P. 1
Percobaan II BJT Dan JFET

Percobaan II BJT Dan JFET

|Views: 352|Likes:
Published by Franky Sibadboy

More info:

Published by: Franky Sibadboy on May 23, 2012
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOCX, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

06/19/2013

pdf

text

original

Sections

  • BAB I
  • PERCOBAAN II
  • BJT DAN JFET
  • 2.1 Tujuan Percobaan
  • 2.2 Tinjauan Pustaka
  • 2.2.1 Pengujian Transistor
  • BJT
  • Fixed Bias
  • Bias maju basis-emitter
  • 2.2.2 Nilai Batas Suatu Transistor
  • 2.2.3 Operasi Transistor
  • 2.2.4 Karakteristik DC
  • 2.2.5 Karakteristik Keluaran
  • 2.2.6 Karakteristik Masukan
  • 2.2.7 Karakteristik Transfer-Arus
  • 2.2.8 Karakteristik Transfer
  • 2.2.9 Penguat Sumber-Bersama (Common-Source Amplifier)
  • 2.2.10 Penguat Gerbang-Bersama (Common-Gate Amplifier)
  • 2.2.11 Penguat Saluran-Bersama (Common-Drain Amplifier)
  • 2.2.12 PENGGUNAAN TRANSISTOR
  • Transistor Darlington
  • 2.3 Daftar Komponen dan Alat
  • 2.4 Cara Kerja
  • 2.4.1 Testing kondisi BJT dan JFET
  • IV.II. Karakteristik BJT dan JFET
  • 2.4.3. Karakteristik BJT dan JFET dengan osiloskop
  • 2.4.4 Konfigurasi BJT
  • 2.4.4.1 Emiter stabilized bias
  • 2.4.4.2 Voltage divider bias
  • 2.4.5 Konfigurasi JFET
  • 2.4.5.1 Fixed bias
  • 2.4.5.2 Voltage divider bias
  • 2.5 Lembar Kerja dan Data Hasil Percobaan
  • 2.6 Analisa Pembahasan Hasil Percobaan
  • 2.6.1 Testing kondisi BJT dan JFET
  • 2.6.2 Karakteristik BJT
  • 2.6.3 Karakteristik JFET
  • IDS = VDS / RD
  • 2.6.4 Konfigurasi BJT
  • 2.6.4.1 Emitter Stabilized Bias
  • 2.6.4.2 Voltage Divider Bias
  • 2.6.5 Konfigurasi JFET
  • 2.6.5.1 Fixed Bias
  • 2.6.5.2 Voltage Divider Bias
  • 2.7 Pertanyaan dan Tugas
  • 2.7.1 Jawaban :
  • - Daerah Saturasi
  • 2. a. Grafik VCE terhadap IC
  • b. Grafik VBE terhadap IB
  • c. Grafik hFE terhadap IC
  • 3.6 Kesimpulan
  • 2.9 Daftar Referensi Buku

BAB I PERCOBAAN II BJT DAN JFET

2.1

Tujuan Percobaan 1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP) dan JFET (channel P atau channel N). 2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT dan JFET.

2.2

Tinjauan Pustaka Transistor adalah piranti elektronik yang menggantikan fungsi tabung

elektrontrioda, dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda , yaitu Emitter, Collector dan Base. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier), namun dikarenakan sifatnya, transistor ini dapat digunakan dalam keperluan lain misalnya sebagai suatu saklar elektronis. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N. Transistor berasal dari kata transfer resistor yang dikembangkan oleh Berdeen, Schokley, dan Brittam pada tahun 1948 di perusahaan elektronok Bell Telephone Laboratories. Penamaan tersebut berdasarkan prinsip kerjanya, yaitu mentransfer ataumemindahkan arus. Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan

(oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk mengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.

Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. Dalam dunia elektronika, transistor disimbolkan sebagai berikut :

(a)

(b)

Gambar 2.2.1 Transistor BJT (a) tipe pnp (b) tipe npn

Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya, kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan, namun pada dasarnya karena transistor ini tidak tahan terhadap temperatur, maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink). 2.2.1 Pengujian Transistor Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda, maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. Salah pemasangan pada rangkaian

b. c.

Penangan yang tidak tepat saat pemasangan Pengujian yang tidak professional

Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tiga jenis, yaitu : a. b. c. Pemutusan Hubung singkat Kebocoran

Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut, tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. Menguji Karakteristik statis BJT dan JFET akan digambarkan dengan dua cara: a. Dengan Multimeter. Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan mengukur besar arus 1. 2. 3. b. karakteristik Ic terhadap Vce dengan mengukur masing-masing besaran karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE karakteristik hfe terhadap IC

Dengan Osiloskop Pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE berbagai

nilai IB Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk mengamati besarnya IC yaitu dengan cara mengukur tegangan pada RC. Sedangkan input horisontal (X) dari osiloskop, digunakan untuk mengamati besarnya VCE. Gambar yang terbentuk pada layar osiloskop, sumbu horisontal ke kiri adalah tegangan positif sedangkan arah kanan adalah negatif.

BJT Transistor bipolar (BJT) adalah suatu jenis transistor, alat penguat atau pemilih yang dibuat dari semikonduktor yang dikotori. Transistor bipolar adalah gabungan dari bagian yang dikotori secara berbeda, bisa NPN atau PNP. N berarti negatif, dan P berarti positif.

PNP

NPN

Gambar 2.2.2 Lambang rangkaian BJT tipe PNP dan NPN.

-

Bias dalam Transistor BJT Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi

mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah. Dalam tahap disain maupun sintesis, pilihan parameter untuk level DC yang dibutuhkan akan mempengaruhi respon AC-nya. Demikian juga sebaliknya. Persamaan mendasar dalam transistor yang penting adalah :

Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas bisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Bias pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap. Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point) atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. Pada gambar di bawah ditunjukkan 4 buah titik kerja transistor. Rangkaian bias bisa di-disain untuk memperoleh titik kerja pada titik-titik tersebut, atau titik lainnya dalam daerah aktif. Rating maksimum ditentukan oleh Icmax dan VCE max. Daya maksimum dibatasi oleh kurva Pcmax. BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut, tapi bisa memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya. Untuk kondisi tanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya adalah titik A dimana arus dan tegangan bernilai nol.

Daerah aktif/daerah linear .2.Gambar 2.Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) Fixed Bias Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut. Daerah cut-off . . Daerah saturasi .Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) Daerah kerja transistor (cut-off.Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) 2. aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias yang diberikan pada masing-masing junction : 1.Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias) . Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif). beberapa syarat berikut harus dipenuhi: .3 Grafik Bias.Junction base-collector dibias maju (forward bias) 3.

2. Untuk tujuan analisis.5 Bias Model npn. Rangkaian pengganti DC menjadi : Gambar 2. supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi dua. masing-masing untuk input dan output. Rangkaian di atas menggunakan transistor npn.2. Untuk transistor pnp. Untuk analisis DC. rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan) dari input AC dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open circuit).Gambar 2. persamaan dan perhitungan adalah serupa. tapi dengan arah arus dan polaritas tegangan berlawanan.4 Bias Model. .

Arus basis IB menjadi : Dan b.2.Bias maju basis-emitter a. Loop collector-emitter Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi di bias mundur . Loop basis-emitter : Gambar 2.6 Loop basis-emiter Dengan hukum tegangan Kirchhoff : Perhatikan polaritas tegangan drop di RB.

2. Loop Collector .7 Bias emiter stabil a.Emitter Saturasi : - Bias Pembagi Tegangan Gambar 2.2. Loop Base-Emitter b.8 Bias pembagi tegangan .- Bias Emitter stabil Gambar 2.

2. dimana : Tapi nilai IB yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh persamaan yang lebih sederhana (asumsi I’C ≅ IC ≅ β IB dan IC ≅ IE): Sehingga : . Gambar 2.- Bias dengan umpan balik Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik dari collector menuju base.9 Bias dengan umpan balik Persamaan tegangan untuk loop di sebelah kiri ( loop base-emitter) : Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan I’ C.

Berdasarkan pembawa muatan mayoritasnya. Perbandingan antara JFET tipe-n dan tipe-p ditampilkan dalam tabel berikut: Table 1. Hal ini berarti arus keluaran pada JFET dikendalikan oleh tegangan gerbang (VGS) sedangkan pada BJT arus keluaran dikendalikan oleh arus basis (IB). Simbol .2. Loop collector-emitter Gambar 2.a.10 Loop collector-emiter Dengan I’C ≅ IC dan IC ≅ IE maka - Perbedaan BJT dan JFET Perbedaan utama antara JFET dengan BJT adalah apabila pada JFET gerbang dibias mundur sedangkan pada BJT basis dibias maju. JFET dibagi menjadi 2 tipe yaitu tipe-n dan tipe p.1 Perbandingan JFET tipe-n dan tipe-p No Keterangan Kanal n JFET Kanal p 1.

Dalam hal ini akan dibahas mengenai bangun JFET saluran n. Ada 2 jenis JFET. Di samping balok saluran n dibentuk dua daerah semikonduktor p+. Kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber. Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan. Semikonduktor p+ adalah semikonduktor p dengan konsentrasi atom asing yang tinggi. untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif (maka dinamakan p+). JFET (Junction FET) terdapat isolasi oleh sambungan pn (junction). Rumus ID ( ) 4. yaitu JFET saluran n dan JFET saluran p.2. Dalam JFET saluran n terdapat 1 bahan semikonduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Kedua daerah semikonduktor p+ tersambung dan membentuk sambungan keluaran yang disebut sebagai gate (G) atau . Kurva Karakteristik 3. Kurva Tracer 5. Dalam FET. tergantung dari tipe FET). Mode Operasi Depletion - JFET FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole.

Besar dari threshold voltage VT tergantung dari voltase VGS antara gate dan source. Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor. Suhu maksimal sutu transistor Germanium adalah sekitar 75o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150o C. Daerah saturasi dimulai pada voltase VDS yang lebih tinggi daripada voltase VCE pada transistor bipolar yang mana daerah aktif transistor tercapai. Daerah dalam grafik dimana ID konstan disebut daerah saturasi. Ketika I VGS I semakin besar. Voltase dimana daerah saturasi mulai disebut sebagai threshold voltage VT. Resistivitas tersebut tergantung dari konsentrasi pembawa muatan n dan dari ukuran saluran (panjang. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan).2. yaitu voltase gate – source dimana arus drain menjadi nol (kecuali adanya arus bocor yang kecil) | 2.2 Nilai Batas Suatu Transistor Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. - Grafik Keluaran JFET Pada voltase drain-source yang kecil arus naik dengan cepat dengan kenaikan VDS sampai nilai arus tertentu. Besar arus yang mengalir dari drain ke source ditenyukan oleh resistivitas dari saluran n yang terdapat antara kedua daerah pengosongan di samping saluran. Antara semikonduktor p dan semikonduktor n terdapat daerah pengosongan dimana tidak ada pembawa muatan. lebar dan tinggi saluran n). Karena konsentrasi atom asing dalam semikonduktor p+ jauh lebih tinggi daripada yang terdapat dalam semikonduktor n. VT semakin kecil.gerbang. kemudian arus manjadi hampir konstan dan hanya naik sedikit ketika VDS semakin besar. maka daerah pengosongan lebih jauh masuk ke dalam daerah semikonduktor n. harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan . Threshold voltage ini merupakan voltase dimana pinch off mulai terjadi. Terdapat hubungan sebagai berikut : | dimana VP : Voltase pinch off.

Selain itu biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas. Pada badan transistor juga tertera huruf dank kode – kode lain. Doping rendah ini mengurangi konduktiviti material dengan membatasi jumlah elektron bebas. P = detektor radiasi seperti dioda foto. R = piranti kemud dan saklar. T = piranti kemudi dan switching. dioda pencampur. C = transistor frekuensi rendah. N = kopling foto. Huruf pertama menyatakan bahan semikonduktir yang digunakan untuk membuat komponen tersebut. Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektron dan holes berpartisipasi dalam proses pembangkitan arus. Berikut ini adalah arti huruf – huruf pengkodean pada komponen elektronika buatan Eropa : 1. Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikit dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1). D = transistor daya frekuensi rendah. A = dioda detektor. S = transistor saklar. Huruf kedua manyatakan fungsi penerapannya pada rangkaian elektronika. seperti TRIAC. E = dioda terobosan. dioda kecepatan tinggi. F = transistor frekuensi radio. transistor foto. . Kaki kolektor pada transistor NPN selalu berada pada kutub positif. sedangkan kaki kolektor pada transistor PNP selalu pada kutub negatif.penyaluran panas. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. B = dioda kapasitas variable. daya rendah. Q = generator radiasi seperti LED. A = Germanium B = Silikon C = Arsenida Galium D = Antimonida Indium E = Sulfida Cadmium 2. U = transistor saklar daya tinggi. G = macam ragam keperluan L = transistor daya frekuensi radio. dsb. seperti TRIAC.

Karena daerah basis sangat tipis. sebagai efek dari pemasangan tegangan panjar CB V akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. Seperti akan kita lihat. Y = penyearah. dan sebagainya. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh baterai eksternal. Untuk transistor – transistor buatan Amerika.3 Operasi Transistor Pada gambar 2. transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang besar untuk mendapatkan penguatan tegangan. kondisi panjar b).11 Pengoperasian transistor jenis NPN a). dengan efek dari tegangan panjar eb V terjadi penurunan tegangan penghalang pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron (minoritas). Huruf – huruf atau angka – angka yang lain menyatakan nomor seri. (a) (b) Gambar 2. kode yang biasa digunakan adalah 1N. Pengoperasian transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi potensial pada sambungan (gambar 2. distribusi potensial . meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi). Sambungan emitor berpanjar maju.2. Sambungan kolektor berpanjar mundur. pengatur (regulator). 2N.2. Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis.11a diperlihatkan keping horizontal transistor jenis NPN. karena Jepang menggunakan kode lain lagi. 3. Berbeda dengan Jepang. hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang “disediakan” dengan pemasangan baterai luar. 2SB.X = dioda pengganda.2. dioda efisiensi X = dioda zener. dan lain – lain.2b). 2. yaitu 2SA.

Daerah basis memiliki tingkat doping yang lebih rendah dibandingkan daerah emitor. Sebagian besar elektron mencapai kolektor atau . Kedua jenis muatan mengalir melalui proses difusi. sehingga arus lubang relatif lebih rendah.4 Karakteristik DC Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran pembawa muatan melewati sambungan dan ke basis. Komponen terbesar dari arus emitor IE terdiri atas elektron yang mengalir melewati penurunan tegangan potensial (VO .9% elektron yang terinjeksi berhasil mencapai sambungan basis-kolektor (factor α biasanya berharga sekitar 0.98).99. ICBO adalah penulisan yang benar namun biasanya lebih sering ditulis sebagai IO . Efisiensi emitor ( γ ) berharga mendekati satu sehingga arus hampir terdiri atas semua elektron yang terinjeksi dari emitor. 2. pengoperasian di daerah aktif). Dengan sambungan emitor berpanjar maju dan sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut operasi normal. Harga arus iE sangat tergantung pada tegangan VEB . Elektron tersebut tidak mengalami kesulitan akibat penurunan tegangan penghalang.VEB) ke sambungan emitor-basis. Arus elektron α iE mendominasi besarnya arus kolektor. yaitu dengan proses rekombinasi. kita menginjeksi arus yang diberikan oleh persamaan arus diode : ⁄ dimana VT = 25 mV pada temperatur ruang. Elektron yang “terinjeksi” dari emitor ke basis dapat mengalir melalui sambungan emitor-basis secara bebas karena beberapa sebab : 1. 3. hanya terdapat jarak yang pendek pada daerah basis (tipis) dan hanya terdapat jumlah lubang yang relatif rendah sehingga tidak banyak elektron yang tertangkap lubang dan hilang. tidak perlu terlalu dirisaukan. Dengan proses pabrikasi transistor yang benar. Komponen lain dari arus kolektor berupa arus drift melewati sambungan kolektor-basis dari pembawa muatan minoritas hasil generasi termal. Komponen lain adalah aliran lubang dari basis yang juga difasilitasi oleh penurunan tegangan penghalang tersebut.2. Fuge factor ( η ) untuk transistor biasanya tidak diperlukan.2. Jika kita memasang tegangan VEB pada sambungan emitor-basis. kurang lebih 99 . tidak ada tegangan yang melawannya. Tanda negatif hanya untuk memenuhi perjanjian konvensional.

2.2.2.13-b) mirip dengan karakteristik diode (gambar . Rangkaian transistor seperti pada gambar 2. namun biasanya berharga sekitar 100-200. dimana harganya akan sangat bervariasi dari satu transistor ke yang lain walaupun mempunyai seri dan tipe yang sama. maka karakteristik masukan rangkaian ini (gambar 2. Karakteristik BJT dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari pemahaman kita tentang diode dan pengoperasian transistor.2.12 Transistor dengan konfigurasi basis bersama Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar maju. dapat berharga serendah 20 dan dapat berharga setinggi 2000. Gambar 2. Arus lain sebesar terlihat sebagai arus basis ⁄ yaitu disebut penguatan arus (current gain ).5 Karakteristik Keluaran a.dimana = 1.12 disebut konfigurasi basis bersama karena i-v basis digunakan untuk terminal masukan maupun keluaran.2. Konfigurasi Basis-Bersama (Common-Base Configuration).

iC ≈ iCBO (lihat gambar 2. Konfigurasi Emitor-Bersama (Common-Emitter Configuration) Konfigurasi emitor-bersama seperti diperlihatkan pada gambar 2. arus kolektor meningkat sebesar iE ≈ +5 mA dan menampakkan bentuk kurva. Terlihat bahwa efek dari tegangan kolektor-basis VCB cukup kecil. karenanya besarnya arus kolektor adalah atau .13 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi basis-bersama a) karakteristik basis.2.2. karakteristik kolektor mirip dengan karakteristik diode gambar 2.13-a). Untuk iE = 0.14 lebih sering digunakan sebagai penguat arus. b) karakteristik emitter.2. Arus input dalam konfigurasi ini adalah iB . (VCB berharga negatif akan membuat sambungan kolektor basis berpanjar maju dan akan mengalir iC berharga negatif).13-a pada kuadran tiga. dan arus emitter iE = -iC + iB .kolektor pada dasarnya berpanjar mundur.2.2. c) karakteristik kolektor b.13-c). Sesuai dengan namanya emitor dipakai bersama sebagai terminal masukan maupun keluaran. Dengan VCB berharga positif dan emitor hubung terbuka. maka (a) (b) (c) Gambar 2. Karena faktor selalu lebih kecil dari satu ⁄ secara praktis konfigurasi basis -bersama tidak baik sebagai penguat arus. iE = 0 volt dan bagian basis . Untuk iE = -5 mA.2.

2.14 transistor dalam konfigurasi emitter bersama Untuk menyederhanakan persamaan diatas kita telah mendifinisikan “nisbah transfer arus” sebagai dan kita dapat mencatat besarnya arus cutoff kolektor sebagai Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor) dalam bentuk arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah (a) a) karakteristik basis.15 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi emitter bersama .Gambar 2. b) karakteristik kolektor (b) Gambar 2.2.

akan diikuti kenaikan arus iC sebesar βiB . dan efek dari VCE pada konfigurasi ini akan lebih nampak dibandingkan pada konfigurasi basis-bersama. Pada daerah jenuh. besarnya arus masukan iB relatif kecil untuk tegangan kolektor-emitor lebih besar 1 V. tegangan yang terjadi mungkin akan lebih besar dibandingkan tegangan masukan. arus iC berharga relatif kecil dan hampir konstan pada harga ICEO .2.2.98 / 1 .2.α = 0. Sedikit kenaikan pada α akan menghasilkan perubahan yang lebih besar pada β. 2.0.15-b.7 V akan memberikan iB yang cukup besar.8 Karakteristik Transfer Karakteristik i-v dari FET menunjukkan bahwa arus keluaran dapat dikontrol oleh tegangan masukan. 2. sedangkan pada konfigurasi emitor-bersama adalah hubungan antara VBE dengan iB. arus D ( iD ) hampir tidak tergantung pada besarnya tegangan D-S ( VDS ).7 Karakteristik Transfer-Arus Karakteristik transfer-arus berupa plot iC terhadap iB untuk suatu harga VCE tertentu.98. atau FET dapat digunakan sebagai “penguat”. untuk iB = 0 .6 Karakteristik Masukan Karakteristik transistor lain yang perlu diketahui adalah karakteristik masukan. dengan demikian FET dapat digunakan sebagai “saklar” dengan tegangan sebagai pengontrol. Kemiringan dari kurva yang diperoleh secara langsung akan memberikan harga dari hubungan : 2. maka biasanya digunakan analisa pendekatan. Karakteristik masukan pada konfigurasi basis bersama adalah hubungan antara VBE dengan iE . Pada gambar 2. yaitu antara pinch-off atau turn-on dengan daerah breakdown.98 = 49 jelas sedikit perubahan pada iB akan memberikan kenaikan yang sangat besar. Untuk BJT silicon misalnya. yaitu hubungan eksponensial I-V pada sambungan emiter-basis. Karena karakteristik piranti secara individu tidak dapat diketahui secara pasti.2. Untuk α = 0. Jika arus keluaran dilewatkan pada suatu resitor.Bentuk karakteristik emitor-bersama diperlihatkan pada gambar 2.15. Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik keluaran. untuk tegangan panjar maju sekitar 0. dan “karakteristik transfer” yang . Setiap ada kenaikan arus iB .2. β = α /1. dan harganya tergantung pada besarnya tegangan sambungan emitor-basis.

17. Pada prinsipnya rangkaian ini sama dengan rangkaian dasar penguat JFET yang telah kita bahas sebelumnya. Karakteristik rangkaian pada dasarnya sama untuk ketiga piranti tersebut. D-MOSFET atau E-MOSFET. Dalam berbagai hal konfigurasi ini mirip dengan konfigurasi emitorbersama pada BJT. arus D pada daerah arus-konstan adalah Gambar 2. dapat diperlihatkan bahwa karakteristik transfer untuk ketiga jenis FET dapat didekati berbentuk parabolik. . Titik S terhubung dengan masukan dan keluaran. Pada rangkaian dapat dipasang piranti JFET.9 Penguat Sumber-Bersama (Common-Source Amplifier) Konfigurasi sumber bersama (common-source) paling banyak digunakan pada penguat FET.2.2. Salah satu bentuk praktis rangkaian sumber bersama diperlihatkan pada gambar 2. Isyarat masukan dikenakan pada G-S dan isyarat keluaran diambil dari D-S.2. Dari analisis teori dan pengukuran praktis.16 karakteristik transfer pada arus konstan untuk JFET ( dimana iDS = arus D pada daerah arus-konstan ) IDSS = nilai iDS dengan G terhubung langsung dengan S VP = tegangan pinch-off 2.menggambarkan hubungan antara arus keluaran dengan tegangan masukan diperlihatkan seperti pada gambar 2.16. Untuk JFET.2.

Gambar 2. Isyarat masukan dikenakan pada S-G dan isyarat keluaran diambil dari D-G.17 Penguat JFET sumber bersama (common-source) Isyarat yang akan diproses pada sumber bersama diumpankan pada GS. Konfigurasi gerbang-bersama dapat digunakan sebagai penguat tegangan tetapi mempunyai penguatan arus lebih kecil dari satu. Tegangan isyarat yang datang akan tergabung (superimpossed) dengan tegangan G.2. Penguatan tegangan adalah sebesar AV = VDS/VGS dengan harga sekitar 5 – 10. Konfigurasi ini dapat digunakan untuk piranti JFET. Variasi ini akan diikuti oleh arus drain ID . 2. Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian. Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R2.10 Penguat Gerbang-Bersama (Common-Gate Amplifier) Konfigurasi gerbang-bersama (common-gate) dalam berbagai hal mirip dengan konfigurasi basis-bersama pada BJT. Impedansi masukan berharga sangat tinggi (berorde mega ohm). Ini menyebabkan tegangan G bervariasi mengikuti AC. Tegangan keluaran yang diambil dari S-D akan mengalami pembalikan 1800 . DMOSFET atau E-MOSFET. . Impedansi keluaran relatif cukup tinggi (beberapa kilo ohm) dan pada dasarnya tidak tergantung pada harga RL .2.

Besarnya penguatan tegangan relatif lebih rendah dibandingkan penguat sumber bersama. Penguat ini juga disebut sebagai pengikutsaluran (drain follower) dan memiliki . Dengan kata lain isyarat masukan sefase dengan isyarat keluaran. D terhubung baik dengan masukan maupun dengan keluaran. ini akan membuat ID semakin negatif.2. Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian.18 Penguat JFET sumber bersama (common-source) Salah satu bentuk praktis rangkaian gerbang-bersama diperlihatkan pada gambar 2. yaitu berharga sekitar 2 . akan terjadi kenaikan ID.Gambar 2. Penguat gerbang-bersama mempunyai karakteristik yang agak spesifik. Konfigurasi ini banyak dipakai untuk penguat isyarat frekuensi radio (RF). Demikian halnya pada saat periode isyarat masukan negatif.5. Pada periode positif isyarat masukan akan membuat S semakin positif. Variasi yang terjadi pada isyarat masukan menyebabkaan perubahan pada tegangan S.11 Penguat Saluran-Bersama (Common-Drain Amplifier) Penguat saluran-bersama mempunyai isyarat masukan yang dikenakan pada G dan isyarat keluaran diambil dari S. Penguat ini memiliki impedansi masukan yang sangat rendah (sekitar 200 – 1500 ) dan impedansi keluaran sedang (sekitar 5 – 15kΩ). Penurunan tegangan pada R2 akan mengalami kenaikan atau penurunan mengikuti masukan. Pada rangkaian ini digunakan penguat JFET. Isyarat masukan dikenakan pada R1 melalui C1 . Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R1 .2.18.2. 2.

Pada rangkaian ini. maka akan terjadi perubahan tegangan G. resistor R3 telah digeser dari D ke S. Gambar 2. maka S akan berubah/bergoyang positif. yaitu untuk menyambung rangkaian dengan beban impedansi tinggi dengan rangkaian dengan beban impedansi rendah. Titik operasi transistor ditentukan oleh R2. Pada periode positif isyarat masukan. daya. Saat isyarat masukan AC diumpankan ke G. arus. Kombinasi resistor R2 dan R3 membentuk hambatan beban dan akan menjadi impedansi keluaran. akan membuat G negatif.19 memperlihatkan bentuk praktis rangkaian saluran-bersama dengan menggunakan JFET saluran-n. Demikian sebaliknya pada saat periode isyarat masukan negatif. Ini akan membuat saluran-n menjadi semakin konduktif. maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan (amplifier) signal-signal. Namun . 2. tegangan dan sebagainya.karakteristik mirip dengan rangkaian pengikut emitor pada transistor BJT.2. Titik operasi DC ditentukan oleh resistor R2 .19 Penguat JFET saluran-bersama (common-drain).2.2. Gambar 2. Penguat saluran-bersama banyak digunakan sebagai piranti penyesuai impedansi (impedance-matching).12 PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor. Dengan bertambahnya arus yang melewati R3 dan R2 . Konfigurasi ini memiliki impedansi masukan yang sangat tinggi dengan memasang R1. akan membuat saluran-n menjadi kurang konduktif.

c. penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan. Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2. RL = 0. b. Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube). dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0. . Lebih ekonomis. RL = UCC . Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade .2.20 dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).20. sehingga tegangan UCE = UCC. dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor. dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. Fisik relative jauh lebih kecil. yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan.20 dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya. Gambar 2. a. seperti : a.dikarenakan karakteristik listriknya. Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC .2. maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik. Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC .2.

Gambar 2. .22. yaitu Emiter. karena UZ tetap konstan sedangkan Ui = UCB + UZ. daya (Amplifier). Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN. Transistor mempunyai tiga buah elektroda.2. sedangkan silikon sekitar 15oC Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan. Pada saat terjadi perubahan tegangan ini. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse). Regulator Tegangan dengan Transistor Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban RL. transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik.2. Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB. Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2.21 Rangkaian Kaskade Transistor b. Karena karakteristik listriknya. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama. tegangan. Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75oC.

Jenis rangkaian hasil penemuannya ini telah mendapatkan hak paten. Jenis rangkaian yang mirip dengan transistor Darlington adalah rangkaian pasangan Sziklai yang terdiri dari sepasang transistor NPN dan PNP. dan banyak dipakai dalam pembuatan Sirkuit terpadu (IC atau Integrated Circuits) chip. Transistor Darlington Transistor Darlington adalah rangkaian elektronika yang terdiri dari sepasang transistor bipolar (dwi kutub) yang tersambung secara tandem (seri). Transistor Darlington bersifat seolah-olah sebagai satu transistor tunggal yang mempunyai penguatan arus yang tinggi. C (Kolektor). Keuntungan dari rangkaian Darlington adalah penggunaan ruang yang lebih kecil dari pada rangkaian dua buah transistor biasa dengan bentuk konfigurasi yang sama.maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat-Sink. Penguatan arus listrik atau gain dari rangkaian transistor Darlington ini sering dituliskan dengan notasi β atau hFE. dan secara umum merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya. dan E (Emitter). Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. karena hasil penguatan pada transistor yang pertama akan dikuatkan lebih lanjut oleh transistor kedua. Dari segi tegangan listriknya. seperti nampak dalam rumus berikut: . Penguatan total dari rangkaian ini merupakan hasil kali dari penguatan masing-masing transistor yang dipakai: Nilai penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali atau lebih. voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar. Rangkaian Sziklai sering dikenal sebagai rangkaian 'Complementary Darlington' atau 'rangkaian kebalikan dari Darlington'. Rangkaian transistor Darlington ditemukan pertama kali oleh Sidney Darlington yang bekerja di Laboratorium Bell di Amerika Serikat. Sambungan seri seperti ini dipakai untuk mendapatkan penguatan (gain) yang tinggi. Dari luar transistor Darlington nampak seperti transistor biasa dengan 3 buah kutub: B (basis).

flash disk h. kertas milimeter block f.  Isilah tabel 2. d.2 Resistansi channel JFET FET No Seri Type AVO Meter Analog 2SK19 channel-N Digital Hambatan Drain Source Gate Source Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan .2.4. 2 buah variable Power supply e. Datasheet transistor yang digunakan 2. dengan cara memeriksa dioda emiter dan dioda kolektor dari transistor.44 MB g. 2 buah multimeter analog maupun digital.4 Cara Kerja 2.1 Resistansi dioda BJT No BJT No Seri Type 1 BC547 NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter Basis Kolektor Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan Tabel 2. Osiloskop dua channel.   isilah tabel 2. Untuk JFET periksalah hambatan antara drain dan source untuk gate pada keadaan terbuka.1. disket 3½ “ 1.3 Daftar Komponen dan Alat a.2 Tabel 2. b. c. Kemudian periksa pula hubungan antara gate dengan source. mistar i.1 Testing kondisi BJT dan JFET  Untuk BJT periksalah kondisi transistor. modul praktikum elektronika dasar.

5 VRE IC IE β Keterangan .II. dan VCE.IV. IC (tegangan dari RC).1. Catat pengamatan anda pada tabel 2.4 0.1 Rangkaian karakteristik BJT Tabel 2.2 0. Karakteristik BJT dan JFET 1.3.Karakteristik BJT   Buat rangkaian seperti pada gambar 2.  Gunakan multimeter untuk mengukur IB (Tegangan dari RB).3 Hasil pengamatan karakteristik BJT No 1 2 3 4 5 IB VCE 0.3 0.1 0.4.3  Gambar 2. Aturlah tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE sesuai dengan tabel 2.

4. Karakteristik BJT dan JFET dengan osiloskop 1.2 Aturlah tegangan agar harga VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.4.4 Hasil Pengamatan karakteristik JFET No VGS VDS VR ID D IG Keterangan 1 2 3 1. Karakteristik transistor  Buat rangkaian seperti pada gambar 2.4 catat besar ID pada tabel 2. .3.5 4 5 2.2.5 2.4 Gambar 2.3. Karakteristik JFET    Buat rangkaian seperti pada gambar 2.2 Rangkaian karakteristik JFET Tabel 2.

4. Input horisontal (X/CH1) hubungkan dengan E (emitor transistor hubungkan dengan ground osiloskop) dan input vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan ground RC (kolektor sebagai ground)  Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif  Besarnya arus kolektor dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan vertikal dengan nilai tahanan RC  Gambar hasilnya pada kertas milimeter block. 50. untuk harga IB 30.3 Rangkaian karakteristik BJT dengan osiloskop 2. Karakteristik JFET   Buat rangkaian seperti pada gambar 2. untuk harga VGS 0. Gunakan osiloskop dua channel . dan 75 mA Gambar 2. Input horisontal (X/CH1) hubungkan dengan DS (drain JFET hubungkan dengan ground osiloskop) dan input Vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan RD (Drain sebagai ground ).3.7 volt .  Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif  Besarnya arus drain dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan vertikal dengan nilai tahanan RD. 0.4.  Gambar hasilnya pada kertas milimeter block. dan 0. Gunakan osiloskop dua channel.

VCE.1 Emiter stabilized bias  sebelum transistor dirangkai.4.    Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB. Isi tabel 2.4. dan VBE. dan VBE. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.6 Setiap mulai mengukur.4 Konfigurasi BJT 2. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).Gambar 2. ukurlah dahulu besarnya h fe transistor dengan multimeter digital.4. IC. VCE.4 Rangkaian karakteristik JFET dengan osiloskop 2. IC.4.6  .

   Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.6 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emiter stabilized bias No 1 2 3 4 IB IC VCE VBE β Keterangan 2.7  . Isi tabel 2. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB.Gambar 2.7 Setiap mulai mengukur.4. VCE. ukurlah dahulu besarnya h fe transistor dengan multimeter digital. dan VBE. IC. dan VBE. VCE.5 Konfigurasi Emiter stabilized bias Tabel 2. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).4. IC.2 Voltage divider bias  sebelum transistor dirangkai.4.

4. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). IG.9  .5 Konfigurasi JFET 2.9 Setiap mulai mengukur. Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID.1 Fixed bias   Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID. VDS. dan VGS. Isi tabel 2.4.Gambar 2.7 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 2 3 4 IB IC VCE VBE β Keterangan 2. VDS.6 Konfigurasi Voltage divider bias Tabel 2.5. dan VGS.4. IG.

dan VGS. VDS.4. Isi tabel 2. IG.5.2 Voltage divider bias   Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. dan VGS. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). VDS.8 Hasil Pengamatan Konfigurasii Fixed bias No 1 2 3 4 ID IG VDS VGS Keterangan 2.  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID. IG.4.11 Setiap mulai mengukur.Gambar 2.7 Konfigurasi Fixed bias Tabel 2.11  . Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID.

8 Konfigurasi Voltage divider bias Tabel 2.Gambar 2.10 Resistansi Dioda BJT No BJT No Seri 1 BC547 Type NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital 500 0 500 0 √ AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter 550 0 Basis Kolektor 500 0 Keterangan keadaan Baik Buruk √ Ket .4.5 Lembar Kerja dan Data Hasil Percobaan Tabel 2.9 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 2 3 4 ID IG VDS VGS Keterangan 2.

50 VC 2.11 Hasil Pengukuran Konfigurasi emitter dan stabilized bias No 1 IB 0.14 Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias No 1 ID 2.34 VCE 2.72 VDS 12.81 VG 1.02 VB 10.78 VCE 9. Dalam percobaan ini kita memeriksa transistor jenis NPN (BC547) dan jenis PNP (BC557).02 VDS 7.52 VG 0.098 VD 12.02 Keterangan - Tabel 2.84 VBE 9. berikut data yang diperoleh.53 VGS 0.05 IC 0.1 Testing kondisi BJT dan JFET Sebuah transistor apabila dalam kondisi baik maka akan mempunyai suatu nilai hambatan dan apabila nilai hambatannya nol atau tidak bisa di hitung nilainya maka transistor dalam keadaan rusak.6 Analisa Pembahasan Hasil Percobaan 2.34 VBE 10.Tabel 2.476 VD 7.12 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 IB 1.7 IG 6.159 Keterangan - Tabel 2.33 IG 0. Tabel 2.18 VGS 1.6.13 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias No 1 ID 5.15 Hasil Pengukuran Resistansi dioda BJT No BJT No Seri 1 BC547 Type NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital 500 0 500 0 √ AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter 550 0 Basis Kolektor 500 0 Keterangan keadaan Baik Buruk √ Ket .5 β 10.13 VC 10.1078 VB 10.675 IC 0.978 keterangan Baik Tabel 2.2 β 0.09 Keterangan Baik 2.

kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber. Hal ini menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan baik. Pada kedua jenis transistor diatas memiliki hambatan yang berarti jadi kedua jenis transistor dalam keadaan baik.Memeriksa BJT kita lakukan dengan cara memeriksa hambatan dioda Emiter dan dioda kolektornya. arus listrik tersebut tidak dapat mengalir. Maka jelas.sifat pada sambungan ini sama dengan sifat diode. Dari table dapat dilihat pada pengujian transistor BJT type NPN terlihat pada saat Basis-Emiter dikenakan arus maju artinya pada Basis dikenakan kutub positif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub negatif sumber listrik pada Avometer terlihat adanya resistansi yang terukur. Ini menandakan pada saat dikenakan arus mundur pada Basis-Emiter. Dari data hasil percobaan kita mendapatkan nilai hambatan yang berarti. sedangkan jika dikenakan arus mundur pada Avometer tidak menunjukkan hasil. sesuai dengan sifat . karena pada transistor type NPN arus hanya akan mengalir dari bagian P ke bagian N atau dengan kata lain dari kaki Basis ke kaki Emiter dan dari kaki Basis ke kaki Kolektor. Untuk BJT type PNP terlihat pada table ketika dikenakan arus maju pada BasisEmiter dan Basis-kolektor pada Avometer tidak menunjukkan hasil pengukuran (mati). Meskipun dalam pengukuran pada hubungan gate dengan source pada bias balik tidak mendapat nilai akan tetapi tetap bisa disimpulkan bahwa JFET yang kita ukur dalam keadaan baik. yaitu pada Basis dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub positif sumber listrik maka pada Avometer tidak menunjukkan hasil. Dalam JFET saluran n terdapat satu bahan semi konduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. Biasanya dalam rangkaian transistor dipakai dambungan pn dalamkeadaan bias maju sehingga antara arus dan voltase basis-emitor terdapat hubungan seperti pada diode. Hal ini menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan baik. Antara basis dan emitor terdapat satu sambungan pn. Dalam pengukuran JFET kita memeriksa hambatan antara drain dan source untuk gate terbuka dan memeriksa hambatan antara gate dan source. Pada BasisKolektor. Dalam pengukuran JFET kita menggunakan JFET saluran n. ketika dikenakan arus maju. yaitu Kolektor dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Basis dikenakan kutub positif sumber listrik maka pada Avometer menunjukkan hasil. sedangkan pada saat dikenakan arus mundur Avometer menunjukkan hasil pengukuran. sedangkan pada saat dikenakan arus mundur.

semikonduktor yang hanya akan mengalirkan arus dari P ke N atau dengan kata lain. sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif. yaitu dari Gate ke Source dan tidak sebaliknya.2 Karakteristik BJT Pada awalnya kita menyusun rangkaian seperti pada gambar. pada Transistor PNP arus akan mengalir dari Emiter ke Basis dan dari Kolektor ke Basis. Dalam percobaan karakteristik BJT kita memerlukan nilai IB. karena pada Drain Source merupakan satu saluran yaitu saluran N sehingga walaupun dikenakan voltase maju ataupun mundur maka akan terdapat aliran listrik.VBE / RB IC = VCC .1x10-5 A =20.51 V / 106  = 1.6. IE dan β. ketika dikenakan voltase maju atau voltase mundur pada Drain Source Avometer menunjukkan hasil pengukuran.91 . 2. Pada transistor JFET. dan VCE. IC. maka persamaannya dapat diperoleh dari persamaan berikut : IB = VCC .VCE / RC Misalnya pada saat kondisi VB= 0.3x10-4 IC = VCC .0. kemudian mengukur IB (Tegangan dari RB). Semikonduktor P  adalah semikonduktor P dengan konsentrasi atom asing yang tinggi.1x10-5 A β = IC / IB IE = IC β = IC / IB IE = IC = 2.3x10-4 A / 1. sedangkan pada Gate Source Avometer hanya akan menunjukkan hasil ketika dikenakan voltase maju karena pada Gate merupakan daerah semikonduktor P  sehingga aliran listik hanya dapat mengalir satu arah saja.55x10-4 A = 2. Hal tersebut menunjukkan bahwa transistor JFET tersebut dalam keadaan baik. Maka didapatkanlah data seperti pada tabel . IC (Tegangan dari RC).6 V .02 V / 4700  = 8. Mengatur tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE.VCE / RC =4. IB = VCC – VBE / RB = 12 . yang berupa aliran elektron. Sedangkan pada Gate Source hanya pada saat dikenakan voltase maju saja memberikan hasil pada Avometer.

44 10.55 IC 2. Dan untuk menentukan besar IG dan ID dapat mempergunakan rumus berikut : IG = VG / RG dan IDS = VDS / RD Misalnya pada saat kondisi VG = 0. Kemudian mengatur tegangan VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.55 0.6 V / 106  = 6x10-7 A Misalnya pada saat kondisi VDS = 1 V.7 0.26 1.9 1 VBE 0.93 1.6.6x10-4 3x10-4 3. dengan RG = 106  IG = VG / RG = 0.55 0.7x10-4 VC 0. langkah-langkahnya hampir sama dengan dengan percobaan menentukan karakteristik BJT.1 1.2x10-5 1.05 V / 4700  = 2.2x10-5 1.67 25 27.6 V. Nilai VRD yang di dapatkan dapat dilihat pada tabel.20 Hasil Pengamatan Karakteristik BJT No 1 2 3 4 5 IB 1.53 0.91 10.51 0.83 Ket - 2.8 0.41 1. dengan RD = 4700  ID = VDS / RD = 1.7x10-4 Β 20.3x10-4 3. Kemudian tinggal mencatat besar IG dan ID.5 30.23.2x10-5 VB 0.24 IE 2.3x10-4 3.3x10-4 2.3 Karakteristik JFET Pada percobaan menentukan karakteristik JFET.3x10-4 2.76 10.31x10-3 A Sehingga diperoleh hasil sebagai berikut: .1x10-5 1.91 21.6x10-4 3x10-4 3.2x10-5 1.Tabel 2.6 0.25.61 VCE 10.6 10. Pertama dibuat rangkaian seperti pada gambar 2.

05 VRD 10.84 VBE 9.07 1.31x10-3 2.31x10-3 IG 6x10-7 7x10-7 8x10-7 9x10-7 1x10-6 Keterangan - 2.9 1 VDS 1.4.8 0.85 10.4 Konfigurasi BJT 2.2 β 0.21 Karakteristik JFET No 1 2 3 4 5 VG 0.06 1.87 10.05 1.87 10.159 keterangan - Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas.6.1 Konfigurasi Emitter Stabilized Bias Tabel 2.52 0.06 1.7 0.6.88 VGS 0.1078 VB 10.6 0.Tabel 2.675 IC 0.31x10-3 2.13 VC 10.31x10-3 2.31x10-3 2.78 VCE 9.52 0.53 0.54 ID 2.22 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emitter Stabilized Bias No 1 IB 0.85 10.6.51 0.1 Emitter Stabilized Bias Gambar 2. dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : .

VB = 10.   IC IB = 0.13 V dan VCE = 9.84 V dimana: RB = 15 KΩ dan RC = 100 Ω IB = 10.0216 A / 6.7x10-4 A maka.VCE / RC Untuk VCC = 12 V.84V 100 = 0.13V 15k IC = 12V  9.IB = VB / RB dan IC = VCC . Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : β = IC / I B Untuk IC = 0.0216 A = 6.0216 A IB = 6.7x10-4 A Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam tabel.7x10-4 A = 32.23 .

5 V.5V 10K IC = 12V  2.5 β 10.02 VB 10.6.097 A = 1.05 IC 0.338 V dimana: RB = 10 K  dan RC = 100  maka: IB = 10.VCE / RC Untuk VB = 10.23 Hasil Pengamatan Voltage Divider Bias No 1 IB 1.Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.238V 100 = 0.2 Voltage Divider Bias Gambar 2.4. 2.05x10-3 A .5 VC 2.338 VBE 10.34 VCE 2.6.022 keterangan - Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas.2 Konfigurasi Voltage Divider Bias Tabel 2. dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : IB = VB / RB dan IC = VCC . VCC = 12 V dan VCE = 2.

097 A / 1.6.5.24 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias No 1 ID 5.05x10-3 A = 92. Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : β = IC / I B Untuk IC = 0.097 A IB = 1.53 VGS 0.978 keterangan Baik .5 Konfigurasi JFET 2.476 VD 7.05x10-3 A maka.38 Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam tabel.33 IG 0.52 VG 0.   IC IB = 0.02 VDS 7.3 Konfigurasi Fixed bias Tabel 2.6. 2.1 Fixed Bias Gambar 2.6.

Ini disebabkan oleh karena ID dan IG selalu berbanding lurus dengan VD dan VG.53V 1K IG = 0.476 V dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 1 MΩ .4 Konfigurasi Voltage divider bias . 2.476V 1M = 7.76 x 10-7 A Nilai IG bernilai 0 hal ini disebabkan karena pada saat proses perhitungan V G didapatkan hasil yang bernilai 0 .Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : ID = VD / RD dan IG = VG / RG Untuk VD = 7. maka maka: ID = 7.6.53 x 10-3 A = 4.5.2 Voltage Divider Bias Gambar 2.6.53 V dan VG = 0.

3. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter.maka maka: ID = 12. mana yang paling stabil (pergeseran titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan! 8. Apa yang dimaksud dengan IDSS.098x10-4 A 2.IGSS? 10. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja BJT dan FET! 5. jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan! 7. a. hFE terhadap IC.09 keterangan Baik Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : ID = VD / RD dan IG = VG / RG Untuk VD = 12. buatlah grafik.18V 1K IG = 1.81 VG 1.18 x10-3 A = 1.18 VGS 1. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias? 9. aktif.18 V dan VG = 1.7 IG 672 VDS 12.098 VD 12. pada tiap konfigurasi! 4. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off. Sebutkan kegunaan dari BJT dan JFET serta aplikasinya? 6. VBE terhadap IB c.VP. Tentukan titik Q pada BJT dan FET. Apa ciri ketiga daerah operasi dari JFET? . aktif dan saturasi.098V dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 10 KΩ .Tabel 2. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off. Dari keempat jenis bias pada BJT.098V 10 K = 12. dan saturasi? 2.25 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias No 1 ID 2.7 Pertanyaan dan Tugas 1. IC terhadap VCE b.

11. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri kesimpulannya 14. sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region). Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB.7. Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan. maka dapat diperoleh hubungan : VCE = VCC . daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON. Pada saat perubahan ini. mungkinkah disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya! 13. Terangkan perbedaan antara BJT dan JFET menurut hasil percobaan (minimal 5 perbedaan)! 12.ICRC . Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori. dimana arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE.1 Jawaban : 1. Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (rangkaian CE). - Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan kesimpulan umumnya pada akhir percobaan. 2.

6 300 12 10.76 260 12 10. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. a. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax.44 330 12 10.91 230 12 10.24 370 . yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron. maka transistor dapat rusak atau terbakar.IC Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya. 2. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PDmax. Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor.Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : PD = VCE. Grafik VCE terhadap IC IB (µA) VCE (V) IC (µA) 11 10. - Daerah Saturasi Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon).

Grafik VBE terhadap IB IB (µA) VCE (V) 11 0.53 12 0.91 230 26 12 10.76 260 25.44 330 24.9 h fe (dB) .9 12 10.55 12 0.b.5 12 10.55 12 0.6 300 24.24 370 23.4 12 10. Grafik hFE terhadap IC.51 12 0.55 c. IB (µA) VCE (V) IC (µA) 11 10.

. Kegunaan dari BJT diantaranya berfungsi sebagai saklar. drain disambungkan positif terhadap source. Bias Pembagi Tegangan : Titik Q point terjadi pada pertemuan garis dari k dan Vge. sehingga electron akan masuk ke dalam saluran dari source dan keluar dari drain.3 a. Bias Emiter Terstabilkan : Titik Q point terjadi pada perpotongan garis Ibo dan garis yang menghubungkan Vcc dan Vcc / Rc+Re c. lebar daerah pengosongan akan bertambah. 5. Ketika sambungan pn tersebut dibias balik. semakin lebar daerah pengosongan. Satu contoh di mana transistor dipakai sebagai saklar adalah dalam rangkaian elektronika digital. Dalam pengoperasian JFET saluran n. Semakin besar voltase. yaitu voltase ada dan voltase nol atau dengan kata lain hanya terdapat keadaan on dan off. Dalam elektronika digital biasanya hanya terdapat dua keadaan. Lebarnya akan tergantung dari voltase antara daerah semikonduktor p+ dan daerah semikonduktor n. b. 4. Gate disambungkan dengan voltase negatif terhadap source sehingga saluran pn antara gate dan saluran n dibias balik. Bias Tetap : Titik Q point terjadi saat Ic saturasi mencapai maximum dan berpotongan dengan Vce saturasi.

IDSS adalah arus batas atas untuk memutuskan atau mencegah kenaikan arus kanal penghubung yang sempit. 9. Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier ( IC = B * IB). Keuntungan utama dari penggandengan langsung adalah drift yaitu. Berada pada daerah aktif VBE = 0. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor kecil. . Membangun sebuah penguat tergandeng langsung dengan mangambil kapasitor penggandeng dan bypass kapasitor serta manghubungkan keluaran tiap tingkatan langsung pada input dari tingkatan berikutnya. pergeseran rendah tempat tegangan keluaran dc akhir dihasilkan dengan perubahan kecil pada tegangan catu. VP adalah tegangan Pinchoff dimana tegangan minimum pada daerah aktif JFET.7 V . Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias pembagi tegangan. 6. Karena di sana lebih dari cukup arus basis untuk menjenuhkan transistor. VCE maksimum yang mungkin sekitar 15 V.Kegunaan dari JFET salah satunya adalah penguat pemotong. maka titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban. seperti tegengan ac. parameter transistor. yaitu tengangan catu kolektor. Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200. 8. tapi bisa juga sampai 800. dan variasi suhu. 7. Rangkaian yang dapat menguatkan sinyal ac dinamakan dengan penguat dc. Titik cut-off menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang mungkin dalam rangkaian. Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan beban tipe-n dan pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p. bagian dari base transistor. dengan cara ini tegangan dc digandeng. Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan basis yang menghasilkan gain arusnya 10.6 – 0. Beta adalah salah satu dari parameter transistor. Kita dapat mengenalinya dengan adanya pembagi tegangan pada rangkaian basis. Reverse Bias adalah hubungan yang terjadi saat pusat negative baterai dihubungkan pada sisi-dan pusat positif baterai dihubungkan dengan sisi-n. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter disebut dengan bias pembagi teganyan.

. dan VGS tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu tetapi VDS mengalami perubahan nilai (tidak signifikan) .IGSS adalah arus yang menunjukkan drai arus ke sumber dengan gate yang dihubungsingkatkan. Tidak sesuainya hasil percobaan dengan teori bisa saja disebabkan oleh rusaknya transistor. Ini adalah arus drain maksimum yang dapat dihasilkan sebuah JFET. BJT dibentuk berdasarkan dua tipe muatan sedangkan JFET satu tipe muatan. 12. Kerusakan transistor bisa saja terjadi karena transistor telah melewati daerah breakdown. Daerah Aktif ciri-cirinya adalah persamaan garisnya telah melewati tegangan pinchoff dan sampai pada batas VDS max. dan β tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu tetapi VCE mengalami perubahan nilai (tidak signifikan) . gate dan source. 11. VBE. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan didalam pembacaaan skala pada alat ukur multimeter. Daerah ohmic cirri-cirinya adalah bagian yang hamper vertical pada kurva drain di bawah pichoff. 10. .Karakteristik BJT dan JFET * Penambahan VCE secara konstan tidak menyebabkan perubahan IC atau perubahan IC sangat kecil (tidak signifikan) * * Besar β ditentukan oleh besar IC dan IB Besar arus colektor dan emiter adalah sama Nilai IB. Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan teori yang ada. Karena kurangnya perawatan atau mungkin umur alat yang sudah lama. 13. BJT memiliki kolektor.Kondisi BJT dan JFET * BJT dan JFET dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau hambatan diodenya dapat dihitung. 14. Daerah breakdown ciri-cirinya adalah tegangan JFET telah mencapai VDS max. IC.Konfigurasi JFET * Nilai ID.Konfigurasi BJT * . IG. basis dan emitter sedangkan JFET memiliki Drain.

A.com/doc/33212205/Bjt-Dan-Jfet http://id.ac. cut-off. gate dan source.php?page=3 http://www.id/praktikum/de/de.id/praktikum/de/de.ac.Prinsip-Prinsip Elektronika.Phys.ws/transistor/tran_1.6 Kesimpulan Dari hasil percobaan yang telah dilakukan dapat ditarik kesimpulan bahwa BJT memiliki beberapa jenis bias diantaranya adalah fixed bias. 2. 2004 http://www. Dipl. Penerbit Salemba Teknika.wikipedia.electronics-tutorials.org/wiki/Transistor_efek%E2%80%93medan http://elka. buku satu. 2003 Blocher Richard.ub.3.html .ub.Dasar Elektronika.. saturasi dan breakdown.P.php?page=4 http://elka.9 Daftar Referensi Buku - Malvino. Sedangkan JFET juga memiliki beberapa jenis bias diantaranya fixed bias. dan voltage divider bias. basis dan emitter sedangkan JFET memiliki kaki-kaki yang disebut drain. Emiter stabilized bias..scribd. BJT memiliki kaki-kaki yang dinamai kolektor. self bias. BJT dan JFET memiliki daerah Aktif.voltage divider bias dan voltage feedback bias. Penerbit Andi.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->