P. 1
semikonduktor

semikonduktor

|Views: 158|Likes:
Published by Rifa Atul Mahmudah

More info:

Published by: Rifa Atul Mahmudah on Nov 26, 2011
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

01/07/2014

pdf

text

original

7

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

2.1 Sifat Intrinsik Bahan. 2.1.1 CuO. Copper (II) Oxide atau Cupric Oxide (CuO) merupakan senyawa yang terdiri dari Cu dan O, dalam senyawa mineral CuO atau tenorite. Tabel 2.1 Sifat intrinsik CuO. Struktur Kristal monoklinik
a = 4,6837 Α
o

α = 90 o β = 99,54 o γ = 90 o

Parameter kisi

b = 3,4226 Α c = 5,1288 Α
o

o

Energi gap Massa Molar Kerapatan Titik Leleh Resistivitas

1,2eV, tidak tembus cahaya 79,545 gram / mol 6,31 gram /cm3 1201oC +(1474K) 105Ohm/cm

CuO merupakan senyawa keramik yang paling sederhana yang terdiri dari atom logam dan non-logam dalam jumlah yang sama. Seperti halnya keramik pada umumnya ikatan CuO terbentuk oleh ikatan ion dan kovalan. ikatan ion CuO, dua elektron dipindahkan dari atom Cu ke atom O sehingga menghasilkan kation (Cu2+) dan anion (O2-). Ikatan kovalen CuO dimana pada hal ini elektron valensi dipakai bersama dan terjadi pembagian elektron valensi.

8

Senyawa CuO diperoleh dari hasil pemanasan senyawa copper (II) nitrat (Cu(NO3)2), copper(II) hydroxide (Cu(OH)2) atau copper(II) carbonat (CuCO3) seperti yang ditunjukan pada persamaan reaksi dbawah ini. 2Cu(NO3)2 → 2CuO + 4NO2 + O2 Cu(OH)2(s) → CuO(s) + H2O(l) CuCO3 → CuO + CO2 2.1.2 Fe2O3. Fe2O3 atau yarosit memiliki beberapa diantaranya yaitu: phase alpha, betha, gamma, dan epsilon. Tabel 2.2 Sifat intrinsik Fe2O3. Phase α : rombohedral hematite Struktur Kristal Phase β : FCC (face centre cubic) Phase γ : SC (simple cubic) maghematite Entalphi standard (∆Ho298) Massa Molar Kerapatan Titik Leleh Warna - 825,50 kJ/mol 159,69 gram / mol 5,24 gram /cm3 1566oC (1838K) Merah pekat

Senyawa Fe2O3 memiliki strutur AmXp sehingga jumlah atom (atau ion) A dan X yang sama. ikatan ionik untuk senyawa Fe2O3, Fe dalam ikatan tersebut akan membentuk kation (Fe3+) dengan oksigen akan membentuk anion (O2-).

9

2.1.3

CuFe2O4. Senyawa CuFe2O4 atau Cuprospinel merupakan senyawa yang tergolong

senyawa keramik yang memiliki struktur jenis AmBnXp yang termasuk senyawa ganda (multiple compounds) dimana A adalah kation yang bervalensi dua, B adalah kation yang bervalensi tiga dan X adalah ion dalam hal ini yaitu O2-. Selain itu CuFe2O4 termasuk spinelferro (atau ferit) dengan komposisi MFe2O4, dimana M adalah kation yang bervalensi dua dengan jari-jari 0.075 ± 0.01nm (Van Vlack 1994). Karena senyawa CuFe2O4 merupakan senyawa paduan, senyawa ini tidak terdapat di alam secara alami (E. H. Nickel, 1973).Senyawa CuFe2O4 memiliki sifat-sifat seperti yang diperlihatkan pada Tabel 1.4 dibawah ini. Tabel 2.3 Sifat fisis CuFe2O4. Warna Struktur kristal Hitam - Kubik Terjadi pada temperatur antara 700o-800oC - Tetragonal. Parameter kisi
Kekerasan Senyawa penyusun
0

- Kubik( a = 8.369 Α ) - Tetragonal.( a = −; c = − )
6.5MOhs Cu2+,Fe3+,O2-

Untuk permasalahan dalam senyawa keramik multiple compounds yang memiliki struktur AmBnXp seperti CuFe2O4 sifat magnetik dari bahan ini

ditentukan oleh kation yang ada dalam campuran bahan tersebut. Untuk

memiliki titik leleh yang cukup tinggi. Tabel 2. Alumunium Oxide atau alumina (Al2O3) merupakan komponen utama dari bauksit.4 Substrat Alumina (Al2O3). bidang-m (1100) dan bidang-a (1120) seprti yang ditunjukan pada Gambar 2. tersedia banyak dalam bentuk kristal dengan kualitas yang baik. Alumina itu sendiri diperoleh dari proses kasinasi Al(OH)3. M Selain itu substrat alumina (Al2O3) memiliki beberapa orientasi kristal. yaitu bidang-c (0001).1. 2.1. bidang-r (1102).4 Sifat intrinsik Al2O3.7 kJ/mol 50.1994). Massa Molar Massa Jenis (kerapatan) Titik Lebur Titik Didih Etalphi Standar (∆Ho298) Entropi Standar (So298) Konduktivitas Panas Warna Struktur kristal Resistivitas listrik 101. stabil pada suhu tinggi.97 gam /cm3 2054oC 2980oC -1675. Substrat alumina yang digunakan untuk substrat film tebal CuFe2O4 dengan metode screen printing harganya relatif murah.92 J/mol K 40W/m K Putih Rhombohedral – heksagonal (R3C) >1012 Ohm. memiliki sifat .10 kebanyakan CuFe2O4 cacat semikonduktor pada bahan ini disebabkan karena kekosongan elektron atau hole (Van Vlack.96 gram/mol 3.

Keramik merupakan senyawa paduan dari senyawa logam dan non-logam yang terbentuk oleh ikatan kovalen dan atau ikatan ion misalnya unsur tembaga (Cu) dengan oksigen (O) sehingga membentuk unsur yang lain seperti CuO atau CuO2 (Tn. Meskipun keramik merupakan paduan logam . sensor suhu. bahan magnetik bukan logam. sensor gas dan aplikasi lainnya (Van Vlack 1994).1994). namun memiliki sifat konduktivitas panas yang cukup baik.1 Pola kristal alumina (Al2O3) 2. Keramik jika kita berbibacara tentang keramik dulu orang mengenal keramik biasanya dikaitkan dengan barang-barang kerajinan dan tembikar. dan tidak tembus cahaya. bahan amplas.2 Keramik.11 konduktifitas listrik yang kurang baik. dielektrik.2008. Namun dengan seiringnya perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi. Van Vlack. Gambar 2. pada saat ini keramik tidak hanya dimanfaatkan untuk barang-barang kerajinan dan tembikar tetapi digunakan untuk keperluan teknik seperti bahan isolator.

3 Semikonduktor. Semikonduktor intrinsik yaitu semikonduktor yang memiliki konsentrasi pembawa muatan (elektron dan hole) memiliki jumlah yang sama (p=n) contoh semikonduktor intrinsik yaitu Ge (germanium). .1999). Untuk semikonduktor unsur transisi di kenal 2 jenis semikonduktor yaitu semikonduktor intrinsik dan semikonduktor ekstrinsik. Namun yang membedakan isolator dengan semikonduktor yaitu isolator memiliki energi gap yang lebih besar dibandingkan dengan semikonduktor (Tn. Ga (gallium). 2. material dapat digolongkan menjadi tiga bagian yaitu konduktor. Berdasarkan sifat kelistrikannya. Semikonduktor umumnya hampir sama dengan isolator karena jenis ikatannya hampir sama baik isolator maupun semikonduktor terbentuk oleh ikatan kovalen (Reka Rio.12 dan non-logam namun keramik tidak memiliki banyak elektron bebas hal itu disebabkan karena ikatan antara molekul logam dan non logam dibentuk oleh ikatan ion atau kovalen (Van Vlack 1994). hal ini berlaku untuk semua jenis bahan semikonduktor baik semikonduktor unsur transisi. 2008).2008) Dalam semikonduktor ada dua jenis pembawa muatan yaitu elektron dan hole. maupun semikonduktor keramik. semikonduktor dan isolator. Sehingga untuk konduktivitas untuk semikonduktor intrinsik dinyatakan pada persamaan (1) (Tn.

hole tersebut bertindak sebagai akseptor.13 σ = ne(µ n + µ p ) ………………………………………………………….1994). Semikonduktor tipe-P yang disebabkan karena semikonduktor golongan IV dipadukan dengan golongan III sehingga dalam semikonduktor tersebut jumlah konsentrasi pembawa muatan (elektron dan hole) lebih banyak hole.2 Semikonduktor tipe-N. Gambar2. 10-19C) µ n: mobilitas elektron µ p: mobilitas hole Namun untuk semikonduktor ekstrinsik jumlah konsentrasi pembawa muatannya tidak sama (p≠n) yang diakibatkan oleh adanya ketidakmurnian (impurity) (Van Vlack.(1) Dimana σ : konduktivitas n : jumlah partikel e : muatan elektron (1. .2006). elektron dalam semikonduktor tipe-N bertindak sebagai donor. Semikonduktor ekstrinsik yang diakibatkan adanya ketidakmurnian (impurity) memiliki 2 tipe yaitu semikonduktor tipe-N dalam semikonduktor tipe-N ketidakmurnianya disebabkan oleh atom yang bervalensi 5 (golongan V) sehingga pada semikonduktor tersebut konsentrasi elektron akan lebih banyak dibandingkan dengan hole. dan tipe-P (Tn.66.

dan Sn.3 Energi gap dalam golongan IV (skematik)(Van Vlack. 1999). Berdasarkan pergerakan pembawa muatan dalam semikonduktor keramik ada tiga cara yaitu: Eksitasi elektron (semikonduktor instrinsik). Jumlah pembawa muatan dalam bahan tersebut dalam satu golongan semakin . Si.14 Pada umumnya senyawa keramik merupakan senyawa yang tergolong isolator.1. Impurity (Semikonuktor ekstrinsik). 1994). Ge. Meskipun keramik tersusun dari unsur logam dan non-logam tetapi keramik hanya memiliki sedikit elektron bebas hal ini disebabkan karena keramik terbentuk akibat ikatan ion dan atau kovalen. dan Semikonduktor nonstoikiometri. 2.1 Eksitasi Elektron (semikonduktor intrinsik).3 terlihat energi gap untuk C (intan). 1994) Pada Gambar 2. Dalam semikonduktor besar celah pita terlarang (band gap) sedemikian rupa sehingga elektron dapat melompati band gap dari pita valensi ke pita konduksi dengan energi minimum yang dibutuhkan sama dengan energi gap (Reka Rio.3. namun keramik dapat bersifat semikonduktor bila mengandung elemen transisi yang memiliki valensi ganda (Van Vlack. Gambar 2.

As.3.7 0. Zns dan contoh senyawa lainnya (van Vlack. GA. Tabel 2. konduktivitas ini merupakan sifat dari bahan dan tidak ditimbulkan oleh ketidakmurnian (impurity).2 Impurity (semikonduktor ekstrinsik). GaN. dan Sn) merupakan satusatunya unsur yang bersifat semikonduktor dan memiliki struktur Kristal yang sama. Sb) memiliki sifat sebagai semikonduktor dan memiliki srtruktur yang sama misalnya SiC.1 Konduktivitas (T=20oC < 10-16 5 x 10-4 2 106 Ketiga unsur dalam golongan IV tersebut (Si.5 . 1994). 1994). Oleh karena itu disebut semikonduktor intrinsik (Van Vlack. Ketidakmurnian dalam pembawa muatan dalam semikonduktor akan semikonduktor mempengruhi jumlah akan mengubah sehingga konduktivitasnya.1. Ge. Elemen C (intan) Si Ge Sn (kelabu) Enegi gap (eV) T=20oC 6 1. 2.5 Energi gap dalam semikonduktor elementer. akibatnya konduktivitas pun akan meningkat seperti yang ditunjukan pada Tabel 2.1 0. Selain itu ada pula senyawa campuran golongan III ( B. maka dalam semikonduktor tersebut akan terdapat .AlSb. Jika ke dalam semikonduktor transisi (intrinsik) ditambahkan dengan atom dari golongan V.InAs.15 kebawah akan semakin meningkat. In) dengan golongan V (N. P. Al.

4 Level energi untuk semikonduktor tipe-N dan tipe-P (Tn.16 elektron yang berlebih.4. hal itu akan mengakibatkan dalam semikonduktor menjadi kekurangan elektron sehingga membuat semikonduktor menjadi lebi posistip contohnya adalah SiB. GeAl dan yang lainnya. Untuk semikonduktor ekstriksik baik tipe-n maupun tipe-p konduktivitas ekstrinsik tidak akan naik terus menerus dengan kenaikan temperatur dan akan dijumpai pada suatu keadaan dimana nilai konduktivitanya konstan. Semikonduktor jenis ini dikenal dengan semikonduktor tipe-p seperti yang diperlihatkan pada Gambar 2.2006). Hal itu diakibatkan karena proses pengurasan donor dan penjenuhan akseptor. Oleh karena itu semikonduktor yang memiliki elektron yang berlebih dikenal dengan semikonduktor tipe-n. Pada keadaan ini hampir mirip dengan semikonduktor ekstrinsik.1.3 Semikonduktor Nonstokiometri. hanya saja disebabkan oleh ketidakmurnian hal yang lainnya yaitu pengaruh dari cacat sebagai hasil dari stoikiomeri. Gambar2. sehingga elektron yang berlebih tersebut akan bertindak sebagai donor contohnya adalah SiP. 2. ZnO dan yang lainnya. Elektron dan hole semikonduktor nonstoikiometri tereksitasi dalam pita konduksi dan valensi sebagai hasil reduksi dan oksidasi. Akan tetapi sebaliknya jika ke dalam semikonduktor transisi ditambahkan dengan atom dari golongan III.3. GeAs. .

1999) Merupakan suatu hal yang lazim pada oksida logam transisi seperti Fe. menjadi Zn1+yO dengan hilangnya . Elektron dan hole yang berada pada celah pita terlarang dapat loncat ke pita konduksi jika mendapat energi tambahan walaupun energinya lebih kecil dari energi gap (Reka Rio. Ni yang memiliki ion Ni2+ jika teroksidasi akan membentuk ion Ni3+. Dengan demikian keseimbangan muatan akan terpelihara (Van Vlack.6.1994). dan Zn memiliki valensi ganda. sehingga hole terbentuk dalam pita valensi (Van Vlack. Ni1-xO. 1994). Selain oksida jenis – p. untuk Ni dalam Senyawa NiO. Ni. Pada Fe memiliki ion Fe2+ disamping ion Fe3+. terdapat pula oksida jenis – n. Celah pita terlarang tersebut akan bertidak sebagai perangkap elektron atau hole.ion Ni3+ menjadi akseptor elektron. Gambar2.17 Gambar 2. dan tiga Ni2+ akan digantikan dengan Ni3+ sehingga akan menghasilkan satu kekosongan seperti yang ditunjukan pada Gambar 2. Oksida seng (ZnO) apabila berada dalam atmosfer reduksi.5 Semikonduktor nonstoikiometi Pada cacat yang diakibatkan oleh stoikiomerti kristal akan menimbulkan celah pita terlarang antara pita valensi dan konduksi.6 Cacat semikonduktor.

biologi) yang memandangnya (Patrick Reichel. MnO2. 2. dan senyawa keramik multiple compound AmBnXp. 2005). dan contoh senyawa lainnya (VanVlack. Selain struktur semikonduktor keramik AX. 1994). Ion seng memiliki letak interstisi. ZnO2. kimia. Hal itu dikarenakan unsur logam dalam oksida logam memiliki valesi ganda contohnya CuFe2O4.5.4 Sensor Gas. Senyawa semikonduktor keramik yang paling sederhana memiliki strutur AX yang terdiri dari dua unsur dan memiliki jumlah yang sama contohnya NiO. terdapat pula AmXP. MgO. memiliki kelebihan satu elektron dibandingkan dengan ion-ion Zn2+ lainnya.1994). Ion Zn+ yang timbul untuk mengimbangi muatan. Sensor secara umum yaitu suatu piranti yang digunakan untuk mengukur besaran tertentu seperti yang ditunjukan pada Tabel 2. dan CuO. Namun lebih lanjut definisi sensor akan menghasilkan penafsiran atau definisi yang berbeda-beda bergantung pada kajian interdisipliner (fisika. . Hampir semua oksida logam transisi pergerakan muatannya mengikuti pergerakan nonstoikiometri yang diakibatkan cacat elektron dan oksida logam yang bervalensi ganda. Akan tetapi dalam hal ini kekosongan oksigen tidak terbentuk. yang pergerakannya muatannya mengikuti pergerakan nonstoikiometri akibat cacat elektron. ZnO. Ionion lainnya ini dapat memberikan elektron pada pita konduksi menghasilkan semikonduktor jenis.18 oksigen. FeFe2O4.n (Van Vlack.

or ptcresistor (Thermistor) Kapacitor Cahaya Serat optik Sistem sensor Semikonduktor keramik. 3. Dimana konduktansi sensor gas Ggas=1/Rgas. Parameter yang terukur dalam sensor gas yaitu nilai resistansi yang yang berubah akibat pengaruh dari konsentrasi gas yang akan di uji. Pellistor Humidity sensors RIFS Sensor optik Sensor gas mulai diperkenalkan pada tahun sekitar tahun 1952 oleh Brattain dan Bardeen dengan menggunakan bahan dasar germanium. Kemudian sekitar tahun 1970 Seiyama dan Taguchi berhasil mengembangkan sensor gas dengan menggunakan bahan oksida logam (metal oxide). Sejak saat itu hingga sekarang banyak penelitian yang dilakukan untuk mengembangkan sensor gas ini (Abhijith N.6 jenis sensor dan parameter sensor (Patrick Reichel.and 3-point elektroda oscillating quartzes Kelvin probes Thermopiles. 2006). Conducting polymers Sel elektrokimia Polymer coated microbalances Gas-FETs Sensor kalorimetri.or 4-point elektroda 2.19 Tabel 2. nilai resistansi akan berkurang sesuai dengan pengurangan konsentrasi gas. kenaikan temperatur pada sensor sebading dengan tekanan hal itu dapat dilihat dari hubungan dibawah ini: . 2005) Parameter yang terukur Konduktansi ∆G Arus ∆I Massa ∆m Fungsi kerja ∆Φ Temperatur ∆T Kapasitansi ∆C Ketebalan lapisan optis ∆n Intesitas ∆I atau phase ∆φ Tranducer 2-. ntc. Dimana perubahan resistansi ini sebanding dengan konsentrasi dari gas.

interaksi dipole-dipole ini dengan sensor menghasilkan energi sekitar ∆E = 0-30 kJ (Patrick Reichel. exp(− E a kT ) Dan untuk proses desorpsi adalah dθ = k desθ ………………………………………………………………(5) dt Dengan kdes adalah konstanta desorpsi dimana k des = B. Jika interaksi dipol-dipol dengan sensor tersebut ditunjukan pada persamaan dibawah ini. Gas yang ada di sekitar sensor akan masuk ke dalam sensor lewat pori yang ada dan gas yang masuk tersebut akan mengalami polarisai sehingga terbentuk dipoldipol. dan n adalah karakteristik eksponensial yang nilainya lebih kecil dari 1.……(3) Nt Dimana N adalah jumlah molekul teradsorpsi tiap permukaan dan Nt adalah jumlah total permukaan teradsorpsi.. sebelumnya harus dipahami terlebih dahulu tentang reaksi yang terjadi antara gas dengan sensor. exp(− E DISS kT ) .20 n G gas ≈ Pgas ………………………………………………………………(2) Dimana Pgas adalah tekanan parsial gas. Reaksi yang terjadi antar gas dengan sensor terjadi di permukaan butiran sensor oleh karena itu reaksi yang terjadi dikenal dengan istilah reaksi permukaan. dθ = k ads (1 − θ )Pgas ……………………………………………………. Untuk mengetahui lebih lanjut mengenai persamaan diatas.. θ= N …………………………………………………………….. 2005).(4) dt Dengan kads adalah konstanta adsorpsi dimana k ads = A.

dan sifat bahan tersebut. : tekanan parsial gas O2. 4 : temperatur mutlak. T PO2 .…………(6) dt Kita dapat menentukan θ untuk Pgas .……(7) Dari persamaan 7 diperoleh gambaran mengenai hal-hal yang berpengaruh pada sensor gas..  E ±1  G gas = Go exp − a PO2 m  ……………………………………………. namun untuk kebanyakan sensor tidaklah semudah yang didapatkan namun masih ada hal-hal yang lain yang mempengaruhi karakteristik dari sensor yang dihasilkan diantaranya yaitu penambahan bahan aktif (dopping atau katalis). untuk hole 1 =− ...(8)  kT  Dengan Go Ea 1 m : konstanta. T ) ……………………………. : ditentukan oleh jenis dan sifat bahan semikonduktor. : energi aktivasi. Dan dari persamaan itu jelas yang mempengaruhi dalam mekanisme sensor gas yaitu tekanan parsial gas dan temperatur. keheterogenan dopping. ukuran butiran.21 Maka kita akan dapatkan dari persamaan 4 dan 5 sebagai berikut: dθ = k ads (1 − θ )Pgas − k desθ …………………………………. Dari Gambaran yang telah dijelaskan pada persamaan 7 dan 3 maka kita didapatkan persamaan konduktivitas atau resistansi (Irmansyah.. k des p gas + k ads dθ = 0 maka dt θ= θ = f (Pgas . 2002).

Respon gas terhadap sensor akan mengakibatkan penurunan nilai resistansi seiring dengan pertambahan konsentrasi gas yang berinteraksi. Hal ini disebabkan karena ketidakseimbangan stoikiometri bahan. . sensor gas pun memiliki beberapa parameter yang merupakan karakteristik dari sesnsor gas.1 Seletivitas. 2005). Perameter-parameter sensor gas meliputi sensitivitas. selektivitas.………(9)  kT  R E ±1 = − a P m ……………………………………………………(10) A k BT ln Dimana A adalah konstanta. 2. Seperti halnya sensor pada umumnya.4. Selektivitas dalam sensor gas merupakan suatu masalah dalam divais sensor gas yang masih dihadapi sampai saat ini. 2. dan waktu respon.4. Dalam pendeteksian gas.1. waktu respon biasanya didefinisikan sebagai waktu pencapaian ketika terjadi perubahan konduktivitas atau resistivitas dalam sensor gas (Patrick Reichel.4. 2. 2006).1.2 Waktu Respon. Selektivitas sensor merupakan kemampuan sensor dalam membedakan jenis dan karakter gas (Abhijith N.1 Parameter Sensor.22 Dan untuk nilai resistivitasnya dinyatakan sebagai berikut:  E ±1  R = A exp − a PO2 m  ………………………………………….

3 Sensitivitas. Sensitivitas juga menggambarkan tinggat terkecil konsentrasi yang dapat terdeteksi oleh sensor gas atau terhadap perubahan konsentrasi yang kecil (Abhijith N. Sensitivitas untuk reaksi reduksi Sensitivitas untuk reaksi oksidasi S red = Ro Rred Ro Ro = ∆Rred Ro − Rred Dimana Ro Rred Rox Sox Sred S ox = Rox Ro ∆Rox Rox − Ro = Ro Ro S red = ∆Rred = Ro − Rred S red = S ox = ∆R = Rox − Ro S ox = : resistansi sesnsor pada keadaan tanpa gas. Proses pembuatan engineering ceramic secara konvensional biasanya menggunakan serbuk dan membutuhkan proses yang cukup panjang seperti proses .23 2.5 Proses Sinter. : sensitivitas untuk reaksi reduksi.1. Dalam pembahasan sensitivitas sensor gas. 2006). namun juga dipengaruhi oleh jenis reaksi (reaksi reduksi atau reaksi oksidasi) yang terjadi antara gas dengan permukaan sensor (Patrick Reichel. : resistansi gas akibat reaksi oksidasi. nilai sensitivitas bukan hanya dipengaruhi oleh nilai resistansi saja. : sensitivitas untuk reaksi oksidasi. : resistansi gas akibat reaksi reduksi. 2005). 2.4. Sensitivitas merupakan karakteristik dari sensor gas yang diakibatkan perubahan sifat fisika dan atau sifat kimia dibawah pengaruh gas.

Pada tahap awal ini selama terjadi proses pembakaran atau sintering berlangsung. Pada tahap awal ini mulai terbentuk cairan yang membasahi partikel sehingga terjadi gerakan gerakan partikel. Proses sinter ini sudah lama diaplikasikan oleh para pengrajin tembikar. partikel-partikel dalam bahan mengalami penyesuaian dan pengaturan posisi sehinngga bidang kontak antara pertikel menjadi lebih halus dan baik. penambahan zat aditif atau dopant. Tiwari). 1979). dan mekanisme vapourisasi adhesi (Sadao Okuma. dan terakhir proses permesinan (Juliana Anggono). dan pengrajin keramik. penentuan distribusi ukuran partikel. difusi permukaan. Proses sinter ini dimulai dari partikel halus yang kemudian beraglomerasi menjadi bentuk yang kita inginkan. sinter.24 kalsinasi. proses sinter biasanya dilakukan dibawah titik leleh dari bahan dasarnya ( sekitar 60-80% dari titik leleh bahan dasar) (Van Vlack. miling. Proses densifikasi terjadi sangat cepat. Untuk proses sinter logam ada beberapa mikanisme yang terjadi dalam proses sinter tersebut diantaranya aliran viskos. 1994). Dalam proses sinter kita akan mengenal 3 proses tahapan diantaranya yaitu tahap awal. Sintering adalah suatu proses pemanasan dalam pembuatan material keramik sehingga dalam pemanasan tersebut terbentuk ikatan dalam material tersebut (A. . tahap medium dan tahap akhir. proses kompaksi. difusi internal. Yang mana dalam setiap tahapan dalam proses sinter terjadi proses yang berbeda-beda.

maka tingkat densifikasi pada bahan tersebut pun semakin baik. Bahan aktif ini akan membentuk cairan pada suhu sinter sehingga akan meningkatkan kekuatan mekanik dan menurunkan pori. Tahap yang ketiga dalam proses sinter yaitu tahap akhir.1. 2.5. pada tahap ini proses densifikasi berakhir dan yang terjadi hanyalah perpaduan antar partikel yang tumbuh selama sintering untuk membentuk partikel yang ukurannya lebih besar sehingga hampir semua pori tertutup.1. Pt dan lain-lain) akan memberikan kontribusi pada bahan tersebut selama proses sinter berlangsung.5. pada tahap ini proses yang terjadi yaitu pertikel-partikel kecil dalam bahan larut sehingga membentuk partikel-partikel baru yang ukurannya lebih besar dari partikel semula.5.25 Tahap medium. Semakin kecil ukuran butir yang dihasilkan. AG. Akibat terjadinya proses pembentukan partikel pada proses ini mengakibatkan terjadinya pertumbuhan butiran baru dan pori baru.2 Ukuran Butir. Dalam proses sinter (sintering) ada beberapa hal yang dapat mempengaruhi dalam proses sinter diantaranya yaitu: 2. dan juga dapat menghambat pertumbuhan Kristal yang terlalu besar. .1 Bahan Aktif.1 Faktor yang Mempengaruhi Proses Sinter. Penambahan bahan aktif pada bahan ( seperti Mg. 2.

5 Atmosfer.4 Tekanan. Perubahan tekanan oksigen akan mempengaruhi kualitas hasil sinter.5. Atmosfer dapat mempengaruhi densifikasi dan pembentukan struktur mikro dalam bahan.6 Difraksi Sinar-X.1.5. Metode ini memberikan banyak keuntungan karena tekana tinggi yang merata. hal itu akan mengganggu proses densifikasi. Selain itu bahan yang dihasilkan lebih kering.26 2. Hal ini memberikan kesempatan pada pertikel-partikel untuk melakukan penyesuaian dan pengaturan posisi sehingga dihasilkan bahan yang memiliki ukuran butir yang seragam. Apabila terdapat gas yang mudah terserap.1. Teknik difraksi sinar-X .3 Suhu dan Waktu Sinter. 2. Metode penekanan merupakan metode yang paling efektif untuk mendapatkan produk yang memiliki kualitas yang baik. sehingga penysutannya kecil dan mudah dikendalikan. isostatis. 2.5. Densifikasi pada bahan akan dicapai bila kecepatan pembakaran yang dilakukan konstan sampai suhu sinternya maksimum dan ditahan dalam waktu yang cukup lama. Tekanan yang diberikan dapat bersifat uniaksial. 2.1. Difraksi sinar-X merupakan suatu teknik yang sangat penting dalam proses karakterisasi material untuk memperoleh informasi atomik dari material-material yang berstruktur kristal dan amorf.

Pembahasan mengenai difraksi sinar-x mencakup pengetahuan yang berhubungan dengan hal-hal berikut ini: i. Sinar-X merupakan gelombang elektromagnetik yang dihasilkan apabila berkas elektron yang energetik diperlambat dan dihentikan dengan tiba-tiba oleh sasarannya. Friedrich (asisten riset Sommerfeld) menawari dilakukannya eksperimen mengenai 'difraksi sinar-x (Beiser. ii.P. W. . layaknya garis-garis pada geritan optik (optical grating). Pembentukan sinar-x.27 digunakan untuk memperoleh informasi tentang struktur kristal.1990). Efek-efek difraksi bisa jadi menjadi lebih rumit karena atom-atom tersebut membentuk pola tiga dimensi. ukuran kristal. atom-atom pada kristal bertindak sebagai sumber-sumber gelombang sekunder. Sommerfeld. 2008). Laue mengawali pekerjaannya dengan menuliskan hasil pemikiran teoritiknya dengan mengacu pada hasil eksperimen Barkla. Sejarah mengenai difraksi sinar-x dimulai sejak tahun 1912 adalah awal dari studi intensif mengenai difraksi sinar-x. ketika sinar-x melewati sebuah kristal. Laue berargumentasi. regangan kisi. Hamburan (scattering) gelombang elektromagnetik. komposisi kimiawi dan sebagainya (beiser. 1990). Difraksi sinar-x merupakan proses hamburan sinar-x oleh bahan kristal. van Laue kepada salah seorang kandidat doktor P. Hal ini didasarkan pada kajian teori klasik elektromagnetik dimana teori ini memperkirakan bahwa muatan listrik akan meradiasikan gelombang elektromagnetik apabila muatan tersebut mengalami percepatan (Tn. Dimulai dari pertanyaan M. Ewald yang dibimbing A.

Ada bagian di mana sinar-x menjadi objek eksperimen. Penting untuk diketahui bahwa gelombang elektromagnetik memiliki interpretasi ganda: sebagai gelombang dan sebagai partikel. Oleh sebab itu. ada pula bagian di mana sinar-x dimanfaatkan untuk membantu menunjukkan sifat-sifat material. Jangkau panjang gelombangnya tidak terdefinisi dengan jelas tetapi diperkirakan mulai dari panjang gelombang cahaya ungu hingga sinar gamma yang dipancarkan oleh bahan-bahan radioaktif.28 iii. polarisasi dan sebagainya. Sejalan perkembangan ilmu pengetahuan diketahui bahwa sinar-x adalah radiasi elektromagnetik transversal. Pembahasan difraksi sinar-x banyak menggunakan sinar-x yang membawa sifat gelombang (beiser. difraksi. tetapi dengan panjang gelombang yang jauh lebih pendek.5-hingga 2. Sejak dari awal ditemukannya difraksi sinar-x memberikan ilustrasi bahwa secara prinsip sifat-sifat gelombang sinar-x dan interaksinya dengan material dapat dimanfaatkan untuk mengeksplorasi 'keadaan mikroskopik' materialmaterial yang memiliki keteraturan susunan atom. Dari sinilah kemudian berkembang ilmuanalisis sinar-x (X-Ray Analysis). 1990). Sifat kekristalan bahan (kristalografi).5Å (Guinier 1963). . tidak mengherankan bila difraksi sinarx merupakan salah satu metode standar dalam karakterisasi material . Dalam kristalografi. Salah satu contoh dari yang terakhir adalah penggunaan sinar-x dalam difraksi yang bertujuan membantu menunjukkan sifatsifat dasar material kristal. refleksi. panjang gelombang yang digunakan berkisar antara 0. yang meliputi spektroskopi. seperti cahaya tampak.

3.…………………….. Selisih jarak antara dua berkas sinar adalah 2dsinθ .L. 2λ.1990): 2d sinθ = nλ Dengan d: dengan n =1. dan seterusnya. Gambar 2. Berkas sinar monokromatik yang jatuh pada sebuah kristal akan dihambur ke segala arah. yaitu λ.29 Penelitian ini kemuadian dikembangkan lebih lanjut oleh W. Difraksi sinar-X pada kisi kristal (Tn. 2.1990).. 3λ. Bragg (1913) yang menyatakan bahwa atom-atom dalam kristal dapat dipandang sebagai unsur yang membentuk keluarga bidang datar.7.. maka persamaan matematis untuk terjadinya interferensi konstruktif adalah sebagai berikut (Beiser. Agar berkas sinar yang dihamburkan atom-atom kristal berinterferensi secara konstruktif maka beda lintasan antara kedua berkas sinar harus sama dengan kelipatan bilangan bulat dari panjang gelombangnya. 2006).... maka pada arah tertentu gelombang hambur tersebut akan berinterferensi konstruktif sedangkan yang lain akan berinterferensi destruktif (Beiser. namun karena keteraturan letak atom-atom penyusunnya.…(11) jarak antar bidang ..

sedangkan sudut hambur 2θ merupakan sudut antara proyeksi sumber sinar-X dengan detektor. Demikian pula berkas hamburan dari sampel juga melewati sistem slit sebelum ditangkap oleh detektor sinar-X.30 n: orde sudut difraksi panjang gelombang sinar-X θ: λ: Skema alat difraktometer sinar-X ditunjukkan dalam Gambar 2.9 dengan panjang gelombang sinar-X sekitar 1.540 Å sebab target anoda terbuat dari bahan tembaga (Cu). Sinar-X yang berasal dari anoda melewati sistem slit (soller slit) agar berkas sinar yang sampai ke sampel berbentuk paralel dan memiliki tingkat divergensi yang kecil. Skema alat difraksi sinar-X] .8. Untuk pergerakan sumber sinar-X sebesar θ maka detektor bergerak sebesar 2θ (Suryanarayana. 1998) Gambar 2. Sudut datang θ merupakan sudut antara bidang sampel dengan sinar datang.

1 Metode Pengolahan data XRD. α = β = γ = 90 0 Ortorombik 1 1 1 1 = 2 h2 + 2 k 2 + 2 l 2 2 d a b c a = b ≠ c . a = b = c . 1991 ). maka yang pengolahan data XRD ini akan ditekankan pada “bagaimana pengolahan data untuk Kristal yang memiliki struktur tetragonal?”.6.31 2. α = β = 90 0 γ = 120 Hexagonal 1 4  h 2 + hk + k 2  l 2 + 2 =   c d2 3 a2   Karena dalam penelitian yang dilakukan ini bahan dasar yang digunakan memiliki struktur Kristal tetragonal. dapat dihitung ditentukan seperti pada penjelasan dibawah ini: . Untuk menentukan parameter kisi yang memiliki struktur Kristal tetragonal. α = β = γ = 90 0 Kubik 1 h2 + k 2 + l 2 = d2 a2 a = b ≠ c . dimana masing- masing sistem kristal tersebut memiliki metode pengolahan yang berbeda-beda antar sistem yang satu dengan yang lainnya seperti yang diperlihatkan pada Tabel dibawah ini untuk beberapa sitem Kristal (Charles Kittel. Seperti yang kita ketahui ada 7 macam sistem Kristal. α = β = γ = 90 0 Tetragonal 1 1 l2 = 2 h2 + k 2 + 2 d2 a c ( ) a ≠ b ≠ c .

. λ = 2d sin θ ………………………………...(14) λ 2 sin θ d= ……………………………………………………………...(17) d2 a c λ2 ( ) Dan hasilnya ialah sin θ = 2 λ2 4a 2 (h 2 +k + 2 ) λ2 4c 2 l 2 ………………………….……………(18) sin 2 θ = A h 2 + k 2 + Cl 2 ……………………………………………(19) ( ) .(15) 1 4 sin 2 θ = …………………………………………………………(16) d2 λ2 Maka akan diperoleh persamaan sebagai berikut: 1 1 1 4 sin 2 θ = 2 h2 + k 2 + 2 l 2 = ……………………………….……………………. α = β = γ = 900 …………………………………………....……………………………………………(12) d 2 a2 c ( ) dengan a = b ≠ c.(13) Jika persamaan diatas digabung dengan persamaan hukum Bragg.32 Untuk struktur tetragonal jarak bidang pendifraksi dapat ditentukan dengan persamaan 1 1 2 2 l2 = h + k + 2 …….…….

….9.2.8.13. ( ) 2. .4. Dan nilai l2 yang mungkin adalah 0. SEM (Scanning Electron Microscope) adalah mikroskop elektron yang memiliki pembesaran yang lebih tinggi dibandingkan dengan mikroskop optik.10.. morfologi. Keunggulan SEM terutama pada beragam sinyal yang dihasilkan oleh interaksi antara berkas elektron dengan sampel.33 Dimana A = λ2 4a 2 dan C = λ2 4c 2 Sedangkan untuk struktur tetragonal nilai h 2 + k 2 yang mungkin adalah 0. Deteksi dan pengolahan terhadap sinyal yang beragam ini menghasilkan beragam tampilan data dari permukaan lapisan. sehingga keduanya dapat saling melengkapi.1. komposisi. Namun untuk pembesaran dibawah 500X.5.9. Teknik SEM merupakan suatu teknik yang umumnya dipakai untuk menganalisis morfologi permukaan film tipis. Hasil dari pola refleksi dalam proses SEM (Scanning Electron Microscope) ini memberikan informasi kepada kita berupa topologi.7 SEM (Scanning Electron Microscope).1.…. Gambar yang dihasilkan oleh SEM memiliki kualitas yang kurang baik dibandingkan dengan mikroskop optik. dan informasi mengenai kekeristalan bahan. Keunggulan dalam pengoperasian berawal dari kemudahan dalam penyiapan sampel.4.

Kemudian berkas elektron yang telah melewati anoda diteruskan menuju lensa magnetik. elektron yangdipancarkan dari electron gun ini bersifat monokronmatik.34 Gambaran permukaan yang diperoleh merupakan gambaran topologi dengan semua tonjolan dan lekukan permukaan. Pacaran elektron tersebut kemudian diteruskan pada anoda. Elektron yang dihasilkan dari proses SEM (Scanning Electron Microscope) ini elektron dihasilkan dari electron gun. dan akhirnya electron tersebut menembak specimen. .8. Sinyal yang dihasilkan ditangkap oleh detektor kemudian direkam melalui monitor sehingga diperoleh Gambaran topologi permukaan sampel. selain itu anoda pun berfungsi untuk membatasi (meng-eliminasi) pacaran elektron yang memiliki sudut hambur yang terlalu besar. pada proses ini elektron mengalami penyearahan menuju titik fokus. scaning coils. Gambaran topologi ini diperoleh dari penangkapan elektron sekunder yang dipancarkan oleh sampel yang dilapisi konduktor sehingga berinteraksi dengan berkas elektron yang dapat memberi informasi mengenai struktur morfologi dan jenis unsur. Seperti yang ditunjukan pada skema alat SEM (Scanning Electron Microscope) pada Gambar 2.

2005) Mekanisme SEM (Scanning Electron Microscope) dapat dilihat pada bagan dibawah ini.35 Gambar.2. Gambar 2.10. Proses mekanisme SEM (Scanning Electron Microscope).9 Skema alat SEM (Tn. .

.....36 2... = Panjang garis uji (m)..1 Metode Pengolahan data SEM (Scanning Electron Microscope).. ....... = Jumlah garis uji..(20) dimana : LK n l v = Rata-rata diameter butir (m)....... ∑P K = Jumlah batas butir yang terpotong .. dapat dilakukan dengan menggunakan metoda garis Heyn (Anom... = Pembesaran foto...7.............................. Data struktur mikro yang dapat digunakan untuk menentukan sifat bahan adalah ukuran butir. 2005: 26) LK = nl v∑ PK ..................... Cara menentukan besar butir.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->