You are on page 1of 17

MAKALAH

ELEKTRONIKA DASAR II

D
I
S
U
S
U
N

OLEH :

Nama : Kurnia Wulan R.


NIM : 2006 122 040
Kelas : 5.A
Program Studi : Pendidikan Fisika
Mata Kuliah : Elektronika Dasar II
Dosen Pengasuh : Jumingin, S.Si

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN


UNIVERSITAS PGRI PALEMBANG
2008
KATA PENGANTAR

Assalamu’alaikum W. Wb
Puji syukur saya panjatkan kehadirat Allah SWT karena berkat rahmat-Nya
saya dapat menyelesaikan makalah yang berkenaan dengan materi “Transistor” yang
merupakan salah satu dari materi pembelajaran Elektronika Dasar II yang harus kami
pelajari pada semester V ini.
Terima kasih saya sampaikan kepada semua pihak, kepada teman-teman yang
telah membantu menysun makalah ini dan kepada Bapak Jumingin, S.Si selaku dosen
Elektronika Dasar II.
Penyajian makalah ini bertujuan agar menarik perhatian bagi mahasiswa-
mahasiswi jurusan fisikan untuk meningkatkan pengetahuan mengenai elektronikas
semikonduktor dan khususnya mengenai pembahasan trasistor serta berbagai
fungsinya.
Selain itu dalam pembuatan makalah ini sudah pasti banyak terdapat
kesalahan dan kekurangan. Untuk itu saya minta maaf. Saran dan kritik yang besifat
membangun sangat saya harapkan guna mencapai kesempurnaan makalah ini untuk
yang akan datang.

Palembang, Oktober 2008

Penulis

ii
DAFTAR ISI

HALAMAN JUDUL....................................................................................... i
KATA PENGANTAR...................................................................................... ii
DAFTAR ISI.................................................................................................... iii

BAB I PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang Pembahasan Transistor.............................................. 1
1.2 Tujun Pembahasan Transistor............................................................. 1

BAB II PEMBAHASAN TRANSISTOR


2.1 Konstruksi Transistor Bipolar............................................................ 2
2.2 Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN............................ 3
2.3 Prinsip Kerja dari Transistor.............................................................. 3
2.4 Transisitor sebagai Penguat Arus...................................................... 8
2.5 Karakteristik Transfer Transistor....................................................... 10
2.6 Penguat dalam Keadaan Diam........................................................... 11

BAB III PENUTUP


3.1 Kesimpulan ....................................................................................... 12
3.2 Saran.................................................................................................. 12

DAFTAR PUSTAKA

iii
iv
BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang Pembahasan Transistor


Walter H. Brattain dan John Bardeen pada akhir Desember 1947 di Bell
Telephone Laboratories berhasil menciptakan suatu komponen yang mempunyai sifat
menguatkan yaitu yang disebut dengan Transistor. Keuntungan komponen transistor
ini dibanding dengan pendahulunya, yakni tabung hampa, adalah ukuran fisiknya
yang sangat kecil dan ringan. Bahkan dengan teknologi sekarang ini ratusan ribu
transistor dapat dibuat dalam satu keping silikon. Disamping itu komponen
semikonduktor ini membutuhkan sumber daya yang kecil serta serta efesiensi yang
tinggi.

1.2 Tujuan Pembahasan Transistor


mahasiswa-mahasiswi jurusan fisikan untuk meningkatkan pengetahuan
mengenai elektronikas semikonduktor dan pengetahuan lebih mendalam tentang kerja
transistor, dijabarkan persamaan statik dasar transistror bipolar. Berbagai modus kerja
transistor kemudian dipaparkan lebih sederhana

1
BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Konstruksi Transistor Bipolar


Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri atas sebuah bahan
type p dan diapit oleh dua bahan tipe n (transistor NPN) atau terdiri atas sebuah bahan
tipe n dan diapit oleh dua bahan tipe p (transistor PNP). Sehingga transistor
mempunyai tiga terminal yang berasal dari masing-masing bahan tersebut. Struktur
dan simbol transistor bipolar dapar dilihat pada gambar. Disamping itu yang perlu
diperhatikan adalah bahwa ukuran basis sangatlah tipis dibanding emitor dan
kolektor. Perbandingan lebar basis ini dengan lebar emitor dan kolektor kurang lebih
adalah 1 : 150. Sehingga ukuran basis yang sangat sempit ini nanti akan
mempengaruhi kerja transistor. Simbol transitor bipolar ditunjukkan pada gambar 3.1.
Pada kaki emitor terdapat tanda panah yang nanti bisa diketahui bahwa itu merupakan
arah arus konvensional. Pada transistor npn tanda panahnya menuju keluar sedangkan
pada transistor pnp tanda panahnya menuju kedalam.

gambar 3.1 Simbol transitor bipolar ditunjukkan pada


Ketiga terminal transistor tersebut dikenal dengan Emitor (E), Basis (B) dan Kolektor
(C). Emitor merupakan bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping sangat
tinggi. Bahan kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang. Sedangkan basis
adalah bahan dengan dengan doping yang sangat rendah. Perlu diingat bahwa
semakin rendah tingkat doping suatu bahan, maka semakin kecil konduktivitasnya.
Hal ini karena jumlah pembawa mayoritasnya (elektron untuk bahan n; dan hole
untuk bahan p) adalah sedikit.

2
2.2 Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN
Pada transistor baik untuk tipe NPN atau PNP anak panah selalu ditempat
emitor artinya anak panah menunjuk arus listrik konvensional dimana arahnya
berlawanan denga arah arus electron

Transistor PNP: Arus listrik yang besar akan mengalir dari emitter ke collector.
Apabila ada arus kecil yang mengalir dari emitter ke base.

Transistor NPN: Arus listrik yang besar akan mengalir dari collector ke emitter,
apabila ada arus kecil yang mengalir dari base ke emitter. Dalam hal
ini transistor mirip dengan amplifier, yang mengontrol jumlah arus
dari collector ke emitter oleh arus yang mengalir dari base.
Transistor juga mirip dengan fungsi sakelar. Transistor akan bekerja
pada posisi ON, yaitu arus akan mengalir dari collector ke emitter
apabila arus kecil mengalir dari base. Sedangkan transistor akan
berada pada posisi OFF, apabila tidak ada arus yang mengalir dari
C
base.

2.3 Prinsip Kerja dari Transistor

A. Cara kerja Transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar
transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect
transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda. Transistor bipolar
dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas
pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus
listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone,

3
dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk
mengatur aliran arus utama tersebut.

FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu


jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET).
Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit
dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor
bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan
ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan
tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi
tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang
lebih lanjut.

Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar, maka semua arus
akan nol atau tidak ada arus yang mengalir. Sebagai mana terjadi pada persambungan
dioda, maka pada persambungan emiter dan basis (JE) serta pada persambungan basis
dan kolektor (JC) terdapat daerah pengosongan. Tegangan penghalang (barrier
potensial) pada masing-masing persambungan dapat dilihat pada gambar

Gambar 3.2 Penjelasan kerja berikut ini didasarkan pada transistor jenis PNP
(bila NPN maka semua polaritasnya adalah sebaliknya).
Pada diagram potensial terlihat bahwa terdapat perbedaan potensial antara
kaki emitor dan basis sebesar Vo, juga antara kaki basis dan kolektor. Oleh karena
potensial ini berlawanan dengan muatan pembawa pada masing-masing bahan tipe P
dan N, maka arus rekombinasi hole-elektron tidak akan mengalir. Sehingga pada saat
transistor tidak diberi tegangan bias, maka arus tidak akan mengalir. Selanjutnya
apabila antara terminal emitor dan basis diberi tegangan bias maju (emitor positip dan
basis negatip) serta antara terminal basis dan kolektor diberi bias mundur (basis

4
positip dan kolektor negatip), maka transistor disebut mendapat bias aktif (lihat
gambar).

Gambar3.3 Transistor dengan tegangan bias aktif


Setelah transistor diberi tegangan bias aktif, maka daerah pengosongan pada
persambungan emitor-basis menjadi semakin sempit karena mendapatkan bias maju.
Sedangkan daerah pengosongan pada persambungan basis-kolektor menjadi semakin
melebar karena mendapat bias mundur.
Pemberian tegangan bias seperti ini menjadikan kerja transistor berbeda sama
sekali bila dibanding dengan dua dioda yang disusun berbalikan, meskipun
sebenarnya struktur transistor adalah mirip seperti dua dioda yang disusun berbalikan,
yakni dioda emitor-basis (P-N) dan dioda basis-kolektor (N-P).
Bila mengikuti prinsip kerja dua dioda yang berbalikan, maka dioda
emitorbasis yang mendapat bias maju akan mengalirkan arus dari emitor ke basis
dengan cukup besar. Sedangkan dioda basis-kolektor yang mendapat bias mundur
praktis tidak mengalirkan arus. Dengan demikian terminal emitor dan basis akan
mengalir arus yang besar dan terminal kolektor tidak mengalirkan arus.
Namun yang terjadi pada transistor tidaklah demikian. Hal ini disebabkan karena dua
hal, yaitu: ukuran fisik basis yang sangat sempit (kecil) dan tingkat doping basis yang
sangat rendah. Oleh karena itu konduktivitas basis sangat rendah atau dengan kata
lain jumlah pembawa mayoritasnya (dalam hal ini adalah elektron) sangatlah sedikit
dibanding dengan pembawa mayoritas emitor (dalam hal ini adalah hole). Sehingga
jumlah hole yang berdifusi ke basis sangat sedikit dan sebagian besar tertarik ke
kolektor dimana pada kaki kolektor ini terdapat tegangan negatip yang relatif besar.

5
Gambar 3.4 Diagram potensial pada transistor dengan bias aktif
Tegangan bias maju yang diberikan pada dioda emitor-basis (VEB) akan
mengurangi potensial penghalang Vo, sehingga pembawa muatan mayoritas pada
emitor akan mudah untuk berekombinasi ke basis. Namun karena konduktivitas basis
yang rendah dan tipisnya basis, maka sebagian besar pembawa muatan akan tertarik
ke kolektor. Disamping itu juga dikuatkan oleh adanya beda potensial pada
basiskolektor yang semakin tinggi sebagai akibat penerapan bias mundur VCB.
Dengan demikian arus dari emitor (IE) sebagian kecil dilewatkan ke basis (IB)
dan sebagian besar lainnya diteruskan kolektor (IC). Sesuai dengan hukum Kirchhoff
maka diperoleh persamaan yang sangat penting yaitu:
IE = IC + IB
Karena besarnya arus IC kira-kira 0,90 sampai 0,998 dari arus IE, maka dalam

praktek umumnya dibuat IE ≅ IC. Disamping ketiga macam arus tersebut yang pada
dasarnya adalah disebabkan karena aliran pembawa mayoritas, di dalam transistor
sebenarnya masih terdapat aliran arus lagi yang relatif sangat kecil yakni yang
disebabkan oleh pembawa minor-itas. Arus ini sering disebut dengan arus bocor atau
ICBO (arus kolektor-basis dengan emitor terbuka).
Namun dalam berbagai analisa praktis arus ini sering diabaikan. Seperti
halnya pada dioda, bahwa dalam persambungan PN yang diberi bias mundur
mengalir arus bocor Is karena pembawa minoritas. Demikian juga dalam trannsistor
dimana persambungan kolektor-basis yang diberi bias mundur VCB akan mengalir
arus bocor (ICBO). Arus bocor ini sangat peka terhadap temperatur, yakni akan naik
dua kali untuk setiap kenaikan temperatur 10 OC.
Diagram aliran arus IE, IB, IC dan ICBO dalam transistor dapat dilihat pada
gambar 3.5. Dari gambar tersebut terlihat bahwa arus kolektor merupakan
penjumlahan dari arus pembawa mayoritas dan arus pembawa minoritas, yaitu IC =
ICmayoritas+ ICBOminoritas.

6
Gambar 3.5. Diagram aliran arus dalam transistor

B. Azaz Kerja Transistor


1. Akan mengalir arus pada terminal kolektor dan emiter (Ic) apabila ada arus yang
mengalir pada terminal basis emiter (IB). dalam keadaan ini transmiter “on”
2. Perbandingan antara Ic dan IB disebut sebagai “Bandingan hantaran maju”
(Forward current ratio) disebut HFE
IC
hFE =
IB

HFE disebut juga sebagai ‘penguatan’ transistor atau “ α ” atau β .


• Untuk Ic dan IB searah ditulis HFE
• Untuk Ic dan IB searah ditulis Hfe

hFE ≈ h fe
3. Pada transistor daya: hFE = + 25 kali
4. Untuk penguatan frekwensi tinggi hFE = 100 kali

Parameter Transistor
1. Parameter transistor tidaklah sama meskipun dalam dalam tipe yang sama
sekalipun
2. Tapi dalam prakteknya, parameter dianggap sama (konstan)
ie
3. Konduktansi (daya hantar) Gm = ma/V ( miliampere per volt)
Vbe
Dimana ie : Arus sinyal ac antar kolektor – emiter
Vbe : tegangan sinyal ac antara basis – emiter

7
4. Dalam rangkaian penguat untuk sinyal kecil, berlaku penguatan tegangan sebagai
berikut;
A = G m x RL
Dimana RL = Rc // RBb
Parameter lainnya
1. Impedansi masukan (impedansi input)
Vb
Z in =
ib
dimana Vb = tegangan sinyal yang masuk ke basis
ib = arus sinyal pada basis
2. Impedansi keluaran (impedansi output)
a. tanpa isyarat (sinyal) di basis
V
Z 01 = e
ie
Ve = tegangan sinyal di kolektor
ic = arus sinyal di kolektor
b. Dengan adanya sinyal di basis
h fe
Z 02 =
40 x I c
Ic = arus kolektor

2.4 Transistor Sebagai Penguat Arus


sebagai penguat:
• Transistor bekerja pada mode aktif.
• Transistor berperan sebagai sebuah sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan
(VCCS).
• Perubahan pada tegangan base-emitter,vBE, akan menyebabkan perubahan pada
arus collector, iC.
• Transistor dipakai untuk membuat sebuah penguatan transkonduktansi.
• Penguatan tegangan dapat diperoleh dengan melalukan arus collector ke sebuah
resistansi, RC.
• Agar penguat menjadi penguat linier, transistor harus diberi bias, dan sinyal akan
ditumpangkan pada tegangan bias dan sinyal yang akan diperkuat harus dijaga
tetap kecil

8
Dengan arus IB yang kecil dapat menghasilkan arus kolektor IC yang besar. Jika
arus basis IB kita anggap sebagai input dan arus kolektor IC sebagai output, maka
transistor dapat kita anggap sebagai penguat arus atau sering kita sebut penguat arus
(current amplimeter) Hfe.
Karena arus IC lebih besar dari arus keluaran IB jadi penguatan arus / Hfe dapat
didefenisikan sebagai perbandingan antara arus keluaran IC dan arus masukan IB

Rumus = hFE =
IC
IB
karena hFE ≈ h fe

Kegunaan lain transistor


1. Saklar elektronik
Gambar transistor ini dapat dianalisa sebagai saklar berikut;
C
+

B C
B

E
E  -

dari gambar analogi saklar tersebut, bila basis diberi sinyal maka saklar akan
terdorong sehingga akan menutup, dengan demikian arus akanmengalir dar C ke E
bila dalam rangkaian digambarkan sebagai berikut;
K+

R2 R1
C

VR B
B

E
R1
Lampu

O-

Keterangan VR= resistor variable

= Lampu pijar
tegangan positif akan masuk ke transistor yaotu ke kolektor melalui R 1 dan ke
basis melalui R2 dan VR (resistor variable) R3 berfungsi sebagai umpan negatif agar
arus mesuk ke basis. Bila VBE telah tercapai, maka transistor akan di ‘on” sebagai
saklar, sehingga arus akan mengalir dari kolektor ke emiter dan lampu akan menyala.

2. Penguat Sinyal
C Penguatan sinyal pada transistor “bila kaki kolektor dan emiter
diberi tegangan dan basis diberi sinyal input maka transistro akan
B

9
‘on’ sehingga arus mengalir dari C ke E. sinyal basis akan diperkuat oleh arus
tersebut yang dapat dideteksi melalui output pada C dan E.
ICB0 : arus bocor pada transistor yang mengalir dari kolektro kemudian ke
basis, lalu ke netral
Basis : Kaki transistor untuk memasukkan input sinyal yang akan diperkuat
Keadaan jenuh : Suatu keadaan dimana apabila sinyal input diperbesar maka sinyal
output tidak akan naik lagi.

Karakteristik Transfer Transistor


Transistor merupakan alat dengan tiga terminal seperti yang diperlihatkan
oleh simbol sirkuit pada gambar. Setelah bahan semikonduktor diolah, terbentuklah
bahan semikonduktor jenis p dan n
Walapun proses pembuatannya sangat banyak, pada dasarnya transistor
merupakan tiga lapis gabungan kedua jenis bahan tadi, yaitu PNP dan NPN. Prinsip
kerja kedua tipe ini sama, perbedaan hanyalah keberadaannya dalam kondisi pancaran
DC

Gambar sirkuit untuk simbol transistor (a) PNP, (b) NPN


Gambar dibawah memperlihatkan karakteristik keluaran yang
menghubungkan arus IC dengan tegangan Vce untuk harga arus IB tertentu. Kurva ini
menyajikan hubungan antar arus masukan disatu sisi dan arus serta tegangan keluaran
di sisi lain. Parameter yang sangat penting bagi transistor adalah penguat arus DC
yang dikenal sebagai oenguat arus statis hfe. Ini adalah penguatan transistor pada
keadaan stasioner, yaitu tanpa sinyal masukan, tidak mempunyai satuan (karena suatu
perbandingan.
Transistor NPN kolektor dan emiter merupakan bahan semikonduktor jenis p.
transistor bekerja dalam satu arah, yaitu dari kolektor menuju emitter, karena kedua
terminal tersebut terbuat dari bahan yang sama. Pada dasarnya transistor dapat
dianggap sebagai suatu piranti yang beroperasi karena adanya arus. Kalau alat
mengalir kedalam basis dan melewati sambungan basis emitter, suatu suplay positif
pada kolektor akan menyebabkan arus mengalir antara kolektor dan emitter. Dua hal

10
yang harus diperhatikan pada arus kolektor ini adalah: a. untuk arus basis nol, arus
kolektor turun sampai pada tingkat arus kebocoran, yaitu kurang dari 1 mikro ampere
dalam kondisi normal (untuk transistor dengan bahan dasar silikon). B. untuk arus
basis tertentu, arus kolektor yang mengalir akan jauh lebih besar daripada arus basis
itu. Arus kolektor tersebut dicapai dengan Ic = hfe x Ib. 3. Transistor sebagai saklar
cara termudah untuk menggunakan sebuah transistor adalah sebuah saklar, artinya
bahwa kita mengoperasikan transistor pada salah satu saturasi atau titik sumbat, tetapi
tidak di tempat-tempat sepanjang garis beban. Jika sebuah transistor berada dalam
keadaan saturasi, transistor tersebut seperti sebuah saklar yang tertutup dari kolektor
ke emiter. Jika transistor tersumbat (cutoff), transistor seperti sebuah saklar yang
terbuka.

2.5 Penguat dalam Keadaan Diam


Ketika pada rangkaian penguat belum diberi sinyal masukan AC, maka
rangkaian penguat disebut berada dalam keadaan diam. Supaya bekerja maka
transistor harus dipanjar dengan tegangan DC.
Cara transistor dalam keadaan diam adalah
1. Matikan sinyal generator untuk sementara.
2. Hidupkan catu dayadaya, minimumkan bias kontrol (p tensiometer 10 k). Baca
harga, VCE dan IC Petakan sebagai titik pada kertas graf karakteristik transistor.
Titik tersebut adalah salah satu titik garis beban.
3. Atur potensiometer 10 k sehingga arus basis sebesar 10 µ A. Catat harga VCE dan
Ic Harga — harga ini adalah harga titik kerja.
4. Petakan karakteristik Ic/VCE transistor.
5. Variasikan arus basis menjadi 5 µ A dan 15 µ A Untuk masing-masing harga arus
basis petakan nilai yang diperoleh. Semua titik-titik ini harus terletak pada garis
lurus (garis beban)
6. Atur arus basis menjadi 10 µ A kembali. Hidupkan sinyal generator dan atur
untuk menghasilkan sinyal 1 Vp-p pada 1 kHz. Gunakan osiloskop untuk
mengamati bentuk gclombang input dari sinyal generator dan bentuk gelombang
output pada kolektor transistor gambarkan kedua bentuk gelombang tersebut.
7. Atur potcnsiometer ke posisi minimum dan gambarkan bentuk gelombang output.
8. Kemudian atur ke posisi maksimum dan catat pula bentuk gelombang output.

11
BAB III
PENUTUP

3.1 Kesimpulan
Dari pembahasan diatas, secara jelas kita dapat mengetahui bahwa transistor
adalah komponen yang sangat diperlukan dari sebuah perangkat elektronika
sedangkan elektronika sendiri tidak dapat dipisahkan dri kehidupan sehari-hari.
Transistor adalah alat semikonduktor yangdipakai sebagai penguat, sebagai
sirkuit, pemutus, penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal dan
lain sebagainya.

3.2 Saran
Sebagai calon guru fisika kita harus menguasai dan mengetahui penggunaan
transistor serta berbagai prinsip kerjanya, agar kita bisa menerapkannya dalam
kehidupan sehari-hari.

12
DAFTAR PUSTAKA

Malvino, Albert Paul. 1984. Prinsip-Prinsip Elektronika. Jakarta; Erlangga


Millman, Jacob & Cristos C. Jalkias. 1986. Elektronika Terpadu. Jakarta; Erlangga
Http:\\.id.wikipedia.org/wiki/transistor” kategori transistor

You might also like