BAB I PERCOBAAN II BJT DAN JFET

2.1

Tujuan Percobaan 1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP) dan JFET (channel P atau channel N). 2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT dan JFET.

2.2

Tinjauan Pustaka Transistor adalah piranti elektronik yang menggantikan fungsi tabung

elektrontrioda, dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda , yaitu Emitter, Collector dan Base. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier), namun dikarenakan sifatnya, transistor ini dapat digunakan dalam keperluan lain misalnya sebagai suatu saklar elektronis. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N. Transistor berasal dari kata transfer resistor yang dikembangkan oleh Berdeen, Schokley, dan Brittam pada tahun 1948 di perusahaan elektronok Bell Telephone Laboratories. Penamaan tersebut berdasarkan prinsip kerjanya, yaitu mentransfer ataumemindahkan arus. Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan

(oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk mengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.

Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. Dalam dunia elektronika, transistor disimbolkan sebagai berikut :

(a)

(b)

Gambar 2.2.1 Transistor BJT (a) tipe pnp (b) tipe npn

Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya, kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan, namun pada dasarnya karena transistor ini tidak tahan terhadap temperatur, maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink). 2.2.1 Pengujian Transistor Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda, maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. Salah pemasangan pada rangkaian

b. c.

Penangan yang tidak tepat saat pemasangan Pengujian yang tidak professional

Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tiga jenis, yaitu : a. b. c. Pemutusan Hubung singkat Kebocoran

Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut, tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. Menguji Karakteristik statis BJT dan JFET akan digambarkan dengan dua cara: a. Dengan Multimeter. Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan mengukur besar arus 1. 2. 3. b. karakteristik Ic terhadap Vce dengan mengukur masing-masing besaran karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE karakteristik hfe terhadap IC

Dengan Osiloskop Pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE berbagai

nilai IB Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk mengamati besarnya IC yaitu dengan cara mengukur tegangan pada RC. Sedangkan input horisontal (X) dari osiloskop, digunakan untuk mengamati besarnya VCE. Gambar yang terbentuk pada layar osiloskop, sumbu horisontal ke kiri adalah tegangan positif sedangkan arah kanan adalah negatif.

BJT Transistor bipolar (BJT) adalah suatu jenis transistor, alat penguat atau pemilih yang dibuat dari semikonduktor yang dikotori. Transistor bipolar adalah gabungan dari bagian yang dikotori secara berbeda, bisa NPN atau PNP. N berarti negatif, dan P berarti positif.

PNP

NPN

Gambar 2.2.2 Lambang rangkaian BJT tipe PNP dan NPN.

-

Bias dalam Transistor BJT Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi

mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah. Dalam tahap disain maupun sintesis, pilihan parameter untuk level DC yang dibutuhkan akan mempengaruhi respon AC-nya. Demikian juga sebaliknya. Persamaan mendasar dalam transistor yang penting adalah :

Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas bisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Bias pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap. Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point) atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. Pada gambar di bawah ditunjukkan 4 buah titik kerja transistor. Rangkaian bias bisa di-disain untuk memperoleh titik kerja pada titik-titik tersebut, atau titik lainnya dalam daerah aktif. Rating maksimum ditentukan oleh Icmax dan VCE max. Daya maksimum dibatasi oleh kurva Pcmax. BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut, tapi bisa memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya. Untuk kondisi tanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya adalah titik A dimana arus dan tegangan bernilai nol.

. Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif).Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) 2.Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias) .Gambar 2.Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) Daerah kerja transistor (cut-off.Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) Fixed Bias Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.2.Junction base-emitter dibias maju (forward bias) . Daerah aktif/daerah linear . Daerah saturasi .3 Grafik Bias.Junction base-emitter dibias maju (forward bias) . Daerah cut-off . aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias yang diberikan pada masing-masing junction : 1. beberapa syarat berikut harus dipenuhi: .Junction base-collector dibias maju (forward bias) 3.

persamaan dan perhitungan adalah serupa. Untuk transistor pnp. masing-masing untuk input dan output.4 Bias Model. Untuk tujuan analisis. Rangkaian di atas menggunakan transistor npn. . rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan) dari input AC dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open circuit). supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi dua. tapi dengan arah arus dan polaritas tegangan berlawanan.5 Bias Model npn.2. Untuk analisis DC.Gambar 2. Rangkaian pengganti DC menjadi : Gambar 2.2.

Arus basis IB menjadi : Dan b.Bias maju basis-emitter a. Loop collector-emitter Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi di bias mundur .6 Loop basis-emiter Dengan hukum tegangan Kirchhoff : Perhatikan polaritas tegangan drop di RB. Loop basis-emitter : Gambar 2.2.

Loop Base-Emitter b.8 Bias pembagi tegangan .2.2. Loop Collector .7 Bias emiter stabil a.- Bias Emitter stabil Gambar 2.Emitter Saturasi : - Bias Pembagi Tegangan Gambar 2.

9 Bias dengan umpan balik Persamaan tegangan untuk loop di sebelah kiri ( loop base-emitter) : Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan I’ C. Gambar 2.- Bias dengan umpan balik Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik dari collector menuju base.2. dimana : Tapi nilai IB yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh persamaan yang lebih sederhana (asumsi I’C ≅ IC ≅ β IB dan IC ≅ IE): Sehingga : .

a.10 Loop collector-emiter Dengan I’C ≅ IC dan IC ≅ IE maka - Perbedaan BJT dan JFET Perbedaan utama antara JFET dengan BJT adalah apabila pada JFET gerbang dibias mundur sedangkan pada BJT basis dibias maju.1 Perbandingan JFET tipe-n dan tipe-p No Keterangan Kanal n JFET Kanal p 1. Perbandingan antara JFET tipe-n dan tipe-p ditampilkan dalam tabel berikut: Table 1. JFET dibagi menjadi 2 tipe yaitu tipe-n dan tipe p. Loop collector-emitter Gambar 2.2. Simbol . Hal ini berarti arus keluaran pada JFET dikendalikan oleh tegangan gerbang (VGS) sedangkan pada BJT arus keluaran dikendalikan oleh arus basis (IB). Berdasarkan pembawa muatan mayoritasnya.

Rumus ID ( ) 4. Kurva Karakteristik 3. Dalam JFET saluran n terdapat 1 bahan semikonduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. Dalam hal ini akan dibahas mengenai bangun JFET saluran n. Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan. sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif (maka dinamakan p+). Ada 2 jenis JFET. Kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber. Dalam FET. Mode Operasi Depletion - JFET FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole. Kurva Tracer 5. Di samping balok saluran n dibentuk dua daerah semikonduktor p+. yaitu JFET saluran n dan JFET saluran p. tergantung dari tipe FET).2. untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. JFET (Junction FET) terdapat isolasi oleh sambungan pn (junction). Semikonduktor p+ adalah semikonduktor p dengan konsentrasi atom asing yang tinggi. arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Kedua daerah semikonduktor p+ tersambung dan membentuk sambungan keluaran yang disebut sebagai gate (G) atau .

kemudian arus manjadi hampir konstan dan hanya naik sedikit ketika VDS semakin besar. Ketika I VGS I semakin besar. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan).gerbang. VT semakin kecil. Resistivitas tersebut tergantung dari konsentrasi pembawa muatan n dan dari ukuran saluran (panjang. Antara semikonduktor p dan semikonduktor n terdapat daerah pengosongan dimana tidak ada pembawa muatan. maka daerah pengosongan lebih jauh masuk ke dalam daerah semikonduktor n. Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor. Voltase dimana daerah saturasi mulai disebut sebagai threshold voltage VT. Besar arus yang mengalir dari drain ke source ditenyukan oleh resistivitas dari saluran n yang terdapat antara kedua daerah pengosongan di samping saluran. harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan . Threshold voltage ini merupakan voltase dimana pinch off mulai terjadi. lebar dan tinggi saluran n). Daerah dalam grafik dimana ID konstan disebut daerah saturasi.2 Nilai Batas Suatu Transistor Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Karena konsentrasi atom asing dalam semikonduktor p+ jauh lebih tinggi daripada yang terdapat dalam semikonduktor n. Besar dari threshold voltage VT tergantung dari voltase VGS antara gate dan source. Suhu maksimal sutu transistor Germanium adalah sekitar 75o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150o C.2. Daerah saturasi dimulai pada voltase VDS yang lebih tinggi daripada voltase VCE pada transistor bipolar yang mana daerah aktif transistor tercapai. Terdapat hubungan sebagai berikut : | dimana VP : Voltase pinch off. - Grafik Keluaran JFET Pada voltase drain-source yang kecil arus naik dengan cepat dengan kenaikan VDS sampai nilai arus tertentu. yaitu voltase gate – source dimana arus drain menjadi nol (kecuali adanya arus bocor yang kecil) | 2.

dsb. A = dioda detektor. Selain itu biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas. Huruf kedua manyatakan fungsi penerapannya pada rangkaian elektronika.penyaluran panas. daya rendah. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. sedangkan kaki kolektor pada transistor PNP selalu pada kutub negatif. Berikut ini adalah arti huruf – huruf pengkodean pada komponen elektronika buatan Eropa : 1. E = dioda terobosan. seperti TRIAC. Pada badan transistor juga tertera huruf dank kode – kode lain. transistor foto. C = transistor frekuensi rendah. seperti TRIAC. dioda kecepatan tinggi. . U = transistor saklar daya tinggi. D = transistor daya frekuensi rendah. Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikit dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1). T = piranti kemudi dan switching. P = detektor radiasi seperti dioda foto. Doping rendah ini mengurangi konduktiviti material dengan membatasi jumlah elektron bebas. Kaki kolektor pada transistor NPN selalu berada pada kutub positif. S = transistor saklar. N = kopling foto. Q = generator radiasi seperti LED. F = transistor frekuensi radio. B = dioda kapasitas variable. Huruf pertama menyatakan bahan semikonduktir yang digunakan untuk membuat komponen tersebut. dioda pencampur. Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektron dan holes berpartisipasi dalam proses pembangkitan arus. R = piranti kemud dan saklar. G = macam ragam keperluan L = transistor daya frekuensi radio. A = Germanium B = Silikon C = Arsenida Galium D = Antimonida Indium E = Sulfida Cadmium 2.

Pengoperasian transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi potensial pada sambungan (gambar 2.11 Pengoperasian transistor jenis NPN a). pengatur (regulator). hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang “disediakan” dengan pemasangan baterai luar.2. 2N. kondisi panjar b). dan lain – lain. Seperti akan kita lihat. transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang besar untuk mendapatkan penguatan tegangan. distribusi potensial . Huruf – huruf atau angka – angka yang lain menyatakan nomor seri. meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi). Y = penyearah. dioda efisiensi X = dioda zener.X = dioda pengganda. (a) (b) Gambar 2. dengan efek dari tegangan panjar eb V terjadi penurunan tegangan penghalang pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron (minoritas). 3. sebagai efek dari pemasangan tegangan panjar CB V akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. Sambungan emitor berpanjar maju. Untuk transistor – transistor buatan Amerika. karena Jepang menggunakan kode lain lagi. kode yang biasa digunakan adalah 1N.11a diperlihatkan keping horizontal transistor jenis NPN. Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis.3 Operasi Transistor Pada gambar 2. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh baterai eksternal.2. 2.2. Karena daerah basis sangat tipis.2b). Sambungan kolektor berpanjar mundur. 2SB. dan sebagainya. Berbeda dengan Jepang. yaitu 2SA.

Komponen lain adalah aliran lubang dari basis yang juga difasilitasi oleh penurunan tegangan penghalang tersebut. ICBO adalah penulisan yang benar namun biasanya lebih sering ditulis sebagai IO .9% elektron yang terinjeksi berhasil mencapai sambungan basis-kolektor (factor α biasanya berharga sekitar 0. Dengan sambungan emitor berpanjar maju dan sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut operasi normal. yaitu dengan proses rekombinasi. Komponen terbesar dari arus emitor IE terdiri atas elektron yang mengalir melewati penurunan tegangan potensial (VO . Daerah basis memiliki tingkat doping yang lebih rendah dibandingkan daerah emitor. 2. 3. Arus elektron α iE mendominasi besarnya arus kolektor. kurang lebih 99 .2. Jika kita memasang tegangan VEB pada sambungan emitor-basis. tidak perlu terlalu dirisaukan.98). Komponen lain dari arus kolektor berupa arus drift melewati sambungan kolektor-basis dari pembawa muatan minoritas hasil generasi termal. Elektron yang “terinjeksi” dari emitor ke basis dapat mengalir melalui sambungan emitor-basis secara bebas karena beberapa sebab : 1. Dengan proses pabrikasi transistor yang benar. pengoperasian di daerah aktif). kita menginjeksi arus yang diberikan oleh persamaan arus diode : ⁄ dimana VT = 25 mV pada temperatur ruang. Elektron tersebut tidak mengalami kesulitan akibat penurunan tegangan penghalang. Efisiensi emitor ( γ ) berharga mendekati satu sehingga arus hampir terdiri atas semua elektron yang terinjeksi dari emitor. Kedua jenis muatan mengalir melalui proses difusi.99.2. Tanda negatif hanya untuk memenuhi perjanjian konvensional. tidak ada tegangan yang melawannya. sehingga arus lubang relatif lebih rendah. hanya terdapat jarak yang pendek pada daerah basis (tipis) dan hanya terdapat jumlah lubang yang relatif rendah sehingga tidak banyak elektron yang tertangkap lubang dan hilang. Harga arus iE sangat tergantung pada tegangan VEB .VEB) ke sambungan emitor-basis. Fuge factor ( η ) untuk transistor biasanya tidak diperlukan.4 Karakteristik DC Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran pembawa muatan melewati sambungan dan ke basis. Sebagian besar elektron mencapai kolektor atau .

5 Karakteristik Keluaran a.13-b) mirip dengan karakteristik diode (gambar .2.12 Transistor dengan konfigurasi basis bersama Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar maju. Konfigurasi Basis-Bersama (Common-Base Configuration). namun biasanya berharga sekitar 100-200. dapat berharga serendah 20 dan dapat berharga setinggi 2000. maka karakteristik masukan rangkaian ini (gambar 2.dimana = 1.2.12 disebut konfigurasi basis bersama karena i-v basis digunakan untuk terminal masukan maupun keluaran. Arus lain sebesar terlihat sebagai arus basis ⁄ yaitu disebut penguatan arus (current gain ). Karakteristik BJT dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari pemahaman kita tentang diode dan pengoperasian transistor. dimana harganya akan sangat bervariasi dari satu transistor ke yang lain walaupun mempunyai seri dan tipe yang sama. Rangkaian transistor seperti pada gambar 2. Gambar 2.2. 2.2.

arus kolektor meningkat sebesar iE ≈ +5 mA dan menampakkan bentuk kurva.13-a pada kuadran tiga.2.13 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi basis-bersama a) karakteristik basis. Dengan VCB berharga positif dan emitor hubung terbuka.13-c). maka (a) (b) (c) Gambar 2.2. Sesuai dengan namanya emitor dipakai bersama sebagai terminal masukan maupun keluaran. Untuk iE = -5 mA. Terlihat bahwa efek dari tegangan kolektor-basis VCB cukup kecil.14 lebih sering digunakan sebagai penguat arus. iC ≈ iCBO (lihat gambar 2.2. Karena faktor selalu lebih kecil dari satu ⁄ secara praktis konfigurasi basis -bersama tidak baik sebagai penguat arus. Untuk iE = 0. c) karakteristik kolektor b. (VCB berharga negatif akan membuat sambungan kolektor basis berpanjar maju dan akan mengalir iC berharga negatif). b) karakteristik emitter. Konfigurasi Emitor-Bersama (Common-Emitter Configuration) Konfigurasi emitor-bersama seperti diperlihatkan pada gambar 2. iE = 0 volt dan bagian basis . Arus input dalam konfigurasi ini adalah iB .2.2.kolektor pada dasarnya berpanjar mundur.2. dan arus emitter iE = -iC + iB . karakteristik kolektor mirip dengan karakteristik diode gambar 2. karenanya besarnya arus kolektor adalah atau .13-a).

14 transistor dalam konfigurasi emitter bersama Untuk menyederhanakan persamaan diatas kita telah mendifinisikan “nisbah transfer arus” sebagai dan kita dapat mencatat besarnya arus cutoff kolektor sebagai Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor) dalam bentuk arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah (a) a) karakteristik basis. b) karakteristik kolektor (b) Gambar 2.15 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi emitter bersama .Gambar 2.2.2.

tegangan yang terjadi mungkin akan lebih besar dibandingkan tegangan masukan.98. atau FET dapat digunakan sebagai “penguat”. 2.Bentuk karakteristik emitor-bersama diperlihatkan pada gambar 2. Karena karakteristik piranti secara individu tidak dapat diketahui secara pasti.2. maka biasanya digunakan analisa pendekatan. Untuk BJT silicon misalnya.α = 0. dan harganya tergantung pada besarnya tegangan sambungan emitor-basis. akan diikuti kenaikan arus iC sebesar βiB . sedangkan pada konfigurasi emitor-bersama adalah hubungan antara VBE dengan iB. Untuk α = 0.98 / 1 .2. untuk tegangan panjar maju sekitar 0. yaitu hubungan eksponensial I-V pada sambungan emiter-basis.0. dan “karakteristik transfer” yang . Sedikit kenaikan pada α akan menghasilkan perubahan yang lebih besar pada β.2.15.8 Karakteristik Transfer Karakteristik i-v dari FET menunjukkan bahwa arus keluaran dapat dikontrol oleh tegangan masukan.2. dengan demikian FET dapat digunakan sebagai “saklar” dengan tegangan sebagai pengontrol. 2. Pada daerah jenuh. Jika arus keluaran dilewatkan pada suatu resitor. arus iC berharga relatif kecil dan hampir konstan pada harga ICEO . Setiap ada kenaikan arus iB .7 Karakteristik Transfer-Arus Karakteristik transfer-arus berupa plot iC terhadap iB untuk suatu harga VCE tertentu. Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik keluaran. dan efek dari VCE pada konfigurasi ini akan lebih nampak dibandingkan pada konfigurasi basis-bersama. Pada gambar 2.2. β = α /1. arus D ( iD ) hampir tidak tergantung pada besarnya tegangan D-S ( VDS ). yaitu antara pinch-off atau turn-on dengan daerah breakdown.6 Karakteristik Masukan Karakteristik transistor lain yang perlu diketahui adalah karakteristik masukan. untuk iB = 0 . Karakteristik masukan pada konfigurasi basis bersama adalah hubungan antara VBE dengan iE .7 V akan memberikan iB yang cukup besar.98 = 49 jelas sedikit perubahan pada iB akan memberikan kenaikan yang sangat besar. Kemiringan dari kurva yang diperoleh secara langsung akan memberikan harga dari hubungan : 2.15-b. besarnya arus masukan iB relatif kecil untuk tegangan kolektor-emitor lebih besar 1 V.

Pada rangkaian dapat dipasang piranti JFET. D-MOSFET atau E-MOSFET. Dalam berbagai hal konfigurasi ini mirip dengan konfigurasi emitorbersama pada BJT.2. . arus D pada daerah arus-konstan adalah Gambar 2. Pada prinsipnya rangkaian ini sama dengan rangkaian dasar penguat JFET yang telah kita bahas sebelumnya. Isyarat masukan dikenakan pada G-S dan isyarat keluaran diambil dari D-S. Karakteristik rangkaian pada dasarnya sama untuk ketiga piranti tersebut.16.2.17. dapat diperlihatkan bahwa karakteristik transfer untuk ketiga jenis FET dapat didekati berbentuk parabolik. Untuk JFET.2.16 karakteristik transfer pada arus konstan untuk JFET ( dimana iDS = arus D pada daerah arus-konstan ) IDSS = nilai iDS dengan G terhubung langsung dengan S VP = tegangan pinch-off 2. Titik S terhubung dengan masukan dan keluaran.2.9 Penguat Sumber-Bersama (Common-Source Amplifier) Konfigurasi sumber bersama (common-source) paling banyak digunakan pada penguat FET. Dari analisis teori dan pengukuran praktis.menggambarkan hubungan antara arus keluaran dengan tegangan masukan diperlihatkan seperti pada gambar 2. Salah satu bentuk praktis rangkaian sumber bersama diperlihatkan pada gambar 2.

. Isyarat masukan dikenakan pada S-G dan isyarat keluaran diambil dari D-G. Konfigurasi gerbang-bersama dapat digunakan sebagai penguat tegangan tetapi mempunyai penguatan arus lebih kecil dari satu.10 Penguat Gerbang-Bersama (Common-Gate Amplifier) Konfigurasi gerbang-bersama (common-gate) dalam berbagai hal mirip dengan konfigurasi basis-bersama pada BJT. Tegangan keluaran yang diambil dari S-D akan mengalami pembalikan 1800 . Tegangan isyarat yang datang akan tergabung (superimpossed) dengan tegangan G. Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R2.Gambar 2. DMOSFET atau E-MOSFET. Impedansi keluaran relatif cukup tinggi (beberapa kilo ohm) dan pada dasarnya tidak tergantung pada harga RL . 2. Variasi ini akan diikuti oleh arus drain ID .2. Konfigurasi ini dapat digunakan untuk piranti JFET. Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian.2. Ini menyebabkan tegangan G bervariasi mengikuti AC. Penguatan tegangan adalah sebesar AV = VDS/VGS dengan harga sekitar 5 – 10. Impedansi masukan berharga sangat tinggi (berorde mega ohm).17 Penguat JFET sumber bersama (common-source) Isyarat yang akan diproses pada sumber bersama diumpankan pada GS.

Penguat ini juga disebut sebagai pengikutsaluran (drain follower) dan memiliki .2.11 Penguat Saluran-Bersama (Common-Drain Amplifier) Penguat saluran-bersama mempunyai isyarat masukan yang dikenakan pada G dan isyarat keluaran diambil dari S. Isyarat masukan dikenakan pada R1 melalui C1 . Penguat ini memiliki impedansi masukan yang sangat rendah (sekitar 200 – 1500 ) dan impedansi keluaran sedang (sekitar 5 – 15kΩ). D terhubung baik dengan masukan maupun dengan keluaran. Konfigurasi ini banyak dipakai untuk penguat isyarat frekuensi radio (RF).18. Variasi yang terjadi pada isyarat masukan menyebabkaan perubahan pada tegangan S. Dengan kata lain isyarat masukan sefase dengan isyarat keluaran.Gambar 2. Penguat gerbang-bersama mempunyai karakteristik yang agak spesifik. Besarnya penguatan tegangan relatif lebih rendah dibandingkan penguat sumber bersama.18 Penguat JFET sumber bersama (common-source) Salah satu bentuk praktis rangkaian gerbang-bersama diperlihatkan pada gambar 2.5.2. akan terjadi kenaikan ID. yaitu berharga sekitar 2 .2. Demikian halnya pada saat periode isyarat masukan negatif. Pada periode positif isyarat masukan akan membuat S semakin positif. Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian. Penurunan tegangan pada R2 akan mengalami kenaikan atau penurunan mengikuti masukan. Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R1 . Pada rangkaian ini digunakan penguat JFET. 2. ini akan membuat ID semakin negatif.

Titik operasi DC ditentukan oleh resistor R2 . arus. daya. maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan (amplifier) signal-signal. Titik operasi transistor ditentukan oleh R2. Konfigurasi ini memiliki impedansi masukan yang sangat tinggi dengan memasang R1. Dengan bertambahnya arus yang melewati R3 dan R2 . Kombinasi resistor R2 dan R3 membentuk hambatan beban dan akan menjadi impedansi keluaran. resistor R3 telah digeser dari D ke S. tegangan dan sebagainya. Pada rangkaian ini. Penguat saluran-bersama banyak digunakan sebagai piranti penyesuai impedansi (impedance-matching).19 memperlihatkan bentuk praktis rangkaian saluran-bersama dengan menggunakan JFET saluran-n. Pada periode positif isyarat masukan.2.19 Penguat JFET saluran-bersama (common-drain). Demikian sebaliknya pada saat periode isyarat masukan negatif. Ini akan membuat saluran-n menjadi semakin konduktif. Saat isyarat masukan AC diumpankan ke G. Gambar 2.2.12 PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor. Namun . maka S akan berubah/bergoyang positif. Gambar 2. maka akan terjadi perubahan tegangan G.2. 2.karakteristik mirip dengan rangkaian pengikut emitor pada transistor BJT. akan membuat G negatif. yaitu untuk menyambung rangkaian dengan beban impedansi tinggi dengan rangkaian dengan beban impedansi rendah. akan membuat saluran-n menjadi kurang konduktif.

b. Fisik relative jauh lebih kecil. a. Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade . seperti : a.20. sehingga tegangan UCE = UCC. Lebih ekonomis.dikarenakan karakteristik listriknya. c. maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik. yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2.2.2. Gambar 2.20 dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).2. RL = 0. Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC . penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan. Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . RL = UCC . Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube). dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor.20 dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya. Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. . dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0.

transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. Regulator Tegangan dengan Transistor Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban RL. daya (Amplifier). Karena karakteristik listriknya. Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB.2. maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama. Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2. . Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse).22.21 Rangkaian Kaskade Transistor b. Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75oC.2. karena UZ tetap konstan sedangkan Ui = UCB + UZ. tegangan.Gambar 2. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. sedangkan silikon sekitar 15oC Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan. Transistor mempunyai tiga buah elektroda. Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN. yaitu Emiter. Pada saat terjadi perubahan tegangan ini.

Rangkaian transistor Darlington ditemukan pertama kali oleh Sidney Darlington yang bekerja di Laboratorium Bell di Amerika Serikat. Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. Transistor Darlington Transistor Darlington adalah rangkaian elektronika yang terdiri dari sepasang transistor bipolar (dwi kutub) yang tersambung secara tandem (seri). dan secara umum merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya. Keuntungan dari rangkaian Darlington adalah penggunaan ruang yang lebih kecil dari pada rangkaian dua buah transistor biasa dengan bentuk konfigurasi yang sama. Jenis rangkaian yang mirip dengan transistor Darlington adalah rangkaian pasangan Sziklai yang terdiri dari sepasang transistor NPN dan PNP. karena hasil penguatan pada transistor yang pertama akan dikuatkan lebih lanjut oleh transistor kedua. Rangkaian Sziklai sering dikenal sebagai rangkaian 'Complementary Darlington' atau 'rangkaian kebalikan dari Darlington'. Sambungan seri seperti ini dipakai untuk mendapatkan penguatan (gain) yang tinggi.maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat-Sink. Transistor Darlington bersifat seolah-olah sebagai satu transistor tunggal yang mempunyai penguatan arus yang tinggi. seperti nampak dalam rumus berikut: . voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar. Penguatan total dari rangkaian ini merupakan hasil kali dari penguatan masing-masing transistor yang dipakai: Nilai penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali atau lebih. dan banyak dipakai dalam pembuatan Sirkuit terpadu (IC atau Integrated Circuits) chip. dan E (Emitter). C (Kolektor). Penguatan arus listrik atau gain dari rangkaian transistor Darlington ini sering dituliskan dengan notasi β atau hFE. Dari luar transistor Darlington nampak seperti transistor biasa dengan 3 buah kutub: B (basis). Dari segi tegangan listriknya. Jenis rangkaian hasil penemuannya ini telah mendapatkan hak paten.

disket 3½ “ 1. Datasheet transistor yang digunakan 2. Untuk JFET periksalah hambatan antara drain dan source untuk gate pada keadaan terbuka.1 Testing kondisi BJT dan JFET  Untuk BJT periksalah kondisi transistor.3 Daftar Komponen dan Alat a.   isilah tabel 2. mistar i. modul praktikum elektronika dasar. Osiloskop dua channel.2.1.4. Kemudian periksa pula hubungan antara gate dengan source.44 MB g. dengan cara memeriksa dioda emiter dan dioda kolektor dari transistor. d. flash disk h. 2 buah variable Power supply e.  Isilah tabel 2. c. kertas milimeter block f. b. 2 buah multimeter analog maupun digital.2 Resistansi channel JFET FET No Seri Type AVO Meter Analog 2SK19 channel-N Digital Hambatan Drain Source Gate Source Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan .1 Resistansi dioda BJT No BJT No Seri Type 1 BC547 NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter Basis Kolektor Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan Tabel 2.4 Cara Kerja 2.2 Tabel 2.

 Gunakan multimeter untuk mengukur IB (Tegangan dari RB).1 Rangkaian karakteristik BJT Tabel 2.1.5 VRE IC IE β Keterangan . Aturlah tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE sesuai dengan tabel 2.Karakteristik BJT   Buat rangkaian seperti pada gambar 2.2 0.3 Hasil pengamatan karakteristik BJT No 1 2 3 4 5 IB VCE 0. Karakteristik BJT dan JFET 1.II.4.1 0. IC (tegangan dari RC).IV. dan VCE.3 0.3. Catat pengamatan anda pada tabel 2.3  Gambar 2.4 0.

Karakteristik transistor  Buat rangkaian seperti pada gambar 2.4 Hasil Pengamatan karakteristik JFET No VGS VDS VR ID D IG Keterangan 1 2 3 1. Karakteristik BJT dan JFET dengan osiloskop 1.2 Rangkaian karakteristik JFET Tabel 2.3.4.5 2. .4.4 Gambar 2.5 4 5 2.3. Karakteristik JFET    Buat rangkaian seperti pada gambar 2.4 catat besar ID pada tabel 2.2.2 Aturlah tegangan agar harga VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.

7 volt . 50. Gunakan osiloskop dua channel. untuk harga VGS 0.4.  Gambar hasilnya pada kertas milimeter block. Karakteristik JFET   Buat rangkaian seperti pada gambar 2.4. dan 75 mA Gambar 2.3 Rangkaian karakteristik BJT dengan osiloskop 2.3. Gunakan osiloskop dua channel . dan 0. 0.  Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif  Besarnya arus drain dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan vertikal dengan nilai tahanan RD. Input horisontal (X/CH1) hubungkan dengan DS (drain JFET hubungkan dengan ground osiloskop) dan input Vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan RD (Drain sebagai ground ). Input horisontal (X/CH1) hubungkan dengan E (emitor transistor hubungkan dengan ground osiloskop) dan input vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan ground RC (kolektor sebagai ground)  Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif  Besarnya arus kolektor dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan vertikal dengan nilai tahanan RC  Gambar hasilnya pada kertas milimeter block. untuk harga IB 30.

4 Rangkaian karakteristik JFET dengan osiloskop 2. dan VBE.Gambar 2.4 Konfigurasi BJT 2.    Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.1 Emiter stabilized bias  sebelum transistor dirangkai. VCE.4. IC.4.6 Setiap mulai mengukur. ukurlah dahulu besarnya h fe transistor dengan multimeter digital. Isi tabel 2. IC. VCE. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB.6  .4. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). dan VBE.4.

4. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB.Gambar 2.7  . ukurlah dahulu besarnya h fe transistor dengan multimeter digital.6 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emiter stabilized bias No 1 2 3 4 IB IC VCE VBE β Keterangan 2.5 Konfigurasi Emiter stabilized bias Tabel 2. VCE. IC. dan VBE. IC.2 Voltage divider bias  sebelum transistor dirangkai. VCE. dan VBE.4.7 Setiap mulai mengukur.4. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.    Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB. Isi tabel 2.

matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).5 Konfigurasi JFET 2.  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID.9  .4.1 Fixed bias   Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. dan VGS. VDS.Gambar 2. VDS. Isi tabel 2.4.4. IG.7 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 2 3 4 IB IC VCE VBE β Keterangan 2.5. IG.6 Konfigurasi Voltage divider bias Tabel 2. Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID. dan VGS.9 Setiap mulai mengukur.

Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID.7 Konfigurasi Fixed bias Tabel 2.  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID.11  . dan VGS. IG.4.11 Setiap mulai mengukur.4.2 Voltage divider bias   Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. VDS.Gambar 2. IG.8 Hasil Pengamatan Konfigurasii Fixed bias No 1 2 3 4 ID IG VDS VGS Keterangan 2. Isi tabel 2. dan VGS. VDS. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).5.

4.Gambar 2.10 Resistansi Dioda BJT No BJT No Seri 1 BC547 Type NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital 500 0 500 0 √ AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter 550 0 Basis Kolektor 500 0 Keterangan keadaan Baik Buruk √ Ket .5 Lembar Kerja dan Data Hasil Percobaan Tabel 2.9 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 2 3 4 ID IG VDS VGS Keterangan 2.8 Konfigurasi Voltage divider bias Tabel 2.

15 Hasil Pengukuran Resistansi dioda BJT No BJT No Seri 1 BC547 Type NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital 500 0 500 0 √ AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter 550 0 Basis Kolektor 500 0 Keterangan keadaan Baik Buruk √ Ket .6.11 Hasil Pengukuran Konfigurasi emitter dan stabilized bias No 1 IB 0.13 VC 10.14 Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias No 1 ID 2.1078 VB 10.02 VB 10.78 VCE 9.34 VBE 10.098 VD 12.52 VG 0.12 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 IB 1.72 VDS 12.5 β 10.84 VBE 9.81 VG 1.02 Keterangan - Tabel 2.34 VCE 2.33 IG 0.1 Testing kondisi BJT dan JFET Sebuah transistor apabila dalam kondisi baik maka akan mempunyai suatu nilai hambatan dan apabila nilai hambatannya nol atau tidak bisa di hitung nilainya maka transistor dalam keadaan rusak. Dalam percobaan ini kita memeriksa transistor jenis NPN (BC547) dan jenis PNP (BC557).159 Keterangan - Tabel 2.50 VC 2.2 β 0.09 Keterangan Baik 2. Tabel 2.02 VDS 7.7 IG 6.675 IC 0.18 VGS 1.53 VGS 0.Tabel 2.05 IC 0.978 keterangan Baik Tabel 2.6 Analisa Pembahasan Hasil Percobaan 2.476 VD 7. berikut data yang diperoleh.13 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias No 1 ID 5.

yaitu pada Basis dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub positif sumber listrik maka pada Avometer tidak menunjukkan hasil. Dari data hasil percobaan kita mendapatkan nilai hambatan yang berarti. sesuai dengan sifat . Biasanya dalam rangkaian transistor dipakai dambungan pn dalamkeadaan bias maju sehingga antara arus dan voltase basis-emitor terdapat hubungan seperti pada diode. yaitu Kolektor dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Basis dikenakan kutub positif sumber listrik maka pada Avometer menunjukkan hasil. Pada kedua jenis transistor diatas memiliki hambatan yang berarti jadi kedua jenis transistor dalam keadaan baik. Dalam pengukuran JFET kita menggunakan JFET saluran n. Dalam pengukuran JFET kita memeriksa hambatan antara drain dan source untuk gate terbuka dan memeriksa hambatan antara gate dan source. kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber. Antara basis dan emitor terdapat satu sambungan pn. Maka jelas. Dari table dapat dilihat pada pengujian transistor BJT type NPN terlihat pada saat Basis-Emiter dikenakan arus maju artinya pada Basis dikenakan kutub positif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub negatif sumber listrik pada Avometer terlihat adanya resistansi yang terukur. Pada BasisKolektor. Meskipun dalam pengukuran pada hubungan gate dengan source pada bias balik tidak mendapat nilai akan tetapi tetap bisa disimpulkan bahwa JFET yang kita ukur dalam keadaan baik. sedangkan jika dikenakan arus mundur pada Avometer tidak menunjukkan hasil. Hal ini menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan baik. Untuk BJT type PNP terlihat pada table ketika dikenakan arus maju pada BasisEmiter dan Basis-kolektor pada Avometer tidak menunjukkan hasil pengukuran (mati).sifat pada sambungan ini sama dengan sifat diode. arus listrik tersebut tidak dapat mengalir.Memeriksa BJT kita lakukan dengan cara memeriksa hambatan dioda Emiter dan dioda kolektornya. sedangkan pada saat dikenakan arus mundur. ketika dikenakan arus maju. sedangkan pada saat dikenakan arus mundur Avometer menunjukkan hasil pengukuran. Dalam JFET saluran n terdapat satu bahan semi konduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. Ini menandakan pada saat dikenakan arus mundur pada Basis-Emiter. Hal ini menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan baik. karena pada transistor type NPN arus hanya akan mengalir dari bagian P ke bagian N atau dengan kata lain dari kaki Basis ke kaki Emiter dan dari kaki Basis ke kaki Kolektor.

karena pada Drain Source merupakan satu saluran yaitu saluran N sehingga walaupun dikenakan voltase maju ataupun mundur maka akan terdapat aliran listrik. Semikonduktor P  adalah semikonduktor P dengan konsentrasi atom asing yang tinggi. pada Transistor PNP arus akan mengalir dari Emiter ke Basis dan dari Kolektor ke Basis. Sedangkan pada Gate Source hanya pada saat dikenakan voltase maju saja memberikan hasil pada Avometer.55x10-4 A = 2.VBE / RB IC = VCC .0. Maka didapatkanlah data seperti pada tabel . sedangkan pada Gate Source Avometer hanya akan menunjukkan hasil ketika dikenakan voltase maju karena pada Gate merupakan daerah semikonduktor P  sehingga aliran listik hanya dapat mengalir satu arah saja.VCE / RC Misalnya pada saat kondisi VB= 0. Dalam percobaan karakteristik BJT kita memerlukan nilai IB. ketika dikenakan voltase maju atau voltase mundur pada Drain Source Avometer menunjukkan hasil pengukuran.3x10-4 A / 1.02 V / 4700  = 8.semikonduktor yang hanya akan mengalirkan arus dari P ke N atau dengan kata lain.3x10-4 IC = VCC .2 Karakteristik BJT Pada awalnya kita menyusun rangkaian seperti pada gambar.91 . IC (Tegangan dari RC).51 V / 106  = 1. Hal tersebut menunjukkan bahwa transistor JFET tersebut dalam keadaan baik.1x10-5 A =20. yang berupa aliran elektron. IB = VCC – VBE / RB = 12 . Mengatur tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE.1x10-5 A β = IC / IB IE = IC β = IC / IB IE = IC = 2.VCE / RC =4.6 V . IC. kemudian mengukur IB (Tegangan dari RB). sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif. 2. yaitu dari Gate ke Source dan tidak sebaliknya. Pada transistor JFET. dan VCE. IE dan β.6. maka persamaannya dapat diperoleh dari persamaan berikut : IB = VCC .

25.91 21.3x10-4 2.6.6x10-4 3x10-4 3.6 V / 106  = 6x10-7 A Misalnya pada saat kondisi VDS = 1 V. langkah-langkahnya hampir sama dengan dengan percobaan menentukan karakteristik BJT.3x10-4 3.41 1.6x10-4 3x10-4 3.8 0. Kemudian mengatur tegangan VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.Tabel 2.3x10-4 2.9 1 VBE 0.1x10-5 1.26 1. dengan RG = 106  IG = VG / RG = 0.3 Karakteristik JFET Pada percobaan menentukan karakteristik JFET.7 0.5 30.76 10.51 0.93 1.53 0.55 0.7x10-4 Β 20.61 VCE 10.1 1.6 V.55 0. Kemudian tinggal mencatat besar IG dan ID.23.2x10-5 VB 0.24 IE 2.83 Ket - 2.55 IC 2.6 10.31x10-3 A Sehingga diperoleh hasil sebagai berikut: .3x10-4 3. dengan RD = 4700  ID = VDS / RD = 1.2x10-5 1.2x10-5 1.05 V / 4700  = 2.6 0. Nilai VRD yang di dapatkan dapat dilihat pada tabel.44 10.67 25 27.7x10-4 VC 0.20 Hasil Pengamatan Karakteristik BJT No 1 2 3 4 5 IB 1.2x10-5 1.91 10. Dan untuk menentukan besar IG dan ID dapat mempergunakan rumus berikut : IG = VG / RG dan IDS = VDS / RD Misalnya pada saat kondisi VG = 0. Pertama dibuat rangkaian seperti pada gambar 2.

4 Konfigurasi BJT 2.87 10.6.6.1 Konfigurasi Emitter Stabilized Bias Tabel 2.6.31x10-3 IG 6x10-7 7x10-7 8x10-7 9x10-7 1x10-6 Keterangan - 2.9 1 VDS 1.Tabel 2.78 VCE 9.51 0.85 10.53 0.31x10-3 2.7 0. dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : .52 0.31x10-3 2.31x10-3 2.85 10.22 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emitter Stabilized Bias No 1 IB 0.84 VBE 9.159 keterangan - Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas.06 1.8 0.31x10-3 2.1078 VB 10.07 1.06 1.52 0.6 0.05 VRD 10.05 1.1 Emitter Stabilized Bias Gambar 2.87 10.54 ID 2.13 VC 10.675 IC 0.2 β 0.88 VGS 0.21 Karakteristik JFET No 1 2 3 4 5 VG 0.4.

84V 100 = 0.7x10-4 A maka.0216 A = 6.23 . VB = 10.7x10-4 A = 32.7x10-4 A Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam tabel.13 V dan VCE = 9.VCE / RC Untuk VCC = 12 V.13V 15k IC = 12V  9.   IC IB = 0.0216 A IB = 6.IB = VB / RB dan IC = VCC .84 V dimana: RB = 15 KΩ dan RC = 100 Ω IB = 10. Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : β = IC / I B Untuk IC = 0.0216 A / 6.

2.05 IC 0.338 V dimana: RB = 10 K  dan RC = 100  maka: IB = 10.022 keterangan - Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas.5 V.6.2 Voltage Divider Bias Gambar 2.4.02 VB 10.34 VCE 2.05x10-3 A .5V 10K IC = 12V  2.338 VBE 10.238V 100 = 0.Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.6.5 β 10. VCC = 12 V dan VCE = 2.2 Konfigurasi Voltage Divider Bias Tabel 2.5 VC 2. dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : IB = VB / RB dan IC = VCC .VCE / RC Untuk VB = 10.23 Hasil Pengamatan Voltage Divider Bias No 1 IB 1.097 A = 1.

3 Konfigurasi Fixed bias Tabel 2.6.Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam tabel.05x10-3 A maka.33 IG 0.53 VGS 0.476 VD 7.097 A IB = 1.38 Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.5.05x10-3 A = 92.978 keterangan Baik .6. 2.02 VDS 7. Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : β = IC / I B Untuk IC = 0.6.1 Fixed Bias Gambar 2.097 A / 1.52 VG 0.5 Konfigurasi JFET 2.   IC IB = 0.24 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias No 1 ID 5.

Ini disebabkan oleh karena ID dan IG selalu berbanding lurus dengan VD dan VG.Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : ID = VD / RD dan IG = VG / RG Untuk VD = 7.476 V dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 1 MΩ .53 V dan VG = 0.4 Konfigurasi Voltage divider bias . 2.5.76 x 10-7 A Nilai IG bernilai 0 hal ini disebabkan karena pada saat proses perhitungan V G didapatkan hasil yang bernilai 0 .53V 1K IG = 0.6.53 x 10-3 A = 4. maka maka: ID = 7.2 Voltage Divider Bias Gambar 2.476V 1M = 7.6.

jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan! 7.25 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias No 1 ID 2. dan saturasi? 2. Tentukan titik Q pada BJT dan FET. Sebutkan kegunaan dari BJT dan JFET serta aplikasinya? 6. buatlah grafik. pada tiap konfigurasi! 4. 3.098V dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 10 KΩ . Dari keempat jenis bias pada BJT.09 keterangan Baik Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : ID = VD / RD dan IG = VG / RG Untuk VD = 12. Apa yang dimaksud dengan IDSS.18 x10-3 A = 1.Tabel 2.18 VGS 1. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off.7 IG 672 VDS 12. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja BJT dan FET! 5. Apa ciri ketiga daerah operasi dari JFET? .098 VD 12.VP. IC terhadap VCE b. VBE terhadap IB c. a. mana yang paling stabil (pergeseran titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan! 8. aktif dan saturasi.IGSS? 10. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias? 9.18 V dan VG = 1. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter.18V 1K IG = 1.098x10-4 A 2. aktif.7 Pertanyaan dan Tugas 1.81 VG 1. hFE terhadap IC.maka maka: ID = 12.098V 10 K = 12. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off.

Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB.1 Jawaban : 1. maka dapat diperoleh hubungan : VCE = VCC . Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan kesimpulan umumnya pada akhir percobaan.7. - Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif. daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan.ICRC . 2. Terangkan perbedaan antara BJT dan JFET menurut hasil percobaan (minimal 5 perbedaan)! 12. Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (rangkaian CE).11. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri kesimpulannya 14. Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region). Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan. dimana arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori. mungkinkah disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya! 13. Pada saat perubahan ini.

- Daerah Saturasi Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PDmax. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal.91 230 12 10. Grafik VCE terhadap IC IB (µA) VCE (V) IC (µA) 11 10.6 300 12 10.IC Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya.7 volt (transistor silikon). Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor.Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : PD = VCE.24 370 . Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax.44 330 12 10.76 260 12 10. yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron. a. maka transistor dapat rusak atau terbakar. 2.

51 12 0.9 12 10.9 h fe (dB) .44 330 24.5 12 10.24 370 23.55 c.91 230 26 12 10.6 300 24.4 12 10. IB (µA) VCE (V) IC (µA) 11 10. Grafik hFE terhadap IC.55 12 0.b.55 12 0. Grafik VBE terhadap IB IB (µA) VCE (V) 11 0.76 260 25.53 12 0.

Semakin besar voltase. 5. 4. lebar daerah pengosongan akan bertambah. yaitu voltase ada dan voltase nol atau dengan kata lain hanya terdapat keadaan on dan off. b. Kegunaan dari BJT diantaranya berfungsi sebagai saklar. Bias Tetap : Titik Q point terjadi saat Ic saturasi mencapai maximum dan berpotongan dengan Vce saturasi.3 a. Gate disambungkan dengan voltase negatif terhadap source sehingga saluran pn antara gate dan saluran n dibias balik. Bias Pembagi Tegangan : Titik Q point terjadi pada pertemuan garis dari k dan Vge. Dalam elektronika digital biasanya hanya terdapat dua keadaan. semakin lebar daerah pengosongan. Satu contoh di mana transistor dipakai sebagai saklar adalah dalam rangkaian elektronika digital. sehingga electron akan masuk ke dalam saluran dari source dan keluar dari drain. drain disambungkan positif terhadap source. Dalam pengoperasian JFET saluran n. Bias Emiter Terstabilkan : Titik Q point terjadi pada perpotongan garis Ibo dan garis yang menghubungkan Vcc dan Vcc / Rc+Re c. Ketika sambungan pn tersebut dibias balik. Lebarnya akan tergantung dari voltase antara daerah semikonduktor p+ dan daerah semikonduktor n. .

6 – 0. maka titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban. Berada pada daerah aktif VBE = 0. dengan cara ini tegangan dc digandeng. VCE maksimum yang mungkin sekitar 15 V. Titik cut-off menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang mungkin dalam rangkaian. Kita dapat mengenalinya dengan adanya pembagi tegangan pada rangkaian basis. 8.7 V . yaitu tengangan catu kolektor. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor kecil. Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier ( IC = B * IB). IDSS adalah arus batas atas untuk memutuskan atau mencegah kenaikan arus kanal penghubung yang sempit. pergeseran rendah tempat tegangan keluaran dc akhir dihasilkan dengan perubahan kecil pada tegangan catu. VP adalah tegangan Pinchoff dimana tegangan minimum pada daerah aktif JFET. parameter transistor. bagian dari base transistor. seperti tegengan ac. Beta adalah salah satu dari parameter transistor.Kegunaan dari JFET salah satunya adalah penguat pemotong. Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200. Keuntungan utama dari penggandengan langsung adalah drift yaitu. Reverse Bias adalah hubungan yang terjadi saat pusat negative baterai dihubungkan pada sisi-dan pusat positif baterai dihubungkan dengan sisi-n. 9. Rangkaian yang dapat menguatkan sinyal ac dinamakan dengan penguat dc. tapi bisa juga sampai 800. Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias pembagi tegangan. 6. Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan beban tipe-n dan pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p. Membangun sebuah penguat tergandeng langsung dengan mangambil kapasitor penggandeng dan bypass kapasitor serta manghubungkan keluaran tiap tingkatan langsung pada input dari tingkatan berikutnya. Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan basis yang menghasilkan gain arusnya 10. dan variasi suhu. Karena di sana lebih dari cukup arus basis untuk menjenuhkan transistor. 7. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter disebut dengan bias pembagi teganyan. .

Karena kurangnya perawatan atau mungkin umur alat yang sudah lama. Kerusakan transistor bisa saja terjadi karena transistor telah melewati daerah breakdown. gate dan source. Daerah Aktif ciri-cirinya adalah persamaan garisnya telah melewati tegangan pinchoff dan sampai pada batas VDS max. Daerah breakdown ciri-cirinya adalah tegangan JFET telah mencapai VDS max. 12. Ini adalah arus drain maksimum yang dapat dihasilkan sebuah JFET. .Konfigurasi JFET * Nilai ID. 13.Konfigurasi BJT * . Daerah ohmic cirri-cirinya adalah bagian yang hamper vertical pada kurva drain di bawah pichoff. . VBE. 10. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan didalam pembacaaan skala pada alat ukur multimeter. dan β tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu tetapi VCE mengalami perubahan nilai (tidak signifikan) . IG.IGSS adalah arus yang menunjukkan drai arus ke sumber dengan gate yang dihubungsingkatkan. 11. Tidak sesuainya hasil percobaan dengan teori bisa saja disebabkan oleh rusaknya transistor. Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan teori yang ada. IC. BJT dibentuk berdasarkan dua tipe muatan sedangkan JFET satu tipe muatan. dan VGS tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu tetapi VDS mengalami perubahan nilai (tidak signifikan) .Kondisi BJT dan JFET * BJT dan JFET dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau hambatan diodenya dapat dihitung. 14. BJT memiliki kolektor.Karakteristik BJT dan JFET * Penambahan VCE secara konstan tidak menyebabkan perubahan IC atau perubahan IC sangat kecil (tidak signifikan) * * Besar β ditentukan oleh besar IC dan IB Besar arus colektor dan emiter adalah sama Nilai IB. basis dan emitter sedangkan JFET memiliki Drain.

Penerbit Salemba Teknika. Penerbit Andi. buku satu. cut-off.com/doc/33212205/Bjt-Dan-Jfet http://id.Phys. 2. gate dan source.electronics-tutorials.P.6 Kesimpulan Dari hasil percobaan yang telah dilakukan dapat ditarik kesimpulan bahwa BJT memiliki beberapa jenis bias diantaranya adalah fixed bias.id/praktikum/de/de.Dasar Elektronika.ac.scribd. 2003 Blocher Richard.php?page=3 http://www.3.ws/transistor/tran_1.id/praktikum/de/de. Emiter stabilized bias.9 Daftar Referensi Buku - Malvino. dan voltage divider bias. self bias..Prinsip-Prinsip Elektronika.wikipedia.html .ub. A. 2004 http://www.ub. basis dan emitter sedangkan JFET memiliki kaki-kaki yang disebut drain. saturasi dan breakdown.ac.org/wiki/Transistor_efek%E2%80%93medan http://elka. BJT memiliki kaki-kaki yang dinamai kolektor..voltage divider bias dan voltage feedback bias. BJT dan JFET memiliki daerah Aktif. Sedangkan JFET juga memiliki beberapa jenis bias diantaranya fixed bias. Dipl.php?page=4 http://elka.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful