7

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

2.1 Sifat Intrinsik Bahan. 2.1.1 CuO. Copper (II) Oxide atau Cupric Oxide (CuO) merupakan senyawa yang terdiri dari Cu dan O, dalam senyawa mineral CuO atau tenorite. Tabel 2.1 Sifat intrinsik CuO. Struktur Kristal monoklinik
a = 4,6837
o

= 90 o = 99,54 o = 90 o

Parameter kisi

b = 3,4226 c = 5,1288
o

Energi gap Massa Molar Kerapatan Titik Leleh Resistivitas

1,2eV, tidak tembus cahaya 79,545 gram / mol 6,31 gram /cm3 1201oC +(1474K) 105Ohm/cm

CuO merupakan senyawa keramik yang paling sederhana yang terdiri dari atom logam dan non-logam dalam jumlah yang sama. Seperti halnya keramik pada umumnya ikatan CuO terbentuk oleh ikatan ion dan kovalan. ikatan ion CuO, dua elektron dipindahkan dari atom Cu ke atom O sehingga menghasilkan kation (Cu2+) dan anion (O2-). Ikatan kovalen CuO dimana pada hal ini elektron valensi dipakai bersama dan terjadi pembagian elektron valensi.

Senyawa CuO diperoleh dari hasil pemanasan senyawa copper (II) nitrat (Cu(NO3)2), copper(II) hydroxide (Cu(OH)2) atau copper(II) carbonat (CuCO3) seperti yang ditunjukan pada persamaan reaksi dbawah ini. 2Cu(NO3)2 2CuO + 4NO2 + O2 Cu(OH)2(s) CuO(s) + H2O(l) CuCO3 CuO + CO2 2.1.2 Fe2O3. Fe2O3 atau yarosit memiliki beberapa diantaranya yaitu: phase alpha, betha, gamma, dan epsilon. Tabel 2.2 Sifat intrinsik Fe2O3. Phase : rombohedral hematite Struktur Kristal Phase : FCC (face centre cubic) Phase : SC (simple cubic) maghematite Entalphi standard (Ho298) Massa Molar Kerapatan Titik Leleh Warna - 825,50 kJ/mol 159,69 gram / mol 5,24 gram /cm3 1566oC (1838K) Merah pekat

Senyawa Fe2O3 memiliki strutur AmXp sehingga jumlah atom (atau ion) A dan X yang sama. ikatan ionik untuk senyawa Fe2O3, Fe dalam ikatan tersebut akan membentuk kation (Fe3+) dengan oksigen akan membentuk anion (O2-).

2.1.3

CuFe2O4. Senyawa CuFe2O4 atau Cuprospinel merupakan senyawa yang tergolong

senyawa keramik yang memiliki struktur jenis AmBnXp yang termasuk senyawa ganda (multiple compounds) dimana A adalah kation yang bervalensi dua, B adalah kation yang bervalensi tiga dan X adalah ion dalam hal ini yaitu O2-. Selain itu CuFe2O4 termasuk spinelferro (atau ferit) dengan komposisi MFe2O4, dimana M adalah kation yang bervalensi dua dengan jari-jari 0.075 0.01nm (Van Vlack 1994). Karena senyawa CuFe2O4 merupakan senyawa paduan, senyawa ini tidak terdapat di alam secara alami (E. H. Nickel, 1973).Senyawa CuFe2O4 memiliki sifat-sifat seperti yang diperlihatkan pada Tabel 1.4 dibawah ini. Tabel 2.3 Sifat fisis CuFe2O4. Warna Struktur kristal Hitam - Kubik Terjadi pada temperatur antara 700o-800oC - Tetragonal. Parameter kisi
Kekerasan Senyawa penyusun
0

- Kubik( a = 8.369 ) - Tetragonal.( a = ; c = )

6.5MOhs Cu2+,Fe3+,O2-

Untuk permasalahan dalam senyawa keramik multiple compounds yang memiliki struktur AmBnXp seperti CuFe2O4 sifat magnetik dari bahan ini

ditentukan oleh kation yang ada dalam campuran bahan tersebut. Untuk

10

kebanyakan CuFe2O4 cacat semikonduktor pada bahan ini disebabkan karena kekosongan elektron atau hole (Van Vlack,1994).

2.1.4

Substrat Alumina (Al2O3).

Alumunium Oxide atau alumina (Al2O3) merupakan komponen utama dari

bauksit. Alumina itu sendiri diperoleh dari proses kasinasi Al(OH)3. Tabel 2.4 Sifat intrinsik Al2O3. Massa Molar Massa Jenis (kerapatan) Titik Lebur Titik Didih Etalphi Standar (Ho298) Entropi Standar (So298) Konduktivitas Panas Warna Struktur kristal Resistivitas listrik 101.96 gram/mol 3,97 gam /cm3 2054oC 2980oC -1675,7 kJ/mol 50,92 J/mol K 40W/m K Putih Rhombohedral heksagonal (R3C) >1012 Ohm. M

Selain itu substrat alumina (Al2O3) memiliki beberapa orientasi kristal, yaitu bidang-c (0001), bidang-r (1102), bidang-m (1100) dan bidang-a (1120) seprti yang ditunjukan pada Gambar 2.1. Substrat alumina yang digunakan untuk substrat film tebal CuFe2O4 dengan metode screen printing harganya relatif

murah, tersedia banyak dalam bentuk kristal dengan kualitas yang baik, stabil pada suhu tinggi, memiliki titik leleh yang cukup tinggi, memiliki sifat

11

konduktifitas listrik yang kurang baik, namun memiliki sifat konduktivitas panas yang cukup baik, dan tidak tembus cahaya.

Gambar 2.1 Pola kristal alumina (Al2O3)

2.2 Keramik.
Keramik jika kita berbibacara tentang keramik dulu orang mengenal keramik biasanya dikaitkan dengan barang-barang kerajinan dan tembikar. Namun dengan seiringnya perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi, pada saat ini keramik tidak hanya dimanfaatkan untuk barang-barang kerajinan dan tembikar tetapi digunakan untuk keperluan teknik seperti bahan isolator, bahan magnetik bukan logam, bahan amplas, dielektrik, sensor suhu, sensor gas dan aplikasi lainnya (Van Vlack 1994). Keramik merupakan senyawa paduan dari senyawa logam dan non-logam yang terbentuk oleh ikatan kovalen dan atau ikatan ion misalnya unsur tembaga (Cu) dengan oksigen (O) sehingga membentuk unsur yang lain seperti CuO atau CuO2 (Tn,2008, Van Vlack,1994). Meskipun keramik merupakan paduan logam

12

dan non-logam namun keramik tidak memiliki banyak elektron bebas hal itu disebabkan karena ikatan antara molekul logam dan non logam dibentuk oleh ikatan ion atau kovalen (Van Vlack 1994).

2.3 Semikonduktor.
Berdasarkan sifat kelistrikannya, material dapat digolongkan menjadi tiga bagian yaitu konduktor, semikonduktor dan isolator. Semikonduktor umumnya hampir sama dengan isolator karena jenis ikatannya hampir sama baik isolator maupun semikonduktor terbentuk oleh ikatan kovalen (Reka Rio,1999). Namun yang membedakan isolator dengan semikonduktor yaitu isolator memiliki energi gap yang lebih besar dibandingkan dengan semikonduktor (Tn,2008) Dalam semikonduktor ada dua jenis pembawa muatan yaitu elektron dan hole, hal ini berlaku untuk semua jenis bahan semikonduktor baik semikonduktor unsur transisi, maupun semikonduktor keramik. Untuk semikonduktor unsur transisi di kenal 2 jenis semikonduktor yaitu semikonduktor intrinsik dan semikonduktor ekstrinsik. Semikonduktor intrinsik yaitu semikonduktor yang memiliki konsentrasi pembawa muatan (elektron dan hole) memiliki jumlah yang sama (p=n) contoh semikonduktor intrinsik yaitu Ge (germanium), Ga (gallium). Sehingga untuk konduktivitas untuk semikonduktor intrinsik dinyatakan pada persamaan (1) (Tn, 2008).

13

= ne( n + p ) .(1)
Dimana

: konduktivitas
n : jumlah partikel e : muatan elektron (1.66. 10-19C) n: mobilitas elektron p: mobilitas hole

Namun untuk semikonduktor ekstrinsik jumlah konsentrasi pembawa muatannya tidak sama (pn) yang diakibatkan oleh adanya ketidakmurnian (impurity) (Van Vlack,1994). Semikonduktor ekstrinsik yang diakibatkan adanya ketidakmurnian (impurity) memiliki 2 tipe yaitu semikonduktor tipe-N dalam semikonduktor tipe-N ketidakmurnianya disebabkan oleh atom yang bervalensi 5 (golongan V) sehingga pada semikonduktor tersebut konsentrasi elektron akan lebih banyak dibandingkan dengan hole, elektron dalam semikonduktor tipe-N bertindak sebagai donor. Semikonduktor tipe-P yang disebabkan karena semikonduktor golongan IV dipadukan dengan golongan III sehingga dalam semikonduktor tersebut jumlah konsentrasi pembawa muatan (elektron dan hole) lebih banyak hole, hole tersebut bertindak sebagai akseptor.

Gambar2.2 Semikonduktor tipe-N, dan tipe-P (Tn,2006).

14

Pada umumnya senyawa keramik merupakan senyawa yang tergolong isolator, namun keramik dapat bersifat semikonduktor bila mengandung elemen transisi yang memiliki valensi ganda (Van Vlack, 1994). Meskipun keramik tersusun dari unsur logam dan non-logam tetapi keramik hanya memiliki sedikit elektron bebas hal ini disebabkan karena keramik terbentuk akibat ikatan ion dan atau kovalen. Berdasarkan pergerakan pembawa muatan dalam semikonduktor keramik ada tiga cara yaitu: Eksitasi elektron (semikonduktor instrinsik),

Impurity (Semikonuktor ekstrinsik), dan

Semikonduktor nonstoikiometri.

2.3.1.1 Eksitasi Elektron (semikonduktor intrinsik).

Dalam semikonduktor besar celah pita terlarang (band gap) sedemikian rupa sehingga elektron dapat melompati band gap dari pita valensi ke pita konduksi dengan energi minimum yang dibutuhkan sama dengan energi gap (Reka Rio, 1999).

Gambar 2.3 Energi gap dalam golongan IV (skematik)(Van Vlack, 1994)

Pada Gambar 2.3 terlihat energi gap untuk C (intan), Si, Ge, dan Sn. Jumlah pembawa muatan dalam bahan tersebut dalam satu golongan semakin

15

kebawah akan semakin meningkat, akibatnya konduktivitas pun akan meningkat seperti yang ditunjukan pada Tabel 2.5 . konduktivitas ini merupakan sifat dari bahan dan tidak ditimbulkan oleh ketidakmurnian (impurity). Oleh karena itu disebut semikonduktor intrinsik (Van Vlack, 1994). Tabel 2.5 Energi gap dalam semikonduktor elementer. Elemen C (intan) Si Ge Sn (kelabu) Enegi gap (eV) T=20oC 6 1.1 0.7 0.1 Konduktivitas (T=20oC < 10-16 5 x 10-4 2 106

Ketiga unsur dalam golongan IV tersebut (Si, Ge, dan Sn) merupakan satusatunya unsur yang bersifat semikonduktor dan memiliki struktur Kristal yang sama. Selain itu ada pula senyawa campuran golongan III ( B, Al, GA, In) dengan golongan V (N, P, As, Sb) memiliki sifat sebagai semikonduktor dan memiliki srtruktur yang sama misalnya SiC,AlSb, GaN,InAs, Zns dan contoh senyawa lainnya (van Vlack, 1994).

2.3.1.2 Impurity (semikonduktor ekstrinsik).

Ketidakmurnian dalam pembawa muatan dalam

semikonduktor akan semikonduktor

mempengruhi jumlah akan mengubah

sehingga

konduktivitasnya. Jika ke dalam semikonduktor transisi (intrinsik) ditambahkan dengan atom dari golongan V, maka dalam semikonduktor tersebut akan terdapat

16

elektron yang berlebih, sehingga elektron yang berlebih tersebut akan bertindak sebagai donor contohnya adalah SiP, GeAs, ZnO dan yang lainnya. Oleh karena itu semikonduktor yang memiliki elektron yang berlebih dikenal dengan semikonduktor tipe-n. Akan tetapi sebaliknya jika ke dalam semikonduktor transisi ditambahkan dengan atom dari golongan III, hal itu akan mengakibatkan dalam semikonduktor menjadi kekurangan elektron sehingga membuat

semikonduktor menjadi lebi posistip contohnya adalah SiB, GeAl dan yang lainnya. Semikonduktor jenis ini dikenal dengan semikonduktor tipe-p seperti yang diperlihatkan pada Gambar 2.4.

Gambar2.4 Level energi untuk semikonduktor tipe-N dan tipe-P (Tn,2006).

Untuk semikonduktor ekstriksik baik tipe-n maupun tipe-p konduktivitas ekstrinsik tidak akan naik terus menerus dengan kenaikan temperatur dan akan dijumpai pada suatu keadaan dimana nilai konduktivitanya konstan. Hal itu diakibatkan karena proses pengurasan donor dan penjenuhan akseptor.

2.3.1.3 Semikonduktor Nonstokiometri.

Pada keadaan ini hampir mirip dengan semikonduktor ekstrinsik, hanya saja disebabkan oleh ketidakmurnian hal yang lainnya yaitu pengaruh dari cacat sebagai hasil dari stoikiomeri. Elektron dan hole semikonduktor nonstoikiometri tereksitasi dalam pita konduksi dan valensi sebagai hasil reduksi dan oksidasi.

17

Gambar 2.5 Semikonduktor nonstoikiometi

Pada cacat yang diakibatkan oleh stoikiomerti kristal akan menimbulkan celah pita terlarang antara pita valensi dan konduksi. Celah pita terlarang tersebut akan bertidak sebagai perangkap elektron atau hole. Elektron dan hole yang berada pada celah pita terlarang dapat loncat ke pita konduksi jika mendapat energi tambahan walaupun energinya lebih kecil dari energi gap (Reka Rio, 1999) Merupakan suatu hal yang lazim pada oksida logam transisi seperti Fe, Ni, dan Zn memiliki valensi ganda. Pada Fe memiliki ion Fe2+ disamping ion Fe3+, untuk Ni dalam Senyawa NiO, Ni yang memiliki ion Ni2+ jika teroksidasi akan membentuk ion Ni3+, dan tiga Ni2+ akan digantikan dengan Ni3+ sehingga akan menghasilkan satu kekosongan seperti yang ditunjukan pada Gambar 2.6.

Dengan demikian keseimbangan muatan akan terpelihara (Van Vlack,1994).

Gambar2.6 Cacat semikonduktor, Ni1-xO.ion Ni3+ menjadi akseptor elektron, sehingga hole terbentuk dalam pita valensi (Van Vlack, 1994).

Selain oksida jenis p, terdapat pula oksida jenis n. Oksida seng (ZnO) apabila berada dalam atmosfer reduksi, menjadi Zn1+yO dengan hilangnya

18

oksigen. Akan tetapi dalam hal ini kekosongan oksigen tidak terbentuk. Ion seng memiliki letak interstisi. Ion Zn+ yang timbul untuk mengimbangi muatan, memiliki kelebihan satu elektron dibandingkan dengan ion-ion Zn2+ lainnya. Ionion lainnya ini dapat memberikan elektron pada pita konduksi menghasilkan semikonduktor jenis- n (Van Vlack, 1994).

Senyawa semikonduktor keramik yang paling sederhana memiliki strutur

AX yang terdiri dari dua unsur dan memiliki jumlah yang sama contohnya NiO,
ZnO, MgO, dan CuO. Hampir semua oksida logam transisi pergerakan muatannya mengikuti pergerakan nonstoikiometri yang diakibatkan cacat elektron dan oksida logam yang bervalensi ganda. Selain struktur semikonduktor keramik AX, terdapat pula AmXP, dan senyawa keramik multiple compound AmBnXp, yang pergerakannya muatannya mengikuti pergerakan nonstoikiometri akibat cacat elektron. Hal itu dikarenakan unsur logam dalam oksida logam memiliki valesi ganda contohnya CuFe2O4, ZnO2, MnO2, FeFe2O4, dan contoh senyawa lainnya (VanVlack,1994).

2.4 Sensor Gas.

Sensor secara umum yaitu suatu piranti yang digunakan untuk mengukur besaran tertentu seperti yang ditunjukan pada Tabel 2.5. Namun lebih lanjut definisi sensor akan menghasilkan penafsiran atau definisi yang berbeda-beda bergantung pada kajian interdisipliner (fisika, kimia, biologi) yang

memandangnya (Patrick Reichel, 2005).

19

Tabel 2.6 jenis sensor dan parameter sensor (Patrick Reichel, 2005)

Parameter yang terukur

Konduktansi G Arus I Massa m Fungsi kerja Temperatur T Kapasitansi C Ketebalan lapisan optis n Intesitas I atau phase

Tranducer
2-, 3- or 4-point elektroda 2- and 3-point elektroda oscillating quartzes Kelvin probes Thermopiles, ntc- or ptcresistor (Thermistor) Kapacitor Cahaya Serat optik

Sistem sensor
Semikonduktor keramik, Conducting polymers Sel elektrokimia Polymer coated microbalances Gas-FETs Sensor kalorimetri, Pellistor Humidity sensors RIFS Sensor optik

Sensor gas mulai diperkenalkan pada tahun sekitar tahun 1952 oleh Brattain dan Bardeen dengan menggunakan bahan dasar germanium. Kemudian sekitar tahun 1970 Seiyama dan Taguchi berhasil mengembangkan sensor gas dengan menggunakan bahan oksida logam (metal oxide). Sejak saat itu hingga sekarang banyak penelitian yang dilakukan untuk mengembangkan sensor gas ini (Abhijith N, 2006). Parameter yang terukur dalam sensor gas yaitu nilai resistansi yang yang berubah akibat pengaruh dari konsentrasi gas yang akan di uji. Dimana perubahan resistansi ini sebanding dengan konsentrasi dari gas, nilai resistansi akan berkurang sesuai dengan pengurangan konsentrasi gas. Dimana konduktansi sensor gas Ggas=1/Rgas, kenaikan temperatur pada sensor sebading dengan tekanan hal itu dapat dilihat dari hubungan dibawah ini:

20

n G gas Pgas (2)

Dimana Pgas adalah tekanan parsial gas, dan n adalah karakteristik eksponensial yang nilainya lebih kecil dari 1. Untuk mengetahui lebih lanjut mengenai persamaan diatas, sebelumnya harus dipahami terlebih dahulu tentang reaksi yang terjadi antara gas dengan sensor. Reaksi yang terjadi antar gas dengan sensor terjadi di permukaan butiran sensor oleh karena itu reaksi yang terjadi dikenal dengan istilah reaksi permukaan. Gas yang ada di sekitar sensor akan masuk ke dalam sensor lewat pori yang ada dan gas yang masuk tersebut akan mengalami polarisai sehingga terbentuk dipoldipol, interaksi dipole-dipole ini dengan sensor menghasilkan energi sekitar E = 0-30 kJ (Patrick Reichel, 2005). Jika interaksi dipol-dipol dengan sensor tersebut ditunjukan pada persamaan dibawah ini.

N ..(3) Nt

Dimana N adalah jumlah molekul teradsorpsi tiap permukaan dan Nt adalah jumlah total permukaan teradsorpsi.

d = k ads (1 )Pgas ...(4) dt Dengan kads adalah konstanta adsorpsi dimana k ads = A. exp( E a kT ) Dan untuk proses desorpsi adalah d = k des (5) dt Dengan kdes adalah konstanta desorpsi dimana k des = B. exp( E DISS kT )

21

Maka kita akan dapatkan dari persamaan 4 dan 5 sebagai berikut: d = k ads (1 )Pgas k des ...(6) dt Kita dapat menentukan untuk
Pgas ; k des p gas + k ads

d = 0 maka dt

= f (Pgas , T ) ...(7)

Dari persamaan 7 diperoleh gambaran mengenai hal-hal yang berpengaruh pada sensor gas. Dan dari persamaan itu jelas yang mempengaruhi dalam mekanisme sensor gas yaitu tekanan parsial gas dan temperatur, namun untuk kebanyakan sensor tidaklah semudah yang didapatkan namun masih ada hal-hal yang lain yang mempengaruhi karakteristik dari sensor yang dihasilkan diantaranya yaitu penambahan bahan aktif (dopping atau katalis), ukuran butiran, keheterogenan dopping, dan sifat bahan tersebut. Dari Gambaran yang telah dijelaskan pada persamaan 7 dan 3 maka kita didapatkan persamaan konduktivitas atau resistansi (Irmansyah, 2002).

E 1 G gas = Go exp a PO2 m .(8) kT

Dengan Go Ea
1 m

: konstanta. : energi aktivasi. : ditentukan oleh jenis dan sifat bahan semikonduktor, untuk hole 1 = . 4 : temperatur mutlak. : tekanan parsial gas O2.

T PO2

22

Dan untuk nilai resistivitasnya dinyatakan sebagai berikut:

E 1 R = A exp a PO2 m .(9) kT

R E 1 = a P m (10) A k BT

ln

Dimana A adalah konstanta. Respon gas terhadap sensor akan mengakibatkan penurunan nilai resistansi seiring dengan pertambahan konsentrasi gas yang berinteraksi. Hal ini disebabkan karena ketidakseimbangan stoikiometri bahan.

2.4.1

Parameter Sensor.

Seperti halnya sensor pada umumnya, sensor gas pun memiliki beberapa parameter yang merupakan karakteristik dari sesnsor gas. Perameter-parameter sensor gas meliputi sensitivitas, selektivitas, dan waktu respon.

2.4.1.1 Seletivitas.
Selektivitas dalam sensor gas merupakan suatu masalah dalam divais sensor gas yang masih dihadapi sampai saat ini. Selektivitas sensor merupakan kemampuan sensor dalam membedakan jenis dan karakter gas (Abhijith N, 2006).

2.4.1.2 Waktu Respon.

Dalam pendeteksian gas, waktu respon biasanya didefinisikan sebagai waktu pencapaian ketika terjadi perubahan konduktivitas atau resistivitas dalam sensor gas (Patrick Reichel, 2005).

23

2.4.1.3 Sensitivitas.
Sensitivitas merupakan karakteristik dari sensor gas yang diakibatkan perubahan sifat fisika dan atau sifat kimia dibawah pengaruh gas. Sensitivitas juga menggambarkan tinggat terkecil konsentrasi yang dapat terdeteksi oleh sensor gas atau terhadap perubahan konsentrasi yang kecil (Abhijith N, 2006). Dalam pembahasan sensitivitas sensor gas, nilai sensitivitas bukan hanya dipengaruhi oleh nilai resistansi saja, namun juga dipengaruhi oleh jenis reaksi (reaksi reduksi atau reaksi oksidasi) yang terjadi antara gas dengan permukaan sensor (Patrick Reichel, 2005). Sensitivitas untuk reaksi reduksi Sensitivitas untuk reaksi oksidasi

S red =

Ro Rred Ro Ro = Rred Ro Rred

Dimana Ro Rred Rox Sox Sred

S ox =

Rox Ro Rox Rox Ro = Ro Ro

S red = Rred = Ro Rred S red =

S ox = R = Rox Ro S ox =

: resistansi sesnsor pada keadaan tanpa gas. : resistansi gas akibat reaksi reduksi. : resistansi gas akibat reaksi oksidasi. : sensitivitas untuk reaksi oksidasi. : sensitivitas untuk reaksi reduksi.

2.5 Proses Sinter.

Proses pembuatan engineering ceramic secara konvensional biasanya menggunakan serbuk dan membutuhkan proses yang cukup panjang seperti proses

24

kalsinasi, miling, penentuan distribusi ukuran partikel, penambahan zat aditif atau dopant, proses kompaksi, sinter, dan terakhir proses permesinan (Juliana Anggono). Proses sinter ini sudah lama diaplikasikan oleh para pengrajin tembikar, dan pengrajin keramik. Proses sinter ini dimulai dari partikel halus yang kemudian beraglomerasi menjadi bentuk yang kita inginkan. Sintering adalah suatu proses pemanasan dalam pembuatan material keramik sehingga dalam pemanasan tersebut terbentuk ikatan dalam material tersebut (A. Tiwari), proses sinter biasanya dilakukan dibawah titik leleh dari bahan dasarnya ( sekitar 60-80% dari titik leleh bahan dasar) (Van Vlack, 1994). Dalam proses sinter kita akan mengenal 3 proses tahapan diantaranya yaitu tahap awal, tahap medium dan tahap akhir. Yang mana dalam setiap tahapan dalam proses sinter terjadi proses yang berbeda-beda. Untuk proses sinter logam ada beberapa mikanisme yang terjadi dalam proses sinter tersebut diantaranya aliran viskos, difusi internal, difusi permukaan, dan mekanisme vapourisasi adhesi (Sadao Okuma, 1979). Pada tahap awal ini selama terjadi proses pembakaran atau sintering

berlangsung, partikel-partikel dalam bahan mengalami penyesuaian dan pengaturan posisi sehinngga bidang kontak antara pertikel menjadi lebih halus dan baik. Pada tahap awal ini mulai terbentuk cairan yang membasahi partikel sehingga terjadi gerakan gerakan partikel. Proses densifikasi terjadi sangat cepat.

25

Tahap medium, pada tahap ini proses yang terjadi yaitu pertikel-partikel kecil dalam bahan larut sehingga membentuk partikel-partikel baru yang ukurannya lebih besar dari partikel semula. Akibat terjadinya proses pembentukan partikel pada proses ini mengakibatkan terjadinya pertumbuhan butiran baru dan pori baru. Tahap yang ketiga dalam proses sinter yaitu tahap akhir, pada tahap ini proses densifikasi berakhir dan yang terjadi hanyalah perpaduan antar partikel yang tumbuh selama sintering untuk membentuk partikel yang ukurannya lebih besar sehingga hampir semua pori tertutup.

2.5.1

Faktor yang Mempengaruhi Proses Sinter.

Dalam proses sinter (sintering) ada beberapa hal yang dapat

mempengaruhi dalam proses sinter diantaranya yaitu:

2.5.1.1 Bahan Aktif.

Penambahan bahan aktif pada bahan ( seperti Mg, AG, Pt dan lain-lain) akan memberikan kontribusi pada bahan tersebut selama proses sinter berlangsung. Bahan aktif ini akan membentuk cairan pada suhu sinter sehingga akan meningkatkan kekuatan mekanik dan menurunkan pori, dan juga dapat menghambat pertumbuhan Kristal yang terlalu besar.

2.5.1.2 Ukuran Butir.

Semakin kecil ukuran butir yang dihasilkan, maka tingkat densifikasi pada bahan tersebut pun semakin baik.

26

2.5.1.3 Suhu dan Waktu Sinter.

Densifikasi pada bahan akan dicapai bila kecepatan pembakaran yang dilakukan konstan sampai suhu sinternya maksimum dan ditahan dalam waktu yang cukup lama. Hal ini memberikan kesempatan pada pertikel-partikel untuk melakukan penyesuaian dan pengaturan posisi sehingga dihasilkan bahan yang memiliki ukuran butir yang seragam.

2.5.1.4 Tekanan.
Metode penekanan merupakan metode yang paling efektif untuk mendapatkan produk yang memiliki kualitas yang baik. Metode ini memberikan banyak keuntungan karena tekana tinggi yang merata. Selain itu bahan yang dihasilkan lebih kering, sehingga penysutannya kecil dan mudah dikendalikan. Tekanan yang diberikan dapat bersifat uniaksial, isostatis.

2.5.1.5 Atmosfer.
Atmosfer dapat mempengaruhi densifikasi dan pembentukan struktur mikro dalam bahan. Apabila terdapat gas yang mudah terserap, hal itu akan mengganggu proses densifikasi. Perubahan tekanan oksigen akan mempengaruhi kualitas hasil sinter.

2.6 Difraksi Sinar-X.

Difraksi sinar-X merupakan suatu teknik yang sangat penting dalam proses karakterisasi material untuk memperoleh informasi atomik dari

material-material yang berstruktur kristal dan amorf. Teknik difraksi sinar-X

27

digunakan untuk memperoleh informasi tentang struktur kristal, ukuran kristal, regangan kisi, komposisi kimiawi dan sebagainya (beiser, 1990). Sinar-X merupakan gelombang elektromagnetik yang dihasilkan apabila berkas elektron yang energetik diperlambat dan dihentikan dengan tiba-tiba oleh sasarannya. Hal ini didasarkan pada kajian teori klasik elektromagnetik dimana teori ini memperkirakan bahwa muatan listrik akan meradiasikan gelombang

elektromagnetik apabila muatan tersebut mengalami percepatan (Tn, 2008). Sejarah mengenai difraksi sinar-x dimulai sejak tahun 1912 adalah awal dari studi intensif mengenai difraksi sinar-x. Dimulai dari pertanyaan M. van Laue kepada salah seorang kandidat doktor P.P. Ewald yang dibimbing A. Sommerfeld, W. Friedrich (asisten riset Sommerfeld) menawari dilakukannya eksperimen mengenai 'difraksi sinar-x (Beiser,1990). Laue mengawali pekerjaannya dengan menuliskan hasil pemikiran teoritiknya dengan mengacu pada hasil eksperimen Barkla. Laue berargumentasi, ketika sinar-x melewati sebuah kristal, atom-atom pada kristal bertindak sebagai sumber-sumber gelombang sekunder, layaknya garis-garis pada geritan optik (optical grating). Efek-efek difraksi bisa jadi menjadi lebih rumit karena atom-atom tersebut membentuk pola tiga dimensi. Difraksi sinar-x merupakan proses hamburan sinar-x oleh bahan kristal. Pembahasan mengenai difraksi sinar-x mencakup pengetahuan yang berhubungan dengan hal-hal berikut ini: i. ii. Pembentukan sinar-x. Hamburan (scattering) gelombang elektromagnetik.

28

iii.

Sifat kekristalan bahan (kristalografi).

Sejalan perkembangan ilmu pengetahuan diketahui bahwa sinar-x adalah radiasi elektromagnetik transversal, seperti cahaya tampak, tetapi dengan panjang gelombang yang jauh lebih pendek. Jangkau panjang gelombangnya tidak terdefinisi dengan jelas tetapi diperkirakan mulai dari panjang gelombang cahaya ungu hingga sinar gamma yang dipancarkan oleh bahan-bahan radioaktif. Dalam kristalografi, panjang gelombang yang digunakan berkisar antara 0.5-hingga 2.5 (Guinier 1963). Penting untuk diketahui bahwa gelombang elektromagnetik memiliki interpretasi ganda: sebagai gelombang dan sebagai partikel. Pembahasan difraksi sinar-x banyak menggunakan sinar-x yang membawa sifat gelombang (beiser, 1990). Sejak dari awal ditemukannya difraksi sinar-x memberikan ilustrasi bahwa secara prinsip sifat-sifat gelombang sinar-x dan interaksinya dengan material dapat dimanfaatkan untuk mengeksplorasi 'keadaan mikroskopik' materialmaterial yang memiliki keteraturan susunan atom. Dari sinilah kemudian berkembang ilmuanalisis sinar-x (X-Ray Analysis), yang meliputi spektroskopi, difraksi, refleksi, polarisasi dan sebagainya. Ada bagian di mana sinar-x menjadi objek eksperimen, ada pula bagian di mana sinar-x dimanfaatkan untuk membantu menunjukkan sifat-sifat material. Salah satu contoh dari yang terakhir adalah penggunaan sinar-x dalam difraksi yang bertujuan membantu menunjukkan sifatsifat dasar material kristal. Oleh sebab itu, tidak mengherankan bila difraksi sinarx merupakan salah satu metode standar dalam karakterisasi material .

29

Penelitian ini kemuadian dikembangkan lebih lanjut oleh W.L. Bragg (1913) yang menyatakan bahwa atom-atom dalam kristal dapat dipandang sebagai unsur yang membentuk keluarga bidang datar. Berkas sinar monokromatik yang jatuh pada sebuah kristal akan dihambur ke segala arah, namun karena keteraturan letak atom-atom penyusunnya, maka pada arah tertentu gelombang hambur tersebut akan berinterferensi konstruktif sedangkan yang lain akan berinterferensi destruktif (Beiser,1990).

Gambar 2.7. Difraksi sinar-X pada kisi kristal (Tn, 2006).

Agar berkas sinar yang dihamburkan atom-atom kristal berinterferensi secara konstruktif maka beda lintasan antara kedua berkas sinar harus sama dengan kelipatan bilangan bulat dari panjang gelombangnya, yaitu , 2, 3, dan seterusnya. Selisih jarak antara dua berkas sinar adalah 2dsin , maka persamaan
matematis untuk terjadinya interferensi konstruktif adalah sebagai berikut (Beiser,1990):

2d sin = n
Dengan d:

dengan

n =1, 2,3,........(11)

jarak antar bidang

30

n:

orde sudut difraksi panjang gelombang sinar-X

: :

Skema alat difraktometer sinar-X ditunjukkan dalam Gambar 2.9 dengan panjang gelombang sinar-X sekitar 1,540 sebab target anoda terbuat dari bahan tembaga (Cu). Sinar-X yang berasal dari anoda melewati sistem slit (soller slit) agar berkas sinar yang sampai ke sampel berbentuk paralel dan memiliki tingkat divergensi yang kecil. Demikian pula berkas hamburan dari sampel juga melewati sistem slit sebelum ditangkap oleh detektor sinar-X. Sudut datang merupakan sudut antara bidang sampel dengan sinar datang, sedangkan sudut hambur 2 merupakan sudut antara proyeksi sumber sinar-X dengan detektor. Untuk pergerakan sumber sinar-X sebesar maka detektor bergerak sebesar 2 (Suryanarayana, 1998)

Gambar 2.8. Skema alat difraksi sinar-X]

31

2.6.1

Metode Pengolahan data XRD.

Seperti yang kita ketahui ada 7 macam sistem Kristal, dimana masing-

masing sistem kristal tersebut memiliki metode pengolahan yang berbeda-beda antar sistem yang satu dengan yang lainnya seperti yang diperlihatkan pada Tabel dibawah ini untuk beberapa sitem Kristal (Charles Kittel, 1991 ).
a = b = c ; = = = 90 0

Kubik

1 h2 + k 2 + l 2 = d2 a2
a = b c ; = = = 90 0

Tetragonal

1 1 l2 = 2 h2 + k 2 + 2 d2 a c

a b c ; = = = 90 0

Ortorombik

1 1 1 1 = 2 h2 + 2 k 2 + 2 l 2 2 d a b c

a = b c ; = = 90

= 120

Hexagonal

1 4 h 2 + hk + k 2 l 2 + 2 = c d2 3 a2

Karena dalam penelitian yang dilakukan ini bahan dasar yang digunakan memiliki struktur Kristal tetragonal, maka yang pengolahan data XRD ini akan ditekankan pada bagaimana pengolahan data untuk Kristal yang memiliki struktur tetragonal?. Untuk menentukan parameter kisi yang memiliki struktur Kristal tetragonal, dapat dihitung ditentukan seperti pada penjelasan dibawah ini:

32

Untuk struktur tetragonal jarak bidang pendifraksi dapat ditentukan dengan persamaan

1 1 2 2 l2 = h + k + 2 ...(12) d 2 a2 c

dengan

a = b c; = = = 900 .....(13)
Jika persamaan diatas digabung dengan persamaan hukum Bragg,

= 2d sin ...(14)
2 sin

d=

.(15)

1 4 sin 2 = (16) d2 2 Maka akan diperoleh persamaan sebagai berikut:

1 1 1 4 sin 2 = 2 h2 + k 2 + 2 l 2 = ..(17) d2 a c 2

Dan hasilnya ialah

sin =

2
4a
2

(h

+k +

2
4c
2

l 2 ..(18)

sin 2 = A h 2 + k 2 + Cl 2 (19)

33

Dimana A =

2
4a 2

dan C =

2
4c 2

Sedangkan untuk struktur tetragonal nilai h 2 + k 2 yang mungkin adalah 0,1,2,4,5,8,9,10,13,.. Dan nilai l2 yang mungkin adalah 0,1,4,9,.

2.7 SEM (Scanning Electron Microscope).

SEM (Scanning Electron Microscope) adalah mikroskop elektron yang memiliki pembesaran yang lebih tinggi dibandingkan dengan mikroskop optik. Namun untuk pembesaran dibawah 500X, Gambar yang dihasilkan oleh SEM memiliki kualitas yang kurang baik dibandingkan dengan mikroskop optik, sehingga keduanya dapat saling melengkapi. Teknik SEM merupakan suatu teknik yang umumnya dipakai untuk menganalisis morfologi permukaan film tipis. Keunggulan dalam pengoperasian berawal dari kemudahan dalam penyiapan sampel. Keunggulan SEM terutama pada beragam sinyal yang dihasilkan oleh interaksi antara berkas elektron dengan sampel. Deteksi dan pengolahan terhadap sinyal yang beragam ini menghasilkan beragam tampilan data dari permukaan lapisan. Hasil dari pola refleksi dalam proses SEM (Scanning Electron Microscope) ini memberikan informasi kepada kita berupa topologi, morfologi, komposisi, dan informasi mengenai kekeristalan bahan.

34

Gambaran permukaan yang diperoleh merupakan gambaran topologi dengan semua tonjolan dan lekukan permukaan. Gambaran topologi ini diperoleh dari penangkapan elektron sekunder yang dipancarkan oleh sampel yang dilapisi konduktor sehingga berinteraksi dengan berkas elektron yang dapat memberi informasi mengenai struktur morfologi dan jenis unsur. Sinyal yang dihasilkan ditangkap oleh detektor kemudian direkam melalui monitor sehingga diperoleh Gambaran topologi permukaan sampel. Elektron yang dihasilkan dari proses SEM (Scanning Electron Microscope) ini elektron dihasilkan dari electron gun, elektron yangdipancarkan dari electron gun ini bersifat monokronmatik. Pacaran elektron tersebut kemudian diteruskan pada anoda, pada proses ini elektron mengalami penyearahan menuju titik fokus, selain itu anoda pun berfungsi untuk membatasi (meng-eliminasi) pacaran elektron yang memiliki sudut hambur yang terlalu besar. Kemudian berkas elektron yang telah melewati anoda diteruskan menuju lensa magnetik, scaning coils, dan akhirnya electron tersebut menembak specimen. Seperti yang ditunjukan pada skema alat SEM (Scanning Electron Microscope) pada Gambar 2.8.

35

Gambar.2.9 Skema alat SEM (Tn,2005)

Mekanisme SEM (Scanning Electron Microscope) dapat dilihat pada bagan dibawah ini.

Gambar 2.10. Proses mekanisme SEM (Scanning Electron Microscope).

36

2.7.1

Metode Pengolahan data SEM (Scanning Electron Microscope).

Data struktur mikro yang dapat digunakan untuk menentukan sifat

bahan adalah ukuran butir. Cara menentukan besar butir, dapat dilakukan dengan menggunakan metoda garis Heyn (Anom, 2005: 26)

LK =

nl v PK

.............................................................................(20)

dimana :

LK n l v

= Rata-rata diameter butir (m). = Jumlah garis uji. = Panjang garis uji (m). = Pembesaran foto.

= Jumlah batas butir yang terpotong .