P. 1
Percobaan II Bjt & Jfet

Percobaan II Bjt & Jfet

|Views: 144|Likes:
Published by Dharmawan Setiadi

More info:

Published by: Dharmawan Setiadi on Dec 01, 2011
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOC, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

07/04/2015

pdf

text

original

PERCOBAAN II BJT dan JFET I. Tujuan a.

memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP) dan JFET (channel P atau channel N). b.Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT dan JFET. II. Alat dan bahan yang digunakan a. modul praktikum elektronika dasar. b. Osiloskop dua channel. c. 2 buah multimeter analog maupun digital. d. 2 buah variable Power supply e. kertas milimeter block f. disket 3½ “ 1,44 MB g. flash disk h. mistar i. Datasheet transistor yang digunakan III. Pendahuluan Menguji Karakteristik statis BJT dan JFET akan digambarkan dengan dua cara a. dengan Multimeter. Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan mengukur besar arus

1. 2. 3.

karakteristik Ic terhadap Vce dengan mengukur masing-masing besaran karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE karakteristik hfe terhadap IC

b. dengan Osiloskop pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE untuk berbagai nilai IB Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk mengamati besarnya IC yaitu dengan cara mengukur tegangan pada RC. Sedangkan input horisontal (X) dari osiloskop, digunakan untuk mengamati besarnya VCE. Gambar yang terbentuk pada layar osiloskop, sumbu horisontal ke kiri adalah tegangan positif sedangkan arah kanan adalah negatif. IV. Langkah-langkah Percobaan IV.I. Testing kondisi BJT dan JFET

   
No

Untuk BJT periksalah kondisi transistor, dengan cara memeriksa dioda emiter dan dioda kolektor dari transistor. isilah tabel 2.1. Untuk JFET periksalah hambatan antara drain dan source untuk gate pada keadaan terbuka. Kemudian periksa pula hubungan antara gate dengan source. Isilah tabel 2.2 AVO Meter Hambatan Dioda Basis Emiter Basis Kolektor Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan

Tabel 2.1 Resistansi dioda BJT

BJT No Seri Type

1

BC547 NPN Digital

2

BC557 PNP

1

Digital

Tabel 2.2 Resistansi channel JFET

FET No Seri 2SK19 Type chann el-N

AVO Meter

Hambatan Drain Source Gate Source

Keterangan keadaan Baik Buruk

Keterangan

Digital IV.II. Karakteristik BJT dan JFET 1.Karakteristik BJT  Buat rangkaian seperti pada gambar 2.1.  Aturlah tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE sesuai dengan tabel 2.3.  Gunakan multimeter untuk mengukur IB (Tegangan dari RB), IC (tegangan dari RC), dan VCE.  Catat pengamatan anda pada tabel 2.3

Gambar 2.1 Rangkaian karakteristik BJT Tabel 2.2 Hasil pengamatan karakteristik BJT

No IB 1 2 3 4 5

VB 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Vb

Vc

VcE

IC

IE

β

Keterangan

2. Karakteristik JFET  Buat rangkaian seperti pada gambar 2.2  Aturlah tegangan agar harga VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.4  catat besar ID pada tabel 2.4

2

Gambar 2.2 Rangkaian karakteristik JFET Tabel 2.4 Hasil Pengamatan karakteristik JFET

No 1 2 3

VG 1.5

VDS

VRD

ID

IG

Keterangan

4 5

2.5

IV.III. Konfigurasi BJT IV.III.I. Emiter stabilized bias  sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor dengan multimeter digital.  Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.6  Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE.  Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.6

Gambar 2.5. Konfigurasi Emiter stabilized bias

3

Tabel 2.6 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emiter stabilized bias

No 1

IB

IC

VB

VC

VCE

VBE

β

Keterangan

IV.III.II Voltage divider bias  sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor dengan multimeter digital.  Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.7  Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE.  Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.7

Gambar 2.6. Konfigurasi Voltage divider bias

No 1

IB

IC

VB

VC

VCE

VBE

β

Keterangan

Tabel 2.7 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

IV.IV. Konfigurasi JFET IV.IV.I. Fixed bias  Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.9  Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS.  Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Isi tabel 2.9

4

Gambar 2.7. Konfigurasi Fixed bias Tabel 2.9 Hasil Pengamatan Konfigurasii Fixed bias

No 1

ID

IG

VDS

VG

VD

VGS

Keterangan

IV.IV.II. Voltage divider bias  Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.11  Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS.  Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Isi tabel 2.11

Gambar 2.8. Konfigurasi Voltage divider bias

Tabel 2.11 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

No 1

ID

IG

VDS

VG

VD

VGS

Keterangan

I. Tugas Pendahuluan

1.

Tambahkan dasar teori minimal 20 halaman dari sumber yang berbeda lengkap dengan daftar pustaka!

5

2.

Cari rangkaian sederhana yg menggunakan BJT dan JFET masing-masing 2, dan jelaskan kegunaannya/cara kerjanya!

II. Pertanyaan 1. 2. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off, aktif, dan saturasi? Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter, buatlah grafik,

a. b. c.
3. 4. 5. 6. 7. 8.

IC terhadap VCE VBE terhadap IB hFE terhadap IC.

Tentukan titik Q pada BJT dan FET, pada tiap konfigurasi! Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja BJT dan FET! Sebutkan kegunaan dari BJT dan JFET serta aplikasinya? Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off, aktif dan saturasi, jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan! Dari keempat jenis bias pada BJT, mana yang paling stabil (pergeseran titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan! Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias?

9.

Apa yang dimaksud dengan IDSS,VP,IGSS? 10. Apa ciri ketiga daerah operasi dari JFET? 11. Terangkan perbedaan antara BJT dan JFET menurut hasil percobaan (minimal 5 perbedaan)! 12. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori, mungkinkah disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya! 13. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri kesimpulannya 14. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan kesimpulan umumnya pada akhir percobaan.

6

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->