P. 1
Prinsip Dasar Laser Polier Hiybrid

Prinsip Dasar Laser Polier Hiybrid

|Views: 108|Likes:
Published by Ki Joko Ora Bodho

More info:

Published by: Ki Joko Ora Bodho on May 16, 2012
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

04/12/2013

pdf

text

original

Sections

  • Prinsip Kerja Laser
  • Konsep Dasar Absorpsi dan Emisi
  • Prinsip Dasar Resonator Optik
  • Laser Berbasis Kristal Fotonik 2D
  • Proses Sintesis Polimer Hibrid
  • Karakteristik Polimer Hibrid
  • Karakteristik Laser Berbasis Kisi 1D

PRINSIP DASAR LASER POLIMER HIBRID

i

ii

SAHRUL HIDAYAT PRINSIP DASAR LASER POLIMER HIBRID UNPAD PRESS iii .

Engkus Kuswarno Memed Sueb TIM EDITOR Wilson Nadeak (Koordinator). Tuhpawana P. Kurnani Denie Hariyadi. Sendjaja Fatimah Djajasudarma. Wahya.TIM PENGARAH Ganjar Kurnia Mahfud Arifin. Benito A. Cece Sobarna Dian Indira Judul Penulis Layout : Prinsip Dasar Laser Polimer Hibrid : Sahrul Hidayat : Trisatya UNPAD PRESS Copyright © 2009 ISBN : 978-979-3985-73-7 iv .

PENGANTAR

Polimer hibrid merupakan bahan yang mengandung unsur organik dan anorganik dalam satu molekul. Bahan ini memiliki kombinasi sifat unggul dari bahan organik dan anorganik. Bahan organik memiliki keunggulan dalam proses fabrikasinya karena dapat dilakukan pada suhu ruang dengan menggunakan teknologi yang tidak terlalu mahal. Namun bahan tersebut memiliki kelemahan dalam hal kekuatan mekanik dan kestabilan termal. Sebaliknya bahan anorganik memiliki kelebihan dalam kekuatan mekanik dan kestabilan termal tetapi proses fabrikasinya cukup sulit dan mahal. Kombinasi kedua bahan tersebut memunculkan karaktersitik baru yang unik sehingga sangat menguntungkan untuk kepentingan aplikasi. Divais yang berbasiskan polimer hibrid dapat diproduksi dengan harga murah karena proses pembuatannya tidak membutuhkan teknologi vakum yang mahal, melainkan dengan teknik spin casting yang murah. Selain itu, divais yang dibuat dari polimer hibrid dapat bertahan lebih lama karena pada matriks polimer hibrid terdapat bahan anorganik yang memiliki stabilitas termal baik, resisten terhadap senyawa kimia, dan tahan terhadap pengaruh cuaca.

v

Buku ini menarik untuk dibaca karena mengungkapkan keunikan sifat optik dan fisis polimer hibrid, menguraikan tahap demi tahap proses sintesis polimer hibrid, dan menjelaskan aplikasi polimer hibrid sebagai bahan divais laser. Selain itu dibahas juga prinsip kerja laser, proses fabrikasi laser polimer hibrid, serta karakteristik laser polimer hibrid yang berbasis umpan balik terdistribusi dan berbasis kristal fotonik 2D. Penulisan buku ini merupakan bagian dari Program Hibah Penulisan Disertasi Program Doktor 2009/2010, dan terlaksana atas bimbingan dari Prof. Dr. R.E. Siregar, M.S., sebagai ketua tim promotor, Dr. rer.nat. Ayi Bahtiar, Dr. Fitrilawati selaku anggota tim promotor. Ucapan terima kasih disampaikan pada DP2M DIKTI yang sudah mendanai penulisan buku ini melalui Program Hibah Penulisan Disertasi Program Doktor 2009/2010. Ucapan terima kasih juga disampaikan pada Program Pascasarjana Universitas Padjadjaran Bandung yang sudah mengelola program ini, dan juga tim editor yang sudah mengedit buku ini. Selain itu, ucapan terima kasih disampaikan kepada Dr. Rahmat Hidayat atas diskusi dan masukkannya selama penyusunan buku ini.

Bandung, November 2009 Penulis

vi

DAFTAR ISI

PENGANTAR DAFTAR ISI GLOSARI BAB I. Proses Pembangkitan Laser Prinsip Kerja Laser Konsep Dasar Absorpsi dan Emisi Prinsip Dasar Resonator Optik

Halaman v vii ix 1 3 8 19 39 43 61 67 89 94 103

BAB II. Laser Kristal Fotonik Laser Berbasis RBT Laser Berbasis UBT Laser Berbasis Kristal Fotonik 2D BAB III. Polimer Hibrid Proses Sintesis Polimer Hibrid Karakteristik Polimer Hibrid

BAB IV. Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 111 Proses Fabrikasi Laser Berbasis Kisi 1D 112 Karakteristik Laser Berbasis Kisi 1D 121 vii

BAB V. Laser Berbasis Kristal Fotonik 2D Proses Fabrikasi Laser Berbasis Kristal Fotonik 2D Karakteristik Laser Berbasis Kristal Fotonik 2D DAFTAR PUSTAKA INDEKS TENTANG PENULIS 137 144 150 159 163 167 viii .

GLOSARI ISTILAH Bahan Organik MAKNA bahan yang mengandung unsur karbon (C) Band edge tepi atas atau bawah dari suatu daerah frekuensi terlarang Bandgap rentang frekuensi di mana berkas gelombang tidak bisa merambat Chamber suatu ruangan tertutup tempat terjadinya reaksi kimia Dip coating teknik pembuatan film tipis dengan cara mencelupkan substrat Doping proses menambahkan pengotor ke dalam suatu bahan Dye laser suatu bahan kimia yang memiliki sifat luminesen Etching proses pembuatan goresan/grating Gelombang Bloch persamaan gelombang yang merambat pada media periodik Inisiator bahan yang berfungsi sebagai pemicu terjadinya reaksi berantai ix .

In-situ Interferometer Irgacure Kavitas optik Kisi Bragg Kristal fotonik Lloyd mirror Magnetic stirrer Polimer Hibrid Propagasi Purifikasi Radikal Reaksi propagasi Shutter Sol-gel Spin casting Spraying pengamatan reaksi kimia yang dilakukan secara langsung alat pengukur optik yang menggunakan prinsip interferensi jenis senyawa kimia yang sensitif terhadap cahaya suatu ruang yang dapat melokalisasi/mengurung berkas cahaya kisi periodik 1D yang dapat merefleksikan cahaya pada panjang gelombang tertentu susunan kisi yang dapat memanipulasi pergerakan foton teknik pembuatan grating dengan cara interferensi menggunakan cermin alat pengaduk yang menggunakan batang magnet polimer yang merupakan campuran bahan organik dan anorganik proses perambatan gelombang teknik pemurnian bahan dari bahanbahan pereaksinya gugus aktif di dalam suatu molekul rekasi perpanjangan rantai polimer katup pembuka dan penutup untuk mengontrol berkas laser proses sintesis yang terdiri dari dua tahapan yaitu solution (hidrolisis) dan gel (kondensasi) teknik pembuatan film tipis dengan cara memutar substrat teknik pembuatan film tipis dengan cara menyemprotkan sampel x .

Stop band Ultrasonic bath frekuensi dimana berkas cahaya tidak bisa lewat alat pembersih substrat dengan cara digetarkan di daerah ultrasonik SINGKATAN AFM DCM DI FTIR IR Nd-YAG PBG PMA PMMA RBT SHG Si TE THG Ti TM TMSPMA UBT UV NAMA Atomic force microscopy 4-dicyanmethylene-2-methyl-6-(pdimethyl-aminostyryl) Deionized water Fourier Transform infra red Infra red Neodymium-doped yttrium aluminium garnet Photonic band gap Photonic multichannel analyser Polymethylmethacrylate Reflektor Bragg terdistribusi Second harmonic generation Silikon Transverse electric Third Harmonic Generation Titanium Transverse magnetic 3-(Trimethoxysilyl)propyl methacrylate Umpan balik terdistribusi Ultra violet xi .

LAMBANG A α a b c ARTI Amplitudo Sudut berkas sinar datang Komponen vektor kisi real Komponen vektor kisi balik Kecepatan cahaya Beda lintasan Jarak antar cermin Frekuensi detunin Energi Medan listrik Konstanta dielektrik Vektor medan yang bergerak ke belakang Vektor medan yang bergerak ke depan Permitivitas vakum Medan listrik pada arah x Daya yang hilang pada cavitas Vektor kisi balik Titik khusus dalam zona Brillouin Penguatan daya Konstanta Planck Medan magnet Konstanta Planck dibagi 2π Intensitas Nomor modus Sudut simpangan Komponen Bilangan imajiner xii δ d ∆β E E ε E− E+ ε0 Ex γ G Γ g(λ) h H ħ I i ϕ j .

k k κ K κ(G) k0 kB kz λ Λ λB LB m M µ0 N n n nef ng νg nsp nx p θ R r Bilangan gelombang Konstanta Boltzman Konstanta kopling Titik khusus dalam zona Brillouin Koefisien ekspansi gelombang bidang Vektor gelombang dalam vakum Vektor Bragg Vektor gelombang dalam arah z Panjang gelombang Perioda kisi Panjang gelombang Bragg Panjang kisi Bragg Massa Titik khusus dalam zona Brillouin Permiabilitas magnetik vakum Jumlah partikel Jumlah zat (mol) Indek bias Indek bias efektif Indeks bias sistem cavitas Kecepatan group Faktor emisi spontan Jumlah atom pada orbilat ke-x Momentum Sudut berkas datang dengan cermin Konstanta reflektansi Reflektansi xiii .

Re Rsp(λ) ℜ S s SSR T t τ T T υ u(v) Vo ω Q-switched x x X Bagian real dari bilangan komplek Emisi spontan Bagian real dari bilangan komplek Jumlah Foton Nilai eigen Perbandingan densitas Foton Suhu/temperatur Waktu Waktu paruh Transmitansi Matrik transfer Frekuensi Densitas energi Volume unit sel Frekuensi sudut Teknik untuk menghasilkan laser pulsa Posisi Pergeseran fasa Titik khusus dalam zona Brillouin xiv .

spektrum frekuensinya lebar. Berkas laser umumnya sangat koheren. Laser merupakan bagian khusus dari sumber cahaya. Oleh karena itu. laser ultra violet. yang mengandung arti bahwa cahaya yang dipancarkan tidak menyebar dan rentang frekuensinya sempit (monochromatic light). dan fasenya bervariasi terhadap waktu dan posisi. divais tersebut dapat berupa laser infra red. laser X-ray. Istilah laser merupakan singkatan dari light amplification by stimulated emission of radiation. atau laser visible seperti . Sebagian besar sumber cahaya. emisinya tidak koheren.BAB I PROSES PEMBANGKITAN LASER Laser adalah suatu divais yang memancarkan gelombang elektromagnetik melewati suatu proses yang dinamakan emisi terstimulasi. Daerah kerja divais laser tidak terbatas pada spektrum cahaya tampak saja tetapi dapat bekerja pada daerah frekuensi yang luas.

Daya laser dapat dibuat bervariasi dari mulai nano watt untuk laser kontinu sampai jutaan watt untuk laser pulsa. Rentang panjang gelombang elektromagnetik . Laser u merupakan komponen utama pada sistem komunikasi ko modern saat ini. laser juga dimanfaatkan sebagai probe untuk pembacaan data CD atau DVD.2 Sahrul Hidayat tampak pada gambar 1. ap Gambar 1. alat bantu operasi pada bidang kedokteran. Selain itu.1. bagian dari detektor pembaca barcode.1. dan masih banyak lagi aplikasi lainnya. alat bantu navigasi pada bidang militer. 1 Laser dikatakan baik jika frekuensi atau panjang gelombang yang dipancarkannya bersifat tunggal.

yaitu jika seberkas cahaya melewati suatu bahan dan menstimulasi atom-atom di dalam bahan tersebut sehingga meradiasikan cahaya. Salah satu cermin bersifat agak transparan. Secara umum skematik suatu divais laser dapat dilihat pada gambar 1. Media penguat adalah suatu bahan yang mempunyai sifat dapat meningkatkan intensitas cahaya dengan cara emisi terstimulasi. Berkas cahaya yang melewati media penguat akan mengalami penguatan daya. Secara umum suatu divais laser terdiri dari media penguat berkas cahaya (gain medium).2. sehingga dapat berfungsi sebagai jalur keluar berkas laser (output coupler). dan resonator optik (optical resonator). Dengan demikian cahaya akan mengalami penguatan daya beberapa kali lipat. secara sederhana terdiri dari susunan cermin yang dipasang berhadapan sehingga berkas cahaya dapat bergerak bolakbalik. Sedangkan resonator optik. maka cahaya akan bergerak bolak-balik dan melewati media penguat berkalikali. Setelah mengalami penguatan . sumber energi pemompa (pumping source). Jika daerah sekelilingnya merupakan cermin.Proses Pembangkitan Laser 3 Prinsip Kerja Laser Radiasi dari emisi terstimulasi merupakan proses yang dapat terjadi secara alami.

dapat digunakan lampu flash atau laser semikonduktor. Untuk pemompa energi dalam bentuk cahaya. Selain komponen utama di atas. suatu perangkat laser biasanya dilengkapi dengan beberapa komponen pendukung untuk menghasilkan berkas laser yang tajam. cairan. cahaya dapat keluar melewati cermin yang bersifat agak transparan sebagai berkas laser. Gambar 1. Proses memasukkan energi sebagai syarat untuk terjadinya penguatan daya dinamakan dengan memompa (pumping). Media penguat menyerap energi yang dipompakan dan mengakibatkan sejumlah elektron .4 Sahrul Hidayat daya.2. padatan. Komponen dasar divais laser. atau plasma. Bahan media penguat dapat berupa gas. Energi yang dipompakan dapat berupa arus listrik atau berkas cahaya dengan panjang gelombang yang berbeda.

Kavitas optik merupakan salah satu bentuk dari resonator. maka penguatan cahaya dapat terjadi berkali-kali dan selanjutnya menghasilkan berkas laser. Pada . maka populasi inversi telah terjadi. Emisi cahaya dapat terjadi secara spontan atau dengan cara stimulasi. Jika penguatan di dalam media tersebut lebih besar dibandingkan dengan kehilangan daya dalam resonator. Hal tersebut dapat mengakibatkan terjadinya emisi terstimulasi yang jumlahnya lebih besar daripada yang diabsorpsi. Dengan demikian cahaya mengalami penguatan. Jika media penguat ini ditempatkan di dalam resonator optik.Proses Pembangkitan Laser 5 tereksitasi ke tingkat energi yang lebih tinggi. Kavitas mengandung berkas koheren yang dilingkupi oleh permukaan bersifat reflektif yang memungkinkan berkas cahaya tersebut bergerak bolakbalik melewati media penguat. Cahaya yang bergerak bolak-balik di dalam kavitas dapat mengalami kehilangan daya (loss) yang disebabkan oleh absorpsi atau difraksi. Ketika jumlah elektron pada suatu tingkat eksitasi melebihi jumlah elektron pada tingkat energi di bawahnya. maka daya laser akan naik secara eksponensial. Partikel dapat berinteraksi dengan cahaya melalui cara mengabsorpsi atau mengemisikan foton.

sejumlah partikel akan berpindah dari tingkat energi tereksitasi ke keadaan dasar. Oleh karena itu. Untuk mengembalikannya ke kondisi terstimulasi. Dalam mode . mode terkunci (modelocking) atau gain switching. maka emisi yang dihasilkan tidak akan cukup untuk mengimbangi kehilangan daya akibat absorpsi di dalam kavitas. Besarnya energi yang dipompakan harus mempertimbangkan batas ambang dari media penguat dan kehilangan daya di dalam kavitas. Sebaliknya jika energi yang dipompakan terlalu besar. Laser dalam bentuk pulsa dapat menghasilkan daya yang sangat besar.6 Sahrul Hidayat setiap kejadian emisi terstimulasi. Laser pulsa dapat dihasilkan dengan teknik Q-switching. Laser dapat beroprasi pada modus kontinu (continuous wave) dengan amplitudo keluaran konstan atau dalam bentuk pulsa. diperlukan optimasi batas minium energi yang dipompakan (lasing threshold). maka akan mempercepat degradasi media penguat sehingga memperpendek usia penggunaannya. Jika daya yang dipompakan terlalu kecil. hal ini akan mengurangi kapasitas media penguat. harus dipompa kembali dengan energi tertentu. sehingga berkas laser yang dihasilkan cukup signifikan dengan umur pemakaian yang panjang.

maka akan dipancarkan berkas laser dalam bentuk pulsa. populasi inversi dihasilkan dengan proses yang sama seperti pada laser kontinu. berkas laser yang dihasilkan berubah terhadap waktu secara bolak-balik dengan mode on dan off. berkas laser yang dihasilkan relatif konstan terhadap waktu. Sedangkan dalam mode operasi pulsa. Pada laser pulsa mode terkunci. berkas laser dipancarkan dalam tempo yang sangat singkat kurang dari 10 femto-detik. Periode pulsa yang dihasilkan. Di dalam sistem Q-switched. Setelah dayanya mencapai nilai yg ditentukan. Daya laser yang dihasilkan merupakan daya rata-rata ketika beroperasi dalam mode gelombang kontinu. tetapi dikondisikan dalam kavitas optik yang memiliki batas daya tertentu untuk terjadinya lasing. Proses tersebut dihasilkan dari populasi inversi yang berlangsung terus-menerus menggunakan sumber pemompa energi yang stabil. akan . Ketika energi pemompa masuk ke dalam media penguat. maka akan terjadi penguatan berkas sampai batas daya tertentu sesuai dengan nilai Q yang diset.Proses Pembangkitan Laser 7 operasi kontinu. Laser pulsa biasanya dibuat dengan tujuan untuk menghasilkan power laser yang sangat besar dengan waktu radiasi yang singkat.

Umumnya model laser seperti ini menggunakan dye-laser yang memiliki waktu hidup populasi inversi sangat singkat. Konsep Dasar Absorpsi dan Emisi Cahaya merupakan sumber kehidupan dan telah memberi pesona keindahan yang luar biasa terhadap manusia. Oleh sebab itu. Salah satu contoh bahan yang memiliki sifat tersebut adalah titanium yang didoping dengan sappier (Ti-sappier). Berkas pemompa yang digunakan harus memiliki energi yang tinggi dan waktu pancaran yang singkat.8 Sahrul Hidayat sebanding dengan waktu yang diperlukan untuk satu kali bolak-balik berkas laser di dalam resonator. Jenis laser pulsa seperti ini biasanya digunakan untuk penelitian. Media pemompa dapat berupa arus listrik atau lampu kilat (flash lamp). Oleh karena itu. media penguatnya harus memiliki kemampuan yang cukup besar untuk menguatkan berkas cahaya. merupakan sesuatu yang alami jika manusia senantiasa berusaha mencari tahu tentang . teknik ablasi bahan. seperti untuk penelitian bahan nonlinier optik. Metode lain untuk memperoleh laser pulsa adalah dengan cara memompa media penguat dengan sumber berbentuk pulsa. dan lain lain.

Proses Pembangkitan Laser 9 hakikat dari cahaya sejak dulu. Heisenberg memperkenalkan konsep yang disebut dengan prinsip ketidakpastian. Para filosof Yunani kuno berpikiran bahwa cahaya merupakan sejenis debu yang amat sangat halus dan mereka meyakini bahwa cahaya dapat dihasilkan dari partikel. bisa kita rasakan kehangatannya. Jika pengamatan dilakukan dengan peralatan untuk mendeteksi partikel. Cahaya merupakan sesuatu yang bisa kita lihat. tetapi merupakan radiasi gelombang elektromagnetik yang karakteristiknya sama seperti gelombang radio. Perbedaannya dengan gelombang radio adalah pada besar panjang gelombangnya saja. Sifat dualisme cahaya tersebut hanya bisa dijelaskan dengan memahami konsep mekanika kuantum modern. Seiring dengan kemajuan ilmu pengetahuan. dapat dibuktikan bahwa cahaya bukan terdiri dari partikel. tetapi tidak bisa kita sentuh. kita mengetahui bahwa karakteristik cahaya dapat berubah tergantung pada pengamatan eksperimen yang dilakukan. yang menyatakan secara tegas . maka dapat ditentukan sifat-sifat cahaya sebagai gelombang. Sedangkan jika pengamatan dilakukan dengan peralatan untuk mendeteksi gelombang. Pada saat ini. maka dapat ditentukan sifat-sifat partikel dari cahaya.

jika pengujian dilakukan untuk menentukan karaktersitik partikel dan dipilih nilai impuls ∆p x yang sangat kecil.10 Sahrul Hidayat bahwa tidak mungkin menentukan posisi x dan momentum p dari sebuah partikel pada saat yang bersamaan. Dalam hal ini ω = 2π ⋅ υ dan υ merepresentasikan frekuensi radiasi.1) Sebagai contoh.2) Rumusan tersebut menyatakan bahwa perkalian massa partikel dengan kuadrat kecepatan cahaya sebanding dengan energi dan berkorelasi dengan perkalian konstanta Planck dengan frekuensi radian. Nilai ∆x yang sangat besar tentu tidak akan memberikan informasi yang berarti mengenai posisi kejadian tersebut.1). maka nilai ketidakpastian posisi ∆x akan sangat besar. Secara matematis pernyataan Heisenberg diungkapkan pada persamaan (1. Radiasi gelombang elektromagnetik untuk cahaya tampak berada . ∆x ⋅ ∆p x ≥ 1 h 2 (1. Einstein menjelaskan hubungan sifat partikel dan sifat gelombang dari cahaya sebagai berikut : E = m ⋅ c2 = h ⋅ω (1. Hal tersebut mengandung arti bahwa cahaya selalu memiliki dualisme tergantung pada sifat mana yang akan diukur.

Para fisikawan dulu telah memperkirakan bahwa energi yang dipancarkan oleh .1 µm sampai 1 mm. Intensitas radiasi dalam rentang optik biasanya dinyatakan dengan watt.3.3. walaupun dengan intensitas yang sangat kecil dan kita tidak bisa menangkap kesan cahaya yang dipancarkan olehnya.Proses Pembangkitan Laser 11 pada rentang panjang gelombang antara 0.detik atau watt. Rentang panjang gelombang tersebut berkorelasi dengan sensitivitas mata manusia yang spektrumnya dapat dilihat pada gambar 1. Spektrum sensitivitas mata manusia. Panas tubuh manusia merupakan salah satu bentuk radiasi cahaya. Gambar 1. dan bagian visibel dari radiasi optik dinyatakan dengan satuan Candela (Cd).

Stefan-Boltzmann mengungkapkan bahwa densitas energi dari resonansi sebuah rongga untuk semua daerah frekuensi sebanding dengan sebuah konstanta dikalikan dengan temperature pangkat empat. T ) = ? (1.12 Sahrul Hidayat tubuh merupakan fungsi dari panjang gelombang λ dan temperature T.3).5) Rumusan tersebut dinamakan dengan distribusi MaxwellBoltzmann. Selanjutnya Planck melakukan revisi terhadap rumusan tersebut.6).3) Hubungan yang jelas mengenai ketiga besaran fisis tersebut masih menjadi tanda tanya sampai StefanBoltzmann menemukan teori atom dan elektrodinamik pada tahun 1879. E (λ . sebagai berikut: dn = N 8/π 3 k 2T 2 E . . seperti diungkapkan pada persamaan (1.e E − kT .dE (1.4) Selain itu Boltzmann juga melengkapi rumusannya dengan melakukan perhitungan statistik terhadap banyaknya partikel gas yang tersebar keluar pada temperatur T dan interval energi dE. yang menyatakan bahwa radiasi energi tidak terdistribusi secara kontinu tetapi terkuantisasi seperti pada persamaan (1. E (T ) = kT 4 (1.

Proses Pembangkitan Laser 13 u (λ . Niels Bohr mengungkapkan teori model atom. Gambar 1.c k T . yang menyatakan bahwa cahaya dipancarkan atau diabsorpsikan oleh atom hanya jika memenuhi energinya E2−E1 = hv. Distribusi energi radiasi benda hitam. e h − λh .5.4. seperti diperlihatkan pada gambar 1. seperti diperlihatan pada gambar 1.c λ 5 .4. maka perubahan jumlah .6) Rumusan tersebut mengungkakan energi radiasi termal sebagai fungsi dari temperatur dan panjang gelombang radiasi. T ) = 8π .dλ −1 (1. Dalam perkembangan selanjutnya. Jika jumlah atom pada orbital pertama adalah n1..

. Frekuensi yang bersesuaian dengan terjadinya transisi elektron tersebut dinamakan dengan frekuensi resonansi.5. Tanda minus pada persamaan (1.u (v ) dt (1. dn1 = − B12 .7) menyatakan adanya pengurangan jumlah elektron pada orbital pertama sebagai akibat proses absorpsi.7) di mana u(v) adalah densitas energi yang bersesuaian dengan frekuensi transisi dari orbital pertama ke orbital kedua.n1.14 Sahrul Hidayat elektron pada orbital tersebut terhadap waktu dapat dinyatakan sebagai berikut. Koefisien B12 menyatakan nilai probabilitas transisi dari orbital pertama ke orbital kedua yang disertai dengan proses absorpsi. Gambar 1. Model atom Bohr.

Proses berkurangnya jumlah elektron pada orbital kedua terhadap waktu dapat dinyatakan dengan rumusan sebagai berikut. Koefisien B21 menyatakan probabilitas rekombinasi elektron dari orbital kedua ke orbital pertama dan tanda minus menyatakan adanya pengurangan jumlah elektron pada orbital kedua selama proses tersebut. B .u v A .8) mengungkapkan adanya dua tipe emisi dalam proses depopulasi orbital kedua. Proses absorpsi dan emisi berhubungan dengan pengurangan atau penambahan populasi elektron pada tingkat energi dari sebuah atom.n . yaitu pada saat elektron dari orbital kedua kembali ke orbital pertama dengan meradiasikan sejumlah energi. Secara lebih detail ungkapan proses tersebut dan hubungannya dengan perubahan populasi elektron pada suatu tingkat energi diperlihatkan pada persamaan berikut. Sedangkan koefisien A21 menyatakan probabilitas emisi spontan yang mungkin terjadi dalam proses kembalinya elektron dari orbital kedua ke orbital pertama. yaitu proses induksi dan proses emisi spontan. .n (1.8) Persamaan (1.Proses Pembangkitan Laser 15 Proses sebaliknya dinamakan proses emisi.

2π · dv A (1.n .11) Di mana dv adalah lebar tengah dari spektrum emisi. Jika persamaan untuk emisi spontan diintegralkan. maka akan diperoleh variasi tipe emisi terhadap waktu seperti diungkapkan pada persamaan (1.10) Dalam proses emisi.u A .9).n Absorpsi Induksi Emisi spontan B .11).u dengan uph adalah densitas energi foton dari medan luar.n . dimana A21 menggambarkan probabilitas peluruhan yang berhubungan dengan waktu paruh (life time). life time tersebut bersesuaian dengan lebar bagian tengah dari spektrum emisi (full width half maximum). τ A (1. dapat ditentukan hubungan antara lebar spektrum dengan life time-nya.9) Persamaan tersebut analogi dengan proses peluruhan radioaktif. seperti diungkapkan pada persamaan (1. . n t n t ·e A · (1. Berdasarkan prinsip ketidakpastian Heisenberg.16 Sahrul Hidayat B .

. Dalam proses transisi atom akan melibatkan sejumlah energi yang diabsorp atau diemisikan yang besarnya adalah Eph=E2-E1. Berdasarkan gambar 1. transisi elektronik dapat terjadi pada beberapa level atau tingkat energi. Gambar 1. Spektrum absorpsi.6 dapat diketahui pula bahwa rentang energi yang memenuhi untuk terjadinya proses transisi elektronik dinamakan dE dan nilai energi di mana terjadi absorpsi maksimum dinamakan E0. Oleh sebab itu.6 memperlihatkan spektrum absorpsi yang mengungkapkan besarnya energi yang diserap oleh elektron selama proses transisi. seperti tampak pada gambar 1.7. atom memiliki beberapa tingkat energi yang diskrit.Proses Pembangkitan Laser 17 Prinsip tersebut berlaku juga untuk proses absorpsi.6. Secara prinsip. Gambar 1.

laser hijau (532 nm). Emisi yang unik dapat dihasilkan dari beragam jenis atom yang memiliki struktur atau tingkat energi berbeda. Emisi yang dipancarkan oleh suatu atom yang telah mengalami eksitasi memiliki karakteristik khas yang berhubungan dengan struktur energi atomik. Konsep dasar absorpsi dan emisi merupakan prinsip penting dalam proses pembangkitan laser. Spektrum absorpsi dengan tiga level transisi.7. dan laser ultra violet . Sebagai contoh.18 Sahrul Hidayat Gambar 1. Konsep dasar ini selanjutnya memunculkan ide untuk membuat beragam jenis laser dengan warna emisi yang beragam pula. laser komersial yang dibuat dari bahan Nd-YAG dapat mengemisikan laser pada beberapa panjang gelombang yang berbeda mulai dari laser infra red (λ=1064 nm).

Proses Pembangkitan Laser 19 (355 nm). sehingga efisiensi yang diserap untuk proses eksitasi tersebut sangat kecil. Dalam perkembangan selanjutnya mulai dikaji penggunaan laser dioda dalam proses pemompaannya. prinsip dasar dari resonator tersebut adalah superposisi atau interferensi cahaya. Pada tahun 1856. hanya sekitar 1%. Pada saat ini. Jamin membuat divais interferensi yang pertama dan berhasil melakukan pengukuran indeks bias relatif dari suatu bahan optik secara akurat. Berkas cahaya laser dioda bersifat koheren. Secara fisis. sehingga efisiensi absorpsi dapat mencapai 80%. Prinsip Dasar Resonator Optik Resonator merupakan salah satu komponen dasar dalam pembangkitan berkas laser.8. Jika efisiensi absorpsi tinggi. . Berkas cahaya yang dipancarkan lampu pijar frekuensinya bersifat tidak koheren. Laser Nd-YAG komersial menggunakan sistem pemompa optik atau proses eksitasi dilakukan dengan energi cahaya. maka proses pembangkitan laser dapat dilakukan dengan daya eksternal yang rendah. Skema interferometer Jamin diperlihatkan pada gambar 1. berkas cahaya untuk proses pemompa laser Nd-YAG berasal dari lampu pijar.

Interferometer Michelson. Gambar 1.20 Sahrul Hidayat Gambar 1. Interferometer penting dalam lain yang laser mempunyai peranan oleh teknologi diperkenalkan Michelson pada tahun 1882.8. seperti diperlihatkan pada . Interferometer Jamin.9.

Gambar 1. Interferometer Mach-Zehnder mempunyai peranan penting dalam teknik pengukuran laser dan sampai sekarang masih digunakan sebagai laser vibrometer. Berkas cahaya A melewati beam-splitter dan terbagi menjadi dua komponen.10. Interferometer FabryPerot menjadi dasar dalam pembangkitan laser yang . Interferometer Mach-Zehnder.11. Pada tahun 1892 Mach dan Zehnder memperkenalkan interferometer jenis lain yang sekarang dikenal dengan nama interferometer MachZehnder seperti tampak pada gambar 1.9. seperti tampak pada gambar 1. Terinspirasi oleh Michelson. pada tahun 1897 Fabry dan Perot mengembangkan interferometer multi-beam.Proses Pembangkitan Laser 21 gambar 1.10. yaitu berkas acuan (reference beam) dan berkas pengukuran (measuring beam). Interferometer Michelson disebut juga sebagai two-beam interferometer.

12) di mana A0 adalah amplitudo maksimum dan k adalah bilangan gelombang. Interferometer multi-beam Fabry-Perot. Berkas cahaya datang akan terpecah menjadi beberapa komponen yang masingmasing saling berinterferensi satu sama lain. seperti pada interferometer Michelson. Pada gambar 1. Dengan cara yang sama. E A = A0 . Gambar 1. berosilasi dengan frekuensi ω dan merambat pada lintasan rA.9. dapat .11. tampak berkas cahaya dengan medan EA. sin (ωt + krA ) (1. dapat dinyatakan dengan persamaan matematis sebagai berikut.22 Sahrul Hidayat berfungsi sebagai resonator optik. Prinsip dasar dari interferometer Fabry-Perot adalah interferensi dua berkas (two beam interference).

16) (1.15) (1. Pergeseran fase dapat terjadi karena lintasan gelombang pengukuran yang melewati sampel dapat lebih panjang atau lebih pendek dari gelombang acuan. Ketika terjadi pemantulan sempurna. E E E E AR sin ωt EM A R sin ωt kxR E ER kxR AM sin ωt EM AM sin ωt kxM (1. Berkas pengukuran melintas dengan pergeseran fase sebesar 180o terhadap berkas acuan. Pergeseran fase tersebut dikenal juga sebagai perbedaan lintasan yang disimbolkan dengan δ.17) kxM E1 dan E2 adalah intensitas medan yang terpancar dari keluaran-1 dan keluaran-2. ER EM k(xR-xM) A R · sin ωt adalah AM · sin ωt kxR kxM φR φR fase antara (1. Intensitas medan pada pertemuan antara berkas pengukuran dengan berkas acuan di dalam beam-splitter dapat diungkapkan sebagai berikut. .13) (1.Proses Pembangkitan Laser 23 diungkapkan persamaan medan untuk berkas cahaya yang direfleksikan dan diteruskan berturut-turut sebagai berikut.14) gelombang pergeseran pengukuran dengan gelombang acuan. dan adalah perubahan fase yang terjadi akibat pemantulan oleh permukaan syarat batas. maka fase akan mengalami pergeseran sebesar 180o.

I E Oleh karena itu. dalam orde gigahertz sampai terahertz.18) kxR · (1. intensitas luminisensi yang akan terdeteksi pada keluaran-1 dapat diungkapkan dengan rumusan sebagai berikut.20) trigonometri penjumlahan dan mensubstitusikan nilai rata-rata temporal . I IR IM 2 IR IM sin ωt kxR · sin ωt kxM Dengan menggunakan teorema (1.24 Sahrul Hidayat Intensitas luminisensi yang memberikan kesan terhadap mata atau yang dapat ditangkap oleh detektor akan sebanding dengan kuadrat intensitas medan. yang dapat diukur hanya nilai rata-ratanya saja atau saat sin bernilai 1/2. Hal tersebut mengakibatkan mata atau detektor tidak bisa menangkap intensitas medan secara cermat setiap waktu. I I sin ωt IR · sin ωt kxM AR sin ωt kxR IM · sin ωt kxR AM sin ωt 2AR AM sin ωt kxM kxM (1.19) Intensitas medan listrik tersebut berosilasi dengan frekuensi yang sangat tinggi. maka intensitas medan dapat dirumuskan sebagai berikut. Dengan mengasumsikan nilai intensitas yang terukur adalah nilai rata-ratanya.

maka akan didapat hubungan seperti diperlihatkan pada persamaan (1.23) cos δ I1 dan I2 berturut-turut adalah intensitas berkas cahaya yang terpancar dari keluaran-1 dan keluaran-2. Sedangkan jika beda lintasan 180o. maka akan diperoleh persamaan berikut.22) dan (1. I I I I 1 1 cos δ (1. I dengan IR IM · IR IM · cos δ (1. maka I1 sama dengan nol dan I2 sama dengan I0. Jika pembagi berkas (beam-spliter) berfungsi secara eksak membagi dua sama besar berkas yang datang IR = IM =1⁄2 .21) 2 · .Proses Pembangkitan Laser 25 untuk cos(ωt)=0.21).23) dapat diketahui bahwa jika beda lintasan δ sama dengan nol. Berdasarkan persamaan (1. maka I2 sama dengan nol dan I1 sama dengan I0.12. Hubungan antara intensitas hasil superposisi dengan beda lintasan secara lebih lengkap diperlihatkan pada gambar 1.22) (1. .

11.13. seperti tampak pada gambar 1.26 Sahrul Hidayat Gambar 1.12. Grafik intensitas superposisi dua berkas cahaya identik. seperti tampak pada gambar 1. terdapat dua buah cermin yang berbentuk plat sejajar. Pada interferometer Fabry-Perot. interferometer tersebut biasa disebut juga interferometer multibeam. interferensi yang terjadi berasal dari banyak berkas cahaya. . Gelombang yang memiliki intensitas I0 dan amplitudo A0 datang pada interferometer dengan membentuk sudut α. Pada interferometer Fabry-Perot. oleh sebab itu.

24) Ai1 = 1 − R . maka akan ada sebagian berkas gelombang yang ditransmisikan. I1 = (1−R). Jika salah satu cermin memiliki reflektivitas kurang dari 100%.Proses Pembangkitan Laser 27 Gambar 1.13. Diagram perubahan amplitudo pada interferometer Fabry-Perot. maka : (1. Gelombang yang datang pada cermin Fabry-Perot mengalami pemantulan dan saling berinterferensi satu sama lain.I0 = T.I0 Jika I=E2. Perubahan intensitas atau amplitudo gelombang setelah mengalami refleksi dan interferensi dapat diungkapkan sebagai berikut.

akan muncul pergeseran fase antara berkas gelombang yang ditransmisikan. Akibat adanya perbedaan panjang lintasan. maka dapat diturunkan persamaan gelombang setelah mengalami osilasi sebagai berikut.25) Besarnya amplitudo berkas gelombang yang keluar dari salah satu plat cermin adalah sebagai berikut. . A A A A Di √1 √1 √1 √1 R·A R·A R·A R·A 1 1 1 1 R ·A R ·R A R ·R A R ·R A Fabry-Perot. dan diambil acuan E1. (1.27) Jika persamaan gelombang dinyatakan dalam fungsi kosinus.26) berkas dalam interferometer gelombang mengalami osilasi. Jika diambil acuan berkas E1.28 Sahrul Hidayat A A A A R·A R·A R·A R·A √1 √1 √1 R·R ·A R·R ·A √1 R·R ·A R·R ·A (1. maka pergeseran fase δ dapat didefinisikan sebagai berikut. δ (1.

30) Berdasarkan teori deret geometri. maka nilai Rp mendekati nol. dan selanjutnya dapat diturunkan persamaan medan sebagai berikut. R· (1.28) 1 δ Selanjutnya dapat dihitung intensitas yang merupakan kuadrat dari medan. ∑ R ·e R · R· (1. E Re e · 1 R ·A ·e . sebagai berikut. penjumlahan suku sampai suku ke-p adalah sebagai berikut.29) Untuk menghitung intensitas.Proses Pembangkitan Laser 29 E E E E E A · cos ωt A · cos ωt A · cos ωt 1 A · cos ωt kx kx kx kx kx δ 2δ n cos ωt R ·R ·A · n 1 δ (1.31) Jika refleksi p jumlahnya sangat besar dan nilai reflektansi R<1. persamaan medan dapat diubah menjadi bentuk eksponensial. I E·E (1. E Re e ∑ · 1 R ·A · R ·e (1.32) Selanjutnya intensitas yang merupakan kuadrat dari medan .

33) Dari persamaan trigonometri dapat diketahui hubungan 2 · sin I I 1 cos δ. I I R ·R· R (1. maka cosα pada persamaan (1.36) Jika diplot kurva intensitas yang ditransmisikan dari . δ · · 2·d·k (1.27). sehingga persamaan (1. I I I E·E I I R· R R · R R· I R· R· R R R· (1. sehingga pergeseran fase menjadi sebagai berikut.27) akan bernilai satu. R ·R· (1. Jika berkas sudut datang α nilainya sangat kecil dan mendekati nol.30 Sahrul Hidayat dapat diturunkan sebagai berikut. dapat diketahui bahwa pergeseran fase δ sangat ditentukan oleh berkas sudut datang α.35) Sehingga akan didapat persamaan intensitas yang keluar dari resonator Fabry-Perot adalah sebagai berikut.34) Berdasarkan persamaan (1.33) dapat R diubah menjadi sebagai berikut.

tetapi intensitas transmisi tetap maksimum. mengindikasikan interferometer Hal tersebut dapat Fabry-Perot menyimpan energi dan berfungsi sebagai resonator. Gambar 1.15. Jika interferometer Michelson dan Fabry-Perot untuk koefisien refleksi 0.15 dapat diketahui bahwa meskipun persentase yang ditransmisikan hanya 4%.96 dibandingkan. Kurva intensitas transmisi interferometer Fabry-Parot. maka intensitas transmisi interferometer Fabry-Perot tampak lebih tajam seperti diperlihatkan pada gambar 1.Proses Pembangkitan Laser 31 interferometer Fabry-Perot adalah seperti diperlihatkan pada gambar 1.14. .14. Berdasarkan gambar 1.

37) .16a. interferometer Fabry-Parot banyak dimanfaatkan sebagai resonator untuk memproduksi berkas laser berenergi tinggi. γtot = γm + γi (1.15.32 Sahrul Hidayat Berdasarkan sifat tersebut. maka daya yang hilang untuk semua modus kavitas adalah sebagai berikut. Gambar 1. Perbandingan intensitas transmisi interferometer Michelson dan Fabry-Perot. Dengan mengasumsikan modus kavitas terdiri dari sistem Fabry-Perot longitudinal seperti tampak pada gambar 1.

dan kerugian pada cermin cermin jarak modus (reflektivitas) antar-cermin gelombang dilambangkan dinotasikan dan Untuk longitudinal. Nilai n merupakan fungsi dari panjang gelombang λ. Kerugian daya pada kedua cermin Fabry-Perot dapat dinyatakan dengan persamaan sebagai berikut.Proses Pembangkitan Laser 33 Di mana adalah kerugian daya internal kavitas. panjang gelombang dapat dinyatakan dengan persamaan sebagai berikut. λ L (1. L ln γ (1.41) adalah penguatan daya laser.39) Kerugian daya cermin merupakan penjumlahan dari kerugian pada cermin kiri ( kanan ( .40) Di mana i merupakan bilangan bulat sembarang yang menyatakan nomor modus gelombang longitudinal dan n adalah bagian real dari fungsi kompleks indeks kavitas. (1.38) . Dalam kondisi akan diimbangi oleh stasioner kehilangan daya total penguatan daya g. . yang dapat dinyatakan sebagai berikut n λ dengan n λ j (1. Daya dengan dengan L. γ γ γ . pantul .

16. .34 Sahrul Hidayat Gambar 1. (a) Tampilan skematik kavitas Fabry-Perot (b) Spektrum kerugian daya total (c) Spektrum penguatan daya (d) Spektrum berkas laser.

∆λ di mana L (1.16(d). Untuk menguji kemurnian spektrum yang dihasilkan dapat dilakukan dengan menghitung side mode suppression ratio (SSR).16(b).42) adalah nilai tengah panjang gelombang dan adalah indeks bias efektif dari kavitas yang diungkapkan seperti pada persamaan (1.Proses Pembangkitan Laser 35 Jarak antar-modus longitudinal adalah sama seperti tampak pada gambar 1. Nilai SSR dari spektrum dengan modus beragam dapat . seperti tampak pada gambar 1.16(c). yaitu rasio antara spektrum dominan dengan modus spektrum di sebelahnya.43) Kavitas Fabry-Perot tidak menyeleksi panjang gelombang tertentu. n n λ λ (1. Rentang panjang gelombang yang dihasilkan berasal dari modus penguatan g(λ) dari media aktif yang mengemisikan gelombang pada panjang gelombang tertentu. Nilai tersebut dapat diungkapkan dengan persamaan berikut.43). Nilai SSR menggambarkan ketajaman spektrum yang dihasilkan. Berkas laser yang dihasilkan dari kavitas Fabry-Pertot terdiri dari beberapa modus (multimode) seperti tampak pada gambar 1.

S S 0 0 R R λ λ S υ Δg λ S υ Δg λ (1.45) Di mana adalah emisi spontan rata-rata dan adalah kecepatan group. seperti diungkapkan pada persamaan (1.46) Dengan menggunakan hubungan Einstein. dan seterusnya.46). Dalam keadaan stasioner. maka emisi . R λ n υ g λ (1. Nilai SSR adalah ⁄ rasio antara densitas foton pada modus 0 dan modus 1.36 Sahrul Hidayat dihitung dari rata-rata daya yang dihasilkan. Misalnya.47) Di mana adalah faktor emisi spontan yang berhubungan dengan populasi inversi. SSR S S (1.44) (1. untuk bahan semikonduktor nilainya ≈2. untuk modus kedua terkuat (modus 1) panjang gelombangnya Δ . Jika penguatan daya g hampir sebanding dengan kehilangan daya . emisi spontan rata-rata dapat diungkapkan dengan persamaan sebagai berikut. untuk modus dominan (modus 0) panjang gelombangnya . jumlah foton di dalam kavitas Fabry-Perot untuk modus yang ke-i dapat dinyatakan dengan persamaan berikut.

S persamaan sebagai berikut.45). S Di mana P (1.48) Dengan mensubstitusikan persamaan (1.16(c) dapat diambil pendekatan Di mana δg adalah selisih penguatan modus antara dua modus terkuat yang berurutan.49) Berdasarkan gambar 1.52) ke . .51) dapat diungkapkan seperti pada persamaan (1. (1.51) dan (1.52) adalah energi foton dari berkas keluaran. maka jumlah foton untuk modus pertama (1.50) |Δ |.Proses Pembangkitan Laser 37 spontan rata-rata dapat juga diungkapkan dalam bentuk lain seperti terlihat pada persamaan (1.48) ke dalam persamaan (1.51). R λ R λ n υ γ (1.48). S Jika mengambil hubungan antara jumlah foton modus ke-0 dengan daya keluaran untuk tiap cermin P dan mengasumsikan reflektansi kedua cermin sama ( maka dapat diturunkan persamaan berikut. maka akan diperoleh persamaan jumlah foton untuk modus 1 sebagai berikut. Dengan mensubstitusikan persamaan (1. Jika diasumsikan bahwa Δg λ Δg λ δg δg (1.

46).53) . akhirnya dapat diperoleh rumusan SSR seperti diungkapkan pada persamaan (1.38 Sahrul Hidayat dalam persamaan (1.53). SSR P (1.

sifat refleksi dari cermin cenderung menghasilkan berkas cahaya yang melebar. Hal tersebut menyebabkan perangkat laser menjadi besar sehingga memerlukan tempat penyimpanan khusus. Selain itu. Pada tahun 1984. secara teori diprediksi bahwa media dielektrik yang memiliki ketidakteraturan tertentu akan menyebabkan hamburan berkas cahaya dan dapat .BAB II LASER KRISTAL FOTONIK Sejak akhir tahun 1950. konsep tentang laser telah menginspirasi begitu banyak penemuan baru baik di dalam bidang ilmu dasar ataupun di dalam teknologi terapan. divais laser menggunakan sepasang cermin sejajar (Fabry-Perot) untuk sistem kavitasnya. Selama kurang lebih empat dasawarsa. sehingga berkas laser yang keluar dari sistem tersebut kurang tajam.

hamburan akan melemahkan berkas cahaya atau dalam kasus ini berkas laser akan rusak akibat hilangnya sejumlah foton oleh hamburan. proses dimanfaatkan Di dalam menghasilkan optik konvensional. Fenomena untuk sistem menarik tersebut berkas dapat laser. Hamburan cahaya dari sistem periodik tersebut dapat mencegah atau meneruskan berkas cahaya pada frekuensi dan arah tertentu. Sedangkan dalam sistem . interferensi dari beberapa berkas hamburan dapat memodifikasi sifat pergerakan berkas cahaya dari keadaan difusi menjadi keadaan terlokalisasi. Jika suatu bahan pengemisi ditempatkan di dalam kristal fotonik. Konsep tersebut selanjutnya mendorong pengembangan teori bandgap fotonik (photonic bandgap. Konsep lokalisasi cahaya dapat dianalogikan dengan konsep lokalisasi elektron di dalam kristal zat padat. Divais tersebut dinamakan kristal fotonik.40 Sahrul Hidayat mengubah sifat-sifat propagasi foton. PBG). maka emisi spontannya dapat dikontrol dengan modifikasi frekuensi gap. Divais PBG terdiri dari susunan periodik bahan dielektrik yang periodisitasnya berada pada daerah panjang gelombang cahaya. Pada kondisi tertentu.

dan simetri kisi tertentu. Di dalam kristal fotonik. kristal fotonik adalah susunan material dielektrik yang memberikan efek hamburan Bragg sangat kuat. selanjutnya dapat mengontrol propagasi gelombang elektromagnetik pada . yaitu komposisi bahan.Laser Kristal Fotonik 41 kristal fotonik. struktur kristal. berkas cahaya dengan frekuensi tertentu akan terjebak dan bergerak bolak-balik melewati media penguat. Jika suatu bahan penguat berkas ditempatkan di dalam kristal fotonik. Konsep ini memungkinkan membuat suatu divais laser tanpa cermin. Kristal fotonik dalam hal ini berfungsi sebagai pengganti cermin dalam sistem laser konvensional. Dengan adanya bandgap fotonik. proses hamburan akan menguatkan berkas cahaya sehingga kerugian daya akibat serapan bahan atau akibat lainnya dapat ditanggulangi. bahkan kavitas laser dapat dibuat dalam skala mikro sehingga divais laser pun dapat dibuat dengan ukuran yang sangat kecil. Secara fisis. maka daerah frekuensi terlarang atau bandgap fotonik dapat dihasilkan. Pada kondisi yang tepat. sehingga berkas cahaya mengalami penguatan daya. maka akan terjadi penguatan berkas pada frekuensi tertentu yang sesuai dengan bandgap dari kristal tersebut.

Divais laser yang menggunakan kristal fotonik. divais laser yang berbasis band-edge. Sedangkan tipe kedua berbasis defect-mode.42 Sahrul Hidayat frekuensi dan arah tertentu. . secara prinsip terdiri dari dua jenis. terjadi penggabungan antara berkas cahaya dari pengemisi dan modus gelombang elektromagnetik yang muncul tepat dari pita fotonik tersebut. Pertama. yaitu memanfaatkan keadaan terlokalisasi pada modus cacat sebagai kavitas laser. Untuk divais laser. Dengan demikian. Sifat-sifat menarik kristal fotonik selanjutnya mendorong berbagai usaha eksperimen untuk melakukan fabrikasi divais struktur mikro dielektrik. penelitian kristal fotonik diharapkan dapat menghasilkan divais laser dalam ukuran mikro dengan efisiensi yang tinggi dan daya ambang pemompa yang rendah. sepanjang tepi pita fotonik akan terjadi penguatan berkas foton yang signifikan. Pada tepi pita fotonik. Secara umum dapat dikatakan bahwa penguatan berkas cahaya seperti prinsip di atas dihasilkan dari umpan balik terdistribusi di dalam kristal fotonik untuk semua arah propagasi. yaitu emisi cahaya terjadi pada tepi atas atau tepi bawah pita fotonik.

Prinsip tersebut dapat dimanfaatkan untuk menghasilkan berkas laser dengan frekuensi yang tajam dan daya ambang pemompa yang rendah. maka akan muncul modus gelombang terlokalisasi di dalam kristal tersebut. Di dalam kasus ini. Jika seberkas cahaya diradiasikan oleh suatu atom dan frekuensinya berada pada rentang bandgap fotonik. maka hamburan raditif tersebut akan terkurung. Laser dengan karakteristik tersebut dibutuhkan untuk meningkatkan .Laser Kristal Fotonik 43 Sifat yang lain dari kristal fotonik adalah mampu mengurung berkas gelombang elektromagnetik pada rentang frekuensi tertentu. sehingga dapat digunakan untuk mengontrol laju emisi spontan. Laser Berbasis Reflektor Bragg Terdistribusi (RBT) Penelitian untuk pengembangan divais laser terus dilakukan terutama untuk merealisasikan laser modus tunggal dengan berkas cahaya yang tajam. misalnya dengan menambahkan bahan dielektrik yang berbeda. Jika ke dalam kristal fotonik tersebut disubstitusikan suatu cacat. emisi spontan akan terlokalisasi di daerah cacat dan kristal fotonik berfungsi sebagai kavitas mikro dengan faktor kualitas yang tinggi.

44 Sahrul Hidayat kapasitas dan jangkauan transmisi di dalam sistem komunikasi fiber optik. metode yang mungkin untuk mendapatkan modus tunggal adalah dengan meningkatkan perbedaan penguatan antara modus yang dominan dengan modus di sampingnya.1 tampak bahwa peningkatan seleksi modus frekuensi dapat dicapai jika kurva karakteristik kerugian daya γtot(λ) lebih lengkung dibandingkan dengan . Secara skematik prinsip tersebut diperlihatkan pada gambar 2.1. Pada gambar 2. Secara prinsip.1. Karakteristik penguatan dan kerugian daya sebagai fungsi panjang gelombang pada suatu divais laser. Salah satu caranya adalah dengan membuat kerugian daya total sebagai fungsi dari panjang gelombang. Gambar 2.

Laser Kristal Fotonik 45 kurva penguatan g(λ). .2.2(b). Di dalam sistem multi lapisan. superposisi dari gelombang pantul akan terjadi pada setiap bidang batas antarlapisan. (a) n1 n2 n1 n2 n1 n2 (b) Gambar 2. Jika secara skematik diilustrasikan gelombang merambat pada arah z. (a) Skematik sistem multi lapisan (b) Ilustrasi reflektor Bragg 1D. Salah satu cara untuk memanipulasi penguatan tersebut adalah menggunakan sistem interferensi dari cermin multi lapisan yang memiliki indeks bias berbeda secara periodik. maka komponen-komponen gelombang yang mengalami superposisi dapat diuraikan seperti pada gambar 2. seperti diperlihatkan pada gambar 2.2(a).

yaitu pada saat nilai Λ kelipatan bulat dari π. sistem reflektor Bragg terdistribusi (RBT) dapat juga digandengkan dan ditempatkan di lapisan paling bawah .∆n untuk z kondisi kΛ tanda sesuai dengan perubahan indeks bias. Panjang gelombang pada Bragg (λB . Sedangkan untuk panjang gelombang yang lain.3a. seperti tampak pada gambar 2. Nilai dari koefisien refleksi (R) mengalami perubahan untuk z kelipatan genap dari Λ⁄2 atau . Berkas cahaya yang dipantulkan adalah hanya yang panjang gelombangnya sesuai dengan panjang gelombang Bragg. yaitu ditempatkan di sisi-sisi luar kavitas. π dinamakan dengan panjang gelombang Sistem kisi Bragg dapat dibuat di dalam susunan divais laser. Selain itu. Kisi Bragg akan berfungsi memantulkan secara selektif berkas cahaya yang diemisikan dari bahan aktif. akan terjadi interferensi saling menguatkan dan saling melemahkan yang terjadi secara simultan dengan efek pemantulan yang lebih kecil.46 Sahrul Hidayat Untuk panjang gelombang tertentu. yaitu bisa ∆n kelipatan ganjil dari Λ⁄2 . maka akan terjadi saling menguatkan dan mengakibatkan interferensi terjadinya pemantulan maksimum.

. Dengan demikian susunan periodik dengan kontras indeks bias n1 dan n0. (a) Skematik sistem laser berbasis RBT (b) berbasis UBT. Kisi dibentuk dari variasi periodik ketebalan bahan dengan indeks bias n0 yang dilapisi dengan bahan lain berindeks bias n1. (a) (b) Gambar 2.Laser Kristal Fotonik 47 setelah lapisan aktif. Susunan tersebut biasa disebut juga sistem umpan balik terdistribusi (UBT).3.3b. Jika gangguan indeks bias tersebut hanya berlaku untuk modus transversal saja. nef = kz/k0 pada sistem pandu gelombang melemah. maka pengaruhnya terhadap indeks bias efektif. seperti tampak pada gambar 2.

Untuk memahami secara lebih jelas proses tersebut diperlukan penjelasan tentang sistem propagasi gelombang di dalam struktur periodik. Gangguan propagasi tersebut adalah terjadinya pemantulan berkas cahaya pada setiap bidang batas indeks bias yang berbeda. Akibatnya gelombang akan terpantul bolak-balik di antara kisi. yaitu dari 0 . Salah satu pendekatan teori yang dapat digunakan adalah teori modus terkopel yang diperkenalkan oleh Kogelnik dan Shank pada tahun 1972. Panjang model divais RBT dimisalkan LB. Model matematika untuk sistem RBT diperlihatkan pada gambar 2.48 Sahrul Hidayat Walaupun demikian sistem RBT tersebut cukup efektif untuk menggantikan sistem Fabry-Perot pada suatu divais laser. tetapi terdistribusi di seluruh bagian sistem UBT atau RBT. Di dalam sistem RBT. struktur periodik berupa pola sinusoida dalam arah z dengan indeks bias efektif nef. Di dalam model tersebut. umpan balik optik tidak terlokalisasi pada suatu kavitas.4. keberadaan kisi telah mengakibatkan adanya gangguan indeks bias yang selanjutnya mengubah sifat propagasi cahaya pada panjang gelombang tertentu. Dalam kasus ini.

2) Gambar 2.Laser Kristal Fotonik 49 sampai dengan z = LB. kg = 2π Λ (2. 2 2 .1.4 (a) Model matematika sistem RBT (b) Profil intensitas medan yang bergerak ke arah sumbu ( z + E + ) dan kearah sumbu ( z − E− ) sebagai fungsi z (c) Skematik struktur reflektor. nef ( z ) = nef + ∆nef 2 sin k g z (2. Vektor gelombang di dalam kisi kg merupakan fungsi dari periodisitas kisi yang dapat dinyatakan dengan rumusan sebagai berikut.1) Di mana nef dan ∆nef adalah rata-rata indeks bias efektif dan perbedaan indeks bias efektif (selisih nilai tertinggi dan terrendah). Indeks bias efektif bervariasi sepanjang sumbu-z dengan fungsi seperti pada persamaan 2.

50

Sahrul Hidayat

Vektor gelombang sebagai fungsi dari z dapat adalah vektor gelombang di dalam vakum (2 ⁄ . diungkapkan seperti pada persamaan (2.3), di mana k0

Jika diasumsikan variasi indeks biasnya kecil ∆ , maka kontribusi dari ∆

k z

k n

z

(2.3)

dapat diabaikan. Dengan

demikian kuadrat vektor gelombang dapat diungkapkan seperti pada persamaan (2.4).

k z
keadaan
E

k

n

n ∆n sin k z
dapat diungkapkan seperti

(2.4)

Selanjutnya persamaan gelombang dalam arah z untuk stationer pada

persamaan (2.5)

k

n

n ∆n sin k z E

0

(2.5)

Dengan prinsip teori modus terkopel, fungsi medan
E dapat dipisahkan antara medan yang bergerak ke depan

(E+) dan ke belakang (E−) seperti pada persamaan (2.6)

E z

E z E z

E z

A z exp B z exp

E z

jk B z

jk B z

(2.6) (2.7) (2.8)

Medan E+(z) merambat dalam arah +z dan E−(z) merambat dalam arah −z. Notasi dan menyatakan panjang

Laser Kristal Fotonik

51

gelombang Bragg dan vektor gelombang Bragg, yang masing-masing diungkapkan pada persamaan (2.9) dan (2.10).

λB

kB

2.

n

.

Λ
B

(2.9) (2.10)

Di mana

menyatakan bagian real dari rata-rata . A(z) dan B(z) merupakan

indeks bias efektif

amplitudo sebagai fungsi z. Perubahan amplitudo tersebut dalam arah z sangat kecil sehingga turunan kedua dari A(z) dan B(z) terhadap z dapat diabaikan. Selanjutnya persamaan gelombang dapat diturunkan sebagai berikut:
E E E E E

(2.11)

2jk B

2jkB

A

B

k B B exp jk B z .

k B A exp

jk B z

(2.12) (2.13) seperti pada

persamaan sin

Dengan

menggunakan

hubungan

, maka suku kedua

pada persamaan (2.5) dapat diubah menjadi bentuk eksponensial seperti diungkapkan pada persamaan (2.14).

k

A exp

n

jk B z

exp 2jk B z

B exp jk B z

exp

2jk B z
(2.14)

52

Sahrul Hidayat

Jika perkalian pada persamaan (2.14) dioperasikan dan mengabaikan suku exp persamaan (2.15)

3

, maka akan didapatkan

k n k n

A B

jk

jk

∆ ∆

A exp

B exp

jk B z

jk B z
(2.15)

Suku pertama merupakan komponen propagasi gelombang yang bergerak ke arah z+, sedangkan suku kedua bergerak ke arah z−. Jika persamaan (2.12), (2.13), dan (2.15) disubstitusikan ke dalam persamaan (2.5), maka akan didapatkan berikut: persamaan gelombang terkopel sebagai

2jk B

jk

k n
∆ B

jk

B exp

kB A

jk B z

2jk B

A

A exp jk B z

k n

0

kB B
(2.16)

Suku pertama merupakan persamaan propagasi gelombang yang bergerak ke arah z+, sedangkan suku kedua bergerak ke arah z−. Berdasarkan persamaan (2.16), ungkapan tersebut akan benar atau sama dengan nol jika kedua sukunya juga sama dengan nol. Jika demikian, maka harus terpenuhi

n .17).18) adalah group indeks bias efektif pada panjang gelombang Bragg. k n kB ∆β (2. maka nilai ∆β relatif kecil dibandingkan dengan vektor gelombang Bragg.17) dan (2.Laser Kristal Fotonik 53 syarat seperti diungkapkan pada persamaan (2. |Δ | . Bragg) Berdasarkan persamaan (2. ∆β biasa disebut juga sebagai frekuensi detuning dinyatakan sebagai fungsi dari simpangan panjang gelombang terhadap panjang gelombang B Bragg sebagai berikut jk k B dimana Δβ 2π n .17) Di mana ∆β merupakan simpangan dari vektor gelombang terhadap gelombang pada vektor panjang gelombang gelombang Bragg (vektor . B B k λB n B .10). n λB λB B (2. B (2.20) . (2.19) Jika kasus yang dilihat hanya sekitar panjang gelombang Bragg. Selanjutnya akan didapat persamaan vektor sebagai berikut k n kB 2k B ∆β.

A B (2.23).27 dapat diungkapkan seperti Selanjutnya vektor eigen pada persamaan (2.28) dan (2.22) dapat diungkapkan dalam bentuk persamaan diferensial vektor sebagai berikut.29) .28) (2. E E .54 Sahrul Hidayat Jika persamaan (2.22) Notasi κ merupakan konstanta kopling yang ungkapannya seperti pada persamaan (2. E E E E / / (2.26) κ Δβ .25) Nilai eigen s dari matriks dua kali dua tersebut adalah s s (2. (2.20) disubstitusikan ke dalam persamaan (2. 2.24) j∆β κ E κ jΔβ s (2. 0 (2.21) dan (2.29). κ .21) (2. maka akan didapatkan persamaan gelombang terkopel sebagai berikut ΔβA ΔβB j j A B jκA jκB 0.23) Persamaan (2.16).

Nilai T dapat dihitung dengan menggunakan persamaan (2. E LB (2. Hubungan medan pada syarat batas model RBT.21) dan (2.28).22) disubstitusikan syarat batas A(0)=A0 dan B(L)=0. maka diperoleh solusi dari persamaan diferensial terkopel . Selanjutnya akan didapat solusi umum dari persamaan (2. (2.30) Konstanta C1 dan C2 dapat diperoleh dari aproksimasi syarat batas pada model RBT.29).31) dengan T adalah matriks transfer dari model RBT.31).30).25) yang ungkapannya seperti pada persamaan (2. yaitu pada z = 0 dan z = LB adalah sebagai berikut: E 0 T.30). (2.Laser Kristal Fotonik 55 Notasi E0 merupakan konstanta normalisasi yang secara fisis bermakna kuat medan listrik dengan satuan volt per meter. E C E exp sz C E exp sz (2. cosh sLB sinh sLB ∆ sinh sLB cosh sLB sinh sLB ∆ sinh sLB (2. dan (2.32) Jika pada persamaan (2.

. Berdasarkan persamaan tersebut tampak bahwa daya berbanding terbalik dengan kuadrat frekuensi detuning (∆β/κ)2. Program simulasi yang telah dibuat ditampilkan pada gambar 2.36) selanjutnya dilakukan simulasi dengan bantuan software mathlab.36) Notasi r adalah reflektansi yang sebanding dengan daya dalam arah propagasi gelombang.5. yang berarti daya maksimum dapat diperoleh pada nilai frekuensi detuning kecil. Untuk mempermudah analisis terhadap persamaan (2. sebagai berikut. R r yang B |R| ditransfer A LB LB LB LB LB LB (2.56 Sahrul Hidayat tersebut adalah sebagai berikut : A z B z A A LB LB ∆ LB LB ∆ ∆ LB LB LB (2.35) (2.34) Koefisien reflektansi dari model divais RBT dapat diperoleh dari rasio gelombang terpantul dan gelombang datang.33) (2.

6. dan frekuensi detuning 2 µm-1. . Karakteristik sinyal output dari kisi Bragg tersebut tampak pada gambar 2.5. Sebagai bahan kajian. Selanjutnya dilakukan pengujian pengaruh panjang kisi Bragg terhadap karakteristik refleksi dan hasil perhitungan tersebut diperlihatkan pada gambar 2.398 µm-1.5. Tampilan program simulasi model kisi Bragg. konstanta kopling 0. telah dilakukan perhitungan reflektansi model divais RBT dengan bantuan program seperti yang ditampilkan pada gambar 2. Contoh parameter sampel yang diambil adalah panjang kisi Bragg LB =16 µm.7.Laser Kristal Fotonik 57 Gambar 2.

. Berdasarkan gambar tersebut tampak bahwa reflektansi maksimum dengan parameter divais seperti di atas dapat diperoleh mulai nilai konstanta kopling 0.58 Sahrul Hidayat Gambar 2.6.2 µm-1. Karakteristik tersebut mirip dengan sistem kerja cermin pada divais Febry-Parot. Optimasi parameter devais perlu dilakukan untuk menghasilkan reflektansi tertinggi.8. Salah satu hasil perhitungan untuk mendapatkan nilai konstanta kopling optimum disajikan pada gambar 2. Karakteristik sinyal keluaran dari divais RBT. Selain itu. Reflektansi tertinggi bernilai 1 yang menunjukkan divais RBT merefleksikan secara total sinyal yang masuk. selanjutnya diperlukan rancangan devais RBT yang menghasilkan kualitas sinyal pantulan terbaik.

Modus tunggal yang optimal dapat diperoleh jika periode kisi sinkron dengan λB.6 tampak bahwa sinyal keluaran dari sistem divais RBT tidak menghasilkan modus tunggal. seperti tampak pada gambar 2. Hal tersebut akan menyebabkan semakin .7.3a. Karakteristik sinyal keluaran divais RBT dengan panjang kisi 500 µm. Berdasarkan gambar 2. Hal tersebut disebabkan oleh tidak sinkronnya panjang gelombang input dengan panjang gelombang Bragg λB.Laser Kristal Fotonik 59 Gambar 2. Tetapi hal tersebut memunculkan masalah dengan membesarnya modus samping (side lobe) yang tidak diinginkan. Masalah lain dari model laser sistem RBT adalah penempatan divais aktif di antara dua sistem pandu gelombang (kisi) yang berbeda.

15 0.2 0. Secara dimensi.3 0. model divais RBT teknik fabrikasinya cukup sulit karena harus membuat cacat di antara dua sistem pandu gelombang yang sedapat mungkin identik. model laser UBT dapat dibuat lebih kecil daripada divais RBT. Karakteristik reflektansi divais RBT terhadap konstanta kopling dengan parameter divais LB=16 µm.1 0.25 µm-1.25 0.6 0.35 Reflektansi Konstanta Kopling (1/um) Gambar 2.3b.8 0.4 0. Model divais laser lain yang teknik fabrikasinya lebih sederhana adalah sistem umpan balik terdistribusi (UBT). Pengaruh Konstanta Kopling terhadap Reflektansi 1.2 1 0.2 0 0 0. Selain itu. seperti tampak pada gambar 2. ∆β/κ =1. karena bahan aktif dapat disisipkan atau dicampur .60 Sahrul Hidayat banyaknya daya yang hilang pada sistem terkopel dan timbulnya refleksi yang tidak dikehendaki pada batas bahan aktif dengan kisi (parasitic reflection).8.05 0.

Dalam sistem UBT. Laser Berbasis Umpan Balik Terdistribusi (UBT) Pada gambar 2. Karakteristik reflektansi dan batas ambang penguatan dari divais tersebut dapat dihitung dengan bantuan persamaan 2. kehadiran bahan penguat optik (g) direpresentasikan di dalam bagian imajiner indeks bias . Secara matematika.Laser Kristal Fotonik 61 secara langsung dalam kisi.9 tampak secara skematik model laser umpan balik terdistribusi (UBT) yang terdiri dari kisi Bragg tanpa refleksi di ujung-ujung divais tersebut (R R 0 . Di dalam model laser UBT. model laser yang lebar juga dapat dibuat tanpa memengaruhi efisiensi keluaran dari sistem tersebut. bahan aktif yang berfungsi sebagai penguat berkas optik. .35 dengan mengambil syarat batas LB = L. Hal tersebut akan menghasilkan efisiensi pandu gelombang yang lebih baik. Dengan demikian struktur model UBT lebih layak untuk divais laser komersial dibandingkan dengan model RBT. proses distribusi umpan balik akan terjadi di sepanjang area kisi. Dengan sistem UBT. berada secara langsung di dalam struktur kisi.

35) dapat diturunkan persamaan (2. koefisien refleksi R pada model laser UBT dapat diasumsikan tak hingga (R→∞) seperti terlihat pada gambar 2.35).38). Dalam kasus ini media penguat berada secara langsung di dalam kisi Bragg. g ≅ 2k 0 (λ B ) ℑ(nef ) (2.9. sehingga vektor gelombangnya merupakan fungsi dari panjang gelombang Bragg seperti diungkapkan pada persamaan (2.38) Berdasarkan definisi dari refleksi kisi Bragg yang diungkapkan pada persamaan (2. Di mana ℑ( nef ) adalah bagian imajiner dari indeks bias efektif. j∆β sinh(sL) + s cosh(sL) = 0 (2.62 Sahrul Hidayat g = 2k 0 ℑ( nef ) (2.37) Gambar 2.39) .9.39) sebagai berikut. Skematik model laser UBT. Berdasarkan asumsi tersebut. maka dari persamaan (2.

18) dan menyamakan bagian real dan imajiner dari persamaan tersebut dengan persamaan (2.27). Jika persamaan (2.40) akan didapat solusi kompleks untuk sL. . . Dengan mensubstitusikan ∆ ke dalam persamaan (2. Masing-masing solusi untuk sL berhubungan dengan modus propagasi di dalam divais laser UBT. g δλ L L B (2.39) kedua ruasnya dikalikan maka akan didapat persamaan nilai eigen sebagai fungsi sL jκL sinh sL (2.41) . akan didapat persamaan ambang penguatan ( dan panjang gelombang ( untuk masing-masing modus.43).42). yaitu tergantung cara menormalisasi ∆ dengan .Laser Kristal Fotonik 63 Persamaan terhadap dapat diubah panjang divais menjadi tidak laser. dan sL sebagai fungsi dengan L dan ∆ dieliminasi dengan persamaan (2. yang dapat diungkapkan seperti pada persamaan (2.42) sama seperti Istilah jarak antarmodus propagasi dalam sistem laser Fabry-Perot (persamaan 1. B L ΔβL (2.40) Dari persamaan (2.38).

64 Sahrul Hidayat dengan Δ δλ Δλ L (2. tampak bahwa penguatan modus dan stop band sangat dipengaruhi oleh panjang kisi Bragg. di mana 0 . . Gambar 2. yang dinamakan dengan stop band.10 memperlihatkan hasil perhitungan modus penguatan berkas di dalam model laser UBT untuk 20 modus terendah dengan beberapa variasi panjang kisi. .43) . Lebar stop band terlihat meningkat seiring dengan bertambahnya panjang kisi Bragg. Jarak antara dua modus terendah dilambangkan dengan Δλ . Berdasarkan gambar tersebut tampak bahwa modus penguatan terkecil berada pada daerah dekat panjang gelombang Bragg. Berdasarkan hasil simulasi tersebut. Pada nilai panjang gelombang Bragg tampak tidak ada modus propagasi sama sekali. Untuk daerah yang jauh dari panjang gelombang Bragg. jarak antarmodus tampak hampir serupa dengan jarak antarmodus ( Δλ ) pendekatan Fabry-Perot.

Untuk dua modus terdekat dengan panjang gelombang Bragg.10.5 (b) κL=2 (c) κL=3. Intensitas berkas gelombang tampak terdistribusi menjadi dua kelompok modus dengan jarak penguatan yang sama dari panjang gelombang Bragg. yaitu . Karakteristik penguatan berkas sebagai fungsi deviasi panjang gelombang untuk model laser UBT (a) κL=0.Laser Kristal Fotonik 65 Gambar 2.

Hal tersebut menunjukkan bahwa untuk model UBT dengan kisi Bragg pendek. baik sebelah kanan ataupun sebelah kiri. distribusi intensitasnya dapat dilihat pada gambar 2. efektivitas pemantulannya . intensitas distribusi memperlihatkan daya maksimum pada bidang batas kisi terluar. Untuk panjang kisi Bragg yang kecil (κL<1). (a) (b) Gambar 2.11.66 Sahrul Hidayat yang akan menjadi modus dominan pada divais laser.11. seperti tampak pada gambar 2.11a. Profil distribusi intensitas model laser UBT (a) kisi Bragg pendek (b) kisi Bragg panjang.

distribusi intensitas terkonsentrasi di tengahtengah kavitas seperti tampak pada gambar 2. . Proses tersebut disebabkan karena pada posisi tertentu terjadi interferensi yang saling menguatkan dan pada posisi yang lain terjadi interferensi yang saling melemahkan. Secara umum. efektivitas pemantulan sangat tinggi sehingga kerugian dayanya sangat kecil.11b. Pada pusat kavitas. Sedangkan untuk kisi Bragg yang panjang (κL>2).Laser Kristal Fotonik 67 sangat rendah yang berkonsekuensi pada kehilangan daya yang tinggi. bila ada berkas gelombang yang masuk ke dalam kisi periodik. maka akan mengalami difraksi. Berkas-berkas difraksi tersebut akan saling berinterferensi dan dapat mengubah karakteristik propagasi gelombang membentuk pola-pola difraksi. Laser Berbasis Kristal Fotonik 2D Kristal fotonik adalah material dielektrik yang memiliki indeks bias atau permitivitas berbeda secara periodik. Secara fisis. pola difraksi tersebut memperlihatkan adanya intensitas gelombang yang kuat pada posisi tertentu dan intensitas gelombang yang lemah atau hilang sama sekali pada posisi yang lain.

suatu divais yang memiliki karakteristik dapat memantulkan berkas cahaya dapat diaplikasikan untuk divais laser. emisi terstimulasi dikondisikan berada pada daerah frekuensi . Seperti pada kristal fotonik satu dimensi (kisi Bragg). Berkas cahaya pada kondisi tertentu. Secara fisis. mungkin saja akan mengalami peristiwa pemantulan dan mengakibatkan cahaya tidak bisa tembus ke dalam kristal fotonik. Untuk model umpan balik terdistribusi. Kristal fotonik dapat digunakan sebagai resonator optik untuk menggantikan fungsi resonator cermin Fabry-Perot.68 Sahrul Hidayat Peristiwa seperti di atas akan terjadi juga bila seberkas cahaya masuk ke dalam kristal fotonik. aplikasi kristal fotonik 2 dimensi (2D) pada divais laser terdiri dari dua model divais. Rentang daerah frekuensi di mana berkas cahaya tidak bisa masuk ke dalam kristal fotonik dinamakan dengan photonic bandgap (PBG). Hal tersebut dapat terjadi bila berkas cahaya yang masuk memiliki frekuensi yang bersesuaian dengan daerah terlarangnya. Model pertama adalah dengan menambahkan cacat yang akan melokalisasi emisi terstimulasi pada daerah cacat tersebut dan model kedua adalah sistem umpan balik terdistribusi.

Secara fisis. Berkas cahaya dengan frekuensi tepat pada pita fotonik akan dipantulkan bolakbalik di dalam kristal tersebut sehingga akan mengalami penguatan daya. maka persamaan Maxwell dalam sistem koordinat silinder dapat diungkapkan seperti pada empat persamaan berikut. r r (2. t ∂t (2.t) = − µ o H (r .44) ∇ • ε ( r ) E (r .Laser Kristal Fotonik 69 tepi pita fotonik (band edge).46) (2. Untuk mengetahui sifat-sifat perambatan cahaya di dalam kristal fotonik.47) .t) = ε oε (r ) E (r . t ) ∂t v r ∂ r ∇ × H(r. t ) = 0 (2. dapat diawali dangan mengetahui hubungan medan listrik dan medan magnet pada persamaan Maxwell. Persamaan Maxwell menjelaskan interaksi antara medan elektromagnetik dengan bahan. pada daerah tepi pita fotonik tersebut kecepatan grup berkas cahaya sama dengan nol. Dengan demikian cahaya akan terkonsentrasi pada daerah pita fotonik tersebut. Jika diasumsikan di dalam bahan tidak ada muatan bebas dan bahan tidak bersifat magnetik. t ) = 0 r r ∇ • H (r .45) ( ) r r ∂ r ∇ × E(r.

12. Model kedua berupa rongga-rongga udara berbentuk silinder yang dikelilingi latar berbahan dielektrik seperti tampak pada gambar 2. ˆ sehingga modus perambatan gelombang dalam arah z . yang pertama berupa susunan silinder-silinder dielektrik dengan latar udara seperti tampak pada gambar 2.70 Sahrul Hidayat Di mana adalah medan listrik. ˆ Dielektrik sepanjang sumbu z adalah homogen. Model kisi kristal fotonik 2D (a) silinder dielektrik (b) rongga silinder. ε(r) permitivitas listrik bahan sebagai fungsi ruang. Model kisi silinder yang diuji terdiri dari dua jenis. medan magnet.12b. dan µ0 permiabilitas magnetik bahan. (a) (b) Gambar 2. Model kristal fotonik 2D yang akan disimulasikan adalah berbentuk kisi-kisi silinder.12a.

t ) ∂t ∂x ∂y r ∂ r r ∂ r r H z (r// . ∂ r r ∂ r r E z (r// .48) (2.52) ∂ r r ∂ r r E z (r// . t ) ∂y ∂t r ∂ r r ∂ r r H z (r// . yaitu vektor gelombang yang sejajar bidang xy. t ) = µ o H y (r// .47) berubah menjadi dua set persamaan yang independen. t ) ∂y ∂t (2. t ) − H x (r// . t ) − E x (r// . t ) (2. t ) akan diperoleh persamaan umum gelombang dalam kisi periodik 2D : .Laser Kristal Fotonik 71 harus dihindari. t ) = ε oε (r// ) E z (r// . yang berarti perambatan r gelombang hanya terjadi pada k // . Untuk kisi dielektrik 2D. t ) = − µ o H x (r// . t ) ∂x ∂t ∂ r r ∂ r r ∂ r r H y (r// . t ) = − µ o H z (r// .51) (2.49) (2. Secara matematis ungkapan tersebut r dituliskan dalam bentuk k z = 0 . t ) ∂x ∂t ∂ r r ∂ r r ∂ r r E y (r// . t ) dan H y (r// . t ) dan E y (r// .53) ∂x ∂y ∂t r r r r Dengan mengeliminasi H x (r// . sebagai berikut. t ) = −ε oε (r// ) E y (r// . t ) = ε oε (r// ) E x (r// . t ) atau r r r r E x (r// .46) dan (2. persamaan Maxwell pada persamaan (2.50) (2.

72 Sahrul Hidayat 1  ∂2 1 ∂2 r r ∂2  r r  2 + 2  E z (r// . r r r r E z (r// .54) dan (2. t ) = 2 2 E z (r// . t ) r r   c ∂t  ∂x ε (r// ) ∂x ∂y ε (r// ) ∂y  (2.56) Solusi persamaan gelombang pada persamaan (2.55) di mana c kecepatan cahaya di dalam fakum yang besarnya sebagai berikut: c µ (2.57) (2.60).58) ke dalam persamaan (2. t ) = H z (r// )e − jωt Dengan mensubstitusikan fungsi gelombang (2.58) pada persamaan (2.59) .57) dan (2.54) dan (2.55).59) dan (2.54) ∂ 1 ∂ ∂ 1 ∂r r 1 ∂2 r r + H z (r// . t ) c ∂t ε (r// )  ∂x ∂y  (2. t ) = 2 2 H z (r// .55) dapat diungkapkan dalam bentuk fungsi gelombang harmonik sebagai berikut. selanjutnya persamaan umum gelombang dapat diungkapkan dalam bentuk persamaan nilai eigen seperti diungkapkan pada persamaan (2. − 1  ∂2 ∂2  r r ω2 r r r  2 + 2  E z (r// ) = 2 E z (r// ) ε (r// )  ∂x ∂y  c (2. t ) = E z (r// )e − jωt r r r r H z (r// .

65) dan (2.3 (2. Dengan demikian.66).63) (2... 3. E r H r Di mana E H r r dan u v r exp ik · r r exp ik · r (2. Hal tersebut sama seperti kasus berkas elektron yang masuk ke dalam kristal biasa yang terdiri dari susunan potensial periodik dari atom-atom. 2.2. . Dengan demikian fungsi dan akan terkarakterisasi oleh vektor gelombang k di dalam zona Brillouin pertama dan indeks pita n dengan ungkapan sebagai berikut.. dapat diungkapkan dengan persamaan gelombang Boch seperti tampak pada persamaan (2.60) Di dalam kristal fotonik. n1.. dengan R u v r r R R n a u v n a r r dengan i = 1.62) adalah fungsi vektor periodik yang memiliki hubungan sebagai berikut.64) .. . permitivitas bahan ε merupakan fungsi periodik dari posisi r.. fungsi gelombang yang merambat pada kisi periodik..61) (2.Laser Kristal Fotonik 73   ∂ 1 ∂r r ω2 r r ∂ 1 ∂ − + r r  H z (r// ) = 2 H z (r// ) c  ∂x ε (r//) ∂x ∂y ε (r//) ∂y    (2. maka berlaku teorema Bloch. Jika berkas gelombang masuk ke dalam kisi periodik. n2 = 1..

k// n (G// ) = ∑ r // ω k( En) 2 r (2. (2.3. r r r m1 = m2 = 1.k// n (G// ) c2 r r r r r r r r ′ ′ ′ κ (G// − G// )(k // + G// ) • (k // + G// ) H z .66) ke dalam persamaan (2.59) dan (2.74 Sahrul Hidayat r r r r r r r r r E z (r// ) = E z ..67) G = m1b1 + m2b 2 r r ˆ a ×z (2.k//n (G// ) = r G ′ // { } r E z .65) r r r r r r r r r H z (r// ) = H z ..70) G ′ // ω k( Hn) 2 r // c2 r H z .60) akan didapatkan persamaan nilai eigen sebagai berikut : r r r r r r r r ′ ′ ′ ∑ κ (G// − G// ) k // + G// k // + G// E z .71) .k// n (r// ) = ∑ E z .68) b1 = 2π r 2 r ˆ a1 × a2 • z r r ˆ z × a1 (2.k// n (G// ) (2.65) dan (2..2. Selanjutnya dengan mensubstitusikan persamaan (2.k// n (G// ) exp i (k // + G// ) • r// r { } } G // (2.k// n (G// ) exp i (k // + G// ) • r// r { G // (2..k// n (r// ) = ∑ H z .69) b2 = 2π r r ˆ a1 × a2 • z r r Dengan a1 dan a2 adalah vektor kisi real.66) r di mana k // merupakan vektor propagasi gelombang dan r G// merupakan vektor kisi balik kristal fotonik 2D. Vektor kisi balik kristal fotonik 2D didefinisikan sebagai berikut.

72).72) r Selanjutnya koefisien transformasi Fourier κ (G ) dapat dihitung dari invers transformasi Fourier persamaan (2.73) di mana Vo adalah volume dari unit sel di dalam kristal fotonik. Perhitungan integral tersebut sangat tergantung pada dimensi dan struktur model kristalnya. sehingga κ (Gz ) = 0 . Karena permitivitas bahan kristal fotonik bersifat r r periodik terhadap ruang { ε (r + ai ) = ε (r ) }.72): r κ (G ) = 1 Vo Vo r ∫ dr ε (r ) exp(− jG • r ) r 1 r r (2. Untuk kristal fotonik 2D berbentuk silinder-silinder ˆ yang periodik. konstanta dielektrik dalam arah z r homogen. r r r 1 r = ∑ κ (G ) exp( jG • r ) r ε (r ) G (2. Selanjutnya integral pada .Laser Kristal Fotonik 75 r κ (G// ) adalah koefisien ekspansi gelombang bidang yang dapat dihitung dengan menggunakan invers transformasi Fourier dari persamaan (2. maka dapat diungkapkan dalam bentuk deret Fourier sebagai berikut.

ϕ) seperti diungkapan pada persamaan (2. ε b permitivitas latar atau bahan di luar rongga.76) Di mana ε a adalah permitivitas bahan di dalam rongga.73) dapat dieliminasi hanya pada bidang xy r r saja. r κ (G// ) = dengan : 1 Vo ∫ dr Vo r // r r 1 r exp(− jG// • r// ) ε (r// ) (2. dan ra jari-jari rongga. yaitu κ (Gxy ) = κ (G// ) .74).78) . Selanjutnya.76 Sahrul Hidayat persamaan (2.74) 1 1  1 1 r +  −  S (r// ) r = ε ε (r// ) ε b  a ε b   0 S= 1 (2.75) dan (2. maka akan diperoleh persamaan (2. jika persamaan (2.77) r r 1 1 1 r r  −  ∫ dr// S (r// ) exp(− jG// • r// ) ε  ε b // Vo  a ε b Vo (2.76) disubstitusikan ke dalam persamaan (2.75) r r untuk r// ≤ ra r r untuk r// > ra (2.77) Integral tersebut dapat diselesaikan dalam koordinat polar r κ (G// ) = 1 δG + (r.

G// ≠ 0 r ε   a ε b  G ra r f 1− f .80) Vektor kisi balik kristal fotonik 2D adalah sebagai berikut: r r r r ˆ ˆ a ×z z×a (2.78) r 2π r  r  π  2πra ∫ d r ∫ dϕ r exp− G r sinϕ − 2  = G J1 (Gra )    0 0 r r Di mana r// = rxy yang di dalam koordinat polar dapat r diungkapkan dengan |r|. G// = 0 κ (0) = + εa εb (2.79) (2.81) b1 = 2π r 2 r b 2 = 2π r r 1 ˆ ˆ a1 × a 2 ⋅ z a1 × a 2 ⋅ z Struktur kisi kristal fotonik 2D terdiri dari kisi r r segiempat dan kisi segienam. . Vektor a1 dan a2 adalah komponen vektor satuan kisi real seperti ditunjukkan di dalam gambar 2. Jika didefinisikan fraksi volume untuk kisi silinder r 2 r π ra adalah f = . G = G // merupakan nilai absolut ra dari vektor kisi balik dan J1 merupakan fungsi Bessel orde pertama. maka diperoleh persamaan κ (G// ) Vo sebagai berikut : r r 1 1  J 1 (G ra ) r κ (G// ) = 2 f  −  .Laser Kristal Fotonik 77 r r r r dr// S (r// ) exp(− jG// • r// ) = ∫ Vo (2.13.

r r ˆ Untuk kisi segi empat a1 = ai dan a 2 = aˆ .14. Struktur kisi kristal fotonik 2D (a) kisi segi empat (b) kisi segi enam. j 2 dengan a adalah konstanta kisi. . j r r ˆ 2 ˆ sedangkan kisi segi enam a1 = ai dan a2 = 1 ai + 1 3aˆ .78 Sahrul Hidayat a1 M (a) a2 Γ X a1 M (b) a2 K Γ Gambar 2. Titik-titik khusus pada zona Brillouin berhubungan dengan rotasi simetri unit sel di dalam kristal seperti ditunjukkan pada gambar 2.13.

M merupakan titik sudut kisi yang berinteraksi dengan sel tetangga. X. Untuk kisi segi empat terdapat tiga titik khusus. dan X .14. Di dalam zona Brillouin pertama terdapat daerah khusus yang dibatasi titik Γ. Daerah tersebut merupakan wilayah terkecil yang secara simetri mewakili daerah lain di dalam zona Brillouin pertama. daerah tersebut dinamakan irreducible Brillouin zone.Laser Kristal Fotonik 79 Gambar 2. dan M. Titik-titik khusus di dalam zona Brillouin untuk kisi segi empat Daerah yang dibatasi oleh segi empat pertama dengan garis tebal adalah zona Brillouin pertama dan daerah yang dibatasi oleh segi emat kedua yang lebih besar adalah zona Brillouin kedua. yaitu Γ merupakan titik pusat kisi.

70).80 Sahrul Hidayat merupakan titik tepi kisi dalam zona Brillouin. Titik X bersesuaian dengan bagian tepi dari unit sel di mana medan saling berinteraksi dengan unit sel lain sepanjang r vektor gelombang k x . Sedangkan pada kisi segi enam terdapat titik-titik khusus Γ. k // = π i dan a r ˆ a j k // = π i + π ˆ . k // = π ˆ dan k // = 2aπ i + 23a ˆ .4. Persamaan nilai eigen untuk modus TE (transverse-electric) diperlihatkan pada persamaan (2. Pada titik M medan berinterakasi dengan unit sel tetangga yang berada di titik-titik sudut unit sel. Titik-titik tersebut merupakan titik-titik ekstrem dari bidang terkecil yang memenuhi simetri kisi kristal dalam zona Brillouin pertama. Pada kisi segi empat titik-titik r r ˆ tersebut bersesuaian dengan k // = 0. j a Selanjutnya dilakukan simulasi perhitungan nilai eigen dengan bantuan software Matlab 7. M merupakan titik tepi kisi. dan K merupakan titik sudut kisi dalam zona Brillouin pertama. dan K. masing-masing bersesuaian dengan r r r ˆ π j k // = 0. sedangkan untuk . M. Modus gelombang di titik Γ. profil a medannya bersifat sama untuk setiap unit sel.0. Sedangkan untuk kisi segi enam terdapat titik khusus Γ merupakan titik pusat kisi.

80) dapat dihitung nilai eigen ωk. dimensi Tampilan program yang telah dibuat diperlihatkan pada gambar 2.Laser Kristal Fotonik 81 modus TM ( (transverse-magnetic) diperlihatkan pada persamaan (2. bandgap fotonik untuk kristal fotonik 2 dimensi. Dengan bantuan persamaan (2. Gambar 2. Pada program tersebut terdapat . Tampilan program simulasi pembentukan 15.79).71).75). ).15. (2.15. dan (2.n.

Sebagai menu tambahan.16. Untuk menguji keakuratan program simulasi yang telah dibuat..9 Konstanta dielektrik latar (ε2) : 1 (udara) Jari-jari silinder (R) : 0. susunan kisi. al. (1995). et. Parameter kisi yang diuji adalah sebagai berikut : • • • Konstanta dielektrik silinder (ε1) : 8. dengan a : jarak antarkisi (satuan panjang) Hasil perhitungan dari Joannopoulus tersebut diperlihatkan pada gambar 2. dan jari-jari rongga. maka mode edit dapat diaktifkan. Dengan menggunakan . konstanta dielektrik latar.82 Sahrul Hidayat beberapa parameter yang dapat diubah. juga dapat diubah disesuaikan dengan kebutuhan. modus perambatan gelombang. yaitu jenis kisi 2D. konstanta dielektrik rongga.2a . Selain itu jumlah pita fotonik yang akan diplot dan frekuensi maksimum yang akan ditampilkan. jika menginginkan proses editing pada grafik yang ditampilkan.D. dilakukan dengan membandingkan hasil simulasi tersebut dengan hasil perhitungan dari Joannopoulus J. Joannopoulus melakukan perhitungan lebar bandgap fotonik untuk struktur kristal 2D berbentuk silinder dielektrik dengan susunan kisi segi empat.

Laser Kristal Fotonik 83 parameter kisi yang sama. Grafik bandgap fotonik hasil simulasi Joannopoulus. hasil perhitungan menggunakan program yang telah dibuat. Gambar 2. Gambar 2. disajikan pada gambar 2.17. .16. Grafik bandgap fotonik hasil simulasi mandiri.17.

23 λ yang berada pada rentang 0.84 Sahrul Hidayat Berdasarkan grafik pada gambar 2. Tabel 2.16 dan gambar 2. Pada titik X. tampak bahwa hasil perhitungan dengan program simulasi yang telah dibuat menunjukkan hasil yang sama dengan hasil perhitungan dari Joannopoulus.3 0. nilai PBG sekitar 0.45 λ .33 λ sampai 0. Karakteristik bandgap kristal fotonik 2D berbentuk rongga silinder.17.2. Selanjutnya. yang bersesuaian dengan nilai vektor propagasi r a ˆ a j k // = π i + π ˆ .17 λ yang berada pada a a a rentang 0.28 λ sampai 0.45 Modus/Konstanta dielektrik latar kisi segi empat modus TE modus TM 8 11 14 8 11 14 SM SM SM SM SM SM SD SD SD . R (a) 0.4 0.1.56 λ . Sedangkan di titik M yang r ˆ bersesuaian dengan nilai k // = π i . Hasil pengujian untuk beberapa parameter kisi yang berbeda disajikan pada tabel 2.1 dan tabel 2.2 0. nilai PBG sekitar a a a a 0. dilakukan pengujian variasi parameter kisi untuk mengetahui pengaruh parameter tersebut terhadap karakteristik bandgap fotonik.

45 8 8 Modus/Konstanta dielektrik silinder kisi segi empat modus TE modus TM 11 14 8 11 14 LB LB LB SD SD SD SM SM SM Modus/Konstanta dielektrik silinder kisi segi enam modus TE modus TM 11 14 8 11 14 LB LB LB SM SM SD SD SD SM SM SM SM SM - Simbol SM mengandung arti lebar bandgap fotonik kurang dari 5%.4 0.4 0.3 0.2 0. dan LB untuk lebar bandgap fotonik .4 0. SD lebar bandgap fotoniknya antara 5% sampai dengan 10%.2 0.2 0. Karakteristik bandgap kristal fotonik 2D berbentuk silinder dielektrik R (a) 0.45 R (a) 0.3 0.2.Laser Kristal Fotonik 85 R (a) 0.45 Modus/Konstanta dielektrik latar kisi segi enam modus TE modus TM 8 11 14 8 11 14 SD SD SD LB LB LB SM SM SM LB LB LB SM SD SD Tabel 2.3 0.

Bandgap sama sekali tidak muncul pada struktur kisi segi empat dengan modus TE.2 dapat diketahui bahwa untuk kristal fotonik berbentuk silinder dielektrik.1 dapat diketahui bahwa untuk kristal fotonik berbentuk rongga silinder. Berdasarkan hasil perhitungan pada tabel 2. Prinsip dasar yang digunakan bisa dengan sistem umpan balik terdistribusi atau dengan menambahkan cacat yang berfungsi . Seperti diungkapkan dalam pembahasan sebelumnya bahwa kristal fotonik 2D dapat diaplikasikan sebagai resonator optik dalam divais laser. Sedangkan berdasarkan tabel 2.86 Sahrul Hidayat lebih dari 10%. berdasarkan tabel tersebut dapat diketahui juga adanya bandgap komplit (terjadi pada modus TE dan TM) dengan lebar sedang. Bandgap tersebut terjadi pada kisi segi enam dengan konstanta dielektrik latar lebih besar dari 11 dan jari-jari rongga 0. Selain itu. bandgap yang lebar hanya ditemukan pada struktur kisi segi enam dengan modus TE.45a. Lebar bandgap tersebut tampak mengalami penurunan seiring dengan bertambah panjangnya jari-jari rongga silinder. bandgap yang lebar terjadi pada kisi segi empat ataupun segi enam dengan modus TM.

Kavitas optik berbasis kristal fotonik 2D dengan cacat tunggal. Gambar 2.Laser Kristal Fotonik 87 melokalisasi modus propagasi. .19 untuk sistem cacat banyak. kristal Contoh fotonik divais 2D laser yang sistem menggunakan dengan penambahan cacat diperlihatkan pada gambar 2.18 untuk sistem cacat tunggal dan gambar 2. secara prinsip sama dengan sistem UBT kisi Bragg yang telah dibahas pada subbab sebelumnya. Sistem umpan balik terdistribusi kisi 2D.18. Untuk divais laser yang menggunakan prinsip penambahan cacat. secara fisis daerah cacat tersebut berfungsi sebagai kavitas optik. Penguatan berkas laser dilakukan pada daerah frekuensi tepi pita (band edge) yang merupakan daerah tempat terkonsentrasinya modus propagasi. Kavitas optik akan berfungsi menyeleksi frekuensi modus terpandu dan memperkuat intensitas berkas tersebut sebelum keluar sebagai berkas laser.

. Kavitas optik berbasis kristal fotonik 2D dengan cacat banyak (multi defect).88 Sahrul Hidayat Gambar 2.19.

Pada gambar 3. bahan tersebut memiliki kelemahan dalam hal kekuatan mekanik dan kestabilan termal. Komponen pembentuk polimer hibrid umumnya terbentuk dari tiga jenis bahan yang . Bahan organik memiliki keunggulan dalam proses fabrikasinya karena dapat dilakukan pada suhu ruang dengan menggunakan teknologi yang tidak terlalu mahal.1 tampak skematik komponen pembentuk polimer hibrid. Sebaliknya. bahan anorganik memiliki kelebihan dalam kekuatan termal dan mekanik tetapi proses fabrikasinya cukup sulit dan mahal. Namun.BAB III POLIMER HIBRID Polimer hibrid merupakan bahan yang mengandung unsur organik dan anorganik dalam satu molekul. Bahan ini diharapkan memiliki kombinasi sifat unggul dari bahan organik dan anorganik.

dan stabil terhadap suhu tinggi. Aplikasi polimer organik sangat luas. Selain itu. Polimer organik memiliki sifat kuat atau tidak mudah patah. dan mudah dalam proses fabrikasinya.90 Sahrul Hidayat sudah banyak dimanfaatkan dalam beragam aplikasi. on. Skematik komponen pembentuk polimer hibrid. khususnya dalam teknologi bedah plastik. polimer organik. Silikon banyak dipakai di dalam bidang medis. Gambar 3. resistan terhadap senyawa kimia atau oksidan. dari mulai peralatan rumah tangga sampai peralatan teknologi canggih. nya itu karena tahan terhadap suhu tinggi. Selain itu polimer organik memiliki peranan penting dalam teknologi d . yaitu silikon. Silikon memiliki sifat elastik. dan keramik.1. silikon banyak juga diaplikasikan sebagai bahan perekat dan gasket pada peralatan yang bekerja pada suhu tinggi. sangat s fungsional untuk berbagai jenis aplikasi teknologi.

dan banyak lagi aplikasi lainnya. Keramik memiliki sifat yang kuat. Aplikasi tersebut bergantung pada modifikasi sifat dan struktur yang dilakukan. Polimer hibrid juga telah dimodifikasi dengan senyawa titanium isopropoxide sehingga dihasilkan bahan yang memiliki absorbansi yang cukup kuat pada daerah ultra violet sehingga dapat diaplikasikan sebagai bahan dasar coating. di antaranya melalui penambahan bahan lain yang disebut doping. Keramik banyak diaplikasikan untuk peralatan rumah tangga khususnya tempat-tempat makanan. serta bersifat transparan. Polimer hibrid dapat juga diaplikasikan sebagai bahan luminesen dengan . stabil terhadap pengaruh suhu dan zat kimia. Telah dilaporkan bahwa polimer hibrid dapat dimodifikasi dengan senyawa zirconium propoxide sehingga menjadi bahan yang memiliki nilai indeks bias yang cukup tinggi dan dapat diaplikasikan sebagai pandu gelombang.Polimer Hibrid 91 pengemasan khususnya untuk pengemasan berbagai peralatan elektronik. kaca jendela. Polimer hibrid memiliki aplikasi yang menarik. sehingga diharapkan memiliki kombinasi sifat unggul dari komponen penyusunnya. penyekat. Polimer hibrid merupakan gabungan dari ketiga komponen tadi.

Polimer hibrid dapat berbentuk anorganik-organik atau organik-anorganik. sedangkan polimer organikanorganik sebaliknya. Rantai . Jenis polimer hibrid yang dikaji dalam penelitian ini adalah yang berbasis siloksan. Divais yang berbasiskan polimer hibrid dapat diproduksi dengan harga murah karena proses pembuatannya tidak membutuhkan teknologi vakum yang mahal. dan ketahanan terhadap cuaca yang lebih baik. unsur tanah jarang atau logam kompleks. Rhodamin 6G telah diteliti dengan menggunakan PMMA sebagai matriks dan menghasilkan emisi cahaya berupa laser dengan panjang gelombamg di sekitar 580 nm. resistansi kimia. melainkan dengan teknik spincasting yang murah. Penelitian tentang bahan luminesen yang didoping dengan bahan dye laser berupa perylene orange.92 Sahrul Hidayat menambahkan kromofor seperti dye laser. divais yang dibuat dari polimer hibrid dapat diharapkan tahan lama karena pada matriks polimer hibrid yang dipakai terdapat rantai anorganik sehingga memiliki stabilitas termal. Selain itu. Polimer anorganik-organik terdiri dari bagian anorganik pada rantai utama dan bagian organik pada rantai cabang.

Selanjutnya untuk pembuatan divais dapat dilakukan dengan teknik sederhana seperti spin coating. polimer hibrid diperoleh pol dengan cara sintesis dari methacrylate monomer 3- (Trimethoxysilyl)propyl (TMSPMA).2. sedangkan rantai cabang mengandung gugus metakrilat. Hal tersebut sangat menguntungkan karena teknik pemrosesannya dapat dilakukan secara kimia melalui proses pelarutan. dip coating.2. TMSPMA . gug Kehadiran gugus metakrilat akan memengaruhi sifat diran mem kelarutan polimer hibrid menjadi lebih mudah melarut h dalam pelarut organik. Struktur kimia molekul TMSPMA. atau spraying. Dalam penelitian yang dilakukan.Polimer Hibrid 93 utama terdiri dari perulangan Si (silikon) dan O (oksigen). Struktur kimia molekul TMSPMA ditampilkan pada gambar 3. Gambar 3.

selama proses sol sol-gel dan proses foto polimerisasi diperlihatkan pada gambar 3. Skematik reaksi kimia pada proses sol-gel sol dan foto polimerisasi.3. Hasil proses tersebut merupakan prekursor polimer hibrid Secara skematik.3. Teknik sol-gel merupakan gan sol proses pembentukan suspensi koloid (sol) dan pembentukan rantai anorganik yang disertai perubahan fasa menjadi gel. Gambar 3. .94 Sahrul Hidayat Proses Sintesis Polimer Hibrid Proses sintesis polimer hibrid terdiri dari dua ses tahapan proses yaitu polimerisasi bagian anorganik dan dilanjutkan dengan polimerisasi bagian organik. reaksi kimia hibrid. Proses polimerisasi bagian anorganik dilakukan dengan teknik sol-gel sedangkan polimerisasi bagian organik dilakukan gel dengan teknik foto polimerisasi.

foto inisiator yang digunakan adalah IRGACURE-819 dan IRGACURE-369. seperti diperlihatkan pada gambar 3. Dengan bantuan energi cahaya. Proses foto polimerisasi tersebut sangat dipengaruhi oleh konsentrasi inisiator. Di dalam penelitian ini. Proses perpanjangan rantai polimer (propagasi) akan terus berlangsung sampai terjadi terminasi yaitu saat bertemu dengan gugus radikal yang lain. Proses foto polimerisasi diawali dengan pembentukan gugus radikal yang dipicu oleh inisiator. inisiator akan berubah menjadi radikal dan menyerang gugus metakrilat.Polimer Hibrid 95 Proses foto polimerisasi berkaitan dengan pembentukan polimer organik pada rantai bagian cabang. intensitas cahaya.4. . Proses pembentukan radikal pada inisiator berlangsung dengan bantuan energi cahaya (hν). dan waktu penyinaran. Proses tersebut akan memutus ikatan rangkap C=C sehingga gugus metakrilat menjadi reaktif dan akan bereaksi dengan gugus metakrilat yang lain.

Aldich). Merck).a. Merck).a. Perbandingan volume antara TMSPMA dan etanol adalah 1:4. Bahan-bahan lain yang digunakan Bahan dalam eksperimen ini adalah inisiator IRGACURE 819 IRGAC (Ciba). etanol (p. IRGACURE 369 (Ciba).a. Merck). Proses pembentukan radikal pada inisiator. pelarut toluen (p. Merck). dan HCl (p. Proses sintesis prekursor polimer hibrid terdiri dari empat tahapan sebagai berikut: a.4. chloroform (p. Monomer TMSPMA dilarutkan di dalam etanol dan diaduk menggunakan magnetic stirrer pada suhu ruang selama satu jam.a. inisiator Bahan-bahan yang digunakan dalam proses sintesis bahan prekursor polimer hibrid terdiri dari monomer TMSPMA (Aldrich).96 Sahrul Hidayat Gambar 3. dan dye laser DCM (4-dicyanmethylene-2( methyl-6-(p-dimethyl dimethyl-aminostyryl)-4H -Pyran. .

Reaksi kondensasi dilakukan dengan menambahkan 0. Air DI (deionized water) ditambahkan sedikit demi sedikit ke dalam larutan monomer sampai perbandingan volume air dan etanol 2:1. Inisiator Irgacure-819 digunakan apabila proses foto polimerisasi dilakukan dengan sumber cahaya lampu UV biasa atau sumber UV dari laser semikonduktor.1M HCl dengan TMSPMA adalah 1:8.). Perbandingan volume antara 0.Polimer Hibrid 97 b.1M HCl ke dalam campuran pada tahap (b). Tahapan proses ini dinamakan dengan reaksi hidrolisis. Selanjutnya campuran diaduk menggunakan magnetic stirrer dengan kecepatan sekitar 200 rpm pada suhu 65oC selama satu malam. Hasil dari proses ini adalah prekursor polimer hibrid yang berfasa gel dan masih bercampur dengan zat-zat sisa reaksi. d. Tahap terakhir adalah purifikasi untuk menghilangkan zat-zat sisa reaksi menggunakan khloroform. Proses selanjutnya adalah mencampurkan larutan prekursor polimer hibrid dengan fotoinisiator Irgacure-819 atau Irgacure-369 (Ciba Speciality Chemical Inc. . c.

1% berat. Larutan yang dihasilkan disaring dengan mikrofilter ukuran 0.98 Sahrul Hidayat Sedangkan inisiator Irgacure-369 digunakan untuk proses foto polimerisasi menggunakan Third Harmonic Generation (THG) laser Nd:YAG yang memiliki panjang gelombang 355 nm. konsentrasi DCM yang digunakan adalah 0. Proses selanjutnya adalah pembuatan film tipis polimer hibrid di atas substrat kaca dengan teknik spincoating. sebelum penambahan inisiator. Campuran tersebut selanjutnya diaduk dengan pengaduk magnetik sampai terbentuk larutan yang homogen. Sebelum digunakan.1% dan 0. substrat kaca dibersihkan berturut-turut dengan tepol. Khusus untuk aplikasi divais laser.2% berat. dan . Proses doping prekursor polimer hibrid dengan dye laser DCM dilakukan dengan melarutkan prekursor dan DCM di dalam khloroform. Proses pencampuran prekursor polimer hibrid dengan inisiator dibantu dengan pelarut khloroform atau toluen. prekursor polimer hibrid didoping terlebih dahulu dengan dye laser DCM. 0.45 µm dan selanjutnya dikentalkan.04%. aquades. Konsentrasi dye laser DCM dalam prekursor dibuat dalam beberapa variasi yaitu 0. aseton. Khusus untuk aplikasi divais laser.

Pada tahap akhir pembersihan. Selanjutnya dilakukan proses foto polimerisasi di dalam chamber tertutup. Proses foto polimerisasi dilakukan dengan menggunakan dua sumber cahaya. film tipis yang dihasilkan diproses prebaking pada suhu 50oC selama 10 menit. Semua tahap pembersihan dilakukan di dalam ultrasonic bath. substrat dikeringkan di dalam oven dengan suhu 60oC. Sebelum proses foto polimerisasi.Polimer Hibrid 99 isopropanol. Penggunaan gas nitrogen dimaksudkan untuk menghindari kontak antara permukaan film tipis dengan oksigen yang dapat mengganggu proses polimerisasi. Langkah terakhir adalah proses post-baking pada 50oC selama 6 jam. Proses foto polimerisasi dilakukan di dalam chamber yang dialiri dengan gas nitrogen. Proses tersebut bertujuan untuk menghilangkan pelarut yang telah digunakan pada saat penambahan inisiator. masing-masing selama kurang lebih 20 menit. Pertama untuk keperluan karakterisasi optik polimer hibrid. Proses post-baking bertujuan untuk mengeringkan dan memperkuat daya rekat polimer hibrid pada substrat. proses foto polimerisasi dilakukan dengan .

100 Sahrul Hidayat menggunakan sumber lampu UV biasa yang berasal dari laser semikonduktor. Proses foto polimerisasi dengan sumber laser semikonduktor (λ=417 nm). Sedangkan untuk grating.6. Sedangkan untuk proses pembuatan grating.5. dan spektrum emisi. Setelah proses foto polimerisasi. foto mikro.5. seperti tampak pada gambar 3. selanjutnya dilakukan karakterisasi kinerjanya sebagai divais laser. spektrum absorpsi UV-Vis. selanjutnya dilakukan karakterisasi yang terdiri dari pengukuran spektrum infra red. proses foto polimerisasi dilakukan dengan sumber laser THG Nd:YAG. . seperti tampak pada gambar 3. Lampu UV ± 25 cm Gas nitrogen Chamber film tipis Gambar 3. Pola berkas cahaya dalam proses pembuatan grating dihasilkan dengan metode interferensi Lloyd Mirror.

da emisi bertujuan untuk mengetahui rentang frekuensi absorpsi dan emisi dari bahan. Alat-alat yang digunakan Alat dalam proses karakterisasi tersebut adalah sebagai berikut. Pengukuran foto mikro bertujuan untuk mengetahui profil permukaan. ( Pengukuran spektrum infra red bertujuan untuk mengetahui ahui struktur kimia bahan dan mengamati perubahan struktur kimia selama proses foto polimerisasi. .Polimer Hibrid 101 Gambar 3.6. homogenitas. Proses foto polimerisasi dengan sumber cahaya laser Nd:YAG (λ=355nm). dan menentukan periodisitas grating. Sedangkan pengukuran spektrum absorpsi dan .

Spektrofotometer absorpsi UV-Vis. Gambar 3.8.102 Sahrul Hidayat Gambar 3. Merek Bruker tipe Tensor 27. nano-hybrid Gambar 3. . Atomic force microscopy.7. Spektrofotometer fourier transform infra red.9. tipe UV-Vis-Near 3150. Merek Keyence. Merek Shimadzu.

proses sol-gel terdiri dari reaksi hidrolisis dan kondensasi yang melibatkan bagian anorganik dari monomer TMSPMA. Karakteristik Polimer Hibrid Polimer hibrid dihasilkan dengan cara sintesis dari monomer TMSPMA dengan metode sol-gel. Secara kimia. Selama proses sol-gel. tampak reaksi kimia proses sol-gel berjalan dengan penambahan H2O dan katalis H+. Penambahan H2O menyebabkan terjadinya reaksi hidrolisis. sedangkan penambahan katalis H+ memicu munculnya radikal pada gugus SiO yang diikuti dengan perpanjangan rantai. energi radiasi telah menyebabkan terbentuknya radikal pada gugus inisiator.Polimer Hibrid 103 Gambar 3. antargugus anorganik terjadi reaksi berantai membentuk rangkaian gugus silikat yang berulang (polimer). . Pada proses foto polimerisasi.3. Pada gambar 3.10. Merek Hitachi tipe F 4500. Spektrofotometer emisi.

5 menit. ini mengindikasikan jumlah ikatan rangkap C=C dalam molekul tersebut masih banyak. Setelah proses foto polimerisasi selama 4.11 tampak penurunan intensitas absorpsi IR pada daerah 1638 cm-1. absorpsi pada 1638 cm-1 mengalami penurunan yang cukup tajam. Perubahan struktur kimia selama reaksi foto polimerisasi diamati secara in-situ dengan pengukuran spektroskopi IR.11. Reaksi foto polimerisasi ditandai juga dengan perubahan warna film dari buram menjadi bening seperti kaca. yang mengindikasikan perubahan ikatan C=C setelah foto . tampak penurunan puncak absorpsi tidak terlalu tajam. Reaksi tersebut menghasilkan jaringan ikatan gugus organik yang diikuti dengan perubahan fasa dari gel menjadi padat. Tampak sebelum proses foto polimerisasi.104 Sahrul Hidayat Gugus radikal tersebut menyerang ikatan lemah C=C sehingga memicu terjadinya reaksi berantai dengan ikatan C=C pada gugus lainnya. Hal tersebut mengindikasikan telah terjadi pengurangan ikatan rangkap C=C. Setelah 15 menit proses foto polimerisasi. absorpsi pada 1638 cm-1 sangat tinggi. Hasil pengukuran spektroskopi IR selama foto polimerisasi terjadi ditampilkan pada gambar 3. Pada gambar 3.

12.5 menit berlangsung lambat. Pengukuran dilakukan untuk polimer hibrid sebelum dan sesudah proses foto polimerisasi. Spektrum FTIR hasil pengukuran secara insitu selama proses foto polimerisasi. Pada gambar tersebut tampak munculnya puncak absorpsi pada 1112 cm-1 dan 779 cm-1 yang mengindikasikan keberadaan gugus –Si–O– .Polimer Hibrid 105 polimerisasi 4.11. Perubahan ikatan C=C menjadi C−C tersebut mengindikasikan terjadinya reaksi polimerisasi pada gugus organik seperti diperlihatkan pada gambar 3. Gambar 3. Hasil pengukuran spektroskopi FTIR untuk rentang frekuensi yang lebih lebar diperlihatkan pada gambar 3. Selama proses foto polimerisasi ikatan rangkap C=C berubah menjadi ikatan tunggal C−C.3.

Spektrum FTIR untuk prekursor polimer hibrid dan polimer hibrid. Kandungan gugus organik C=C terlihat pada 1635 cm . -1 -1 Vibrasi pada bilangan gelombang 1714 cm menunjukkan adanya gugus C=O. Pada spektrum tersebut terlihat puncak-puncak vibrasi pada bilangan gelombang 3465 cm-1 yang menggambarkan kandungan gugus O–H. Vibrasi pada bilangan gelombang 2954 cm-1 dan 2889 cm-1 berkaitan dengan gugus C–H.12. Gugus tersebut berasal dari rantai anorganik polimer hibrid.u] Prekursor Polimer 120 100 80 60 40 4000 3500 3000 2500 2000 -1 1500 1000 500 k [cm ] Gambar 3.106 Sahrul Hidayat Si– simetrik dan asimetrik. Adanya ikatan anorganik –Si–O–Si– menunjukkan bahwa proses sol-gel telah berhasil membentuk rantai polimer pada gugus anorganik. 180 160 140 T [a. Hasil pengukuran foto mikro untuk film polimer .

permukaan polimer hibrid yang didoping dengan DCM tampak lebih halus dibandingkan dengan yang tanpa doping. Pada gambar 3.14 tampak foto permukaan dari film polimer hibrid yang tanpa dan dengan didoping DCM.14.14. Profil permukaan film polimer hibrid. Hal tersebut diduga gugus DCM telah mengisi rongga-rongga .13 dan gambar 3. Dengan skala pembesaran yang sama.13 dan 3. Gambar 3. Gambar 3.Polimer Hibrid 107 hibrid yang tidak didoping dan yang didoping dengan DCM diperlihatkan pada gambar 3. Profil permukaan film polimer hibrid yang didoping dengan DCM.13.

sumber pemompa yang dapat digunakan berada pada rentang panjang gelombang 400 sampai dengan 550 nm. Hasil pengukuran spektroskopi absorpsi UV-Vis diperlihatkan pada gambar 3. spektrum absorpsi tersebut memberikan informasi mengenai panjang gelombang pemompa yang harus digunakan apabila akan diaplikasikan sebagai divais laser. Puncak absorpsi muncul pada panjang gelombang 470 nm baik untuk pengukuran sebelum ataupun sesudah proses foto polimerisasi.108 Sahrul Hidayat mikroskopik pada polimer hibrid. Efektivitas penyerapan energi foton terlihat lebih baik ketika sudah menjadi polimer hibrid dibandingkan dalam kondisi prekursornya. Berdasarkan kurva tersebut. Selain itu. . Rentang panjang gelombang tersebut bersesuaian dengan emisi cahaya biru sampai dengan hijau.15. Hasil ini mengindikasikan bahwa dye laser DCM dapat bercampur secara homogen dengan polimer hibrid. Hal tersebut ditandai dengan besarnya intensitas absorpsi sesudah proses foto polimerisasi. Hal tersebut mengakibatkan sebaran molekul-molekul pada proses pembuatan film menjadi lebih merata.

16 memperlihatkan spektrum emisi dari polimer hibrid yang didoping dengan DCM. Puncak panjang gelombang emisi untuk kondisi sebelum proses foto polimerisasi adalah 580 nm dan sesudah foto polimerisasi adalah 565 nm. .15. fenomena ini disebabkan oleh adanya perbedaan bandgap optik pada film sebelum dan sesudah foto polimerisasi. Gambar 3. Spektrum absorpsi UV-Vis polimer hibrid sebelum dan sesudah proses foto polimerisasi. sedangkan sebelum foto polimerisasi warna yang diemisikan cenderung kemerahan.Polimer Hibrid 109 Gambar 3. Untuk kondisi sesudah foto polimerisasi warna yang diemisikan adalah oranye. Hal tersebut menunjukkan adanya pergeseran frekuensi emisi ke arah yang lebih tinggi. Secara fisis.

Menurut teori kuantum. Spektrum emisi film polimer hibrid yang didoping dengan DCM. dapat diketahui bahwa sebelum foto polimerisasi. Jika lebar bandgap optiknya lebih sempit maka panjang gelombang yang diemisikan akan bergeser ke arah yang lebih besar. ikatan C=C berkurang dan berubah menjadi C−C. Sedangkan pada kondisi sesudah foto polimerisasi. Fenomena tersebut dapat diamati dari warna yang diemisikan akan berubah dari kemerahan menjadi oranye. .110 Sahrul Hidayat Gambar 3. bandgap optik untuk gugus yang mengandung C=C akan lebih sempit dibandingkan dengan yang mengandung C−C. Berdasarkan spektrum IR. gugus organik pada rantai polimer banyak mengandung ikatan rangkap C=C.16.

BAB IV LASER POLIMER HIBRID BERBASIS KISI 1D

Kristal fotonik memiliki karakteristik yang sangat menarik untuk aplikasi sebagai divais laser. Kristal fotonik dapat berfungsi sebagai cermin yang memiliki efisiensi refleksi tinggi dan dapat menyeleksi panjang gelombang tertentu dengan prinsip bandgap. Salah satu jenis kristal fotonik yang dapat diaplikasikan sebagai divais laser adalah kristal fotonik satu dimensi (1D) dalam bentuk kisi dengan prinsip umpan balik terdistribusi (UBT). Sebagaimana telah dijelaskan dalam bab

sebelumnya, bahwa difraksi oleh media yang periodik dapat memodifikasi sifat propagasi cahaya. Berkas gelombang yang masuk ke dalam struktur kisi akan mengalami difraksi. Masing-masing modus difraksi akan mengalami modulasi secara periodik dan akan terpandu

112 Sahrul Hidayat

sepanjang lapisan. Keunikan dari sistem kisi ini adalah, hanya berkas gelombang yang memiliki panjang

gelombang tertentu saja yang akan mengalami pemantulan dan terpandu sepanjang lapisan. Berkas gelombang tersebut adalah yang memenuhi kondisi Bragg, yang secara matematis diungkapkan dengan hubungan seperti pada persamaan (4.1). mλ 2n Λ (4.1)

dengan m adalah modus perambatan gelombang, λ adalah panjang gelombang Bragg, nef adalah indeks bias efektif bahan, dan Λ adalah periode kisi. Jika suatu bahan aktif ditambahkan ke dalam sistem kisi Bragg, maka akan dihasilkan divais pandu gelombang dengan sistem umpan balik terdistribusi (UBT). Sistem UBT memiliki pita terlarang di sekitar panjang gelombang Bragg di mana cahaya tidak bisa berpropagasi di dalam media tersebut. Pada tepi pita terlarang, cahaya dapat berpropagasi dan mengalami umpan balik sehingga terjadi penguatan daya. Proses Fabrikasi Divais Laser Berbasis Kisi 1D Fabrikasi divais laser berbasis UBT terdiri dari beberapa tahapan proses. Tahapan pertama adalah

Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 113

persiapan bahan yaitu sintesis polimer hibrid yang telah dijelaskan sebelumnya pada bab 3. Tahapan selanjutnya berturut-turut adalah persiapan substrat, pembuatan

lapisan tipis, dan pembuatan kisi Bragg. Tahapan persiapan substrat dan pembuatan lapisan tipis juga telah dibahas pada bab 3, yaitu tahapan sebelum dilakukan karakterisasi. Secara prinsip, persiapan substrat dan pembuatan lapisan tipis untuk divais laser adalah sama dengan untuk keperluan karakterisasi. Oleh sebab itu, yang akan menjadi fokus bahasan selanjutnya pada bab ini adalah teknik pembuatan kisi Bragg untuk divais laser. Sebagaimana telah diuraikan pada bab sebelumnya, prekursor polimer hibrid yang telah ditambah inisiator memiliki sensitivitas terhadap cahaya UV. Dengan proses foto polimerisasi, prekursor polimer hibrid akan berubah menjadi polimer hibrid dan fasanya berubah dari gel menjadi padat. Dengan prinsip tersebut, jika proses foto polimerisasi berlangsung dengan berkas cahaya UV yang terpola, maka perubahan polimer hibrid pun akan mengikuti pola cahaya tersebut. Dengan kata lain, bagian yang terpolimerisasi atau yang berubah menjadi fasa padat hanya bagian yang terkena cahaya saja.

114 Sahrul Hidayat Untuk proses pembuatan kisi. Λ (4. dapat dilakukan dengan cara membuat pola cahaya berbentuk kisi di atas lapisan prekursor polimer hibrid.6. seperti tampak pada gambar 3. teknik pembuatan pola cahaya dilakukan dengan metode interferensi Lloyd Mirror. Sumber laser yang digunakan adalah Nd:YAG dengan panjang gelombang 355 nm. Interferensi akan terjadi pada sampel dan membentuk pola cahaya gelap terang secara teratur.2).2) Di mana Λ adalah periode kisi. Untuk mendapatkan kisi dengan kualitas bagus harus dilakukan optimasi daya dan lama . λc adalah panjang gelombang laser. Dalam bahasan di sini. Daya maksimum laser tersebut sekitar 1 watt dan dapat diset sesuai dengan kebutuhan. Di dalam metode Lloyd Mirror sampel ditempatkan tegak lurus terhadap cermin. dan θ adalah sudut antara berkas datang dengan bidang cermin. Berkas laser melewati pelebar berkas sehingga diameternya membesar dan dalam eksperimen ini diameter laser diset sekitar 1 cm. Jarak antara garis terang yang satu dengan garis terang yang di sebelahnya sesuai dengan hukum interferensi cahaya yang secara matematis diungkapkan seperti pada persamaan (4.

telah dilakukan fabrikasi kisi 1D dengan sudut θ=10o. Sebagai contoh. Gambar 4.1. Dengan pengukuran AFM dapat diketahui profil permukaan kisi dan sekaligus periodisitas kisinya dapat dihitung.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 115 penyinaran.2.1 dan gambar 4. power laser diset 320 watt dan waktu penyinaran 1 detik. . Gambar AFM untuk sampel yang dibuat dengan sudut θ=10°. Hasil pengukuran AFM untuk sampel tersebut diperlihatkan pada gambar 4. Waktu penyinaran mengatur waktu bukaan shutter. dapat diset dengan Untuk mengecek kualitas kisi yang telah dibuat dilakukan pengukuran AFM (atomic force microscopy).

Untuk menghilangkan bagian yang tidak terpolimerisasi. Hasil pengukuran kedalaman dan periode grating dengan software AFM-analyser. Gambar yang besar merupakan foto grating dengan sudut penglihatan tegak lurus terhadap permukaan film. Periode grating yang terukur dari foto AFM tersebut adalah 1064 nm.5 cm2. Lebar gambar yang diambil sekitar 50x50 µm2 dari total lebar sampel film sekitar 0.116 Sahrul Hidayat Pada gambar 4. dilakukan proses etching menggunakan khloroform.1 tampak pola kisi 1D dengan kualitas permukaan halus. Berdasarkan sampel foto permukaan tersebut. tampak bahwa film polimer hibrid yang dicampur dengan bahan dye laser dapat terfoto-polimerisasi mengikuti pola berkas cahaya yang mengenainya. Gambar 4. Proses etching akan .2.

Analisis tersebut bertujuan untuk mengetahui profil 3 dimensi dari permukaan film. berdasarkan analisis ini dapat diketahui juga periode kisi.3 Spektrum absorpsi dan emisi film polimer hibrid yang dicampur DCM . yaitu sekitar 1064 nm. Gambar 4.1. Gambar 4.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 117 melarutkan sisa-sisa prekursor polimer hibrid yang berfasa gel dari permukaan film. Hasil akhir yang didapatkan adalah film yang permukaan terpola dengan fasa padat seperti terlihat pada gambar 4. Selain itu.2 memperlihatkan hasil analisis dari foto AFM menggunakan software VN-analyser. Berdasarkan gambar tersebut dapat diketahui bahwa pada permukaan film terbentuk kisi yang berpola sinusioda dengan kedalaman sekitar 115 nm.

berkas pemompa yang digunakan adalah laser SHG (second harmonic generation) Nd:YAG dengan panjang gelombang 532 nm. Rentang panjang gelombang emisi diperlukan untuk menghitung periodisitas kisi yang harus dibuat di dalam divais laser. panjang gelombang Bragg harus berada pada daerah emisi bahan. Jika yang digunakan untuk proses pemompaan bukan berkas laser. maka perhitungan daya yang diserap oleh bahan sulit dilakukan karena daerah frekuensinya lebar.3 memperlihatkan hasil pengukuran spektrum absorpsi dan emisi film polimer hibrid yang mengandung DCM. Dalam hal ini.118 Sahrul Hidayat Gambar 4. Panjang gelombang absorpsi memberikan informasi mengenai daerah frekuensi pemompa efektif apabila diaplikasikan sebagai berkas laser. Berdasarkan gambar tersebut tampak bahwa panjang gelombang absorpsi berada pada rentang ∼420 nm sampai dengan ∼530 nm dan panjang gelombang emisi berada pada rentang ∼530 nm sampai dengan ∼660 nm. Di dalam eksperimen ini. Sumber cahaya tersebut digunakan dengan alasan memiliki kemudahan dalam perhitungan daya pemompa yang terserap oleh bahan. Jika demikian. maka rentang panjang gelombang Bragg adalah 530 nm .

maka dapat diperoleh periodisitas kisi berada pada rentang 351 nm sampai dengan 437 nm. Λ (4. maka dapat dihitung rentang sudut θ menggunakan persamaan (4. maka dapat dihitung periodisitas kisi yang bersesuaian dengan rentang panjang gelombang Bragg tersebut menggunakan persamaan (4. dan 27°. Dengan mensubstitusikan rentang periodisitas kisi Λ dan panjang gelombang laser λ ke dalam persamaan (4. yaitu 25°. metode Jika pembuatan kisi interferensi cahaya menggunakan sumber cahaya laser Nd:YAG dengan panjang gelombang 355 nm. mλB 2n Λ (4. dapat ditentukan sudut θ sebagai parameter untuk pembuatan kisi dengan rentang dilakukan periodisitas dengan tersebut. selanjutnya dilakukan fabrikasi kisi 1D dengan tiga variasi sudut θ. Jika nilai indeks bias efektif polimer hibrid diketahui. 26°.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 119 sampai dengan 660 nm. . Selanjutnya.3) Jika diasumsikan nilai indeks bias adalah 1.3).4).4) Berdasarkan parameter pembuatan kisi yang telah dihitung di atas.51.4) dapat diperoleh rentang sudut θ adalah 23° sampai 30°.

Gambar 4. power laser sud 320 mWatt. profil permukaannya tidak semulus permukaan kisi seperti pada gambar 4. Kisi tersebut difabrikasi dengan sudut θ=26°. Gambar 4.4 Foto permukaan kis yang difabrikasi dengan kisi sudut 26°. Berdasarkan gambar tersebut dapat diketahui bahwa untuk periode kisi yang lebih kecil. dan waktu penyinaran ¼ detik.3. . Dengan demikian intensitas laser yang diperoleh diharapkan akan tinggi.1.120 Sahrul Hidayat Pemilihan sudut tersebut didasarkan pada intensitas emisi bahan yang besar berada di daerah tengah kurva emisi teng seperti ditunjukkan pada gambar 4.4 memperlihatkan salah satu foto permukaan kisi yang diperoleh dengan pengukuran AFM.

Oleh karena itu. filter optik untuk mengatur daya cahaya . pengukuran daya ambang pemompa. Dalam penelitian ini dilakukan karakterisasi divais laser yang meliputi karakteristik emisi laser dan warna yang dipancarkannya. semakin besar sudut θ maka pola gelap terang semakin rapat sehingga daya pisahnya menjadi kurang bagus.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 121 Hal tersebut dapat dipahami karena dalam fabrikasi kisi dengan teknik interferensi. setup optik untuk memfokuskan berkas pemompa. Berdasarkan gambar tersebut dapat diketahui juga periode kisi sekitar 398 nm. untuk menguji kualitas divais laser yang telah dibuat harus meliputi pengujian kedua parameter tersebut. Karakteristik Laser Berbasis Kisi 1D Suatu divais laser dikatakan baik apabila memiliki daya pemompa yang rendah dan frekuensinya tunggal atau rentang panjang gelombangnya sempit. Hal tersebut dapat juga disebabkan adanya hamburan oleh permukaan film atau kaca yang akan menyebabkan pola gelapnya kurang tajam. dan perhitungan full wide half maximum (FWHM). Peralatan yang digunakan untuk karakterisasi divais laser terdiri dari sumber cahaya pemompa.

122 Sahrul Hidayat yang diberikan. Setup optik akan mengubah berkas cahaya pemompa menjadi berkas berbentuk stip dengan luas area 0.7x0.5. Setup alat karakterisasi divais laser. Merek Spectra physicsphysics Quanta ray. laser . Sebagai sumber da cahaya pemompa digunakan laser Nd:YAG dengan panjang gelombang 532 nm. Setup pengujian karakteristik divais laser diperlihatkan pada 4. Alasan digunakannya laser Nd:YAG sebagai sumber pemompa adalah kemudahannya dalam perhitungan daya yang diberikan terh terhadap sampel dan panjang gelombangnya berada pada daerah serapan bahan DCM.15 mm2. Untuk mendeteksi berkas cahaya yang dihasilkan oleh divais digunakan photonic multichannel analyser-12 (PMA) merek Hamamatsu.5. Gambar 4. dan detektor optik.

(a) .Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 123 Hasil dari pengukuran ini berupa data intensitas (densitas optik) yang terdeteksi oleh detektor PMA dan selanjutnya diplot menjadi sebuah grafik. masing-masing 385 nm. 398. Pengujian pertama adalah menentukan karakteristik emisi dari divais laser. Pengujian dilakukan terhadap tiga jenis divais yang memiliki periode kisi berbeda. dan 411 nm. Karakteristik emisi masing-masing divais tersebut diperlihatkan pada gambar 4.6.

6 Kurva karakteristik emisi laser dengan periode kisi yang berbeda (a) Λ=385 nm (b) Λ=398 nm (c) Λ=411 nm. .124 Sahrul Hidayat (b) (c) Gambar 4.

6 dengan mengambil data pada satu nilai daya pemompa. emisi laser muncul pada panjang gelombang 582 nm. Pengamatan emisi laser hanya bisa dilakukan sampai densitas optik sekitar 40. dan divais dengan periode kisi 411 nm emisi laser muncul pada panjang gelombang 622. maka emisi laser yang dihasilkan bergeser ke arah panjang gelombang yang lebih tinggi.6 dapat diketahui bahwa ketiga jenis divais mengemisikan berkas laser dengan panjang gelombang emisi yang berbeda yang bergantung pada besarnya periodisitas kisi. Untuk divais laser dengan periode kisi 385 nm.7 menampilkan gabungan dari kurva emisi pada gambar 4. Gambar 4.000. Tampak bahwa semakin besar periodisitas kisi. Tampak perbandingan intensitas emisi laser untuk ketiga jenis divais yang memiliki . sinyal yang ditampilkan akan mengalami saturasi. divais dengan periode kisi 398 nm emisi lasernya pada panjang gelombang 602 nm. Hal tersebut disebabkan adanya keterbatasan dari detektor optik yang digunakan. Tampak semakin besar daya pemompa yang diberikan intensitas laser yang diemisikan juga semakin besar.000. yaitu jika lebih dari 40.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 125 Berdasarkan gambar 4.

cm2. Dengan memberikan daya pemompa 14 mJ/pulse. Gambar 4. .7 Kurva perbandingan panjang gelombang emisi laser.8 Foto emisi laser untuk periode kisi yang berbeda (a) Λ=385 nm (b) Λ=398 nm (c) Λ=411 nm. Hal tersebut diperkirakan kualitas film kurang baik sehingga proses pemanduan gelombang mengalami banyak kehilangan daya.126 Sahrul Hidayat perioditas kisi berbeda. divais dengan periode kisi 411 nm emisi yang dipancarkannya lebih kecil dari divais yang lain. (a) (b) (c) Gambar 4.

. emisinya berwarna oranye dengan panjang gelombang emisi sekitar 602 nm.9 Kurva daya ambang untuk divais laser dengan periode kisi 385 nm. Gambar 4. Pada gambar 4.8 tampak untuk divais laser dengan periode kisi 385 nm warna yang diemisikan cenderung dekat ke warna kuning dengan panjang gelombang emisi 582 nm.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 127 Panjang gelombang laser yang diemisikan berpengaruh pada warna cahaya laser yang dihasilkan. Untuk divais laser dengan periode kisi 398 nm. Sedangkan untuk divais laser dengan periode kisi 411 nm warna emisinya merah yang berada pada kisaran panjang gelombang 622 nm.

11 Kurva daya ambang untuk divais laser dengan periode kisi 411 nm Gambar 4.10 Kurva daya ambang untuk divais laser dengan periode kisi 398 nm.11 memperlihatkan hasil pengukuran daya ambang pemompa masing-masing untuk divais laser dengan periode kisi 385 . Gambar 4.128 Sahrul Hidayat Gambar 4.9 sampai dengan gambar 4.

tampak belum muncul adanya proses lasing. Pada daya pemompa di bawah 5 mJ/pulse.cm2.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 129 nm. Hal ini menunjukkan bahwa kualitas ketiga divais secara umum hampir sama. dan kualitas kisi sebagai resonator dalam sistem laser. Bila daya pemompa dinaikkan. dan 411 nm. yaitu . Gambar 4. maka proses lasing mulai muncul. Besarnya daya ambang dipengaruhi oleh beberapa parameter divais di antaranya adalah jenis bahan dye laser yang digunakan. yang muncul baru sebatas amplified spontaneous emission (ASE). 398 nm.13 menunjukkan hasil perhitungan FWHM untuk ketiga jenis divais laser. yaitu sekitar 6 mJ/pulse. Daya pemompa ini berhubungan dengan daya eksternal yang harus diberikan untuk proses pembangkitan laser. Berdasarkan ketiga kurva pada gambar di atas. maka semakin baik pula divais laser tersebut. tampak bahwa nilai daya ambang pemompanya hampir sama. kualitas film yang berkaitan dengan proses pemanduan gelombang. Semakin kecil nilai daya ambang pemompanya. Nilai tersebut menunjukkan ketajaman kurva. FWHM merupakan lebar titik tengah suatu kurva. konsentrasi dye laser di dalam sistem tersebut.cm2.12 sampai dengan gambar 4.

12 Kurva FWHM untuk divais laser dengan periode kisi 385 nm. Semakin rendah nilai FWHM.130 Sahrul Hidayat semakin rendah nilai FWHM semakin tajam kurva tersebut. . menunjukkan penurunan FWHM yang lebih cepat. maka divais laser dengan periode kisi 385. semakin tajam frekuensi laser yang dihasilkan. Bila dibandingkan dengan laser komersial. Jika dibandingkan dari ketiga gambar tersebut. Berdasarkan gambar tersebut lebar frekuensinya sekitar 2 nm. Nilai FWHM dalam hal ini berkorelasi dengan ketajaman frekuensi laser. Hal ini mengandung arti bahwa berkas laser yang dihasilkannya memiliki rentang frekuensi yang sempit atau lebih koheren. Laser komersial umumnya memiliki lebar frekuensi kurang dari 1 nm. maka nilai tersebut masih terlalu lebar. Gambar 4.

Gambar 4. Sebelum proses foto polimerisasi. rantai .13 Kurva FWHM untuk divais laser dengan periode kisi 398 nm. bahwa pada proses foto polimerisasi terjadi perubahan pada bagian rantai organik.14 Kurva FWHM untuk divais laser dengan periode kisi 411 nm.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 131 Gambar 4. Seperti telah diuraikan pada bab 3.

walaupun tanpa proses etching. profil indeks bias sudah terbentuk pada permukaan film. Secara fisis. Pada gambar tersebut terlihat bahwa intensitas laser tidak begitu tinggi. sementara berkas lasernya tidak mengalami kenaikan yang besar. Gambar 4. berkas ASE mengalami kenaikan cukup tinggi. Berbeda halnya dengan divais yang sudah melalui proses etching. sehingga proses refleksi dan pemanduan berkas emisi tidak berlangsung sempurna. bagian rantai organik membentuk polimer dan fasanya berubah menjadi padat. Dengan demikian kontras indeks bias pada kisi cukup tinggi . Sedangkan setelah foto polimerisasi. Pada saat daya pemompa dinaikkan. Oleh karena itu. maka dilakukan karakterisasi laser sebelum proses etching. divais yang telah difoto polimerisasi akan memiliki indeks bias yang berbeda dengan bagian yang belum terfoto polimerisasi. Hal tersebut disebabkan oleh rendahnya kontras indeks bias pada kisi. Untuk menguji hal tersebut.132 Sahrul Hidayat organiknya belum membentuk polimer dan fasanya masih dalam bentuk gel.15 memperlihatkan kurva karakteristik emisi divais laser sebelum proses etching. sisa prekursor polimer hibrid akan terbuang bersama pelarutnya.

Untuk divais laser dengan periode kisi 378 nm. Gambar 4. puncak panjang gelombang laser muncul pada 582 nm. dalam penelitian ini dilakukan pengujian pengaruh konsentrasi DCM terhadap karakteristik laser.15 Karakteristik emisi sebelum proses etching.17 tampak karakteristik emisi divais laser dengan konsentrasi DCM 0.7.16 dan gambar 4. . Pada gambar 4. Selain menguji pengaruh proses etching.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 133 karena berlangsung antara polimer hibrid dengan udara. karakteristik laser setelah proses etching dapat dilihat pada gambar 4.2% masing-masing untuk periode kisi 378 nm dan 400 nm. Untuk divais yang sama.

Jika pengamatan emisi laser ingin dilakukan dalam rentang daya yang lebih tinggi.000 atau mendekati saturasi. Berdasarkan gambar tersebut. pengujian karakteristik emisi tidak dapat dilakukan untuk rentang daya pemompa yang lebih tinggi. tampak mulai daya pemompa 1.181 mJ/pulse. dapat menurunkan daya ambang pemompa dari 6 mJ/pulse. Peningkatan konsentrasi DCM lebih dari 0.134 Sahrul Hidayat sedangkan untuk divais dengan periode kisi 400 nm. . maka dapat digunakan filter untuk membatasi intensitas cahaya yang masuk ke dalam detektor.cm2.2%.5 mJ/pulse. Berdasarkan kedua gambar tersebut dapat dilihat bahwa peningkatan konsentrasi DCM menjadi 0.cm2.cm2 menjadi sekitar 1. Untuk divais laser dengan konsentrasi DCM 0. puncak panjang gelombang laser muncul pada 606 nm.2% tidak dapat dilakukan karena batas kelarutan DCM di dalam pilimer hibrid terbatas. intensitas emisi sudah mendekati nilai 40.2%.

Laser Polimer Hibrid Berbasis Kisi 1D 135 Gambar 4.2 %.2 %.16 Kurva emisi divais laser dengan periode kisi 378 nm dan konsentrasi DCM 0.17 Kurva emisi divais laser dengan periode kisi 400 nm dan konsentrasi DCM 0. . Gambar 4.

136 Sahrul Hidayat .

Semakin kecil kecepatan group gelombang maka faktor penguatan akan semakin besar.BAB V LASER POLIMER HIBRID BERBASIS KRISTAL FOTONIK 2D Karakteristik perambatan gelombang di dalam kristal fotonik mengalami perubahan kecepatan group di sekitar modus eigen. Oleh karena itu. Tepat pada pita eigen kecepatan group sama dengan nol. Faktor penguatan amplitudo berbanding terbalik dengan kecepatan group. Sifat optik seperti di atas dapat dimanfaatkan untuk penguatan amplitudo berkas gelombang di dalam kristal fotonik. sehingga terjadi konsentrasi modus di daerah eigen. Pada daerah tersebut kecepatan group gelombang menurun. peningkatan daya dari emisi terstimulasi dapat dilakukan di daerah tepi pita fotonik yang merupakan daerah tempat modus propagasi terkonsentrasi. .

51. .1. Pada bab kelima ini. maka dapat disimulasikan struktur pita kristal fotonik tersebut.138 Sahrul Hidayat Pada bab ketiga telah dijelaskan metode perhitungan untuk mendapatkan kurva hubungan dispersi atau struktur bandgap kristal fotonik 2D. Di dalam bab tersebut telah dijelaskan bagaimana cara menentukan struktur pita kristal fotonik 2D untuk susunan kisi segi empat dan segi enam. Jika jari-jari silinder di dalam kristal fotonik 2D adalah 0. Metode perhitungan yang digunakan adalah metode ekspansi gelombang bidang.25a. Fotonik kristal 2D dibuat dari bahan polimer hibrid yang memiliki indeks bias sekitar 1. akan dijelaskan pemanfaatan kristal fotonik 2D tersebut untuk diaplikasikan sebagai resonator di dalam divais laser. Struktur bandgap kristal fotonik 2D menggunakan bahan polimer hibrid dengan susunan kisi segi empat diperlihatkan pada gambar 5.

1 tampak ada pertemuan beberapa pita fotonik di daerah titik M dalam zona Brillouin. dapat diambil kurva hubungan dispersi untuk modus TM saja di mana terdapat pertemuan modus eigen untuk pita kedua dan ketiga.1. Struktur bandgap kristal fotonik 2D dengan bahan polimer hibrid dan susunan kisi segi empat. sementara di daerah sekitarnya merupakan gap yang tidak ada modus propagasi.2.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kristal Fotonik 2D 139 Gambar 5. Pada gambar 5. Pada daerah pertemuan pita tersebut konsentrasi modus propagasi sangat tinggi. . Untuk lebih menyederhanakan analisis. seperti ditunjukkan pada gambar 5.

Jika ke dalam kristal fotonik tersebut ditambahkan bahan penguat berkas (dye laser). Di dalam kristal fotonik. . Dengan demikian sistem tersebut dapat menghasilkan berkas laser dengan frekuensi yang tajam. maka berkas gelombang yang beresonansi akan mengalami penguatan intensitas pada frekuensi modus perambatannya.2. Pada gambar 5.2 hubungan dispersi kristal fotonik 2D dengan susunan kisi segi empat untuk modus TM.140 Sahrul Hidayat Gambar 5. Struktur bandgap kristal fotonik 2D dengan susunan kisi segi empat untuk modus TM. gelombang yang merambat pada daerah konsentrasi modus tersebut akan mengalami pemantulan dan beresonansi di sekitar daerah itu.

Nilai tersebut menunjukkan nilai frekuensi eigen dalam a/λ. dapat diketahui bahwa rentang panjang gelombang emisi polimer hibrid yang didoping dengan DCM adalah 530 nm sampai 660 nm.663. Struktur bandgap kristal fotonik 2D untuk kisi segi enam dapat dihitung dengan cara yang sama seperti pada perhitungan untuk kisi segi empat. Nilai tepi pita eigen seperti yang ditunjukkan pada gambar 5.25a. maka akan didapat rentang periode kisi antara 351 nm sampai dengan 438 nm. Dengan demikian fabrikasi divais laser yang berbasis kristal fotonik 2D dari bahan polimer hibrid yang didoping dengan DCM.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kristal Fotonik 2D 141 Pada daerah yang diberi tanda melingkar merupakan pertemuan dua pita eigen yang konsentrasi modus propagasinya sangat besar dibanding daerah lainnya. Jika data emisi tersebut disubstitusikan ke dalam persamaan tepi pita eigen (a/λ=0.2 adalah 0. periode kisinya harus berada pada rentang daerah tersebut.3.5 dan jari-jari silinder 0.663). Jika digunakan nilai indeks bias efektif 1. maka dapat disimulasikan struktur bandgap kristal fotonik 2D . Jika dihitung. maka akan didapat rentang periode kisi kristal fotonik 2D yang sesuai dengan daerah emisi bahan laser. Berdasarkan gambar 4.

. Selain itu terdapat titik pertemuan dua pita eigen tempat modus propagasi terkonsentrasi. Berdasarkan gambar tersebut tampak muncul bandgap untuk modus TM pada frekuensi sekitar 0. Gambar 5.3. yaitu pertemuan antara pita kedua dan ketiga pada modus TM.142 Sahrul Hidayat dengan sususan kisi segi enam seperti tampak pada gambar 5. Struktur bandgap kristal fotonik 2D dengan bahan polimer hibrid dan susunan kisi segi enam.5 (dalam a/λ).3.

Titik pertemuan dua pita eigen berada pada koordinat X=0.4. dengan mensubstitusikan rentang panjang gelombang emisi polimer hibrid yang didoping dengan DCM ke dalam persamaan tepi pita eigen akan didapat rentang periode kisi.5774 dan Y=0. Seperti pada perhitungan untuk kisi segi empat.6331.633.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kristal Fotonik 2D 143 Gambar 5. Struktur bandgap kristal fotonik 2D dengan susunan kisi segi enam untuk modus TM. Jika simulasi dilakukan hanya untuk modus TM. Persamaan tepi pita eigen untuk struktur segi enam adalah a/λ=0. maka akan tampak lebih jelas titik pertemuan dua pita eigen tersebut seperti diperlihatkan pada gambar 5.4. Jika panjang .

Proses penembakan dilakukan secara berurutan. maka proses penembakan kedua dilakukan . penembakan kedua dilakukan setelah sampel diputar 90° terhadap posisi penembakan pertama. maka periode kisi yang dibuat harus berada pada rentang antara 335 nm sampai 418 nm. seperti tampak pada gambar 5. Proses fabrikasi menggunakan prinsip interferensi cahaya dengan metode Lloyd Mirror. Sedangkan jika ingin diperoleh susunan kisi segi enam.5. di mana penembakan kedua dilakukan dalam posisi sampel yang berbeda. maka untuk fabrikasi kisi 2D penembakan berkas laser dilakukan dua kali. Proses Fabrikasi Divais Laser Berbasis Kristal Fotonik 2D Proses fabrikasi kristal fotonik 2D hampir sama dengan proses fabrikasi kisi 1D seperti telah diuraikan pada bab keempat.144 Sahrul Hidayat gelombang emisi polimer hibrid yang didoping dengan DCM adalah 530 nm sampai 660 nm. Untuk menghasilkan susunan kisi segi empat. Jika pada proses fabrikasi kisi 1D penembakan berkas laser hanya dilakukan satu kali.

6. Untuk mempermudah proses pemutaran. Penembakan ke-1 Putar 90° Gambar 5. Fabrikasi struktur kisi 2D agak berbeda dengan teknik yang dilakukan untuk mendapatkan struktur kisi 1D.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kristal Fotonik 2D 145 setelah sampel diputar 60° terhadap posisi penembakan pertama. Ilustrasi proses foto polimerisasi Putar 60° kisi segi enam. Pada fabrikasi struktur kisi 2D perlu dilakukan optimasi terlebih dahulu untuk mengetahui daya laser yang tepat. seperti tampak pada gambar 5. Jika daya laser pada proses foto polimerisasi . Ilustrasi proses foto polimerisasi kisi segi empat.6. Penembakan ke-2 Penembakan ke-1 Penembakan ke-2 Gambar 5. sampel film tipis ditempatkan di atas piringan putar (rotating stage) sehingga penentuan sudut putar menjadi lebih presisi.5.

maka pada penembakan pertama akan terjadi proses foto polimerisasi yang kuat dalam waktu singkat.146 Sahrul Hidayat tidak tepat maka tidak akan dihasilkan struktur kisi 2D. Waktu penembakan untuk ketiga variasi daya tersebut dibuat sama yaitu seperempat detik. dilakukan pengujian proses pembuatan kisi 2D dengan tiga macam variasi daya. proses foto polimerisasi belum terjadi. Daya laser yang terlalu rendah akan mengakibatkan proses foto polimerisasi tidak terjadi. 200 mWatt. Dengan demikian struktur yang akan terbentuk hanya berasal dari penembakan pertama saja. Hal tersebut menunjukkan bahwa daya 120 mWatt dan waktu tembak ¼ detik. Hal tersebut menyebabkan penembakan kedua tidak akan memberikan dampak berarti pada proses foto polimerisasi. dengan begitu struktur kisi tidak akan terbentuk. Sebaliknya jika daya laser terlalu tinggi. yaitu 120 mWatt. Bahkan film tipis tersebut akan ikut larut pada saat dilakukan proses etching. Daya 120 mWatt diduga masih berada di bawah batas ambang untuk . Hasil pengujian tersebut menunjukkan bahwa kisi 2D yang dibuat dengan daya 120 mWatt tidak terbentuk dan film tipisnya ikut larut pada saat proses etching. Untuk mengetahui daya laser optimal. dan 320 mWatt.

dan penembakan kedua menjadi tidak memberikan me dampak berarti. kisi yang terbentuk hanya merupakan kisi 1D.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kristal Fotonik 2D 147 Hib terjadinya proses foto polimerisasi.7. dibuat dengan daya 320 mWatt. Sedangkan untuk proses pembuatan kisi dengan daya 320 mWatt dan waktu deng tembak ¼ detik. Hasil pengamatan dengan AFM untuk kisi yang dibuat dengan d kondisi tersebut dapat di dilihat pada gambar 5. Hal ini menunjukkan daya 320 mWatt terlalu kuat sehingga pada penembakan pertama telah terjadi proses foto polimerisasi sempurna.7. Gambar 5. mWatt . Hasil pengamatan AFM untuk kisi yang .

dihasilkan struktur kisi 2D yang cukup baik. Hasil pengamatan AFM untuk kisi yang .8. dibuat dengan daya 200 mWatt. Kisi 2D dengan struktur segi empat dibuat .8. Pemilihan sudut tersebut didasarkan pada hasil prediksi teori bahwa lasing polimer . mWatt Sedangkan untuk pengujian dengan daya 200 mWatt dan waktu tembak ¼ detik. Berdasarkan hasil optimasi tersebut selanjutnya dibuat masing-masing 2 variasi masing periode kisi 2D untuk struktur kisi segi empat dan kisi segi enam.148 Sahrul Hidayat Gambar 5. menggunakan sudut 26° dan 27° yang berkorelasi dengan 26 periode kisi 405 nm dan 391 nm. seperti tampak pada gambar 5. Hasil ini menunjukkan bahwa daya 200 mWatt dengan waktu tembak ¼ detik merupakan nilai yang tepat untuk proses pembuatan struktur kisi 2D.

Gambar 5.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kristal Fotonik 2D 149 hibrid yang didoping dengan DCM akan terjadi pada rentang periode 351 nm sampai dengan 438 nm. .9. Sedangkan untuk kisi 2D dengan struktur segi enam. Salah satu hasil pengukuran AFM untuk struktur kisi segi enam diperlihatkan pada gambar 5. proses fabrikasinya dilakukan menggunakan dua variasi sudut yaitu 25° dan 26°. Foto AFM untuk kisi segi enam yang dibuat dengan daya 200 mWatt. Untuk dua variasi sudut fabrikasi seperti disebutkan di atas.9. periode kisi yang diperoleh adalah 410 nm dan 400 nm yang berkorelasi dengan sudut fabrikasi 25° dan 26°. Berdasarkan hasil pengukuran AFM tersebut selanjutnya dapat dihitung periode kisi.

10 tampak karakteristik emisi divais laser kristal fotonik 2D dalam arah-X. Suatu laser dikatakan baik jika frekuensi emisinya tunggal. daya pemompanya rendah. . Pada gambar 5. dan efisiensinya tinggi. Untuk kedua divais laser baik periode kisi 391 nm ataupun 405 nm memiliki daya ambang pemompa 2 yang sama. yaitu sekitar 3 mJ/pulse.150 Sahrul Hidayat Karakteristik Laser Berbasis Kristal Fotonik 2D Kualitas suatu divais laser sangat ditentukan oleh karakteristik emisinya. Berdasarkan gambar tersebut tampak bahwa laser muncul pada panjang gelombang 588 nm untuk periode kisi 391 nm dan 606 nm untuk periode kisi 405 nm. bagian (a) untuk periode kisi 391 nm dan (b) untuk periode kisi 405 nm.cm . dari gambar tersebut dapat diperoleh juga kisaran daya ambang pemompa. Selanjutnya.

Laser Polimer Hibrid Berbasis Kristal Fotonik 2D 151

(a)

(b)

Gambar 5.10. Karakteristik emisi laser berbasis kristal fotonik 2D dengan kisi segi empat (a) Λ=391 nm (b) Λ=405 nm.

152 Sahrul Hidayat

(a)

(b)

Gambar 5.11. Karakteristik emisi laser untuk divais dengan periode kisi 405 nm (a) Sebelum etching (b) sesudah etching.

Laser Polimer Hibrid Berbasis Kristal Fotonik 2D 153

Gambar 5.11 menunjukkan karakteristik emisi divais laser sebelum dan sesudah proses etching untuk periode kisi 405 nm. Berdasarkan kedua gambar tersebut tampak bahwa proses etching tidak memberikan dampak yang besar terhadap karakteristik emisi lasernya. Hal ini berbeda sekali dengan divais laser berbasis kisi 1D di mana proses etching sangat memengaruhi ketajaman berkas laser yang dihasilkan. Daya ambang pemompa juga terlihat hampir sama untuk kondisi sebelum dan sesudah proses etching, yaitu sekitar 3 mJ/pulse.cm2. Proses etching tampak hanya berpengaruh pada besarnya

intensitas emisi. Untuk kondisi sebelum proses etching, intensitas emisi sekitar 25.000 (satuan densitas optik), sedangkan sesudah proses etching hampir dua kali lipatnya.
(a)

Dalam arah antara sudut 6° sampai dengan 82°. sehingga proses penguatan umpan balik tidak berlangsung. berkas laser tidak muncul.12.154 Sahrul Hidayat (b) Gambar 5. . Berdasarkan gambar tersebut dapat diketahui bahwa berkas laser dapat diamati di sekeliling sampel pada arah tegak lurus terhadap berkas pemompa. Karakteristik emisi laser untuk periode kisi 405 nm (a) intensitas terhadap panjang gelombang laser (b) intensitas terhadap arah emisi laser. Gambar 5.12 memperlihatkan karakteristik laser pada beberapa arah yang berbeda. Hal tersebut disebabkan jarak antarkisi pada rentang sudut 6° sampai 82° tidak beraturan. Berkas laser dapat diamati pada rentang sudut 0° sampai 5° dengan intensitas yang semakin menurun.

. (b) periode kisi 410 nm. Karakteristik emisi laser berbasis kristal fotonik 2D dengan kisi segi enam (a) periode kisi 400 nm. (a) (b) Gambar 5.13.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kristal Fotonik 2D 155 Berkas laser muncul kembali pada rentang sudut 83° sampai 90° dengan intensitas yang semakin membesar.

sedangkan untuk divais dengan periode kisi 410 nm. Gambar 5. Laser dengan intensitas yang cukup tinggi hanya muncul pada sudut pengamatan 0° dan 65° saja.13 memperlihatkan karakteristik emisi laser untuk divais dengan kisi segi enam dalam arah pengamatan sumbu-X. emisi dari divais laser 2D dapat diamati pada beberapa arah berbeda. daya ambang pemompa sekitar 10 mJ/pulse cm2. Laser hanya muncul pada sudut pengamatan 0°. Bagian (a) memperlihatkan karakteristik emisi untuk divais dengan periode kisi 400 nm dan bagian (b) untuk periode kisi 410 nm. berkas laser muncul pada panjang gelombang 606 nm.156 Sahrul Hidayat Seperti telah diuraikan di atas.cm2. sedangkan untuk periode kisi 410 nm. Untuk kedua jenis divais tersebut. 65° dan 67°. Gambar 5.14 memperlihatkan karakteristik emisi laser dalam beberapa arah berbeda untuk divais dengan kisi segi enam. tampak daya ambang pemompanya berbeda. laser dapat diamati pada panjang gelombang 621 nm. Untuk divais dengan periode kisi 400 nm. Untuk divais laser dengan periode kisi 400 nm. daya ambang pemompanya sekitar 14 mJ/pulse.1°. Hal ini mengindikasikan bahwa kisi segi enam hanya periodik dalam arah sudut pengamatan .

4. Gambar 5. laser hanya muncul pada frekuensi dan arah tertentu saja seperti tampak pada gambar 5. . Untuk kisi segi enam laser diperkirakan muncul pada arah K (dalam zona Brilouin) yang merupakan pertemuan dua pita eigen. Karakteristik emisi laser dalam arah berbeda untuk divais dengan periode kisi 400 nm. sedangkan dalam sudut pengamatan yang lain jarak antarkisinya tidak sama.14. Seperti telah dibahas sebelumnya.Laser Polimer Hibrid Berbasis Kristal Fotonik 2D 157 tersebut.

158 Sahrul Hidayat .

Optical Material 18: 309-320. 2006. Houbertz. Lasing in strongly scattering dielectric microstructures.. L. K..6. Imada.. 2004.. M. 3: 241-253. University of Toronto. E. et al. Defence Science Journal Vol.1-4...K. Sol-gel technology for sensor applications. 2001. et al. Thesis Graduate Department Physics. 2007. Journal of Applied Physics 100 023110: 1-6. R.. 2003. Cordoncillo. M. Lasing mechanisms in organic photonic crystal lasers with two-dimensional distributed feedback. L. et al. N.. et al. et al. Inorganic-organic hybrid polymers as photo patternable dielectrics for multilayer microwave circuits. 1999. Thin Solid Film 442: 194-200. et al. 2002. Coherent two-dimensional lasing action in . Florescu. Gadonna.DAFTAR PUSTAKA Chaudhury. 57 No.. Blue emitting hybrid organic-inorganic materials. Material Research Society Symposium proceeding Vol 726: 4. Forberich. et al. Inorganic-organic hybrid materials for application in optical devices. In-situ method for removing refractive index chirp in fiber Bragg grating photo-written by Lloyd mirror.. Frohlich. Optical Fiber Technology 9: 260-269. 2003.

Physical Review A Vol.. et al.. Science and Technology of Advanced Materials 6: 375-382. Oliveira.. Lawrence. Neiss. et al.. Joannopoulus J... Distributed feedback multipeak laser . 85 No. Apllied Physics Letters Vol. 23: 4023-4025. D. 2005. Lasing mechanism in two -domensional photonic crystal lasers. Applied Physics Letters Vol. 1996. et al. 2004.160 Sahrul Hidayat surface-emitting laser with triangular-lattice photonic crystal structure. Apllied Physics Letters Vol. Polymer laser fabricated by a simple micromolding process. M. Jakubiak. Mohamed. Dynamic lasing from all-organic twodimensional photonic crystals. A.D... Mekis. Towards Plasmonic bandgap laser. T. John. Advance Material 17: 2807-2811. R. et al. et al.. Applied Physics Letters Vol. 4: 3642-3652. Okamoto. 1999. C. et al. et al. S. Characterization and process optimization of photosensitive acrylates for photonics applications. Applied Physics Letters Vol. Applied Physics A 69: 111-114. 78 No. 18: 3968-3970. 2005. 3: 316-318. 2008. et al. Photonic crystals molding the flow of light..1: 7-9. et al. Investigation of laser ablation on hybrid sol-gel material applied to kinoform etching... Applied Physics A 92: 351356. Princeton University Press. J. Meier. Notomi.. R. M. 2008. Laser action from two-dimensional distributed feedback in photonic crystals. Directional lasing oscillation of twodimensional organic photonic crystal lasers at several photonic bandgaps. 2001...... 1999. 74 No. et al. 2006. 2003.. R. E. Theory of lasing in a multiple-scattering medium. 82 No. 54 No.. et al. 75 No. 10: 1325-1327.

University of St. 2003. 2002. 2008.Daftar Pustaka 161 emission in Rhodamine 6G doped organic-inorganic hybrids. Fundamental of photonics. T. K. Silfvast. 2003. Journal Sol-Gel Science Technology 40: 359-363. Florida Soppera. Richardson. et al. W. Journal of Sol-Gel Science and Technology 26: 903-907.K. S. Pitriana. 2001. Colloids and Surfaces.... Parashar. 2: 815-823. The sol-gel process for realization of optical micro structures in glass. Surface relief grating in hybrid films composed of azobenzene polymer and liquid crystal molecule. Andrews. N. 2004. Optical Sciences Springer.Threshold gain and gain enhancement due to distributed-feedback in two-dimensional photonic crystal lasers. et al. Susa. et al. 2002. O. Ubukata. Design of photoinduced relief optical devices with hybrid sol-gel materials. Tohge. Optical properties of Photonic crystals.. Physicochemical and Engineering Aspects . N. The fabrication and lithography of conjugated polymer distributed feedback lasers and development of there applications. V. Journal of Applied Physics Vol.. Key Engineering Materials: 264-268. University of Central Florida Orlando. 2007. Universitas Padjadjaran. Pembuatan dan karakterisasi polimer hibrid yang didoping unsur tanah jarang untuk aplikasi luminesensi.et al. Sakoda. Skripsi Jurusan Fisika FMIPA. Applied Surface Science 186: 9194. 2001.. T. Thesis School of Physics and Astronomy. P.. 89 No. Fabrication of two dimensional gratings using photosensitive gel films and their characterization.

. 2002.. G.. Optics Express Vol. Hybrid semiconductor polymer resonant grating waveguide structures.. J. 11 No. et al. et al. 2003.5960. Lasing from slab edge mode of free-standing two-dimensional photonic crystals. et al. Optical Materials 17: 149-154. W. Yurista. Yang.L. Yu.. . Optical Society of America. 8: 899-904. Fabrication of refractive microlens in hybrid SiO2/TiO2 sol-gel glass by electron beam lithography. 2001. 140.K. X.162 Sahrul Hidayat 198-200: 113-117.

112 Fourier 75 Geometri 29 Dip coating 93 Doping 8.6.3.59.104 Dye-laser 8.132 Amplitudo 6.86 Densitas Energi 12.26.123.95.69.89. 137 Defect-mode 42.8 .90.8.43 Terstimulasi 1.14.89. 147.90.16.53. 148 ASE 129.94.16 Foton 36 Optik 120.42.67.43.5.55.96.INDEKS A Absorpsi 5.36.147 Deret B Bahan anorganik 89 Bahan organik 89 Band-edge 42.14-17.22. F Fiber optik 44 Flash lamp 4.85 Candela 11 Continuous wave 6 Emisi Spontan 15.67 D Daya pantul 33. 101 AFM 115-117.87 Bilangan gelombang 22.105 E C Cacat 42.51.106 Bragg 41-47.

53 Cahaya 39.127.56.78.94.66 Kerugian daya 32.21.6.93.27.128.135 Resonansi 12.40 Interferometer Jamin 19.36.18 Inisiator 92.9.20 Mach-Zehnder 21 Michelson 20.50.65 H Hamburan Bragg 41.105 Frekuensi Detuning 52.93.59 Planck 10 Koordinat polar 76 .86 Kecepatan cahaya 10.57.71 group 36.79.137-144 Koefisien Ekspansi gelombang 75 Reflektansi 29.85.96.95.57.34 Ketidakpastian Heisenberg 9 Kisi Bragg 46.129 Fungsi Bessel 77 Interferensi 19.67 Kehilangan daya 5.58.26.42 Radio 9 Kavitas optik 5.55-60 Kondisi stasioner 33 I Indeks pita 73 Infra red 1.2.33.135 FWHM 119.96 Foton 5.16.41.22 Fabry-Perot 22.133.63.7.111 Konstanta Kopling 53.52.40 Hubungan dispersi 133.37.33.134-138 Segi enam 77.26 Irreducible Brillouin zone 78 K G Gain medium 3 switching 6 Gelombang Bloch 73 Elektromagnetik 1.37.164 Sahrul Hidayat Foto polimerisasi 92.22.56.57 Eigen 79.36.40.135 Segi empat 77.60.

60.61 Mekanika kuantum 9 Modelocking 6 Modus Eigen 133.41.90.7 Konvensional 40 Pulsa 2.135 Gelombang longitudinal 33 Penguatan daya laser 33 Pergeseran fase 23.8 Semikonduktor 4 Vibrometer 21 Visible 1 Lasing 126.62.139 Luminesen 89.18.68.79 Photonic bandgap 40.28.7.110 Populasi Elektron 15 Inversi 5.6.40 Parasitic reflection 60 Peluruhan radioaktif 16 Pembagi berkas 25 M Magnetic stirrer 96 Matriks transfer 55 Medan Listrik 24.7.67.68 Magnet 69 Media penguat 3-8.30 Permitivitas 66.85 Output coupler 3 P Pandu gelombang 47.67 Polimer hibrid 87.8.143 Life time 16 Lloyd Mirror 112.Indeks 165 Kristal fotonik 39-60.70 Nilai eigen 54.109 Kromofor 92 Tunggal 43.54.4.71.74 Persamaan Diferensial terkopel 55 Maxwell 68.89 Panjang gelombang 2.89.59.90 N Nonlinier optic 8 O Optical resonator 3.58 Monochromatic light 1 L Laser Kontinu 2.36 .

75.131.31.50.97.38 Spektrum Absorpsi 17.79.25.143 Pumping 3.10.45.139 .16 Proses etching 116.89 S SHG 118 SSR 35.29.44.101 Refleksi 27.115 Emisi 16.49.115 FTIR 105.100 Q Q-switching 6 Transverse Electric 80 Magnetic 81 Twobeam interferometer 21.45 Suspensi koloid 94 V Vektor Gelombang 48.76 W Waktu paruh 16 Z Zona Brillouin 73.106 Spin coating 91.22 R Radikal 92.4 T Teknik sol-gel 94 Teori Model atom 13.78.26.46.14 Modus terkopel 48.76 Kisi real 73.99 Prekursor 94.93.166 Sahrul Hidayat Post-baking 98.46 U Ultra violet 1.36.57 Reflektor Bragg 43.39.19.96.52.50 THG 98.61 Eigen 54 Kisi balik 73.105 Prinsip ketidakpastian 9.96 Spraying 93 Stop band 63 Superposisi 19.18.

Oleh karena keinginannya yang besar untuk masuk di perguruan tinggi. FMIPA Jurusan Fisika yang diselesaikannya pada tahun 1997. pelatihan ESQ pada program TPSDP Unpad. ia sering mengikuti pelbagai seminar baik tingkat nasional maupun internasional dalam bidang fisika material. Jawa Barat. lahir di Ciamis. tanggal 30 Juli 1973. Melihat perkembangan ilmu dan pengetahuan yang semakin pesat. Ia melanjutkan pendidikan di Institut Teknologi Bandung dan memperoleh gelar Magister (S-2) dari Jurusan Fisika. Usai kuliah. Penulis pernah menjadi Pembantu Ketua III Program Diploma 3 FMIPA Universitas Padjadjaran (2003-2006). Beberapa pelatihan diikutinya. ia mendaftar di Universitas Padjadjaran. antara lain: pelatihan pengajaran mata kuliah Mekanika dan Fisika Matematika di Jurusan Fisika ITB. Sekolah Menengah Atas diselesaikannya tahun 1992 dari SMA Negeri 2. dan kemudian melanjutkan pendidikan menengah di SMP Negeri Panumbangan (1989). ketua Tim Evaluasi SPMB/SMUP Program Diploma 3 Universitas Padjadjaran (20042006). UNPAD PRESS ISBN: 978-979-3985-73-7 . pelatihan HAKI yang diselenggarakan DP2M DIKTI. mulai tahun 2006 ia mengikuti Program Doktor bidang MIPA di Unpad. dengan fokus penelitian pada kajian Polimer Hibrid dan Aplikasinya sebagai Divais Optik. ia merasa perlu mengikuti pendidikan yang lebih tinggi guna mengantisipasi perkembangan itu. dan PIC bidang sistem informasi TPSDP Unpad (2004-2007). sehingga ia melanjutkan pendidikan ke jenjang yang lebih tinggi (S-3). Selain itu. Tasikmalaya. ia menjadi dosen (1998) di almamaternya.TENTANG PENULIS Sahrul Hidayat. Pendidikan dasar ditempuhnya di SD Negeri I Panumbangan (1986). tahun 2001. serta magang penelitian di Photonic Center Graduate School of Engineering Osaka University (Oktober 2008-Maret 2009).

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->