Disusun oleh: Ahmad Fali Oklilas


Dosen Pengasuh NIP Program Studi Kelas/angkatan
Minggu ke 1

: Ahamad Fali Oklilas : 132231465 : Teknik Komputer : Teknik Komputer/2006
Sub Pokok Bahasan Pengantar Tujuan Instruksional Khusus Muatan Partikel Intensitas, Tegangan dan Energi Satuan eV untuk Energi Tingkat Energi Atom Struktur Elektronik dari Element Mobilitas dan Konduktivitas Elektron dan Holes Donor dan Aseptor Kerapatan Muatan Sifat Elektrik Ref.

Pokok Bahasan

Tingkat Energi Pada Zat Padat


Transport Sistem Pada Semikonduktor

Energi Atom

Prinsip Dasar Pada Zat Padat

Prinsip Semikonduktor


Karakteristik Dioda

Prinsip Dasar

Rangkaian terbuka p-n Junction Penyerarah pada pn Junction Sifat Volt-Ampere Sifat ketergantungan Temperatur Tahanan Dioda Kapaitas


Karakterisrik Dioda

Sifat Dioda


Karakteristik Dioda

Jenis Dioda

Switching Times Breakdown Dioda Tunnel Dioda Semiconductor Photovoltaic Effect Light Emitting Diodes Dioda sebagai elemen rangkaian Prinsip garis beban Model dioda Clipping Comparator Sampling gate Penyearah Penyearah gelombang penuh Rangkaian lainnya 1


Rangkaian Dioda



Rangkaian Dioda


7 Rangkaian Transistor Sifat Transistor Transistor Junction Komponen Transistor Transistor Sebagai Penguat (Amplifier) Konstruksi Transistor Konfigurasi Common Base Konfigurasi Common Emitor CE Cutoff CE Saturasi CE Current Gain Konfigurasi Common Kolektor Analisis Grafik Konfigurasi CE Model Two Port Device Model Hybrid Parameter h


Rangkaian Transistor

Sifat Transistor


Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah


Rangkaian Transistor

Transistor Pada Frekuensi Rendah

Thevenin & Norton Emitter Follower Membandingkan Konfigurasi Amplifier Teori Miller Model Hybrid JFET Karakteristik Amper



Rangkaian Transistor Field Effect Transistor

Transistor Pada frekuensi Tinggi Sifat Dasar


Rangkaian Dasar

FET MOSFET Voltager Variable Resitor Sebagai Osilator Sebagai Penguat Sebagai Sensor


Studi Kasus

Penerapan Transistor

Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. 4. 5. Palembang, 7 Feb 2007 Dosen Pengampu,

Ahmad Fali Oklilas, MT NIP. 132231465

ATURAN PERKULIAHAN ELEKTRONIKA DASAR DAFTAR HADIR MIN = 80% X 16= 14 KOMPONEN NILAI TUGAS/QUIS = 25% UTS = 30% UAS = 45% Nilai Mutlak 86 – 100 = 71 – 85 = 56 – 70 = 41 – 55 = ≤ 40 = A B C D E

Keterlambatan kehadiran dengan toleransi 15 menit Buku Acuan : 1. Chattopadhyay, D. dkk, Dasar Elektronika, Penerbit Universitas Indonesia, Jakarta:1989. 2. Millman, Halkias, Integrated Electronics, Mc Graw Hill, Tokyo, 1988 3. 4. 5.

6. This shell is referred to as the VALENCE SHELL. Each shell can contain a maximum number of electrons. Just by the electron’s motion alone. and f. it has kinetic energy. which can contain 2. d. . The electrons in the outermost shell are called VALENCE ELECTRONS. SHELLS and SUBSHELLS are the orbits of the electrons in an atom. starting with K. which is the closest to the nucleus. The mass of the neutron is approximately equal to that of the proton. and 14 electrons.Tingkat Energi Pada Zat Padat Electron’s Energy Level The NEUTRON is a neutral particle in that it has no electrical charge. p. The electron’s position in reference to the nucleus gives it potential energy. An ELECTRON’S ENERGY LEVEL is the amount of energy required by an electron to stay in orbit. VALENCE is the ability of an atom to combine with other atoms. respectively. Shells are lettered K through Q. The valence of an atom is determined by the number of electrons in the atom’s outermost shell. An energy balance keeps the electron in orbit and as it gains or loses energy. 10. which can be determined by the formula 2n 2. it assumes an orbit further from or closer to the center of the atom. The shell can also be split into four subshells labeled s.

This definition is illustrated further with the figure below which presents . rather than keeping track of the actual electrons in that band. An atom that has an excess number of electrons is negatively charged and is called a NEGATIVE ION. semiconductors distinguish themselves from metals and insulators by the fact that they contain an "almost-empty" conduction band and an "almost-full" valence band. They behave as particles with the same properties as the electrons would have occupying the same states except that they carry a positive charge.IONIZATION is the process by which an atom loses or gains electrons. ENERGY BANDS are groups of energy levels that result from the close proximity of atoms in a solid. FORBIDDEN BAND. This also means that we will have to deal with the transport of carriers in both bands. We will now first explain the concept of a hole and then point out how the hole concept simplifies the analysis. It is important for the reader to understand that one could deal with only electrons (since these are the only real particles available in a semiconductor) if one is willing to keep track of all the electrons in the "almost-full" valence band. An atom that loses some of its electrons in the process becomes positively charged and is called a POSITIVE ION. Electrons and holes in semiconductors As pointed out before. The concepts of holes is introduced based on the notion that it is a whole lot easier to keep track of the missing particles in an "almost-full" band. To facilitate the discussion of the transport in the "almost-full" valence band we will introduce the concept of holes in a semiconductor. Holes are missing electrons. The three most important energy bands are the CONDUCTION BAND. and VALENCE BAND.

band1. Electrons therefore move down hill in the conduction band.2. A uniform electric field is assumed which causes a constant gradient of the conduction and valence band edges as well as a constant gradient of the vacuum level.the simplified energy band diagram in the presence of an electric field.12 Energy band diagram in the presence of a uniform electric field. The gradient of the vacuum level requires some further explaination since the vacuum level is associated with the potential energy of the electrons outside the semiconductor.gif Fig. The total current due to the electrons in the valence band can therefore be written as: (f36) . However the gradient of the vacuum level represents the electric field within the semiconductor. Shown are electrons (red circles) which move against the field and holes (blue circles) which move in the direction of the applied field. The electrons in the conduction band are negatively charged particles which therefore move in a direction which opposes the direction of the field. Electrons in the valence band also move in the same direction.2.

q is the electronic charge and v is the electron velocity. while the remaining term can be written as: (f38) which states that the current is due to positively charged particles associated with the empty states in the valence band. The sum is taken over all occupied or filled states in the valence band. Keep in mind that there is no real particle associated with a hole. This expression can be reformulated by first taking the sum over all the states in the valence band and subtracting the current due to the electrons which are actually missing in the valence band. However it can be dramatically simplified if only states close to the band edge need to be considered. but rather that the combined behavior of all the electrons which occupy states in the valence band is the same as that of positively charge particles associated with the unoccupied states. They move upward in the energy band diagram similar to air bubbles in a tube filled with water which is closed on each end. As illustrated by the above figure. .where V is the volume of the semiconductor. This last term therefore represents the sum taken over all the empty states in the valence band. the holes move in the direction of the field (since they are positively charged particles). The reason the concept of holes simplifies the analysis is that the density of states function of a whole band can be rather complex. We call these particles holes. or: (f37) The sum over all the states in the valence band has to equal zero since electrons in a completely filled band do not contribute to current.

turns out to be a more meaningful physical variable than the total energy. The derivation starts from the basic notion that any possible distribution of particles over the available energy levels has the same probability as any other possible distribution. EF. Fermions and Bosons all "look alike" i. One of the Lagrange constants. Introduction The distribution or probability density functions describe the probability with which one can expect particles to occupy the available energy levels in a given system. one must acknowledge the different behavior of different particles. Maxwellian particles can be distinguished from each other. . This variable is called the Fermi energy. The derivation then yields the most probable distribution of particles by using the Lagrange method of indeterminate constants. Only one Fermion can occupy a given energy level (as described by a unique set of quantum numbers including spin). they are indistinguishable. An essential assumption in the derivation is that one is dealing with a very large number of particles.e. Third. one takes into account the fact that the total number of particles as well as the total energy of the system has a specific value. which can be distinguished from the first one. This assumption enables to approximate the factorial terms using the Stirling approximation. In addition. The number of bosons occupying the same energy levels is unlimited. While the actual derivation belongs in a course on statistical thermodynamics it is of interest to understand the initial assumptions of such derivations and therefore also the applicability of the results. namely the one associated with the average energy per particle in the distribution.Distribution functions 1.

which are hard to explain.The resulting distributions do have some peculiar characteristics.distrib. The independence of the density of states is very fortunate since it provides a single distribution function for a wide range of systems. distrib. the Bose-Einstein (green curve) and the Maxwell-Boltzman (blue curve) distribution.gif Fig. The fact that the distribution function does not depend on the density of states is due to the assumption that a particular energy level is in thermal equilibrium with a large number of other particles. It would seem more acceptable that the distribution function does depend on the density of available states. 2. where the Fermi energy was set equal to zero. the Maxwell-Boltzmann distribution and the Bose-Einstein distribution is shown in the figure below. First of all the fact that a probability of occupancy can be obtained independent of whether a particular energy level exists or not. . the Fermi-Dirac distribution.1 Occupancy probability versus energy of the Fermi-Dirac (red curve).4. A plot of the three distribution functions.xls . The nature of these particles does not need to be described further as long as their number is indeed very large. since it determines where particles can be in the first place.

An Example To better understand the general derivation without going through it. 5.. 2.. which each can contain two electrons. 1.5..4. 3. which satisfy these particular constraints.gif Fig. The Fermi-Dirac distribution reaches a maximum of 1 for energies which are a few kT below the Fermi energy. . There are 24 possible and different configurations.All three distribution functions are almost equal for large energies (more than a few kT beyond the Fermi energy).5. which is 6 eV more than the minimum possible energy of this system. where the red dots represent the electrons: occdraw. while the Bose-Einstein distribution diverges at the Fermi energy and has no validity for energies below the Fermi energy. we now consider a system with equidistant energy levels at 0.2 Six of the 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.5. Six of those configurations are shown in the figure below.5. This system contains 20 electrons and we arbitrarily set the total energy at 106 eV. 2. 4.5. eV.5. . 2. The electrons are Fermions so that they are indistinguishable from each other and no more than two electrons (with opposite spin) can occupy a given energy level.

1 All 24 possible configurations in which 20 electrons can be placed having an energy of 106 eV.447 eV or T = 16.gif Table 2. A best fit was obtained using a Fermi energy of 9. fddist.xls .A complete list of the 24 configurations is shown in the table below: fddist.occtable.occprob. The agreement is surprisingly good considering the small size of this system.xls .4.gif . The average occupancy of each energy level as taken over all (and equally probable) 24 configurations is compared in the figure below to the expected FermiDirac distribution function.800 K.998 eV and kT = 1.

is given by: (f18) This function is plotted in the figure below.).k. 2.447 eV and EF= 9. At absolute zero temperature (T = 0 K). . Electrons as well as holes have a spin 1/2 and obey the Pauli exclusion principle.. The Fermi-Dirac distribution function The Fermi-Dirac probability density function provides the probability that an energy level is occupied by a Fermion which is in thermal equilibrium with a large reservoir.4.998 eV. 5/2 . Fermions are by definition particles with half-integer spin (1/2. The states with the lowest energy are filled first.. 3. followed by the next higher ones. 3/2.3 Probability versus energy averaged over the 24 possible configurations of the example (red squares) fitted with a Fermi-Dirac function (green curve) using kT = 1.l and s. they will fill the available states in an energy band just like water fills a bucket. the energy levels are all filled up to a maximum energy which we call the Fermi level. The definition of Fermions could therefore also be particles which obey the Pauli exclusion principle.Fig. A unique characteristic of Fermions is that they obey the Pauli exclusion principle which states that only one Fermion can occupy a state which is defined by its set of quantum numbers n. At higher temperature one finds that the transition between completely filled states and completely empty states is gradual rather than abrupt. No states above the Fermi level are filled. The Fermi function which describes this behavior. As these particles are added to an energy band. All such particles also happen to have a half-integer spin.

Impurity distribution functions The distribution function of impurities differs from the Fermi-Dirac distribution function although the particles involved are Fermions. The Fermi function has a value of one for energies. 300 K (blue curve) and 600 K (black curve). which are more than a few times kT below the Fermi energy. It equals 1/2 if the energy equals the Fermi energy and decreases exponentially for energies which are a few times kT larger than the Fermi energy.4.xls . The difference is due to the fact that a filled donor energy level contains only one electron which can have either spin (spin up or spin down) .fermi. the transition is more gradual at finite temperatures and more so at higher temperatures. 4. 2.gif Fig.4 Fermi function at an ambient temperature of 150 K (red curve). While at T =0 K the Fermi function equals a step function. This yields a modified distribution function for donors as given by: . while having two electrons with opposite spin occupy this one level is not allowed since this would leave a negatively charge atom which would have a different energy as the donor energy.fermi.

while the doubly positive state is not allowed since this would require a different energy. This restriction would yield a factor of 2 in front of the exponential term. The neutral acceptor contains two electrons with opposite spin. The Maxwell-Boltzmann distribution function (f28) . the ionized acceptor still contains one electron which can have either spin. In addition.(f25) The main difference is the factor 1/2 in front of the exponential term. one finds that most commonly used semiconductors have a two-fold degenerate valence band. The distribution function for acceptors differs also because of the different possible ways to occupy the acceptor level. The Bose-Einstein distribution function (f27) 6. which causes this factor to increase to 4 yielding: (f26) 5.

ikatannya tidaklah terlalu kuat. berada pada orbit paling luar. Hanya dengan energi yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya. Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi. timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa. Disebut semi atau setengah konduktor. besi. Bahan. An ideal electron gas is discussed in more detail as an example Semikonduktor Prinsip Dasar Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29. Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-). work and particle energy and the meaning of the Fermi energy. transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian dalam membentuk inti yang disebut nucleus.7. . Semiconductor thermodynamics In order to understand the carrier distribution functions one must be familiar with a variety of thermodynamic concepts. sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. the difference between the total energy and heat. These include thermal equilibrium. Karena hanya ada satu elektron dan jaraknya 'jauh' dari nucleus.bahan logam seperti tembaga. karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini. These and other related topics are discussed in the section on semiconductor thermodynamics.

Dapat ditebak. Pasir. Germanium (Ge) dan Galium Arsenida (GaAs). Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada dibumi setelah oksigen (O2). silikon menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam.ikatan atom tembaga Pada suhu kamar. Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur yang atomnya memiliki 4 elektron valensi. kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur . Jika diberi tegangan potensial listrik. semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Phenomena ini yang dinamakan sebagai arus listrik. elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama. Susunan Atom Semikonduktor Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si). dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron ini. elektron tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Namun belakangan. Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8 buah. Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor.

sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. struktur dua dimensi kristal Silikon Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian. Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. . Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas.silikon. Pada suhu yang sangat rendah (0oK). sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron. Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai. bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas. satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron valensi. struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada gambar berikut. sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. Pada suhu kamar. Struktur atom kristal silikon.

Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n. Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan elektron. yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Gallium atau Indium. Dengan doping. bahan dopingnya adalah bahan trivalen yaitu unsur dengan ion yang memiliki 3 elektron pada pita valensi. Untuk mendapatkan silikon tipe-p. doping atom pentavalen Tipe-P Kalau silikon diberi doping Boron. dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole).Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen. Hole . Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. Tipe-N Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Karena ion silikon memiliki 4 elektron. maka akan didapat semikonduktor tipe-p. mereka memang iseng sekali dan jenius. Kenyataanya demikian.

Dioda PN Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan-pakai lem barangkali ya :). kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p. Dengan demikian.Pada pembuatannya memang material tipe P dan tipe N bukan disambung secara harpiah. Namun besar resistansi yang bisa didapat kecil karena terbatas pada volume semikonduktor itu sendiri. semikonduktor memiliki resistansi. melainkan dari satu bahan (monolitic) dengan memberi doping (impurity material) yang berbeda. Cara ini dipakai untuk membuat resistor di dalam sebuah komponen semikonduktor. maka akan didapat sambungan P-N (p-n junction) yang dikenal sebagai dioda.ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron. Sama seperti resistor karbon. . doping atom trivalen Resistansi Semikonduktor tipe-p atau tipe-n jika berdiri sendiri tidak lain adalah sebuah resistor.

base dan kolektor. Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor. Zener. Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N mengisi kekosongan elektron (hole) di sisi P. sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). forward bias Sebaliknya jika diberi tegangan balik (reverse bias).sambungan p-n Jika diberi tegangan maju (forward bias). dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P. LED. . dimana tegangan sisi P lebih besar dari sisi N. Dioda.

transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio. . Dalam beberapa aplikasi. Bias DC Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda. Transistor ini disebut transistor bipolar. transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). bi = 2 dan polar = kutup. namun konsumsi dayanya sangat besar.Base selalu berada di tengah. Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil. karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. untuk mendapatkan kualitas suara yang baik. di antara emitor dan kolektor. Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron. disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar. Transistor npn dan pnp Akan dijelaskan kemudian.

elektron mengalir dari emiter menuju base. karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini. arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif.Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Seperti pada dioda. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik . hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis. aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat tegangan positif. aliran elektron bergerak menuju kutup ini. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor. arus elektron transistor npn Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda. Misalnya tidak ada kolektor. Karena kolektor ini lebih positif. junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reverse bias).

Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah.Pada transistor PNP. elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. Ini yang dinamakan efek penguatan transistor. arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju (forward bias). karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. arus hole transistor pnp Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut.(reverse bias). Dengan kata lain. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off). melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus hole. fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias seperti pada gambar berikut. maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. berikut adalah terminologi .

walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan kolektor. arus potensial IC : arus kolektor IB : arus base IE : arus emitor VC : tegangan kolektor VB : tegangan base VE : tegangan emitor VCC : tegangan pada kolektor VCE : tegangan jepit kolektor-emitor VEE : tegangan pada emitor VBE : tegangan jepit base-emitor ICBO : arus base-kolektor VCB : tegangan jepit kolektor-base Perlu diingat. namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik. penampang transistor bipolar . Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.parameter transistor.

Bila arus dioda ID kita plotkan terhadap tegangan dioda Vab. yaitu mengubah VDD. kemudian base dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. arus yang melalui dioda. yaitu ID. dengan cara memasang dioda seri dengan sebuah catu daya dc dan sebuah resistor. kita peroleh karakteristik statik dioda. DIODA Kita dapat menyelidiki karakteristik statik dioda. emitor dibuat terlebih dahulu. terhadap tegangan VD.Dari satu bahan silikon (monolitic). Terkadang dibuat juga efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah yang dikehendaki. Kurva karakteristik statik dioda merupakan fungsi dari arus ID. beda tegang antara titik a dan b (lihat gambar 1 dan gambar 2) karakteristik statik dioda Karakteristik statik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab) dan arus yang melalui dioda. Dapat diubah dengan dua cara. Bila anoda berada pada .

Titik potong antara karakteristik statik dengan garis beban memberikan harga tegangan dioda VD(q) dan arus dioda ID(q).tegangan lebih tinggi daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan mendapat bias forward. Dari gambar 1. Bila VD negatip disebut bias reserve atau bias mundur. maka harga arus ID dan VD dapat kita tentukan sebagai berikut. VDD = Vab + (I· RL) atau I = -(Vab/RL) + (VDD / RL) Bila hubungan di atas kita lukiskan pada karakteristik statik dioda kita akan mendapatkan garis lurus dengan kemiringan (1/RL). Ini ditunjukkan pada gambar 3. Garis ini disebut garis beban (load line). Bila kita mempunyai karakteristik statik dioda dan kita tahu harga VDD dan RL. IS arus saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage. Pada gambar 2 VC disebut cut-in-voltage. dan memotong sumbu I pada harga (VDD/RL). maka arus ID dan VD akan berubah pula. Bila harga VDD diubah. . Kita lihat bahwa garis beban memotong sumbu V dioda pada harga VDD yaitu bila arus I=0.

Banyaknya elektron bebas pada logam disebabkan karena daya tarik ini atom logam terhadap elektron. Bila VDD<0 dan |VDD| < VPIV maka arus dioda yang mengalir adalah kecil sekali. yaitu arus saturasi IS. terutama pada elektron yang terletak pada kulit terluar dari atom logam (elektron valensi) tidak terlalu kuat dibandingkan yang terjadi pada bahan lainnya. hal ini disebabkan karena logam banyak memiliki elektron bebas yang selalu bergerak setiap saat. Arus ini mempunyai harga kira-kira 1 µA untuk dioda silikon. Emisi Electron Membahas mengenai cara kerja tabung tak akan karena bisa lepas dari Proses Emisi Electron sesungguhnya cara kerja tabung yang paling mendasar ialah proses emisi elektron dan pengendaliannya. Emisi elektron ialah proses pelepasan elektron dari permukaan suatu substansi atau material yang disebabkan karena elektron elektron tersebut mendapat energi dari luar. Dalam realita yang ada proses emisi elektron cenderung terjadi pada logam dibandingkan pada bahan lainnya. Pengenalan vacuum Tube Pada bagian ini penulis bermaksud mengajak para rekan rekan tube mania untuk ngobrol mengenai prinsip kerja dari Tabung. Akan tetapi walaupun daya tarik tesebut tidak .Dengan mengubah harga VDD kita akan mendapatkan garis-garis beban sejajar seperti pada gambar 3. 1.

Pada situasi inilah akan terdapat elektron yang pada ahirnya terlepas keluar melalui permukaan bahan. 4. energi luar yang masuk ke bahan ialah dalam bentuk energi panas. Besarnya energi yang diperlukan oleh sebuah elektron untuk mengatasi daya tarik inti atom sehingga bisa melompat keluar dari permukaan logam.terlalu kuat. Emisi Thermionic Pada emisi jenis ini. Semakin besar panas yang diterima oleh bahan maka akan semakin besar pula kenaikan energi kinetik yang terjadi pada elektron.Fungsi kerja biasanya dinyatakan dalam satuan eV (electron volt). Emisi Thermionic Emisi medan listrik Emisi Sekunder Emisi Fotolistrik (Thermionic emission) (Field emission) (Secondary emission) (Photovoltaic emission) 2. Oleh elektron energi panas ini diubah menjadi energi kinetik. masihlah cukup untuk menahan elektron agar tidak sampai lepas dari atom logam. Agar supaya elektron pada logam bisa melompat keluar melalui permukaan logam. besarnya fungsi kerja adalah berbeda untuk setiap logam. Proses penerimaan energi luar oleh elektron agar bisa beremisi dapat terjadi dengan beberapa cara. bahan yang digunakan sebagai asal ataupun sumber elektron disebut sebagai "emiter" . 2. dan jenis proses penerimaan energi inilah yang membedakan proses emisi elektron yaitu : 1. didefinisikan sebagai Fungsi Kerja (Work Function). sehingga terjadi proses emisi elektron. Pada proses emisi thermionic dan juga pada proses emisi lainnya. dengan semakin besarnya kenaikan energi kinetik dari elektron maka gerakan elektron menjadi semakin cepat dan semakin tidak menentu. 3. maka diperlukanlah sejumlah energi untuk mengatasi daya tarik inti atom terhadap elektron.

Dalam konteks tabung hampa (vacuum tube) anoda lebih sering disebut sebagai "plate". Memiliki fungsi kerja yang rendah. pada katoda jenis ini katoda selain sebagai sumber elektron juga dialiri oleh arus heater (pemanas). Katoda jenis ini tidak dialiri langsung oleh arus heater. disingkat IHC) Pada Figure 2 dapat dilihat struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari DHC.atau lebih sering disebut "katoda" (cathode). Struktur yang disederhanakan dan juga simbol dari IHC dapat dilihat pada Figure 3. dengan fungsi kerja yang rendah maka energi yang dibutuhkan . Pada proses emisi thermionik bahan yang akan digunakan sebagai katoda harus memiliki sifat sifat yang memadai untuk berperan dalam proses yaitu : a. Dalam proses emisi thermionik dikenal dua macam jenis katoda yaitu : a) Katoda panas langsung (Direct Heated Cathode. panas yang dibutuhkan untuk memanasi katoda dihasilkan oleh heater element (elemen pemanas) dan panas ini dialirkan secara konduksi dari heater elemen ke katoda dengan perantaraan insulasi listrik. yaitu bahan yang baik dalam menghantarkan panas tetapi tidak mengalirkan arus listrik. sedangkan bahan yang menerima elektron disebut sebagai anoda. disingkat DHC) b) Katoda panas tak langsung (Indirect Heated Cathode.

yaitu : 3. sehingga agar supaya katoda tidak mengalami deformasi maka bahan dari katoda harus memiliki mechanical strenght yang tinggi. Akan tetapi untuk aplikasi yang umum terutama untuk aplikasi Tabung Audio dimana tegangan kerja dan temperature . Pada proses emisi thermionic katoda harus dipanaskan pada suhu yang cukup tinggi untuk memungkinkan terjadinya lompatan elektron. Memiliki titik lebur (melting point) yang tinggi. sehingga tungsten banyak digunakan untuk aplikasi khas yaitu tabung X-Ray yang bekerja pada tegangan sekitar 5000V dan temperature tinggi. Lompatan ion positif tersebut oleh katoda akan dirasakan sebagai benturan. Tungsten Material ini adalah material yang pertama kali digunakan orang untuk membuat katode. C. dan suhu ini bisa mencapaai 1500 derajat celcius. b. Memiliki ketahanan mekanik (mechanical strenght) yang tinggi Pada saat terjadinya emisi maka terjadi pula lompatan ion positif dari plate menuju ke katoda. Pada aplikasi yang sesungguhnya ada tiga jenis material yang digunakan untuk membuat katoda.untuk menarik elektron menjadi lebih kecil sehingga proses emisi lebih mudah terjadi. Tungsten memiliki dua kelebihan untuk digunakan sebagai katoda yaitu memiliki ketahanan mekanik dan juga titik lebur yang tinggi (sekitar 3400 derajat Celcius).

tidak terlalu tinggi maka tungsten bukan material yang ideal. 5. Thoriated Tungsten Material ini ialah campuran antara tungsten dan thorium.4 eV. Emisi Medan Listrik (Field Emission) Pada emisi jenis ini yang menjadi penyebab lepasnya elektron dari . Sebagai hasil dari pelapisan tersebut maka dihasilkanlah katoda yang memiliki fungsi kerja yang dan temperature kerja optimal rendah yaitu sekitar 750 derajat celsius. 5. hal ini disebabkan karena tungsten memiliki fungsi kerja yang tinggi( 4.63eV. Katoda jenis ini umumnya digunakan untuk aplikasi yang menggunakan tegangan tidak lebih dari 1000 V. yaitu suatu nilai fungsi kerja yang lebih rendah dibandingan dengan fungsi kerja tungsten ataupun thorium dalam keadaan tidak dicampur. Thorium adalah material yang secara individual memiliki fungsi kerja 3. campuran antara thorium dan tungsten memiliki fungsi kerja 2.52 eV) dan juga temperature kerja optimal yang cukup tinggi (sekitar 2200 derajat celcius) 4. Katoda berlapis oksida (Oxide-Coated Cathode) Katoda tipe ini terbuat dari lempengan nickel yang dilapis dengan barium dan oksida strontium. Selain itu hasil pencampuran kedua logam tersebut memiliki temperature kerja optimal yang lebih rendah daripada tungsten yaitu 1700 derajat celcius hal ini berarti besarnya energi yang dibutuhkan untuk pemanasan pada aplikasi pemakaian logam campuran ini juga lebih rendah.

Pada katoda yang digunakan pada proses emisi ini dikenakan medan listrik yang cukup besar sehingga tarikan yang terjadi dari medan listrik pada elektron menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk lompat keluar dari permukaan katoda.bahan ialah adanya gaya tarik medan listrik luar yang diberikan pada bahan. 6. Emisi medan listrik adalah salah satu emisi utama yang terjadi pada vacuum tube selain emisi thermionic. Dukungan proses emisi medan listrik dibutuhkan pada proses emisi sekunder. Pada kenyataannya proses emisi sekunder tidak dapat berlangsung sukses dengan sendirinya untuk melepaskan elektron dari permukaan akan tetapi proses emisi ini masih membutuhkan dukungan dari emisi jenis lainnya secara bersamaan yaitu emisi medan listrik. Emisi Sekunder ( Secondary emission) Pada emisi sekunder ini energi yang menjadi penyebab lepasnya elektron datang dalam bentuk energi mekanik yaitu energi yang diberikan dalam proses tumbukan antara elektron luar yang datang dengan elektron yang ada pada katoda. Pada proses tumbukan terjadi pemindahan sebagian energi kinetik dari elektron yang datang ke elektron yang ada pada katoda sehingga elektron yang ada pada katoda tersebut terpental keluar dari permukaan katoda. karena walaupun elektron sudah terpental keluar dari permukaan katoda akan tetapi energi yang dimiliki oleh elektron ini seringkali tidak cukup untuk .

yang oleh elektron kemudian diubah menjadi energi mekanik sehingga elektron tersebut dapat terlepas dari permukaan katoda. 7. hal ini disebabkan karena energi yang didapat oleh elektron dari foton belum cukup untuk membuat elektron tersebut mampu menjangkau anoda.Dioda .menjangkau anoda sehingga dibutuhkanlah dukungan energi dari proses emisi medan listrik. Emisi Fotolistrik (Photo Electric Emission) Pada emisi fotolistrik energi diberikan ke elektron pada katoda melalui foton yaitu paket paket energi cahaya. Yang dimaksud dengan vacuum tube ialah peralatan elektronik dimana aliran elektron terjadi pada ruang hampa. Sama seperti proses emisi sekunder emisi fotolistrik juga tidak dapat berjalan dengan sempurna tanpa bantuan proses emisi medan listrik.Trioda . Sampai pada bagian ini kita baru saja meyelesaikan obrolan kita mengenai emisi electron dan sekarang obrolan akan kita lanjutkan ke pembahasan mengenai vacuum tube dan cara kerjanya. Ada beberapa jenis vacuum tube yang umum digunakan yaitu .

Dalam hubungan berangsur-linier.Tetroda . jilid 1.Pentoda REFERENSI “Elektronika : teori dasar dan penerapannya”. rapat pencampuran akseptor atau donor dalam semikondktor tetap sampai mencapai hubungan. Terbentuk dg menarik kristal tunggal dari lelehan germanium yang pd saat dimulai proses sudah berisi pencampuran dari satu jenis. hubungan berangsur-tangga atau ii. rapat pencampuran berubah secara linier menurut jarak menjauh dari hubungan. hubungan berangsur-linier Hubungan berangsur-tangga.. 1986” Dioda Hubungan Hubungan p-n Lihat gambar diatas i. Hubungan p-n tanpa catu . Bandung: Penerbit ITB. Pencampuran dengan pemanasan pada temperature tinggi dlm waktu singkat.

Daerah P terdiri dari elektron sbg pembawa minoritas dan daerah n berisi lubang sebagai pembawa minoritas. mereka dinama muatan tidak tercakup. Medan halangan berperan sehingga elektron dari sisi p dan lubang dari sisi n dg mudah melewati hubungan. yang menghasilkan medan listrik lewat hubungan.Lihat gambar atas Elektron berdifusi lewat hubungan ke kiri dan lobang-lobang berdifusi ke kanan. Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu maju (forward biased). Potensial halangan ekivalen VB diberikan oleh Eb=eVB berdasarkan energi halangan tergantung pada lebar daerah tidak tercakup. . lihat gambar bawah. Krn itu gerakan pembawa minoritas membentuk aliran arus. perpindahan elektron dari sisi n ke sisi p memerlukan sejumlah energi yang dinamakan energi halangan (barrier) (Eb). Hubungan akan mengalir arus besar. Diagram pita energi dari hubungan p-n tanpa dicatu. Setelah melewati hubungan mereka bergabung dg membiarkan ion-ion tidak bergerak disekelilingnya tidak ternetralkan. Jumlah energinya sama kalau lobang dari daerah p berpindah ke daerah n. Hubungan p-n yang dicatu Jika + batere dihub ke sisi jenis p dan – batere ke sisi jenis n.5 mikrometer. Tebal daerah kosong sekitar 0. Medan ini melawan gerakan difusi elektron dan lubang lewat hubungan. Karena ada medan halangan lewat hubungan. Medan ini diarahkan dari sisi n ke sisi p dan dinamakan medan halangan.

Akibatnya lebar muatan tidak tercakup berkurang dan halangan berkurang. Hubungan akan mengalir arus kecil. Gaya ini mengakibatkan lubang dan electron bergerak menuju hubungan.7 volt.Jika dibalik +batere ke sisi n dan –batere ke sisi p. Ada dua type rangkaian penyearah dengan menggunakan dioda yaitu penyearah gelombang penuh dan penyearah setengah gelombang yang mana kedua rangkaian tersebut akan diuji pada praktikum . Dikatakan jenis hubungan p-n dicatu balik (reverse biased). PENYEARAH 1. yakni energi halangannya. Penyearah dengan dioda mengikuti sifat dioda yang akan menghantar pada satu arah dengan drop tegangan yang kecil yaitu sebesar 0.gambar samping kiri. Hubungan p-n dicatu maju Gambar lihat samping kanan Tegangan catu maju mengakibatkan gaya pada lubang di sisi jenis p dan pada electron di sisi jenis n. Sifat-sifat diatas cocok untuk penyearahan. Pendahuluan Penggunaan dioda yang paling umum adalah sebagai penyearah . Penyearah adalah suatu rangkaian yang berfungsi untuk mengubah tegangan bolak-balik menjadi tegangan searah.

2 dimana arus dari keluaran rangkaian penyearah selain akan melewati beban juga akan mengisi kapasitor sehingga pada saat tegangan hasil penyearahan mengalami penurunan maka kapasitor akan membuang muatannya kebeban dan tegangan beban akan tertahan sebelum mencapai nol. Hal ini dapat dijelaskan pada gambar berikut: Hasil penyearahan yang tidak ideal akan mengakibatkan adanya ripple seperti terlihat pada gambar diatas dimana tegangan ripple yang dihasilkan dapat ditentukan oleh persamaan berikut : Ripple (peak to peak) = Idc . Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan Untuk mendapatkan suatu tegangan DC yang baik dimana bentuk tegangan hasil penyearahan adalah mendekati garis lurus maka tegangan keluaran dari suatu rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar 1. Penyearah Setengah Gelombang A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 2.1 dihubungkan dengan suatu kapasitor secara paralel terhadap beban seperti pada gambar 1.1. T adalah periode . (T / C) Dimana Idc dalam hal ini adalah tegangan keluaran dibagi dengan R beban.2.

1. Penyearah Kapasitor Setengah Gelombang dengan 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - . A K Dioda silikon 12 VAC 50 Hz + C 10K V V Voltmeter - 3. Penyearah Gelombang Penuh 12 VAC 50 Hz 10K V V Voltmeter 3.tegangan ripple (detik) dan C adalah nilai kapasitor (Farad) yang digunakan.

A K 2. Karakteristik maju dioda Zener + A 100 Ohm + Supply DC Variabel Zener 12V V V - Voltmeter . Pendahuluan Sebagian dioda semikonduktor bila dihubungkan dengan suatu tegangan balik yang cukup akan melakukan suatu arus balik.1 dimana bentuk simbol tersebut menyerupai dioda biasa kecuali garis melintang pada kepala panah yang digunakan untuk menyatakan sudut karakteristik balik.DIODA ZENER 1. Simbol dioda zener adalah seperti pada gambar 2. Pada arah maju dioda zener berperilaku seperti dioda biasa. Hal ini tidak ditunjukkan sebelumnya karena biasanya akan merusak dioda. Akan tetapi dioda Zener justru adalah suatu dioda yang dirancang untuk bisa melakukan arus balik dengan aman dan dengan drop tegangan hanya beberapa volt saja.

konsep elektron. pengaruh temperatur pada semikonduktor 7. . semikonduktor 3. s. dioda dan hubungan-hubungannya 9. hubungan p-n yang dicatu. Karakteristik balik dioda Zener Reverse Current (mA) 60 +10V Zener Current 50 40 I 30 Resistor for zener dioda 20 10 V V 5 10 15 Reverse Voltage (b) 0V (a) (c) Tugas perorangan: Buat resume tentang 1. semi konduktor murni 4. Tolong diketik yang rapi dan menarik dijilid. atom. efek hall. Silahkan ambil dari referensi mana saja dan media apa saja.3. isolator. semikonduktor tidak murni 6. rekombinasi 5. 8. konduktor. 2. pita energi.d.

each capable of carrying a current. The component can thus act as a switch. A transistor consists of three layers of a semiconductor material. Today's computers use circuitry made with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. CMOS uses two complementary transistors per gate (one with N-type material. opening and closing an electronic gate many times per second. It's somewhere between a real conductor such as copper and an insulator (like the plastic wrapped around wires). rapidly replaced the vacuum tube as an electronic signal regulator. A small change in the current or voltage at the inner semiconductor layer (which acts as the control electrode) produces a large. A transistor regulates current or voltage flow and acts as a switch or gate for electronic signals. rapid change in the current passing through the entire component. invented by three scientists at the Bell Laboratories in 1947.Transistor The transistor. The doping results in a material that either adds extra electrons to the material (which is then called N-type for the extra negative charge carriers) or creates "holes" in the material's crystal structure (which is then called P-type because it results in more positive charge carriers). The semiconductor material is given special properties by a chemical process called doping. The transistor's three-layer structure contains an N-type semiconductor layer sandwiched between P-type layers (a PNP configuration) or a Ptype layer between N-type layers (an NPN configuration). A semiconductor is a material such as germanium and silicon that conducts electricity in a "semi-enthusiastic" way. the .

Rangkaian analog melingkupi .other with P-type material). pemotong (switching). stabilisasi tegangan. which consist of very large numbers of transistors interconnected with circuitry and baked into a single silicon microchip or "chip. modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Dalam rangkaian analog. dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET). transistor digunakan dalam amplifier (penguat). transistor memiliki 3 terminal. Pada umumnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik. it requires almost no power." Jenis Transistor Berbagai macam Transistor (Dibandingkan dengan pita ukur centimeter) Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat. Transistors are the basic elements in integrated circuits (ICs). memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. When one transistor is maintaining a logic state.

namun jika sedikit pencemar ditambahkan. transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya. memori. Arsenik akan bebas dan hasilnya memberikan elektron memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Dalam kasus ini. karena . karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate. konduksi arus akan mulai mengalir. Cara Kerja Semikonduktor Pada dasarnya. dengan sebuah proses yang dinamakan doping.pengeras suara. sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya. Sehingga. keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. sumber listrik stabil. dan komponen-komponen lainnya. dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon. namun tidak banyak. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor. Dalam rangkaian-rangkaian digital. tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). seperti Arsenik. Garam dapur sendiri adalah nonkonduktor (isolator). air murni dianggap sebagai isolator. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator. dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen). ion) terbentuk. misalkan sebuah gelas berisi air murni. dan penguat sinyal radio. transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa. karena pembawa muatanya tidak bebas.

Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor. Dalam tabung hampa. asalkan tata-letak kristal Silikon tetap dipertahankan. tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). pembawa muatan positif). populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi. pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. sehingga tanpa adanya gaya yang lain. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipen dibuat dalam satu keping Silikon. pembawapembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n). Dalam sebuah transistor bipolar. Dalam sebuah metal. satu . Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya. pembawa muatan yang baru. Silikon dapat dicampur dengn Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak.pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil. daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. dalam ukuran satu berbanding seratus juta. akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Karena itu. dinamakan "lubang" (hole. Selain dari itu. dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor.

Namun. listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan). dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Sedangkan dalam semikonduktor. dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET). Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan.pembawa muatan untuk setiap atom. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator. jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. yang masing-masing bekerja secara berbeda. oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Cara Kerja Transistor Dari banyak tipe-tipe transistor modern. namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. sedangkan metal tidak. pada awalnya ada dua tipe dasar transistor. bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik. seperti fluida. tegangan ini sangat tinggi. Dengan kata lain. pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Untuk membuat transistor. Dalam metal. yaitu elektron atau lubang. Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan. sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas . untuk merubah metal menjadi isolator. Dalam metal.

Dalam FET. untuk membawa arus listrik. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. tergantung dari tipe FET). arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut. transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori: . untuk merubah ketebalan kanal konduksi tersebut.pembawa muatan: elektron dan lubang. arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone. Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole. Dalam BJT. Jenis-Jenis Transistor Pchannel PNP NPN Nchannel BJT JFET Simbol Transistor dari Berbagai Tipe Secara umum.

terminal gate dalam JFET membentuk sebuah . atau High Frequency. General Purpose. VMOSFET. Berbeda dengan IGFET. IGBT. Microwave. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E). sehingga ada tiga terminal.• • • • • • • Materi semikonduktor: Germanium. JFET. IC. dan lain-lain Aplikasi: Amplifier. kolektor (C). dan lain-lain Polaritas: NPN atau N-channel. HBT. Silikon. dan lain-lain BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. High Power Maximum frekwensi kerja: Low. MESFET. Audio. Through Hole Plastic. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Medium Power. dan basis (B). Surface Mount. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet. RF transistor. HEMT. IGFET (MOSFET). Medium. FET FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau hFE. BJT. Saklar. Tegangan Tinggi. dan lain-lain Tipe: UJT. PNP atau Pchannel Maximum kapasitas daya: Low Power. Gallium Arsenide Kemasan fisik: Through Hole Metal. MISFET.

yang juga membentuk sebuah dioda antara antara grid dan katode. Operational Amplifier Karakteristik Op-Amp . gate adalah positif. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. jika tegangan gate dibuat lebih positif. Untuk kedua mode. aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode. Dan juga. gate adalah negatif dibandingkan dengan source. sedangkan dalam enhancement mode. ini membuat Nchannel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum.dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Untuk P-channel FET. keduanya memiliki impedansi input tinggi. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode". Secara fungsinya. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode. dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode. polaritas-polaritas semua dibalik.

penguat mic. integrator. osilator. Penguat diferensial seperti yang ditunjukkan pada gambar-1 merupakan rangkaian dasar dari sebuah opamp. differensiator. mixer. filter aktif semisal tapis nada bass. Sesuai dengan istilah ini. . komparator dan sederet aplikasi lainnya. konverter sinyal. histeresis pengatur suhu. penguat audio.kalau perlu mendesain sinyal level meter. Hanya dengan menambah beberapa resitor dan potensiometer. Komponen elektronika analog dalam kemasan IC (integrated circuits) ini memang adalah komponen serbaguna dan dipakai pada banyak aplikasi hingga sekarang. dalam sekejap (atau dua kejap) sebuah pre-amp audio kelas B sudah dapat jadi dirangkai di atas sebuah proto-board. dimana tegangan output-nya adalah proporsional terhadap perbedaan tegangan antara kedua inputnya itu. pembangkit sinyal. Penguat diferensial Op-amp dinamakan juga dengan penguat diferensial (differential amplifier). op-amp adalah komponen IC yang memiliki 2 input tegangan dan 1 output tegangan. selalu pilihan yang mudah adalah dengan membolak-balik data komponen yang bernama opamp.

gambar-2 (a) : Diagram blok Op-Amp . yang pertama adalah penguat diferensial. sebab tegangan vout satu phase dengan v1. Titik input v1 dikatakan sebagai input non-iverting. lalu ada tahap penguatan (gain).gambar-1 : penguat diferensial Pada rangkaian yang demikian. Gambar-2(a) berikut menunjukkan diagram dari op-amp yang terdiri dari beberapa bagian tersebut. selanjutnya ada rangkaian penggeser level (level shifter) dan kemudian penguat akhir yang biasanya dibuat dengan penguat push-pull kelas B. Sedangkan sebaliknya titik v2 dikatakan input inverting sebab berlawanan phasa dengan tengangan vout. persamaan pada titik Vout adalah Vout = A(v1-v2) dengan A adalah nilai penguatan dari penguat diferensial ini. Diagram Op-amp Op-amp di dalamnya terdiri dari beberapa bagian.

Umumnya op-amp bekerja dengan dual supply (+Vcc dan –Vee) namun banyak juga op-amp dibuat dengan single supply (Vcc – ground). .gambar-2 (b) : Diagram schematic simbol Op-Amp Simbol op-amp adalah seperti pada gambar-2(b) dengan 2 input. Misalnya dikenal MC1741 dari motorola. Rout adalah resistansi output dan besar resistansi idealnya 0 (nol). Sedangkan AOL adalah nilai penguatan open loop dan nilai idealnya tak terhingga. SN741 dari Texas Instrument dan lain sebagainya. karakteristik satu op-amp dapat berbeda dengan opamp lain. LM741 buatan National Semiconductor. tiap pabrikan mengeluarkan seri IC dengan insial atau nama yang berbeda. Rin adalah resitansi input yang nilai idealnya infinit (tak terhingga). Op-amp standard type 741 dalam kemasan IC DIP 8 pin sudah dibuat sejak tahun 1960-an. Simbol rangkaian di dalam op-amp pada gambar-2(b) adalah parameter umum dari sebuah op-amp. non-inverting (+) dan input inverting (-). Tabel-1 menunjukkan beberapa parameter op-amp yang penting beserta nilai idealnya dan juga contoh real dari parameter LM714. Tergantung dari teknologi pembuatan dan desain IC-nya. Untuk tipe yang sama. Saat ini banyak terdapat tipe-tipe op-amp dengan karakterisktik yang spesifik.

Input diferensial yang amat kecil saja sudah dapat membuat outputnya menjadi saturasi.000 kali. Unity-gain frequency Op-amp ideal mestinya bisa bekerja pada frekuensi berapa saja mulai dari sinyal dc sampai frekuensi giga Herzt. Namun pada prakteknya opamp semisal LM741 memiliki penguatan yang terhingga kira-kira 100. Op-amp LM741 misalnya memiliki unity-gain frequency sebesar 1 MHz. Response penguatan op-amp menurun seiring dengan menaiknya frekuenci sinyal input. sistem penguatan opamp menjadi tidak stabil. Parameter unity-gain frequency menjadi penting jika op-amp digunakan untuk aplikasi dengan frekuensi tertentu.tabel-1 : parameter op-amp yang penting Penguatan Open-loop Op-amp idealnya memiliki penguatan open-loop (AOL) yang tak terhingga. Parameter AOL biasanya adalah penguatan op-amp pada sinyal DC. Sebenarnya dengan penguatan yang sebesar ini. Jika perlu merancang . Pada bab berikutnya akan dibahas bagaimana umpan balik bisa membuat sistem penguatan op-amp menjadi stabil. Ini berarti penguatan op-amp akan menjadi 1 kali pada frekuensi 1 MHz.

maka outputnya juga kotak.5 volt dalam waktu 1 us. Kalau . Sebagai contoh praktis. Parameter CMRR diartikan sebagai kemampuan op-amp untuk menekan penguatan tegangan ini (common mode) sekecilkecilnya.5V/us. maka artinya perbandingannya kira-kira hanya 30 kali. Ini berarti perubahan output op-amp LM741 tidak bisa lebih cepat dari 0. Parameter CMRR Ada satu parameter yang dinamakan CMRR (Commom Mode Rejection Ratio). op-amp LM741 memiliki slew-rate sebesar 0. Parameter ini cukup penting untuk menunjukkan kinerja op-amp tersebut.aplikasi pada frekeunsi tinggi. Karena ketidak-idealan op-amp. Tetapi karena ketidak idealan op-amp. maka sinyal output dapat berbentuk ekponensial. maka pilihlah op-amp yang memiliki unity-gain frequency lebih tinggi. ini artinya penguatan ADM (differential mode) adalah kira-kira 30.000 kali dibandingkan penguatan ACM (commom mode). maka tegangan persamaan dari kedua input ini ikut juga dikuatkan. Namun kapasitor ini menimbulkan kerugian yang menyebabkan response op-amp terhadap sinyal input menjadi lambat. Sehingga jika input berupa sinyal kotak. Contohnya op-amp dengan CMRR = 90 dB. CMRR didefenisikan dengan rumus CMRR = ADM/ACM yang dinyatakan dengan satuan dB. Op-amp dasarnya adalah penguat diferensial dan mestinya tegangan input yang dikuatkan hanyalah selisih tegangan antara input v1 (non-inverting) dengan input v2 (inverting). Kalau CMRR-nya 30 dB. Op-amp ideal memiliki parameter slew-rate yang tak terhingga. Slew rate Di dalam op-amp kadang ditambahkan beberapa kapasitor untuk kompensasi dan mereduksi noise.

current limmiter. Jika kedua pin input dihubung singkat dan diberi tegangan.05 volt dan tegangan persamaan-nya (common mode) adalah 5 volt. Di pasaran ada banyak tipe op-amp. Pembaca dapat mengerti dengan CMRR yang makin besar maka op-amp diharapkan akan dapat menekan penguatan sinyal yang tidak diinginkan (common mode) sekecil-kecilnya. ya ada di datasheet. Saat ini banyak op-amp yang dilengkapi dengan kemampuan seperti current sensing. op-amp dengan CMRR yang semakin besar akan semakin baik. non-inverter. Ada juga op-amp untuk aplikasi khusus seperti aplikasi frekuesi tinggi. Analisa Rangkaian Op-Amp Popular Operational Amplifier atau di singkat op-amp merupakan salah satu komponen analog yang popular digunakan dalam berbagai aplikasi rangkaian elektronika. high power output dan lain sebagainya.05 volt dan tegangan v2 = 5 volt. Contoh lain misalnya TL072 dan keluarganya sering digunakan untuk penguat audio. Cara yang paling baik pada saat mendesain aplikasi dengan op-amp adalah dengan melihat dulu karakteristik opamp tersebut. integrator dan differensiator. LM714 termasuk jenis op-amp yang sering digunakan dan banyak dijumpai dipasaran. Dengan kata lain.diaplikasikan secara real. maka output op-amp mestinya nol. maka dalam hal ini tegangan diferensialnya (differential mode) = 0. Tipe lain seperti LM139/239/339 adalah opamp yang sering dipakai sebagai komparator. rangkaian kompensasi temperatur dan lainnya. misalkan tegangan input v1 = 5. Data karakteristik op-amp yang lengkap. dimana rangkaian feedback . Pada pokok bahasan kali ini akan dipaparkan beberapa aplikasi opamp yang paling dasar. Aplikasi op-amp popular yang paling sering dibuat antara lain adalah rangkaian inverter. open colector output.

adalah nol (v+ . Impedasi input op-amp ideal mestinya adalah tak terhingga. memiliki karakteristik tipikal open loop gain sebesar 104 ~ 105. sehingga op-amp dapat dirangkai menjadi aplikasi dengan nilai penguatan yang terukur (finite). Seperti misalnya op-amp LM741 yang sering digunakan oleh banyak praktisi elektronika. sehingga mestinya arus input pada tiap masukannya adalah 0.= 0 atau v+ = v. yaitu : Aturan 1 : Perbedaan tegangan antara input v+ dan v. Op-amp ideal Op-amp pada dasarnya adalah sebuah differential amplifier (penguat diferensial) yang memiliki dua masukan. Aturan ini dalam beberapa literatur dinamakan golden rule. Op-amp ideal memiliki open loop gain (penguatan loop terbuka) yang tak terhingga besarnya. Nilai impedansi ini masih relatif sangat besar sehingga arus input op-amp LM741 mestinya sangat kecil. . Penguatan yang sebesar ini membuat opamp menjadi tidak stabil.v.(umpan balik) negatif memegang peranan penting. op-amp LM741 memiliki impedansi input Zin = 106 Ohm. Ada dua aturan penting dalam melakukan analisa rangkaian op-amp berdasarkan karakteristik op-amp ideal. Disinilah peran rangkaian negative feedback (umpanbalik negatif) diperlukan. dan penguatannya menjadi tidak terukur (infinite). Input (masukan) op-amp seperti yang telah dimaklumi ada yang dinamakan input inverting dan non-inverting. Sebagai perbandingan praktis. Secara umum. umpanbalik positif akan menghasilkan osilasi sedangkan umpanbalik negatif menghasilkan penguatan yang dapat terukur.) Aturan 2 : Arus pada input Op-amp adalah nol (i+ = i= 0) Inilah dua aturan penting op-amp ideal yang digunakan untuk menganalisa rangkaian op-amp.

maka akan dipenuhi v.= vout. input opamp v. Seperti tersirat pada namanya. iin + iout = vin/R1 + vout/R2 = 0 Selanjutnya vout/R2 = . atau vout/vin = .. Dengan mengingat dan menimbang aturan 1 (lihat aturan 1)..= v+ = 0.pada rangkaian ini dinamakan virtual ground. karena menurut aturan 2. dimana sinyal masukannya dibuat melalui input inverting.= vin dan tegangan jepit pada reistor R2 adalah vout – v. dapat dihitung tegangan jepit pada R1 adalah vin – v. Pada rangkaian . Kemudian dengan menggunakan aturan 2.= 0. gambar 1 : penguat inverter Input non-inverting pada rangkaian ini dihubungkan ke ground.. Dengan fakta ini.Inverting amplifier Rangkaian dasar penguat inverting adalah seperti yang ditunjukkan pada gambar 1. umpanbalik negatif di bangun melalui resistor R2.R2/R1 . arus masukan op-amp adalah 0. pembaca tentu sudah menduga bahwa fase keluaran dari penguat inverting ini akan selalu berbalikan dengan inputnya. Karena nilainya = 0 namun tidak terhubung langsung ke ground. atau v+ = 0. di ketahui bahwa : iin + iout = i.

Karena input inverting (-) pada rangkaian ini diketahui adalah 0 (virtual ground) maka impendasi rangkaian ini tentu saja adalah Zin = R1. caranya sama seperti menganalisa rangkaian inverting. Dengan demikian tegangan keluaran rangkaian ini akan satu fasa dengan tegangan inputnya. gambar 2 : penguat non-inverter .Jika penguatan G didefenisikan sebagai perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan. maka dapat ditulis …(1) Impedansi rangkaian inverting didefenisikan sebagai impedansi input dari sinyal masukan terhadap ground. Seperti namanya. Untuk menganalisa rangkaian penguat op-amp non inverting. penguat ini memiliki masukan yang dibuat melalui input non-inverting. Non-Inverting amplifier Prinsip utama rangkaian penguat non-inverting adalah seperti yang diperlihatkan pada gambar 2 berikut ini.

maka diperoleh iout = iR1 dan Jika ditulis dengan tegangan jepit masing-masing maka diperoleh (vout – vin)/R2 = vin/R1 yang kemudian dapat disederhanakan menjadi : vout = vin (1 + R2/R1) Jika penguatan G adalah perbandingan tegangan keluaran terhadap tegangan masukan..= vin . Lalu tegangan jepit pada R1 adalah v.. Integrator Opamp bisa juga digunakan untuk membuat rangkaian-rangkaian dengan respons frekuensi. Rangkaian dasar sebuah integrator adalah rangkaian op-amp inverting. yang berarti arus iR1 = vin/R1. hanya . antara lain : vin = v+ v+ = v.= vin. Salah satu contohnya adalah rangkaian integrator seperti yang ditunjukkan pada gambar 3.Dengan menggunakan aturan 1 dan aturan 2. maka didapat penguatan op-amp non-inverting : … (2) Impendasi untuk rangkaian Op-amp non inverting adalah impedansi dari input non-inverting op-amp tersebut.. Dari sini ketahui tegangan jepit pada R2 adalah vout – v.. LM741 diketahui memiliki impedansi input Zin = 108 to 1012 Ohm. misalnya rangkaian penapis (filter). lihat aturan 1. Hukum kirchkof pada titik input inverting merupakan fakta yang mengatakan bahwa : iout + i(-) = iR1 Aturan 2 mengatakan bahwa i(-) = 0 dan jika disubsitusi ke rumus yang sebelumnya. Dari datasheet. atau iout = (vout-vin)/R2.= vout – vin. kita uraikan dulu beberapa fakta yang ada.

akan diperoleh persamaan : iin = iout = vin/R = -C dvout/dt. Aplikasi yang paling populer menggunakan rangkaian integrator adalah rangkaian pembangkit sinyal segitiga dari inputnya yang berupa sinyal kotak. Prinsipnya sama dengan menganalisa rangkaian opamp inverting. bukan gambar 3 : integrator Mari kita coba menganalisa rangkaian ini.saja rangkaian umpanbaliknya (feedback) resistor melainkan menggunakan capasitor C. Dengan menggunakan 2 aturan opamp (golden rule) maka pada titik inverting akan didapat hubungan matematis : iin = (vin – v-)/R = vin/R .= 0 iin = iout .. dimana v. (aturan 2) Maka jika disubtisusi. karena secara matematis tegangan keluaran rangkaian ini merupakan fungsi integral dari tegangan input.(3) Dari sinilah nama rangkaian ini diambil. v.. . Sesuai dengan nama penemunya.= 0 (aturan1) iout = -C d(vout – v-)/dt = -C dvout/dt. atau dengan kata lain . rangkaian yang demikian dinamakan juga rangkaian Miller Integral.

R2/R1. Nilai resistor feedback sebesar 10R akan selalu menjamin . Terlihat dari rumus tersebut secara matematis.Dengan analisa rangkaian integral serta notasi Fourier. penguatan akan semakin kecil (meredam) jika frekuensi sinyal input semakin besar. Ketika inputnya berupa sinyal dc (frekuensi = 0). yaitu dengan mengingat rumus dasar penguatan opamp inverting G = . Pada rangkaian integrator (gambar 3) tersebut diketahui Dengan demikian dapat diperoleh penguatan integrator tersebut seperti persamaan (5) atau agar terlihat respons frekuensinya dapat juga ditulis dengan …(6) Karena respons frekuensinya yang demikian. dimana f = 1/t dan …(4) penguatan integrator disederhanakan dengan rumus tersebut dapat …(5) Sebenarnya rumus ini dapat diperoleh dengan cara lain. rangkaian feedback integrator mesti diparalel dengan sebuah resistor dengan nilai misalnya 10 kali nilai R atau satu besaran tertentu yang diinginkan. Jika tanpa resistor feedback seketika itu juga outputnya akan saturasi sebab rangkaian umpanbalik op-amp menjadi open loop (penguatan open loop opamp ideal tidak berhingga atau sangat besar). kapasitor akan berupa saklar terbuka. Pada prakteknya. rangkain integrator ini merupakan dasar dari low pass filter.

Contoh praktis dari hubungan matematis ini adalah jika tegangan input berupa sinyal segitiga. Differensiator Kalau komponen C pada rangkaian penguat inverting di tempatkan di depan. akan diperoleh persamaan penguatannya : …(7) Rumus ini secara matematis menunjukkan bahwa tegangan keluaran vout pada rangkaian ini adalah differensiasi dari tegangan input vin. gambar 4 : differensiator Bentuk rangkain differensiator adalah mirip dengan rangkaian inverting. Sehingga jika berangkat dari rumus penguat inverting dan pada rangkaian differensiator diketahui : G = -R2/R1 . maka outputnya akan mengahasilkan sinyal kotak. Dengan analisa yang sama seperti rangkaian integrator.output offset voltage (offset tegangan keluaran) sebesar 10x sampai pada suatu frekuensi cutoff tertentu. maka akan diperoleh rangkaian differensiator seperti pada gambar 4.

dimana besar penguatan berbanding lurus dengan frekuensi. Umumnya ketidak ideal-an opamp dan bagaimana cara mengatasinya diterangkan pada datasheet opamp dan hal ini spesifik untuk masing-masing pabrikan. nilainya sama dengan sepersejuta meter (10-6 m). rangkain ini dibuat dengan penguatan dc sebesar 1 (unity gain). Sedang nano (n) menunjukkan nilai seper satu milyar (10-9). Pada prakteknya ada beberapa hal yang mesti diperhatikan dan ditambahkan pada rangkaian opamp. Biasanya kapasitor diseri dengan sebuah resistor yang nilainya sama dengan R. sistem seperti ini akan menguatkan noise yang umumnya berfrekuensi tinggi. Orde mikro adalah 1000 kali lebih besar dibandingkan orde nano. Satu mikrometer (1mm) misalnya.maka jika besaran ini disubtitusikan akan didapat rumus penguat differensiator …(8) Dari hubungan ini terlihat sistem akan meloloskan frekuensi tinggi (high pass filter). Dengan cara ini akan diperoleh penguatan 1 (unity gain) pada nilai frekuensi cutoff tertentu. Arus offset (offset current) dan lain sebagainya. atau . Tegangan Ofset (Offset voltage). Namun demikian. Arus Bias (Bias Current). Antara lain. Untuk praktisnya. Satu nano gram (1 ng) nilainya sama dengan seper satu milyar gram (10-9 g). Penutup Uraian diatas adalah rumusan untuk penguatan opamp ideal. Dari Mikro ke Nano Orde mikro (m) dalam satuan menunjukkan nilai sepersejuta (10-6).

Konsep ini secara fundamental mengubah prinsip kontinuitas energi menjadi konsep diskrit yang benar-benar mengubah fikiran yang sudah berjalan lebih dari satu abad. Penemuan bahan semikonduktor kemudian disusul dengan penemuan komponen elektronik yang disebut transistor. Heisenberg dan lain-lain. transistor tidak hanya mengubah secara mencolok berbagai aspek kehidupan moderen. kemudian dilanjutkan oleh ilmuwan seperti Niels Bohr. Kemajuan riset dalam bidang fisika telah mengantarkan para fisikawan dapat meneliti dan mempelajari berbagai sifat kelistrikan zat padat. Max Born. Gottingen. Seitz dan fisika semikonduktor oleh J. Dalam perjalanan berikutnya.sebaliknya orde nano adalah seperseribu dari orde mikro. hal ini berarti bahwa komponenkomponen elektronik yang digunakan berode nano atau setingkat molekuler. Berarti pula seribu kali lebih kecil dibandingkan ukuran komponen yang ada dalam mikrochip saat ini. Jika teknologi elektronika kini mulai bergeser dari mikroelektronika ke nanoelektronika. Sisi lain yang tak kalah mengejutkan sebagai akibat lahirnya konsep kuantum in adalah lahirnya fisika zat padat oleh F. Schrodinger. tetapi transistor . Kalau dalam dunia elektronika kita mengenal komponen yang disebut mikrochip. bagian terkecil dari suatu materi. W. Konsep baru tersebut adalah kuantum mekanika atau kuantum fisika yang semula dipelopori oleh Max Planck dan Albert Einstein. Goudsmith. Sockley di Inggris dan Love di Rusia pada tahun 1940. Samuel A.B. dan Kopenhagen. Bardeen di Amerika Serikat. lahir konsep baru di beberapa pusat penelitian fisika di Heidelberg. Dari penelitian ini telah ditemukan bahan semikonduktor yang mempunyai sifat listrik antara konduktor dan isolator. Sekitar tahun 1920-an. berarti di dalam chip elektronik itu terdapat ribuan bahkan jutaan komponen renik berorde mikro.

insinyur di dua perusahaan elektronik. Komputer ini berukuran sangat besar. Komputer yang dibuat oleh J. Serba Kecil Berbagai produk monumental dari perkembangan teknologi elektronika hadir di sekeliling kita. Kilby (Texas Instrument) dan Robert Noyce (Fairchild) telah memperkenalkan ide rangkaian terpadu monolitik yang dikenal dengan nama IC (integrated circuit). Pada tahun 1958. sebesar salah satu kamar di rumah kita. Presper Eckert dan John W. Mauchly itu diberi nama ABC (Atonosoff-Berry Computer) yang diperkenalkan pada tahun 1942. Transistor dapat dihubungkan pada rangkaian elektronik sebagai komponen terpisah atau dalam bentuk terpadu pada suatu chip. Dapat kita sebut disini sebagai contoh adalah munculnya komputer dan telepon seluler (ponsel). Komputer elektronik generasi pertama yang diberi nama ENIAC (Electronic Numerical Integrator And Computer) dikembangkan pada zaman Perang Dunia Kedua dan dipakai untuk menghitung tabel lintasan . tetapi juga menampilkan produk itu dalam bentuk dan ukuran yang makin lama makin kecil dengan kemampuan kerja yang lebih tinggi. Kemajuan dalam bidang mikroelektronika ini tidak terlepas dari penemuan bahan semikonduktor maupun transistor. memori dan sistim angka biner. Namun teknologi mikroelektronika bukan sekedar menghadirkan produk. Bentuk dini komputer moderen telah menggunakan elektronika pada rangkaian-rangkaian logika. yang semula hanya bisa ditempati oleh sebuah transistor saja. karena di dalamnya menggunakan 18 ribu tabung hampa.tergolong salah satu dari beberapa penemuan moderen yang memajukan teknologi dengan biaya rendah. Komputer digital berkecepatan tinggi bisa terwujud berkat penggunaan transistor dalam IC yang merupakan kumpulan jutaan transistor renik yang menempati ruangan sangat kecik.

peluru dalam kegiatan militer. Sebelumnya juga telah diluncurkan IBM 701 pada tahun 1953 dan IBM 650 pada tahun 1954. yang kemudian disusul dengan penggunaan large scale integration (LSI). antara lain : • • • • • • Transistor lebih sederhana sehingga dapat diproduksi dengan biaya lebih rendah. Ukuran transistor jauh lebih kecil dibandingkan tabung hampa. Munculnya rangkaian terpadu atau integrated circuit (IC) ternyata telah menggusur dan mengakhiri riwayat keberadaan transistor. Komputer elektronik generasi berikutnya dikembangkan dengan . Pada tahun 1971. komputer mikro pertama yang menggunakan mikroprosesor Intel 8080. Komputer generasi ketiga adalah sistim 360 yang juga diluncurkan oleh IBM. Pergeseran penting dalam elektronika telah terjadi pada akhir tahun 1940an. Transistor mempunyai daya tahan yang tinggi tehadap goncangan dan getaran. Fungsi tabung-tabung elektronik saat itu mulai digantikan oleh transistor yang dibuat dari bahan semikonduktor. Dalam komputer ini telah menggunakan IC. meluncurkan ALTAIR. dan selanjutnya very large scale integration (VLSI). Transistor mengkonsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan tabung hampa. Penggunaan transistor yang mulai mencuat ke permukaan pada tahun '70-an ternyata memiliki beberapa kelebihan dibandingkan tabung hampa elektronik. Daya tahan transistor lebih lama dan dapat mencapai beberapa dasawarsa. Komputer generasi kedua yang telah menggunakan transistor adalah IBM 1401 yang diluncurkan oleh IBM pada tahun 1959. Transistor dapat dioperasikan dalam keadaan dingin sehingga tidak perlu waktu untuk pemanasan. MITS Inc.

Pengaruh kemajuan dalam teknologi elektronika ini demikian pesatnya mengubah wajah teknologi dalam bidang telekomunikasi dan automatisasi.menggunakan mikroprosesor yang makin renik sehingga secara fisik tampil dengan ukuran yang lebih kecil. meramalkan bahwa mikroelektronika akan segera digantikan oleh nanoelektronika atau . Sebagai anak kandung jagad mikroelektronika. sehingga teknologi semacam ini disebut HighTechnology. Beralih ke Nanoteknologi Perkembangan teknologi telah mengantarkan elektronika beralih dari orde mikro ke nano. Kini ponsel dengan berbagai fasilitas di dalamnya bisa masuk ke dalam genggaman tangan. Rohrer. Mengecilnya ponsel juga didukung oleh kemampuan para ahli dalam mengintegrasikan berbagai komponen baru yang ukurannya lebih kecil seperti mikrochip. kehadiran ponsel selalu mengikuti perkembangan teknologi mikroelektronika sehingga dapat tampil semakin mungil dan lebih multi fungsi dibandingkan generasi sebelumnya. kita juga bisa menyaksikan produk elektronik berupa ponsel yang proses miniaturisasinya seakan tak pernah berhenti. Selain pada komputer. dan semakin banyak fungsi yang dapat dijalankannya. Kemajuan dalam kedua bidang tersebut menyebabkan kontribusi sain ke dalam teknologi yang sangat besar. namun dengan kecepatan kerja yang jauh lebih tinggi. yang kemampuannya selalu meningkat seiring dengan perjalanan waktu. Dr. penemu tunneling electron microscope dan pemenang hadiah Nobel bidang fisika tahun 1986. Pada awal tahun '90-an. baik dalam aspek disain produknya maupun dalam aspek teknologi mikroelektronikanya. hampir mencapai 50 % dalam proses. yang berarti komponen elektronika kelak dapat dibuat dalam ukuran seribu kali lebih kecil dibandingkan generasi mikroelektronika sebelumnya.

telah melihat kemungkinan penggunaan materi seukuran molekul untuk membuat komponen elektronika di masa depan. suatu bidang baru teknologi miniatur. Suatu terobosan besar akan terjadi bila para pakar dapat mewujudkan hal tersebut untuk membuat nanokomputer. Molekul-molekul akan dihimpun sehingga membentuk komponen elektronika yang mampu menjalankan tugas tertentu. Ukuran transistor di masa mendatang akan menjadi sangat kecil berskala atom yang disebut quantum dot. mengemukakan tentang peluang pengembangan nanoteknologi di masa mendatang. Drexler melihat bahwa makhluk hidup merupakan bukti adanya nanoteknologi. K.quantum dot. Teknologi ini didasarkan pada kemampuan membuat perangkat elektronika dengan ketelitian setingkat ukuran atom. Dexler menguraikan kemungkinan pembuatan alat seukuran molekul yang proses kerjanya menyerupai molekul dari protein yang menjalankan fungsinya di dalam tubuh manusia. Dengan komponen seukuran molekul. Petel (president UCLA) meramalkan bahwa teknologi photonik akan menggantikan mikroelektronika di awal abad 21 ini. Dengan beralih ke nanoteknologi ini. nanokomputer dapat . Suatu ketika di bulam Mei 1988. ukuran sirkuit-sirkuit elektronika bisa jadi akan lebih kecil dibandingkan garis tengah potongan rambut atau bahkan seukuran dengan diameter sel darah manusia. tentu saja bidang yang paling banyak dipengaruhi adalah dalam disain komputer. Eric Drexler. Sedang prof. Dalam teknologi ini. dalam acara konferensi pengembangan antariksa di Pittsburg. Feyman pada akhir tahun 1959 juga telah meramalkan akan hadirnya teknologi ini pada abad 21. Drexler juga meramalkan bahwa zaman nanoteknologi akan dimulai memasuki awal milenium tiga ini. Amerika Serikat. pakar komputer dari Universitas Stanford. Para perintis nanoteknologi.

telah berhasil melakukan percobaan membuat komponen semikonduktor dengan bahan-bahan biologis. Mesin-mesin elektronik yang dinamai juga kuantum elektronik akan memiliki kemampuan mengolah pulsa yang jauh lebih besar. Teknologi ini juga akan membawa dunia kepada ciri-ciri baru dalam perangkat teknologinya. Penelitian yang kini sedang dilakukan oleh para pakar adalah mengembangkan metode penggantian dengan materi protein terhadap molekul. kecepatan kerjanya tinggi. AS. Kuantum teknologi ini akan mampu menerobos keterbatasan dan kejenuhan mikroelektronika yang ada saat ini.masuk ke dalam kotak seukuran satu mikrometer. Jika komputer tersebut telah memasuki pasar. berkerapatan tinggi. Komputer ini mampu bekerja ratusan ribu kali lebih cepat dibandingkan mikrokomputer elektronik yang ada saat ini. hemat dalam konsumsi energi dan ramah lingkungan. memiliki kontrol yang serba automatik. yaitu : berukuran sangat kecil. bermulti fungsi. profesor rekayasa biomedik dari Universitas North Caroline. Jacob Hanker. Teknologi baru ini bakal segera mengubah sistim jaringan telekomunikasi di awal milenium tiga ini. maka komputer generasi pendahulu yang masih menggunakan teknologi mikroelektronika bakal tersingkir. . Perusahaan komputer IBM saat ini sedang merancang komputer dengan teknologi kuantum yang disebut kuantum komputer. alat memori dan struktur lain yang kini ada di dalam komputer.

prinsip dasar kapasitor Kapasitansi Kapasitansi didefenisikan sebagai kemampuan dari suatu kapasitor untuk dapat menampung muatan elektron. karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-konduktif. Kemudian Michael . Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik.25 x 1018 elektron. Muatan positif tidak dapat mengalir menuju ujung kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif tidak bisa menuju ke ujung kutup positif. Coulombs pada abad 18 menghitung bahwa 1 coulomb = 6. Muatan elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujungujung kakinya. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum. gelas dan lain-lain. Di alam bebas. keramik. phenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya muatan-muatan positif dan negatif di awan. maka muatan-muatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat yang sama muatan-muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi. Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu bahan dielektrik.Kapasitor Prinsip dasar dan spesifikasi elektriknya Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan listrik.

Faraday membuat postulat bahwa sebuah kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika dengan tegangan 1 volt dapat memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs.(2) Berikut adalah tabel contoh konstanta (k) dari beberapa bahan dielektrik yang disederhanakan. Misalnya 0.1nF sama dengan 100pF..(1) Q = muatan elektron dalam C (coulombs) C = nilai kapasitansi dalam F (farads) V = besar tegangan dalam V (volt) Dalam praktek pembuatan kapasitor. Konversi satuan penting diketahui untuk memudahkan membaca besaran sebuah kapasitor. jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik) dan konstanta (k) bahan dielektrik.. Umumnya kapasitor yang ada di pasar memiliki satuan uF (10-6 F).047uF dapat juga dibaca sebagai 47nF. . kapasitansi dihitung dengan mengetahui luas area plat metal (A). satuan farads adalah sangat besar sekali. Dengan rumus dapat ditulis : Q = CV …………….1000 k=8 k=3 Untuk rangkain elektronik praktis.85 x 10-12) (k A/t) . Dengan rumusan dapat ditulis sebagai berikut : C = (8. Udara vakum Aluminium oksida Keramik Gelas Polyethylene k=1 k=8 k = 100 . atau contoh lain 0. nF (10-9 F) dan pF (10-12 F).

MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film. metalized paper dan lainnya. titanium. Untuk lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian. tergantung dari bahan dielektriknya. aluminium. Kapasitor Electrolytic Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. yaitu kapasitor electrostatic. adalah karena proses pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutup positif anoda dan kutup negatif katoda. Telah lama diketahui beberapa metal seperti tantalum. Tersedia dari besaran pF sampai beberapa uF. magnesium. electrolytic dan electrochemical. Termasuk kelompok bahan dielektrik film adalah bahan-bahan material seperti polyester (polyethylene terephthalate atau dikenal dengan sebutan mylar).di badannya. Mylar. polyprophylene. Umumnya kapasitor kelompok ini adalah non-polar. niobium. Keramik dan mika adalah bahan yang popular serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil. Kapasitor Electrostatic Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan dielektrik dari keramik.Tipe Kapasitor Kapasitor terdiri dari beberapa tipe. film dan mika. zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga membentuk lapisan metal-oksida . polycarbonate. yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi. MKM. polystyrene. Mengapa kapasitor ini dapat memiliki polaritas. Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan .

sehingga dengan demikian dapat dibuat kapasitor yang kapasitansinya cukup besar. Lapisan oksidasi ini terbentuk melalui proses elektrolisa. maka akan terbentuk pada lapisan Aluminium-oksida (Al2O3) permukaannya. Sehingga dengan cara itu . Karena alasan ekonomis dan praktis. seperti pada proses penyepuhan emas. lapisan-metal-oksida dan electrolyte(katoda) membentuk kapasitor. umumnya bahan metal yang banyak digunakan adalah aluminium dan tantalum. Dari rumus (2) diketahui besar kapasitansi berbanding terbalik dengan tebal dielektrik. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis. Bahan yang paling banyak dan murah adalah Aluminium. Elektroda metal yang dicelup kedalam larutan electrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan positif (anoda) dan larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). Dalam hal ini lapisan-metaloksida sebagai dielektrik. Untuk mendapatkan permukaan yang luas.(oxide film). jika digunakan Aluminium. Kapasitor Elco Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda). Contohnya. Oksigen pada larutan electrolyte terlepas dan mengoksidai permukaan plat metal. bahan plat Aluminium ini biasanya digulung radial.

dapat diperoleh kapasitor yang kapasitansinya besar. 4700uF dan lain-lain. karena memiliki kapasitansi yang besar dan arus bocor (leakage current) yang sangat kecil. Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa memiliki kapasitansi yang besar namun menjadi lebih ramping dan mungil. melainkan bahan lain yaitu manganese-dioksida. Membaca Kapasitansi Pada kapasitor yang berukuran besar. Bahan electrolyte pada kapasitor Tantalum ada yang cair tetapi ada juga yang padat. tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit yang menjadi elektroda negatif-nya. Disebut electrolyte padat. Selain itu karena seluruhnya padat. maka waktu kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Sebagai contoh 100uF. Tipe kapasitor jenis ini juga masih dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan ringan. yang sering juga disebut kapasitor elco. kapasitor . Kapasitor Electrochemical Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. Misalnya pada kapasitor elco dengan jelas tertulis kapasitansinya sebesar 22uF/25v. nilai kapasitansi umumnya ditulis dengan angka yang jelas. Sebagai contoh. Kapasitor tipe ini juga memiliki arus bocor yang sangat kecil Jadi dapat dipahami mengapa kapasitor Tantalum menjadi relatif mahal. 470uF. Pada kenyataanya batere dan accu adalah kapasitor yang sangat baik. Termasuk kapasitor jenis ini adalah batere dan accu. Jika hanya ada dua angka satuannya adalah pF (pico farads). Kapasitor yang ukuran fisiknya mungil dan kecil biasanya hanya bertuliskan 2 (dua) atau 3 (tiga) angka saja. misalnya untuk applikasi mobil elektrik dan telepon selular. Lengkap dengan nilai tegangan maksimum dan polaritasnya.

2 nF.000pF atau = 100nF. sedangkan angka ke-3 adalah faktor pengali. maka tegangan yang bisa diberikan tidak boleh melebihi 25 volt dc.000. Jika ada 3 digit. Pabrikan pembuat kapasitor umumnya membuat kapasitor yang mengacu pada standar popular. maka kapasitansi kapasitor tersebut adalah 47 pF. 3 = 1. . Berikut ini adalah beberapa spesifikasi penting tersebut. artinya kapasitansi kapasitor tersebut adalah 22 x 100 = 2200 pF = 2. Temperatur Kerja Kapasitor masih memenuhi spesifikasinya jika bekerja pada suhu yang sesuai. Tegangan Kerja (working voltage) Tegangan kerja adalah tegangan maksimum yang diijinkan sehingga kapasitor masih dapat bekerja dengan baik. Biasanya spesifikasi karakteristik ini disajikan oleh pabrik pembuat didalam datasheet.000 dan seterusnya. maka kapasitansinya adalah 10 x 10. Umumnya kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar bekerja pada tegangan AC. berturut-turut 1 = 10. Ada 4 standar popular yang biasanya tertera di badan kapasitor seperti C0G (ultra stable). Faktor pengali sesuai dengan angka nominalnya. Para elektro.000 = 100.mania barangkali pernah mengalami kapasitor yang meledak karena kelebihan tegangan. 2 = 100.yang bertuliskan dua angka 47. Selain dari kapasitansi ada beberapa karakteristik penting lainnya yang perlu diperhatikan. Contoh lain misalnya tertulis 222. Secara lengkap kode-kode tersebut disajikan pada table berikut. 4 = 10. angka pertama dan kedua menunjukkan nilai nominal. Misalnya kapasitor 10uF 25V. X7R (stable) serta Z5U dan Y5V (general purpose). Misalnya pada kapasitor keramik tertulis 104.

Kode karakteristik kapasitor kelas I Koefisien Suhu Simbol C B A M P PPM per Co 0.7% +/.3.0 1.3% +/.2.1.0% +22% / 33% +22% / 56% +22% / 82% Z Y X 2 4 5 6 7 8 9 .0% +/15.3 0.9 1.5 Faktor Pengali Koefisien Suhu Simbol 0 1 2 3 4 Pengali -1 -10 -100 -1000 -10000 Toleransi Koefisien Suhu Simbol G H J K L PPM per Co +/-30 +/-60 +/-120 +/-250 +/-500 ppm = part per million Kode karakteristik kapasitor kelas II dan III suhu kerja minimum Simbol Co +10 -30 -55 suhu kerja maksimum Simbol Co +45 +65 +85 +105 +125 +150 +200 Toleransi Kapasitansi Simbol Persen A B C D E F P R S T U V +/.5% +/10.5% +/. +/.0% +/22.2% +/.0 0.

Sekaligus dikethaui juga bahwa suhu kerja yang direkomendasikan adalah antara -55Co sampai +125Co (lihat tabel kode karakteristik) Insulation Resistance (IR) Walaupun bahan dielektrik merupakan bahan yang non-konduktor. berikut adalah model rangkaian kapasitor. maka kapasitasinya adalah 100nF dengan toleransi +/-15%. walaupun nilainya sangat besar sekali. besar kapasitansi nominal ada toleransinya. model kapasitor C = Capacitance ESR = Equivalent Series Resistance L = Inductance IR = Insulation Resistance Jika tidak diberi beban. Namun dari . Tabel diatas menyajikan nilai toleransi dengan kode-kode angka atau huruf tertentu. bahan dielektrik juga memiliki resistansi.Toleransi Seperti komponen lainnya. Dengan table di atas pemakai dapat dengan mudah mengetahui toleransi kapasitor yang biasanya tertera menyertai nilai nominal kapasitor. Artinya. semestinya kapasitor dapat menyimpan muatan selama-lamanya. Untuk menjelaskan ini. Phenomena ini dinamakan arus bocor DCL (DC Leakage Current) dan resistansi dielektrik ini dinamakan Insulation Resistance (IR). namun tetap saja ada arus yang dapat melewatinya. Misalnya jika tertulis 104 X7R.

model di atas. Besaran ini menjadi faktor yang diperhitungkan misalnya pada aplikasi motor phasa. Karena besar IR selalu berbanding terbalik dengan kapasitansi (C). rangkaian ballast. karakteristik resistansi dielektrik ini biasa juga disajikan dengan besaran RC (IR x C) yang satuannya ohm-farads atau megaohm-micro farads. Konsekuensinya tentu saja arus bocor (DCL) sangat kecil (uA). Pabrik pembuat biasanya meyertakan data DF dalam persen. Untuk mendapatkan kapasitansi yang besar diperlukan permukaan elektroda yang luas. tuner dan lain-lain. tetapi ini akan menyebabkan resistansi dielektrik makin kecil. Dari model rangkaian kapasitor digambarkan adanya resistansi seri (ESR) dan induktansi (L). Rugi-rugi (losses) itu didefenisikan sebagai ESR yang besarnya adalah persentasi dari impedansi kapasitor Xc. Dissipation Factor (DF) dan Impedansi (Z) Dissipation Factor adalah besar persentasi rugirugi (losses) kapasitansi jika kapasitor bekerja pada aplikasi frekuensi. Secara matematis di tulis sebagai berikut : . Insulation resistance (IR) ini sangat besar (MOhm). diketahui ada resitansi dielektrik IR(Insulation Resistance) yang paralel terhadap kapasitor.

Untuk perhitungan. .Dari penjelasan di atas dapat dihitung besar total impedansi (Z total) kapasitor adalah : Karakteristik respons frekuensi sangat perlu diperhitungkan terutama jika kapasitor bekerja pada frekuensi tinggi.perhitungan respons frekuensi dikenal juga satuan faktor qualitas Q (quality factor) yang tak lain sama dengan 1/DF.

The comparison with the exact low frequency capacitance . In this section we first derive the simple capacitance model which is based on the full depletion approximations and our basic assumption. The high frequency capacitance is obtained from a small signal capacitance measurement at high frequency. Introduction Capacitance voltage measurements of MOS capacitor structure provide a wealth of information about the structure which is of direct interest when one evaluates an MOS process. To understand capacitance-voltage measurements one must first be familiar with the frequency dependence of the measurement.Metal Oxide Silicon Capacitance 1. Under such conditions one finds that the charge in the inversion layer does not change from the equilibrium value corresponding to the applied DC voltage. The gate voltage is varied slowly to obtain the capacitance versus voltage. This frequency dependence occurs primarily in inversion since a certain time is needed to generate the minority carriers in the inversion layer. This capacitance is the difference in charge divided by the difference in gate voltage while the capacitor is in equilibrium at each voltage. The low frequency or quasi-static measurement maintains thermal equilibrium at all times. Since the MOS structure is simple to fabricate the technique is widely used. The high frequency capacitance therefore reflects the charge variation in the depletion layer and the (rather small) movement of the inversion layer charge. Thermal equilibrium is therefore not obtained immediately. A typical measurement is performed with an electrometer which measured the charge added per unit time as one slowly varies the applied gate voltage.

We therefore derive the exact flatband capacitance using the linearized Poisson's equation. given by: (mc8) . or: (mc12) where xd is the variable depletion layer width which is calculated from: (mc2) In order to find the capacitance corresponding to a specific value of the gate voltage we also need to use the relation between the potential across the depletion region and the gate voltage. so that the capcitance equals: (mc11) In depletion the MOS capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer. The remaining capacitor is the oxide capacitance. 2. The MOS structure is treated as consisting of a series connection of two capacitors: the capacitance of the oxide and the capacitance of the depletion layer.5. In accumulation there is no depletion layer. Simple capacitance model The capacitance of an MOS capacitor is obtained using the same assumptions as in the analysis in section 6. Then we discuss the full exact analysis followed by a discussion of deep depletion as well as the non-ideal effects in MOS capacitors.reveals that the largest error occurs at the flatband voltage.

max. Shown are the exact solution for the low frequency capacitance (solid line) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines).1 Low frequency capacitance of an MOS capacitor. xd. The low frequency capacitance equals the oxide capacitance since charge is added to and from the inversion layer in a low frequency measurement. 6. The dotted lines represent the simple model while the solid line corresponds to the low frequency capacitance as obtained from the exact analysis. .xls . mosexact. while the green square indicates the threshold voltage and capacitance. The capacitances are given by: (mc13) The capacitance of an MOS capacitor as calculated using the simple model is shown in the figure below. The red square indicates the flatband voltage and capacitance. Na = 1017 cm-3 and tox = 20 nm.gif Fig.moslfcap.6.In inversion the capacitance becomes independent of the gate voltage. The high frequency capacitance is obtained from the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the depletion layer having its maximum width.

3. the comparison with the exact solution of the low frequency capacitance as shown in the above figure reveals that the error can be substancial. Flat band capacitance The simple model predicts that the flatband capacitance equals the oxide capacitance. or: (mc18) The flatband capacitance of the MOS structure at flatband is obtained by calculating the series connection of the oxide capacitance and the capacitance of the semiconductor. Poisson's equation can then be simplified to: (mc16) The solution to this equation is: (mc17) where LD is called the Debye length. Since the potential across the semiconductor at flatband is zero. However. we expect the potential to be small as we vary the gate voltage around the flatband voltage. The solution of the potential enables the derivation of the capacitance of the semiconductor under flatband conditions. The reason for this is that we have ignored any charge variation in the semiconductor. We will therefore now derive the exact flatband capacitance. yielding: (mc19) . To derive the flatband capacitance including the charge variation in the semiconductor we first linearize Poisson's equation.

The time required to reach thermal equilibrium when abruptly biasing the MOS capacitor at a voltage larger then the threshold voltage can be estimated by taking the ratio of the total charge in the inversion layer to the thermal generation rate of minority carriers.T resulting in a capacitance which further decreases with voltage. One then observes that when ramping the voltage from flatband to threshold and beyond the inversion layer is not or only partially formed as the generation of minority carriers can not keep up with the amount needed to form the inversion layer.4. The depletion layer therefore keeps increasing beyond its maximum thermal equilibrium value. This yields the following equation: (mc14) where the generation in the depletion layer was assumed to be constant. The rate of change required to observe deep depletion is then obtained from: . A good approximation is obtained by considering only the generation rate in the depletion region xd. A complete analysis should include both a surface generation rate as well as generation in the depletion layer and the quasi-neutral region.dd. Exact analysis For a description of the derivation of the MOS capacitance using the exact analysis we refer the reader to that section. Quickly here means that the gate voltage must be changed fast enough so that the structure is not in thermal equilibrium. Deep depletion capacitance Deep depletion occurs in an MOS capacitor when measuring the high-frequency capacitance while sweeping the gate voltage "quickly". 5. xd.

1 ms) lifetime require a few seconds to reach thermal equilibrium which results in a pronounced deep depletion effect at room temperature . . In silicon MOS structures one finds that the occurance of deep depletion can be linked to the minority carrier lifetime: while structures with a long (0. Carrier generation due to light will increase the generation rate beyond the thermal generation rate which we assumed above and reduce the time needed to reach equilibrium. Experimental results and comparison with theory As an example we show below the measured low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance-voltage curves of an MOS capacitor. Deep depletion measurements are therefore done in the dark. while it is more likely to occur in MOS structures made with wide bandgap materials (for instance SiC for which Eg = 3 eV) as the intrinsic concentration decreases exponentially with the value of the energy bandgap. structures with a short (1 ms) lifetime do not show this effect. 6. The capacitance was measured in the presence of ambient light as well as in the dark as explained in the figure caption.(mc15) This equation enables to predict that deep depletion is less likely at higher ambient temperature since the intrinsic concentration ni increases exponentially with temperature.

The larger the carrier lifetime. the low frequency capacitance measured in the presence of ambient light (top curve). the low frequency capacitance measured in the dark.6. The MOS parameters are Na = 4 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. All curves were measured from left to right. the presence of light causes carrier generation in the capacitor which affects the measured capacitance. The low frequency measured is compared to the theorical value in the figure below. 6. the high frequency capacitance measured in the presence of ambient light and the high frequency capacitance measured in the dark (bottom curve). The high frequency capacitance measured in the presence of light is also . Shown are.cv1. First of all one should measure the devices in the dark. from top to bottom.0007 cm2 The figure illustrates some of the issues when measuring the capacitance of an MOS capacitance.gif Fig. The device area is 0. In addition one must avoid the deep depletion effects such as the initial linearly varying capacitance of the high frequency capacitance measured in the dark on the above figure (bottom curve). the slower the voltage is to be changed to avoid deep depletion.2 Low frequency (quasi-static) and high frequency capacitance of an MOS capacitor.

Fixed charge in the oxide simply shifts the measured curve. Fitting parameters are Na = 3. 7.6.95 x 1015 cm-3 and tox = 80 nm. A comparison of the experimental low (rather than high) frequency capacitance with theory is somewhat easier to carry out since the theoretical expression is easier to calculate while the low frequency measurement tends to be less sensitive to deep depletion effects. All three types of charge can be identified by performing a capacitance-voltage measurement.gif Fig. 6.shown on the figure.3 Comparison of the theoretical low frequency capacitance (solid line) and the experimental data (open squares) obtained in the dark. mobile charge and charge in surface states. cv2. The figure illustrates the agreement between experiment and theory. Non-Ideal effects in MOS capacitors Non-ideal effects in MOS capacitors include fixed charge. Also shown is the high frequency measurement in the presence of light of the MOS capacitor (filled squares) and the low and high frequency capacitance obtained with the simple model (dotted lines). A positive fixed charge at the oxide- .

The combination of the low frequency and high frequency capacitance allows to calculate the surface state density. Sodium ions incorporated in the oxide of silicon MOS capacitors are known to yield mobile charge. . A fixed charge is caused by ions which are incorporated in the oxide during growth or deposition. Measurements on n-type and p-type capacitors at different temperatures provide the surface state density throughout the bandgap. The flatband voltage shift due to mobile charge is described by the same equation as that due to fixed charge. This causes the curve to shift towards the applied voltage. The shift reduces linearly as one reduces the position of the charge relative to the gate electrode and becomes zero if the charge is located at the metal-oxide interface. the fermi energy at the oxide-semiconductor interface changes also and affects the occupancy of the surface states. while a negative voltage attracts the charge towards the gate.semiconductor interface shifts the flatband voltage by an amount which equals the charge divided by the oxide capacitance. This method provides the surface state density over a limited (but highly relevant) range of energies within the bandgap. It is because of the high sensitivity of MOS structures to a variety of impurities that the industry carefully controls the purity of the water and the chemicals used. Charge due to electrons occupying surface states also yields a shift in flatband voltage. However as the applied voltage is varied. However the measured curves differ since a positive gate voltage causes mobile charge to move away from the gate electrode. One can recognize mobile charge by the hysteresis in the high frequency capacitance curve when sweeping the gate voltage back and forth. The interface states cause the transition in the capacitance measurement to be less abrupt.

Resistor Pada dasarnya semua bahan memiliki sifat resistif namun beberapa bahan seperti tembaga. emas dan bahan metal umumnya memiliki resistansi yang sangat kecil. Kebalikan dari bahan yang konduktif. Sesuai dengan namanya resistor bersifat resistif dan umumnya terbuat dari bahan karbon . gelas. Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk membatasi jumlah arus yang mengalir dalam satu rangkaian. Bahan-bahan tersebut menghantar arus listrik dengan baik. Belakangan baru diketahui bahwa mahasiswa elektro wajib untuk bisa membaca warna gelang resistor (barangkali). karbon memiliki resistansi yang lebih besar menahan aliran elektron dan disebut sebagai insulator. Waktu penulis masuk pendaftaran kuliah elektro. resistansi berbanding terbalik dengan jumlah arus yang mengalir melaluinya. . ada satu test yang harus dipenuhi yaitu diharuskan tidak buta warna. sehingga dinamakan konduktor. Kode warna tersebut adalah standar manufaktur yang dikeluarkan oleh EIA (Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan pada tabel berikut. Pada badannya terdapat lingkaran membentuk gelang kode warna untuk memudahkan pemakai mengenali besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan Ohmmeter. bahan material seperti karet. Dari hukum Ohms diketahui. Satuan resistansi dari suatu resistor disebut Ohm atau dilambangkan dengan simbol (Omega). dijelaskan pada artikel tentang semikonduktor. Bagaimana prinsip konduksi. perak. Tipe resistor yang umum adalah berbentuk tabung dengan dua kaki tembaga di kiri dan kanan.

000 106 107 108 109 0. Biasanya . Dengan demikian pemakai sudah langsung mengetahui berapa toleransi dari resistor tersebut.01 5% 10% 20% 1% 2% Tabel . Kalau anda telah bisa menentukan mana gelang yang pertama selanjutnya adalah membaca nilai resistansinya. emas atau perak.1 0. merah. sedangkan warna gelang yang pertama agak sedikit ke dalam. Biasanya warna gelang toleransi ini berada pada badan resistor yang paling pojok atau juga dengan lebar yang lebih menonjol.000 100.000 10. Jumlah gelang yang melingkar pada resistor umumnya sesuai dengan besar toleransinya.1 : nilai warna gelang Resistansi dibaca dari warna gelang yang paling depan ke arah gelang toleransi berwarna coklat.Warna Hitam Coklat Merah Jingga Kuning Hijau Biru Violet Abu-abu Putih Emas Perak Tanpa warna Nilai 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 - faktor Toleransi pengali 1 10 100 1.

Karena resitor ini resistor 5% (yang biasanya memiliki tiga gelang selain gelang toleransi). Dari tabel-1 diketahui jika gelang toleransi berwarna emas. gelang pertama berwarna kuning. Gelang berwarna emas adalah gelang toleransi. dan jika warna gelangnya merah berarti faktor pengalinya adalah 100. Gelang ke empat tentu saja yang berwarna emas dan ini adalah gelang toleransi. berarti resitor ini memiliki toleransi 5%. Nilai resistansisnya dihitung sesuai dengan urutan warnanya. violet. Misalnya resistor dengan gelang kuning. Tetapi resistor dengan toleransi 1% atau 2% (toleransi kecil) memiliki 4 gelang (tidak termasuk gelang toleransi). maka nilai satuannya ditentukan oleh gelang pertama dan gelang kedua. 10% atau 20% memiliki 3 gelang (tidak termasuk gelang toleransi).resistor dengan toleransi 5%. gelang kedua berwana violet dan gelang ke tiga berwarna merah. Sehingga dengan ini diketahui nilai resistansi resistor tersebut adalah nilai satuan x faktor pengali atau 47 x 100 = 4. Pertama yang dilakukan adalah menentukan nilai satuan dari resistor ini.7K Ohm dan toleransinya adalah 5%. Karena resistor bekerja dengan dialiri arus listrik. Gelang ketiga adalah faktor pengali. Dengan demikian urutan warna gelang resitor ini adalah. nilai satuannya adalah 47. dan gelang terakhir adalah faktor pengalinya. Gelang pertama dan seterusnya berturut-turut menunjukkan besar nilai satuan. Masih dari tabel-1 diketahui gelang kuning nilainya = 4 dan gelang violet nilainya = 7. merah dan emas. Spesifikasi lain yang perlu diperhatikan dalam memilih resitor pada suatu rancangan selain besar resistansi adalah besar watt-nya. Jadi gelang pertama dan kedua atau kuning dan violet berurutan. . maka akan terjadi disipasi daya berupa panas sebesar W=I2R watt.

Caranya sederhana yaitu dengan mengacungkan jari jempol tangan kanan sedangkan keempat jari lain menggenggam. kedua kawat tembaga tersebut saling menjauh. 5. Tentu masih ingat juga percobaan dua utas kawat tembaga paralel yang keduanya diberi arus listrik. Jika seutas kawat tembaga diberi aliran listrik. namun ada juga yang berbentuk silinder. Jika arah arusnya berlawanan. Dengan aturan tangan kanan dapat diketahui arah medan listrik terhadap arah arus listrik. 2. 1/4. Hal ini terjadi karena adanya induksi medan listrik. Besar akumulasi medan listrik B . Dikenal medan listrik dengan simbol B dan satuannya Tesla (T). Tetapi jika arah arusnya sama ternyata keduanya berdekatan saling tarikmenarik. 10 dan 20 watt umumnya berbentuk kubik memanjang persegi empat berwarna putih. Umumnya di pasar tersedia ukuran 1/8. Induktor Masih ingat aturan tangan kanan pada pelajaran fisika ? Ini cara yang efektif untuk mengetahui arah medan listrik terhadap arus listrik. misalnya 100 5W. 1.Semakin besar ukuran fisik suatu resistor bisa menunjukkan semakin besar kemampuan disipasi daya resistor tersebut. 10 dan 20 watt. maka di sekeliling kawat tembaga akan terbentuk medan listrik. Arah jempol adalah arah arus dan arah ke empat jari lain adalah arah medan listrik yang mengitarinya. Resistor yang memiliki disipasi daya 5. Tetapi biasanya untuk resistor ukuran jumbo ini nilai resistansi dicetak langsung dibadannya.

.. Maka L adalah induktansi dari induktor dan E adalah tegangan yang timbul jika induktor dilairi listrik.m2). Medan listrik yang terbentuk akan segaris dan saling menguatkan... Dari buku fisika dan teori medan yang menjelimet. Energi ini direpresentasikan dengan adanya tegangan emf (electromotive force) jika induktor dialiri listrik.pada suatu luas area A tertentu difenisikan sebagai besar magnetic flux. Simbol yang biasa digunakan untuk menunjukkan besar magnetic flux ini adalah φ dan satuannya Weber (Wb = T. (2) Jika dibandingkan dengan rumus hukum Ohm V=RI. Jika kumparan tersebut dialiri listrik maka tiap lilitan akan saling menginduksi satu dengan yang lainnya. Jika R disebut resistansi dari resistor dan V adalah besar tegangan jepit jika resistor dialiri listrik sebesar I. dibuktikan bahwa induktor adalah komponen yang dapat menyimpan energi magnetik. . Secara matematis tegangan emf ditulis : tegangan emf . maka kelihatan ada kesamaan rumus.(1) Lalu bagaimana jika kawat tembaga itu dililitkan membentuk koil atau kumparan. Komponen yang seperti inilah yang dikenal dengan induktor selenoid.. Secara matematis besarnya adalah : medan flux.

Efek emf menjadi signifikan pada sebuah induktor... Ini yang dimaksud dengan self-induced. Secara matematis induktansi pada suatu induktor dengan jumlah lilitan sebanyak N adalah akumulasi flux magnet untuk tiap arus yang melewatinya : induktansi . Induktor disebut self-induced Arus listrik yang melewati kabel..Tegangan emf di sini adalah respon terhadap perubahan arus fungsi dari waktu terlihat dari rumus di/dt.. jalur-jalur pcb dalam suatu rangkain berpotensi untuk menghasilkan medan induksi. Tegangan emf akan menjadi penting saat perubahan arusnya fluktuatif. Sedangkan bilangan negatif sesuai dengan hukum Lenz yang mengatakan efek induksi cenderung melawan perubahan yang menyebabkannya. Hubungan antara emf dan arus inilah yang disebut dengan induktansi. dan satuan yang digunakan adalah (H) Henry. Ini yang sering menjadi pertimbangan dalam mendesain pcb supaya bebas dari efek induktansi terutama jika multilayer.. karena perubahan arus yang melewati tiap lilitan akan saling menginduksi. (3) Induktor selenoida .

setegah lingkaran ataupun lingkaran penuh. Besar . jika dialiri listrik akan menghasilkan medan listrik yang berbeda. Akan lebih banyak lagi fungsi dari induktor yang bisa diaplikasikan pada rangkaian filter. persegi empat. tuner dan sebagainya.. salah satu gunanya adalah bisa untuk meredam perubahan fluktuasi arus yang tidak dinginkan. sehingga diketahui besar medan listrik di titik tengah lingkaran adalah : Medan listrik . (4) Jika dikembangkan. Dari pemahaman fisika. Penampang induktor biasanya berbentuk lingkaran.. Secara matematis ditulis : Lilitan per-meter………. Ada simbol µ yang dinamakan permeability dan µ0 yang disebut permeability udara vakum.. Pada aplikasi rangkaian ac. elektron yang bergerak akan menimbulkan medan elektrik di sekitarnya. n adalah jumlah lilitan N relatif terhadap panjang induktor l. Berbagai bentuk kumparan..... Aplikasinya pada rangkaian dc salah satunya adalah untuk menghasilkan tegangan dc yang konstan terhadap fluktuasi beban arus.(5) Lalu i adalah besar arus melewati induktor tersebut.Fungsi utama dari induktor di dalam suatu rangkaian adalah untuk melawan fluktuasi arus yang melewatinya.

. (6) L : induktansi dalam H (Henry) µ : permeability inti (core) µo : permeability udara vakum µo = 4π x 10-7 N : jumlah lilitan induktor A : luas penampang induktor (m2) l : panjang induktor (m) Induktor selenoida dengan inti (core) Inilah rumus untuk menghitung nilai induktansi dari sebuah induktor.. Untuk induktor tanpa inti (air winding) µ = 1.permeability µ tergantung dari bahan inti (core) dari induktor. Jika rumus-rumus di atas di subsitusikan maka rumus induktansi (rumus 3) dapat ditulis menjadi : Induktansi Induktor .. Tentu saja rumus ini bisa dibolak-balik untuk menghitung jumlah lilitan induktor jika nilai induktansinya sudah ditentukan.. .

Maka panjang induktor efektif adalah kira-kira : Keliling lingkaran toroida …. Biasanya selalu menggunakan inti besi (core) yang juga berbentuk lingkaran seperti kue donat.. maka toroid berbentuk lingkaran. (7) Dengan demikian untuk toroida besar induktansi L adalah : Induktansi Toroida ………(8) . yaitu jari-jari lingkar luar dikurang jari-jari lingkar dalam.. Toroida Jika jari-jari toroid adalah r.Toroid Ada satu jenis induktor yang kenal dengan nama toroid. Jika biasanya induktor berbentuk silinder memanjang.

Karena beberapa ferit akan optimum jika bekerja pada selang frekuensi tertentu. Oleh sebab itu ferit ini sebenarnya adalah keramik. dapat induktor dengan induktansi yang lebih besar dan dimensi yang relatif lebih kecil dibandingkan dengan induktor berbentuk silinder. manganase.Salah satu keuntungan induktor berbentuk toroid. .000. Ferit yang sering dijumpai ada yang memiliki µ = 1 sampai µ = 15. Ada bermacammacam bahan ferit yang disebut ferromagnetik. zinc (seng) dan magnesium. Juga karena toroid umumnya menggunakan inti (core) yang melingkar. Berikut ini adalah beberapa contoh bahan ferit yang dipasar dikenal dengan kode nomer materialnya. maka medan induksinya tertutup dan relatif tidak menginduksi komponen lain yang berdekatan di dalam satu pcb. Penggunaan ferit juga disesuaikan dengan frekeunsi kerjanya. bubuk campuran tersebut dibuat menjadi komposisi yang padat. Ferit dan Permeability Besi lunak banyak digunakan sebagai inti (core) dari induktor yang disebut ferit. Ada juga ferit yang dicampur dengan bahan bubuk lain seperti nickle. Pabrik pembuat biasanya dapat memberikan data kode material. dimensi dan permeability yang lebih detail. Bahan dasarnya adalah bubuk besi oksida yang disebut juga iron powder. Dapat dipahami penggunaan ferit dimaksudkan untuk mendapatkan nilai induktansi yang lebih besar relatif terhadap jumlah lilitan yang lebih sedikit serta dimensi induktor yang lebih kecil. Melalui proses yang dinamakan kalsinasi yaitu dengan pemanasan tinggi dan tekanan tinggi. Proses pembuatannya sama seperti membuat keramik.

Jika datanya lengkap.9 mH Selain ferit yang berbentuk silinder ada juga ferit yang berbentuk toroida. diameter lingkar dalam serta luas penampang toroida. Dapat diketahui nilai induktansinya adalah : L ≈ 5. Misalnya induktor dengan jumlah lilitan 20. Indeks ini dihitung berdasarkan dimensi dan permeability ferit. Tetapi biasanya pabrikan hanya membuat daftar indeks induktansi (inductance index) AL. diameter lingkar luar. Seperti contoh .data material ferit Sampai di sini kita sudah dapat menghitung nilai induktansi suatu induktor. Dengan data ini dapat dihitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi tertentu. Karena perlu diketahui nilai permeability bahan ferit. Umumnya dipasar tersedia berbagai macam jenis dan ukuran toroida. maka kita dapat menghitung nilai induktansi dengan menggunakan rumus-rumus yang ada. berdiameter 1 cm dengan panjang 2 cm serta mengunakan inti ferit dengan µ = 3000.

Tabel AL Rumus untuk menghitung jumlah lilitan yang diperlukan untuk mendapatkan nilai induktansi yang diinginkan adalah : Indeks AL ………. maka dari table diketahui nilai AL = 100. Maka untuk mendapatkan induktor sebesar 4µH diperlukan lilitan sebanyak : N ≈ 20 lilitan . (9) Misalnya digunakan ferit toroida T50-1.tabel AL berikut ini yang satuannya µH/100 lilitan.

Biasanya pabrikan menjelaskan berapa nilai tegangan kerja untuk toroida tersebut. Indeks AL umumnya sudah baku dibuat oleh pabrikan sesuai dengan dimensi dan permeability bahan feritnya. hitam. Misalnya abu-abu. Banyak juga ferit toroid dibuat dengan nilai permeability µ yang besar. Paling yang diperlukan hanya puluhan sentimeter saja. . Permeability bahan bisa juga diketahui dengan kode warna tertentu. Biasanya yang digunakan adalah kawat tembaga tunggal dan memiliki isolasi. Bahan ferit tipe ini terbuat dari campuran bubuk besi dengan bubuk logam lain. tetapi berfungsi juga sebagai pelapis atau isolator.7mm ataupun AWG20 yang berdiameter kira-kira 0.3mm. Contoh bahan ferit toroida di atas umumnya memiliki premeability yang kecil. resistansi dan sebagainya. Standar ini tergantung dari diameter kawat. Misalnya kawat tembaga AWG32 berdiameter kira-kira 0. AWG22 berdiameter 0. Karena bahan ferit yang demikian terbuat hanya dari bubuk besi (iron power).8mm. Ada banyak kawat tembaga yang bisa digunakan. Sebenarnya lapisan ini bukan hanya sekedar warna yang membedakan permeability. merah. Kawat tembaga Untuk membuat induktor biasanya tidak diperlukan kawat tembaga yang sangat panjang.Rumus ini sebenarnya diperoleh dari rumus dasar perhitungan induktansi dimana induktansi L berbanding lurus dengan kuadrat jumlah lilitan N2. Misalnya ferit toroida FT50-77 memiliki indeks AL = 1100. biru atau kuning. sehingga efek resistansi bahan kawat tembaga dapat diabaikan. Untuk pemakaian yang profesional di pasar dapat dijumpai kawat tembaga dengan standar AWG (American Wire Gauge).

Penutup Sayangnya untuk pengguna amatir. Kawat tembaga yang digunakan bisa berdiameter berapa saja. Sehingga terkadang dalam membuat induktor jumlah lilitan yang semestinya berbeda dengan hasil perhitungan teoritis. Ada satu tip untuk membuat induktor yang baik. yang pasti harus lebih kecil dibandingkan diameter penampang induktor. terutama induktor berbentuk silinder. . data yang diperlukan tidak banyak tersedia di toko eceran. Untuk memperoleh nilai “Q” yang optimal panjang induktor sebaiknya tidak lebih dari 2x diameter penampangnya. Untuk mendapatkan nilai induktansi yang akurat ada efek kapasitif dan resistif yang harus diperhitungkan. Karena ternyata arus yang melewati kawat tembaga hanya dipermukaan saja. Terkadang pada prakteknya untuk membuat induktor sendiri harus coba-coba dan toleransi induktansinya cukup besar. Untuk toroid usahakan lilitannya merata dan rapat. Ini yang dikenal dengan istilah ekef kulit (skin effect).

KODE : LIS.PTL.047 (P) (40 Jam)






Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial, sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis.

Dalam penggunaannya, bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya, yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta, kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat, guna merealisasikan penyelenggaraan

pembelajaran di SMK. Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK.

Demikian, mudah -mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan, khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat.

Jakarta, 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur,

Dr. Ir. Gator Priowirjanto NIP 130675814

KATA PENGANTAR …………………………………………………… REKOMENDASI ………………………………………………………… DAFTAR ISI ……………………………………………………………... PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… GLOSARRY/PERISTILAHAN I PENDAHULUAN A. Deskripsi …………………………………………….………… B. Prasyarat ………………………………………………………. C. Petunjuk Penggunaan Modul ………………………….……… D. Tujuan Akhir………………………………………………….. E. F. II STANDAR KOMPETENSI……………..………………… Cek Kemampuan …………………………………….……….. 1 1 1 2 3 4 6 7 7 8 8 8 8 18 20 21 25 26 26 26 48 50 Halaman i ii iv v

PEMBELAJARAN A. RENCANA BELAJAR PESERTA DIKLAT…………………. B. KEGIATAN BELAJAR. ……………………………………… Kegiatan Belajar 1 A. B. C. D. E. F. Tujuan Kegiatan ……………………………….……… Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 1 …………………………………………. Tugas 1 ……………………………………………….. Test Formatif 1 ……………………………………….. Jawaban Test Formatif 1 ……………………………..

Kegiatan Belajar 2 A. B. C. D. Tujuan Kegiatan ……………………………….…. Uraian Materi ………………………………….……… Rangkuman 2 ………………………………….……… Tugas 2 ………………………………………………..

Elektronika -1



odul ini berjudul Elektronika - 1 merupakan bagian dari Kompetensi Mengoperasikan Mesin Produksi dengan Kendali Elektronik (PTL. OPS 005 (

)A dipersiapkan bagi anda siswa Sekolah Menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pemanfaatan Energi tingkat III (semester 5) dengan alokasi waktu selama 40 jam. Modul ini berisikan tentang dasar-dasar elektronika mulai dari teori atom, bahan semikonduktor, macam-macam Dioda, Transistor Bipolar serta pemanfaatannya. Modul ini tidak ada kaitan secara langsung dipelajari tersendiri. Setelah modul ini dapat anda kuasai, maka hasil belajar yang akan anda capai adalah adanya pemahaman terhadap ilmu elektronika, khususnya mampu dalam dengan modul lainnya, jadi dapat

mengidentifikasi komponen elektronik serta menganalisis sifat-sifatnya. Dengan pengetahuan dasar ini akan membimbing anda ke arah pekerjaan dan kemampuan yang dimiliki khususnya bidang keahlian yang berkaitan dengan dunia elektronik dan bidang keahlian pemanfaatan energi pada umumnya.


Untuk mempelajari modul ini tidak diperlukan prasyarat khusus, tetapi dikarenakan modul ini dilengkapi dengan Lembar Kerja, maka sudah tentu diperlukan penguasaan anda terhadap alat-alat ukur besaran listrik dan yang paling penting adalah pengetahuan dan kepedulian anda terhadap Keselamatan Kerja dan Bahaya Listrik.


1. Modul ini dapat anda pelajari secara klasikal ataupun individual, dimana setiap kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas -tugas yang terdapat


Elektronika -1

dalam topik-topik pembelajaran modul ini secara tuntas (Mastery Learning) baik ranah pengetahuan, sikap dan khususnya ranah keterampilan. 2. Jika anda sudah merasa mampu untuk menyelesaikan salah satu topik dari modul ini, maka anda diperkenankan untuk meminta kepada guru pembimbing anda guna diuji kompetensinya. 3. Jika anda sudah dinyatakan kompeten untuk satu topik pertama dengan melewati uji kompetensi tersebut di atas, maka anda diperkenankan untuk melanjutkan ke topik (pembelajaran) berikutnya. Tapi jika dianggap belum kompeten, maka sebaiknya anda tidak segan untuk mengulang kembali dengan arahan guru pembimbing. 4. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan beberapa peralatan ukur dan piranti-piranti elektronik baik aktif maupun pasif serta sumber daya searah dan bolak-balik yang tetap maupun variabel.


Karena modul ini mengacu pada Kurikulum 2004 (Standar Kompetensi Nasional) , maka setelah anda menyelesaikan kegiatan belajar ini ada beberapa kinerja yang diharapkan untuk anda kuasai dan telah memenuhi persyaratan dari dunia kerja seperti berikut : 1. Mampu mengidentifikasi komponen elektronik 2. Mampu melakukan troubleshooting rangkaian elektronik 3. Mampu melakukan perbaikan pesawat elektronik


Menjelaskan sifat macam-macam dioda dan penggunaannya .Terjadinya lapisan PNP dan NPN dijelaskan sesuai dengan kejadiannya .Menjelaskan terjadinya bahan sk.Transistor Bipolar diidentifikasi dengan alat ukur yang sesuai.Bahan semikonduktor dijelaskan sesuai dengan sifat-sifatnya .Menjelaskan teori atom . Tipe P dan N dan sifatnya .Sifat transistor NPN dan PNP dijelaskan sesuai dengan sifat atau karakteristiknya .Sifat PN junction dijelaskan .Fungsi transistor dijelaskan sesuai dengan fungsinya 3 .Teori atom dan sifatnya difahami sebagai dasar pengetahuan elektronik .Melakukan percobaan dioda zener sebagai stabilisator tegangan searah Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja yang telah ditetapkan Pengetahuan : Ketrampilan : Sikap : Sub Kompetensi 2 Kriteria Unjuk Kerja : : Memahami sifat dan karakteristik transistor bipolar .Menjelaskan sifat unsur bahan semikonduktor . STANDAR KOMPETENSI KODE KOMPETENSI : Kompetensi Sub Kompetensi 1 Kriteria Unjuk Kerja : : : PTL OPS 005( ) A Memelihara rangkaian elektronik Memahami teori atom dan semikonduktor .Terjadinya bahan semikonduktor tipe P dan N dijelaskan sesuai dengan kejadian dan sifatnya .Elektronika -1 E.Menjelaskan sifat PN junction . . .Dioda diuji sesuai dengan karakteristiknya dengan rangkaian uji yang ditetapkan .Dioda diidentifikasi sesuai dengan sifatnya dengan alat ukur yang sesuai .Melakukan percobaan karakteristik dioda.Sifat macam macam dioda dijelaskan sesuai dengan karakteristik dan penggunaannya .Melakukan percobaan Dioda sebagai penyearah arus .

Elektronika -1 . saklar elektronik .Menjelaskan konfigurasi.CE dan CC .Melakukan identifikasi transistor dengan alat ukur .Melakukan percobaan transistor s ebagai saklar elektronik Ketrampilan : Sikap Ruang Lingkup Belajar : : Mematuhi langkah kerja dan keselamatan kerja Kompetensi ini berkaitan dengan pemahaman tentang komponen-komponen elektronik yang umumnya digunakan dalam peralatan kendali di industri LIS PTL 47 (P) Kode Modul : 4 . CB.Penguatan dan konfigurasi penguat transistor dijelaskan sesuai dengan rangkaian sambungannya Pengetahuan : Menjelaskan terjadinya lapisan PNP dan NPN Menjelaskan sifat dan karaktersitik transistor bipolar Menjelaskan cara mengidentifikasi transistor bipolar Menjelaskan fungsi transistor sebagai penguat.

Elektronika -1 F. Penguasaan terhadap prosedur perbaikan dan perawatan elektronik 6. Penguasaan terhadap peralatan ukur Analog 2. CEK KEMAMPUAN PENGUASAAN KONDISI 1. Penguasaan terhadap peralatan ukur Digital 3. Penguasaan terhadap karakter komponen elektronik YA BELUM REMARK Catatan Pembimbing : 5 . Penguasaan terhadap peralatan ukur elektronik (osiloskop) 4. Penguasaan terhadap peralatan perbaikan (alat tangan) 5.

Elektronika -1 II. 12. 09. 16. 06. 18. 10. PEMBELAJARAN RENCANA PEMBELAJARAN SISWA No. 07. 17. 11. 19. 14. 01. 13. 03. 04. 02. 08. 15. 20. TOTAL WAKTU 2400 Kegiatan Tanggal Waktu (menit) Tempat Belajar Paraf Guru 6 . 05.

penyekat dan setengah Penghantar ? Memahami terbentuknya bahan semikonduktor P dan N ? Menganalisis karakteristik Dioda Semikonduktor ? Menganalisis karakteristik Dioda Zener ? Mengaplikasikasikan dioda sebagai penyearah (rectifier).Elektronika -1 Kegiatan Belajar -1 TEORI ATOM DAN DIODA SEMIKONDUKTOR TUJUAN : Setelah mempelajari topik ini. pelipat (multiplier) dan penstabil tegangan (voltage stabilizer) 7 . maka diharapkan anda dapat : ? Memahami karakteristik atom suatu unsur ? Membedakan antara sifat bahan penghantar.

1. 2. 8 .dan juga bisa bermuatan netral jika jumlah muatan positip dan negatipnya seimbang. sebaliknya elektron bermuatan negatip terhadap intinya. Karakteristik Atom A 1. Atom dan lintasan elektronnya Atom terdiri dari proton. tom adalah partikel terkecil dari sebuah molekul yang sifatnya tidak dapat dibagi lagi dan hal ini sesuai dengan nama asal atom dari bahasa Yunani ATOMOS. 3. Kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak. Setiap inti mempunyai medan gaya tarik dengan elektronnya dan dikenal sebagai muatan. Secara tiga dimensi bentuk atom suatu unsur digambarkan seperti terlihat pada gambar Gambar 1.Elektronika -1 A.1. yang berarti tidak dapat dibagi lagi. neutron dan elektron. dimana proton bermuatan positip terhadap elektron atau elektron bermuatan negatip sedangkan dalam keadaan normal inti (neutron) tidak bermuatan. Karakteristik suatu atom adalah : 1. Inti bermuatan positip terhadap elektron.

Susunan Atom Susunan setiap atom terdiri dari lapisan -lapisan tertentu yang menjadi tempat beredarnya elektron. Lapisan atom unsur silikon dan penyederhanaannya Jumlah elektron yang melintas pada setiap lapisan dapat ditentukan dengan rumus pendekatan sebagai berikut : ? e = 2 n2 (1.4. Gambar 1. Banyaknya elektron yang melintas ditentukan oleh berat unsur kimia. dimana angka terkecil menyatakan nomor lintasan yang paling dekat ke intinya). adalah : (1) = 2 .1) dimana : ? e = banyak elektron yang melintas n = 1.……… (nomor lintasan.2.2. dimana semakin besar berat unsurnya suatu unsur akan semakin banyak jumlah elektron yang mengelilingi intinya. 12 = 2 buah elektron 9 .3.Elektronika -1 B.2. Memperlihatkan susunan lapisan suatu atom unsur Silikon (Si) yang mempunyai nomor atom 14 atau mempunyai 14 buah elektron yang mengelilingi intinya.Lintasan pertama .2. lapisan ini disebut lintasan atau orbit. Gambar 1. Dengan demikian banyaknya elektron yang melintas pada setiap lintasan untuk unsur silikon seperti gambar 1.

maka elektron-elektron yang saling berdekatan akan menjalin ikatan yang dikenal sebagai Ikatan Kovalen (Covalent-Bond). Elektron yang menempati lapisan terluar tersebut sangat memegang peranan penting dalam penentuan sifat kimia dan kelistrikan unsur dan sering disebut sebagai elektron martabat (Valensi). Setiap elektron mempunyai kemampuan untuk mengikat satu elektron lain dari atom lainnya yang berada disekitarnya.Lintasan kedua . hal ini dikarenakan merupakan sisa dari 14 – (2 + 8) = 4 buah elektron. 22 = 8 buah elektron (3) = 4 buah elektron (sisa). Gambar 1.3.Lintasan ketiga (2) = 2 . Misalkan ada beberapa atom silikon yang saling berdekatan seperti gambar 1. Sedang bagi elektron-elektron yang menempati lapisan terluar akan mudah dipengaruhi oleh sejumlah tenaga dari luar dan mereka dapat keluar sebagai elektron bebas.Elektronika -1 .3. Ikatan Kovalen 10 . Pada lintasan ketiga hanya melintas empat buah elektron . Elektron-elektron yang melintas pada lapisan terdalam (berdekatan dengan inti) akan terikat kuat oleh muatan intinya dana kan sulit untuk melepaskan diri dari susunannya.

memperlihatkan elektron bebas dan hole pada susunan atom unsur silikon.Elektronika -1 ? Catatan : C.4. 11 . Gambar 1. Elektron yang lepas dari ikatannya ini dikenal sebagai Elektron Bebas yang bermuatan negatip. dim ana tempat tadi disebut sebagai kekosongan atau dikenal dengan nama lain Hole. sedangkan tempat yang ditinggalkan oleh elektron akan membentuk suatu muatan positip. Elektron Bebas dan Hole Suatu efek agitasi seperti kenaikan temperatur akan menghasilkan getaran pada inti atom sehingga berakibat ikatan kovalen akan pecah dan diikuti oleh lepasnya elektronelektron.

yaitu berkisar antara 10 4 sampai 1016 ohm-meter. penyekat dan Setengah-Penghantar Pada umumnya bahan kelistrikan yang anda kenal ada dua. Suatu bahan konduktor dikatakan baik. 12 . Elektron bebas dan hole yang terjadi disebut juga sebagai pembawa muatan (Charge-Carrier). Bahan ini digolongkan pada bahan setengah-penghantar (semiconductor). yaitu penghantar (konduktor) dan penyekat (isolator). ada suatu bahan yang mempunyai tahanan jenis yang berubah-ubah seiring dengan perubahan temperatur.4. Sedangkan suatu bahan isolator dikatakan baik jika mempunyai nilai tahanan jenis yang tinggi. Istilah pencampuran ini dikenal dengan nama pengotoran (Impurity) atau Doping. maka guna memperbesar daya hantar tersebut dapat dilakukan dengan proses pencampuran dengan unsur lain dengan maksud untuk memperbanyak terjadinya elektron-elektron bebas dan hole. jika mempunyai nilai tahanan jenis yang rendah yaitu berkisar antara 10-8 sampai 10-7 ohmmeter. Elektron Bebas dan Hole 0 Pada temperatur kamar (? 27 C). Dikarenakan daya hantar jenis bahan semikonduktor murni sangat rendah.Elektronika -1 Gambar 1. enerji panas sudah mampu untuk membebaskan elektron dari ikatan kovalen. sehingga dengan perkataan lain dengan temperatur kamar sifat silikon yang pada kondisi semula bersifat sebagai penyekat sempurna dapat berubah menjadi penghantar arus listrik. dimana pada temperatur absolut (0 0K = -273 0 C) dalam keadaan murni bersifat sebagai isolator. Bahan Penghantar. Selain kedua jenis bahan di atas. D.

Berikut ini diperlihatkan contoh perbedaan tahanan jenis bahan pada temperatur kamar (? 27 0 C). Gambar 1. Oleh karena itu bahan semikonduktor akan lebih baik menghantarkan arus listrik saat panas daripada saat dingin. TABEL-1 CONTOH BEDA TAHANAN JENIS PADA TEMPERATUR KAMAR KONDUKTOR ? Cu ? 10-8 ? m SEMI-KONDUKTOR ? Ge ? 50 x 10-2 ? m ? Si ? 50 x 10-1 ? m ISOLATOR ? mika ? 1010 ? m Tahanan jenis bahan konduktor hanya akan bertambah sedikit naik dan berbanding lurus dengan kenaikan dari temperatur. Pengaruh panas terhadap tahanan jenis bahan 13 . Nilai tahanan jenis bahan semikonduktor ini berkisar antara 10-1 sampai 10 -15 ohm-meter.5.Elektronika -1 sedangkan jika ada kenaikan temperatur sifatnya akan berubah menjadi konduktor. memperlihatkan kurva pengaruh panas terhadap tahanan jenis. sebaliknya tahanan jenis bahan semikonduktor akan turun secara eksponensial jika temperaturnya anda naikkan.5. Gambar 1.

14 . Tabel 2 berikut memperlihatkan tabel periodik golongan atom bahan semikonduktor. dimana kedua bahan tersebut mempunyai elektron valensi yang sama yaitu empat buah.Elektronika -1 ? Catatan : E. Terbentuknya Bahan Semikonduktor tipe P dan N Bahan dasar yang bayak dan sering digunakan dalam membuat piranti elektronik adalah bahan Germanium dan Silikon.

Gambar 1. misal unsur Indium (In) dan Galium (Ga). dimana unsur murni bahan semikonduktor tersebut dicampur dengan unsur lainnya (agitasi chemis). maka unsur indium yang bervalensi tiga akan menerima empat buah elektron. Guna mendapat muatan positip pada atom silikon atau germanium yang mempunyai valensi empat.Elektronika -1 TABEL –2. Selain itu juga disebutkan adanya metoda impurity.6. maka atom tersebut harus dicampur dengan atom unsur lain yang bervalensi tiga. GOLONGAN ATOM SEMIKONDUKTOR Pada pembahasan terdahulu disebutkan bahwa elektron-elektron bebas akan mengalir dalam bahan semikonduktor pada temperatur diatas nol-mutlak. Kristal Silikon tipe P 15 . Dikarenakan unsur silikon bervalensi empat. Atau dengan kata lain harus adanya pemaksaan panas (agitasi thermis).

7. Kristal Silikon – N F. 16 . Gambar 1. memperlihatkan susunan kristal silikon atau germanium N.Elektronika -1 Sebagai paduan bersama. Antimon atau Phospor. Campuran ini akan membentuk campuran bermuatan negatip dikarenak an kelebihan elektron. Dioda PN Sambungan bahan semikonduktor tipe P dan N mendasari terbentuknya suatu piranti elektronik aktif yang dikenal sebagai Dioda . maka indium disebut sebagai penerima (akseptor). Dioda ini berasal dari dua kata Duo dan Electrode yang berarti dua elektroda. Dikarenakan atom indium menerima elektron dari silikon atau germanium. Gambar 1. Jika hasil pencampuran antara atom unsur semikonduktor yang bervalensi empat dengan unsur yang bervalensi tiga akan menghasilkan campuran yang bermuatan positip dan untuk memperoleh campuran yang bermuatan negatip kita harus campurkan bahan silikon atau germanium dengan unsur lain yang bervalensi lima misalnya unsur Arsenikum. Unsur pencampur tersebut dinamakan unsur pemberi (donor) sedangkan hasil campurannya disebut Silikon atau Germanium tipe N. Gambar 1. dimana hurup P ini menunjukkan muatan terbanyak positip atau hole. memperlihatkan susunan kristal silikon-P dan jika anda perhatikan lebih seksama akan tampak pada ikatan kovalennya terjadi kekurangan elektron yang mengasilkan muatan positip (hole). yaitu Anoda yang berpolaritas postip dan Katoda yang berpolatitas negatip.7.6. maka akan terbentuk bahan baru yang disebut silikon atau germanium tipe P.

Bias Maju Jika anoda dihubungkan dengan kutub positip sumber searah dan katodanya dihubungkan dengan kutub negatipnya seperti terlihat pada gambar 1. maka rangkaian tersebut dikenal sebagai rangkaian bias maju (Forward -Bias).9.8..1. Gambar 1. Sifat Dioda 1.Elektronika -1 Secara umum dioda disimbolkan dan bentuk fisiknya seperti terlihat pada gambar 1. Simbol dan bentuk fisik Dioda 1. Salah satu aplikasi penggunaan dioda dalam ilmu kelistrikan adalah sebagai penyearah arus (rectifier) dari arus bolak-balik ke arus searah. Bias maju (Forward-Bias) 17 . DIN 40 700 Gambar 1.8.9.

1. Tegangan ini jika terus diperbesar akan mengakibatkan kerusakan pada dioda dan untuk itu tegangan ini dibatasi hingga tegangan nominal yang dikenal dengan nama Peak Inverse Voltage disingkat PIV. maka suatu saat tertentu secara tiba-tiba arus akan naik secara linear.2.10. maka bias demikian disebut bias mundur (Reverse-Bias) seperti diperlihatkan pada gambar 1. Jika tegangan sumber dinaikkan lebih besar lagi. yaitu anoda dihubungkan dengan sumber negatip sumber searah sedangkan katoda dihubungkan dengan sumber positipnya. Bias Mundur (Reverse-Bias) Pada saat reverse ini dioda akan mempunyai nilai hambatan yang besar. Gambar 1. Tegangan dimana dioda mulai mengalirkan arus disebut sebagai tegangan kerja dioda ( Ud).Elektronika -1 Pada kondisi seperti ini arus akan mengalir dari anoda menuju katoda. 18 .7 volt sedangkan untuk dioda germanium Ud ? 0. Bias Mundur Jika kedua elektroda dioda tersebut kita hubungkan secara terbalik (berlawanan polaritas).10. sehingga arus tidak akan atau sedikit mengalir dalam orde mikroamper. Untuk dioda silikon Ud ? 0. Tegangan saat arus mengalir secara linear ini dikenal sebagai tegangan patahan (Breakdown Voltage).3 volt.

bahan semikonduktor bersifat sebagai penyekat. Elektron yang melepaskan diri dari ikatannya disebut Elektron-bebas. 8. sedangkan pada temperatur kamar menjadi penghantar. Atom adalah bagian terkecil dari benda yang tidak dapat dibagi lagi. Pencampuran antara bahan semikonduktor bervalensi berbeda misal Silikon yang bervalensi 4 dengan bahan Indium yang bervalensi 3 akan menghasilkan tipe semikonduktor P (positip).( 27 0 C) berubah ? 19 . 3. Inti dan proton dianggap bermuatan sama (positip). sedangkan tempat yang ditinggalkannya membentuk muatan p ositip yang diberi nama Hole. dimana atom terdiri dari Inti. Dalam keadaan murni dan pada temperatur –2730 C (0 0 K). Sifat dioda PN adalah menghantarkan arus saat bias maju (forward) dan menghambat arus saat bias mundur (reverse).1 1. Proton dan Elektron. Setiap elektron yang berdekatan dari atom yang berbeda dapat membuat suatu ikatan yang dikenal sebagai ikatan kovalen (Covalent-Bond). 5. 6. 7. sedangkan pencampuran Silikon dengan Arsenikum yang bervalensi 5 akan menghasilkan tipe N (negatip). Jumlah lapisan (orbit) elektron dari suatu unsur dapat dihitung dengan rumus pendekatan ? e = 2 n2 4. jika muatannya seimbang . sedangkan elektron bermuatan negatip dan kedua muatan tersebut dapat saling tarik menarik atau tolak menolak bahkan bisa bermuatan netral.Elektronika -1 RANGKUMAN . 2.

Elektronika -1 ? kejadiannya ! LEMBAR LATIHAN . Hitung / gambarkan jumlah lintasan dan jumlah elektron setiap lintasannya ! b. Sebutkan ciri-ciri (sifat) dioda untuk bias maju dan mundur ! 20 . . a. Apa yang dimaksud dengan Elektron Bebas dan Hole ? Sebutkan juga 2. Unsur Indium (In) yang mempunyai nomor atom 49 dan Phospor (P) yang bernomor atom 15. Valensi In = …………. valensi P = …………… 3.1 1. Apa yang dimaksud dengan metoda Impurity (DOPING) dan sebutkan apa tujuan / alasannya ? 4.

21 . Sedangkan jika dibias mundur. maka dia akan menghambat arus. Kehilangan elektron tersebut mengakibatkan “lubang” (hole) yang bermuatan positip. dimana kejadiannya adalah saat elektron tersebut lepas dari ikatannya akibat adanya pengaruh agitasi thermis ataupun chemis. Elektron bebas dan hole adalah pembawa muatan negatip dan positip. 2.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . sedangkan unsur Phospor = 3. maka dia akan menghantarkan arus listrik. Jika dioda diberi bias maju. jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah : Orbit 1 = 2 x 1 2 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 5 elektron Dengan demikian Elektron valensi untuk unsur Indium adalah = 5. Sedangkan atom yang ditinggalkan oleh elektron akan kehilangan muatan negatip sehingga atom tersebut akan lebih negatip. dimana unsur murni dicampur dengan unsur lain sehingga berubah sifat.1 1. Metoda ini disebut metoda pengotoran (doping). Metoda impurity (doping) adalah metoda untuk memperoleh bahan (unsur) yang mempunyai polaritas tertentu (positip atau negatip). jika diuraikan jumlah elektron dalam setiap orbitnya adalah sebagai berikut : Orbit 1 = 2 x 12 = 2 Orbit 2 = 2 x 22 = 8 Orbit 3 = 2 x 32 = 18 Orbit 4 = 2 x 42 = 18 * Orbit 5 = 3 elektron Sedangkan untuk Phospor yang mempunyai nomor atom 15. misalnya unsur silicon murni dicampur dengan indium akan menghasilkan bahan silicon dengan polaritas positip. 2. 3. Usur Indium yang mempunyai nomor atom 49.

Elektronika -1 LEMBAR KERJA 1 KARAKTERISTIK DIODA ? TUJUAN Setelah selesai mengerjakan lembar kerja – 1 ini diharapkan anda : 1. ? RANGKAIAN PERCOBAAN A) ARAH MAJU S + R + A Us U Rp V D B) ARAH MUNDUR S + Us U V D + A 22 . 2. Dapat membuktikan sifat-sifat dioda secara umum. Dapat menggambarkan karakteristik listrik dioda arah maju dan mundur.

7 0. catatan : Dalam rangkaian ini sebagai pengukur arus digunakan mA meter. 4. Proto Board Trainer 7.1 0. Hidupkan saklar (ON). Potensiometer limear 1 k? 9. dimana semua posisi saklar pada posisi OFF. Nyalakan Power Supply dan atur tegangan sebesar 1 volt. 7.Elektronika -1 ? DAFTAR ALAT DAN BAHAN 1. Hentikan percobaan jika pembacaan meter sulit dibaca ! TABEL – 1 U (volt) 0 0. V meter dc 6.0 23 I ( mA) R ( ohm ) . mA meter dc. Posisikan V meter pada batas ukur 1 volt. Periksakan rangkaian tersebut kepada instruktor sebelum mulai percobaan. Amati kedua meter dan catat hasil penunjukkannya pada tabel . Regulated DC Power Supply 0 –20 volt 2. 6.2 0. Dioda Rectifier 1N4005 10.4 0. 9. Atur tegangan melalui potensiometer secara bertahap setiap 0. ? A meter dc. 4. 3.5 0. Multimeter 8. 3. Buat rangkaian seperti gambar 1 di atas. Resistor = 100 ? / 1 W 11.3 0. Saklar ON-OFF 5.1 volt.6 0. 8. ? LANGKAH KERJA –1 1. 5.1 yang disediakan.9 1. 2. Posisikan mA meter pada batas ukur 100 mA.8 0. Kabel secukupnya.

kemudian naikkan bertahap setiap 2 volt dan amati penunjukkan ? A-meter. 24 .2 1. Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula. Buat rangkaian seperti gambar 2. Perhatikan juga batas ukur meter yang digunakan ! 3. Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel –2 di bawah. Catatan : Untuk percobaan ke 2 ini batas ukur ? A meter diatur pada batas terendah. Catatan : Pengukur arus adalah ? A-meter 2. Hidupkan saklar dan atur tegangan dari nol. 5. TABEL – 2 U (volt) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 I (? A) R ( ohm ) ? KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1. Hentikan percobaan.Elektronika -1 R=U/I ? LANGKAH KERJA . Perhatikan polaritas dioda dan meter pengukur dc ! 2. Periksa kebenaran rangkaian pada instruktur anda. 4. jika batas tegangan Power Supply telah mencapai 20 volt. posisi saklar pada posisi OFF. sedangkan batas ukur V meter hingga diatas 20 volt. 3.

Berapa titik konduk dioda yang anda amati ? Ud = ? ………… volt 2.. Untuk arah maju 5 mm ? 0. Untuk arah mundur 20 mm ? 2 volt dan 5 mm ? 1 ? A.volt 3. ……………………………………………………………………….Elektronika -1 ? TUGAS Buat gambar karakteristik dioda arah maju dan mundur dari data tabel 1 dan 2 hasil pengukuran anda pada pola di bawah ini dengan skala : a. b. ………………………………………………………………………. Kenapa rangkaian percobaan 1 dan 2 dibedakan atas posisi alat ukurnya ? ………………………………………………………………………. 25 ..1 volt dan 5 mm ? 10 mA. Berapa titik Breakdown-nya ? Ubd = ? …………. ? EVALUASI 1. ……………………………………………………………………….

2. yaitu : ? ? Penyearah Setengah Gelombang (Half-Wave Rectifier). Penyearah Setengah Gelombang Rangkaian dasar penyearah setengah gelombang diperlihatkan pada gambar 1.1. maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. Ada dua macam penyearah yang dikenal. ………………………………………………………………………. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir.11. ………………………………………………………………………. Kenapa pada rangkaian percobaan – 2 tidak digunakan hambatan R ? ………………………………………………………………………. 2.11. Penyearah Gelombang Penuh (Full-Wave Rectifier). maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. dimana sisi primer transformator tersambung dengan sumber bolak-balik (ac) sedangkan sisi sekunder dihubungkan seri dengan sebuah dioda dan tahanan beban (R L). Dioda Sebagai Penyearah Arus (Rectifier) Berdasarkan sifat-sifat dioda .Elektronika -1 4. 26 . maka dioda dapat dimanfaatkan sebagai alat penyearah arus bolak-balik (rectifier). Rangkaian Penyearah setengah gelombang Jika saklar S ditutup. Gambar 1.

maka penyearah seperti ini dikenal sebagai Penyearah Setengah Gelombang. maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja.2) Dimana : Um = harga maksimum tegangan ac Udc = harga rata-rata tegangan dc 27 .318 Um (1. Proses perubahan tegangan bolak -balik menjadi pulsa searah ini disebut penyearahan dan dikarenakan hanya setengah periode saja yang dapat dimanfaatkan. Guna menghitung besar harga rata-rata signal yang disearahkan dapat digunakan rumus pendekatan sebagai berikut : Um Udc = ? = 0.12.Elektronika -1 Gambar 1. Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4. Proses penyearahan setengah gelombang Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat. sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan.

28 . Sistem Centre-tap Ujung A dihubungkan pada dioda D1 dan ujung B pada dioda D2. Kerja penyearah ini dapat dilihat pada gambar 1. Gambar 1.13. Penyearah Gelombang Penuh Ada dua macam penyearah gelombang penuh.14.Elektronika -1 2. Ujung lain dari dioda ini dihubungkan pada titik yang sama dari ujung tahanan RL di titik X dan ujung titik Y disambungkan ke titik tengah transformator C. dimana kurva a1 dan a2 menunjukkan tegangan yang masuk pada dioda D1 dan D2 yang selalu berlawanan phasa dan sama besarnya. yaitu sistem Titik -Tengah (centretap) dan Sistem Jembatan (bridge). dimana jumlah lilitan antara titik AC sama dengan jumlah lilitan pada titik CB.2. Penyearah sistem titik-tengah menggunakan transformator centre-tap.

sedangkan D2 tidak menghantar (kurva b2 saat t1 -t 2).t3 ujung A berpolaritas negatip sedang ujung B positip sehingga pada saat ini dioda D2 yang menghantar (kurva b2 saat t2 .t 3) sedang D1 tidak menghantar (kurva b1 saat t2 – t3 ). Dikarenakan satu gelombang penuh tegangan bolak-balik telah dimanfaatkan. Kelebihan penyearah gelombang penuh dari penyearah setengah gelombang adalah menghasilkan tegangan rata-rata (Udc ) duakali lipat atau dituliskan sebagai berikut : Udc = 2 x 0. Dengan demikian kedua dioda tersebut secara bergantian setiap setengah periode dan tahanan RL sertiap saat selalu dilewati arus (kuva c) yang berbentuk pulsa positip. Proses Penyearahan Gelombang Penuh Pada saat t1 – t2 ujung A sedang berpolaritas positip.Elektronika -1 Gambar 1. Pada saat t2 .14. sedangkan ujung B negatip sehingga pada sat ini dioda D1 yang sedang menghantar (kurva b1 saat t1 – t2).318 Um = 0.636 Um Untuk penyearah gelombang penuh Sistem Jembatan diperlukan empat buah dioda yang dipasang sedemikian rupa seperti diperlihatkan pada gambar 1. maka rangkaian ini dinamakan penyearah gelombang penuh.15.3) 29 . ( 1.

. 30 . dioda D1 dan D2 berada dalam kondisi menghantar. maka ikuti gambar 1.15. Guna memudahkan anda mengetahui bagaimana sistem ini bekerja. Penyearah sistem Jembatan Ketika titik A sedang positip.sedang D1 dan D2 tidak menghantar.16. dimana ketika titik A sedang negatip.Elektronika -1 Gambar 1. Adapun hasil penyearahan dari sistem ini adalah mirip dengan sistem Titik -Tengah. Gambar 1. Proses kerja Sistem Jembatan Dengan demikian pada setiap setengah periode tegangan bolak-balik ada dua buah dioda yang bekerja secara serempak sedangkan dua buah lainnya tidak bekerja. dioda yang menghantar adalah dioda D3 dan D4 . sedang dioda D3 dan D4 tidak menghantar.16.

Besar tegangan yang dilipatkan dapat diatur mulai dari duakali lipat. maka tegangan output yang dihasilkan adalah Uo = 2 x 6. maka dapat dibuat rangkaian pelipat yang dasarnya adalah merupakan rangkaian penyearah tegangan. dan rangkaian ini dikenal sebagai Rangkaian Villard atau Cascade.3 volt. Sebagai contoh jika anda menghendaki kelipatan dua dari tegangan output suatu penyearah sebagai berikut : Jika diketahui tegangan efektiv (rms) suatu sumber ac adalah 4. maka tegangan maksimum (U m) adalah 4. 3. Rangkaian pelipat dua disebut Doubler. tigakali lipat atau seterusnya.6 volt.17.5 volt. Rangkaian doubler setengah gelombang seperti terlihat pada gambar 1.Elektronika -1 3. berikut : 31 . maka ikuti gambar 1. yaitu untuk setengah gelombang dan gelombang penuh.5 x ? 2 = 6.3 volt = ? 12.1. Gambar 1. Jika tegangan tersebut dilewatkan pada rangkaian pelipat dua.17. Dioda sebagai pelipat tegangan (Voltage Multiplier) Guna melipat tegangan dari suatu sumber tegangan searah . pelipat tiga disebut Tripler dan pelipat empat disebut Quadrupler atau secara umum pelipat ini disebut sebagai Multiplier.18. Doubler setengah gelombang Agar anda mudah memahami prinsip kerja rangkaian tersebut. Pelipat Dua (Doubler) Ada dua macam rangkaian pelipat dua ini.

berikut memperlihatkan rangkaian doubler gelombang penuh yang dikenal dengan nama Rangkaian Delon. maka dioda D1 menghantar sedangkan dioda D2 –off.18. misalnya resistor. Pada saat D2 terhubung singkat selama setengah perioda negatip dan D1 membuka kembali. Kapasitor C1 mengisi muatan hingga mencapai tegangan maksimumnya (Um ).(a). maka tegangan Uc2 akan turun selama setengah perioda positip dan kapasitor tersebut akan mengisi kembali hingga 2 Um pada setengah periode negatipnya. 32 . Pada setengah perioda berikutnya sedang negatip. Gambar 1.19. maka kedua kapasitor tersebut akan tetap bermuatan. Prinsip Kerja Doubler setengah gelombang Ketika setengah perioda tegangan trafo sisi sekunder sedang positip. yaitu Uc1 = Um dan Uc2 = 2 Um.Elektronika -1 Gambar 1.18. Jika output doubler ini dihubungkan dengan sebuah beban. kita dapat menjumlahkan tegangan yang ada pada jaringan sehingga akan ditemukan bahwa Uc2 = 2 Um. Jika paralel dengan kapasitor C2 tidak dibebani. Secara ideal D terhubung singkat selama 1 setengah periode tersebut dan tegangan input mengisi kapasitor C1 hingga Um dengan polaritas seperti pada gambar 1. dioda D1 off dan dioda D2 menghantar dan C2 mengisi muatannya.

Rangkaian Multiplier 33 . Rangkaian Doubler Gelombang Penuh Rangkaian pelipat lain dengan kemampuan lebih besar diperlihatkan seperti gambar Gambar 1.Elektronika -1 Gambar 1.

318 Um = 0. yaitu dengan menggunakan transformator titik tengah (centre-tap) dan tipe jembatan (bridge). Penyearah gelombang penuh ada dua tipe. penyearah dapat dibentuk sebagai rangkaian pelipat (multiplier) tegangan. sedangkan hasil penyearahan gelombang penuh adalah 2 x 0. Hasil penyearahan setengah gelombang adalah 0.Elektronika -1 RANGKUMAN . Dioda dapat digunakan sebagai penyearah arus dari arus bolak -balik ke arus searah 2.636 Um 4.318 Um. Dengan bantuan kapasitor. 5. yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh 3. Penyearah arus ada dua macam. 34 .2 1.

Menurut analisa anda. kenapa tegangan dc output lebih rendah dari tegangan input ac ? 35 .2 1.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN . Ceriterakan prinsip penyearahan signal ac menjadi dc dengan system penyearah setengah gelombang lengkap dengan gambarnya. Jika diketahui sebuah penyearah gelombang penuh sistem jembatan dengan input ac = 12 volt. Tegangan searah (dc) 3. maka hitunglah : a. Tegangan maksimum (Um) b. 2.

2 1. Pada saat t2 – t3 titik B sedang dalam polaritas negatip dan dioda dalam kondisi menghambat.97 volt b) Udc = 5. maka proses serupa akan terulang sehingga pada R L akan terdapat pulsa positip saja.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . Diketahui Uin = 12 volt effektif Ditanya : a) U maksimum ( Um) b) U dc Jawab : a) Um = 16. maka saat t1 – t2 keadaan di titik A misal berpolaritas positip. Jika titik A kembali positip pada saat t3 – t4. 2. maka pada setengah periode ini dioda ada dalam kondisi menghantar sehingga arus I RL mengalir. Prinsip penyearahan setengah gelombang Jika saklar S ditutup. sehingga R L dialiri arus reverse yang relatip kecil dan sering diabaikan. Arus tersebut akan melewati tahanan RL sehingga antara titik C dan D terbangkit tegangan yang sebanding dengan besarnya arus yang mengalir.40 volt 36 .

maka tegangan dc yang dihasilkan oleh penyearah setengah gelombang akan lebih rendah dari tegangan inputnya (U ef ataupun Umak nya) 37 .Elektronika -1 3. Karena yang dilewatkan hanya setengah periode sedangkan setengah lainnya dihambat.

? RANGKAIAN PERCOBAAN A. menganalisis bentuk gelombang searah. membuktikan dioda sebagai penyearah gelombang penuh 3.Elektronika -1 LEMBAR KERJA 2 DIODA SEBAGAI PENYEARAH ARUS ? TUJUAN Setelah menyelesaikan lembar kerja – 2 . Penyearah Sistem Jembatan 38 . diharapkan anda mampu : 1. membuktikan dioda sebagai penyearah arus setengah gelombang. 2. Penyearah setengah gelombang D x AC R y B.

Masukkan hasil pengamatan anda pada Tabel – 1 7. Lakukan langkah 4 dengan menggunakan Oscilloscope 6. AC Regulated Power Supply 0 – 220 volt 2.Elektronika -1 ? ALAT DAN BAHAN 1. V meter dc 5. Oscilloscope Dual-Trace ? LANGKAH KERJA 1. Ikuti petunjuk yang sama dan masukkan hasil pengamatan anda pada tabel – 2. Atur sumber ac sesuai dengan Tabel 1. Periksakan rangkaian anda kepada instruktur sebelum melakukan pengamatan atau menghidupkan sumber daya ! 2. V meter ac 6. 39 . Buat rangkaian seperti gambar A 2. R = 100 ohm/5 W 4. Dioda rectifier IN4005 dan Bridge Diode 3. 4. 5. Periksa sambungan dan perhatikan polaritas 3. Jika anda telah menyelesaikan perintah 1 s/d 6. di bawah. Kembalikan semua alat dan bahan ke tempat semula. Ukurlah dengan menggunakan V meter dc tegangan output antara titik x dan y. Buat kesimpulan hasil pengamatan anda ? KESELAMATAN KERJA 1. 8. 9. Periksa polaritas dan jenis alat ukur (meter) dengan benar ! 3. buat rangkaian seperti gambar 2.


dimana terjadi patahan (breakdown). sedangkan jika tegangan sumber sedikit diatas Uz.21. 4. Notasi Uz adalah tegangan reverse dioda. Karakteristik dioda zener Gambar 1. Gambar 1. Simbol dan rangkaian ekuivalen dioda zener Rangkaian ekuivalen dioda zener merupakan suatu hambatan dinamis yang bernilai relatip kecil dan seri dengan sebuah batere searah yang besarnya sebanding dengan potensial zener tersebut. memperlihatkan karakteristik listrik dioda zener yang mirip dengan karakteristik dioda pada umumnya.22.4 volt sampai 200 volt dengan disipasi daya ¼ sampai 500 W. Dioda Zener Dioda zener adalah merupakan dioda yang terbuat dari bahan silikon dan dikenal sebagai Voltage Regulation Diode yang bekerja pada daerah reverse bias (kuadran III) di daerah breakdownnya. 41 .Elektronika -1 4.21. arus reverse akan naik dengan cepat. Kemampuan dioda zener berkisar mulai 2. Jika tegangan sumber yang dib erikan pada zener lebih kecil dari Uz.1. maka tahanan dioda zener sekitar 1 Mega ohm bahkan lebih. Simbol dan rangkaian ekuivalennya diperlihatkan seperti gambar 1.

Gambar 1. dan jika terlampaui akan mengakibatkan kerusakan.Elektronika -1 Gambar 1. arus naik sedemikian rupa sedangkan tegangan zener Uz akan tetap tidak berubah. Rangkaian dioda zener 42 . Oleh karena itu dalam prakteknya dioda zener selalu dipasang serikan dengan sebuah resistor.23. Karakteristik listrik dioda zener Dari karakteristik terlihat bahwa setelah terjadi tegangan patahan. Kenaikan arus zener ini mempunyai batas maksimal yang diberi notasi Iz max.22.

Syarat yang perlu diperhatikan dalam penggunaan rangkaian ini adalah arus yang melewati ketiga zener tidak boleh lebih rendah dari Iz minimum dan tidak boleh melewati Iz maksimum. sedangkan nilai Rs maksimalnya dengan memperhitungkan Iz minimal dari zener. maka zener dioda banyak digunakan sebagai penstabil tegangan searah. Variasi stabilisator tegangan dengan zener Untuk penstabil seperti yang diperlihatkan pada gambar 1. Zener sebagai penstabil tegangan Dikarenakan karakteristiknya.24. 43 .24.Elektronika -1 Guna menentukan nilai tahanan seri (Rs) agar dioda terhindar dari arus lebih digunakan rumus sebagai berikut : Rs ? (Us ? Uz) Iz (max) (1. Gambar-gambar zener sebagai penstabil tegangan dapat dilihat pada gambar berikut. 4. Uz2+Uz3 dan (Uz1+Uz2+Uz3). kita dapat memperoleh enam tegangan yang stabildan berbeda-beda. Gambar 1.4 ) Persamaan diatas akan menghasilkan nilai Rs minimal yang dapat dipasang.2. yaitu Uz1 s/d Uz3 kemudian variasi Uz1+Uz2.

25.26.Elektronika -1 Untuk memperoleh tegangan yang lebih stabil dan menghilangkan faktor kerut dari tegangan input.25. Gambar 1. Rangkaian stabilisator parallel Dengan mengubah R2 dengan sebuah potensiometer. 5. maka digunakan rangkaian seperti gambar 1. Simbol dan bentuk fisiknya diperlihatkan seperti gambar 1. Konstruksi dan simbol LED 44 . Adapun syaratnya Uz1 harus lebih besar daripada Uz2. Dioda Emisi Cahaya (LED) Dioda Emisi Cahaya (Light Emitting Diode= disingkat LED) dikenal dengan istilah lain Solid State Lamp adalah piranti elektronik gabungan elektronik dengan optic (lensa) dan akhirnya dikenal juga sebagai keluarga Opto-Electronic. Gambar 1.26. maka tegangan output rangkaian tersebut dapat diatur dari Uz2 hingga Uz1.

1 volt 2. Penggunaan LED Penggunaan LED dalam rangkaian elektronik dibagi dalam tiga kategori umum.2. Untuk transmisi signal cahaya yang dimodulasikan dala m suatu jarak tertentu.2 volt Tabel 3. 5. Bahan GaS memancarkan warna infra -merah.8 volt 2. Bahan GaAsP warna merah atau kuning sedangkan bahan GaP dengan warna merah atau hijau. Batasan kemampuan LED LED mempunyai batas kemampuan arus maupun tegangan yang dibedakan berdasarkan warna seperti diperlihatkan pada tabel 3 berikut. WARNA Merah Orange Kuning Hijau TEGANGAN MAJU 1. Oleh karena itu dalam penggunaan LED biasanya dihubung seri dengan sebuah hambatan ( R ). 5. Tegangan Maju LED Standar arus maju LED standar adalah 20 mA. b. Sebagai penggandeng rangkaian elektronik yang masing-masing terisolir secara total. c.0 volt 2. 45 .Elektronika -1 Bahan dasar yang digunakan untuk pembuatan LED adalah Galium Arsenida (GaAs) atau Galium Arsenida Phospida (GaAsP) atau juga Galium Phospida (GaP) yang dapat memancarkan cahaya dengan warna yang berbeda. Sebagai lampu indicator. yaitu a.1.

arus yang mengalir sekitar 10 ? A untuk dioda cahaya dengan bahan dasar germanium dan 1? A untuk bahan silikon.Elektronika -1 Jika LED digunakan sebagai indicator cahaya dalam suatu rangkaian arus bolak-balik.27. jadi hanya arus bocor saja yang melewatinya. LED sebagai indikator sumber ac 6. biasanya dihubungkan parallel dengan sebuah dioda penyearah secara terbalik (anti-parallel) seperti terlihat pada gambar 1. Photo Dioda Secara umum dioda-cahaya ini mirip dengan PN-Junction.27. Konstruksi simbol dan bentuk fisiknya dapat dilihat pada gambar 1.27. bentuk fisik dan simbol dioda cahaya Dioda cahaya ini bekerja pada daerah reverse.27. Konstruksi. perbedaannya terletak pada persambungan yang diberi celah agar cahaya dapat masuk padanya. 46 . Gambar 1. Dalam keadaan gelap. Gambar 1.

Jika setiap lubang pita itu melewati celah antara tadi. maka cahaya yang memasuki lubang tersebut akan diterima oleh dioda cahaya dan diubah dalam bentuk signal listrik. misal dalam penggunaan alarm. dimana pita berlubang tersebut terletak diantara sumber cahaya dan dioda cahaya. Sedangkan penggunaan lainnya adalah dalam alat pengukur kuat cahaya (LuxMeter).Elektronika -1 Kuat cahaya dan temperature keliling dapat menaikkan arus bocor tersebut karena dapat mengubah nilai resistansinya dimana semakin kuat cahaya yang menyinari semakin kecil nilai resistansi dioda cahaya tersebut. dimana dalam keadaan gelap resistansi dioda cahaya ini tinggi. 47 . sedangkan jika disinari cahaya resistansinya akan berubah rendah. Penggunaan dioda cahaya diantaranya adalah sebagai sensor dalam pembacaan pita data berlubang (Punch Tape). Dioda cahaya ini banyak juga digunakan sebagai sensor sistem pengaman (security).

Dioda zener terbuat dari bahan dasar silicon dengan konsentransi campuran lebih tinggi dari dioda rectifier. Kemampuan tegangan setiap LED tergantung dari jenis bahan dasar dan warna cahaya yang dikeluarkannya 7. Dioda zener sering digunakan sebagai penstabil tegangan (voltage Stabilisator) sumber arus searah. Dioda cahaya banyak digunakan sebagai piranti sensor system pengaman dan peraba data dari pita berlubang (Punch Tape). 48 . Dioda cahaya juga bekerja didaerah reverse bias.3 1. Mengingat keterbatasan dioda zener. 8.Elektronika -1 RANGKUMAN . Dioda zener bekerja di daerah reverse bias (kuadran III) 3. 2. 5. maka dalam prakteknya harus dihubung seri dengan sebuah tahanan. 4. Dioda Emisi Cahaya (LED) banyak digunakan sebagai indikator cahaya elektronik 6.

5 mA.3 1. dioda zener harus diserikan dengan sebuah resistor ? 4. Hitung nilai tahanan seri (Rs) minimal dan maksimalnya yang diizinkan dipasang.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN . Identitas dioda zener adalah sebagai berikut Uz = 8 volt. Sumber tegangan searah (dc) sebesar 15 volt akan distabilkan oleh sebuah dioda zener sehingga outputnya = 8 volt dc.) = 140 mA. 49 . Apa yang dimaksud dengan “dioda zener bekerja pada kuadran ke III” ? 3. Iz (max. Dengan alasan apa. Dengan alasan apa dioda zener terbuat dari bahan dasar unsur silikon ? 2. Iz(min) = 1. Dapatkah sebuah LED digunakan sebagai penyearah ? Sebutkan alasan anda. 5.

3. LED tidak dapat digunakan sebagai dioda penyearah.3 1. 4. karena dia bekerja pada daerah reverse bias.5x10 ? 3 A Rmak ? 5.66? Iz (min) 1. 50 . 2. Dalam kerjanya dioda zener harus terhubung seri dengan sebuah resistor dengan alasan guna menghindari arus / tegangan lebih. Silikon lebih tahan terhadap panas dibandingkan bahan semikonduktor lainnya . karena LED mempunyai keterbatasan kemampuan elektrik seperti tegangan dan arus yang relatip kecil. R min ? Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 50? Iz ( mak) 140 x10? 3 A Us ? Uz (15 ? 8)V ? ? 4666.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . Maksud dioda zener bekerja pada kuadran ketiga adalah.

beban tetap B 1. Tetapkan R L = 1000 ohm 2.3 ZENER DIODA SEBAGAI PENSTABIL TEGANGAN SEARAH ? TUJUAN Dapat membuktikan dioda zener sebagai penstabil tegangan ? RANGKAIAN PERCOBAAN S A IZ + U A V RL IT R1 A IL ? ALAT DAN BAHAN R1 = 100 ohm RL = 500 – 3000 ohm (variativ) Z = 1N 4744 / 60 mA atau yang sejenis Us = 0-20 volt dc variable A = mA meter dc V = volt meter dc ? LANGKAH KERJA A.Elektronika -1 LEMBAR KERJA . Ukur dan catat hasil pengamatan anda untuk besaran UAB. Naikkan tegangan U s hingga Iz = 5 mA 3. Tegangan sumber berubah. IT dan Us 51 .

Perhatikan polaritas zener dan alat ukur agar tidak terbalik ! Perhatikan penunjukkan A-meter (Iz) ! Hentikan pengukuran (percobaan) jika Iz menuju nilai maksimal (60 mA) ! Kembalikan alat dan bahan pada tempat semula ! ? TABEL PENGUKURAN TABEL A UAB RL = 1000 ohm Iz 5 10 15 20 25 30 40 50 60 IL IT US 52 . Ubah RL dari 500 ohm sampai 3000 ohm secara bertahap tanpa mengubah nilai Us. 5. 3. B. 3.Elektronika -1 4. 4. 2. ? KESELAMATAN & KESEHATAN KERJA 1. Periksakan rangkaian anda pada instruktur sebelum memulai percobaan. ukur dan catat penunjukkan meter. Pada setiap perubahan RL tersebut perhatikan penunjukkan alat ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel B yang tersedia. Atur Iz = 5 mA dengan RL = 500 ohm . Atur Iz sesuai tabel A dan catat setiap penunjukkan alat ukur pada tabel A yang tersedia. Variasi beban R L 1. 2.

Elektronika -1 TABEL B RL 500 1000 1500 2000 2500 3000 Iz IT UAB US ? KOMENTAR DAN KESIMPULAN 53 .

Elektronika -1 KEGIATAN BELAJAR . maka diharapkan anda dapat : ? Memahami prinsip kerja transistor bipolar ? Mengidentifikasi transistor bipolar ? Menguji transistor bipolar ? Menggunakan transistor bipolar dalam rangkaian elektronik 54 .2 TRANSISTOR BIPOLAR TUJUAN Setelah mempelajari topik ini.

dikatakan bipolar karena terdapat dua pembawa muatan . yaitu Emiter. dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda .4. Kolektor dan Basis. Susunan fisik lapis transistor Sedangkan gambar rangkaian penggantinya sama dengan dua buah dioda yang dipasang saling bertolak seperti terlihat pada gambar 2. yaitu jenis PNP dan NPN yang simbolnya diperlihatkan pada gambar 2. namun dikarenakan sifatnya.1. 55 . yaitu elektron bebas dan hole. Gambar 2. transistor ini dapat digunakan sebagai saklar elektronis. berikut memperlihatkan beberapa bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar.1. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N seperti digambarkan pada gambar 2. Gambar 2.2. Rangkaian pengganti transistor Gambar 2. Sedangkan jenisnya ada dua macam.3.Elektronika -1 1. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier). PENDAHULUAN T ransistor adalah piranti elektronik yan g menggantikan fungsi tabung elektron-trioda.2.

maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan n logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink). namun pada dasarnya karena transistor i i tidak tahan terhadap temperatur. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan. Bangun fisik dan konstruksi transistor bipolar Gambar 2. Simbol transistor Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya.4.Elektronika -1 Gambar 2. 56 . kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja.3.

sedangkan huruf kedua menyatakan penerapannya. Berikut ini adalah huruf-huruf kedua yang dimaksud : C = transistor frekuensi rendah D = transistor daya untuk frekuensi rendah F = transistor frekuensi tinggi L = transistor daya frekuensi tinggi Contoh penerapan kode ini diantaranya adalah BF 121. maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. PENGUJIAN TRANSISTOR Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda.Elektronika -1 2. Berikut ini adalah gambaran spesifikasi transistor yang banyak digunakan khususnya dalam penentuan elektroda dari transistor tersebut. Elektroda transistor 3. Gambar 2. maka huruf pertama menyatakan bahan dasar transistor tersebut. 57 . 4. PENENTUAN ELEKTRODA TRANSISTOR Spesifikasi transistor yang lengkap dapat anda peroleh dari buku petunjuk transistor. dimana dalam buku tersebut akan anda peroleh karakteristik fisik dan listrik suatu jenis transistor bahkan dilengkapi dengan transistor ekuivalennya. A = Germaniun dan B = Silikon.5. BC 108 dan ASY 12. PENGKODEAN TRANSISTOR Hampir sama dengan pengkodean pada dioda. AD 101.

Collector Base PNP Transistor Emitter Gambar 2. Dioda Transistor Guna mempermudah cara pengujian. Pemutusan b. 58 . yaitu : a. Hubung singkat c. tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya.Elektronika -1 Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a.6. Salah pemasangan pada rangkaian b. Kebocoran Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut. memperlihatkan kembali rangkaian d ioda transistor PNP yang akan dijadikan referensi pengujian transistor. berikut ini diberikan contoh hasil pengujian transistor ASY 12 dan BC 108 dengan menggunakan ohmmeter. Gambar 3. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c.6. Pengujian yang tidak professional Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tig a jenis.

Elektronika -1



ASY 12 2,5 M? 50 ? 3 M? 55 ? 200 k? 8 k?

BC 108 ? 15 ? ? 18 ? 5 M? 4 M?

RANGE OHMMETER x 1 k? x 10 ? x 1k? x 10 ? x 1 k? x 1 k?

C– B


E– B




Dari tabel pengujian ternyata terdapat perbedaan besar antara nilai hambatan untuk arah forward dan hambatan untuk arah reverse. Pada pengukuran elektroda C dan B untuk transistor BC 108 (silicon) dengan arah reverse diperoleh nilai hambatan yang besar ( ) dan jika pada pengukuran ini ternyata ? nilai tersebut rendah, maka dapat kita nyatakan adanya kebocoran transistor antara kaki kolektor dan basisnya. Hal lain yang perlu diperhatikan dalam pengujian transistor dengan ohmmeter adalah posisi RANGE ohmmeter tersebut, karena kesalahan range akan menimbulkan kerusakan p ada transistor yang diuji. Cara pengujian lain transistor adalah dengan menggunakan alat elektronik yang dikenal sebagai Transistor Checker. Kondisi transistor dapat juga anda uji ketika transistor tersebut sedang bekerja dalam suatu rangkaian, yaitu den gan mengukur tegangan antara basis dan emitter. Tegangan antara basis dan emitter ini normalnya untuk transistor germanium adalah 0,3 volt sedangkan tegangan basis emitter untuk jenis silicon sekitar 0,6 volt. Jika jauh lebih rendah atau lebih tinggi dari harga tersebut, maka transistor tersebut sedang dalam kondisi tidak normal atau rusak.


Elektronika -1


Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Suhu maksimal sutu transis tor Germanium adalah sekitar 75 o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150 o C. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor, harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan penyaluran panas. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. Selain itu ada juga biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas.


Untuk memberi gambaran bagaimana suatu transistor bekerja, pada gambar 2.7 diperlihatkan operasi dasar sederhana transistor jenis PNP.

Gambar 2.7. Operasi dasar transistor

Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung, sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. 60

Elektronika -1

Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P. Jika sekarang kedua potensial secara bersama dipasang seperti gambar 2.8, maka akan tampak kedua aliran mayoritas dan minoritasnya.

Gambar 2.8. Aliran mayoritas dan minoritas

Pada gambar terlihat sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (IB) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis, maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff, maka

I E = IC + IB

Jika besar tegangan antara kolektor dan basis (UCB ) konstan, maka perbandingan perubahan arus kolektor IC dengan perubahan arus emitter IE disebut faktor penguatan basis bersama dan diberi simbol ? (alpha) dan besarnya berkisar dari 0 sampai

0,998. Secara pendekatan rumus alpha ini adalah

? ?


Harga ?

lebih besar dari nol tapi lebih kecil dari satu sehingga sering ditulis sebagai 0< ? < 1 61

Elektronika -1


Transistor adalah piranti aktif, dimana outputnya adalah merupakan hasil perubahan dari inputnya. Dengan membandingkan antara output dengan inputnya, maka akan diperoleh factor penguatan (amplification). Dengan demikian, maka transistor ini dibuat atau dipersiapkan sebagai piranti penguat. Sebagai piranti elektronik, transistor mempunyai tiga elektroda yang tersusun sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai sebuah penguat. Ada tiga system sambungan (konfigurasi) dari penguat transistor, yaitu konfigurasi Basis Bersama (Common Base), Emiter Bersama (Common Emitter) dan Kolektor Bersama (Common Collector).

7.1. Konfigurasi Basis Bersama Rangkaian pada gambar 2.9. memperlihatkan rangkaian konfigurasi Basis Bersama (CB) dengan potensial UEB dan UCB untuk kedua jenis transistor PNP dan NPN. Untuk jenis PNP, emiter positip terhadap basis sedangkan kolektornya negatip. Sedangkan untuk jenis NPN sebaliknya emitter negatip terhadap basis dan kolektornya positip.

Gambar 2.9. Konfigurasi Basis Bersama


Elektronika -1

Karakteristik input atau karakteristik emitter konfigurasi basis bersama diperlihatkan pada gambar 2.10.

Gambar 2.10. Karakteristik input konfigurasi basis bersama (CB)

Dari karakteristik terlihat bahwa dalam mode arus searah, tegangan hantar untuk sambungan basis ke emiter sekitar 0,6 s/d 0,7 volt, ini menandakan berlaku bagi bahan dasar silikon, sedangkan untuk bahan dasar germanium sekitar 0,3 volt.

7.2. Konfigurasi Emiter Bersama

Konfigurasi emitter bersama (CE) sambungannya diperlihatkan pada gambar 2.11. tampak bahwa emitter digandeng bersama baik dengan kolektor maupun basisnya.


12. Karakteristik output ini melukiskan arus output IC yang merupakan fungsi dari tegangan output U CE untuk harga arus input IB yang bervariasi. Gambar 2. Karakteristik Output Emiter Bersama 64 .11.12. Konfigurasi Emiter Bersama (CE) Karakteristik kolektor tipe NPN atau karakteristik outputnya diperlihatkan pada gambar 2.Elektronika -1 Gambar 2.

Konfigurasi Kolektor Bersama Konfigurasi kolektor bersama (CC) sambungannya diperlihatkan seperti gambar 2. Konfigurasi ini sering digunakan sebagai penyama-impedansi (matchingimpedance).Elektronika -1 Perbandingan arus kolektor dengan arus basis dengan tegangan kolektor-emiter konstan disebutkan sebagai faktor penguatan arus maju emiter bersama disimbolkan dengan huruf Yunani ? (betha).3. dimana dengan impedansi input tinggi dan outputnya rendah.13.13. Konfigurasi Kolektor Bersama (CC) Karakteristik output konfigurasi CC serupa dengan karakteristik output CE. Gambar 2. 65 . Hubungan faktor penguatan ? dengan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau 7.

sehingga tegangan UCE = UCC.Elektronika -1 8. maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik. PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor.Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube). Namun dikarenakan karakteristik listriknya. Lebih ekonomis. penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan.14. dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. 8. maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan signal-signal.. arus.14. daya. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2. RL = 0. seperti : a. Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC . 66 .1. dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor. Gambar 2. dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya. Fisik relative jauh lebih kecil. b. tegangan dan sebagainya. c.

Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade . dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2. R L = UCC .15. yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2.16.Elektronika -1 Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . Regulator Tegangan dengan Transistor 67 .15. Rangkaian Kaskade Transistor 8. dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0..2. Gambar 2.

Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB. Pada saat terjadi perubahan tegangan ini. kar ena UZ tetap konstan sedangkan Ui = U CB + U Z.Elektronika -1 Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban R L. 68 . maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama.

Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan. Penggunaan lainnya adalah sebagai pengatur arus (current regulator) pada penstabil arus searah. transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. emitter bersama dan kolektor bersama. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. yaitu Emiter. 10. tegangan. Ada tiga konfigurasi penguat transistor. sedangkan silicon sekitar 150 o C 6. Transistor mempunyai tiga buah elektroda. yaitu konfigurasi basis bersama. Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. Penguatan arus konfigurasi basis bersama (CB) disimbolkan dengan huruf Yunani ? berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol atau dituliskan 0<? <1. daya (Amplifier) 3. 8. Karena karakteristik listriknya. Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75 o C. 5. 11. Hubungan antara ? dan ? dituliskan sebagai ? ? ? ? ? 1? ? ? ? ?1 atau Selain sebagai penguat (amplifier) sering digunakan sebagai saklar elektronis dengan pertimbangan tidak memercikan api saat pengontakan. maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat Sink. 69 . 7. Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN 2. lebih kecil dan ekonomis. 9. 4.Elektronika -1 RANGKUMAN – 4 1. Penguatan arus konfigurasi emitter bersama (CE) disimbolkan dengan huruf Yunani ? bernilai lebih besar dari satu bahkan puluhan dan ratusan. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse).

Sebutkan perbedaan antara transistor PNP dengan transistor NPN ! 2. Apa yang dimaksud dengan istilah rangkaian kaskade dalam rangkaian transistor ? 5. Sebutkan keuntungan saklar elektronis dibandingkan dengan saklar mekanik ! 70 . Kenapa dalam penggunaan transistor sering dipasang alat pendingin ? 6. Ceriterakan prinsip kerja suatu transistor ! 3.4 1. Sebutkan kemungkinan kerusakan transistor dan penyebabnya ! 8. Jika diketahui nilai ? suatu transistor = 0. Apa yang dimaksud dengan 0 < ? < 1 ? 4.995 berapakah nilai ? -nya ? 7.Elektronika -1 ? LEMBAR LATIHAN .

71 . Gambar (b) memperlihatkan basis dan kolektor diberi bias mundur dan dalam kondisi ini daerah deplesi akan melebar sehingga yang mengalir hanya muatan minoritas dari N menuju P.4 1.Elektronika -1 JAWABAN LATIHAN . maka pada gambar terlih at sejumlah besar muatan mayoritas menyebrang dari P menuju N sebagai arus basis (I B) dan juga langsung menuju P (kolektor) sebagai arus kolektor (I C). Jika pemberian biasnya sekarang adalah seperti gambar berikut. Perbedaan tarnsstor PNP dan NPN selain konstruksinya adalah pada pemberian bias-nya saja. sehingga dalam keadaan ini yang bekerja hanya basis dan emiter saja dalam hubungan arah maju. Prinsip kerja transistor adalah Pada gambar (a) diperlihatkan bias basis dan kolektor tidak tersambung. Dalam kondisi ini daerah deplesi akan menyempit sehingga muatan mayoritas hole dari P akan mengalir menuju lapisan N dengan deras. 2.

maka muatan mayoritas ini sebagian besar akan menuju lapisan P (kolektor) sedangkan sisanya akan menuju ke basis. 5. maka I E = IC + IB 2.Elektronika -1 Karena potensial kolektor lebih negatip dibandingkan dengan basis. 3. Jika kita gunakan hokum Kirchhoff. Yang dimaksud dengan 0<? <1 adalah bahwa nilai ? selalu berharga lebih kecil dari satu dan lebih besar dari nol. Rangkaian kaskade adalah rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri. ? = 199 7. 4. Karena transistor tidak tahan terhadap panas. maka diperlukan pendingin bantuan. misal menggunakan sirip -sirip heat-sink. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : 72 .

Lebih ekonomis. 73 . Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan c.Elektronika -1 a. b. a. c. Pengujian yang tidak professional 8. Salah pemasangan pada rangkaian b. Fisik relative jauh lebih kecil.

Elektronika -1 LEMBAR KERJA .10 volt Q = transistor BC 108 A1 = ? A meter A2 = mA meter V1 dan V2 = V meter dc Rp = Potensiometer linear minimal 50 ohm R1 = 220 ohm R2 = 100 ohm R3 = 200 ohm 74 .4 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR o TUJUAN Setelah menyelesaikan percobaan ini diharapkan anda : Dapat membuktikan fungsi transistor sebagai saklar elektronik o RANGKAIAN PERCOBAAN o ALAT DAN BAHAN Us = dc Power Suplly regulated 0.

2 0. Buat rangkaian seperti gambar 2. Beri kesimpulan dan komentar anda terhadap hasil percobaan tersebut ! o KESELAMATAN DAN KESEHATAN KERJA 1. alat ukur dan kaki transistor Periksakan rangkaian anda ke instruktur Ikuti prosedur dengan benar dan teliti Kembalikan alat dan bahan jika selesai percobaan pada tempat semula o UBE 0 0.0 volt 4. Pada setiap pengaturan langkag ke 4 di atas. Buat grafik hubungan antara UBE dengan UCE : UCE = f (UBE) 6. perhatikan penunjukkan instrument ukur dan catat hasil pengamatan anda pada tabel yang tersedia 5.6 0. Perhatikan pengkutuban sumber daya. Hidupkan saklar 3.1 0.3 0.5 0.4 0.9 1. 4. Atur potensiometer sehingga UBE naik secara bertahap dari 0 sampai 1.7 0.0 TABEL PENGUKURAN IB UCE IC IC.Elektronika -1 o LANGKAH KERJA 1. 3. 2.R3 75 .8 0.

Elektronika -1 o GRAFIK UCE = f (UBE) o KOMENTAR DAN KESIMPULAN 76 .

Kenapa bahan semikonduktor atau piranti elektronik tidak tahan terhadap kenaikan temperatur ? 2. Keterampilan dan Sikap diri anda. 5. Sebuah dioda zener dengan ciri Uz = 8 volt. EVALUASI PENGETAHUAN 1. EVALUASI E valuasi ini bertujuan untuk mengukur kemampuan atau kompetensi anda setelah lengkap mengikuti atau mempelajari semua kegiatan belajar (Kegiatan Belajar 1 sampai 2). Bagaimana anda mengatasi nilai Peak Inverse Vo ltage (PIV) suatu dioda ? 4.Elektronika -1 III. Iz (max) = 50 mA dihubungkan dengan sebuah sumber tegangan searah Us = 12 volt. dimana evaluasi ini meliputi evaluasi terhadap Pengetahuan. Untuk apa pendingin transistor dibuat ? 77 . Ceriterakan pengaruh pemberian bias terhadap PN Dioda baik arah mundur dan maju ! 3. Hitung nilai tahanan shunt (Rs) minimal agar dioda zener tersebut aman bekerja. Sebutkan beda transistor PNP dengan NPN ! 6. A. Khusus untuk menilai sikap dapat dinilai dari perilaku kerja anda dalam pemahaman dan kepatuhan terhadap prosedur kerja yang telah ditentukan termasuk kepedualian anda terhadap Keselamatan dan Kesehatan Kerja.

Tentukan sendiri jenis transistornya PNP atau NPN 2. 78 . dimana skala tengahnya lebih kecil dari 100 ohm 4. Gunakan tabel pengujian di bawah ini. Perhatikan polaritas dan kaki-kakinya 3. ELEKTRODA ARAH REVERSE R Germaium R Silikon RANGE OHMMETER C– B FORWARD REVERSE E–B FORWARD REVERSE C– E FORWARD 5. Beri kesimpulan pengujian anda. Jangan gunakan range ohm.Elektronika -1 B. EVALUASI KETERAMPILAN Untuk evaluasi keterampilan diberikan lembar kerja sebagai berikut : Lakukan pengujian transistor Jenis germanium dan silikon dengan menggunakan multitester (ohmmeter) den gan ketentuan sebagai berikut : 1.

……………………… ………………………………. 79 .. …………………………………………………………………………………………. Tertulis BELUM KOMPETEN KETERANGAN 2.Elektronika -1 LEMBAR PENILAIAN MODUL NAMA SISWA NAMA ASSESOR : ELEKTRONIKA . ? KOMPETEN ? BELUM KOMPETEN Catatan : …………………………………………………………………………………………. Bubuhkan tanda thick (? ) pada tabel berikut : No. …………………………………………………………………………………………. Praktik HASIL .. ……………………. …………………………………………………………………………………………. 200… Siswa.1 : ………………………………….. : ………………………………….. Assesor.. ……………………. Methoda Penilaian KOMPETEN 1..

Mc. Prentice-Hall. 1992. terjemahan Haroen. Graw Hill Co. New Jersey Dirksen. 1984. USA 80 . .New Zealand Zbar. Charlkes E. Industrial Solid State Electronics. Robert L. 1981. 1974. Control Engineering.. AJ. 1979. Prentice Hall. Welington . dan Louis Nashelky.. Toronto-London-Sidney Maloney. Electronic Devices and Circuit Theory. London Villanucci et. Noel.J. EIA-Mc. Penerbit Graw Hill Book Company (UK) Limited. Bandung Floyd.Basic Electronics. Electronic Techniques.Merril Publishing Company.. NewJersey Morris. Prentice-Hall.. 1982. Jakarta Erawan.Timothy. Electronic Devices. 1982. Bambang. Dasar Elektronika 1 dan 2. 1976.Elektronika -1 DAFTAR PUSTAKA Boylested. PPPG Teknologi Bandung. Paul B. Thomas L. Drs. Pelajaran Elektronika Jilid 3.

Skor SIMULASI gambar latihan video 2. PRASYARAT audio 81 . khususnya tentang penguasaan terhadap peralatan ukur dan respek terhadap kesela matan kerja KET. 1. PEMBELAJARAN DESKRIPSI MATERI NARASI Berisi tentang penje lasan target pembe lajaran Berisi tentang prasyarat yang diperlukan sebe lum mempelajari mo dul.Elektronika -1 STORY BOARD Judul Modul Pembelajaran Bidang Keahlian Program Keahlian : ELEKTRONIKA .1 : LISTRIK : PEMANFAATAN ENERJI LISTRIK SIMULASI PEMBELAJARAN SESUAI URUTAN TOPIK Simulasi praktek Animasi evaluasi URUTAN No.

? ? ? 82 . prinsip dioda PN. KEGIATAN BELAJAR-1 Berjudul Teori Atom dan Dioda Semikon duktor. yang berisikan teori atom serta kejadian-kejadian pengutuban bahan semi konduktor . apli kasi dalam rangkaian. 5. Selain itu dilengkapi dengan latihan dan lembar praktik.Elektronika -1 3. KEDUDUKAN Peta ini menunjukkan posisi modul yang akan dipelajari. sifat. PETA MODUL 4. khususnya memperlihatkan arah tujuan pencapaian kom petensi atau peranan modul dalam mencapai kompetensi akhir PERISTILAHAN Berisikan terminologiterminologi yang digu nakan dalam ilmu elektronika atau tek nologi pada umumnya.

fisik.Elektronika -1 6. Selain itu di lengkapi dengan la tihan dan lembar prak tik. Terdiri atas dua meto da. KEGIATAN BELAJAR-2 7. aplikasi dalam rangkaian. ? ? ? ? 83 . yaitu teoritis dan praktik. cara pengu jian. EVALUASI AKHIR Berjudul Transistor Bi polar. berisikan tentang prinsip kerja transis tor.


Penyusunan Bahan Ajar Modul bertujuan untuk menyediakan bahan ajar berupa modul produktif sesuai tuntutan penguasaan kompetensi tamatan SMK sesuai program keahlian dan tamatan SMK. Jakarta. khususnya dalam pembekalan kompetensi kejuruan peserta diklat. mudah-mudahan modul ini dapat bermanfaat dalam mendukung pengembangan pendidikan kejuruan. kondisi fasilitas dan tujuan kurikulum/program diklat. Demikian. Dr. sistematis dan sesuai dengan prinsip pembelajaran dengan pendekatan kompetensi (Competency Based Training). Gator Priowirjanto NIP 130675814 .KATA PENGANTAR Bahan ajar ini disusun dalam bentuk modul/paket pembelajaran yang berisi uraian materi untuk mendukung penguasaan kompetensi tertentu yang ditulis secara sequensial. bahan ajar ini tetap mengharapkan asas keluwesan dan keterlaksanaannya. yang menyesuaikan dengan karakteristik peserta. Untuk itu modul ini sangat sesuai dan mudah untuk dipelajari secara mandiri dan individual. guna merealisasikan penyelenggaraan pembelajaran di SMK. Ir. 01 Desember 2003 Direktur Dikmenjur. Oleh karena itu kalaupun modul ini dipersiapkan untuk peserta diklat/siswa SMK dapat digunakan juga untuk diklat lain yang sejenis. Dalam penggunaannya.

KEGIATAN BELAJAR 3 A..Rangkaian Penyearah DAFTAR ISI Halaman i ii iv vi 1 1 1 2 2 3 5 6 6 6 6 6 18 19 19 19 26 27 27 27 KATA PENGANTAR …………………………………………………… DAFTAR ISI ……………………………………………………………. Uraian Materi …………………………………. Uraian Materi ………………………………….. Deskripsi ……………………………………………. Tujuan Akhir………………………………………………….………. Tujuan Kegiatan ………………………………. Prasyarat ………………………………………………………. C.. B.……. Tujuan Kegiatan ……………………………….……… ii .. Tujuan Kegiatan ………………………………. Standar Kompetensi……………. Petunjuk Penggunaan Modul ………………………….……… D. C.. II Cek Kemampuan ……………………………………... PETA KEDUDUKAN MODUL ………………………………………… PERISTILAHAN ……………………………………………………….. B.. E. C.……… Test Formatif 2 ……………………………………….………… B. I PENDAHULUAN A. ……………………………………… KEGIATAN BELAJAR 1 A.…………………………… F.. KEGIATAN BELAJAR 2 A. B. PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR.…….……… Uraian Materi ………………………………….……… Test Formatif 1 ……………………………………….

Tujuan Kegiatan ……………………………….. III Tujuan Kegiatan ………………………………. KEGIATAN BELAJAR 6 A. 31 31 31 34 35 35 35 43 45 45 45 52 52 52 59 63 67 KEGIATAN BELAJAR 5 A. C.……..……. B. Uraian Materi ………………………………….. KUNCI JAWABAN ……………………………………………… DAFTAR PUSTAKA ……………………………………………………. B. Uraian Materi ………………………………….……… Test Formatif 4 ……………………………………….Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 A. B. C. Tujuan Kegiatan ……………………………….……... Tujuan Kegiatan ……………………………….……… EVALUASI ……………………………………………………….. Uraian Materi …………………………………. LAMPIRAN iii .……. Uraian Materi …………………………………. B.……… KEGIATAN BELAJAR 7 A..……… Test Formatif 5 ……………………………………….

RL V.tegangan balik maksimum saat Dioda arah mundur Ripple Reg.707 x harga puncak untuk gelombang penuh b. 0. 0.PERISTILAHAN (GLOSSARY) Forward Bias : Arah maju aliran arus dari anoda ke katoda. harga efektif gelombang ac a. fluktuasi atas dan bawah . saat anoda lebih positip Reverse Bias Average : : Arah mundur /balik bila katoda lebih positip dari anoda menunjukkan bentuk gelombang harga arus Searah a. 0. harga rata.318 x harga puncak untuk setengah gelombang Rms : Root mean square. 0.637 x harga puncak untuk gelombang penuh b..rata Regulator / pengatur Tahanan beban Tegangan keluaran –output dari regulator Tegangan Zener dioda Zener dioda .Reg Uz=Vz ZD : : : : : : Tegangan kerut.5 x harga puncak untuk setengah gelombang Inverted IB IC IE IL IQ Iz PIV : : : : : : : : Keluaran /output berlawanan polritas dengan masukan/ input Arus basis Arus kolektor Arus Emitor Arus beban Arus diam regulator / quiscent Arus zener dioda Peak Inverse Voltage .

modul atau unit ini menggunakan pendekatan kompetensi yang merupakan salah satu cara untuk menyampaikan atau mengajarkan pengetahuan . ketrampilan dan sikap kerja yang dibutuhkan dalam suatu pekerjaan . PENDAHULUAN Dalam Sistem Pelatihan Berbasis Kompetensi.Rangkaian Penyearah I. A. Standar kompetensi diharapkan dapat menjadi panduan bagi peserta pelatihan untuk dapat : ? mengidentfikasikan apa yang harus dikerjakan oleh peserta pelatihan ? mengidentifikasikan apa yang telah dikerjakan peserta pelatihan ? memeriksa kemajuan peserta pelatihan ? meyakinkan bahwa semua elemen dan kriteria unjuk kerja telah dimasukkan dalam pelatihan dan penilaian.Pekerjaan ini mencakup identifikasi komponen Catu Daya dan prosedur bongkar pasang komponen catu daya sesuai standar dan peraturan yang berlaku serta pembuatan laporan pelaksanaan pekerjaan Modul ini bertujuan mempersiapkan seorang pengajar / guru atau teknisi listrik yang kompeten dalam memahami aplikasi rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasa . DESKRIPSI MODUL Modul ini berjudul Rangkaian Penyearah dipersiapkan untuk siswa Sekolah menengah Kejuruan Kelompok Rekayasa Teknologi Program Keahlian Pembn\angkitan Level 1 Unit atau modul ini berkaitan dengan pemahaman tentang prosedur pemeliharaan Catu Daya Arus Searah atau DC Power pada stasiun pembangkit. B. PRASYARAT ( KEMAMPUAN AWAL ) Peserta pelatihan / Siswa harus sudah memiliki kemampuan awal materi sebagai berikut: ? Dasar –dasar Teknik Listrik ? Membaca gambar /simbol listrik ? Pengukuran Listrik ? Komponen dan Piranti Elektronik penguasaan 1 . Dalam sistem pelatihan Berbasis Kompetensi.

dimana setiap Kompetensi / Sub. HASIL BELAJAR / TUJUAN AKHIR Setelah tuntas mempelajari modul ini peserta diharapkan mampu : 1. Dalam pembelajaran modul ini diperlukan persiapan komponen . Asosiasi atau industri tempat bekerja. tiga fasa dan regulator 5. Mengindentifikasi komponen-komponen Catu Daya sesuai dengan spesifiksinya 3. Penilaian seharusnya meliputi penilaian kemampuan praktek unjuk kerja dan penilaian pokok-pokok pengetahuan dengan beberapa metode penilaian. Melakukan pemeliharaan Catu Daya dengan prosedur yang benar 2 . Fokus penilaian ini sebaiknya mencakup: ? adanya integrasi antara teori dan praktek ? penekanan pada prosedur disamping hasil D. Menerapkan Fungsi komponen Penyearah dan Regulator pada rangkaian Catu Daya sesuai standar 4.Kompetensi dapat diukur setelah menyelesaikan tugas-tugas atau Tes yang tedapat dalam modul ini. PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL 1.Rangkaian Penyearah C. 3. Modul ini dapat anda gunakan secara klsikal ataupun individual. Menganalisis prinsip kerja Rangkaian Penyearah satu fasa .alat ukur dan contoh model Catu Daya atau Trainer elektronik dan sumber daya searah maupun bolak bali yang tetap maupun variabel. Penilaian unit ini dapat dilakukan oleh Guru/Asesor. Mengindentifikasi simbol-simbol komponen Catu Daya 2. 2.

Gangguan pada rangkaian regulator transistor dan IC regulator dianalisa dijelaskan 3 .Menganalisa rangkaian regulator transistor dan IC regulator 3.1 4.tiga fasa dan regulator 4. regulator diidentifikasi dan dijelaskan Penyebab kerusakan komponen dianalisa dan dijelaskan 5. tiga fasa dan regulator 5.2 2.2 30. (1) : Memlihara Rangkaian Penyearah ( Rectifier ) Elemen Kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja Adapun eleme n kompetensi dan Kriteria Unjuk Kerja yang harus dicapai melalui modul ini adalah sebagai berikut Sub Kompetensi / Elemen 1.0.1 2.0 .tiga fasa dan regulator 1.0 Mengidentifikasi kerusakan komponen utama rangkaian penyearah satu fasa.Rangkaian Penyearah E.Menganalisa gangguan rangkaian penyearah satu .1 Kriteria Unjuk Kerja Jenis dan spesifikasi kompenen penyearah diidentifikasi dan dijelaskan perisip kerjanya Jenis dan tipe filter yang digunakan di indentifikasi Prinsip kerja Peneyearah satu fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan Prinsip kerja Peneyearah tiga fasa setengah gelombang dan gelombang penuh dijelaskan 1. 4. STANDAR KOMPETENSI Kode Kompetensi Unit Kompetensi : K.1. Menganalisa rangkaian penyearah satu fasa dan tiga fasa 2.1 3.HLD..0 Mengidentifikasi komponen utama rangkaian penyearah satu fasa.0. Gangguan pada rangkaian Penyearah satu fasa dan tiga fasadi analisa dan dijelaskan 5.2 Jenis kerusakan kompenen penyearah.2 Funsi rangkaian regulator dijelaskan Suatu fungsi IC regulator tegangan tetap dan tegangan dapat diatur dijelaskan penerapannya.

Menganalisa gangguan rangkaian catu daya ( DC power ) dan m elakukan bongkar pasang komponen / unit peralatan catu daya sesuai dengan prosedur dan rencana kerja pemeliharan Membongkar dan memsang komponen catu daya dilakukan secara cermat berdasarkan prosedur kerja serta mentaati prosedur keselamatan kerja MKH.LD (1) 14 Ketrampilan : Sikap : Kode Modul : 4 .Rangkaian Penyearah Pengetahuan : Memahami susunan konstruksi komponen DC power . perinsip kerja rangkaian penyearah pada catu daya dan perlengkapan kerja pemeliharaan DC power.

1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan 4.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan Catatan Ya Tidak 2. resistor.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur elektonik (Oscilloscope ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 3.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3.1 Melakukan dan pemeliharan perbaikan catu daya sesuai SOP 5 .0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya 1.Rangkaian Penyearah F. Check List Kemampuan Kegitan Pembelajaran Elemen PENGUASAAN Kriteria Unjuk Kerja 1.0 Menguasai prosedur pemeliharaan catu daya 4.kapasitor dan induktor dijelaskan 2.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.2 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.

Rangkaian Penyearah II. PEMBELAJARAN KEGIATAN BELAJAR 1 PENYEARAH TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? ? Menghitung tegangan dan arus beban. Menghitung tegangan dan arus dioda.1. Sambungan bahan semikonduktor P dan N mendasari suatu piranti elektronik aktif yang disebut sebagai Dioda. 1. yang mana kedua bahan ini mempunyai elektron valensi yang sama. Menentukan batas tegangan balik (revers) dioda dalam rangkaian penyearah setebgah gelombang dan gelombang penuh.1 DIODA SEBAGAI PENYEARAH Dioda semikonduktor Bahan dasar yang banyak digunakan untuk membuat piranti elektronik adalah bahan semikonduktor germanium (Ge) dan silikon (Si). 6 . Dioda mempunyai elektroda Anoda yang berkutub positif dan elektroda Katoda yang berkutub negatif. Simbol dioda diperlihatkan seperti pada gambar 1. Membuat hubungan rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.

3 Kurva Hubungan arus dan tegangan bias maju 7 . sedangkan katoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.Rangkaian Penyearah Gambar 1. Bias Maju Dioda Jika anoda dihubungkan pada polaritas positif batere.2 Bias maju-Saklar on I Forward U Gambar 1. maka keadaan dioda disebut arah maju (forward-bias) aliran arus dari anoda menuju katoda. dan aksinya sama dengan rangkaian tertutup Gambar 1.1 Simbol Dioda A.2.

Gambar 1.5 memperlihatkan kurva pada saat reverse .5 Kurva Hubungan arus dan tegangan b ias maju Secara umum dioda digunakan sebagai penyearah (rctifier) arus/tegangan arus bolak balik (AC) satu fasa atau tiga fasa kedalam bentuk gelombang arus searah (DC). nilai tahanan dioda relatif sangat besar dan dioda ini tidak dapat menghantarkan arus. karena akan mengakibatkan rusaknya dioda. Gambar 1. maka keadaan dioda disebut arah mundur (reverse-bias) dan aksinya sama dengan rangkaian terbuka. Bias Mundur Dioda Jika katoda dihubungkan pada polaritas positif batere. Harga-harga nominal baik arus maupun tegangan tidak boleh dilampaui. pada saat reverse. -U Reverse -I Gambar 1. 8 . sedangkan anoda pada polaritas negatif seperti gambar 1.4.4 Bias mundur –Saklar off Sebagai sifat dioda.Rangkaian Penyearah B.

adalah parameter yang sangat penting pada catu daya dan regulator tegangan dengan bahan bervariasi. Rangkaian penyearah .1 PENYEARAH SETENGAH GELOMBANG Contoh sederhana rangkaian penyearah setengah gelombang diperlihatkan seperti gambar 1.6 Rangkaian Penyearah setengah gelombang 9 . peralatan komunikasi dan sebagainya. merupakan rangkaian untuk memproses fluktuasi penyearahan yang menghasilkan keluaran tegangan DC yang lebih rata. Catu daya arus searah (DC) dapat dipeloreh dari batere atau dari sumber daya listrik 220/240 Volt Ac 50 Hz yang dirubah menjadi arus searah melalui rangkaian penyearah (rectifier).Rangkaian Penyearah Pada dasarnya penyearahan ini ada dua macam yaitu : ? ? Penyearah setengah gelombang (half wave rectifier) Penyearah gelombang penuh (full wave rectifier) 1.2 PENYEARAH (RECTIFIER) Tegangan arus searah biasanya dibutuhkan untuk mengoperasikan peralatan elektronik. Regulasi. Filter. 1. misalnya pesawat amplifier. Pada sistem rangkaian penyearah ada 4 fungsi dasar yang dibahas.6 Us + Time Us Diode RL - common Gambar 1. yaitu : ? ? ? ? Tranformasi tegangan yang diperlukan untuk menurunkan tegangan yang diinginkan.2. peralatan kontrol elektronik. rangkaian ini untuk mengubah tingkat tegangan arus bolak balik ke arus searah.

kita dapat menghitung dari luas kurva seperti pada gambar 1. Pada saat setengah perioda negatif.7 Bentuk Gelombang Output Penyearah Setengah Gelombang Untuk menghitung besarnya harga rata-rata dari signal yang disearahkan.8 kurva harga rata-rata 10 .Rangkaian Penyearah Jika dioda dalam kondisi menghantar (conduct) pada setengah perioda positif. Gambar 1. Gambar 1.8 Gambar 1. tegangan keluaran (UL) hampir sama dengan sumber Us Drop tegangan pada dioda lebih kurang 700mV. dioda bersifat menghambat (reverse bised) nilai tahanan dioda sangat tinggi dan dioda tidak menghantar. dioda tersebut pada keadaaan forward biased sehingga arus mengalir dan melewati tahanan beban R L. Secara praktis.7 memperlihatkan bentuk gelombang proses penyearahan setengah gelombang.

318 x Um tegangan maximum Um = 1.8 volt.5 x harga puncak (Um) (Udc) harga rata-rata = 1/? x Um = 0.9 dibawah ini.9 11 . Hal yang perlu diperhatikan dalam penyearahan ini adalah besarnya tegangan balik maksimum (PIV) dari dioda yang digunakan minimal harus sama besarnya dengan tegangan maksimum AC yang akan disearahkan. bila : Ueff = 20 volt Drop tegangan dioda 0.Rangkaian Penyearah ? Tegangan AC selalu diasumsikan harga RMS (Urms ) harga efektif RMS = 0. U Us Us U dioda = 0.414 x Ueff disipasi daya pada beban dapat dihitung dari harga RMS tegangan dan arus pada beban. Contoh soal 1. Tentukan tegangan rata-rata (Udc) yang melalui beban pada gambar 1. Daya = Um x Im Um Im = -----RL Udc Idc = -----RL ? Arus yang melalui rangkaian seri adalah sama.8 V 0 Time Gambar 1.

11 D1 A R L D2 B Gambar 1. Cara yang lain untuk mendapatkan keluaran (output) gelombang penuh adalah dengan menggunakan empat dioda disebut penyearah jembatan (rectifier bridge).Rangkaian Penyearah Penyelesaian : Um = 1.48 V Udc = 0. Cara pertama memerlukan transformator sadapan pusat (Centre Tap-CT). A.2 PENYEARAH GELOMBANG PENUH Rangkaian penyearah gelombang penuh dapat diperoleh dengan dua cara.8 = 27.10 dan 1. Rangkaian Penyearah Centre tap Penyearah gelombang penuh dengan menggunakan transformator sadapan pusat ( Center Tap ) diperlihatkan seperti gambar 1.414 x Ueff = 1.414 x 20 volt = 28.74 V 1. 318 x Um = 0.28 – 0.2. 318 x 27.10 Penyearah dengan Trafo CT 12 .28 V Um (beban) = (Um – 0.48 = 8.8) volt = 28.

707 x Um Udc = 0. ujung A berpolaritas positif dan ujung B berpolaritas negatif.11 Bentuk gelombang Penyearah gelombang penuh Harga tegangan dapat dihitung : Ueff = 0. Pada saat ini D1 menghantar (conduct) sedangkan D2 tidak menghantar (reverse biased). Bentuk gelombang input dan output ditunjukkan seperti terlihat pada gambar 1. sedang B berpolaritas positif.11 Gambar 1. pada saat ini D2 menghantar sedangkan D1 tidak menghantar . Pada saat A berpolaritas negatif .636 x Um Harga arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : Um Im = --------RL Udc Idc = ---------RL 13 .Rangkaian Penyearah Bila U1 dan U2 mempunyai polaritas.

12 tentukan : a) Harga tegangan maksimum lilitan sekunder trafo b) Harga tegangan maksimum pada beban bila drop tegangan dioda 0.12 diatas bila D1 menghantar hitung harga tegangan : a) Tegangan maksimum pada katoda D 1 b) Tegamgam maksimum pada anoda D2 c) Tegangan antara anoda dan katoda pada D1 d) Tegangan antara anoda dan katoda pada D2 14 .6 volt c) Harga arus maksimum d) Harga arus rata-rata D1 220 v 50 v 50v 40O D2 Gambar 1. Dari gambar 1.Rangkaian Penyearah Soal latihan : 1.12 2. dari gambar 1.

15 . Dengan demikian setiap setengah perioda tegangan bolak balik ada dua dioda yang menghantar (conduct) secara bersamaan dan dua buah dioda lainnya tidak menghantar sehingga menghasilkan bentuk gelombang penuh. Pada saat terminal A negatif dan B positip . Tegangan rata-rata (Udc) sama dengan sistem penyearah dengan menggunakan trafo CT.13 Rangkaian penyearah sistem jembatan Pada saat terminal A positif dan terminal B negatif . Penyearah Gelombang Penuh Sistem Jembatan Rangkaian penyearah ini memerlukan empat buah dioda yang dipasang dengan konfigurasi jembatan seperti terlihat pada gambar 1.13 a) A b) Bridge rectifier + D1 D2 _ B D3 D4 + RL 120 ? - Gambar 1. dioda-dioda D2 dan D3 berada dalam kondisi menghantar seadangkan D4 dan D 1 tidak menghantar. dioda yang menghantar adalah D4 dan D 1.Rangkaian Penyearah B. sedang D2 dan D 3 tidak menghantar.

15 tentukan : a. Udc pada beban d.Rangkaian Penyearah Bentuk gelombang keluaran (output) terlihat seperti gambar 1. ? Kelebihan sistem jembatan terhadap sistem trafo CT adalah adanya dioda yang tersambung seri sehingga masing-masing dioda dapat menahan tegangan balik maksimumnya. Contoh soal Dari gambar 1.14. Um pada beban jika drop tegangan dioda 0. Um tegangan sekunder trafo b.7 volt c.15 Hububungan Beban Pada Penyearah Gelombang Penuh 16 . Im dan Idc Us 15 V RL 200O Gambar 1.

414 x Us = 1. Um pada beban RL Um (beban) = 21.81 = 12. Im = -------RL 19.81 volt c.21 – (2 x x0.56 = -----------200 = 63.2 mA 17 . Um pada sekunder Um = 1.7) = 19.64 volt Um d.637 x 19.211 volt b.1 mA Udc Idc = ------RL 12.414 x 15 = 21.637 x Um (beban) = 0.Rangkaian Penyearah Penyelesaian : a.81 = ----------200 = 99. Tegangan rata-rata : Udc = 0.

dioda transformator 18 .16 Soal 1.Rangkaian Penyearah Review Test 1 Soal 1. Soal 2. b.5 V U0 RL 7. D 1 7. c.17 8.5 V D 2 120 ? gambar 1.16 a. Tegangan rata-rata keluaran ( output ) Arus melalui beban Tegangan balik puncak dioda ( PIV ) Coba jelaskan dari pengalaman anda gangguan-gangguan yang terjadi pada : a. Dari gambar 1. b. Hitung tegangan rata-rata pada beban dan arus maksimum yang melalui setiap dioda b.17 Hitung : a. Soal 3. Tentukan besar PIV untuk dioda.5 D1 D2 Us 40 v D3 0V D4 RL 18 O gambar 1. Dari rangkaian penyearah gelombang penuh seperti terlihat pada gambar 1.

1 Rangkaian penyearah dengan Filter 19 . sistem penyearah menghasilkan arus gelombang searah masih terdapat pulsa gelombang bolak balik Secara umum peralatan elektronik membutuhkan sumber arus searah (DC) yang halus atau lebih rata.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 2 FILTER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat menerapkan : Nilai kapasitor untuk perubahan tegangan rata-rata dan tegangan kerut.1 Rectifier Filter Beban (Load) T C R Gambar 2. PERATA DENGAN KAPASITOR Pada rangkaian penyearah yang dibahas pada kegiatan belajar 2 . Effek tegangan rata-rata dan tegangan kerut pada perubahan arus beban. Guna menghilangkan sisa gelombang bolak balik tersebut sering digunakan kondensator elektrolit sebagai tapis perata (Filter) seperti pada gambar 2.

2 Rangkaian Penyearah gelombang penuh dengan filter kapasitor Gambar 2. Filter Kapasitip Penambahan nilai kapasitor yang dipararel dengan beban akan memberikan efek peralatan pulsa DC yang lebih halus.1. (2 x IN4004) Ac supla y D1 470?F RL D2 0v Gambar 2.3 bentuk gelombang perataan dengan kapasitor 20 . Kecepatan pengosongan muatan kapasitor tergantung dari besarnya konstanta waku ? = RL x C Gambar 2.2 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dilengkapi filter kapasitor .Rangkaian Penyearah 2. Nilai kapasitor yang lebih besar akan menyimpan muatan pada saat pengisian.

= persentase dari tegangan kerut. Dengan adanya kapasitor (C) tegangan keluaran tidak segera turun walaupun tegangan masuk sudah turun. = harga tegangan keluaran DC yang terukur oleh volt meter DC.C).3 diatas. RL Tegangan kerut adalah berbanding langsung terhadap arus beban (RL).2 Faktor Kerut (Ripple) Keluaran dari penyearah terdiri dari tegangan searah dan tegangan bolak balik atau ripple.x --------Udc 1 Dimana : Ur (rms) Udc %r ? = harga tegangan kerut yang terukur oleh volt meter AC. Ur ? . pada saat T1 kapasitor terjadi pengisian muatan kapasitor mendekati harga tegangan puncak Um (maksimum) jika tegangan pulsa turun lebih rendah dari Um maka kapasitor akan mengosongkan muatannya. 21 .(Ingat ? = R. I . Sebelum tegangan kapasitor turun banyak. tegangan pada kapasitor keburu naik lagi.Rangkaian Penyearah Perhatikan gambar 2. 2. hal ini disebabkan karena kapasitor memerlukan waktu mengosongkan muatannya. Faktor kerut didefinisikan : Harga efektif komponen signal AC r = ---------------------------------------------Harga rata-rata signal DC Ur (rms) r = ------------Udc Ur(rms) 100 atau % ripple = -------------. Tegangan berubah yang terjadi tersebut disebut tegangan kerut (ripple voltage) hasil dari transient kapasitor.

4 bentuk gelombang kerut 22 . Gambar 2.Rangkaian Penyearah Gambar 2.4 mempelihatkan bentuk gelombang dengan menggunakan filter dan tanpa filter untuk penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.

x Uin (DC) R + RL 1 Xc = -------2? fC Xc tegangan kerut AC = ---------------.5 Penyearah dengan filter RC Tegangan keluaran (output) DC ditentukan oleh R dan R L sebagai pembagi tegangan.3 Filter CR Gambar 2. RL DC. Uo = -------------.Rangkaian Penyearah 2.= Uin (rms) R2 + Xc2 23 .5 memperlihatkan rangkaian penyearah gelombang penuh dengan perata kapasitor dan resistor ( C R ) dc R C1 C2 RL Gambar 2.

Rangkaian Penyearah ? Secara umum. Dari rangkaian dapat dihitung beberapa besaran yaitu : ? XL = 2?fL 1 Xc = -------2? fC impedansi dari rangkaian perata adalah : Z = XL ? Xc U dan besarnya I = -----Z ? 24 . hal ini untuk mengurangi level kerut AC pada output dan Xc2 harus seperlima dari harga RL. Xc2 harus lebih rendah dari R. R harus lebih rendah dari RL hal ini untuk memelihara level output DC.6 Penyearah dengan filter LC Gambar 2. 2. Gambar 2.6 rangkaian filter LC Induktor atau choke menentang perubahan arus dan energi disimpan pada induktor dalam bentuk medan magnet .6 diperlihatkan diagram rangkaian tipe perata dengan L dan C.4 Filter LC Pada gambar 2.

Pastikan dioda yang digunakan mempunyai tegangan jatuh yang rendah. 2. Pastikan tahanan kedua transformator dan filter choke rendah (minimum). Jika persentase regulasinya rendah maka dapat dikatan bahwa penyearah tersebut mempunyai regulasi yang baik. Regulasi Tegangan Perubahan besarnya tegangan output. Gunakan penyearahan gelombang penuh. Penyearah yang sederhana dan rangkaian perata (filter) nya kurang baik regulasinya dapat diperbaiki dengan cara : 1.Rangkaian Penyearah Tegangan kerut melalui kapasitor C adalah: Uc (rms) = I x Xc 2.5. dari suatu tegangan arus searah tanpa beban ke keadaan berbeban penuh disebut sebagai regulasi tegangan. 4. Arus beban penuh mengalir bila beban dihubungkan. UNL . Gunakan LC filter jika arusnya tinggi. 25 . maka regulasi tegangan dapat dihitung sebagai berikut : (100 – 80) % VR = -------------. 3. catu daya tanpa beban dengan dengan tegangan output 100 volt.x 100 80 = 25% Catatan.x 100 UFL Keterangan : VR = regulasi tegangan (%) UNL = tegangan tanpa beban UFL = tegangan beban penuh Sebagai contoh. tegangan outputnya jatuh menjadi 80 volt.UFL % VR = --------------.

Rangkaian Penyearah Review Test 2 Soal 1. arus dioda soal 3. hitunglah : a. output rata-rata b. Suatu rangkaian penyearah gelombang penuh menggunakan filter LC dan beban RL.Efek apa yang terjadi pada : a. 26 . gambarkan diagram rangkaiannya? 2. Apa tujuan pemasangan filter pada penyearah ? Soal 2. XL b. Bila pada rangkaian filter menggunakan kapasitor dan nilai kapasitornya dirubah menjadi lebih besar. Tegangan kerut = 12 V (rms) dengan frekuensi 100Hz. Arus yang mengalir c. 1. L =5 H dan C = 100? F. Tegangan kerut yang melalui kapasitor C.

Tujuannya agar tegangan searah yang dihasilkan yaitu tegangan keluarannya (output) tidak berubah jika dibebani dalam batas-batas tertentu.1 Dioda Zener Dioda zener adalah dioda silikon (si) yang khusus dibuat sebagai penstabil tegangan pada catu daya DC. Koefisien suhu minimum terjadi pada zener 6 V untuk arus 40 mA 3. 3.4 V sampai200 V dengan disipasi daya dari ¼ W sampai 50 W. Dioda zener dengan tegangan zener diatas 6 V mempunyai koefisien suhu positif dan dibawah 6 V mempunyai kosfisien suhu negatif. Dioda zener dibuat dengan potensial pada nilai tertentu antara 2. Rangkaian sederhana Zener regulator ditunjukkan seperti gambar 3. arus dan disipasi daya dari komponen zener regulator.2 27 .2 Dioda Zener Sebagai PengaturTegangan Penyebab ke tidakstabilan suatu sumber tegangan. biasanya terjadi akibat adanya fluktuasi tegangan pada jala-jala input dan variasi beban yang berubah-ubah.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 3 REGULATOR ZENER TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? Menghitung tegangan.1 dan gambar 3.

Gambar 3.1 rankaian regulator sederhana T D1 Rs RL Zd Unregulated power Suplly Zener dioda regulated load Gambar 3.2 Rangkaian regulator zener Dari diagaram rangkaian diatas dapat dihitung besarnya arus dan tegangan yang terjadi pada rangkaian.1 memperlihatkan rangkaian regulator dioda zener yang sederhana. sehingga tegangan 28 . Dengan membuat tegangan masukan ( input ) lebih besar dari tegangan zener maka dioda zener bekerja pada daerah tegangan balik (VIP).Rangkaian Penyearah Gambar 3.

URL = Uz Arus maksimum yang melalui Rs adalah Is atau Imaks = IZ + IL Iz = Imaks .Rangkaian Penyearah keluaran (output) tetap untuk berbagai nilai arus beban selama tegangan pada zener tidak kurang dari 12 V Tegangan pada Rs adalah : URS = Ui .IL untuk tegangan kerja zener 12 volt. Dari analisa diatas. 29 . tegangan pada beban akan tetap stabil dan yang selalu berubah adalah arus pada zener dioda ( Iz ) yang mengikuti perubahan arus beban. Imaks x Rs harus sama dengan Ui .Uz atau Ui .Uz Rs = ----------Imaks Disipasi daya ( Pd ) pada resistor Rs adalah : Pd = URS x Imaks = (Imaks )2 x Rs Dari perinsip kerja rangkaian diatas dapat disimpulkan bahwa : apabila IL turun akibat kenaikan beban RLdan karena Imaks tetap . akhirnya Iz akan naik sehinga harga Uz akan selalu tetap.Uz Tegangan pada beban RL adalah sama dengan tegangan zener. walaupun arus beban (I L) berubah-ubah .

Uo Rs = --------------Imaks 20 .Uo Uin .07 2 x 114 = 559 miliwatt 30 .1 diketahui : Tegangan zener Tegangan input Arus Zener Arus beban = 12 volt = 20 volt = 10 mA = 60 mA Ditanya berapa harga Rs dan Disipasi daya pada hambatan Rs Penyelesaian: Arus maksimum yang melalui Rs adalah Iz + IL = 60 +10 mA = 70 mA Drop tegangan akan terjadi pada Rs adalah sama dengan Uin .12 Rs = ---------70 x 10 – 3 = 114 O Disipasi daya pada Rs adalah 0.Rangkaian Penyearah Contoh Soal Dari rangkaian gambar 3.

1 Rangkaian regulator seri Rs dan zener dalam rangkaian ini adalah bentuk yang sederhana dari regulator zener yang mempertahankan tegangan konstan pada basis transsistor Q1.1 Regulator Seri Rangkaian regulator seri menggunakan transistor bipolar seperti pada gambar 4.1 arus beban lewat melalui transistor dari kolektor ke emitor. Rangkaian ini memberikan kerja yang lebih efisien dan arus beban yang lebih besar. Menghitung arus dan tegangan rangkaian regulator seri. Resistor Rs memberikan arus basis (IB) Q1 dan arus ke dioda zener (!Z ). 31 . Menerapkan operasi regulator secara genar. Q1 UCE C RS US B E IL IZ UR L Gambar 4.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 4 REGULATOR TRANSISTOR SERI TUJUAN : ? ? ? Menyebutkan alasan penggunaan regulator transistor seri. 4.

tegangan output akan jatuh . Ini artinya tegangan Emitor ( VE) dari transistor dikurangi . Hal ini akan mengurangi U BE dan UCE akan naik sehingga tegangan output kembali normal.. maka U0 = UZ dan selalu konstan.Rangkaian Penyearah Transistor tersebut akan berpungsi sebagai pengatur tegangan (voltage regulator). dengan adanya zener dioda maka tegangan out put dapat dipr\ertahankan stabil. Bila arus beban naik . kemudian U Arus beban melalui R CE Be naik . kemudian akan terjadi drop tegangan pada transistor .Uo U0 = UZ + UBE Karena besarnya UBE relatif kecil. tegangan output akan naikn juga.tegangan output akan naik terhadap tegangan awal. Perinsip kerja rangkaian adalah sebagai berikut : Jika tahanan beban dari rangkaian turun . . Jadi jika tegangan input naik . 32 . dan tegangan output kembali keharga semula . Rangkaian lainnya adalah transistor sebagai regulator arus seperti pada gambar rangkaian 4. menjadi kurang positip.2 Regulator Arus Rangkaian ini dirancang untuk mempertahankan harga arus yang melewati beban ketika terjadi perubahan beban pada tegangan tetap. Besarnya tegangan output didapat dari persamaan : UCE = Uin .2 Gambar 4.

Rangkaian Penyearah Dari rangkaian didapat persamaan : Uz IE = --------R1 IL = IC = IE . 33 . maka penurunan pada UR 1 akan mengakibatkan kenaikan pada UBE transistor dan sekaligus menaikkan konduktifitas dari transsistor sehingga arus beban IL dapat dipertahankan pada harga yang tetap. IFL = arus beban penuh.IB IE = IC + IB Keterangan : ? ? ? ? IE = arus emitor IC= arus kolektor IB = arus basis IL = arus beban Penurunan arus beban IL = IC akan mengakibatkan penurunan arus emitor dan akan mengurangi drop tegangan pada R 1 (UR 1 = IE x R1). Regulasi arus dapat dihitung dengan rumus sebagai berikut : INL .IFL Regulasi arus = ------------. Efek terhadap bias Q1 adalah : UBE = UZ – UR 1 Karena harga UZ selalu konstan.x 100% IFL Dimana : INL = arus tanpa beban.

2 A . disipasi daya pada Rs . berapa persen regulasi yang terjadi ? 34 . Daya pada Zener c. Zd dan R L Soal 2 . tegangan Zener 12. Efisiensi rangkaian b.Rangkaian Penyearah Review Test 3 Soal 1. arus maksimum d.5 A tanpa beban ke beban penuh menjadi 1.5 voltdan arus zener 100 mA. tegangan pada beban R L b. tegangan pada resistor seri Rs c. Jika arus beban 1 amper. hitunglah : a. arus dioda zener e.1 ) mempunyai tegangan input 15 volt. Disipasi daya transistor Soal 3 Apakah fungsi regulator arus konstan ?Jika perubaha arus dari 1. Perhatikan gambar rangkaian dibawah ini : +12 v 330 ? Rs RL Vz = 8.2 v 0 gambar 3. Rangkaian regulator seri ( lihat gambar 4.3 Rangkaian zener Ik Hitung berapa besarnya : a.

1 IC Regulator Tiga Terminal. Mempunyai arus rendah 6. 3. 5. Mengukur arus dan tegangan dan menentukan rangkaian regulator bekerja dengan benar. 7. Keuntungannya adalah : 1. Mempunyai tegangan output yang sangat konstan 5. Mempunyai automatic thermal shutdown. Membutuhkan penambahan komponen luar yang sangat sedikit.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 5 REGULATOR TEGANGAN TUJUAN : Setelah menyelesaikan pelajaran ini peserta dapat : ? ? ? Membaca parameter esensial regulator tiga terminal dari lembaran data. Mempunyai ripple output yang sangat kecil. Pembiyaan rendah 35 . Regulator tiga terminal adalah “ Integrated Voltage Regulator Circuit “ yang dirancang untuk mempertahankan tegangan outputnya tetap dan mudah untuk dirangkai. ukuran kecil 2. 4. Mempunyai proteksi terhadap arus hubung singkat. Menghitung tegangan output dari rangkaian regulator.

Rangkaian Penyearah

Gambar 5.1 memperlihatkan contoh IC regulator Tegangan Positif tiga terminal MC 7805.

Gambar 5.1 bentuk IC regulator dan simbol rangakain

Seri LM 78XX adalah regulator dengan tiga terminal, dapat diperoleh dengan berbagai tegangan tetap Beberapa IC regulator mempunyai kode yang dibuat oleh pabrik pembuat komponen , sebagai contoh : IC LM.7805 AC Z yang artinya sebagai berikut: LM 78L 06 AC Z Linear Monolithic Bagian nomor dasar yang menyatakan tegangan positip Tegangan output Standart ketepatan Tipe pembungkus , ZTO-92 Plastic

Seri LM 78XXC dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 alamunium , arus keluaran (output) 1A ,boleh lebih asalkan IC regulator dilengkapi dengan pendingin (heatsink). Regulator LM 78XXC mudah dipakai dan tambahan komponen-komponen ektern tidak banyak . Sifat-sifat IC regulator LM 78XX adalah sebagai berikut : ? ? ? ? ? Arus keluaran melebihi 1A Pengamanan pembebanan lebih termik Tidak diperlukan komponen tambahan Ada pengamanan untuk transistor keluaran ( output ) Dapat diperoleh dalam kemasan TO-3 aluminium


Rangkaian Penyearah

Karakteritik Elektrik Tipe Regulator Tegangan I out ( A ) Tipe 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 ? U out ( V) 78XX C 5 6 8 10 12 15 18 24 1 1 1 1 1 1 1 1 78 LXX 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 78 MXX 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Uin ( V ) 7,5 8,6 10,6 12,7 14,8 18 21 27,3 20 21 23 25 27 30 33 38

Sumber National Semiconductor , IC linier

Contoh rangkaian lengkap catu daya menggunakan regulator tiga terminal IC 7805 untuk tegangan output 5 volt konstan ditunjukkan pada gambar 5.2

Gambar 5.2 rangkaian catu daya dengan IC regulator

Arus maksimum regulator IC yang dikirim ke beban tergantung pada tiga faktor, yaitu: 1. Temperatur. 2. Perbedaan antara tegangan input dan output atau disebut diferensial input output. 3. Arus beban. 37

Rangkaian Penyearah

Uraian lengkap mengenai parameter IC regulator dapat dilihat dari data sheet yang dibuat oleh pabrikpembuat komponen . Contoh IC 7805 C mempunyai output nominal 5 volt. Dari data sheet Motorolla didapat temperatur juntion 250 C (Tj + 250 C) ,tegangan output antara low 4,8 volt atau high 5,2 volt ; arus output > 100 mA.

5.2 Regulator Positip Sebagai Sumber Arus.
Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 , LM 317 Pada gambar 5.3 diperlihatkan rangkaian IC Positip regulator yang digunakan sebagai sumber arus. U in LM 317 +12 v R1 IQ R2 0v
gambar 5.3 regulator tegangan tetap

I out

U out

Dari rangkaian diatas, tegangan output dihasilkan dari penjumlahan UR1 dan UR2 Tegangan output , U0 = UR 1 + UR2 Dimana tegangan UR1 adalah tegangan output IC regulator 7805 yaitu sebesar 5 volt. UR1 IR1 = -------R1 IR2 = IR1 + IQ


Rangkaian Penyearah

Tegangan pada R 2 adalah : UR2 = IR2 x R2 Pada gambar 5.4 diperlihatkan rangkaian tegangan output yang diukur dari pembebanan ( R load )

U in LM 317

I out

R1 IQ IL 0v
U out


Gambar 5.4 Regulator arus

U Reg IL = -----------R


Teganga output adalah U out = IL x R Load Dimana IQ adalah arus pada regulator ,dan U

batas tegangan regulator

5.3 Regulator Tegangan Yang dapat Diatur
Konsep baru dalam rangkaian regulator yang tegangan outputnya dapat diatur adalah regulator daya. Regulator tegangan positif dimana outputnya dapat diatur antara lain : LM 117 , LM 217 .


Rangkaian Penyearah

Regulator LM 317 dapat memberika arus keluaran ( output ) lebih dari 1,5 amper dengan tegangan antara 1,2 volt sampai 37 volt. dan IC LM 350 mampu memberikan arus 3A dan jangkauan tegangan output 1,2 V sampai 33 V.

Gambar 5.7 memberikan dasar rangkaian regulator yang dapat diatur tegangan outputnya.

V in



1,25 v

RL R2 U R2 0v


Gambar 5.7 regulator teganagan output dapat diatur

U Reg Arus regulator adalah I Reg = ------R1 Tegangan output diperoleh dari rumus: U out = U Reg Atau R2 U out = U Reg + ( ----- + 1 ) + IQ R 2 R1 U Rreg + ( -------- + IQ ) R 2 R1


Rangkaian Penyearah 5.6 memperlihatkan regulator negatif tiga terminal outputnya dapat diatur 79XX Gambare 5. Seri LM 79XXC . Sifat-sifat regulator ini adalah sebagai berikut : ? ? ? ? Arus keluaran 100mA Mudah dikompensasi dengan kodensator kapasitas kecil 0. Seri LM 79XXC dikemas dalam kemasan daya TO-200 dan mampu mengeluarkan arus 1.6 regulator negatif 41 . Sifat-sifat regulatorLM79XXC adalah sebagai berikut: ? ? ? ? Mempunyai pengaman daerah. misal +5V dan -5V.1 µ A Mudah distel untuk tegangan keluaran tinggi Penyimpangan tegangan keluaran stelan ± 5 % yang tegangan Gamnar 5.hubung singkat dan termik Penindasan kerut ( ripple ) tinggi Arus keluara 1.5 A Tegangan keluaran stelan pendahuluan 4% Untuk seri LM79LXX AC . LM 79LXX adalah regulator tegangan negatif 3 terminal .4 Regulator Tegangan Negatif Pada rangkaian operational amplifier dan microprocessor dibutuhkan catu daya yang membutuhkan dua polaritas sumbertegangan.5 amper .piranti ini telah dirancang untuk mengeluarkan tegangan tetap dan dapat diperoleh dalam kemsan TO-92 dengan 3 kawat.

Suplai ? 15 volt . (D1 D2 IN 4001 ) Gambar 5. 1A LM 340 T. Suplai ? 15 volt . 1 A LM 340 T-12 . LM 320 T-12 . Jenis rangkaian kombinasi regulator positip dan negatip adalah sebagai berikut : 1. D1 dan D2 adalah dioda proteksi bekerjanya regulator pada common load dan akan membatasi arus hubung singkat regulator.7 menggunakan LM 340 positif regulator yang dihubung dengan negatif regulator LM 320. (D1 D2 IN 4720 ) 2. 200mA LM 342H-15 .5 Catu daya Dua Polaritas. (D1 D2 IN 4720 ) 3.7 dasar catu daya dua tegangan 42 . LM 320 T –15 . Contoh diagram rangkaian pada gambar 5.Rangkaian Penyearah 5. Suplai ? 12 volt . LM 320-15 .

Rangkaian Penyearah Review Test 4 Hitung berapa tegangan output yang dihasilkan.2 v Gambar 5.dari rangkaian regulator tegangan gambar dibawah ini .2 7812 1k Us = 20 v RL Uz = 8.4 Soal .5 43 . Soal 1 7805 R1 IQ Us = 20 v R2 180? = 50 mA 100? U0 gambar 5.

Berapa tegangan output bila Rp diset pada nol ohm tersebut? c. Berapa tegangan pada Rp bila harga Rp diset pada nol ohm? b.7 diatas coba anda analisa prinsip kerjanya dan jawablah pertanyaan dibawah ini.Rangkaian Penyearah Soal 3 V in LM317 IQ =50 µA R1 220? 1. bila IQ = 50 µ A a. 44 .7 regulator teganagan menggunakan LM 317 Dari gambar 5.. hitung tegangan output rangkaian catu daya.25 v +20 v R2 Rp 2k URp 0v Gambar 5. Bila Rp diset ke maksimum 2 kilo ohm.

AVR alternator dan sebagainya. elektroplating .1. D2.1 memperlihatkan penyearahan tiga fasa setengah gelombang yang tidak menggunakan transformator. 45 . Penyearah Setengah Gelombang 3 Fasa. B dan C sebagai sumber tegangan tiga fasa memberikan tegangan ke anoda dari dioda-dioda D1. Penyearah tiga fasa lebih efisien serta menghasilkan daya output yang konstan sehingga dapat dipakai pada sistem yang lebih komplek dengan beban yang tetap. 6. Fasa A. enam atau dua belas komponen penyearah dioda atau SCR.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 6 PENYEARAH TIGA FASA PENDAHULUAN Penyearah tiga fasa banyak dipakai . Penyearah tiga fasa dengan filter mengahasilkan output DC yang lebih rata. dan D 3.D2. karena pulsa yang terbentuk lebih berdekatan satu sama lainnya serta lebih rendah setengah dari tegangan puncak outputnya. karena penyearah tiga fasa ini menghasilkan daya yang cukup besar serta banyak dipakai antara lain pada pengisian batere atau accumulator.. dalam hal ini sangat tergantung pada keperluan yang dibutuhkan.dan D3 dan titik netral dari sumber yang dihubungkan bintang. Bagian beban dihubungkan antara katoda dari dioda D1. Gambar 6. Pada rangkaian penyearah tiga fasa dapat dipasang sebanyak tiga..

Dari kurva bentuk gelombang dapat dianalisa bahwa mulai dari 00 sampai 300.1 a. Pada sudut 150 0 VB menjadi lebih positif dan dioda D2 akan 46 .b bentuk gelmbang tegangan input / output Dengan adanya perioda tegangan positif akan membuat dioda menjadi menghantar. dengan tegangan positif ini akan menyebagkan tegangan yang lebih positif terhadap katoda dari dua titik yang lain. kemudaian dari sudut 300 sampai 1500 dari fasa A (VA ) mempunyai tegangan yang lebih positif yang membuat dioda D1 dipicu kearah maju sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R.diagram rangkaian penyearah 3 fasa Gambar 6. dari fasa C (VC) mempunyai tegangan yang lebih positif dan ini akan memberi bias maju pada dioda D3 serta akan menghasilkan tegangan pada beban R yaitu sebesar U0. akibatnya kedua dioda saja yang menghantar pada perioda ini. 1.Rangkaian Penyearah Gambar 6.

Tegangan rata-rata output DC(Udc) tiga fasa dinyatakan sebagai berikut : Udc = 0. Catatan : Tegangan output DC tidak pernah jatuh sampai nol.831 x Umaks Pada gambar 6.Demikian seterunya pada 2700. Gambar 6.2 adalah bentuk yang sama dengan penyearah setengah belombang tiga fasa yang menggunakan transformator 3 fasa . D3 menghantar kembali selama satu periode.2 penyearah setengah gelombang tiga fasa menggunakan trafo 47 .Rangkaian Penyearah menghantar sehingga akan menghasilkan tegangan pada beban R.Tegangan sekunder dimungkinkan dinaikkan atau diturunkan dengan seleksi yang sesuai dengan kebutuhan tegangan output DC yang diinginkan .

3 Rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh Rangkaian penyearah gelombanga penuh tiga fasa ini dapat dilengkapi/dipasang untuk dua keadaaan yaitu untuk setengah bagian positif dan setengah bagian negatif dari inputnya seperti halnya pada penyearah gelombang penuh untuk satu pasa. gelombang penuh dan bentuk gelombang output Gambar 6.4 bentuk belombang tegangan inputdan output 48 .Rangkaian Penyearah 6.4 diperlihatkan diagram rangkaian penyearah tiga pasa.2. Penyearah Gelombang Penuh Tiga Fasa pada gambar 6. Gambar 6.3 dan 6.

Tiap primer membawa arus 2/3 siklus. Untuk instalasi yang besar. penyearah mercury arc yangdipilih untuk digunakan. Satu dari dioda-dioda yang bernomor genap (D2. berarti empat dioda yang lain dalam keadaan tidak menghantar . b. yaitu: a. Kerugian tembaga dalam belitan transformator adalah lebih rendah.D 3 dan D5) juga selalu mengahantar. dua dioda selalu menghantar.D4dan D6) dalam keadaaan menghantar dan satu dari dioda-dioda yang bernimor ganjil (D1. 49 . Idc adalah 0. Tiap sekunder membawa arus untuk 1/3 siklus. Arus selalu mengalir dari sumber yang mempunyai tegangan positif tertinggi melalui dioda-dioda yang bernomor genap menuju bebandan terus mengalir pada dioda-dioda yang bernomor ganjil dan seterusnya kembali ke terminal sumber yang mempunyai tegangan negatif tertinggi. b. Teganan rata-rata Udc adalah dua kali dari penyearah setengah gelombang tiga fasa atau Udc = 2. c. Pada rangkaian diatas. sebab : a.34 x Urms ( ac ) Penyearah gelombang penuh dipersiapkan untuk daya tinggi.Rangkaian Penyearah Terdapat tiga hal yang harus diperhatikan pada waktu menganalisa kerja untuk rangkaian penyearah tiga fasa gelombang penuh ini.995 x Im melalui tiap dioda dan hanya sepertiganya yang mengalir melalui tiap dioda. c.

34 x 150 = 351 V b. Jika harga rata –rata arus beban adalah 2A. hitunglah : a. Pdc = Udc x Idc = 351 x 2 = 720 W 6. perbedaan nya waktu kondisi dari penyearah SCR dapat divariasikan untuk mengatur tegangan output dan level arus searah ( dc) . b. tegangan output DC.5 Simbol SCR SCR dapat dihidupkan oleh suatu arus penyulutan singkat ke dalam gatenya.34 x Us = 2.1 sampai 20 mA. Udc = 2. 50 . Arus puncak /maksimum yang melalui tiap dioda c.5 Gambar 6. 955) x Idc = 2.Rangkaian Penyearah Contoh soal Harga efektif (rms) tegangan sekunder transformator (Us) pada penyearah gelombang penuh segitiga / bintang adalah 150 volt. Arus gate ini (Ig) mengalir melalui persambungan (junction) antara gate dan katoda.6 vot. Untuk memperdalam penguasaan perinsip kerja dari SCR perlu dipelajari secara khusus . Im / dioda = (1/ 0. Daya rata-rata yang dikiram ke beban.3 Penyearah Tiga Fasa Menggunakan SCR SCR digunakan seperti penyearah dioda .1 A c. sedangakan tegangan antara gate dan katodanya (UGK) harus lebih besar dari 0. Kebanyakan SCR membutuhkan arus gate untuk penyalaan antara 0. Penyelesaian : a.Simbol SCR diperlihatkan pada gambar 6.

Rangkaian Penyearah Contoh rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan Silicon Controlled Rectifier (SCR) diperlihatkan pada gambar 6. Tiga buah rheostat dijadikan satu untuk memperoleh kontrol penyalaan atau penyulutan SCR secara bersamaan. Kerja dari rangkaian penyearah tiga fasa menggunakan SCR adalah sama seperti penyearah setengah gelombang tiga fasa yang sudah dibahas terdahulu. dan R3 –C 3 sebagai rangkaian RC phase shifting.6 Gambar 6.6 penyearah SCR tiga fasa Untuk mengontrol SCR diperlukan rangkaian phase shift.. 51 . R1 -C 1. R2 –C 2. Tegangan output rangkaian lebih mudah dikontrol atau diatur dengan mengatur rheostat penyalaan untuk SCR tersebut.

Titik sambungan rangkaian terbuka. Transistor atau IC Problem yang terjadi pada semi konduktor adalah : a. Rangkaian hubung singkat c. biasanya ditujukan oleh penguatan rendah atau level kebisingan tingggi. kesalahan arus yang melaluinya lebih besar sehingga terjadi disipasi panas yang menyebabkan resisitor terbakar. 52 . b.Rangkaian Penyearah KEGIATAN BELAJAR 7 MENCARI LETAK GANGGUAN PENDAHULUAN Gangguan atau kesalahan yang paling banyak tejadi pada rangkaian catu daya adalah diakibatkan oleh beban yang terus menerus yang dipikul oleh catu daya tesebut atau beban yang tidak sesuai dengan kemampuan / kapasitas catudaya. Kapasitor Kesalahan pada kapasitor seperti : a. c. memeriksa rangkaian dan komponen yang rusak dengan mengguanakan alat ukur yang cocok misalnya AVO meter dan CRO. Resistor. disebabkan beban lebih. b. B. rangkaian terbuka. C. Terjadi kebocoran pada rangkaian kapasitor. 7. Asumsi dasar yang harus dibuat untuk melakukan pemeliharaan (service unit ) catu daya adalah mencari penyebab kesalahan . Arus bocor yang besar. titik sambungan hubung singkat disebabkan sentaka tegangan tinggi.1 Kesalahan Komponen A.

Lepas dan ganti komponen yang sesuai dengan aslinya atau eqivalen dari karakteristik komponen yaitu kemampuan arus.) 4.sebagai berikut : 1. Pada tabel berikut ini diberikan pedaman dasar sebagai langkah awal mendiaknosa gangguan atau kesalahan suatu rangkaian. tegangan dan daya yang sesuai dengan spesifikasinya. Data dan spesifikasi komponen dapat dilihat pada buku data komponen yang diterbitkan oleh perusahaan /pabrik pembuat komponen. Regulasi tegangan atau regulasi arus. 53 . apakah sudah sesuai dengan tegangan yang dibutuhkan 2. Tempatkan komponen yang diganti secara pasti dan tepat. Tegangan output DC . b.2 Mengganti Komponen Bila mengganti komponen yang rusak pada rangkaian yang penting harus diperhatikan : a.3 Pemeriksaan Catu Daya Poin utama yang harus diperiksa setelah anda melakukan perbaikan adalah. Dan ingat dalam melakukan pemerika\saan dan perbaikan harus diperhatikan Standart Opertional Procedur ( SOP ) yang berlaku dan disepakati.Rangkaian Penyearah 7. Tegangan kerut (riple) dari amplitudo output diukur dengan Ossiloskope ( CRO. 3. Arus ouput DC yang diperlukan. 7.

output DC rendah dengan level riple tinggi. output DC rendah dengan naiknya level riple. Rangkaian dioda penyearah terbuka Rangkaian dioda hubung singkat. ouput DC rendah dan transformer putus Kesalahan Penyearah : 1. KESALAHAN Rangkaian input AC terbuka atau sekring putus. output DC nol dan tegangan sekonder tidak ada. output DC rendah dengan riple 50 Hz 2. rangkaianbekerja baik. regulasi jelek Filter kapasitor bocor 54 . 3.Rangkaian Penyearah ANALISA GANGGUAN RANGKAIAN CATU DAYA. 2. GEJALA Kesalahan Transformator : 1. sekring putus arus lebih transformator baik. sekring putus Filter kapasior hubung singakat Filter kapasitor rangkaian terbuka. tetapi output DC rendah dari yang seharusnya Kesalahan Filter kapasitor : 1. Tahanan dioda terlalu besar (tegangan jatuh saat forward besar) 3. Lilitan trafo primer dan sekumder hubung singkat 2. Regulasi sangant jelek.

Rangkaian Penyearah LATIHAN MENCARI GANGGUAN/KESALAHAAN. + Rs 82? 12 v Vz 6. RS terbuka 55 . 1.1 apa yang akan terjadi bila : a.8 v RL - Gambar 7.8 v RL 135? - Regulator Beban Gambar 7.1 Zener regulator + Open circuit Vz 12 v 6.1a. RS putus (rangkaian terbuka ) b. Dioda zener hubung singkat. Zener Regulator Dari gambat 7. Dioda zener putus (rangkaian terbuka ) c.

Zener hubung singkat 56 .Rangkaian Penyearah Rs = 82? Zener diode Open circuit RL 135? GAMBAR 7.1c.1 b. Zener terbuka Rs = 82? Short circuit (zero ohm) RL 135? Gambar 7.

Zener hubung singkat d. Rs rangkaian terbuka b.Rangkaian Penyearah 2. Zener rangkaian terbuka c.2 regulasi seri Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. Regulator Seri Vin Q1 Vo Rs IB RL Vz Gambar 7. Transistor hubung singkat 57 .

3 Regulator Analisa rangkaian diatas bila terjadi : a. R1 rangkaian tebuka b. R2 hubung singkat RL rangkaian terbuka 58 . c.Rangkaian Penyearah 3. IC Regulator 7805 +20 v Vo R1 220? RL R2 320? 0 Gambar 7.

c. d. 2 . Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah gelombang penuh adalah : a.pilihlah jawaban yang paling benar a.c 75 Hz .b 0.35 . b.c atau d 1.c 0.3 .45 3. menaikkan tegangan kerut ( ripple ) menaikkan frekuensi ripple mengurang tegangan beban mengurangi tegangan ripple 59 . 4 2. Pada rangkaian penyearah 1 fasa setengah gelombang dibutuhkan dioda minimal : a.Rangkaian Penyearah III.d 200 Hz 5. d.b. Rangkaian Penyearah Untuk setiap setiap pertanyaan .d 100Hz 4. 0. 50 Hz . 25 Hz .c 100 Hz . Frekuensi tegangan kerut (ripple ) dari output penyearah setengah gelombang adalah : a. Pilter pada rangkaian penyearan digunakan untuk : a. 1 . 25 Hz . 3 .d 0. b.4 . c. b. b. 50 Hz . EVALUASI TES TEORI I. Perbandingan tegangan output dan input penyearah setengah gelombang adalah: a.

antara penyearah dengan beban c.Hitung tegangan output tanpa beban penyearah setengah gelombang bila dihubungka pada tegangan sumber 24 v ac: a.sebelum penyearah b. d. b. 9 v c. c.44 v b. 1.8v d. 12v c. 18 v d. seri dengan beban c. maka haru dihubungkan : a. a. Bila induktor digunakan sebagai filter. Pilter dihubungkan : a. Bila kapasitor digunakan sebagai filter.Hitung tegangan output pada beban bila penyearah gelombang penuh sistem jembatan dihubungkan dengan sumber 20 v ac. paralel dengan beban seri dengan beban pralel dengan dioda pnyearah paralel dengan input penyearah 8.b. 20 v 60 . 10 v .Rangkaian Penyearah 6.pralel dengan dioda pnyearah d.sesudah regulator 7. 10. maka haru dihubungkan : a. sesudah beban d. paralel dengan input penyearah 9.24 v 10.paralel dengan beban b.

15 v c. b.5 v 61 .6 v 3.6 v b. Aruus beban IL dalam rangkaia gambar 1 adalah: a. 30 v d. 10 mA 4. 0. 15 v c. 32 mA d. Tegangan beban UL dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 18. 30 v d. 30 v 2.20 mA c.Rangkaian Penyearah II.268 Jika zener dioda menjadi rengkaian terbuka . 0. 10 v b. 0. 15 v d.maka tegangan output adalah: a.5 v b.204 d. Tegangan jatuh /drop pada Rs dalam gambar 1 adalah: Rs 30 V Uz 15 v RL 470? a. 39 mA Besarnya Rs dalam rangkaia gambar 1 adalah : a. 0 v c. 144 c. Regulator Zener 1. 100 5 b.

mendapatkan tegangan sumber konstan d.Regulator 1. positif 12 v b. 8 v d . Regulator tegangan tiga terminal dihubungkan pada : a.output tegangan nya adalah : a. positif 9 v 62 . negatif 12 v c. 5 v b. Antara sumber dan beban d. Regulator tegangan digunakan untuk : a. Sebelum sumber tegangan input b. mendapatkan tegangan beban konstan c. Sesudah beban c.4 v 4. 12 v 3. 7 v c. 8 v d. negatif 7 v d. Antara penyearah dan filter 5. IC .Rangkaian Penyearah III. 7 v c. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 4 v adalah : a 5v b. Regulator tegan tiga teminal 7912 . mendapatkan arus beban konstan b. mendapatkan arus sumber konstan 2. Tegangan output regulator 7805 yang dihubungkan kesumber tegangan 12 v adalah : a.

Tegangan kerut = 86.44mA c.Untuk mengurangi tegangan kerut (ripple voltage ) AC pada perubahan beban dalam % 2. a.2 volt 2.I beban = 424. I = 3. a. PIV dioda =12 volt 3.26 mV 63 .64 volt b. Filter LC a.Udc = 7.Hubung Singkat . XL = 1340 O b. Arus dioda berkurang 3.Rangkaian terbuka .Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN REVIEW TEST REVIEW TEST 1 1.8 mA c. a. PIV dioda = 21.75 volt b.Tahanan arah maju (forward ) tinggi REVIEW TEST 2 1. . a. Udc = 6. Level rata-rata naik b.

8 volt c.45 volt 64 . Imaks =11. a. = 0 volt b. Untuk memberikan arus yang konstan dengan bermacam.25 volt c. Uo = 11. 3.8 volt 3.6 mW Zd = 27 mW RL = 67.Rangkaian Penyearah REVIEW TEST 3 1 a. Iz = 3.5 mA d. Disipasi daya Rs = 43.U output = 14 volt 2 U output = 11.1 volt 4.24 mW 2 a 72 % b = 1. c. Regulasi adalah 25 % REVIEW TEST 4 1 . 8.3 mA e.macam beban . 3.2 volt b.25 watt. Uo = 1.

c 5.c 10.b 7.c II.Regulator Zener 4. c 7. a 65 .d 6. a III.Rangkaian Penyearah KUNCI JAWABAN SOAL TEORI I. c 6. d 5.b 4. b 5. Regulator Tegangan 1 . c 8. b 6.a 8.d 4. Tes Rangkaian Penyearah 1. c 7.b 9.a 2.d 3.

1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 3 fasa dengan CRO dijelaskan Ya Tidak Training Lanjut 2.kapasitor dan induktor dijelaskan 2.Rangkaian Penyearah Self Assesment Check List Kegitan pembelajaran Elemen 1.2 cara menggunakan alat ukur dapat dijelaskan 3. resistor.1Alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan ditunjukkan sesuai dengan klasifikasi alat ukur 2.3 Arti simbol dan kasifikasi komponen Dioda.1Jenis dan fungsi komponen pnyearah diidentifikasi 1.0 Mengindentififikasi Komponen penyearah sesuai dengan spesifikasi dan fungsinya Kriteria Unjuk Kerja 1.1 Cara mengukur tegangan dan bentuk gelobang penyearah 1 fasa dengan CRO dijelaskan 3.0 Mengunakan alat ukur untuk mengukur arus dan tegangan pada rangkaian penyearah 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 1 fasa 30 Mengunakan alat ukur ( CRO ) untuk mengukur bentuk gelombang penyearah 3 fasa 66 .

Rangkaian Penyearah


Barry Davis, Under standing DC Power Suppllies, Prentice-Hall of Australia Pty Ltd,1981 Edy Burnawi , Catu Daya , PPPGTeknologi Bandung ,1996 Emst Hornermann , Electrical Power Engineering Profinciecy Course, GTZ GmbHEscbom ( Federal Republic of Germany ), 1988 Fardo and Patrick , Electrical Power Systems Technology , Howard W.Sams &Co,Inc James F.Lowe , Electronics for Electrical Trades , McGraw-Hill,Book Company Sydney, 1977


Rangkaian Penyearah

Modul Nama Peserta Nama Penilai Beri tanda ( v ) No 1 2 Hasil METODA PENILAIAN Tertulis Praktik KOMPETEN BELUM KOMPRTEN KETERANGAN : RANGKAIAN PENTEARAH : ……………………… : ………………………

: Kompeten Belun kompeten CATATAN:

Tanada Tangan Peserta

Tanada Tangan Penilai

Tanggal: ……………….


Aplikasi Dioda



Aplikasi Dioda

dirangkaian elektronik.


etelah mengetahui konstruksi, karakteristik dan model dari dioda semikonduktor, diharapkan mahasiswa dapat memahami pula berbagai konfigurasi dioda dengan menggunkan model dalam aplikasinya

2.1 Analisis Garis Beban (Load-Line Analysis) Beban yang diberikan pada rangkaian secara normal akan mempunyai implikasi pada daerah kerja (operasi) dan piranti elektronik. Bila analisis disajikan dalam bentuk grafik, sebuah garis dapat digambarkan sebagai karakteristik dioda yang mewakili efek dari beban. Perpotongan antara karakteristik dan garis beban akan menggambarkan titik operasi dari system. Perhatikan gambar 2.1 berikut ini,.
Id + E Vd R + VR VD ID



Gambar 2.1 Konfigurasi Seri dari Dioda. (a) Rangkaian Dioda (b) Karakteristik Menurut Hukum Kirchoff tegangan:
E − VD − VR = 0 E = VD + I D R


Aplikasi Dioda

Variabel VD dan ID dari persamaan 2.1 adalah semua seperti axis variable dari karakteristik dioda pada gambar 2.1 (b). Perpotongan garis beban dan karakteristik dapat digambarkan dengan menentukan titik pada horizontal axis yang mempunyai ID = 0A dan juga menentukan titik vertical axis yang mempunyai vertical
E = VD + I D R

VD = 0V. JIka kita

atur VD = 0V, dengan persamaan 2.1 akan kita peroleh nilai magnitude ID pada sumbu

E = 0V + I D R
ID = E R VD =0V

………………………………….. (2.2)

Selanjutnya, kita atur ID = 0A, dengan persamaan 2.1 kita dapat memperoleh magnitude VD pada sumbu horizontal.
E = VD + I D RD
E = V D + ( 0) R D

VD = E I

D =0 A

…………………………………. (2.3)

Seperti terlihat pada gambar 2.2. garis lurus yang menghubungkan ke dua titik menggambarkan garis beban. Jika nilai R diubah, maka gambar garis beban akan berubah.


Karakteristik dioda


Q-point Garis beban




Gambar 2.2 Garis Beban dan Titik Operasi Titik perpotongan antara garis karakteristik dioda dan garis beban disebut dengan “ Q point ” (Quiescent Point)

Aplikasi Dioda

2.2 Aproximasi Dioda

Dalam menganalisis rangkaian dioda, dapat digunakan 3 macam model pendekatan (aproximasi), yaitu:
• • •

Piecewise-linear model Simplified model Ideal model

Untuk dioda Silikon, ketiga model tadi dapat digambarkan sebagai berikut: Tabel 2.1 Aproximasi untuk Dioda Silikon
Model Gambar VT 0.7 rav 10Ω


Piece-wise linear model


Simplified model

VT 0.7




Ideal model




Untuk dioda yang terbuat dari Germanium, VT adalah 0.3V.

2.3 Konfigurasi Seri dari Dioda dengan Input DC

Ada beberapa prosedur yang harus dilakukan dalam menganalisis dioda, yaitu: a. Tentukan kondisi dioda ON/OFF, dengan cara:
• •

Lepaskan dioda dari rangkaian Hitung tegangan pada terminal dioda VD yang dilepas tadi dengan KVL

ganti dengan model pendekatan yang digunakan c.7V dioda ON • Langkah 2 + VD 0.7 = 7.3V 2K2 ID = IR = V R 7.Aplikasi Dioda • V D 〉 0. dioda germanium V D 〉 0.3V = = 3.3 → OFF b.7V 8V E + VR - • Langkah 3 VD = 0. Jika dioda ON. Analisis rangkaian tersebut contoh Tentukan VD.7V VR = E − VD = 8 − 0.7 → Dioda silikon ON.32mA R 2K 2 .7 → Dioda silikon OFF. VR dan ID dari rangkaian dioda berikut Jawab • Langkah 1 Dengan KVL: E − VD − VR = 0 VD = E − VR = (8V ) − I R R = (8V ) − (0) R V D = 8V VD 〉 0.3 → ON V D 〈 0. dioda germanium V D 〈0.

7V → D1 & D2 ON E − V R − V D1 = 0 E − ( I 1 R ) − V D1 = 0 I 1 R = E − V D1 E − V D1 10 − 0. ID1. I1.Aplikasi Dioda 2. dan ID2 dari rangkaian dioda berikut: Jawab E − VR − V D1 = 0 VD1 = V D 2 = E = 10V VD1 = VD 2 〉 0.4 dapat digunakan dalam menganalisis rangkaian dioda paralel dan seri-paralel Contoh : Hitunglah Vo.09mA 2 2 V0 = V D 2 = 0.18mA R 0.7V I1 = .4 Konfigurasi Paralel dan Seri-Paralel dari Dioda Prosedur pada bagian 2.18mA I D1 = I D 2 = 1 = = 14.7 = = 28.33K I 28.

3 Gerbang Logika OR dan AND Dengan Menggunakan Dioda 2. Berikut adalah rangkaian gerbang logika AND dan OR yang menggunakan dioda silikon.4 Penyearah ½ Gelombang .5 AND/OR Gate Aplikasi dioda yang lain adalah dapat digunakan sebagai rangkaian logika AND dan OR. Untuk menganalisis rangkaian dioda dengan input yang berubah terhadap waktu seperti gelombang sinusoidal dan gelombang kotak. OR Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 AND Gate Si V1 D1 Si V2 D2 1K V0 Gambar 2. Rangkaian sederhana di bawah ini akan kita gunakan untuk mempelajari cara menganalisisnya. Metode dioda ideal akan digunakan dalam analisis selanjutnya. Gambar 2.6 Input Sinusoidal : Penyearah Setengah Gelombang Pada bagian ini akan kita kembangkan metode analisis dari dioda yang telah dipelajari sebelumnya.Aplikasi Dioda 2.

berikut penggambaran prosesnya.Aplikasi Dioda Rangkaian diatas akan menghasilkan output V0 yang akan digunakan dalam konversi dari ac ke dc yang banyak digunakan dalam rangkaian-rangkaian elektronika. Vi Vi + R + + V0 Vi + R + V0 = 0V 0 T/2 V0 = 0V - t Gambar 2. dioda selanjutnya dapat 2 diganti dengan rangkaian ekivalen model idealnya. sehingga outputnya bias diperoleh proses di atas dapat digambarkan seperti gambar di bawah ini. selama perioda T →T 2 polaritas dari input Vi berubah mengakibatkan dioda tidak bekerja (OFF). Gambar 2.5 Daerah Dioda Konduksi (0 – T/2) Selanjutnya.318Vm ………………………………………… (2. Selama interval t = 0 → T mengakibatkan dioda ON.6 Daerah Dioda Non Konduksi (T/2 – T) Sinyal output V0 mempunyai nilai rata-rata selama satu siklus penuh dan dapat dihitung dengan persamaan berikut Vdc = 0.4) Berikut adalah gambar input dan output rangkaian penyearah ½ gelombang .

8 berikut.7 Sinyal Input dan Output Rangkaian Penyearah ½ Gelombang Selain menggunakan model ideal kita juga dapat menggunakan kedua model lain.9 T/2 polaritas polaritas input digambarkan seperti pada . Konfigurasi yang sangat terkenal adalah konfigurasi Bridge atau jembatan.7. dengan menggunakan 4 buah dioda dengan penyearah seperti pada gambar 2. 2.7 Penyearah Gelombang Penuh 2.8 Penyearah Gelombang Penuh Selama periode t = 0 gambar 2.1 Konfigurasi Bridge Untuk meningkatkan dc level yang diperoleh dari input sinusoidal sebanyak 100% kita dapat menggunakan rangkaian penyearah gelombang penuh. Vi Vm T/2 T t + D1 + Vo - D2 0 Vi R D3 D4 Gambar 2.Aplikasi Dioda Gambar 2.

Gambar 2.10 Aliran Arus Pada Fase Positif dari Vi Untuk perioda input t = T/2 T. Berikut gambar polaritas input.OFF Gambar 2.9 Rangkaian Full Wave Bridge untuk t = 0 T/2 Dari gambar 2. Dengan mengganti dioda dengan model ideal diperoleh gambar berikut. D2 dan D3 OFF sementara D1 dan D4 ON.9 terlihat bahwa D2 dan D3 terkonduksi (ON) sementara D1 dan D4 OFF. arah arus serta rangkaian ekivalen rangkaian dioda Gambar 2.11 Aliran Arus Pada Fase Negative dari Vi .Aplikasi Dioda + OFF Vi + ON + + Vo R - + - ON - + .

12 Sinyal Input dan Output Rangkaian Dioda Bridge Nilai rata-rata dc dapat diperoleh dengan persamaan berikut Vdc = 0.636Vm …………………………………….(2. D1 akan menjadi ON sedang D2 OFF. T/2 .7.Aplikasi Dioda Secara keseluruhan input dan output rangkaian ini adalah Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.5) 2. seperti . Vi + + Vi + Vi - D1 T 0 T/2 t CT R .Vo + Vi - D2 Gambar 2.13 Gelombang Penuh Dengan Trafo CT Selama perioda t = 0 gambar berikut.2 Center Tapped Transformer Bentuk kedua yang popular dari penyearah gelombang penuh adalah dengan menggunakan 2 buah dioda dan center tapped (CT) transformer konfigurasinya dapat dilihat pada gambar berikut.

Aplikasi Dioda Vi Vm + Vi + Vi + Vi - D1 Vo R .8 CLIPPER Clipper merupakan rangkaian dioda yang memiliki kemampuan memotong sebagian sinyal input tanpa menimbulkan efek pada bagian lain dari sinyal.Vo + 0 D2 T/2 T t Gambar 2.15 Kondisi Rangkaian Untuk Perioda Input T/2 – T 2. Namun demikian rangkaian clipper seri dapat dibuat dalam berbagai variasi.14 Kondisi Rangkaian Pada Perioda Input 0 – T/2 Sebaliknya.8.1 Clipper Seri Rangkaian dasar dari clipper seri adalah mirip dengan rangkaian penyearah ½ gelombang. selama perioda input T/2 – T kondisi rangkaian adalah seperti gambar berikut Vi + + Vi + Vi - D1 Vo R Vm 0 T/2 T t Vi - . . Salah satu contohnya dapat dilihat pada gambar berikut.Vo + Vm 0 T/2 t D2 0 T/2 t Gambar 2. Clipper seri Dioda seri dengan beban dioda parallel dengan beban 2. Terdapat dua kategori clipper: 1. Clipper parallel 2.

1. Tentukan apakah dioda ON/OFF dengan melihat rangkaian. Hitung dan gambarkan nilai Vo berdasar nilai sesaat dari Vi Sebagai contoh.Aplikasi Dioda Vi + R + + V0 - (a) Vi Vo Vi Vo Vi T/2 t 0 Vo T/2 0 T t 0 T/2 t 0 T/ 2 T t 0 T/2 T t T/2 0 t (b) Vi + T/2 0 + T t Vi V R V0 + (c) Gambar 2. Tegangan dc (V) harus lebih kecil dari Vi agar dioda ON. Dioda ON pada saat Vi berada pada polaritas positif. Tentukan nilai tegangan yang mengakibatkan kondisi dioda berubah OFF ON atau sebaliknya 3. tentukan persamaan Vo 4. . Perhatikan polaritas Vi dan Vo. perhatikan gambar 2.16 (c) dan ikuti prosedur di atas. Untuk dioda yang ideal perubahan kondisi ideal terjadi pada Vd = 0 V dan id = 0A (ingat karakteristik dioda ideal). 2. Dengan menerapkan kondisi nilai Vi yang mengakibatkan transisi kondisi dioda. 2.16 Clipper Seri dan Input/Output (a) Rangkaian Dasar Clipper (b) Variasi Input dan Output (C) Variasi Clipper Seri Berikut adalah prosedur dalam menganalisa rangkaian clipper: 1.

Pada saat dioda dalam kondisi ON. Vo dapat dihitung dengan KVL Gambar 2. Hitung dan gambarkan Vo dengan mengambil nilai sesaat dari Vi .Aplikasi Dioda Gambar 2.(2.(2.18 Menentukan Vo Vi − V − Vo = 0 Vo = Vi − V …………………………………….6) Artinya dioda berubah dari OFF ON atau ON OFF pada saat Vi = V 3.7) 4.17 Menetapkan Kondisi Transisi dari Rangkaian Vi − V − Vd − V0 = 0 Vi − V − 0 − id R = 0 Vi − V − 0 − (0) R = 0 Vi = V ………………………………………………………….

19 Sinyal Vi dan Vo 2.Aplikasi Dioda Vi 0 T/2 T t Vo Vm 0 T/2 T t Gambar 2.20 Rangkaian Clipper Parallel dan Variasi Input/Outputnya .2 Clipper Paralel Berikut rangkaian dasar clipper parallel.8. variasi input/output dan variasi konfigurasi yang lain Gambar 2.

Aplikasi Dioda Cara menganalisa clipper parallel adalah sama dengan cara analisis clipper seri Contoh: Tentukan Vo dari rangkaian berikut Jawab: • • Dioda ON pada fase negative dari input Cari tegangan transisi VR = 0 + Vi V 4V id = 0 + V0 - Vi − VR − Vd − V = 0 Vi − 0 − 0 − V = 0 Vd = 0 Vi = V tegangan transisi Ketika Vi < V Dioda ON. Vi > V Dioda OFF • Tentukan Vo pada dioda ON • Tentukan Vo pada dioda OFF .

kapasitor kita anggap mengisi dan membuang semua dalam 5 kali konstanta waktu. dioda dan komponen resistif.9 CLAMPER Rangkaian clamper adalah rangkaian yang akan melempar (clamp) sinyal ke level dc yang berbeda.Aplikasi Dioda • Gambarkan outputnya Vi 16 V t 16 V Vo 4V t Berikut berbagai variasi rangkaian clipper Gambar 2. Hal ini berguna agar kapasitor tidak membuang tegangan (discharge) pada saat dioda mengalami perioda non konduksi (OFF). Rangkaian clamper sederhana dapat dilihat pada gambar berikut Vi V 0 -V T/2 T t + Vi C R + V0 - Gambar 2. Nilai R dan C harus dipilih sedemikian rupa agar konstanta waktu τ = RC cukup besar. Dalam analisis.21 (gbr 291 hal 84) 2. Clamper tersusun atas capasitor.22 Rangkaian Clamper . Sumber dc juga dapat ditambahkan untuk memperoleh pergeseran tegangan tambahan.

kapasitor akan mengisi dengan cepat sampai V = tegangan input. Gambar 2.24 Menetapkan Output Pada Saat Dioda OFF Jika digambarkan. sedang Vo = 0 V. V C Vi + + R V0 - Gambar 2. Ketika polaritas input berbalik. rangkaian dapat digambarkan sebagai berikut.Aplikasi Dioda Selama interval 0 – T/2 rangkaian dapat digambarkan seperti berikut.23 Dioda ON dan Kapasitor Mengisi Sampai V Volt Pada interval ini. secara keseluruhan input dan output dari rangkaian adalah sebagai berikut. Gambar 2.25 Input/Output dari Contoh Rangkaian Clamper .

26 Rangkaian Clamper dengan Dioda Ideal 2.10 Dioda Zener Dalam menganalisis zener.1 Vi dan R tetap Rangkaian dioda zener yang paling sederhana dapat dilihat pada gambar berikut ini: R VZ PZm RL Gambar 2. kita dapat menggunakan cara menganalisis dioda pada bagian sebelumnya. Gambar 2.27 Rangkaian pengganti Dioda Zener 2.Aplikasi Dioda Berbagai variasi dari rangkaian clamper dapat dilihat pada gambar berikut. rangkaian penggantinya adalah sumber tegangan Vz.28 Rangkaian Dasar Regulator dengan Zener . Ketika zener diindikasikan ON.10. sedangkan jika zener OFF rangkaian penggantinya adalah saklar terbuka + VZ - + VZ - + V - ON (Vz > V > 0) OFF Gambar 2.

27 diatas. Zener dapat diganti dengan rangkaian OFF dapat Jika V ≥ VZ ..Aplikasi Dioda Analisa rangkaian zener dapat dilakukan dengan langkah berikut: a.29 Rangkaian Ekivalen Zener ON . Sebaliknya jika V ≤ VZ maka zener digantikan dengan saklar terbuka b. zener penggantinya. Tentukan kondisi zener dengan melepasnya dari rangkaian dan menghitung tegangan pada untai terhubung. Dengan menerapkan langkah 1 pada gambar 2. akan kita peroleh rangkaian berikut R Vi VZ VL Tegangan V dapat dihitung dengan menerapkan aturan pembagi tegangan V = VL = R LV i R + RL …………………………………….2. Ganti Zener dengan rangkaian ekivalennya Gambar 2.8 ON.

Aplikasi Dioda Dari gambar zener ON. IL = V − VL VL V dan I R = R = i RL R R Daya yang diserap zener: PZ = VZ I Z …………………………………………….2.2k (16V ) = = 8.. dan PZ Ulangi soal (a) dengan RL = 3kΩ a) Terapkan prosedur sebelumnya • Lepaskan zener dari rangkaian R LVi 1. 2. arus yang mengalir pada zener dapat ditentukan dengan KCL IR = IZ + IL I Z = I R − I L …………………………………………….9 Dimana.10 Dioda zener umumnya digunakan dalam rangkaian regulator tegangan Contoh 2… VR 1k 16V VZ = 10 V PZm = 30mW RL 1k2 VL • • Jawab Tentukan VL.2k V = VL = V < VZ Zener OFF . VR. IZ.73V R + RL 1k + 1.

67 mA • Daya yang diserap zener PZ = VZ I Z = (10)(2.Aplikasi Dioda • Ganti zener dengan saklar terbuka VR = Vi − V L = 16 − 8. RL yang terlalu kecil akan mengakibatkan zener OFF. maka zener ON.2 Vi Tetap dan RL Variabel ON/OFF-nya zener tergantung pada interval nilai RL.33mA RL 3kΩ VR 6V = = 6mA R 1kΩ IZ = IR − IL = 6mA − 3.73V = 7.33mA = 2.7 mW 2. RL min akan menimbulkan IL max min. Nilai minimum RL dapat ditentukan sebagai berikut: VL = VZ = RLVi RL + R R L min = RVZ Vi − VZ ………………………………………………….2.11 Jika RL yang dipilih > RL rangkaian ekivalen zener ON.10.27V IZ = 0A PZ = VZ I Z = 0W b) Lepaskan zener dari rangkaian V = VL = R LVi = 12V R + RL V ≥ VZ • Zener ON Ganti zener dengan rangkaian ekivalen untuk zener ON VL = VZ = 10V VR = Vi − V L = 16V − 10V = 6V IL = IR = VL 10V = = 3. Selanjutnya ganti dengan .67 mA) = 26.

12 Tegangan pada R VR = Vi − VZ IR = VR R ………………………………………………….1 Pengali Tegangan Rangkaian yang ditujukan oleh gambar IZ = IR − IL IZ min dicapai pada IL max dan sebaliknya I L min = I R − I Z max …………………………………………...30 di bawah adalah rangkaian half wave voltage doubler. Tegangan Vi minimum ditentukan oleh: VL = VZ = VL min = RLVi RL + R ( RL + R )VZ RL …………………………………………. dioda D1 terkonduksi (D2 OFF) dan mengisi kapasitor C1 . 3x.2.20 2. tegangan Vi harus cukup besar untuk dapat mengakibatkan zener ON.3 RL Tetap dan Vi Variabel Untuk nilai RL yang tetap..14 …………………………………………………. atau lebih kecil. Selama tegangan positif pada separuh siklus dari tegangan yang melalui transformer.10... 2.2.19 I R max = I Z max − I L Vi max = V R max + VZ Vi max = I R max R + VZ ………………………………………….18 ………………………………………….2.2.17 R L max = VZ I L min 2.2.11 Rangkaian Pengali Tegangan Rangkaian ini digunakan untuk menaikkan tegangan puncak dari trafo hingga 2x..2.Aplikasi Dioda I L max = VL V = Z RL R L min …………………………………………….16 …………………………………………...2.13 ………………………………………………….

11. Gambar 2.Aplikasi Dioda sampai pada puncak tegangan (Vm) dengan polaritas seperti yang ditujukan dalam gambar.2 Voltage Tripler dan Quadrupler Gambar 2. .31 berikut.31 Rangkaian Half Wave Voltage Doubler Alternatif 2. Gambar 2.32 memperlihatkan half-wave voltage doubler yang dimodifikasi agar dapat mengeluarkan output sebesar 3 dan 4x dari tegangan input.30 Half Wave Voltage Doubler Tegangan pada output: − VC 2 + VC1 + Vm = 0 − VC 2 + Vm + Vm = 0 VC 2 = 2Vm Model rangkaian yang lain dapat dilihat pada gambar 2. Selama siklus negative dari input D1 menjadi OFF sementara D2 terkonduksi (ON) dan mengisi kapasitor C2.

Aplikasi Dioda Gambar 2.32 Voltage Tripler dan Quadrupler .

Persamaan rangkaian : E = VD + IDR Cari dua nilai ekstrim untuk VD dan ID : Saat VD = 0 : E = 0 + IDR E I D = VD = 0 R ID = 10 mA Saat ID = 0 : E = VD + 0 R VD = 10 V Perpotongan kurva : .Diode dalam Rangkaian Dari rangkaian berikut tentukan arus diode dan tegangan diode pada titik kerja IDQ dan VDQ berdasar : (a) Perhitungan dengan pemodelan diode (b) Analisis garis beban dengan kurva karakteristik diode 10 ID VD Si ID (mA) E 10 V R 1KΩ 5 VD 1. Titik perpotongan kedua kurva menyatakan nilai IDQ dan VDQ.3 mA (b) Dengan analisa garis beban : Buat kurva rangkaian yang memotong kurva karakteristik.0 Kurva karakteristik diode Solusi : (a) Dari pemodelan diode : VDQ = 0.7 Volt Sehingga IDQ = (E-VD)/1000 = 9.

7 V 10 Jadi VDQ = 0.10 9.3 mA ID (mA) titik Q 5 VD 0.3 mA Soal : Hitung I.7 K 2.2 K + V2 E2 = -5 V Solusi : Diode berada dalam kondisi on.7 Volt.7 V dan IDQ = 9. V2 dan V0 E1= 10 + V1 Vo 4. V1. dan mempunyai tegangan VD = 0. Rangkaian digambarkan lebih lengkap sbb : .

45 V .7 K + 0.E2 V0 = 4.7 + 2.2 K V2 + Vo E1= 10 E2 5V - -E1 + V1 + 0.7V + 5V I= 1 = R1 + R2 4700Ω + 2200Ω I = 2.7 + V2 .+ V1 I 4.07 mA V1 = I x R1 = 2.55 V – 5 V = -0.73 V V2 = I x R2 = 2.7KΩ = 9.55 V Pada sisi output.07mA x 4.E2 = 0 Persamaan untuk arus I : E − VD + E 2 10V − 0.07mA x2. dengan menerapkan hukum tegangan kirchoff : + V2 KVL + Vo E2 5V - E2 – V2 + V0 = 0 V0 = V2 .2 KΩ = 4.



......... Bahan Praktikum 1................ Penyearah Setengah Gelombang Nilai tegangan puncak input transformator: VRMS = VP 2 .... Osiloskop III..................... Projectboard 5.......................... Resistor 4...MODUL V I..3) Penyearah Gelombang Penuh Tegangan rata-rata DC pada penyearah sinyal gelombang penuh: VDC = 2VP ..................... Dioda semikonduktor 3........ II.......... yaitu penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh............. Ringkasan Teori Penyearah berfungsi untuk mengubah tegangan ac menjadi tegangan dc........ (5........ Penyearah ada 2 macam.................. 4................1) Tegangan rata-rata DC pada penyearah setengah gelombang adalah: VDC = VP = 0......................... Multimeter 6...............4) π Praktikum Elektronika Dasar 16 .. (5........................................ Mengetahui manfaat dioda sebagai penyearah........... Mampu merancang rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh........ (5.......... 3....... Menganalisa rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh................................................ Transformator 2.................318 × VP ...................2) π Frekuensi output: f OUT = fIN .......... RANGKAIAN PENYEARAH Tujuan Praktikum 1......... (5... Mengetahui cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh..................................... 2...

3....................5) V......fIN ..... Penyearah Setengah Gelombang 1.. 4......Frekuensi output: f OUT = 2. 6...... Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop...1. R1 = Resistor Praktikum Elektronika Dasar 17 .......... Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. Rangkaian Penyearah Setengah Gelombang 2.... Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 2.... (5.. dan R1 Gambar 5. 7.. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop.... Ukur besar tegangan keluaran pada T1 menggunakan multimeter. D1. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh center tap? Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! 3..... 8.. Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda (diode bridge) Gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input/ outputnya! VI..... Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter. Langkah Percobaan A. 5..... Tutup saklar S1....... B. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini..... Tentukan nilai T1.. D1 = Dioda semikonduktor. T1 = Transformator.......... Penyearah Gelombang Penuh dengan Center Tap 1. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini....... Hitung besar tegangan keluaran pada R1..... Tugas Pendahuluan 1......

Ukur besar tegangan pada R1 menggunakan multimeter. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop.2. 7. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. DB1 = Dioda Bridge. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh 2. R1 = Resistor Gambar 5. Tutup saklar S1. 5. Ukur tegangan keluaran pada R1 menggunakan osiloskop. 8.3. 5. 4. Penyearah gelombang Penuh dengan Diode Bridge 1. Tutup saklar S1. 4. T1 = Transformator. 6. Hitung besar keluaran pada R1. Praktikum Elektronika Dasar 18 .Gambar 5. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan dioda bridge 2. Ukur besar tegangan pada resistor beban menggunakan multimeter. 3. 3. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. Ukur besar tegangan pada T1 menggunakan multimeter. 6. Ukur tegangan keluaran pada T1 menggunakan osiloskop. C.

7. Hitung besar keluaran pada R1. Berikan kesimpulan dari percobaan yang telah dilakukan diatas. Lakukan analisa dari ketiga percobaan diatas. VII Laporan Akhir Gambarkan bentuk gelombang dari hasil percobaan yang telah dilakukan. 8. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB. Praktikum Elektronika Dasar 19 .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful