BAB I PERCOBAAN II BJT DAN JFET

2.1

Tujuan Percobaan 1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP) dan JFET (channel P atau channel N). 2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT dan JFET.

2.2

Tinjauan Pustaka Transistor adalah piranti elektronik yang menggantikan fungsi tabung

elektrontrioda, dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda , yaitu Emitter, Collector dan Base. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier), namun dikarenakan sifatnya, transistor ini dapat digunakan dalam keperluan lain misalnya sebagai suatu saklar elektronis. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N. Transistor berasal dari kata transfer resistor yang dikembangkan oleh Berdeen, Schokley, dan Brittam pada tahun 1948 di perusahaan elektronok Bell Telephone Laboratories. Penamaan tersebut berdasarkan prinsip kerjanya, yaitu mentransfer ataumemindahkan arus. Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan

(oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk mengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.

Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. Dalam dunia elektronika, transistor disimbolkan sebagai berikut :

(a)

(b)

Gambar 2.2.1 Transistor BJT (a) tipe pnp (b) tipe npn

Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya, kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan, namun pada dasarnya karena transistor ini tidak tahan terhadap temperatur, maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink). 2.2.1 Pengujian Transistor Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda, maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. Salah pemasangan pada rangkaian

b. c.

Penangan yang tidak tepat saat pemasangan Pengujian yang tidak professional

Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tiga jenis, yaitu : a. b. c. Pemutusan Hubung singkat Kebocoran

Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut, tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. Menguji Karakteristik statis BJT dan JFET akan digambarkan dengan dua cara: a. Dengan Multimeter. Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan mengukur besar arus 1. 2. 3. b. karakteristik Ic terhadap Vce dengan mengukur masing-masing besaran karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE karakteristik hfe terhadap IC

Dengan Osiloskop Pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE berbagai

nilai IB Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk mengamati besarnya IC yaitu dengan cara mengukur tegangan pada RC. Sedangkan input horisontal (X) dari osiloskop, digunakan untuk mengamati besarnya VCE. Gambar yang terbentuk pada layar osiloskop, sumbu horisontal ke kiri adalah tegangan positif sedangkan arah kanan adalah negatif.

BJT Transistor bipolar (BJT) adalah suatu jenis transistor, alat penguat atau pemilih yang dibuat dari semikonduktor yang dikotori. Transistor bipolar adalah gabungan dari bagian yang dikotori secara berbeda, bisa NPN atau PNP. N berarti negatif, dan P berarti positif.

PNP

NPN

Gambar 2.2.2 Lambang rangkaian BJT tipe PNP dan NPN.

-

Bias dalam Transistor BJT Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi

mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah. Dalam tahap disain maupun sintesis, pilihan parameter untuk level DC yang dibutuhkan akan mempengaruhi respon AC-nya. Demikian juga sebaliknya. Persamaan mendasar dalam transistor yang penting adalah :

Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas bisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Bias pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap. Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point) atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. Pada gambar di bawah ditunjukkan 4 buah titik kerja transistor. Rangkaian bias bisa di-disain untuk memperoleh titik kerja pada titik-titik tersebut, atau titik lainnya dalam daerah aktif. Rating maksimum ditentukan oleh Icmax dan VCE max. Daya maksimum dibatasi oleh kurva Pcmax. BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut, tapi bisa memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya. Untuk kondisi tanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya adalah titik A dimana arus dan tegangan bernilai nol.

Gambar 2.2. Daerah cut-off . . aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias yang diberikan pada masing-masing junction : 1.Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .Junction base-emitter dibias maju (forward bias) . beberapa syarat berikut harus dipenuhi: . Daerah aktif/daerah linear .Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) Daerah kerja transistor (cut-off.Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) Fixed Bias Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias) .Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) 2.3 Grafik Bias. Daerah saturasi . Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif).Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .Junction base-collector dibias maju (forward bias) 3.

2. supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi dua. .Gambar 2. Untuk tujuan analisis. Rangkaian pengganti DC menjadi : Gambar 2. masing-masing untuk input dan output. Untuk transistor pnp.5 Bias Model npn.4 Bias Model. Untuk analisis DC. rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan) dari input AC dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open circuit). Rangkaian di atas menggunakan transistor npn.2. persamaan dan perhitungan adalah serupa. tapi dengan arah arus dan polaritas tegangan berlawanan.

Arus basis IB menjadi : Dan b. Loop collector-emitter Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi di bias mundur . Loop basis-emitter : Gambar 2.6 Loop basis-emiter Dengan hukum tegangan Kirchhoff : Perhatikan polaritas tegangan drop di RB.Bias maju basis-emitter a.2.

Emitter Saturasi : - Bias Pembagi Tegangan Gambar 2.- Bias Emitter stabil Gambar 2.2. Loop Collector .8 Bias pembagi tegangan .7 Bias emiter stabil a. Loop Base-Emitter b.2.

Gambar 2.9 Bias dengan umpan balik Persamaan tegangan untuk loop di sebelah kiri ( loop base-emitter) : Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan I’ C. dimana : Tapi nilai IB yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh persamaan yang lebih sederhana (asumsi I’C ≅ IC ≅ β IB dan IC ≅ IE): Sehingga : .- Bias dengan umpan balik Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik dari collector menuju base.2.

Loop collector-emitter Gambar 2. Berdasarkan pembawa muatan mayoritasnya.1 Perbandingan JFET tipe-n dan tipe-p No Keterangan Kanal n JFET Kanal p 1.10 Loop collector-emiter Dengan I’C ≅ IC dan IC ≅ IE maka - Perbedaan BJT dan JFET Perbedaan utama antara JFET dengan BJT adalah apabila pada JFET gerbang dibias mundur sedangkan pada BJT basis dibias maju. Simbol . Hal ini berarti arus keluaran pada JFET dikendalikan oleh tegangan gerbang (VGS) sedangkan pada BJT arus keluaran dikendalikan oleh arus basis (IB).a. Perbandingan antara JFET tipe-n dan tipe-p ditampilkan dalam tabel berikut: Table 1.2. JFET dibagi menjadi 2 tipe yaitu tipe-n dan tipe p.

arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). yaitu JFET saluran n dan JFET saluran p. Kurva Tracer 5. Dalam FET. Kedua daerah semikonduktor p+ tersambung dan membentuk sambungan keluaran yang disebut sebagai gate (G) atau . Kurva Karakteristik 3. Di samping balok saluran n dibentuk dua daerah semikonduktor p+.2. untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Ada 2 jenis JFET. Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan. sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif (maka dinamakan p+). JFET (Junction FET) terdapat isolasi oleh sambungan pn (junction). tergantung dari tipe FET). Rumus ID ( ) 4. Dalam JFET saluran n terdapat 1 bahan semikonduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. Semikonduktor p+ adalah semikonduktor p dengan konsentrasi atom asing yang tinggi. Dalam hal ini akan dibahas mengenai bangun JFET saluran n. Mode Operasi Depletion - JFET FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole. Kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber.

kemudian arus manjadi hampir konstan dan hanya naik sedikit ketika VDS semakin besar. Antara semikonduktor p dan semikonduktor n terdapat daerah pengosongan dimana tidak ada pembawa muatan. Threshold voltage ini merupakan voltase dimana pinch off mulai terjadi. Ketika I VGS I semakin besar. Voltase dimana daerah saturasi mulai disebut sebagai threshold voltage VT. harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan . Resistivitas tersebut tergantung dari konsentrasi pembawa muatan n dan dari ukuran saluran (panjang. Besar dari threshold voltage VT tergantung dari voltase VGS antara gate dan source. Daerah saturasi dimulai pada voltase VDS yang lebih tinggi daripada voltase VCE pada transistor bipolar yang mana daerah aktif transistor tercapai. Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor. yaitu voltase gate – source dimana arus drain menjadi nol (kecuali adanya arus bocor yang kecil) | 2. Besar arus yang mengalir dari drain ke source ditenyukan oleh resistivitas dari saluran n yang terdapat antara kedua daerah pengosongan di samping saluran. - Grafik Keluaran JFET Pada voltase drain-source yang kecil arus naik dengan cepat dengan kenaikan VDS sampai nilai arus tertentu. maka daerah pengosongan lebih jauh masuk ke dalam daerah semikonduktor n. Daerah dalam grafik dimana ID konstan disebut daerah saturasi. VT semakin kecil.2. Suhu maksimal sutu transistor Germanium adalah sekitar 75o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150o C. Karena konsentrasi atom asing dalam semikonduktor p+ jauh lebih tinggi daripada yang terdapat dalam semikonduktor n.gerbang. lebar dan tinggi saluran n). Terdapat hubungan sebagai berikut : | dimana VP : Voltase pinch off.2 Nilai Batas Suatu Transistor Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan).

F = transistor frekuensi radio. C = transistor frekuensi rendah. Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikit dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1). dioda kecepatan tinggi. . R = piranti kemud dan saklar. sedangkan kaki kolektor pada transistor PNP selalu pada kutub negatif. Doping rendah ini mengurangi konduktiviti material dengan membatasi jumlah elektron bebas. dsb. seperti TRIAC. dioda pencampur. transistor foto. Pada badan transistor juga tertera huruf dank kode – kode lain. G = macam ragam keperluan L = transistor daya frekuensi radio. Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektron dan holes berpartisipasi dalam proses pembangkitan arus. T = piranti kemudi dan switching. E = dioda terobosan. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. A = Germanium B = Silikon C = Arsenida Galium D = Antimonida Indium E = Sulfida Cadmium 2. seperti TRIAC. Huruf pertama menyatakan bahan semikonduktir yang digunakan untuk membuat komponen tersebut. Kaki kolektor pada transistor NPN selalu berada pada kutub positif.penyaluran panas. daya rendah. A = dioda detektor. Berikut ini adalah arti huruf – huruf pengkodean pada komponen elektronika buatan Eropa : 1. B = dioda kapasitas variable. N = kopling foto. Selain itu biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas. D = transistor daya frekuensi rendah. U = transistor saklar daya tinggi. P = detektor radiasi seperti dioda foto. Q = generator radiasi seperti LED. S = transistor saklar. Huruf kedua manyatakan fungsi penerapannya pada rangkaian elektronika.

11 Pengoperasian transistor jenis NPN a). hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang “disediakan” dengan pemasangan baterai luar. Pengoperasian transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi potensial pada sambungan (gambar 2. dan lain – lain. pengatur (regulator). transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang besar untuk mendapatkan penguatan tegangan. Untuk transistor – transistor buatan Amerika.2b). 2N. Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi). Seperti akan kita lihat.3 Operasi Transistor Pada gambar 2. Berbeda dengan Jepang. sebagai efek dari pemasangan tegangan panjar CB V akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. 3. 2SB. yaitu 2SA. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh baterai eksternal. karena Jepang menggunakan kode lain lagi. dan sebagainya. Huruf – huruf atau angka – angka yang lain menyatakan nomor seri. Y = penyearah. dioda efisiensi X = dioda zener.2. distribusi potensial . Sambungan kolektor berpanjar mundur. kondisi panjar b). Karena daerah basis sangat tipis.2.X = dioda pengganda.2. Sambungan emitor berpanjar maju. 2. dengan efek dari tegangan panjar eb V terjadi penurunan tegangan penghalang pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron (minoritas). (a) (b) Gambar 2. kode yang biasa digunakan adalah 1N.11a diperlihatkan keping horizontal transistor jenis NPN.

Sebagian besar elektron mencapai kolektor atau . Komponen lain dari arus kolektor berupa arus drift melewati sambungan kolektor-basis dari pembawa muatan minoritas hasil generasi termal.99. Dengan proses pabrikasi transistor yang benar. tidak perlu terlalu dirisaukan. Komponen terbesar dari arus emitor IE terdiri atas elektron yang mengalir melewati penurunan tegangan potensial (VO . Elektron yang “terinjeksi” dari emitor ke basis dapat mengalir melalui sambungan emitor-basis secara bebas karena beberapa sebab : 1. kurang lebih 99 . Elektron tersebut tidak mengalami kesulitan akibat penurunan tegangan penghalang.4 Karakteristik DC Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran pembawa muatan melewati sambungan dan ke basis. Daerah basis memiliki tingkat doping yang lebih rendah dibandingkan daerah emitor. ICBO adalah penulisan yang benar namun biasanya lebih sering ditulis sebagai IO . Fuge factor ( η ) untuk transistor biasanya tidak diperlukan.VEB) ke sambungan emitor-basis. tidak ada tegangan yang melawannya. Komponen lain adalah aliran lubang dari basis yang juga difasilitasi oleh penurunan tegangan penghalang tersebut.98). pengoperasian di daerah aktif). Dengan sambungan emitor berpanjar maju dan sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut operasi normal. 2. Jika kita memasang tegangan VEB pada sambungan emitor-basis. sehingga arus lubang relatif lebih rendah. kita menginjeksi arus yang diberikan oleh persamaan arus diode : ⁄ dimana VT = 25 mV pada temperatur ruang. 3. hanya terdapat jarak yang pendek pada daerah basis (tipis) dan hanya terdapat jumlah lubang yang relatif rendah sehingga tidak banyak elektron yang tertangkap lubang dan hilang. Arus elektron α iE mendominasi besarnya arus kolektor. yaitu dengan proses rekombinasi.9% elektron yang terinjeksi berhasil mencapai sambungan basis-kolektor (factor α biasanya berharga sekitar 0. Efisiensi emitor ( γ ) berharga mendekati satu sehingga arus hampir terdiri atas semua elektron yang terinjeksi dari emitor. Tanda negatif hanya untuk memenuhi perjanjian konvensional.2.2. Harga arus iE sangat tergantung pada tegangan VEB . Kedua jenis muatan mengalir melalui proses difusi.

Gambar 2. Arus lain sebesar terlihat sebagai arus basis ⁄ yaitu disebut penguatan arus (current gain ). namun biasanya berharga sekitar 100-200.12 Transistor dengan konfigurasi basis bersama Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar maju.2. Rangkaian transistor seperti pada gambar 2. Karakteristik BJT dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari pemahaman kita tentang diode dan pengoperasian transistor. dimana harganya akan sangat bervariasi dari satu transistor ke yang lain walaupun mempunyai seri dan tipe yang sama.dimana = 1.5 Karakteristik Keluaran a. dapat berharga serendah 20 dan dapat berharga setinggi 2000.2. 2. Konfigurasi Basis-Bersama (Common-Base Configuration).12 disebut konfigurasi basis bersama karena i-v basis digunakan untuk terminal masukan maupun keluaran.2.13-b) mirip dengan karakteristik diode (gambar .2. maka karakteristik masukan rangkaian ini (gambar 2.

dan arus emitter iE = -iC + iB .14 lebih sering digunakan sebagai penguat arus.13-a).2.2. karakteristik kolektor mirip dengan karakteristik diode gambar 2. maka (a) (b) (c) Gambar 2.2. Untuk iE = 0.13-a pada kuadran tiga.13 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi basis-bersama a) karakteristik basis. Konfigurasi Emitor-Bersama (Common-Emitter Configuration) Konfigurasi emitor-bersama seperti diperlihatkan pada gambar 2.13-c).kolektor pada dasarnya berpanjar mundur. b) karakteristik emitter. Karena faktor selalu lebih kecil dari satu ⁄ secara praktis konfigurasi basis -bersama tidak baik sebagai penguat arus. arus kolektor meningkat sebesar iE ≈ +5 mA dan menampakkan bentuk kurva. Untuk iE = -5 mA. (VCB berharga negatif akan membuat sambungan kolektor basis berpanjar maju dan akan mengalir iC berharga negatif). iC ≈ iCBO (lihat gambar 2. karenanya besarnya arus kolektor adalah atau . c) karakteristik kolektor b. Dengan VCB berharga positif dan emitor hubung terbuka.2. Terlihat bahwa efek dari tegangan kolektor-basis VCB cukup kecil.2.2. Arus input dalam konfigurasi ini adalah iB . iE = 0 volt dan bagian basis . Sesuai dengan namanya emitor dipakai bersama sebagai terminal masukan maupun keluaran.

b) karakteristik kolektor (b) Gambar 2.14 transistor dalam konfigurasi emitter bersama Untuk menyederhanakan persamaan diatas kita telah mendifinisikan “nisbah transfer arus” sebagai dan kita dapat mencatat besarnya arus cutoff kolektor sebagai Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor) dalam bentuk arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah (a) a) karakteristik basis.Gambar 2.2.15 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi emitter bersama .2.

Setiap ada kenaikan arus iB .α = 0.7 V akan memberikan iB yang cukup besar. β = α /1.15. Untuk α = 0. dan harganya tergantung pada besarnya tegangan sambungan emitor-basis.2. sedangkan pada konfigurasi emitor-bersama adalah hubungan antara VBE dengan iB.7 Karakteristik Transfer-Arus Karakteristik transfer-arus berupa plot iC terhadap iB untuk suatu harga VCE tertentu.2. Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik keluaran. 2.2. atau FET dapat digunakan sebagai “penguat”.98 = 49 jelas sedikit perubahan pada iB akan memberikan kenaikan yang sangat besar. Pada gambar 2. arus D ( iD ) hampir tidak tergantung pada besarnya tegangan D-S ( VDS ). yaitu hubungan eksponensial I-V pada sambungan emiter-basis. Pada daerah jenuh.98 / 1 .6 Karakteristik Masukan Karakteristik transistor lain yang perlu diketahui adalah karakteristik masukan. untuk iB = 0 .2. besarnya arus masukan iB relatif kecil untuk tegangan kolektor-emitor lebih besar 1 V.0. dan efek dari VCE pada konfigurasi ini akan lebih nampak dibandingkan pada konfigurasi basis-bersama.2.15-b. tegangan yang terjadi mungkin akan lebih besar dibandingkan tegangan masukan. Sedikit kenaikan pada α akan menghasilkan perubahan yang lebih besar pada β. Kemiringan dari kurva yang diperoleh secara langsung akan memberikan harga dari hubungan : 2. Jika arus keluaran dilewatkan pada suatu resitor. dengan demikian FET dapat digunakan sebagai “saklar” dengan tegangan sebagai pengontrol. Karena karakteristik piranti secara individu tidak dapat diketahui secara pasti. Untuk BJT silicon misalnya.Bentuk karakteristik emitor-bersama diperlihatkan pada gambar 2.8 Karakteristik Transfer Karakteristik i-v dari FET menunjukkan bahwa arus keluaran dapat dikontrol oleh tegangan masukan. dan “karakteristik transfer” yang . maka biasanya digunakan analisa pendekatan. untuk tegangan panjar maju sekitar 0. 2. yaitu antara pinch-off atau turn-on dengan daerah breakdown.98. arus iC berharga relatif kecil dan hampir konstan pada harga ICEO . akan diikuti kenaikan arus iC sebesar βiB . Karakteristik masukan pada konfigurasi basis bersama adalah hubungan antara VBE dengan iE .

Pada rangkaian dapat dipasang piranti JFET. Dari analisis teori dan pengukuran praktis.9 Penguat Sumber-Bersama (Common-Source Amplifier) Konfigurasi sumber bersama (common-source) paling banyak digunakan pada penguat FET.2.2. D-MOSFET atau E-MOSFET.2.2. Pada prinsipnya rangkaian ini sama dengan rangkaian dasar penguat JFET yang telah kita bahas sebelumnya. Titik S terhubung dengan masukan dan keluaran. Karakteristik rangkaian pada dasarnya sama untuk ketiga piranti tersebut. . arus D pada daerah arus-konstan adalah Gambar 2.16.menggambarkan hubungan antara arus keluaran dengan tegangan masukan diperlihatkan seperti pada gambar 2. Isyarat masukan dikenakan pada G-S dan isyarat keluaran diambil dari D-S.17. Untuk JFET. Dalam berbagai hal konfigurasi ini mirip dengan konfigurasi emitorbersama pada BJT. dapat diperlihatkan bahwa karakteristik transfer untuk ketiga jenis FET dapat didekati berbentuk parabolik.16 karakteristik transfer pada arus konstan untuk JFET ( dimana iDS = arus D pada daerah arus-konstan ) IDSS = nilai iDS dengan G terhubung langsung dengan S VP = tegangan pinch-off 2. Salah satu bentuk praktis rangkaian sumber bersama diperlihatkan pada gambar 2.

Impedansi keluaran relatif cukup tinggi (beberapa kilo ohm) dan pada dasarnya tidak tergantung pada harga RL . . DMOSFET atau E-MOSFET. Impedansi masukan berharga sangat tinggi (berorde mega ohm). Tegangan keluaran yang diambil dari S-D akan mengalami pembalikan 1800 . Ini menyebabkan tegangan G bervariasi mengikuti AC. Isyarat masukan dikenakan pada S-G dan isyarat keluaran diambil dari D-G.2. Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian.10 Penguat Gerbang-Bersama (Common-Gate Amplifier) Konfigurasi gerbang-bersama (common-gate) dalam berbagai hal mirip dengan konfigurasi basis-bersama pada BJT. Tegangan isyarat yang datang akan tergabung (superimpossed) dengan tegangan G.Gambar 2. Konfigurasi gerbang-bersama dapat digunakan sebagai penguat tegangan tetapi mempunyai penguatan arus lebih kecil dari satu. Variasi ini akan diikuti oleh arus drain ID .2. Penguatan tegangan adalah sebesar AV = VDS/VGS dengan harga sekitar 5 – 10.17 Penguat JFET sumber bersama (common-source) Isyarat yang akan diproses pada sumber bersama diumpankan pada GS. Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R2. 2. Konfigurasi ini dapat digunakan untuk piranti JFET.

2. ini akan membuat ID semakin negatif.5. Isyarat masukan dikenakan pada R1 melalui C1 .2. yaitu berharga sekitar 2 .18.2. Variasi yang terjadi pada isyarat masukan menyebabkaan perubahan pada tegangan S. Besarnya penguatan tegangan relatif lebih rendah dibandingkan penguat sumber bersama. Pada periode positif isyarat masukan akan membuat S semakin positif.Gambar 2. Demikian halnya pada saat periode isyarat masukan negatif. Penurunan tegangan pada R2 akan mengalami kenaikan atau penurunan mengikuti masukan. akan terjadi kenaikan ID. Pada rangkaian ini digunakan penguat JFET. Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R1 . Konfigurasi ini banyak dipakai untuk penguat isyarat frekuensi radio (RF).18 Penguat JFET sumber bersama (common-source) Salah satu bentuk praktis rangkaian gerbang-bersama diperlihatkan pada gambar 2. Penguat ini memiliki impedansi masukan yang sangat rendah (sekitar 200 – 1500 ) dan impedansi keluaran sedang (sekitar 5 – 15kΩ). 2. D terhubung baik dengan masukan maupun dengan keluaran. Dengan kata lain isyarat masukan sefase dengan isyarat keluaran. Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian. Penguat ini juga disebut sebagai pengikutsaluran (drain follower) dan memiliki .11 Penguat Saluran-Bersama (Common-Drain Amplifier) Penguat saluran-bersama mempunyai isyarat masukan yang dikenakan pada G dan isyarat keluaran diambil dari S. Penguat gerbang-bersama mempunyai karakteristik yang agak spesifik.

Konfigurasi ini memiliki impedansi masukan yang sangat tinggi dengan memasang R1. yaitu untuk menyambung rangkaian dengan beban impedansi tinggi dengan rangkaian dengan beban impedansi rendah. Penguat saluran-bersama banyak digunakan sebagai piranti penyesuai impedansi (impedance-matching). akan membuat G negatif. Ini akan membuat saluran-n menjadi semakin konduktif. tegangan dan sebagainya. maka S akan berubah/bergoyang positif.2. Titik operasi DC ditentukan oleh resistor R2 .19 memperlihatkan bentuk praktis rangkaian saluran-bersama dengan menggunakan JFET saluran-n. Gambar 2.karakteristik mirip dengan rangkaian pengikut emitor pada transistor BJT. 2. Dengan bertambahnya arus yang melewati R3 dan R2 . maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan (amplifier) signal-signal. daya. Titik operasi transistor ditentukan oleh R2. maka akan terjadi perubahan tegangan G. Kombinasi resistor R2 dan R3 membentuk hambatan beban dan akan menjadi impedansi keluaran. Namun .12 PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor. resistor R3 telah digeser dari D ke S.2. Demikian sebaliknya pada saat periode isyarat masukan negatif. arus. akan membuat saluran-n menjadi kurang konduktif. Pada rangkaian ini. Gambar 2.19 Penguat JFET saluran-bersama (common-drain). Saat isyarat masukan AC diumpankan ke G.2. Pada periode positif isyarat masukan.

RL = UCC . yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2. dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor. RL = 0. sehingga tegangan UCE = UCC.20 dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).2. penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan. Gambar 2. Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube). Fisik relative jauh lebih kecil. Lebih ekonomis. maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik.20. Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC .dikarenakan karakteristik listriknya. seperti : a.2. Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2. a.2. c.20 dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya. Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC . Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0. b. . Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade .

karena UZ tetap konstan sedangkan Ui = UCB + UZ. Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2. yaitu Emiter. Transistor mempunyai tiga buah elektroda. Regulator Tegangan dengan Transistor Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban RL. transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. Karena karakteristik listriknya.22.2. Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75oC. maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama. daya (Amplifier). .2. tegangan. Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN.21 Rangkaian Kaskade Transistor b. Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse). Pada saat terjadi perubahan tegangan ini. sedangkan silikon sekitar 15oC Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan.Gambar 2.

Penguatan arus listrik atau gain dari rangkaian transistor Darlington ini sering dituliskan dengan notasi β atau hFE. Sambungan seri seperti ini dipakai untuk mendapatkan penguatan (gain) yang tinggi. Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. Transistor Darlington bersifat seolah-olah sebagai satu transistor tunggal yang mempunyai penguatan arus yang tinggi. Dari segi tegangan listriknya. C (Kolektor). karena hasil penguatan pada transistor yang pertama akan dikuatkan lebih lanjut oleh transistor kedua. Transistor Darlington Transistor Darlington adalah rangkaian elektronika yang terdiri dari sepasang transistor bipolar (dwi kutub) yang tersambung secara tandem (seri). Jenis rangkaian hasil penemuannya ini telah mendapatkan hak paten. Rangkaian transistor Darlington ditemukan pertama kali oleh Sidney Darlington yang bekerja di Laboratorium Bell di Amerika Serikat. Rangkaian Sziklai sering dikenal sebagai rangkaian 'Complementary Darlington' atau 'rangkaian kebalikan dari Darlington'. Jenis rangkaian yang mirip dengan transistor Darlington adalah rangkaian pasangan Sziklai yang terdiri dari sepasang transistor NPN dan PNP. Dari luar transistor Darlington nampak seperti transistor biasa dengan 3 buah kutub: B (basis). seperti nampak dalam rumus berikut: . dan banyak dipakai dalam pembuatan Sirkuit terpadu (IC atau Integrated Circuits) chip.maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat-Sink. dan secara umum merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya. dan E (Emitter). voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar. Keuntungan dari rangkaian Darlington adalah penggunaan ruang yang lebih kecil dari pada rangkaian dua buah transistor biasa dengan bentuk konfigurasi yang sama. Penguatan total dari rangkaian ini merupakan hasil kali dari penguatan masing-masing transistor yang dipakai: Nilai penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali atau lebih.

2 Resistansi channel JFET FET No Seri Type AVO Meter Analog 2SK19 channel-N Digital Hambatan Drain Source Gate Source Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan . c. Untuk JFET periksalah hambatan antara drain dan source untuk gate pada keadaan terbuka.1 Resistansi dioda BJT No BJT No Seri Type 1 BC547 NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter Basis Kolektor Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan Tabel 2.4. d.2 Tabel 2.4 Cara Kerja 2.44 MB g.  Isilah tabel 2. Kemudian periksa pula hubungan antara gate dengan source. b. 2 buah multimeter analog maupun digital.   isilah tabel 2. flash disk h.3 Daftar Komponen dan Alat a. modul praktikum elektronika dasar. dengan cara memeriksa dioda emiter dan dioda kolektor dari transistor. Datasheet transistor yang digunakan 2. disket 3½ “ 1.2.1 Testing kondisi BJT dan JFET  Untuk BJT periksalah kondisi transistor. Osiloskop dua channel.1. 2 buah variable Power supply e. kertas milimeter block f. mistar i.

1.1 0.3  Gambar 2.IV.5 VRE IC IE β Keterangan .4 0.3. Karakteristik BJT dan JFET 1.1 Rangkaian karakteristik BJT Tabel 2.3 0.Karakteristik BJT   Buat rangkaian seperti pada gambar 2.II. Catat pengamatan anda pada tabel 2.2 0. IC (tegangan dari RC).4.3 Hasil pengamatan karakteristik BJT No 1 2 3 4 5 IB VCE 0.  Gunakan multimeter untuk mengukur IB (Tegangan dari RB). Aturlah tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE sesuai dengan tabel 2. dan VCE.

3.4 Gambar 2.4 Hasil Pengamatan karakteristik JFET No VGS VDS VR ID D IG Keterangan 1 2 3 1.3.5 4 5 2. Karakteristik JFET    Buat rangkaian seperti pada gambar 2.2 Rangkaian karakteristik JFET Tabel 2.4.2 Aturlah tegangan agar harga VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.4. Karakteristik transistor  Buat rangkaian seperti pada gambar 2. .5 2. Karakteristik BJT dan JFET dengan osiloskop 1.2.4 catat besar ID pada tabel 2.

3 Rangkaian karakteristik BJT dengan osiloskop 2. untuk harga VGS 0. Gunakan osiloskop dua channel. 50. untuk harga IB 30.  Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif  Besarnya arus drain dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan vertikal dengan nilai tahanan RD.4. 0. dan 0. Karakteristik JFET   Buat rangkaian seperti pada gambar 2.4.  Gambar hasilnya pada kertas milimeter block. Input horisontal (X/CH1) hubungkan dengan E (emitor transistor hubungkan dengan ground osiloskop) dan input vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan ground RC (kolektor sebagai ground)  Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif  Besarnya arus kolektor dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan vertikal dengan nilai tahanan RC  Gambar hasilnya pada kertas milimeter block.3. Input horisontal (X/CH1) hubungkan dengan DS (drain JFET hubungkan dengan ground osiloskop) dan input Vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan RD (Drain sebagai ground ).7 volt . Gunakan osiloskop dua channel . dan 75 mA Gambar 2.

4. Isi tabel 2.1 Emiter stabilized bias  sebelum transistor dirangkai.4. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).    Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB.Gambar 2.4 Konfigurasi BJT 2. VCE.4. dan VBE.4 Rangkaian karakteristik JFET dengan osiloskop 2. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB.4. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. IC. IC.6  . VCE. ukurlah dahulu besarnya h fe transistor dengan multimeter digital. dan VBE.6 Setiap mulai mengukur.

matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. VCE. IC.7 Setiap mulai mengukur.5 Konfigurasi Emiter stabilized bias Tabel 2.7  .    Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB. Isi tabel 2.4.Gambar 2. VCE.6 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emiter stabilized bias No 1 2 3 4 IB IC VCE VBE β Keterangan 2. dan VBE. ukurlah dahulu besarnya h fe transistor dengan multimeter digital. dan VBE.4.2 Voltage divider bias  sebelum transistor dirangkai. IC.4.

IG.9 Setiap mulai mengukur.6 Konfigurasi Voltage divider bias Tabel 2.4.5. IG. VDS.4. VDS. Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID.7 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 2 3 4 IB IC VCE VBE β Keterangan 2.1 Fixed bias   Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.5 Konfigurasi JFET 2. dan VGS. Isi tabel 2.4.  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID.9  .Gambar 2. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). dan VGS.

4. Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID.7 Konfigurasi Fixed bias Tabel 2.  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID. IG. VDS.5. VDS.11 Setiap mulai mengukur.8 Hasil Pengamatan Konfigurasii Fixed bias No 1 2 3 4 ID IG VDS VGS Keterangan 2. dan VGS.4.2 Voltage divider bias   Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). Isi tabel 2. dan VGS.Gambar 2. IG.11  .

8 Konfigurasi Voltage divider bias Tabel 2.4.5 Lembar Kerja dan Data Hasil Percobaan Tabel 2.Gambar 2.10 Resistansi Dioda BJT No BJT No Seri 1 BC547 Type NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital 500 0 500 0 √ AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter 550 0 Basis Kolektor 500 0 Keterangan keadaan Baik Buruk √ Ket .9 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 2 3 4 ID IG VDS VGS Keterangan 2.

13 VC 10.50 VC 2.05 IC 0.02 VDS 7.13 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias No 1 ID 5.Tabel 2.02 VB 10.84 VBE 9. Tabel 2.11 Hasil Pengukuran Konfigurasi emitter dan stabilized bias No 1 IB 0. Dalam percobaan ini kita memeriksa transistor jenis NPN (BC547) dan jenis PNP (BC557).476 VD 7.098 VD 12.15 Hasil Pengukuran Resistansi dioda BJT No BJT No Seri 1 BC547 Type NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital 500 0 500 0 √ AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter 550 0 Basis Kolektor 500 0 Keterangan keadaan Baik Buruk √ Ket .1 Testing kondisi BJT dan JFET Sebuah transistor apabila dalam kondisi baik maka akan mempunyai suatu nilai hambatan dan apabila nilai hambatannya nol atau tidak bisa di hitung nilainya maka transistor dalam keadaan rusak.34 VCE 2.72 VDS 12.5 β 10.34 VBE 10.1078 VB 10. berikut data yang diperoleh.78 VCE 9.14 Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias No 1 ID 2.12 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 IB 1.6.18 VGS 1.159 Keterangan - Tabel 2.978 keterangan Baik Tabel 2.52 VG 0.6 Analisa Pembahasan Hasil Percobaan 2.53 VGS 0.81 VG 1.09 Keterangan Baik 2.2 β 0.7 IG 6.33 IG 0.02 Keterangan - Tabel 2.675 IC 0.

Pada BasisKolektor. arus listrik tersebut tidak dapat mengalir. yaitu pada Basis dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub positif sumber listrik maka pada Avometer tidak menunjukkan hasil. Biasanya dalam rangkaian transistor dipakai dambungan pn dalamkeadaan bias maju sehingga antara arus dan voltase basis-emitor terdapat hubungan seperti pada diode. Dalam JFET saluran n terdapat satu bahan semi konduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. sesuai dengan sifat . Untuk BJT type PNP terlihat pada table ketika dikenakan arus maju pada BasisEmiter dan Basis-kolektor pada Avometer tidak menunjukkan hasil pengukuran (mati). Antara basis dan emitor terdapat satu sambungan pn. Maka jelas. Ini menandakan pada saat dikenakan arus mundur pada Basis-Emiter. Hal ini menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan baik. Hal ini menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan baik. Meskipun dalam pengukuran pada hubungan gate dengan source pada bias balik tidak mendapat nilai akan tetapi tetap bisa disimpulkan bahwa JFET yang kita ukur dalam keadaan baik.sifat pada sambungan ini sama dengan sifat diode. Dari data hasil percobaan kita mendapatkan nilai hambatan yang berarti. sedangkan pada saat dikenakan arus mundur. Dalam pengukuran JFET kita menggunakan JFET saluran n. karena pada transistor type NPN arus hanya akan mengalir dari bagian P ke bagian N atau dengan kata lain dari kaki Basis ke kaki Emiter dan dari kaki Basis ke kaki Kolektor.Memeriksa BJT kita lakukan dengan cara memeriksa hambatan dioda Emiter dan dioda kolektornya. sedangkan jika dikenakan arus mundur pada Avometer tidak menunjukkan hasil. sedangkan pada saat dikenakan arus mundur Avometer menunjukkan hasil pengukuran. kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber. Pada kedua jenis transistor diatas memiliki hambatan yang berarti jadi kedua jenis transistor dalam keadaan baik. ketika dikenakan arus maju. yaitu Kolektor dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Basis dikenakan kutub positif sumber listrik maka pada Avometer menunjukkan hasil. Dari table dapat dilihat pada pengujian transistor BJT type NPN terlihat pada saat Basis-Emiter dikenakan arus maju artinya pada Basis dikenakan kutub positif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub negatif sumber listrik pada Avometer terlihat adanya resistansi yang terukur. Dalam pengukuran JFET kita memeriksa hambatan antara drain dan source untuk gate terbuka dan memeriksa hambatan antara gate dan source.

yaitu dari Gate ke Source dan tidak sebaliknya.0. sedangkan pada Gate Source Avometer hanya akan menunjukkan hasil ketika dikenakan voltase maju karena pada Gate merupakan daerah semikonduktor P  sehingga aliran listik hanya dapat mengalir satu arah saja.51 V / 106  = 1. 2.6.VCE / RC Misalnya pada saat kondisi VB= 0. Hal tersebut menunjukkan bahwa transistor JFET tersebut dalam keadaan baik. maka persamaannya dapat diperoleh dari persamaan berikut : IB = VCC . IC (Tegangan dari RC).3x10-4 IC = VCC .semikonduktor yang hanya akan mengalirkan arus dari P ke N atau dengan kata lain.VCE / RC =4. dan VCE. Sedangkan pada Gate Source hanya pada saat dikenakan voltase maju saja memberikan hasil pada Avometer.1x10-5 A =20. pada Transistor PNP arus akan mengalir dari Emiter ke Basis dan dari Kolektor ke Basis.3x10-4 A / 1. Pada transistor JFET. Dalam percobaan karakteristik BJT kita memerlukan nilai IB.1x10-5 A β = IC / IB IE = IC β = IC / IB IE = IC = 2.91 . IB = VCC – VBE / RB = 12 .2 Karakteristik BJT Pada awalnya kita menyusun rangkaian seperti pada gambar.02 V / 4700  = 8. IC. Mengatur tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE. Maka didapatkanlah data seperti pada tabel .6 V .55x10-4 A = 2. Semikonduktor P  adalah semikonduktor P dengan konsentrasi atom asing yang tinggi. karena pada Drain Source merupakan satu saluran yaitu saluran N sehingga walaupun dikenakan voltase maju ataupun mundur maka akan terdapat aliran listrik. yang berupa aliran elektron.VBE / RB IC = VCC . IE dan β. ketika dikenakan voltase maju atau voltase mundur pada Drain Source Avometer menunjukkan hasil pengukuran. sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif. kemudian mengukur IB (Tegangan dari RB).

1x10-5 1.6 10. Nilai VRD yang di dapatkan dapat dilihat pada tabel.3x10-4 3. Pertama dibuat rangkaian seperti pada gambar 2.55 0.44 10.6x10-4 3x10-4 3.51 0.1 1.2x10-5 1.67 25 27. Dan untuk menentukan besar IG dan ID dapat mempergunakan rumus berikut : IG = VG / RG dan IDS = VDS / RD Misalnya pada saat kondisi VG = 0.2x10-5 1.91 10. Kemudian tinggal mencatat besar IG dan ID.25.20 Hasil Pengamatan Karakteristik BJT No 1 2 3 4 5 IB 1.3x10-4 3.55 IC 2.Tabel 2.6. Kemudian mengatur tegangan VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2. dengan RD = 4700  ID = VDS / RD = 1.3x10-4 2.9 1 VBE 0.6x10-4 3x10-4 3.6 V.7x10-4 VC 0.8 0.7x10-4 Β 20.3 Karakteristik JFET Pada percobaan menentukan karakteristik JFET.3x10-4 2.23.61 VCE 10.05 V / 4700  = 2.31x10-3 A Sehingga diperoleh hasil sebagai berikut: .6 V / 106  = 6x10-7 A Misalnya pada saat kondisi VDS = 1 V. langkah-langkahnya hampir sama dengan dengan percobaan menentukan karakteristik BJT.24 IE 2.83 Ket - 2.53 0.93 1.7 0.26 1.91 21.6 0.76 10.2x10-5 VB 0. dengan RG = 106  IG = VG / RG = 0.5 30.2x10-5 1.55 0.41 1.

31x10-3 2.85 10.1 Emitter Stabilized Bias Gambar 2.05 VRD 10.6.54 ID 2.53 0.21 Karakteristik JFET No 1 2 3 4 5 VG 0.87 10.06 1.31x10-3 2.87 10.675 IC 0.31x10-3 IG 6x10-7 7x10-7 8x10-7 9x10-7 1x10-6 Keterangan - 2.4.31x10-3 2.1078 VB 10. dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : .4 Konfigurasi BJT 2.6.52 0.85 10.159 keterangan - Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas.6 0.22 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emitter Stabilized Bias No 1 IB 0.9 1 VDS 1.51 0.78 VCE 9.31x10-3 2.8 0.7 0.06 1.05 1.6.13 VC 10.84 VBE 9.52 0.07 1.Tabel 2.88 VGS 0.2 β 0.1 Konfigurasi Emitter Stabilized Bias Tabel 2.

  IC IB = 0.IB = VB / RB dan IC = VCC .0216 A = 6.13V 15k IC = 12V  9.7x10-4 A Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam tabel.84 V dimana: RB = 15 KΩ dan RC = 100 Ω IB = 10.7x10-4 A maka. VB = 10.84V 100 = 0.0216 A / 6.23 . Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : β = IC / I B Untuk IC = 0.13 V dan VCE = 9.VCE / RC Untuk VCC = 12 V.0216 A IB = 6.7x10-4 A = 32.

05 IC 0. dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : IB = VB / RB dan IC = VCC .2 Voltage Divider Bias Gambar 2.34 VCE 2.5 VC 2.VCE / RC Untuk VB = 10.4.Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.6.5 β 10.5 V.338 V dimana: RB = 10 K  dan RC = 100  maka: IB = 10.6.05x10-3 A .097 A = 1. 2.5V 10K IC = 12V  2.338 VBE 10.23 Hasil Pengamatan Voltage Divider Bias No 1 IB 1.2 Konfigurasi Voltage Divider Bias Tabel 2.02 VB 10. VCC = 12 V dan VCE = 2.022 keterangan - Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas.238V 100 = 0.

53 VGS 0.Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam tabel.097 A / 1.1 Fixed Bias Gambar 2.5.02 VDS 7.476 VD 7.978 keterangan Baik .38 Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.6.6.05x10-3 A maka.3 Konfigurasi Fixed bias Tabel 2.33 IG 0.5 Konfigurasi JFET 2.097 A IB = 1.   IC IB = 0.05x10-3 A = 92.6. 2.52 VG 0.24 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias No 1 ID 5. Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : β = IC / I B Untuk IC = 0.

5.53 x 10-3 A = 4.476 V dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 1 MΩ .53 V dan VG = 0.6.2 Voltage Divider Bias Gambar 2.4 Konfigurasi Voltage divider bias .Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : ID = VD / RD dan IG = VG / RG Untuk VD = 7.53V 1K IG = 0. Ini disebabkan oleh karena ID dan IG selalu berbanding lurus dengan VD dan VG.6.76 x 10-7 A Nilai IG bernilai 0 hal ini disebabkan karena pada saat proses perhitungan V G didapatkan hasil yang bernilai 0 . 2. maka maka: ID = 7.476V 1M = 7.

098V 10 K = 12.IGSS? 10.18 VGS 1.098V dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 10 KΩ . aktif. VBE terhadap IB c.Tabel 2. Apa ciri ketiga daerah operasi dari JFET? .7 Pertanyaan dan Tugas 1. Sebutkan kegunaan dari BJT dan JFET serta aplikasinya? 6.098x10-4 A 2. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias? 9. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter.098 VD 12. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off. buatlah grafik. Apa yang dimaksud dengan IDSS.18 V dan VG = 1. pada tiap konfigurasi! 4. a.maka maka: ID = 12.18V 1K IG = 1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off.VP. Tentukan titik Q pada BJT dan FET. dan saturasi? 2.09 keterangan Baik Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : ID = VD / RD dan IG = VG / RG Untuk VD = 12. hFE terhadap IC. jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan! 7.81 VG 1.7 IG 672 VDS 12. IC terhadap VCE b. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja BJT dan FET! 5. Dari keempat jenis bias pada BJT. mana yang paling stabil (pergeseran titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan! 8.25 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias No 1 ID 2. aktif dan saturasi. 3.18 x10-3 A = 1.

Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB.7. maka dapat diperoleh hubungan : VCE = VCC . Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region). Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori.1 Jawaban : 1. Terangkan perbedaan antara BJT dan JFET menurut hasil percobaan (minimal 5 perbedaan)! 12. Pada saat perubahan ini. sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri kesimpulannya 14. Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (rangkaian CE).ICRC . Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON. 2. - Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif. daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan kesimpulan umumnya pada akhir percobaan. mungkinkah disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya! 13. dimana arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE.11.

yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal.24 370 . a. maka transistor dapat rusak atau terbakar. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax.76 260 12 10. Grafik VCE terhadap IC IB (µA) VCE (V) IC (µA) 11 10. 2.Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : PD = VCE. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PDmax.91 230 12 10.44 330 12 10.6 300 12 10.IC Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya. - Daerah Saturasi Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon). Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor.

53 12 0.9 h fe (dB) .51 12 0.55 12 0.4 12 10.76 260 25.55 12 0.5 12 10. Grafik hFE terhadap IC. Grafik VBE terhadap IB IB (µA) VCE (V) 11 0.24 370 23.b.91 230 26 12 10.44 330 24.9 12 10.6 300 24.55 c. IB (µA) VCE (V) IC (µA) 11 10.

Bias Tetap : Titik Q point terjadi saat Ic saturasi mencapai maximum dan berpotongan dengan Vce saturasi. yaitu voltase ada dan voltase nol atau dengan kata lain hanya terdapat keadaan on dan off. lebar daerah pengosongan akan bertambah. Lebarnya akan tergantung dari voltase antara daerah semikonduktor p+ dan daerah semikonduktor n. semakin lebar daerah pengosongan. Satu contoh di mana transistor dipakai sebagai saklar adalah dalam rangkaian elektronika digital. Bias Pembagi Tegangan : Titik Q point terjadi pada pertemuan garis dari k dan Vge. sehingga electron akan masuk ke dalam saluran dari source dan keluar dari drain.3 a. Dalam pengoperasian JFET saluran n. Semakin besar voltase. 5. 4. Bias Emiter Terstabilkan : Titik Q point terjadi pada perpotongan garis Ibo dan garis yang menghubungkan Vcc dan Vcc / Rc+Re c. Kegunaan dari BJT diantaranya berfungsi sebagai saklar. Dalam elektronika digital biasanya hanya terdapat dua keadaan. Gate disambungkan dengan voltase negatif terhadap source sehingga saluran pn antara gate dan saluran n dibias balik. . Ketika sambungan pn tersebut dibias balik. b. drain disambungkan positif terhadap source.

dan variasi suhu. . Rangkaian yang dapat menguatkan sinyal ac dinamakan dengan penguat dc. 7. 6.7 V . 9. Reverse Bias adalah hubungan yang terjadi saat pusat negative baterai dihubungkan pada sisi-dan pusat positif baterai dihubungkan dengan sisi-n. Karena di sana lebih dari cukup arus basis untuk menjenuhkan transistor. VP adalah tegangan Pinchoff dimana tegangan minimum pada daerah aktif JFET. yaitu tengangan catu kolektor. Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan basis yang menghasilkan gain arusnya 10. dengan cara ini tegangan dc digandeng. pergeseran rendah tempat tegangan keluaran dc akhir dihasilkan dengan perubahan kecil pada tegangan catu. Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier ( IC = B * IB). Keuntungan utama dari penggandengan langsung adalah drift yaitu. Beta adalah salah satu dari parameter transistor. Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias pembagi tegangan. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor kecil. Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan beban tipe-n dan pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p. Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200. tapi bisa juga sampai 800. bagian dari base transistor. seperti tegengan ac. Kita dapat mengenalinya dengan adanya pembagi tegangan pada rangkaian basis. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter disebut dengan bias pembagi teganyan. parameter transistor.6 – 0. IDSS adalah arus batas atas untuk memutuskan atau mencegah kenaikan arus kanal penghubung yang sempit. maka titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban. Berada pada daerah aktif VBE = 0.Kegunaan dari JFET salah satunya adalah penguat pemotong. VCE maksimum yang mungkin sekitar 15 V. Titik cut-off menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang mungkin dalam rangkaian. Membangun sebuah penguat tergandeng langsung dengan mangambil kapasitor penggandeng dan bypass kapasitor serta manghubungkan keluaran tiap tingkatan langsung pada input dari tingkatan berikutnya. 8.

BJT memiliki kolektor.Konfigurasi JFET * Nilai ID. BJT dibentuk berdasarkan dua tipe muatan sedangkan JFET satu tipe muatan.Karakteristik BJT dan JFET * Penambahan VCE secara konstan tidak menyebabkan perubahan IC atau perubahan IC sangat kecil (tidak signifikan) * * Besar β ditentukan oleh besar IC dan IB Besar arus colektor dan emiter adalah sama Nilai IB. dan VGS tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu tetapi VDS mengalami perubahan nilai (tidak signifikan) . 12. Kerusakan transistor bisa saja terjadi karena transistor telah melewati daerah breakdown. 10. . gate dan source.IGSS adalah arus yang menunjukkan drai arus ke sumber dengan gate yang dihubungsingkatkan. VBE. Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan teori yang ada. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan didalam pembacaaan skala pada alat ukur multimeter. 14. . 11. IG.Kondisi BJT dan JFET * BJT dan JFET dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau hambatan diodenya dapat dihitung. IC. Daerah breakdown ciri-cirinya adalah tegangan JFET telah mencapai VDS max.Konfigurasi BJT * . dan β tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu tetapi VCE mengalami perubahan nilai (tidak signifikan) . Tidak sesuainya hasil percobaan dengan teori bisa saja disebabkan oleh rusaknya transistor. Karena kurangnya perawatan atau mungkin umur alat yang sudah lama. 13. Daerah Aktif ciri-cirinya adalah persamaan garisnya telah melewati tegangan pinchoff dan sampai pada batas VDS max. Ini adalah arus drain maksimum yang dapat dihasilkan sebuah JFET. Daerah ohmic cirri-cirinya adalah bagian yang hamper vertical pada kurva drain di bawah pichoff. basis dan emitter sedangkan JFET memiliki Drain.

org/wiki/Transistor_efek%E2%80%93medan http://elka.ub. BJT memiliki kaki-kaki yang dinamai kolektor.9 Daftar Referensi Buku - Malvino.scribd. buku satu. Penerbit Salemba Teknika.Dasar Elektronika. 2.voltage divider bias dan voltage feedback bias.php?page=4 http://elka. Emiter stabilized bias. self bias.id/praktikum/de/de.ws/transistor/tran_1. BJT dan JFET memiliki daerah Aktif.html .. saturasi dan breakdown. cut-off. basis dan emitter sedangkan JFET memiliki kaki-kaki yang disebut drain. 2004 http://www.com/doc/33212205/Bjt-Dan-Jfet http://id.ub.6 Kesimpulan Dari hasil percobaan yang telah dilakukan dapat ditarik kesimpulan bahwa BJT memiliki beberapa jenis bias diantaranya adalah fixed bias. Dipl.P. A.wikipedia. Sedangkan JFET juga memiliki beberapa jenis bias diantaranya fixed bias.ac. 2003 Blocher Richard. Penerbit Andi.Phys.Prinsip-Prinsip Elektronika..3.ac.php?page=3 http://www.electronics-tutorials.id/praktikum/de/de. dan voltage divider bias. gate dan source.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful