P. 1
Lain-lain

Lain-lain

|Views: 750|Likes:
Published by Lizzy Akira

More info:

Published by: Lizzy Akira on Jul 21, 2011
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

12/20/2012

pdf

text

original

BAHAN AJAR

ELEKTRONIKA DASAR
Disusun oleh: Ahmad Fali Oklilas

PROGRAM DIPLOMA KOMPUTER UNIVERSITAS SRIWIJAY 2007

SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH ELEKTRONIKA DASAR KODE / SKS : MTK224 / 2 SKS
Dosen Pengasuh NIP Program Studi Kelas/angkatan
Minggu ke 1

: Ahamad Fali Oklilas : 132231465 : Teknik Komputer : Teknik Komputer/2006
Sub Pokok Bahasan Pengantar Tujuan Instruksional Khusus Muatan Partikel Intensitas, Tegangan dan Energi Satuan eV untuk Energi Tingkat Energi Atom Struktur Elektronik dari Element Mobilitas dan Konduktivitas Elektron dan Holes Donor dan Aseptor Kerapatan Muatan Sifat Elektrik Ref.

Pokok Bahasan

Tingkat Energi Pada Zat Padat

1,2

Transport Sistem Pada Semikonduktor

Energi Atom

Prinsip Dasar Pada Zat Padat

Prinsip Semikonduktor

2

Karakteristik Dioda

Prinsip Dasar

Rangkaian terbuka p-n Junction Penyerarah pada pn Junction Sifat Volt-Ampere Sifat ketergantungan Temperatur Tahanan Dioda Kapaitas

3

Karakterisrik Dioda

Sifat Dioda

4

Karakteristik Dioda

Jenis Dioda

Switching Times Breakdown Dioda Tunnel Dioda Semiconductor Photovoltaic Effect Light Emitting Diodes Dioda sebagai elemen rangkaian Prinsip garis beban Model dioda Clipping Comparator Sampling gate Penyearah Penyearah gelombang penuh Rangkaian lainnya 1

5

Rangkaian Dioda

Dasar

6

Rangkaian Dioda

Lanjut

MID TEST/UTS
7 Rangkaian Transistor Sifat Transistor Transistor Junction Komponen Transistor Transistor Sebagai Penguat (Amplifier) Konstruksi Transistor Konfigurasi Common Base Konfigurasi Common Emitor CE Cutoff CE Saturasi CE Current Gain Konfigurasi Common Kolektor Analisis Grafik Konfigurasi CE Model Two Port Device Model Hybrid Parameter h

8

Rangkaian Transistor

Sifat Transistor

9

Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah

10

Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah

Thevenin & Norton Emitter Follower Membandingkan Konfigurasi Amplifier Teori Miller Model Hybrid JFET Karakteristik Amper

1

11

Rangkaian Transistor Field Effect Transistor

Transistor Pada frekuensi Tinggi Sifat Dasar

Volt

Rangkaian Dasar

FET MOSFET Voltager Variable Resitor Sebagai Osilator Sebagai Penguat Sebagai Sensor

12

Studi Kasus

Penerapan Transistor

FINAL TEST
Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. http://WWW.id.wikipedia.org 4. http://www.tpub.com/content/ 5. http://www.electroniclab.com/ Palembang, 7 Feb 2007 Dosen Pengampu,

Ahmad Fali Oklilas, MT NIP. 132231465

ATURAN PERKULIAHAN ELEKTRONIKA DASAR DAFTAR HADIR MIN = 80% X 16= 14 KOMPONEN NILAI TUGAS/QUIS = 25% UTS = 30% UAS = 45% Nilai Mutlak 86 – 100 = 71 – 85 = 56 – 70 = 41 – 55 = ≤ 40 = A B C D E

Keterlambatan kehadiran dengan toleransi 15 menit Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. http://WWW.id.wikipedia.org 4. http://www.tpub.com/content/ 5. http://www.electroniclab.com/

The electrons in the outermost shell are called VALENCE ELECTRONS. p. VALENCE is the ability of an atom to combine with other atoms. it has kinetic energy. . starting with K. The electron’s position in reference to the nucleus gives it potential energy. which can be determined by the formula 2n 2. The valence of an atom is determined by the number of electrons in the atom’s outermost shell. An ELECTRON’S ENERGY LEVEL is the amount of energy required by an electron to stay in orbit. and 14 electrons. it assumes an orbit further from or closer to the center of the atom. and f. which is the closest to the nucleus. 10. Shells are lettered K through Q. respectively. This shell is referred to as the VALENCE SHELL. 6. Each shell can contain a maximum number of electrons.Tingkat Energi Pada Zat Padat Electron’s Energy Level The NEUTRON is a neutral particle in that it has no electrical charge. The shell can also be split into four subshells labeled s. Just by the electron’s motion alone. The mass of the neutron is approximately equal to that of the proton. SHELLS and SUBSHELLS are the orbits of the electrons in an atom. An energy balance keeps the electron in orbit and as it gains or loses energy. which can contain 2. d.

It is important for the reader to understand that one could deal with only electrons (since these are the only real particles available in a semiconductor) if one is willing to keep track of all the electrons in the "almost-full" valence band. semiconductors distinguish themselves from metals and insulators by the fact that they contain an "almost-empty" conduction band and an "almost-full" valence band. To facilitate the discussion of the transport in the "almost-full" valence band we will introduce the concept of holes in a semiconductor. ENERGY BANDS are groups of energy levels that result from the close proximity of atoms in a solid. Electrons and holes in semiconductors As pointed out before. An atom that loses some of its electrons in the process becomes positively charged and is called a POSITIVE ION. and VALENCE BAND. They behave as particles with the same properties as the electrons would have occupying the same states except that they carry a positive charge. rather than keeping track of the actual electrons in that band. This definition is illustrated further with the figure below which presents . We will now first explain the concept of a hole and then point out how the hole concept simplifies the analysis. The three most important energy bands are the CONDUCTION BAND. Holes are missing electrons. An atom that has an excess number of electrons is negatively charged and is called a NEGATIVE ION. This also means that we will have to deal with the transport of carriers in both bands.IONIZATION is the process by which an atom loses or gains electrons. The concepts of holes is introduced based on the notion that it is a whole lot easier to keep track of the missing particles in an "almost-full" band. FORBIDDEN BAND.

Shown are electrons (red circles) which move against the field and holes (blue circles) which move in the direction of the applied field. Electrons therefore move down hill in the conduction band. The total current due to the electrons in the valence band can therefore be written as: (f36) . The electrons in the conduction band are negatively charged particles which therefore move in a direction which opposes the direction of the field.2.2. However the gradient of the vacuum level represents the electric field within the semiconductor.the simplified energy band diagram in the presence of an electric field.12 Energy band diagram in the presence of a uniform electric field.gif Fig. The gradient of the vacuum level requires some further explaination since the vacuum level is associated with the potential energy of the electrons outside the semiconductor. Electrons in the valence band also move in the same direction. A uniform electric field is assumed which causes a constant gradient of the conduction and valence band edges as well as a constant gradient of the vacuum level. band1.

This expression can be reformulated by first taking the sum over all the states in the valence band and subtracting the current due to the electrons which are actually missing in the valence band. . q is the electronic charge and v is the electron velocity. Keep in mind that there is no real particle associated with a hole. but rather that the combined behavior of all the electrons which occupy states in the valence band is the same as that of positively charge particles associated with the unoccupied states. the holes move in the direction of the field (since they are positively charged particles). They move upward in the energy band diagram similar to air bubbles in a tube filled with water which is closed on each end. This last term therefore represents the sum taken over all the empty states in the valence band. or: (f37) The sum over all the states in the valence band has to equal zero since electrons in a completely filled band do not contribute to current. As illustrated by the above figure. However it can be dramatically simplified if only states close to the band edge need to be considered. The reason the concept of holes simplifies the analysis is that the density of states function of a whole band can be rather complex. We call these particles holes. The sum is taken over all occupied or filled states in the valence band.where V is the volume of the semiconductor. while the remaining term can be written as: (f38) which states that the current is due to positively charged particles associated with the empty states in the valence band.

The derivation then yields the most probable distribution of particles by using the Lagrange method of indeterminate constants. they are indistinguishable. The derivation starts from the basic notion that any possible distribution of particles over the available energy levels has the same probability as any other possible distribution. which can be distinguished from the first one. One of the Lagrange constants. Introduction The distribution or probability density functions describe the probability with which one can expect particles to occupy the available energy levels in a given system. EF. This assumption enables to approximate the factorial terms using the Stirling approximation.e. An essential assumption in the derivation is that one is dealing with a very large number of particles. Maxwellian particles can be distinguished from each other. While the actual derivation belongs in a course on statistical thermodynamics it is of interest to understand the initial assumptions of such derivations and therefore also the applicability of the results. Only one Fermion can occupy a given energy level (as described by a unique set of quantum numbers including spin). .Distribution functions 1. Fermions and Bosons all "look alike" i. turns out to be a more meaningful physical variable than the total energy. one must acknowledge the different behavior of different particles. one takes into account the fact that the total number of particles as well as the total energy of the system has a specific value. In addition. Third. The number of bosons occupying the same energy levels is unlimited. namely the one associated with the average energy per particle in the distribution. This variable is called the Fermi energy.

The independence of the density of states is very fortunate since it provides a single distribution function for a wide range of systems. A plot of the three distribution functions.The resulting distributions do have some peculiar characteristics.gif Fig. The fact that the distribution function does not depend on the density of states is due to the assumption that a particular energy level is in thermal equilibrium with a large number of other particles. the Maxwell-Boltzmann distribution and the Bose-Einstein distribution is shown in the figure below. It would seem more acceptable that the distribution function does depend on the density of available states. the Bose-Einstein (green curve) and the Maxwell-Boltzman (blue curve) distribution. distrib.distrib.4. which are hard to explain. First of all the fact that a probability of occupancy can be obtained independent of whether a particular energy level exists or not.xls . . where the Fermi energy was set equal to zero. since it determines where particles can be in the first place. the Fermi-Dirac distribution. The nature of these particles does not need to be described further as long as their number is indeed very large. 2.1 Occupancy probability versus energy of the Fermi-Dirac (red curve).

5. 2. we now consider a system with equidistant energy levels at 0. which satisfy these particular constraints.5.5. which each can contain two electrons. There are 24 possible and different configurations.. 5.gif Fig. where the red dots represent the electrons: occdraw. Six of those configurations are shown in the figure below. 2.All three distribution functions are almost equal for large energies (more than a few kT beyond the Fermi energy). 2. eV.5. 1. 4.5.5. 3. while the Bose-Einstein distribution diverges at the Fermi energy and has no validity for energies below the Fermi energy. This system contains 20 electrons and we arbitrarily set the total energy at 106 eV..4.2 Six of the 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.. An Example To better understand the general derivation without going through it. . The electrons are Fermions so that they are indistinguishable from each other and no more than two electrons (with opposite spin) can occupy a given energy level. . which is 6 eV more than the minimum possible energy of this system. The Fermi-Dirac distribution reaches a maximum of 1 for energies which are a few kT below the Fermi energy.

occprob.occtable.gif Table 2.xls .998 eV and kT = 1.gif .xls .800 K.1 All 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.447 eV or T = 16. The average occupancy of each energy level as taken over all (and equally probable) 24 configurations is compared in the figure below to the expected FermiDirac distribution function. A best fit was obtained using a Fermi energy of 9.A complete list of the 24 configurations is shown in the table below: fddist. The agreement is surprisingly good considering the small size of this system. fddist.4.

998 eV. The definition of Fermions could therefore also be particles which obey the Pauli exclusion principle.. At higher temperature one finds that the transition between completely filled states and completely empty states is gradual rather than abrupt. they will fill the available states in an energy band just like water fills a bucket. At absolute zero temperature (T = 0 K). Electrons as well as holes have a spin 1/2 and obey the Pauli exclusion principle.. 2.Fig. The Fermi-Dirac distribution function The Fermi-Dirac probability density function provides the probability that an energy level is occupied by a Fermion which is in thermal equilibrium with a large reservoir. 3. . is given by: (f18) This function is plotted in the figure below.3 Probability versus energy averaged over the 24 possible configurations of the example (red squares) fitted with a Fermi-Dirac function (green curve) using kT = 1.4. Fermions are by definition particles with half-integer spin (1/2.l and s. The states with the lowest energy are filled first. 3/2.447 eV and EF= 9. All such particles also happen to have a half-integer spin. A unique characteristic of Fermions is that they obey the Pauli exclusion principle which states that only one Fermion can occupy a state which is defined by its set of quantum numbers n. 5/2 . followed by the next higher ones.k. The Fermi function which describes this behavior. No states above the Fermi level are filled. As these particles are added to an energy band.). the energy levels are all filled up to a maximum energy which we call the Fermi level.

xls . The Fermi function has a value of one for energies. This yields a modified distribution function for donors as given by: .4 Fermi function at an ambient temperature of 150 K (red curve). the transition is more gradual at finite temperatures and more so at higher temperatures. 300 K (blue curve) and 600 K (black curve). It equals 1/2 if the energy equals the Fermi energy and decreases exponentially for energies which are a few times kT larger than the Fermi energy. Impurity distribution functions The distribution function of impurities differs from the Fermi-Dirac distribution function although the particles involved are Fermions. 2.fermi. 4. while having two electrons with opposite spin occupy this one level is not allowed since this would leave a negatively charge atom which would have a different energy as the donor energy. which are more than a few times kT below the Fermi energy. While at T =0 K the Fermi function equals a step function.gif Fig.fermi.4. The difference is due to the fact that a filled donor energy level contains only one electron which can have either spin (spin up or spin down) .

which causes this factor to increase to 4 yielding: (f26) 5. In addition. The Maxwell-Boltzmann distribution function (f28) . The distribution function for acceptors differs also because of the different possible ways to occupy the acceptor level. the ionized acceptor still contains one electron which can have either spin. This restriction would yield a factor of 2 in front of the exponential term.(f25) The main difference is the factor 1/2 in front of the exponential term. The Bose-Einstein distribution function (f27) 6. one finds that most commonly used semiconductors have a two-fold degenerate valence band. The neutral acceptor contains two electrons with opposite spin. while the doubly positive state is not allowed since this would require a different energy.

besi. Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian dalam membentuk inti yang disebut nucleus. Semiconductor thermodynamics In order to understand the carrier distribution functions one must be familiar with a variety of thermodynamic concepts. Hanya dengan energi yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya. work and particle energy and the meaning of the Fermi energy. Disebut semi atau setengah konduktor. These include thermal equilibrium. karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi.bahan logam seperti tembaga. sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29. the difference between the total energy and heat. . Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini.7. An ideal electron gas is discussed in more detail as an example Semikonduktor Prinsip Dasar Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda. ikatannya tidaklah terlalu kuat. timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa. transistor dan sebuah IC (integrated circuit). berada pada orbit paling luar. These and other related topics are discussed in the section on semiconductor thermodynamics. Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-). Karena hanya ada satu elektron dan jaraknya 'jauh' dari nucleus. Bahan.

Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8 buah. Germanium (Ge) dan Galium Arsenida (GaAs).ikatan atom tembaga Pada suhu kamar. dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron ini. Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur . Dapat ditebak. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada dibumi setelah oksigen (O2). elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama. Jika diberi tegangan potensial listrik. Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur yang atomnya memiliki 4 elektron valensi. Susunan Atom Semikonduktor Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si). silikon menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Pasir. Phenomena ini yang dinamakan sebagai arus listrik. elektron tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Namun belakangan.

Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron. satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Struktur atom kristal silikon. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas. struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada gambar berikut. Pada suhu kamar. struktur dua dimensi kristal Silikon Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. . sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat rendah (0oK). ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas. Pada kondisi demikian. Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik. Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai.silikon. sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya.

mereka memang iseng sekali dan jenius. dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole). Tipe-N Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. doping atom pentavalen Tipe-P Kalau silikon diberi doping Boron. Karena ion silikon memiliki 4 elektron. bahan dopingnya adalah bahan trivalen yaitu unsur dengan ion yang memiliki 3 elektron pada pita valensi. Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n. Gallium atau Indium. Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Untuk mendapatkan silikon tipe-p. Dengan doping.Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen. Hole . Kenyataanya demikian. Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan elektron. maka akan didapat semikonduktor tipe-p.

Sama seperti resistor karbon. . Namun besar resistansi yang bisa didapat kecil karena terbatas pada volume semikonduktor itu sendiri.Pada pembuatannya memang material tipe P dan tipe N bukan disambung secara harpiah. Dengan demikian. doping atom trivalen Resistansi Semikonduktor tipe-p atau tipe-n jika berdiri sendiri tidak lain adalah sebuah resistor. melainkan dari satu bahan (monolitic) dengan memberi doping (impurity material) yang berbeda. semikonduktor memiliki resistansi.ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron. Cara ini dipakai untuk membuat resistor di dalam sebuah komponen semikonduktor. Dioda PN Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan-pakai lem barangkali ya :). kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p. maka akan didapat sambungan P-N (p-n junction) yang dikenal sebagai dioda.

Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus. karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. . LED. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor. Dioda.sambungan p-n Jika diberi tegangan maju (forward bias). dimana tegangan sisi P lebih besar dari sisi N. dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P. Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Zener. sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. base dan kolektor. forward bias Sebaliknya jika diberi tegangan balik (reverse bias). elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N mengisi kekosongan elektron (hole) di sisi P.

di antara emitor dan kolektor. karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. Sebab untuk dapat melepaskan elektron. . Bias DC Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar. Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar. Transistor ini disebut transistor bipolar.Base selalu berada di tengah. transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil. Transistor npn dan pnp Akan dijelaskan kemudian. namun konsumsi dayanya sangat besar. transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio. Dalam beberapa aplikasi. untuk mendapatkan kualitas suara yang baik. bi = 2 dan polar = kutup. disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin.

hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat tegangan positif. Seperti pada dioda. yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). elektron mengalir dari emiter menuju base. junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reverse bias).Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik . aliran elektron bergerak menuju kutup ini. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Karena kolektor ini lebih positif. karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. Misalnya tidak ada kolektor. Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini. arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor. arus elektron transistor npn Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda. aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis.

Ini yang dinamakan efek penguatan transistor.Pada transistor PNP. melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Dengan kata lain. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah. maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju (forward bias). arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor.(reverse bias). karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus hole. berikut adalah terminologi . fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias seperti pada gambar berikut. arus hole transistor pnp Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off). karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan. elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan.

walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan kolektor. namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.parameter transistor. arus potensial IC : arus kolektor IB : arus base IE : arus emitor VC : tegangan kolektor VB : tegangan base VE : tegangan emitor VCC : tegangan pada kolektor VCE : tegangan jepit kolektor-emitor VEE : tegangan pada emitor VBE : tegangan jepit base-emitor ICBO : arus base-kolektor VCB : tegangan jepit kolektor-base Perlu diingat. penampang transistor bipolar .

terhadap tegangan VD. beda tegang antara titik a dan b (lihat gambar 1 dan gambar 2) karakteristik statik dioda Karakteristik statik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab) dan arus yang melalui dioda. Terkadang dibuat juga efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah yang dikehendaki.Dari satu bahan silikon (monolitic). yaitu ID. kita peroleh karakteristik statik dioda. Kurva karakteristik statik dioda merupakan fungsi dari arus ID. kemudian base dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. yaitu mengubah VDD.Bila arus dioda ID kita plotkan terhadap tegangan dioda Vab. DIODA Kita dapat menyelidiki karakteristik statik dioda. arus yang melalui dioda. emitor dibuat terlebih dahulu. Bila anoda berada pada . Dapat diubah dengan dua cara. dengan cara memasang dioda seri dengan sebuah catu daya dc dan sebuah resistor.

tegangan lebih tinggi daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan mendapat bias forward. maka arus ID dan VD akan berubah pula. . Kita lihat bahwa garis beban memotong sumbu V dioda pada harga VDD yaitu bila arus I=0. Dari gambar 1. Bila VD negatip disebut bias reserve atau bias mundur. Garis ini disebut garis beban (load line). Bila harga VDD diubah. Pada gambar 2 VC disebut cut-in-voltage. maka harga arus ID dan VD dapat kita tentukan sebagai berikut. dan memotong sumbu I pada harga (VDD/RL). IS arus saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage. Bila kita mempunyai karakteristik statik dioda dan kita tahu harga VDD dan RL. Titik potong antara karakteristik statik dengan garis beban memberikan harga tegangan dioda VD(q) dan arus dioda ID(q). VDD = Vab + (I· RL) atau I = -(Vab/RL) + (VDD / RL) Bila hubungan di atas kita lukiskan pada karakteristik statik dioda kita akan mendapatkan garis lurus dengan kemiringan (1/RL). Ini ditunjukkan pada gambar 3.

hal ini disebabkan karena logam banyak memiliki elektron bebas yang selalu bergerak setiap saat. Dalam realita yang ada proses emisi elektron cenderung terjadi pada logam dibandingkan pada bahan lainnya. yaitu arus saturasi IS. Emisi elektron ialah proses pelepasan elektron dari permukaan suatu substansi atau material yang disebabkan karena elektron elektron tersebut mendapat energi dari luar. 1. Arus ini mempunyai harga kira-kira 1 µA untuk dioda silikon. Akan tetapi walaupun daya tarik tesebut tidak . terutama pada elektron yang terletak pada kulit terluar dari atom logam (elektron valensi) tidak terlalu kuat dibandingkan yang terjadi pada bahan lainnya. Bila VDD<0 dan |VDD| < VPIV maka arus dioda yang mengalir adalah kecil sekali. Pengenalan vacuum Tube Pada bagian ini penulis bermaksud mengajak para rekan rekan tube mania untuk ngobrol mengenai prinsip kerja dari Tabung.Dengan mengubah harga VDD kita akan mendapatkan garis-garis beban sejajar seperti pada gambar 3. Emisi Electron Membahas mengenai cara kerja tabung tak akan karena bisa lepas dari Proses Emisi Electron sesungguhnya cara kerja tabung yang paling mendasar ialah proses emisi elektron dan pengendaliannya. Banyaknya elektron bebas pada logam disebabkan karena daya tarik ini atom logam terhadap elektron.

dan jenis proses penerimaan energi inilah yang membedakan proses emisi elektron yaitu : 1. besarnya fungsi kerja adalah berbeda untuk setiap logam. masihlah cukup untuk menahan elektron agar tidak sampai lepas dari atom logam. didefinisikan sebagai Fungsi Kerja (Work Function). Besarnya energi yang diperlukan oleh sebuah elektron untuk mengatasi daya tarik inti atom sehingga bisa melompat keluar dari permukaan logam. Oleh elektron energi panas ini diubah menjadi energi kinetik. Emisi Thermionic Emisi medan listrik Emisi Sekunder Emisi Fotolistrik (Thermionic emission) (Field emission) (Secondary emission) (Photovoltaic emission) 2. energi luar yang masuk ke bahan ialah dalam bentuk energi panas. 3. Proses penerimaan energi luar oleh elektron agar bisa beremisi dapat terjadi dengan beberapa cara. Semakin besar panas yang diterima oleh bahan maka akan semakin besar pula kenaikan energi kinetik yang terjadi pada elektron. maka diperlukanlah sejumlah energi untuk mengatasi daya tarik inti atom terhadap elektron. 4. 2. bahan yang digunakan sebagai asal ataupun sumber elektron disebut sebagai "emiter" . Pada situasi inilah akan terdapat elektron yang pada ahirnya terlepas keluar melalui permukaan bahan. dengan semakin besarnya kenaikan energi kinetik dari elektron maka gerakan elektron menjadi semakin cepat dan semakin tidak menentu. Pada proses emisi thermionic dan juga pada proses emisi lainnya.Fungsi kerja biasanya dinyatakan dalam satuan eV (electron volt). Agar supaya elektron pada logam bisa melompat keluar melalui permukaan logam. sehingga terjadi proses emisi elektron.terlalu kuat. Emisi Thermionic Pada emisi jenis ini.

atau lebih sering disebut "katoda" (cathode). Dalam konteks tabung hampa (vacuum tube) anoda lebih sering disebut sebagai "plate". Pada proses emisi thermionik bahan yang akan digunakan sebagai katoda harus memiliki sifat sifat yang memadai untuk berperan dalam proses yaitu : a. Memiliki fungsi kerja yang rendah. disingkat DHC) b) Katoda panas tak langsung (Indirect Heated Cathode. pada katoda jenis ini katoda selain sebagai sumber elektron juga dialiri oleh arus heater (pemanas). yaitu bahan yang baik dalam menghantarkan panas tetapi tidak mengalirkan arus listrik. Katoda jenis ini tidak dialiri langsung oleh arus heater. panas yang dibutuhkan untuk memanasi katoda dihasilkan oleh heater element (elemen pemanas) dan panas ini dialirkan secara konduksi dari heater elemen ke katoda dengan perantaraan insulasi listrik. disingkat IHC) Pada Figure 2 dapat dilihat struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari DHC. sedangkan bahan yang menerima elektron disebut sebagai anoda. dengan fungsi kerja yang rendah maka energi yang dibutuhkan . Struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari IHC dapat dilihat pada Figure 3. Dalam proses emisi thermionik dikenal dua macam jenis katoda yaitu : a) Katoda panas langsung (Direct Heated Cathode.

Memiliki ketahanan mekanik (mechanical strenght) yang tinggi Pada saat terjadinya emisi maka terjadi pula lompatan ion positif dari plate menuju ke katoda. sehingga tungsten banyak digunakan untuk aplikasi khas yaitu tabung X-Ray yang bekerja pada tegangan sekitar 5000V dan temperature tinggi. Lompatan ion positif tersebut oleh katoda akan dirasakan sebagai benturan. yaitu : 3. Pada aplikasi yang sesungguhnya ada tiga jenis material yang digunakan untuk membuat katoda. Akan tetapi untuk aplikasi yang umum terutama untuk aplikasi Tabung Audio dimana tegangan kerja dan temperature . Pada proses emisi thermionic katoda harus dipanaskan pada suhu yang cukup tinggi untuk memungkinkan terjadinya lompatan elektron. dan suhu ini bisa mencapaai 1500 derajat celcius. Memiliki titik lebur (melting point) yang tinggi. b. Tungsten Material ini adalah material yang pertama kali digunakan orang untuk membuat katode. sehingga agar supaya katoda tidak mengalami deformasi maka bahan dari katoda harus memiliki mechanical strenght yang tinggi. C. Tungsten memiliki dua kelebihan untuk digunakan sebagai katoda yaitu memiliki ketahanan mekanik dan juga titik lebur yang tinggi (sekitar 3400 derajat Celcius).untuk menarik elektron menjadi lebih kecil sehingga proses emisi lebih mudah terjadi.

hal ini disebabkan karena tungsten memiliki fungsi kerja yang tinggi( 4. 5. Katoda jenis ini umumnya digunakan untuk aplikasi yang menggunakan tegangan tidak lebih dari 1000 V.63eV. Selain itu hasil pencampuran kedua logam tersebut memiliki temperature kerja optimal yang lebih rendah daripada tungsten yaitu 1700 derajat celcius hal ini berarti besarnya energi yang dibutuhkan untuk pemanasan pada aplikasi pemakaian logam campuran ini juga lebih rendah. Sebagai hasil dari pelapisan tersebut maka dihasilkanlah katoda yang memiliki fungsi kerja yang dan temperature kerja optimal rendah yaitu sekitar 750 derajat celsius. Katoda berlapis oksida (Oxide-Coated Cathode) Katoda tipe ini terbuat dari lempengan nickel yang dilapis dengan barium dan oksida strontium. yaitu suatu nilai fungsi kerja yang lebih rendah dibandingan dengan fungsi kerja tungsten ataupun thorium dalam keadaan tidak dicampur. 5.tidak terlalu tinggi maka tungsten bukan material yang ideal.4 eV.52 eV) dan juga temperature kerja optimal yang cukup tinggi (sekitar 2200 derajat celcius) 4. campuran antara thorium dan tungsten memiliki fungsi kerja 2. Thoriated Tungsten Material ini ialah campuran antara tungsten dan thorium. Thorium adalah material yang secara individual memiliki fungsi kerja 3. Emisi Medan Listrik (Field Emission) Pada emisi jenis ini yang menjadi penyebab lepasnya elektron dari .

6. Dukungan proses emisi medan listrik dibutuhkan pada proses emisi sekunder. Emisi Sekunder ( Secondary emission) Pada emisi sekunder ini energi yang menjadi penyebab lepasnya elektron datang dalam bentuk energi mekanik yaitu energi yang diberikan dalam proses tumbukan antara elektron luar yang datang dengan elektron yang ada pada katoda. Emisi medan listrik adalah salah satu emisi utama yang terjadi pada vacuum tube selain emisi thermionic. Pada katoda yang digunakan pada proses emisi ini dikenakan medan listrik yang cukup besar sehingga tarikan yang terjadi dari medan listrik pada elektron menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk lompat keluar dari permukaan katoda. Pada kenyataannya proses emisi sekunder tidak dapat berlangsung sukses dengan sendirinya untuk melepaskan elektron dari permukaan akan tetapi proses emisi ini masih membutuhkan dukungan dari emisi jenis lainnya secara bersamaan yaitu emisi medan listrik.bahan ialah adanya gaya tarik medan listrik luar yang diberikan pada bahan. Pada proses tumbukan terjadi pemindahan sebagian energi kinetik dari elektron yang datang ke elektron yang ada pada katoda sehingga elektron yang ada pada katoda tersebut terpental keluar dari permukaan katoda. karena walaupun elektron sudah terpental keluar dari permukaan katoda akan tetapi energi yang dimiliki oleh elektron ini seringkali tidak cukup untuk .

Trioda . Sama seperti proses emisi sekunder emisi fotolistrik juga tidak dapat berjalan dengan sempurna tanpa bantuan proses emisi medan listrik. hal ini disebabkan karena energi yang didapat oleh elektron dari foton belum cukup untuk membuat elektron tersebut mampu menjangkau anoda. 7.menjangkau anoda sehingga dibutuhkanlah dukungan energi dari proses emisi medan listrik. Sampai pada bagian ini kita baru saja meyelesaikan obrolan kita mengenai emisi electron dan sekarang obrolan akan kita lanjutkan ke pembahasan mengenai vacuum tube dan cara kerjanya. Ada beberapa jenis vacuum tube yang umum digunakan yaitu . Emisi Fotolistrik (Photo Electric Emission) Pada emisi fotolistrik energi diberikan ke elektron pada katoda melalui foton yaitu paket paket energi cahaya.Dioda . yang oleh elektron kemudian diubah menjadi energi mekanik sehingga elektron tersebut dapat terlepas dari permukaan katoda. Yang dimaksud dengan vacuum tube ialah peralatan elektronik dimana aliran elektron terjadi pada ruang hampa.

Hubungan p-n tanpa catu . rapat pencampuran berubah secara linier menurut jarak menjauh dari hubungan. Dalam hubungan berangsur-linier. Pencampuran dengan pemanasan pada temperature tinggi dlm waktu singkat. 1986” Dioda Hubungan Hubungan p-n Lihat gambar diatas i. jilid 1. rapat pencampuran akseptor atau donor dalam semikondktor tetap sampai mencapai hubungan.Pentoda REFERENSI “Elektronika : teori dasar dan penerapannya”. Bandung: Penerbit ITB. Terbentuk dg menarik kristal tunggal dari lelehan germanium yang pd saat dimulai proses sudah berisi pencampuran dari satu jenis.Tetroda . hubungan berangsur-tangga atau ii.. hubungan berangsur-linier Hubungan berangsur-tangga.

Medan ini diarahkan dari sisi n ke sisi p dan dinamakan medan halangan. Diagram pita energi dari hubungan p-n tanpa dicatu. Medan ini melawan gerakan difusi elektron dan lubang lewat hubungan. Tebal daerah kosong sekitar 0. Karena ada medan halangan lewat hubungan. lihat gambar bawah. Potensial halangan ekivalen VB diberikan oleh Eb=eVB berdasarkan energi halangan tergantung pada lebar daerah tidak tercakup. yang menghasilkan medan listrik lewat hubungan. . Daerah P terdiri dari elektron sbg pembawa minoritas dan daerah n berisi lubang sebagai pembawa minoritas. mereka dinama muatan tidak tercakup. Hubungan p-n yang dicatu Jika + batere dihub ke sisi jenis p dan – batere ke sisi jenis n. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu maju (forward biased). Krn itu gerakan pembawa minoritas membentuk aliran arus. perpindahan elektron dari sisi n ke sisi p memerlukan sejumlah energi yang dinamakan energi halangan (barrier) (Eb).Lihat gambar atas Elektron berdifusi lewat hubungan ke kiri dan lobang-lobang berdifusi ke kanan. Medan halangan berperan sehingga elektron dari sisi p dan lubang dari sisi n dg mudah melewati hubungan. Jumlah energinya sama kalau lobang dari daerah p berpindah ke daerah n.5 mikrometer. Setelah melewati hubungan mereka bergabung dg membiarkan ion-ion tidak bergerak disekelilingnya tidak ternetralkan. Hubungan akan mengalir arus besar.

Ada dua type rangkaian penyearah dengan menggunakan dioda yaitu penyearah gelombang penuh dan penyearah setengah gelombang yang mana kedua rangkaian tersebut akan diuji pada praktikum . Hubungan akan mengalir arus kecil. Gaya ini mengakibatkan lubang dan electron bergerak menuju hubungan. PENYEARAH 1. Hubungan p-n dicatu maju Gambar lihat samping kanan Tegangan catu maju mengakibatkan gaya pada lubang di sisi jenis p dan pada electron di sisi jenis n. Penyearah adalah suatu rangkaian yang berfungsi untuk mengubah tegangan bolak-balik menjadi tegangan searah. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu balik (reverse biased). yakni energi halangannya. Akibatnya lebar muatan tidak tercakup berkurang dan halangan berkurang. Penyearah dengan dioda mengikuti sifat dioda yang akan menghantar pada satu arah dengan drop tegangan yang kecil yaitu sebesar 0. Pendahuluan Penggunaan dioda yang paling umum adalah sebagai penyearah .Jika dibalik +batere ke sisi n dan –batere ke sisi p. Sifat-sifat diatas cocok untuk penyearahan.gambar samping kiri.7 volt.

(T / C) Dimana Idc dalam hal ini adalah tegangan keluaran dibagi dengan R beban. Hal ini dapat dijelaskan pada gambar berikut: Hasil penyearahan yang tidak ideal akan mengakibatkan adanya ripple seperti terlihat pada gambar diatas dimana tegangan ripple yang dihasilkan dapat ditentukan oleh persamaan berikut : Ripple (peak to peak) = Idc . T adalah periode . Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan Untuk mendapatkan suatu tegangan DC yang baik dimana bentuk tegangan hasil penyearahan adalah mendekati garis lurus maka tegangan keluaran dari suatu rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar 1.1 dihubungkan dengan suatu kapasitor secara paralel terhadap beban seperti pada gambar 1.2 dimana arus dari keluaran rangkaian penyearah selain akan melewati beban juga akan mengisi kapasitor sehingga pada saat tegangan hasil penyearahan mengalami penurunan maka kapasitor akan membuang muatannya kebeban dan tegangan beban akan tertahan sebelum mencapai nol. Penyearah Setengah Gelombang A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 2.2.1.

1. Penyearah Gelombang Penuh 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 3.tegangan ripple (detik) dan C adalah nilai kapasitor (Farad) yang digunakan. Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - . A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - 3.

Pendahuluan Sebagian dioda semikonduktor bila dihubungkan dengan suatu tegangan balik yang cukup akan melakukan suatu arus balik. Pada arah maju dioda zener berperilaku seperti dioda biasa. Karakteristik maju dioda Zener + A 100 Ohm + Supply DC Variabel Zener 12V V V - Voltmeter . Akan tetapi dioda Zener justru adalah suatu dioda yang dirancang untuk bisa melakukan arus balik dengan aman dan dengan drop tegangan hanya beberapa volt saja.DIODA ZENER 1. A K 2.1 dimana bentuk simbol tersebut menyerupai dioda biasa kecuali garis melintang pada kepala panah yang digunakan untuk menyatakan sudut karakteristik balik. Hal ini tidak ditunjukkan sebelumnya karena biasanya akan merusak dioda. Simbol dioda zener adalah seperti pada gambar 2.

8. Tolong diketik yang rapi dan menarik dijilid. semikonduktor tidak murni 6. rekombinasi 5. Karakteristik balik dioda Zener Reverse Current (mA) 60 +10V Zener Current 50 40 I 30 Resistor for zener dioda 20 10 V V 5 10 15 Reverse Voltage (b) 0V (a) (c) Tugas perorangan: Buat resume tentang 1. hubungan p-n yang dicatu. dioda dan hubungan-hubungannya 9.3. konduktor. pengaruh temperatur pada semikonduktor 7.d. . isolator. s. pita energi. konsep elektron. 2. semikonduktor 3. atom. semi konduktor murni 4. Silahkan ambil dari referensi mana saja dan media apa saja. efek hall.

invented by three scientists at the Bell Laboratories in 1947. each capable of carrying a current. The component can thus act as a switch. rapidly replaced the vacuum tube as an electronic signal regulator. opening and closing an electronic gate many times per second. The doping results in a material that either adds extra electrons to the material (which is then called N-type for the extra negative charge carriers) or creates "holes" in the material's crystal structure (which is then called P-type because it results in more positive charge carriers). the . CMOS uses two complementary transistors per gate (one with N-type material. The transistor's three-layer structure contains an N-type semiconductor layer sandwiched between P-type layers (a PNP configuration) or a Ptype layer between N-type layers (an NPN configuration). A transistor consists of three layers of a semiconductor material. A transistor regulates current or voltage flow and acts as a switch or gate for electronic signals. rapid change in the current passing through the entire component.Transistor The transistor. A small change in the current or voltage at the inner semiconductor layer (which acts as the control electrode) produces a large. Today's computers use circuitry made with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. A semiconductor is a material such as germanium and silicon that conducts electricity in a "semi-enthusiastic" way. The semiconductor material is given special properties by a chemical process called doping. It's somewhere between a real conductor such as copper and an insulator (like the plastic wrapped around wires).

When one transistor is maintaining a logic state. stabilisasi tegangan. memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya." Jenis Transistor Berbagai macam Transistor (Dibandingkan dengan pita ukur centimeter) Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat. transistor digunakan dalam amplifier (penguat). which consist of very large numbers of transistors interconnected with circuitry and baked into a single silicon microchip or "chip. transistor memiliki 3 terminal. Rangkaian analog melingkupi . modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Dalam rangkaian analog.other with P-type material). it requires almost no power. Transistors are the basic elements in integrated circuits (ICs). Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik. dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET). Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. pemotong (switching). Pada umumnya.

Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi. keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. dan penguat sinyal radio. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate. Arsenik akan bebas dan hasilnya memberikan elektron memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. konduksi arus akan mulai mengalir. transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa.pengeras suara. ion) terbentuk. namun tidak banyak. dengan sebuah proses yang dinamakan doping. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya. karena pembawa muatanya tidak bebas. tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. namun jika sedikit pencemar ditambahkan. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator. Dalam kasus ini. dan komponen-komponen lainnya. dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen). karena . dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon. Sehingga. seperti Arsenik. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya. Garam dapur sendiri adalah nonkonduktor (isolator). sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif. Cara Kerja Semikonduktor Pada dasarnya. karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers. sedangkan Silikon hanya 4. misalkan sebuah gelas berisi air murni. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). air murni dianggap sebagai isolator. memori. sumber listrik stabil. Dalam rangkaian-rangkaian digital.

Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. sehingga tanpa adanya gaya yang lain. Karena itu. dalam ukuran satu berbanding seratus juta. Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak. tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya. daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. dinamakan "lubang" (hole.pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. Selain dari itu. Dalam sebuah metal. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil. akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi. pembawapembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n). Dalam tabung hampa. pembawa muatan yang baru. pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipen dibuat dalam satu keping Silikon. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor. dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Dalam sebuah transistor bipolar. satu . pembawa muatan positif). pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Silikon dapat dicampur dengn Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. asalkan tata-letak kristal Silikon tetap dipertahankan.

Untuk membuat transistor. listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan). seperti fluida. dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan. yaitu elektron atau lubang. bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon.pembawa muatan untuk setiap atom. pada awalnya ada dua tipe dasar transistor. namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Dalam metal. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik. sedangkan metal tidak. Dalam metal. jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Namun. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan. Cara Kerja Transistor Dari banyak tipe-tipe transistor modern. yang masing-masing bekerja secara berbeda. oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. tegangan ini sangat tinggi. pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator. listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Dengan kata lain. untuk merubah metal menjadi isolator. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas . Sedangkan dalam semikonduktor. bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET).

Dalam FET. Dalam BJT. untuk membawa arus listrik. untuk merubah ketebalan kanal konduksi tersebut. tergantung dari tipe FET). FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole. Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan.pembawa muatan: elektron dan lubang. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. Jenis-Jenis Transistor Pchannel PNP NPN Nchannel BJT JFET Simbol Transistor dari Berbagai Tipe Secara umum. arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori: . dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut. arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama).

Through Hole Plastic. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Medium. General Purpose. HEMT. terminal gate dalam JFET membentuk sebuah . Audio. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). BJT. High Power Maximum frekwensi kerja: Low. MESFET. PNP atau Pchannel Maximum kapasitas daya: Low Power. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.• • • • • • • Materi semikonduktor: Germanium. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. kolektor (C). JFET. MISFET. Silikon. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. Berbeda dengan IGFET. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet. sehingga ada tiga terminal. dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel. HBT. RF transistor. IGBT. Microwave. atau High Frequency. Surface Mount. IGFET (MOSFET). IC. Medium Power. dan basis (B). FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. Saklar. VMOSFET. dan lain-lain Tipe: UJT. Tegangan Tinggi. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau hFE.

Dan juga. Operational Amplifier Karakteristik Op-Amp . ini membuat Nchannel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum. aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. gate adalah negatif dibandingkan dengan source. keduanya memiliki impedansi input tinggi. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Secara fungsinya. gate adalah positif. yang juga membentuk sebuah dioda antara antara grid dan katode. Untuk kedua mode. dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode. jika tegangan gate dibuat lebih positif. Untuk P-channel FET. polaritas-polaritas semua dibalik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode.dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode". sedangkan dalam enhancement mode. dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.

op-amp adalah komponen IC yang memiliki 2 input tegangan dan 1 output tegangan. Hanya dengan menambah beberapa resitor dan potensiometer. penguat mic.kalau perlu mendesain sinyal level meter. pembangkit sinyal. mixer. penguat audio. konverter sinyal. Penguat diferensial seperti yang ditunjukkan pada gambar-1 merupakan rangkaian dasar dari sebuah opamp. osilator. selalu pilihan yang mudah adalah dengan membolak-balik data komponen yang bernama opamp. differensiator. integrator. histeresis pengatur suhu. . Sesuai dengan istilah ini. dalam sekejap (atau dua kejap) sebuah pre-amp audio kelas B sudah dapat jadi dirangkai di atas sebuah proto-board. filter aktif semisal tapis nada bass. dimana tegangan output-nya adalah proporsional terhadap perbedaan tegangan antara kedua inputnya itu. Penguat diferensial Op-amp dinamakan juga dengan penguat diferensial (differential amplifier). komparator dan sederet aplikasi lainnya. Komponen elektronika analog dalam kemasan IC (integrated circuits) ini memang adalah komponen serbaguna dan dipakai pada banyak aplikasi hingga sekarang.

yang pertama adalah penguat diferensial. Titik input v1 dikatakan sebagai input non-iverting. gambar-2 (a) : Diagram blok Op-Amp . selanjutnya ada rangkaian penggeser level (level shifter) dan kemudian penguat akhir yang biasanya dibuat dengan penguat push-pull kelas B.gambar-1 : penguat diferensial Pada rangkaian yang demikian. Diagram Op-amp Op-amp di dalamnya terdiri dari beberapa bagian. lalu ada tahap penguatan (gain). Gambar-2(a) berikut menunjukkan diagram dari op-amp yang terdiri dari beberapa bagian tersebut. Sedangkan sebaliknya titik v2 dikatakan input inverting sebab berlawanan phasa dengan tengangan vout. sebab tegangan vout satu phase dengan v1. persamaan pada titik Vout adalah Vout = A(v1-v2) dengan A adalah nilai penguatan dari penguat diferensial ini.

Untuk tipe yang sama. non-inverting (+) dan input inverting (-). Umumnya op-amp bekerja dengan dual supply (+Vcc dan –Vee) namun banyak juga op-amp dibuat dengan single supply (Vcc – ground). Rin adalah resitansi input yang nilai idealnya infinit (tak terhingga). tiap pabrikan mengeluarkan seri IC dengan insial atau nama yang berbeda. LM741 buatan National Semiconductor.gambar-2 (b) : Diagram schematic simbol Op-Amp Simbol op-amp adalah seperti pada gambar-2(b) dengan 2 input. Tabel-1 menunjukkan beberapa parameter op-amp yang penting beserta nilai idealnya dan juga contoh real dari parameter LM714. Rout adalah resistansi output dan besar resistansi idealnya 0 (nol). Sedangkan AOL adalah nilai penguatan open loop dan nilai idealnya tak terhingga. karakteristik satu op-amp dapat berbeda dengan opamp lain. SN741 dari Texas Instrument dan lain sebagainya. Saat ini banyak terdapat tipe-tipe op-amp dengan karakterisktik yang spesifik. Tergantung dari teknologi pembuatan dan desain IC-nya. . Simbol rangkaian di dalam op-amp pada gambar-2(b) adalah parameter umum dari sebuah op-amp. Op-amp standard type 741 dalam kemasan IC DIP 8 pin sudah dibuat sejak tahun 1960-an. Misalnya dikenal MC1741 dari motorola.

000 kali.tabel-1 : parameter op-amp yang penting Penguatan Open-loop Op-amp idealnya memiliki penguatan open-loop (AOL) yang tak terhingga. Response penguatan op-amp menurun seiring dengan menaiknya frekuenci sinyal input. Jika perlu merancang . Parameter unity-gain frequency menjadi penting jika op-amp digunakan untuk aplikasi dengan frekuensi tertentu. Parameter AOL biasanya adalah penguatan op-amp pada sinyal DC. Namun pada prakteknya opamp semisal LM741 memiliki penguatan yang terhingga kira-kira 100. Sebenarnya dengan penguatan yang sebesar ini. Ini berarti penguatan op-amp akan menjadi 1 kali pada frekuensi 1 MHz. Unity-gain frequency Op-amp ideal mestinya bisa bekerja pada frekuensi berapa saja mulai dari sinyal dc sampai frekuensi giga Herzt. sistem penguatan opamp menjadi tidak stabil. Op-amp LM741 misalnya memiliki unity-gain frequency sebesar 1 MHz. Pada bab berikutnya akan dibahas bagaimana umpan balik bisa membuat sistem penguatan op-amp menjadi stabil. Input diferensial yang amat kecil saja sudah dapat membuat outputnya menjadi saturasi.

maka artinya perbandingannya kira-kira hanya 30 kali. Kalau . Parameter ini cukup penting untuk menunjukkan kinerja op-amp tersebut.000 kali dibandingkan penguatan ACM (commom mode). Sebagai contoh praktis. Parameter CMRR diartikan sebagai kemampuan op-amp untuk menekan penguatan tegangan ini (common mode) sekecilkecilnya. CMRR didefenisikan dengan rumus CMRR = ADM/ACM yang dinyatakan dengan satuan dB. ini artinya penguatan ADM (differential mode) adalah kira-kira 30. Slew rate Di dalam op-amp kadang ditambahkan beberapa kapasitor untuk kompensasi dan mereduksi noise. Tetapi karena ketidak idealan op-amp. maka sinyal output dapat berbentuk ekponensial. maka pilihlah op-amp yang memiliki unity-gain frequency lebih tinggi. Sehingga jika input berupa sinyal kotak. maka outputnya juga kotak. Parameter CMRR Ada satu parameter yang dinamakan CMRR (Commom Mode Rejection Ratio).5V/us. Ini berarti perubahan output op-amp LM741 tidak bisa lebih cepat dari 0. maka tegangan persamaan dari kedua input ini ikut juga dikuatkan. Contohnya op-amp dengan CMRR = 90 dB. Op-amp dasarnya adalah penguat diferensial dan mestinya tegangan input yang dikuatkan hanyalah selisih tegangan antara input v1 (non-inverting) dengan input v2 (inverting). Kalau CMRR-nya 30 dB. Op-amp ideal memiliki parameter slew-rate yang tak terhingga. Karena ketidak-idealan op-amp.5 volt dalam waktu 1 us. Namun kapasitor ini menimbulkan kerugian yang menyebabkan response op-amp terhadap sinyal input menjadi lambat.aplikasi pada frekeunsi tinggi. op-amp LM741 memiliki slew-rate sebesar 0.

Data karakteristik op-amp yang lengkap. Contoh lain misalnya TL072 dan keluarganya sering digunakan untuk penguat audio.05 volt dan tegangan v2 = 5 volt.diaplikasikan secara real. rangkaian kompensasi temperatur dan lainnya. open colector output.05 volt dan tegangan persamaan-nya (common mode) adalah 5 volt. Di pasaran ada banyak tipe op-amp. high power output dan lain sebagainya. Dengan kata lain. misalkan tegangan input v1 = 5. LM714 termasuk jenis op-amp yang sering digunakan dan banyak dijumpai dipasaran. ya ada di datasheet. Cara yang paling baik pada saat mendesain aplikasi dengan op-amp adalah dengan melihat dulu karakteristik opamp tersebut. maka dalam hal ini tegangan diferensialnya (differential mode) = 0. non-inverter. dimana rangkaian feedback . Aplikasi op-amp popular yang paling sering dibuat antara lain adalah rangkaian inverter. current limmiter. integrator dan differensiator. Tipe lain seperti LM139/239/339 adalah opamp yang sering dipakai sebagai komparator. Saat ini banyak op-amp yang dilengkapi dengan kemampuan seperti current sensing. maka output op-amp mestinya nol. op-amp dengan CMRR yang semakin besar akan semakin baik. Ada juga op-amp untuk aplikasi khusus seperti aplikasi frekuesi tinggi. Jika kedua pin input dihubung singkat dan diberi tegangan. Pembaca dapat mengerti dengan CMRR yang makin besar maka op-amp diharapkan akan dapat menekan penguatan sinyal yang tidak diinginkan (common mode) sekecil-kecilnya. Analisa Rangkaian Op-Amp Popular Operational Amplifier atau di singkat op-amp merupakan salah satu komponen analog yang popular digunakan dalam berbagai aplikasi rangkaian elektronika. Pada pokok bahasan kali ini akan dipaparkan beberapa aplikasi opamp yang paling dasar.

Ada dua aturan penting dalam melakukan analisa rangkaian op-amp berdasarkan karakteristik op-amp ideal. Input (masukan) op-amp seperti yang telah dimaklumi ada yang dinamakan input inverting dan non-inverting.v. yaitu : Aturan 1 : Perbedaan tegangan antara input v+ dan v. Seperti misalnya op-amp LM741 yang sering digunakan oleh banyak praktisi elektronika.(umpan balik) negatif memegang peranan penting. . Op-amp ideal Op-amp pada dasarnya adalah sebuah differential amplifier (penguat diferensial) yang memiliki dua masukan.) Aturan 2 : Arus pada input Op-amp adalah nol (i+ = i= 0) Inilah dua aturan penting op-amp ideal yang digunakan untuk menganalisa rangkaian op-amp. Secara umum.adalah nol (v+ . dan penguatannya menjadi tidak terukur (infinite). Impedasi input op-amp ideal mestinya adalah tak terhingga. Sebagai perbandingan praktis. umpanbalik positif akan menghasilkan osilasi sedangkan umpanbalik negatif menghasilkan penguatan yang dapat terukur.= 0 atau v+ = v. memiliki karakteristik tipikal open loop gain sebesar 104 ~ 105. Aturan ini dalam beberapa literatur dinamakan golden rule. Disinilah peran rangkaian negative feedback (umpanbalik negatif) diperlukan. Nilai impedansi ini masih relatif sangat besar sehingga arus input op-amp LM741 mestinya sangat kecil. sehingga mestinya arus input pada tiap masukannya adalah 0. op-amp LM741 memiliki impedansi input Zin = 106 Ohm. Op-amp ideal memiliki open loop gain (penguatan loop terbuka) yang tak terhingga besarnya. sehingga op-amp dapat dirangkai menjadi aplikasi dengan nilai penguatan yang terukur (finite). Penguatan yang sebesar ini membuat opamp menjadi tidak stabil.

umpanbalik negatif di bangun melalui resistor R2.. iin + iout = vin/R1 + vout/R2 = 0 Selanjutnya vout/R2 = . arus masukan op-amp adalah 0. input opamp v. dapat dihitung tegangan jepit pada R1 adalah vin – v. Karena nilainya = 0 namun tidak terhubung langsung ke ground. Kemudian dengan menggunakan aturan 2. pembaca tentu sudah menduga bahwa fase keluaran dari penguat inverting ini akan selalu berbalikan dengan inputnya.= vout. Dengan fakta ini.pada rangkaian ini dinamakan virtual ground. gambar 1 : penguat inverter Input non-inverting pada rangkaian ini dihubungkan ke ground. atau vout/vin = . di ketahui bahwa : iin + iout = i. Seperti tersirat pada namanya. Dengan mengingat dan menimbang aturan 1 (lihat aturan 1). dimana sinyal masukannya dibuat melalui input inverting.= v+ = 0. maka akan dipenuhi v..= 0.= vin dan tegangan jepit pada reistor R2 adalah vout – v..Inverting amplifier Rangkaian dasar penguat inverting adalah seperti yang ditunjukkan pada gambar 1. karena menurut aturan 2.R2/R1 . atau v+ = 0. Pada rangkaian ini.vin/R1 .

Karena input inverting (-) pada rangkaian ini diketahui adalah 0 (virtual ground) maka impendasi rangkaian ini tentu saja adalah Zin = R1. penguat ini memiliki masukan yang dibuat melalui input non-inverting. Dengan demikian tegangan keluaran rangkaian ini akan satu fasa dengan tegangan inputnya. Untuk menganalisa rangkaian penguat op-amp non inverting. Non-Inverting amplifier Prinsip utama rangkaian penguat non-inverting adalah seperti yang diperlihatkan pada gambar 2 berikut ini. maka dapat ditulis …(1) Impedansi rangkaian inverting didefenisikan sebagai impedansi input dari sinyal masukan terhadap ground. Seperti namanya. caranya sama seperti menganalisa rangkaian inverting.Jika penguatan G didefenisikan sebagai perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan. gambar 2 : penguat non-inverter .

. Integrator Opamp bisa juga digunakan untuk membuat rangkaian-rangkaian dengan respons frekuensi.. yang berarti arus iR1 = vin/R1.. Lalu tegangan jepit pada R1 adalah v.= vin. Hukum kirchkof pada titik input inverting merupakan fakta yang mengatakan bahwa : iout + i(-) = iR1 Aturan 2 mengatakan bahwa i(-) = 0 dan jika disubsitusi ke rumus yang sebelumnya. Salah satu contohnya adalah rangkaian integrator seperti yang ditunjukkan pada gambar 3.Dengan menggunakan aturan 1 dan aturan 2. kita uraikan dulu beberapa fakta yang ada. atau iout = (vout-vin)/R2. maka diperoleh iout = iR1 dan Jika ditulis dengan tegangan jepit masing-masing maka diperoleh (vout – vin)/R2 = vin/R1 yang kemudian dapat disederhanakan menjadi : vout = vin (1 + R2/R1) Jika penguatan G adalah perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan. lihat aturan 1. LM741 diketahui memiliki impedansi input Zin = 108 to 1012 Ohm.= vout – vin. maka didapat penguatan op-amp non-inverting : … (2) Impendasi untuk rangkaian Op-amp non inverting adalah impedansi dari input non-inverting op-amp tersebut. Dari sini ketahui tegangan jepit pada R2 adalah vout – v. hanya . Dari datasheet.. misalnya rangkaian penapis (filter). antara lain : vin = v+ v+ = v. Rangkaian dasar sebuah integrator adalah rangkaian op-amp inverting.= vin .

rangkaian yang demikian dinamakan juga rangkaian Miller Integral. v. Prinsipnya sama dengan menganalisa rangkaian opamp inverting.= 0 (aturan1) iout = -C d(vout – v-)/dt = -C dvout/dt.(3) Dari sinilah nama rangkaian ini diambil.saja rangkaian umpanbaliknya (feedback) resistor melainkan menggunakan capasitor C. Dengan menggunakan 2 aturan opamp (golden rule) maka pada titik inverting akan didapat hubungan matematis : iin = (vin – v-)/R = vin/R . dimana v.. atau dengan kata lain . (aturan 2) Maka jika disubtisusi..= 0 iin = iout . Aplikasi yang paling populer menggunakan rangkaian integrator adalah rangkaian pembangkit sinyal segitiga dari inputnya yang berupa sinyal kotak. Sesuai dengan nama penemunya. bukan gambar 3 : integrator Mari kita coba menganalisa rangkaian ini. . karena secara matematis tegangan keluaran rangkaian ini merupakan fungsi integral dari tegangan input. akan diperoleh persamaan : iin = iout = vin/R = -C dvout/dt.

Dengan analisa rangkaian integral serta notasi Fourier. Pada rangkaian integrator (gambar 3) tersebut diketahui Dengan demikian dapat diperoleh penguatan integrator tersebut seperti persamaan (5) atau agar terlihat respons frekuensinya dapat juga ditulis dengan …(6) Karena respons frekuensinya yang demikian. kapasitor akan berupa saklar terbuka.R2/R1. Terlihat dari rumus tersebut secara matematis. rangkaian feedback integrator mesti diparalel dengan sebuah resistor dengan nilai misalnya 10 kali nilai R atau satu besaran tertentu yang diinginkan. penguatan akan semakin kecil (meredam) jika frekuensi sinyal input semakin besar. rangkain integrator ini merupakan dasar dari low pass filter. Nilai resistor feedback sebesar 10R akan selalu menjamin . Ketika inputnya berupa sinyal dc (frekuensi = 0). dimana f = 1/t dan …(4) penguatan integrator disederhanakan dengan rumus tersebut dapat …(5) Sebenarnya rumus ini dapat diperoleh dengan cara lain. yaitu dengan mengingat rumus dasar penguatan opamp inverting G = . Pada prakteknya. Jika tanpa resistor feedback seketika itu juga outputnya akan saturasi sebab rangkaian umpanbalik op-amp menjadi open loop (penguatan open loop opamp ideal tidak berhingga atau sangat besar).

Dengan analisa yang sama seperti rangkaian integrator. maka akan diperoleh rangkaian differensiator seperti pada gambar 4. maka outputnya akan mengahasilkan sinyal kotak. Sehingga jika berangkat dari rumus penguat inverting dan pada rangkaian differensiator diketahui : G = -R2/R1 . gambar 4 : differensiator Bentuk rangkain differensiator adalah mirip dengan rangkaian inverting. akan diperoleh persamaan penguatannya : …(7) Rumus ini secara matematis menunjukkan bahwa tegangan keluaran vout pada rangkaian ini adalah differensiasi dari tegangan input vin.output offset voltage (offset tegangan keluaran) sebesar 10x sampai pada suatu frekuensi cutoff tertentu. Contoh praktis dari hubungan matematis ini adalah jika tegangan input berupa sinyal segitiga. Differensiator Kalau komponen C pada rangkaian penguat inverting di tempatkan di depan.

Dengan cara ini akan diperoleh penguatan 1 (unity gain) pada nilai frekuensi cutoff tertentu. Umumnya ketidak ideal-an opamp dan bagaimana cara mengatasinya diterangkan pada datasheet opamp dan hal ini spesifik untuk masing-masing pabrikan. Namun demikian. Satu mikrometer (1mm) misalnya. Pada prakteknya ada beberapa hal yang mesti diperhatikan dan ditambahkan pada rangkaian opamp. Orde mikro adalah 1000 kali lebih besar dibandingkan orde nano. atau . Dari Mikro ke Nano Orde mikro (m) dalam satuan menunjukkan nilai sepersejuta (10-6). Sedang nano (n) menunjukkan nilai seper satu milyar (10-9). Penutup Uraian diatas adalah rumusan untuk penguatan opamp ideal. dimana besar penguatan berbanding lurus dengan frekuensi. nilainya sama dengan sepersejuta meter (10-6 m). Arus Bias (Bias Current). Tegangan Ofset (Offset voltage).maka jika besaran ini disubtitusikan akan didapat rumus penguat differensiator …(8) Dari hubungan ini terlihat sistem akan meloloskan frekuensi tinggi (high pass filter). Arus offset (offset current) dan lain sebagainya. Antara lain. Untuk praktisnya. sistem seperti ini akan menguatkan noise yang umumnya berfrekuensi tinggi. Biasanya kapasitor diseri dengan sebuah resistor yang nilainya sama dengan R. rangkain ini dibuat dengan penguatan dc sebesar 1 (unity gain). Satu nano gram (1 ng) nilainya sama dengan seper satu milyar gram (10-9 g).

Schrodinger. W. Sisi lain yang tak kalah mengejutkan sebagai akibat lahirnya konsep kuantum in adalah lahirnya fisika zat padat oleh F. Dari penelitian ini telah ditemukan bahan semikonduktor yang mempunyai sifat listrik antara konduktor dan isolator. Konsep baru tersebut adalah kuantum mekanika atau kuantum fisika yang semula dipelopori oleh Max Planck dan Albert Einstein. Seitz dan fisika semikonduktor oleh J. Berarti pula seribu kali lebih kecil dibandingkan ukuran komponen yang ada dalam mikrochip saat ini. Penemuan bahan semikonduktor kemudian disusul dengan penemuan komponen elektronik yang disebut transistor.B. kemudian dilanjutkan oleh ilmuwan seperti Niels Bohr. transistor tidak hanya mengubah secara mencolok berbagai aspek kehidupan moderen. Bardeen di Amerika Serikat. bagian terkecil dari suatu materi. Kemajuan riset dalam bidang fisika telah mengantarkan para fisikawan dapat meneliti dan mempelajari berbagai sifat kelistrikan zat padat. Samuel A. berarti di dalam chip elektronik itu terdapat ribuan bahkan jutaan komponen renik berorde mikro. Kalau dalam dunia elektronika kita mengenal komponen yang disebut mikrochip. tetapi transistor . lahir konsep baru di beberapa pusat penelitian fisika di Heidelberg.sebaliknya orde nano adalah seperseribu dari orde mikro. hal ini berarti bahwa komponenkomponen elektronik yang digunakan berode nano atau setingkat molekuler. Konsep ini secara fundamental mengubah prinsip kontinuitas energi menjadi konsep diskrit yang benar-benar mengubah fikiran yang sudah berjalan lebih dari satu abad. Gottingen. dan Kopenhagen. Goudsmith. Max Born. Jika teknologi elektronika kini mulai bergeser dari mikroelektronika ke nanoelektronika. Sockley di Inggris dan Love di Rusia pada tahun 1940. Sekitar tahun 1920-an. Dalam perjalanan berikutnya. Heisenberg dan lain-lain.

Komputer ini berukuran sangat besar. yang semula hanya bisa ditempati oleh sebuah transistor saja. Presper Eckert dan John W. memori dan sistim angka biner. insinyur di dua perusahaan elektronik. Transistor dapat dihubungkan pada rangkaian elektronik sebagai komponen terpisah atau dalam bentuk terpadu pada suatu chip. tetapi juga menampilkan produk itu dalam bentuk dan ukuran yang makin lama makin kecil dengan kemampuan kerja yang lebih tinggi. Kemajuan dalam bidang mikroelektronika ini tidak terlepas dari penemuan bahan semikonduktor maupun transistor. Pada tahun 1958. Komputer yang dibuat oleh J. karena di dalamnya menggunakan 18 ribu tabung hampa. Mauchly itu diberi nama ABC (Atonosoff-Berry Computer) yang diperkenalkan pada tahun 1942. Bentuk dini komputer moderen telah menggunakan elektronika pada rangkaian-rangkaian logika. Dapat kita sebut disini sebagai contoh adalah munculnya komputer dan telepon seluler (ponsel). sebesar salah satu kamar di rumah kita. Serba Kecil Berbagai produk monumental dari perkembangan teknologi elektronika hadir di sekeliling kita. Komputer elektronik generasi pertama yang diberi nama ENIAC (Electronic Numerical Integrator And Computer) dikembangkan pada zaman Perang Dunia Kedua dan dipakai untuk menghitung tabel lintasan .tergolong salah satu dari beberapa penemuan moderen yang memajukan teknologi dengan biaya rendah. Namun teknologi mikroelektronika bukan sekedar menghadirkan produk. Kilby (Texas Instrument) dan Robert Noyce (Fairchild) telah memperkenalkan ide rangkaian terpadu monolitik yang dikenal dengan nama IC (integrated circuit). Komputer digital berkecepatan tinggi bisa terwujud berkat penggunaan transistor dalam IC yang merupakan kumpulan jutaan transistor renik yang menempati ruangan sangat kecik.

Transistor mengkonsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan tabung hampa. Pada tahun 1971. Dalam komputer ini telah menggunakan IC. Transistor dapat dioperasikan dalam keadaan dingin sehingga tidak perlu waktu untuk pemanasan. Komputer generasi kedua yang telah menggunakan transistor adalah IBM 1401 yang diluncurkan oleh IBM pada tahun 1959. meluncurkan ALTAIR. Transistor mempunyai daya tahan yang tinggi tehadap goncangan dan getaran. Sebelumnya juga telah diluncurkan IBM 701 pada tahun 1953 dan IBM 650 pada tahun 1954. Penggunaan transistor yang mulai mencuat ke permukaan pada tahun '70-an ternyata memiliki beberapa kelebihan dibandingkan tabung hampa elektronik. Komputer generasi ketiga adalah sistim 360 yang juga diluncurkan oleh IBM. Daya tahan transistor lebih lama dan dapat mencapai beberapa dasawarsa. Munculnya rangkaian terpadu atau integrated circuit (IC) ternyata telah menggusur dan mengakhiri riwayat keberadaan transistor. yang kemudian disusul dengan penggunaan large scale integration (LSI). komputer mikro pertama yang menggunakan mikroprosesor Intel 8080. Fungsi tabung-tabung elektronik saat itu mulai digantikan oleh transistor yang dibuat dari bahan semikonduktor. dan selanjutnya very large scale integration (VLSI). Komputer elektronik generasi berikutnya dikembangkan dengan . MITS Inc. antara lain : • • • • • • Transistor lebih sederhana sehingga dapat diproduksi dengan biaya lebih rendah. Ukuran transistor jauh lebih kecil dibandingkan tabung hampa. Pergeseran penting dalam elektronika telah terjadi pada akhir tahun 1940an.peluru dalam kegiatan militer.

kehadiran ponsel selalu mengikuti perkembangan teknologi mikroelektronika sehingga dapat tampil semakin mungil dan lebih multi fungsi dibandingkan generasi sebelumnya. Beralih ke Nanoteknologi Perkembangan teknologi telah mengantarkan elektronika beralih dari orde mikro ke nano. Dr. dan semakin banyak fungsi yang dapat dijalankannya. sehingga teknologi semacam ini disebut HighTechnology. yang berarti komponen elektronika kelak dapat dibuat dalam ukuran seribu kali lebih kecil dibandingkan generasi mikroelektronika sebelumnya. Pada awal tahun '90-an. yang kemampuannya selalu meningkat seiring dengan perjalanan waktu. penemu tunneling electron microscope dan pemenang hadiah Nobel bidang fisika tahun 1986. Sebagai anak kandung jagad mikroelektronika. Rohrer. Kini ponsel dengan berbagai fasilitas di dalamnya bisa masuk ke dalam genggaman tangan. Mengecilnya ponsel juga didukung oleh kemampuan para ahli dalam mengintegrasikan berbagai komponen baru yang ukurannya lebih kecil seperti mikrochip. meramalkan bahwa mikroelektronika akan segera digantikan oleh nanoelektronika atau . Kemajuan dalam kedua bidang tersebut menyebabkan kontribusi sain ke dalam teknologi yang sangat besar. baik dalam aspek disain produknya maupun dalam aspek teknologi mikroelektronikanya. namun dengan kecepatan kerja yang jauh lebih tinggi. Pengaruh kemajuan dalam teknologi elektronika ini demikian pesatnya mengubah wajah teknologi dalam bidang telekomunikasi dan automatisasi.menggunakan mikroprosesor yang makin renik sehingga secara fisik tampil dengan ukuran yang lebih kecil. hampir mencapai 50 % dalam proses. kita juga bisa menyaksikan produk elektronik berupa ponsel yang proses miniaturisasinya seakan tak pernah berhenti. Selain pada komputer.

Teknologi ini didasarkan pada kemampuan membuat perangkat elektronika dengan ketelitian setingkat ukuran atom. pakar komputer dari Universitas Stanford. Suatu ketika di bulam Mei 1988.quantum dot. Suatu terobosan besar akan terjadi bila para pakar dapat mewujudkan hal tersebut untuk membuat nanokomputer. Drexler juga meramalkan bahwa zaman nanoteknologi akan dimulai memasuki awal milenium tiga ini. Amerika Serikat. telah melihat kemungkinan penggunaan materi seukuran molekul untuk membuat komponen elektronika di masa depan. Petel (president UCLA) meramalkan bahwa teknologi photonik akan menggantikan mikroelektronika di awal abad 21 ini. Para perintis nanoteknologi. dalam acara konferensi pengembangan antariksa di Pittsburg. tentu saja bidang yang paling banyak dipengaruhi adalah dalam disain komputer. Ukuran transistor di masa mendatang akan menjadi sangat kecil berskala atom yang disebut quantum dot. Dengan komponen seukuran molekul. Dengan beralih ke nanoteknologi ini. Dalam teknologi ini. Drexler melihat bahwa makhluk hidup merupakan bukti adanya nanoteknologi. Dexler menguraikan kemungkinan pembuatan alat seukuran molekul yang proses kerjanya menyerupai molekul dari protein yang menjalankan fungsinya di dalam tubuh manusia. suatu bidang baru teknologi miniatur. mengemukakan tentang peluang pengembangan nanoteknologi di masa mendatang. ukuran sirkuit-sirkuit elektronika bisa jadi akan lebih kecil dibandingkan garis tengah potongan rambut atau bahkan seukuran dengan diameter sel darah manusia. Molekul-molekul akan dihimpun sehingga membentuk komponen elektronika yang mampu menjalankan tugas tertentu. Eric Drexler. Sedang prof. Feyman pada akhir tahun 1959 juga telah meramalkan akan hadirnya teknologi ini pada abad 21. nanokomputer dapat . K.

alat memori dan struktur lain yang kini ada di dalam komputer. bermulti fungsi. kecepatan kerjanya tinggi. memiliki kontrol yang serba automatik. Teknologi ini juga akan membawa dunia kepada ciri-ciri baru dalam perangkat teknologinya. . berkerapatan tinggi. Perusahaan komputer IBM saat ini sedang merancang komputer dengan teknologi kuantum yang disebut kuantum komputer. telah berhasil melakukan percobaan membuat komponen semikonduktor dengan bahan-bahan biologis. Jika komputer tersebut telah memasuki pasar. Kuantum teknologi ini akan mampu menerobos keterbatasan dan kejenuhan mikroelektronika yang ada saat ini.masuk ke dalam kotak seukuran satu mikrometer. AS. Penelitian yang kini sedang dilakukan oleh para pakar adalah mengembangkan metode penggantian dengan materi protein terhadap molekul. maka komputer generasi pendahulu yang masih menggunakan teknologi mikroelektronika bakal tersingkir. Jacob Hanker. profesor rekayasa biomedik dari Universitas North Caroline. Komputer ini mampu bekerja ratusan ribu kali lebih cepat dibandingkan mikrokomputer elektronik yang ada saat ini. hemat dalam konsumsi energi dan ramah lingkungan. Mesin-mesin elektronik yang dinamai juga kuantum elektronik akan memiliki kemampuan mengolah pulsa yang jauh lebih besar. Teknologi baru ini bakal segera mengubah sistim jaringan telekomunikasi di awal milenium tiga ini. yaitu : berukuran sangat kecil.

Kemudian Michael . prinsip dasar kapasitor Kapasitansi Kapasitansi didefenisikan sebagai kemampuan dari suatu kapasitor untuk dapat menampung muatan elektron. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum. gelas dan lain-lain. Di alam bebas. Muatan positif tidak dapat mengalir menuju ujung kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif tidak bisa menuju ke ujung kutup positif.25 x 1018 elektron. phenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya muatan-muatan positif dan negatif di awan. Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik. karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-konduktif. Coulombs pada abad 18 menghitung bahwa 1 coulomb = 6. Muatan elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujungujung kakinya.Kapasitor Prinsip dasar dan spesifikasi elektriknya Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan listrik. keramik. Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu bahan dielektrik. maka muatan-muatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat yang sama muatan-muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi.

Dengan rumusan dapat ditulis sebagai berikut : C = (8. .047uF dapat juga dibaca sebagai 47nF. atau contoh lain 0. jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik) dan konstanta (k) bahan dielektrik.Faraday membuat postulat bahwa sebuah kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika dengan tegangan 1 volt dapat memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs.1000 k=8 k=3 Untuk rangkain elektronik praktis.1nF sama dengan 100pF.. Misalnya 0.85 x 10-12) (k A/t) . satuan farads adalah sangat besar sekali.(2) Berikut adalah tabel contoh konstanta (k) dari beberapa bahan dielektrik yang disederhanakan.. kapasitansi dihitung dengan mengetahui luas area plat metal (A).(1) Q = muatan elektron dalam C (coulombs) C = nilai kapasitansi dalam F (farads) V = besar tegangan dalam V (volt) Dalam praktek pembuatan kapasitor. Dengan rumus dapat ditulis : Q = CV ……………. Konversi satuan penting diketahui untuk memudahkan membaca besaran sebuah kapasitor. nF (10-9 F) dan pF (10-12 F). Udara vakum Aluminium oksida Keramik Gelas Polyethylene k=1 k=8 k = 100 . Umumnya kapasitor yang ada di pasar memiliki satuan uF (10-6 F).

film dan mika. niobium. Termasuk kelompok bahan dielektrik film adalah bahan-bahan material seperti polyester (polyethylene terephthalate atau dikenal dengan sebutan mylar). Telah lama diketahui beberapa metal seperti tantalum.Tipe Kapasitor Kapasitor terdiri dari beberapa tipe. titanium. Untuk lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian. Kapasitor Electrostatic Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan dielektrik dari keramik. polystyrene. Mengapa kapasitor ini dapat memiliki polaritas. MKM. adalah karena proses pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutup positif anoda dan kutup negatif katoda. Tersedia dari besaran pF sampai beberapa uF. zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga membentuk lapisan metal-oksida . Mylar. polycarbonate. Kapasitor Electrolytic Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. magnesium. aluminium. MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film. tergantung dari bahan dielektriknya. Umumnya kapasitor kelompok ini adalah non-polar. Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan . polyprophylene. metalized paper dan lainnya. electrolytic dan electrochemical. yaitu kapasitor electrostatic.di badannya. yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi. Keramik dan mika adalah bahan yang popular serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil.

Karena alasan ekonomis dan praktis. Untuk mendapatkan permukaan yang luas. Bahan yang paling banyak dan murah adalah Aluminium. Dalam hal ini lapisan-metaloksida sebagai dielektrik. lapisan-metal-oksida dan electrolyte(katoda) membentuk kapasitor. jika digunakan Aluminium. Sehingga dengan cara itu . seperti pada proses penyepuhan emas. Oksigen pada larutan electrolyte terlepas dan mengoksidai permukaan plat metal. Lapisan oksidasi ini terbentuk melalui proses elektrolisa. umumnya bahan metal yang banyak digunakan adalah aluminium dan tantalum. Dari rumus (2) diketahui besar kapasitansi berbanding terbalik dengan tebal dielektrik. bahan plat Aluminium ini biasanya digulung radial.(oxide film). Elektroda metal yang dicelup kedalam larutan electrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan positif (anoda) dan larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). maka akan terbentuk pada lapisan Aluminium-oksida (Al2O3) permukaannya. sehingga dengan demikian dapat dibuat kapasitor yang kapasitansinya cukup besar. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis. Kapasitor Elco Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda). Contohnya.

Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa memiliki kapasitansi yang besar namun menjadi lebih ramping dan mungil. tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit yang menjadi elektroda negatif-nya. yang sering juga disebut kapasitor elco. nilai kapasitansi umumnya ditulis dengan angka yang jelas. Kapasitor tipe ini juga memiliki arus bocor yang sangat kecil Jadi dapat dipahami mengapa kapasitor Tantalum menjadi relatif mahal. Jika hanya ada dua angka satuannya adalah pF (pico farads). Termasuk kapasitor jenis ini adalah batere dan accu. Disebut electrolyte padat. Membaca Kapasitansi Pada kapasitor yang berukuran besar. kapasitor . Sebagai contoh. misalnya untuk applikasi mobil elektrik dan telepon selular. 470uF. Tipe kapasitor jenis ini juga masih dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan ringan. Kapasitor yang ukuran fisiknya mungil dan kecil biasanya hanya bertuliskan 2 (dua) atau 3 (tiga) angka saja. 4700uF dan lain-lain. Selain itu karena seluruhnya padat. Lengkap dengan nilai tegangan maksimum dan polaritasnya. maka waktu kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Sebagai contoh 100uF. Kapasitor Electrochemical Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. Pada kenyataanya batere dan accu adalah kapasitor yang sangat baik.dapat diperoleh kapasitor yang kapasitansinya besar. karena memiliki kapasitansi yang besar dan arus bocor (leakage current) yang sangat kecil. melainkan bahan lain yaitu manganese-dioksida. Bahan electrolyte pada kapasitor Tantalum ada yang cair tetapi ada juga yang padat. Misalnya pada kapasitor elco dengan jelas tertulis kapasitansinya sebesar 22uF/25v.

Contoh lain misalnya tertulis 222. 3 = 1. Ada 4 standar popular yang biasanya tertera di badan kapasitor seperti C0G (ultra stable). Faktor pengali sesuai dengan angka nominalnya.000 = 100. Jika ada 3 digit. maka tegangan yang bisa diberikan tidak boleh melebihi 25 volt dc.2 nF.mania barangkali pernah mengalami kapasitor yang meledak karena kelebihan tegangan. Secara lengkap kode-kode tersebut disajikan pada table berikut. maka kapasitansinya adalah 10 x 10. Para elektro. berturut-turut 1 = 10.000 dan seterusnya. maka kapasitansi kapasitor tersebut adalah 47 pF. artinya kapasitansi kapasitor tersebut adalah 22 x 100 = 2200 pF = 2. X7R (stable) serta Z5U dan Y5V (general purpose).000pF atau = 100nF. Umumnya kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar bekerja pada tegangan AC. Misalnya pada kapasitor keramik tertulis 104. Selain dari kapasitansi ada beberapa karakteristik penting lainnya yang perlu diperhatikan. angka pertama dan kedua menunjukkan nilai nominal. Misalnya kapasitor 10uF 25V. Berikut ini adalah beberapa spesifikasi penting tersebut. Pabrikan pembuat kapasitor umumnya membuat kapasitor yang mengacu pada standar popular. Temperatur Kerja Kapasitor masih memenuhi spesifikasinya jika bekerja pada suhu yang sesuai. sedangkan angka ke-3 adalah faktor pengali. . Tegangan Kerja (working voltage) Tegangan kerja adalah tegangan maksimum yang diijinkan sehingga kapasitor masih dapat bekerja dengan baik. Biasanya spesifikasi karakteristik ini disajikan oleh pabrik pembuat didalam datasheet.yang bertuliskan dua angka 47. 2 = 100. 4 = 10.000.

5% +/.0% +/.3 0.0% +/22.Kode karakteristik kapasitor kelas I Koefisien Suhu Simbol C B A M P PPM per Co 0.4.5 Faktor Pengali Koefisien Suhu Simbol 0 1 2 3 4 Pengali -1 -10 -100 -1000 -10000 Toleransi Koefisien Suhu Simbol G H J K L PPM per Co +/-30 +/-60 +/-120 +/-250 +/-500 ppm = part per million Kode karakteristik kapasitor kelas II dan III suhu kerja minimum Simbol Co +10 -30 -55 suhu kerja maksimum Simbol Co +45 +65 +85 +105 +125 +150 +200 Toleransi Kapasitansi Simbol Persen A B C D E F P R S T U V +/.3.5% +/10.0 0.9 1.0% +22% / 33% +22% / 56% +22% / 82% Z Y X 2 4 5 6 7 8 9 .2% +/.3% +/.2.7% +/.0 1.1.7.0% +/15.1.

berikut adalah model rangkaian kapasitor. namun tetap saja ada arus yang dapat melewatinya. maka kapasitasinya adalah 100nF dengan toleransi +/-15%. besar kapasitansi nominal ada toleransinya.Toleransi Seperti komponen lainnya. Sekaligus dikethaui juga bahwa suhu kerja yang direkomendasikan adalah antara -55Co sampai +125Co (lihat tabel kode karakteristik) Insulation Resistance (IR) Walaupun bahan dielektrik merupakan bahan yang non-konduktor. model kapasitor C = Capacitance ESR = Equivalent Series Resistance L = Inductance IR = Insulation Resistance Jika tidak diberi beban. bahan dielektrik juga memiliki resistansi. Misalnya jika tertulis 104 X7R. walaupun nilainya sangat besar sekali. Tabel diatas menyajikan nilai toleransi dengan kode-kode angka atau huruf tertentu. Phenomena ini dinamakan arus bocor DCL (DC Leakage Current) dan resistansi dielektrik ini dinamakan Insulation Resistance (IR). Untuk menjelaskan ini. semestinya kapasitor dapat menyimpan muatan selama-lamanya. Namun dari . Artinya. Dengan table di atas pemakai dapat dengan mudah mengetahui toleransi kapasitor yang biasanya tertera menyertai nilai nominal kapasitor.

Konsekuensinya tentu saja arus bocor (DCL) sangat kecil (uA). Dari model rangkaian kapasitor digambarkan adanya resistansi seri (ESR) dan induktansi (L). Insulation resistance (IR) ini sangat besar (MOhm). Secara matematis di tulis sebagai berikut : . diketahui ada resitansi dielektrik IR(Insulation Resistance) yang paralel terhadap kapasitor. Karena besar IR selalu berbanding terbalik dengan kapasitansi (C). Pabrik pembuat biasanya meyertakan data DF dalam persen. Untuk mendapatkan kapasitansi yang besar diperlukan permukaan elektroda yang luas. Dissipation Factor (DF) dan Impedansi (Z) Dissipation Factor adalah besar persentasi rugirugi (losses) kapasitansi jika kapasitor bekerja pada aplikasi frekuensi. rangkaian ballast. karakteristik resistansi dielektrik ini biasa juga disajikan dengan besaran RC (IR x C) yang satuannya ohm-farads atau megaohm-micro farads. Rugi-rugi (losses) itu didefenisikan sebagai ESR yang besarnya adalah persentasi dari impedansi kapasitor Xc. tetapi ini akan menyebabkan resistansi dielektrik makin kecil. Besaran ini menjadi faktor yang diperhitungkan misalnya pada aplikasi motor phasa.model di atas. tuner dan lain-lain.

Dari penjelasan di atas dapat dihitung besar total impedansi (Z total) kapasitor adalah : Karakteristik respons frekuensi sangat perlu diperhitungkan terutama jika kapasitor bekerja pada frekuensi tinggi. Untuk perhitungan. .perhitungan respons frekuensi dikenal juga satuan faktor qualitas Q (quality factor) yang tak lain sama dengan 1/DF.

Since the MOS structure is simple to fabricate the technique is widely used.Metal Oxide Silicon Capacitance 1. To understand capacitance-voltage measurements one must first be familiar with the frequency dependence of the measurement. Under such conditions one finds that the charge in the inversion layer does not change from the equilibrium value corresponding to the applied DC voltage. Introduction Capacitance voltage measurements of MOS capacitor structure provide a wealth of information about the structure which is of direct interest when one evaluates an MOS process. The high frequency capacitance therefore reflects the charge variation in the depletion layer and the (rather small) movement of the inversion layer charge. Thermal equilibrium is therefore not obtained immediately. This capacitance is the difference in charge divided by the difference in gate voltage while the capacitor is in equilibrium at each voltage. The comparison with the exact low frequency capacitance . The gate voltage is varied slowly to obtain the capacitance versus voltage. In this section we first derive the simple capacitance model which is based on the full depletion approximations and our basic assumption. A typical measurement is performed with an electrometer which measured the charge added per unit time as one slowly varies the applied gate voltage. The high frequency capacitance is obtained from a small signal capacitance measurement at high frequency. This frequency dependence occurs primarily in inversion since a certain time is needed to generate the minority carriers in the inversion layer. The low frequency or quasi-static measurement maintains thermal equilibrium at all times.

Simple capacitance model The capacitance of an MOS capacitor is obtained using the same assumptions as in the analysis in section 6. so that the capcitance equals: (mc11) In depletion the MOS capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer. The remaining capacitor is the oxide capacitance. In accumulation there is no depletion layer. given by: (mc8) .5. or: (mc12) where xd is the variable depletion layer width which is calculated from: (mc2) In order to find the capacitance corresponding to a specific value of the gate voltage we also need to use the relation between the potential across the depletion region and the gate voltage. Then we discuss the full exact analysis followed by a discussion of deep depletion as well as the non-ideal effects in MOS capacitors. The MOS structure is treated as consisting of a series connection of two capacitors: the capacitance of the oxide and the capacitance of the depletion layer. We therefore derive the exact flatband capacitance using the linearized Poisson's equation.reveals that the largest error occurs at the flatband voltage. 2.

1 Low frequency capacitance of an MOS capacitor. mosexact. The dotted lines represent the simple model while the solid line corresponds to the low frequency capacitance as obtained from the exact analysis. The high frequency capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer having its maximum width. 6. Shown are the exact solution for the low frequency capacitance (solid line) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines).gif Fig.moslfcap.max. while the green square indicates the threshold voltage and capacitance.6. xd. The capacitances are given by: (mc13) The capacitance of an MOS capacitor as calculated using the simple model is shown in the figure below. .In inversion the capacitance becomes independent of the gate voltage. Na = 1017 cm-3 and tox = 20 nm. The red square indicates the flatband voltage and capacitance. The low frequency capacitance equals the oxide capacitance since charge is added to and from the inversion layer in a low frequency measurement.xls .

or: (mc18) The flatband capacitance of the MOS structure at flatband is obtained by calculating the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the semiconductor. Since the potential across the semiconductor at flatband is zero. Flat band capacitance The simple model predicts that the flatband capacitance equals the oxide capacitance. yielding: (mc19) . The solution of the potential enables the derivation of the capacitance of the semiconductor under flatband conditions. Poisson's equation can then be simplified to: (mc16) The solution to this equation is: (mc17) where LD is called the Debye length. we expect the potential to be small as we vary the gate voltage around the flatband voltage.3. the comparison with the exact solution of the low frequency capacitance as shown in the above figure reveals that the error can be substancial. We will therefore now derive the exact flatband capacitance. To derive the flatband capacitance including the charge variation in the semiconductor we first linearize Poisson's equation. The reason for this is that we have ignored any charge variation in the semiconductor. However.

T resulting in a capacitance which further decreases with voltage. 5.4. A good approximation is obtained by considering only the generation rate in the depletion region xd. The depletion layer therefore keeps increasing beyond its maximum thermal equilibrium value. This yields the following equation: (mc14) where the generation in the depletion layer was assumed to be constant. The time required to reach thermal equilibrium when abruptly biasing the MOS capacitor at a voltage larger then the threshold voltage can be estimated by taking the ratio of the total charge in the inversion layer to the thermal generation rate of minority carriers. The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from: . xd. Deep depletion capacitance Deep depletion occurs in an MOS capacitor when measuring the high-frequency capacitance while sweeping the gate voltage "quickly". Exact analysis For a description of the derivation of the MOS capacitance using the exact analysis we refer the reader to that section. A complete analysis should include both a surface generation rate as well as generation in the depletion layer and the quasi-neutral region. One then observes that when ramping the voltage from flatband to threshold and beyond the inversion layer is not or only partially formed as the generation of minority carriers can not keep up with the amount needed to form the inversion layer.dd. Quickly here means that the gate voltage must be changed fast enough so that the structure is not in thermal equilibrium.

structures with a short (1 ms) lifetime do not show this effect. The capacitance was measured in the presence of ambient light as well as in the dark as explained in the figure caption. Deep depletion measurements are therefore done in the dark.(mc15) This equation enables to predict that deep depletion is less likely at higher ambient temperature since the intrinsic concentration ni increases exponentially with temperature. 6.1 ms) lifetime require a few seconds to reach thermal equilibrium which results in a pronounced deep depletion effect at room temperature . . Experimental results and comparison with theory As an example we show below the measured low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance-voltage curves of an MOS capacitor. Carrier generation due to light will increase the generation rate beyond the thermal generation rate which we assumed above and reduce the time needed to reach equilibrium. In silicon MOS structures one finds that the occurance of deep depletion can be linked to the minority carrier lifetime: while structures with a long (0. while it is more likely to occur in MOS structures made with wide bandgap materials (for instance SiC for which Eg = 3 eV) as the intrinsic concentration decreases exponentially with the value of the energy bandgap.

the low frequency capacitance measured in the dark. The device area is 0. In addition one must avoid the deep depletion effects such as the initial linearly varying capacitance of the high frequency capacitance measured in the dark on the above figure (bottom curve). First of all one should measure the devices in the dark.6.cv1.2 Low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance of an MOS capacitor. All curves were measured from left to right. Shown are. the slower the voltage is to be changed to avoid deep depletion. The larger the carrier lifetime. The high frequency capacitance measured in the presence of light is also .gif Fig. The MOS parameters are Na = 4 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. from top to bottom. the low frequency capacitance measured in the presence of ambient light (top curve).0007 cm2 The figure illustrates some of the issues when measuring the capacitance of an MOS capacitance. the presence of light causes carrier generation in the capacitor which affects the measured capacitance. The low frequency measured is compared to the theorical value in the figure below. the high frequency capacitance measured in the presence of ambient light and the high frequency capacitance measured in the dark (bottom curve). 6.

cv2. All three types of charge can be identified by performing a capacitance-voltage measurement. Fitting parameters are Na = 3. mobile charge and charge in surface states.95 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. Non-Ideal effects in MOS capacitors Non-ideal effects in MOS capacitors include fixed charge.3 Comparison of the theoretical low frequency capacitance (solid line) and the experimental data (open squares) obtained in the dark. 6. Fixed charge in the oxide simply shifts the measured curve. Also shown is the high frequency measurement in the presence of light of the MOS capacitor (filled squares) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines). A positive fixed charge at the oxide- .6.gif Fig. 7.shown on the figure. The figure illustrates the agreement between experiment and theory. A comparison of the experimental low (rather than high) frequency capacitance with theory is somewhat easier to carry out since the theoretical expression is easier to calculate while the low frequency measurement tends to be less sensitive to deep depletion effects.

. while a negative voltage attracts the charge towards the gate. Measurements on n-type and p-type capacitors at different temperatures provide the surface state density throughout the bandgap. The combination of the low frequency and high frequency capacitance allows to calculate the surface state density.semiconductor interface shifts the flatband voltage by an amount which equals the charge divided by the oxide capacitance. This method provides the surface state density over a limited (but highly relevant) range of energies within the bandgap. It is because of the high sensitivity of MOS structures to a variety of impurities that the industry carefully controls the purity of the water and the chemicals used. This causes the curve to shift towards the applied voltage. the fermi energy at the oxide-semiconductor interface changes also and affects the occupancy of the surface states. The shift reduces linearly as one reduces the position of the charge relative to the gate electrode and becomes zero if the charge is located at the metal-oxide interface. A fixed charge is caused by ions which are incorporated in the oxide during growth or deposition. The flatband voltage shift due to mobile charge is described by the same equation as that due to fixed charge. Charge due to electrons occupying surface states also yields a shift in flatband voltage. However the measured curves differ since a positive gate voltage causes mobile charge to move away from the gate electrode. However as the applied voltage is varied. One can recognize mobile charge by the hysteresis in the high frequency capacitance curve when sweeping the gate voltage back and forth. The interface states cause the transition in the capacitance measurement to be less abrupt. Sodium ions incorporated in the oxide of silicon MOS capacitors are known to yield mobile charge.

Pada badannya terdapat lingkaran membentuk gelang kode warna untuk memudahkan pemakai mengenali besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan Ohmmeter. Kebalikan dari bahan yang konduktif. emas dan bahan metal umumnya memiliki resistansi yang sangat kecil. Bagaimana prinsip konduksi. perak. karbon memiliki resistansi yang lebih besar menahan aliran elektron dan disebut sebagai insulator. Kode warna tersebut adalah standar manufaktur yang dikeluarkan oleh EIA (Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut. Tipe resistor yang umum adalah berbentuk tabung dengan dua kaki tembaga di kiri dan kanan.Resistor Pada dasarnya semua bahan memiliki sifat resistif namun beberapa bahan seperti tembaga. Dari hukum Ohms diketahui. Sesuai dengan namanya resistor bersifat resistif dan umumnya terbuat dari bahan karbon . resistansi berbanding terbalik dengan jumlah arus yang mengalir melaluinya. bahan material seperti karet. dijelaskan pada artikel tentang semikonduktor. gelas. Bahan-bahan tersebut menghantar arus listrik dengan baik. Belakangan baru diketahui bahwa mahasiswa elektro wajib untuk bisa membaca warna gelang resistor (barangkali). Satuan resistansi dari suatu resistor disebut Ohm atau dilambangkan dengan simbol (Omega). Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk membatasi jumlah arus yang mengalir dalam satu rangkaian. . sehingga dinamakan konduktor. Waktu penulis masuk pendaftaran kuliah elektro. ada satu test yang harus dipenuhi yaitu diharuskan tidak buta warna.

000 106 107 108 109 0. Dengan demikian pemakai sudah langsung mengetahui berapa toleransi dari resistor tersebut. emas atau perak.000 10. Kalau anda telah bisa menentukan mana gelang yang pertama selanjutnya adalah membaca nilai resistansinya.01 5% 10% 20% 1% 2% Tabel . Biasanya warna gelang toleransi ini berada pada badan resistor yang paling pojok atau juga dengan lebar yang lebih menonjol. Biasanya .1 0.1 : nilai warna gelang Resistansi dibaca dari warna gelang yang paling depan ke arah gelang toleransi berwarna coklat.000 100.Warna Hitam Coklat Merah Jingga Kuning Hijau Biru Violet Abu-abu Putih Emas Perak Tanpa warna Nilai 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 - faktor Toleransi pengali 1 10 100 1. sedangkan warna gelang yang pertama agak sedikit ke dalam. Jumlah gelang yang melingkar pada resistor umumnya sesuai dengan besar toleransinya. merah.

Gelang pertama dan seterusnya berturut-turut menunjukkan besar nilai satuan. violet. maka nilai satuannya ditentukan oleh gelang pertama dan gelang kedua. Nilai resistansisnya dihitung sesuai dengan urutan warnanya. Gelang ke empat tentu saja yang berwarna emas dan ini adalah gelang toleransi. berarti resitor ini memiliki toleransi 5%. Pertama yang dilakukan adalah menentukan nilai satuan dari resistor ini. Dari tabel-1 diketahui jika gelang toleransi berwarna emas. merah dan emas. Tetapi resistor dengan toleransi 1% atau 2% (toleransi kecil) memiliki 4 gelang (tidak termasuk gelang toleransi).7K Ohm dan toleransinya adalah 5%. Jadi gelang pertama dan kedua atau kuning dan violet berurutan. dan gelang terakhir adalah faktor pengalinya. 10% atau 20% memiliki 3 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). Karena resistor bekerja dengan dialiri arus listrik. Misalnya resistor dengan gelang kuning. Sehingga dengan ini diketahui nilai resistansi resistor tersebut adalah nilai satuan x faktor pengali atau 47 x 100 = 4.resistor dengan toleransi 5%. Masih dari tabel-1 diketahui gelang kuning nilainya = 4 dan gelang violet nilainya = 7. gelang kedua berwana violet dan gelang ke tiga berwarna merah. dan jika warna gelangnya merah berarti faktor pengalinya adalah 100. Dengan demikian urutan warna gelang resitor ini adalah. Spesifikasi lain yang perlu diperhatikan dalam memilih resitor pada suatu rancangan selain besar resistansi adalah besar watt-nya. Gelang berwarna emas adalah gelang toleransi. maka akan terjadi disipasi daya berupa panas sebesar W=I2R watt. Gelang ketiga adalah faktor pengali. . gelang pertama berwarna kuning. nilai satuannya adalah 47. Karena resitor ini resistor 5% (yang biasanya memiliki tiga gelang selain gelang toleransi).

Jika arah arusnya berlawanan. Resistor yang memiliki disipasi daya 5. 10 dan 20 watt. Tetapi jika arah arusnya sama ternyata keduanya berdekatan saling tarikmenarik. kedua kawat tembaga tersebut saling menjauh. Jika seutas kawat tembaga diberi aliran listrik. maka di sekeliling kawat tembaga akan terbentuk medan listrik. misalnya 100 5W. Umumnya di pasar tersedia ukuran 1/8. 10 dan 20 watt umumnya berbentuk kubik memanjang persegi empat berwarna putih.Semakin besar ukuran fisik suatu resistor bisa menunjukkan semakin besar kemampuan disipasi daya resistor tersebut. 1/4. namun ada juga yang berbentuk silinder. Arah jempol adalah arah arus dan arah ke empat jari lain adalah arah medan listrik yang mengitarinya. Besar akumulasi medan listrik B . Tetapi biasanya untuk resistor ukuran jumbo ini nilai resistansi dicetak langsung dibadannya. Dengan aturan tangan kanan dapat diketahui arah medan listrik terhadap arah arus listrik. Hal ini terjadi karena adanya induksi medan listrik. 2. 5. Dikenal medan listrik dengan simbol B dan satuannya Tesla (T). Tentu masih ingat juga percobaan dua utas kawat tembaga paralel yang keduanya diberi arus listrik. 1. Induktor Masih ingat aturan tangan kanan pada pelajaran fisika ? Ini cara yang efektif untuk mengetahui arah medan listrik terhadap arus listrik. Caranya sederhana yaitu dengan mengacungkan jari jempol tangan kanan sedangkan keempat jari lain menggenggam.

Dari buku fisika dan teori medan yang menjelimet.. Secara matematis tegangan emf ditulis : tegangan emf . Energi ini direpresentasikan dengan adanya tegangan emf (electromotive force) jika induktor dialiri listrik. Maka L adalah induktansi dari induktor dan E adalah tegangan yang timbul jika induktor dilairi listrik. Jika kumparan tersebut dialiri listrik maka tiap lilitan akan saling menginduksi satu dengan yang lainnya.. Medan listrik yang terbentuk akan segaris dan saling menguatkan. maka kelihatan ada kesamaan rumus..(1) Lalu bagaimana jika kawat tembaga itu dililitkan membentuk koil atau kumparan.pada suatu luas area A tertentu difenisikan sebagai besar magnetic flux.m2). Komponen yang seperti inilah yang dikenal dengan induktor selenoid.. Jika R disebut resistansi dari resistor dan V adalah besar tegangan jepit jika resistor dialiri listrik sebesar I. Simbol yang biasa digunakan untuk menunjukkan besar magnetic flux ini adalah φ dan satuannya Weber (Wb = T. dibuktikan bahwa induktor adalah komponen yang dapat menyimpan energi magnetik. . (2) Jika dibandingkan dengan rumus hukum Ohm V=RI.. Secara matematis besarnya adalah : medan flux.

Ini yang sering menjadi pertimbangan dalam mendesain pcb supaya bebas dari efek induktansi terutama jika multilayer.. (3) Induktor selenoida . Hubungan antara emf dan arus inilah yang disebut dengan induktansi. Tegangan emf akan menjadi penting saat perubahan arusnya fluktuatif. Ini yang dimaksud dengan self-induced.. dan satuan yang digunakan adalah (H) Henry.Tegangan emf di sini adalah respon terhadap perubahan arus fungsi dari waktu terlihat dari rumus di/dt. Sedangkan bilangan negatif sesuai dengan hukum Lenz yang mengatakan efek induksi cenderung melawan perubahan yang menyebabkannya. Induktor disebut self-induced Arus listrik yang melewati kabel. Efek emf menjadi signifikan pada sebuah induktor.. karena perubahan arus yang melewati tiap lilitan akan saling menginduksi. Secara matematis induktansi pada suatu induktor dengan jumlah lilitan sebanyak N adalah akumulasi flux magnet untuk tiap arus yang melewatinya : induktansi . jalur-jalur pcb dalam suatu rangkain berpotensi untuk menghasilkan medan induksi...

. (4) Jika dikembangkan. Penampang induktor biasanya berbentuk lingkaran. setegah lingkaran ataupun lingkaran penuh.. jika dialiri listrik akan menghasilkan medan listrik yang berbeda. Dari pemahaman fisika... n adalah jumlah lilitan N relatif terhadap panjang induktor l. sehingga diketahui besar medan listrik di titik tengah lingkaran adalah : Medan listrik . persegi empat..Fungsi utama dari induktor di dalam suatu rangkaian adalah untuk melawan fluktuasi arus yang melewatinya.. Ada simbol µ yang dinamakan permeability dan µ0 yang disebut permeability udara vakum. tuner dan sebagainya. elektron yang bergerak akan menimbulkan medan elektrik di sekitarnya. Besar .(5) Lalu i adalah besar arus melewati induktor tersebut. salah satu gunanya adalah bisa untuk meredam perubahan fluktuasi arus yang tidak dinginkan. Aplikasinya pada rangkaian dc salah satunya adalah untuk menghasilkan tegangan dc yang konstan terhadap fluktuasi beban arus. Berbagai bentuk kumparan. Pada aplikasi rangkaian ac. Secara matematis ditulis : Lilitan per-meter……….. Akan lebih banyak lagi fungsi dari induktor yang bisa diaplikasikan pada rangkaian filter.

permeability µ tergantung dari bahan inti (core) dari induktor.. . Tentu saja rumus ini bisa dibolak-balik untuk menghitung jumlah lilitan induktor jika nilai induktansinya sudah ditentukan. Jika rumus-rumus di atas di subsitusikan maka rumus induktansi (rumus 3) dapat ditulis menjadi : Induktansi Induktor . (6) L : induktansi dalam H (Henry) µ : permeability inti (core) µo : permeability udara vakum µo = 4π x 10-7 N : jumlah lilitan induktor A : luas penampang induktor (m2) l : panjang induktor (m) Induktor selenoida dengan inti (core) Inilah rumus untuk menghitung nilai induktansi dari sebuah induktor.. Untuk induktor tanpa inti (air winding) µ = 1...

Jika biasanya induktor berbentuk silinder memanjang. maka toroid berbentuk lingkaran. Toroida Jika jari-jari toroid adalah r. Biasanya selalu menggunakan inti besi (core) yang juga berbentuk lingkaran seperti kue donat.. yaitu jari-jari lingkar luar dikurang jari-jari lingkar dalam.Toroid Ada satu jenis induktor yang kenal dengan nama toroid.. (7) Dengan demikian untuk toroida besar induktansi L adalah : Induktansi Toroida ………(8) . Maka panjang induktor efektif adalah kira-kira : Keliling lingkaran toroida ….

Penggunaan ferit juga disesuaikan dengan frekeunsi kerjanya. bubuk campuran tersebut dibuat menjadi komposisi yang padat. Ferit yang sering dijumpai ada yang memiliki µ = 1 sampai µ = 15. Melalui proses yang dinamakan kalsinasi yaitu dengan pemanasan tinggi dan tekanan tinggi. Ada juga ferit yang dicampur dengan bahan bubuk lain seperti nickle. . Ada bermacammacam bahan ferit yang disebut ferromagnetik. dimensi dan permeability yang lebih detail.000. maka medan induksinya tertutup dan relatif tidak menginduksi komponen lain yang berdekatan di dalam satu pcb. Juga karena toroid umumnya menggunakan inti (core) yang melingkar. manganase. Berikut ini adalah beberapa contoh bahan ferit yang dipasar dikenal dengan kode nomer materialnya. dapat induktor dengan induktansi yang lebih besar dan dimensi yang relatif lebih kecil dibandingkan dengan induktor berbentuk silinder. Oleh sebab itu ferit ini sebenarnya adalah keramik. zinc (seng) dan magnesium. Ferit dan Permeability Besi lunak banyak digunakan sebagai inti (core) dari induktor yang disebut ferit. Pabrik pembuat biasanya dapat memberikan data kode material.Salah satu keuntungan induktor berbentuk toroid. Bahan dasarnya adalah bubuk besi oksida yang disebut juga iron powder. Karena beberapa ferit akan optimum jika bekerja pada selang frekuensi tertentu. Dapat dipahami penggunaan ferit dimaksudkan untuk mendapatkan nilai induktansi yang lebih besar relatif terhadap jumlah lilitan yang lebih sedikit serta dimensi induktor yang lebih kecil. Proses pembuatannya sama seperti membuat keramik.

Misalnya induktor dengan jumlah lilitan 20. berdiameter 1 cm dengan panjang 2 cm serta mengunakan inti ferit dengan µ = 3000.data material ferit Sampai di sini kita sudah dapat menghitung nilai induktansi suatu induktor. Seperti contoh . maka kita dapat menghitung nilai induktansi dengan menggunakan rumus-rumus yang ada.9 mH Selain ferit yang berbentuk silinder ada juga ferit yang berbentuk toroida. Indeks ini dihitung berdasarkan dimensi dan permeability ferit. Tetapi biasanya pabrikan hanya membuat daftar indeks induktansi (inductance index) AL. diameter lingkar luar. Dapat diketahui nilai induktansinya adalah : L ≈ 5. diameter lingkar dalam serta luas penampang toroida. Umumnya dipasar tersedia berbagai macam jenis dan ukuran toroida. Dengan data ini dapat dihitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi tertentu. Karena perlu diketahui nilai permeability bahan ferit. Jika datanya lengkap.

maka dari table diketahui nilai AL = 100. Tabel AL Rumus untuk menghitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi yang diinginkan adalah : Indeks AL ………. (9) Misalnya digunakan ferit toroida T50-1.tabel AL berikut ini yang satuannya µH/100 lilitan. Maka untuk mendapatkan induktor sebesar 4µH diperlukan lilitan sebanyak : N ≈ 20 lilitan .

AWG22 berdiameter 0.7mm ataupun AWG20 yang berdiameter kira-kira 0. Contoh bahan ferit toroida di atas umumnya memiliki premeability yang kecil. Bahan ferit tipe ini terbuat dari campuran bubuk besi dengan bubuk logam lain. Misalnya kawat tembaga AWG32 berdiameter kira-kira 0. Kawat tembaga Untuk membuat induktor biasanya tidak diperlukan kawat tembaga yang sangat panjang. Paling yang diperlukan hanya puluhan sentimeter saja. merah. Karena bahan ferit yang demikian terbuat hanya dari bubuk besi (iron power). . sehingga efek resistansi bahan kawat tembaga dapat diabaikan. Misalnya abu-abu. Indeks AL umumnya sudah baku dibuat oleh pabrikan sesuai dengan dimensi dan permeability bahan feritnya. Standar ini tergantung dari diameter kawat. biru atau kuning. Sebenarnya lapisan ini bukan hanya sekedar warna yang membedakan permeability. Untuk pemakaian yang profesional di pasar dapat dijumpai kawat tembaga dengan standar AWG (American Wire Gauge). Permeability bahan bisa juga diketahui dengan kode warna tertentu. Biasanya yang digunakan adalah kawat tembaga tunggal dan memiliki isolasi. resistansi dan sebagainya.8mm. tetapi berfungsi juga sebagai pelapis atau isolator. hitam.3mm. Misalnya ferit toroida FT50-77 memiliki indeks AL = 1100. Banyak juga ferit toroid dibuat dengan nilai permeability µ yang besar. Ada banyak kawat tembaga yang bisa digunakan.Rumus ini sebenarnya diperoleh dari rumus dasar perhitungan induktansi dimana induktansi L berbanding lurus dengan kuadrat jumlah lilitan N2. Biasanya pabrikan menjelaskan berapa nilai tegangan kerja untuk toroida tersebut.

yang pasti harus lebih kecil dibandingkan diameter penampang induktor. Karena ternyata arus yang melewati kawat tembaga hanya dipermukaan saja. Sehingga terkadang dalam membuat induktor jumlah lilitan yang semestinya berbeda dengan hasil perhitungan teoritis. Untuk mendapatkan nilai induktansi yang akurat ada efek kapasitif dan resistif yang harus diperhitungkan.Penutup Sayangnya untuk pengguna amatir. Kawat tembaga yang digunakan bisa berdiameter berapa saja. . Untuk memperoleh nilai “Q” yang optimal panjang induktor sebaiknya tidak lebih dari 2x diameter penampangnya. terutama induktor berbentuk silinder. Untuk toroid usahakan lilitannya merata dan rapat. Ada satu tip untuk membuat induktor yang baik. Terkadang pada prakteknya untuk membuat induktor sendiri harus coba-coba dan toleransi induktansinya cukup besar. Ini yang dikenal dengan istilah ekef kulit (skin effect). data yang diperlukan tidak banyak tersedia di toko eceran.

MODUL PEMBELAJARAN
KODE : LIS.PTL.047 (P) (40 Jam)

ELEKTRONIKA 1

BIDANG KEAHLIAN : KETENAGALISTRIKAN PROGRAM KEAHLIAN : TEKNIK PEMANFAATAN ENERGI

PROYEK PENGEMBANGAN PENDIDIKAN BERORIENTASI KETERAMPILAN HIDUP

DIREKTORAT PENDIDIKAN MENENGAH KEJURUAN DIREKTORAT JENDERAL PENDIDIKAN DASAR DAN MENENGAH

DEPARTEMEN PENDIDIKAN NASIONAL 2003

KATA PENGANTAR
Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial, sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis.

Dalam penggunaannya, bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya, yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta, kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat, guna merealisasikan penyelenggaraan

pembelajaran di SMK. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK.

Demikian, mudah -mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan, khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat.

Jakarta, 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur,

Dr. Ir. Gator Priowirjanto NIP 130675814

DAFTAR ISI
KATA PENGANTAR …………………………………………………… REKOMENDASI ………………………………………………………… DAFTAR ISI ……………………………………………………………... PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… GLOSARRY/PERISTILAHAN I PENDAHULUAN A. Deskripsi …………………………………………….………… B. Prasyarat ………………………………………………………. C. Petunjuk Penggunaan Modul ………………………….……… D. Tujuan Akhir………………………………………………….. E. F. II STANDAR KOMPETENSI……………..………………… Cek Kemampuan …………………………………….……….. 1 1 1 2 3 4 6 7 7 8 8 8 8 18 20 21 25 26 26 26 48 50 Halaman i ii iv v

PEMBELAJARAN A. RENCANA BELAJAR PESERTA DIKLAT…………………. B. KEGIATAN BELAJAR. ……………………………………… Kegiatan Belajar 1 A. B. C. D. E. F. Tujuan Kegiatan ……………………………….……… Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 1 …………………………………………. Tugas 1 ……………………………………………….. Test Formatif 1 ……………………………………….. Jawaban Test Formatif 1 ……………………………..

Kegiatan Belajar 2 A. B. C. D. Tujuan Kegiatan ……………………………….…. Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 2 ………………………………….……… Tugas 2 ………………………………………………..

Elektronika -1

I. PENDAHULUAN
A. DESKRIPSI

M

odul ini berjudul Elektronika - 1 merupakan bagian dari Kompetensi Mengoperasikan Mesin Produksi dengan Kendali Elektronik (PTL. OPS 005 (

)A dipersiapkan bagi anda siswa Sekolah Menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pemanfaatan Energi tingkat III (semester 5) dengan alokasi waktu selama 40 jam. Modul ini berisikan tentang dasar-dasar elektronika mulai dari teori atom, bahan semikonduktor, macam-macam Dioda, Transistor Bipolar serta pemanfaatannya. Modul ini tidak ada kaitan secara langsung dipelajari tersendiri. Setelah modul ini dapat anda kuasai, maka hasil belajar yang akan anda capai adalah adanya pemahaman terhadap ilmu elektronika, khususnya mampu dalam dengan modul lainnya, jadi dapat

mengidentifikasi komponen elektronik serta menganalisis sifat-sifatnya. Dengan pengetahuan dasar ini akan membimbing anda ke arah pekerjaan dan kemampuan yang dimiliki khususnya bidang keahlian yang berkaitan dengan dunia elektronik dan bidang keahlian pemanfaatan energi pada umumnya.

B. PRASYARAT

Untuk mempelajari modul ini tidak diperlukan prasyarat khusus, tetapi dikarenakan modul ini dilengkapi dengan Lembar Kerja, maka sudah tentu diperlukan penguasaan anda terhadap alat-alat ukur besaran listrik dan yang paling penting adalah pengetahuan dan kepedulian anda terhadap Keselamatan Kerja dan Bahaya Listrik.

C. PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL

1. Modul ini dapat anda pelajari secara klasikal ataupun individual, dimana setiap kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas -tugas yang terdapat

1

Elektronika -1

dalam topik-topik pembelajaran modul ini secara tuntas (Mastery Learning) baik ranah pengetahuan, sikap dan khususnya ranah keterampilan. 2. Jika anda sudah merasa mampu untuk menyelesaikan salah satu topik dari modul ini, maka anda diperkenankan untuk meminta kepada guru pembimbing anda guna diuji kompetensinya. 3. Jika anda sudah dinyatakan kompeten untuk satu topik pertama dengan melewati uji kompetensi tersebut di atas, maka anda diperkenankan untuk melanjutkan ke topik (pembelajaran) berikutnya. Tapi jika dianggap belum kompeten, maka sebaiknya anda tidak segan untuk mengulang kembali dengan arahan guru pembimbing. 4. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan beberapa peralatan ukur dan piranti-piranti elektronik baik aktif maupun pasif serta sumber daya searah dan bolak-balik yang tetap maupun variabel.

D. TUJUAN AKHIR

Karena modul ini mengacu pada Kurikulum 2004 (Standar Kompetensi Nasional) , maka setelah anda menyelesaikan kegiatan belajar ini ada beberapa kinerja yang diharapkan untuk anda kuasai dan telah memenuhi persyaratan dari dunia kerja seperti berikut : 1. Mampu mengidentifikasi komponen elektronik 2. Mampu melakukan troubleshooting rangkaian elektronik 3. Mampu melakukan perbaikan pesawat elektronik

2

Menjelaskan terjadinya bahan sk.Sifat PN junction dijelaskan .Terjadinya lapisan PNP dan NPN dijelaskan sesuai dengan kejadiannya . .Elektronika -1 E.Bahan semikonduktor dijelaskan sesuai dengan sifat-sifatnya .Menjelaskan teori atom .Menjelaskan sifat macam-macam dioda dan penggunaannya .Fungsi transistor dijelaskan sesuai dengan fungsinya 3 .Sifat transistor NPN dan PNP dijelaskan sesuai dengan sifat atau karakteristiknya . STANDAR KOMPETENSI KODE KOMPETENSI : Kompetensi Sub Kompetensi 1 Kriteria Unjuk Kerja : : : PTL OPS 005( ) A Memelihara rangkaian elektronik Memahami teori atom dan semikonduktor .Teori atom dan sifatnya difahami sebagai dasar pengetahuan elektronik . Tipe P dan N dan sifatnya .Menjelaskan sifat PN junction .Dioda diidentifikasi sesuai dengan sifatnya dengan alat ukur yang sesuai .Sifat macam macam dioda dijelaskan sesuai dengan karakteristik dan penggunaannya .Terjadinya bahan semikonduktor tipe P dan N dijelaskan sesuai dengan kejadian dan sifatnya .Menjelaskan sifat unsur bahan semikonduktor .Melakukan percobaan Dioda sebagai penyearah arus .Melakukan percobaan dioda zener sebagai stabilisator tegangan searah Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja yang telah ditetapkan Pengetahuan : Ketrampilan : Sikap : Sub Kompetensi 2 Kriteria Unjuk Kerja : : Memahami sifat dan karakteristik transistor bipolar .Transistor Bipolar diidentifikasi dengan alat ukur yang sesuai. .Melakukan percobaan karakteristik dioda.Dioda diuji sesuai dengan karakteristiknya dengan rangkaian uji yang ditetapkan .

Menjelaskan konfigurasi.Penguatan dan konfigurasi penguat transistor dijelaskan sesuai dengan rangkaian sambungannya Pengetahuan : Menjelaskan terjadinya lapisan PNP dan NPN Menjelaskan sifat dan karaktersitik transistor bipolar Menjelaskan cara mengidentifikasi transistor bipolar Menjelaskan fungsi transistor sebagai penguat. saklar elektronik .CE dan CC . CB.Melakukan identifikasi transistor dengan alat ukur .Elektronika -1 .Melakukan percobaan transistor s ebagai saklar elektronik Ketrampilan : Sikap Ruang Lingkup Belajar : : Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja Kompetensi ini berkaitan dengan pemahaman tentang komponen-komponen elektronik yang umumnya digunakan dalam peralatan kendali di industri LIS PTL 47 (P) Kode Modul : 4 .

Penguasaan terhadap peralatan ukur Digital 3. Penguasaan terhadap peralatan ukur elektronik (osiloskop) 4. Penguasaan terhadap peralatan ukur Analog 2. CEK KEMAMPUAN PENGUASAAN KONDISI 1.Elektronika -1 F. Penguasaan terhadap peralatan perbaikan (alat tangan) 5. Penguasaan terhadap karakter komponen elektronik YA BELUM REMARK Catatan Pembimbing : 5 . Penguasaan terhadap prosedur perbaikan dan perawatan elektronik 6.

02. 06. 11.Elektronika -1 II. 07. 18. 12. 19. 17. 01. 03. 14. 10. 08. 09. 05. 20. PEMBELAJARAN RENCANA PEMBELAJARAN SISWA No. 04. 15. 13. 16. TOTAL WAKTU 2400 Kegiatan Tanggal Waktu (menit) Tempat Belajar Paraf Guru 6 .

Elektronika -1 Kegiatan Belajar -1 TEORI ATOM DAN DIODA SEMIKONDUKTOR TUJUAN : Setelah mempelajari topik ini. maka diharapkan anda dapat : ? Memahami karakteristik atom suatu unsur ? Membedakan antara sifat bahan penghantar. pelipat (multiplier) dan penstabil tegangan (voltage stabilizer) 7 . penyekat dan setengah Penghantar ? Memahami terbentuknya bahan semikonduktor P dan N ? Menganalisis karakteristik Dioda Semikonduktor ? Menganalisis karakteristik Dioda Zener ? Mengaplikasikasikan dioda sebagai penyearah (rectifier).

yang berarti tidak dapat dibagi lagi. dimana proton bermuatan positip terhadap elektron atau elektron bermuatan negatip sedangkan dalam keadaan normal inti (neutron) tidak bermuatan. Inti bermuatan positip terhadap elektron. Karakteristik suatu atom adalah : 1. tom adalah partikel terkecil dari sebuah molekul yang sifatnya tidak dapat dibagi lagi dan hal ini sesuai dengan nama asal atom dari bahasa Yunani ATOMOS. Karakteristik Atom A 1.dan juga bisa bermuatan netral jika jumlah muatan positip dan negatipnya seimbang. Atom dan lintasan elektronnya Atom terdiri dari proton. sebaliknya elektron bermuatan negatip terhadap intinya. 8 . Kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak. Setiap inti mempunyai medan gaya tarik dengan elektronnya dan dikenal sebagai muatan.1. 3. Secara tiga dimensi bentuk atom suatu unsur digambarkan seperti terlihat pada gambar Gambar 1. 2.Elektronika -1 A.1. neutron dan elektron.

1) dimana : ? e = banyak elektron yang melintas n = 1.Lintasan pertama . lapisan ini disebut lintasan atau orbit.2.Elektronika -1 B. dimana semakin besar berat unsurnya suatu unsur akan semakin banyak jumlah elektron yang mengelilingi intinya. dimana angka terkecil menyatakan nomor lintasan yang paling dekat ke intinya). Lapisan atom unsur silikon dan penyederhanaannya Jumlah elektron yang melintas pada setiap lapisan dapat ditentukan dengan rumus pendekatan sebagai berikut : ? e = 2 n2 (1.3. Dengan demikian banyaknya elektron yang melintas pada setiap lintasan untuk unsur silikon seperti gambar 1. Gambar 1. Banyaknya elektron yang melintas ditentukan oleh berat unsur kimia. adalah : (1) = 2 .2. Memperlihatkan susunan lapisan suatu atom unsur Silikon (Si) yang mempunyai nomor atom 14 atau mempunyai 14 buah elektron yang mengelilingi intinya. Gambar 1.4.……… (nomor lintasan.2.2. Susunan Atom Susunan setiap atom terdiri dari lapisan -lapisan tertentu yang menjadi tempat beredarnya elektron. 12 = 2 buah elektron 9 .

Pada lintasan ketiga hanya melintas empat buah elektron .3. hal ini dikarenakan merupakan sisa dari 14 – (2 + 8) = 4 buah elektron. Elektron yang menempati lapisan terluar tersebut sangat memegang peranan penting dalam penentuan sifat kimia dan kelistrikan unsur dan sering disebut sebagai elektron martabat (Valensi).Elektronika -1 . maka elektron-elektron yang saling berdekatan akan menjalin ikatan yang dikenal sebagai Ikatan Kovalen (Covalent-Bond). Ikatan Kovalen 10 .3. 22 = 8 buah elektron (3) = 4 buah elektron (sisa).Lintasan kedua . Setiap elektron mempunyai kemampuan untuk mengikat satu elektron lain dari atom lainnya yang berada disekitarnya. Sedang bagi elektron-elektron yang menempati lapisan terluar akan mudah dipengaruhi oleh sejumlah tenaga dari luar dan mereka dapat keluar sebagai elektron bebas. Elektron-elektron yang melintas pada lapisan terdalam (berdekatan dengan inti) akan terikat kuat oleh muatan intinya dana kan sulit untuk melepaskan diri dari susunannya. Gambar 1.Lintasan ketiga (2) = 2 . Misalkan ada beberapa atom silikon yang saling berdekatan seperti gambar 1.

4. sedangkan tempat yang ditinggalkan oleh elektron akan membentuk suatu muatan positip. dim ana tempat tadi disebut sebagai kekosongan atau dikenal dengan nama lain Hole. memperlihatkan elektron bebas dan hole pada susunan atom unsur silikon. Elektron Bebas dan Hole Suatu efek agitasi seperti kenaikan temperatur akan menghasilkan getaran pada inti atom sehingga berakibat ikatan kovalen akan pecah dan diikuti oleh lepasnya elektronelektron.Elektronika -1 ? Catatan : C. Gambar 1. Elektron yang lepas dari ikatannya ini dikenal sebagai Elektron Bebas yang bermuatan negatip. 11 .

maka guna memperbesar daya hantar tersebut dapat dilakukan dengan proses pencampuran dengan unsur lain dengan maksud untuk memperbanyak terjadinya elektron-elektron bebas dan hole. ada suatu bahan yang mempunyai tahanan jenis yang berubah-ubah seiring dengan perubahan temperatur. Bahan ini digolongkan pada bahan setengah-penghantar (semiconductor). Istilah pencampuran ini dikenal dengan nama pengotoran (Impurity) atau Doping. D. yaitu penghantar (konduktor) dan penyekat (isolator). sehingga dengan perkataan lain dengan temperatur kamar sifat silikon yang pada kondisi semula bersifat sebagai penyekat sempurna dapat berubah menjadi penghantar arus listrik. yaitu berkisar antara 10 4 sampai 1016 ohm-meter. dimana pada temperatur absolut (0 0K = -273 0 C) dalam keadaan murni bersifat sebagai isolator.Elektronika -1 Gambar 1.4. enerji panas sudah mampu untuk membebaskan elektron dari ikatan kovalen. Selain kedua jenis bahan di atas. Elektron Bebas dan Hole 0 Pada temperatur kamar (? 27 C). Elektron bebas dan hole yang terjadi disebut juga sebagai pembawa muatan (Charge-Carrier). jika mempunyai nilai tahanan jenis yang rendah yaitu berkisar antara 10-8 sampai 10-7 ohmmeter. Sedangkan suatu bahan isolator dikatakan baik jika mempunyai nilai tahanan jenis yang tinggi. Suatu bahan konduktor dikatakan baik. Bahan Penghantar. 12 . penyekat dan Setengah-Penghantar Pada umumnya bahan kelistrikan yang anda kenal ada dua. Dikarenakan daya hantar jenis bahan semikonduktor murni sangat rendah.

Gambar 1. sebaliknya tahanan jenis bahan semikonduktor akan turun secara eksponensial jika temperaturnya anda naikkan. memperlihatkan kurva pengaruh panas terhadap tahanan jenis.5. Pengaruh panas terhadap tahanan jenis bahan 13 .Elektronika -1 sedangkan jika ada kenaikan temperatur sifatnya akan berubah menjadi konduktor. Nilai tahanan jenis bahan semikonduktor ini berkisar antara 10-1 sampai 10 -15 ohm-meter. Gambar 1.5. TABEL-1 CONTOH BEDA TAHANAN JENIS PADA TEMPERATUR KAMAR KONDUKTOR ? Cu ? 10-8 ? m SEMI-KONDUKTOR ? Ge ? 50 x 10-2 ? m ? Si ? 50 x 10-1 ? m ISOLATOR ? mika ? 1010 ? m Tahanan jenis bahan konduktor hanya akan bertambah sedikit naik dan berbanding lurus dengan kenaikan dari temperatur. Oleh karena itu bahan semikonduktor akan lebih baik menghantarkan arus listrik saat panas daripada saat dingin. Berikut ini diperlihatkan contoh perbedaan tahanan jenis bahan pada temperatur kamar (? 27 0 C).

Elektronika -1 ? Catatan : E. 14 . Tabel 2 berikut memperlihatkan tabel periodik golongan atom bahan semikonduktor. Terbentuknya Bahan Semikonduktor tipe P dan N Bahan dasar yang bayak dan sering digunakan dalam membuat piranti elektronik adalah bahan Germanium dan Silikon. dimana kedua bahan tersebut mempunyai elektron valensi yang sama yaitu empat buah.

Elektronika -1 TABEL –2. GOLONGAN ATOM SEMIKONDUKTOR Pada pembahasan terdahulu disebutkan bahwa elektron-elektron bebas akan mengalir dalam bahan semikonduktor pada temperatur diatas nol-mutlak.6. Dikarenakan unsur silikon bervalensi empat. maka atom tersebut harus dicampur dengan atom unsur lain yang bervalensi tiga. Guna mendapat muatan positip pada atom silikon atau germanium yang mempunyai valensi empat. maka unsur indium yang bervalensi tiga akan menerima empat buah elektron. Kristal Silikon tipe P 15 . dimana unsur murni bahan semikonduktor tersebut dicampur dengan unsur lainnya (agitasi chemis). Gambar 1. Selain itu juga disebutkan adanya metoda impurity. Atau dengan kata lain harus adanya pemaksaan panas (agitasi thermis). misal unsur Indium (In) dan Galium (Ga).

Elektronika -1 Sebagai paduan bersama. Jika hasil pencampuran antara atom unsur semikonduktor yang bervalensi empat dengan unsur yang bervalensi tiga akan menghasilkan campuran yang bermuatan positip dan untuk memperoleh campuran yang bermuatan negatip kita harus campurkan bahan silikon atau germanium dengan unsur lain yang bervalensi lima misalnya unsur Arsenikum. Dikarenakan atom indium menerima elektron dari silikon atau germanium. memperlihatkan susunan kristal silikon-P dan jika anda perhatikan lebih seksama akan tampak pada ikatan kovalennya terjadi kekurangan elektron yang mengasilkan muatan positip (hole). Campuran ini akan membentuk campuran bermuatan negatip dikarenak an kelebihan elektron.7. Gambar 1. Gambar 1. Unsur pencampur tersebut dinamakan unsur pemberi (donor) sedangkan hasil campurannya disebut Silikon atau Germanium tipe N. Gambar 1. maka akan terbentuk bahan baru yang disebut silikon atau germanium tipe P. maka indium disebut sebagai penerima (akseptor). Kristal Silikon – N F. 16 . yaitu Anoda yang berpolaritas postip dan Katoda yang berpolatitas negatip. Antimon atau Phospor. dimana hurup P ini menunjukkan muatan terbanyak positip atau hole.7. Dioda PN Sambungan bahan semikonduktor tipe P dan N mendasari terbentuknya suatu piranti elektronik aktif yang dikenal sebagai Dioda .6. memperlihatkan susunan kristal silikon atau germanium N. Dioda ini berasal dari dua kata Duo dan Electrode yang berarti dua elektroda.

Elektronika -1 Secara umum dioda disimbolkan dan bentuk fisiknya seperti terlihat pada gambar 1. Gambar 1. DIN 40 700 Gambar 1.9. Salah satu aplikasi penggunaan dioda dalam ilmu kelistrikan adalah sebagai penyearah arus (rectifier) dari arus bolak-balik ke arus searah.1..8. maka rangkaian tersebut dikenal sebagai rangkaian bias maju (Forward -Bias). Sifat Dioda 1. Simbol dan bentuk fisik Dioda 1. Bias Maju Jika anoda dihubungkan dengan kutub positip sumber searah dan katodanya dihubungkan dengan kutub negatipnya seperti terlihat pada gambar 1.8. Bias maju (Forward-Bias) 17 .9.

maka bias demikian disebut bias mundur (Reverse-Bias) seperti diperlihatkan pada gambar 1. Tegangan ini jika terus diperbesar akan mengakibatkan kerusakan pada dioda dan untuk itu tegangan ini dibatasi hingga tegangan nominal yang dikenal dengan nama Peak Inverse Voltage disingkat PIV.7 volt sedangkan untuk dioda germanium Ud ? 0.10. yaitu anoda dihubungkan dengan sumber negatip sumber searah sedangkan katoda dihubungkan dengan sumber positipnya.2. 1. Bias Mundur Jika kedua elektroda dioda tersebut kita hubungkan secara terbalik (berlawanan polaritas). Jika tegangan sumber dinaikkan lebih besar lagi.Elektronika -1 Pada kondisi seperti ini arus akan mengalir dari anoda menuju katoda. sehingga arus tidak akan atau sedikit mengalir dalam orde mikroamper. Gambar 1. Tegangan dimana dioda mulai mengalirkan arus disebut sebagai tegangan kerja dioda ( Ud). Tegangan saat arus mengalir secara linear ini dikenal sebagai tegangan patahan (Breakdown Voltage).3 volt. maka suatu saat tertentu secara tiba-tiba arus akan naik secara linear. Untuk dioda silikon Ud ? 0. 18 .10. Bias Mundur (Reverse-Bias) Pada saat reverse ini dioda akan mempunyai nilai hambatan yang besar.

dimana atom terdiri dari Inti.Elektronika -1 RANGKUMAN . Dalam keadaan murni dan pada temperatur –2730 C (0 0 K). Jumlah lapisan (orbit) elektron dari suatu unsur dapat dihitung dengan rumus pendekatan ? e = 2 n2 4. Pencampuran antara bahan semikonduktor bervalensi berbeda misal Silikon yang bervalensi 4 dengan bahan Indium yang bervalensi 3 akan menghasilkan tipe semikonduktor P (positip). Atom adalah bagian terkecil dari benda yang tidak dapat dibagi lagi. bahan semikonduktor bersifat sebagai penyekat. sedangkan pada temperatur kamar menjadi penghantar. sedangkan pencampuran Silikon dengan Arsenikum yang bervalensi 5 akan menghasilkan tipe N (negatip). jika muatannya seimbang . Sifat dioda PN adalah menghantarkan arus saat bias maju (forward) dan menghambat arus saat bias mundur (reverse). Proton dan Elektron. 3.( 27 0 C) berubah ? 19 . sedangkan elektron bermuatan negatip dan kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak bahkan bisa bermuatan netral. 2.1 1. Inti dan proton dianggap bermuatan sama (positip). 5. Setiap elektron yang berdekatan dari atom yang berbeda dapat membuat suatu ikatan yang dikenal sebagai ikatan kovalen (Covalent-Bond). 6. Elektron yang melepaskan diri dari ikatannya disebut Elektron-bebas. 7. sedangkan tempat yang ditinggalkannya membentuk muatan p ositip yang diberi nama Hole. 8.

Elektronika -1 ? kejadiannya ! LEMBAR LATIHAN . . Valensi In = …………. Apa yang dimaksud dengan metoda Impurity (DOPING) dan sebutkan apa tujuan / alasannya ? 4. a. Unsur Indium (In) yang mempunyai nomor atom 49 dan Phospor (P) yang bernomor atom 15. Apa yang dimaksud dengan Elektron Bebas dan Hole ? Sebutkan juga 2.1 1. Hitung / gambarkan jumlah lintasan dan jumlah elektron setiap lintasannya ! b. Sebutkan ciri-ciri (sifat) dioda untuk bias maju dan mundur ! 20 . valensi P = …………… 3.

dimana kejadiannya adalah saat elektron tersebut lepas dari ikatannya akibat adanya pengaruh agitasi thermis ataupun chemis. Sedangkan atom yang ditinggalkan oleh elektron akan kehilangan muatan negatip sehingga atom tersebut akan lebih negatip. 2. Sedangkan jika dibias mundur. maka dia akan menghambat arus. dimana unsur murni dicampur dengan unsur lain sehingga berubah sifat.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . misalnya unsur silicon murni dicampur dengan indium akan menghasilkan bahan silicon dengan polaritas positip. sedangkan unsur Phospor = 3. 21 . Usur Indium yang mempunyai nomor atom 49. maka dia akan menghantarkan arus listrik. 2. jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah : Orbit 1 = 2 x 1 2 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 5 elektron Dengan demikian Elektron valensi untuk unsur Indium adalah = 5.1 1. 3. Elektron bebas dan hole adalah pembawa muatan negatip dan positip. Kehilangan elektron tersebut mengakibatkan “lubang” (hole) yang bermuatan positip. jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah sebagai berikut : Orbit 1 = 2 x 12 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 2 x 32 = 18 Orbit 4 = 2 x 42 = 18 * Orbit 5 = 3 elektron Sedangkan untuk Phospor yang mempunyai nomor atom 15. Metoda impurity (doping) adalah metoda untuk memperoleh bahan (unsur) yang mempunyai polaritas tertentu (positip atau negatip). Jika dioda diberi bias maju. Metoda ini disebut metoda pengotoran (doping).

Dapat menggambarkan karakteristik listrik dioda arah maju dan mundur. 2. Dapat membuktikan sifat-sifat dioda secara umum.Elektronika -1 LEMBAR KERJA 1 KARAKTERISTIK DIODA ? TUJUAN Setelah selesai mengerjakan lembar kerja – 1 ini diharapkan anda : 1. ? RANGKAIAN PERCOBAAN A) ARAH MAJU S + R + A Us U Rp V D B) ARAH MUNDUR S + Us U V D + A 22 .

Hidupkan saklar (ON). dimana semua posisi saklar pada posisi OFF. 7.Elektronika -1 ? DAFTAR ALAT DAN BAHAN 1. Posisikan mA meter pada batas ukur 100 mA.1 yang disediakan. Saklar ON-OFF 5. 6. Posisikan V meter pada batas ukur 1 volt.9 1. Amati kedua meter dan catat hasil penunjukkannya pada tabel . Kabel secukupnya.2 0. Nyalakan Power Supply dan atur tegangan sebesar 1 volt. Potensiometer limear 1 k? 9. Resistor = 100 ? / 1 W 11. Hentikan percobaan jika pembacaan meter sulit dibaca ! TABEL – 1 U (volt) 0 0. 4.6 0. 3.5 0. 3. V meter dc 6. Regulated DC Power Supply 0 –20 volt 2. ? LANGKAH KERJA –1 1. ? A meter dc.4 0. Periksakan rangkaian tersebut kepada instruktor sebelum mulai percobaan. Atur tegangan melalui potensiometer secara bertahap setiap 0.0 23 I ( mA) R ( ohm ) .3 0. 4.8 0. 9. Dioda Rectifier 1N4005 10. 8. Proto Board Trainer 7. Multimeter 8.1 0. mA meter dc. 2. Buat rangkaian seperti gambar 1 di atas.1 volt. 5. catatan : Dalam rangkaian ini sebagai pengukur arus digunakan mA meter.7 0.

5. posisi saklar pada posisi OFF.Elektronika -1 R=U/I ? LANGKAH KERJA . kemudian naikkan bertahap setiap 2 volt dan amati penunjukkan ? A-meter. Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula.2 1. 4. Hidupkan saklar dan atur tegangan dari nol. 3. Catatan : Untuk percobaan ke 2 ini batas ukur ? A meter diatur pada batas terendah. TABEL – 2 U (volt) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 I (? A) R ( ohm ) ? KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1. Hentikan percobaan. 24 . jika batas tegangan Power Supply telah mencapai 20 volt. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel –2 di bawah. Periksa kebenaran rangkaian pada instruktur anda. Catatan : Pengukur arus adalah ? A-meter 2. Buat rangkaian seperti gambar 2. Perhatikan polaritas dioda dan meter pengukur dc ! 2. Perhatikan juga batas ukur meter yang digunakan ! 3. sedangkan batas ukur V meter hingga diatas 20 volt.

Elektronika -1 ? TUGAS Buat gambar karakteristik dioda arah maju dan mundur dari data tabel 1 dan 2 hasil pengukuran anda pada pola di bawah ini dengan skala : a. b. Untuk arah mundur 20 mm ? 2 volt dan 5 mm ? 1 ? A. 25 .. ………………………………………………………………………. ? EVALUASI 1. ………………………………………………………………………. Untuk arah maju 5 mm ? 0.1 volt dan 5 mm ? 10 mA. ………………………………………………………………………. Berapa titik konduk dioda yang anda amati ? Ud = ? ………… volt 2. Kenapa rangkaian percobaan 1 dan 2 dibedakan atas posisi alat ukurnya ? ……………………………………………………………………….volt 3.. Berapa titik Breakdown-nya ? Ubd = ? ………….

Rangkaian Penyearah setengah gelombang Jika saklar S ditutup. dimana sisi primer transformator tersambung dengan sumber bolak-balik (ac) sedangkan sisi sekunder dihubungkan seri dengan sebuah dioda dan tahanan beban (R L). maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. 26 .11. Penyearah Setengah Gelombang Rangkaian dasar penyearah setengah gelombang diperlihatkan pada gambar 1. ……………………………………………………………………….1. maka dioda dapat dimanfaatkan sebagai alat penyearah arus bolak-balik (rectifier). 2. Penyearah Gelombang Penuh (Full-Wave Rectifier).Elektronika -1 4. Ada dua macam penyearah yang dikenal. Kenapa pada rangkaian percobaan – 2 tidak digunakan hambatan R ? ……………………………………………………………………….11. maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. ………………………………………………………………………. yaitu : ? ? Penyearah Setengah Gelombang (Half-Wave Rectifier). Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir. Gambar 1. 2. Dioda Sebagai Penyearah Arus (Rectifier) Berdasarkan sifat-sifat dioda .

2) Dimana : Um = harga maksimum tegangan ac Udc = harga rata-rata tegangan dc 27 .318 Um (1. sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan. Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4.12. maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja. Proses perubahan tegangan bolak -balik menjadi pulsa searah ini disebut penyearahan dan dikarenakan hanya setengah periode saja yang dapat dimanfaatkan. Guna menghitung besar harga rata-rata signal yang disearahkan dapat digunakan rumus pendekatan sebagai berikut : Um Udc = ? = 0. maka penyearah seperti ini dikenal sebagai Penyearah Setengah Gelombang.Elektronika -1 Gambar 1. Proses penyearahan setengah gelombang Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat.

Ujung lain dari dioda ini dihubungkan pada titik yang sama dari ujung tahanan RL di titik X dan ujung titik Y disambungkan ke titik tengah transformator C. yaitu sistem Titik -Tengah (centretap) dan Sistem Jembatan (bridge). Penyearah sistem titik-tengah menggunakan transformator centre-tap.13. Penyearah Gelombang Penuh Ada dua macam penyearah gelombang penuh. 28 . dimana kurva a1 dan a2 menunjukkan tegangan yang masuk pada dioda D1 dan D2 yang selalu berlawanan phasa dan sama besarnya.Elektronika -1 2. Kerja penyearah ini dapat dilihat pada gambar 1. Sistem Centre-tap Ujung A dihubungkan pada dioda D1 dan ujung B pada dioda D2. Gambar 1.2. dimana jumlah lilitan antara titik AC sama dengan jumlah lilitan pada titik CB.14.

636 Um Untuk penyearah gelombang penuh Sistem Jembatan diperlukan empat buah dioda yang dipasang sedemikian rupa seperti diperlihatkan pada gambar 1. sedangkan ujung B negatip sehingga pada sat ini dioda D1 yang sedang menghantar (kurva b1 saat t1 – t2).t3 ujung A berpolaritas negatip sedang ujung B positip sehingga pada saat ini dioda D2 yang menghantar (kurva b2 saat t2 . maka rangkaian ini dinamakan penyearah gelombang penuh. ( 1. Pada saat t2 . Proses Penyearahan Gelombang Penuh Pada saat t1 – t2 ujung A sedang berpolaritas positip.15. Dengan demikian kedua dioda tersebut secara bergantian setiap setengah periode dan tahanan RL sertiap saat selalu dilewati arus (kuva c) yang berbentuk pulsa positip. Kelebihan penyearah gelombang penuh dari penyearah setengah gelombang adalah menghasilkan tegangan rata-rata (Udc ) duakali lipat atau dituliskan sebagai berikut : Udc = 2 x 0.t 3) sedang D1 tidak menghantar (kurva b1 saat t2 – t3 ). Dikarenakan satu gelombang penuh tegangan bolak-balik telah dimanfaatkan. sedangkan D2 tidak menghantar (kurva b2 saat t1 -t 2).Elektronika -1 Gambar 1.318 Um = 0.3) 29 .14.

Proses kerja Sistem Jembatan Dengan demikian pada setiap setengah periode tegangan bolak-balik ada dua buah dioda yang bekerja secara serempak sedangkan dua buah lainnya tidak bekerja.Elektronika -1 Gambar 1. Gambar 1. maka ikuti gambar 1. Guna memudahkan anda mengetahui bagaimana sistem ini bekerja. sedang dioda D3 dan D4 tidak menghantar. dioda yang menghantar adalah dioda D3 dan D4 .sedang D1 dan D2 tidak menghantar.15..16.16. dioda D1 dan D2 berada dalam kondisi menghantar. Penyearah sistem Jembatan Ketika titik A sedang positip. Adapun hasil penyearahan dari sistem ini adalah mirip dengan sistem Titik -Tengah. 30 . dimana ketika titik A sedang negatip.

dan rangkaian ini dikenal sebagai Rangkaian Villard atau Cascade. Doubler setengah gelombang Agar anda mudah memahami prinsip kerja rangkaian tersebut. Rangkaian doubler setengah gelombang seperti terlihat pada gambar 1. yaitu untuk setengah gelombang dan gelombang penuh. Pelipat Dua (Doubler) Ada dua macam rangkaian pelipat dua ini.3 volt. 3.6 volt.5 volt. Gambar 1. Jika tegangan tersebut dilewatkan pada rangkaian pelipat dua. berikut : 31 . maka tegangan maksimum (U m) adalah 4.17. tigakali lipat atau seterusnya. maka tegangan output yang dihasilkan adalah Uo = 2 x 6. maka ikuti gambar 1.1. maka dapat dibuat rangkaian pelipat yang dasarnya adalah merupakan rangkaian penyearah tegangan. Besar tegangan yang dilipatkan dapat diatur mulai dari duakali lipat. Rangkaian pelipat dua disebut Doubler.18. Dioda sebagai pelipat tegangan (Voltage Multiplier) Guna melipat tegangan dari suatu sumber tegangan searah .5 x ? 2 = 6.3 volt = ? 12.Elektronika -1 3. Sebagai contoh jika anda menghendaki kelipatan dua dari tegangan output suatu penyearah sebagai berikut : Jika diketahui tegangan efektiv (rms) suatu sumber ac adalah 4.17. pelipat tiga disebut Tripler dan pelipat empat disebut Quadrupler atau secara umum pelipat ini disebut sebagai Multiplier.

Pada setengah perioda berikutnya sedang negatip.19. 32 . berikut memperlihatkan rangkaian doubler gelombang penuh yang dikenal dengan nama Rangkaian Delon. maka tegangan Uc2 akan turun selama setengah perioda positip dan kapasitor tersebut akan mengisi kembali hingga 2 Um pada setengah periode negatipnya.(a).Elektronika -1 Gambar 1.18. kita dapat menjumlahkan tegangan yang ada pada jaringan sehingga akan ditemukan bahwa Uc2 = 2 Um.18. Jika output doubler ini dihubungkan dengan sebuah beban. Jika paralel dengan kapasitor C2 tidak dibebani. yaitu Uc1 = Um dan Uc2 = 2 Um. maka kedua kapasitor tersebut akan tetap bermuatan. misalnya resistor. Prinsip Kerja Doubler setengah gelombang Ketika setengah perioda tegangan trafo sisi sekunder sedang positip. dioda D1 off dan dioda D2 menghantar dan C2 mengisi muatannya. Gambar 1. Secara ideal D terhubung singkat selama 1 setengah periode tersebut dan tegangan input mengisi kapasitor C1 hingga Um dengan polaritas seperti pada gambar 1. Pada saat D2 terhubung singkat selama setengah perioda negatip dan D1 membuka kembali. maka dioda D1 menghantar sedangkan dioda D2 –off. Kapasitor C1 mengisi muatan hingga mencapai tegangan maksimumnya (Um ).

19. Rangkaian Doubler Gelombang Penuh Rangkaian pelipat lain dengan kemampuan lebih besar diperlihatkan seperti gambar 1.20. Rangkaian Multiplier 33 . Gambar 1.20.Elektronika -1 Gambar 1.

Penyearah arus ada dua macam.318 Um. Dioda dapat digunakan sebagai penyearah arus dari arus bolak -balik ke arus searah 2. 5. yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh 3. Hasil penyearahan setengah gelombang adalah 0.2 1. Dengan bantuan kapasitor. Penyearah gelombang penuh ada dua tipe. sedangkan hasil penyearahan gelombang penuh adalah 2 x 0. yaitu dengan menggunakan transformator titik tengah (centre-tap) dan tipe jembatan (bridge). 34 . penyearah dapat dibentuk sebagai rangkaian pelipat (multiplier) tegangan.Elektronika -1 RANGKUMAN .636 Um 4.318 Um = 0.

Tegangan maksimum (Um) b. 2.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN .2 1. Tegangan searah (dc) 3. Menurut analisa anda. Ceriterakan prinsip penyearahan signal ac menjadi dc dengan system penyearah setengah gelombang lengkap dengan gambarnya. Jika diketahui sebuah penyearah gelombang penuh sistem jembatan dengan input ac = 12 volt. kenapa tegangan dc output lebih rendah dari tegangan input ac ? 35 . maka hitunglah : a.

2 1. maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja. maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4. 2. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN .40 volt 36 . sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan. Prinsip penyearahan setengah gelombang Jika saklar S ditutup. Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat. Diketahui Uin = 12 volt effektif Ditanya : a) U maksimum ( Um) b) U dc Jawab : a) Um = 16. maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir.97 volt b) Udc = 5.

maka tegangan dc yang dihasilkan oleh penyearah setengah gelombang akan lebih rendah dari tegangan inputnya (U ef ataupun Umak nya) 37 . Karena yang dilewatkan hanya setengah periode sedangkan setengah lainnya dihambat.Elektronika -1 3.

2. membuktikan dioda sebagai penyearah arus setengah gelombang. ? RANGKAIAN PERCOBAAN A. menganalisis bentuk gelombang searah.Elektronika -1 LEMBAR KERJA 2 DIODA SEBAGAI PENYEARAH ARUS ? TUJUAN Setelah menyelesaikan lembar kerja – 2 . Penyearah setengah gelombang D x AC R y B. diharapkan anda mampu : 1. Penyearah Sistem Jembatan 38 . membuktikan dioda sebagai penyearah gelombang penuh 3.

Elektronika -1 ? ALAT DAN BAHAN 1. Oscilloscope Dual-Trace ? LANGKAH KERJA 1. Dioda rectifier IN4005 dan Bridge Diode 3. Ukurlah dengan menggunakan V meter dc tegangan output antara titik x dan y. 9. di bawah. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel – 1 7. 8. Buat rangkaian seperti gambar A 2. Ikuti petunjuk yang sama dan masukkan hasil pengamatan anda pada tabel – 2. 5. V meter ac 6. 4. AC Regulated Power Supply 0 – 220 volt 2. Periksakan rangkaian anda kepada instruktur sebelum melakukan pengamatan atau menghidupkan sumber daya ! 2. Jika anda telah menyelesaikan perintah 1 s/d 6. R = 100 ohm/5 W 4. Lakukan langkah 4 dengan menggunakan Oscilloscope 6. buat rangkaian seperti gambar 2. Kembalikan semua alat dan bahan ke tempat semula. Atur sumber ac sesuai dengan Tabel 1. V meter dc 5. Periksa polaritas dan jenis alat ukur (meter) dengan benar ! 3. Periksa sambungan dan perhatikan polaritas 3. Buat kesimpulan hasil pengamatan anda ? KESELAMATAN KERJA 1. 39 .

2 V METER U 6 8 10 Uxy OSCILLOSCOPE Uxy KESIMPULAN : 40 .Elektronika -1 ? TABEL PENGAMATAN TABEL – 1 V METER U 6 8 10 Uxy OSCILLOSCOPE Uxy TABEL .

Dioda Zener Dioda zener adalah merupakan dioda yang terbuat dari bahan silikon dan dikenal sebagai Voltage Regulation Diode yang bekerja pada daerah reverse bias (kuadran III) di daerah breakdownnya.22. Kemampuan dioda zener berkisar mulai 2.4 volt sampai 200 volt dengan disipasi daya ¼ sampai 500 W. Jika tegangan sumber yang dib erikan pada zener lebih kecil dari Uz.Elektronika -1 4.21. Simbol dan rangkaian ekuivalen dioda zener Rangkaian ekuivalen dioda zener merupakan suatu hambatan dinamis yang bernilai relatip kecil dan seri dengan sebuah batere searah yang besarnya sebanding dengan potensial zener tersebut. memperlihatkan karakteristik listrik dioda zener yang mirip dengan karakteristik dioda pada umumnya. dimana terjadi patahan (breakdown).1. arus reverse akan naik dengan cepat. maka tahanan dioda zener sekitar 1 Mega ohm bahkan lebih. Karakteristik dioda zener Gambar 1.21. sedangkan jika tegangan sumber sedikit diatas Uz. 41 . Notasi Uz adalah tegangan reverse dioda. Gambar 1. 4. Simbol dan rangkaian ekuivalennya diperlihatkan seperti gambar 1.

Elektronika -1 Gambar 1.23. Karakteristik listrik dioda zener Dari karakteristik terlihat bahwa setelah terjadi tegangan patahan.22. Rangkaian dioda zener 42 . Oleh karena itu dalam prakteknya dioda zener selalu dipasang serikan dengan sebuah resistor. dan jika terlampaui akan mengakibatkan kerusakan. arus naik sedemikian rupa sedangkan tegangan zener Uz akan tetap tidak berubah. Kenaikan arus zener ini mempunyai batas maksimal yang diberi notasi Iz max. Gambar 1.

24. yaitu Uz1 s/d Uz3 kemudian variasi Uz1+Uz2.2. 43 . kita dapat memperoleh enam tegangan yang stabildan berbeda-beda. maka zener dioda banyak digunakan sebagai penstabil tegangan searah. 4. sedangkan nilai Rs maksimalnya dengan memperhitungkan Iz minimal dari zener. Variasi stabilisator tegangan dengan zener Untuk penstabil seperti yang diperlihatkan pada gambar 1. Gambar 1. Uz2+Uz3 dan (Uz1+Uz2+Uz3).Elektronika -1 Guna menentukan nilai tahanan seri (Rs) agar dioda terhindar dari arus lebih digunakan rumus sebagai berikut : Rs ? (Us ? Uz) Iz (max) (1. Syarat yang perlu diperhatikan dalam penggunaan rangkaian ini adalah arus yang melewati ketiga zener tidak boleh lebih rendah dari Iz minimum dan tidak boleh melewati Iz maksimum.24. Zener sebagai penstabil tegangan Dikarenakan karakteristiknya. Gambar-gambar zener sebagai penstabil tegangan dapat dilihat pada gambar berikut.4 ) Persamaan diatas akan menghasilkan nilai Rs minimal yang dapat dipasang.

Elektronika -1 Untuk memperoleh tegangan yang lebih stabil dan menghilangkan faktor kerut dari tegangan input. Adapun syaratnya Uz1 harus lebih besar daripada Uz2. Dioda Emisi Cahaya (LED) Dioda Emisi Cahaya (Light Emitting Diode= disingkat LED) dikenal dengan istilah lain Solid State Lamp adalah piranti elektronik gabungan elektronik dengan optic (lensa) dan akhirnya dikenal juga sebagai keluarga Opto-Electronic. Konstruksi dan simbol LED 44 .25. 5. Gambar 1. Rangkaian stabilisator parallel Dengan mengubah R2 dengan sebuah potensiometer. Simbol dan bentuk fisiknya diperlihatkan seperti gambar 1.26. maka digunakan rangkaian seperti gambar 1. maka tegangan output rangkaian tersebut dapat diatur dari Uz2 hingga Uz1. Gambar 1.25.26.

c. Sebagai penggandeng rangkaian elektronik yang masing-masing terisolir secara total.1 volt 2. Sebagai lampu indicator.8 volt 2.0 volt 2. yaitu a. Bahan GaS memancarkan warna infra -merah. Untuk transmisi signal cahaya yang dimodulasikan dala m suatu jarak tertentu.Elektronika -1 Bahan dasar yang digunakan untuk pembuatan LED adalah Galium Arsenida (GaAs) atau Galium Arsenida Phospida (GaAsP) atau juga Galium Phospida (GaP) yang dapat memancarkan cahaya dengan warna yang berbeda.2. WARNA Merah Orange Kuning Hijau TEGANGAN MAJU 1. Batasan kemampuan LED LED mempunyai batas kemampuan arus maupun tegangan yang dibedakan berdasarkan warna seperti diperlihatkan pada tabel 3 berikut. Oleh karena itu dalam penggunaan LED biasanya dihubung seri dengan sebuah hambatan ( R ). 45 . b. 5. 5. Penggunaan LED Penggunaan LED dalam rangkaian elektronik dibagi dalam tiga kategori umum.1.2 volt Tabel 3. Bahan GaAsP warna merah atau kuning sedangkan bahan GaP dengan warna merah atau hijau. Tegangan Maju LED Standar arus maju LED standar adalah 20 mA.

Photo Dioda Secara umum dioda-cahaya ini mirip dengan PN-Junction.Elektronika -1 Jika LED digunakan sebagai indicator cahaya dalam suatu rangkaian arus bolak-balik.27. arus yang mengalir sekitar 10 ? A untuk dioda cahaya dengan bahan dasar germanium dan 1? A untuk bahan silikon.27. Gambar 1. Gambar 1.27. Konstruksi simbol dan bentuk fisiknya dapat dilihat pada gambar 1. LED sebagai indikator sumber ac 6. perbedaannya terletak pada persambungan yang diberi celah agar cahaya dapat masuk padanya. bentuk fisik dan simbol dioda cahaya Dioda cahaya ini bekerja pada daerah reverse. jadi hanya arus bocor saja yang melewatinya.27. Dalam keadaan gelap. 46 . biasanya dihubungkan parallel dengan sebuah dioda penyearah secara terbalik (anti-parallel) seperti terlihat pada gambar 1. Konstruksi.

dimana pita berlubang tersebut terletak diantara sumber cahaya dan dioda cahaya. Penggunaan dioda cahaya diantaranya adalah sebagai sensor dalam pembacaan pita data berlubang (Punch Tape). 47 . dimana dalam keadaan gelap resistansi dioda cahaya ini tinggi.Elektronika -1 Kuat cahaya dan temperature keliling dapat menaikkan arus bocor tersebut karena dapat mengubah nilai resistansinya dimana semakin kuat cahaya yang menyinari semakin kecil nilai resistansi dioda cahaya tersebut. Jika setiap lubang pita itu melewati celah antara tadi. Dioda cahaya ini banyak juga digunakan sebagai sensor sistem pengaman (security). Sedangkan penggunaan lainnya adalah dalam alat pengukur kuat cahaya (LuxMeter). misal dalam penggunaan alarm. sedangkan jika disinari cahaya resistansinya akan berubah rendah. maka cahaya yang memasuki lubang tersebut akan diterima oleh dioda cahaya dan diubah dalam bentuk signal listrik.

Dioda zener terbuat dari bahan dasar silicon dengan konsentransi campuran lebih tinggi dari dioda rectifier.Elektronika -1 RANGKUMAN . 4. Mengingat keterbatasan dioda zener. Dioda Emisi Cahaya (LED) banyak digunakan sebagai indikator cahaya elektronik 6. 8. 48 .3 1. 5. Dioda zener bekerja di daerah reverse bias (kuadran III) 3. Dioda cahaya juga bekerja didaerah reverse bias. Dioda zener sering digunakan sebagai penstabil tegangan (voltage Stabilisator) sumber arus searah. maka dalam prakteknya harus dihubung seri dengan sebuah tahanan. Dioda cahaya banyak digunakan sebagai piranti sensor system pengaman dan peraba data dari pita berlubang (Punch Tape). 2. Kemampuan tegangan setiap LED tergantung dari jenis bahan dasar dan warna cahaya yang dikeluarkannya 7.

Sumber tegangan searah (dc) sebesar 15 volt akan distabilkan oleh sebuah dioda zener sehingga outputnya = 8 volt dc. 5. Dengan alasan apa.) = 140 mA.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN .5 mA. Iz (max.3 1. Identitas dioda zener adalah sebagai berikut Uz = 8 volt. Dengan alasan apa dioda zener terbuat dari bahan dasar unsur silikon ? 2. Hitung nilai tahanan seri (Rs) minimal dan maksimalnya yang diizinkan dipasang. 49 . Apa yang dimaksud dengan “dioda zener bekerja pada kuadran ke III” ? 3. Dapatkah sebuah LED digunakan sebagai penyearah ? Sebutkan alasan anda. Iz(min) = 1. dioda zener harus diserikan dengan sebuah resistor ? 4.

Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . LED tidak dapat digunakan sebagai dioda penyearah.66? Iz (min) 1.3 1. Dalam kerjanya dioda zener harus terhubung seri dengan sebuah resistor dengan alasan guna menghindari arus / tegangan lebih. karena dia bekerja pada daerah reverse bias. R min ? Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 50? Iz ( mak) 140 x10? 3 A Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 4666. Silikon lebih tahan terhadap panas dibandingkan bahan semikonduktor lainnya . karena LED mempunyai keterbatasan kemampuan elektrik seperti tegangan dan arus yang relatip kecil.5x10 ? 3 A Rmak ? 5. 3. 2. 50 . Maksud dioda zener bekerja pada kuadran ketiga adalah. 4.

Tegangan sumber berubah. Ukur dan catat hasil pengamatan anda untuk besaran UAB. Naikkan tegangan U s hingga Iz = 5 mA 3. IT dan Us 51 . Tetapkan R L = 1000 ohm 2. beban tetap B 1.Elektronika -1 LEMBAR KERJA .3 ZENER DIODA SEBAGAI PENSTABIL TEGANGAN SEARAH ? TUJUAN Dapat membuktikan dioda zener sebagai penstabil tegangan ? RANGKAIAN PERCOBAAN S A IZ + U A V RL IT R1 A IL ? ALAT DAN BAHAN R1 = 100 ohm RL = 500 – 3000 ohm (variativ) Z = 1N 4744 / 60 mA atau yang sejenis Us = 0-20 volt dc variable A = mA meter dc V = volt meter dc ? LANGKAH KERJA A.

Elektronika -1 4. ? KESELAMATAN & KESEHATAN KERJA 1. Variasi beban R L 1. Periksakan rangkaian anda pada instruktur sebelum memulai percobaan. 4. Atur Iz = 5 mA dengan RL = 500 ohm . 2. 3. Perhatikan polaritas zener dan alat ukur agar tidak terbalik ! Perhatikan penunjukkan A-meter (Iz) ! Hentikan pengukuran (percobaan) jika Iz menuju nilai maksimal (60 mA) ! Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula ! ? TABEL PENGUKURAN TABEL A UAB RL = 1000 ohm Iz 5 10 15 20 25 30 40 50 60 IL IT US 52 . 5. ukur dan catat penunjukkan meter. 3. Pada setiap perubahan RL tersebut perhatikan penunjukkan alat ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel B yang tersedia. Atur Iz sesuai tabel A dan catat setiap penunjukkan alat ukur pada tabel A yang tersedia. B. Ubah RL dari 500 ohm sampai 3000 ohm secara bertahap tanpa mengubah nilai Us. 2.

Elektronika -1 TABEL B RL 500 1000 1500 2000 2500 3000 Iz IT UAB US ? KOMENTAR DAN KESIMPULAN 53 .

2 TRANSISTOR BIPOLAR TUJUAN Setelah mempelajari topik ini. maka diharapkan anda dapat : ? Memahami prinsip kerja transistor bipolar ? Mengidentifikasi transistor bipolar ? Menguji transistor bipolar ? Menggunakan transistor bipolar dalam rangkaian elektronik 54 .Elektronika -1 KEGIATAN BELAJAR .

4. Sedangkan jenisnya ada dua macam. 55 . Rangkaian pengganti transistor Gambar 2. transistor ini dapat digunakan sebagai saklar elektronis. namun dikarenakan sifatnya.Elektronika -1 1. berikut memperlihatkan beberapa bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar.3.1. yaitu Emiter. Susunan fisik lapis transistor Sedangkan gambar rangkaian penggantinya sama dengan dua buah dioda yang dipasang saling bertolak seperti terlihat pada gambar 2.1. Gambar 2. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier).2. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N seperti digambarkan pada gambar 2. yaitu elektron bebas dan hole. Gambar 2. PENDAHULUAN T ransistor adalah piranti elektronik yan g menggantikan fungsi tabung elektron-trioda. yaitu jenis PNP dan NPN yang simbolnya diperlihatkan pada gambar 2. Kolektor dan Basis.2. dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda . dikatakan bipolar karena terdapat dua pembawa muatan .

4. Bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar Gambar 2.Elektronika -1 Gambar 2. Simbol transistor Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya.3. namun pada dasarnya karena transistor i i tidak tahan terhadap temperatur. maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan n logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink). kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja. 56 . Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan.

PENENTUAN ELEKTRODA TRANSISTOR Spesifikasi transistor yang lengkap dapat anda peroleh dari buku petunjuk transistor.Elektronika -1 2. maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. Berikut ini adalah huruf-huruf kedua yang dimaksud : C = transistor frekuensi rendah D = transistor daya untuk frekuensi rendah F = transistor frekuensi tinggi L = transistor daya frekuensi tinggi Contoh penerapan kode ini diantaranya adalah BF 121. Elektroda transistor 3.5. 57 . 4. PENGKODEAN TRANSISTOR Hampir sama dengan pengkodean pada dioda. Gambar 2. sedangkan huruf kedua menyatakan penerapannya. PENGUJIAN TRANSISTOR Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda. maka huruf pertama menyatakan bahan dasar transistor tersebut. dimana dalam buku tersebut akan anda peroleh karakteristik fisik dan listrik suatu jenis transistor bahkan dilengkapi dengan transistor ekuivalennya. Berikut ini adalah gambaran spesifikasi transistor yang banyak digunakan khususnya dalam penentuan elektroda dari transistor tersebut. BC 108 dan ASY 12. AD 101. A = Germaniun dan B = Silikon.

tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. Hubung singkat c. Dioda Transistor Guna mempermudah cara pengujian.Elektronika -1 Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. memperlihatkan kembali rangkaian d ioda transistor PNP yang akan dijadikan referensi pengujian transistor. 58 . Pemutusan b. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c. Collector Base PNP Transistor Emitter Gambar 2. yaitu : a. Pengujian yang tidak professional Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tig a jenis. Salah pemasangan pada rangkaian b. Gambar 3. Kebocoran Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut.6.6. berikut ini diberikan contoh hasil pengujian transistor ASY 12 dan BC 108 dengan menggunakan ohmmeter.

Elektronika -1

ELEKTRODA

ARAH REVERSE

ASY 12 2,5 M? 50 ? 3 M? 55 ? 200 k? 8 k?

BC 108 ? 15 ? ? 18 ? 5 M? 4 M?

RANGE OHMMETER x 1 k? x 10 ? x 1k? x 10 ? x 1 k? x 1 k?

C– B

FORWARD REVERSE

E– B

FORWARD REVERSE

C–E

FORWARD

Dari tabel pengujian ternyata terdapat perbedaan besar antara nilai hambatan untuk arah forward dan hambatan untuk arah reverse. Pada pengukuran elektroda C dan B untuk transistor BC 108 (silicon) dengan arah reverse diperoleh nilai hambatan yang besar ( ) dan jika pada pengukuran ini ternyata ? nilai tersebut rendah, maka dapat kita nyatakan adanya kebocoran transistor antara kaki kolektor dan basisnya. Hal lain yang perlu diperhatikan dalam pengujian transistor dengan ohmmeter adalah posisi RANGE ohmmeter tersebut, karena kesalahan range akan menimbulkan kerusakan p ada transistor yang diuji. Cara pengujian lain transistor adalah dengan menggunakan alat elektronik yang dikenal sebagai Transistor Checker. Kondisi transistor dapat juga anda uji ketika transistor tersebut sedang bekerja dalam suatu rangkaian, yaitu den gan mengukur tegangan antara basis dan emitter. Tegangan antara basis dan emitter ini normalnya untuk transistor germanium adalah 0,3 volt sedangkan tegangan basis emitter untuk jenis silicon sekitar 0,6 volt. Jika jauh lebih rendah atau lebih tinggi dari harga tersebut, maka transistor tersebut sedang dalam kondisi tidak normal atau rusak.

59

Elektronika -1

5. NILAI BATAS SUATU TRANSISTOR

Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Suhu maksimal sutu transis tor Germanium adalah sekitar 75 o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150 o C. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor, harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan penyaluran panas. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. Selain itu ada juga biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas.

6. PRINSIP KERJA TRANSISTOR

Untuk memberi gambaran bagaimana suatu transistor bekerja, pada gambar 2.7 diperlihatkan operasi dasar sederhana transistor jenis PNP.

Gambar 2.7. Operasi dasar transistor

Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung, sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. 60

Elektronika -1

Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. Jika sekarang kedua potensial secara bersama dipasang seperti gambar 2.8, maka akan tampak kedua aliran mayoritas dan minoritasnya.

Gambar 2.8. Aliran mayoritas dan minoritas

Pada gambar terlihat sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (IB) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis, maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff, maka

I E = IC + IB

Jika besar tegangan antara kolektor dan basis (UCB ) konstan, maka perbandingan perubahan arus kolektor IC dengan perubahan arus emitter IE disebut faktor penguatan basis bersama dan diberi simbol ? (alpha) dan besarnya berkisar dari 0 sampai

0,998. Secara pendekatan rumus alpha ini adalah

? ?

IC IE

Harga ?

lebih besar dari nol tapi lebih kecil dari satu sehingga sering ditulis sebagai 0< ? < 1 61

Elektronika -1

7. KONFIGURASI PENGUAT TRANSISTOR

Transistor adalah piranti aktif, dimana outputnya adalah merupakan hasil perubahan dari inputnya. Dengan membandingkan antara output dengan inputnya, maka akan diperoleh factor penguatan (amplification). Dengan demikian, maka transistor ini dibuat atau dipersiapkan sebagai piranti penguat. Sebagai piranti elektronik, transistor mempunyai tiga elektroda yang tersusun sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai sebuah penguat. Ada tiga system sambungan (konfigurasi) dari penguat transistor, yaitu konfigurasi Basis Bersama (Common Base), Emiter Bersama (Common Emitter) dan Kolektor Bersama (Common Collector).

7.1. Konfigurasi Basis Bersama Rangkaian pada gambar 2.9. memperlihatkan rangkaian konfigurasi Basis Bersama (CB) dengan potensial UEB dan UCB untuk kedua jenis transistor PNP dan NPN. Untuk jenis PNP, emiter positip terhadap basis sedangkan kolektornya negatip. Sedangkan untuk jenis NPN sebaliknya emitter negatip terhadap basis dan kolektornya positip.

Gambar 2.9. Konfigurasi Basis Bersama

62

Elektronika -1

Karakteristik input atau karakteristik emitter konfigurasi basis bersama diperlihatkan pada gambar 2.10.

Gambar 2.10. Karakteristik input konfigurasi basis bersama (CB)

Dari karakteristik terlihat bahwa dalam mode arus searah, tegangan hantar untuk sambungan basis ke emiter sekitar 0,6 s/d 0,7 volt, ini menandakan berlaku bagi bahan dasar silikon, sedangkan untuk bahan dasar germanium sekitar 0,3 volt.

7.2. Konfigurasi Emiter Bersama

Konfigurasi emitter bersama (CE) sambungannya diperlihatkan pada gambar 2.11. tampak bahwa emitter digandeng bersama baik dengan kolektor maupun basisnya.

63

12. Karakteristik output ini melukiskan arus output IC yang merupakan fungsi dari tegangan output U CE untuk harga arus input IB yang bervariasi. Konfigurasi Emiter Bersama (CE) Karakteristik kolektor tipe NPN atau karakteristik outputnya diperlihatkan pada gambar 2.12.11.Elektronika -1 Gambar 2. Karakteristik Output Emiter Bersama 64 . Gambar 2.

Konfigurasi Kolektor Bersama Konfigurasi kolektor bersama (CC) sambungannya diperlihatkan seperti gambar 2. Konfigurasi Kolektor Bersama (CC) Karakteristik output konfigurasi CC serupa dengan karakteristik output CE.3.13.Elektronika -1 Perbandingan arus kolektor dengan arus basis dengan tegangan kolektor-emiter konstan disebutkan sebagai faktor penguatan arus maju emiter bersama disimbolkan dengan huruf Yunani ? (betha). Konfigurasi ini sering digunakan sebagai penyama-impedansi (matchingimpedance). 65 . Hubungan faktor penguatan ? dengan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau 7. dimana dengan impedansi input tinggi dan outputnya rendah. Gambar 2.13.

Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC . Lebih ekonomis. Gambar 2. dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor. maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik. Fisik relative jauh lebih kecil. b.Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube). maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan signal-signal. tegangan dan sebagainya. PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor.Elektronika -1 8. penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan.14. dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya. Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2.1. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. daya. RL = 0. 66 . 8. c.14. sehingga tegangan UCE = UCC. seperti : a.. dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. Namun dikarenakan karakteristik listriknya. arus.

R L = UCC .15. Rangkaian Kaskade Transistor 8.Elektronika -1 Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2. dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0.15.. dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).16. Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade .Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2. Regulator Tegangan dengan Transistor 67 .2. Gambar 2.

Pada saat terjadi perubahan tegangan ini. Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB. kar ena UZ tetap konstan sedangkan Ui = U CB + U Z. 68 . maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama.Elektronika -1 Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban R L.

10. 7. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse). 8. Penguatan arus konfigurasi emitter bersama (CE) disimbolkan dengan huruf Yunani ? bernilai lebih besar dari satu bahkan puluhan dan ratusan. tegangan. Penggunaan lainnya adalah sebagai pengatur arus (current regulator) pada penstabil arus searah. daya (Amplifier) 3. Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75 o C. 11. Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN 2. maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat Sink. emitter bersama dan kolektor bersama. sedangkan silicon sekitar 150 o C 6. yaitu konfigurasi basis bersama. Transistor mempunyai tiga buah elektroda. 4. 69 . 9. transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. Karena karakteristik listriknya.Elektronika -1 RANGKUMAN – 4 1. Penguatan arus konfigurasi basis bersama (CB) disimbolkan dengan huruf Yunani ? berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol atau dituliskan 0<? <1. yaitu Emiter. 5. Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. lebih kecil dan ekonomis. Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan. Ada tiga konfigurasi penguat transistor. Hubungan antara ? dan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau Selain sebagai penguat (amplifier) sering digunakan sebagai saklar elektronis dengan pertimbangan tidak memercikan api saat pengontakan.

Sebutkan perbedaan antara transistor PNP dengan transistor NPN ! 2. Kenapa dalam penggunaan transistor sering dipasang alat pendingin ? 6.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN . Ceriterakan prinsip kerja suatu transistor ! 3. Sebutkan keuntungan saklar elektronis dibandingkan dengan saklar mekanik ! 70 . Jika diketahui nilai ? suatu transistor = 0. Sebutkan kemungkinan kerusakan transistor dan penyebabnya ! 8. Apa yang dimaksud dengan istilah rangkaian kaskade dalam rangkaian transistor ? 5. Apa yang dimaksud dengan 0 < ? < 1 ? 4.4 1.995 berapakah nilai ? -nya ? 7.

Perbedaan tarnsstor PNP dan NPN selain konstruksinya adalah pada pemberian bias-nya saja.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN .4 1. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. Prinsip kerja transistor adalah Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung. 2. Jika pemberian biasnya sekarang adalah seperti gambar berikut. Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. maka pada gambar terlih at sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (I B) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). 71 . sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju.

Yang dimaksud dengan 0<? <1 adalah bahwa nilai ? selalu berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : 72 . maka I E = IC + IB 2. maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. ? = 199 7. 3. Karena transistor tidak tahan terhadap panas. misal menggunakan sirip -sirip heat-sink. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff. maka diperlukan pendingin bantuan. Rangkaian kaskade adalah rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri. 5. 4.Elektronika -1 Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis.

c. b. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. Fisik relative jauh lebih kecil.Elektronika -1 a. 73 . Salah pemasangan pada rangkaian b. Pengujian yang tidak professional 8. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c. Lebih ekonomis. a.

Elektronika -1 LEMBAR KERJA .4 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR o TUJUAN Setelah menyelesaikan percobaan ini diharapkan anda : Dapat membuktikan fungsi transistor sebagai saklar elektronik o RANGKAIAN PERCOBAAN o ALAT DAN BAHAN Us = dc Power Suplly regulated 0.10 volt Q = transistor BC 108 A1 = ? A meter A2 = mA meter V1 dan V2 = V meter dc Rp = Potensiometer linear minimal 50 ohm R1 = 220 ohm R2 = 100 ohm R3 = 200 ohm 74 .

Hidupkan saklar 3. Pada setiap pengaturan langkag ke 4 di atas.0 volt 4.4 0. Perhatikan pengkutuban sumber daya.1 0. Atur potensiometer sehingga UBE naik secara bertahap dari 0 sampai 1. 4.Elektronika -1 o LANGKAH KERJA 1.0 TABEL PENGUKURAN IB UCE IC IC.R3 75 .8 0.7 0. Buat grafik hubungan antara UBE dengan UCE : UCE = f (UBE) 6. 2. 3.9 1.6 0.2 0.3 0. Beri kesimpulan dan komentar anda terhadap hasil percobaan tersebut ! o KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1. perhatikan penunjukkan instrument ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel yang tersedia 5.5 0. Buat rangkaian seperti gambar 2. alat ukur dan kaki transistor Periksakan rangkaian anda ke instruktur Ikuti prosedur dengan benar dan teliti Kembalikan alat dan bahan jika selesai percobaan pada tempat semula o UBE 0 0.

Elektronika -1 o GRAFIK UCE = f (UBE) o KOMENTAR DAN KESIMPULAN 76 .

EVALUASI E valuasi ini bertujuan untuk mengukur kemampuan atau kompetensi anda setelah lengkap mengikuti atau mempelajari semua kegiatan belajar (Kegiatan Belajar 1 sampai 2). Untuk apa pendingin transistor dibuat ? 77 . Ceriterakan pengaruh pemberian bias terhadap PN Dioda baik arah mundur dan maju ! 3. Khusus untuk menilai sikap dapat dinilai dari perilaku kerja anda dalam pemahaman dan kepatuhan terhadap prosedur kerja yang telah ditentukan termasuk kepedualian anda terhadap Keselamatan dan Kesehatan Kerja. Sebutkan beda transistor PNP dengan NPN ! 6.Elektronika -1 III. Kenapa bahan semikonduktor atau piranti elektronik tidak tahan terhadap kenaikan temperatur ? 2. Hitung nilai tahanan shunt (Rs) minimal agar dioda zener tersebut aman bekerja. dimana evaluasi ini meliputi evaluasi terhadap Pengetahuan. Sebuah dioda zener dengan ciri Uz = 8 volt. Bagaimana anda mengatasi nilai Peak Inverse Vo ltage (PIV) suatu dioda ? 4. Iz (max) = 50 mA dihubungkan dengan sebuah sumber tegangan searah Us = 12 volt. EVALUASI PENGETAHUAN 1. A. 5. Keterampilan dan Sikap diri anda.

dimana skala tengahnya lebih kecil dari 100 ohm 4. ELEKTRODA ARAH REVERSE R Germaium R Silikon RANGE OHMMETER C– B FORWARD REVERSE E–B FORWARD REVERSE C– E FORWARD 5. Perhatikan polaritas dan kaki-kakinya 3. 78 . Jangan gunakan range ohm. Gunakan tabel pengujian di bawah ini. EVALUASI KETERAMPILAN Untuk evaluasi keterampilan diberikan lembar kerja sebagai berikut : Lakukan pengujian transistor Jenis germanium dan silikon dengan menggunakan multitester (ohmmeter) den gan ketentuan sebagai berikut : 1. Beri kesimpulan pengujian anda. Tentukan sendiri jenis transistornya PNP atau NPN 2.Elektronika -1 B.

1 : …………………………………... ? KOMPETEN ? BELUM KOMPETEN Catatan : …………………………………………………………………………………………. 79 .. ……………………. Methoda Penilaian KOMPETEN 1. Bubuhkan tanda thick (? ) pada tabel berikut : No.Elektronika -1 LEMBAR PENILAIAN MODUL NAMA SISWA NAMA ASSESOR : ELEKTRONIKA . …………………………………………………………………………………………. 200… Siswa... Praktik HASIL . ……………………. Assesor. …………………………………………………………………………………………. ………………………………………………………………………………………….. : …………………………………. ……………………… ………………………………. Tertulis BELUM KOMPETEN KETERANGAN 2.

Basic Electronics. terjemahan Haroen.New Zealand Zbar. Jakarta Erawan. Drs. USA 80 . Mc. Prentice-Hall. Noel. PPPG Teknologi Bandung. 1984. New Jersey Dirksen... Prentice-Hall. Paul B. Welington . Bambang. .Merril Publishing Company.al. Penerbit Erlangga. 1974. Graw Hill Co. Electronic Devices and Circuit Theory. London Villanucci et. Dasar Elektronika 1 dan 2. NewJersey Morris.. dan Louis Nashelky. Bandung Floyd. Control Engineering.Elektronika -1 DAFTAR PUSTAKA Boylested.Timothy. Industrial Solid State Electronics. Pelajaran Elektronika Jilid 3. EIA-Mc. 1981. 1982. Electronic Devices. AJ. Robert L. Toronto-London-Sidney Maloney. Prentice Hall. 1979. 1982..J. Thomas L. 1992. Charlkes E. Electronic Techniques. Graw Hill Book Company (UK) Limited. 1976.

PRASYARAT audio 81 . khususnya tentang penguasaan terhadap peralatan ukur dan respek terhadap kesela matan kerja KET. 1.1 : LISTRIK : PEMANFAATAN ENERJI LISTRIK SIMULASI PEMBELAJARAN SESUAI URUTAN TOPIK Simulasi praktek Animasi evaluasi URUTAN No.Elektronika -1 STORY BOARD Judul Modul Pembelajaran Bidang Keahlian Program Keahlian : ELEKTRONIKA . PEMBELAJARAN DESKRIPSI MATERI NARASI Berisi tentang penje lasan target pembe lajaran Berisi tentang prasyarat yang diperlukan sebe lum mempelajari mo dul. Skor SIMULASI gambar latihan video 2.

sifat. KEDUDUKAN Peta ini menunjukkan posisi modul yang akan dipelajari.Elektronika -1 3. yang berisikan teori atom serta kejadian-kejadian pengutuban bahan semi konduktor . KEGIATAN BELAJAR-1 Berjudul Teori Atom dan Dioda Semikon duktor. prinsip dioda PN. Selain itu dilengkapi dengan latihan dan lembar praktik. apli kasi dalam rangkaian. PETA MODUL 4. ? ? ? 82 . khususnya memperlihatkan arah tujuan pencapaian kom petensi atau peranan modul dalam mencapai kompetensi akhir PERISTILAHAN Berisikan terminologiterminologi yang digu nakan dalam ilmu elektronika atau tek nologi pada umumnya. 5.

? ? ? ? 83 . KEGIATAN BELAJAR-2 7.Elektronika -1 6. Terdiri atas dua meto da. cara pengu jian. aplikasi dalam rangkaian.fisik. EVALUASI AKHIR Berjudul Transistor Bi polar. yaitu teoritis dan praktik. berisikan tentang prinsip kerja transis tor. Selain itu di lengkapi dengan la tihan dan lembar prak tik.

LD ( 1).14 ( 40 Jam ) RANGKAIAN PENYEARAH BIDANG KEAHLIAN : KETENAGALISTRIKAN PROGRAM KEAHLIAN : TEKNIK PEMBANGKITAN PROYEK PENGEMBANGAN PENDIDIKAN BERORIENTASI KETERAMPILAN HIDUP DIREKTORAT PENDIDIKAN MENENGAH KEJURUAN DIREKTORAT JENDERAL PENDIDIKAN DASAR DAN MENENGAH DEPARTEMEN PENDIDIKAN NASIONAL 2003 .MODUL PEMBELAJARAN KODE : MKH.

KATA PENGANTAR Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK. Gator Priowirjanto NIP 130675814 . kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat. Demikian. khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat. Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis. Jakarta. guna merealisasikan penyelenggaraan pembelajaran di SMK. bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya. Dalam penggunaannya. mudah-mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan. sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). Ir. Dr. yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta. 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur.

.. Standar Kompetensi……………. B.………. I PENDAHULUAN A.……..……… D.…….Rangkaian Penyearah DAFTAR ISI Halaman i ii iv vi 1 1 1 2 2 3 5 6 6 6 6 6 18 19 19 19 26 27 27 27 KATA PENGANTAR …………………………………………………… DAFTAR ISI ……………………………………………………………. Tujuan Kegiatan ………………………………. KEGIATAN BELAJAR 3 A. Prasyarat ………………………………………………………. Deskripsi …………………………………………….……… ii . C. B. B. KEGIATAN BELAJAR 2 A. Uraian Materi …………………………………... Petunjuk Penggunaan Modul ………………………….. II Cek Kemampuan ……………………………………. PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… PERISTILAHAN ………………………………………………………. E. Tujuan Kegiatan ………………………………...……… Uraian Materi ………………………………….……… Test Formatif 2 ………………………………………..……… Test Formatif 1 ………………………………………. PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR. C. Tujuan Kegiatan ………………………………. ……………………………………… KEGIATAN BELAJAR 1 A.………… B. C.…………………………… F. Tujuan Akhir………………………………………………….. Uraian Materi ………………………………….

Uraian Materi ………………………………….. KEGIATAN BELAJAR 6 A. 31 31 31 34 35 35 35 43 45 45 45 52 52 52 59 63 67 KEGIATAN BELAJAR 5 A. Uraian Materi ………………………………….……… KEGIATAN BELAJAR 7 A.……… Test Formatif 5 ………………………………………..……. B. Uraian Materi …………………………………. KUNCI JAWABAN ……………………………………………… DAFTAR PUSTAKA ……………………………………………………... C. Tujuan Kegiatan ……………………………….. LAMPIRAN iii . Tujuan Kegiatan ……………………………….……… Test Formatif 4 ………………………………………. C. Tujuan Kegiatan ………………………………. B.……. III Tujuan Kegiatan ………………………………. Uraian Materi ………………………………….……… EVALUASI ………………………………………………………. B. B..……..…….Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 A.

318 x harga puncak untuk setengah gelombang Rms : Root mean square. RL V.637 x harga puncak untuk gelombang penuh b. 0.5 x harga puncak untuk setengah gelombang Inverted IB IC IE IL IQ Iz PIV : : : : : : : : Keluaran /output berlawanan polritas dengan masukan/ input Arus basis Arus kolektor Arus Emitor Arus beban Arus diam regulator / quiscent Arus zener dioda Peak Inverse Voltage . 0. saat anoda lebih positip Reverse Bias Average : : Arah mundur /balik bila katoda lebih positip dari anoda menunjukkan bentuk gelombang harga arus Searah a. 0.rata Regulator / pengatur Tahanan beban Tegangan keluaran –output dari regulator Tegangan Zener dioda Zener dioda .Reg Uz=Vz ZD : : : : : : Tegangan kerut.707 x harga puncak untuk gelombang penuh b. 0.. harga efektif gelombang ac a.tegangan balik maksimum saat Dioda arah mundur Ripple Reg. harga rata. fluktuasi atas dan bawah .PERISTILAHAN (GLOSSARY) Forward Bias : Arah maju aliran arus dari anoda ke katoda.

modul atau unit ini menggunakan pendekatan kompetensi yang merupakan salah satu cara untuk menyampaikan atau mengajarkan pengetahuan .Pekerjaan ini mencakup identifikasi komponen Catu Daya dan prosedur bongkar pasang komponen catu daya sesuai standar dan peraturan yang berlaku serta pembuatan laporan pelaksanaan pekerjaan Modul ini bertujuan mempersiapkan seorang pengajar / guru atau teknisi listrik yang kompeten dalam memahami aplikasi rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasa . PENDAHULUAN Dalam Sistem Pelatihan Berbasis Kompetensi. Dalam sistem pelatihan Berbasis Kompetensi. B. DESKRIPSI MODUL Modul ini berjudul Rangkaian Penyearah dipersiapkan untuk siswa Sekolah menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pembn\angkitan Level 1 Unit atau modul ini berkaitan dengan pemahaman tentang prosedur pemeliharaan Catu Daya Arus Searah atau DC Power pada stasiun pembangkit. PRASYARAT ( KEMAMPUAN AWAL ) Peserta pelatihan / Siswa harus sudah memiliki kemampuan awal materi sebagai berikut: ? Dasar –dasar Teknik Listrik ? Membaca gambar /simbol listrik ? Pengukuran Listrik ? Komponen dan Piranti Elektronik penguasaan 1 . ketrampilan dan sikap kerja yang dibutuhkan dalam suatu pekerjaan .Rangkaian Penyearah I. A. Standar kompetensi diharapkan dapat menjadi panduan bagi peserta pelatihan untuk dapat : ? mengidentfikasikan apa yang harus dikerjakan oleh peserta pelatihan ? mengidentifikasikan apa yang telah dikerjakan peserta pelatihan ? memeriksa kemajuan peserta pelatihan ? meyakinkan bahwa semua elemen dan kriteria unjuk kerja telah dimasukkan dalam pelatihan dan penilaian.

Modul ini dapat anda gunakan secara klsikal ataupun individual.Kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas-tugas atau Tes yang tedapat dalam modul ini. Mengindentifikasi komponen-komponen Catu Daya sesuai dengan spesifiksinya 3. 2. Asosiasi atau industri tempat bekerja.Rangkaian Penyearah C. HASIL BELAJAR / TUJUAN AKHIR Setelah tuntas mempelajari modul ini peserta diharapkan mampu : 1. Melakukan pemeliharaan Catu Daya dengan prosedur yang benar 2 . Menerapkan Fungsi komponen Penyearah dan Regulator pada rangkaian Catu Daya sesuai standar 4. tiga fasa dan regulator 5. Fokus penilaian ini sebaiknya mencakup: ? adanya integrasi antara teori dan praktek ? penekanan pada prosedur disamping hasil D. Penilaian unit ini dapat dilakukan oleh Guru/Asesor. Menganalisis prinsip kerja Rangkaian Penyearah satu fasa . PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL 1. 3. dimana setiap Kompetensi / Sub. Penilaian seharusnya meliputi penilaian kemampuan praktek unjuk kerja dan penilaian pokok-pokok pengetahuan dengan beberapa metode penilaian.alat ukur dan contoh model Catu Daya atau Trainer elektronik dan sumber daya searah maupun bolak bali yang tetap maupun variabel. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan komponen . Mengindentifikasi simbol-simbol komponen Catu Daya 2.

0.Rangkaian Penyearah E. (1) : Memlihara Rangkaian Penyearah ( Rectifier ) Elemen Kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja Adapun eleme n kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja yang harus dicapai melalui modul ini adalah sebagai berikut Sub Kompetensi / Elemen 1.0 Mengidentifikasi komponen utama rangkaian penyearah satu fasa.1 Kriteria Unjuk Kerja Jenis dan spesifikasi kompenen penyearah diidentifikasi dan dijelaskan perisip kerjanya Jenis dan tipe filter yang digunakan di indentifikasi Prinsip kerja Peneyearah satu fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan Prinsip kerja Peneyearah tiga fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan 1. 4.2 2.0.1 4. regulator diidentifikasi dan dijelaskan Penyebab kerusakan komponen dianalisa dan dijelaskan 5..1 3.2 Funsi rangkaian regulator dijelaskan Suatu fungsi IC regulator tegangan tetap dan tegangan dapat diatur dijelaskan penerapannya.tiga fasa dan regulator 1. Gangguan pada rangkaian regulator transistor dan IC regulator dianalisa dijelaskan 3 .1.tiga fasa dan regulator 4.0 . Gangguan pada rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasadi analisa dan dijelaskan 5.Menganalisa rangkaian regulator transistor dan IC regulator 3. STANDAR KOMPETENSI Kode Kompetensi Unit Kompetensi : K.2 30.0 Mengidentifikasi kerusakan komponen utama rangkaian penyearah satu fasa.HLD. tiga fasa dan regulator 5.Menganalisa gangguan rangkaian penyearah satu .2 Jenis kerusakan kompenen penyearah. Menganalisa rangkaian penyearah satu fasa dan tiga fasa 2.1 2.

LD (1) 14 Ketrampilan : Sikap : Kode Modul : 4 .Rangkaian Penyearah Pengetahuan : Memahami susunan konstruksi komponen DC power . perinsip kerja rangkaian penyearah pada catu daya dan perlengkapan kerja pemeliharaan DC power. Menganalisa gangguan rangkaian catu daya ( DC power ) dan m elakukan bongkar pasang komponen / unit peralatan catu daya sesuai dengan prosedur dan rencana kerja pemeliharan Membongkar dan memsang komponen catu daya dilakukan secara cermat berdasarkan prosedur kerja serta mentaati prosedur keselamatan kerja MKH.

1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan 4. Check List Kemampuan Kegitan Pembelajaran Elemen PENGUASAAN Kriteria Unjuk Kerja 1.0 Menguasai prosedur pemeliharaan catu daya 4.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.Rangkaian Penyearah F.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan Catatan Ya Tidak 2.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya 1.1 Melakukan dan pemeliharan perbaikan catu daya sesuai SOP 5 . resistor.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 3.kapasitor dan induktor dijelaskan 2.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.2 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.

1. Sambungan bahan semikonduktor P dan N mendasari suatu piranti elektronik aktif yang disebut sebagai Dioda. 6 . Simbol dioda diperlihatkan seperti pada gambar 1.1 DIODA SEBAGAI PENYEARAH Dioda semikonduktor Bahan dasar yang banyak digunakan untuk membuat piranti elektronik adalah bahan semikonduktor germanium (Ge) dan silikon (Si). Membuat hubungan rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh. Menghitung tegangan dan arus dioda. PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR 1 PENYEARAH TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? ? Menghitung tegangan dan arus beban. 1. yang mana kedua bahan ini mempunyai elektron valensi yang sama. Dioda mempunyai elektroda Anoda yang berkutub positif dan elektroda Katoda yang berkutub negatif.Rangkaian Penyearah II. Menentukan batas tegangan balik (revers) dioda dalam rangkaian penyearah setebgah gelombang dan gelombang penuh.

2. dan aksinya sama dengan rangkaian tertutup Gambar 1.Rangkaian Penyearah Gambar 1.3 Kurva Hubungan arus dan tegangan bias maju 7 . Bias Maju Dioda Jika anoda dihubungkan pada polaritas positif batere.1 Simbol Dioda A. maka keadaan dioda disebut arah maju (forward-bias) aliran arus dari anoda menuju katoda.2 Bias maju-Saklar on I Forward U Gambar 1. sedangkan katoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.

Gambar 1.4 Bias mundur –Saklar off Sebagai sifat dioda. maka keadaan dioda disebut arah mundur (reverse-bias) dan aksinya sama dengan rangkaian terbuka.Rangkaian Penyearah B. 8 . -U Reverse -I Gambar 1. sedangkan anoda pada polaritas negatif seperti gambar 1. pada saat reverse.4. Bias Mundur Dioda Jika katoda dihubungkan pada polaritas positif batere. nilai tahanan dioda relatif sangat besar dan dioda ini tidak dapat menghantarkan arus.5 Kurva Hubungan arus dan tegangan b ias maju Secara umum dioda digunakan sebagai penyearah (rctifier) arus/tegangan arus bolak balik (AC) satu fasa atau tiga fasa kedalam bentuk gelombang arus searah (DC).5 memperlihatkan kurva pada saat reverse . Gambar 1. Harga-harga nominal baik arus maupun tegangan tidak boleh dilampaui. karena akan mengakibatkan rusaknya dioda.

Regulasi. peralatan kontrol elektronik. merupakan rangkaian untuk memproses fluktuasi penyearahan yang menghasilkan keluaran tegangan DC yang lebih rata.Rangkaian Penyearah Pada dasarnya penyearahan ini ada dua macam yaitu : ? ? Penyearah setengah gelombang (half wave rectifier) Penyearah gelombang penuh (full wave rectifier) 1. Catu daya arus searah (DC) dapat dipeloreh dari batere atau dari sumber daya listrik 220/240 Volt Ac 50 Hz yang dirubah menjadi arus searah melalui rangkaian penyearah (rectifier).6 Us + Time Us Diode RL - common Gambar 1.2. Rangkaian penyearah .1 PENYEARAH SETENGAH GELOMBANG Contoh sederhana rangkaian penyearah setengah gelombang diperlihatkan seperti gambar 1. yaitu : ? ? ? ? Tranformasi tegangan yang diperlukan untuk menurunkan tegangan yang diinginkan. 1. rangkaian ini untuk mengubah tingkat tegangan arus bolak balik ke arus searah. Filter. misalnya pesawat amplifier.6 Rangkaian Penyearah setengah gelombang 9 .2 PENYEARAH (RECTIFIER) Tegangan arus searah biasanya dibutuhkan untuk mengoperasikan peralatan elektronik. peralatan komunikasi dan sebagainya. adalah parameter yang sangat penting pada catu daya dan regulator tegangan dengan bahan bervariasi. Pada sistem rangkaian penyearah ada 4 fungsi dasar yang dibahas.

dioda bersifat menghambat (reverse bised) nilai tahanan dioda sangat tinggi dan dioda tidak menghantar.8 Gambar 1. Gambar 1.Rangkaian Penyearah Jika dioda dalam kondisi menghantar (conduct) pada setengah perioda positif. Pada saat setengah perioda negatif. dioda tersebut pada keadaaan forward biased sehingga arus mengalir dan melewati tahanan beban R L.7 Bentuk Gelombang Output Penyearah Setengah Gelombang Untuk menghitung besarnya harga rata-rata dari signal yang disearahkan.8 kurva harga rata-rata 10 . Secara praktis. kita dapat menghitung dari luas kurva seperti pada gambar 1. Gambar 1. tegangan keluaran (UL) hampir sama dengan sumber Us Drop tegangan pada dioda lebih kurang 700mV.7 memperlihatkan bentuk gelombang proses penyearahan setengah gelombang.

Daya = Um x Im Um Im = -----RL Udc Idc = -----RL ? Arus yang melalui rangkaian seri adalah sama.9 dibawah ini.8 V 0 Time Gambar 1. Contoh soal 1.318 x Um tegangan maximum Um = 1.8 volt. Hal yang perlu diperhatikan dalam penyearahan ini adalah besarnya tegangan balik maksimum (PIV) dari dioda yang digunakan minimal harus sama besarnya dengan tegangan maksimum AC yang akan disearahkan. bila : Ueff = 20 volt Drop tegangan dioda 0.Rangkaian Penyearah ? Tegangan AC selalu diasumsikan harga RMS (Urms ) harga efektif RMS = 0.414 x Ueff disipasi daya pada beban dapat dihitung dari harga RMS tegangan dan arus pada beban. U Us Us U dioda = 0.9 11 .5 x harga puncak (Um) (Udc) harga rata-rata = 1/? x Um = 0. Tentukan tegangan rata-rata (Udc) yang melalui beban pada gambar 1.

2 PENYEARAH GELOMBANG PENUH Rangkaian penyearah gelombang penuh dapat diperoleh dengan dua cara. 318 x 27.48 V Udc = 0.28 V Um (beban) = (Um – 0.2. Cara yang lain untuk mendapatkan keluaran (output) gelombang penuh adalah dengan menggunakan empat dioda disebut penyearah jembatan (rectifier bridge).11 D1 A R L D2 B Gambar 1.414 x Ueff = 1.28 – 0.10 Penyearah dengan Trafo CT 12 . 318 x Um = 0.8 = 27.8) volt = 28.414 x 20 volt = 28.Rangkaian Penyearah Penyelesaian : Um = 1. Cara pertama memerlukan transformator sadapan pusat (Centre Tap-CT). A.74 V 1. Rangkaian Penyearah Centre tap Penyearah gelombang penuh dengan menggunakan transformator sadapan pusat ( Center Tap ) diperlihatkan seperti gambar 1.10 dan 1.48 = 8.

11 Gambar 1. pada saat ini D2 menghantar sedangkan D1 tidak menghantar .636 x Um Harga arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : Um Im = --------RL Udc Idc = ---------RL 13 . Bentuk gelombang input dan output ditunjukkan seperti terlihat pada gambar 1. Pada saat ini D1 menghantar (conduct) sedangkan D2 tidak menghantar (reverse biased). Pada saat A berpolaritas negatif .Rangkaian Penyearah Bila U1 dan U2 mempunyai polaritas.707 x Um Udc = 0.11 Bentuk gelombang Penyearah gelombang penuh Harga tegangan dapat dihitung : Ueff = 0. sedang B berpolaritas positif. ujung A berpolaritas positif dan ujung B berpolaritas negatif.

12 tentukan : a) Harga tegangan maksimum lilitan sekunder trafo b) Harga tegangan maksimum pada beban bila drop tegangan dioda 0.6 volt c) Harga arus maksimum d) Harga arus rata-rata D1 220 v 50 v 50v 40O D2 Gambar 1.Rangkaian Penyearah Soal latihan : 1. Dari gambar 1.12 diatas bila D1 menghantar hitung harga tegangan : a) Tegangan maksimum pada katoda D 1 b) Tegamgam maksimum pada anoda D2 c) Tegangan antara anoda dan katoda pada D1 d) Tegangan antara anoda dan katoda pada D2 14 . dari gambar 1.12 2.

13 Rangkaian penyearah sistem jembatan Pada saat terminal A positif dan terminal B negatif .13 a) A b) Bridge rectifier + D1 D2 _ B D3 D4 + RL 120 ? - Gambar 1. dioda yang menghantar adalah D4 dan D 1. Pada saat terminal A negatif dan B positip .Rangkaian Penyearah B. Dengan demikian setiap setengah perioda tegangan bolak balik ada dua dioda yang menghantar (conduct) secara bersamaan dan dua buah dioda lainnya tidak menghantar sehingga menghasilkan bentuk gelombang penuh. Penyearah Gelombang Penuh Sistem Jembatan Rangkaian penyearah ini memerlukan empat buah dioda yang dipasang dengan konfigurasi jembatan seperti terlihat pada gambar 1. sedang D2 dan D 3 tidak menghantar. dioda-dioda D2 dan D3 berada dalam kondisi menghantar seadangkan D4 dan D 1 tidak menghantar. 15 . Tegangan rata-rata (Udc) sama dengan sistem penyearah dengan menggunakan trafo CT.

Im dan Idc Us 15 V RL 200O Gambar 1.Rangkaian Penyearah Bentuk gelombang keluaran (output) terlihat seperti gambar 1.15 tentukan : a. Um pada beban jika drop tegangan dioda 0.15 Hububungan Beban Pada Penyearah Gelombang Penuh 16 . Contoh soal Dari gambar 1.14. ? Kelebihan sistem jembatan terhadap sistem trafo CT adalah adanya dioda yang tersambung seri sehingga masing-masing dioda dapat menahan tegangan balik maksimumnya. Um tegangan sekunder trafo b.7 volt c. Udc pada beban d.

81 = 12.81 volt c.64 volt Um d.637 x 19.414 x Us = 1.211 volt b.2 mA 17 . Tegangan rata-rata : Udc = 0.637 x Um (beban) = 0.7) = 19. Im = -------RL 19. Um pada beban RL Um (beban) = 21.414 x 15 = 21.1 mA Udc Idc = ------RL 12.81 = ----------200 = 99.21 – (2 x x0.Rangkaian Penyearah Penyelesaian : a. Um pada sekunder Um = 1.56 = -----------200 = 63.

Soal 3. Hitung tegangan rata-rata pada beban dan arus maksimum yang melalui setiap dioda b. Soal 2.5 D1 D2 Us 40 v D3 0V D4 RL 18 O gambar 1.5 V U0 RL 7. dioda transformator 18 .5 V D 2 120 ? gambar 1.17 8. b. b. Tentukan besar PIV untuk dioda. D 1 7. Dari rangkaian penyearah gelombang penuh seperti terlihat pada gambar 1.17 Hitung : a. Tegangan rata-rata keluaran ( output ) Arus melalui beban Tegangan balik puncak dioda ( PIV ) Coba jelaskan dari pengalaman anda gangguan-gangguan yang terjadi pada : a.Rangkaian Penyearah Review Test 1 Soal 1. c.16 Soal 1.16 a. Dari gambar 1.

Guna menghilangkan sisa gelombang bolak balik tersebut sering digunakan kondensator elektrolit sebagai tapis perata (Filter) seperti pada gambar 2.1 Rectifier Filter Beban (Load) T C R Gambar 2. Effek tegangan rata-rata dan tegangan kerut pada perubahan arus beban. PERATA DENGAN KAPASITOR Pada rangkaian penyearah yang dibahas pada kegiatan belajar 2 .1 Rangkaian penyearah dengan Filter 19 . sistem penyearah menghasilkan arus gelombang searah masih terdapat pulsa gelombang bolak balik Secara umum peralatan elektronik membutuhkan sumber arus searah (DC) yang halus atau lebih rata.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 2 FILTER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat menerapkan : Nilai kapasitor untuk perubahan tegangan rata-rata dan tegangan kerut.

Filter Kapasitip Penambahan nilai kapasitor yang dipararel dengan beban akan memberikan efek peralatan pulsa DC yang lebih halus. (2 x IN4004) Ac supla y D1 470?F RL D2 0v Gambar 2. Kecepatan pengosongan muatan kapasitor tergantung dari besarnya konstanta waku ? = RL x C Gambar 2.3 bentuk gelombang perataan dengan kapasitor 20 .1.2 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dilengkapi filter kapasitor .2 Rangkaian Penyearah gelombang penuh dengan filter kapasitor Gambar 2.Rangkaian Penyearah 2. Nilai kapasitor yang lebih besar akan menyimpan muatan pada saat pengisian.

tegangan pada kapasitor keburu naik lagi. Ur ? . RL Tegangan kerut adalah berbanding langsung terhadap arus beban (RL). 21 .2 Faktor Kerut (Ripple) Keluaran dari penyearah terdiri dari tegangan searah dan tegangan bolak balik atau ripple. pada saat T1 kapasitor terjadi pengisian muatan kapasitor mendekati harga tegangan puncak Um (maksimum) jika tegangan pulsa turun lebih rendah dari Um maka kapasitor akan mengosongkan muatannya. 2.(Ingat ? = R. = harga tegangan keluaran DC yang terukur oleh volt meter DC. Tegangan berubah yang terjadi tersebut disebut tegangan kerut (ripple voltage) hasil dari transient kapasitor. I . Dengan adanya kapasitor (C) tegangan keluaran tidak segera turun walaupun tegangan masuk sudah turun. Faktor kerut didefinisikan : Harga efektif komponen signal AC r = ---------------------------------------------Harga rata-rata signal DC Ur (rms) r = ------------Udc Ur(rms) 100 atau % ripple = -------------. hal ini disebabkan karena kapasitor memerlukan waktu mengosongkan muatannya.C). = persentase dari tegangan kerut.x --------Udc 1 Dimana : Ur (rms) Udc %r ? = harga tegangan kerut yang terukur oleh volt meter AC.3 diatas.Rangkaian Penyearah Perhatikan gambar 2. Sebelum tegangan kapasitor turun banyak.

4 mempelihatkan bentuk gelombang dengan menggunakan filter dan tanpa filter untuk penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh. Gambar 2.Rangkaian Penyearah Gambar 2.4 bentuk gelombang kerut 22 .

Rangkaian Penyearah 2.5 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dengan perata kapasitor dan resistor ( C R ) dc R C1 C2 RL Gambar 2. RL DC.= Uin (rms) R2 + Xc2 23 .5 Penyearah dengan filter RC Tegangan keluaran (output) DC ditentukan oleh R dan R L sebagai pembagi tegangan. Uo = -------------.3 Filter CR Gambar 2.x Uin (DC) R + RL 1 Xc = -------2? fC Xc tegangan kerut AC = ---------------.

Rangkaian Penyearah ? Secara umum. Gambar 2. R harus lebih rendah dari RL hal ini untuk memelihara level output DC. Xc2 harus lebih rendah dari R.6 rangkaian filter LC Induktor atau choke menentang perubahan arus dan energi disimpan pada induktor dalam bentuk medan magnet . 2. hal ini untuk mengurangi level kerut AC pada output dan Xc2 harus seperlima dari harga RL.4 Filter LC Pada gambar 2.6 diperlihatkan diagram rangkaian tipe perata dengan L dan C.6 Penyearah dengan filter LC Gambar 2. Dari rangkaian dapat dihitung beberapa besaran yaitu : ? XL = 2?fL 1 Xc = -------2? fC impedansi dari rangkaian perata adalah : Z = XL ? Xc U dan besarnya I = -----Z ? 24 .

UNL .x 100 80 = 25% Catatan.UFL % VR = --------------. Gunakan penyearahan gelombang penuh.x 100 UFL Keterangan : VR = regulasi tegangan (%) UNL = tegangan tanpa beban UFL = tegangan beban penuh Sebagai contoh. 2. Arus beban penuh mengalir bila beban dihubungkan. 4. Jika persentase regulasinya rendah maka dapat dikatan bahwa penyearah tersebut mempunyai regulasi yang baik. Pastikan dioda yang digunakan mempunyai tegangan jatuh yang rendah. catu daya tanpa beban dengan dengan tegangan output 100 volt. 25 . maka regulasi tegangan dapat dihitung sebagai berikut : (100 – 80) % VR = -------------. Pastikan tahanan kedua transformator dan filter choke rendah (minimum).5. Regulasi Tegangan Perubahan besarnya tegangan output.Rangkaian Penyearah Tegangan kerut melalui kapasitor C adalah: Uc (rms) = I x Xc 2. Penyearah yang sederhana dan rangkaian perata (filter) nya kurang baik regulasinya dapat diperbaiki dengan cara : 1. Gunakan LC filter jika arusnya tinggi. 3. tegangan outputnya jatuh menjadi 80 volt. dari suatu tegangan arus searah tanpa beban ke keadaan berbeban penuh disebut sebagai regulasi tegangan.

hitunglah : a. Arus yang mengalir c. output rata-rata b. gambarkan diagram rangkaiannya? 2.Efek apa yang terjadi pada : a. arus dioda soal 3. Apa tujuan pemasangan filter pada penyearah ? Soal 2. 26 .Rangkaian Penyearah Review Test 2 Soal 1. L =5 H dan C = 100? F. XL b. Bila pada rangkaian filter menggunakan kapasitor dan nilai kapasitornya dirubah menjadi lebih besar. Tegangan kerut = 12 V (rms) dengan frekuensi 100Hz. 1. Suatu rangkaian penyearah gelombang penuh menggunakan filter LC dan beban RL. Tegangan kerut yang melalui kapasitor C.

1 dan gambar 3.2 Dioda Zener Sebagai PengaturTegangan Penyebab ke tidakstabilan suatu sumber tegangan. biasanya terjadi akibat adanya fluktuasi tegangan pada jala-jala input dan variasi beban yang berubah-ubah. Tujuannya agar tegangan searah yang dihasilkan yaitu tegangan keluarannya (output) tidak berubah jika dibebani dalam batas-batas tertentu. 3. Dioda zener dengan tegangan zener diatas 6 V mempunyai koefisien suhu positif dan dibawah 6 V mempunyai kosfisien suhu negatif. Rangkaian sederhana Zener regulator ditunjukkan seperti gambar 3.1 Dioda Zener Dioda zener adalah dioda silikon (si) yang khusus dibuat sebagai penstabil tegangan pada catu daya DC.4 V sampai200 V dengan disipasi daya dari ¼ W sampai 50 W. arus dan disipasi daya dari komponen zener regulator.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 3 REGULATOR ZENER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? Menghitung tegangan. Koefisien suhu minimum terjadi pada zener 6 V untuk arus 40 mA 3. Dioda zener dibuat dengan potensial pada nilai tertentu antara 2.2 27 .

2 Rangkaian regulator zener Dari diagaram rangkaian diatas dapat dihitung besarnya arus dan tegangan yang terjadi pada rangkaian.1 memperlihatkan rangkaian regulator dioda zener yang sederhana. Gambar 3.Rangkaian Penyearah Gambar 3. sehingga tegangan 28 .1 rankaian regulator sederhana T D1 Rs RL Zd Unregulated power Suplly Zener dioda regulated load Gambar 3. Dengan membuat tegangan masukan ( input ) lebih besar dari tegangan zener maka dioda zener bekerja pada daerah tegangan balik (VIP).

walaupun arus beban (I L) berubah-ubah . Dari analisa diatas.Rangkaian Penyearah keluaran (output) tetap untuk berbagai nilai arus beban selama tegangan pada zener tidak kurang dari 12 V Tegangan pada Rs adalah : URS = Ui .Uz Rs = ----------Imaks Disipasi daya ( Pd ) pada resistor Rs adalah : Pd = URS x Imaks = (Imaks )2 x Rs Dari perinsip kerja rangkaian diatas dapat disimpulkan bahwa : apabila IL turun akibat kenaikan beban RLdan karena Imaks tetap . URL = Uz Arus maksimum yang melalui Rs adalah Is atau Imaks = IZ + IL Iz = Imaks . tegangan pada beban akan tetap stabil dan yang selalu berubah adalah arus pada zener dioda ( Iz ) yang mengikuti perubahan arus beban.Uz Tegangan pada beban RL adalah sama dengan tegangan zener.IL untuk tegangan kerja zener 12 volt. 29 . akhirnya Iz akan naik sehinga harga Uz akan selalu tetap. Imaks x Rs harus sama dengan Ui .Uz atau Ui .

07 2 x 114 = 559 miliwatt 30 .12 Rs = ---------70 x 10 – 3 = 114 O Disipasi daya pada Rs adalah 0.Uo Uin .Rangkaian Penyearah Contoh Soal Dari rangkaian gambar 3.1 diketahui : Tegangan zener Tegangan input Arus Zener Arus beban = 12 volt = 20 volt = 10 mA = 60 mA Ditanya berapa harga Rs dan Disipasi daya pada hambatan Rs Penyelesaian: Arus maksimum yang melalui Rs adalah Iz + IL = 60 +10 mA = 70 mA Drop tegangan akan terjadi pada Rs adalah sama dengan Uin .Uo Rs = --------------Imaks 20 .

31 . Menerapkan operasi regulator secara genar. Rangkaian ini memberikan kerja yang lebih efisien dan arus beban yang lebih besar.1 arus beban lewat melalui transistor dari kolektor ke emitor. Q1 UCE C RS US B E IL IZ UR L Gambar 4.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 REGULATOR TRANSISTOR SERI TUJUAN : ? ? ? Menyebutkan alasan penggunaan regulator transistor seri. 4.1 Regulator Seri Rangkaian regulator seri menggunakan transistor bipolar seperti pada gambar 4. Menghitung arus dan tegangan rangkaian regulator seri. Resistor Rs memberikan arus basis (IB) Q1 dan arus ke dioda zener (!Z ).1 Rangkaian regulator seri Rs dan zener dalam rangkaian ini adalah bentuk yang sederhana dari regulator zener yang mempertahankan tegangan konstan pada basis transsistor Q1.

tegangan output akan naik terhadap tegangan awal. tegangan output akan naikn juga.Uo U0 = UZ + UBE Karena besarnya UBE relatif kecil. maka U0 = UZ dan selalu konstan. menjadi kurang positip.. Rangkaian lainnya adalah transistor sebagai regulator arus seperti pada gambar rangkaian 4. tegangan output akan jatuh . 32 . Ini artinya tegangan Emitor ( VE) dari transistor dikurangi . Jadi jika tegangan input naik .2 Regulator Arus Rangkaian ini dirancang untuk mempertahankan harga arus yang melewati beban ketika terjadi perubahan beban pada tegangan tetap. Perinsip kerja rangkaian adalah sebagai berikut : Jika tahanan beban dari rangkaian turun . dengan adanya zener dioda maka tegangan out put dapat dipr\ertahankan stabil. . Hal ini akan mengurangi U BE dan UCE akan naik sehingga tegangan output kembali normal.2 Gambar 4. dan tegangan output kembali keharga semula .Rangkaian Penyearah Transistor tersebut akan berpungsi sebagai pengatur tegangan (voltage regulator). Bila arus beban naik . Besarnya tegangan output didapat dari persamaan : UCE = Uin . kemudian akan terjadi drop tegangan pada transistor . kemudian U Arus beban melalui R CE Be naik .

IFL Regulasi arus = ------------. maka penurunan pada UR 1 akan mengakibatkan kenaikan pada UBE transistor dan sekaligus menaikkan konduktifitas dari transsistor sehingga arus beban IL dapat dipertahankan pada harga yang tetap. Regulasi arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : INL . Efek terhadap bias Q1 adalah : UBE = UZ – UR 1 Karena harga UZ selalu konstan. 33 .IB IE = IC + IB Keterangan : ? ? ? ? IE = arus emitor IC= arus kolektor IB = arus basis IL = arus beban Penurunan arus beban IL = IC akan mengakibatkan penurunan arus emitor dan akan mengurangi drop tegangan pada R 1 (UR 1 = IE x R1). IFL = arus beban penuh.Rangkaian Penyearah Dari rangkaian didapat persamaan : Uz IE = --------R1 IL = IC = IE .x 100% IFL Dimana : INL = arus tanpa beban.

tegangan pada beban R L b. arus dioda zener e.1 ) mempunyai tegangan input 15 volt. disipasi daya pada Rs . Jika arus beban 1 amper.5 A tanpa beban ke beban penuh menjadi 1. Efisiensi rangkaian b.5 voltdan arus zener 100 mA.3 Rangkaian zener Ik Hitung berapa besarnya : a.2 A . Daya pada Zener c. Perhatikan gambar rangkaian dibawah ini : +12 v 330 ? Rs RL Vz = 8. tegangan pada resistor seri Rs c. Disipasi daya transistor Soal 3 Apakah fungsi regulator arus konstan ?Jika perubaha arus dari 1. hitunglah : a. berapa persen regulasi yang terjadi ? 34 .Rangkaian Penyearah Review Test 3 Soal 1. Rangkaian regulator seri ( lihat gambar 4. Zd dan R L Soal 2 . arus maksimum d.2 v 0 gambar 3. tegangan Zener 12.

Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 5 REGULATOR TEGANGAN TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? Membaca parameter esensial regulator tiga terminal dari lembaran data. 4. Mempunyai automatic thermal shutdown. Mempunyai proteksi terhadap arus hubung singkat. Mempunyai ripple output yang sangat kecil. Mempunyai arus rendah 6. Mempunyai tegangan output yang sangat konstan 5.1 IC Regulator Tiga Terminal. ukuran kecil 2. Menghitung tegangan output dari rangkaian regulator. 5. 3. Mengukur arus dan tegangan dan menentukan rangkaian regulator bekerja dengan benar. 7. Keuntungannya adalah : 1. Membutuhkan penambahan komponen luar yang sangat sedikit. Pembiyaan rendah 35 . Regulator tiga terminal adalah “ Integrated Voltage Regulator Circuit “ yang dirancang untuk mempertahankan tegangan outputnya tetap dan mudah untuk dirangkai.

Rangkaian Penyearah

Gambar 5.1 memperlihatkan contoh IC regulator Tegangan Positif tiga terminal MC 7805.

Gambar 5.1 bentuk IC regulator dan simbol rangakain

Seri LM 78XX adalah regulator dengan tiga terminal, dapat diperoleh dengan berbagai tegangan tetap Beberapa IC regulator mempunyai kode yang dibuat oleh pabrik pembuat komponen , sebagai contoh : IC LM.7805 AC Z yang artinya sebagai berikut: LM 78L 06 AC Z Linear Monolithic Bagian nomor dasar yang menyatakan tegangan positip Tegangan output Standart ketepatan Tipe pembungkus , ZTO-92 Plastic

Seri LM 78XXC dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 alamunium , arus keluaran (output) 1A ,boleh lebih asalkan IC regulator dilengkapi dengan pendingin (heatsink). Regulator LM 78XXC mudah dipakai dan tambahan komponen-komponen ektern tidak banyak . Sifat-sifat IC regulator LM 78XX adalah sebagai berikut : ? ? ? ? ? Arus keluaran melebihi 1A Pengamanan pembebanan lebih termik Tidak diperlukan komponen tambahan Ada pengamanan untuk transistor keluaran ( output ) Dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 aluminium

36

Rangkaian Penyearah

Karakteritik Elektrik Tipe Regulator Tegangan I out ( A ) Tipe 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 ? U out ( V) 78XX C 5 6 8 10 12 15 18 24 1 1 1 1 1 1 1 1 78 LXX 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 78 MXX 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Uin ( V ) 7,5 8,6 10,6 12,7 14,8 18 21 27,3 20 21 23 25 27 30 33 38

Sumber National Semiconductor , IC linier

Contoh rangkaian lengkap catu daya menggunakan regulator tiga terminal IC 7805 untuk tegangan output 5 volt konstan ditunjukkan pada gambar 5.2

Gambar 5.2 rangkaian catu daya dengan IC regulator

Arus maksimum regulator IC yang dikirim ke beban tergantung pada tiga faktor, yaitu: 1. Temperatur. 2. Perbedaan antara tegangan input dan output atau disebut diferensial input output. 3. Arus beban. 37

Rangkaian Penyearah

Uraian lengkap mengenai parameter IC regulator dapat dilihat dari data sheet yang dibuat oleh pabrikpembuat komponen . Contoh IC 7805 C mempunyai output nominal 5 volt. Dari data sheet Motorolla didapat temperatur juntion 250 C (Tj + 250 C) ,tegangan output antara low 4,8 volt atau high 5,2 volt ; arus output > 100 mA.

5.2 Regulator Positip Sebagai Sumber Arus.
Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 , LM 317 Pada gambar 5.3 diperlihatkan rangkaian IC Positip regulator yang digunakan sebagai sumber arus. U in LM 317 +12 v R1 IQ R2 0v
gambar 5.3 regulator tegangan tetap

I out

U out

Dari rangkaian diatas, tegangan output dihasilkan dari penjumlahan UR1 dan UR2 Tegangan output , U0 = UR 1 + UR2 Dimana tegangan UR1 adalah tegangan output IC regulator 7805 yaitu sebesar 5 volt. UR1 IR1 = -------R1 IR2 = IR1 + IQ

38

Rangkaian Penyearah

Tegangan pada R 2 adalah : UR2 = IR2 x R2 Pada gambar 5.4 diperlihatkan rangkaian tegangan output yang diukur dari pembebanan ( R load )

U in LM 317

I out

R1 IQ IL 0v
U out

Beban

Gambar 5.4 Regulator arus

U Reg IL = -----------R
+

IQ

Teganga output adalah U out = IL x R Load Dimana IQ adalah arus pada regulator ,dan U
Reg

batas tegangan regulator

5.3 Regulator Tegangan Yang dapat Diatur
Konsep baru dalam rangkaian regulator yang tegangan outputnya dapat diatur adalah regulator daya. Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 .

39

Rangkaian Penyearah

Regulator LM 317 dapat memberika arus keluaran ( output ) lebih dari 1,5 amper dengan tegangan antara 1,2 volt sampai 37 volt. dan IC LM 350 mampu memberikan arus 3A dan jangkauan tegangan output 1,2 V sampai 33 V.

Gambar 5.7 memberikan dasar rangkaian regulator yang dapat diatur tegangan outputnya.

V in

IC.Reg

R1 IQ

1,25 v

RL R2 U R2 0v

UO

Gambar 5.7 regulator teganagan output dapat diatur

U Reg Arus regulator adalah I Reg = ------R1 Tegangan output diperoleh dari rumus: U out = U Reg Atau R2 U out = U Reg + ( ----- + 1 ) + IQ R 2 R1 U Rreg + ( -------- + IQ ) R 2 R1

40

6 memperlihatkan regulator negatif tiga terminal outputnya dapat diatur 79XX Gambare 5.1 µ A Mudah distel untuk tegangan keluaran tinggi Penyimpangan tegangan keluaran stelan ± 5 % yang tegangan Gamnar 5.5 amper . Seri LM 79XXC dikemas dalam kemasan daya TO-200 dan mampu mengeluarkan arus 1.4 Regulator Tegangan Negatif Pada rangkaian operational amplifier dan microprocessor dibutuhkan catu daya yang membutuhkan dua polaritas sumbertegangan. misal +5V dan -5V. Seri LM 79XXC . Sifat-sifat regulatorLM79XXC adalah sebagai berikut: ? ? ? ? Mempunyai pengaman daerah.6 regulator negatif 41 . Sifat-sifat regulator ini adalah sebagai berikut : ? ? ? ? Arus keluaran 100mA Mudah dikompensasi dengan kodensator kapasitas kecil 0. LM 79LXX adalah regulator tegangan negatif 3 terminal .5 A Tegangan keluaran stelan pendahuluan 4% Untuk seri LM79LXX AC .Rangkaian Penyearah 5.hubung singkat dan termik Penindasan kerut ( ripple ) tinggi Arus keluara 1.piranti ini telah dirancang untuk mengeluarkan tegangan tetap dan dapat diperoleh dalam kemsan TO-92 dengan 3 kawat.

5 Catu daya Dua Polaritas. LM 320-15 . Jenis rangkaian kombinasi regulator positip dan negatip adalah sebagai berikut : 1. (D1 D2 IN 4720 ) 2. (D1 D2 IN 4001 ) Gambar 5. LM 320 T-12 .7 dasar catu daya dua tegangan 42 . (D1 D2 IN 4720 ) 3. Contoh diagram rangkaian pada gambar 5. LM 320 T –15 . D1 dan D2 adalah dioda proteksi bekerjanya regulator pada common load dan akan membatasi arus hubung singkat regulator. Suplai ? 15 volt . 1A LM 340 T.Rangkaian Penyearah 5. Suplai ? 12 volt . 1 A LM 340 T-12 . 200mA LM 342H-15 .7 menggunakan LM 340 positif regulator yang dihubung dengan negatif regulator LM 320. Suplai ? 15 volt .

2 7812 1k Us = 20 v RL Uz = 8.dari rangkaian regulator tegangan gambar dibawah ini .4 Soal .2 v Gambar 5.5 43 .Rangkaian Penyearah Review Test 4 Hitung berapa tegangan output yang dihasilkan. Soal 1 7805 R1 IQ Us = 20 v R2 180? = 50 mA 100? U0 gambar 5.

.Rangkaian Penyearah Soal 3 V in LM317 IQ =50 µA R1 220? 1. hitung tegangan output rangkaian catu daya. 44 . bila IQ = 50 µ A a. Berapa tegangan pada Rp bila harga Rp diset pada nol ohm? b. Bila Rp diset ke maksimum 2 kilo ohm.7 diatas coba anda analisa prinsip kerjanya dan jawablah pertanyaan dibawah ini.25 v +20 v R2 Rp 2k URp 0v Gambar 5.7 regulator teganagan menggunakan LM 317 Dari gambar 5. Berapa tegangan output bila Rp diset pada nol ohm tersebut? c.

enam atau dua belas komponen penyearah dioda atau SCR. Gambar 6.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 6 PENYEARAH TIGA FASA PENDAHULUAN Penyearah tiga fasa banyak dipakai .. Penyearah Setengah Gelombang 3 Fasa. Penyearah tiga fasa dengan filter mengahasilkan output DC yang lebih rata.dan D3 dan titik netral dari sumber yang dihubungkan bintang.D2. Penyearah tiga fasa lebih efisien serta menghasilkan daya output yang konstan sehingga dapat dipakai pada sistem yang lebih komplek dengan beban yang tetap. D2.1. karena penyearah tiga fasa ini menghasilkan daya yang cukup besar serta banyak dipakai antara lain pada pengisian batere atau accumulator. karena pulsa yang terbentuk lebih berdekatan satu sama lainnya serta lebih rendah setengah dari tegangan puncak outputnya. AVR alternator dan sebagainya.. 6. dalam hal ini sangat tergantung pada keperluan yang dibutuhkan. Pada rangkaian penyearah tiga fasa dapat dipasang sebanyak tiga. Bagian beban dihubungkan antara katoda dari dioda D1. Fasa A. dan D 3. B dan C sebagai sumber tegangan tiga fasa memberikan tegangan ke anoda dari dioda-dioda D1. elektroplating . 45 .1 memperlihatkan penyearahan tiga fasa setengah gelombang yang tidak menggunakan transformator.

kemudaian dari sudut 300 sampai 1500 dari fasa A (VA ) mempunyai tegangan yang lebih positif yang membuat dioda D1 dipicu kearah maju sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R. Dari kurva bentuk gelombang dapat dianalisa bahwa mulai dari 00 sampai 300. Pada sudut 150 0 VB menjadi lebih positif dan dioda D2 akan 46 .diagram rangkaian penyearah 3 fasa Gambar 6. akibatnya kedua dioda saja yang menghantar pada perioda ini.1 a. dengan tegangan positif ini akan menyebagkan tegangan yang lebih positif terhadap katoda dari dua titik yang lain. dari fasa C (VC) mempunyai tegangan yang lebih positif dan ini akan memberi bias maju pada dioda D3 serta akan menghasilkan tegangan pada beban R yaitu sebesar U0. 1.Rangkaian Penyearah Gambar 6.b bentuk gelmbang tegangan input / output Dengan adanya perioda tegangan positif akan membuat dioda menjadi menghantar.

Demikian seterunya pada 2700.Rangkaian Penyearah menghantar sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R. Gambar 6. D3 menghantar kembali selama satu periode.831 x Umaks Pada gambar 6. Tegangan rata-rata output DC(Udc) tiga fasa dinyatakan sebagai berikut : Udc = 0.Tegangan sekunder dimungkinkan dinaikkan atau diturunkan dengan seleksi yang sesuai dengan kebutuhan tegangan output DC yang diinginkan .2 penyearah setengah gelombang tiga fasa menggunakan trafo 47 . Catatan : Tegangan output DC tidak pernah jatuh sampai nol.2 adalah bentuk yang sama dengan penyearah setengah belombang tiga fasa yang menggunakan transformator 3 fasa .

Penyearah Gelombang Penuh Tiga Fasa pada gambar 6.3 dan 6.4 diperlihatkan diagram rangkaian penyearah tiga pasa.4 bentuk belombang tegangan inputdan output 48 .2. Gambar 6.Rangkaian Penyearah 6. gelombang penuh dan bentuk gelombang output Gambar 6.3 Rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh Rangkaian penyearah gelombanga penuh tiga fasa ini dapat dilengkapi/dipasang untuk dua keadaaan yaitu untuk setengah bagian positif dan setengah bagian negatif dari inputnya seperti halnya pada penyearah gelombang penuh untuk satu pasa.

Untuk instalasi yang besar. Satu dari dioda-dioda yang bernomor genap (D2.34 x Urms ( ac ) Penyearah gelombang penuh dipersiapkan untuk daya tinggi. Idc adalah 0. sebab : a. Tiap primer membawa arus 2/3 siklus. yaitu: a. Pada rangkaian diatas. c. penyearah mercury arc yangdipilih untuk digunakan.Rangkaian Penyearah Terdapat tiga hal yang harus diperhatikan pada waktu menganalisa kerja untuk rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh ini. Kerugian tembaga dalam belitan transformator adalah lebih rendah. berarti empat dioda yang lain dalam keadaan tidak menghantar .D 3 dan D5) juga selalu mengahantar. Arus selalu mengalir dari sumber yang mempunyai tegangan positif tertinggi melalui dioda-dioda yang bernomor genap menuju bebandan terus mengalir pada dioda-dioda yang bernomor ganjil dan seterusnya kembali ke terminal sumber yang mempunyai tegangan negatif tertinggi. b. b.D4dan D6) dalam keadaaan menghantar dan satu dari dioda-dioda yang bernimor ganjil (D1. dua dioda selalu menghantar.995 x Im melalui tiap dioda dan hanya sepertiganya yang mengalir melalui tiap dioda. 49 . c. Teganan rata-rata Udc adalah dua kali dari penyearah setengah gelombang tiga fasa atau Udc = 2. Tiap sekunder membawa arus untuk 1/3 siklus.

1 A c. Pdc = Udc x Idc = 351 x 2 = 720 W 6. Kebanyakan SCR membutuhkan arus gate untuk penyalaan antara 0. b. Im / dioda = (1/ 0.34 x Us = 2. Penyelesaian : a. Arus gate ini (Ig) mengalir melalui persambungan (junction) antara gate dan katoda. Daya rata-rata yang dikiram ke beban.6 vot. Untuk memperdalam penguasaan perinsip kerja dari SCR perlu dipelajari secara khusus . Arus puncak /maksimum yang melalui tiap dioda c. tegangan output DC. hitunglah : a.1 sampai 20 mA.34 x 150 = 351 V b. Jika harga rata –rata arus beban adalah 2A. 50 .5 Gambar 6.5 Simbol SCR SCR dapat dihidupkan oleh suatu arus penyulutan singkat ke dalam gatenya. perbedaan nya waktu kondisi dari penyearah SCR dapat divariasikan untuk mengatur tegangan output dan level arus searah ( dc) . sedangakan tegangan antara gate dan katodanya (UGK) harus lebih besar dari 0. 955) x Idc = 2.3 Penyearah Tiga Fasa Menggunakan SCR SCR digunakan seperti penyearah dioda .Rangkaian Penyearah Contoh soal Harga efektif (rms) tegangan sekunder transformator (Us) pada penyearah gelombang penuh segitiga / bintang adalah 150 volt.Simbol SCR diperlihatkan pada gambar 6. Udc = 2.

6 penyearah SCR tiga fasa Untuk mengontrol SCR diperlukan rangkaian phase shift. R2 –C 2. Kerja dari rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan SCR adalah sama seperti penyearah setengah gelombang tiga fasa yang sudah dibahas terdahulu. 51 ..Rangkaian Penyearah Contoh rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan Silicon Controlled Rectifier (SCR) diperlihatkan pada gambar 6. Tiga buah rheostat dijadikan satu untuk memperoleh kontrol penyalaan atau penyulutan SCR secara bersamaan. dan R3 –C 3 sebagai rangkaian RC phase shifting. R1 -C 1. Tegangan output rangkaian lebih mudah dikontrol atau diatur dengan mengatur rheostat penyalaan untuk SCR tersebut.6 Gambar 6.

Transistor atau IC Problem yang terjadi pada semi konduktor adalah : a. Kapasitor Kesalahan pada kapasitor seperti : a. rangkaian terbuka. Arus bocor yang besar. kesalahan arus yang melaluinya lebih besar sehingga terjadi disipasi panas yang menyebabkan resisitor terbakar. 52 . Rangkaian hubung singkat c. memeriksa rangkaian dan komponen yang rusak dengan mengguanakan alat ukur yang cocok misalnya AVO meter dan CRO. c. B. disebabkan beban lebih. titik sambungan hubung singkat disebabkan sentaka tegangan tinggi. b. Resistor. Asumsi dasar yang harus dibuat untuk melakukan pemeliharaan (service unit ) catu daya adalah mencari penyebab kesalahan .1 Kesalahan Komponen A. C. Titik sambungan rangkaian terbuka. b. 7. Terjadi kebocoran pada rangkaian kapasitor.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 7 MENCARI LETAK GANGGUAN PENDAHULUAN Gangguan atau kesalahan yang paling banyak tejadi pada rangkaian catu daya adalah diakibatkan oleh beban yang terus menerus yang dipikul oleh catu daya tesebut atau beban yang tidak sesuai dengan kemampuan / kapasitas catudaya. biasanya ditujukan oleh penguatan rendah atau level kebisingan tingggi.

Arus ouput DC yang diperlukan.2 Mengganti Komponen Bila mengganti komponen yang rusak pada rangkaian yang penting harus diperhatikan : a. 3.3 Pemeriksaan Catu Daya Poin utama yang harus diperiksa setelah anda melakukan perbaikan adalah. Tegangan kerut (riple) dari amplitudo output diukur dengan Ossiloskope ( CRO. b. Pada tabel berikut ini diberikan pedaman dasar sebagai langkah awal mendiaknosa gangguan atau kesalahan suatu rangkaian. Dan ingat dalam melakukan pemerika\saan dan perbaikan harus diperhatikan Standart Opertional Procedur ( SOP ) yang berlaku dan disepakati. Tegangan output DC . 53 .sebagai berikut : 1. tegangan dan daya yang sesuai dengan spesifikasinya. 7. Regulasi tegangan atau regulasi arus. Tempatkan komponen yang diganti secara pasti dan tepat. Data dan spesifikasi komponen dapat dilihat pada buku data komponen yang diterbitkan oleh perusahaan /pabrik pembuat komponen. apakah sudah sesuai dengan tegangan yang dibutuhkan 2.Rangkaian Penyearah 7. Lepas dan ganti komponen yang sesuai dengan aslinya atau eqivalen dari karakteristik komponen yaitu kemampuan arus.) 4.

Lilitan trafo primer dan sekumder hubung singkat 2. sekring putus Filter kapasior hubung singakat Filter kapasitor rangkaian terbuka. sekring putus arus lebih transformator baik. output DC rendah dengan naiknya level riple. GEJALA Kesalahan Transformator : 1. tetapi output DC rendah dari yang seharusnya Kesalahan Filter kapasitor : 1.Rangkaian Penyearah ANALISA GANGGUAN RANGKAIAN CATU DAYA. Regulasi sangant jelek. Tahanan dioda terlalu besar (tegangan jatuh saat forward besar) 3. output DC nol dan tegangan sekonder tidak ada. output DC rendah dengan riple 50 Hz 2. ouput DC rendah dan transformer putus Kesalahan Penyearah : 1. rangkaianbekerja baik. 3. 2. output DC rendah dengan level riple tinggi. regulasi jelek Filter kapasitor bocor 54 . KESALAHAN Rangkaian input AC terbuka atau sekring putus. Rangkaian dioda penyearah terbuka Rangkaian dioda hubung singkat.

1 apa yang akan terjadi bila : a.8 v RL - Gambar 7. 1. RS putus (rangkaian terbuka ) b. RS terbuka 55 . Dioda zener hubung singkat. Dioda zener putus (rangkaian terbuka ) c.8 v RL 135? - Regulator Beban Gambar 7.1 Zener regulator + Open circuit Vz 12 v 6.Rangkaian Penyearah LATIHAN MENCARI GANGGUAN/KESALAHAAN. Zener Regulator Dari gambat 7.1a. + Rs 82? 12 v Vz 6.

Rangkaian Penyearah Rs = 82? Zener diode Open circuit RL 135? GAMBAR 7. Zener terbuka Rs = 82? Short circuit (zero ohm) RL 135? Gambar 7.1 b.1c. Zener hubung singkat 56 .

Zener rangkaian terbuka c. Zener hubung singkat d.Rangkaian Penyearah 2.2 regulasi seri Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. Rs rangkaian terbuka b. Transistor hubung singkat 57 . Regulator Seri Vin Q1 Vo Rs IB RL Vz Gambar 7.

c.3 Regulator Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a.Rangkaian Penyearah 3. R2 hubung singkat RL rangkaian terbuka 58 . IC Regulator 7805 +20 v Vo R1 220? RL R2 320? 0 Gambar 7. R1 rangkaian tebuka b.

b.Rangkaian Penyearah III. 1 .d 200 Hz 5. 25 Hz . EVALUASI TES TEORI I. b.3 .pilihlah jawaban yang paling benar a. b. Pada rangkaian penyearah 1 fasa setengah gelombang dibutuhkan dioda minimal : a.c 100 Hz .c atau d 1. c. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah gelombang penuh adalah : a. 25 Hz . Pilter pada rangkaian penyearan digunakan untuk : a. d. Rangkaian Penyearah Untuk setiap setiap pertanyaan . c. Perbandingan tegangan output dan input penyearah setengah gelombang adalah: a.35 .4 .b 0.d 0.c 75 Hz .b. Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah setengah gelombang adalah : a. 0. 50 Hz . 4 2.45 3.c 0. d. 3 . 50 Hz .d 100Hz 4. b. 2 . menaikkan tegangan kerut ( ripple ) menaikkan frekuensi ripple mengurang tegangan beban mengurangi tegangan ripple 59 .

b.Hitung tegangan output pada beban bila penyearah gelombang penuh sistem jembatan dihubungkan dengan sumber 20 v ac. d.44 v b. 20 v 60 . 10 v .sebelum penyearah b. 18 v d.8v d.sesudah regulator 7. b. c. 1. paralel dengan beban seri dengan beban pralel dengan dioda pnyearah paralel dengan input penyearah 8. paralel dengan input penyearah 9. maka haru dihubungkan : a.antara penyearah dengan beban c. sesudah beban d.Rangkaian Penyearah 6. 10. Bila kapasitor digunakan sebagai filter. seri dengan beban c. a. 12v c.pralel dengan dioda pnyearah d. Bila induktor digunakan sebagai filter.Hitung tegangan output tanpa beban penyearah setengah gelombang bila dihubungka pada tegangan sumber 24 v ac: a. Pilter dihubungkan : a. 9 v c.paralel dengan beban b.24 v 10. maka haru dihubungkan : a.

268 Jika zener dioda menjadi rengkaian terbuka . 15 v c. 18. 0. Tegangan beban UL dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 15 v d. b.6 v b. 0 v c. 144 c. 39 mA Besarnya Rs dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 32 mA d. 30 v d. Regulator Zener 1. 0. 10 mA 4.maka tegangan output adalah: a. 15 v c.204 d. 100 5 b.20 mA c.Rangkaian Penyearah II. 10 v b.5 v 61 . 0.6 v 3.5 v b. Aruus beban IL dalam rangkaia gambar 1 adalah: a. 30 v d. Tegangan jatuh /drop pada Rs dalam gambar 1 adalah: Rs 30 V Uz 15 v RL 470? a. 30 v 2.

7 v c. Antara penyearah dan filter 5. Regulator tegan tiga teminal 7912 . negatif 7 v d. mendapatkan tegangan beban konstan c. Sesudah beban c.output tegangan nya adalah : a. 8 v d. positif 9 v 62 .4 v 4. mendapatkan tegangan sumber konstan d. 8 v d . Regulator tegangan tiga terminal dihubungkan pada : a. Sebelum sumber tegangan input b. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 12 v adalah : a. positif 12 v b. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 4 v adalah : a 5v b. Antara sumber dan beban d. Regulator tegangan digunakan untuk : a. mendapatkan arus beban konstan b.Regulator 1. negatif 12 v c. 12 v 3.Rangkaian Penyearah III. mendapatkan arus sumber konstan 2. 5 v b. 7 v c. IC .

Hubung Singkat . a. Arus dioda berkurang 3.64 volt b.26 mV 63 . Tegangan kerut = 86. I = 3.Tahanan arah maju (forward ) tinggi REVIEW TEST 2 1.Udc = 7. a. XL = 1340 O b.Untuk mengurangi tegangan kerut (ripple voltage ) AC pada perubahan beban dalam % 2. a.75 volt b.Rangkaian terbuka . .8 mA c. Udc = 6.I beban = 424. PIV dioda =12 volt 3.44mA c.Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN REVIEW TEST REVIEW TEST 1 1. Filter LC a. PIV dioda = 21. a. Level rata-rata naik b.2 volt 2.

5 mA d.45 volt 64 .macam beban . Regulasi adalah 25 % REVIEW TEST 4 1 . Disipasi daya Rs = 43.Rangkaian Penyearah REVIEW TEST 3 1 a. Imaks =11.8 volt c. a. 3.24 mW 2 a 72 % b = 1. 3.3 mA e.8 volt 3. c.U output = 14 volt 2 U output = 11. = 0 volt b.6 mW Zd = 27 mW RL = 67. Uo = 11.25 watt.1 volt 4. Uo = 1. Iz = 3.25 volt c. Untuk memberikan arus yang konstan dengan bermacam.2 volt b. 8.

b 6.a 2.a 8. a III. Regulator Tegangan 1 .c 5. Tes Rangkaian Penyearah 1. c 7. a 65 . b 5.d 4.Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN SOAL TEORI I.b 7.c 10.c II. c 6.d 6.b 4.Regulator Zener 4. c 8.d 3. c 7.b 9. d 5.

kapasitor dan induktor dijelaskan 2.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 66 . resistor.3 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan Ya Tidak Training Lanjut 2.Rangkaian Penyearah Self Assesment Check List Kegitan pembelajaran Elemen 1.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan 3.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya Kriteria Unjuk Kerja 1.

Rangkaian Penyearah

DAFTAR PUSTAKA

Barry Davis, Under standing DC Power Suppllies, Prentice-Hall of Australia Pty Ltd,1981 Edy Burnawi , Catu Daya , PPPGTeknologi Bandung ,1996 Emst Hornermann , Electrical Power Engineering Profinciecy Course, GTZ GmbHEscbom ( Federal Republic of Germany ), 1988 Fardo and Patrick , Electrical Power Systems Technology , Howard W.Sams &Co,Inc James F.Lowe , Electronics for Electrical Trades , McGraw-Hill,Book Company Sydney, 1977

67

Rangkaian Penyearah

LEMBAR PENILAIAN
Modul Nama Peserta Nama Penilai Beri tanda ( v ) No 1 2 Hasil METODA PENILAIAN Tertulis Praktik KOMPETEN BELUM KOMPRTEN KETERANGAN : RANGKAIAN PENTEARAH : ……………………… : ………………………

: Kompeten Belun kompeten CATATAN:

Tanada Tangan Peserta

Tanada Tangan Penilai

Tanggal: ……………….

68

Aplikasi Dioda

Bab

2

Aplikasi Dioda

dirangkaian elektronik.

S

etelah mengetahui konstruksi, karakteristik dan model dari dioda semikonduktor, diharapkan mahasiswa dapat memahami pula berbagai konfigurasi dioda dengan menggunkan model dalam aplikasinya

2.1 Analisis Garis Beban (Load-Line Analysis) Beban yang diberikan pada rangkaian secara normal akan mempunyai implikasi pada daerah kerja (operasi) dan piranti elektronik. Bila analisis disajikan dalam bentuk grafik, sebuah garis dapat digambarkan sebagai karakteristik dioda yang mewakili efek dari beban. Perpotongan antara karakteristik dan garis beban akan menggambarkan titik operasi dari system. Perhatikan gambar 2.1 berikut ini,.
Id + E Vd R + VR VD ID

(a)

(b)

Gambar 2.1 Konfigurasi Seri dari Dioda. (a) Rangkaian Dioda (b) Karakteristik Menurut Hukum Kirchoff tegangan:
E − VD − VR = 0 E = VD + I D R

………………………………….(2.1)

Aplikasi Dioda

Variabel VD dan ID dari persamaan 2.1 adalah semua seperti axis variable dari karakteristik dioda pada gambar 2.1 (b). Perpotongan garis beban dan karakteristik dapat digambarkan dengan menentukan titik pada horizontal axis yang mempunyai ID = 0A dan juga menentukan titik vertical axis yang mempunyai vertical
E = VD + I D R

VD = 0V. JIka kita

atur VD = 0V, dengan persamaan 2.1 akan kita peroleh nilai magnitude ID pada sumbu

E = 0V + I D R
ID = E R VD =0V

………………………………….. (2.2)

Selanjutnya, kita atur ID = 0A, dengan persamaan 2.1 kita dapat memperoleh magnitude VD pada sumbu horizontal.
E = VD + I D RD
E = V D + ( 0) R D

VD = E I

D =0 A

…………………………………. (2.3)

Seperti terlihat pada gambar 2.2. garis lurus yang menghubungkan ke dua titik menggambarkan garis beban. Jika nilai R diubah, maka gambar garis beban akan berubah.

ID
E R

Karakteristik dioda

IDQ

Q-point Garis beban

0

VDQ

VD

Gambar 2.2 Garis Beban dan Titik Operasi Titik perpotongan antara garis karakteristik dioda dan garis beban disebut dengan “ Q point ” (Quiescent Point)

Aplikasi Dioda

2.2 Aproximasi Dioda

Dalam menganalisis rangkaian dioda, dapat digunakan 3 macam model pendekatan (aproximasi), yaitu:
• • •

Piecewise-linear model Simplified model Ideal model

Untuk dioda Silikon, ketiga model tadi dapat digambarkan sebagai berikut: Tabel 2.1 Aproximasi untuk Dioda Silikon
Model Gambar VT 0.7 rav 10Ω
VT VD

Karakteristik
ID

Piece-wise linear model

rav

Simplified model

VT 0.7

ID

VT

VD

Ideal model

ID

0

VD

Untuk dioda yang terbuat dari Germanium, VT adalah 0.3V.

2.3 Konfigurasi Seri dari Dioda dengan Input DC

Ada beberapa prosedur yang harus dilakukan dalam menganalisis dioda, yaitu: a. Tentukan kondisi dioda ON/OFF, dengan cara:
• •

Lepaskan dioda dari rangkaian Hitung tegangan pada terminal dioda VD yang dilepas tadi dengan KVL

dioda germanium V D 〉 0. ganti dengan model pendekatan yang digunakan c.32mA R 2K 2 .Aplikasi Dioda • V D 〉 0.3V 2K2 ID = IR = V R 7.3 → ON V D 〈 0.7 = 7.7V 8V E + VR - • Langkah 3 VD = 0.7 → Dioda silikon ON. Analisis rangkaian tersebut contoh Tentukan VD. dioda germanium V D 〈0. Jika dioda ON.3V = = 3.3 → OFF b.7V dioda ON • Langkah 2 + VD 0.7 → Dioda silikon OFF. VR dan ID dari rangkaian dioda berikut Jawab • Langkah 1 Dengan KVL: E − VD − VR = 0 VD = E − VR = (8V ) − I R R = (8V ) − (0) R V D = 8V VD 〉 0.7V VR = E − VD = 8 − 0.

4 Konfigurasi Paralel dan Seri-Paralel dari Dioda Prosedur pada bagian 2.18mA R 0. I1. ID1.18mA I D1 = I D 2 = 1 = = 14.33K I 28. dan ID2 dari rangkaian dioda berikut: Jawab E − VR − V D1 = 0 VD1 = V D 2 = E = 10V VD1 = VD 2 〉 0.09mA 2 2 V0 = V D 2 = 0.4 dapat digunakan dalam menganalisis rangkaian dioda paralel dan seri-paralel Contoh : Hitunglah Vo.7 = = 28.7V I1 = .Aplikasi Dioda 2.7V → D1 & D2 ON E − V R − V D1 = 0 E − ( I 1 R ) − V D1 = 0 I 1 R = E − V D1 E − V D1 10 − 0.

6 Input Sinusoidal : Penyearah Setengah Gelombang Pada bagian ini akan kita kembangkan metode analisis dari dioda yang telah dipelajari sebelumnya.4 Penyearah ½ Gelombang . Untuk menganalisis rangkaian dioda dengan input yang berubah terhadap waktu seperti gelombang sinusoidal dan gelombang kotak. Metode dioda ideal akan digunakan dalam analisis selanjutnya.5 AND/OR Gate Aplikasi dioda yang lain adalah dapat digunakan sebagai rangkaian logika AND dan OR. Rangkaian sederhana di bawah ini akan kita gunakan untuk mempelajari cara menganalisisnya.3 Gerbang Logika OR dan AND Dengan Menggunakan Dioda 2.Aplikasi Dioda 2. Gambar 2. OR Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 AND Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 Gambar 2. Berikut adalah rangkaian gerbang logika AND dan OR yang menggunakan dioda silikon.

Selama interval t = 0 → T mengakibatkan dioda ON.318Vm ………………………………………… (2.Aplikasi Dioda Rangkaian diatas akan menghasilkan output V0 yang akan digunakan dalam konversi dari ac ke dc yang banyak digunakan dalam rangkaian-rangkaian elektronika. berikut penggambaran prosesnya.4) Berikut adalah gambar input dan output rangkaian penyearah ½ gelombang . Vi Vi + R + + V0 Vi + R + V0 = 0V 0 T/2 V0 = 0V - t Gambar 2.6 Daerah Dioda Non Konduksi (T/2 – T) Sinyal output V0 mempunyai nilai rata-rata selama satu siklus penuh dan dapat dihitung dengan persamaan berikut Vdc = 0. selama perioda T →T 2 polaritas dari input Vi berubah mengakibatkan dioda tidak bekerja (OFF). dioda selanjutnya dapat 2 diganti dengan rangkaian ekivalen model idealnya. Gambar 2. sehingga outputnya bias diperoleh proses di atas dapat digambarkan seperti gambar di bawah ini.5 Daerah Dioda Konduksi (0 – T/2) Selanjutnya.

1 Konfigurasi Bridge Untuk meningkatkan dc level yang diperoleh dari input sinusoidal sebanyak 100% kita dapat menggunakan rangkaian penyearah gelombang penuh.8 berikut.9 T/2 polaritas polaritas input digambarkan seperti pada .7 Sinyal Input dan Output Rangkaian Penyearah ½ Gelombang Selain menggunakan model ideal kita juga dapat menggunakan kedua model lain.8 Penyearah Gelombang Penuh Selama periode t = 0 gambar 2.7 Penyearah Gelombang Penuh 2. dengan menggunakan 4 buah dioda dengan penyearah seperti pada gambar 2. Vi Vm T/2 T t + D1 + Vo - D2 0 Vi R D3 D4 Gambar 2.7.Aplikasi Dioda Gambar 2. 2. Konfigurasi yang sangat terkenal adalah konfigurasi Bridge atau jembatan.

D2 dan D3 OFF sementara D1 dan D4 ON.9 Rangkaian Full Wave Bridge untuk t = 0 T/2 Dari gambar 2.10 Aliran Arus Pada Fase Positif dari Vi Untuk perioda input t = T/2 T.11 Aliran Arus Pada Fase Negative dari Vi .9 terlihat bahwa D2 dan D3 terkonduksi (ON) sementara D1 dan D4 OFF. Berikut gambar polaritas input. arah arus serta rangkaian ekivalen rangkaian dioda Gambar 2.OFF Gambar 2.Aplikasi Dioda + OFF Vi + ON + + Vo R - + - ON - + . Gambar 2. Dengan mengganti dioda dengan model ideal diperoleh gambar berikut.

13 Gelombang Penuh Dengan Trafo CT Selama perioda t = 0 gambar berikut.5) 2.Vo + Vi - D2 Gambar 2.Aplikasi Dioda Secara keseluruhan input dan output rangkaian ini adalah Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.12 Sinyal Input dan Output Rangkaian Dioda Bridge Nilai rata-rata dc dapat diperoleh dengan persamaan berikut Vdc = 0. seperti .(2. T/2 .2 Center Tapped Transformer Bentuk kedua yang popular dari penyearah gelombang penuh adalah dengan menggunakan 2 buah dioda dan center tapped (CT) transformer konfigurasinya dapat dilihat pada gambar berikut.7. D1 akan menjadi ON sedang D2 OFF.636Vm ……………………………………. Vi + + Vi + Vi - D1 T 0 T/2 t CT R .

Clipper parallel 2. selama perioda input T/2 – T kondisi rangkaian adalah seperti gambar berikut Vi + + Vi + Vi - D1 Vo R Vm 0 T/2 T t Vi - .Aplikasi Dioda Vi Vm + Vi + Vi + Vi - D1 Vo R . Terdapat dua kategori clipper: 1. Clipper seri Dioda seri dengan beban dioda parallel dengan beban 2.Vo + Vm 0 T/2 t D2 0 T/2 t Gambar 2. Salah satu contohnya dapat dilihat pada gambar berikut.8 CLIPPER Clipper merupakan rangkaian dioda yang memiliki kemampuan memotong sebagian sinyal input tanpa menimbulkan efek pada bagian lain dari sinyal.8.1 Clipper Seri Rangkaian dasar dari clipper seri adalah mirip dengan rangkaian penyearah ½ gelombang.14 Kondisi Rangkaian Pada Perioda Input 0 – T/2 Sebaliknya. Namun demikian rangkaian clipper seri dapat dibuat dalam berbagai variasi. .15 Kondisi Rangkaian Untuk Perioda Input T/2 – T 2.Vo + 0 D2 T/2 T t Gambar 2.

2. 1. . Tegangan dc (V) harus lebih kecil dari Vi agar dioda ON. Tentukan apakah dioda ON/OFF dengan melihat rangkaian. perhatikan gambar 2.16 Clipper Seri dan Input/Output (a) Rangkaian Dasar Clipper (b) Variasi Input dan Output (C) Variasi Clipper Seri Berikut adalah prosedur dalam menganalisa rangkaian clipper: 1. Hitung dan gambarkan nilai Vo berdasar nilai sesaat dari Vi Sebagai contoh.Aplikasi Dioda Vi + R + + V0 - (a) Vi Vo Vi Vo Vi T/2 t 0 Vo T/2 0 T t 0 T/2 t 0 T/ 2 T t 0 T/2 T t T/2 0 t (b) Vi + T/2 0 + T t Vi V R V0 + (c) Gambar 2.16 (c) dan ikuti prosedur di atas. tentukan persamaan Vo 4. Untuk dioda yang ideal perubahan kondisi ideal terjadi pada Vd = 0 V dan id = 0A (ingat karakteristik dioda ideal). Dioda ON pada saat Vi berada pada polaritas positif. Tentukan nilai tegangan yang mengakibatkan kondisi dioda berubah OFF ON atau sebaliknya 3. 2. Perhatikan polaritas Vi dan Vo. Dengan menerapkan kondisi nilai Vi yang mengakibatkan transisi kondisi dioda.

18 Menentukan Vo Vi − V − Vo = 0 Vo = Vi − V …………………………………….6) Artinya dioda berubah dari OFF ON atau ON OFF pada saat Vi = V 3.(2.(2.Aplikasi Dioda Gambar 2.7) 4. Vo dapat dihitung dengan KVL Gambar 2. Pada saat dioda dalam kondisi ON. Hitung dan gambarkan Vo dengan mengambil nilai sesaat dari Vi .17 Menetapkan Kondisi Transisi dari Rangkaian Vi − V − Vd − V0 = 0 Vi − V − 0 − id R = 0 Vi − V − 0 − (0) R = 0 Vi = V ………………………………………………………….

19 Sinyal Vi dan Vo 2.2 Clipper Paralel Berikut rangkaian dasar clipper parallel.Aplikasi Dioda Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2. variasi input/output dan variasi konfigurasi yang lain Gambar 2.20 Rangkaian Clipper Parallel dan Variasi Input/Outputnya .8.

Vi > V Dioda OFF • Tentukan Vo pada dioda ON • Tentukan Vo pada dioda OFF .Aplikasi Dioda Cara menganalisa clipper parallel adalah sama dengan cara analisis clipper seri Contoh: Tentukan Vo dari rangkaian berikut Jawab: • • Dioda ON pada fase negative dari input Cari tegangan transisi VR = 0 + Vi V 4V id = 0 + V0 - Vi − VR − Vd − V = 0 Vi − 0 − 0 − V = 0 Vd = 0 Vi = V tegangan transisi Ketika Vi < V Dioda ON.

9 CLAMPER Rangkaian clamper adalah rangkaian yang akan melempar (clamp) sinyal ke level dc yang berbeda. Dalam analisis.22 Rangkaian Clamper . Clamper tersusun atas capasitor. Sumber dc juga dapat ditambahkan untuk memperoleh pergeseran tegangan tambahan. dioda dan komponen resistif. Rangkaian clamper sederhana dapat dilihat pada gambar berikut Vi V 0 -V T/2 T t + Vi C R + V0 - Gambar 2.21 (gbr 291 hal 84) 2.Aplikasi Dioda • Gambarkan outputnya Vi 16 V t 16 V Vo 4V t Berikut berbagai variasi rangkaian clipper Gambar 2. Hal ini berguna agar kapasitor tidak membuang tegangan (discharge) pada saat dioda mengalami perioda non konduksi (OFF). kapasitor kita anggap mengisi dan membuang semua dalam 5 kali konstanta waktu. Nilai R dan C harus dipilih sedemikian rupa agar konstanta waktu τ = RC cukup besar.

secara keseluruhan input dan output dari rangkaian adalah sebagai berikut. sedang Vo = 0 V. V C Vi + + R V0 - Gambar 2.25 Input/Output dari Contoh Rangkaian Clamper . kapasitor akan mengisi dengan cepat sampai V = tegangan input.23 Dioda ON dan Kapasitor Mengisi Sampai V Volt Pada interval ini.24 Menetapkan Output Pada Saat Dioda OFF Jika digambarkan.Aplikasi Dioda Selama interval 0 – T/2 rangkaian dapat digambarkan seperti berikut. Ketika polaritas input berbalik. Gambar 2. rangkaian dapat digambarkan sebagai berikut. Gambar 2.

27 Rangkaian pengganti Dioda Zener 2. sedangkan jika zener OFF rangkaian penggantinya adalah saklar terbuka + VZ - + VZ - + V - ON (Vz > V > 0) OFF Gambar 2.1 Vi dan R tetap Rangkaian dioda zener yang paling sederhana dapat dilihat pada gambar berikut ini: R VZ PZm RL Gambar 2. rangkaian penggantinya adalah sumber tegangan Vz. Ketika zener diindikasikan ON.10 Dioda Zener Dalam menganalisis zener.26 Rangkaian Clamper dengan Dioda Ideal 2.28 Rangkaian Dasar Regulator dengan Zener . kita dapat menggunakan cara menganalisis dioda pada bagian sebelumnya.10.Aplikasi Dioda Berbagai variasi dari rangkaian clamper dapat dilihat pada gambar berikut. Gambar 2.

29 Rangkaian Ekivalen Zener ON . zener penggantinya. Tentukan kondisi zener dengan melepasnya dari rangkaian dan menghitung tegangan pada untai terhubung. Ganti Zener dengan rangkaian ekivalennya Gambar 2. akan kita peroleh rangkaian berikut R Vi VZ VL Tegangan V dapat dihitung dengan menerapkan aturan pembagi tegangan V = VL = R LV i R + RL …………………………………….. Sebaliknya jika V ≤ VZ maka zener digantikan dengan saklar terbuka b. Dengan menerapkan langkah 1 pada gambar 2.2. Zener dapat diganti dengan rangkaian OFF dapat Jika V ≥ VZ .Aplikasi Dioda Analisa rangkaian zener dapat dilakukan dengan langkah berikut: a.27 diatas.8 ON.

VR.2. IZ.Aplikasi Dioda Dari gambar zener ON. dan PZ Ulangi soal (a) dengan RL = 3kΩ a) Terapkan prosedur sebelumnya • Lepaskan zener dari rangkaian R LVi 1.73V R + RL 1k + 1.9 Dimana..10 Dioda zener umumnya digunakan dalam rangkaian regulator tegangan Contoh 2… VR 1k 16V VZ = 10 V PZm = 30mW RL 1k2 VL • • Jawab Tentukan VL. IL = V − VL VL V dan I R = R = i RL R R Daya yang diserap zener: PZ = VZ I Z …………………………………………….2k (16V ) = = 8. 2. arus yang mengalir pada zener dapat ditentukan dengan KCL IR = IZ + IL I Z = I R − I L …………………………………………….2k V = VL = V < VZ Zener OFF .

73V = 7.2.2 Vi Tetap dan RL Variabel ON/OFF-nya zener tergantung pada interval nilai RL.11 Jika RL yang dipilih > RL rangkaian ekivalen zener ON. RL min akan menimbulkan IL max min.67 mA) = 26.10.7 mW 2.33mA = 2. RL yang terlalu kecil akan mengakibatkan zener OFF.Aplikasi Dioda • Ganti zener dengan saklar terbuka VR = Vi − V L = 16 − 8. maka zener ON.33mA RL 3kΩ VR 6V = = 6mA R 1kΩ IZ = IR − IL = 6mA − 3. Selanjutnya ganti dengan .27V IZ = 0A PZ = VZ I Z = 0W b) Lepaskan zener dari rangkaian V = VL = R LVi = 12V R + RL V ≥ VZ • Zener ON Ganti zener dengan rangkaian ekivalen untuk zener ON VL = VZ = 10V VR = Vi − V L = 16V − 10V = 6V IL = IR = VL 10V = = 3.67 mA • Daya yang diserap zener PZ = VZ I Z = (10)(2. Nilai minimum RL dapat ditentukan sebagai berikut: VL = VZ = RLVi RL + R R L min = RVZ Vi − VZ ………………………………………………….

.Aplikasi Dioda I L max = VL V = Z RL R L min …………………………………………….2..2. dioda D1 terkonduksi (D2 OFF) dan mengisi kapasitor C1 .17 R L max = VZ I L min 2.2.15 IZ = IR − IL IZ min dicapai pada IL max dan sebaliknya I L min = I R − I Z max …………………………………………. 3x.18 ………………………………………….13 ………………………………………………….14 ………………………………………………….30 di bawah adalah rangkaian half wave voltage doubler. tegangan Vi harus cukup besar untuk dapat mengakibatkan zener ON.2..2..2.2. Tegangan Vi minimum ditentukan oleh: VL = VZ = VL min = RLVi RL + R ( RL + R )VZ RL ………………………………………….20 2..2.12 Tegangan pada R VR = Vi − VZ IR = VR R ………………………………………………….10.3 RL Tetap dan Vi Variabel Untuk nilai RL yang tetap. 2. atau lebih kecil..2.. Selama tegangan positif pada separuh siklus dari tegangan yang melalui transformer..19 I R max = I Z max − I L Vi max = V R max + VZ Vi max = I R max R + VZ ………………………………………….11.1 Pengali Tegangan Rangkaian yang ditujukan oleh gambar 2.11 Rangkaian Pengali Tegangan Rangkaian ini digunakan untuk menaikkan tegangan puncak dari trafo hingga 2x.16 ………………………………………….

Aplikasi Dioda sampai pada puncak tegangan (Vm) dengan polaritas seperti yang ditujukan dalam gambar. Gambar 2.2 Voltage Tripler dan Quadrupler Gambar 2.31 Rangkaian Half Wave Voltage Doubler Alternatif 2. Selama siklus negative dari input D1 menjadi OFF sementara D2 terkonduksi (ON) dan mengisi kapasitor C2.11.30 Half Wave Voltage Doubler Tegangan pada output: − VC 2 + VC1 + Vm = 0 − VC 2 + Vm + Vm = 0 VC 2 = 2Vm Model rangkaian yang lain dapat dilihat pada gambar 2.31 berikut. Gambar 2.32 memperlihatkan half-wave voltage doubler yang dimodifikasi agar dapat mengeluarkan output sebesar 3 dan 4x dari tegangan input. .

32 Voltage Tripler dan Quadrupler .Aplikasi Dioda Gambar 2.

Diode dalam Rangkaian Dari rangkaian berikut tentukan arus diode dan tegangan diode pada titik kerja IDQ dan VDQ berdasar : (a) Perhitungan dengan pemodelan diode (b) Analisis garis beban dengan kurva karakteristik diode 10 ID VD Si ID (mA) E 10 V R 1KΩ 5 VD 1. Titik perpotongan kedua kurva menyatakan nilai IDQ dan VDQ. Persamaan rangkaian : E = VD + IDR Cari dua nilai ekstrim untuk VD dan ID : Saat VD = 0 : E = 0 + IDR E I D = VD = 0 R ID = 10 mA Saat ID = 0 : E = VD + 0 R VD = 10 V Perpotongan kurva : .7 Volt Sehingga IDQ = (E-VD)/1000 = 9.0 Kurva karakteristik diode Solusi : (a) Dari pemodelan diode : VDQ = 0.3 mA (b) Dengan analisa garis beban : Buat kurva rangkaian yang memotong kurva karakteristik.

2 K + V2 E2 = -5 V Solusi : Diode berada dalam kondisi on.10 9. V2 dan V0 E1= 10 + V1 Vo 4.7 V dan IDQ = 9.3 mA ID (mA) titik Q 5 VD 0.7 V 10 Jadi VDQ = 0.7 Volt. dan mempunyai tegangan VD = 0.3 mA Soal : Hitung I. Rangkaian digambarkan lebih lengkap sbb : . V1.7 K 2.

E2 = 0 Persamaan untuk arus I : E − VD + E 2 10V − 0.2 KΩ = 4.7 K + 0.+ V1 I 4.2 K V2 + Vo E1= 10 E2 5V - -E1 + V1 + 0.E2 V0 = 4.55 V Pada sisi output.7 + 2.7KΩ = 9.07 mA V1 = I x R1 = 2.73 V V2 = I x R2 = 2.07mA x 4.7V + 5V I= 1 = R1 + R2 4700Ω + 2200Ω I = 2.45 V .55 V – 5 V = -0.7 + V2 . dengan menerapkan hukum tegangan kirchoff : + V2 KVL + Vo E2 5V - E2 – V2 + V0 = 0 V0 = V2 .07mA x2.

.

.

Penyearah ada 2 macam....................................... Menganalisa rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh............................................................... Osiloskop III.... Transformator 2..................................... Dioda semikonduktor 3.......... (5. 2................................................. Mengetahui manfaat dioda sebagai penyearah.... yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh. (5.. Mengetahui cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh........4) π Praktikum Elektronika Dasar 16 ......... II. Penyearah Setengah Gelombang Nilai tegangan puncak input transformator: VRMS = VP 2 ..... Ringkasan Teori Penyearah berfungsi untuk mengubah tegangan ac menjadi tegangan dc...... RANGKAIAN PENYEARAH Tujuan Praktikum 1...MODUL V I.......................... (5................318 × VP .............1) Tegangan rata-rata DC pada penyearah setengah gelombang adalah: VDC = VP = 0........ Projectboard 5................................................... Resistor 4.. Mampu merancang rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh............ Multimeter 6.................. (5...... 3... Bahan Praktikum 1..........................3) Penyearah Gelombang Penuh Tegangan rata-rata DC pada penyearah sinyal gelombang penuh: VDC = 2VP ............... 4..2) π Frekuensi output: f OUT = fIN .......

.... Penyearah Gelombang Penuh dengan Center Tap 1...... Langkah Percobaan A... 6.1...... Penyearah Setengah Gelombang 1.Frekuensi output: f OUT = 2.. D1... Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop.5) V. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini....... R1 = Resistor Praktikum Elektronika Dasar 17 .. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda (diode bridge) Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! VI.. Tutup saklar S1. D1 = Dioda semikonduktor. Tentukan nilai T1... 8.... 3.................. Rangkaian Penyearah Setengah Gelombang 2... Tugas Pendahuluan 1... Hitung besar tegangan keluaran pada R1.. T1 = Transformator..... 5... 7.. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini... (5..... B. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 2.. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB......... 4... Ukur besar tegangan keluaran pada T1 menggunakan multimeter.fIN ............ dan R1 Gambar 5. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh center tap? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 3...... Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop.... Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter.............

R1 = Resistor Gambar 5. DB1 = Dioda Bridge. 3. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. Hitung besar keluaran pada R1. 4. 7. C. Praktikum Elektronika Dasar 18 .3. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter.Gambar 5. 8. 6. T1 = Transformator. Ukur besar tegangan pada resistor beban menggunakan multimeter. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. Tutup saklar S1. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh 2. 6. Tutup saklar S1. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB.2. Penyearah gelombang Penuh dengan Diode Bridge 1. Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. 4. 5. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan dioda bridge 2. 3. 5.

Lakukan analisa dari ketiga percobaan diatas. 8. Berikan kesimpulan dari percobaan yang telah dilakukan diatas. Praktikum Elektronika Dasar 19 . Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. VII Laporan Akhir Gambarkan bentuk gelombang dari hasil percobaan yang telah dilakukan.7. Hitung besar keluaran pada R1.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->