BAB I PERCOBAAN II BJT DAN JFET

2.1

Tujuan Percobaan 1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP) dan JFET (channel P atau channel N). 2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT dan JFET.

2.2

Tinjauan Pustaka Transistor adalah piranti elektronik yang menggantikan fungsi tabung

elektrontrioda, dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda , yaitu Emitter, Collector dan Base. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier), namun dikarenakan sifatnya, transistor ini dapat digunakan dalam keperluan lain misalnya sebagai suatu saklar elektronis. Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor tipe P dan N. Transistor berasal dari kata transfer resistor yang dikembangkan oleh Berdeen, Schokley, dan Brittam pada tahun 1948 di perusahaan elektronok Bell Telephone Laboratories. Penamaan tersebut berdasarkan prinsip kerjanya, yaitu mentransfer ataumemindahkan arus. Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan

(oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk mengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.

Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. Dalam dunia elektronika, transistor disimbolkan sebagai berikut :

(a)

(b)

Gambar 2.2.1 Transistor BJT (a) tipe pnp (b) tipe npn

Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya, kecuali hanya pada cara pemberian biasnya saja. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan, namun pada dasarnya karena transistor ini tidak tahan terhadap temperatur, maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan logam sebagai peredam panas bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink). 2.2.1 Pengujian Transistor Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda, maka anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. Salah pemasangan pada rangkaian

b. c.

Penangan yang tidak tepat saat pemasangan Pengujian yang tidak professional

Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tiga jenis, yaitu : a. b. c. Pemutusan Hubung singkat Kebocoran

Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda tersebut, tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. Menguji Karakteristik statis BJT dan JFET akan digambarkan dengan dua cara: a. Dengan Multimeter. Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan mengukur besar arus 1. 2. 3. b. karakteristik Ic terhadap Vce dengan mengukur masing-masing besaran karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE karakteristik hfe terhadap IC

Dengan Osiloskop Pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE berbagai

nilai IB Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk mengamati besarnya IC yaitu dengan cara mengukur tegangan pada RC. Sedangkan input horisontal (X) dari osiloskop, digunakan untuk mengamati besarnya VCE. Gambar yang terbentuk pada layar osiloskop, sumbu horisontal ke kiri adalah tegangan positif sedangkan arah kanan adalah negatif.

BJT Transistor bipolar (BJT) adalah suatu jenis transistor, alat penguat atau pemilih yang dibuat dari semikonduktor yang dikotori. Transistor bipolar adalah gabungan dari bagian yang dikotori secara berbeda, bisa NPN atau PNP. N berarti negatif, dan P berarti positif.

PNP

NPN

Gambar 2.2.2 Lambang rangkaian BJT tipe PNP dan NPN.

-

Bias dalam Transistor BJT Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi

mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah. Dalam tahap disain maupun sintesis, pilihan parameter untuk level DC yang dibutuhkan akan mempengaruhi respon AC-nya. Demikian juga sebaliknya. Persamaan mendasar dalam transistor yang penting adalah :

Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas bisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Bias pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap. Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point) atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. Pada gambar di bawah ditunjukkan 4 buah titik kerja transistor. Rangkaian bias bisa di-disain untuk memperoleh titik kerja pada titik-titik tersebut, atau titik lainnya dalam daerah aktif. Rating maksimum ditentukan oleh Icmax dan VCE max. Daya maksimum dibatasi oleh kurva Pcmax. BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut, tapi bisa memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya. Untuk kondisi tanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya adalah titik A dimana arus dan tegangan bernilai nol.

Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) 2. . Daerah cut-off . aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias yang diberikan pada masing-masing junction : 1.Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) Fixed Bias Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.Junction base-collector dibias mundur (reverse bias) Daerah kerja transistor (cut-off.2.Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias) . Daerah saturasi . Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif).Gambar 2. Daerah aktif/daerah linear .Junction base-collector dibias maju (forward bias) 3.Junction base-emitter dibias maju (forward bias) . beberapa syarat berikut harus dipenuhi: .3 Grafik Bias.Junction base-emitter dibias maju (forward bias) .

2. supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi dua. persamaan dan perhitungan adalah serupa. rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan) dari input AC dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open circuit). . tapi dengan arah arus dan polaritas tegangan berlawanan. Untuk transistor pnp. Rangkaian pengganti DC menjadi : Gambar 2. masing-masing untuk input dan output.4 Bias Model. Untuk analisis DC.5 Bias Model npn.2. Rangkaian di atas menggunakan transistor npn. Untuk tujuan analisis.Gambar 2.

Loop basis-emitter : Gambar 2. Loop collector-emitter Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi di bias mundur . Arus basis IB menjadi : Dan b.Bias maju basis-emitter a.2.6 Loop basis-emiter Dengan hukum tegangan Kirchhoff : Perhatikan polaritas tegangan drop di RB.

Loop Base-Emitter b.2. Loop Collector .Emitter Saturasi : - Bias Pembagi Tegangan Gambar 2.2.8 Bias pembagi tegangan .- Bias Emitter stabil Gambar 2.7 Bias emiter stabil a.

dimana : Tapi nilai IB yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh persamaan yang lebih sederhana (asumsi I’C ≅ IC ≅ β IB dan IC ≅ IE): Sehingga : .2. Gambar 2.- Bias dengan umpan balik Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik dari collector menuju base.9 Bias dengan umpan balik Persamaan tegangan untuk loop di sebelah kiri ( loop base-emitter) : Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan I’ C.

Perbandingan antara JFET tipe-n dan tipe-p ditampilkan dalam tabel berikut: Table 1.1 Perbandingan JFET tipe-n dan tipe-p No Keterangan Kanal n JFET Kanal p 1. Berdasarkan pembawa muatan mayoritasnya. Loop collector-emitter Gambar 2.2.a.10 Loop collector-emiter Dengan I’C ≅ IC dan IC ≅ IE maka - Perbedaan BJT dan JFET Perbedaan utama antara JFET dengan BJT adalah apabila pada JFET gerbang dibias mundur sedangkan pada BJT basis dibias maju. JFET dibagi menjadi 2 tipe yaitu tipe-n dan tipe p. Hal ini berarti arus keluaran pada JFET dikendalikan oleh tegangan gerbang (VGS) sedangkan pada BJT arus keluaran dikendalikan oleh arus basis (IB). Simbol .

Dalam JFET saluran n terdapat 1 bahan semikonduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. Kurva Karakteristik 3. Dalam FET. Kurva Tracer 5. Dalam hal ini akan dibahas mengenai bangun JFET saluran n. JFET (Junction FET) terdapat isolasi oleh sambungan pn (junction).2. sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif (maka dinamakan p+). yaitu JFET saluran n dan JFET saluran p. Rumus ID ( ) 4. Mode Operasi Depletion - JFET FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole. tergantung dari tipe FET). untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan. Di samping balok saluran n dibentuk dua daerah semikonduktor p+. arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Ada 2 jenis JFET. Semikonduktor p+ adalah semikonduktor p dengan konsentrasi atom asing yang tinggi. Kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber. Kedua daerah semikonduktor p+ tersambung dan membentuk sambungan keluaran yang disebut sebagai gate (G) atau .

yaitu voltase gate – source dimana arus drain menjadi nol (kecuali adanya arus bocor yang kecil) | 2. Suhu maksimal sutu transistor Germanium adalah sekitar 75o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150o C. Daerah dalam grafik dimana ID konstan disebut daerah saturasi. Terdapat hubungan sebagai berikut : | dimana VP : Voltase pinch off. maka daerah pengosongan lebih jauh masuk ke dalam daerah semikonduktor n. Besar dari threshold voltage VT tergantung dari voltase VGS antara gate dan source. Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor. Besar arus yang mengalir dari drain ke source ditenyukan oleh resistivitas dari saluran n yang terdapat antara kedua daerah pengosongan di samping saluran. kemudian arus manjadi hampir konstan dan hanya naik sedikit ketika VDS semakin besar. VT semakin kecil.2.2 Nilai Batas Suatu Transistor Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Antara semikonduktor p dan semikonduktor n terdapat daerah pengosongan dimana tidak ada pembawa muatan. - Grafik Keluaran JFET Pada voltase drain-source yang kecil arus naik dengan cepat dengan kenaikan VDS sampai nilai arus tertentu. harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan . Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). Threshold voltage ini merupakan voltase dimana pinch off mulai terjadi.gerbang. Ketika I VGS I semakin besar. lebar dan tinggi saluran n). Daerah saturasi dimulai pada voltase VDS yang lebih tinggi daripada voltase VCE pada transistor bipolar yang mana daerah aktif transistor tercapai. Resistivitas tersebut tergantung dari konsentrasi pembawa muatan n dan dari ukuran saluran (panjang. Karena konsentrasi atom asing dalam semikonduktor p+ jauh lebih tinggi daripada yang terdapat dalam semikonduktor n. Voltase dimana daerah saturasi mulai disebut sebagai threshold voltage VT.

A = Germanium B = Silikon C = Arsenida Galium D = Antimonida Indium E = Sulfida Cadmium 2. S = transistor saklar. A = dioda detektor. dioda kecepatan tinggi.penyaluran panas. Pada badan transistor juga tertera huruf dank kode – kode lain. Huruf pertama menyatakan bahan semikonduktir yang digunakan untuk membuat komponen tersebut. G = macam ragam keperluan L = transistor daya frekuensi radio. E = dioda terobosan. seperti TRIAC. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. N = kopling foto. F = transistor frekuensi radio. C = transistor frekuensi rendah. P = detektor radiasi seperti dioda foto. Selain itu biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas. Q = generator radiasi seperti LED. R = piranti kemud dan saklar. daya rendah. Doping rendah ini mengurangi konduktiviti material dengan membatasi jumlah elektron bebas. dsb. Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektron dan holes berpartisipasi dalam proses pembangkitan arus. U = transistor saklar daya tinggi. . B = dioda kapasitas variable. sedangkan kaki kolektor pada transistor PNP selalu pada kutub negatif. seperti TRIAC. T = piranti kemudi dan switching. Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikit dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1). D = transistor daya frekuensi rendah. Huruf kedua manyatakan fungsi penerapannya pada rangkaian elektronika. Kaki kolektor pada transistor NPN selalu berada pada kutub positif. Berikut ini adalah arti huruf – huruf pengkodean pada komponen elektronika buatan Eropa : 1. transistor foto. dioda pencampur.

dan lain – lain. dan sebagainya. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh baterai eksternal. sebagai efek dari pemasangan tegangan panjar CB V akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. dioda efisiensi X = dioda zener. Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. 2N. 3. Karena daerah basis sangat tipis. pengatur (regulator). karena Jepang menggunakan kode lain lagi.X = dioda pengganda. kondisi panjar b). dengan efek dari tegangan panjar eb V terjadi penurunan tegangan penghalang pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron (minoritas).11 Pengoperasian transistor jenis NPN a). Seperti akan kita lihat. kode yang biasa digunakan adalah 1N.2. yaitu 2SA. Berbeda dengan Jepang.2.2. Untuk transistor – transistor buatan Amerika. meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi). distribusi potensial .11a diperlihatkan keping horizontal transistor jenis NPN. Sambungan emitor berpanjar maju. Huruf – huruf atau angka – angka yang lain menyatakan nomor seri. (a) (b) Gambar 2. Pengoperasian transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi potensial pada sambungan (gambar 2. hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang “disediakan” dengan pemasangan baterai luar. 2SB.3 Operasi Transistor Pada gambar 2. Sambungan kolektor berpanjar mundur. Y = penyearah. transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang besar untuk mendapatkan penguatan tegangan. 2.2b).

Komponen terbesar dari arus emitor IE terdiri atas elektron yang mengalir melewati penurunan tegangan potensial (VO . Tanda negatif hanya untuk memenuhi perjanjian konvensional. hanya terdapat jarak yang pendek pada daerah basis (tipis) dan hanya terdapat jumlah lubang yang relatif rendah sehingga tidak banyak elektron yang tertangkap lubang dan hilang. Kedua jenis muatan mengalir melalui proses difusi. Komponen lain adalah aliran lubang dari basis yang juga difasilitasi oleh penurunan tegangan penghalang tersebut. Jika kita memasang tegangan VEB pada sambungan emitor-basis. kita menginjeksi arus yang diberikan oleh persamaan arus diode : ⁄ dimana VT = 25 mV pada temperatur ruang. ICBO adalah penulisan yang benar namun biasanya lebih sering ditulis sebagai IO . Sebagian besar elektron mencapai kolektor atau .4 Karakteristik DC Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran pembawa muatan melewati sambungan dan ke basis. Harga arus iE sangat tergantung pada tegangan VEB . 2. Arus elektron α iE mendominasi besarnya arus kolektor. tidak ada tegangan yang melawannya. tidak perlu terlalu dirisaukan. 3. sehingga arus lubang relatif lebih rendah. Daerah basis memiliki tingkat doping yang lebih rendah dibandingkan daerah emitor. Elektron tersebut tidak mengalami kesulitan akibat penurunan tegangan penghalang. yaitu dengan proses rekombinasi. pengoperasian di daerah aktif). Komponen lain dari arus kolektor berupa arus drift melewati sambungan kolektor-basis dari pembawa muatan minoritas hasil generasi termal. Efisiensi emitor ( γ ) berharga mendekati satu sehingga arus hampir terdiri atas semua elektron yang terinjeksi dari emitor.99.2.9% elektron yang terinjeksi berhasil mencapai sambungan basis-kolektor (factor α biasanya berharga sekitar 0. Dengan proses pabrikasi transistor yang benar. Fuge factor ( η ) untuk transistor biasanya tidak diperlukan. Elektron yang “terinjeksi” dari emitor ke basis dapat mengalir melalui sambungan emitor-basis secara bebas karena beberapa sebab : 1. Dengan sambungan emitor berpanjar maju dan sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut operasi normal.98). kurang lebih 99 .2.VEB) ke sambungan emitor-basis.

2.2. Karakteristik BJT dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari pemahaman kita tentang diode dan pengoperasian transistor. 2. Konfigurasi Basis-Bersama (Common-Base Configuration).2.12 disebut konfigurasi basis bersama karena i-v basis digunakan untuk terminal masukan maupun keluaran.dimana = 1. namun biasanya berharga sekitar 100-200.12 Transistor dengan konfigurasi basis bersama Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar maju.13-b) mirip dengan karakteristik diode (gambar . maka karakteristik masukan rangkaian ini (gambar 2. Rangkaian transistor seperti pada gambar 2. Arus lain sebesar terlihat sebagai arus basis ⁄ yaitu disebut penguatan arus (current gain ).2. Gambar 2. dimana harganya akan sangat bervariasi dari satu transistor ke yang lain walaupun mempunyai seri dan tipe yang sama.5 Karakteristik Keluaran a. dapat berharga serendah 20 dan dapat berharga setinggi 2000.

dan arus emitter iE = -iC + iB . Untuk iE = -5 mA.2. arus kolektor meningkat sebesar iE ≈ +5 mA dan menampakkan bentuk kurva. c) karakteristik kolektor b. Dengan VCB berharga positif dan emitor hubung terbuka.13-c).2.13 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi basis-bersama a) karakteristik basis. Sesuai dengan namanya emitor dipakai bersama sebagai terminal masukan maupun keluaran. Karena faktor selalu lebih kecil dari satu ⁄ secara praktis konfigurasi basis -bersama tidak baik sebagai penguat arus. (VCB berharga negatif akan membuat sambungan kolektor basis berpanjar maju dan akan mengalir iC berharga negatif).13-a). maka (a) (b) (c) Gambar 2. b) karakteristik emitter. iC ≈ iCBO (lihat gambar 2. karenanya besarnya arus kolektor adalah atau .2. Arus input dalam konfigurasi ini adalah iB .2.13-a pada kuadran tiga.2. Konfigurasi Emitor-Bersama (Common-Emitter Configuration) Konfigurasi emitor-bersama seperti diperlihatkan pada gambar 2. karakteristik kolektor mirip dengan karakteristik diode gambar 2.2. iE = 0 volt dan bagian basis .14 lebih sering digunakan sebagai penguat arus.kolektor pada dasarnya berpanjar mundur. Untuk iE = 0. Terlihat bahwa efek dari tegangan kolektor-basis VCB cukup kecil.

2.15 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi emitter bersama .Gambar 2.14 transistor dalam konfigurasi emitter bersama Untuk menyederhanakan persamaan diatas kita telah mendifinisikan “nisbah transfer arus” sebagai dan kita dapat mencatat besarnya arus cutoff kolektor sebagai Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor) dalam bentuk arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah (a) a) karakteristik basis. b) karakteristik kolektor (b) Gambar 2.2.

2.6 Karakteristik Masukan Karakteristik transistor lain yang perlu diketahui adalah karakteristik masukan.α = 0.2.7 V akan memberikan iB yang cukup besar.Bentuk karakteristik emitor-bersama diperlihatkan pada gambar 2.7 Karakteristik Transfer-Arus Karakteristik transfer-arus berupa plot iC terhadap iB untuk suatu harga VCE tertentu. dan harganya tergantung pada besarnya tegangan sambungan emitor-basis.15. Sedikit kenaikan pada α akan menghasilkan perubahan yang lebih besar pada β.2. arus D ( iD ) hampir tidak tergantung pada besarnya tegangan D-S ( VDS ). Untuk BJT silicon misalnya. yaitu hubungan eksponensial I-V pada sambungan emiter-basis.0.2. atau FET dapat digunakan sebagai “penguat”. tegangan yang terjadi mungkin akan lebih besar dibandingkan tegangan masukan. Pada daerah jenuh.15-b. sedangkan pada konfigurasi emitor-bersama adalah hubungan antara VBE dengan iB.98 = 49 jelas sedikit perubahan pada iB akan memberikan kenaikan yang sangat besar. maka biasanya digunakan analisa pendekatan. Karakteristik masukan pada konfigurasi basis bersama adalah hubungan antara VBE dengan iE .98 / 1 . akan diikuti kenaikan arus iC sebesar βiB . Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik keluaran. 2. dan “karakteristik transfer” yang . besarnya arus masukan iB relatif kecil untuk tegangan kolektor-emitor lebih besar 1 V. yaitu antara pinch-off atau turn-on dengan daerah breakdown. Setiap ada kenaikan arus iB . untuk tegangan panjar maju sekitar 0. Kemiringan dari kurva yang diperoleh secara langsung akan memberikan harga dari hubungan : 2. Karena karakteristik piranti secara individu tidak dapat diketahui secara pasti.98.8 Karakteristik Transfer Karakteristik i-v dari FET menunjukkan bahwa arus keluaran dapat dikontrol oleh tegangan masukan. dengan demikian FET dapat digunakan sebagai “saklar” dengan tegangan sebagai pengontrol. 2. dan efek dari VCE pada konfigurasi ini akan lebih nampak dibandingkan pada konfigurasi basis-bersama. β = α /1. Pada gambar 2.2. arus iC berharga relatif kecil dan hampir konstan pada harga ICEO . Untuk α = 0. Jika arus keluaran dilewatkan pada suatu resitor. untuk iB = 0 .

2. Titik S terhubung dengan masukan dan keluaran.17.menggambarkan hubungan antara arus keluaran dengan tegangan masukan diperlihatkan seperti pada gambar 2. Salah satu bentuk praktis rangkaian sumber bersama diperlihatkan pada gambar 2. Dari analisis teori dan pengukuran praktis.2.2. Karakteristik rangkaian pada dasarnya sama untuk ketiga piranti tersebut. Pada rangkaian dapat dipasang piranti JFET. Isyarat masukan dikenakan pada G-S dan isyarat keluaran diambil dari D-S.2.9 Penguat Sumber-Bersama (Common-Source Amplifier) Konfigurasi sumber bersama (common-source) paling banyak digunakan pada penguat FET.16 karakteristik transfer pada arus konstan untuk JFET ( dimana iDS = arus D pada daerah arus-konstan ) IDSS = nilai iDS dengan G terhubung langsung dengan S VP = tegangan pinch-off 2. dapat diperlihatkan bahwa karakteristik transfer untuk ketiga jenis FET dapat didekati berbentuk parabolik. Dalam berbagai hal konfigurasi ini mirip dengan konfigurasi emitorbersama pada BJT. Untuk JFET. Pada prinsipnya rangkaian ini sama dengan rangkaian dasar penguat JFET yang telah kita bahas sebelumnya. D-MOSFET atau E-MOSFET.16. arus D pada daerah arus-konstan adalah Gambar 2. .

Impedansi masukan berharga sangat tinggi (berorde mega ohm). Tegangan isyarat yang datang akan tergabung (superimpossed) dengan tegangan G. 2. Konfigurasi gerbang-bersama dapat digunakan sebagai penguat tegangan tetapi mempunyai penguatan arus lebih kecil dari satu. Tegangan keluaran yang diambil dari S-D akan mengalami pembalikan 1800 . Impedansi keluaran relatif cukup tinggi (beberapa kilo ohm) dan pada dasarnya tidak tergantung pada harga RL .2.Gambar 2. Penguatan tegangan adalah sebesar AV = VDS/VGS dengan harga sekitar 5 – 10. Konfigurasi ini dapat digunakan untuk piranti JFET.17 Penguat JFET sumber bersama (common-source) Isyarat yang akan diproses pada sumber bersama diumpankan pada GS. . Ini menyebabkan tegangan G bervariasi mengikuti AC. Isyarat masukan dikenakan pada S-G dan isyarat keluaran diambil dari D-G.2. Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R2. Variasi ini akan diikuti oleh arus drain ID .10 Penguat Gerbang-Bersama (Common-Gate Amplifier) Konfigurasi gerbang-bersama (common-gate) dalam berbagai hal mirip dengan konfigurasi basis-bersama pada BJT. DMOSFET atau E-MOSFET. Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian.

Dengan kata lain isyarat masukan sefase dengan isyarat keluaran. 2.2. Pada rangkaian ini digunakan penguat JFET. Demikian halnya pada saat periode isyarat masukan negatif.11 Penguat Saluran-Bersama (Common-Drain Amplifier) Penguat saluran-bersama mempunyai isyarat masukan yang dikenakan pada G dan isyarat keluaran diambil dari S. akan terjadi kenaikan ID. Konfigurasi ini banyak dipakai untuk penguat isyarat frekuensi radio (RF). yaitu berharga sekitar 2 . Penguat gerbang-bersama mempunyai karakteristik yang agak spesifik. Besarnya penguatan tegangan relatif lebih rendah dibandingkan penguat sumber bersama. Pada periode positif isyarat masukan akan membuat S semakin positif. Penguat ini juga disebut sebagai pengikutsaluran (drain follower) dan memiliki . Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R1 . D terhubung baik dengan masukan maupun dengan keluaran.Gambar 2. Penurunan tegangan pada R2 akan mengalami kenaikan atau penurunan mengikuti masukan. Isyarat masukan dikenakan pada R1 melalui C1 .5. Penguat ini memiliki impedansi masukan yang sangat rendah (sekitar 200 – 1500 ) dan impedansi keluaran sedang (sekitar 5 – 15kΩ).18.2. Variasi yang terjadi pada isyarat masukan menyebabkaan perubahan pada tegangan S.2. ini akan membuat ID semakin negatif. Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian.18 Penguat JFET sumber bersama (common-source) Salah satu bentuk praktis rangkaian gerbang-bersama diperlihatkan pada gambar 2.

Pada rangkaian ini.karakteristik mirip dengan rangkaian pengikut emitor pada transistor BJT. Saat isyarat masukan AC diumpankan ke G. maka akan terjadi perubahan tegangan G.2. Penguat saluran-bersama banyak digunakan sebagai piranti penyesuai impedansi (impedance-matching). Kombinasi resistor R2 dan R3 membentuk hambatan beban dan akan menjadi impedansi keluaran. tegangan dan sebagainya. akan membuat G negatif. Namun . maka transistor awalnya dibuat untuk menguatkan (amplifier) signal-signal.2. Pada periode positif isyarat masukan. Gambar 2. Ini akan membuat saluran-n menjadi semakin konduktif.19 Penguat JFET saluran-bersama (common-drain). arus. maka S akan berubah/bergoyang positif. Dengan bertambahnya arus yang melewati R3 dan R2 .2. Demikian sebaliknya pada saat periode isyarat masukan negatif. Titik operasi transistor ditentukan oleh R2. Gambar 2. yaitu untuk menyambung rangkaian dengan beban impedansi tinggi dengan rangkaian dengan beban impedansi rendah.12 PENGGUNAAN TRANSISTOR Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor. akan membuat saluran-n menjadi kurang konduktif.19 memperlihatkan bentuk praktis rangkaian saluran-bersama dengan menggunakan JFET saluran-n. Konfigurasi ini memiliki impedansi masukan yang sangat tinggi dengan memasang R1. resistor R3 telah digeser dari D ke S. 2. Titik operasi DC ditentukan oleh resistor R2 . daya.

RL = UCC . penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan.2.20.20 dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya. Gambar 2. sehingga tegangan UCE = UCC. b.20 dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger). maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan.2. c. Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2. a. Fisik relative jauh lebih kecil. RL = 0. Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik. Lebih ekonomis.dikarenakan karakteristik listriknya. seperti : a. Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube). dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor. Prinsip Saklar Transistor Kondisi OFF terjadi jika IC .2. Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan dalam rangkaian kaskade . . dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0. yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2.

21 Rangkaian Kaskade Transistor b. transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. yaitu Emiter.2. Pada saat terjadi perubahan tegangan ini. karena UZ tetap konstan sedangkan Ui = UCB + UZ. Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator) Gambar 2.22. Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB. Transistor mempunyai tiga buah elektroda. sedangkan silikon sekitar 15oC Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan. Regulator Tegangan dengan Transistor Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban RL. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus. . daya (Amplifier). Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75oC. tegangan.Gambar 2. Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse).2. maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama. Karena karakteristik listriknya.

Rangkaian transistor Darlington ditemukan pertama kali oleh Sidney Darlington yang bekerja di Laboratorium Bell di Amerika Serikat. dan secara umum merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya. C (Kolektor). seperti nampak dalam rumus berikut: . Jenis rangkaian hasil penemuannya ini telah mendapatkan hak paten. Jenis rangkaian yang mirip dengan transistor Darlington adalah rangkaian pasangan Sziklai yang terdiri dari sepasang transistor NPN dan PNP. Penguatan total dari rangkaian ini merupakan hasil kali dari penguatan masing-masing transistor yang dipakai: Nilai penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali atau lebih.maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat-Sink. Penguatan arus listrik atau gain dari rangkaian transistor Darlington ini sering dituliskan dengan notasi β atau hFE. karena hasil penguatan pada transistor yang pertama akan dikuatkan lebih lanjut oleh transistor kedua. Sambungan seri seperti ini dipakai untuk mendapatkan penguatan (gain) yang tinggi. Dari segi tegangan listriknya. Dari luar transistor Darlington nampak seperti transistor biasa dengan 3 buah kutub: B (basis). Rangkaian Sziklai sering dikenal sebagai rangkaian 'Complementary Darlington' atau 'rangkaian kebalikan dari Darlington'. dan banyak dipakai dalam pembuatan Sirkuit terpadu (IC atau Integrated Circuits) chip. Transistor Darlington Transistor Darlington adalah rangkaian elektronika yang terdiri dari sepasang transistor bipolar (dwi kutub) yang tersambung secara tandem (seri). dan E (Emitter). Transistor Darlington bersifat seolah-olah sebagai satu transistor tunggal yang mempunyai penguatan arus yang tinggi. Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan. Keuntungan dari rangkaian Darlington adalah penggunaan ruang yang lebih kecil dari pada rangkaian dua buah transistor biasa dengan bentuk konfigurasi yang sama. voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar.

2 buah multimeter analog maupun digital. Untuk JFET periksalah hambatan antara drain dan source untuk gate pada keadaan terbuka. c.1 Testing kondisi BJT dan JFET  Untuk BJT periksalah kondisi transistor.4 Cara Kerja 2.   isilah tabel 2. 2 buah variable Power supply e. d. dengan cara memeriksa dioda emiter dan dioda kolektor dari transistor.2 Resistansi channel JFET FET No Seri Type AVO Meter Analog 2SK19 channel-N Digital Hambatan Drain Source Gate Source Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan . Kemudian periksa pula hubungan antara gate dengan source. flash disk h.2.2 Tabel 2. modul praktikum elektronika dasar. kertas milimeter block f. Datasheet transistor yang digunakan 2.44 MB g.3 Daftar Komponen dan Alat a.  Isilah tabel 2. Osiloskop dua channel. disket 3½ “ 1. mistar i.1.4. b.1 Resistansi dioda BJT No BJT No Seri Type 1 BC547 NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter Basis Kolektor Keterangan keadaan Baik Buruk Keterangan Tabel 2.

1 0.1 Rangkaian karakteristik BJT Tabel 2.3.3 0.4 0. Catat pengamatan anda pada tabel 2. IC (tegangan dari RC).4.2 0. Karakteristik BJT dan JFET 1.1.Karakteristik BJT   Buat rangkaian seperti pada gambar 2.IV.3 Hasil pengamatan karakteristik BJT No 1 2 3 4 5 IB VCE 0. Aturlah tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE sesuai dengan tabel 2. dan VCE.  Gunakan multimeter untuk mengukur IB (Tegangan dari RB).5 VRE IC IE β Keterangan .II.3  Gambar 2.

2 Aturlah tegangan agar harga VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.5 2. Karakteristik BJT dan JFET dengan osiloskop 1.5 4 5 2. .4 Hasil Pengamatan karakteristik JFET No VGS VDS VR ID D IG Keterangan 1 2 3 1.2 Rangkaian karakteristik JFET Tabel 2.4.4 catat besar ID pada tabel 2. Karakteristik JFET    Buat rangkaian seperti pada gambar 2.4.3. Karakteristik transistor  Buat rangkaian seperti pada gambar 2.3.4 Gambar 2.2.

Input horisontal (X/CH1) hubungkan dengan DS (drain JFET hubungkan dengan ground osiloskop) dan input Vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan RD (Drain sebagai ground ).  Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif  Besarnya arus drain dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan vertikal dengan nilai tahanan RD.4.7 volt . untuk harga VGS 0. untuk harga IB 30. Input horisontal (X/CH1) hubungkan dengan E (emitor transistor hubungkan dengan ground osiloskop) dan input vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan ground RC (kolektor sebagai ground)  Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif  Besarnya arus kolektor dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan vertikal dengan nilai tahanan RC  Gambar hasilnya pada kertas milimeter block. dan 0.  Gambar hasilnya pada kertas milimeter block.4. Karakteristik JFET   Buat rangkaian seperti pada gambar 2.3 Rangkaian karakteristik BJT dengan osiloskop 2. Gunakan osiloskop dua channel.3. 50. dan 75 mA Gambar 2. 0. Gunakan osiloskop dua channel .

4.    Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB. dan VBE. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).4.4. dan VBE.6 Setiap mulai mengukur. IC.4 Konfigurasi BJT 2. Isi tabel 2.1 Emiter stabilized bias  sebelum transistor dirangkai. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB.4 Rangkaian karakteristik JFET dengan osiloskop 2. IC.4. VCE. ukurlah dahulu besarnya h fe transistor dengan multimeter digital. VCE. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.6  .Gambar 2.

dan VBE.Gambar 2.5 Konfigurasi Emiter stabilized bias Tabel 2. Isi tabel 2.4.6 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emiter stabilized bias No 1 2 3 4 IB IC VCE VBE β Keterangan 2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. ukurlah dahulu besarnya h fe transistor dengan multimeter digital.    Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB.4.7 Setiap mulai mengukur.7  . VCE.4. IC. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB. IC. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). VCE.2 Voltage divider bias  sebelum transistor dirangkai. dan VBE.

Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID. Isi tabel 2.4. IG.5 Konfigurasi JFET 2.4. VDS. IG.1 Fixed bias   Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2. VDS. dan VGS.  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID.4. dan VGS.Gambar 2.7 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 2 3 4 IB IC VCE VBE β Keterangan 2. matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).5.6 Konfigurasi Voltage divider bias Tabel 2.9 Setiap mulai mengukur.9  .

matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). IG. Isi tabel 2.11 Setiap mulai mengukur.4. dan VGS.8 Hasil Pengamatan Konfigurasii Fixed bias No 1 2 3 4 ID IG VDS VGS Keterangan 2. Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID. VDS. IG. VDS.11  .5.  Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID. dan VGS.Gambar 2.4.2 Voltage divider bias   Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.7 Konfigurasi Fixed bias Tabel 2.

Gambar 2.10 Resistansi Dioda BJT No BJT No Seri 1 BC547 Type NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital 500 0 500 0 √ AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter 550 0 Basis Kolektor 500 0 Keterangan keadaan Baik Buruk √ Ket .8 Konfigurasi Voltage divider bias Tabel 2.4.9 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 2 3 4 ID IG VDS VGS Keterangan 2.5 Lembar Kerja dan Data Hasil Percobaan Tabel 2.

81 VG 1.5 β 10.34 VCE 2.15 Hasil Pengukuran Resistansi dioda BJT No BJT No Seri 1 BC547 Type NPN Digital Analog 2 BC557 PNP Digital 500 0 500 0 √ AVO Meter Analog Hambatan Dioda Basis Emiter 550 0 Basis Kolektor 500 0 Keterangan keadaan Baik Buruk √ Ket .09 Keterangan Baik 2. berikut data yang diperoleh.72 VDS 12.34 VBE 10.1078 VB 10.978 keterangan Baik Tabel 2.14 Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias No 1 ID 2.02 VDS 7. Tabel 2.05 IC 0.1 Testing kondisi BJT dan JFET Sebuah transistor apabila dalam kondisi baik maka akan mempunyai suatu nilai hambatan dan apabila nilai hambatannya nol atau tidak bisa di hitung nilainya maka transistor dalam keadaan rusak.675 IC 0.Tabel 2.13 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias No 1 ID 5.6 Analisa Pembahasan Hasil Percobaan 2.02 Keterangan - Tabel 2.2 β 0.02 VB 10.13 VC 10.7 IG 6.12 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias No 1 IB 1.159 Keterangan - Tabel 2.098 VD 12.6.50 VC 2.53 VGS 0.52 VG 0.84 VBE 9.476 VD 7.18 VGS 1.78 VCE 9. Dalam percobaan ini kita memeriksa transistor jenis NPN (BC547) dan jenis PNP (BC557).33 IG 0.11 Hasil Pengukuran Konfigurasi emitter dan stabilized bias No 1 IB 0.

Meskipun dalam pengukuran pada hubungan gate dengan source pada bias balik tidak mendapat nilai akan tetapi tetap bisa disimpulkan bahwa JFET yang kita ukur dalam keadaan baik. Antara basis dan emitor terdapat satu sambungan pn.Memeriksa BJT kita lakukan dengan cara memeriksa hambatan dioda Emiter dan dioda kolektornya. Ini menandakan pada saat dikenakan arus mundur pada Basis-Emiter. sedangkan jika dikenakan arus mundur pada Avometer tidak menunjukkan hasil.sifat pada sambungan ini sama dengan sifat diode. sedangkan pada saat dikenakan arus mundur Avometer menunjukkan hasil pengukuran. Dari table dapat dilihat pada pengujian transistor BJT type NPN terlihat pada saat Basis-Emiter dikenakan arus maju artinya pada Basis dikenakan kutub positif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub negatif sumber listrik pada Avometer terlihat adanya resistansi yang terukur. yaitu Kolektor dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Basis dikenakan kutub positif sumber listrik maka pada Avometer menunjukkan hasil. Pada BasisKolektor. Maka jelas. sedangkan pada saat dikenakan arus mundur. Biasanya dalam rangkaian transistor dipakai dambungan pn dalamkeadaan bias maju sehingga antara arus dan voltase basis-emitor terdapat hubungan seperti pada diode. Dari data hasil percobaan kita mendapatkan nilai hambatan yang berarti. Hal ini menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan baik. Hal ini menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan baik. Dalam pengukuran JFET kita memeriksa hambatan antara drain dan source untuk gate terbuka dan memeriksa hambatan antara gate dan source. arus listrik tersebut tidak dapat mengalir. yaitu pada Basis dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub positif sumber listrik maka pada Avometer tidak menunjukkan hasil. Dalam pengukuran JFET kita menggunakan JFET saluran n. sesuai dengan sifat . Pada kedua jenis transistor diatas memiliki hambatan yang berarti jadi kedua jenis transistor dalam keadaan baik. ketika dikenakan arus maju. Dalam JFET saluran n terdapat satu bahan semi konduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. karena pada transistor type NPN arus hanya akan mengalir dari bagian P ke bagian N atau dengan kata lain dari kaki Basis ke kaki Emiter dan dari kaki Basis ke kaki Kolektor. kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber. Untuk BJT type PNP terlihat pada table ketika dikenakan arus maju pada BasisEmiter dan Basis-kolektor pada Avometer tidak menunjukkan hasil pengukuran (mati).

Pada transistor JFET.0. kemudian mengukur IB (Tegangan dari RB).55x10-4 A = 2.3x10-4 IC = VCC . Maka didapatkanlah data seperti pada tabel . Sedangkan pada Gate Source hanya pada saat dikenakan voltase maju saja memberikan hasil pada Avometer. dan VCE.1x10-5 A =20.3x10-4 A / 1.semikonduktor yang hanya akan mengalirkan arus dari P ke N atau dengan kata lain. yaitu dari Gate ke Source dan tidak sebaliknya. Dalam percobaan karakteristik BJT kita memerlukan nilai IB.1x10-5 A β = IC / IB IE = IC β = IC / IB IE = IC = 2.6. pada Transistor PNP arus akan mengalir dari Emiter ke Basis dan dari Kolektor ke Basis.91 . 2. IC (Tegangan dari RC). Mengatur tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE.2 Karakteristik BJT Pada awalnya kita menyusun rangkaian seperti pada gambar.VBE / RB IC = VCC . IE dan β. sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif. IB = VCC – VBE / RB = 12 .VCE / RC =4.6 V .VCE / RC Misalnya pada saat kondisi VB= 0.51 V / 106  = 1. Hal tersebut menunjukkan bahwa transistor JFET tersebut dalam keadaan baik. karena pada Drain Source merupakan satu saluran yaitu saluran N sehingga walaupun dikenakan voltase maju ataupun mundur maka akan terdapat aliran listrik. Semikonduktor P  adalah semikonduktor P dengan konsentrasi atom asing yang tinggi. IC.02 V / 4700  = 8. maka persamaannya dapat diperoleh dari persamaan berikut : IB = VCC . yang berupa aliran elektron. ketika dikenakan voltase maju atau voltase mundur pada Drain Source Avometer menunjukkan hasil pengukuran. sedangkan pada Gate Source Avometer hanya akan menunjukkan hasil ketika dikenakan voltase maju karena pada Gate merupakan daerah semikonduktor P  sehingga aliran listik hanya dapat mengalir satu arah saja.

1x10-5 1.55 0.3x10-4 2. Dan untuk menentukan besar IG dan ID dapat mempergunakan rumus berikut : IG = VG / RG dan IDS = VDS / RD Misalnya pada saat kondisi VG = 0.2x10-5 1.53 0.3x10-4 2.05 V / 4700  = 2.61 VCE 10.6x10-4 3x10-4 3.8 0.7 0.3x10-4 3.2x10-5 1.6 0.25.31x10-3 A Sehingga diperoleh hasil sebagai berikut: .26 1.7x10-4 Β 20. Pertama dibuat rangkaian seperti pada gambar 2.2x10-5 VB 0. Kemudian mengatur tegangan VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.55 0.93 1.7x10-4 VC 0.83 Ket - 2.76 10.20 Hasil Pengamatan Karakteristik BJT No 1 2 3 4 5 IB 1.91 10. langkah-langkahnya hampir sama dengan dengan percobaan menentukan karakteristik BJT.91 21. dengan RD = 4700  ID = VDS / RD = 1.6x10-4 3x10-4 3.23.6 V.1 1.67 25 27.3 Karakteristik JFET Pada percobaan menentukan karakteristik JFET. dengan RG = 106  IG = VG / RG = 0.44 10.5 30.9 1 VBE 0.51 0. Kemudian tinggal mencatat besar IG dan ID.Tabel 2.41 1.6 V / 106  = 6x10-7 A Misalnya pada saat kondisi VDS = 1 V.55 IC 2. Nilai VRD yang di dapatkan dapat dilihat pada tabel.3x10-4 3.24 IE 2.2x10-5 1.6.6 10.

1 Emitter Stabilized Bias Gambar 2.4.159 keterangan - Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas.05 1.9 1 VDS 1.2 β 0.05 VRD 10.06 1.6.53 0.88 VGS 0.13 VC 10.31x10-3 2.85 10.52 0.1078 VB 10.07 1.31x10-3 2.8 0.4 Konfigurasi BJT 2.06 1.6 0.54 ID 2.31x10-3 IG 6x10-7 7x10-7 8x10-7 9x10-7 1x10-6 Keterangan - 2.31x10-3 2.7 0.85 10.Tabel 2.22 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emitter Stabilized Bias No 1 IB 0.675 IC 0. dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : .6.51 0.87 10.31x10-3 2.52 0.6.87 10.21 Karakteristik JFET No 1 2 3 4 5 VG 0.78 VCE 9.1 Konfigurasi Emitter Stabilized Bias Tabel 2.84 VBE 9.

7x10-4 A = 32.23 .7x10-4 A Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam tabel.13V 15k IC = 12V  9.84 V dimana: RB = 15 KΩ dan RC = 100 Ω IB = 10.0216 A IB = 6.VCE / RC Untuk VCC = 12 V.84V 100 = 0.13 V dan VCE = 9. VB = 10.7x10-4 A maka.0216 A = 6.   IC IB = 0.IB = VB / RB dan IC = VCC . Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : β = IC / I B Untuk IC = 0.0216 A / 6.

Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.6.5V 10K IC = 12V  2.097 A = 1.6.2 Konfigurasi Voltage Divider Bias Tabel 2.02 VB 10.4.05x10-3 A .05 IC 0.338 V dimana: RB = 10 K  dan RC = 100  maka: IB = 10.23 Hasil Pengamatan Voltage Divider Bias No 1 IB 1.238V 100 = 0.34 VCE 2. VCC = 12 V dan VCE = 2.2 Voltage Divider Bias Gambar 2.5 VC 2.5 β 10. dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : IB = VB / RB dan IC = VCC .022 keterangan - Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas.VCE / RC Untuk VB = 10. 2.5 V.338 VBE 10.

5 Konfigurasi JFET 2.097 A IB = 1.978 keterangan Baik .6.05x10-3 A = 92.Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam tabel.5.52 VG 0.24 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias No 1 ID 5.   IC IB = 0.05x10-3 A maka.6.097 A / 1. Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : β = IC / I B Untuk IC = 0.02 VDS 7. 2.53 VGS 0.38 Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.476 VD 7.1 Fixed Bias Gambar 2.6.3 Konfigurasi Fixed bias Tabel 2.33 IG 0.

53V 1K IG = 0. maka maka: ID = 7.Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : ID = VD / RD dan IG = VG / RG Untuk VD = 7.476 V dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 1 MΩ .476V 1M = 7. 2.4 Konfigurasi Voltage divider bias .6.53 V dan VG = 0.5.76 x 10-7 A Nilai IG bernilai 0 hal ini disebabkan karena pada saat proses perhitungan V G didapatkan hasil yang bernilai 0 .2 Voltage Divider Bias Gambar 2.6.53 x 10-3 A = 4. Ini disebabkan oleh karena ID dan IG selalu berbanding lurus dengan VD dan VG.

Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja BJT dan FET! 5.18 V dan VG = 1. a. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter.098V dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 10 KΩ .098V 10 K = 12. aktif. buatlah grafik.098 VD 12. jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan! 7.IGSS? 10. VBE terhadap IB c. Dari keempat jenis bias pada BJT.09 keterangan Baik Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut : ID = VD / RD dan IG = VG / RG Untuk VD = 12. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off. hFE terhadap IC. Tentukan titik Q pada BJT dan FET.7 IG 672 VDS 12.18 x10-3 A = 1. mana yang paling stabil (pergeseran titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan! 8.Tabel 2. IC terhadap VCE b. pada tiap konfigurasi! 4. Sebutkan kegunaan dari BJT dan JFET serta aplikasinya? 6.81 VG 1. Apa ciri ketiga daerah operasi dari JFET? .18 VGS 1.18V 1K IG = 1.maka maka: ID = 12. aktif dan saturasi.7 Pertanyaan dan Tugas 1.25 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias No 1 ID 2. 3. dan saturasi? 2.098x10-4 A 2. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias? 9. Apa yang dimaksud dengan IDSS.VP. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off.

ICRC . Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri kesimpulannya 14. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori. Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON. sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan kesimpulan umumnya pada akhir percobaan. daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Terangkan perbedaan antara BJT dan JFET menurut hasil percobaan (minimal 5 perbedaan)! 12.1 Jawaban : 1. Pada saat perubahan ini. Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan. mungkinkah disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya! 13.11. Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (rangkaian CE). dimana arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).7. 2. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. - Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif. maka dapat diperoleh hubungan : VCE = VCC .

24 370 . Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal.Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : PD = VCE. a. - Daerah Saturasi Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.44 330 12 10. maka transistor dapat rusak atau terbakar.7 volt (transistor silikon).IC Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya.91 230 12 10. yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax.6 300 12 10. 2. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PDmax.76 260 12 10. Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Grafik VCE terhadap IC IB (µA) VCE (V) IC (µA) 11 10.

24 370 23.44 330 24.55 c.91 230 26 12 10. Grafik hFE terhadap IC.55 12 0.4 12 10. Grafik VBE terhadap IB IB (µA) VCE (V) 11 0.9 12 10.5 12 10.53 12 0. IB (µA) VCE (V) IC (µA) 11 10.76 260 25.6 300 24.b.9 h fe (dB) .55 12 0.51 12 0.

b. lebar daerah pengosongan akan bertambah. 5. . Ketika sambungan pn tersebut dibias balik. Dalam elektronika digital biasanya hanya terdapat dua keadaan. Satu contoh di mana transistor dipakai sebagai saklar adalah dalam rangkaian elektronika digital. Bias Emiter Terstabilkan : Titik Q point terjadi pada perpotongan garis Ibo dan garis yang menghubungkan Vcc dan Vcc / Rc+Re c. Bias Pembagi Tegangan : Titik Q point terjadi pada pertemuan garis dari k dan Vge. sehingga electron akan masuk ke dalam saluran dari source dan keluar dari drain. Dalam pengoperasian JFET saluran n. Gate disambungkan dengan voltase negatif terhadap source sehingga saluran pn antara gate dan saluran n dibias balik. yaitu voltase ada dan voltase nol atau dengan kata lain hanya terdapat keadaan on dan off. 4. Bias Tetap : Titik Q point terjadi saat Ic saturasi mencapai maximum dan berpotongan dengan Vce saturasi. Lebarnya akan tergantung dari voltase antara daerah semikonduktor p+ dan daerah semikonduktor n. semakin lebar daerah pengosongan. Semakin besar voltase.3 a. Kegunaan dari BJT diantaranya berfungsi sebagai saklar. drain disambungkan positif terhadap source.

Kegunaan dari JFET salah satunya adalah penguat pemotong.7 V . dengan cara ini tegangan dc digandeng. Reverse Bias adalah hubungan yang terjadi saat pusat negative baterai dihubungkan pada sisi-dan pusat positif baterai dihubungkan dengan sisi-n. seperti tegengan ac. yaitu tengangan catu kolektor. dan variasi suhu. . Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan beban tipe-n dan pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p. VCE maksimum yang mungkin sekitar 15 V. tapi bisa juga sampai 800. 8.6 – 0. Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier ( IC = B * IB). VP adalah tegangan Pinchoff dimana tegangan minimum pada daerah aktif JFET. maka titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban. Titik cut-off menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang mungkin dalam rangkaian. 7. 6. Karena di sana lebih dari cukup arus basis untuk menjenuhkan transistor. Berada pada daerah aktif VBE = 0. bagian dari base transistor. Rangkaian yang dapat menguatkan sinyal ac dinamakan dengan penguat dc. Keuntungan utama dari penggandengan langsung adalah drift yaitu. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor kecil. Membangun sebuah penguat tergandeng langsung dengan mangambil kapasitor penggandeng dan bypass kapasitor serta manghubungkan keluaran tiap tingkatan langsung pada input dari tingkatan berikutnya. Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan basis yang menghasilkan gain arusnya 10. Beta adalah salah satu dari parameter transistor. IDSS adalah arus batas atas untuk memutuskan atau mencegah kenaikan arus kanal penghubung yang sempit. parameter transistor. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter disebut dengan bias pembagi teganyan. Kita dapat mengenalinya dengan adanya pembagi tegangan pada rangkaian basis. 9. pergeseran rendah tempat tegangan keluaran dc akhir dihasilkan dengan perubahan kecil pada tegangan catu. Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias pembagi tegangan. Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200.

IG. VBE. Daerah Aktif ciri-cirinya adalah persamaan garisnya telah melewati tegangan pinchoff dan sampai pada batas VDS max. dan β tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu tetapi VCE mengalami perubahan nilai (tidak signifikan) . . Karena kurangnya perawatan atau mungkin umur alat yang sudah lama. dan VGS tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu tetapi VDS mengalami perubahan nilai (tidak signifikan) .Konfigurasi JFET * Nilai ID. 11. Daerah ohmic cirri-cirinya adalah bagian yang hamper vertical pada kurva drain di bawah pichoff.Konfigurasi BJT * . Daerah breakdown ciri-cirinya adalah tegangan JFET telah mencapai VDS max. Kerusakan transistor bisa saja terjadi karena transistor telah melewati daerah breakdown. IC. Ini adalah arus drain maksimum yang dapat dihasilkan sebuah JFET. 14. 13. Tidak sesuainya hasil percobaan dengan teori bisa saja disebabkan oleh rusaknya transistor. BJT memiliki kolektor.IGSS adalah arus yang menunjukkan drai arus ke sumber dengan gate yang dihubungsingkatkan.Kondisi BJT dan JFET * BJT dan JFET dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau hambatan diodenya dapat dihitung. Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan teori yang ada. gate dan source. 12. 10. BJT dibentuk berdasarkan dua tipe muatan sedangkan JFET satu tipe muatan.Karakteristik BJT dan JFET * Penambahan VCE secara konstan tidak menyebabkan perubahan IC atau perubahan IC sangat kecil (tidak signifikan) * * Besar β ditentukan oleh besar IC dan IB Besar arus colektor dan emiter adalah sama Nilai IB. . basis dan emitter sedangkan JFET memiliki Drain. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan didalam pembacaaan skala pada alat ukur multimeter.

Phys.ub. 2.wikipedia. Penerbit Andi.id/praktikum/de/de.org/wiki/Transistor_efek%E2%80%93medan http://elka.. Emiter stabilized bias. 2004 http://www. saturasi dan breakdown. BJT dan JFET memiliki daerah Aktif. Penerbit Salemba Teknika.9 Daftar Referensi Buku - Malvino. cut-off.ub.voltage divider bias dan voltage feedback bias.electronics-tutorials. buku satu. Dipl.P.scribd.id/praktikum/de/de. 2003 Blocher Richard.ac. BJT memiliki kaki-kaki yang dinamai kolektor. basis dan emitter sedangkan JFET memiliki kaki-kaki yang disebut drain. gate dan source.php?page=4 http://elka.com/doc/33212205/Bjt-Dan-Jfet http://id. dan voltage divider bias. A.html .Prinsip-Prinsip Elektronika.php?page=3 http://www. Sedangkan JFET juga memiliki beberapa jenis bias diantaranya fixed bias..ws/transistor/tran_1.6 Kesimpulan Dari hasil percobaan yang telah dilakukan dapat ditarik kesimpulan bahwa BJT memiliki beberapa jenis bias diantaranya adalah fixed bias.Dasar Elektronika.3.ac. self bias.