54 . GEJALA Kesalahan Transformator : 1. Lilitan trafo primer dan sekumder hubung singkat 2. KESALAHAN Rangkaian input AC terbuka atau sekring putus. output DC nol dan tegangan sekonder tidak ada. output DC rendah dengan riple 50 Hz 2. Tahanan dioda terlalu besar (tegangan jatuh saat forward besar) 3. ouput DC rendah dan transformer putus Kesalahan Penyearah : 1. Rangkaian dioda penyearah terbuka Rangkaian dioda hubung singkat. rangkaianbekerja baik. 2. tetapi output DC rendah dari yang seharusnya Kesalahan Filter kapasitor : 1. sekring putus Filter kapasior hubung singakat Filter kapasitor rangkaian terbuka. output DC rendah dengan naiknya level riple. output DC rendah dengan level riple tinggi. 3.Rangkaian Penyearah ANALISA GANGGUAN RANGKAIAN CATU DAYA. Regulasi sangant jelek.

Dioda zener hubung singkat. Zener Regulator Dari gambat 7.Rangkaian Penyearah LATIHAN MENCARI GANGGUAN/KESALAHAAN. Dioda zener putus (rangkaian terbuka ) c.1 Zener regulator + Open circuit Vz 12 v 6.8 v RL - Gambar 7. RS putus (rangkaian terbuka ) b. 1.1a.1 apa yang akan terjadi bila : a.8 v RL 135? - Regulator Beban Gambar 7. RS terbuka 55 . + Rs 82? 12 v Vz 6.

Zener hubung singkat 56 .1c.Rangkaian Penyearah Rs = 82? Zener diode Open circuit RL 135? GAMBAR 7.1 b. Zener terbuka Rs = 82? Short circuit (zero ohm) RL 135? Gambar 7.

Zener hubung singkat d. Transistor hubung singkat 57 .2 regulasi seri Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. Zener rangkaian terbuka c. Regulator Seri Vin Q1 Vo Rs IB RL Vz Gambar 7.Rangkaian Penyearah 2. Rs rangkaian terbuka b.

c.Rangkaian Penyearah 3. R1 rangkaian tebuka b. R2 hubung singkat RL rangkaian terbuka 58 .3 Regulator Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. IC Regulator 7805 +20 v Vo R1 220? RL R2 320? 0 Gambar 7.

50 Hz .c 75 Hz .pilihlah jawaban yang paling benar a. 3 .d 0.35 .c atau d 1.d 100Hz 4. b. 1 .4 . b. Perbandingan tegangan output dan input penyearah setengah gelombang adalah: a. 2 . Rangkaian Penyearah Untuk setiap setiap pertanyaan .b 0. 25 Hz . Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah gelombang penuh adalah : a. Pada rangkaian penyearah 1 fasa setengah gelombang dibutuhkan dioda minimal : a. b. c.45 3.c 0. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah setengah gelombang adalah : a.b.d 200 Hz 5. 25 Hz . EVALUASI TES TEORI I.Rangkaian Penyearah III. 0. d.3 . 50 Hz . c. 4 2. d. b.c 100 Hz . menaikkan tegangan kerut ( ripple ) menaikkan frekuensi ripple mengurang tegangan beban mengurangi tegangan ripple 59 . Pilter pada rangkaian penyearan digunakan untuk : a.

Rangkaian Penyearah 6.8v d. 20 v 60 .24 v 10. b. paralel dengan beban seri dengan beban pralel dengan dioda pnyearah paralel dengan input penyearah 8. 1. c. paralel dengan input penyearah 9. 10 v . Pilter dihubungkan : a. seri dengan beban c. maka haru dihubungkan : a. 18 v d.sesudah regulator 7.pralel dengan dioda pnyearah d. sesudah beban d.44 v b. Bila kapasitor digunakan sebagai filter.Hitung tegangan output pada beban bila penyearah gelombang penuh sistem jembatan dihubungkan dengan sumber 20 v ac. 12v c. d. 10.sebelum penyearah b.antara penyearah dengan beban c. a. 9 v c.paralel dengan beban b.b. Bila induktor digunakan sebagai filter. maka haru dihubungkan : a.Hitung tegangan output tanpa beban penyearah setengah gelombang bila dihubungka pada tegangan sumber 24 v ac: a.

10 v b.20 mA c.maka tegangan output adalah: a. 30 v d. 0.204 d. 100 5 b. 0. 18. Regulator Zener 1. Aruus beban IL dalam rangkaia gambar 1 adalah: a. 39 mA Besarnya Rs dalam rangkaia gambar 1 adalah : a.268 Jika zener dioda menjadi rengkaian terbuka . 144 c. 0. 15 v c. Tegangan beban UL dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 0 v c.6 v b. 30 v d. 10 mA 4.5 v 61 . 15 v d. 15 v c. Tegangan jatuh /drop pada Rs dalam gambar 1 adalah: Rs 30 V Uz 15 v RL 470? a. 32 mA d. 30 v 2.Rangkaian Penyearah II. b.5 v b.6 v 3.

output tegangan nya adalah : a. mendapatkan arus beban konstan b. Regulator tegangan tiga terminal dihubungkan pada : a. Regulator tegan tiga teminal 7912 .4 v 4. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 12 v adalah : a. negatif 12 v c. IC . 5 v b. Sesudah beban c. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 4 v adalah : a 5v b. mendapatkan arus sumber konstan 2. Sebelum sumber tegangan input b.Regulator 1. 8 v d. Antara penyearah dan filter 5. positif 12 v b. mendapatkan tegangan beban konstan c. 12 v 3. negatif 7 v d. 7 v c. Regulator tegangan digunakan untuk : a. Antara sumber dan beban d. 7 v c. mendapatkan tegangan sumber konstan d.Rangkaian Penyearah III. 8 v d . positif 9 v 62 .

8 mA c.2 volt 2. a. Arus dioda berkurang 3. a. a.Rangkaian terbuka . Udc = 6. PIV dioda = 21.75 volt b.26 mV 63 . Filter LC a. Level rata-rata naik b. a.I beban = 424.64 volt b.Untuk mengurangi tegangan kerut (ripple voltage ) AC pada perubahan beban dalam % 2.Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN REVIEW TEST REVIEW TEST 1 1.Udc = 7.Tahanan arah maju (forward ) tinggi REVIEW TEST 2 1.Hubung Singkat . . I = 3.44mA c. PIV dioda =12 volt 3. Tegangan kerut = 86. XL = 1340 O b.

3 mA e.macam beban .25 watt. Uo = 1.25 volt c. Imaks =11. Iz = 3.Rangkaian Penyearah REVIEW TEST 3 1 a. Uo = 11. c. a. 8. 3.24 mW 2 a 72 % b = 1.2 volt b.5 mA d. Regulasi adalah 25 % REVIEW TEST 4 1 .6 mW Zd = 27 mW RL = 67.45 volt 64 . Disipasi daya Rs = 43.8 volt c. Untuk memberikan arus yang konstan dengan bermacam. = 0 volt b.1 volt 4. 3.8 volt 3.U output = 14 volt 2 U output = 11.

b 4.a 2. Tes Rangkaian Penyearah 1. d 5. c 6.b 9.d 6.c 5.d 4. c 7. a III.a 8. c 8. b 6.b 7. c 7.d 3.c II. Regulator Tegangan 1 .Regulator Zener 4.Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN SOAL TEORI I. b 5. a 65 .c 10.

1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan Ya Tidak Training Lanjut 2.Rangkaian Penyearah Self Assesment Check List Kegitan pembelajaran Elemen 1.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya Kriteria Unjuk Kerja 1.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan 3.3 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.kapasitor dan induktor dijelaskan 2. resistor.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 66 .1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.

Rangkaian Penyearah


Barry Davis, Under standing DC Power Suppllies, Prentice-Hall of Australia Pty Ltd,1981 Edy Burnawi , Catu Daya , PPPGTeknologi Bandung ,1996 Emst Hornermann , Electrical Power Engineering Profinciecy Course, GTZ GmbHEscbom ( Federal Republic of Germany ), 1988 Fardo and Patrick , Electrical Power Systems Technology , Howard W.Sams &Co,Inc James F.Lowe , Electronics for Electrical Trades , McGraw-Hill,Book Company Sydney, 1977


Rangkaian Penyearah

Modul Nama Peserta Nama Penilai Beri tanda ( v ) No 1 2 Hasil METODA PENILAIAN Tertulis Praktik KOMPETEN BELUM KOMPRTEN KETERANGAN : RANGKAIAN PENTEARAH : ……………………… : ………………………

: Kompeten Belun kompeten CATATAN:

Tanada Tangan Peserta

Tanada Tangan Penilai

Tanggal: ……………….


Aplikasi Dioda



Aplikasi Dioda

dirangkaian elektronik.


etelah mengetahui konstruksi, karakteristik dan model dari dioda semikonduktor, diharapkan mahasiswa dapat memahami pula berbagai konfigurasi dioda dengan menggunkan model dalam aplikasinya

2.1 Analisis Garis Beban (Load-Line Analysis) Beban yang diberikan pada rangkaian secara normal akan mempunyai implikasi pada daerah kerja (operasi) dan piranti elektronik. Bila analisis disajikan dalam bentuk grafik, sebuah garis dapat digambarkan sebagai karakteristik dioda yang mewakili efek dari beban. Perpotongan antara karakteristik dan garis beban akan menggambarkan titik operasi dari system. Perhatikan gambar 2.1 berikut ini,.
Id + E Vd R + VR VD ID



Gambar 2.1 Konfigurasi Seri dari Dioda. (a) Rangkaian Dioda (b) Karakteristik Menurut Hukum Kirchoff tegangan:
E − VD − VR = 0 E = VD + I D R


Aplikasi Dioda

Variabel VD dan ID dari persamaan 2.1 adalah semua seperti axis variable dari karakteristik dioda pada gambar 2.1 (b). Perpotongan garis beban dan karakteristik dapat digambarkan dengan menentukan titik pada horizontal axis yang mempunyai ID = 0A dan juga menentukan titik vertical axis yang mempunyai vertical
E = VD + I D R

VD = 0V. JIka kita

atur VD = 0V, dengan persamaan 2.1 akan kita peroleh nilai magnitude ID pada sumbu

E = 0V + I D R
ID = E R VD =0V

………………………………….. (2.2)

Selanjutnya, kita atur ID = 0A, dengan persamaan 2.1 kita dapat memperoleh magnitude VD pada sumbu horizontal.
E = VD + I D RD
E = V D + ( 0) R D

VD = E I

D =0 A

…………………………………. (2.3)

Seperti terlihat pada gambar 2.2. garis lurus yang menghubungkan ke dua titik menggambarkan garis beban. Jika nilai R diubah, maka gambar garis beban akan berubah.


Karakteristik dioda


Q-point Garis beban




Gambar 2.2 Garis Beban dan Titik Operasi Titik perpotongan antara garis karakteristik dioda dan garis beban disebut dengan “ Q point ” (Quiescent Point)

Aplikasi Dioda

2.2 Aproximasi Dioda

Dalam menganalisis rangkaian dioda, dapat digunakan 3 macam model pendekatan (aproximasi), yaitu:
• • •

Piecewise-linear model Simplified model Ideal model

Untuk dioda Silikon, ketiga model tadi dapat digambarkan sebagai berikut: Tabel 2.1 Aproximasi untuk Dioda Silikon
Model Gambar VT 0.7 rav 10Ω


Piece-wise linear model


Simplified model

VT 0.7




Ideal model




Untuk dioda yang terbuat dari Germanium, VT adalah 0.3V.

2.3 Konfigurasi Seri dari Dioda dengan Input DC

Ada beberapa prosedur yang harus dilakukan dalam menganalisis dioda, yaitu: a. Tentukan kondisi dioda ON/OFF, dengan cara:
• •

Lepaskan dioda dari rangkaian Hitung tegangan pada terminal dioda VD yang dilepas tadi dengan KVL

7V VR = E − VD = 8 − 0. VR dan ID dari rangkaian dioda berikut Jawab • Langkah 1 Dengan KVL: E − VD − VR = 0 VD = E − VR = (8V ) − I R R = (8V ) − (0) R V D = 8V VD 〉 0. ganti dengan model pendekatan yang digunakan c.7 → Dioda silikon OFF.7 = 7. Jika dioda ON.Aplikasi Dioda • V D 〉 0.3V 2K2 ID = IR = V R 7.3V = = 3. dioda germanium V D 〈0.32mA R 2K 2 . dioda germanium V D 〉 0.3 → ON V D 〈 0.7 → Dioda silikon ON.7V dioda ON • Langkah 2 + VD 0. Analisis rangkaian tersebut contoh Tentukan VD.7V 8V E + VR - • Langkah 3 VD = 0.3 → OFF b.

4 Konfigurasi Paralel dan Seri-Paralel dari Dioda Prosedur pada bagian 2.7V → D1 & D2 ON E − V R − V D1 = 0 E − ( I 1 R ) − V D1 = 0 I 1 R = E − V D1 E − V D1 10 − 0.7V I1 = .18mA R 0.4 dapat digunakan dalam menganalisis rangkaian dioda paralel dan seri-paralel Contoh : Hitunglah Vo. I1.33K I 28.Aplikasi Dioda 2.09mA 2 2 V0 = V D 2 = 0. ID1.18mA I D1 = I D 2 = 1 = = 14.7 = = 28. dan ID2 dari rangkaian dioda berikut: Jawab E − VR − V D1 = 0 VD1 = V D 2 = E = 10V VD1 = VD 2 〉 0.

Rangkaian sederhana di bawah ini akan kita gunakan untuk mempelajari cara menganalisisnya.6 Input Sinusoidal : Penyearah Setengah Gelombang Pada bagian ini akan kita kembangkan metode analisis dari dioda yang telah dipelajari sebelumnya. Berikut adalah rangkaian gerbang logika AND dan OR yang menggunakan dioda silikon.4 Penyearah ½ Gelombang .3 Gerbang Logika OR dan AND Dengan Menggunakan Dioda 2. Metode dioda ideal akan digunakan dalam analisis selanjutnya. OR Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 AND Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 Gambar 2.5 AND/OR Gate Aplikasi dioda yang lain adalah dapat digunakan sebagai rangkaian logika AND dan OR.Aplikasi Dioda 2. Untuk menganalisis rangkaian dioda dengan input yang berubah terhadap waktu seperti gelombang sinusoidal dan gelombang kotak. Gambar 2.

sehingga outputnya bias diperoleh proses di atas dapat digambarkan seperti gambar di bawah ini.318Vm ………………………………………… (2. berikut penggambaran prosesnya. Gambar 2. selama perioda T →T 2 polaritas dari input Vi berubah mengakibatkan dioda tidak bekerja (OFF). dioda selanjutnya dapat 2 diganti dengan rangkaian ekivalen model idealnya.4) Berikut adalah gambar input dan output rangkaian penyearah ½ gelombang .Aplikasi Dioda Rangkaian diatas akan menghasilkan output V0 yang akan digunakan dalam konversi dari ac ke dc yang banyak digunakan dalam rangkaian-rangkaian elektronika. Vi Vi + R + + V0 Vi + R + V0 = 0V 0 T/2 V0 = 0V - t Gambar 2. Selama interval t = 0 → T mengakibatkan dioda ON.5 Daerah Dioda Konduksi (0 – T/2) Selanjutnya.6 Daerah Dioda Non Konduksi (T/2 – T) Sinyal output V0 mempunyai nilai rata-rata selama satu siklus penuh dan dapat dihitung dengan persamaan berikut Vdc = 0.

7 Penyearah Gelombang Penuh 2.9 T/2 polaritas polaritas input digambarkan seperti pada .1 Konfigurasi Bridge Untuk meningkatkan dc level yang diperoleh dari input sinusoidal sebanyak 100% kita dapat menggunakan rangkaian penyearah gelombang penuh.Aplikasi Dioda Gambar 2. Vi Vm T/2 T t + D1 + Vo - D2 0 Vi R D3 D4 Gambar 2.7 Sinyal Input dan Output Rangkaian Penyearah ½ Gelombang Selain menggunakan model ideal kita juga dapat menggunakan kedua model lain.8 Penyearah Gelombang Penuh Selama periode t = 0 gambar 2. dengan menggunakan 4 buah dioda dengan penyearah seperti pada gambar 2. 2. Konfigurasi yang sangat terkenal adalah konfigurasi Bridge atau jembatan.7.8 berikut.

9 Rangkaian Full Wave Bridge untuk t = 0 T/2 Dari gambar 2. Berikut gambar polaritas input. D2 dan D3 OFF sementara D1 dan D4 ON.Aplikasi Dioda + OFF Vi + ON + + Vo R - + - ON - + . arah arus serta rangkaian ekivalen rangkaian dioda Gambar 2.9 terlihat bahwa D2 dan D3 terkonduksi (ON) sementara D1 dan D4 OFF.11 Aliran Arus Pada Fase Negative dari Vi .10 Aliran Arus Pada Fase Positif dari Vi Untuk perioda input t = T/2 T.OFF Gambar 2. Dengan mengganti dioda dengan model ideal diperoleh gambar berikut. Gambar 2.

(2.Vo + Vi - D2 Gambar 2. D1 akan menjadi ON sedang D2 OFF. Vi + + Vi + Vi - D1 T 0 T/2 t CT R .2 Center Tapped Transformer Bentuk kedua yang popular dari penyearah gelombang penuh adalah dengan menggunakan 2 buah dioda dan center tapped (CT) transformer konfigurasinya dapat dilihat pada gambar berikut.636Vm …………………………………….12 Sinyal Input dan Output Rangkaian Dioda Bridge Nilai rata-rata dc dapat diperoleh dengan persamaan berikut Vdc = 0. seperti . T/2 .Aplikasi Dioda Secara keseluruhan input dan output rangkaian ini adalah Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.5) 2.7.13 Gelombang Penuh Dengan Trafo CT Selama perioda t = 0 gambar berikut.

Aplikasi Dioda Vi Vm + Vi + Vi + Vi - D1 Vo R . Clipper seri Dioda seri dengan beban dioda parallel dengan beban 2.15 Kondisi Rangkaian Untuk Perioda Input T/2 – T 2. Salah satu contohnya dapat dilihat pada gambar berikut.Vo + 0 D2 T/2 T t Gambar 2. Clipper parallel 2.8 CLIPPER Clipper merupakan rangkaian dioda yang memiliki kemampuan memotong sebagian sinyal input tanpa menimbulkan efek pada bagian lain dari sinyal.Vo + Vm 0 T/2 t D2 0 T/2 t Gambar 2. Namun demikian rangkaian clipper seri dapat dibuat dalam berbagai variasi.1 Clipper Seri Rangkaian dasar dari clipper seri adalah mirip dengan rangkaian penyearah ½ gelombang. selama perioda input T/2 – T kondisi rangkaian adalah seperti gambar berikut Vi + + Vi + Vi - D1 Vo R Vm 0 T/2 T t Vi - .8. Terdapat dua kategori clipper: 1. .14 Kondisi Rangkaian Pada Perioda Input 0 – T/2 Sebaliknya.

Dioda ON pada saat Vi berada pada polaritas positif. tentukan persamaan Vo 4. 1. Untuk dioda yang ideal perubahan kondisi ideal terjadi pada Vd = 0 V dan id = 0A (ingat karakteristik dioda ideal). Dengan menerapkan kondisi nilai Vi yang mengakibatkan transisi kondisi dioda.16 Clipper Seri dan Input/Output (a) Rangkaian Dasar Clipper (b) Variasi Input dan Output (C) Variasi Clipper Seri Berikut adalah prosedur dalam menganalisa rangkaian clipper: 1. 2. Tentukan nilai tegangan yang mengakibatkan kondisi dioda berubah OFF ON atau sebaliknya 3. Hitung dan gambarkan nilai Vo berdasar nilai sesaat dari Vi Sebagai contoh. Tentukan apakah dioda ON/OFF dengan melihat rangkaian. perhatikan gambar 2.Aplikasi Dioda Vi + R + + V0 - (a) Vi Vo Vi Vo Vi T/2 t 0 Vo T/2 0 T t 0 T/2 t 0 T/ 2 T t 0 T/2 T t T/2 0 t (b) Vi + T/2 0 + T t Vi V R V0 + (c) Gambar 2. . Tegangan dc (V) harus lebih kecil dari Vi agar dioda ON. Perhatikan polaritas Vi dan Vo.16 (c) dan ikuti prosedur di atas. 2.

7) 4. Hitung dan gambarkan Vo dengan mengambil nilai sesaat dari Vi .6) Artinya dioda berubah dari OFF ON atau ON OFF pada saat Vi = V 3. Vo dapat dihitung dengan KVL Gambar 2.(2.(2.Aplikasi Dioda Gambar 2.18 Menentukan Vo Vi − V − Vo = 0 Vo = Vi − V …………………………………….17 Menetapkan Kondisi Transisi dari Rangkaian Vi − V − Vd − V0 = 0 Vi − V − 0 − id R = 0 Vi − V − 0 − (0) R = 0 Vi = V …………………………………………………………. Pada saat dioda dalam kondisi ON.

2 Clipper Paralel Berikut rangkaian dasar clipper parallel. variasi input/output dan variasi konfigurasi yang lain Gambar 2.Aplikasi Dioda Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.19 Sinyal Vi dan Vo 2.8.20 Rangkaian Clipper Parallel dan Variasi Input/Outputnya .

Vi > V Dioda OFF • Tentukan Vo pada dioda ON • Tentukan Vo pada dioda OFF .Aplikasi Dioda Cara menganalisa clipper parallel adalah sama dengan cara analisis clipper seri Contoh: Tentukan Vo dari rangkaian berikut Jawab: • • Dioda ON pada fase negative dari input Cari tegangan transisi VR = 0 + Vi V 4V id = 0 + V0 - Vi − VR − Vd − V = 0 Vi − 0 − 0 − V = 0 Vd = 0 Vi = V tegangan transisi Ketika Vi < V Dioda ON.

dioda dan komponen resistif. Sumber dc juga dapat ditambahkan untuk memperoleh pergeseran tegangan tambahan. Hal ini berguna agar kapasitor tidak membuang tegangan (discharge) pada saat dioda mengalami perioda non konduksi (OFF). Nilai R dan C harus dipilih sedemikian rupa agar konstanta waktu τ = RC cukup besar.21 (gbr 291 hal 84) 2. kapasitor kita anggap mengisi dan membuang semua dalam 5 kali konstanta waktu.Aplikasi Dioda • Gambarkan outputnya Vi 16 V t 16 V Vo 4V t Berikut berbagai variasi rangkaian clipper Gambar 2.9 CLAMPER Rangkaian clamper adalah rangkaian yang akan melempar (clamp) sinyal ke level dc yang berbeda. Dalam analisis.22 Rangkaian Clamper . Clamper tersusun atas capasitor. Rangkaian clamper sederhana dapat dilihat pada gambar berikut Vi V 0 -V T/2 T t + Vi C R + V0 - Gambar 2.

23 Dioda ON dan Kapasitor Mengisi Sampai V Volt Pada interval ini.Aplikasi Dioda Selama interval 0 – T/2 rangkaian dapat digambarkan seperti berikut. Gambar 2. kapasitor akan mengisi dengan cepat sampai V = tegangan input. Gambar 2.24 Menetapkan Output Pada Saat Dioda OFF Jika digambarkan. sedang Vo = 0 V. secara keseluruhan input dan output dari rangkaian adalah sebagai berikut.25 Input/Output dari Contoh Rangkaian Clamper . rangkaian dapat digambarkan sebagai berikut. Ketika polaritas input berbalik. V C Vi + + R V0 - Gambar 2.

28 Rangkaian Dasar Regulator dengan Zener .Aplikasi Dioda Berbagai variasi dari rangkaian clamper dapat dilihat pada gambar berikut.27 Rangkaian pengganti Dioda Zener 2. sedangkan jika zener OFF rangkaian penggantinya adalah saklar terbuka + VZ - + VZ - + V - ON (Vz > V > 0) OFF Gambar 2. rangkaian penggantinya adalah sumber tegangan Vz.1 Vi dan R tetap Rangkaian dioda zener yang paling sederhana dapat dilihat pada gambar berikut ini: R VZ PZm RL Gambar 2.10.10 Dioda Zener Dalam menganalisis zener.26 Rangkaian Clamper dengan Dioda Ideal 2. Gambar 2. Ketika zener diindikasikan ON. kita dapat menggunakan cara menganalisis dioda pada bagian sebelumnya.

akan kita peroleh rangkaian berikut R Vi VZ VL Tegangan V dapat dihitung dengan menerapkan aturan pembagi tegangan V = VL = R LV i R + RL ……………………………………. Zener dapat diganti dengan rangkaian OFF dapat Jika V ≥ VZ . Sebaliknya jika V ≤ VZ maka zener digantikan dengan saklar terbuka b. Ganti Zener dengan rangkaian ekivalennya Gambar 2.8 ON.2. Dengan menerapkan langkah 1 pada gambar 2.. zener penggantinya. Tentukan kondisi zener dengan melepasnya dari rangkaian dan menghitung tegangan pada untai terhubung.Aplikasi Dioda Analisa rangkaian zener dapat dilakukan dengan langkah berikut: a.27 diatas.29 Rangkaian Ekivalen Zener ON .

IL = V − VL VL V dan I R = R = i RL R R Daya yang diserap zener: PZ = VZ I Z …………………………………………….9 Dimana. arus yang mengalir pada zener dapat ditentukan dengan KCL IR = IZ + IL I Z = I R − I L ……………………………………………. 2.2k (16V ) = = 8..2.73V R + RL 1k + 1. VR. IZ. dan PZ Ulangi soal (a) dengan RL = 3kΩ a) Terapkan prosedur sebelumnya • Lepaskan zener dari rangkaian R LVi 1.2k V = VL = V < VZ Zener OFF .10 Dioda zener umumnya digunakan dalam rangkaian regulator tegangan Contoh 2… VR 1k 16V VZ = 10 V PZm = 30mW RL 1k2 VL • • Jawab Tentukan VL.Aplikasi Dioda Dari gambar zener ON.

10. Selanjutnya ganti dengan .27V IZ = 0A PZ = VZ I Z = 0W b) Lepaskan zener dari rangkaian V = VL = R LVi = 12V R + RL V ≥ VZ • Zener ON Ganti zener dengan rangkaian ekivalen untuk zener ON VL = VZ = 10V VR = Vi − V L = 16V − 10V = 6V IL = IR = VL 10V = = 3.67 mA) = 26. maka zener ON.33mA RL 3kΩ VR 6V = = 6mA R 1kΩ IZ = IR − IL = 6mA − 3.2 Vi Tetap dan RL Variabel ON/OFF-nya zener tergantung pada interval nilai RL.11 Jika RL yang dipilih > RL rangkaian ekivalen zener ON. Nilai minimum RL dapat ditentukan sebagai berikut: VL = VZ = RLVi RL + R R L min = RVZ Vi − VZ ………………………………………………….2. RL min akan menimbulkan IL max min. RL yang terlalu kecil akan mengakibatkan zener OFF.7 mW 2.Aplikasi Dioda • Ganti zener dengan saklar terbuka VR = Vi − V L = 16 − 8.67 mA • Daya yang diserap zener PZ = VZ I Z = (10)(2.73V = 7.33mA = 2.

3 RL Tetap dan Vi Variabel Untuk nilai RL yang tetap..13 ………………………………………………….11.10. 2. Tegangan Vi minimum ditentukan oleh: VL = VZ = VL min = RLVi RL + R ( RL + R )VZ RL ………………………………………….2.17 R L max = VZ I L min 2..2.1 Pengali Tegangan Rangkaian yang ditujukan oleh gambar 2.. Selama tegangan positif pada separuh siklus dari tegangan yang melalui transformer.16 …………………………………………. dioda D1 terkonduksi (D2 OFF) dan mengisi kapasitor C1 .2.30 di bawah adalah rangkaian half wave voltage doubler.20 2.19 I R max = I Z max − I L Vi max = V R max + VZ Vi max = I R max R + VZ ………………………………………….11 Rangkaian Pengali Tegangan Rangkaian ini digunakan untuk menaikkan tegangan puncak dari trafo hingga 2x...14 ………………………………………………….Aplikasi Dioda I L max = VL V = Z RL R L min …………………………………………….2.2.. tegangan Vi harus cukup besar untuk dapat mengakibatkan zener ON.. 3x.12 Tegangan pada R VR = Vi − VZ IR = VR R …………………………………………………..2.2.2. atau lebih kecil.15 IZ = IR − IL IZ min dicapai pada IL max dan sebaliknya I L min = I R − I Z max ………………………………………….18 ………………………………………….2.

Gambar 2. . Selama siklus negative dari input D1 menjadi OFF sementara D2 terkonduksi (ON) dan mengisi kapasitor C2.31 berikut.30 Half Wave Voltage Doubler Tegangan pada output: − VC 2 + VC1 + Vm = 0 − VC 2 + Vm + Vm = 0 VC 2 = 2Vm Model rangkaian yang lain dapat dilihat pada gambar 2.Aplikasi Dioda sampai pada puncak tegangan (Vm) dengan polaritas seperti yang ditujukan dalam gambar.32 memperlihatkan half-wave voltage doubler yang dimodifikasi agar dapat mengeluarkan output sebesar 3 dan 4x dari tegangan input.11.31 Rangkaian Half Wave Voltage Doubler Alternatif 2. Gambar 2.2 Voltage Tripler dan Quadrupler Gambar 2.

32 Voltage Tripler dan Quadrupler .Aplikasi Dioda Gambar 2.

Persamaan rangkaian : E = VD + IDR Cari dua nilai ekstrim untuk VD dan ID : Saat VD = 0 : E = 0 + IDR E I D = VD = 0 R ID = 10 mA Saat ID = 0 : E = VD + 0 R VD = 10 V Perpotongan kurva : .7 Volt Sehingga IDQ = (E-VD)/1000 = 9.0 Kurva karakteristik diode Solusi : (a) Dari pemodelan diode : VDQ = 0.3 mA (b) Dengan analisa garis beban : Buat kurva rangkaian yang memotong kurva karakteristik.Diode dalam Rangkaian Dari rangkaian berikut tentukan arus diode dan tegangan diode pada titik kerja IDQ dan VDQ berdasar : (a) Perhitungan dengan pemodelan diode (b) Analisis garis beban dengan kurva karakteristik diode 10 ID VD Si ID (mA) E 10 V R 1KΩ 5 VD 1. Titik perpotongan kedua kurva menyatakan nilai IDQ dan VDQ.

V2 dan V0 E1= 10 + V1 Vo 4.2 K + V2 E2 = -5 V Solusi : Diode berada dalam kondisi on.3 mA ID (mA) titik Q 5 VD 0.7 V 10 Jadi VDQ = 0.7 V dan IDQ = 9.10 9. dan mempunyai tegangan VD = 0.7 Volt. V1.7 K 2. Rangkaian digambarkan lebih lengkap sbb : .3 mA Soal : Hitung I.

07mA x2.55 V Pada sisi output.55 V – 5 V = -0. dengan menerapkan hukum tegangan kirchoff : + V2 KVL + Vo E2 5V - E2 – V2 + V0 = 0 V0 = V2 .07mA x 4.E2 V0 = 4.7 + V2 .7 + 2.E2 = 0 Persamaan untuk arus I : E − VD + E 2 10V − 0.45 V .+ V1 I 4.73 V V2 = I x R2 = 2.2 K V2 + Vo E1= 10 E2 5V - -E1 + V1 + 0.2 KΩ = 4.07 mA V1 = I x R1 = 2.7V + 5V I= 1 = R1 + R2 4700Ω + 2200Ω I = 2.7 K + 0.7KΩ = 9.



........ II..............3) Penyearah Gelombang Penuh Tegangan rata-rata DC pada penyearah sinyal gelombang penuh: VDC = 2VP ...................... Bahan Praktikum 1.................318 × VP ...... Penyearah ada 2 macam. RANGKAIAN PENYEARAH Tujuan Praktikum 1.............. Mengetahui manfaat dioda sebagai penyearah...... Projectboard 5..............2) π Frekuensi output: f OUT = fIN ............ Resistor 4................ 2......... Transformator 2..................... 3..................... (5...... Osiloskop III.. (5........ Menganalisa rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.. Mampu merancang rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh..1) Tegangan rata-rata DC pada penyearah setengah gelombang adalah: VDC = VP = 0..................4) π Praktikum Elektronika Dasar 16 ........... Ringkasan Teori Penyearah berfungsi untuk mengubah tegangan ac menjadi tegangan dc................................... Penyearah Setengah Gelombang Nilai tegangan puncak input transformator: VRMS = VP 2 ................. Multimeter 6.................. Dioda semikonduktor 3.........................MODUL V I.............. (5....... yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh. Mengetahui cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.................... 4............................................ (5....................................

................... Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. Tentukan nilai T1......... Penyearah Setengah Gelombang 1. 5.. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda (diode bridge) Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! VI. Rangkaian Penyearah Setengah Gelombang 2. Tugas Pendahuluan 1.. 8.... Langkah Percobaan A. 6..... 7..... Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 2... Penyearah Gelombang Penuh dengan Center Tap 1..Frekuensi output: f OUT = 2. D1 = Dioda semikonduktor..5) V... Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop... dan R1 Gambar 5...... Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter.. Tutup saklar S1.................. Hitung besar tegangan keluaran pada R1..fIN .. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop....1. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB... R1 = Resistor Praktikum Elektronika Dasar 17 .... Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini... 4...... Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh center tap? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 3. B.. T1 = Transformator..... Ukur besar tegangan keluaran pada T1 menggunakan multimeter....... (5...... 3..... D1..

T1 = Transformator. 3. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. Praktikum Elektronika Dasar 18 . Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter. Penyearah gelombang Penuh dengan Diode Bridge 1. 3. Hitung besar keluaran pada R1. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan dioda bridge 2. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. 5. 4.Gambar 5. Tutup saklar S1. Ukur besar tegangan pada resistor beban menggunakan multimeter.3. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. 8. C. 7. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh 2. Tutup saklar S1. 5. R1 = Resistor Gambar 5. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. 6. 6.2. 4. DB1 = Dioda Bridge.

7. Praktikum Elektronika Dasar 19 . VII Laporan Akhir Gambarkan bentuk gelombang dari hasil percobaan yang telah dilakukan. Berikan kesimpulan dari percobaan yang telah dilakukan diatas. Lakukan analisa dari ketiga percobaan diatas. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. Hitung besar keluaran pada R1. 8.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful