P. 1
Transistor Sebagai Switch

Transistor Sebagai Switch

|Views: 302|Likes:
Published by Dani Nugroho

More info:

Published by: Dani Nugroho on Dec 01, 2011
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

09/16/2014

pdf

text

original

Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar

Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH 1. Tujuan
• Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai penguat • Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja Bipolar Junction Transistor ketika beroperasi sebagai saklar. • Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja MOS Field-Effect Transistor baik tipe n-MOS maupun CMOS ketika beroperasi sebagai saklar.

2. Alat-Alat
1. 2. 3. 4. Kit praktikum DC Power Supply Multimeter Kabel-kabel

3. Dasar Teori
Sebuah switch ideal harus mempunyai karakteristik pada keadaan “off” ia tidak dapat dilalui arus sama sekali dan pada keadaan “on” ia tidak mempunyai tegangan drop Bipolar Junction Transistor (BJT) Komponen transistor dapat berfungsi sebagai switch, walaupun bukan sebagai switch ideal. Untuk dapat berfungsi sebagai switch, maka titik kerja transistor harus dapat berpindahpindah dari daerah saturasi (switch dalam keadaan “on”) ke daerah cut-off (switch dalam keadaan “off”). Untuk jelasnya lihat gambar 4.1

Gambar 4.1 Kurva daerah kerja Transistor

Dalam percobaan di bawah ini perpindahan titik kerja dilakukan dengan mengubah-ubah prategangan (bias) dari emitter-base.
Petunjuk Praktikum EL 2008

untuk membuatnya bekerja sebagai switch. MOSFET juga dapat berfungsi sebagai switch. Dimana n-MOS bekerja dengan memberikan tegangan positif pada gate.3. kita harus mengubah-ubah daerah kerjanya antara cut-off dan saturasi. akan dihasilkan devais CMOS (Complementary MOS) yang rangkaian gabungan dan daerah kerjanya dapat dilihat pada gambar 4. Gambar 4.2. dan sebaliknya. Dibandingkan dengan BJT. p-MOS bekerja dengan memberikan tegangan negatif di gate. Petunjuk Praktikum EL 2008 . Ada dua tipe MOSFET menurut tegangan kerjanya yaitu n-Channel MOSFET (n-MOS) dan p-Channel MOSFET (p-MOS). Daerah kerja dari n-MOS dapat dilihat pada gambar 4.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) Selain BJT. Dan untuk devais CMOS ini. sifat switch dari MOSFET juga lebih unggul karena membutuhkan arus yang sangat kecil untuk operasinya.2 Rangkaian dan daerah kerja n-MOS Dan jika n-MOS dan p-MOS digabungkan. n-MOS berlaku sebagai switch dengan membuatnya bekerja di sekitar daerah saturasinya.

Oxford University Press.4 diatas. Kerjakan dan jelaskan pemecahan untuk problems 4. IDP.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB Gambar 4. Kerjakan dan jelaskan pemecahan untuk problems 5. 2. Posisikan Rvar pada nilai minimum (Vb=0). Catat harga-harga Ib. Sedra/Smith. Apa fungsi dioda pada rangkaian di gambar 4. dll) 7. Naikan tegangan di Base (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat lampu menyala (relay bekerja) 4. Baca datasheet IC-CMOS 4007.4 Rangkaian transistor BJT sebagai switch 1. Buat rangkaian seperti pada gambar 4. Tepat pada saat lampu menyala. VoL. 6.12 pada buku Microelectronic Circuits*) dengan Vt diubah menjadi 0. 2004” 4.85V. 10. VBE dan VCE 5. catat harga: Ib. fifth edition. dan jelaskan : a. Gambarkan grafik yang menunjukkan Vb minimun yang menyebabkan Saturasi. Percobaan Bipolar Junction Transistor Gambar 4.3 Rangkaian dan daerah kerja CMOS Tugas Pendahuluan 1. 3. VBE dan VCE yang menyebabkan lampu padam. 9 Vdc. Petunjuk Praktikum EL 2008 . dan beberapa nilai Vcc & Vce yang berbedabeda dalam satu grafik. Ulangi langkah 2-4 dengan beberapa Vcc lain (11. Dengan Vcc = 12 Vdc 2. Vb maksimum yang menyebabkan Cut-Off. Nilai dan makna parameter VoH. Ii di IC tersebut 4.4 *) menggunakan buku “Microelectronic Circuits. Catat harga Vce awal 3. gambarkan karakteristik kerjanya (Vi-Vo)! b. IDN. Kemudian turunkan tegangan catu perlahan-lahan hingga lampu padam kembali.65 pada buku Microelectronic Circuits*) dengan Vcc diubah menjadi 6V.

Posisikan Rvar pada nilai minimum (Va=0). Gambarkan grafik hubungan Vgs – Id. Ulangi langkah 7-10 dengan menghubung-singkatkan Rd (Rd = 0) 14. Vgs dan Vds 12. Id.5 Rangkaian transistor n-MOS untuk mode saturasi 8. Petunjuk Praktikum EL 2008 .Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) Gambar 4. Catat harga Vds dan Id awal 10.5. Tepat pada saat ada arus di Drain (Id). Ulangi langkah 7-10 dengan beberapa Vdd lain: 6. Buat rangkaian seperti pada gambar 4.5 diatas. Dengan Vdd = 5 Vdc 9. Naikan tegangan di Gate (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat ada arus di Drain (Id). 7. 9. catat harga: Ig. Vdc (jangan melebihi 12V) 13. 11.

Tepat pada saat ada arus di Drain (Id). Vgs dan Vds dan buatlah grafik VA-Vout seperti pada gambar 3. Posisikan Rvar pada nilai minimum (Va=0). kemudian catat Ig.6 diatas. Id. Ulangi langkah 13-17 dengan menghubung-singkatkan Rd (Rd = 0) Petunjuk Praktikum EL 2008 . 21. 18.6 Rangkaian transistor CMOS untuk mode saturasi 15. Id. catat harga: Ig. Ulangi langkah 13-17 untuk Vdd = 9 Vdc. 20. Is. Naikkan terus Va (=Vgs) untuk beberapa nilai. Catat harga Vo. Is. Vgs dan Vds 19.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB Gambar 4. Is dan Id awal 17. Dengan Vdd = 5 Vdc 16. Naikan tegangan di Gate (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat ada arus di Drain (Id). Buat rangkaian seperti pada gambar 4.

Ib maksimum penyebab cut-off: 4. Grafik Vb – Vce dengan Vcc yang berbeda-beda : 2. Ib minimum penyebab saturasi: 3.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB (template) JURNAL IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH Bipolar Junction Transistor Vcc Vb (Volt) Ib (mA) (Volt) Vcc1 = Vbe (Volt) Ic (mA) Vce (Volt) Relay (on/off) Off On On Off Off On Off On Off On On Off On Off On Off Vcc2 = Vcc3 = Vcc4 = 1. Kesimpulan Petunjuk Praktikum EL 2008 . Analisa percobaan BJT sebagai switch mA mA 5.

V Vgs (volt) 0V Vt (~0.7V)= 0.5V) = Vdd-Vt(~4.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB MOS Field-Effect Transistor Vdd (volt) Vgs (volt) Vds (volt) Id (mA) Ig (mA) 1. Grafik Vt – Vout pada CMOS : Petunjuk Praktikum EL 2008 ..3V) = Vdd (5V) = 0V Vt (~0.3V) = Vdd (10V) = Vout (volt) Id (mA) Is (mA) Ig (mA) Vdd = 5V Rd = 1K Vdd = 10V Rd = 1K Vdd = 10V Rd = 0 3.5*Vdd (5V) = Vdd-Vt(~9.7V)= 0. Tegangan treshold (Vth) n-MOS ini adalah: ….5*Vdd (2. Grafik Vgs – Id pada n-MOS : 2.

Kesimpulan : Petunjuk Praktikum EL 2008 . Analisa MOSFET sebagai Switch : 5.Percobaan IV Transistor Sebagai Saklar Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB 4.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->