BAB I PERCOBAAN II BJT DAN JFET

2.1

Tujuan Percobaan 1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP) dan JFET (channel P atau channel N). 2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT dan JFET.

2.2

Tinjauan Pustaka Transistor adalah piranti elektronik yang menggantikan fungsi tabung

elektrontrioda, dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda , yaitu Emitter, Collector dan Base. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier), namun dikarenakan sifatnya, transistor ini dapat digunakan dalam keperluan lain misalnya sebagai suatu saklar elektronis. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N. Transistor berasal dari kata transfer resistor yang dikembangkan oleh Berdeen, Schokley, dan Brittam pada tahun 1948 di perusahaan elektronok Bell Telephone Laboratories. Penamaan tersebut berdasarkan prinsip kerjanya, yaitu mentransfer ataumemindahkan arus. Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan

(oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk mengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.

Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. Dalam dunia elektronika, transistor disimbolkan sebagai berikut :

(a)

(b)

Gambar 2.2.1 Transistor BJT (a) tipe pnp (b) tipe npn

Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya, kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan, namun pada dasarnya karena transistor ini tidak tahan terhadap temperatur, maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink). 2.2.1 Pengujian Transistor Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda, maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. Salah pemasangan pada rangkaian

b. c.

Penangan yang tidak tepat saat pemasangan Pengujian yang tidak professional

Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tiga jenis, yaitu : a. b. c. Pemutusan Hubung singkat Kebocoran

Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut, tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. Menguji Karakteristik statis BJT dan JFET akan digambarkan dengan dua cara: a. Dengan Multimeter. Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan mengukur besar arus 1. 2. 3. b. karakteristik Ic terhadap Vce dengan mengukur masing-masing besaran karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE karakteristik hfe terhadap IC

Dengan Osiloskop Pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE berbagai

nilai IB Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk mengamati besarnya IC yaitu dengan cara mengukur tegangan pada RC. Sedangkan input horisontal (X) dari osiloskop, digunakan untuk mengamati besarnya VCE. Gambar yang terbentuk pada layar osiloskop, sumbu horisontal ke kiri adalah tegangan positif sedangkan arah kanan adalah negatif.

BJT Transistor bipolar (BJT) adalah suatu jenis transistor, alat penguat atau pemilih yang dibuat dari semikonduktor yang dikotori. Transistor bipolar adalah gabungan dari bagian yang dikotori secara berbeda, bisa NPN atau PNP. N berarti negatif, dan P berarti positif.

PNP

NPN

Gambar 2.2.2 Lambang rangkaian BJT tipe PNP dan NPN.

-

Bias dalam Transistor BJT Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi

mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah. Dalam tahap disain maupun sintesis, pilihan parameter untuk level DC yang dibutuhkan akan mempengaruhi respon AC-nya. Demikian juga sebaliknya. Persamaan mendasar dalam transistor yang penting adalah :

Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas bisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Bias pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap. Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point) atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. Pada gambar di bawah ditunjukkan 4 buah titik kerja transistor. Rangkaian bias bisa di-disain untuk memperoleh titik kerja pada titik-titik tersebut, atau titik lainnya dalam daerah aktif. Rating maksimum ditentukan oleh Icmax dan VCE max. Daya maksimum dibatasi oleh kurva Pcmax. BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut, tapi bisa memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya. Untuk kondisi tanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya adalah titik A dimana arus dan tegangan bernilai nol.

Daerah aktif/daerah linear . beberapa syarat berikut harus dipenuhi: .Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) Fixed Bias Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.Junction base-collector dibias maju (forward bias) 3. Daerah saturasi .Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .3 Grafik Bias.Gambar 2. aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias yang diberikan pada masing-masing junction : 1. .Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) 2.Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias) .Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) Daerah kerja transistor (cut-off. Daerah cut-off . Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif).2.

Rangkaian di atas menggunakan transistor npn. masing-masing untuk input dan output.5 Bias Model npn. persamaan dan perhitungan adalah serupa. Rangkaian pengganti DC menjadi : Gambar 2.4 Bias Model. tapi dengan arah arus dan polaritas tegangan berlawanan.Gambar 2. Untuk tujuan analisis.2. rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan) dari input AC dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open circuit). supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi dua.2. Untuk analisis DC. . Untuk transistor pnp.

Loop collector-emitter Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi di bias mundur .2. Arus basis IB menjadi : Dan b.6 Loop basis-emiter Dengan hukum tegangan Kirchhoff : Perhatikan polaritas tegangan drop di RB.Bias maju basis-emitter a. Loop basis-emitter : Gambar 2.

Loop Base-Emitter b. Loop Collector .2.Emitter Saturasi : - Bias Pembagi Tegangan Gambar 2.2.- Bias Emitter stabil Gambar 2.8 Bias pembagi tegangan .7 Bias emiter stabil a.

9 Bias dengan umpan balik Persamaan tegangan untuk loop di sebelah kiri ( loop base-emitter) : Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan I’ C. dimana : Tapi nilai IB yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh persamaan yang lebih sederhana (asumsi I’C ≅ IC ≅ β IB dan IC ≅ IE): Sehingga : .2.- Bias dengan umpan balik Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik dari collector menuju base. Gambar 2.

10 Loop collector-emiter Dengan I’C ≅ IC dan IC ≅ IE maka - Perbedaan BJT dan JFET Perbedaan utama antara JFET dengan BJT adalah apabila pada JFET gerbang dibias mundur sedangkan pada BJT basis dibias maju. Berdasarkan pembawa muatan mayoritasnya. Hal ini berarti arus keluaran pada JFET dikendalikan oleh tegangan gerbang (VGS) sedangkan pada BJT arus keluaran dikendalikan oleh arus basis (IB). JFET dibagi menjadi 2 tipe yaitu tipe-n dan tipe p.a. Simbol .2. Loop collector-emitter Gambar 2. Perbandingan antara JFET tipe-n dan tipe-p ditampilkan dalam tabel berikut: Table 1.1 Perbandingan JFET tipe-n dan tipe-p No Keterangan Kanal n JFET Kanal p 1.

sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif (maka dinamakan p+). Kedua daerah semikonduktor p+ tersambung dan membentuk sambungan keluaran yang disebut sebagai gate (G) atau . Dalam FET. Mode Operasi Depletion - JFET FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole. arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan. Kurva Tracer 5. tergantung dari tipe FET). Rumus ID ( ) 4. Di samping balok saluran n dibentuk dua daerah semikonduktor p+. Kurva Karakteristik 3. Ada 2 jenis JFET. Kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber. Dalam JFET saluran n terdapat 1 bahan semikonduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. yaitu JFET saluran n dan JFET saluran p. untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Semikonduktor p+ adalah semikonduktor p dengan konsentrasi atom asing yang tinggi.2. JFET (Junction FET) terdapat isolasi oleh sambungan pn (junction). Dalam hal ini akan dibahas mengenai bangun JFET saluran n.

Besar arus yang mengalir dari drain ke source ditenyukan oleh resistivitas dari saluran n yang terdapat antara kedua daerah pengosongan di samping saluran. Terdapat hubungan sebagai berikut : | dimana VP : Voltase pinch off.2 Nilai Batas Suatu Transistor Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). kemudian arus manjadi hampir konstan dan hanya naik sedikit ketika VDS semakin besar. yaitu voltase gate – source dimana arus drain menjadi nol (kecuali adanya arus bocor yang kecil) | 2. Daerah saturasi dimulai pada voltase VDS yang lebih tinggi daripada voltase VCE pada transistor bipolar yang mana daerah aktif transistor tercapai. Resistivitas tersebut tergantung dari konsentrasi pembawa muatan n dan dari ukuran saluran (panjang. Ketika I VGS I semakin besar.gerbang. harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan . maka daerah pengosongan lebih jauh masuk ke dalam daerah semikonduktor n. Karena konsentrasi atom asing dalam semikonduktor p+ jauh lebih tinggi daripada yang terdapat dalam semikonduktor n. lebar dan tinggi saluran n). Antara semikonduktor p dan semikonduktor n terdapat daerah pengosongan dimana tidak ada pembawa muatan. Voltase dimana daerah saturasi mulai disebut sebagai threshold voltage VT. - Grafik Keluaran JFET Pada voltase drain-source yang kecil arus naik dengan cepat dengan kenaikan VDS sampai nilai arus tertentu. Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor.2. VT semakin kecil. Suhu maksimal sutu transistor Germanium adalah sekitar 75o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150o C. Threshold voltage ini merupakan voltase dimana pinch off mulai terjadi. Besar dari threshold voltage VT tergantung dari voltase VGS antara gate dan source. Daerah dalam grafik dimana ID konstan disebut daerah saturasi.

. Selain itu biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas. Berikut ini adalah arti huruf – huruf pengkodean pada komponen elektronika buatan Eropa : 1. C = transistor frekuensi rendah. A = dioda detektor. dioda kecepatan tinggi. transistor foto. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. T = piranti kemudi dan switching. Huruf pertama menyatakan bahan semikonduktir yang digunakan untuk membuat komponen tersebut. sedangkan kaki kolektor pada transistor PNP selalu pada kutub negatif. dsb. dioda pencampur. Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektron dan holes berpartisipasi dalam proses pembangkitan arus. daya rendah. Doping rendah ini mengurangi konduktiviti material dengan membatasi jumlah elektron bebas. Pada badan transistor juga tertera huruf dank kode – kode lain. S = transistor saklar. Q = generator radiasi seperti LED. N = kopling foto. Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikit dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1). R = piranti kemud dan saklar. F = transistor frekuensi radio.penyaluran panas. U = transistor saklar daya tinggi. seperti TRIAC. seperti TRIAC. G = macam ragam keperluan L = transistor daya frekuensi radio. Huruf kedua manyatakan fungsi penerapannya pada rangkaian elektronika. A = Germanium B = Silikon C = Arsenida Galium D = Antimonida Indium E = Sulfida Cadmium 2. P = detektor radiasi seperti dioda foto. B = dioda kapasitas variable. E = dioda terobosan. D = transistor daya frekuensi rendah. Kaki kolektor pada transistor NPN selalu berada pada kutub positif.

karena Jepang menggunakan kode lain lagi.2b). dan lain – lain. Karena daerah basis sangat tipis. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh baterai eksternal. sebagai efek dari pemasangan tegangan panjar CB V akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. Huruf – huruf atau angka – angka yang lain menyatakan nomor seri. kode yang biasa digunakan adalah 1N.3 Operasi Transistor Pada gambar 2. Untuk transistor – transistor buatan Amerika. Sambungan kolektor berpanjar mundur.2. dan sebagainya. dengan efek dari tegangan panjar eb V terjadi penurunan tegangan penghalang pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron (minoritas). Sambungan emitor berpanjar maju. hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang “disediakan” dengan pemasangan baterai luar. dioda efisiensi X = dioda zener. meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi).11 Pengoperasian transistor jenis NPN a).2. 2. pengatur (regulator). 3. yaitu 2SA. Y = penyearah. Berbeda dengan Jepang.11a diperlihatkan keping horizontal transistor jenis NPN. (a) (b) Gambar 2. kondisi panjar b). distribusi potensial .X = dioda pengganda. Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis.2. 2SB. Seperti akan kita lihat. transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang besar untuk mendapatkan penguatan tegangan. 2N. Pengoperasian transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi potensial pada sambungan (gambar 2.

3.98). pengoperasian di daerah aktif).4 Karakteristik DC Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran pembawa muatan melewati sambungan dan ke basis. hanya terdapat jarak yang pendek pada daerah basis (tipis) dan hanya terdapat jumlah lubang yang relatif rendah sehingga tidak banyak elektron yang tertangkap lubang dan hilang. Harga arus iE sangat tergantung pada tegangan VEB .99. Efisiensi emitor ( γ ) berharga mendekati satu sehingga arus hampir terdiri atas semua elektron yang terinjeksi dari emitor.2. kurang lebih 99 . kita menginjeksi arus yang diberikan oleh persamaan arus diode : ⁄ dimana VT = 25 mV pada temperatur ruang. Dengan proses pabrikasi transistor yang benar. Elektron yang “terinjeksi” dari emitor ke basis dapat mengalir melalui sambungan emitor-basis secara bebas karena beberapa sebab : 1. Jika kita memasang tegangan VEB pada sambungan emitor-basis.9% elektron yang terinjeksi berhasil mencapai sambungan basis-kolektor (factor α biasanya berharga sekitar 0. Tanda negatif hanya untuk memenuhi perjanjian konvensional. Sebagian besar elektron mencapai kolektor atau . 2. Komponen lain adalah aliran lubang dari basis yang juga difasilitasi oleh penurunan tegangan penghalang tersebut. Komponen terbesar dari arus emitor IE terdiri atas elektron yang mengalir melewati penurunan tegangan potensial (VO . Elektron tersebut tidak mengalami kesulitan akibat penurunan tegangan penghalang. tidak perlu terlalu dirisaukan. sehingga arus lubang relatif lebih rendah.2. Arus elektron α iE mendominasi besarnya arus kolektor. Komponen lain dari arus kolektor berupa arus drift melewati sambungan kolektor-basis dari pembawa muatan minoritas hasil generasi termal. tidak ada tegangan yang melawannya. Dengan sambungan emitor berpanjar maju dan sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut operasi normal.VEB) ke sambungan emitor-basis. Fuge factor ( η ) untuk transistor biasanya tidak diperlukan. Kedua jenis muatan mengalir melalui proses difusi. Daerah basis memiliki tingkat doping yang lebih rendah dibandingkan daerah emitor. ICBO adalah penulisan yang benar namun biasanya lebih sering ditulis sebagai IO . yaitu dengan proses rekombinasi.

Rangkaian transistor seperti pada gambar 2.2. dimana harganya akan sangat bervariasi dari satu transistor ke yang lain walaupun mempunyai seri dan tipe yang sama.2.12 Transistor dengan konfigurasi basis bersama Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar maju. dapat berharga serendah 20 dan dapat berharga setinggi 2000. maka karakteristik masukan rangkaian ini (gambar 2. Arus lain sebesar terlihat sebagai arus basis ⁄ yaitu disebut penguatan arus (current gain ). Konfigurasi Basis-Bersama (Common-Base Configuration).5 Karakteristik Keluaran a.2.12 disebut konfigurasi basis bersama karena i-v basis digunakan untuk terminal masukan maupun keluaran. 2.13-b) mirip dengan karakteristik diode (gambar . Karakteristik BJT dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari pemahaman kita tentang diode dan pengoperasian transistor. namun biasanya berharga sekitar 100-200. Gambar 2.2.dimana = 1.

iC ≈ iCBO (lihat gambar 2.13-c).2.2.13 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi basis-bersama a) karakteristik basis.2. arus kolektor meningkat sebesar iE ≈ +5 mA dan menampakkan bentuk kurva.13-a pada kuadran tiga. maka (a) (b) (c) Gambar 2. karenanya besarnya arus kolektor adalah atau . Untuk iE = 0.13-a). dan arus emitter iE = -iC + iB .2.kolektor pada dasarnya berpanjar mundur.2.2. Dengan VCB berharga positif dan emitor hubung terbuka.14 lebih sering digunakan sebagai penguat arus. Sesuai dengan namanya emitor dipakai bersama sebagai terminal masukan maupun keluaran. (VCB berharga negatif akan membuat sambungan kolektor basis berpanjar maju dan akan mengalir iC berharga negatif). b) karakteristik emitter. iE = 0 volt dan bagian basis . Karena faktor selalu lebih kecil dari satu ⁄ secara praktis konfigurasi basis -bersama tidak baik sebagai penguat arus. c) karakteristik kolektor b. Terlihat bahwa efek dari tegangan kolektor-basis VCB cukup kecil. Konfigurasi Emitor-Bersama (Common-Emitter Configuration) Konfigurasi emitor-bersama seperti diperlihatkan pada gambar 2. Arus input dalam konfigurasi ini adalah iB . karakteristik kolektor mirip dengan karakteristik diode gambar 2. Untuk iE = -5 mA.

2. b) karakteristik kolektor (b) Gambar 2.15 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi emitter bersama .2.14 transistor dalam konfigurasi emitter bersama Untuk menyederhanakan persamaan diatas kita telah mendifinisikan “nisbah transfer arus” sebagai dan kita dapat mencatat besarnya arus cutoff kolektor sebagai Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor) dalam bentuk arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah (a) a) karakteristik basis.Gambar 2.

2. akan diikuti kenaikan arus iC sebesar βiB .2. Pada daerah jenuh. dengan demikian FET dapat digunakan sebagai “saklar” dengan tegangan sebagai pengontrol.7 V akan memberikan iB yang cukup besar.2. tegangan yang terjadi mungkin akan lebih besar dibandingkan tegangan masukan. Untuk α = 0. yaitu hubungan eksponensial I-V pada sambungan emiter-basis.98 / 1 . Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik keluaran.0. Karakteristik masukan pada konfigurasi basis bersama adalah hubungan antara VBE dengan iE . atau FET dapat digunakan sebagai “penguat”. arus iC berharga relatif kecil dan hampir konstan pada harga ICEO . Sedikit kenaikan pada α akan menghasilkan perubahan yang lebih besar pada β. Pada gambar 2. arus D ( iD ) hampir tidak tergantung pada besarnya tegangan D-S ( VDS ).α = 0.8 Karakteristik Transfer Karakteristik i-v dari FET menunjukkan bahwa arus keluaran dapat dikontrol oleh tegangan masukan.2.Bentuk karakteristik emitor-bersama diperlihatkan pada gambar 2. sedangkan pada konfigurasi emitor-bersama adalah hubungan antara VBE dengan iB. besarnya arus masukan iB relatif kecil untuk tegangan kolektor-emitor lebih besar 1 V.98 = 49 jelas sedikit perubahan pada iB akan memberikan kenaikan yang sangat besar.7 Karakteristik Transfer-Arus Karakteristik transfer-arus berupa plot iC terhadap iB untuk suatu harga VCE tertentu.98. β = α /1.2.15.6 Karakteristik Masukan Karakteristik transistor lain yang perlu diketahui adalah karakteristik masukan. Untuk BJT silicon misalnya. maka biasanya digunakan analisa pendekatan. untuk iB = 0 . Setiap ada kenaikan arus iB . Jika arus keluaran dilewatkan pada suatu resitor. Kemiringan dari kurva yang diperoleh secara langsung akan memberikan harga dari hubungan : 2. dan efek dari VCE pada konfigurasi ini akan lebih nampak dibandingkan pada konfigurasi basis-bersama. untuk tegangan panjar maju sekitar 0. yaitu antara pinch-off atau turn-on dengan daerah breakdown. dan “karakteristik transfer” yang . Karena karakteristik piranti secara individu tidak dapat diketahui secara pasti.15-b. 2. dan harganya tergantung pada besarnya tegangan sambungan emitor-basis. 2.

Dalam berbagai hal konfigurasi ini mirip dengan konfigurasi emitorbersama pada BJT.2.2. Pada rangkaian dapat dipasang piranti JFET. Titik S terhubung dengan masukan dan keluaran. Untuk JFET. Karakteristik rangkaian pada dasarnya sama untuk ketiga piranti tersebut. Salah satu bentuk praktis rangkaian sumber bersama diperlihatkan pada gambar 2.9 Penguat Sumber-Bersama (Common-Source Amplifier) Konfigurasi sumber bersama (common-source) paling banyak digunakan pada penguat FET. arus D pada daerah arus-konstan adalah Gambar 2. Isyarat masukan dikenakan pada G-S dan isyarat keluaran diambil dari D-S.2.16. dapat diperlihatkan bahwa karakteristik transfer untuk ketiga jenis FET dapat didekati berbentuk parabolik. Pada prinsipnya rangkaian ini sama dengan rangkaian dasar penguat JFET yang telah kita bahas sebelumnya. .16 karakteristik transfer pada arus konstan untuk JFET ( dimana iDS = arus D pada daerah arus-konstan ) IDSS = nilai iDS dengan G terhubung langsung dengan S VP = tegangan pinch-off 2. D-MOSFET atau E-MOSFET. Dari analisis teori dan pengukuran praktis.menggambarkan hubungan antara arus keluaran dengan tegangan masukan diperlihatkan seperti pada gambar 2.17.2.

2. Impedansi masukan berharga sangat tinggi (berorde mega ohm).10 Penguat Gerbang-Bersama (Common-Gate Amplifier) Konfigurasi gerbang-bersama (common-gate) dalam berbagai hal mirip dengan konfigurasi basis-bersama pada BJT. .2. 2. Impedansi keluaran relatif cukup tinggi (beberapa kilo ohm) dan pada dasarnya tidak tergantung pada harga RL . Tegangan isyarat yang datang akan tergabung (superimpossed) dengan tegangan G.17 Penguat JFET sumber bersama (common-source) Isyarat yang akan diproses pada sumber bersama diumpankan pada GS. Variasi ini akan diikuti oleh arus drain ID . Ini menyebabkan tegangan G bervariasi mengikuti AC. DMOSFET atau E-MOSFET. Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian. Isyarat masukan dikenakan pada S-G dan isyarat keluaran diambil dari D-G. Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R2. Konfigurasi gerbang-bersama dapat digunakan sebagai penguat tegangan tetapi mempunyai penguatan arus lebih kecil dari satu. Penguatan tegangan adalah sebesar AV = VDS/VGS dengan harga sekitar 5 – 10.Gambar 2. Tegangan keluaran yang diambil dari S-D akan mengalami pembalikan 1800 . Konfigurasi ini dapat digunakan untuk piranti JFET.

Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R1 .11 Penguat Saluran-Bersama (Common-Drain Amplifier) Penguat saluran-bersama mempunyai isyarat masukan yang dikenakan pada G dan isyarat keluaran diambil dari S. Demikian halnya pada saat periode isyarat masukan negatif. Konfigurasi ini banyak dipakai untuk penguat isyarat frekuensi radio (RF). Isyarat masukan dikenakan pada R1 melalui C1 . akan terjadi kenaikan ID.2. Besarnya penguatan tegangan relatif lebih rendah dibandingkan penguat sumber bersama. Penguat gerbang-bersama mempunyai karakteristik yang agak spesifik.5. 2. Pada periode positif isyarat masukan akan membuat S semakin positif. Penguat ini juga disebut sebagai pengikutsaluran (drain follower) dan memiliki . Pada rangkaian ini digunakan penguat JFET.18 Penguat JFET sumber bersama (common-source) Salah satu bentuk praktis rangkaian gerbang-bersama diperlihatkan pada gambar 2.2.Gambar 2. yaitu berharga sekitar 2 .18. ini akan membuat ID semakin negatif. D terhubung baik dengan masukan maupun dengan keluaran. Penguat ini memiliki impedansi masukan yang sangat rendah (sekitar 200 – 1500 ) dan impedansi keluaran sedang (sekitar 5 – 15kΩ).2. Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian. Penurunan tegangan pada R2 akan mengalami kenaikan atau penurunan mengikuti masukan. Variasi yang terjadi pada isyarat masukan menyebabkaan perubahan pada tegangan S. Dengan kata lain isyarat masukan sefase dengan isyarat keluaran.

tegangan dan sebagainya. Demikian sebaliknya pada saat periode isyarat masukan negatif. arus.karakteristik mirip dengan rangkaian pengikut emitor pada transistor BJT. daya. Konfigurasi ini memiliki impedansi masukan yang sangat tinggi dengan memasang R1. maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan (amplifier) signal-signal. Penguat saluran-bersama banyak digunakan sebagai piranti penyesuai impedansi (impedance-matching). Titik operasi transistor ditentukan oleh R2. Dengan bertambahnya arus yang melewati R3 dan R2 . Kombinasi resistor R2 dan R3 membentuk hambatan beban dan akan menjadi impedansi keluaran.19 memperlihatkan bentuk praktis rangkaian saluran-bersama dengan menggunakan JFET saluran-n. Pada periode positif isyarat masukan. Namun . yaitu untuk menyambung rangkaian dengan beban impedansi tinggi dengan rangkaian dengan beban impedansi rendah.19 Penguat JFET saluran-bersama (common-drain). Titik operasi DC ditentukan oleh resistor R2 . akan membuat G negatif. Pada rangkaian ini.12 PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor.2. akan membuat saluran-n menjadi kurang konduktif. Gambar 2. 2. Saat isyarat masukan AC diumpankan ke G. maka S akan berubah/bergoyang positif. Gambar 2. maka akan terjadi perubahan tegangan G.2.2. resistor R3 telah digeser dari D ke S. Ini akan membuat saluran-n menjadi semakin konduktif.

Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC . Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2. dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0.20. Fisik relative jauh lebih kecil. Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2.20 dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya. c. dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor. . Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade . dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. seperti : a. Gambar 2. penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan.2.dikarenakan karakteristik listriknya. sehingga tegangan UCE = UCC. RL = 0. maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik. a. RL = UCC .2.20 dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger). Lebih ekonomis. Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube). b. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan.2.

Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse).21 Rangkaian Kaskade Transistor b. karena UZ tetap konstan sedangkan Ui = UCB + UZ.Gambar 2. Karena karakteristik listriknya. Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN. transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. daya (Amplifier). Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB. Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75oC.22. tegangan. Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2.2. Regulator Tegangan dengan Transistor Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban RL. Pada saat terjadi perubahan tegangan ini. maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama. Transistor mempunyai tiga buah elektroda. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. yaitu Emiter. . sedangkan silikon sekitar 15oC Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan.2.

Dari segi tegangan listriknya. dan secara umum merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya. karena hasil penguatan pada transistor yang pertama akan dikuatkan lebih lanjut oleh transistor kedua. Jenis rangkaian hasil penemuannya ini telah mendapatkan hak paten.maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat-Sink. voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar. dan E (Emitter). Sambungan seri seperti ini dipakai untuk mendapatkan penguatan (gain) yang tinggi. seperti nampak dalam rumus berikut: . dan banyak dipakai dalam pembuatan Sirkuit terpadu (IC atau Integrated Circuits) chip. Penguatan arus listrik atau gain dari rangkaian transistor Darlington ini sering dituliskan dengan notasi β atau hFE. Rangkaian Sziklai sering dikenal sebagai rangkaian 'Complementary Darlington' atau 'rangkaian kebalikan dari Darlington'. Penguatan total dari rangkaian ini merupakan hasil kali dari penguatan masing-masing transistor yang dipakai: Nilai penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali atau lebih. Jenis rangkaian yang mirip dengan transistor Darlington adalah rangkaian pasangan Sziklai yang terdiri dari sepasang transistor NPN dan PNP. Transistor Darlington bersifat seolah-olah sebagai satu transistor tunggal yang mempunyai penguatan arus yang tinggi. Dari luar transistor Darlington nampak seperti transistor biasa dengan 3 buah kutub: B (basis). Rangkaian transistor Darlington ditemukan pertama kali oleh Sidney Darlington yang bekerja di Laboratorium Bell di Amerika Serikat. Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. C (Kolektor). Keuntungan dari rangkaian Darlington adalah penggunaan ruang yang lebih kecil dari pada rangkaian dua buah transistor biasa dengan bentuk konfigurasi yang sama. Transistor Darlington Transistor Darlington adalah rangkaian elektronika yang terdiri dari sepasang transistor bipolar (dwi kutub) yang tersambung secara tandem (seri).

1 Testing kondisi BJT dan JFET  Untuk BJT periksalah kondisi transistor.2 Resistansi channel JFET FET No Seri Type AVO Meter Analog 2SK19 channel-N Digital Hambatan Drain Source Gate Source Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan . 2 buah variable Power supply e.4. dengan cara memeriksa dioda emiter dan dioda kolektor dari transistor.4 Cara Kerja 2.44 MB g.2 Tabel 2. disket 3½ “ 1. modul praktikum elektronika dasar. Kemudian periksa pula hubungan antara gate dengan source. d. mistar i. 2 buah multimeter analog maupun digital.1 Resistansi dioda BJT No BJT No Seri Type 1 BC547 NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter Basis Kolektor Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan Tabel 2.1. Datasheet transistor yang digunakan 2. kertas milimeter block f.2. c. Osiloskop dua channel.   isilah tabel 2. Untuk JFET periksalah hambatan antara drain dan source untuk gate pada keadaan terbuka. b. flash disk h.  Isilah tabel 2.3 Daftar Komponen dan Alat a.

dan VCE.3  Gambar 2.  Gunakan multimeter untuk mengukur IB (Tegangan dari RB).1 0. Aturlah tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE sesuai dengan tabel 2.3 0. Karakteristik BJT dan JFET 1.II.5 VRE IC IE β Keterangan .1.IV. IC (tegangan dari RC).3.1 Rangkaian karakteristik BJT Tabel 2.2 0. Catat pengamatan anda pada tabel 2.3 Hasil pengamatan karakteristik BJT No 1 2 3 4 5 IB VCE 0.Karakteristik BJT   Buat rangkaian seperti pada gambar 2.4 0.4.

Karakteristik BJT dan JFET dengan osiloskop 1.2 Rangkaian karakteristik JFET Tabel 2.4 Hasil Pengamatan karakteristik JFET No VGS VDS VR ID D IG Keterangan 1 2 3 1.3.4.4 Gambar 2. .2.3. Karakteristik JFET    Buat rangkaian seperti pada gambar 2. Karakteristik transistor  Buat rangkaian seperti pada gambar 2.5 2.5 4 5 2.4.2 Aturlah tegangan agar harga VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.4 catat besar ID pada tabel 2.

4.3.7 volt . dan 75 mA Gambar 2. Input horisontal (X/CH1) hubungkan dengan DS (drain JFET hubungkan dengan ground osiloskop) dan input Vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan RD (Drain sebagai ground ). 50.4.  Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif  Besarnya arus drain dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan vertikal dengan nilai tahanan RD. dan 0. Gunakan osiloskop dua channel .3 Rangkaian karakteristik BJT dengan osiloskop 2. Karakteristik JFET   Buat rangkaian seperti pada gambar 2. Gunakan osiloskop dua channel. Input horisontal (X/CH1) hubungkan dengan E (emitor transistor hubungkan dengan ground osiloskop) dan input vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan ground RC (kolektor sebagai ground)  Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif  Besarnya arus kolektor dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan vertikal dengan nilai tahanan RC  Gambar hasilnya pada kertas milimeter block. untuk harga IB 30. untuk harga VGS 0.  Gambar hasilnya pada kertas milimeter block. 0.

Isi tabel 2.4.1 Emiter stabilized bias  sebelum transistor dirangkai.4. dan VBE.4. dan VBE.Gambar 2. VCE. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.4 Konfigurasi BJT 2.6  .6 Setiap mulai mengukur. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). IC.4. VCE. ukurlah dahulu besarnya h fe transistor dengan multimeter digital.    Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB.4 Rangkaian karakteristik JFET dengan osiloskop 2. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB. IC.

Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB. Isi tabel 2. dan VBE. VCE.7  .4.7 Setiap mulai mengukur.Gambar 2.4. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).2 Voltage divider bias  sebelum transistor dirangkai. dan VBE. VCE.5 Konfigurasi Emiter stabilized bias Tabel 2. IC. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. ukurlah dahulu besarnya h fe transistor dengan multimeter digital.6 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emiter stabilized bias No 1 2 3 4 IB IC VCE VBE β Keterangan 2.4. IC.    Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB.

Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID.4.9 Setiap mulai mengukur.4. Isi tabel 2.  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID. VDS.5.7 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 2 3 4 IB IC VCE VBE β Keterangan 2. dan VGS.Gambar 2.6 Konfigurasi Voltage divider bias Tabel 2. dan VGS. IG. IG.9  .4.5 Konfigurasi JFET 2. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).1 Fixed bias   Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. VDS.

Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID.11 Setiap mulai mengukur. IG.4.7 Konfigurasi Fixed bias Tabel 2. IG.4. dan VGS.2 Voltage divider bias   Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. VDS. dan VGS.Gambar 2.  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).11  . Isi tabel 2. VDS.5.8 Hasil Pengamatan Konfigurasii Fixed bias No 1 2 3 4 ID IG VDS VGS Keterangan 2.

5 Lembar Kerja dan Data Hasil Percobaan Tabel 2.10 Resistansi Dioda BJT No BJT No Seri 1 BC547 Type NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital 500 0 500 0 √ AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter 550 0 Basis Kolektor 500 0 Keterangan keadaan Baik Buruk √ Ket .Gambar 2.8 Konfigurasi Voltage divider bias Tabel 2.9 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 2 3 4 ID IG VDS VGS Keterangan 2.4.

02 VB 10.13 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias No 1 ID 5.1078 VB 10. Tabel 2.02 VDS 7.84 VBE 9.12 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 IB 1.13 VC 10.78 VCE 9.1 Testing kondisi BJT dan JFET Sebuah transistor apabila dalam kondisi baik maka akan mempunyai suatu nilai hambatan dan apabila nilai hambatannya nol atau tidak bisa di hitung nilainya maka transistor dalam keadaan rusak.7 IG 6.81 VG 1.34 VCE 2.53 VGS 0.50 VC 2.2 β 0.6. berikut data yang diperoleh.05 IC 0. Dalam percobaan ini kita memeriksa transistor jenis NPN (BC547) dan jenis PNP (BC557).5 β 10.476 VD 7.52 VG 0.Tabel 2.159 Keterangan - Tabel 2.09 Keterangan Baik 2.098 VD 12.11 Hasil Pengukuran Konfigurasi emitter dan stabilized bias No 1 IB 0.14 Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias No 1 ID 2.33 IG 0.6 Analisa Pembahasan Hasil Percobaan 2.675 IC 0.18 VGS 1.02 Keterangan - Tabel 2.72 VDS 12.34 VBE 10.15 Hasil Pengukuran Resistansi dioda BJT No BJT No Seri 1 BC547 Type NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital 500 0 500 0 √ AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter 550 0 Basis Kolektor 500 0 Keterangan keadaan Baik Buruk √ Ket .978 keterangan Baik Tabel 2.

Meskipun dalam pengukuran pada hubungan gate dengan source pada bias balik tidak mendapat nilai akan tetapi tetap bisa disimpulkan bahwa JFET yang kita ukur dalam keadaan baik. Hal ini menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan baik. Antara basis dan emitor terdapat satu sambungan pn. Untuk BJT type PNP terlihat pada table ketika dikenakan arus maju pada BasisEmiter dan Basis-kolektor pada Avometer tidak menunjukkan hasil pengukuran (mati). Dalam pengukuran JFET kita menggunakan JFET saluran n. Dari table dapat dilihat pada pengujian transistor BJT type NPN terlihat pada saat Basis-Emiter dikenakan arus maju artinya pada Basis dikenakan kutub positif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub negatif sumber listrik pada Avometer terlihat adanya resistansi yang terukur.Memeriksa BJT kita lakukan dengan cara memeriksa hambatan dioda Emiter dan dioda kolektornya. Pada kedua jenis transistor diatas memiliki hambatan yang berarti jadi kedua jenis transistor dalam keadaan baik. Pada BasisKolektor. karena pada transistor type NPN arus hanya akan mengalir dari bagian P ke bagian N atau dengan kata lain dari kaki Basis ke kaki Emiter dan dari kaki Basis ke kaki Kolektor. Dalam pengukuran JFET kita memeriksa hambatan antara drain dan source untuk gate terbuka dan memeriksa hambatan antara gate dan source. sesuai dengan sifat . Hal ini menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan baik. sedangkan pada saat dikenakan arus mundur Avometer menunjukkan hasil pengukuran. Maka jelas. Dari data hasil percobaan kita mendapatkan nilai hambatan yang berarti. Dalam JFET saluran n terdapat satu bahan semi konduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. arus listrik tersebut tidak dapat mengalir. yaitu Kolektor dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Basis dikenakan kutub positif sumber listrik maka pada Avometer menunjukkan hasil. sedangkan jika dikenakan arus mundur pada Avometer tidak menunjukkan hasil. sedangkan pada saat dikenakan arus mundur. Biasanya dalam rangkaian transistor dipakai dambungan pn dalamkeadaan bias maju sehingga antara arus dan voltase basis-emitor terdapat hubungan seperti pada diode.sifat pada sambungan ini sama dengan sifat diode. ketika dikenakan arus maju. yaitu pada Basis dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub positif sumber listrik maka pada Avometer tidak menunjukkan hasil. Ini menandakan pada saat dikenakan arus mundur pada Basis-Emiter. kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber.

VCE / RC =4. IB = VCC – VBE / RB = 12 . pada Transistor PNP arus akan mengalir dari Emiter ke Basis dan dari Kolektor ke Basis. sedangkan pada Gate Source Avometer hanya akan menunjukkan hasil ketika dikenakan voltase maju karena pada Gate merupakan daerah semikonduktor P  sehingga aliran listik hanya dapat mengalir satu arah saja.91 . Semikonduktor P  adalah semikonduktor P dengan konsentrasi atom asing yang tinggi.semikonduktor yang hanya akan mengalirkan arus dari P ke N atau dengan kata lain. IC (Tegangan dari RC). Pada transistor JFET.55x10-4 A = 2. yang berupa aliran elektron. Dalam percobaan karakteristik BJT kita memerlukan nilai IB.02 V / 4700  = 8.2 Karakteristik BJT Pada awalnya kita menyusun rangkaian seperti pada gambar. maka persamaannya dapat diperoleh dari persamaan berikut : IB = VCC . 2.1x10-5 A =20.VCE / RC Misalnya pada saat kondisi VB= 0. IE dan β.1x10-5 A β = IC / IB IE = IC β = IC / IB IE = IC = 2.3x10-4 A / 1. ketika dikenakan voltase maju atau voltase mundur pada Drain Source Avometer menunjukkan hasil pengukuran. karena pada Drain Source merupakan satu saluran yaitu saluran N sehingga walaupun dikenakan voltase maju ataupun mundur maka akan terdapat aliran listrik.51 V / 106  = 1. IC. dan VCE. kemudian mengukur IB (Tegangan dari RB). Hal tersebut menunjukkan bahwa transistor JFET tersebut dalam keadaan baik. yaitu dari Gate ke Source dan tidak sebaliknya. Mengatur tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE. sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif.0.6 V . Maka didapatkanlah data seperti pada tabel . Sedangkan pada Gate Source hanya pada saat dikenakan voltase maju saja memberikan hasil pada Avometer.VBE / RB IC = VCC .6.3x10-4 IC = VCC .

24 IE 2.7x10-4 VC 0.6 V / 106  = 6x10-7 A Misalnya pada saat kondisi VDS = 1 V.6 0. dengan RG = 106  IG = VG / RG = 0.3x10-4 3.61 VCE 10.8 0.3x10-4 2. langkah-langkahnya hampir sama dengan dengan percobaan menentukan karakteristik BJT.6x10-4 3x10-4 3.5 30.83 Ket - 2.2x10-5 1.9 1 VBE 0.1x10-5 1.51 0.3 Karakteristik JFET Pada percobaan menentukan karakteristik JFET.25.6 10. Dan untuk menentukan besar IG dan ID dapat mempergunakan rumus berikut : IG = VG / RG dan IDS = VDS / RD Misalnya pada saat kondisi VG = 0.53 0. Nilai VRD yang di dapatkan dapat dilihat pada tabel.3x10-4 3. Pertama dibuat rangkaian seperti pada gambar 2.93 1.7 0.6 V.76 10.55 IC 2.31x10-3 A Sehingga diperoleh hasil sebagai berikut: .7x10-4 Β 20.05 V / 4700  = 2.67 25 27.55 0.3x10-4 2. dengan RD = 4700  ID = VDS / RD = 1.26 1.91 21.6x10-4 3x10-4 3.6.1 1.41 1.20 Hasil Pengamatan Karakteristik BJT No 1 2 3 4 5 IB 1.44 10.2x10-5 VB 0.2x10-5 1.23.2x10-5 1.55 0.91 10. Kemudian tinggal mencatat besar IG dan ID. Kemudian mengatur tegangan VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.Tabel 2.

9 1 VDS 1.1 Konfigurasi Emitter Stabilized Bias Tabel 2.6.85 10.31x10-3 2.54 ID 2.05 VRD 10.4 Konfigurasi BJT 2.31x10-3 2.78 VCE 9.87 10.31x10-3 2.05 1.1 Emitter Stabilized Bias Gambar 2.6 0.84 VBE 9.1078 VB 10.53 0.87 10.06 1.31x10-3 IG 6x10-7 7x10-7 8x10-7 9x10-7 1x10-6 Keterangan - 2. dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : .4.13 VC 10.52 0.8 0.7 0.52 0.06 1.Tabel 2.6.22 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emitter Stabilized Bias No 1 IB 0.6.21 Karakteristik JFET No 1 2 3 4 5 VG 0.85 10.31x10-3 2.2 β 0.159 keterangan - Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas.07 1.88 VGS 0.675 IC 0.51 0.

0216 A / 6.23 .0216 A = 6. Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : β = IC / I B Untuk IC = 0.   IC IB = 0.84 V dimana: RB = 15 KΩ dan RC = 100 Ω IB = 10. VB = 10.0216 A IB = 6.IB = VB / RB dan IC = VCC .13V 15k IC = 12V  9.7x10-4 A Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam tabel.VCE / RC Untuk VCC = 12 V.7x10-4 A maka.7x10-4 A = 32.84V 100 = 0.13 V dan VCE = 9.

2 Voltage Divider Bias Gambar 2.34 VCE 2.6.4.6.05 IC 0.338 VBE 10.5 V.02 VB 10.338 V dimana: RB = 10 K  dan RC = 100  maka: IB = 10.5 VC 2.Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.238V 100 = 0. 2.23 Hasil Pengamatan Voltage Divider Bias No 1 IB 1.05x10-3 A .2 Konfigurasi Voltage Divider Bias Tabel 2.5V 10K IC = 12V  2.022 keterangan - Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas.5 β 10. dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : IB = VB / RB dan IC = VCC .VCE / RC Untuk VB = 10.097 A = 1. VCC = 12 V dan VCE = 2.

Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : β = IC / I B Untuk IC = 0.5 Konfigurasi JFET 2.1 Fixed Bias Gambar 2.6.02 VDS 7.38 Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.6.097 A / 1. 2.53 VGS 0.24 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias No 1 ID 5.05x10-3 A maka.33 IG 0.Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam tabel.6.978 keterangan Baik .5.05x10-3 A = 92.476 VD 7.3 Konfigurasi Fixed bias Tabel 2.   IC IB = 0.097 A IB = 1.52 VG 0.

6.53 x 10-3 A = 4.53 V dan VG = 0.76 x 10-7 A Nilai IG bernilai 0 hal ini disebabkan karena pada saat proses perhitungan V G didapatkan hasil yang bernilai 0 .2 Voltage Divider Bias Gambar 2.Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : ID = VD / RD dan IG = VG / RG Untuk VD = 7.4 Konfigurasi Voltage divider bias .5.6.53V 1K IG = 0. 2.476 V dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 1 MΩ .476V 1M = 7. Ini disebabkan oleh karena ID dan IG selalu berbanding lurus dengan VD dan VG. maka maka: ID = 7.

buatlah grafik. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja BJT dan FET! 5. Apa ciri ketiga daerah operasi dari JFET? .81 VG 1.VP. pada tiap konfigurasi! 4. VBE terhadap IB c.09 keterangan Baik Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : ID = VD / RD dan IG = VG / RG Untuk VD = 12.IGSS? 10.098x10-4 A 2. dan saturasi? 2. mana yang paling stabil (pergeseran titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan! 8.18 V dan VG = 1. a.18V 1K IG = 1.7 IG 672 VDS 12.098V 10 K = 12.18 VGS 1.098 VD 12. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias? 9.maka maka: ID = 12.Tabel 2. Tentukan titik Q pada BJT dan FET. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter. Apa yang dimaksud dengan IDSS.7 Pertanyaan dan Tugas 1. Sebutkan kegunaan dari BJT dan JFET serta aplikasinya? 6. aktif. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off. 3.18 x10-3 A = 1. aktif dan saturasi. jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan! 7.098V dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 10 KΩ . Dari keempat jenis bias pada BJT. IC terhadap VCE b.25 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias No 1 ID 2. hFE terhadap IC.

Terangkan perbedaan antara BJT dan JFET menurut hasil percobaan (minimal 5 perbedaan)! 12. Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON. - Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif.11. maka dapat diperoleh hubungan : VCE = VCC . Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region). mungkinkah disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya! 13. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri kesimpulannya 14. Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (rangkaian CE). sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini.1 Jawaban : 1.7. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan kesimpulan umumnya pada akhir percobaan. 2. dimana arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE.ICRC . daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori. Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan.

Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor.7 volt (transistor silikon).91 230 12 10.76 260 12 10. Grafik VCE terhadap IC IB (µA) VCE (V) IC (µA) 11 10. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax. maka transistor dapat rusak atau terbakar. yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron. a. - Daerah Saturasi Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.44 330 12 10. 2.24 370 .IC Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya.Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : PD = VCE. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PDmax.6 300 12 10.

44 330 24.4 12 10. Grafik hFE terhadap IC. Grafik VBE terhadap IB IB (µA) VCE (V) 11 0.53 12 0.9 h fe (dB) .55 c.9 12 10.55 12 0.51 12 0.b.5 12 10.91 230 26 12 10.24 370 23.55 12 0. IB (µA) VCE (V) IC (µA) 11 10.76 260 25.6 300 24.

Kegunaan dari BJT diantaranya berfungsi sebagai saklar.3 a. Dalam elektronika digital biasanya hanya terdapat dua keadaan. lebar daerah pengosongan akan bertambah. 5. Bias Tetap : Titik Q point terjadi saat Ic saturasi mencapai maximum dan berpotongan dengan Vce saturasi. yaitu voltase ada dan voltase nol atau dengan kata lain hanya terdapat keadaan on dan off. Ketika sambungan pn tersebut dibias balik. Satu contoh di mana transistor dipakai sebagai saklar adalah dalam rangkaian elektronika digital. Dalam pengoperasian JFET saluran n. sehingga electron akan masuk ke dalam saluran dari source dan keluar dari drain. drain disambungkan positif terhadap source. 4. Gate disambungkan dengan voltase negatif terhadap source sehingga saluran pn antara gate dan saluran n dibias balik. . Lebarnya akan tergantung dari voltase antara daerah semikonduktor p+ dan daerah semikonduktor n. Bias Pembagi Tegangan : Titik Q point terjadi pada pertemuan garis dari k dan Vge. Bias Emiter Terstabilkan : Titik Q point terjadi pada perpotongan garis Ibo dan garis yang menghubungkan Vcc dan Vcc / Rc+Re c. semakin lebar daerah pengosongan. b. Semakin besar voltase.

8. . Titik cut-off menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang mungkin dalam rangkaian. Beta adalah salah satu dari parameter transistor. Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200. Rangkaian yang dapat menguatkan sinyal ac dinamakan dengan penguat dc. maka titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban. Berada pada daerah aktif VBE = 0. VCE maksimum yang mungkin sekitar 15 V. parameter transistor. Karena di sana lebih dari cukup arus basis untuk menjenuhkan transistor. Membangun sebuah penguat tergandeng langsung dengan mangambil kapasitor penggandeng dan bypass kapasitor serta manghubungkan keluaran tiap tingkatan langsung pada input dari tingkatan berikutnya. IDSS adalah arus batas atas untuk memutuskan atau mencegah kenaikan arus kanal penghubung yang sempit. 9. VP adalah tegangan Pinchoff dimana tegangan minimum pada daerah aktif JFET. Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan beban tipe-n dan pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p. Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias pembagi tegangan. Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan basis yang menghasilkan gain arusnya 10. Reverse Bias adalah hubungan yang terjadi saat pusat negative baterai dihubungkan pada sisi-dan pusat positif baterai dihubungkan dengan sisi-n. seperti tegengan ac. dengan cara ini tegangan dc digandeng. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor kecil.6 – 0. pergeseran rendah tempat tegangan keluaran dc akhir dihasilkan dengan perubahan kecil pada tegangan catu. bagian dari base transistor. yaitu tengangan catu kolektor. Kita dapat mengenalinya dengan adanya pembagi tegangan pada rangkaian basis. 6. Keuntungan utama dari penggandengan langsung adalah drift yaitu. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter disebut dengan bias pembagi teganyan. 7. dan variasi suhu. tapi bisa juga sampai 800. Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier ( IC = B * IB).7 V .Kegunaan dari JFET salah satunya adalah penguat pemotong.

10. basis dan emitter sedangkan JFET memiliki Drain. Karena kurangnya perawatan atau mungkin umur alat yang sudah lama. Daerah breakdown ciri-cirinya adalah tegangan JFET telah mencapai VDS max.IGSS adalah arus yang menunjukkan drai arus ke sumber dengan gate yang dihubungsingkatkan. . IC. Kerusakan transistor bisa saja terjadi karena transistor telah melewati daerah breakdown.Karakteristik BJT dan JFET * Penambahan VCE secara konstan tidak menyebabkan perubahan IC atau perubahan IC sangat kecil (tidak signifikan) * * Besar β ditentukan oleh besar IC dan IB Besar arus colektor dan emiter adalah sama Nilai IB. 12. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan didalam pembacaaan skala pada alat ukur multimeter. BJT memiliki kolektor. BJT dibentuk berdasarkan dua tipe muatan sedangkan JFET satu tipe muatan. 11. Daerah Aktif ciri-cirinya adalah persamaan garisnya telah melewati tegangan pinchoff dan sampai pada batas VDS max.Konfigurasi BJT * . Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan teori yang ada. IG. Daerah ohmic cirri-cirinya adalah bagian yang hamper vertical pada kurva drain di bawah pichoff.Kondisi BJT dan JFET * BJT dan JFET dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau hambatan diodenya dapat dihitung. Ini adalah arus drain maksimum yang dapat dihasilkan sebuah JFET. . VBE. dan VGS tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu tetapi VDS mengalami perubahan nilai (tidak signifikan) . 14.Konfigurasi JFET * Nilai ID. 13. gate dan source. Tidak sesuainya hasil percobaan dengan teori bisa saja disebabkan oleh rusaknya transistor. dan β tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu tetapi VCE mengalami perubahan nilai (tidak signifikan) .

electronics-tutorials. gate dan source.ws/transistor/tran_1.3. dan voltage divider bias. 2004 http://www. cut-off.Dasar Elektronika.ub.P.ac.html .com/doc/33212205/Bjt-Dan-Jfet http://id. BJT dan JFET memiliki daerah Aktif.ub. 2.. Emiter stabilized bias. Dipl.Phys. BJT memiliki kaki-kaki yang dinamai kolektor.php?page=4 http://elka.scribd.id/praktikum/de/de. Sedangkan JFET juga memiliki beberapa jenis bias diantaranya fixed bias. self bias.Prinsip-Prinsip Elektronika. A. saturasi dan breakdown. basis dan emitter sedangkan JFET memiliki kaki-kaki yang disebut drain.ac.9 Daftar Referensi Buku - Malvino. buku satu.6 Kesimpulan Dari hasil percobaan yang telah dilakukan dapat ditarik kesimpulan bahwa BJT memiliki beberapa jenis bias diantaranya adalah fixed bias..wikipedia.id/praktikum/de/de.php?page=3 http://www.voltage divider bias dan voltage feedback bias. Penerbit Andi.org/wiki/Transistor_efek%E2%80%93medan http://elka. 2003 Blocher Richard. Penerbit Salemba Teknika.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful